JPH01152655A - Peltier element control circuit - Google Patents

Peltier element control circuit

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Publication number
JPH01152655A
JPH01152655A JP31154387A JP31154387A JPH01152655A JP H01152655 A JPH01152655 A JP H01152655A JP 31154387 A JP31154387 A JP 31154387A JP 31154387 A JP31154387 A JP 31154387A JP H01152655 A JPH01152655 A JP H01152655A
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JP
Japan
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voltage
peltier element
control
temperature
operating temperature
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Application number
JP31154387A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Yamane
一雄 山根
Masanori Shimasue
政憲 嶌末
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce the number of constituent elements which are necessary for performing temperature control and lessen electricity consumption in cooperation with the fact that no resistance is included in a live circuit, by setting the first, second, and third voltages in the order of decreasing voltage and controlling two transistors by outputs of a control voltage generating circuit. CONSTITUTION:Emitters of transistors 21 and 41 are commonly connected to one side of terminals of a Peltier element 10 and a collector of the NPN-type transistor 21 is connected to a drive voltage source having a voltage +V and the collector of the NPN-type transistor 41 is connected to the drive voltage source having the voltage -V; besides, other side of the terminals of the Peltier element 10 is earthed. In a state that a setting operation temperature of the Peltier element 10 reaches thermal equilibrium, an operational amplifier 201 generates its output voltage 0V. and the element is constructed so that it generates a positive voltage at its output when its ambient temperature is higher than the set operation temperature and it generates a negative voltage at its output when the ambient temperature is lower than the set operation temperature.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ペルチェ素子の一方の端子電圧を固定電位にしてそれに
冷却1発熱を生ぜしめるペルチェ素子制御回路に関し、 回路規模の縮小及び消費電力の削減の下での所期の温度
制御の達成を目的とし、 ペルチェ素子によって温度制御される被制御対象物の動
作温度の設定動作温度に対する偏差に応じて制御電圧発
生回路から発生される制御電圧で前記ベルチェ素子の駆
動電流を制御するペルチェ素子制御回路において、第1
の駆動電圧の給電端子と第3の駆動電圧の給電端子との
間に直列接続して第1及び第2のトランジスタを設け、
前記両トランジスタの接続点と第2の駆動電圧の給電端
子との間に前記ベルチェ素子を接続すると共に、前記第
1.第2及び第3の駆動電圧をこの順に高い電圧値とし
て設定し、制御電圧発生回路の出力で前記両トランジス
タの制御を行なうようにした。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a Peltier element control circuit that fixes the voltage at one terminal of a Peltier element and generates cooling and heat generation, the following points are to be solved in order to reduce circuit scale and power consumption. The driving current of the Beltier element is controlled by a control voltage generated from a control voltage generation circuit according to the deviation of the operating temperature of the controlled object whose temperature is controlled by the Peltier element from the set operating temperature. In the Peltier element control circuit that controls the first
providing first and second transistors connected in series between a power supply terminal of a drive voltage and a power supply terminal of a third drive voltage;
The Vertier element is connected between the connection point of both the transistors and the power supply terminal of the second drive voltage, and the first... The second and third drive voltages are set to higher voltage values in this order, and both transistors are controlled by the output of the control voltage generation circuit.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、ベルチェ素子の一方の端子電圧を固定電位に
してそれに冷却9発熱を生ぜしめるペルチェ素子制御回
路に関する。
The present invention relates to a Peltier element control circuit that fixes one terminal voltage of a Beltier element to a fixed potential and causes cooling and heat generation thereto.

半導体素子等においては、その素子固有の特性として素
子の動作特性に温度依存性があるため、素子の動作を安
定化させるという観点から素子の周囲温度が変動しても
、その素子を設定動作温度で常に動作させるように素子
動作温度の安定化手段がその素子のために設けられてい
る。例えば、レーザダイオードを信号送信に用いる場合
に受信側での容易な受信を可能にし、伝送路長を延ばす
ために、周囲温度が変わってもレーザダイオードの動作
温度をベルチェ素子を用いて一定に保つようにしている
In semiconductor devices, etc., the operating characteristics of the device are temperature dependent as a characteristic inherent to the device, so even if the ambient temperature of the device fluctuates, from the perspective of stabilizing the operation of the device, the device can be kept at the set operating temperature. Means for stabilizing the device operating temperature is provided for the device so that it always operates at a constant temperature. For example, when a laser diode is used for signal transmission, a Vertier element is used to keep the operating temperature of the laser diode constant even when the ambient temperature changes in order to enable easy reception on the receiving side and extend the transmission path length. That's what I do.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

上述のようなレーザダイオードの動作温度制御のための
ペルチェ素子制御回路としては、第4図に示す如きもの
がある。この図において、lOはベルチェ素子であり、
その構造は第6図に示す如き、この分野でよく知られた
構造のものである。
As a Peltier element control circuit for controlling the operating temperature of the laser diode as described above, there is a circuit as shown in FIG. In this figure, lO is a Bertier element,
Its structure, as shown in FIG. 6, is well known in the art.

ベルチェ素子lOはその構成金属Aから構成金属Bに電
流が流れたとき吸熱し、電流の流れる向きが逆になると
き発熱するものである。そして、ベルチェ素子lOによ
って温度制御される対象、例えばレーザダイオード12
はベルチェ素子10の熱授受面10.上に固定されてい
る。又、その熱授受面10+上にサーミスタ14が固定
されている。このサーミスタ14は第5図に示すブリッ
ジ回路16の1つの回路辺を構成している。ブリッジ回
路16の端子16Aからレーザダイオード12の設定動
作温度換算電圧(基準電圧)V□fが出力され、端子1
6.からレーザダイオード12の動作温度換算電圧v×
が出力される。
The Bertier element IO absorbs heat when a current flows from its constituent metal A to its constituent metal B, and generates heat when the direction of current flow is reversed. Then, an object whose temperature is controlled by the Bertier element IO, for example, a laser diode 12
is the heat exchange surface 10 of the Beltier element 10. Fixed on top. Further, a thermistor 14 is fixed on the heat exchange surface 10+. This thermistor 14 constitutes one circuit side of a bridge circuit 16 shown in FIG. The set operating temperature converted voltage (reference voltage) V□f of the laser diode 12 is output from the terminal 16A of the bridge circuit 16, and the terminal 1
6. to operating temperature-converted voltage v× of laser diode 12
is output.

これらの両型圧Vl’!f+VXは演算増幅器18c。These two mold pressures Vl'! f+VX is an operational amplifier 18c.

18hへ供給される。レーザダイオード12の動作温度
が設定動作温度より上昇し、電圧V、。、〉電圧■8と
なるとき、NPN形トランジスタTR1をオンにし、N
PN形トランジスタTR3の導電度を温度制御目的の達
成値まで変える制御電圧が演算増幅器18cから出力さ
れる。こうしてベルチェ素子10に通電される電流は上
述の金属Aから金属Bへのものであり、従ってレーザダ
イオード12は冷却され、その動作温度は下降する。
18h. When the operating temperature of the laser diode 12 rises above the set operating temperature, the voltage V,. ,>When the voltage becomes 8, the NPN transistor TR1 is turned on and the NPN
A control voltage is output from operational amplifier 18c that changes the conductivity of PN transistor TR3 to a value that achieves the temperature control objective. In this way, the current passed through the Bertier element 10 is from the metal A to the metal B, so that the laser diode 12 is cooled and its operating temperature is lowered.

この下降につれて前記制御電圧もベルチェ素子10への
通電電流をレーザダイオード12の設定動作温度におけ
る熱的平衡状態へ移行させ得る値の方へ変えられる。
As the control voltage decreases, the control voltage is also changed to a value that allows the current flowing through the Vertier element 10 to reach a thermal equilibrium state at the set operating temperature of the laser diode 12.

逆に、レーザダイオード12の動作温度が設定動作温度
より下がり、電圧v0.〈電圧Vxとなると、演算増幅
器18.から制御電圧が発生される。この制御電圧はN
PN形トランジスタTR2をオンにし、NPN形トラン
ジスタTR4の通電電流値を制御する。このようにして
ベルチェ素子10に流れる電流の向きは上述の温度上昇
の場合と逆になるから、レーザダイオード12は加熱さ
れ、その動作温度は上昇する。この場合の通電電流もベ
ルチェ素子10の設定動作温度における熱的平衡状態へ
移行させ得る値の方へ変えられる(第7図参照)。
Conversely, when the operating temperature of the laser diode 12 falls below the set operating temperature, the voltage v0. <When the voltage Vx is reached, the operational amplifier 18. A control voltage is generated from. This control voltage is N
The PN transistor TR2 is turned on to control the current value of the NPN transistor TR4. In this way, the direction of the current flowing through the Bertier element 10 is opposite to that in the case of the temperature increase described above, so the laser diode 12 is heated and its operating temperature increases. In this case, the applied current is also changed to a value that allows the Bertier element 10 to enter a thermal equilibrium state at the set operating temperature (see FIG. 7).

上述のような温度制御により、レーザダイオード12は
その設定動作温度で動作することができる。
Temperature control as described above allows laser diode 12 to operate at its set operating temperature.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

この従来回路においては、ベルチェ素子10に発熱機能
又は吸熱機能を生じさせるための通電電流の電流値制御
及び通電方向切替えに2個の演算“増幅器18c、18
hと、4個のNPN形トランジスタTRI、TR2,T
R3,TR4を必要とするため、回路規模が大きくなり
、実装面積を多く必要とする。そして、切り替えられた
通電枝路には2個のトランジスタが介在するため、そこ
での電力消費があるばかりでなく、いずれの通電枝路が
形成される場合であったとしても、その通電枝路に抵抗
が介在させられてしまうためそこでの電力消費が不可避
的に生ずる。加えて、通電枝路に入る直列接続素子が多
いため、回路の駆動電圧を高くしなければならない。
In this conventional circuit, two operational amplifiers 18c and 18 are used to control the current value of the energizing current and to switch the energizing direction in order to cause the Bertier element 10 to have a heat generating function or an endothermic function.
h and four NPN transistors TRI, TR2, T
Since R3 and TR4 are required, the circuit scale becomes large and a large mounting area is required. Since two transistors are interposed in the switched current-carrying branch, not only does that consume power, but no matter which current-carrying branch is formed, the current-carrying branch is Since a resistor is involved, power consumption there inevitably occurs. In addition, due to the large number of series-connected elements entering the current-carrying branch, the driving voltage of the circuit must be increased.

本発明は、斯かる問題点に鑑みて創作されたもので、回
路規模の縮小及び消費電力の削減を図りつつ所期の温度
制御を達成し得るーペルチェ素子制御回路を提供するこ
とをその目的とする。
The present invention was created in view of such problems, and its purpose is to provide a Peltier element control circuit that can achieve desired temperature control while reducing circuit scale and power consumption. do.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1図は本発明の原理構成図を示す。この図において、
2.4は第1の駆動電圧の給電端子5と第3の駆動電圧
の給電端子7との間に直列接続されて設けられた第1及
び第2のトランジスタである。10はペルチェ素子であ
り、この素子10は第1のトランジスタ2と第2のトラ
ンジスタ4との接続点3と第3の駆動電圧の給電端子9
との間に接続されている。そして、前記第1.第2及び
第3の駆動電圧はこの順に高い電圧値として設定される
。制御電圧発生回路20の出力で前記両トランジスタ2
,4を制御するようにして本発明回路を構成した。制御
電圧発生回路20は、被制御対象物の動作温度の設定動
作温度に対する変化方向及びその度合を表す制御電圧を
発生するものである。
FIG. 1 shows a basic configuration diagram of the present invention. In this diagram,
Reference numeral 2.4 denotes first and second transistors connected in series between the power supply terminal 5 for the first drive voltage and the power supply terminal 7 for the third drive voltage. 10 is a Peltier element, and this element 10 connects the connection point 3 between the first transistor 2 and the second transistor 4 and the power supply terminal 9 for the third drive voltage.
is connected between. And the above-mentioned 1. The second and third drive voltages are set to higher voltage values in this order. The output of the control voltage generation circuit 20 causes both the transistors 2
, 4 was configured to control the circuit of the present invention. The control voltage generation circuit 20 generates a control voltage that indicates the direction and degree of change in the operating temperature of the controlled object relative to the set operating temperature.

〔作 用〕[For production]

被制御対象物の動作温度がその設定動作温度から変化す
ると、その変化方向とその度合を表す制御電圧が制御電
圧発生回路20から発生される。
When the operating temperature of the controlled object changes from its set operating temperature, the control voltage generation circuit 20 generates a control voltage that represents the direction and degree of the change.

発生された制御電圧の極性によって決まる前記両トラン
ジスタ2又は4がオンに転ぜられると共にその導電度が
制御電圧値対応とされる。従って、トランジスタ2又は
4によって制御される駆動電流はペルチェ素子10から
前記温度変化を元の状態へ引き戻らせる熱量が発生せし
められる。かくして、被制御対象物は、常にその設定動
作温度で動作することができる。
Depending on the polarity of the control voltage generated, both transistors 2 or 4 are turned on and their conductivity corresponds to the value of the control voltage. Therefore, the drive current controlled by the transistor 2 or 4 causes the Peltier element 10 to generate an amount of heat that causes the temperature change to return to the original state. Thus, the controlled object can always operate at its set operating temperature.

この温度制御を生ぜしめるのに、上述のところから明ら
かな如く通電の開始及び停止、並びにその通電量の制御
を1個のトランジスタで行なっていることに加えて、そ
の回路に従来のような抵抗を含まないので、消費電力の
低減となる。又、そのためのトランジスタを制御するの
に1つの制御電圧発生回路で足りることも加わって回路
規模の縮小となる。駆動電圧間に直列に入る素子数を少
なくするようにしているから、駆動電圧の低電圧化に役
立つ。
In order to achieve this temperature control, as is clear from the above, in addition to starting and stopping energization and controlling the amount of energization using a single transistor, the circuit also requires a conventional resistor. Since it does not contain , power consumption is reduced. In addition, one control voltage generation circuit is sufficient to control the transistors for this purpose, resulting in a reduction in circuit scale. Since the number of elements connected in series between the drive voltages is reduced, this helps in lowering the drive voltage.

〔実施例〕〔Example〕

第2図は本発明の一実施例を示す。この図において、2
.はNPN形トランジスタで、4.はPNP形トランジ
スタであり、これらのトランジスタ2+、4+のエミッ
タは共通接続されてペルチェ素子10の一方の端子に接
続されている。NPN形トランジスタ21のコレクタは
+Vボルトの駆動電圧源へ接続され、PNP形トランジ
スタ4、のコレクタは一■ボルトの駆動電圧源へ接続さ
れる一方、ペルチェ素子10の他方の端子はアースされ
る。
FIG. 2 shows an embodiment of the invention. In this figure, 2
.. is an NPN transistor; 4. are PNP transistors, and the emitters of these transistors 2+ and 4+ are commonly connected to one terminal of the Peltier element 10. The collector of the NPN transistor 21 is connected to a +V volt driving voltage source, the collector of the PNP transistor 4 is connected to a 1 volt driving voltage source, while the other terminal of the Peltier element 10 is grounded.

20、は制御電圧発生回路20を構成する演算増幅器で
、その非反転入力に第5図に示すブリッジ回路16の端
子16aが接続され、反転入力にブリッジ回路16の端
子16Bが接続されている。
Reference numeral 20 denotes an operational amplifier constituting the control voltage generating circuit 20, whose non-inverting input is connected to the terminal 16a of the bridge circuit 16 shown in FIG. 5, and its inverting input is connected to the terminal 16B of the bridge circuit 16.

演算増幅器201はペルチェ素子10の設定動作温度に
おける熱的平衡状態においてその出力に0ボルトの電圧
が発生し、周囲温度が設定動作温度より上昇したとき正
の電圧が、周囲温度が設定動作温度より下降したとき負
の電圧が出力に発生するように構成されている。
The operational amplifier 201 generates a voltage of 0 volts at its output in a thermal equilibrium state at the set operating temperature of the Peltier element 10, a positive voltage when the ambient temperature rises above the set operating temperature, and a positive voltage when the ambient temperature rises above the set operating temperature. The configuration is such that a negative voltage is generated at the output when the voltage drops.

このペルチェ素子制御回路の動作は次の通りである。The operation of this Peltier element control circuit is as follows.

レーザダイオード12の周囲温度が外気温の上昇等によ
り上昇したとすると、レーザダイオードl2の近傍にあ
って、その温度上昇に応動するサーミスタ14の抵抗値
は減少し、基準電圧V r*f〉動作温度換算電圧■8
となるため、制御電圧発生回路20.から前記温度上昇
を前記熱的平衡状態へ戻すに足りる正の電圧が出力され
る。この電圧により、NPN形トランジスタ2.がオン
し、ベルチェ素子10に冷却作用を奏せしめる方向の電
流がベルチェ素子10に流れる。その電流の値はトラン
ジスタ2Iのベースに印加される電圧値によって決まる
。その電圧値はベルチェ素子10に生じた冷却作用によ
りその温度降下が進むにつれて漸減し、成る一定値に落
ちつく。
If the ambient temperature of the laser diode 12 increases due to an increase in the outside temperature, etc., the resistance value of the thermistor 14, which is located near the laser diode l2 and responds to the temperature increase, decreases, and the reference voltage Vr*f>operates. Temperature conversion voltage■8
Therefore, the control voltage generation circuit 20. outputs a positive voltage sufficient to return the temperature increase to the thermal equilibrium state. This voltage causes the NPN transistor 2. is turned on, and a current flows through the Beltier element 10 in a direction that causes the Beltier element 10 to exhibit a cooling effect. The value of the current is determined by the voltage value applied to the base of transistor 2I. The voltage value gradually decreases as the temperature decreases due to the cooling effect generated in the Vertier element 10, and settles to a constant value.

逆に、レーザダイオード12の動作温度が何らかの原因
により降下したとすると、この場合にはサーミスタ14
の抵抗値は増大するから、動作温度換算電圧vx〉基準
電圧V ratとなり、その温度降下を前記熱的平衡状
態へ戻すに足りる負の電圧が制御電圧発生回路20.か
ら発生される。この負の電圧はPNP形トランジスタ4
.をオンさせるから、ベルチェ素子10には加熱作用を
奏せしめる方向の電流が流れ、ベルチェ素子10の動作
温度は次第に降下する。その場合のPNP形トランジス
タ41のベースへ印加される電圧は、その極性を除けば
温度上昇の場合とほぼ同様の態様で発生される。
Conversely, if the operating temperature of the laser diode 12 drops for some reason, in this case the thermistor 14
Since the resistance value of the control voltage generating circuit 20. increases, the operating temperature equivalent voltage vx>the reference voltage V rat, and a negative voltage sufficient to return the temperature drop to the thermal equilibrium state is applied to the control voltage generating circuit 20. generated from. This negative voltage is applied to the PNP transistor 4
.. is turned on, a current flows through the Beltier element 10 in a direction that produces a heating effect, and the operating temperature of the Beltier element 10 gradually decreases. The voltage applied to the base of the PNP transistor 41 in this case is generated in substantially the same manner as in the case of temperature rise, except for its polarity.

かくして、この回路により、レーザダイオード12の動
作温度がその設定動作温度より上昇しても、又降下して
も、レーザダイオード12の動作温度はその設定動作温
度に維持される。
Thus, this circuit maintains the operating temperature of laser diode 12 at its set operating temperature, even if the operating temperature of laser diode 12 rises or falls above its set operating temperature.

この温度制御には、上述のところから明らかなように1
個の演算増幅器及び2個のトランジスタをその主要部と
して用いればよいので、構成素子数の削減及び消費電力
の低減の下で上述の温度制御を達成し得る。ベルチェ素
子10の他方の端子をアースさせることは引出し線の削
減となる。
As is clear from the above, this temperature control requires 1
Since it is sufficient to use one operational amplifier and two transistors as its main parts, the above-described temperature control can be achieved with a reduction in the number of components and power consumption. Grounding the other terminal of the Beltier element 10 reduces the number of lead wires.

第3図は、他の実施例を示し、この実施例は、ベルチェ
素子10に印加する固定動作電圧をアース電位から予め
決められた値だけ高く、+v、より低い電圧+v2ボル
トとし、これに伴ってPNP形トランジスタ41のコレ
クタに印加される駆動電圧を−vIボルトからアース電
位にすると共に、制御電圧発生回路20□から発生する
制御電圧を上述の2つの駆動電圧レベルの変更に応じて
決まる値だけ変えられるという点に、第2図実施例との
差違がある。この差違は、制御電圧をアース電位により
も高い電圧として発生させればよいから、演算増幅器2
0gへの給電電圧は正側の電圧十v1のみで足りる。
FIG. 3 shows another embodiment, in which the fixed operating voltage applied to the Bertier element 10 is raised by a predetermined value from ground potential to +v, and the lower voltage is +v2 volts. At the same time, the drive voltage applied to the collector of the PNP transistor 41 is changed from -vI volts to the ground potential, and the control voltage generated from the control voltage generation circuit 20□ is changed to a value determined according to the change in the above two drive voltage levels. There is a difference from the embodiment in FIG. 2 in that only the following changes can be made. This difference can be solved by generating the control voltage as a voltage higher than the ground potential, so the operational amplifier 2
As for the power supply voltage to 0g, only the positive side voltage 1v1 is sufficient.

このような駆動電圧の変更は回路の動作にその本質的な
変更は少しも与えないので、この変更に伴う回路動作は
上述の説明を参照すれば容易に理解され得ると考えられ
るからその詳細な説明を繰り返さない。
Since such a change in drive voltage does not cause any essential change in the operation of the circuit, the circuit operation associated with this change can be easily understood by referring to the above explanation, so the detailed explanation will not be given. Don't repeat explanations.

[発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、ベルチェ素子への通
電開始、その停止、並びに通電量の制御を単一の素子で
行なうようにしたので、被制御対象物の温度制御に必要
な構成素子数が少なくて済み、その通電回路に抵抗を含
まないこととも相俟って消費電力も低減される。従って
、実装上にも有利性が得られる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, since the start and stop of energization to the Beltier element and the control of the amount of energization are performed by a single element, it is possible to control the temperature of the object to be controlled. The number of components required for this is small, and the power consumption is also reduced because the current-carrying circuit does not include a resistor. Therefore, advantages can also be obtained in terms of implementation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理構成図、 第2図は本発明の1つの実施例を示す図、第3図は本発
明の他の実施例を示す図、第4図は従来のペルチェ素子
制御回路を示す図、第5図は設定動作温度換算電圧及び
動作温度換算電圧の発生回路を示す図、 第6図はベルチェ素子の構造図、 第7図はベルチェ素子の制御特性曲線図である。 第1図乃至第3図において、 2.4はトランジスタ(NPN形トランジスタ2、 、
PNP形トランジスタ41)、 5.7.9は給電端子、 10はベルチェ素子、 20は制御電圧発生回路(演算増幅器201.20□)
である。 /1発日目の 原(甲種成品 第1図 +、1日目の −寅方色例 第2図 本泥日月の棒の実施4列 第3図 第5図 〜ルチェ素÷の澗口五図 第6図 /’elLナエ1−)の制御枠凰−穆凹第7図
FIG. 1 is a diagram showing the principle configuration of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a diagram showing conventional Peltier element control. FIG. 5 is a diagram showing a circuit for generating a set operating temperature-converted voltage and an operating temperature-converted voltage; FIG. 6 is a structural diagram of a Beltier element; and FIG. 7 is a control characteristic curve diagram of a Beltier element. 1 to 3, 2.4 is a transistor (NPN type transistor 2,
PNP type transistor 41), 5.7.9 is a power supply terminal, 10 is a Bertier element, 20 is a control voltage generation circuit (operational amplifier 201.20□)
It is. / 1st day's original (K type product Figure 1 +, 1st day's - Torakata color example Figure 2 Hondo Sun Moon stick implementation 4 rows Figure 3 Figure 5 ~ Luce element ÷ opening Figure 5 Figure 6/'elL nae 1-) control frame 凰 - 穆concave Figure 7

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ペルチェ素子(10)によって温度制御される被
制御対象物の動作温度の設定動作温度に対する偏差に応
じて制御電圧発生回路(20)から発生される制御電圧
で前記ペルチェ素子(10)の駆動電流を制御するペル
チェ素子制御回路において、 第1の駆動電圧の給電端子(5)と第3の駆動電圧の給
電端子(7)との間に直列接続して第1及び第2のトラ
ンジスタ(2、4)を設け、前記両トランジスタ(2、
4)の接続点(3)と第2の駆動電圧の給電端子(9)
との間に前記ペルチェ素子(10)を接続すると共に、
前記第1、第2及び第3の駆動電圧をこの順に高い電圧
値として設定し、制御電圧発生回路(20)の出力で前
記両トランジスタ(2、4)の制御を行なうことを特徴
とするペルチェ素子制御回路。
(1) The control voltage generated from the control voltage generation circuit (20) is used to control the Peltier element (10) according to the deviation of the operating temperature of the controlled object whose temperature is controlled by the Peltier element (10) from the set operating temperature. In a Peltier element control circuit that controls a drive current, first and second transistors ( 2, 4), and both the transistors (2, 4) are provided.
4) connection point (3) and the second drive voltage power supply terminal (9)
The Peltier element (10) is connected between the
A Peltier device characterized in that the first, second, and third drive voltages are set as high voltage values in this order, and both the transistors (2, 4) are controlled by the output of the control voltage generation circuit (20). Element control circuit.
(2)前記第2の駆動電圧はアース電位として与えられ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のペルチ
ェ素子制御回路。
(2) The Peltier element control circuit according to claim 1, wherein the second drive voltage is applied as a ground potential.
(3)前記第2の駆動電圧は正の第1の駆動電圧とアー
ス電位として与えられる第3の駆動電圧との間の予め設
定された正の駆動電圧であることを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のペルチェ素子制御回路。
(3) The second driving voltage is a preset positive driving voltage between the positive first driving voltage and the third driving voltage given as a ground potential. The Peltier element control circuit according to scope 1.
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