JPH01149505A - 平面形クロスバーミクサ - Google Patents
平面形クロスバーミクサInfo
- Publication number
- JPH01149505A JPH01149505A JP30753087A JP30753087A JPH01149505A JP H01149505 A JPH01149505 A JP H01149505A JP 30753087 A JP30753087 A JP 30753087A JP 30753087 A JP30753087 A JP 30753087A JP H01149505 A JPH01149505 A JP H01149505A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias
- diodes
- diode
- mixer
- balance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波帯の平面形クロスバーミクサに係り
、特に低局部発振電力下での低変換損失および局部発振
周波数電力の出力へのもれ低減を実現するに好適なダイ
オード外部バイアス方式の平面形クロスバーミクサに関
する。
、特に低局部発振電力下での低変換損失および局部発振
周波数電力の出力へのもれ低減を実現するに好適なダイ
オード外部バイアス方式の平面形クロスバーミクサに関
する。
従来の平面形クロスパーミクサについては、アーチツク
・ハウス出版「マイクロウェーブ・ミクサーズＪ （１
９８６年）第２５８頁から第２６１頁（ＡＲＴＦｔＣＨ
ＨＯＵＳＩＨＩＮＣ，’ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ！ ＭＩＸ
ＢＲ８“（１９８６）ＰＰ２５８情２６１）に論じられ
ているが、ダイオードに外部よりバイアスを加えない自
己バイアス方式である。また本出願人はさきにダイオー
ドに外部よりバイアスを加える機構を設けた外部バイア
ス方式を提案しているが、２つのダイオードのバランス
度の改善を可能にする各ダイオードの電流調整機能を有
しない。
・ハウス出版「マイクロウェーブ・ミクサーズＪ （１
９８６年）第２５８頁から第２６１頁（ＡＲＴＦｔＣＨ
ＨＯＵＳＩＨＩＮＣ，’ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ！ ＭＩＸ
ＢＲ８“（１９８６）ＰＰ２５８情２６１）に論じられ
ているが、ダイオードに外部よりバイアスを加えない自
己バイアス方式である。また本出願人はさきにダイオー
ドに外部よりバイアスを加える機構を設けた外部バイア
ス方式を提案しているが、２つのダイオードのバランス
度の改善を可能にする各ダイオードの電流調整機能を有
しない。
上記従来技術は２つのダイオードのバランスのずれＫよ
る変換損失ならびに局部発振波の出力端へのもれなどの
ミクサ特性劣化の改善について配慮がされておらず、高
周波帯とくにマイクロ波帯以上ではダイオードの特性ば
らつきが大きいためダイオードの選別作業を必要とする
うえ、出力側のフィルタの高性能化が不可欠となるなど
の問題があった。
る変換損失ならびに局部発振波の出力端へのもれなどの
ミクサ特性劣化の改善について配慮がされておらず、高
周波帯とくにマイクロ波帯以上ではダイオードの特性ば
らつきが大きいためダイオードの選別作業を必要とする
うえ、出力側のフィルタの高性能化が不可欠となるなど
の問題があった。
本発明の目的は外部バイアス方式で２つのダイオードに
別々の電流を流すことによりダイオードのバランス度を
改善して出力端への局部発振波のもれを低減するなどミ
クサ特性の向上をはかったバイアス調整方式の平面形ク
ロスバーミクサを提供するにおる。
別々の電流を流すことによりダイオードのバランス度を
改善して出力端への局部発振波のもれを低減するなどミ
クサ特性の向上をはかったバイアス調整方式の平面形ク
ロスバーミクサを提供するにおる。
上記目的は、導波管内の２つのダイオードを装着したコ
プレナ線路の一方の接地パターン金平行平板容量を介し
て直流的にうかせ、上記ダイオードにバイアスを加える
外部バイアス回路に各々のダイオードのバイアス電流を
調整できる機構を備えた平面形クロスパーミクサにより
達成される。
プレナ線路の一方の接地パターン金平行平板容量を介し
て直流的にうかせ、上記ダイオードにバイアスを加える
外部バイアス回路に各々のダイオードのバイアス電流を
調整できる機構を備えた平面形クロスパーミクサにより
達成される。
上記の平面形クロスパーミクサは、外部よリノくイアス
を加えない自己バイアス方式ミクサに外部バイアス金加
える几めにコプレナ線路の一方の接地パターン全平行平
板容量全弁して直流的にうかぜかつ高周波的に短絡し良
うえ外部バイアス回路よりダイオードにバイアスを加え
られる外部バイアス方式ミクサとし、かつ２つのダイオ
ードに別々のバイアス回路流を加えるために上記外部バ
イアス回路にさらに可変抵抗のタッグから高周波的に高
インピーダンスのインダクタなどを介して２つのダイオ
ードの装着する中に導体（クロスパー）に分圧比で決ま
る電圧をさらに印加して各々のダイオード電流を別々に
調整できる機構を備えたバイアス調整方式ミクサとする
ことにより、２つのダイオード特性のバランスをよくし
て局部発振波の出力端へのもれが低減される。
を加えない自己バイアス方式ミクサに外部バイアス金加
える几めにコプレナ線路の一方の接地パターン全平行平
板容量全弁して直流的にうかぜかつ高周波的に短絡し良
うえ外部バイアス回路よりダイオードにバイアスを加え
られる外部バイアス方式ミクサとし、かつ２つのダイオ
ードに別々のバイアス回路流を加えるために上記外部バ
イアス回路にさらに可変抵抗のタッグから高周波的に高
インピーダンスのインダクタなどを介して２つのダイオ
ードの装着する中に導体（クロスパー）に分圧比で決ま
る電圧をさらに印加して各々のダイオード電流を別々に
調整できる機構を備えたバイアス調整方式ミクサとする
ことにより、２つのダイオード特性のバランスをよくし
て局部発振波の出力端へのもれが低減される。
以下に本発明の一実施例上第１図から第４図により説明
する。
する。
第１図は本発明による平面形クロスバーミクサの一実施
例を示す構成図である。また第２図は第１図の中心部断
面図である。第１図および第２図において、外部バイア
ス方式平面形クロスバーミクサに２つのダイオードのバ
イアス電流を別個に調整できるダイオード電流調整機構
金膜けたバイアス調整方式平面形クロスバーミクサの構
成例を示す。１はケース導体、２は導波管（ＲＦ端）、
３は絶縁シート、４は導体シート、５は誘電体基板、６
は金リボン（バイアス線）、７はバイアス調整可能なバ
イアス回路（ダイオード電流調整機構）で、７１は抵抗
、７２は可変抵抗、７３はインダクタ、７４はバイアス
電源である。８は２つのミクサダイオード、９はＬＯ端
子（局部発振端子）、１０はＩＰ端子（中間周波端子）
、１１はコプレナ線路（部）、１１１は接地導体（接地
パターン）、１１２は中心導体（クロスパー）、１２は
ＬＰＦ （低域通過マイクロストリップフィルタ）、１
３はＢＰＦ（帯域通過マイクロストリップフィルタ）で
ある。
例を示す構成図である。また第２図は第１図の中心部断
面図である。第１図および第２図において、外部バイア
ス方式平面形クロスバーミクサに２つのダイオードのバ
イアス電流を別個に調整できるダイオード電流調整機構
金膜けたバイアス調整方式平面形クロスバーミクサの構
成例を示す。１はケース導体、２は導波管（ＲＦ端）、
３は絶縁シート、４は導体シート、５は誘電体基板、６
は金リボン（バイアス線）、７はバイアス調整可能なバ
イアス回路（ダイオード電流調整機構）で、７１は抵抗
、７２は可変抵抗、７３はインダクタ、７４はバイアス
電源である。８は２つのミクサダイオード、９はＬＯ端
子（局部発振端子）、１０はＩＰ端子（中間周波端子）
、１１はコプレナ線路（部）、１１１は接地導体（接地
パターン）、１１２は中心導体（クロスパー）、１２は
ＬＰＦ （低域通過マイクロストリップフィルタ）、１
３はＢＰＦ（帯域通過マイクロストリップフィルタ）で
ある。
外部よりバイアスを加えない自己バイアス方式の平面形
クロスバーミクサに外部バイアスを加える文めに、コプ
レナ線路１１の接地パターン１１１の一方と接地面（ケ
ース導体１）との間に平行平板容′ＪＩｋヲ構成する絶
縁シート５を介在して、直流的にうかぜるとともに高周
波的には短絡させることにより、外部よりバイアス回路
７の一端の金リボン６を介してダイオード８にバイアス
を印加して外部バイアス方式の平面形クロスバーミクサ
を構成する。かつ２つのダイオード８に別々のバイアス
電流を流して特性のバランスをとる危めに、バイアス調
整可能なバイアス回路７の可変抵抗７２のタップよりイ
ンダクタ７３を介して中心導体１１２からダイオード８
に分圧バイアスを印加することにより、２つのダイオー
ド８のバイアス電流を別々に調整するダイオード電流調
整機構を構成する。
クロスバーミクサに外部バイアスを加える文めに、コプ
レナ線路１１の接地パターン１１１の一方と接地面（ケ
ース導体１）との間に平行平板容′ＪＩｋヲ構成する絶
縁シート５を介在して、直流的にうかぜるとともに高周
波的には短絡させることにより、外部よりバイアス回路
７の一端の金リボン６を介してダイオード８にバイアス
を印加して外部バイアス方式の平面形クロスバーミクサ
を構成する。かつ２つのダイオード８に別々のバイアス
電流を流して特性のバランスをとる危めに、バイアス調
整可能なバイアス回路７の可変抵抗７２のタップよりイ
ンダクタ７３を介して中心導体１１２からダイオード８
に分圧バイアスを印加することにより、２つのダイオー
ド８のバイアス電流を別々に調整するダイオード電流調
整機構を構成する。
このダイオード電流調整機構７によると、バイアス電源
７４から供給される電圧を抵抗７１および可変抵抗器７
２１Ｃより分圧して２つのダイオード８に別々に印加す
ることによりバイアス電流上決定する回路構成であるか
ら、可変抵抗７２の分圧比を変えることＫより２つのダ
イオード８の所望のバイアス電流値をうろことができ、
かつ中心導体１１２とバイアス回路７を接続するインダ
クタ７３を使用周波数帯（高周波）では高インピーダン
スを呈するよりに選定してインダクタ７５の介在による
高周波特性変化の影響を除去できる。
７４から供給される電圧を抵抗７１および可変抵抗器７
２１Ｃより分圧して２つのダイオード８に別々に印加す
ることによりバイアス電流上決定する回路構成であるか
ら、可変抵抗７２の分圧比を変えることＫより２つのダ
イオード８の所望のバイアス電流値をうろことができ、
かつ中心導体１１２とバイアス回路７を接続するインダ
クタ７３を使用周波数帯（高周波）では高インピーダン
スを呈するよりに選定してインダクタ７５の介在による
高周波特性変化の影響を除去できる。
第３図は第１図および第２図のバイアス調整可能なバイ
アス回路７を有しない従来の平面形クロスバーミクサの
動作説明図である。また第４図は第１図および第２図の
バイアス調整可能なバイアス回路７を有する本発明のバ
イアス調整方式平面形クロスバーミクサの動作説明図で
ある。第３図および第４図において、それぞれ従来の自
己バイアス方式または２つのダイオードのバイアスを別
個に調整不能な外部バイアス方式および本発明の２つの
ダイオードのバイアスを別々に調整可能なバイアス調整
方式でダイオード８の一方をバイアス調整したモデルの
平面形クロスバーミクサに局部発振信号が入力され次と
きの動作を示し、１４はミクサ動作部のダイオードＶ−
Ｉ特性、１５はダイオード８の一方のｖ−４特性、１６
はダイオード８の他方のＶ−１特性、１７はダイオード
８の一方のｖ−１特性１５の対称特性、１Ｂは入力波（
局部発振波）、１９は出力波（ＲＦ波）で、第４図にお
いて２０はバイアス調整後のダイオード８の他方のＶ−
Ｉ特性、２１はバイアス調整後の出力波（ＲＦ波）であ
る。ミクサ動作部のダイオードＶ−Ｉ％性１４では、２
’：）Ｉ）タイ：ｔ−）’８の一方のｖ−４特性１５と
他方のＶ−Ｉ特性１６または２０とは図示のように互い
に逆位相の特性を示し、破線で示すダイオード８の一方
のＶ−Ｉ特性１５の対称特性１７と実線で示すダイオー
ド８の他方のＶ−Ｉ特性１６ｉ九は２０との差が２つの
ダイオード８のバランス度の指標となる。
アス回路７を有しない従来の平面形クロスバーミクサの
動作説明図である。また第４図は第１図および第２図の
バイアス調整可能なバイアス回路７を有する本発明のバ
イアス調整方式平面形クロスバーミクサの動作説明図で
ある。第３図および第４図において、それぞれ従来の自
己バイアス方式または２つのダイオードのバイアスを別
個に調整不能な外部バイアス方式および本発明の２つの
ダイオードのバイアスを別々に調整可能なバイアス調整
方式でダイオード８の一方をバイアス調整したモデルの
平面形クロスバーミクサに局部発振信号が入力され次と
きの動作を示し、１４はミクサ動作部のダイオードＶ−
Ｉ特性、１５はダイオード８の一方のｖ−４特性、１６
はダイオード８の他方のＶ−１特性、１７はダイオード
８の一方のｖ−１特性１５の対称特性、１Ｂは入力波（
局部発振波）、１９は出力波（ＲＦ波）で、第４図にお
いて２０はバイアス調整後のダイオード８の他方のＶ−
Ｉ特性、２１はバイアス調整後の出力波（ＲＦ波）であ
る。ミクサ動作部のダイオードＶ−Ｉ％性１４では、２
’：）Ｉ）タイ：ｔ−）’８の一方のｖ−４特性１５と
他方のＶ−Ｉ特性１６または２０とは図示のように互い
に逆位相の特性を示し、破線で示すダイオード８の一方
のＶ−Ｉ特性１５の対称特性１７と実線で示すダイオー
ド８の他方のＶ−Ｉ特性１６ｉ九は２０との差が２つの
ダイオード８のバランス度の指標となる。
第３図の従来の平面形クロスパーミクサでは、破線で示
す一方のＶ−Ｉ特性１５の対称特性１７と実線で示す他
方のＶ−Ｘ特性１６との差が大きく、この２つのダイオ
ード特性のバランス度が悪いため、入力波（ＬＯ波）１
８に対する出力波（ＲＦ波）１９は振幅および時間間隔
の異なる整流波となる結果、局部発振信号波が出力端（
次とえばアップコンバータの場合のＲＦ端２）へ大きく
もれる。これに対して第５図の本発明のバイアス調整方
式の平面形クロスバーミクサでは、破線で示す一方のＶ
−Ｉ特性１５の対称特性１７と実線で示すバイアス調整
後の他方のＶ−Ｉ特性２０との差が小さく、この２つの
ダイオード特性のバランス度がよくなる九め、バイアス
調整後の出力波２１は振幅および時間間隔のそろっ九整
流波となる結果、局部発振信号波の出力端（たとえばＲ
Ｉｉ’端２）へのもれは少なくなる。
す一方のＶ−Ｉ特性１５の対称特性１７と実線で示す他
方のＶ−Ｘ特性１６との差が大きく、この２つのダイオ
ード特性のバランス度が悪いため、入力波（ＬＯ波）１
８に対する出力波（ＲＦ波）１９は振幅および時間間隔
の異なる整流波となる結果、局部発振信号波が出力端（
次とえばアップコンバータの場合のＲＦ端２）へ大きく
もれる。これに対して第５図の本発明のバイアス調整方
式の平面形クロスバーミクサでは、破線で示す一方のＶ
−Ｉ特性１５の対称特性１７と実線で示すバイアス調整
後の他方のＶ−Ｉ特性２０との差が小さく、この２つの
ダイオード特性のバランス度がよくなる九め、バイアス
調整後の出力波２１は振幅および時間間隔のそろっ九整
流波となる結果、局部発振信号波の出力端（たとえばＲ
Ｉｉ’端２）へのもれは少なくなる。
本実施例によれば、外部バイアス調整方式で２つのダイ
オード特性のバランス度を改善することにより、変換損
失の低減に加えて局部発振信号の出力端へのもれを低減
できるので、ダイオードの特性をそろえる九めの選別作
業も省ける。
オード特性のバランス度を改善することにより、変換損
失の低減に加えて局部発振信号の出力端へのもれを低減
できるので、ダイオードの特性をそろえる九めの選別作
業も省ける。
［発明の効果〕
本発明によれば、平面形クロスバーミクサの２つのダイ
オードに別々のバイアスを加えることにより、ダイオー
ド特性をそろえるための選別作業？省略し次うえ、低局
部発振′１カ下での低変換損失化およびダイオード特性
のバランス改善による局部発振波の出力端へのもれを低
減できるので、局部発振周波し中断のための出力側のフ
ィルタが簡略化できて全体費用の経済化がはかれる効果
がめる。
オードに別々のバイアスを加えることにより、ダイオー
ド特性をそろえるための選別作業？省略し次うえ、低局
部発振′１カ下での低変換損失化およびダイオード特性
のバランス改善による局部発振波の出力端へのもれを低
減できるので、局部発振周波し中断のための出力側のフ
ィルタが簡略化できて全体費用の経済化がはかれる効果
がめる。
第１図は本発明による平面形クロスバーミクサの一実施
例を示す構成図、第２図は第１図の中心部断面図、第３
図は第１図のバイアス調整可能なバイアス回路を有しな
い従来ミクサの動作説明図、第４図は第１図のバイアス
調整可能なバイアス回路を有する本発明ミクサの動作説
明図である。 １・・・ケース導体、２・・・導波管（ＲＦ端）、３・
・・平行平板容量構成用の絶縁シート、４・・・導体シ
ート、５・・・誘電体基板、６・・・金リボン（バイア
ス線）、７・・・バイアス調整可能なバイアス回路（ダ
イオード電流調整機構）、８・・・２つのミクサダイオ
ード、９・・・局部発振端子（ＬＯ端子）、１０・・・
中間周波端子（ＩＦ端子）、１１・・・コプレナ線路、 第 ３１￥］
例を示す構成図、第２図は第１図の中心部断面図、第３
図は第１図のバイアス調整可能なバイアス回路を有しな
い従来ミクサの動作説明図、第４図は第１図のバイアス
調整可能なバイアス回路を有する本発明ミクサの動作説
明図である。 １・・・ケース導体、２・・・導波管（ＲＦ端）、３・
・・平行平板容量構成用の絶縁シート、４・・・導体シ
ート、５・・・誘電体基板、６・・・金リボン（バイア
ス線）、７・・・バイアス調整可能なバイアス回路（ダ
イオード電流調整機構）、８・・・２つのミクサダイオ
ード、９・・・局部発振端子（ＬＯ端子）、１０・・・
中間周波端子（ＩＦ端子）、１１・・・コプレナ線路、 第 ３１￥］
Claims (1)
- １、導波管内に２つのダイオードを装置したコンプレナ
線路を有し、該コプレナ線路の一方の接地パターンを接
地面から平行平板容量を介して直流的にうかせ、上記ダ
イオードにバイアスを加える機構を備えた平面形クロス
バーミクサにおいて、上記バイアスを加える機構に各ダ
イオードのバイアス電流を調整できる機構を備えたこと
を特徴とする平面形クロスバーミクサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30753087A JPH01149505A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 平面形クロスバーミクサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30753087A JPH01149505A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 平面形クロスバーミクサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149505A true JPH01149505A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17970199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30753087A Pending JPH01149505A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 平面形クロスバーミクサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149505A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5810910A (en) * | 1995-10-06 | 1998-09-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Adsorbents for ozone recovery from gas mixtures |
| US5846298A (en) * | 1997-05-09 | 1998-12-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Ozone recovery by zeolite adsorbents |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP30753087A patent/JPH01149505A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5810910A (en) * | 1995-10-06 | 1998-09-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Adsorbents for ozone recovery from gas mixtures |
| US5846298A (en) * | 1997-05-09 | 1998-12-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Ozone recovery by zeolite adsorbents |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5148130A (en) | Wideband microstrip UHF balun | |
| US4954790A (en) | Enhanced coupled, even mode terminated baluns, and mixers and modulators constructed therefrom | |
| JPH0767061B2 (ja) | トランスバーサルフィルタ及びリカーシブフィルタ | |
| JP2002141751A (ja) | 集積回路実装用出力段付きミキサ回路 | |
| US4187471A (en) | Bias circuit | |
| CN108512548A (zh) | 一种宽带锁相频率源设备 | |
| JPS62111A (ja) | マイクロ波電力増幅器 | |
| JPH01149505A (ja) | 平面形クロスバーミクサ | |
| JPH08125446A (ja) | マイクロ波変調器、混合器及びその特性調整方法 | |
| JPH07183744A (ja) | 高効率電力増幅器 | |
| JP3625753B2 (ja) | 電力分配合成回路 | |
| JP4033960B2 (ja) | 無線周波数信号ミクサ | |
| EP0570125B1 (en) | Unbalanced-balanced converter as a mixer input circuit | |
| US4823400A (en) | Radio frequency mixer | |
| JP2000216697A (ja) | 受信器またはスペクトラム・アナライザ―のための多重ヘテロダイン・ステ―ジ | |
| AU598152B2 (en) | Mixer | |
| JPH1141042A (ja) | マイクロ波増幅器 | |
| JP3027779B2 (ja) | マイクロ波回路 | |
| JPH1013156A (ja) | 平衡変調器 | |
| US7301419B2 (en) | Filtering type frequency switching circuit | |
| JPH0574244B2 (ja) | ||
| JPS62210706A (ja) | 二重平衡形の周波数逓倍器 | |
| RU2187881C1 (ru) | Двухполосный усилитель мощности | |
| JPH09232802A (ja) | ハイブリッド反射型位相器 | |
| KR200146651Y1 (ko) | 주파수 변환기 |