JPH01128518A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH01128518A JPH01128518A JP28690887A JP28690887A JPH01128518A JP H01128518 A JPH01128518 A JP H01128518A JP 28690887 A JP28690887 A JP 28690887A JP 28690887 A JP28690887 A JP 28690887A JP H01128518 A JPH01128518 A JP H01128518A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
容器内に試料を配置し反応ガスを導入して試料上に反応
生成物を成長させる気相成長装置に関し、試料への異物
付着を低減させるため、試料を囲む壁に生成物が付着し
ないようにすることを目的とし、 網目状に配置した多数の孔を有する多孔板が容器の中で
試料を囲んで配設されており、反応ガスは多孔板の内側
に導入し、容器壁と多孔板との間には非反応性ガスを導
入して、その非反応性ガスが多孔板の孔を通して多孔板
の内側に流入するように構成する 〔産業上の利用分野〕 本発明は、容器内に試料を配置し反応ガスを導入して試
料上に反応生成物を成長させる気相成長装置に関す。
生成物を成長させる気相成長装置に関し、試料への異物
付着を低減させるため、試料を囲む壁に生成物が付着し
ないようにすることを目的とし、 網目状に配置した多数の孔を有する多孔板が容器の中で
試料を囲んで配設されており、反応ガスは多孔板の内側
に導入し、容器壁と多孔板との間には非反応性ガスを導
入して、その非反応性ガスが多孔板の孔を通して多孔板
の内側に流入するように構成する 〔産業上の利用分野〕 本発明は、容器内に試料を配置し反応ガスを導入して試
料上に反応生成物を成長させる気相成長装置に関す。
半導体装置製造のウェーハプロセスでは、半導体や絶縁
物の成膜に上記気相成長装置を用いることが多い。そし
て、その成膜では、ウェーハ（上記試料）に成長膜以外
の異物が付着しないようにすることが重要である。この
ことは、成膜の対象が半導体装置以外であっても同様で
ある。
物の成膜に上記気相成長装置を用いることが多い。そし
て、その成膜では、ウェーハ（上記試料）に成長膜以外
の異物が付着しないようにすることが重要である。この
ことは、成膜の対象が半導体装置以外であっても同様で
ある。
なお、上記気相成長装置は、通常、ＣＶ、Ｄ（化学気相
成長）装置と呼称される。
成長）装置と呼称される。
第３図はＣＶＤ装置の従来例の要部側断面図である。
第３図において、ｌは容器、Ｓは例えばウェーハである
試料、２は試料Ｓを載置するサセプタ（試料台）、３は
サセプタ２の下から試料Ｓを加熱するヒータ、４は反応
ガスＧｒを試料Ｓ上に均一に供給するように構成された
反応ガス導入機構、５は反応済みガスおよび余分なガス
を排気して容器ｌ内を所定の圧力に保つ排気口、である
。
試料、２は試料Ｓを載置するサセプタ（試料台）、３は
サセプタ２の下から試料Ｓを加熱するヒータ、４は反応
ガスＧｒを試料Ｓ上に均一に供給するように構成された
反応ガス導入機構、５は反応済みガスおよび余分なガス
を排気して容器ｌ内を所定の圧力に保つ排気口、である
。
反応ガスＧｒは、加熱された試料Ｓに触れて化学反応を
起こし、反応生成物の一部である例えば半導体や絶縁物
を試料Ｓ上に成長させる。
起こし、反応生成物の一部である例えば半導体や絶縁物
を試料Ｓ上に成長させる。
しかしながら、試料Ｓを囲む容器１の壁の内面も反応ガ
スＧｒに触れているため、そこにも若干ではあるが生成
物が付着し、この付着物Ａは、試料Ｓの処理数が増える
に従って量が増加する。
スＧｒに触れているため、そこにも若干ではあるが生成
物が付着し、この付着物Ａは、試料Ｓの処理数が増える
に従って量が増加する。
そして、その付着物Ａは、柊には剥離して容器１内を浮
遊し試料Ｓに異物付着を起こさせる。試料Ｓに付着した
異物は、例えば半導体装置の製造の場合、加工する微細
パターンを不良にさせて半導体装置の品質を低下させる
。
遊し試料Ｓに異物付着を起こさせる。試料Ｓに付着した
異物は、例えば半導体装置の製造の場合、加工する微細
パターンを不良にさせて半導体装置の品質を低下させる
。
上記問題点は、網目状に配置した多数の孔を有する多孔
板が容器の中で試料を囲んで配設されており、反応ガス
は多孔板の内側に導入し、容器壁と多孔板との間には非
反応性ガスを導入して、その非反応性ガスが多孔板の孔
を通して多孔板の内側に流入する本発明のＣＶＤ装置に
よって解決される。
板が容器の中で試料を囲んで配設されており、反応ガス
は多孔板の内側に導入し、容器壁と多孔板との間には非
反応性ガスを導入して、その非反応性ガスが多孔板の孔
を通して多孔板の内側に流入する本発明のＣＶＤ装置に
よって解決される。
上記多孔板の配設と上記非反応性ガスの導入とにより、
容器壁は、反応ガスに触れないようになって生成物の付
着がなくなる。
容器壁は、反応ガスに触れないようになって生成物の付
着がなくなる。
更に、多孔板の孔を通して多孔板の内側に流入する非反
応性ガスが反応ガスを内側に追いやるので、多孔板の内
側面も反応ガスに触れないようになって生成物の付着が
ない。
応性ガスが反応ガスを内側に追いやるので、多孔板の内
側面も反応ガスに触れないようになって生成物の付着が
ない。
かくして、試料を囲む壁に生成物が付着しなＵ′１よう
になり、試料への異物付着が低減する。
になり、試料への異物付着が低減する。
以下本発明によるＣＶＤ装置の実施例について第１図の
要部側断面図を用いて説明する。企図を通じ同一符号は
同一対象物を示す。
要部側断面図を用いて説明する。企図を通じ同一符号は
同一対象物を示す。
第１図において、この実施例は、第３図図示の従来例に
多孔板６およびガス導入ロアを付加して非反応性ガスＧ
ｉを導入するようにしたものである。
多孔板６およびガス導入ロアを付加して非反応性ガスＧ
ｉを導入するようにしたものである。
多孔板６は、第２図の平面図に示す如く網目状に配置し
た多数の孔６ａを有する板からなり、容器１の中で、反
応ガスＧｒが内側に直接供給され且つ排気口５が内側に
連通ずるように、試料Ｓを囲んでいる。板は厚さ０．５
ｍｌのアルミニウム板であり、孔６ａの大きさは０ 、
５ ｓｍφピッチは１■１である。
た多数の孔６ａを有する板からなり、容器１の中で、反
応ガスＧｒが内側に直接供給され且つ排気口５が内側に
連通ずるように、試料Ｓを囲んでいる。板は厚さ０．５
ｍｌのアルミニウム板であり、孔６ａの大きさは０ 、
５ ｓｍφピッチは１■１である。
ガス導入ロアは、容器１の壁に設けられて、非反応性ガ
スＧｉを容器１の壁と多孔板６との間に導入する。非反
応性ガスＧｉには窒素を用いるのが良く、アルゴンであ
っても良い。
スＧｉを容器１の壁と多孔板６との間に導入する。非反
応性ガスＧｉには窒素を用いるのが良く、アルゴンであ
っても良い。
試料Ｓ上における反応生成物の成長は、従来例の場合と
同様である。
同様である。
その際、上記導入する非反応性ガスＧｉの圧力を多孔板
６の内側より若干高くする。さすれば、非反応性ガスＧ
ｉは、孔６ａから多孔板６の内側に流入して反応ガスＧ
ｒを内側に追いやる。
６の内側より若干高くする。さすれば、非反応性ガスＧ
ｉは、孔６ａから多孔板６の内側に流入して反応ガスＧ
ｒを内側に追いやる。
以上のことから、容器１の壁の内面および多孔板６の内
面は、反応ガスＧｒに触れないようになって、生成物の
付着が阻止される。
面は、反応ガスＧｒに触れないようになって、生成物の
付着が阻止される。
かくして、試料Ｓを囲む壁に生成物が付着しないように
なり、試料Ｓへの異物付着が低減して、例えば半導体装
置では、その品質低下が防止される。
なり、試料Ｓへの異物付着が低減して、例えば半導体装
置では、その品質低下が防止される。
なお、本発明において、多孔板６の材料および寸法は、
上記実施例に限定されるものではない。
上記実施例に限定されるものではない。
以上説明したように本発明の構成によれば、容器内に試
料を配置し反応ガスを導入して試料上に反応生成物を成
長させる気相成長装置において、試料を囲む壁に生成物
が付着しないようにすることができて、試料への異物付
着が低減し、例えば半導体装置の品質向上を可能にさせ
る効果がある。
料を配置し反応ガスを導入して試料上に反応生成物を成
長させる気相成長装置において、試料を囲む壁に生成物
が付着しないようにすることができて、試料への異物付
着が低減し、例えば半導体装置の品質向上を可能にさせ
る効果がある。
第１図は実施例の要部側断面図、
第２図は多孔板の部分平面図、
第３図は従来例の要部側断面図、
である。
図において、
１は容器、 ２はサセプタ、
３はヒータ、 ４は反応ガス導入機構、５は排気
口、 ６は多孔板、 ６ａは孔、 ７はガス導入口、Ａは付着物、
Ｇｉは非反応性ガス、Ｇｒは反応ガス、 Ｓは
試料、 である。 ４１叢倒涛刊師・開面図 第 ３ 図
口、 ６は多孔板、 ６ａは孔、 ７はガス導入口、Ａは付着物、
Ｇｉは非反応性ガス、Ｇｒは反応ガス、 Ｓは
試料、 である。 ４１叢倒涛刊師・開面図 第 ３ 図
Claims (1)
- 容器内に試料を配置し反応ガスを導入して試料上に反
応生成物を成長させる装置であって、網目状に配置した
多数の孔を有する多孔板が容器の中で試料を囲んで配設
されており、反応ガスは多孔板の内側に導入し、容器壁
と多孔板との間には非反応性ガスを導入して、その非反
応性ガスが多孔板の孔を通して多孔板の内側に流入する
ことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28690887A JPH01128518A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28690887A JPH01128518A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01128518A true JPH01128518A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17710549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28690887A Pending JPH01128518A (ja) | 1987-11-13 | 1987-11-13 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01128518A (ja) |
-
1987
- 1987-11-13 JP JP28690887A patent/JPH01128518A/ja active Pending
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