JPH01126507A - Method for diagnosing shape of wafer stand - Google Patents
Method for diagnosing shape of wafer standInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ウェーハを載置するためのウェーハ台の形状
を診断する方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for diagnosing the shape of a wafer stage on which a wafer is placed.
（従来の技術）
従来、ウェーハ形状を測定するために、ＴＴＶ（Ｔｏｔ
ａｌ Ｔｈ１ｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ ）モ
ードで測定を行なう場合、その出力は、ウェーハ台の裏
面を基準として得られる。すなわち、ＴＴＶモードでの
測定においては、ウェーハ台上にウェーハを載置した状
態で各部の厚さを非接触型厚さ計等を用いて測定するた
め、得られたデータは、ウェーハ台（チャック台）とこ
のウェーハ台に載置されたつ工−ハとの和の形で現われ
る。(Prior art) Conventionally, in order to measure the shape of a wafer, TTV (Tot
When the measurement is performed in the mode (Al Th1ckness Variation), the output is obtained with the back side of the wafer stage as a reference. In other words, when measuring in TTV mode, the thickness of each part is measured using a non-contact thickness gauge with the wafer placed on the wafer stand, so the data obtained is wafer table) and the wafer placed on this wafer table.
従って、得られたデータにより、面が傾斜あるいは変形
しているとの結果が出ても、これがウェーハの傾斜ある
いは変形によるものなのか、またはウェーハ台の傾斜あ
るいは変形によるものなのかの区別がつかないという問
題がある。Therefore, even if the obtained data indicates that the surface is tilted or deformed, it is difficult to distinguish whether this is due to the tilt or deformation of the wafer or the tilt or deformation of the wafer table. The problem is that there is no.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
とするところは、ウェーハの形状を診断する際に影響を
与えるウェーハ台の形状を確実にかつ容易に把握でき、
かつウェーハ台の傾斜あるいは変形を円滑に診断するこ
とができるウェーハ台の形状診断方法を提供することに
ある。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and its purpose is to reliably and easily grasp the shape of the wafer table, which affects diagnosing the shape of the wafer.
Another object of the present invention is to provide a method for diagnosing the shape of a wafer table that can smoothly diagnose inclination or deformation of the wafer table.
上記目的を達成するために１本発明は、ウェーハ台に載
置したウェーハを順次所定角度回転させ、各設定位置に
おけるウェーハ台とウェーハとを合わせた各部の厚さを
測定した後、得られた厚さデータに基づいてウェーハ台
の形状を算出するものである。In order to achieve the above object, the present invention sequentially rotates a wafer placed on a wafer stand by a predetermined angle, measures the thickness of each part of the wafer stand and the wafer at each set position, and then The shape of the wafer table is calculated based on the thickness data.
本発明のウェーハ台の形状診断方法にあっては、ウェー
ハ台の上に載置したウェーハを適宜回転させて、その時
の厚さデータを順次採取して、これらの厚さデータに基
づいてウェーハの形状を消去してウェーハ台の形状を得
る。In the method for diagnosing the shape of a wafer stand of the present invention, a wafer placed on a wafer stand is appropriately rotated, thickness data at that time is sequentially collected, and the wafer is determined based on these thickness data. Erase the shape to obtain the shape of the wafer platform.
（実施例〕
以下、第１図ないし第２４図に基づいて本発明の一実施
例を説明する。(Embodiment) Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described based on FIGS. 1 to 24.
第１段階として、ウェーハ台１の傾斜状態を算出する。As a first step, the tilt state of the wafer table 1 is calculated.
この手順について第１図に基づいて述べる。まず、平行
な切欠部ＯＦ、 、 ＯＦ２を有するウェーハ２をウェ
ーハ台１上に載置し、非接触型厚さ計等を用いてウェー
ハ台１とウェーハ２とを合わせた状態の厚さを全面にわ
たって等間隔で測定する（第１図ステップＳＰ１．第４
図及び第５図参照）。そして、得られた厚さデータＴＴ
ＶＩを記憶する（第１図ステップＳＰ２参照）。次いで
、第６図に示すようにウェーハ台１上のウェーハ２を１
８０°回転させた後、再度、厚さデータを上述したのと
同様の方法で測定する（第１図ステップＳＰ３及び第７
図参照）。そして、第１図ステップＳＰ４に示すように
、得られた厚さデータＴＴＶ２を記憶する。This procedure will be described based on FIG. First, a wafer 2 having parallel notches OF, , OF2 is placed on the wafer stand 1, and the combined thickness of the wafer stand 1 and the wafer 2 is measured over the entire surface using a non-contact thickness gauge or the like. (Step SP1.4 in Figure 1)
(see Figures and Figure 5). Then, the obtained thickness data TT
VI is stored (see step SP2 in FIG. 1). Next, as shown in FIG. 6, the wafer 2 on the wafer table 1 is
After rotating 80°, the thickness data is measured again in the same manner as described above (steps SP3 and 7 in Figure 1).
(see figure). Then, as shown in step SP4 in FIG. 1, the obtained thickness data TTV2 is stored.
ざらに、上記各厚さデータＴＴＶ＋ 、 ＴＴＶ２に
基づいて、ウェーハ台１の傾斜面の２倍傾斜した面の形
状Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）を算出する（第１図ステップ
ＳＰ５参照）。ここで、上記各厚さデータＴＴＶ １（
Ｘ、Ｖ） 、 ＴＴＶ２ （Ｘ、Ｖ）は、それぞれ、
ウェーハ台１の厚さデータ５ｔａｎｄ （ｘ、ｙ）とウ
ェーハ２の厚さデーターａｒｅｒ （ｘ、ｙ）との和の
形で表わされる。Roughly, based on each of the thickness data TTV+ and TTV2, the shape Trend (x, y) of a surface inclined twice as much as the inclined surface of the wafer stage 1 is calculated (see step SP5 in FIG. 1). Here, each of the above thickness data TTV 1 (
X, V) and TTV2 (X, V) are respectively,
It is expressed in the form of the sum of the thickness data 5tand (x, y) of the wafer stage 1 and the thickness data arer (x, y) of the wafer 2.
すなわら、
ＴＴＶＩ ＣＸ、Ｖ） ＝ Ｗａｆｅｒ （ｘ、ｙ）
＋ ５ｔａｎｄ （ｘ、ｙ）・・・（１）
■ＴＶ２ （ｘ、ｙ） ＝ Ｗａｆｅｒ （ｃ
ｏｓ （１８０° ） 、Ｘ 。That is, TTVI CX, V) = Wafer (x, y)
+ 5tand (x, y)...(1) ■TV2 (x, y) = Wafer (c
os (180°), X.
ｃｏｓ （１８０°） −ｙ ） ＋ ５ｔａｎｄ （
Ｘ、Ｖ） ”（２）となる。上記（２）式を座標変換
すると、ＴＴＶ２ （−Ｘ、−Ｖ） ＝ ’ｔ４ａｆｅ
ｒ （Ｘ、Ｖ）＋ ５ｔａｎｄ （−Ｘ、−ｙ）
・ （３）となるから、上記（１）、（３）
式を用いて、Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ） ＝ ＴＴＶＩ
（Ｘ、Ｖ） −ＴＴＶ２ （−Ｘ、−ｙ）＝ ５ｔａ
ｎｄ （ｘ、ｙ） −５ｔａｎｄ （−ｘ、−ｙ）を算
出する。cos (180°) −y ) + 5tand (
X, V) ”(2). When the above equation (2) is transformed into coordinates, TTV2 (-X, -V) = 't4afe
r (X, V) + 5tand (-X, -y)
・Since (3) becomes, the above (1) and (3)
Using the formula, Trend (x,y) = TTVI
(X, V) -TTV2 (-X, -y) = 5ta
Calculate nd (x, y) -5tand (-x, -y).
次に、第２図に示すようにして、ウェーハ台１の近似し
た傾斜を算出して、これに基づいてウェーハ２の形状を
求める。すなわち、第２図ステップ５Ｐ１０に示すよう
に、上記得られた２倍に傾斜した面の形状データＴｒｅ
ｎｄ （ｘ、ｙ）に基づいて、最小自乗法により平面近
似して平面方程式を得る。Next, as shown in FIG. 2, an approximate slope of the wafer table 1 is calculated, and the shape of the wafer 2 is determined based on this. That is, as shown in step 5P10 in FIG.
Based on nd (x, y), plane approximation is performed using the least squares method to obtain a plane equation.
次いで、この平面方程式の係数を１／２（傾きを１７２
）にして求めるウェーハ台１の近似傾斜面５ｔａｎｄ’
（ｘ、ｙ）を算出する（第２図ステップ５Ｐ１１参照）
。この得られた近似傾斜面５ｔａｎｄ’（ｘ、ｙ）に基
づいて、ウェーへ台１上に載置されたウェーハ２の形状
−ａｆｅｒ （ｘ、ｙ）をＴＴＶＩ （Ｘ、ｙ） −５
ｔａｎｄ’（ｘ、ｙ）を演算することにより算出する（
ステップ５Ｐ１２参照）。そして、１度つェーへ台１の
近似傾斜面５ｔａｎｄ ’ （ｘ、 ｙ）を求めた後は
、これを用いて、該ウェーハ台１上に載置された各ウェ
ーハ２の厚さデータ 丁ＴＶＩを測定するだけで、各ウ
ェーハ２の形状−ａｆｅｒ （ｘ、Ｖ）を求めることが
できる。Next, the coefficient of this plane equation is 1/2 (the slope is 172
) to find the approximate inclined surface 5tand' of the wafer table 1.
Calculate (x, y) (see step 5P11 in Figure 2)
. Based on the obtained approximate inclined plane 5tand'(x, y), the shape of the wafer 2 placed on the wafer table 1 -afer (x, y) is calculated as TTVI (X, y) -5
Calculated by calculating tand'(x, y) (
(See step 5P12). After determining the approximate slope 5tand' (x, y) of the wafer table 1, this is used to calculate the thickness data of each wafer 2 placed on the wafer table 1. By simply measuring the TVI, the shape -afer (x, V) of each wafer 2 can be determined.
上述した方法を具体的に説明したものが、第８図ないし
第１１図に示す等高線図である。ここで、第８図は厚さ
データＴＴＶ＋ （Ｘ、Ｖ）を、かつ第９図は厚さデー
タＴＴＶ２ （Ｘ、Ｖ）をそれぞれ表わしており、第１
０図は上述した方法で算出したウェーハ台１の近似傾斜
面５ｔａｎｄ’（ｘ、ｙ）を用いて、ＴＴＶＩ（ｘ、ｙ
） −５ｔａｎｄ’（ｘ、ｙ）によりウェーハ２の形状
を求めたもの、また、第１１図は同様の方法で、ＴＴＶ
２ （Ｘ、Ｖ） −Ｓむａｎｄ’（ｘ、ｙ）により該ウ
ェーハ２の形状を求めたものである。第１０図と第１１
図を比較するとわかるように、両者は１８ｏ°回転する
と一致する。すなわち、上記ウェーハ台１の近似傾斜面
５ｔａｎｄ’（ｘ、ｙ）を求めておけば、該ウェーハ台
１の上に載置されるウェーハ２の形状が容易にかつ確実
に求まることがわがった。The above-mentioned method is specifically explained in the contour diagrams shown in FIGS. 8 to 11. Here, FIG. 8 represents the thickness data TTV+ (X, V), and FIG. 9 represents the thickness data TTV2 (X, V), respectively.
Figure 0 shows TTVI (x, y
) -5tand'(x, y), and FIG. 11 shows the TTV obtained using the same method.
2 (X, V) - Sm and' (x, y). Figures 10 and 11
As can be seen by comparing the figures, both coincide when rotated by 18°. That is, it has been found that if the approximate slope 5tand'(x, y) of the wafer table 1 is determined, the shape of the wafer 2 to be placed on the wafer table 1 can be determined easily and reliably. .
さて、このようにウェーハ台の傾斜を求め、正しいウェ
ーハの形を示すことができたが、これはあ（までウェー
ハ台が５ｔａｎｄ （Ｘ、Ｖ） ＝ ａＸ ＋ ｂｙ
＋（という平面で表わせる場合である。しかし、ウェー
ハ台は、このように傾いている場合に加えて、変形して
いる（特に異物の付着やウェーハ搬送具の接触により局
部的に変形していることが多い）場合がある。そこで、
前述の傾斜を求める方法より若干複雑になるが、局部的
診断をする方法について説明する。Now, we were able to find the inclination of the wafer table and show the correct shape of the wafer in this way, but this is because the wafer table is 5tand (X, V) = aX + by
+().However, in addition to being tilted like this, the wafer table is also deformed (particularly locally deformed due to adhesion of foreign matter or contact with the wafer carrier). (often).Therefore,
Although it is slightly more complicated than the method for determining the slope described above, we will explain a method for local diagnosis.
まず、ウェーハ台１に載せるウェーハ２として第１２図
に示すように１２０゛ずつ等間隔に形成された３つの切
欠部ＯＦａ 、 ＯＦｂ 、 ＯＦｃを有するつ工−ハ
を用意する。次いで、第３図ステップ５Ｐ２０に示すよ
うに、上記ウェーハ２をウェーハ台１の上に載置して該
ウェーハ台１上で適宜１２０°ずつ回転させ、順次ウェ
ーハ台１上の３位置にＦ３ケルテータＴＴＶａ 、 Ｔ
ＴＶｂ、 ＴＴＶｃを測定しく第１２図ないし第１５図
参照）、記憶する。First, a wafer 2 to be placed on a wafer table 1 is prepared as a wafer having three notches OFa, OFb, and OFc formed at equal intervals of 120 degrees as shown in FIG. Next, as shown in step 5P20 of FIG. 3, the wafer 2 is placed on the wafer stand 1 and rotated appropriately by 120 degrees on the wafer stand 1, and the F3 keltator is sequentially placed at three positions on the wafer stand 1. TTVa, T
Measure TVb and TTVc (see Figures 12 to 15) and store them.
ここで、前述の方法のようにＴＴＶをＩｔｌａｆｅｒと
５ｔａｎｄ分に分け、さらにこの５ｔａｎｄ分をＴｒｅ
ｎｄとＧａｐに分ける（ Ｔｒｅｎｄは傾き成分、Ｇａ
ｐは変形によるそこからのズレを示す）。Here, as in the method described above, divide TTV into Itlafer and 5tand, and further divide this 5tand into Trefer.
Divided into nd and Gap (Trend is the slope component, Ga
p indicates the deviation from that due to deformation).
すなわち、
ＴＴＶａ （ｘ、ｙ） −Ｗａｆｅｒ （ｘ、ｙ
） ＋ Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）＋ Ｇａｐ
（ｘ、ｙ）
ＴＴＶｂ （ｘ、ｙ）
＝ Ｗａｆｅｒ （ｃｏｓ（−１２０°） −ｘ−
ｓｉｎ（−１２０°）−ｙ。That is, TTVa (x, y) − Wafer (x, y
) + Trend (x, y) + Gap
(x, y) TTVb (x, y) = Wafer (cos (-120°) -x-
sin(-120°)-y.
５ｉｎ（−１２０°） −ｘ ＋ｃｏｓ（−１２０’
） −ｙ ）＋ Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ） ＋ Ｇ
ａ１） （Ｘ、Ｖ）丁ＴＶＣ（ｘ、ｙ）
＝ Ｗａｆｅｒ （ｃｏｓ（１２０’ ） −ｘ−
ｓｉｎ（１２０°）−ｙ。5in(-120°) -x +cos(-120'
) −y )+ Trend (x, y) + G
a1) (X, V) Ding TVC (x, y) = Wafer (cos (120') -x-
sin(120°)-y.
５ｉｎ（１２０’ ） −ｘ ＋ｃｏｓ（１２０°）
・ｙ）＋ Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ） ＋ Ｇａ１） （
Ｘ、Ｖ）となる。従って、ウェーハを中心に考えると、
座標変換して
ＴＴＶａ （ｘ、ｙ） −Ｗａｆｅｒ （ｘ、ｙ） ＋
Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）十〇ａｐ （ｘ、ｙ）
ＴＴＶｂ （ｃｏｓ（１２０’ ） −ｘ−ｓｉｎ
（１２０°）ｌ。5in(120') -x +cos(120°)
・y) + Trend (x, y) + Ga1) (
X, V). Therefore, if we focus on wafers,
After coordinate transformation, TTVa (x, y) - Wafer (x, y) +
Trend (x, y) 10ap (x, y) TTVb (cos(120') -x-sin
(120°) l.
ｓｉｎ （１２０” ） −ｘ ＋ｃｏｓ（１２０°
）−ｙ）＝ Ｗａｆｅｒ （ｘ、ｙ）
＋ Ｔｒｅｎｄ （ｃｏｓ（１２０° ） −Ｘ
−５ｉｎ（１２０° ）−ｙ。sin (120”) −x +cos(120°
) − y) = Wafer (x, y) + Trend (cos(120°) −X
-5in (120°) -y.
５ｉｎ（１２０° ） −ｘ ＋ ｃｏｓ （１２０
’ ） ・Ｖ ）＋ Ｇａｐ （ｃｏｓ（１２
０° ） −ｘ −５ｉｎ（１２０° ）ｌ。5in (120°) −x + cos (120
' ) ・V ) + Gap (cos(12
0°) -x -5in (120°) l.
ｓｉｎ （１２０° ） −ｘ ＋ ｃｏｓ （１２
０’ ） ・Ｖ ）ＴＴＶｃ （ｃｏｓ（−１２
０” ） −ｘ −５ｉｎ（−１２０° ）−ｙ。sin (120°) −x + cos (12
0' ) ・V )TTVc (cos(-12
0") -x -5in (-120°) -y.
５ｉｎ（−１２０° ） −ｘ ＋ ｃｏｓ（−１２
０° ）−ｙ）ニーａｆｅｒ （ｘ、ｙ）
＋ Ｔｒｅｎｄ （ｃｏｓ（−１２０’ ）
−Ｘ−５ｉｎ（−１２０° ）−ｙ。5in (-120°) -x + cos(-12
0°)-y) Knee afer (x, y) + Trend (cos(-120')
-X-5in(-120°)-y.
５ｉｎ（−１２０° ） −ｘ ＋ｃｏｓ（−１２０
° ）−ｙ）＋ Ｇａｐ （ｃｏｓ（−１２０° ）
−ｘ −５ｉｎ（−１２０° ）ｌ。5in(-120°) -x +cos(-120
° )-y)+Gap (cos(-120°)
-x -5in (-120°) l.
５ｉｎ（−１２０° ） −ｘ ＋ ｃｏｓ（−１２
０° ）−ｙ）と表わすこともできる（以下、ｃｏｓ（
−１２０°）−−１／２．５ｉｎ（−１２０°） ＝
−（Ｔ／２ 、 ｃｏｓ （１２０°）−−１／２．
Ｓｉｎ （１２０°） ＝ （Ｔ／２として示す）。5in (-120°) -x + cos(-12
0° )-y) (hereinafter cos(
-120°)--1/2.5in(-120°) =
-(T/2, cos (120°)--1/2.
Sin (120°) = (denoted as T/2).
そして、第３図ステップ２１に示すようにウェーハ台１
が、異常と思われる箇所（すなわち、Ｇａｐ （ｘ、ｙ
）がＯでない領域、第１６図において斜線部分）とそう
でないと思われる箇所（Ｇａｐ （Ｘ、Ｖ）＝０である
領域、第１６図において斜線以外の部分）２ケ所へと１
２０°ずつ分割する。（ただし、この分割が正確である
必要はない。）このウェーハ台１上ヘウエーハ２が載置
されたものが、ＴＴＶとして表われてくるから、ＩＡａ
ｆｅｒ （ｘ、ｙ）上のβｘ＜ｙ〈ａＸの部分（第１７
図において斜線部分）がウェーへ台１上へ載置された場
合を考える（第３図ステップ５Ｐ２２参照）。ずなわら
、βｘ＜Ｉ／＜ａＸの部分のそれぞれのＴＴＶは
丁ＴＶａ （ｘ、ｙ） ＝ Ｉｔｌａｆｅｒ
（ｘ、ｙ） ＋ Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）÷Ｇａ
ｐ （ｘ、ｙ）
ＴＴＶｂ （−ｘ／２− （”ｒ Ｖ／２ 、 （Ｔ
ｘ／２− ｙ／２ ）−賀ａｆｅｒ （ｘ、ｙ）
＋ Ｔｒｅｎｄ （−ｘ／２− （Ｔ ｙ／２ 、 （
Ｎ ｘ／２− ｙ／２ ）＋ Ｇａｐ （−ｘ／２−
（’Ｔ Ｖ／２ 、 （丁ｘ／２− ｙ／２ ）ＴＴＶ
ｃ （−ｘ／２ ＋ （Ｎ ｙ／２ 、 −（”ｒ ｘ
／２− ｙ／２）＝ ＩＡａｆｅｒ （ｘ、ｙ）
＋ Ｔｒｅｎｄ （−ｘ／２ ＋ （Ｔ ｙ／２ 、
−（丁ｘ／２− ｙ／２）＋ Ｇａｐ （−ｘ／２ ＋
（Ｔ ｙ／２ 、 −（丁ｘ／２− ｙ／２ ）ただ
し、×、ｙはβｘ＜ｙ＜ａＸの領域内の座標このとき、
第１６図において上記ウェーへ台１上の斜線の部分が異
常だとすると、
ＴＴＶｂ （Ｘ、Ｖ）におけるＧａｐのみが０でなく、
ＴＴＶａ （ｘ、ｙ） 、 ＴＴＶｃ （Ｘ、ｙ）に
おけるＧａｐはＯとみてよい。従って、
丁ＴＶａ （Ｘ、Ｖ）
−ＴＴＶｃ（−ｘ／２ ＋ 、ｎ ｙ／２ 、 −ＪＮ
ｘ／２− ｙ／２ ）＝ Ｗａｆｅｒ （ｘ、ｙ）
＋ Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）＋ Ｇａｐ （ｘ、ｙ）−
−Ｗａｆｅｒ （ｘ、ｙ）−Ｔｒｅｎｄ （−ｘ／２＋
（Ｎ Ｖ／２ 、 −（Ｔ ｘ／２− ｙ／２）−Ｇ
ａｐ （−ｘ／２＋ （”！； ｙ／２ 、 −σｘ／
２− ｙ／２）＝ Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）
−Ｔｒｅｎｄ （−ｘ／２ ＋ （Ｔ Ｖ／２ 、 −
（Ｔ ｘ／２− Ｖ／２）（ただし、ｘ、ｙはβ×〈ｙ
〈αＸを満たす）ここで、Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）はウ
ェーハ台１の傾斜成分だからＴｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）
＝ ａｘ＋ｂｙ＋ｃと表わせる。従って、ＴＴＶａ （
ｘ、ｙ） −ＴＴＶｃ（−ｘ／２ ＋ ｆ丁ｙ／２゜−
σｘ／２− ｖ／２ ）は
ａｘ＋ｂｙ＋ｃ
−ａ （−Ｘ／２ ＋ （丁ｙ／２）
−ｂ（−（丁ｘ／２− ｙ／２ ） −Ｃ＝ ａ
（３ｘ／２− （丁ｙ／２）＋ ｂ （（’！； ｘ
／２ ＋ ３ｙ／２）となる。Then, as shown in step 21 in FIG.
is the location that seems to be abnormal (i.e., Gap (x, y
) is not O, the shaded area in Figure 16) and the area where it seems not to be O (area where Gap (X, V) = 0, the area other than the shaded area in Figure 16).
Divide into 20° increments. (However, this division does not need to be accurate.) The wafer 2 placed on the wafer stage 1 appears as TTV, so IAa
The part of βx<y<aX on fer (x, y) (17th
Let us consider the case where the wafer (hatched area in the figure) is placed on the table 1 (see step 5P22 in FIG. 3). Therefore, each TTV of the part βx<I/<aX is DTVa (x, y) = Itlafer
(x, y) + Trend (x, y) ÷ Ga
p (x, y) TTVb (-x/2- ("r V/2, (T
x/2- y/2 )-gaafer (x, y) + Trend (-x/2- (T y/2, (
N x/2- y/2 )+ Gap (-x/2-
('TV/2, (Ding x/2-y/2)TTV
c (-x/2 + (N y/2 , -("r x
/2- y/2) = IAafer (x, y) + Trend (-x/2 + (T y/2,
-(Ding x/2- y/2)+ Gap (-x/2 +
(T y/2, -(T y/2- y/2) However, x, y are coordinates in the area of βx<y<aX. At this time,
In Fig. 16, if the shaded area on the way platform 1 is abnormal, only the Gap at TTVb (X, V) is not 0,
The gap between TTVa (x, y) and TTVc (X, y) can be considered to be O. Therefore, dingTVa (X, V) −TTVc(−x/2 + , ny/2, −JN
x/2−y/2)=Wafer(x,y)
+ Trend (x, y) + Gap (x, y) -
-Wafer (x, y) -Trend (-x/2+
(N V/2, -(T x/2- y/2)-G
ap (−x/2+ (”!; y/2 , −σx/
2- y/2) = Trend (x, y) -Trend (-x/2 + (TV/2, -
(T x/2- V/2) (where x, y are β×〈y
(Satisfies αX) Here, Trend (x, y) is the tilt component of the wafer table 1, so Trend (x, y)
It can be expressed as = ax+by+c. Therefore, TTVa (
x, y) -TTVc(-x/2 + ftony/2゜-
a
(3x/2− (d y/2)+ b (('!; x
/2 + 3y/2).
この場合、先の仮定通り、用いた２領域に異常がなけれ
ば、先のβ×〈ｙ〈αＸの範囲で上式のａ、ｂは一つに
定まることになるから、第３図のステップ５Ｐ２４に示
すようにａ、ｂが一意に定まるか否かを判別する。そし
て、一つに定まらない場合は、この領域内のどこかでＧ
ａｐがＯでない箇所があったということになり、第３図
のステップ５Ｐ２１に戻り、前述の分割を再度やりなお
す。こうして求められ１．＝ａ、ｂにより第３図のステ
ップ５Ｐ２５に示すように、上記 ＴＴＶｂにおいて、
Ｗａｆｅｒ （ｘ、ｙ） ＝ ＴＴＶａ （ｘ、ｙ）
−Ｔｒｅｎｄ （ｘ、ｙ）＝ 丁ＴＶａ （ｘ、ｙ）
−（ａｘ＋ｂｙ＋ｃ）を代入すると、Ｇａｐ（−ｘ／
２− （’Ｊ’ ｙ／２ 、 （丁ｘ／２− ｙ／２
）＝ 丁ＴＶｂ （−ｘ／２ − （Ｎ ｙ／
２ 、 （’！； ｘ／２ − ｙ／２ ）−
Ｗａｆｅｒ（ｘ、 Ｖ）
−Ｔｒｅｎｄ（−ｘ／２− 、／Ｔ ｙ／２ 、 （Ｔ
ｘ／２− ｙ／２ ）＝ ＴＴＶｂ （−Ｘ／２−
（丁Ｖ／２ 、 ｆｌ Ｘ／２− Ｖ／２ ）−（Ｔ
ＴＶａ （ｘ、ｙ） −（ａｘ＋ｂｙ＋ｃ） ）−（
ａ（−ｘ／２− （丁ｙ／２）
＋ ｂ（ｒ丁Ｘ／２− ｙ／２ ） ＋ｃ）＝ ＴＴ
Ｖｂ （−ｘ／２− （丁ｙ／２ 、 （丁ｘ／２−
ｙ／２ ）−ＴＴＶａ （Ｘ、Ｖ） ） （３ａ
−（了ｂ）−ｘ／２＋ （３ｂ 十〜”Ｔａ） ・
Ｖ／２となるから、ＴＴＶｂ及びＴＴＶａにウェーハ
２上の各点（ｘ、ｙ）の測定データを代入することによ
り、Ｇａｐすなわちウェーハ台１の異常箇所が求められ
る。In this case, as previously assumed, if there is no abnormality in the two regions used, a and b in the above equation will be determined as one in the range of β x <y < αX, so the steps in Figure 3 As shown in 5P24, it is determined whether a and b are uniquely determined. If you cannot decide on one, select G somewhere within this area.
It is determined that there is a portion where ap is not O, so the process returns to step 5P21 in FIG. 3 and the above-described division is performed again. Thus, 1. = a, b, as shown in step 5P25 of FIG. 3, in the above TTVb,
Wafer (x, y) = TTVa (x, y)
-Trend (x, y) = Ding TVa (x, y)
-(ax+by+c) gives Gap(-x/
2- ('J' y/2, (Ding x/2- y/2
) = Ding TVb (-x/2 - (N y/
2, ('!; x/2 − y/2 )−
Wafer(x, V) -Trend(-x/2-, /T y/2, (T
x/2-y/2)=TTVb(-X/2-
(T V/2, fl X/2- V/2)-(T
TVa (x, y) −(ax+by+c) )−(
a(-x/2-(y/2)+b(r-x/2-y/2)+c)=TT
Vb (-x/2- (ding y/2, (ding x/2-)
y/2)-TTVa (X, V)) (3a
-(completedb)-x/2+ (3b 10~"Ta) ・
Since it is V/2, by substituting the measurement data of each point (x, y) on the wafer 2 to TTVb and TTVa, the gap, that is, the abnormal location on the wafer table 1 can be found.
上述した方法を具体的に説明したものが、第１８図ない
し第２４図に示す等高線図である。ここで、第１８図は
ＴＴＶａ （Ｘ、Ｖ）を、かつ第１９図は厚さデータＴ
ＴＶｂ （ｘ、ｙ）を、また第２０図は厚さデータＴＴ
ＶＣ（Ｘ、Ｖ）をそれぞれ表わしており、第２１図は上
述した方法で算出したウェーハ台１の形状を示している
。この第２１図を見ると明らかなようにこのウェーハ台
１は左上から右下にかけて傾斜していると共に、左下部
に四部１ａが存在していることがわかった。さらに、第
２２図ないし第２４図はそれぞれ厚さデータＴＴＶａ
（Ｘ、Ｖ） 。Contour diagrams shown in FIGS. 18 to 24 specifically illustrate the above-mentioned method. Here, FIG. 18 shows TTVa (X, V), and FIG. 19 shows the thickness data T.
TVb (x, y), and FIG. 20 shows the thickness data TT.
VC (X, V), respectively, and FIG. 21 shows the shape of the wafer table 1 calculated by the method described above. As is clear from FIG. 21, the wafer table 1 is inclined from the upper left to the lower right, and there are four parts 1a at the lower left. Further, FIGS. 22 to 24 each show thickness data TTVa.
(X, V).
ＴＴＶｂ （ｘ、ｙ） 、 ＴＴＶｃ （ｘ、ｙ）か
ら第２１図に示ずウェーハ台１の形状を差し引いて求め
たウェーハ２の形状であり、第２２図ないし第２４図を
比較してみると、互いに１２０°ずつ回転すると等高線
図がよく一致している。すなわち、上述の方法により、
ウェーハ台１の傾斜状態及び局部的凹凸状態を求めてお
けば、該ウェーハ台１上に載置されるウェーハ２の形状
を精度良くかつ円滑に把握することができる。This is the shape of the wafer 2 obtained by subtracting the shape of the wafer stage 1 (not shown in FIG. 21) from TTVb (x, y) and TTVc (x, y), and when comparing FIGS. 22 to 24, , the contour maps match well when rotated by 120 degrees. That is, by the method described above,
By determining the inclination state and local unevenness of the wafer stage 1, the shape of the wafer 2 placed on the wafer stage 1 can be accurately and smoothly grasped.
以上説明したように、本発明によれば、ウェーハ台の上
に載置したウェーハを適宜回転させて、その時の厚さデ
ータを順次採取して、これらの厚さデータに基づいてウ
ェーハの形状を消去してウェーハ台の形状を得るもので
あるから、ウェーハの形状を診断する際に影響を与える
ウェーハ台の形状を確実にかつ容易に把握でき、かつウ
ェーハ台の傾斜あるいは変形を円滑に診断することがで
きるという優れた効果を有する。As explained above, according to the present invention, the wafer placed on the wafer table is appropriately rotated, the thickness data at that time is sequentially collected, and the shape of the wafer is determined based on the thickness data. Since the shape of the wafer table is obtained by erasing the data, the shape of the wafer table, which affects the diagnosis of the wafer shape, can be reliably and easily grasped, and tilting or deformation of the wafer table can be smoothly diagnosed. It has the excellent effect of being able to
第１図ないし第２４図は本発明の一実施例を示すもので
、第１図は傾斜データＴｒｅｎｄを求める手順を説明す
る流れ図、第２図は近似傾斜面５ｔａｎｄ’を求める手
順を説明する流れ図、第３図はウェーハ台の異常箇所を
求める手順を説明する流れ図、第４図はウェーハ台の平
面図、第５図は、第４図の位置関係における厚さデータ
を説明する説明図、第６図は、第４図に示すウェーハ２
を１８０″′回転させた場合の平面図、第７図は、第６
図の位置関係にＪ３ける厚さデータを説明する説明図、
第８図ないし第１１図は等高線を示すもので、第８因は
厚さデータ１丁νｌに基づいた等高線図、第９図は厚さ
データＴＴＶ２に基づいた等高線図、第１０図は厚さデ
ータＴＴＶ＋ と近似傾斜面５ｔａｎｄ“とに基づいた
等高線図、第１１図は厚さデータＴＴＶ２と近似傾斜面
５ｔａｎｄ’とに基づいた等高線図、第１２図は３つの
切欠部ＯＦａ 、 ＯＦｂ 、 ＯＦｃがあるウェーハ
をウェーハ台上に載置した状態において、つ工−ハ台を
基準として座標設定した場合の説明図、第１３図は厚さ
データＴＴＶａを説明する説明図、第１４図は厚さデー
タＴＴＶｂを説明する説明図、第１５図は厚さデータＴ
ＴＶｃを説明する説明図、第１６図はウェーハ台を異常
箇所と正常箇所とに３分割した状態を示す説明図、第１
７図はウェーハを目的に応じて３分割し、ウェーハを基
準として座標設定した場合の説明図、第１８図ないし第
２０図は同じウェーハをウェーハ台上で１２０゜ずつ回
転させて測定したＴＴＶデータに基づくもので、第１８
図は厚さデータＴＴＶａに基づく等高線図、第１９図は
厚さデータＴＴＶｂに基づく等高線図、第２０図は厚さ
データＴＴＶＣ１，：基づく等高線図、第２１図は求め
られたウェーハ台の等高線図、第２２図は厚さデータＴ
ＴＶａからウェーハ台の形状を補正した場合のウェーハ
の等高線図、第２３図は厚さデータＴＴＶｂからウェー
ハ台の形状を補正した場合のウェーハの等高線図、第２
４図は厚さデータＴｒＶｃからウェーハ台の形状を補正
した場合のウェーハの等高線図である。
１・・・ウェーハ台、２．２ａ、 ２ｂ・・・ウェーハ
、ＴＴＶＩ、 ＴＴＶ２ ・−・厚すテ’／、ＴＴＶ
ａ 、 Ｔ丁Ｖｂ 。
ＴＴＶｃ・・・厚さデータ。1 to 24 show an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a flowchart explaining the procedure for obtaining slope data Trend, and FIG. 2 is a flowchart explaining the procedure for obtaining the approximate slope 5tand'. , Fig. 3 is a flowchart explaining the procedure for finding abnormalities on the wafer stand, Fig. 4 is a plan view of the wafer stand, Fig. 5 is an explanatory diagram explaining thickness data in the positional relationship shown in Fig. Figure 6 shows the wafer 2 shown in Figure 4.
Fig. 7 is a plan view when rotated by 180''.
An explanatory diagram explaining the thickness data in J3 in the positional relationship of the diagram,
Figures 8 to 11 show contour lines; the eighth factor is a contour diagram based on thickness data 1 νl, Figure 9 is a contour diagram based on thickness data TTV2, and Figure 10 is a contour diagram based on thickness data TTV2. FIG. 11 is a contour diagram based on the data TTV+ and the approximate slope 5tand', FIG. 11 is a contour diagram based on the thickness data TTV2 and the approximate slope 5tand', and FIG. An explanatory diagram when a certain wafer is placed on a wafer table and the coordinates are set using the wafer table as a reference. FIG. 13 is an explanatory diagram explaining the thickness data TTVa, and FIG. 14 is the thickness data. An explanatory diagram explaining TTVb, FIG. 15 is thickness data T
An explanatory diagram explaining TVc, Fig. 16 is an explanatory diagram showing a state in which the wafer table is divided into three parts, an abnormal part and a normal part,
Figure 7 is an explanatory diagram when the wafer is divided into three parts according to the purpose and the coordinates are set using the wafer as a reference. Figures 18 to 20 are TTV data measured by rotating the same wafer by 120 degrees on the wafer table. Based on the 18th
The figure is a contour diagram based on the thickness data TTVa, Figure 19 is a contour diagram based on the thickness data TTVb, Figure 20 is a contour diagram based on the thickness data TTVC1, and Figure 21 is a contour diagram of the obtained wafer table. , FIG. 22 shows the thickness data T
Figure 23 is a contour diagram of the wafer when the shape of the wafer stage is corrected from the thickness data TTVb;
FIG. 4 is a contour map of the wafer when the shape of the wafer table is corrected from the thickness data TrVc. 1...Wafer stand, 2.2a, 2b...Wafer, TTVI, TTV2...Thickness stand'/, TTV
a, T Ding Vb. TTVc...Thickness data.
Claims (1)
所定角度回転させ、各設定位置における上記ウェーハ台
とウェーハとを合わせた各部の厚さを測定した後、得ら
れた厚さデータに基づいて上記ウェーハ台の形状を算出
することを特徴とするウェーハ台の形状診断方法。The wafer placed on the wafer stand on which shape diagnosis is to be performed is sequentially rotated by a predetermined angle, and the thickness of each part of the wafer stand and wafer combined at each set position is measured. A method for diagnosing the shape of a wafer table, characterized by calculating the shape of the wafer table.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285738A JP2502105B2 (en) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | Wafer table shape diagnosis method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62285738A JP2502105B2 (en) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | Wafer table shape diagnosis method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126507A true JPH01126507A (en) | 1989-05-18 |
| JP2502105B2 JP2502105B2 (en) | 1996-05-29 |
Family
ID=17695405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62285738A Expired - Lifetime JP2502105B2 (en) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | Wafer table shape diagnosis method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2502105B2 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744807A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Hitachi Ltd | Flatness measuring apparatus |
| JPS5882112A (en) * | 1981-11-12 | 1983-05-17 | Toshiba Corp | Displacement measuring device |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP62285738A patent/JP2502105B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5744807A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Hitachi Ltd | Flatness measuring apparatus |
| JPS5882112A (en) * | 1981-11-12 | 1983-05-17 | Toshiba Corp | Displacement measuring device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2502105B2 (en) | 1996-05-29 |
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