JPH01125124A - Programmable logic array - Google Patents

Programmable logic array

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JPH01125124A
JPH01125124A JP62284902A JP28490287A JPH01125124A JP H01125124 A JPH01125124 A JP H01125124A JP 62284902 A JP62284902 A JP 62284902A JP 28490287 A JP28490287 A JP 28490287A JP H01125124 A JPH01125124 A JP H01125124A
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JP
Japan
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array
output
line
associative memory
memory cell
Prior art date
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Pending
Application number
JP62284902A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hachiro Yamada
山田 八郎
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH01125124A publication Critical patent/JPH01125124A/en
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Abstract

PURPOSE:To utilize one and same programmable logic array for the simulation of various logic circuits by expressing a logic function based on the content of a rewritable storage element. CONSTITUTION:The logic array has an AND array 100 where associative memory cells 130 whose content is to be rewritable are arranged as a matrix and the coincident outputs of the associative memory cells 130 on the same column are connected together through a coincident line 141, and an OR array 110 where plural switching means 170, 180 connecting in series with storage cells whose storage content is rewritable are arranged as a matrix, the switching of switching means 170, 180 of each column is controlled by storage outputs through the storage cells 160 and the coincident line 141 from the associative memory cells 130 on the same column and one terminal of the switching means 170, 180 of the same row is connected in common to the output. thus, various logic functions can be programmed in the real time by setting the bit pattern to the storage cell in the associative memory 130 in the AND array 100, a coincidence output control circuit 140 and the OR array 110.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は論理積と論理和の2段論理回路で種々の論理関
数を実現可能なプログラマブル論理アレイに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a programmable logic array capable of realizing various logic functions using a two-stage logic circuit of AND and OR.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のプログラマブル論理プレイは縦横に走らせた配線
の各交点にヒエーズ盤のダイオードを設け、それを選択
的に切断することで必要な論理関数を実現していた。従
来のプログラマブル論理アレイについては、日刊工業新
聞社発行、笹尾勤著によるrPLAの作シ方、・使い方
」に詳細に記載されている。
Conventional programmable logic plays implement the necessary logic functions by installing Hiez board diodes at each intersection of wires running vertically and horizontally, and selectively cutting them off. Conventional programmable logic arrays are described in detail in ``How to Make and Use rPLA'' by Tsutomu Sasao, published by Nikkan Kogyo Shimbun.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来のプログラマブル論理プレイは、ヒエーズ
型ダイオードを溶断することで論理関数をプログラムし
ていたため、−旦プログラムした論理関数を修正できな
いという欠点を有する。−般に最終的な論理関数を実現
するために、プログラマブル論理プレイを交換し、プロ
グラムしなおす作業が数回必要となる。この作業によシ
、プログラマブル論理アレイを用いた装置の価格上昇と
開発期間の増大をもたらす。また、LSIの論理レージ
=I/が必要となる。特に動画を処理するディジタル・
フィルタの回路方式やパラメータを決める場合、良否の
判定を人間の目で確認する必要があシ、またコンピュー
タ・シミエーレーシヲンでは膨大な計算時間を必要とす
るため、実験ボードが必要となる。この場合、すみやか
に論理関数を修正できることと、実験ボードを他のLS
IK再利用できることが望ましい。また、開発しようと
するLSIを用いた装置の仕様を試作品で決める場合に
もプログラマブル論理プレイを用いた実験ボードが必要
となる。しかし、従来のプログ2マプル論理プレイは論
理関数を修正できないため、実験ボードひいてはLSI
の開発期間と開発費用の増大をもたらす欠点を有する。
The conventional programmable logic play described above has the disadvantage that the logic function is programmed by blowing out the Hiez type diode, and therefore the logic function once programmed cannot be modified. - Generally, the programmable logic play must be replaced and reprogrammed several times to achieve the final logic function. This work increases the cost and development time of devices using programmable logic arrays. Furthermore, LSI logical storage = I/ is required. Especially for digital processing that processes video.
When determining the circuit system and parameters of a filter, it is necessary to check the quality with human eyes, and computer simulation requires an enormous amount of calculation time, so an experiment board is required. In this case, it is important to be able to quickly modify the logic functions and to connect the experimental board to another LS.
It is desirable that IK can be reused. Furthermore, an experiment board using programmable logic play is also required when determining the specifications of a device using an LSI to be developed using a prototype. However, since the conventional program 2 maple logic play cannot modify the logic function, it is difficult to modify the experimental board and even the LSI.
This has the disadvantage of increasing development time and development costs.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のプログラマブル論理プレイは、記憶内容を書換
え可能な連想メモリ・セルをマトリクス状に配置し、同
一列の連想メモリーセルの一致出力を一致線で互いに接
続した論理積プレイと、記憶内容を書換え可能な記憶セ
ルと直列に接続した複数のスイッチ手段をマトリクス状
に配置し、各列スイッチ手段がそれと同列の連想メモリ
・セルからの前記−敷線と記憶セルの記憶出力とで開閉
が制御され、同一行の前記スイッチ手段の一端を共通に
出力に接続した論理和アレイとを含むことを特徴とする
The programmable logic play of the present invention is an AND play in which associative memory cells whose memory contents can be rewritten are arranged in a matrix, and matching outputs of the associative memory cells in the same column are connected to each other with matching lines, and a programmable logic play that allows rewriting the storage contents. A plurality of switch means connected in series with possible memory cells are arranged in a matrix, and each column switch means is controlled to open and close by the above-mentioned - connecting line from the associative memory cell in the same column and the memory output of the memory cell. , and an OR array in which one ends of the switch means in the same row are commonly connected to an output.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例の構成図である。このプログ
ラマブル論理アレイは、破線で囲まれた論理積アレイ1
00と、他の破線で囲まれた論理和アレイ110と、読
取シ・書込み回路12OA。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention. This programmable logic array is an AND array 1 surrounded by a dashed line.
00, the OR array 110 surrounded by other broken lines, and the read/write circuit 12OA.

120B、120Cとからなる。論理積アレイ100は
、連想メモリ・セル130と一致出力制御回路140と
を3行3列に配置した構成をとる。連想メモリ・セル1
30の一致出力131は一致出力制御回路140に入力
し、同列の一致出力回路140の一致出力は一致線14
1に共通に与えられる。
It consists of 120B and 120C. The AND array 100 has a configuration in which associative memory cells 130 and coincidence output control circuits 140 are arranged in three rows and three columns. Associative memory cell 1
The coincidence output 131 of 30 is input to the coincidence output control circuit 140, and the coincidence output of the coincidence output circuit 140 of the same column is input to the coincidence line 14.
Commonly given to 1.

−敷線141の一端は抵抗150を介して電源Vと接続
し、他端は論理和アレイ110とつながる。
- One end of the laying line 141 is connected to the power supply V via a resistor 150, and the other end is connected to the OR array 110.

論理和アレイ110は、記憶セル160と直列に接続さ
れた2個のMOS)ランジスタ170,180とを2行
3列に配置した構成をとる。MOS)ランジスタ170
,180は直列に接続され、出力線181は抵抗182
を介して電源Vにつながる。各行の連想メモリ・セル1
30と一致出力制御回路140と記憶セル160は、正
ビツト線121A、121B。
The OR array 110 has a configuration in which a memory cell 160 and two MOS transistors 170 and 180 connected in series are arranged in two rows and three columns. MOS) transistor 170
, 180 are connected in series, and the output line 181 is connected to the resistor 182.
Connected to power supply V via. Associative memory cell 1 in each row
30, the coincidence output control circuit 140, and the memory cell 160 are connected to the positive bit lines 121A and 121B.

121Cと負ビット11122A、122B、122C
とで読取り・書込み回路12OA、120B、120C
につながる。
121C and negative bits 11122A, 122B, 122C
and read/write circuits 12OA, 120B, 120C
Leads to.

次に論理積アレイ100での動作について説明する。論
理積アレイ100は、入出力線123から入力した変数
X1.X、、X、間の選択的な論理積を各列で行ない、
その結果を各列の一致線141に出力する。論理積を行
なうか否かは一致出力制御回路140の記憶内容@1#
と@0”で決める。
Next, the operation of AND array 100 will be explained. The AND array 100 receives the variables X1 . Perform selective conjunction between,X,,X,in each column,
The results are output to the match line 141 of each column. Whether or not to perform logical product depends on the memory contents of the coincidence output control circuit 140 @1#
and @0”.

また、論理積を変数に対して行なうか、変数の反転に対
して行なうかは連想メモリ・セル130の記憶内容”1
”、−11Q#で制御する。
Also, whether the AND is performed on variables or the inversion of variables is determined by the memory content of the associative memory cell 130 "1".
”, -11Q#.

入出力線123に変数X(XはXt 、Xt 、Xsを
代表する)を印加すると読取シ・書込み回路120Aは
正ビツト線121AKXを、負ビット線122人に/X
(/XはXの反転を示す)を出力する。連想メモリ・セ
ル130はその記憶内容りと変数Xとの比較を行ない、
両者が一致した場合に一致出力131をグランドに対し
て高インピーダンスにし、不一致の場合に低インピーダ
ンスにする。すなわち、連想メモリ・セル140はF=
X−D+/X・/Dの論理演算結果を出力する。記憶内
容D=1ならばF=X、D=OならばF =/Xとなる
。この演算結果Fは、@1″と′″0#を一致出力13
1の高インピーダンスと低インピーダンスとに対応させ
て出力される。
When a variable X (X represents Xt,
(/X indicates the inversion of X) is output. The associative memory cell 130 compares its memory contents with the variable X,
When the two match, the match output 131 is set to high impedance with respect to the ground, and when they do not match, the match output 131 is set to low impedance. That is, associative memory cell 140 has F=
Outputs the logical operation result of X-D+/X・/D. If memory content D=1, F=X; if D=O, F=/X. This calculation result F is the matching output 13 of @1'' and '''0#.
It is output in correspondence with the high impedance and low impedance of 1.

一致出力制御回路140は、その中の記憶内容Sが@1
”の場合に一致出力131を一致線141に接続し、5
=00場合に開放する。従って、S=0の場合、変aX
は一致線141に影響を与えない。同一列内の複数の一
致出力131は一致出力制御回路140を介して一致線
141によシ共通に接続されているため、複数の一致出
力131の論理積が一致線141上に得られる。
The coincidence output control circuit 140 has a storage content S of @1.
”, connect the match output 131 to the match line 141, and
=00, open. Therefore, when S=0, the variable aX
does not affect match line 141. Since the plurality of coincidence outputs 131 in the same column are commonly connected to the coincidence line 141 via the coincidence output control circuit 140, the AND of the plurality of coincidence outputs 131 is obtained on the coincidence line 141.

ここでm行n列目の連想メモリ・セルの記憶内容をDm
n、m行n列目の一致出力制御回路140の記憶内容を
Smn、m行目の連想メモリ・セル130への入力変数
を−とすると、n列目の一致l!11141には(1)
式で示すLnが出力される。
Here, the memory content of the m-th row and n-th content addressable memory cell is Dm
If the memory content of the match output control circuit 140 in the mth row and the nth column is Smn, and the input variable to the associative memory cell 130 in the mth row is -, then the match l in the nth column! 11141 has (1)
Ln shown by the formula is output.

Ln=(Xl @ DtH+/Xt −/D1n ) 
・S tn+ (Xt ” Dtn+/Xt ” /D
un ) ” Sun+(Xm*Dmn+/Xm@/D
mn)*Smn  ・(1)第1図の論理積アレイ10
0はm=3.n=3の例を示す。−例として、第1列の
一致線141でL t = X *・/XSの論理積を
行なうKは、一致出力制御回路14Gの記憶内容を’S
 u=1 、 S tt=o 、 Sst+1とし、連
想メモリ・セル130を記憶内容をD11雪1. n 
tt=t (tはドントケアを示す)、D s’t=0
とすればよい。
Ln=(Xl@DtH+/Xt-/D1n)
・S tn+ (Xt "Dtn+/Xt" /D
un ) ” Sun+(Xm*Dmn+/Xm@/D
mn)*Smn ・(1) Logical product array 10 in FIG.
0 is m=3. An example where n=3 is shown. - As an example, K, which performs the logical product of L t =
Let u=1, S tt=o, Sst+1, and set the content of the associative memory cell 130 to D11 snow 1. n
tt=t (t indicates don't care), D s't=0
And it is sufficient.

このように、連想メモリ・セル130と一致出力制御回
路14Gの記憶内容をプログラムするととKより、各−
敷線141に種々の論理積演算結果を出力させることが
できる。連想メモリ・セル130への書込みデータは入
出力線123に与え、一致出力制御回路140への書込
みデータは積設定線124に与える。これらの書込みデ
ータは読取シ・書込み回路12OA、120Bにより、
正負のデータとして各々正ビツト線121A、121B
、負ビット線122A、122Bに供給され、さらにワ
ード線142で指定した特定の列の連想メモリ・セル1
30と一致出力制御回路140に書込まれる。
In this way, when the memory contents of the associative memory cell 130 and the coincidence output control circuit 14G are programmed, each -
Various logical AND operation results can be output to the laid line 141. Write data to the content addressable memory cell 130 is applied to the input/output line 123, and write data to the coincidence output control circuit 140 is applied to the product setting line 124. These write data are read/written by the read/write circuits 12OA and 120B.
Positive bit lines 121A and 121B are used as positive and negative data, respectively.
, negative bit lines 122A, 122B, and further designated by word line 142.
30 and is written to the coincidence output control circuit 140.

次°に論理和アレイ110の動作について説明する。論
理和アレイ110は、論理積プレイ10Gから複数の一
致線141に接続され、−敷線141から出力される論
理積演算結果の選択的な論理和演算を行ない°、その結
果を出力線181から出力する。−敷線141は同一列
のMOS)ランジスタ180のゲートにつながる。これ
と直列につながるMOS)ランジスタ170の開、閉は
、記憶セル160の記憶出力″′0”と”1”K対応し
て制御される。各列のMOS)ランラスタ1800一端
は、抵抗182と共に出力線181に共通に接続される
Next, the operation of OR array 110 will be explained. The OR array 110 is connected to a plurality of matching lines 141 from the AND play 10G, performs a selective OR operation on the AND operation results output from the - line 141, and outputs the result from the output line 181. Output. - The laid line 141 is connected to the gate of the MOS transistor 180 in the same column. The opening and closing of the MOS transistor 170 connected in series with this is controlled in accordance with the memory outputs "'0" and "1"K of the memory cell 160. One end of each column's MOS) run raster 1800 is commonly connected to an output line 181 together with a resistor 182.

ここでm行n列目の記憶セル160の記憶出力をRmn
、n列目の一致線141の出力をLnとすると、m行目
の出力線181には(2)式で示す出力Ymが得られる
Here, the memory output of the m-th row and n-th column memory cell 160 is Rmn
, when the output of the matching line 141 in the n-th column is Ln, the output Ym shown in equation (2) is obtained on the output line 181 in the m-th row.

Ym=/(L 1 ” nn11 + Ll ・%1@
 + ・” ・・・+ L n +1Rmn )・・・
′(2) (2)式に示すように、各行の出力線181には@1”
の記憶出力(Rm=@l’)となる列の一致線141の
出力L 5−IJnK対する論理和の反転出力が得られ
る。これは、記憶セル160の記憶内容をプログラムす
るととKよシ、−敷線I n I K対する種々の論理
和を出力@181から出力できることを示す。記憶セル
160への書込みは、卵膜定線125に書込みデータを
与え、ワード線142で列を指定することで行なう。
Ym=/(L 1 ” nn11 + Ll ・%1@
+ ・"...+Ln+1Rmn)...
'(2) As shown in equation (2), the output line 181 of each row has @1"
An inverted output of the logical sum of the output L5-IJnK of the column match line 141, which is the storage output (Rm=@l'), is obtained. This indicates that when the memory contents of the memory cell 160 are programmed, various logical sums for K, -I, and I can be output from the output @181. Writing to the memory cell 160 is performed by applying write data to the membrane constant line 125 and specifying a column using the word line 142.

したがって、論゛理積アレイ100内の連想メモ和 す130と一致出力制御回路140及び論理Vアレイ1
10内の記憶セルにビット・パターンを設定することで
、種々の論理関数をプログラムできる。ま九、設定した
ビット・パターンを読取り・書込み回路を介して読取る
ことも可能である。
Therefore, the associative memory sum 130 in the AND array 100, the coincidence output control circuit 140, and the logic V array 1
By setting bit patterns in the storage cells within 10, various logic functions can be programmed. Furthermore, it is also possible to read the set bit pattern via a read/write circuit.

用できる。また、一致出力制御回路140は特開昭62
−9594号公報に記載のメモリセルに、一致出力13
1と一致線141との間KMO8)ランジスタを付加す
ることで構成できる。そのMOSトランジスタのゲート
はメモリセル内のイン、(−タにつながる。また、記憶
セル160はメモリセルと同様に構成できる。
Can be used. Furthermore, the coincidence output control circuit 140 is
Coincidence output 13 in the memory cell described in Publication No. 9594
It can be constructed by adding a transistor between KMO8) and the match line 141. The gate of the MOS transistor is connected to the in/(-) in the memory cell. Furthermore, the memory cell 160 can be configured similarly to the memory cell.

第2図は本発明の実施例2の構成図である。このプログ
ラマブル論理プレイは、論理積アレイ100と、論理和
アレイ110と、レジスタ210と、デコーダ220と
、双方向バッファ230とからなる。レジスタ210は
積設定線124に接続し、デコーダ220はワード線1
42に接続し、双方向バッファ230は出力線181及
び卵膜定線125につながる。
FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention. The programmable logic play consists of an AND array 100, an OR array 110, a register 210, a decoder 220, and a bidirectional buffer 230. Register 210 is connected to product setting line 124, and decoder 220 is connected to word line 1.
42 , and the bidirectional buffer 230 connects to the output line 181 and the membrane constant line 125 .

動作説明の便宜上、論理積アレイ100と論理積アレイ
110との構成については、第1図を参照する。レジス
タ210は、入出力線123上のデータをクロック信号
212に同期して取込み、取込んだデータを積設定線1
24を介して論理積アレイ100内の一致出力制御回路
140に供給する。双方向バッファ230はモード信号
231に基づいて、出力線181上のデータを論理入出
力線232に導くか、逆に論理入出力線232に与えた
データを卵膜定線125に出力する。論理積アレイ10
0と論理和アレイ110とに論理関数をプログラムする
場合には、入出力線123に連想メモリ・セル130へ
の書込みデータを与え、レジスタ210に一致出力制御
回路140への書込みデータを設定し、論理入出力線2
32に記憶セル160への書込みデータを供給する。こ
の際に、デコーダ220はワード・アドレス221で指
定したワード線142を駆動することで、書込み列の指
定を行なう。
For convenience of explanation of operation, FIG. 1 is referred to for the configuration of AND array 100 and AND array 110. The register 210 takes in the data on the input/output line 123 in synchronization with the clock signal 212, and transfers the taken data to the product setting line 1.
24 to a coincidence output control circuit 140 in AND array 100. Based on the mode signal 231, the bidirectional buffer 230 leads the data on the output line 181 to the logic input/output line 232, or conversely outputs the data applied to the logic input/output line 232 to the uterine constant line 125. AND array 10
When programming a logic function to 0 and the OR array 110, write data to the content addressable memory cell 130 is given to the input/output line 123, write data to the match output control circuit 140 is set to the register 210, Logic input/output line 2
32 with write data to the memory cell 160. At this time, the decoder 220 specifies the write column by driving the word line 142 specified by the word address 221.

このように1この実施例では、レジスタ21o1デコー
ダ220、双方向バッファ230を設けることで、プロ
グラマブル論理アレイの入出力端子数を第1図の実施例
に比較して半減している。プログラマブル論理アレイは
一般にICパッケージに実装されるので、入出力端子数
を半減することで、小型のICパッケージを利用できる
。従りて、プリント基板上に、より多くのプログラマブ
ル論理プレイを実装でき、これを用いた装置の価格低減
をもたらす。
In this way, in this embodiment, by providing the register 21o1 decoder 220 and the bidirectional buffer 230, the number of input/output terminals of the programmable logic array is halved compared to the embodiment of FIG. Since programmable logic arrays are generally mounted on IC packages, a smaller IC package can be used by halving the number of input/output terminals. Therefore, more programmable logic plays can be mounted on the printed circuit board, resulting in a reduction in the cost of devices using this.

なお、以上の説明において、第11第2M0Sトランジ
スタ170,180や連想メモリ・セル130にMOS
)ランジスタを用いていたが、バイポーラ・トランジス
タ等の他のスイッチ手段を利用することができる。また
、また、出力線181や論理入出力線232にレジスタ
やインバータを付加することも可能である。
Note that in the above description, the eleventh second M0S transistors 170 and 180 and the associative memory cell 130 are
), although other switching means such as bipolar transistors can be used. Furthermore, it is also possible to add a register or an inverter to the output line 181 and the logic input/output line 232.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、書換え可能な記憶素子の
内容で論理関数を表現することにより、実時間で論理関
数を書換えできるプログラマブル論理アレイを容易に提
供できる。これKよシ、同一のプログラマブル論理プレ
イを種々の論理回路のシミニレ−ジョンに利用できる。
As described above, the present invention can easily provide a programmable logic array in which a logic function can be rewritten in real time by expressing the logic function using the contents of a rewritable storage element. In addition, the same programmable logic play can be used for simulation of various logic circuits.

したがって、  4論理関数の修正時間の削減と再利用
できる事によシ、プログラマブル論理アレイを用いた装
置やLSIの開発期間と開発費用の低減をもたらす。
Therefore, by reducing the modification time and reusing the four logic functions, it is possible to reduce the development period and development cost of devices and LSIs using programmable logic arrays.

現状のLSI技術によfi、256キロビツトのスタテ
ィックRAMが実現されている。本プログラマブル論理
プレイのプログラム点が4ビツトのスタティックRAM
セルの面積で実現できるとすれば、現状のLSI技術に
より、入出力数32、積項数2048のプログラマブル
論理プレイを実現できることKなる。塘た、積項数の4
倍のゲートチップで8ボゲート相当の論理関数を表現で
きることになる。従って、100個の本プログラマブル
論理プレイLSIを実装したプリント基板を10枚用い
て、800万ゲートの論理回路を実時間でシミュレーシ
曹ンできることになる。これは、大型コンビエータの論
理シミニレ−ジョンを極めて高速に実行できる効果をも
たらす。
With current LSI technology, a static RAM of 256 kilobits has been realized. The program point of this programmable logic play is 4-bit static RAM.
If it can be realized using the area of a cell, it means that a programmable logic play with 32 inputs/outputs and 2048 product terms can be realized using the current LSI technology. The number of product terms is 4.
This means that a logic function equivalent to 8 BO gates can be expressed with twice as many gate chips. Therefore, by using 10 printed circuit boards on which 100 programmable logic play LSIs are mounted, it is possible to simulate a logic circuit with 8 million gates in real time. This has the effect that logical simulation of large combinators can be executed extremely quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例のブロック図、第2図は本発
明の他の実施例のブロック図である。 100・・・・・・論理積アレイ、110・・・・・・
論理和アレイ、12OA、120B、120C・・・・
・・読取り・書込み回路、130・・・・・・連想メモ
リーセル、140・旧・・一致出力制御回路、150.
182・・・・・・抵抗、160・・・・・・’記憶セ
ル、170,180・・・・−MOS)ランジス/、2
10・・・・・・レジスタ、220・・・・・・デコー
ダ、230・・・・・・双方向パ、ファ。 代理人 弁理士  内 原   晋
FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the invention, and FIG. 2 is a block diagram of another embodiment of the invention. 100... logical AND array, 110...
OR array, 12OA, 120B, 120C...
. . . Read/write circuit, 130 . . . Associative memory cell, 140. Old . . . Coincidence output control circuit, 150.
182...Resistance, 160...'Memory cell, 170, 180...-MOS) Rungis/, 2
10...Register, 220...Decoder, 230...Bidirectional pass/f. Agent Patent Attorney Susumu Uchihara

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 記憶内容を書換え可能な連想メモリ・セルをマトリ
クス状に配置し、同一列の連想メモリ・セルの一致出力
を一致線で互いに接続した論理積アレイと、記憶内容を
書換え可能な記憶セルと直列に接続した複数のスイッチ
手段をマトリクス状に配置し、各列のスイッチ手段がそ
れと同列の連想メモリ・セルからの前記一致線と記憶セ
ルの記憶出力とで開閉が制御され、同一行の前記スイッ
チ手段の一端を共通に出力に接続した論理和アレイとを
含むことを特徴とするプログラマブル論理アレイ。 2 前記一致出力と前記一致線とを接続する第2のスイ
ッチ手段と、このスイッチ手段の開閉を制御する書換え
可能な記憶手段とからなる一致出力制御回路を前記連想
メモリ・セルが含むことを特徴とする特許請求範囲第1
項記載のプログラマブル論理アレイ。
[Scope of Claims] 1. A logical AND array in which associative memory cells whose memory contents can be rewritten are arranged in a matrix, and matching outputs of the associative memory cells in the same column are connected to each other by matching lines, and A plurality of switch means connected in series with possible memory cells are arranged in a matrix, and the switch means in each column is controlled to open and close by the matching line from the associative memory cell in the same column and the memory output of the memory cell. , and an OR array in which one ends of the switch means in the same row are commonly connected to an output. 2. The content addressable memory cell includes a coincidence output control circuit comprising a second switch means for connecting the coincidence output and the coincidence line, and a rewritable storage means for controlling opening/closing of the switch means. Claim 1:
Programmable logic array as described in Section.
JP62284902A 1987-11-10 1987-11-10 Programmable logic array Pending JPH01125124A (en)

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