JPH011118A - magnetic disk - Google Patents

magnetic disk

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Publication number
JPH011118A
JPH011118A JP62-155361A JP15536187A JPH011118A JP H011118 A JPH011118 A JP H011118A JP 15536187 A JP15536187 A JP 15536187A JP H011118 A JPH011118 A JP H011118A
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JP
Japan
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film
magnetic disk
lubricating
substrate
magnetic
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Application number
JP62-155361A
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JPS641118A (en
Inventor
森田 訓子
星之内 進
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Priority to JP62-155361A priority Critical patent/JPH011118A/en
Publication of JPS641118A publication Critical patent/JPS641118A/en
Publication of JPH011118A publication Critical patent/JPH011118A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、例えば大型コンピュータ、民生用コンピュ
ータ、およびパソコン等のメモリに用いられる磁気ディ
スク、特に、ダイヤモンド粒子等の耐摩耗性の高い物質
を含んだアモルファスカーボン等の自己潤滑性を有する
物質からなる潤滑膜を磁性層の上に設けた磁気ディスク
に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to magnetic disks used in memories of large-scale computers, consumer computers, personal computers, etc., particularly magnetic disks using highly wear-resistant materials such as diamond particles. The present invention relates to a magnetic disk in which a lubricating film made of a self-lubricating substance such as amorphous carbon is provided on a magnetic layer.

[従来の技術] 磁気ディスクはその使用環境、長期信頼性確保などの面
から、磁気ディスクそのもの、あるいはその製造工程に
対して厳しい機械的特性(例えば硬さ、歪み、加工特性
等)や化学的特性(耐腐食性、熱膨張特性等)などが要
求されている。このような要求を満足するように、基板
材にスパッタ、メツキまたは塗布などの方法で薄膜を多
層に形成して磁気ディスクを製造している。
[Prior Art] Magnetic disks require strict mechanical properties (such as hardness, distortion, processing characteristics, etc.) and chemical properties for the magnetic disk itself or its manufacturing process in order to ensure its usage environment and long-term reliability. Properties (corrosion resistance, thermal expansion properties, etc.) are required. To satisfy these requirements, magnetic disks are manufactured by forming multiple thin films on a substrate material by sputtering, plating, coating, or the like.

第4図は従来の磁気ディスクを示す部分断面図であり、
第5[21は従来の磁気ディスクの製造下■の一例を示
す流れ図である。従来の磁気ディスク(1)の製造は、
まず、例えばアルミニウム合金、ガラス、プラスチック
等の基板(2)を機械加工により所定の平坦度、平滑度
、粗度に仕上げる。次に、磁性層を形成するための下地
として、基板(2)上にN1−Pメツキ等で硬化層(3
)を形成し、磁性層に対する付着力を増進しかつ腐食を
防ぎ、さらにクリーンで欠陥のない表面を実現する0次
いで、この硬化層(3)の表面をポリッシング等により
鏡面仕上げする6次に、Co−N1−Pメツキ、Co−
Ni−Co−N1−Cr−rFe2ozスパッタ等で磁
性層(磁性媒体膜)(4)を形成する。
FIG. 4 is a partial sectional view showing a conventional magnetic disk.
No. 5 [21] is a flowchart showing an example of conventional magnetic disk manufacturing step (2). The production of conventional magnetic disks (1) is as follows:
First, a substrate (2) made of, for example, aluminum alloy, glass, or plastic is machined to a predetermined degree of flatness, smoothness, and roughness. Next, as a base for forming a magnetic layer, a hardened layer (3
) to improve adhesion to the magnetic layer, prevent corrosion, and provide a clean and defect-free surface.Next, the surface of this hardened layer (3) is polished to a mirror finish by polishing, etc.6. Co-N1-P Metsuki, Co-
A magnetic layer (magnetic medium film) (4) is formed by Ni-Co-N1-Cr-rFe2oz sputtering or the like.

次いで、この重要な磁性層(4)を保護し、磁気ディス
ク(1)とヘッド(図示しない)との間に潤滑性を持た
せる保護・潤滑[(5)を形成する。特に、磁気ディス
ク(1)の長期信頼性に対しては、最後の工程の保護・
潤滑膜(5)の形成は重要であり、例えば保護Crスパ
ッタ膜の上にカーボンスパッタ膜を形成する、あるいは
PEPE(パーフルオロポリエーテル)等の有機系潤滑
剤を塗布する等の手法を取っていた。
Next, a protection/lubrication layer (5) is formed to protect this important magnetic layer (4) and provide lubricity between the magnetic disk (1) and the head (not shown). In particular, for the long-term reliability of the magnetic disk (1), protection and
The formation of a lubricating film (5) is important, and methods such as forming a carbon sputtered film on a protective Cr sputtered film or applying an organic lubricant such as PEPE (perfluoropolyether) are used. Ta.

従来の磁気ディスク(1)は上述したように構成され、
保護・潤滑膜(5)を有機系潤滑剤を塗布することによ
って形成する方法では、ボイドができ易く、均質な塗布
が困難であるため、歩留まりが悪い等の問題が生じてい
る。また、保護Crスパッタ膜上にカーボンスパッタ膜
を形成して保護・潤滑膜(5)とする場合においても膜
質を均一に制御するのが難しく、特に膜厚の薄い部分で
は潤滑性が十分ではなく、ヘッドとの接触により摩耗し
易い、あるいは磁気ディスクの回転時のヘッド離れが悪
いなどの問題が生じている。
The conventional magnetic disk (1) is configured as described above,
In the method of forming the protective/lubricant film (5) by applying an organic lubricant, voids are likely to form and uniform application is difficult, resulting in problems such as poor yield. Furthermore, even when a carbon sputtered film is formed on a protective Cr sputtered film to form a protective/lubricant film (5), it is difficult to control the film quality uniformly, and the lubricity may not be sufficient, especially in areas where the film is thin. Problems have arisen, such as easy wear due to contact with the head, and poor separation of the head when the magnetic disk rotates.

[発明が解決しようとする問題点コ 上述したような磁気ディスク(1)では、保護・潤滑膜
(5)の確立された形成技術がないので、カーボンスパ
ッタ膜を形成したり、有機系潤滑剤を塗布したりする他
はなかったが、これらの方法では歩留まりが悪く、潤滑
性が劣るという問題点があった。
[Problems to be solved by the invention] Since there is no established technology for forming a protective/lubricant film (5) on the magnetic disk (1) as described above, it is necessary to form a carbon sputtered film or use an organic lubricant. However, these methods had the problems of poor yield and poor lubricity.

この発明は、このような問題点を解決するためになさ、
れなもので、磁性層を保護し、かつヘッドに対して優れ
た潤滑性を有し、さらに長期信頼性および歩留まりを向
上させた磁気ディスクを得ることを目的とする。
This invention was made to solve these problems.
The object of the present invention is to obtain a magnetic disk that protects the magnetic layer, has excellent lubricity for the head, and has improved long-term reliability and yield.

[問題点を解決するための手段] この発明に係る磁気ディスクは、基板と、この基板上に
形成された磁性層と、この磁性層の上に形成され内部に
耐摩耗性の高い物質の粒子が散在した保護膜と、この保
護膜上に形成され表面が平滑で自己潤滑性を有する潤滑
膜とからなるものである。
[Means for Solving the Problems] A magnetic disk according to the present invention includes a substrate, a magnetic layer formed on the substrate, and particles of a highly wear-resistant substance formed on the magnetic layer inside. It is made up of a protective film in which is scattered, and a lubricating film formed on this protective film and having a smooth surface and self-lubricating properties.

[作 用] この発明においては、磁性層の保護を均質な耐摩耗性の
保護膜によって達成し、ヘッドに対する耐摩耗性を保護
膜中に散在する耐摩耗性の高い物質からなる粒子の硬度
で高め、さらに磁気ディスク回転時のヘッド離れを表面
の潤滑膜自体の自己潤滑性で改善することによって、磁
気ディスクの長期信頼性を向−トし、かつ製造時の歩留
まりを高める。
[Function] In this invention, protection of the magnetic layer is achieved by a homogeneous wear-resistant protective film, and the wear resistance of the head is determined by the hardness of particles made of a highly wear-resistant substance scattered in the protective film. By improving the self-lubricating properties of the lubricating film itself on the surface of the head during rotation of the magnetic disk, the long-term reliability of the magnetic disk and the yield during manufacturing are improved.

[実施例] 第1図はこの発明の一実施例を示す部分断面図であり、
(2)〜(4)は上述した従来の磁気ディスクにおける
ものと全く同一である。磁気ディスク(IA)の磁性層
(4)の上には例えばアモルファスカーボン膜で作られ
た保護膜(6)が形成されている。この保護膜(6)中
にはダイヤモンド等耐牽耗性の高い物質からなる粒子(
7)が散在しており、従って、ヘッド(図示しない)に
対する耐摩耗性が向上する。保WIFK(6)の上には
アモルファスカーボンまたはグラファイト(黒鉛)等の
自己潤滑性を有する物質で作られた、表面が平滑な潤滑
膜(8)が形成されている。この潤滑111*(8)に
よって磁気ディスク(IA)の潤滑性が向−Eし、同時
に回転時のヘッド離れも改善される。
[Example] FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing an example of the present invention.
(2) to (4) are exactly the same as those in the conventional magnetic disk described above. A protective film (6) made of, for example, an amorphous carbon film is formed on the magnetic layer (4) of the magnetic disk (IA). This protective film (6) contains particles (
7) are scattered, thus improving the wear resistance for the head (not shown). A lubricating film (8) with a smooth surface is formed on the WIFK (6) and is made of a self-lubricating substance such as amorphous carbon or graphite. This lubrication 111*(8) improves the lubricity of the magnetic disk (IA), and at the same time improves head separation during rotation.

上述したように構成された磁気ディスク(IA)では、
例えば以下に示すような薄膜形成装置(9)を用いるこ
とによって、アモルファスカーボン等の耐摩耗性の大き
な物質からなる保護膜(6)を形成することができる。
In the magnetic disk (IA) configured as described above,
For example, by using a thin film forming apparatus (9) as shown below, it is possible to form a protective film (6) made of a highly wear-resistant material such as amorphous carbon.

第2図はレーザを利用した薄膜形成装置(9)の概略側
断面図であり、第3図は第2図に示した薄膜形成装置の
斜視図である(−部図示を省略しである)、これらの図
において、紫外レーザ発信器(10)によって発生した
ArFエキシマレーザ等の紫外レーザ光(11)は、シ
リンドリカルテレスコープ(12)によって適正なエネ
ルギー密度に整形され、隔壁(14a)で二基に仕切ら
れた箱形の反応チャンバ(14)内に、その−側のウィ
ンド(13)を通って照射され、反対側のウィンド(1
3a)から反応チャンバ(14)を出る0反応チャンバ
(14)内では、基板(2)の上に従来と同様に硬化層
(3)、磁性層(4)を順次形成された加工基板(2a
)がサセプタ(15)の上に保持されている。このサセ
プタ(15)は回転軸(15a)を介して反応チャンバ
(14)の底部に回転自在に支持されており、図示しな
い伝動機構を介して駆動制御装置(16)によって回転
駆動する。
Fig. 2 is a schematic side sectional view of a thin film forming apparatus (9) using a laser, and Fig. 3 is a perspective view of the thin film forming apparatus shown in Fig. 2 (-parts are omitted). In these figures, an ultraviolet laser beam (11) such as an ArF excimer laser generated by an ultraviolet laser transmitter (10) is shaped into an appropriate energy density by a cylindrical telescope (12), and then divided into two by a partition wall (14a). Irradiation enters a box-shaped reaction chamber (14) partitioned into a box-shaped reaction chamber (14) through a window (13) on its negative side and a window (14) on the opposite side.
In the reaction chamber (14), a processed substrate (2a) on which a hardened layer (3) and a magnetic layer (4) are sequentially formed on the substrate (2) as in the conventional case exits the reaction chamber (14) from 3a).
) is held on the susceptor (15). This susceptor (15) is rotatably supported at the bottom of the reaction chamber (14) via a rotating shaft (15a), and is rotationally driven by a drive control device (16) via a transmission mechanism (not shown).

反応チャンバ(14)の上部にはECR(電子サイクロ
トロン共鳴)プラズマ発生装!(E)が設けられており
、このECRプラズマ発生装fi(E)は反応チャンバ
(14)の上方に配置され、下端を反応チャンバ(14
)内へ開口した円筒状のECRプラズマ生成室(17)
と、マイクロ波(18)(例えば2.45Gllz)を
発生させるためのマイクロ波発生源(図示しない)と、
ECRプラズマ生成室(17)を取り巻くように配置さ
れ、磁場を発生させるための環状の空心コイル(1つ)
とから構成される。ECRプラズマ生成室(17)の上
部にはプラズマ源ガスである水素(H2)を導入する供
給管(20)が設けられており、この供給管(20)か
らECRプラズマ生成室(17)内へ導入された水素に
、空心コイル(19)により発生された磁場の下に、図
示しないマイクロ波発生源からマイクロ波を照射するこ
とにより、ECRプラズマ生成室(17)内の中央部に
水素プラズマ(21)を発生させる。
At the top of the reaction chamber (14) is an ECR (electron cyclotron resonance) plasma generator! (E), this ECR plasma generator fi (E) is arranged above the reaction chamber (14), and its lower end is connected to the reaction chamber (14).
) A cylindrical ECR plasma generation chamber (17) that opens into the interior.
and a microwave generation source (not shown) for generating microwaves (18) (for example, 2.45 Gllz);
An annular air-core coil (one) placed around the ECR plasma generation chamber (17) to generate a magnetic field.
It consists of A supply pipe (20) for introducing hydrogen (H2), which is a plasma source gas, is provided at the top of the ECR plasma generation chamber (17), and from this supply pipe (20) into the ECR plasma generation chamber (17). Hydrogen plasma ( 21) is generated.

反応チャンバ(14)内には成膜用ガスであるメタン(
CH、)(数十nuaHg)が充填されており、このメ
タンはシリンドリカルテレスコープ(12)により整形
された紫外レーザ光(11)(例えば尖頭出力10μm
/cm”)の2光子吸収によって光解離される。一方、
水素イオンは、プラズマ生成室(17)の反応チャンバ
(14)への開口部に設けられたイオン加速用のメツシ
ュ電極(22)によって適度な速度を与えられて、反応
チャンバ(14)内の加工基板(2a)表面に至る。成
膜の初期の過程では、この水素イオンは加工基板(2a
)の表面に衝突して結晶歪みを生起させ、ダイヤモンド
結晶成長のための核形成を容易にする。核形成後の過程
では、水素イオンは数100eVのエネルギーが与えら
れるとエツチング作用が強くなり、ダイヤモンド結晶の
成長と同時に起こる黒鉛結晶の成長を抑制する働きをす
る。従って、黒鉛等の不純物の少ない期待通りの改質の
ダイヤモンド薄膜が得られる。すなわち、成膜の初期に
おいては、水素イオンによるエツチングにより黒鉛結晶
の成長を抑制して、主としてとダイヤモンド結晶の成長
を促進し、平滑なアモルファスカーボン膜中に主として
ダイヤモンドの結晶粒子が散在するように成膜する。成
膜の後半においては、水素イオンによるエツチング作用
を弱め、潤滑性の高い黒鉛成分を残すように成膜する。
In the reaction chamber (14), methane (
CH, ) (several tens of nuaHg), and this methane is filled with an ultraviolet laser beam (11) shaped by a cylindrical telescope (12) (for example, a peak output of 10 μm).
/cm”) is photodissociated by two-photon absorption.On the other hand,
Hydrogen ions are given an appropriate speed by a mesh electrode (22) for ion acceleration provided at the opening of the plasma generation chamber (17) to the reaction chamber (14), and are processed in the reaction chamber (14). It reaches the surface of the substrate (2a). In the initial process of film formation, these hydrogen ions are released onto the processed substrate (2a
), causing crystal distortion and facilitating the formation of nuclei for diamond crystal growth. In the process after nucleation, hydrogen ions have a strong etching effect when energy of several hundreds of eV is applied, and serve to suppress the growth of graphite crystals that occurs simultaneously with the growth of diamond crystals. Therefore, a modified diamond thin film containing less impurities such as graphite can be obtained as expected. That is, in the early stage of film formation, etching with hydrogen ions suppresses the growth of graphite crystals and promotes the growth of mainly diamond crystals, so that mainly diamond crystal particles are scattered in the smooth amorphous carbon film. Form a film. In the latter half of the film formation, the etching effect of hydrogen ions is weakened, and the film is formed so as to leave a highly lubricating graphite component.

また、ECRプラズマ発生装置(E)は、通常のプラズ
マ発生装置よりも1桁以上もプラズマ密度を高くするこ
とができるので、これらの成膜過程を高速かつ良好に制
御することが可能である。さらに、この成膜過程は、加
工基板(2a〉をほぼ室温に維持したままで加熱するこ
となく行うことができる。
Further, since the ECR plasma generator (E) can increase the plasma density by one order of magnitude or more than a normal plasma generator, it is possible to control these film forming processes at high speed and well. Furthermore, this film forming process can be performed without heating the processed substrate (2a) while maintaining it at approximately room temperature.

しかし、上述したように、成膜ガス雰囲気とプラズマ、
イオン雰囲気とではそれぞれ数mmHgと10弓〜10
−’mmHgのように真空度に大きな差があり、これら
を一つの反応チャンバ(14)で同時に行うことは困難
である。このため、第2図および第3図に示したように
、反応チャンバ(14)を隔壁(14a)で仕切り、プ
ラズマ、イオンの作用するプラズマ、イオン反応室(1
4b)と、レーザによる薄膜形成室(14c)とに分割
し、これらの反応室にまたがるようにサセプタ(15)
上に加工基板(2a)を配置する。分割された各々・の
反応室(14b)、(14c)は完全に独立しているわ
けではなく、加工基板(2a)がら隔壁(14a)まで
数mmの隙間があるが、この隔壁(14a)によって、
プラズマ、イオン反応室(14b)と薄膜形成室(14
c)との差圧を維持することができる。また、薄膜形成
室(14c)にはメタン(CH,)等の成膜用ガスを供
給する供給口(23)、図示しない真空ポンプへ接続す
るための排出管(24)が設けられており、プラズマ、
イオン反応室(14b)にも図示しない真空ポンプへ接
続するための排出管(25)が設けられている。
However, as mentioned above, the deposition gas atmosphere and plasma,
In the ionic atmosphere, it is several mmHg and 10 to 10 mmHg, respectively.
There is a large difference in the degree of vacuum, such as -'mmHg, and it is difficult to perform these simultaneously in one reaction chamber (14). For this reason, as shown in FIG. 2 and FIG.
4b) and a laser thin film forming chamber (14c), and a susceptor (15) is installed so as to span these reaction chambers.
A processed substrate (2a) is placed on top. The divided reaction chambers (14b) and (14c) are not completely independent, and there is a gap of several mm between the processed substrate (2a) and the partition wall (14a). By,
Plasma, ion reaction chamber (14b) and thin film formation chamber (14
c) can maintain the differential pressure with Further, the thin film forming chamber (14c) is provided with a supply port (23) for supplying a film forming gas such as methane (CH), and an exhaust pipe (24) for connecting to a vacuum pump (not shown). plasma,
The ion reaction chamber (14b) is also provided with a discharge pipe (25) for connection to a vacuum pump (not shown).

この状態で、加工基vi(2a)を搭載したサセプタ(
15)を駆動制御装置(16)によって回転すると、加
工基板(2a)の表面はプラズマ、イオンの作用する雰
囲気と薄膜形成の雰囲気に交互に置かれることになる。
In this state, the susceptor (
15) is rotated by the drive control device (16), the surface of the processing substrate (2a) is alternately placed in an atmosphere where plasma and ions act and an atmosphere where thin film formation occurs.

すなわち、プラズマ、イオン反応室(14b)内で水素
イオンによって結晶形成核が形成された加工基板(2a
)の一部分はサセプタ(15)によって薄膜形成室(1
4c)へ移動され、そこでレーザによって解離したメタ
ンガスによってアモルファスカーボン膜が成膜される。
That is, the processed substrate (2a) has crystal formation nuclei formed by hydrogen ions in the plasma and ion reaction chamber (14b).
) is connected to the thin film forming chamber (1) by the susceptor (15).
4c), where an amorphous carbon film is formed using methane gas dissociated by a laser.

加工基板(2a)表面にアモルファスカーボン膜を数1
0人程度成膜させた後、サセプタ(15)を回転させて
加工基板(2a)の一部分を最初のプラズマ、イオン反
応室(14b)へ戻し、水素イオンによってダイヤモン
ド結晶成長と同時に生成する黒鉛を除去する。このよう
にして、サセプタ(15)の回転によって加工基板(2
a)の表面には成膜(ダイヤモンド結晶成長)と黒鉛除
去が繰り返し行われ、所望のyA質、すなわち平滑なア
モルファスカーボン膜中にダイヤモンド結晶粒子を散在
させて耐摩耗性に潰れた保護膜(6)を形成させること
ができる。
Amorphous carbon film is coated on the surface of the processed substrate (2a).
After about 0 people have formed a film, the susceptor (15) is rotated to return a part of the processed substrate (2a) to the initial plasma and ion reaction chamber (14b), where hydrogen ions generate graphite that is generated at the same time as diamond crystal growth. Remove. In this way, the processing substrate (2) is rotated by the rotation of the susceptor (15).
Film formation (diamond crystal growth) and graphite removal are repeatedly performed on the surface of a) to obtain the desired yA quality, that is, a smooth amorphous carbon film with diamond crystal particles interspersed with it, and a wear-resistant crushed protective film ( 6) can be formed.

その後、イオン加速用のメツシュ電極(22)に加えら
れる電圧を適当に減少させて水素イオンのエツチング作
用を弱め、加工基板(2a)の最表面にダイヤモンド粒
子を含まない平滑なアモルファスカーボンあるいはグラ
ファイト等からなる潤滑膜(8)を形成させることがで
きる。
After that, the voltage applied to the mesh electrode (22) for ion acceleration is appropriately reduced to weaken the etching effect of hydrogen ions, and the outermost surface of the processed substrate (2a) is made of smooth amorphous carbon, graphite, etc. that does not contain diamond particles. A lubricating film (8) consisting of

なお、上述した実施例では、エネルギー源として紫外レ
ーザ光とECRプラズマ源を用いた薄膜形成装置につい
て説明したが、保護膜(6)および潤滑膜(8)を形成
することができれば他の薄膜形成装置を使用してもよい
、また、この発明による磁気ディスクの保護膜(6)お
よび潤滑膜(8)は、潤滑性の要求される摺動部品等に
も適用可能である。なお、第1図では硬化層(3)を形
成しているが、所望によりこれを形成しなくてもよい。
In the above-mentioned embodiment, a thin film forming apparatus using an ultraviolet laser beam and an ECR plasma source as energy sources has been described. The magnetic disk protective film (6) and lubricating film (8) according to the present invention can also be applied to sliding parts that require lubricity. In addition, although the hardened layer (3) is formed in FIG. 1, it is not necessary to form this if desired.

[発明の効果コ この発明は、以上説明したとおり、基板と、この基板上
に形成された磁性層と、この磁性層の上に形成され内部
に耐摩耗性の高い物質の粒子が散在した保護膜と、この
保護股上に形成され表面が平滑で自己潤滑性を有する潤
滑膜とからなるので、磁気ディスクの硬度が増大してヘ
ッドに対する耐牽耗性が向上し、さらに磁気ディスク表
面の潤滑性も向上して回転時のヘッド離れも改善される
ため、磁気ディスクの長期信頼性および歩留まり等が向
上するという効果を奏する。
[Effects of the Invention] As explained above, the present invention comprises a substrate, a magnetic layer formed on the substrate, and a protective layer formed on the magnetic layer with particles of a highly wear-resistant material interspersed therein. This film consists of a lubricating film formed on the protective crotch with a smooth surface and self-lubricating properties, which increases the hardness of the magnetic disk and improves the abrasion resistance of the head, and also improves the lubricity of the magnetic disk surface. Since the head separation during rotation is also improved, the long-term reliability and yield of the magnetic disk are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す断面図、第2図はこ
の発明の一実施例により磁気ディスクを製造するために
使用する薄膜形成装置の概略側断面図、第3図は第2図
の斜視図、第4図は従来の磁気ディスクの部分断面図、
第5図は従来の磁気ディスクの製造工程の一例を示す流
れ図である。 図において、(IA)は磁気ディスク、(2)は基板、
(2a)は加工基板、(3)は硬化層、(4)は磁性層
、(6)は保護膜、(7)はダイヤモンド粒子、(8)
は潤滑膜である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人  曾 我 道 照。 ■ C%J 第3図 1只 第4図 第5図 手続補正7F 昭和62年11月10日 1.7許庁長宮殿 1、 事件の表示 昭和62年特許願第155561  号2、 発明の名
称 磁気ディスク 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住 所     東京都千代m区丸の内二丁g2番3号
名 称  (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 4、代理人 住 所     東京都千代田区丸の内二丁目4番1号
丸の内ビルディング4階 電 話 (216) 5811 (代表)氏名 (57
87)弁理士曽我道照 & 補正の内容 (υ明細書をつき゛のとおり訂正する。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic side sectional view of a thin film forming apparatus used for manufacturing a magnetic disk according to an embodiment of the invention, and FIG. FIG. 4 is a partial cross-sectional view of a conventional magnetic disk.
FIG. 5 is a flowchart showing an example of a conventional magnetic disk manufacturing process. In the figure, (IA) is a magnetic disk, (2) is a substrate,
(2a) is a processed substrate, (3) is a hardened layer, (4) is a magnetic layer, (6) is a protective film, (7) is a diamond particle, (8)
is a lubricating film. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Agent Teru Sogado. ■ C%J Figure 3 1 only Figure 4 Figure 5 Procedural amendment 7F November 10, 1985 1.7 Office of the Chief Minister 1, Indication of the case 1988 Patent Application No. 155561 2, Title of the invention Magnetic disk 3, relationship to the amended person case Patent applicant address: 2-3 Marunouchi 2-chome, Chiyoma-ku, Tokyo Name (601) Mitsubishi Electric Corporation Representative Moriya Shiki 4, Agent address: Tokyo 4th floor, Marunouchi Building, 2-4-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Telephone: (216) 5811 (Representative) Name (57)
87) Patent Attorney Doteru Soga & Contents of the amendment (revise the υ specification as shown).

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)基板と、この基板上に形成された磁性層と、この
磁性層の上に形成され内部に耐摩耗性の高い物質の粒子
が散在した保護膜と、この保護膜上に形成され表面が平
滑で自己潤滑性を有する潤滑膜とからなることを特徴と
する磁気ディスク。
(1) A substrate, a magnetic layer formed on this substrate, a protective film formed on this magnetic layer with particles of a highly wear-resistant substance scattered inside, and a surface formed on this protective film. 1. A magnetic disk comprising: a lubricating film that is smooth and has self-lubricating properties.
(2)耐摩耗性の高い物質の粒子はダイヤモンド粒子で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気
ディスク。
(2) The magnetic disk according to claim 1, wherein the particles of the substance having high wear resistance are diamond particles.
(3)保護膜は炭素を主成分とするアモルファスカーボ
ン膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の磁気ディスク。
(3) The magnetic disk according to claim 1, wherein the protective film is an amorphous carbon film containing carbon as a main component.
(4)自己潤滑性を有する潤滑膜は、ダイヤモンド粒子
を含まないアモルファスカーボン膜またはグラファイト
膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
磁気ディスク。
(4) The magnetic disk according to claim 1, wherein the lubricating film having self-lubricating properties is an amorphous carbon film or a graphite film that does not contain diamond particles.
JP62-155361A 1987-06-24 magnetic disk Pending JPH011118A (en)

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