JPH01111397A - フレキシブルプリント基板 - Google Patents
フレキシブルプリント基板Info
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- JPH01111397A JPH01111397A JP26832687A JP26832687A JPH01111397A JP H01111397 A JPH01111397 A JP H01111397A JP 26832687 A JP26832687 A JP 26832687A JP 26832687 A JP26832687 A JP 26832687A JP H01111397 A JPH01111397 A JP H01111397A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は高周波特性に優れ几フレキシブルプリント基板
に関するものである。
に関するものである。
(従来の技術)
従来高周波回路用フレキシブルプリント基板としては四
弗化エチレン重合体C以下PTF’Bという)、四フッ
化エチレンエチレン共重合体(以下ETFBという)、
四フッ化エチレン6フ、化プロピレン重合体(以下FE
Pという)などの低誘電率7.素糸樹脂を基板とし、そ
の外側に接着剤を介して銅箔を密着せしめるか、或は直
接鋼箔をヒートシールしているものである。
弗化エチレン重合体C以下PTF’Bという)、四フッ
化エチレンエチレン共重合体(以下ETFBという)、
四フッ化エチレン6フ、化プロピレン重合体(以下FE
Pという)などの低誘電率7.素糸樹脂を基板とし、そ
の外側に接着剤を介して銅箔を密着せしめるか、或は直
接鋼箔をヒートシールしているものである。
然しなからフッ素系樹脂は一般に密着性に寄与する極性
力が小さい九め十分な密着力をうろことが出来ず又接着
剤を使用することにより低誘電率を有するフッ素系樹脂
の特性を阻害するという問題を生ずるものであらた。更
に鋼箔は通常厚さ18μm又は35μmの電解もしくは
圧延鋼箔を用いる几め工、チング後の回路のシャープさ
に欠けるという問題がちり几。
力が小さい九め十分な密着力をうろことが出来ず又接着
剤を使用することにより低誘電率を有するフッ素系樹脂
の特性を阻害するという問題を生ずるものであらた。更
に鋼箔は通常厚さ18μm又は35μmの電解もしくは
圧延鋼箔を用いる几め工、チング後の回路のシャープさ
に欠けるという問題がちり几。
従って最近ではこれらの欠点を改善する念めにフッ素系
樹脂の表面を次の如く処理しているものである。
樹脂の表面を次の如く処理しているものである。
(1) アルカリ金属溶液にて処理する(2)放射線
によりブラット処理を行う(3)fラズマ処理を行う これらの処理によって7.素糸樹脂基板の表面を粗面化
し几り或は一部1性基の導入を行って密着性を向上せし
め更に真空蒸着、スパッタリング、イオンフルーティン
グなどの物理蓋i (PVD)法によって導体を形成す
る新規な高周波回路用のフレキシプルプリント基板全え
んとしているものである。
によりブラット処理を行う(3)fラズマ処理を行う これらの処理によって7.素糸樹脂基板の表面を粗面化
し几り或は一部1性基の導入を行って密着性を向上せし
め更に真空蒸着、スパッタリング、イオンフルーティン
グなどの物理蓋i (PVD)法によって導体を形成す
る新規な高周波回路用のフレキシプルプリント基板全え
んとしているものである。
特に上記の(3)によるプラズマ(スバ、タエ、チを含
む)処理を行った後、PVD法によって導体形成しtフ
レキシブルプリント基板は変色することなく、密着力を
向上せしめる比め注目されているものである。
む)処理を行った後、PVD法によって導体形成しtフ
レキシブルプリント基板は変色することなく、密着力を
向上せしめる比め注目されているものである。
然しなからこれらの方法によって調造されたフレキシブ
ルプリント基板によるも高周波特性ておいて十分なもの
とはいえず実用上問題となっているものであった。即ち
プラズマ処理による表面処理を行っ九場合、フッ素系淘
脂基板の表面が均−且つ高密度に処理することが出来な
いためであり、具体的には表面に生成する異常突起など
を十分コントロールすることが出来ない之めである。
ルプリント基板によるも高周波特性ておいて十分なもの
とはいえず実用上問題となっているものであった。即ち
プラズマ処理による表面処理を行っ九場合、フッ素系淘
脂基板の表面が均−且つ高密度に処理することが出来な
いためであり、具体的には表面に生成する異常突起など
を十分コントロールすることが出来ない之めである。
従ってこのような突起を有するフッ素系樹脂基板面にP
VD法により導体薄膜を形成しようとしてもシャドーイ
ング効果の几め突起間のくぼみに蒸着粒子の堆積は極め
て少く、逆に突起の頭部には選択的に堆a量が多くなる
之めである。
VD法により導体薄膜を形成しようとしてもシャドーイ
ング効果の几め突起間のくぼみに蒸着粒子の堆積は極め
て少く、逆に突起の頭部には選択的に堆a量が多くなる
之めである。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明はか\る現状に鑑み鋭意研究を行り几結果、高周
波特性に優れ几フレキシブルプリント基板を開発したも
のである。
波特性に優れ几フレキシブルプリント基板を開発したも
のである。
(問題点を解決する次めの手段)
本発明のフレキシブルプリント基板はフッ素系樹脂基板
1上に厚さ10〜200Xの7.素糸樹脂のプラズマ重
合膜2′に設け、この上に直接あるいは下地層4を介し
て導体層3が設けられていることを特徴とする・もので
ある。
1上に厚さ10〜200Xの7.素糸樹脂のプラズマ重
合膜2′に設け、この上に直接あるいは下地層4を介し
て導体層3が設けられていることを特徴とする・もので
ある。
本発明においてフッ素系樹脂基板として予めプラズマ処
理を行ったものを使用してもよく、プラズマ処理を行う
ことによりフッ素系樹脂基板とプラズマ重合膜との密着
性が一層向上する。
理を行ったものを使用してもよく、プラズマ処理を行う
ことによりフッ素系樹脂基板とプラズマ重合膜との密着
性が一層向上する。
このフッ素系樹脂を基板とする理由は、浸れ九低誘電率
を有することが好ましく、それは伝送される信号の遅延
時間が比訪電率の平方根に比例して長くなる沈めである
。一般には誘電率が約2(周波数I MHzにおいて)
であるPTFEが使用されるが、特にこれに限定される
ものではない。
を有することが好ましく、それは伝送される信号の遅延
時間が比訪電率の平方根に比例して長くなる沈めである
。一般には誘電率が約2(周波数I MHzにおいて)
であるPTFEが使用されるが、特にこれに限定される
ものではない。
又本発明においてフッ素系樹脂のプラズマ重合j漠を形
成する比めのフッ素系樹脂としては、0とFを含むモノ
マーガス例えばOF4.0F2= OF2゜C北=OF
、 0F2=OF2=OFOP3.等と、キャリアガ
ス例えばアルがン、ヘリウム、窒素などのガスとをプラ
ズマ重合装置内に導入し、真空度0.01〜10Tor
r、高周波電力10〜500Wの条件下にて放心するこ
とによりうるものである。
成する比めのフッ素系樹脂としては、0とFを含むモノ
マーガス例えばOF4.0F2= OF2゜C北=OF
、 0F2=OF2=OFOP3.等と、キャリアガ
ス例えばアルがン、ヘリウム、窒素などのガスとをプラ
ズマ重合装置内に導入し、真空度0.01〜10Tor
r、高周波電力10〜500Wの条件下にて放心するこ
とによりうるものである。
なお、上記の如くモノマーガス中にH、O1f含有し几
7.素系樹脂例えば、0F2= CPOl、0H2=O
HFを使用してもよい。
7.素系樹脂例えば、0F2= CPOl、0H2=O
HFを使用してもよい。
又フッ素系樹脂のプラズマ重合膜の膜厚t−10〜20
0Xに規定し九理由は10X未満ではフィルム表面の突
起間のくぼみに重合膜が入り込まずその几め、高周波特
性においても優れ比ものをうろことが出来ない几めであ
り200Xを超え几場合には成膜時の内部応力が膜中に
残留して膜質の低下を招くばかりでなく、フレキシピリ
・ティをも阻害する之めである。
0Xに規定し九理由は10X未満ではフィルム表面の突
起間のくぼみに重合膜が入り込まずその几め、高周波特
性においても優れ比ものをうろことが出来ない几めであ
り200Xを超え几場合には成膜時の内部応力が膜中に
残留して膜質の低下を招くばかりでなく、フレキシピリ
・ティをも阻害する之めである。
なお基板の温度は使用するフッ素系樹脂又はフ、素糸樹
脂のプラズマ重合膜の種類、膜厚等に応じて適宜選定す
るものであるが、常温にて重合せしめてもよい。
脂のプラズマ重合膜の種類、膜厚等に応じて適宜選定す
るものであるが、常温にて重合せしめてもよい。
又、上記フッ素系樹脂のプラズマ重合膜の上に導体層を
形成する方法において、該プラズマ重合膜上に直接銅、
二、ケル、アルミニウム、クロム或はこれらの合金等を
真空蒸着、ス・母、タリング。
形成する方法において、該プラズマ重合膜上に直接銅、
二、ケル、アルミニウム、クロム或はこれらの合金等を
真空蒸着、ス・母、タリング。
イオンクレーティング、クラスタイオンビームなどのP
VD法を使用して被着するか或は該プラズマ重合膜の上
に下地層としてクロム、チタン、パラジウム等金属薄膜
全介在せしめて上記の金属による導体層を形成してもよ
い。
VD法を使用して被着するか或は該プラズマ重合膜の上
に下地層としてクロム、チタン、パラジウム等金属薄膜
全介在せしめて上記の金属による導体層を形成してもよ
い。
このように本発明のフレキシブルプリント基板はフッ素
系樹脂基板上にフッ素系樹脂プラズマ重合膜に設けこの
上に直接あるいは下地層を介して導体層を形成したもの
で特に高周波特性に侵れていることについては、これを
詳述することは出来えないが、フッ素系樹脂のプラズマ
重合膜を形成する粒子径が啄めて小さく、しかも緻密で
あるため容易にフッ素系樹脂の表面の凹凸或は突起間の
くぼみを埋めることが出来たことによるものと推考する
。
系樹脂基板上にフッ素系樹脂プラズマ重合膜に設けこの
上に直接あるいは下地層を介して導体層を形成したもの
で特に高周波特性に侵れていることについては、これを
詳述することは出来えないが、フッ素系樹脂のプラズマ
重合膜を形成する粒子径が啄めて小さく、しかも緻密で
あるため容易にフッ素系樹脂の表面の凹凸或は突起間の
くぼみを埋めることが出来たことによるものと推考する
。
(実施例)
実施例(1)
第1図に示す如く厚さ25μm、誘電率21(r=IM
Hz)のFEP (74ルA (ダイキン社製商品名ネ
オフロンFEP)を基板1とし、この基板をプラズマ重
合機構を具備するスバ、り装置内にセットし、十分に排
気後、モノマーがスとしてオクタフルオロシクロブタン
(−04F8ダイキン社製)及びキャリアがスとしてア
ルゴン(純ガス人)を夫々導入し、ガス圧0. I T
orrにて200 Wの高周波電力を供給して放電させ
て重合を開始してノ4さ50Xの7.素糸樹脂のプラズ
マ重合膜2を設けt。
Hz)のFEP (74ルA (ダイキン社製商品名ネ
オフロンFEP)を基板1とし、この基板をプラズマ重
合機構を具備するスバ、り装置内にセットし、十分に排
気後、モノマーがスとしてオクタフルオロシクロブタン
(−04F8ダイキン社製)及びキャリアがスとしてア
ルゴン(純ガス人)を夫々導入し、ガス圧0. I T
orrにて200 Wの高周波電力を供給して放電させ
て重合を開始してノ4さ50Xの7.素糸樹脂のプラズ
マ重合膜2を設けt。
次いで十分に排気後アルゴンガスを導入してガス圧3X
10 Torr、高周波電力20 、OW (周波数
13、56 MHz )、基板温度25℃にて厚さ1
timの銅被膜をスノ母、夕により密着せしめて導体層
3を形成せしめて本発明7レキシプルプリント基板をえ
几。
10 Torr、高周波電力20 、OW (周波数
13、56 MHz )、基板温度25℃にて厚さ1
timの銅被膜をスノ母、夕により密着せしめて導体層
3を形成せしめて本発明7レキシプルプリント基板をえ
几。
実施例(2)
基板として実施例(1)と同様の基板を60秒間プラズ
マ処理を施したものを使用しt以外はすべて実施例(1
)と同様にして本発明フレキシブルプリント基板をえた
。
マ処理を施したものを使用しt以外はすべて実施例(1
)と同様にして本発明フレキシブルプリント基板をえた
。
実施例(3)
第2図に示す如〈実施例(1)と同様の基板1の上に7
.素糸樹脂のプラズマ重合膜2を設け、更にその外側に
厚さ100Xのクロムによる下地層4を介在せしめて実
施例(1)と同様の銅被膜をス・ぐツタにより密着せし
めて導体層3を形成せしめて本発明フレキシブルプリン
ト基板をえた。
.素糸樹脂のプラズマ重合膜2を設け、更にその外側に
厚さ100Xのクロムによる下地層4を介在せしめて実
施例(1)と同様の銅被膜をス・ぐツタにより密着せし
めて導体層3を形成せしめて本発明フレキシブルプリン
ト基板をえた。
比較例(1)
実施例(2)における基板と同様のものを使用し、これ
を容器内にセ、トシ十分に排気後、アルゴンがスを導入
し、ガス圧3X10 Torr、高周波電力200W
(周波数13.56 MHz ) 、基板温度25℃に
て厚さ1μmの銅被膜をスバ、りにより密着せしめて導
体層を設けて比較例フレキシブルプリント基板をえた。
を容器内にセ、トシ十分に排気後、アルゴンがスを導入
し、ガス圧3X10 Torr、高周波電力200W
(周波数13.56 MHz ) 、基板温度25℃に
て厚さ1μmの銅被膜をスバ、りにより密着せしめて導
体層を設けて比較例フレキシブルプリント基板をえた。
斯くしてえた本発明フレキシブルプリント基板及び比較
例フレキシブルプリント基板について導体層の密着強度
、及び基板の誘電率(JI8に6911に基<)t−夫
々測定した。その結果は第1表に示す通りである。
例フレキシブルプリント基板について導体層の密着強度
、及び基板の誘電率(JI8に6911に基<)t−夫
々測定した。その結果は第1表に示す通りである。
なお、密着強度は第3図に示す如く180度ビール強度
試験法を実施し友。即ちフッ素系樹脂のプラズマ重合膜
2上に設けた導体層3に、エポキシ系接着剤5t−介し
てアルミニウム補強板6に接着せしめ、該補強板6t−
固定しそ導体J占3とフッ素系渭脂のプラズマ重合膜層
2との間の剥離力を測定した。
試験法を実施し友。即ちフッ素系樹脂のプラズマ重合膜
2上に設けた導体層3に、エポキシ系接着剤5t−介し
てアルミニウム補強板6に接着せしめ、該補強板6t−
固定しそ導体J占3とフッ素系渭脂のプラズマ重合膜層
2との間の剥離力を測定した。
第 1 表
註(υ 表中の値は何れもN=5の平均値金示す第1表
より明らかな如く本発明によるフレキシブルプリント基
板は導体層と基板との密着力が高く、しかも誘電率が基
板の7.素糸樹脂に葦めて近い値を示し念。
より明らかな如く本発明によるフレキシブルプリント基
板は導体層と基板との密着力が高く、しかも誘電率が基
板の7.素糸樹脂に葦めて近い値を示し念。
(効果)
以上詳述した如く本発明フレキシブルプリント基板は優
れに高周波特性を有し且つ導体、・Δと基板との密着力
が高い等実用上極めて有用である。
れに高周波特性を有し且つ導体、・Δと基板との密着力
が高い等実用上極めて有用である。
第1図及び第2図は本発明フレキシブルプリント基板の
一実施例を示す断面図、第3図は本発明フレキシブルプ
リント基板の密着強度の試論方法を示す概略説明図であ
る。 1・・・基板、2・・・プラズマ重合膜、3・・・導体
層、4・・・下地層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書 63.7.14 昭和 年 月 日
一実施例を示す断面図、第3図は本発明フレキシブルプ
リント基板の密着強度の試論方法を示す概略説明図であ
る。 1・・・基板、2・・・プラズマ重合膜、3・・・導体
層、4・・・下地層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦手続補正書 63.7.14 昭和 年 月 日
Claims (1)
- フッ素系樹脂基板上に厚さ10〜200Åのフッ素系
樹脂のプラズマ重合膜を設け、この上に直接あるいは下
地層を介して導体層が設けられていることを特徴とする
フレキシブルプリント基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26832687A JPH01111397A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | フレキシブルプリント基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26832687A JPH01111397A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | フレキシブルプリント基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01111397A true JPH01111397A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17456988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26832687A Pending JPH01111397A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | フレキシブルプリント基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01111397A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008004720A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Jesagi Hankook Ltd. | Plasma semi-additive process method for manufacturing pcb |
WO2008010484A1 (fr) | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Teijin Pharma Limited | Système de masque respiratoire nasal |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP26832687A patent/JPH01111397A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008004720A1 (en) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Jesagi Hankook Ltd. | Plasma semi-additive process method for manufacturing pcb |
WO2008010484A1 (fr) | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Teijin Pharma Limited | Système de masque respiratoire nasal |
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