JPH01106448A - メモリーカートリッジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はメモリＬＳＩ等の半導体チップを用いて構成し
た半導体記録媒体、所謂メモリカートリッジに関するも
のである。

従来の技術 メモリカートリッジと通称される、メモリ半導体素子を
用いた記録媒体が、従来の磁気ディスクあるいは磁気テ
ープを用いた記録媒体に比較して、外部環境条件から受
ける影響が少ないなど信頼性が高く、小型化が容易であ
る事などから、近年新しい記録媒体として注目されてい
る。

このメモリカートリッジは、フラットパッケージなど小
型パッケージを用いたメモリＬＳＩ（スタティクＲＡＭ
　、マスクＲＯＭ、ＩＣＦＲＯＭ。

ＫＥＦＲＯＭ等）をプリント基板などの配線基板上に実
装する、あるいはメモリＬＳＩチップを直接配線基板上
に搭載した所謂ＣＯＢ　（Ｃｈｉｐ　０ｎＢｏａｒ！　
）法等で実装後、一般にＩＣカードサイズと呼ばれる寸
法（８５，８１１１ｇ×５４ｆｆ、厚さは３ｎ前後）の
、接続用電極端子（コネクター）を持ったケースに収納
した構成とすることが多い。この時、多くの接続用電極
端子（コネクター）はケース内部に収納しであるＬＳＩ
チップの入力電極部に接続されているため、同接続用電
極端子（コネクター）が帯電した物体（例えば人体など
）に接触すると、内部のＬＳＩチップが静電破壊するこ
とがある。

従って、これらの事故を防ぐ目的で入力保護回路を設け
る、あるいは電極端子部にシャター機構を付ける、又は
２ピースタイプコネクターと称する非露出型コネクター
を採用するなどの方法が取られている。

発明が解決しようとする問題点 メモリカートリッジの大容量メモリ化は、メモ１、Ｉ　
Ｌ　Ｓ　Ｉを複数個カートリッジ内に収納した構成とし
ているが、メモリＬＳＩの発展に伴い大容量メモリＬＳ
Ｉの開発がなされておシ、メモリカートリッジにおいて
も１チツプ或は１パツケージのメモリＬＳＩのみを搭載
した構成のカートリッジに対する要望も多く、またその
用途も拡大している。

また前記メモリカートリッジのうち、スタティクＲＡＭ
を用いたメモリカートリッジについては、その機能上メ
モリ保持用のバッテリーをカートリッジ内に搭載する必
要があるが、他のメモリカートリッジでは不用であシこ
れらのメモリカートリッジでは、よりコンパクトで堅牢
な構造のものが求められている。

しかし従来のメモリカートリッジの基本構成は、（１）
　　プリント基板等の配線基板にメモリＬＳＩを搭載実
装する。

（２）　　配線基板の一端に外部接続用電極端子（コネ
クター）を形成する。

（３）　　上記配線基板をケース内に実装収納する。

からなる構成であり、また前記した静電気対策を考慮し
た接続用電極端子（コネクター）を用いるなど、製造工
数が多くまたカートリッジ自体を小型化することに対し
ても制約があった。

本発明は接続用電極端子の耐静電気構造を持った１チツ
プ型メモリカートリツジの構造であシ、従来の１チツプ
（１パツケージ）搭載型メモリカートリッジに比較して
、小型堅牢な構造を有すると共に簡素な構造で前記対策
を施したメモリカートリッジを提供することを目的とす
るものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明は、メモリＬＳＩを
電極配線金属板（通常リードフレームと呼ばれているも
の、以下リードフレーム称す）上に搭載し、メモリＬＳ
Ｉの電極端子とリードフレームの一端とを電気的に接続
したのち、メモリＬＳＩを含むリードフレームの他端部
の一部位を残した全域を樹脂成型封止すると共に、同リ
ードフレームの露出部は上記成型樹脂が形成する溝部の
底面に形成し、同部位を外部接続用電極端子とし、前記
外部接続用電極端子とモールド樹脂との密着性を向上す
るために、前記外部接続用電極端子のリードフレームの
少なくとも３方向、つまりリードフレーム上の半導体チ
ップを搭載している完全モールド部とリード幅方向両端
部を前記モールド樹脂で被覆された構造としたものであ
る。

作用 上記構成とすることにより本発明のメモリカートリッジ
は外部接続用電極端子が、メモリカートリッジを構成す
るモールド成型樹脂の溝部の底面に形成しであるため、
本メモリカートリッジを直接素手で取シ扱った場合にお
いても、外部接続用電極端子への触手が防止され、同端
子に接続しであるＬＳＩチップの静電破壊を防ぐことが
できる。

さらに外部接続用電極端子のリードフレームの少なくと
も３方向、つまシリードフレーム上の半導体チップを搭
載している完全モールド部とリード幅方向両端部を前記
モールド樹脂で被覆されているためモールド樹脂との密
着性を一段と向上することができる。

またその構成がシンプルで、製造工程が通常のＩＣ，Ｌ
ＳＩの組み立て製造工程と概略同一であり、製造工程の
自動化が容易にできるなど、低コストで信頼性の高いメ
モリカートリッジの提供が可能となる。

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。

第１図は本発明のメモリカートリッジの全体構造及び局
部的に内一部構造を示した斜視図、第２図は第１図の外
部接続用電極端子部の局部拡大斜視図、第３図は本メモ
リカートリッジのリードフレームの構造例を示す平面図
、第４図は本発明のメモリカートリッジの横断面図、第
５図は外部接続用電極端子部分の正面断面図である。な
お各図面はいずれも説明の都合上任意な寸法比で示しで
ある。

以下図面を参照しながら本発明のメモリカートリッジの
実施例について説明する。

本発明のメモリカートリッジは各図に示すように、従来
のメモリカートリッジの構成とは異なり、通常ＩＣ、Ｌ
ＳＩの組み立て実装に用いるリードフレームと、基本的
には同一構造のリードフレームを用いた構成である。即
ち第１図１ｇ３図に示すように、メモリＬＳＩチップ（
以下単にＬＳＩチップとする）１を載置するリードフレ
ーム２のダイパッド３の周辺には、ＬＳＩチップ１の電
極端子（図示せず）と電気的に接続するだめのＩＪ−ド
フレーム電極端子４が設けてあシ、ＬＳＩチップ１の電
極端子とは接続ワイヤー６等で電極間の相互接続を行っ
ている。

なお、本説明の図ではＬＳＩチップ１の電極端子とリー
ドフレーム電極端子４の接続は、接続ワイヤー６を用い
た所謂ワイヤーポンド法による接続例で示しているが、
同接続は図示例に限定されるものではなく、ＬＳＩテッ
プ１の電極上に突起電極を予め形成しておき、同突起電
極とリードフレーム２の電極端子を直接接続する、所謂
ダイレクトポンディング法による接続、あるいはＬＳＩ
チップ１の電極端子と、リードフレーム２の電極端子間
に導電性材料（例えば異方導電性ゴムなど）を介在させ
、ＬＳＩチップ１をリードフレーム２の電極端子に圧接
固定させて電極端子間を接続する方法などで接続を行っ
てもよい。

リードフレーム２の電極端子４の他端は図示するように
外部接続用電極端子６として一方向に整列配置した構造
であシ、また、その先端部には木メモリカートリッジを
樹脂成型封止後に、リードフレーム枠体２′より切シ放
すための切断代７が設けである。

ＬＳＩチップ１との接続を終えたりニドフレーム２は、
第１図の斜視図に示すように、外部接続用電極端子６以
外のリードフレーム２及びＬＳＩチップ１をモールド成
型樹脂８で樹脂成型封止することにより、メモリカート
リッジのパッケージ９を構成する。この時、第４図、第
６図に示すように、リードフレーム２の外部接続用電極
端子部ｅは、リードフレーム２上のＬＳＩチップ１を搭
載している完全モールド部と前記端子部幅方向両端部１
２．１４をモールド成型樹脂８で被覆し、外部機器（図
示せず）との接続接触面１ｏのみを表面に露出させると
ともに、外部接続用電極端子６の残シ裏面１３はモール
ド成型樹脂８内に埋設固定した構造とし、同モールド成
型樹脂８が形成する幅の狭い陥凹部、即ち上部に開面を
持った溝部１６の底面に同外部接続用電極端子６群を埋
設した構造としである。

上記構成によりＬＳＩチップ１をモールド成型樹脂８内
に埋設保護したパッケージ９とすると共に、同パッケー
ジ９の一端にはＬＳＩチップ１に接続されたリードフレ
ーム２の一部である外部接続用電極端子６群の接続接触
面１０が、モールド成型樹脂８で構成する溝部１６に保
護された位置に露出形成した構造のメモリカートリッジ
とすることができる。

発明の効果− 以上のように本発明の１チツプ型のメモリカートリッジ
は、その構造がシンプルであり、またメモリ用ＬＳＩチ
ップをカートリッジ中央部に樹脂成型で埋設した強固な
構造を有すると共に、外部機器との接続用電極端子群が
カートリッジ本体を形成しているモールド成型樹脂の溝
部底面に設けであるため、本カートリッジの取り扱い時
に前記接続用電極端子に直接触手する事故が防止でき、
ＬＳＩチップの静電破壊を防ぎ、さらに外部接続用電極
端子のリードフレームの少なくとも３方向、つまりリー
ドフレーム上の半導体チップを搭載している完全モール
ド部と端子福方向両端部がモールド成型樹脂で被覆され
ているため、樹脂との密着性が一段と向上するなど、信
頼性が高く高品質なメモリカートリッジを提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のメモリカートリッジの全体構造及び局
部的に内部構造を示した斜視図、第２図は同部分拡大図
、第３図は本発明に用いたリードフレーム形状の平面図
、第４図は本発明のメモリカートリッジの横断面図、第
５図は外部接続用電極端子部の正面断面図である。 １・・・・・・メモリＬＳＩチップ、２・・・・・・リ
ードフレーム、２′・・・・・・リードフレーム枠体、
３・・・・・・リードフレームのグイパッド、４・・・
・・・リードフレーム電極端子、６・・・・・・接続ワ
イヤー、６・・・・・・外部接続用電極端子、７・・・
・・・リードフレームの切断代、８・・・・・・モール
ド成型樹脂、９・・・・・・パッケージ本体、１ｏ・・
・・・・外部接続用電極端子の接続接触面、１１・・・
・・・リードフレーム上の完全モールド部と外部接続用
電極端子部との境界部面、１２，１３．１４・・・・・
・外部接続用電極端子の透面、１５・・・・・・モール
ド樹脂で形成した溝部。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第４
図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　メモリＬＳＩ等の半導体チップの電極と電気的な接続
   結合を行ったリードフレームと、この半導体チップ及び
   リードフレームをモールド樹脂内に埋設成型し、上記半
   導体チップの電極と電気的な接続結合したリードフレー
   ムの他端部を整列配置するとともに、その一主面のみを
   局部的に前記モールド樹脂面より露出させて外部接続用
   電極端子とすると共に、同電極面が前記モールド樹脂表
   面部が形成する主面より後退した位置、即ち溝部内に形
   成し、前記外部接続用電極端子のリードフレームの少な
   くとも３方向、つまりリードフレーム上の半導体チップ
   を搭載している完全モールド部とリード幅方向両端部を
   前記モールド樹脂で被覆されたメモリカートリッジ。