JPH01101644A - Detection of prober waveform - Google Patents

Detection of prober waveform

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JPH01101644A
JPH01101644A JP62260729A JP26072987A JPH01101644A JP H01101644 A JPH01101644 A JP H01101644A JP 62260729 A JP62260729 A JP 62260729A JP 26072987 A JP26072987 A JP 26072987A JP H01101644 A JPH01101644 A JP H01101644A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
waveform
contact
electrode
wafer stage
Prior art date
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Pending
Application number
JP62260729A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Fujiwara
藤原 和雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH01101644A publication Critical patent/JPH01101644A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the reliability of a probe test by investigating an input waveform by bringing a predetermined probe into contact with an electrode of a particular shape pattern provided on a wafer stage side or a wafer stage and then applying an input signal to the probe. CONSTITUTION:An electrode of a particular shape pattern, for example, a cross shaped pattern 11 is provided on a wafer stage 8 side or a wafer stage 8. A predetermined probe 6 is brought into contact with the electrode and supplied with an input signal, for investigation of a signal waveform. In other words, the electrode of the particular shape pattern with which the one probe 6 among many probes 6 can make contact is provided, with which the predetermined probe is brought into contact, for investigation of the signal waveform. Hereby, it is possible to check on any abnormal signal waveform which might occur on the whole signal transmission path up to the top probe, thereby improving the reliability of the test.

Description

【発明の詳細な説明】 [概要] プローバの波形検出方法の改良に関し、先端のプローブ
に至るまでの信号伝達径路に生じる信号波形の変形をチ
エツクすることを目的とし、 ウェハーステージ側部またはウェハーステージ上に特殊
形状のパターン(例えば、十字形パターン)を有する電
極を設け、該電極に所定プローブを接触させ、該プロー
ブに入力信号を印加して入力波形を調べるようにしたこ
とを特徴とする。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the improvement of the prober waveform detection method, the purpose is to check the deformation of the signal waveform that occurs in the signal transmission path up to the probe at the tip. The device is characterized in that an electrode having a special-shaped pattern (for example, a cross-shaped pattern) is provided on the top, a predetermined probe is brought into contact with the electrode, and an input signal is applied to the probe to examine the input waveform.

[産業上の利用分野] 本発明はプローバの波形検出方法め改良に関する。[Industrial application field] The present invention relates to an improved waveform detection method for a prober.

従来、ICなどの半導体装置は、半導体ウェハー上に多
数の素子が設けられ、これを個々のチップに分割する前
に、プローブ(probe  ;探針)を接触させて、
それらの素子の電気的特性の良否を判別しており、これ
をウェハーのプローブテストと呼んでいる。
Conventionally, in semiconductor devices such as ICs, a large number of elements are provided on a semiconductor wafer, and before dividing this into individual chips, a probe is brought into contact with the semiconductor wafer.
The quality of the electrical characteristics of these elements is determined, and this is called a wafer probe test.

これは、ウェハー状態で予めプローブテストを行なって
おけば、不良チップをパッケージに組み込む工数とパッ
ケージ等の材料が節約されるからで、このようなプロー
ブテストを経ると、半導体装置製品は殆ど100%に近
い収率が得られる。このようなウェハーのプローブテス
ト、即ち、ウェハー試験は出来るだけ信頼性の高いこと
が望まれている。
This is because if a probe test is performed in advance on a wafer, the man-hours for assembling a defective chip into a package and the materials used for the package can be saved.After such a probe test, semiconductor device products are almost 100% reliable. Yields close to . It is desired that such a wafer probe test, that is, a wafer test, be as reliable as possible.

[従来の技術と発明が解決しようとする問題点コ第4図
はプローバ(プローブ試験装置)のプローブ・テストヘ
ッドの断面概要を示しており、1はテストドライバ、2
はパフォーマンスポード。
[Problems to be solved by the prior art and the invention] Figure 4 shows a cross-sectional outline of the probe/test head of a prober (probe test device), where 1 is a test driver, 2 is
is a performance port.

3はコンタクトリング、4はインサートリング。3 is a contact ring, 4 is an insert ring.

5はプローブカード、6はプローブ、7はウェハー、8
はウェハーステージ、9はプローバボデイである。この
うち、ウェハーステージ8はウェハー7を真空チャフキ
ングして保持し、X、7両方向に可動できる機能を有し
ている。且つ、プローブカード5は品種毎に特定のプロ
ーブカードが作成され、そのカードに設けるプローブの
本数は少ない場合でも土木程度、多い場合は100本以
上にも達して、プローブ6の先端のプローブ相互の間隔
(ウェハーの電極パッド間隔に等しい)は数百μm程度
である。テスト初期に、ウェハー7に対してプローブ6
を位置合わせする場合、中央の覗き窓10から顕微鏡で
観測し、手動機能を用いてウェハーステージ8を移動さ
せて所要電極バンドへの位置合わせをおこなっている。
5 is a probe card, 6 is a probe, 7 is a wafer, 8
9 is a wafer stage, and 9 is a prober body. Of these, the wafer stage 8 has the function of vacuum chuffing and holding the wafer 7 and being movable in both the X and 7 directions. In addition, a specific probe card 5 is created for each type of probe card, and the number of probes installed on the card may be as small as that for civil engineering, or as many as 100 or more. The spacing (equal to the spacing between electrode pads on the wafer) is on the order of several hundred μm. At the beginning of the test, probe 6 was applied to wafer 7.
When aligning the electrode bands, the wafer stage 8 is observed using a microscope through the viewing window 10 in the center, and the wafer stage 8 is moved using a manual function to align it to the required electrode band.

ところが、このテストヘッドを含むプローブ相互(図示
せず)が正しく動作して、テスト用の正常な信号がウェ
ハーに印加されているかどうかをチエツク(検出)する
ことがプローブテストの信頼性維持のために重要であり
、従って、定期的にプローバをチエツクしている。その
従来の検出方法はパフォーマンスポード2に触針Pを接
触(第4図参照)させて、その入力信号波形をオッシロ
スコープなどに写し出して調べている。例えば、入力信
号波形を第5図(a)〜(C)に示しているが、第5図
(a)は正常な波形、同図山)・はノイズが乗った不良
のノイズ重畳波形、同図(C)は時間ずれを生じた不良
のデイレイ波形で、その他にも歪曲した波形などの不良
波形があり、これらの不良波形を観測した場合にはパフ
ォーマンスポード2からプローブ6までの信号伝達径路
を調整したり、修理したすする処置がなされている。
However, in order to maintain the reliability of probe tests, it is necessary to check (detect) whether the probes (not shown) including the test head are operating correctly and whether normal test signals are being applied to the wafer. Therefore, the prober is checked regularly. The conventional detection method involves bringing a stylus P into contact with the performance pad 2 (see FIG. 4), and examining the input signal waveform by projecting it on an oscilloscope or the like. For example, the input signal waveforms are shown in Figures 5(a) to (C). Figure 5(a) is a normal waveform, and the upper part of the figure is a defective noise-superimposed waveform with noise. Figure (C) shows a defective delay waveform with a time lag, and there are other defective waveforms such as distorted waveforms. When these defective waveforms are observed, the signal transmission path from performance port 2 to probe 6 Adjustments or repairs have been made.

ここに、この従来法でパフォーマンスポードに触針を接
触させて検出している理由は、そのパフォーマンスポー
ドから先端のプローブに至る構造が微細で複雑であり、
オツシロスコープの触針を接触させることが極めて困難
なためである。
The reason why this conventional method uses a stylus in contact with the performance port for detection is that the structure from the performance port to the probe at the tip is minute and complex.
This is because it is extremely difficult to make contact with the oscilloscope's stylus.

しかし、それではテストドライバを駆動する計算制御部
(図示せず)からテストドライバを通ってパフォーマン
スポード辷至る回路部門の信号波形をチエツクすること
はできるが、プローブ・テストヘッドのパフォーマンス
ポードからプローブまでの間に生じる印加波形の異常を
チエツクすることができない。これはプローブテストの
信頼性を低下させる原因となる。
However, with this method, it is possible to check the signal waveform of the circuit section that runs from the calculation control unit (not shown) that drives the test driver, passes through the test driver, and goes to the performance port, but the It is not possible to check for abnormalities in the applied waveform that occur during this time. This causes a decrease in the reliability of the probe test.

本発明は、このような問題点を解消させて、プローブに
至るまでの信号伝達径路に生じる印加波□形の変形をチ
エツクすること目的としたプローバの波形検出方法を提
案するものである。
The present invention solves these problems and proposes a prober waveform detection method aimed at checking the deformation of the applied waveform that occurs in the signal transmission path up to the probe.

[問題点を解決するための手段] その目的は、ウェハーステージ側部またはウェハーステ
ージ上に特殊形状のパターン(例えば、十字形パターン
)を有する電極を設け、該電極に所定プローブを接触さ
せ、該プローブに入力信号を印加して信号波形を調べる
ようにしたプローバの波形検出方法によって達成される
[Means for solving the problem] The purpose is to provide an electrode having a special shaped pattern (for example, a cross-shaped pattern) on the side of the wafer stage or on the wafer stage, and to contact the electrode with a predetermined probe. This is achieved by a prober waveform detection method that applies an input signal to the probe and examines the signal waveform.

[作用] 即ち、本発明は、多数のプローブのうちの1本のプロー
ブのみが接触できる特殊形パターンをもった電極を設け
、これに所定プローブを接触させて信号波形を調べる。
[Operation] That is, in the present invention, an electrode having a special pattern that can be contacted by only one probe out of a large number of probes is provided, and a predetermined probe is brought into contact with the electrode to examine the signal waveform.

そうすると、先端のプローブに至るまでの全信号伝達径
路でおこる信号波形の異常をチエツクすることができ、
テストの信頼性が向上する。
This allows you to check for abnormalities in the signal waveform that occur along the entire signal transmission path up to the probe at the tip.
Improves test reliability.

[実施例] 以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。[Example] Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.

第1図(a)、 (b)は本発明にかかる波形検出方法
の構成図、同図(a)は断面概要図、同図(b)はウェ
ハーステージ部分の平面図で、第4図と同一部位には同
一記号が付けであるが、その他の11は十字形パターン
、12はパターンステージ、13は導出線である。十字
形パターン11は1本のプローブのみが接触できるよう
な形状であって、プローブと良好に接触させるためにパ
ターンステージ12上に配設してウェハー7と同じ高さ
に位置させており、且つ、このパターンステージ12は
ウェハーステージ8と一体となって可動するように構成
しである。また、導出線13はノイズの影響を避けるた
めにシールド線で被覆されたもので、この導出線13に
よってブロー式ボディ9外部に導出されてオソシロスコ
ープ(図示していない)に接続させている。
1(a) and 1(b) are block diagrams of the waveform detection method according to the present invention, FIG. 1(a) is a cross-sectional schematic diagram, and FIG. The same parts are given the same symbols, except that 11 is a cross-shaped pattern, 12 is a pattern stage, and 13 is a derivation line. The cross-shaped pattern 11 has a shape that can be contacted by only one probe, and is arranged on the pattern stage 12 and positioned at the same height as the wafer 7 in order to make good contact with the probe. The pattern stage 12 is configured to move integrally with the wafer stage 8. Further, the lead wire 13 is covered with a shield wire to avoid the influence of noise, and is led out to the outside of the blow-type body 9 and connected to an oscilloscope (not shown). .

そうして、覗き窓10から顕微鏡で観測しながら手動に
よってウェハーステージ8・パターンステージ12を移
動させ、十字形パターンに所定プローブを位置合わせし
て接触させ、次に、信号波形を入力してその形状をチエ
ツクする。
Then, the wafer stage 8 and pattern stage 12 are manually moved while observing with a microscope through the viewing window 10, and a predetermined probe is aligned and brought into contact with the cross-shaped pattern.Next, the signal waveform is input and the signal waveform is input. Check the shape.

第2図(a)〜(d)は十字形パターンに所定プローブ
を接触させた状態を示しており、プローブ相互間の距離
を500μmとした場合、十字の線幅を300μm程度
にして、十字の線を上下左右に使い分ける。第2図は顕
微鏡で覗き窓10から覗いた図を示し、同図(a)は下
側のプローブと接触させた図、同図(b)は上側のプロ
ーブと接触させた図、同図(C)は左側のプローブと接
触させた図、同図(d)は右側のプローブと接触させた
図で、6゛が接触プローブである。
Figures 2 (a) to (d) show a state in which a specified probe is in contact with a cross-shaped pattern, and when the distance between the probes is 500 μm, the line width of the cross is about 300 μm, and the cross pattern is Use lines vertically, horizontally, and horizontally. FIG. 2 shows the view seen through the viewing window 10 with a microscope. FIG. 2(a) shows the probe in contact with the lower probe, FIG. C) is a diagram in which the probe is in contact with the left probe, and (d) is a diagram in which it is in contact with the right probe, with 6' being the contact probe.

次の第3図は他の配置例のウェハーステージ部分の平面
図で、十字形パターン11をウェハーステージ8上に配
置しており、この十字形パターン11は固定されていて
、且つ、ウェハー面とパターン面とが同じ高さに位置し
ているもので、上記と同様にして信号波形をチエツク、
できるものである。
The next figure 3 is a plan view of the wafer stage part in another arrangement example, in which a cross-shaped pattern 11 is arranged on the wafer stage 8, and this cross-shaped pattern 11 is fixed and does not touch the wafer surface. Check the signal waveform in the same way as above with the pattern surface located at the same height.
It is possible.

なお、このようなパターン11は例えば、導体面に絶縁
性ホトレジストを塗布し、フォトプロセスによって十字
形に窓あけし、次に、金メツキして十字形部分を埋没さ
せて表面を平坦化する方法で作成する。
Note that such a pattern 11 can be created, for example, by applying insulating photoresist to the conductor surface, opening a window in the shape of a cross using a photo process, and then plating with gold to bury the cross-shaped portion to flatten the surface. Create with.

且つ、このパターンは十字形に限るものではなく、その
他の形状、例えば、十字星形パターンを作成して使用し
てもよい。
Further, this pattern is not limited to a cross shape, and other shapes such as a cross star pattern may be created and used.

以上のような波形検出方法によれば、全信号伝達径路を
通った信号波形をチエツクすることができ・プローブテ
ストを高信頼化させることができる。
According to the waveform detection method as described above, it is possible to check the signal waveform that has passed through all the signal transmission paths, and the probe test can be made highly reliable.

[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、本発明によればプロー
バからウェハーへ入力される信号波形が十分にチエツク
されて、プローブテストの信頼性が向上し、ICの品質
2歩留向上に寄与するものである。
[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the present invention, the signal waveform input from the prober to the wafer is sufficiently checked, the reliability of the probe test is improved, and the quality of the IC is improved by two yields. This contributes to improvement.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、 (b)は本発明にかかる波形検出方法
の構成図、 第2図はその十字形パターンの接触状態を示す図、第3
図は他の配置例のウェハーステージ部分の平面図、 第4図はプローブテストヘッドの断面概要を示す図、 第5図(a)〜(C)は入力波形を示す図である。 図において、 1はテストドライバ、 2はパフォーマンスポード、 3はコンタクトリング、4はインザートリング、5はプ
ローブカード、  6はプローブ、7はウェハー、  
  8はウェハーステージ、9はプローバボデイ、 1
0は覗き窓、11は十字形パターン、 12はパターンステージ、13は導出線す掌形ハ’7’
−>I11工れ^火イた°應εネ70第2図
1(a) and 1(b) are block diagrams of the waveform detection method according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the contact state of the cross-shaped pattern, and FIG.
The figure is a plan view of a wafer stage portion in another arrangement example, FIG. 4 is a diagram showing a cross-sectional outline of a probe test head, and FIGS. 5(a) to (C) are diagrams showing input waveforms. In the figure, 1 is a test driver, 2 is a performance port, 3 is a contact ring, 4 is an insert ring, 5 is a probe card, 6 is a probe, 7 is a wafer,
8 is a wafer stage, 9 is a prober body, 1
0 is a viewing window, 11 is a cross-shaped pattern, 12 is a pattern stage, and 13 is a derived line palm shape C'7'
-> I11 construction ^ fire started ° ε ne 70 Fig. 2

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)ウェハーステージ側部またはウェハーステージ上
に特殊形状のパターンを有する電極を設け、該電極に所
定プローブを接触させ、該プローブに入力信号を印加し
て入力波形を調べるようにしたことを特徴とするプロー
バの波形検出方法。
(1) An electrode with a specially shaped pattern is provided on the side of the wafer stage or on the wafer stage, a predetermined probe is brought into contact with the electrode, and an input signal is applied to the probe to examine the input waveform. Prober waveform detection method.
(2)前記特殊形状のパターンを十字形パターンとした
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプローバ
の波形検出方法。
(2) The prober waveform detection method according to claim 1, wherein the special-shaped pattern is a cross-shaped pattern.
JP62260729A 1987-10-14 1987-10-14 Detection of prober waveform Pending JPH01101644A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62260729A JPH01101644A (en) 1987-10-14 1987-10-14 Detection of prober waveform

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JP (1) JPH01101644A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275034A (en) * 1992-03-27 1993-10-22 Toshiba Corp X-ray image tube

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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