JP7842724B2 - 3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールおよび3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンの結晶性固体ならびにそれらを作製および使用する方法 - Google Patents
3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールおよび3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンの結晶性固体ならびにそれらを作製および使用する方法Info
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Description
本出願は、2019年10月28日出願の米国仮特許出願第62/926,810号に対する優先権の利益を主張し、その開示は参照により本明細書に組み込まれる。
イメテルスタットは、テロメラーゼのRNA構成要素のテンプレート領域に対して高い親和性で結合する、テロメラーゼ阻害剤である。研究によって、イメテルスタットがテロメラーゼ活性を阻害し、多くの異なるがん細胞株およびヒト腫瘍における細胞増殖に対して有効であることが示されている。イメテルスタットは、血液悪性腫瘍患者の臨床試験で使用されている。骨髄線維症患者の臨床試験は、イメテルスタットがある特定の患者で完全な臨床的寛解を達成することが可能であることを示した。これらの患者において、イメテルスタットは、骨髄線維症への拮抗をもたらし、形態学的および分子的寛解を生じた。
以下の用語は、別段の指示がない限り、以下の意味を有する。定義されていない任意の用語は、当該技術分野で認識されている意味を有する。
Textbook of Practical Organic Chemistry,Including Qualitative Organic Analysis,Fourth Edition,New York:Longman,1978を参照されたい)。
本明細書に記載の主題の、実施形態を含む態様は、単独で、または1つ以上の他の態様または実施形態と組み合わせて有益であり得る。記載を限定することなく、1~66と付番された開示のある特定の非限定的な態様が以下に提供される。本開示の閲読時に当業者には明らかであろうように、個々に付番された態様の各々は、先行または後続の個々に付番された態様のうちのいずれかとともに使用されるか、または組み合わせられ得る。これは、態様のすべてのそのような組み合わせの裏付けの支持を意図しており、以下に明示的に提供される態様の組み合わせに限定されるものではない。
2.約8.25°2θにピークを含むX線粉末回折(XRPD)パターンを有する、態様1に記載の結晶性固体。
3.約2.75°2θ、約6°2θ、約3.8°2θ、約15°2θ、約26.3°2θ、約30.5°2θ、および約33.1°2θに1つ以上のピークを含むXRPDパターンを有する、態様1または2に記載の結晶性固体。
4.結晶性固体の熱重量分析(TGA)が、単一の重量損失ステップを特徴とする、態様1~3のいずれか一項に記載の結晶性固体。
5.重量損失ステップが、約200.5℃で開始する、態様4に記載の結晶性固体。
6.示差走査熱量測定(DSC)によって、79.3℃に第1の吸熱、および約102.5℃に第2の吸熱を有する、態様1~5のいずれか一項に記載の結晶性固体。
7.第2の吸熱が、単一のピーク吸熱である、態様6に記載の結晶性固体。
8.溶媒を式Iの化合物:
と接触させて、前駆体組成物を生成することと、
前駆体組成物から式Iの化合物の結晶性固体を生成することと、を含む、方法。
9.溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン、イソプロピルアセテート、酢酸エチル、1,2-ジクロロエタン(DCE)、ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリル、トルエン、2-メチルブタン-2-オール(tAmOH)、およびN-メチル-2-ピロリドン(NMP)、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される、態様8に記載の方法。
10.溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、およびジクロロメタンから選択される、態様9に記載の方法。
11.溶媒が、テトラヒドロフランである、態様10に記載の方法。
12.式Iの化合物の結晶性固体を生成することが、
前駆体組成物を約45℃~約65℃の温度まで加熱することと、
加熱された前駆体組成物を約25℃~約35℃の温度まで冷却して、式Iの化合物の結晶性固体を生成することと、を含む、態様8~11のいずれか一項に記載の方法。
13.式Iの化合物の結晶性固体を生成することが、前駆体組成物を約50℃の温度まで加熱することと、加熱された前駆体組成物を約30℃の温度まで冷却して、式Iの結晶性固体を生成することと、を含む、態様12に記載の方法。
14.式Iの化合物を、塩基の存在下で溶媒と接触させる、態様8~13のいずれか一項に記載の方法。
15.塩基が、トリエチルアミン(TEA)である、態様14に記載の方法。
16.式Iの化合物の結晶性固体が、約8.25°2θにピークを含むX線粉末回折(XRPD)パターンを有する、態様8~15のいずれか一項に記載の方法。
17.式Iの化合物の結晶性固体が、約2.75°2θ、約6°2θ、約3.8°2θ、約15°2θ、約26.3°2θ、約30.5°2θ、および約33.1°2θに1つ以上のピークを含むXRPDパターンを有する、態様8~16のいずれか一項に記載の方法。
18.式Iの化合物の結晶性固体が、熱重量分析(TGA)による単一の重量損失ステップを特徴とする、態様8~17のいずれか一項に記載の方法。
19.重量損失ステップが、約200.48℃で開始する、態様18に記載の方法。
20.式Iの化合物の結晶性固体が、示差走査熱量測定(DSC)によって、79.3℃に第1の吸熱、および約102.5℃に第2の吸熱を呈する、態様8~19のいずれか一項に記載の方法。
21.第2の吸熱が、単一のピーク吸熱である、態様20に記載の方法。
22.溶媒を式Iの化合物:
の結晶性固体と接触させて、前駆体組成物を生成することと、
前駆体組成物を、ジメトキシトリフェニルメチルクロリドを含む組成物と接触させて、式IIの化合物:
(式中、DMTrが、ジメトキシトリフェニルメチルである)を含む組成物を生成することと、を含む、方法。
23.前駆体組成物を、塩基の存在下でジメトキシトリフェニルメチルクロリドと接触させる、態様22に記載の方法。
24.有機塩基中の塩基、態様23に記載の方法。
25.塩基が、1,8-ビス(ジメチルアミノ)ナフタレン(プロトンスポンジ)、イミダゾール、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(DBU)、2,4,6-トリメチルピリジン(コリジン)、トリエチルアミン(TEA)、炭酸カリウム、メトキシドナトリウム、テトラメチルエチレンジアミン(TMEDA)、およびジメチルアミノエタノールからなる群から選択される、態様23に記載の方法。
26.塩基が、1,8-ビス(ジメチルアミノ)ナフタレン(プロトンスポンジ)、テトラメチルエチレンジアミン(TMEDA)、およびトリエチルアミン(TEA)から選択される、態様23に記載の方法。
27.塩基が、トリエチルアミン(TEA)である、態様23に記載の方法。
28.前駆体組成物を、添加剤の存在下でジメトキシトリフェニルメチルクロリドと接触させる、態様22~27のいずれか一項に記載の方法。
29.添加剤が、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、ホウ酸、テトラ-n-ブチルアンモニウムフルオリド(TBAF)、4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、塩化銅(CuCl2)、塩化イッテルビウム(III)(YbCl3)、および1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(DABCO)からなる群から選択される、態様28に記載の方法。
30.添加剤が、テトラ-n-ブチルアンモニウムフルオリド(TBAF)、酸化マグネシウム、およびホウ酸から選択される、態様29に記載の方法。
31.添加剤が、酸化マグネシウムである、態様29に記載の方法。
32.溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン、イソプロピルアセテート、酢酸エチル、1,2-ジクロロエタン(DCE)、ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリル、トルエン、2-メチルブタン-2-オール(tAmOH)、およびN-メチル-2-ピロリドン(NMP)、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される、態様22~31のいずれか一項に記載の方法。
33.溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン、イソプロピルアセテート、アセトニトリル、トルエン、2-メチルブタン-2-オール(tAmOH)、およびN-メチル-2-ピロリドン(NMP)から選択される、態様32に記載の方法。
34.溶媒が、メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン、およびジクロロメタンから選択される、態様32に記載の方法。
35.式Iの化合物の結晶性固体が、約8.25°2θにピークを含むX線粉末回折(XRPD)パターンを有する、態様22~34のいずれか一項に記載の方法。
36.式Iの化合物の結晶性固体が、約2.75°2θ、約6°2θ、約3.8°2θ、約15°2θ、約26.3°2θ、約30.5°2θ、および約33.1°2θに1つ以上のピークを含むXRPDパターンを有する、態様22~35のいずれか一項に記載の方法。
37.式Iの化合物の結晶性固体が、熱重量分析(TGA)による単一の重量損失ステップを特徴とする、態様22~36のいずれか一項に記載の方法。
38.重量損失ステップが、約200.48℃で開始する、態様37に記載の方法。
39.式Iの化合物の結晶性固体が、示差走査熱量測定(DSC)によって、79.3℃に第1の吸熱、および約102.5℃に第2の吸熱を呈する、態様22~38のいずれか一項に記載の方法。
40.第2の吸熱が、単一のピーク吸熱である、態様39に記載の方法。
41.式IIの化合物:
(式中、DMTrが、ジメトキシトリフェニルメチルである)の結晶性固体。
42.式IIの結晶性固体が、単斜晶形態にある、態様41に記載の結晶性固体。
43.結晶性固体中の各単位胞が、式IIの化合物の2つの異なる立体配座を含む、態様40~42のいずれか一項に記載の結晶性固体。
44.各単位胞が、式IIの化合物の伸長立体配座および屈曲立体配座を含む、態様43に記載の結晶性固体。
45.式IIの化合物の各立体配座が、1:1の比で存在する、態様43または44に記載の結晶性固体。
46.結晶性固体の各単位胞が、4つの分子の式IIの化合物を含む、態様41~45のいずれか一項に記載の結晶性固体。
47.単位胞が、約8.44Å×約26.56Å×約10.06Åの寸法を有する、態様46に記載の結晶性固体。
48.単位胞が、約2254.8Å3の体積を有する、態様47に記載の結晶性固体。
49.約1.2g/cm3~約1.3g/cm3の密度を有する、態様48に記載の結晶性固体。
50.式IIの化合物が、95%以上の多形純度を有する、態様41~49のいずれか一項に記載の結晶性固体。
51.1つ以上の溶媒を含む組成物を、式IIIの化合物と接触させることと、
式IIの化合物の1つ以上の単結晶を形成することと、を含む、方法。
52.組成物が、2つの異なる溶媒を含む、態様51に記載の方法。
53.組成物が、極性溶媒および非極性溶媒を含む、態様52に記載の方法。
54.極性溶媒が、ジクロロメタンである、態様53に記載の方法。
55.非極性溶媒が、ペンタンである、態様53または54に記載の方法。
56.組成物を、10℃~約75℃の温度で式IIの化合物と接触させる、態様51~55のいずれか一項に記載の方法。
57.方法が、組成物を十分に加熱して、式IIの化合物を溶解させることと、式IIの化合物を溶解させた後に、加熱された組成物を冷却することと、を含む、態様56に記載の方法。
58.形成された単結晶のうちの1つ以上が、単斜晶形態にある、態様51~57のいずれか一項に記載の方法。
59.各単結晶が、式IIの化合物の2つの異なる立体配座を含む、態様51~58のいずれか一項に記載の方法。
60.単結晶の各単位胞が、式IIの化合物の伸長立体配座および屈曲立体配座を含む、態様59に記載の方法。
61.式IIの化合物の各立体配座が、各単位胞内に1:1の比で存在する、態様59または60に記載の方法。
62.各単結晶の単位胞が、4つの分子の式IIの化合物を含む、態様51~61のいずれか一項に記載の方法。
63.単位胞が、約8.44Å×約26.56Å×約10.06Åの寸法を有する、態様62に記載の方法。
64.単位胞が、約2254.8Å3の体積を有する、態様63に記載の方法。
65.各形成された単結晶が、約1.2g/cm3~約1.3g/cm3の密度を有する、態様51~64のいずれか一項に記載の方法。
66.各形成された単結晶が、95%以上の式IIの化合物の多形純度を有する、態様51~65のいずれか一項に記載の方法。
開示の化合物を合成するのに有用な一般的に既知の化学合成スキームおよび条件を提供する多くの一般的な参照文献が入手可能である(例えば、Smith and March,March’s Advanced Organic Chemistry:Reactions,Mechanisms,and Structure,Fifth Edition,Wiley-Interscience,2001、またはVogel,A
Textbook of Practical Organic Chemistry,Including Qualitative Organic Analysis,Fourth Edition,New York:Longman,1978を参照されたい)。
様々な溶媒および溶媒混合物を用いて、3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールの可溶性のスクリーニングを行った。テトラヒドロフラン(THF)、2-メチル-THF、ジクロロメタン(DCM)、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、ジメチルアセトアミド(DMAc)、トルエン、2-メチルブタン-2-オール(tAmOH)、イソプロピルアセテート(iPrOAc)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、およびジメチルホルムアイド(dimethylformaide)(DMF)を、研究で使用するための溶媒として同定した。可溶性について、トリエチルアミンの効果も評価した。トリエチルアミンは、これらの溶媒への3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールの可溶性に与える影響が小さいことが示された。ジメチルアセトアミド(DMAc)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、およびジメチルホルムアイド(DMF)は、3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールの可溶性が中程度であることが決定された。
3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオール(CMPD-A)と4,4’-ジメトキシトリフェニルメチルクロリドとの反応を、異なる塩基および溶媒中で試験した。反応混合物に対する異なる添加剤も試験した。表1は、形成された反応生成物を要約する:3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパン(CMPD-B)、3-パルミトイル-アミド-1-ヒドロキシ-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパン(CMPD-B-Reg)、3-パルミトイル-アミド-1,2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパン(Bis-DMTr)。各反応について、3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールを、30℃の溶媒を含む3つ口丸底フラスコに充填し、1時間撹拌した。3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオール溶媒組成物に、3.0当量の塩基を添加し、30℃で撹拌した。添加剤を使用した場合、0.3当量の添加剤を反応混合物と接触させた。1.4当量の4,4’-ジメトキシトリフェニルメチルクロリドを添加し、形成された懸濁液を、約17.3時間の持続時間の間30℃で撹拌した。反応混合物からの試料を定期的に(2時間ごと、4時間ごとなど)採取し、HPLCによって反応生成物を特徴評価した。
3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールを、30℃のメチルTHFを含む3つ口丸底フラスコに充填して、白色の懸濁液を生成し、30℃で1時間撹拌した。フラスコは、オーバーヘッド撹拌器、熱電対、窒素インレット、およびガラス栓を備えていた。3.0当量のトリエチルアミンを添加し、30℃で0.5時間撹拌した。白色の懸濁液に、1.4当量の4,4’-ジメトキシトリフェニルメチルクロリドを一度にすべて添加した。生じた黄色の懸濁物を、30℃で23時間撹拌した。2時間、4時間、20時間、および23時間で試料の分析を行って、トリチル化反応の進行および任意の不純物(例えば、望ましくない位置異性体およびビス-トリチル化化合物)の形成を確認した。2時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、63.2%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.4%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、7.8%の収率を呈した。4時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、65.8%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.2%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、11.2%の収率まで増加した。20時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、62.4%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.1%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、16.6%の収率まで増加した。23時間後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、62.6%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.1%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、16.6%の収率で維持された。
3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオールおよび0.3当量の酸化マグネシウムを、30℃のメチルTHFを含む3つ口丸底フラスコに充填した。フラスコは、オーバーヘッド撹拌器、熱電対、窒素インレット、およびガラス栓を備えていた。白色の懸濁液を30℃で1時間撹拌した。3.0当量のトリエチルアミンを添加し、30℃で0.5時間撹拌した。1.4当量の4,4’-ジメトキシトリフェニルメチルクロリドを一度にすべて添加した。生じた黄緑色の懸濁物を、30℃で23時間撹拌した。2時間、4時間、20時間、および23時間で試料の分析を行って、トリチル化反応の進行および任意の不純物(例えば、望ましくない位置異性体およびビス-トリチル化化合物)の形成を確認した。2時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、63.2%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.4%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、7.7%の収率を呈した。4時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、65.7%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.3%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、11.0%の収率まで増加した。20時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、63.2%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、もはや存在せず、ビス-トリチル化化合物は、16.7%の収率まで増加した。23時間後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、62.6%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.1%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、16.9%の収率までわずかに増加した。
3-パルミトイル-アミド-1,2-プロパンジオール、0.3当量の酸化マグネシウム、および3.0当量のトリエチルアミンを、周辺温度のメチルTHFを含む3つ口丸底フラスコに充填した。フラスコは、オーバーヘッド撹拌器、熱電対、窒素インレット、およびガラス栓を備えていた。組成物を48℃まで加熱して白色の懸濁液を生成し、48℃で1時間撹拌した。組成物をさらに55℃まで加熱し、さらに1時間撹拌した。反応物を再び60℃まで加熱し、さらに30分間撹拌した。反応物を70分間かけて30℃まで冷却し、生じた白色の懸濁液に、1.4当量の4,4’-ジメトキシトリフェニルメチルクロリドを一度にすべて添加した。生じた淡緑色の懸濁物を、30℃で23時間撹拌した。2時間、4時間、20時間、および23時間で試料の分析を行って、トリチル化反応の進行および任意の不純物(例えば、望ましくない位置異性体およびビス-トリチル化化合物)の形成を確認した。2時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、67.0%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.2%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、8.3%の収率を呈した。4時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、66.2%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、0.1%の収率で形成され、ビス-トリチル化化合物は、11.6%の収率まで増加した。20時間の反応の後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、63.2%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、もはや存在せず、ビス-トリチル化化合物は、18.1%の収率まで増加した。23時間後、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンが、63.0%の収率で形成された。位置異性体不純物である3-パルミトイル-アミド-2-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-1-ヒドロキシ-プロパンは、もはや存在せず、ビス-トリチル化化合物は、18.2%の収率までわずかに増加した。
様々な溶媒および溶媒混合物中の3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンの組成物の再結晶化によって、3-パルミトイル-アミド-2-ヒドロキシ-1-ジメトキシトリフェニルメチルエーテル-プロパンの単結晶を生成した。ジクロロメタン/ペンタンから形成された単結晶を、X線回折研究に使用した。
一実施形態において、例えば、以下の項目が提供される。
(項目1)
式Iの化合物の、結晶性固体。
(項目2)
約8.25°2θにピークを含むX線粉末回折(XRPD)パターンを有する、項目1に記載の結晶性固体。
(項目3)
約2.75°2θ、約6°2θ、約3.8°2θ、約15°2θ、約26.3°2θ、約30.5°2θ、および約33.1°2θに1つ以上のピークを含むXRPDパターンを有する、項目1または2に記載の結晶性固体。
(項目4)
前記結晶性固体の熱重量分析(TGA)が、単一の重量損失ステップを特徴とする、項目1~3のいずれか一項に記載の結晶性固体。
(項目5)
前記重量損失ステップが、約200.5℃で開始する、項目4に記載の結晶性固体。
(項目6)
示差走査熱量測定(DSC)によって、79.3℃に第1の吸熱、および約102.5℃に第2の吸熱を有する、項目1~5のいずれか一項に記載の結晶性固体。
(項目7)
前記第2の吸熱が、単一のピーク吸熱である、項目6に記載の結晶性固体。
(項目8)
溶媒を式Iの化合物:
と接触させて、前駆体組成物を生成することと、
前記前駆体組成物から前記式Iの化合物の結晶性固体を生成することと、を含む、方法。
(項目9)
前記溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン、イソプロピルアセテート、酢酸エチル、1,2-ジクロロエタン(DCE)、ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリル、トルエン、2-メチルブタン-2-オール(tAmOH)、およびN-メチル-2-ピロリドン(NMP)、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される、項目8に記載の方法。
(項目10)
前記溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、およびジクロロメタンから選択される、項目9に記載の方法。
(項目11)
前記溶媒が、テトラヒドロフランである、項目10に記載の方法。
(項目12)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体を生成することが、
前記前駆体組成物を約45℃~約65℃の温度まで加熱することと、
前記加熱された前駆体組成物を約25℃~約35℃の温度まで冷却して、前記式Iの化合物の前記結晶性固体を生成することと、を含む、項目8~11のいずれか一項に記載の方法。
(項目13)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体を生成することが、前記前駆体組成物を約50℃の温度まで加熱することと、前記加熱された前駆体組成物を約30℃の温度まで冷却して、前記式Iの結晶性固体を生成することと、を含む、項目12に記載の方法。
(項目14)
前記式Iの化合物を、塩基の存在下で前記溶媒と接触させる、項目8~13のいずれか一項に記載の方法。
(項目15)
前記塩基が、トリエチルアミン(TEA)である、項目14に記載の方法。
(項目16)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、約8.25°2θにピークを含むX線粉末回折(XRPD)パターンを有する、項目8~15のいずれか一項に記載の方法。
(項目17)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、約2.75°2θ、約6°2θ、約3.8°2θ、約15°2θ、約26.3°2θ、約30.5°2θ、および約33.1°2θに1つ以上のピークを含むXRPDパターンを有する、項目8~16のいずれか一項に記載の方法。
(項目18)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、熱重量分析(TGA)による単一の重量損失ステップを特徴とする、項目8~17のいずれか一項に記載の方法。
(項目19)
前記重量損失ステップが、約200.48℃で開始する、項目18に記載の方法。
(項目20)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、示差走査熱量測定(DSC)によって、79.3℃に第1の吸熱、および約102.5℃に第2の吸熱を呈する、項目8~19のいずれか一項に記載の方法。
(項目21)
前記第2の吸熱が、単一のピーク吸熱である、項目20に記載の方法。
(項目22)
溶媒を式Iの化合物:
の結晶性固体と接触させて、前駆体組成物を生成することと、
前記前駆体組成物を、ジメトキシトリフェニルメチルクロリドを含む組成物と接触させて、式IIの化合物:
(式中、DMTrが、ジメトキシトリフェニルメチルである)を含む組成物を生成することと、を含む、方法。
(項目23)
前記前駆体組成物を、塩基の存在下でジメトキシトリフェニルメチルクロリドと接触させる、項目22に記載の方法。
(項目24)
有機塩基中の前記塩基、項目23に記載の方法。
(項目25)
前記塩基が、1,8-ビス(ジメチルアミノ)ナフタレン(プロトンスポンジ)、イミダゾール、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(DBU)、2,4,6-トリメチルピリジン(コリジン)、トリエチルアミン(TEA)、炭酸カリウム、メトキシドナトリウム、テトラメチルエチレンジアミン(TMEDA)、およびジメチルアミノエタノールからなる群から選択される、項目23に記載の方法。
(項目26)
前記塩基が、1,8-ビス(ジメチルアミノ)ナフタレン(プロトンスポンジ)、テトラメチルエチレンジアミン(TMEDA)、およびトリエチルアミン(TEA)から選択される、項目23に記載の方法。
(項目27)
前記塩基が、トリエチルアミン(TEA)である、項目23に記載の方法。
(項目28)
前記前駆体組成物を、添加剤の存在下でジメトキシトリフェニルメチルクロリドと接触させる、項目22~27のいずれか一項に記載の方法。
(項目29)
前記添加剤が、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、ホウ酸、テトラ-n-ブチルアンモニウムフルオリド(TBAF)、4-ジメチルアミノピリジン(DMAP)、塩化銅(CuCl 2 )、塩化イッテルビウム(III)(YbCl 3 )、および1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(DABCO)からなる群から選択される、項目28に記載の方法。
(項目30)
前記添加剤が、テトラ-n-ブチルアンモニウムフルオリド(TBAF)、酸化マグネシウム、およびホウ酸から選択される、項目29に記載の方法。
(項目31)
前記添加剤が、酸化マグネシウムである、項目29に記載の方法。
(項目32)
前記溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン、イソプロピルアセテート、酢酸エチル、1,2-ジクロロエタン(DCE)、ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、アセトニトリル、トルエン、2-メチルブタン-2-オール(tAmOH)、およびN-メチル-2-ピロリドン(NMP)、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される、項目22~31のいずれか一項に記載の方法。
(項目33)
前記溶媒が、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジクロロメタン、イソプロピルアセテート、アセトニトリル、トルエン、2-メチルブタン-2-オール(tAmOH)、およびN-メチル-2-ピロリドン(NMP)から選択される、項目32に記載の方法。
(項目34)
前記溶媒が、メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン、およびジクロロメタンから選択される、項目32に記載の方法。
(項目35)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、約8.25°2θにピークを含むX線粉末回折(XRPD)パターンを有する、項目22~34のいずれか一項に記載の方法。
(項目36)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、約2.75°2θ、約6°2θ、約3.8°2θ、約15°2θ、約26.3°2θ、約30.5°2θ、および約33.1°2θに1つ以上のピークを含むXRPDパターンを有する、項目22~35のいずれか一項に記載の方法。
(項目37)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、熱重量分析(TGA)による単一の重量損失ステップを特徴とする、項目22~36のいずれか一項に記載の方法。
(項目38)
前記重量損失ステップが、約200.48℃で開始する、項目37に記載の方法。
(項目39)
前記式Iの化合物の前記結晶性固体が、示差走査熱量測定(DSC)によって、79.3℃に第1の吸熱、および約102.5℃に第2の吸熱を呈する、項目22~38のいずれか一項に記載の方法。
(項目40)
前記第2の吸熱が、単一のピーク吸熱である、項目39に記載の方法。
(項目41)
式IIの化合物:
(式中、DMTrが、ジメトキシトリフェニルメチルである)の結晶性固体。
(項目42)
前記式IIの結晶性固体が、単斜晶形態にある、項目41に記載の結晶性固体。
(項目43)
前記結晶性固体中の各単位胞が、前記式IIの化合物の2つの異なる立体配座を含む、項目40~42のいずれか一項に記載の結晶性固体。
(項目44)
各単位胞が、前記式IIの化合物の伸長立体配座および屈曲立体配座を含む、項目43に記載の結晶性固体。
(項目45)
前記式IIの化合物の各立体配座が、1:1の比で存在する、項目43または44に記載の結晶性固体。
(項目46)
前記結晶性固体の各単位胞が、4つの分子の前記式IIの化合物を含む、項目41~45のいずれか一項に記載の結晶性固体。
(項目47)
前記単位胞が、約8.44Å×約26.56Å×約10.06Åの寸法を有する、項目46に記載の結晶性固体。
(項目48)
前記単位胞が、約2254.8Å 3 の体積を有する、項目47に記載の結晶性固体。
(項目49)
約1.2g/cm 3 ~約1.3g/cm 3 の密度を有する、項目48に記載の結晶性固体。
(項目50)
前記式IIの化合物が、95%以上の多形純度を有する、項目41~49のいずれか一項に記載の結晶性固体。
(項目51)
1つ以上の溶媒を含む組成物を、式IIIの化合物と接触させることと、
前記式IIの化合物の1つ以上の単結晶を形成することと、を含む、方法。
(項目52)
前記組成物が、2つの異なる溶媒を含む、項目51に記載の方法。
(項目53)
前記組成物が、極性溶媒および非極性溶媒を含む、項目52に記載の方法。
(項目54)
前記極性溶媒が、ジクロロメタンである、項目53に記載の方法。
(項目55)
前記非極性溶媒が、ペンタンである、項目53または54に記載の方法。
(項目56)
前記組成物を、10℃~約75℃の温度で前記式IIの化合物と接触させる、項目51~55のいずれか一項に記載の方法。
(項目57)
前記方法が、前記組成物を十分に加熱して、前記式IIの化合物を溶解させることと、前記式IIの化合物を溶解させた後に、前記加熱された組成物を冷却することと、を含む、項目56に記載の方法。
(項目58)
前記形成された単結晶のうちの1つ以上が、単斜晶形態にある、項目51~57のいずれか一項に記載の方法。
(項目59)
各単結晶が、前記式IIの化合物の2つの異なる立体配座を含む、項目51~58のいずれか一項に記載の方法。
(項目60)
前記単結晶の各単位胞が、前記式IIの化合物の伸長立体配座および屈曲立体配座を含む、項目59に記載の方法。
(項目61)
前記式IIの化合物の各立体配座が、各単位胞内に1:1の比で存在する、項目59または60に記載の方法。
(項目62)
各単結晶の前記単位胞が、4つの分子の前記式IIの化合物を含む、項目51~61のいずれか一項に記載の方法。
(項目63)
前記単位胞が、約8.44Å×約26.56Å×約10.06Åの寸法を有する、項目62に記載の方法。
(項目64)
前記単位胞が、約2254.8Å 3 の体積を有する、項目63に記載の方法。
(項目65)
各形成された単結晶が、約1.2g/cm 3 ~約1.3g/cm 3 の密度を有する、項目51~64のいずれか一項に記載の方法。
(項目66)
各形成された単結晶が、95%以上の前記式IIの化合物の多形純度を有する、項目51~65のいずれか一項に記載の方法。
Claims (20)
- 式IIの化合物:
(式中、DMTrが、ジメトキシトリフェニルメチルである)の結晶であって、前記結晶の各単位胞が、4分子の前記式IIの化合物を含む、結晶。 - 前記式IIの結晶が、単斜晶である、請求項1に記載の結晶。
- 前記結晶中の各単位胞が、前記式IIの化合物の2つの異なる立体配座を含む、請求項1~2のいずれか一項に記載の結晶。
- 各単位胞が、前記式IIの化合物の伸長立体配座および屈曲立体配座を含む、請求項3に記載の結晶。
- 前記式IIの化合物の各立体配座が、1:1の比で存在する、請求項3~4のいずれか一項に記載の結晶。
- 前記単位胞が、8.44Å×26.56Å×10.06Åの寸法を有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の結晶。
- 前記単位胞が、2254.8Å3の体積を有する、請求項6に記載の結晶。
- 1.2g/cm3~1.3g/cm3の密度を有する、請求項7に記載の結晶。
- 前記式IIの化合物が、95%以上の多形純度を有する、請求項1~8のいずれか一項に記載の結晶。
- 式IIの化合物の1つ以上の単結晶を生産する方法であって、
1つ以上の溶媒を含む組成物を、前記式IIの化合物と接触させることと、
前記式IIの化合物の1つ以上の単結晶を形成することと、を含み、ここで、前記形成された単結晶のうちの1つ以上が、単斜晶形態にあり、前記結晶の各単位胞が、4分子の前記式IIの化合物を含み、前記1つ以上の溶媒が、ジクロロメタンおよびペンタンを含む、方法。 - 前記組成物を、10℃~75℃の温度で前記式IIの化合物と接触させる、請求項10に記載の方法。
- 前記方法が、前記組成物を十分に加熱して、前記式IIの化合物を溶解させることと、前記式IIの化合物を溶解させた後に、前記加熱された組成物を冷却することと、を含む、請求項11に記載の方法。
- 各単結晶が、前記式IIの化合物の2つの異なる立体配座を含む、請求項10~12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記単結晶の各単位胞が、前記式IIの化合物の伸長立体配座および屈曲立体配座を含む、請求項13に記載の方法。
- 前記式IIの化合物の各立体配座が、各単位胞内に1:1の比で存在する、請求項13または14に記載の方法。
- 各単結晶の前記単位胞が、4分子の前記式IIの化合物を含む、請求項10~15のいずれか一項に記載の方法。
- 前記単位胞が、8.44Å×26.56Å×10.06Åの寸法を有する、請求項16に記載の方法。
- 前記単位胞が、2254.8Å3の体積を有する、請求項17に記載の方法。
- 各形成された単結晶が、1.2g/cm3~1.3g/cm3の密度を有する、請求項10~18のいずれか一項に記載の方法。
- 各形成された単結晶が、95%以上の前記式IIの化合物の多形純度を有する、請求項10~19のいずれか一項に記載の方法。
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