JP7841332B2

JP7841332B2 - 粒子検出装置

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Publication number: JP7841332B2
Application number: JP2022062128A
Authority: JP
Inventors: 拓摩川井; 文彦中野; 公平冨田; 学大島; 亨細田
Original assignee: Omron Corp
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 2022-04-01
Filing date: 2022-04-01
Publication date: 2026-04-07
Anticipated expiration: 2042-04-01
Also published as: JP2023152156A

Description

本発明は、粒子検出装置に関する。

近年、微粒子等を検出する技術に関し、種々提案されている。例えば、下記特許文献１に記載される粒子検出センサでは、信号処理回路は、複数の粒子が検出領域を通過していない時に受光部によって受光される迷光の受光強度の経時変化量を取得する。そして、信号処理回路は、取得した経時変化量に基づいて、散乱光の受光強度を補正する。信号処理回路は、補正された散乱光の受光強度に基づいて、対象粒子を複数の粒子サイズのいずれかに分類し、かつ、検出された対象粒子の個数を特定するように構成されている。

再表２０１９／０４４２５０号公報

上述のような従来技術では、複数の粒子が検出領域を通過していない時に、受光部によって受光される迷光の受光強度の経時変化量に基づいて散乱光の受光強度を補正している。この場合、迷光の受光強度のみを考慮しているため、その他の要因による経時変化が考慮されていない。よって、経時変化に対する補正が不十分となる問題がある。

一方、粒子検出装置の計測誤差を補正する方法として、基準粒子のみを検出領域に投入して実際に計測を行うことによって補正する方法がある。この場合、基準粒子のみを精度よく検出領域に投入するためには、検査位置から移動させて、別の場所で補正作業をしなければならない。よって、その間、生産現場における粒子の監視が中断されることになり、重要な環境状態の変化を見逃す虞がある。

本発明は、一側面では、このような問題点を鑑みてなされたものであり、生産現場等における常時監視を継続しつつ、計測誤差の補正を行うことが可能となる粒子検出装置を提供することを目的とする。

本発明は、上述した課題を解決するために、以下の構成を採用する。

すなわち、本発明の一側面に係る粒子検出装置は、検知領域に向けて照射光を発する発光部と、前記検知領域を通過した通過光、または、前記照射光が前記検知領域内に存在する粒子によって散乱された散乱光を検出する受光部と、前記受光部によって検出された受光強度に基づいて粒子を検出する信号処理部と、前記検知領域と前記受光部との間の光通過領域において、通過光の通過量を低下させる、または、散乱光の光量を増大させる光量変更状態と、前記光量を変更しない通常状態とで切り替える光量切替処理を行う光量切替部と、前記光量変更状態での前記受光強度に基づいて、前記信号処理部における前記粒子の検出判定基準を補正する基準補正部と、を備える。

前記の構成によれば、光量切替部を介して、検知領域と受光部との間の光通過領域において、通過光の通過量を低下させる、または、散乱光の光量を増大させる光量変更状態に切り替えることができ、基準粒子のみを検知領域に投入した状態に設定することが可能となる。また、この光量変更状態において、基準補正部は、受光部によって検出された受光強度に基づいて、信号処理部における粒子の検出判定基準を補正することができ、計測誤差の補正を精度よく行うことが可能となる。また、粒子検出装置を検査位置から移動させることなく、信号処理部における粒子の検出判定基準を補正することができる。従って、生産現場等における常時監視を継続しつつ、計測誤差の補正を行うことが可能となる。

上記一側面における粒子検出装置において、前記光量切替部は、所定の形状の遮光部材を前記光通過領域において移動させることによって、前記光量切替処理を行うようにしてもよい。前記の構成によれば、所定形状の遮光部材を光通過領域において移動させることによって、基準粒子と同等の遮光量を実現することが可能となる。

上記一側面における粒子検出装置において、前記光量切替部は、前記粒子が通過する流路部材であって、光の通過量を低下させる減光部が設けられていない通常時流路部材と、前記通常時流路部材と同様の構造で前記減光部が設けられている補正時流路部材とを切り替えることによって、前記光量切替処理を行うようにしてもよい。前記の構成によれば、補正時流路部材に設けられた減光部の遮光量を、予め基準粒子と同等の遮光量に設定することによって、基準補正部は、計測誤差の補正を精度よく行うことが可能となる。また、粒子が通過する流路部材を通常時流路部材に切り替えることによって、粒子の検出を精度よく行うことができる。

上記一側面における粒子検出装置において、前記光量切替部は、媒質に対して印加する電圧を制御することによって光透過量が変化する電気調光部に対する電圧印加制御を行うことによって、前記光量切替処理を行うようにしてもよい。前記の構成によれば、電気調光部に対する電圧印加制御によって光透過量を変化させることができ、簡易な構成で電気調光部の遮光量を、基準粒子と同等の遮光量に容易に設定することができる。

上記一側面における粒子検出装置において、前記光量切替部は、所定の形状の光散乱部材を前記光通過領域において移動させることによって、前記光量切替処理を行うようにしてもよい。前記の構成によれば、所定形状の光散乱部材を光通過領域において移動させることによって、基準粒子と同等の拡散光を実現することが可能となる。

上記一側面における粒子検出装置において、前記光量切替部が光量変化状態としている期間に、前記検知領域に外部から粒子が進入しない状態とする粒子進入防止部をさらに備えるようにしてもよい。前記の構成によれば、光量変化状態になっている期間に、粒子進入防止部によって、外部から検知領域に粒子が進入することを防止でき、測定ノイズを低減し、補正精度の向上を図ることができる。

上記一側面における粒子検出装置において、前記粒子進入防止部は、前記粒子が通過する流路部材の入口を封鎖した封鎖状態と開放した開放状態とを手動で切替可能な構造であり、前記光量切替部は、前記開放状態と前記封鎖状態との切り替えに連動して前記光量切替処理を行うようにしてもよい。前記の構成によれば、粒子進入防止部は、手動で切替可能な構造であるため、簡易な構成にすることができ、製造コストを削減することができる。また、粒子進入防止部の封鎖状態に連動して光量変化状態に設定し、開放状態に連動して通常状態に設定することが可能となり、測定ノイズを低減し、補正精度の向上を図ることができる。

本発明によれば、生産現場等における常時監視を継続しつつ、計測誤差の補正を行うことが可能となる粒子検出装置を提供することができる。

第１実施形態に係る粒子検出装置の一例を模式的に示す外観斜視図である。第１実施形態に係る粒子検出装置の減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。第１実施形態に係る粒子検出装置の減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す断面図である。第１実施形態に係る粒子検出装置の電気的構成の一例を示すブロック図である。検知領域を粒子が通過したときの受光回路の出力信号の一例を模式的に示す図である。信号処理部が実行する第１補正処理の一例を示すメインフローチャートである。図６の検出基準補正処理のサブ処理の一例を示すサブフローチャートである。正常時と波高閾値の補正が必要な補正必要時とにおける、減光状態にした際の、受光回路の出力信号の一例を模式的に示す図である。第２実施形態に係る粒子検出装置の遮光部材を移動させる構成の一例を模式的に示す斜視図である。第３実施形態に係る粒子検出装置の減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。第３実施形態に係る粒子検出装置の電気的構成の一例を示すブロック図である。信号処理部が実行する第２補正処理の一例を示すフローチャートである。第４実施形態に係る粒子検出装置の手動で減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。信号処理部が実行する第３補正処理の一例を示すフローチャートである。第５実施形態に係る粒子検出装置の手動で減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。信号処理部が実行する第４補正処理の一例を示すフローチャートである。第６実施形態に係る粒子検出装置の減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。信号処理部が実行する第５補正処理の一例を示すフローチャートである。第７実施形態に係る粒子検出装置の減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。第８実施形態に係る粒子検出装置の減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。

以下、本発明を具体化した第１実施形態乃至第８実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一又は同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。

［第１実施形態］
第１実施形態に係る粒子検出装置１について図１乃至図８に基づいて、詳細に説明する。先ず、粒子検出装置１の概略構成について、図１乃至図３に基づいて説明する。図１は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の一例を模式的に示す外観斜視図である。図２は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の減光状態（光量変更状態）に切り替える構成の一例を模式的に示す斜視図である。図３は、第１実施形態に係る粒子検出装置の減光状態に切り替える構成の一例を模式的に示す断面図である。

図１に示すように、粒子検出装置１は、箱体状の本体ケース１１と、本体ケース１１の底面１３の４隅には、同じ長さ、例えば、長さ約１０ｍｍで下方に突出する４個の脚部１２とを有している。これにより、粒子検出装置１を床面に置いた場合には、本体ケース１１の底面１３と不図示の床面との間に、所定高さ、例えば、高さ約１０ｍｍの隙間が形成される。

粒子検出装置１は、図１中、手前側の前側壁面１５に、ディスプレイ１６と、電源スイッチ１７と、出力端子１８と、操作部１９と、が配置されている。ディスプレイ１６は、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等で構成され、小さな粒子の通過した個数等の検出結果を表示する。電源スイッチ１７は、粒子検出装置１の電源をオン、オフするスイッチである。

出力端子１８は、当該粒子検出装置１による計測結果を、電気的に接続された外部の装置に出力する端子である。操作部１９は、複数のボタンスイッチで構成され、周囲のボタンスイッチを押下することによって、ディスプレイ１６に表示されたカーソルが移動する。また、操作部１９の中央のボタンスイッチを押下することによって、カーソルが位置する各種指示ボタンの入力を決定する。粒子検出装置１が検出する粒子径は、例えば、５［μｍ］、１０［μｍ］、２０［μｍ］等で予め設定されている。

粒子検出装置１の略矩形状で平坦な天面２２には、空気中を落下する小さな粒子が進入可能な断面略円形の筒状で透明な吸引流路部２１が、天面２２から本体ケース１１内に収容されるポンプ２５まで鉛直方向に沿って貫通して形成されている。吸引流路部２１の下端部は、ポンプ２５の鉛直方向上方側に設けられた不図示の吸気口に接続されている。また、断面略円形の筒状の排気流路部２６が、ポンプ２５の鉛直方向下方側に設けられた不図示の排気口から底面１３まで、鉛直方向に沿って貫通して形成されている。

ポンプ２５は、電力の供給を受けて不図時のファンが回転し、不図示の吸気口から吸気して、不図時の排気口から排気する。従って、ポンプ２５を駆動することによって、天面２２に形成された吸引流路部２１の吸気口２１Ａから外気が吸引流路部２１に流入し、底面１３に形成された排気流路部２６の排気口２６Ａから外気が排気される。

図２に示すように、吸引流路部２１は、略円筒状の壁面２１Ｂによって、断面略円形で鉛直方向に沿って貫通する内部空間２３を構成している。従って、外気に含まれている小さな粒子が吸気口２１Ａに流入した場合には、内部空間２３を通過して、排気流路部２６の排気口２６Ａから排出される。吸引流路部２１の壁面２１Ｂは、透明樹脂等によって形成され、光を透過可能に形成されている。なお、吸引流路部２１は図２示されている構成に限定されるものではなく、吸引流路部２１の内部空間に、後述する検出部２７が設けられていても良い。この場合には、吸引流路部２１の壁面２１Ｂは光を透過しない部材で構成されていてもよい。

また、図２に示すように、本体ケース１１内には、吸引流路部２１に進入して、内部空間２３を通過する小さな粒子を検出する検出部２７が配置されている。この検出部２７について図２及び図３に基づいて説明する。図２及び図３に示すように、検出部２７は、光源３１と受光素子３２とが、吸引流路部２１を挟んで互いに対向して配置されている。光源３１と壁面２１Ｂとの間には、発光側レンズ３３が配置されている。受光素子３２と壁面２１Ｂとの間には、受光側レンズ３５が配置されている。

発光側レンズ３３は、光源３１から出射された光をコリメート化し、鉛直方向に対して垂直な略平行光として壁面２１Ｂの径方向全幅に亘って吸引流路部２１へ照射するための光学部材である。受光側レンズ３５は、吸引流路部２１を通過した略平行光を壁面２１Ｂの径方向全幅に亘って集光して受光素子３２に入射させる光学部材である。そして、光源３１から発光側レンズ３３を介して照射される照射光の光軸と、受光素子３２が受光側レンズ３５を介して受光する入射光の光軸とは、鉛直方向に対して直交する同一光軸Ｌ１上に位置するように配置されている。

その結果、図３に示すように、発光側レンズ３３を介して吸引流路部２１内に照射されたコリメート光のうち、受光側レンズ３５を介して受光素子３２まで到達できる領域が、吸引流路部２１内を通過する粒子Ｗを検知できる検知領域３６となる。従って、吸引流路部２１の内部空間２３における、検知領域３６に対応する断面領域が全て粒子Ｗを検知する領域となっている。

光源３１は、電力の供給により所定波長の光を発光する光源であり、例えば、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）素子や半導体レーザが挙げられる。光源３１が発光する波長は、受光素子３２の受光帯域範囲であり、例えば、緑色光や青色光、近紫外光等が挙げられる。光源３１として、緑色ＬＥＤを用いると、赤外光や赤色光よりも照射光の波長が短いため、より小さい粒子Ｗを検知することが可能となる。受光素子３２は、所定波長の光を受光して光信号を電気信号に変換するものであり、例えば、分光感度特性のピーク波長が赤外や赤色であるフォトダイオードやフォトトランジスタ等が挙げられる。

また、図１乃至図３に示すように、吸引流路部２１の受光素子３２側の近傍位置には、細い軸状の遮光部材３９が、天面２２から鉛直方向に沿って所定高さ、例えば、高さ約３ｍｍ～５ｍｍ、突出して、配置されている。遮光部材３９は、上端面が天面２２と面一になるまで鉛直方向に沿って下方側へ移動可能に設けられ、通常時は、不図示の圧縮コイルバネ等の付勢部材によって天面２２から所定高さ突出している。遮光部材３９は、細いピンゲージ、例えば、直径約０．５ｍｍのピンゲージ等を用いることができる。

図３に示すように、遮光部材３９は、発光側レンズ３３を介して吸引流路部２１内に照射されたコリメート光のうち、粒子Ｗを検知できる検知領域３６と受光側レンズ３５との間の光通過領域３７に対向するように配置されている。遮光部材３９は、光通過領域３７内の光軸Ｌ１に直交する鉛直線上に配置されるのが好ましい。また、遮光部材３９の長さは、通常時は、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７よりも鉛直方向上側に位置する長さに設定されている。一方、遮光部材３９の長さは、上端面が天面２２と面一になった場合には、下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出する長さに設定されている。

また、図１及び図２に示すように、光源３１から発光側レンズ３３を介して照射される照射光の光軸Ｌ１に対して直交する方向において、吸引流路部２１の吸気口２１Ａの奥側の近傍位置には、略円板状の蓋４１が吸気口２１Ａを開閉可能に設けられている。蓋４１は、一側縁部が天面２２に対して回動可能に設けられ、通常時は、不図時の圧縮コイルバネ等の付勢部材によって、吸引流路部２１に対して少し奥側方向へ傾くように立てられて、吸気口２１Ａを開放している。

一方、蓋４１は、開閉用アクチュエータ４２（図４参照）に電力を供給することによって、吸引流路部２１側へ回動されて全面に亘って天面２２に接触し、吸気口２１Ａを閉鎖すると共に、遮光部材３９の上端面が天面２２と面一になるように押し込む。その結果、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態に切り替えられる。尚、開閉用アクチュエータ４２を設けずに、蓋４１がユーザによって手動で開閉されるようになっていてもよい。

ここで、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光する遮光量は、粒子検出装置１の計測誤差の補正時に、粒子Ｗを検知する検知領域３６に基準粒子のみを投入した状態の遮光量と同等の遮光量になるように設定されている。

また、図１に示すように、本体ケース１１内には、検出部２７から入力された粒子検出信号から、小さな粒子の通過した個数等を算出する信号処理部４３が配置されている。また、信号処理部４３は、光源３１と、ポンプ２５と、開閉用アクチュエータ４２（図４参照）とを駆動制御する。

次に、粒子検出装置１の電気的構成の一例について図４に基づいて説明する。図４は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の電気的構成の一例を示すブロック図である。図４に示すように、粒子検出装置１は、検出部２７と、信号処理部４３と、ディスプレイ１６と、出力端子１８と、操作部１９と、ポンプ２５と、開閉用アクチュエータ４２とを備えている。

検出部２７は、光源３１と、光源３１に電気的に接続される光源駆動回路４５と、受光素子と３２とを有している。光源駆動回路４５は、電源スイッチ１７がオンになった場合に、電源から電力が供給されて、信号処理部４３からの電力指示信号に基づいて、光源３１に電力指示信号に応じた電力を供給する。その結果、光源３１は、光源駆動回路４５から供給された電力によって所定波長の光を発光する。

信号処理部４３は、ＣＰＵ、ＥＥＰＲＯＭ（登録商標）、ＲＡＭ、タイマ等を備えた、いわゆる公知のコンピュータである。また、信号処理部４３は、受光回路４６を備えている。ＣＰＵは、ＥＥＰＲＯＭに記憶された各種のプログラムや各種パラメータに基づいて、種々の演算処理を実行する。ＲＡＭは、ＣＰＵでの演算結果や検出部２７から入力されたデータを一時的に記憶する。

ＥＥＰＲＯＭは、例えば、信号処理部４３における粒子の検出判定基準である波高閾値を補正する第１補正処理（図６参照）のプログラム等を記憶する。受光回路４６は、受光素子３２に電気的に接続され、受光素子３２から受光強度に基づく電流信号が入力される。受光回路４６は、受光素子３２から入力された電流信号を電圧値に変換して増幅した後、アナログ信号である電圧値をデジタル信号に変換して信号処理部４３に出力する。

信号処理部４３は、光源駆動回路４５が電気的に接続され、光源駆動回路４５に対して、光源３１に供給する電力を指示する電力指示信号を出力する。信号処理部４３は、操作部１９の複数のボタンスイッチが電気的に接続され、各ボタンスイッチの操作信号が入力される。信号処理部４３は、ディスプレイ１６と出力端子１８とが電気的に接続され、例えば、吸引流路部２１に流入した粒子の個数を検知した結果をディスプレイ１６に表示する。信号処理部４３は、出力端子１８に他の装置が電気的に接続されている場合には、計測結果を出力端子１８から他の装置に出力する。

次に、受光回路４６から信号処理部４３に出力される信号波形について図５に基づいて説明する。図５は、検出部２７の検知領域３６を粒子が通過したときの受光回路４６の出力信号の一例を模式的に示す図である。図５に示すように、検出部２７の検知領域３６を所定の粒子径、例えば、粒子径１０［μｍ］の粒子が通過した際には、受光回路４６の信号波形が減少し、この減少分である波高値Ｐが波高閾値ＰＴＨを超える。従って、信号処理部４３は、受光回路４６の信号波形の波高値Ｐが波高閾値ＰＴＨを超えた受光タイミングで、所定の粒子径、例えば、粒子径１０［μｍ］の粒子が通過したと判定し、通過個数をカウントする。

次に、上記のように構成された粒子検出装置１の信号処理部４３が実行する、検出部２７の検知領域３６を通過した粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する第１補正処理の一例について図６乃至図８に基づいて説明する。図６は、信号処理部４３が実行する第１補正処理の一例を示すメインフローチャートである。

尚、信号処理部４３は、起動された場合に、所定時間毎（例えば、約５分～１０分間隔）にて、図６のフローチャートで示される処理手順を繰り返し実行する。図６及び図７のフローチャートで示されるプログラムは、ＥＥＰＲＯＭに予め記憶されている。また、信号処理部４３は、設定された電力に応じた電力指示信号を光源駆動回路４５に出力している。

図６に示すように、先ず、ステップＳ１１において、信号処理部４３は、タイマから入力される時刻情報に基づいて、現在の時刻が、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する補正タイミングであるか判定する。例えば、信号処理部４３は、工場の生産ラインが停止した時刻であるか判定する。そして、信号処理部４３は、現在の時刻が、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する補正タイミングでないと判定した場合は（Ｓ１１：ＮＯ）、第１補正処理を終了する。尚、補正タイミングか否かの判断は、ユーザからの補正指示入力が行われたタイミングによって決定されてもよい。

一方、信号処理部４３は、現在の時刻が、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する補正タイミングであると判定した場合は（Ｓ１１：ＹＥＳ）、ステップＳ１２に進む。ステップＳ１２において、信号処理部４３は、ポンプ２５の駆動を停止して、吸引流路部２１への外気の吸い込みを停止した後、ステップＳ１３に進む。

ステップＳ１３において、信号処理部４３は、開閉用アクチュエータ４２に電力を供給する。つまり、信号処理部４３は、蓋４１を吸引流路部２１側へ回動して、全面に亘って天面２２に接触させ、吸気口２１Ａを閉鎖すると共に、遮光部材３９の上端面が天面２２と面一になるように押し込む。その結果、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態に切り替えられる。また、蓋４１によって吸気口２１Ａが閉鎖されるため、粒子が吸引流路部２１に進入することを防止できる。その後、信号処理部４３は、ステップS１４に進む。

尚、蓋４１がユーザによって手動で閉じられる構成の場合、蓋４１が閉じられることをトリガーにして、ポンプ２５の駆動が停止され、以下の検出基準補正処理が行われるようになっていてもよい。

ステップＳ１４において、信号処理部４３は、後述の検出基準補正処理のサブ処理（図７参照）を実行した後、ステップS１５に進む。信号処理部４３は、検出基準補正処理のサブ処理を実行することによって、光源３１の経時変化等に伴う、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する。

ステップＳ１５において、信号処理部４３は、開閉用アクチュエータ４２への電力の供給を停止する。つまり、信号処理部４３は、蓋４１を吸引流路部２１に対して少し奥側方向へ傾くように立てられた通常状態に戻す。その結果、吸気口２１Ａは、開放された状態になり、外気が流入可能な通常状態になる。また、遮光部材３９は、天面２２から所定高さ突出して、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７よりも鉛直方向上側に位置する通常状態に設定される。その後、信号処理部４３は、ステップS１６に進む。

ステップＳ１６において、信号処理部４３は、ポンプ２５を再駆動した後、第１補正処理を終了する。これより、ポンプ２５が再駆動されると、吸気口２１Ａから外気が吸引流路部２１に流入し、外気に含まれる粒子が検出部２７の検知領域３６を通過する。その結果、信号処理部４３は、再度、粒子を検出して、粒子の個数をカウントする。

次に、上記ステップＳ１４で信号処理部４３が実行する検出基準補正処理のサブ処理の詳細について図７に基づいて説明する。図７は、検出基準補正処理のサブ処理の一例を示すサブフローチャートである。図７に示すように、先ず、信号処理部４３は、光源駆動回路４５に電力指示信号を出力して、光源３１から所定波長の光を照射する。そして、信号処理部４３は、受光回路４６から入力された信号の波高値Ｐを計測して、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態の波高値ＰとしてＲＡＭに記憶した後、ステップＳ２２に進む。ステップＳ２２において、信号処理部４３は、減光状態の波高値ＰをＲＡＭから読み出して、この波高値Ｐが基準波高閾値ＧＴＨを超えたか判定する。

ここで、図８の左側に示すように、光源３１の出力等が正常な場合には、蓋４１を閉鎖して、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態における波高値Ｐは、基準波高閾値ＧＴＨと一致する。一方、光源３１が経時変化によって劣化すると照射する光量が低下し、またその他の要因によっても受光量が変化する。その結果、図８の右側に示すように、蓋４１を閉鎖して、光通過領域３７の光通過量が変化した減光状態における波高値Ｐは、基準波高閾値ＧＴＨと異なる値となっている（図８に示す例では、波高値Ｐは、基準波高閾値ＧＴＨよりも大きくなっている）。

従って、例えば、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨから基準波高閾値ＧＴＨとの差分ΔＰ１だけ減算して補正する必要が生じる。尚、基準波高閾値ＧＴＨは、粒子Ｗを検知する検知領域３６に基準粒子のみを投入した状態の遮光量に相当する減光状態における、波高値Ｐであり、予め実験等により計測されて、ＥＥＰＲＯＭに記憶されている。

そして、ステップＳ２２で、信号処理部４３は、減光状態の波高値ＰをＲＡＭから読み出して、この波高値Ｐが基準波高閾値ＧＴＨとほぼ一致していると判定した場合は（Ｓ２２：ＮＯ）、正常であると判定する。そして、信号処理部４３は、光源駆動回路４５に電源停止信号を出力して、光源３１への電力供給を停止するように指示する。その後、信号処理部４３は、検出基準補正処理のサブ処理を終了して、メインフローチャートに戻り、上記ステップＳ１５に進む。

一方、ステップＳ２２で、信号処理部４３は、減光状態の波高値ＰをＲＡＭから読み出して、この波高値Ｐが基準波高閾値ＧＴＨと異なる値となっている、と判定した場合は（Ｓ２２：ＹＥＳ）、ステップＳ２３に進む。ステップＳ２３において、信号処理部４３は、減光状態の波高値Ｐの基準波高閾値ＧＴＨを超えた差分ΔＰ１を算出して、波高閾値ＰＴＨの補正量としてＲＡＭに記憶した後、ステップＳ２４に進む。

ステップ２４において、信号処理部４３は、波高閾値ＰＴＨの補正量としてＲＡＭに記憶した差分ΔＰ１をＲＡＭから読み出す。そして、信号処理部４３は、ＥＥＰＲＯＭから現在の波高閾値ＰＴＨを読み出し、この波高閾値ＰＴＨから差分ΔＰ１を減算して、再度、波高閾値ＰＴＨとしてＥＥＰＲＯＭに記憶する。そして、信号処理部４３は、光源駆動回路４５に電源停止信号を出力して、光源３１への電力供給を停止するように指示する。その後、信号処理部４３は、検出基準補正処理のサブ処理を終了して、メインフローチャートに戻り、上記ステップＳ１５に進む。

以上詳細に説明した通り、第１実施形態に係る粒子検出装置１では、信号処理部４３は、波高閾値ＰＴＨを補正する補正タイミングになった場合は、開閉用アクチュエータ４２に電力を供給して蓋４１を吸引流路部２１側へ回動して全面に亘って天面２２に接触させる。その結果、蓋４１は、吸引流路部２１の吸気口２１Ａを閉鎖すると共に、遮光部材３９の上端面が天面２２と面一になるように押し込む。その結果、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側へ突出して、コリメート光を遮光することによって、光の通過量が低下した減光状態に切り替えることができ、基準粒子のみを検知領域３６に投入した状態に設定することが可能となる。

また、この減光状態において、信号処理部４３は、受光回路４６から入力される波高値Ｐと基準波高閾値ＧＴＨとの差分ΔＰ１を算出し、波高閾値ＰＴＨを差分ΔＰ１だけ補正することができ、計測誤差の補正を精度よく行うことが可能となる。また、粒子検出装置１を検査位置から移動させることなく、信号処理部４３における粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正することができる。これにより、生産現場等における常時監視を継続しつつ、粒子検出装置１の計測誤差の補正を行うことが可能となる。

また、光通過領域３７の光の通過量が低下した減光状態になっている期間に、蓋４１によって、外部から検知領域３６に粒子が進入することを防止することができ、測定ノイズの低減化を図ることができる。

ここで、光源３１は、発光部の一例として機能する。受光素子３２は、受光部の一例として機能する。遮光部材３９と、蓋４１と、開閉用アクチュエータ４２と、信号処理部４３とは、光量切替部の一例を構成する。信号処理部４３は、基準補正部の一例として機能する。蓋４１と、開閉用アクチュエータ４２と、信号処理部４３とは、粒子進入防止部の一例を構成する。

［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る粒子検出装置５１について、図９に基づいて説明する。第２実施形態に係る粒子検出装置５１は、第１実施形態に係る粒子検出装置１とほぼ同じ構造である。また、第２実施形態に係る粒子検出装置５１の電気的構成は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の電気的構成とほぼ同じ構成である。但し、図９に示すように、第２実施形態に係る粒子検出装置５１は、蓋４１に替えて、蓋５３が設けられている点で異なっている。蓋５３の構成について図９に基づいて説明する。

図９に示すように、平面視略扇形で板状の蓋５３は、幅が狭くなる基端側に貫通孔５３Ａが形成されている。蓋５３は、本体ケース１１の天面２２から鉛直方向に沿って突出する軸５５が貫通孔５３Ａに挿入されて、天面２２上を摺動しつつ、軸５５回りに水平方向に回動可能に配置されている。通常状態では、蓋５３は、吸引流路部２１の吸気口２１Ａ及び天面２２から突出する遮光部材３９よりも正面視左側に位置している。蓋５３の貫通孔５３Ａから先端までの半径寸法及び周方向の幅は、蓋４３が軸５５回りに水平方向に回動した場合に、吸気口２１Ａ及び遮光部材３９を覆うことができるように形成されている。

また、蓋５３は、軸５５の軸心を中心として、遮光部材３９の軸心を通る円５６に沿って、蓋５３の吸気口２１Ａ側の側縁から内側方向へ、断面Ｕ字状で天面２２に対して反対側（上方側）へ突出する溝部５７が形成されている。溝部５７の幅は、遮光部材３９の直径よりも大きい幅、例えば、遮光部材３９の直径の２倍～４倍の幅に形成されている。溝部５７の側縁側の高さは、遮光部材３９の天面２２から突出する通常状態の突出高さよりも少し大きい高さに形成されている。そして、溝部５７の内側天井面の高さは、側縁側から円５６に沿って内側方向へ行くに従って、高さが徐々に低くなって、下面に達している。

また、溝５７の奥側端部から蓋５３の吸気口２１Ａに対して反対側の側縁までの幅は、吸気口２１Ａ及び遮光部材３９を覆うことが可能な幅に形成されている。また、蓋５３は、通常時は不図示の圧縮コイルバネ等の付勢部材によって、吸気口２１Ａ及び遮光部材３９よりも正面視左側に位置して、吸気口２１Ａを開放している。

一方、蓋５３は、開閉用アクチュエータ４２（図４参照）に電力を供給することによって、吸気口２１Ａ及び遮光部材３９側へ水平方向に回動される。そして、遮光部材３９の上端部が溝部５７に進入して、鉛直方向下方へ押し込められて、遮光部材３９の上端面が天面と面一になると共に、吸気口２１Ａが蓋５３によって閉鎖される。その結果、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態に切り替えられる。なお、開閉用アクチュエータ４２は、ソレノイドやステッピングモータなどで実現される。また、実施形態１と同様に、開閉用アクチュエータ４２を設けずに、蓋４１がユーザによって手動で開閉されるようになっていてもよい。

ここで、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光する遮光量は、粒子検出装置５１の計測誤差の補正時に、粒子Ｗを検知する検知領域３６に基準粒子のみを投入した状態の遮光量と同等の遮光量になるように設定されている。

従って、第２実施形態に係る粒子検出装置５１では、信号処理部４３は、上記第１補正処理（図６参照）を実行する際に、ステップＳ１３において、開閉用アクチュエータ４２に電力を供給する。つまり、信号処理部４３は、蓋５３を吸気口２１Ａ及び遮光部材３９側へ水平方向に回動して、吸気口２１Ａを閉鎖すると共に、遮光部材３９の上端面が天面２２と面一になるように押し込む。その後、信号処理部４３は、ステップＳ１４に進む。

これにより、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光通過量が低下して減光状態に切り替えられる。また、蓋５３によって吸気口２１Ａが閉鎖されるため、粒子が吸引流路部２１に進入するのを防止できる。

また、信号処理部４３は、上記第１補正処理（図６参照）を実行する際に、ステップＳ１５において、開閉用アクチュエータ４２への電力の供給を停止する。つまり、信号処理部４３は、蓋５３を吸気口２１Ａ及び遮光部材３９よりも正面視左側に位置する通常状態に戻す。その後、信号処理部４３は、ステップＳ１６に進む。

これにより、吸気口２１Ａは、開放された状態になり、外気が流入可能な通常状態になる。また、遮光部材３９は、天面２２から所定高さ突出して、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７よりも鉛直方向上側に位置する通常状態に設定される。

以上詳細に説明した通り、第２実施形態に係る粒子検出装置５１では、第１実施形態に係る粒子検出装置１が奏する効果と同一の効果を奏することができる。ここで、遮光部材３９と、蓋５３と、開閉用アクチュエータ４２と、信号処理部４３とは、光量切替部の一例を構成する。蓋５３と、開閉用アクチュエータ４２と、信号処理部４３とは、粒子進入防止部の一例を構成する。

［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る粒子検出装置６１について図１０～図１２に基づいて説明する。第３実施形態に係る粒子検出装置６１は、第１実施形態に係る粒子検出装置１とほぼ同じ構成である。但し、図１０に示すように、遮光部材３９に替えて、電気調光部６３が配置されている点で異なっている。第３実施形態に係る粒子検出装置６１の概略構成について図１０に基づいて説明する。

図１０に示すように、粒子検出装置６１の吸引流路部２１の壁面２１Ｂには、遮光部材３９に替えて、正面視細長矩形状の電気調光部６３が、光通過領域３７を鉛直方向に沿って上下両側に突出するように、受光側レンズ３５に対向して配置されている。電気調光部６３は、電圧印加のオン・オフ、または、印加電圧値の調整によって、透明化と不透明化とを切り替え可能な部材である。例えば、電気調光部６３は、電圧印加のオン・オフで透明化と不透明化とを切り替え可能な調光フィルムや、印加電圧値の調整によって、透明化と不透明化とを切り替え可能な液晶や有機ＥＬ等で構成される。

電気調光部６３は、透明化された場合は、コリメート光を透過し、不透明化された場合は、コリメート光を遮光する。ここで、電気調光部６３が不透明化されて、コリメート光を遮光する遮光量は、粒子検出装置６１の計測誤差の補正時に、粒子Ｗを検知する検知領域３６に基準粒子のみを投入した状態の遮光量と同等の遮光量になるように設定されている。

尚、電気調光部６３は、光通過領域３７内の光軸Ｌ１に対して直交する鉛直線上に配置されると共に、光軸Ｌ１が電気調光部６３の幅方向の略中央位置に垂直に通るように配置されるのが好ましい。また、電気調光部６３は、壁面２１Ｂに接触して光通過領域３７に配置されてもよいし、壁面２１Ｂの近傍の光通過領域３７に配置されてもよい。

また、吸引流路部２１の吸気口２１Ａの近傍位置には、天面２２に接触した蓋４１を検出する蓋検出スイッチ６５が配置されている。蓋検出スイッチ６５は、メカニカルスイッチやホール素子などで構成されている。蓋検出スイッチ６５は、例えば、蓋４１を検出した場合に、ＯＮ信号を出力し、蓋４１を検出していない場合は、ＯＦＦ信号を出力する。

次に、粒子検出装置６１の電気的構成の一例について図１１に基づいて説明する。図１１に示すように、粒子検出装置６１の電気的構成は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の電気的構成とほぼ同じ構成である。但し、信号処理部４３には、遮光部材３９に替えて、電気調光部６３が電気的に接続されている。また、信号処理部４３には、蓋検出スイッチ６５が電気的に接続されている。

信号処理部４３は、電気調光部６３の電圧印加のオン・オフ、または、印加電圧値を調整する電圧印加制御を行うことによって、電気調光部６３の透明化と不透明化とを切り替える。また、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ６５から入力されるＯＮ・ＯＦＦ信号から蓋４１の開放状態と閉鎖状態とを検出する。

次に、上記のように構成された粒子検出装置６１の信号処理部４３が実行する、検出部２７の検知領域３６を通過した粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する第２補正処理の一例について図１２に基づいて説明する。図１２は、信号処理部４３が実行する第２補正処理の一例を示すメインフローチャートである。

尚、信号処理部４３は、起動された場合に、所定時間毎（例えば、約５分～１０分間隔）にて、図１２のフローチャートで示される処理手順を繰り返し実行する。図１２及び図７のフローチャートで示されるプログラムは、ＥＥＰＲＯＭに予め記憶されている。また、信号処理部４３は、設定された電力に応じた電力指示信号を光源駆動回路４５に出力している。信号処理部４３は、ポンプ２５に電力を供給して駆動している。また、信号処理部４３は、電気調光部６３の電圧印加のオン・オフ、または、印加電圧値を調整する電圧印加制御を行って、電気調光部６３を透明化する。つまり、通常状態では、電気調光部６３は、透明化されている。

図１２に示すように、信号処理部４３は、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１１～ステップＳ１３の処理を実行する。そして、ステップＳ１３において、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ６５から閉鎖された蓋４１を検出した旨を表すＯＮ信号が入力されるのを待つ。そして、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ６５からＯＮ信号が入力された場合は、吸気口２１Ａが蓋４１によって閉鎖されたと判定して、ステップＳ３１に進む。これにより、吸気口２１Ａを確実に閉鎖して、外部から粒子が検知領域３６へ進入することを確実に防止することができる。

ステップＳ３１において、信号処理部４３は、電気調光部６３の電圧印加のオン・オフ、または、印加電圧値を調整する電圧印加制御を行って、電気調光部６３を不透明化する。つまり、信号処理部４３は、電気調光部６３を不透明化して、コリメート光を遮光する遮光状態に設定する。その結果、信号処理部４３は、電気調光部６３を介して、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態に切り替える。その後、信号処理部４３は、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１４の処理に進む。

ステップＳ１４において、信号処理部４３は、上記検出基準補正処理のサブ処理（図７参照）を実行した後、ステップＳ３２に進む。信号処理部４３は、検出基準補正処理のサブ処理を実行することによって、光源３１の経時変化等に伴う、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する。

ステップＳ３２において、信号処理部４３は、電気調光部６３の電圧印加のオン・オフ、または、印加電圧値を調整する電圧印加制御を行って、再度、電気調光部６３を透明化する。つまり、信号処理部４３は、電気調光部６３を透明化して、コリメート光を透過する通常状態に再設定する。その結果、信号処理部４３は、光通過領域３７の光通過量を通常状態に再設定する。その後、信号処理部４３は、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップS１５の処理に進む。

ステップＳ１５において、信号処理部４３は、開閉用アクチュエータ４２への電力の供給を停止する。そして、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ６５から蓋４１を検出しない、つまり、蓋４１が通常状態に戻り、吸気口２１Ａが開放された旨を表すＯＦＦ信号が入力されるのを待つ。そして、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ６５からＯＦＦ信号が入力された場合は、吸気口２１Ａが開放されたと判定して、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップS１６の処理に進む。

ステップＳ１６において、信号処理部４３は、ポンプ２５を再駆動した後、第２補正処理を終了する。その結果、吸気口２１Ａは、開放された状態になり、外気が流入可能な通常状態になる。また、ポンプ２５が再駆動されて、吸気口２１Ａから外気に含まれる粒子が検出部２７の検知領域３６を通過する。これにより、信号処理部４３は、再度、粒子を検出して、粒子の個数をカウントする。

以上詳細に説明した通り、第３実施形態に係る粒子検出装置６１では、信号処理部４３は、波高閾値ＰＴＨ補正する補正タイミングになった場合は、開閉用アクチュエータ４２に電力を供給して蓋４１を吸引流路部２１側へ回動して全面に亘って天面２２に接触させる。その結果、蓋４１は、吸引流路部２１の吸気口２１Ａを閉鎖する。また、信号処理部４３は、電気調光部６３の電圧印加制御を行って、不透明化して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光の通過量が低下した減光状態に切り替えることができ、基準粒子のみを検知領域３６に投入した状態に設定することが可能となる。

また、この減光状態において、信号処理部４３は、受光回路４６から入力される波高値Ｐと基準波高閾値ＧＴＨとの差分ΔＰ１を算出し、波高閾値ＰＴＨを差分ΔＰ１だけ補正することができ、計測誤差の補正を精度よく行うことが可能となる。また、粒子検出装置６１を検査位置から移動させることなく、信号処理部４３における粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正することができる。これにより、生産現場等における常時監視を継続しつつ、粒子検出装置６１の計測誤差の補正を行うことが可能となる。

また、電気調光部６３に対する電圧印加制御によって光透過量を変化させることができ、簡易な構成で電気調光部６３の遮光量を、基準粒子と同等の遮光量に容易に設定することができる。ここで、電気調光部６３と信号処理部４３とは、光量切替部の一例を構成する。

［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る粒子検出装置７１について、図１３及び図１４に基づいて説明する。第４実施形態に係る粒子検出装置７１は、第１実施形態に係る粒子検出装置１とほぼ同じ構成である。但し、図１３に示すように、蓋４１と、開閉用アクチュエータ４２とに替えて、吸引流路部２１の吸気口２１Ａに手動で着脱可能な蓋７３を備えている点で異なっている。蓋７３について図１３に基づいて説明する。

図１３に示すように、蓋７３は、略円柱状の把持部７３Ａと、把持部７３Ａの一方（下側）の端面に同軸に形成された略円柱状の挿入部７３Ｂとを有し、ゴム等の弾性部材で形成されている。挿入部７３Ｂは、吸引流路部２１の吸気口２１Ａの内径とほぼ等しい外径に形成され、吸気口２１Ａ内に押し込み可能、かつ、吸気口２１Ａから抜き取り可能に形成されている。また、把持部７３Ａは、片手で把持可能な直径を有する円柱状に形成されている。把持部７３Ａの外径は、第１実施形態に係る蓋４１の外径とほぼ等しい寸法に形成されている。

従って、蓋７３の挿入部７３Ｂを吸気口２１Ａに押し込んで、把持部７３Ａの下端面を全面に亘って本体ケース１１の天面２２に接触させた場合には、遮光部材３９の上端面が天面２２と面一になるように押し込まれる。その結果、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態に切り替えられる。

また、蓋７３の挿入部７３Ｂを吸気口２１Ａに押し込んで、把持部７３Ａの下端面を全面に亘って本体ケース１１の天面２２に接触させた場合には、吸気口２１Ａが挿入部７３Ｂによって封鎖された封鎖状態に設定される。一方、蓋７３の把持部７３Ａを把持して、吸気口２１Ａから挿入部７３Ｂを抜き取った場合には、吸気口２１Ａは開放された開放状態となり、外気が流入可能な通常状態となる。

また、吸気口２１Ａの遮光部材３９に対して反対側の近傍位置には、天面２２に接触した蓋７３の把持部７３Ａを検出する蓋検出スイッチ７５が配置されている。蓋検出スイッチ７５は、メカニカルスイッチやホール素子などで構成され、信号処理部４３に電気的に接続されている。蓋検出スイッチ７５は、例えば、蓋７３の把持部７３Ａを検出した場合に、ＯＮ信号を信号処理部４３に出力し、蓋７３の把持部７３Ａを検出していない場合は、ＯＦＦ信号を信号処理部４３に出力する。

従って、粒子検出装置７１の電気的構成は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の電気的構成とほぼ同じ構成である。但し、信号処理部４３には、開閉用アクチュエータ４２に替えて、蓋検出スイッチ７５が電気的に接続されている。

次に、上記のように構成された粒子検出装置７１の信号処理部４３が実行する、検出部２７の検知領域３６を通過した粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する第３補正処理の一例について図１４に基づいて説明する。図１４は、信号処理部４３が実行する第３補正処理の一例を示すメインフローチャートである。

尚、信号処理部４３は、起動された場合に、所定時間毎（例えば、約１０ｍｓｅｃ～１００ｍｓｅｃ間隔）にて、図１４のフローチャートで示される処理手順を繰り返し実行する。図１４及び図７のフローチャートで示されるプログラムは、ＥＥＰＲＯＭに予め記憶されている。また、信号処理部４３は、設定された電力に応じた電力指示信号を光源駆動回路４５に出力している。信号処理部４３は、ポンプ２５に電力を供給して駆動している。

図１４に示すように、先ず、ステップＳ４１において、信号処理部４３は、ディスプレイ１６に表示された各種指示ボタンから不図示の補正開始ボタンが操作部１９を介して、決定されたか判定する。つまり、信号処理部４３は、ユーザが、操作部１９の周囲のボタンスイッチを押下して、カーソルを補正開始ボタンの上に移動させて、操作部１９の中央のボタンスイッチを押下して、補正開始ボタンの入力を決定したか判定する。
そして、信号処理部４３は、ディスプレイ１６に表示された補正開始ボタンが操作部１９を介して、決定されていないと判定した場合は（Ｓ４１：ＮＯ）、第３補正処理を終了する。

一方、信号処理部４３は、ディスプレイ１６に表示された補正開始ボタンが操作部１９を介して、決定されたと判定した場合は（Ｓ４１：ＹＥＳ）、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１２の処理に進む。ステップＳ１２において、信号処理部４３は、ポンプ２５の駆動を停止して、吸引流路部２１への外気の吸い込みを停止した後、ステップＳ４２に進む。

ステップＳ４２において、信号処理部４３は、蓋７３の挿入部７３Ｂが吸気口２１Ａに押し込められて、吸気口２１Ａが封鎖されると共に、遮光部材３９の上端面が天面２２と面一になるまで押し込まれたか判定する。つまり、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５から蓋７３の把持部７３Ａを検出した旨を表すＯＮ信号が入力されたか判定する。

そして、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５から蓋７３の把持部７３Ａを検出しない旨を表すＯＦＦ信号が入力された場合は（Ｓ４２：ＮＯ）、蓋検出スイッチ７５からＯＮ信号が入力されるのを待つ。一方、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５からＯＮ信号が入力された場合は（Ｓ４２：ＹＥＳ）、吸気口２１Ａが蓋７３によって封鎖されたと判定して、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１４の処理に進む。

ステップＳ１４において、信号処理部４３は、上記検出基準補正処理のサブ処理（図７参照）を実行した後、ステップＳ４３に進む。信号処理部４３は、検出基準補正処理のサブ処理を実行することによって、光源３１の経時変化等に伴う、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する。

ステップＳ４３において、信号処理部４３は、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨの補正が終了した旨を表す表示、例えば、「補正が終了しました。」の表示をディスプレイ１６に表示した後、ステップＳ４４の処理に進む。

ステップＳ４４において、信号処理部４３は、吸気口２１Ａから蓋７３が取り外されたか判定する。つまり、信号処理部４３は、吸気口２１Ａが開放されると共に、遮光部材３９が天面２２から所定高さ突出して、遮光部材３９の下端部が光通過領域３７よりも鉛直方向上側に位置する通常状態に設定されたか判定する。具体的には、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５から蓋７３の把持部７３Ａを検出しない旨を表すＯＦＦ信号が入力されたか判定する。

そして、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５から蓋７３の把持部７３Ａを検出した旨を表すＯＮ信号が入力された場合は（Ｓ４４：ＮＯ）、蓋検出スイッチ７５からＯＦＦ信号が入力されるのを待つ。一方、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５からＯＦＦ信号が入力された場合は（Ｓ４４：ＹＥＳ）、蓋７３が取り外されたと判定して、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１６の処理に進む。つまり、信号処理部４３は、吸気口２１Ａが開放されると共に、遮光部材３９が天面２２から所定高さ突出したと判定して、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１６の処理に進む。

ステップＳ１６において、信号処理部４３は、ポンプ２５を再駆動した後、第３補正処理を終了する。その結果、吸気口２１Ａは、開放された状態になり、外気が流入可能な通常状態になる。また、ポンプ２５が再駆動されて、吸気口２１Ａから外気に含まれる粒子が検出部２７の検知領域３６を通過する。これにより、信号処理部４３は、再度、粒子を検出して、粒子の個数をカウントする。

以上詳細に説明した通り、第４実施形態に係る粒子検出装置７１では、第１実施形態に係る粒子検出装置１が奏する効果と同一の効果を奏することができる。また、吸引流路部２１の吸気口２１Ａを封鎖した封鎖状態と開放した開放状態とを蓋７３を用いて、手動で切替可能な構造であるため、簡易な構成にすることができ、製造コストを削減することができる。

また、蓋７３による吸気口２１Ａの封鎖状態に連動して、光通過領域３７の光の通過量を減光状態に設定できる。また、蓋７３による吸気口２１Ａの開放状態に連動して、光通過領域３７の光通過量を通常状態に設定することができ、測定ノイズの低減化を図り、補正精度の向上を図ることができる。ここで、蓋７３は、粒子進入防止部の一例として機能する。

［第５実施形態］
次に、第５実施形態に係る粒子検出装置８１について、図１５及び図１６に基づいて説明する。第５実施形態に係る粒子検出装置８１は、第４実施形態に係る粒子検出装置７１とほぼ同じ構成である。また、第５実施形態に係る粒子検出装置８１の電気的構成は、第４実施形態に係る粒子検出装置７１の電気的構成とほぼ同じ構成である。但し、図１５に示すように、蓋７３の把持部７３Ａの鉛直方向上側の上端面に、把持部７３Ａと同軸にフィルターケース８３が固定されている点で異なっている。また、蓋７３には、把持部７３Ａの上端面から挿入部７３Ｂの下端面まで貫通する貫通孔８９が軸心に沿って形成されている点で異なっている。

フィルターケース８３について図１５に基づいて説明する。図１５に示すように、フィルターケース８３は、鉛直方向上側から、細い円筒状の吸引筒部８５と、フィルタ筒部８６と、連結筒部８７とが、同軸に接続されて、互いに連通している。また、連結筒部８７の下端面は、蓋７３の軸心に沿って形成された貫通孔８９に連通している。フィルタ筒部８６の外径は、蓋７３の把持部７３Ａの外径よりも僅かに小さい寸法に形成されている。また、連結筒部８７の外径は、フィルタ筒部８６の外径よりも小さい寸法に形成されている。

また、フィルタ筒部８６には、ゼロカウントフィルタ８８が収容されている。ゼロカウントフィルタ８８は、セラミックス等で円柱状に形成され、吸引筒部８５からフィルタ筒部８６に流入した外気に含まれる粒子を捕集して、連結筒部８７へ粒子を含まない外気だけが通過するように構成されている。従って、吸引筒部８５の吸引口８５Ａからフィルターケース８３内に流入した外気に含まれる粒子は、ゼロカウントフィルタ８８によって捕集される。その結果、粒子を含まない外気だけが、フィルタ筒部８６から連結筒部８７及び貫通孔８９を経て、蓋７３の挿入部７３Ｂの下端面から流出する。

次に、上記のように構成された粒子検出装置８１の信号処理部４３が実行する、検出部２７の検知領域３６を通過した粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する第４補正処理の一例について図１６に基づいて説明する。図１６は、信号処理部４３が実行する第４補正処理の一例を示すメインフローチャートである。

尚、信号処理部４３は、起動された場合に、所定時間毎（例えば、約１０ｍｓｅｃ～１００ｍｓｅｃ間隔）にて、図１６のフローチャートで示される処理手順を繰り返し実行する。図１６及び図７のフローチャートで示されるプログラムは、ＥＥＰＲＯＭに予め記憶されている。また、信号処理部４３は、設定された電力に応じた電力指示信号を光源駆動回路４５に出力している。信号処理部４３は、ポンプ２５に電力を供給して駆動している。

図１６に示すように、信号処理部４３は、上記第４実施形態に係る第３補正処理（図１４参照）のステップＳ４１の処理を実行する。そして、信号処理部４３は、ディスプレイ１６に表示された補正開始ボタンが操作部１９を介して、決定されていないと判定した場合は（Ｓ４１：ＮＯ）、第４補正処理を終了する。

一方、信号処理部４３は、ディスプレイ１６に表示された補正開始ボタンが操作部１９を介して、決定されたと判定した場合は（Ｓ４１：ＹＥＳ）、上記第４実施形態に係る第３補正処理（図１４参照）のステップＳ４２の処理に進む。つまり、信号処理部４３は、ポンプ２５の駆動を停止することなく、ステップＳ４２の処理に進む。これは、後述のステップＳ１４の検出基準補正処理のサブ処理（図７参照）において、光通過領域３７の光の通過量が低下した減光状態になっている期間に、フィルターケース８３に収納されるゼロカウントフィルタ８８によって、外部から検知領域３６に粒子が進入することを防止することができるためである。

ステップ４２において、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５からＯＮ信号が入力されるのを待つ（Ｓ４２：ＮＯ）。そして、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５からＯＮ信号が入力された場合は（Ｓ４２：ＹＥＳ）、吸気口２１Ａが蓋７３によって封鎖されたと判定して、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１４の処理に進む。

ステップＳ１４において、信号処理部４３は、上記検出基準補正処理のサブ処理（図７参照）を実行した後、上記第４実施形態に係る第３補正処理（図１４参照）のステップＳ４３に進む。信号処理部４３は、検出基準補正処理のサブ処理を実行することによって、光源３１の経時変化等に伴う、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する。

ステップＳ４３において、信号処理部４３は、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨの補正が終了した旨を表す表示、例えば、「補正が終了しました。」の表示をディスプレイ１６に表示した後、上記第４実施形態に係る第３補正処理（図１４参照）のステップＳ４４の処理に進む。

ステップＳ４４において、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５からＯＦＦ信号が入力されるのを待つ（Ｓ４４：ＮＯ）。そして、信号処理部４３は、蓋検出スイッチ７５からＯＦＦ信号が入力された場合は（Ｓ４４：ＹＥＳ）、蓋７３が取り外されたと判定して、第４補正処理を終了する。尚、ポンプ２５は、停止されることなく、連続して駆動されている。

以上詳細に説明した通り、第５実施形態に係る粒子検出装置８１では、第１実施形態に係る粒子検出装置１が奏する効果と同一の効果を奏することができる。また、吸引流路部２１の吸気口２１Ａを封鎖した封鎖状態と開放した開放状態とを蓋７３を用いて、手動で切替可能な構造であるため、簡易な構成にすることができ、製造コストを削減することができる。

また、蓋７３による吸気口２１Ａの封鎖状態に連動して、光通過領域３７の光の通過量を減光状態に設定できる。また、蓋７３による吸気口２１Ａの開放状態に連動して、光通過領域３７の光通過量を通常状態に設定することができ、測定ノイズの低減化を図り、補正精度の向上を図ることができる。また、蓋７３には、フィルターケース８３が設けられているため、ポンプ２５を停止することなく、光通過領域３７の光の通過量を減光状態に設定できると共に、測定ノイズの低減化を図り、補正精度の向上を図ることができる。ここで、蓋７３とフィルターケース８３とは、粒子進入防止部の一例として機能する。

［第６実施形態］
次に、第６実施形態に係る粒子検出装置９１について、図１７及び図１８に基づいて説明する。第６実施形態に係る粒子検出装置９１は、第１実施形態に係る粒子検出装置１とほぼ同じ構成である。但し、図１７に示すように、吸引流路部２１に替えて、通常時流路部材９２と、補正時流路部材９３とが設けられている点で異なっている。

図１７に示すように、通常時流路部材９２は、吸引流路部２１とほぼ同じ構造で、空気中を落下する小さな粒子が進入可能な断面略円形の透明な筒状に形成されている。補正時流路部材９３は、通常時流路部材９２と同じ形状で、断面略円形の透明な筒状に形成されると共に、上端部が薄い円板状の蓋９５によって閉鎖されている。そして、通常時流路部材９２と補正時流路部材９３とは、検出部２７の光軸Ｌ１に対して直交する方向に並んで配置されている。

また、通常時流路部材９２と補正時流路部材９３とは、移動機構９６によって、検出部２７の検知領域３６を通過して、検出部２７の光軸Ｌ１に対して直交する方向に沿って、往復移動可能に設けられている。そして、通常時には、通常時流路部材９２が、移動機構９６によって、検出部２７の検知領域３６に位置される。また、信号処理部４３が上記検出基準補正処理のサブ処理（図７参照）を実行する場合は、補正時流路部材９３が、移動機構９６によって、検出部２７の検知領域３６に位置される。

また、通常時流路部材９２が、検出部２７の検知領域３６に位置された場合には、通常時流路部材９２の上端の開口が、本体ケース１１の吸気口２１Ａに接続される。同時に、通常時流路部材９２の下端の開口が、ポンプ２５の鉛直方向上方側に設けられた不図示の吸気口に接続される。一方、補正時流路部材９３が、検出部２７の検知領域３６に位置された場合には、補正時流路部材９３の蓋９５が、本体ケース１１の吸気口２１Ａに接続されて、吸気口２１Ａが閉鎖される。同時に、補正時流路部材９３の下端の開口が、ポンプ２５の鉛直方向上方側に設けられた不図示の吸気口に接続される。

また、図１７に示すように、補正時流路部材９３の壁面９３Ｂには、正面視細長矩形状または正面視細長軸状で、コリメート光を遮光する減光部９７が、光通過領域３７を鉛直方向に沿って上下両側に突出するように、受光側レンズ３５に対向して配置されている。ここで、減光部９７が、コリメート光を遮光する遮光量は、粒子検出装置９１の計測誤差の補正時に、粒子Ｗを検知する検知領域３６に基準粒子のみを投入した状態の遮光量と同等の遮光量になるように設定されている。尚、減光部９７は、光通過領域３７内の光軸Ｌ１に対して直交する鉛直線上に配置されると共に、光軸Ｌ１が減光部９７の幅方向の略中央位置に垂直に通るように配置されるのが好ましい。

また、粒子検出装置９１の電気的構成は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の電気的構成とほぼ同じ構成である。但し、開閉用アクチュエータ４２に替えて、移動機構９６が電気的に接続されている。

次に、上記のように構成された粒子検出装置９１の信号処理部４３が実行する、検出部２７の検知領域３６を通過した粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する第５補正処理の一例について図１８に基づいて説明する。図１８は、信号処理部４３が実行する第５補正処理の一例を示すメインフローチャートである。

尚、信号処理部４３は、起動された場合に、所定時間毎（例えば、約５分～１０分間隔）にて、図１８のフローチャートで示される処理手順を繰り返し実行する。図１８及び図７のフローチャートで示されるプログラムは、ＥＥＰＲＯＭに予め記憶されている。また、信号処理部４３は、設定された電力に応じた電力指示信号を光源駆動回路４５に出力している。信号処理部４３は、ポンプ２５に電力を供給して駆動している。また、通常時には、通常時流路部材９２が、移動機構９６によって、検出部２７の検知領域３６に位置されている。

図１８に示すように、信号処理部４３は、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１１～ステップＳ１２の処理を実行する。そして、ステップＳ１２において、信号処理部４３は、ポンプ２５の駆動を停止した後、ステップＳ５１に進む。ステップＳ５１において、信号処理部４３は、移動機構９６を駆動して、通常時流路部材９２と補正時流路部材９３とを光軸Ｌ１に直交する方向に沿って、例えば、奥側へ、つまり、補正時の位置へ移動させる。そして、信号処理部４３は、補正時流路部材９３が検出部２７の検知領域３６に位置すると、移動機構９６を停止する。

その結果、補正時流路部材９３の壁面９３Ｂに配置された減光部９７が、光通過領域３７を鉛直方向に沿って上下両方向に突出して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態に切り替えられる。また、蓋９５によって吸気口２１Ａが閉鎖されるため、粒子が補正時流路部材９３に進入することを防止できる。その後、信号処理部４３は、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップＳ１４の処理に進む。

ステップＳ１４において、信号処理部４３は、上記検出基準補正処理のサブ処理（図７参照）を実行した後、ステップＳ５２に進む。信号処理部４３は、検出基準補正処理のサブ処理を実行することによって、光源３１の経時変化等に伴う、粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正する。

ステップＳ５２において、信号処理部４３は、移動機構９６を再度、駆動して、通常時流路部材９２と補正時流路部材９３とを光軸Ｌ１に直交する方向に沿って、例えば、手前側へ、つまり、通常時の元の位置へ移動させる。そして、信号処理部４３は、通常時流路部材９２が検出部２７の検知領域３６に位置すると、移動機構９６を停止する。その後、信号処理部４３は、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）のステップS１６の処理に進む。ステップＳ１６において、信号処理部４３は、ポンプ２５を再駆動した後、第５補正処理を終了する。

これより、ポンプ２５が再駆動されると、吸気口２１Ａから外気が通常時流路部材９２に流入し、外気に含まれる粒子が検出部２７の検知領域３６を通過する。その結果、信号処理部４３は、再度、粒子を検出して、粒子の個数をカウントする。

以上詳細に説明した通り、第６実施形態に係る粒子検出装置９１では、信号処理部４３は、通常時には、通常時流路部材９２を検知領域３６に位置させ、波高閾値ＰＴＨの補正時には、補正時流路部材９３を検知領域３６に位置させるように切り替える。これにより、補正時流路部材９３に設けられた減光部９７の遮光量を、予め基準粒子と同等の遮光量に設定することによって、計測誤差の補正を精度よく行うことが可能となる。また、粒子が通過する流路部材を通常時流路部材９２に切り替えることによって、粒子の検出を精度よく行うことができる。

従って、第６実施形態に係る粒子検出装置９１では、第１実施形態に係る粒子検出装置１が奏する効果と同一の効果を奏することができる。つまり、粒子検出装置９１を検査位置から移動させることなく、信号処理部４３における粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正することができる。これにより、生産現場等における常時監視を継続しつつ、粒子検出装置９１の計測誤差の補正を行うことが可能となる。ここで、蓋９５は、粒子進入防止部の一例として機能する。

［第７実施形態］
次に、第７実施形態に係る粒子検出装置１０１について、図１９に基づいて説明する。第１実施形態では、検知領域を通過した通過光を検出する通過光受光タイプの粒子検出装置１について説明したが、第７実施形態では、検知領域に存在する粒子によって散乱された散乱光を検知する散乱光受光タイプの粒子検出装置１０１について説明する。

第７実施形態に係る粒子検出装置１０１は、第１実施形態に係る粒子検出装置１とほぼ同じ構造である。但し、図１９に示すように、吸引流路部２１の軸心に沿って空気を吸引する細い吸引管１０３が配置されている。吸引管１０３は、ポンプ２５の不図示の吸気口に接続されて、吸引流路部２１に流入した外気を吸引するように構成されている。

また、本体ケース１１内には、第１実施形態に係る検出部２７（図２参照）に替えて、吸引流路部２１に流入して、吸引管１０３に吸引される外気に含まれる粒子を検出する第２検出部１０５が配置されている。第２検出部１０５は、光源３１と受光素子３２とが吸引流路部２１を挟んで配置されている。光源３１と壁面２１Ｂとの間には、投光レンズ１０６が配置されている。受光素子３２と壁面２１Ｂとの間には、受光レンズ１０７が配置されている。

投光レンズ１０６は、光源３１から出射された光を照射光として、吸引管１０３の直上に位置する検知領域１０９に集光するための光学部材である。受光レンズ１０７は、検知領域１０９の方からの光を集光して受光素子３２に入射させる光学部材である。光源３１から投光レンズ１０６を介して照射される照射光の光軸Ｌ５と、受光素子３２が受光レンズ１０７を介して受光する入射光の光軸Ｌ６とは、鉛直方向に対して垂直な同一平面内において、所定角度、例えば、約９０度の角度がついて交差するように配置されている。従って、検知領域１０９は、吸引管１０３の直上における、各光軸Ｌ５、Ｌ６が位置する鉛直方向に直交する平面領域が粒子Ｗを検知する検知領域に設定されている。

また、検知領域１０９の鉛直方向上側には、細い軸状の光散乱部材３９Ａを下端側において、同軸に保持する略円柱状の保持部材１１１が鉛直方向に沿って配置されている。保持部材１１１は、円柱状で鉛直方向下側へ行くに従って先細りに形成された本体部１１１Ａと、本体部１１１Ａの上端面の中央から上方へ所定長さ突出する軸状の細軸部１１１Ｂとから構成されている。従って、光散乱部材３９Ａは、本体部１１１Ａの下端から同軸に下方へ突出している。

また、保持部材１１１の細軸部１１１Ｂは、天面２２から鉛直方向に沿って所定高さ、例えば、高さ約３ｍｍ～５ｍｍ、突出して、配置されている。そして、本体部１１１Ａは、細軸部１１１Ｂの上端面が、天面２２と面一になるまで鉛直方向に沿って下方側へ移動可能に設けられ、通常時は、不図示の圧縮コイルバネ等の付勢部材によって、細軸部１１１Ｂが天面２２から所定高さ突出している。光散乱部材３９Ａは、細いピンゲージ、例えば、直径約０．５ｍｍのピンゲージ等を用いることができる。

また、蓋４１が天面２２側へ回動されて天面２２に接触した場合は、天面２２から突出する細軸部１１１Ｂの上端面が、蓋４１によって押下されて、天面２２と面一になるように押し込まれる。その結果、保持部材１１１が鉛直方向下側へ移動して、光散乱部材３９Ａの下端部が検知領域１０９から鉛直方向下側に突出して、照射された光を散乱させ一部が受光レンズ１０７に入光する。このため、受光レンズ１０７と受光素子３２との間の光通過領域３７において、散乱光の光量が増大した光量変更状態に切り替えられる。

ここで、光散乱部材３９Ａによる、受光レンズ１０７への入光量は、粒子検出装置１０１の計測誤差の補正時に、粒子Ｗを検知する検知領域１０９に基準粒子のみを投入した状態での散乱光の一部の入光量と同等の光量になるように設定されている。

また、第７実施形態に係る粒子検出装置１０１の電気的構成は、第１実施形態に係る粒子検出装置１の電気的構成と同じ構成である。ここで、第２検出部１０５の光源３１は、発光部の一例として機能する。第２検出部１０５の受光素子３２は、受光部の一例として機能する。

上記のように構成された粒子検出装置１０１では、信号処理部４３は、上記第１実施形態に係る第１補正処理（図６参照）を実行することによって、第２検出部１０５の検知領域１０９を通過した粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正できる。つまり、第７実施形態に係る粒子検出装置１０１では、第１実施形態に係る粒子検出装置１が奏する効果と同一の効果を奏することができる。従って、粒子検出装置１０１を検査位置から移動させることなく、信号処理部４３における粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正することができる。これにより、生産現場等における常時監視を継続しつつ、粒子検出装置１０１の計測誤差の補正を行うことが可能となる。

［第８実施形態］
次に、第８実施形態に係る粒子検出装置１２１について、図２０に基づいて説明する。第８実施形態に係る粒子検出装置１２１は、第４実施形態に係る粒子検出装置７１とほぼ同じ構成である。また、第８実施形態に係る粒子検出装置１２１の電気的構成は、第４実施形態に係る粒子検出装置８１の電気的構成とほぼ同じ構成である。但し、図２０に示すように、第８実施形態に係る粒子検出装置１２１は、遮光部材３９に替えて、蓋７３の挿入部７３Ｂの下端面に、挿入部７３Ｂと同軸に細い軸状の遮光部材１２３が下方に突出するように設けられている点で異なっている。

図２０に示すように、蓋７３の挿入部７３Ｂを吸気口２１Ａに押し込んで、把持部７３Ａの下端面を本体ケース１１の天面２２に接触させた場合には、遮光部材１２３の下端部が、検出部２７の検知領域３６から鉛直方向下側に突出するように構成されている。その結果、遮光部材１２３の下端部が検知領域３６から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光することによって、光通過領域３７の光通過量が低下した減光状態に切り替えられる。遮光部材１２３は、細いピンゲージ、例えば、直径約０．５ｍｍのピンゲージ等を用いることができる。

ここで、遮光部材１２３の下端部が検知領域３６から鉛直方向下側に突出して、コリメート光を遮光する遮光量は、粒子検出装置１２１の計測誤差の補正時に、粒子Ｗを検知する検知領域３６に基準粒子のみを投入した状態の遮光量と同等の遮光量になるように設定されている。

上記のように構成された粒子検出装置１２１では、信号処理部４３は、上記第４実施形態に係る第３補正処理（図１４参照）を実行することによって、検出部２７の検知領域３６を通過した粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正できる。つまり、第８実施形態に係る粒子検出装置１２１では、第４実施形態に係る粒子検出装置７１が奏する効果と同一の効果を奏することができる。

また、吸引流路部２１の吸気口２１Ａを封鎖した封鎖状態と開放した開放状態とを蓋７３を用いて、手動で切替可能な構造であるため、簡易な構成にすることができ、製造コストを削減することができる。また、蓋７３の挿入部７３Ｂの下端面に細い軸状の遮光部材１２３を設けることによって、蓋７３による吸気口２１Ａの封鎖状態に連動して、光通過領域３７の光の通過量を減光状態に設定でき、製造コストを更に削減することができる。

また、粒子検出装置１２１を検査位置から移動させることなく、信号処理部４３における粒子の検出判定基準である波高閾値ＰＴＨを補正することができる。これにより、生産現場等における常時監視を継続しつつ、粒子検出装置１２１の計測誤差の補正を行うことが可能となる。

本発明は上述した第１実施形態乃至第８施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

１、５１、６１、７１、８１、９１、１０１，１２１粒子検出装置、２１吸引流路部、３１光源、３２受光素子、３６検知領域、３７光通過領域、３９、１２３遮光部材、３９Ａ光散乱部材、４１、７３、９５蓋、４３信号処理部、６３電気調光部、９２通常時流路部材、９３補正時流路部材、９７減光部

Claims

検知領域に向けて照射光を発する発光部と、
前記検知領域を通過した通過光、または、前記照射光が前記検知領域内に存在する粒子によって散乱された散乱光を検出する受光部と、
前記受光部によって検出された受光強度に基づいて粒子を検出する信号処理部と、
前記検知領域と前記受光部との間の光通過領域において、前記検知領域に基準粒子が存在する場合の前記受光強度に相当する状態まで、通過光の光量を低下させる、または、散乱光の光量を増大させる光量変更状態と、前記光量を変更しない通常状態とで切り替える光量切替処理を行う光量切替部と、
前記光量変更状態での前記受光強度に基づいて、前記信号処理部における前記粒子の検出判定基準を補正する基準補正部と、
を備える、粒子検出装置。
前記光量切替部は、所定の形状の遮光部材を前記光通過領域において移動させることによって、前記光量切替処理を行う、請求項１に記載の粒子検出装置。
前記光量切替部は、前記粒子が通過する流路部材であって、光の通過量を低下させる減光部が設けられていない通常時流路部材と、前記通常時流路部材と同様の構造で前記減光部が設けられている補正時流路部材とを切り替えることによって、前記光量切替処理を行う、請求項１に記載の粒子検出装置。
前記光量切替部は、媒質に対して印加する電圧を制御することによって光透過量が変化する電気調光部に対する電圧印加制御を行うことによって、前記光量切替処理を行う、請求項１に記載の粒子検出装置。
前記光量切替部は、所定の形状の光散乱部材を前記検知領域において移動させることによって、前記光量切替処理を行う、請求項１に記載の粒子検出装置。
前記光量切替部が光量変更状態としている期間に、前記検知領域に外部から粒子が進入しない状態とする粒子進入防止部をさらに備える、請求項１～５のいずれか一項に記載の粒子検出装置。
前記粒子進入防止部は、前記粒子が通過する流路部材の入口を封鎖した封鎖状態と開放した開放状態とを手動で切替可能な構造であり、
前記光量切替部は、前記開放状態と前記封鎖状態との切り替えに連動して前記光量切替処理を行う、請求項６に記載の粒子検出装置。