JP7828255B2 - 半導体装置、バッテリパック、半導体装置の制御方法、及び、制御プログラム - Google Patents
半導体装置、バッテリパック、半導体装置の制御方法、及び、制御プログラムInfo
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Description
図1は、実施の形態1にかかるバッテリ管理装置12を備えたバッテリパック1の構成例を示すブロック図である。なお、図1には、バッテリパック1に接続された負荷50も示されている。負荷50は、例えば、ノートパソコンやスマートフォン等である。
続いて、図4及び図5を用いて、バッテリ管理装置12の動作を説明する。図4は、バッテリ管理装置12の動作を示すフローチャートである。図5は、バッテリ管理装置12に設けられた演算処理回路124の動作を説明するためのブロック線図である。図5に示すように、バッテリ管理装置12は、ハードウェア(HW)における動作と、ファームウェア(FW)における動作と、に分けられる。なお、図5に示すS101~S106の処理は、図4に示すステップS101~S106の処理に対応する。
図6は、バッテリ管理装置12の第1の変形例をバッテリ管理装置12aとして示す図である。バッテリ管理装置12aは、外部端子CALをさらに備える。外部端子CALは、電源回路128の高電位側端子とともに、抵抗素子R1の一方の端子及び他方の端子のうち、外部端子VCCに接続される一方の端子とは別の他方の端子、に接続されている。
図7は、バッテリ管理装置12の第2の変形例をバッテリ管理装置12bとして示す図である。バッテリ管理装置12bは、バッテリ管理装置12と比較して、抵抗素子R1及びAD変換器1291を備えず、スイッチ素子SW11,SW12と、切替制御回路130と、を備える。なお、抵抗素子R1の代わりに、バッテリ管理装置12の外部に抵抗素子R4が設けられている。また、AD変換器1291の代わりに、既存の電圧測定回路122が用いられている。
図9は、バッテリ管理装置12の第3の変形例をバッテリ管理装置12cとして示す図である。バッテリ管理装置12cは、バッテリ管理装置12と比較して、スイッチ素子SW21,SW22と、比較回路131と、切替制御回路132と、をさらに備える。また、バッテリ管理装置12cは、電流測定回路123を備えず、AD変換器1291が電流測定回路123の役割も果たしている。
図18は、バッテリ管理装置12の第4の変形例をバッテリ管理装置12dとして示す図である。バッテリ管理装置12dは、バッテリ管理装置12と比較して、加算回路1292をさらに備える。また、バッテリ管理装置12dは、電流測定回路123を備えず、AD変換器1291が電流測定回路123の役割も果たしている。
図19は、バッテリ管理装置12の第5の変形例をバッテリ管理装置12eとして示す図である。バッテリ管理装置12eは、バッテリ管理装置12と比較して、加算回路1294をさらに備える。
図20は、実施の形態2にかかるバッテリ管理装置22の一部の構成例を示す図である。バッテリ管理装置12では、抵抗素子R1が、外部端子VCCと電源回路128の高電位側端子との間に設けられていたのに対し、バッテリ管理装置22では、抵抗素子R1が、外部端子GNDと電源回路128の低電位側電源端子との間に設けられている。バッテリ管理装置22のその他の構成については、バッテリ管理装置12の場合と同様であるため、その説明を省略する。
図21は、実施の形態3にかかるバッテリ管理装置32の一部の構成例を示す図である。バッテリ管理装置12では、抵抗素子R1が、外部端子VCCと電源回路128の高電位側端子との間に設けられていたのに対し、バッテリ管理装置32では、n(nは2以上の整数)個の抵抗素子R1_1~R1_nが、それぞれ、外部端子VCCとn個の機能ブロックB_1~B_nの高電位側外部端子との間に設けられている。なお、機能ブロックB_1~B_nは、バッテリ管理装置32の内部回路であって、例えば、演算処理回路124、充放電制御回路125等を含む。
図22は、バッテリ管理装置32の変形例をバッテリ管理装置32aとして示す図である。バッテリ管理装置32aは、複数のAD変換器1291_1~1291_nを備える代わりに、セレクタ1295及び1つのAD変換器1291を備える。セレクタ1295は、抵抗素子R1_1~R1_nのそれぞれの両端の電位差の何れかを選択的に出力する。AD変換器1291は、セレクタ1295によって選択された電位差を検出する。バッテリ管理装置32のその他の構成については、バッテリ管理装置32の場合と同様であるため、その説明を省略する。バッテリ管理装置32aは、バッテリ管理装置32と同等程度の効果を奏することができる。
図23は、実施の形態4にかかるバッテリ管理装置42の一部の構成例を示す図である。バッテリ管理装置42は、抵抗素子R1の両端の電位を比較する比較回路133と、比較回路133から、抵抗素子R1の両端の電位差が閾値以上を示す、という比較結果が出力された場合に、バッテリ11からバッテリ管理装置42に供給される過電圧及び過電流の少なくとも何れかから当該バッテリ管理装置42を保護する保護回路134と、をさらに備える。バッテリ管理装置42のその他の構成については、バッテリ管理装置12の場合と同様であるため、その説明を省略する。
50 負荷
11 バッテリ
12 バッテリ管理装置
12a,12b,12c,12d,12e バッテリ管理装置
14 充放電FET
15 温度センサ
16 バッテリ
17 定電流源
22 バッテリ管理装置
32 バッテリ管理装置
32a バッテリ管理装置
42 バッテリ管理装置
121 セレクタ
122 電圧測定回路
123 電流測定回路
124 演算処理回路
125 充放電制御回路
126 通信回路
127 記憶回路
128 電源回路
129 電流測定回路
130 切替制御回路
131 比較回路
132 切替制御回路
133 比較回路
134 保護回路
1291 AD変換器
1291_1~1291_n AD変換器
1292 加算回路
1294 加算回路
1295 セレクタ
B_1~B_n 機能ブロック
R1 抵抗素子
R1_1~R1_n 抵抗素子
Rs 抵抗素子
R3 抵抗成分
R4 抵抗素子
SW11,SW12 スイッチ素子
SW21,SW22 スイッチ素子
Claims (14)
- バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子の両端の電位差を検出するAD変換器と、
を備え、
前記AD変換器による検出結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - 前記第1抵抗素子の、前記第1外部端子に接続された一方の端子とは別の他方の端子、に前記電源回路の高電位側端子とともに接続された第2外部端子をさらに備え、
動作モードが通常動作モード及びキャリブキャリブレーションモードのうちのキャリブレーションモードの場合に、前記第1外部端子から前記第1抵抗素子を介して前記第2外部端子にかけてリファレンス電流が流れるように構成されている、
請求項1に記載の半導体装置。 - バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第1スイッチ素子と、
前記バッテリの出力電圧が、前記バッテリと前記負荷とを接続する電流経路上の抵抗成分よりも大きな抵抗値の第3抵抗素子を介して供給される第3外部端子と、前記電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第2スイッチ素子と、
動作モードが通常動作モード及び自己消費電流測定モードのうちの通常動作モードの場合には、前記第1スイッチ素子をオンし、且つ、前記第2スイッチ素子をオフし、動作モードが自己消費電流測定モードの場合には、前記第1スイッチ素子をオフし、且つ、前記第2スイッチ素子をオンする、切替制御回路と、
少なくとも動作モードが自己消費電流測定モードの場合に、前記バッテリの正極側端子と、前記第3外部端子と、の電位差を選択して出力する、セレクタと、
前記セレクタによって選択された電位差を検出するAD変換器と、
を備え、
動作モードが自己消費電流測定モードの場合における前記AD変換器による検出結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子の両端の電位差と、前記バッテリと前記負荷とを接続する電流経路上に設けられ、前記バッテリから前記負荷に供給される前記第2電流が流れる第2抵抗素子、の両端の電位差と、を選択的に出力するセレクタと、
動作モードに応じて前記セレクタによる選択を制御する切替制御回路と、
前記セレクタによって選択された電位差を検出するAD変換器と、
を備え、
前記AD変換器によって検出された前記第1抵抗素子の両端の電位差に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられ、且つ、前記AD変換器によって検出された前記第2抵抗素子の両端の電位差に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第2電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - 前記切替制御回路は、動作モードが、前記バッテリが前記負荷に接続されていない第1モードと、前記バッテリが通常動作中の前記負荷に接続されている第2モードと、前記バッテリが動作停止中の前記負荷に接続されている第3モードと、のうち、第1モードの場合には、前記セレクタに前記第1抵抗素子の両端の電位差を選択出力させ、第2モードの場合には、前記セレクタに前記第2抵抗素子の両端の電位差を選択出力させ、且つ、第3モードの場合には、前記セレクタに、前記第1抵抗素子の両端の電位差、及び、前記第2抵抗素子の両端の電位差を、周期的に切り替えて選択出力させる、
請求項4に記載の半導体装置。 - バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子の両端の電位差と、前記バッテリと前記負荷とを接続する電流経路上に設けられ、前記バッテリから前記負荷に供給される前記第2電流が流れる第2抵抗素子、の両端の電位差と、を加算する加算回路と、
前記加算回路による加算結果を検出するAD変換器と、
を備え、
前記AD変換器による検出結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値及び前記第2電流の電流値の合計値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子の両端の電位差を検出する第1AD変換器と、
前記バッテリと前記負荷とを接続する電流経路上に設けられ、前記バッテリから前記負荷に供給される前記第2電流が流れる第2抵抗素子、の両端の電位差を検出する第2AD変換器と、
前記第1AD変換器による検出結果と、前記第2AD変換器による検出結果と、を加算する加算回路と、
を備え、
前記加算回路による加算結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値及び前記第2電流の電流値の合計値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの基準電圧が供給される第4外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の低電位側端子と、の間に設けられた第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子の両端の電位差を検出するAD変換器と、
を備え、
前記AD変換器による検出結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置に設けられた複数の機能ブロックのそれぞれの高電位側端子と、の間に設けられた複数の第1抵抗素子と、
前記複数の第1抵抗素子のそれぞれの両端の電位差を検出する複数のAD変換器と、
を備え、
前記複数のAD変換器のそれぞれによる検出結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する電流測定回路と、
前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、演算処理回路と、
を備え、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置に設けられた複数の機能ブロックのそれぞれの高電位側端子と、の間に設けられた複数の第1抵抗素子と、
前記複数の第1抵抗素子のそれぞれの両端の電位差の何れかを選択的に出力するセレクタと、
前記セレクタによって選択された電位差を検出するAD変換器と、
を備え、
前記AD変換器により検出された前記複数の第1抵抗素子のそれぞれの両端の電位差に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置。 - 前記第1抵抗素子の両端の電位を比較する比較回路と、
前記比較回路から、前記第1抵抗素子の両端の電位差が閾値以上を示す、という比較結果が出力された場合、前記バッテリから供給される過電圧及び過電流の少なくとも何れかから前記半導体装置を保護する保護回路と、
をさらに備えた、
請求項1に記載の半導体装置。 - 請求項1に記載された半導体装置と、
前記バッテリと、
を備えた、バッテリパック。 - 半導体装置が、
電流測定回路を用いて、バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定し、
演算処理回路を用いて、前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する、
半導体装置の制御方法であって、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子の両端の電位差を検出するAD変換器と、
を備え、
前記AD変換器による検出結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
半導体装置の制御方法。 - 電流測定回路を用いて、バッテリから自装置である半導体装置に供給される第1電流の電流値と、前記バッテリから負荷に供給される第2電流の電流値と、を測定する処理と、
演算処理回路を用いて、前記バッテリによる放電開始から放電終了までの、前記第1電流の積算値と、前記第2電流の積算値と、に基づいて、前記バッテリの残容量を算出する処理と、
をコンピュータに実行させる制御プログラムであって、
前記電流測定回路は、
前記バッテリの出力電圧が供給される第1外部端子と、前記半導体装置の内部回路の動作電圧を生成する電源回路の高電位側端子と、の間に設けられた第1抵抗素子と、
前記第1抵抗素子の両端の電位差を検出するAD変換器と、
を備え、
前記AD変換器による検出結果に応じた電流値が、前記電流測定回路による前記第1電流の電流値を表す測定結果として用いられる、
制御プログラム。
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