JP7791817B2 - 端部／中央部の不均一性を軽減するためにウエハの外周近傍に凹部を備えた半導体処理チャック - Google Patents

Description

＜関連出願の相互参照＞
本出願の一部として、本明細書と同時にＰＣＴ出願願書が提出される。この同時に提出されたＰＣＴ出願願書に明記され、本出願が利益または優先権を主張する各出願は、参照によりその全体があらゆる目的のために本明細書に組み込まれる。

いくつかの半導体ウエハ処理技術では、半導体ウエハは、半導体処理チャンバ内でチャック上に支持され得る。このようなチャンバでは、チャックは、半導体ウエハの裏面を真空に引くことにより、半導体ウエハとチャックの間に低圧領域を生成し、半導体処理チャンバ内の圧力により半導体ウエハをチャックに押し付けることによって、半導体ウエハを所定の位置にクランプすることのうち、１つまたは複数の特徴を有する真空チャックであってもよい。

代替的なチャックの形式は、チャック内に埋め込まれた電極により発生させた帯電を用いて、半導体ウエハをチャックにクランプする、静電チャックである。

本明細書に提示されるのは、ウエハの端部－中央部の向上した均一性をもたらす、半導体ウエハチャックの様々な改善である。

本開示は、半導体処理のためのウエハチャックの改善を目的としている。従来の方法では一般的に、半導体処理中にチャックを用いて半導体ウエハの下側（または裏面）を全範囲にわたって支持する。これにより、半導体ウエハの下側のプロセスガスへの曝露の可能性を軽減し、さらなるクランプ面を提供する。

低フッ素タングステン堆積プロセスなどの特定の半導体処理作業では、堆積作業により、著しく端部に偏りのある堆積層、すなわち、半導体ウエハの端部の近傍では厚さが増加する堆積膜が形成されることが分かった。例えば、低フッ素タングステン堆積プロセスなどのいくつかの例では、半導体ウエハの端部の近傍の堆積層は、半導体ウエハの中央領域よりも８標準偏差を超える厚さであることが分かった。

端部近傍の増加した堆積厚は、半導体ウエハの端部から中央部の温度の不均一性と相関性が見られることが観察された。本発明者らは、チャックが略環状の凹部を有するよう改変し、その領域において、半導体ウエハの外周の全体が、チャックとの直接接触により物理的に支持されないようにすることにより、チャックから半導体ウエハの外周への直接の伝導性熱伝達を防止するのに有益な効果を有すると判断した。チャックがそのような凹部を有するよう改変することによって、半導体ウエハの中央領域に対するウエハ端部の不均一性が、例えば８標準偏差からおよそ５．５標準偏差に著しく低減された。したがって、チャックへの凹部の付加により、一例では、標準偏差に関しておよそ３３％の著しい改善が得られた。

多くのこのような実施態様では、不活性ガス（本明細書において「バッファガス」とも呼ばれ得る）をチャックの１つもしくは複数のチャネルまたはポートから、半導体ウエハの外縁と一致した形状の環状領域で、半導体ウエハの端部を通るように流してもよい。本出願の文脈における不活性ガスは、チャックを有するチャンバ内で、半導体処理作業を行うために用いられる、あらゆるプロセスガスと非反応性またはさもなければ、微小な化学相互作用があるとみなされる任意のガスまたはガス混合物であると理解される。したがって不活性ガスは、希ガス、例えばアルゴン、または例えば窒素を含む。このような不活性ガスの流れは、半導体ウエハの端面を、プロセスガスへの曝露から保護するように作用し得る。したがって、端面がプロセスガスへ曝露されることを防ぐまたは低減し、それにより処理作業の間に端面で起こる、意図しない堆積および／もしくはエッチングを防ぐまたはその量を低減する。同様に、このような不活性ガスは、半導体ウエハの裏面を保護するまたはその保護に役立つ。例えば、半導体ウエハを所定の位置にクランプするために、真空チャックを用いる場合、半導体ウエハの外周の周りのガスが、半導体ウエハの下に、引かれて真空にされ、半導体ウエハを所定の位置にクランプするため、半導体ウエハの裏面は真空にされる。不活性ガスを、半導体ウエハの周囲／端部を通るように流すことにより、半導体ウエハの下に吸い込まれ得る半導体ウエハ周囲に最も近接するガスは、半導体ウエハと反応性を有し得るプロセスガスではなく、不活性である。

半導体ウエハをチャックに固定するための真空クランプフィーチャを備えるチャックでは、ウエハとチャックが接触する最小の環状領域が、凹部と最も外側の真空クランプフィーチャとの間であるように、凹部の寸法決めをしてもよい。例えば、所与の真空チャックの真空クランプフィーチャが、チャックの表面にあり、その上を真空引きするように、真空源と流体接続する円周のチャネルである、最も外側のフィーチャを含む場合、凹部は、凹部の最も内側の端部と、半導体ウエハの最も外側の端部の間との間隙が、半導体ウエハの最も外側の端部と、円周チャネルの最も外側の端部との間の間隙の５０％以下となるように寸法決めされてもよい。このような構成は、半導体ウエハとチャックの間で、円周溝の周囲に十分に近接したウエハ／チャックの接触を維持し、半導体ウエハの端部の加熱を減少または軽減するよう、なお十分に大きな凹部を提供しつつ、真空クランプの機能性を維持できる。

いくつかの実施態様では、半導体処理のための装置が提供され得る。装置は、発熱体と天板を有する台座を含んでもよい、または、熱体と天板を有する台座であってもよい。天板は、台座の上に半導体ウエハが載置される際に、半導体ウエハを支持するよう構成された基板支持台表面と、完全に台座の中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の真空溝は、基板支持台表面にまで伸びて外縁を有する真空溝とを含んでもよく、天板の中心軸は中央領域を通っている。天板はまた、略環状で、台座の中央領域を囲んで伸びており、内縁と外縁を有するガス溝と、１つまたは複数の凹面および、中央領域とガス溝の内縁の間に位置する内周を有する凹部とを有してもよい。１つまたは複数の凹面はそれぞれ、基板支持台表面と一致した基準面から中心軸に沿ってオフセットされてもよく、それにより１つまたは複数の凹面および基準面の間に間隙があり、１つまたは複数の真空溝の各真空溝において、内周に最も近接した、真空溝の外縁の一部は、内周から、対応する第１の距離Ｄ₁だけ分離されてもよく、ガス溝の最も近接した部分から、対応する第２の距離Ｄ₂だけ分離されてもよい。

いくつかの実施態様では、（Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂は０．４±０．１に等しくてもよい。他の実施態様では、（Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂は０．２５±０．０５に等しくてもよい。いくつかのさらなる実施態様では、（Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂は０．１５±０．０５に等しくてもよい。

いくつかの実施態様では、ガス溝の内縁は、少なくとも部分的に、凹部との境界となってもよい。

いくつかの実施態様では、ガス溝の内縁と凹部の外周との間に、ラジアルギャップがあってもよい。

いくつかの実施態様では、凹部の１つまたは複数の表面と基板支持台表面との間の間隙は、０．０５インチ（０．１２７ｃｍ）以下であってもよい。

いくつかの実施態様では、ガス溝の内縁は、３００ｍｍ±１ｍｍの直径を有する円形領域内にあってもよく、ガス溝の外縁は、円形領域の外側にある。

いくつかの実施態様では、天板はアルミニウム製であってもよく、またはセラミック製であってもよい。

装置のいくつかの実施態様では、装置は、処理チャンバ、不活性ガス源、および真空源をさらに含んでもよい。そのような実施態様では、台座は処理チャンバ内に配置されてもよく、不活性ガス源は、ガス溝に不活性ガスを制御可能に流すように構成されてもよく、真空源は、１つまたは複数の真空溝を、制御可能に真空に引くように構成されてもよい。

いくつかのそのような実施態様では、装置は、台座の上方に位置し、その中を通り台座に向かってガスを分配して流すように構成されたシャワーヘッドをさらに含んでもよい。そのような装置はまた、シャワーヘッドを通して、対応するプロセスガスを制御可能に流すように構成された、１つまたは複数のプロセスガス源を含んでもよい。

いくつかのそのような実施態様では、１つまたは複数のプロセスガス源は、フッ素および塩素からなる群から選択される元素も含む金属含有ガスを、制御可能に流すように構成されてもよい。

いくつかの実施態様では、半導体処理の間に半導体ウエハを支持するためのチャックが提供され得る。チャックは、上に半導体ウエハが載置される際に、半導体ウエハを支持するよう構成された基板支持台表面と、チャックの中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の真空溝は、基板支持台表面にまで伸びて外縁を有している真空溝と、中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、１つまたは複数の凹面と、中央領域とガス溝の内縁の間に位置する内周を有する凹部とを含んでもよい。チャックの中心軸は、中央領域を通ってもよく、基板支持台表面に対して垂直であってもよい。そのような実施態様では、１つまたは複数の凹面はそれぞれ、基板支持台表面と一致する基準面から中心軸に沿ってオフセットされてもよく、それにより１つまたは複数の凹面および基準面の間に間隙があり、１つまたは複数の真空溝を囲む、最小の円形領域は、第１の距離Ｄ₁だけ内周から分離されてもよく、ガス溝の最も近接した部分から、第２の距離Ｄ₂だけ分離されてもよく、（Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂＝０．３±０．２である。

いくつかの実施態様では、天板の製作を含む方法が提供され得る。天板は、上に半導体ウエハが載置される際に、半導体ウエハを支持するよう構成された基板支持台表面と、天板の中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の真空溝は、基板支持台表面にまで伸びて外縁を有している真空溝と、台座の中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、１つまたは複数の凹面および、中央領域とガス溝の内縁の間に配置された内周を有する凹部とを含んでもよい。天板の中心軸は、中央領域を通ってもよい。そのような実施態様では、１つまたは複数の凹面はそれぞれ、基板支持台表面と一致する基準面から中心軸に沿ってオフセットされてもよく、それにより１つまたは複数の凹面および基準面の間に間隙があり、１つまたは複数の真空溝の各真空溝において、内周に最も近接した、真空溝の外縁の一部は、内周から、少なくとも対応する第１の距離Ｄ₁だけ分離されてもよく、ガス溝の最も近接した部分から、少なくとも対応する第２の距離Ｄ₂だけ分離されてもよい。

このようないくつかの実施態様では、各真空溝において、（Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂＝０．３±０．２である。

いくつかの実施態様では、凹部の１つまたは複数の表面と基準面との間の間隙は、０．０５インチ（０．１２７ｃｍ）以下であってもよい。

いくつかの実施態様では、ガス溝の内縁は、３００ｍｍ±１ｍｍの直径を有する円形領域内にあってもよく、ガス溝の外縁は、円形領域の外側にあってもよい。

いくつかの実施態様では、天板の材料は、アルミニウムまたはセラミックであってもよい。

いくつかの実施態様では、方法は、天板のための一片の材料を供給することと、基板支持台表面を天板に機械加工することと、一片の材料に真空溝を形成することと、一片の材料にガス溝を形成することと、一片の材料に凹部を形成することをさらに含む。

いくつかの実施態様では、天板を製作することは、材料の環状ゾーンを削ることにより、材料に凹部を機械で形成することをさらに含んでもよい。

いくつかの実施態様では、天板を製作することは、旋盤を用いて一片の材料を回転させ、旋削工具を用いて材料の環状ゾーンを切削することにより、凹部を形成することをさらに含んでもよい。

図１は、半導体処理チャンバの概略図である。

図２は、半導体ウエハを支持するためのチャックの等角図である。

図３－１は、真空溝の構成を示す図である。 図３－２は、真空溝の構成を示す図である。 図３－３は、真空溝の構成を示す図である。

図４は、チャックのヒータコイルを示す断面図である。

図５－１は、凹部を有する例示的チャックの断面図である。 図５－２は、凹部を有する例示的チャックの等角詳細切り取り図である。 図５－３は、凹部を有する例示的チャックの詳細切り取り図である。

図６－１は、凹部を有する、別の例示的チャックの断面図である。 図６－２は、凹部を有する、別の例示的チャックの等角詳細切り取り図である。 図６－３は、凹部を有する、別の例示的チャックの詳細切り取り図である。

図７－１は、凹部を有する、さらに別の例示的チャックの断面図である。 図７－２は、凹部を有する、さらに別の例示的チャックの等角詳細切り取り図である。 図７－３は、凹部を有する、さらに別の例示的チャックの詳細切り取り図である。

図８は、異なるプロセス条件下において、異なるタイプのチャックにより支持される、いくつかの例示的半導体ウエハの温度マップを示す図である。

図９は、同様の半導体プロセスに供され、2つの異なるタイプのチャックにより支持された、2つの半導体ウエハの正規化された堆積層厚を示すプロット図である。

図１０は、図９のプロセスとは別の、同様の半導体プロセスに供され、2つの異なるタイプのチャックに支持された、別の2つの半導体ウエハの正規化された堆積層厚を示すプロット図である。

図１１は、４つの例示的半導体ウエハの、正規化された堆積層厚のヒートマップを示す図である。

図１２は、本明細書に記載された、凹部を有するチャックの製造方法のフローチャートを示す図である。

以下の説明では、提示された実施形態を完全に理解できるように多くの具体的詳細を記載する。本明細書で開示された実施形態は、これらの具体的詳細の一部またはすべてがなくとも、実行できる。他の例では、周知のプロセス操作は、開示された実施形態を不必要に曖昧にしないために、詳細には記載されていない。さらに、開示された実施形態を、具体的な実施形態と合わせて記載するが、具体的な実施形態は、開示された実施形態を限定することは意図されていないことが理解されるだろう。

堆積プロセスにおいては、多くの場合、基板（例えば半導体ウエハ）全体にわたり均一の厚さの膜（または少なくとも不均一性の閾値未満の厚さを有する膜）を堆積することが望ましい。先ほど記載したように、膜厚の不均一性は、とりわけ、半導体処理作業の間の基板の温度勾配に依存し得る。特定の堆積作業の間、基板が不均一な温度を有する場合、堆積プロセスにより、同じように不均一な厚さの膜を基板に堆積する場合がある。多くの場合、基板全体の温度勾配は、基板の端部近傍ではより高温で、基板の中央付近ではより低温（基板の端部近傍の温度と比較して）である。これにより、基板の中央と比較して、基板の端部近傍では堆積層厚が増加し得る。このような場合、堆積中の基板全体にわたる膜厚の均一性の向上は、基板の中央近傍の温度の大部分をそのままの温度としながら、基板の端部近傍の温度を低下させること、基板の端部近傍の温度の大部分をそのままの温度としながら、基板の中央近傍の温度を上昇させること、または基板の中央近傍の温度を上昇させながら、基板の端部近傍の温度を低下させることによって、基板のより均一な温度勾配を形成することにより、実現され得る。本記載は堆積プロセスに関するが、いくつかのエッチング処理では、エッチングの均一性および温度効果に関して同様の反応を示す場合がある。そのため本明細書において記載された構造および技術は、エッチングプロセス中に起こり得る同様の問題に対応するためにも適用可能である。

堆積プロセス中、基板は処理チャンバ内の加熱された台座のチャックの天板の上に支持され、天板を介した熱伝導による熱伝達、基板と天板の間に閉じ込められたガスによる熱対流および／または熱放射を受ける場合がある。ウエハ処理作業中にほとんどの基板が供されるプロセス条件のために、熱放射からの熱伝達の量は通常、熱伝導および対流熱伝導メカニズムによりまとめて起こる熱伝導の量より、著しく低い。基板端部近傍の温度を低下させるために、加熱された台座の天板に凹状フィーチャを設計し、基板端部への直接の伝導性熱伝達の経路を取り除いた。凹状フィーチャは、基板を支持する天板の表面の下に位置し、例えば、処理作業中に基板が天板上に置かれる位置に、正しく位置決めされたときに、基板の端部近傍に配置してもよい。凹状部分を有する天板に基板が支持されている場合、基板端部近傍の基板の裏面は、加熱された台座と接触しておらず（または少なくとも、基板裏面のほとんどすべての最も外側の環状領域は、加熱された台座と接触していない）、それにより基板端部への直接の熱伝導経路が取り除かれる。基板端部への直接の熱伝導を取り除くことにより、基板端部近傍の温度は低下させられ、温度勾配の均一性は改善され得る。温度の均一性が改善されることにより、堆積プロセスにより生じる厚さの均一性も同様に改善され得る。

図１は、堆積（またはエッチング）プロセス中に使用され得るチャンバ１３４の概略図を示す。チャンバ１３４内では、台座１００があってもよい。台座１００は発熱体１０１とチャック１０２を有してもよい。いくつかの実施態様では、チャックは台座と一体化していてもよく、他の実施態様では、チャックは固定して（何らかの接着により）または取り外し可能に（例えば、ねじ部品を用いて）、台座構造の残りの部分に取り付けられた別のコンポーネントであってもよい。チャック１０２の「天板」は、例えば１つまたは複数の他の板に接着されてチャックを形成する別々の部品であってもよく、または単にチャック１０２自体、すなわちチャックは単一の板の設計であってもよい。他の実施態様では、チャックは、上で述べたように、台座と一体となった部品であってもよい。いくつかのこのような実施態様では、天板はまた台座と一体となった部品であってもよく、すなわち、台座、チャックおよび天板はすべて、名目上同一の構造により提供されてもよい。チャック１０２（または天板）は、堆積作業中に半導体ウエハ１３２を支持するように構成された上面１０４を有してもよい。台座１００は、不活性ガスを台座１００に供給するよう構成され得るガス源１３９と流体接続されてもよい。不活性ガスは、先ほど記載したように、チャンバ１３４内で半導体処理作業を行うために用いられ得る、あらゆるプロセスガスと非反応性もしくはさもなければ、微小な化学相互作用があるとみなされる任意のガスまたはガス混合物であってよい。不活性ガスは、希ガス、例えばアルゴン、または比較的非反応性のガス、例えば窒素またはそれらの混合物を含み得る。いくつかの実施態様では、台座１００はまた、真空源１４０、例えば真空ポンプまたは設備の真空供給ラインに流体接続されてもよく、真空源１４０は真空に引き、半導体ウエハ１３２をチャック１０２の上面１０４に固定するために使用され得る。チャンバ１３４内には、１つまたは複数のガス源１３８に流体接続され得る、シャワーヘッド１３６または他のガス分配システムがあってもよい。図１に示した実施形態では、２つのガス源１３８ａおよび１３８ｂがある。シャワーヘッド１３６に流体接続されたガス源は、半導体処理作業の間、プロセスガスを制御可能に供給するように構成されてもよい。

図２は、台座１００のチャック１０２を示す。チャック１０２は、半導体ウエハ１３２を支持するように構成された上面１０４を有する。上面１０４は、その中に配置された１つまたは複数の真空溝１０８を有してもよい。図２では、いくつかの放射状真空溝１０８と、中心軸１０６を中心とした外側の環状真空溝１０８を含み、共に流体接続されている複数の真空溝１０８があり、すべてが互いに流体接続されている。また、図２では、例えば、チャック１０２の真ん中に見えており、真空源１４０に流体接続され得る、中央に配置された真空ポートである、１つまたは複数の真空ポートもある。真空溝１０８は、半導体ウエハ１３２を真空に引くために使用でき、それによって半導体ウエハ１３２は、堆積（エッチング）プロセス中に、台座チャック１０２の上面１０４に支持されつつ、所定の位置にクランプされる。半導体ウエハの裏面を真空にすることにより、半導体ウエハの上部と半導体ウエハの裏面に陰圧差が形成され得る。すなわち、半導体ウエハの下部の圧力は、半導体ウエハの上方の圧力よりも低くなり得る（そのような圧力差は、いくつかの場合、数Ｔｏｒｒ（数Ｐａ）、例えば＜１０Ｔｏｒｒ（１３３３．２２Ｐａ）程度のみであってよい）。

一般的には、チャック１０２の最も外側の真空溝フィーチャ１０８は、最も外側の真空溝フィーチャ１０８から外側に伸びる封止領域を有してもよく、封止領域は、チャック１０２と半導体ウエハ１３２の連続した接触を提供し、それにより真空源１４０への過度のガスの流れを必要とせずに、半導体ウエハ１３２の裏面の下にある真空を確実に維持できる。真空クランプ機能性を提供するため、様々なパターンの真空溝１０８が使用され得ることが理解される。真空溝１０８は単一の連続した溝であってもよく、複数の溝が互いに分離することを特徴としてもよく、真空溝はチャック１０２の中心軸１０６を囲んでいても囲んでいなくてもよい。真空溝パターンの一例を図２に示す。図2では、真空溝１０８は、様々な略放射状の真空溝１０８により互いに流体接続された、一連の同心円状の環状真空溝１０８として示されている。なお、１つまたは複数の真空溝１０８の最も外側の端部は、この場合は、すべての真空溝１０８を含む円である中央領域１４２を全体的に画定してもよい。中央領域１４２は、典型的には、台座の天板の中心軸１０６を中心としてもよい。

また図2に見られるのは、凹部１２０および真空封止領域１２１であり、これらは、中央領域１０４２により内側が接着され、凹部１２０の最も内側の端部により外側が接着されてもよい。真空封止領域１２１は、上面１０４の一部であってもよく、すなわち、半導体ウエハ１３２がチャック１０２上に載置されているとき、半導体ウエハ１３２の裏面に接触してもよい。

図３－１～図３－３は、上面１０４の真空溝１０８として使用され得る可能性のあるパターンのさらなる例を示す。図３－１では、真空溝１０８は、チャックの上面１０４の中心の周りに配置されているが、チャックの上面１０４の中心を囲まない、３つの別々の溝を含む。図３－２の例では、４つの真空溝１０８を特徴とする真空溝１０８のパターンを示す。図３－３は、真空溝１０８のパターンが、上面１０４の中心を囲む１つの連続したパターンを有する、別の例である。環を有する代わりに、パターンは、上面１０４の外縁と中心の間を連続してくねる溝を有する。図３－１～図３－３の真空溝１０８のすべての3つの例のセットにおいて、中央領域１４２は、各々の例の上面１０４のすべての真空溝１０８を含むことが示される。各々の上面１０４の中央領域１４２は概して、上面１０４のすべての真空溝１０８を囲み、１つまたは複数の真空溝１０８の最も外側の部分の最も外側の端部に接触する円形領域（または略円形領域）であると考えられる。上記の例は、様々な実施形態の態様をさらに例示するために提供される。これらの例は、態様を例示し、より明確に示すために提供されるもので、限定する意図はない。

図２に戻ると、チャック１０２はガス溝１１４を有してもよい。そのような実施態様では、ガス溝１１４は、チャック１０２の上面１０４の外縁に向かって配置され得る連続した（またはほぼ連続した）溝である。堆積プロセスの前に半導体ウエハ１３２を上面１０４に載置するときに、半導体ウエハ１３２の端部が、ガス溝１１４からのガスの流れが半導体ウエハ１３２の端部に接触するように位置できるよう、例えば、ガス溝１１４が、半導体ウエハの端部の真下にあるように、ガス溝１１４は寸法決めされ配置され得る。さらに、凹部１２０は、ガス溝１１４の最も内側の端部と全体的に境を接していることが観察される。一般的には、ガス溝１１４は、例えば不活性ガスを半導体ウエハの全周の周りに送給するように、略環状であってよい。ほとんどの場合では、ガス溝１１４は、概して半導体ウエハの公称直径（例えば、３００ｍｍ）と同じ、約１～数ミリメートル幅（例えば、１ｍｍ～２ｍｍ幅）である、単一の環状の溝であってもよい。

ガス溝１１４は、不活性ガスを供給し得るガス源（例えば、ガス源１３９）に流体接続されてもよい。ガス溝１１４は、不活性ガスを処理チャンバに流すことができ、不活性ガスの流れが、半導体ウエハの端面のプロセスガスへの曝露から保護するように作用し、半導体処理作業の間、半導体ウエハの端面で起こり得る意図しない堆積および／またはエッチングを防ぐまたはその量を減少させ得る。

図１に関して述べたように、台座１００は発熱体１０１を含み得る。図４は、台座１００の断面平面図であり、台座１００の発熱体１０１の例を示す。図４はチャックの下にある台座１００の断面図である。発熱体１０１は、例えば、抵抗発熱体または加熱もしくは冷却された液体の流路であってもよく、半導体処理作業の間に台座１００の温度を制御するために、特に堆積またはエッチングプロセスの間に、上面１０４の温度を制御するために使用され得る。台座１００の上面１０４は、発熱体１０１により加熱されると、堆積プロセスの間、半導体ウエハを加熱し得る。このような加熱の大部分は、チャック１０２と半導体ウエハ１３２の接触部分で発生する熱伝導性熱伝達により起こるが、さらに、半導体ウエハ１３２とチャック１０２の間に閉じ込められ得るガスを介して、チャック１０２と半導体ウエハ１３２の間で起こる、無視できない伝導および／または対流熱伝達も存在し得る。

先に記載したように、半導体ウエハ１３２の半径方向温度プロファイルが、半導体ウエハの端部に向かう温度が、半導体ウエハの中心に向かう（または半導体ウエハの中央領域１４２内の）温度よりも高い処理の間に温度差を示し得る。また先に記載したように、この温度変化は、半導体ウエハの中央部と比較して、半導体ウエハの端部近傍の堆積層（またはエッチング層）の厚みを増加させ得る。半導体ウエハ１３２の温度差を減少させる（それによりウエハプロセスの不均一性を減少させる）ため、例えば、図2に示すように、凹部１２０が含まれ得る。

図２の凹部１２０は、チャック１０２上の領域であり、上面１０４の下にあり、中央領域１４２の外側およびガス溝１１４の内側に配置され得る、１つまたは複数の凹状面（図２では、３つの円弧状の凹状面があり、それぞれはおよそ１２０°の弓形であり、全体で略環状の凹部１２０を形成する）を有する。

さらなる例として、図５－１はチャック１０２の断面図であり、上面１０４の下に例示的な凹部１２０を有する（参照のため、ウエハ１３２は上面１０４に載置されて示されている）。図５－２と５－３は、図５－１のチャック１０２のより詳細な図である。

図５－２は、図５－１のチャック１０２の円形部分の等角詳細切り取り図である。チャック１０２の真空溝１０８、上面１０４、およびガス溝１１４がすべて明確に図示され、真空封止領域１２１および凹部１２０も同様である。また、第１の距離１２８（Ｄ₁）および第２の距離１３０（Ｄ₂）も示され、第１の距離１２８は、中央領域１４２の最外縁と凹部１２０の内周との間の最小の距離であり、第２の距離１３０は、中央領域１４２の最外縁とガス溝１１４の最内縁との最小の距離である。

図５－３は、真空溝１０８、ガス溝１１４、および凹部１２０を含むチャック１０２の領域の詳細図である。この実施形態では、半導体ウエハ１３２は、その外縁がガス溝１１４にかかるように、上面１０４の上に位置決めされている。凹部１２０は、真空溝１０８とガス溝１１４の間に配置される。真空溝１０８は、内縁１１０と外縁１１２を有し、同様に、ガス溝１１４は内縁１１６と外縁１１８を有してもよい。

凹部１２０は全体として略環状領域であってよく、ガス溝１１４の内縁１１６により画定される外周と、最も外側の真空溝１０８（または中央領域１４２）の外縁１１２とガス溝１１４の内縁１１６の間に位置する内周を有する。例えば、凹部１２０は完全な環状領域でなくてもよく、例えば、内周および／または外周上に１つまたは複数の多角形の端部があってもよく、分割されていてもよく（図2に示されるような3つの弓形部分など）、および／または、半導体ウエハ１３２の裏面に接触し得るように１つまたは複数の突起部分を含んでもよい（例えば、凹部１２０は、その外周に沿って位置する小さな突起を有してもよく、突起は、半導体ウエハに接触する集合した上部表面積を有してもよいが、凹部の凹状面の集合した表面積よりもかなり小さく、例えば、２桁以上小さい）ことが理解される。後出の構成では、そのような突起を通してチャック１０２と半導体ウエハ１３２の間に依然として導電性の接触経路があるが、限定された導電性接触面積による熱伝達効果はほとんどない。同様に、いくつかの実施態様では、ガス溝の内縁は、かなり小さい径方向厚さの（例えば、凹部の径方向厚さよりも1桁以上小さい）、薄い円周方向壁により、凹部から分離されてもよく、そのような壁フィーチャにより、半導体ウエハに到達し得る熱伝達の量を減少させる。一般的には、凹部は、凹部の内周の外側のウエハ／チャックの接触を、除去するまたはその大部分を除去するために設計され得る。しかし、この構想の軽微な変更形態が除外されることは意図されず、特に、本明細書に記載されたものと同様であるが、例えば、チャックにより支持される半導体ウエハと接触するために配置された、１つまたは複数の小さな接触面積フィーチャを凹部内に備える、凹部を特徴とするチャックは、本開示の範囲内であるとみなされる。

上に記載したように、一般的に凹部１２０は、略環状の形状を有するものとして説明される。凹部１２０はまた、第2の距離１３０の百分率である、公称の径方向厚さまたは幅を有することを特徴とし得る。例えば、この百分率は（Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂として表現でき、０．１（１０％）以上０．５（５０％）以下、例えば０．４±０．１（４０％±１０％）、０．２５±０．０５（２５％±５％）または０．１５±０．０５（１５％±５％）となるように選択され得る。参照の便宜上、本明細書に記載された凹部を、Ｘ％アンダーカットの凹部またはＸ％のアンダーカットを有する凹部などと言及する場合があり、これは、公称の半径厚さまたは幅が第2の距離のＸ％である凹部を指すと理解されたい。「アンダーカット」という用語は、ウエハがチャック上に載置された際に、凹部がウエハを「アンダーカット」するため、使用される。

図５－２では、凹部１２０が、真空溝１０８の最外縁とガス溝１１４の内縁の間との距離が１５％（０．１５）の径方向幅を有し、中心軸１０６に対して平行方向に、０．０１５”の割れ目を形成するために、上面１０４から凹部形成される。なお、凹部１２０は上面１０４からかなりの距離で凹部形成されるのではなく、実際には、一般的に凹部１２０の深さは０．００５”から０．０５０”の範囲で選択することが有利であり得る（同様の深さが、本明細書に記載される他の実施態様でも使用され得る）。このような割れ間の距離は、凹部１２０内で半導体ウエハ１３２とチャック１０２の間の直接の熱伝導性熱伝達を軽減するように作用すると同時に、依然として、半導体ウエハ１３２とチャック１０２の間に閉じ込められ得るガスを介する対流および／または伝導性熱伝達メカニズムにより起こる大部分の熱伝達を維持する。

上面１０４の下に凹部１２０を有することにより、凹部１２０は、処理作業中の半導体ウエハの端部近傍における、チャック１０２と半導体ウエハ１３２の間の熱伝導を劇的に減少させるまたは取り除くために使用され得る。半導体ウエハ端部の温度減少は、半導体ウエハ端部の温度を、半導体ウエハ中央部の温度に、より近くなるよう変化させることにより、半導体ウエハ１３２の温度プロファイルをより均一になるようにできる。

図６－１～６－３は、凹部１２０が、真空溝１０８の最外縁とガス溝１１４の内縁との間の距離が２５％（０．２５）である径方向幅を有する点を除いて、図５－１～５－３と同様である。図７－１～７－３は同様に、凹部１２０が、真空溝１０８の最外縁とガス溝１１４の内縁との間の距離が４０％（０．４）である径方向幅を有する点を除いて、図５－１～５－３と同様である。見られるように、いくつかの例において、凹部１２０の径方向幅が大きくなるほど、最も外側の真空溝１０８の大きさ／径方向幅は大きくなり得る。これにより、真空封止領域１２１において半導体ウエハに、より大きなクランプ力を提供する（その結果、真空封止領域１２１の面積の減少によって発生し得る、漏れが発生する機会の増加をいくらか妨害する）。

チャックに凹部（または「アンダーカット」）を含むことの効果の例証を補佐するため、アンダーカット／凹部を含むチャックと、含まないチャックを用いて、いくつかの試験を行った。図８は、それらの試験から得られた結果を示し、異なるチャックを有するマルチステーション処理チャンバの異なるステーションで、2つのグループの２つの半導体ウエハをそれぞれ、同時に処理した温度プロファイルを示す。各々のチャックを昇温温度、例えば３００℃～５００℃の範囲に加熱し、各ウエハ上のプロセス領域を、全体的におよそ１０Ｔｏｒｒ（１３３３．２２Ｐａ）の圧力に保持し、各チャックの真空溝を真空に引き、半導体ウエハとチャックの間の背面横圧を、プロセス領域の背面横圧よりも低くなるようにして、低フッ素タングステン堆積プロセスを行うことにより、第１グループの半導体ウエハを処理した。第２グループの半導体ウエハを、真空溝を真空に引き、半導体ウエハとチャックの間の圧力を、プロセス領域の圧力よりもなお低くするが、第１グループの対応する圧力よりもおよそ６６％高くなるようにする点を除いて、同様の条件下で試験した。各々のグループに2つの半導体ウエハがあり、半導体ウエハ１は凹部の無い台座で試験し、半導体ウエハ２は、図５－３に示すように、径方向幅が、真空溝の最外縁とガス溝の内縁との間の距離の４０％（「４０％アンダーカット」チャックまたは「４０％アンダーカットの凹部を有するチャック」）の凹部を有する台座を用いて試験した。各々のウエハの温度分布は、処理の間、半導体ウエハ中心、半導体ウエハの外縁に沿った等間隔の8つの点、およびウエハ中心と半導体ウエハの外縁の間のおよそ中程にあるさらに8つの等間隔の点における測定を通して得た。ヒートマップは、任意の無次元温度差スケールに正規化された温度を示し、アンダーカットのないチャックとは対照的に、４０％アンダーカットのチャック全体の温度のばらつきの減少を示す。

半導体ウエハの両方のセットのデータは、半導体ウエハの中央部とそれぞれの端部との間の最大の温度差が、４０％アンダーカットのチャック上で処理されたウエハにおいて、凹部またはアンダーカットの全く無いチャックと比較して著しく減少することを実証した。特に、第１グループの半導体ウエハでは、４０％アンダーカットのチャックを使用することにより、凹部の無いチャックと比較して、端部／中央部の最大温度差が３３％減少（および端部／中央部の平均温度差は２８％減少）し、一方で、４０％アンダーカットのチャックを使用することにより、凹部の無いチャックと比較して、第２グループの半導体ウエハは、端部／中央部の最大温度差が４９％減少（および端部／中央部の平均温度差は４４％減少）することが観察された。したがって、４０％アンダーカットのチャックを使用することにより、端部／中央部の温度差が劇的に減少し、処理中のより高圧の裏面のアルゴン環境の維持は、端部／中央部の温度差をさらに減少させた。

言い換えると、グループ１では、ウエハ温度は、凹部の無いチャックを使用した時は７つの温度差帯に及ぶが、４０％アンダーカットのチャックを使用した時は５つの温度差帯のみに及んでいることがわかる。同様に、グループ２では、ウエハ温度は、凹部の無いチャックを使用した時は５つの温度差帯に及ぶが、４０％アンダーカットのチャックを使用した時は３つの温度差帯のみに及んでいることがわかる。凹部の使用により得られるウエハ（およびチャック）全体の温度のばらつきの減少は顕著であり、より向上したウエハの均一性を得ることに関して、大いに有益である。

図９は、同様の堆積プロセスに供された後の、2つの半導体ウエハの正規化された堆積層厚のラインスキャンを示す。１つの半導体ウエハは凹部の無いチャックにより支持され、他方の半導体ウエハは、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックにより支持された。点線は、凹部の無いチャックにより支持された半導体ウエハの正規化された堆積層厚を示し、実線は２５％アンダーカットの凹部を有するチャックにより支持された半導体ウエハの正規化された堆積層厚を示す。両方のプロットされた堆積層厚は、それぞれ、各々のウエハの中心から－１００ｍｍから＋１００ｍｍの間の平均堆積層厚に基づいて正規化した。図９に見られるように、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックにより支持された半導体ウエハ端部の最大の正規化された堆積層厚は、ベースラインの堆積層厚のおよそ２.５％上で、凹部の無いチャックにより支持された半導体ウエハ端部の最大の正規化された堆積層厚は、ベースラインの堆積層厚のおよそ５％上だった。したがって、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックの使用は、結果として凹部の無いチャックと比較して端部領域の不均一性を最大５０％低減した。

図9と同様に図１０は、（図９で使用されたプロセスとは異なるが）同様の堆積プロセスに供された後の、2つの半導体ウエハの正規化された堆積層厚のラインスキャンを示す。１つの半導体ウエハは凹部の無いチャックにより支持され、他方の半導体ウエハは、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックにより支持された。点線は、凹部の無いチャックにより支持された半導体ウエハの正規化された堆積層厚を示し、実線は２５％アンダーカットの凹部を有するチャックに支持された半導体ウエハの正規化された堆積層厚を示す。図９と同じように、両方のプロットされた堆積層厚は、それぞれ、各々のウエハの中心から－１００ｍｍから＋１００ｍｍの間の平均堆積層厚に基づいて正規化した。図１０に見られるように、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックにより支持された半導体ウエハ端部の最大の正規化された堆積層厚は、ベースラインの堆積層厚のおよそ１.５～１．８％上である一方、凹部の無いチャックにより支持された半導体ウエハ端部の最大の正規化された堆積層厚は、ベースラインの堆積層厚のおよそ３．３～３．４％上だった。したがって、図9により示されたのと同様に、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックの使用は、結果として凹部の無いチャックと比較して端部領域の不均一性を約５０％低減した。

凹部を有するチャックの使用が、どのようにウエハの均一性を向上させ得るのかをさらに実証するため、正規化された堆積層厚が図9と図１０に示された、４つのウエハのウエハ堆積層厚測定「ヒートマップ」を示す図１１を参照する（各々の半導体ウエハの正規化された堆積層厚プロットを、各々の対応するヒートマップの下に別に示す）。図１１のヒートマップは、正規化された堆積層厚の異なる値を、異なる度合の濃淡により示す。ヒートマップは、処理中に凹部の無いチャックに支持された半導体ウエハと比べて、処理中に凹部（例えば、２５％アンダーカットの凹部）を有するチャックに支持された半導体ウエハは、均一性の変動が、ずっと少ないことを示す。例えば、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックに支持され、第１の半導体処理に供された半導体ウエハの標準偏差が１．４％と５．４％の範囲であったのと比較して、同じ第１の半導体プロセスの間、凹部の無いチャックに支持された半導体ウエハが示した堆積層厚は、２％の標準偏差と６．１％の範囲を示した。同様に、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックに支持され、第２の半導体処理に供された半導体ウエハの標準偏差が１．0％と３．７％の範囲であったのと比較して、同じ第２の半導体処理の間、凹部の無いチャックにより支持された半導体ウエハが示した堆積層厚は、１．３％の標準偏差と４．８％の範囲を示した。

一般的に、凹部のアンダーカットの百分率を増加させると、それに対応してウエハの端部－中央部の均一性の向上が観察される。１５％アンダーカットの凹部を有するチャックは、凹部の全く無いチャックと比較して、より良い端部－中央部の均一性を有し、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックは、１５％アンダーカットの凹部を有するチャックと比較して、より良い端部－中央部の均一性を有し、４０％アンダーカットの凹部を有するチャックは、２５％アンダーカットの凹部を有するチャックと比較して、より良い端部－中央部の均一性を有する。この傾向は、例えば最大５０％アンダーカットの凹部まで続く。真空封止領域の表面積は、チャックを適切に作動するようにチャックを真空クランプするための十分な封止表面積を提供できない場合があるため、例えば、十分に大きなアンダーカット領域があっても、真空クランプ力／効率が低下する場合がある。

特に、本開示が、端部－中央部の層厚均一性が改善された、堆積層（またはエッチングされた層）を有する半導体ウエハを製造するために使用可能なチャックに関するだけでなく、半導体ウエハが本明細書に記載されたようなチャック（例えば、先に記載したような凹部を有するチャック）に支持されて製造された、堆積層（またはエッチングされた層）を有する半導体ウエハにも関することが理解されるだろう。このような半導体ウエハは、半導体ウエハの中央領域内（例えば、半導体ウエハの外縁の半径の3分の２の半径を有する中央領域内）の平均総厚さの３％以内である、半導体ウエハ端部近傍の最大の層厚を示すことができる。

さらに、本開示は、本明細書に記載された凹部を有するチャックのみでなく、そのようなチャックの製造方法も包含することが理解されるだろう。

例えば、図2に戻って参照すると、チャック１０２は、セラミックまたは金属材料から作製されてもよい。金属は、例えば、アルミニウム、鋼、チタン、それらの合金、または他の金属であってもよい。使用され得る可能性のあるセラミック材料は、例えば、炭化ケイ素または窒化ケイ素を含み得る。チャックの製造のために使用され得る任意の様々な製作技術が使用でき、例えば、フライス加工、旋盤加工などの減法製造技術、またはダイレクトメタルレーザー焼結法または他の3次元印刷技術などの他の機械加工もしくは付加的な製造技術を含むことが理解されるだろう。いくつかの実施態様では、チャックは、鋳造、射出成形、または他の技術などのネットシェイプ製造プロセスにより形成でき、その後、必要とされる寸法公差を実現するために、任意選択で機械仕上げされ得る。

図１２は、凹部を有するチャックを製作するための機械加工プロセスの例を示す。１２０２では、一片の材料を供給し、材料はセラミックもしくはアルミニウムなどの金属であってもよい。１２０４では、上面を機械加工してもよい。上面は、平面性要件を有してもよく、１つまたは複数の異なる機械加工プロセス、例えば、機械加工後のラッピング加工もしくは研磨加工により製作してもよい。１２０６では、１つまたは複数の真空溝を、チャックに機械加工してもよい。１つまたは複数の真空溝は、チャックを台座に組み込むときに、真空源に流体できるよう、また１つまたは複数の真空溝を、チャックの上面に載置され得る半導体ウエハの裏面を真空に引くよう、貫通孔に連結してもよい。フライス加工、電子放出機械加工、（旋盤を用いる）旋盤加工などを含む任意の適切な機械加工作業を用いて、１つまたは複数の真空溝を機械加工してもよい。１２０８では、１つまたは複数のガス溝をチャックに機械加工してもよい。１つまたは複数のガス溝は、チャックを半導体処理チャンバ内に設置するとき、不活性ガスを、１つまたは複数のガス溝を介してチャンバ内に流すように構成されたガス源に連結できるように、孔またはポートに連結してもよい。１つまたは複数の真空溝と同様に、１つまたは複数のガス溝は、任意の適切な機械加工プロセスにより、機械加工し得る。１２１０では、任意の適切な機械加工技術を用いて、チャックに凹部を機械加工してもよい。フライス加工、電子放出機械加工、（旋盤を用いる）旋盤加工などを含む任意の適切な機械加工作業を、凹部を機械加工するために使用できる。上面を機械加工する１２０４、１つまたは複数の真空溝を機械加工する１２０６、１つまたは複数のガス溝を機械加工する１２０８、および凹部を機械加工する１２１０の動作は、必ずしも特定の順序で行う必要はなく、ブロック１２０２で一片の材料を供給した後は、どのような順序で行ってもよい。

いくつかの実施態様では、コーティング塗装（アルミニウムチャック上への陽極酸化コーティングの塗布など）、焼成作業（例えば、機械加工した未焼成セラミックバージョンのチャックを炉または他の溶鉱炉で焼成し、機械加工後のセラミックを焼結して、硬化した焼結セラミックチャックにする）などの機械加工後の作業をチャックに行ってもよい。付加製造されたチャックの場合、チャックの全体形状は、１つまたは複数の真空溝、１つまたは複数のガス溝、および／または凹部を、１つまたは複数の層の作製の一部として形成されるときに、層ごとに形成してもよい。いくつかの付加製造されたチャックでは、例えば、より正確な機械加工フィーチャ、所望の平坦度を有する上面を提供するために、減法的な機械加工作業が、付加製造工程が完了した後に任意選択で行われてもよい。

いくつかの実施態様では、本明細書に記載されたチャックが、コントローラを含み得る半導体処理システムの一部であってもよいことがさらに理解されるだろう。そのようなシステムは、１つまたは複数の処理ツール、１つまたは複数のチャンバ、処理用の１つまたは複数のプラットフォーム、および／または特定の処理コンポーネント（ウエハ台座、ガス流システム等）を含む半導体処理装置を含み得る。これらのシステムは、半導体ウエハまたは基板の処理前、処理中、および処理後のシステム動作を制御するための電子機器と一体化されてもよい。この電子機器は、「コントローラ」と呼ばれることがあり、１つまたは複数のシステムの様々な構成要素または副部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、本明細書に開示のプロセスのいずれかを制御するようにプログラムされてもよい。そのようなプロセスとしては、処理ガスの送給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、無線周波数（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送給設定、位置および動作設定、ツールに対するウエハの搬入と搬出、ならびに、特定のシステムに接続または連動する他の搬送ツールおよび／またはロードロックに対するウエハの搬入と搬出が挙げられる。

広義には、コントローラは、命令を受信し、命令を発行し、動作を制御し、洗浄動作を可能にし、エンドポイント測定を可能にするなどの様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／またはソフトウェアを有する電子機器として定義されてもよい。集積回路は、プログラム命令を記憶するファームウェアの形式のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰｓ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ）として定義されたチップ、および／または１つまたは複数のマイクロプロセッサ、すなわちプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含んでもよい。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形式でコントローラに通信される命令であって、特定のプロセスを半導体ウエハ上で、または半導体ウエハ用に、またはシステムに対して実施するための動作パラメータを定義してもよい。動作パラメータは、いくつかの実施形態では、１つまたは複数の層、材料、金属、酸化物、ケイ素、二酸化ケイ素、表面、回路、および／またはウエハダイの製作における１つまたは複数の処理ステップを実現するためプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部であってもよい。

コントローラは、いくつかの実施態様では、システムと統合または結合されるか、他の方法でシステムにネットワーク接続されるコンピュータの一部であってもよく、またはそのようなコンピュータに結合されてもよく、またはそれらの組み合わせであってもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、ファブホストコンピュータシステムの全てもしくは一部であってもよい。これにより、ウエハ処理のリモートアクセスが可能となる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして、製作作業の現在の進捗状況を監視し、過去の製作作業の履歴を検討し、複数の製作作業から傾向または性能基準を検討し、現在の処理のパラメータを変更し、現在の処理に続く処理ステップを設定するか、または新しいプロセスを開始してもよい。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを通じてプロセスレシピをシステムに提供できる。そのようなネットワークは、ローカルネットワークまたはインターネットを含んでいてもよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定のエントリまたはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを含んでもよく、そのようなパラメータおよび／または設定は、その後リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例では、コントローラは、命令をデータの形式で受信する。そのようなデータは、１つまたは複数の操作中に実施される処理ステップの各々のためのパラメータを特定する。パラメータは、実施されるプロセスのタイプ、およびコントローラが連動または制御するように構成されるツールのタイプに特有のものであってもよいことを理解されたい。したがって、上述したように、コントローラは、例えば、互いにネットワーク接続され、本明細書に記載のプロセスおよび制御などの共通の目的に向けて協働する１つまたは複数の個別のコントローラを備えることによって分散されてもよい。このような目的のための分散型コントローラの例として、遠隔地（例えば、プラットフォームレベルで、またはリモートコンピュータの一部として）に配置され、チャンバ上のプロセスを制御するように結合する１つまたは複数の集積回路と通信する、チャンバ上の１つまたは複数の集積回路が挙げられるであろう。

例示的なシステムは、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、堆積チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属めっきチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、追跡チャンバまたはモジュール、ならびに半導体ウエハの製作および／または製造に関連するか使用されてもよい任意の他の半導体処理システムを含むことができるが、これらに限定されない。

上に記載したように、ツールにより実施される１つまたは複数のプロセスステップに応じて、コントローラは、１つまたは複数の他のツール回路もしくはモジュール、他のツールコンポーネント、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に配置されたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、または半導体製造工場内のツール場所および／もしくはロードポートに対してウエハの容器を搬入および搬出する材料搬送に使用されるツールと通信してもよい。

「約」「およそ」「実質的に」「公称の」などの用語は、量または同様の定量化できる特性に言及して使用される場合、別段の指示がなければ、その値の±１０％内の値または明示された関係を含む（また実際の値または明示された関係を含む）ものとして理解されるべきである。

「１つまたは複数の「物」のそれぞれの「物」において」、「１つまたは複数の「物」のそれぞれの「物」」などの語句が本明細書で使用される場合、単数の物の群、および複数の者の群の両方を含み、すなわち「それぞれの・・・において」という語句は、どのような物の集団が言及されているとしても、それぞれの物を指すために言語をプログラミングする際に、それは使用されるという意味で使用されることが理解されるべきである。例えば、言及される物の集団が、単数の物である場合、「それぞれの」は、その単数の物（辞書においては「それぞれの」という用語は「2つ以上のもののうちのすべて」であると多くの場合定義しているが）のみを指し、それらの物が少なくとも2つ以上なければならないことは意味していない。

例えば、順序を示す記号（ａ）、（ｂ）、（ｃ）・・・などが、本開示および特許請求の範囲で用いられる場合は、そのような順序が明白に示されている範囲を除いて、特定の順序を指すのではないことが理解されるべきである。例えば、（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）と表記される３つのステップがある場合、別段の指示がなければ、これらのステップはどのような順序で実施されてもよい（または、もしそうでない場合に禁忌でなければ、同時であってもよい）ことが理解されるべきである。例えば、もしステップ（ｉｉ）がステップ（ｉ）で作製された要素の取り扱いを含む場合、ステップ（ｉｉ）はステップ（ｉ）のいくらか後の時点で起こると考えられ得る。同様に、もしステップ（ｉ）が、ステップ（ｉｉ）で作製された要素の取り扱いを含む場合、その逆であることが理解されるべきである。

前述の構想のすべての組み合わせ（提供されるそのような構想は、互いに矛盾しない）は、本明細書に開示された本発明の主題の一部として企図されることが、認識されるべきである。特に、本開示の終わりに記載の、特許請求される主題のすべての組み合わせは、本明細書に開示された本発明の主題の一部として企図される。また、参照により組み込まれたいずれの開示にも記載される可能のある、本明細書で明示的に使用された用語は、本明細書に開示された具体的な構想と最も一致する意味を与えられることもまた、認識されるべきである。

上記の開示は、特定の１つまたは複数の例示的な実施態様に主眼をおいているが、記載された例のみに限定されず、同様の変形例および構造にも適用できることはさらに理解されるべきであり、そのような同様の変形例および構造は、本開示の範囲内であるとみなされるべきである。

前述の実施形態は、理解を明確にするためにいくぶん詳細に記載したが、添付の特許請求の範囲内で、何らかの変更および改変がなされ得ることは明らかであろう。なお、本実施形態のプロセス、システム、および装置を実施する多くの代替的手段がある。したがって、本実施形態は、例示であり限定的ではないとみなされるべきであり、実施形態は、本明細書に記載される詳細に限定されるべきではない。また本開示は以下の形態として実現できる。
［形態１］
半導体処理のための装置であって、
発熱体と、天板と、を有する台座を含み、
前記天板は、
半導体ウエハが前記台座に載置されるときに、前記半導体ウエハを支持するように構成された基板支持台表面と、
前記台座の中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の前記真空溝は、前記基板支持台表面にまで伸びて外縁を有しており、前記天板の中心軸は、前記中央領域を通っている、真空溝と、
前記台座の前記中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、
１つまたは複数の凹面と、前記中央領域と前記ガス溝の前記内縁の間に位置決めされた内周を有する凹部と
を含み、
前記１つまたは複数の凹面はそれぞれ、前記基板支持台表面と一致する基準面から前記中心軸に沿ってオフセットされることにより、前記１つまたは複数の凹面および前記基準面の間に間隙があり、
前記１つまたは複数の真空溝の各真空溝において、前記内周に最も近接した、前記真空溝の前記外縁の一部は、前記内周から、少なくとも対応する第１の距離Ｄ ₁ だけ分離され、前記ガス溝の最も近接した部分から、少なくとも対応する第２の距離Ｄ ₂ だけ分離されている、装置。
［形態２］
形態１に記載の装置であって、各々の真空溝において、
（Ｄ ₂ －Ｄ ₁ ）／Ｄ ₂ ＝０．４±０．１である、装置。
［形態３］
形態１に記載の装置であって、各々の真空溝において、
（Ｄ ₂ －Ｄ ₁ ）／Ｄ ₂ ＝０．２５±０．０５である、装置。
［形態４］
形態１に記載の装置であって、各々の真空溝において、
（Ｄ ₂ －Ｄ ₁ ）／Ｄ ₂ ＝０．１５±０．０５である、装置。
［形態５］
形態１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
前記ガス溝の前記内縁は、少なくとも部分的に、前記凹部との境界となっている、装置。
［形態６］
形態１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
前記ガス溝の前記内縁と前記凹部の外周との間に、ラジアルギャップがある、装置。
［形態７］
形態１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
前記凹部の前記１つまたは複数の表面と前記基板支持台表面の間の間隙は、０．０５インチ（０．１２７ｃｍ）以下である、装置。
［形態８］
形態１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
前記ガス溝の前記内縁は、３００ｍｍ±１ｍｍの直径を有する円形領域内にあり、前記ガス溝の前記外縁は、前記円形領域の外側にある、装置。
［形態９］
形態１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
前記天板は、アルミニウム製である、装置。
［形態１０］
形態１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
前記天板は、セラミック製である、装置。
［形態１１］
形態１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
処理チャンバと、
不活性ガス源と、
真空源とをさらに含み、
前記台座は、前記処理チャンバ内に配置され、
前記不活性ガス源は、前記ガス溝に不活性ガスを制御可能に流すように構成されており、
前記真空源は、前記１つまたは複数の真空溝上を、制御可能に真空に引くように構成されている、装置。
［形態１２］
形態１１に記載の装置であって、
前記台座の上に位置決めされ、その中を通り前記台座に向かってガスを分配して流すように構成されたシャワーヘッドと、
各々が、前記シャワーヘッドを通して、対応するプロセスガスを制御可能に流すように構成された、１つまたは複数のプロセスガス源と、
をさらに含む、装置。
［形態１３］
形態１２に記載の装置であって、
前記１つまたは複数のプロセスガス源は、フッ素および塩素からなる群から選択される元素も含む金属含有ガスを、制御可能に流すように構成された、装置。
［形態１４］
半導体処理の間に、半導体ウエハを支持するチャックであって、
前記チャックは、
前記半導体ウエハを上に載置するときに前記半導体ウエハを支持するよう構成された、基板支持台表面と、
前記チャックの中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の前記真空溝が、前記基板支持台表面にまで伸びて外縁を有しており、前記チャックの中心軸は、前記中央領域を通っており、前記基板支持台表面に対して垂直である、真空溝と、
前記中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、
１つまたは複数の凹面と、前記中央領域と前記ガス溝の前記内縁の間にある内周を有する凹部と、
を含み、
前記１つまたは複数の凹面はそれぞれ、前記基板支持台表面と一致する基準面から前記中心軸に沿ってオフセットされることで、前記１つまたは複数の凹面および前記基準面の間に間隙があり、
前記１つまたは複数の真空溝を囲む、最小の円形領域は、第１の距離Ｄ ₁ だけ前記内周から分離され、前記ガス溝の最も近接した部分から、第２の距離Ｄ ₂ だけ分離されており、（Ｄ ₂ －Ｄ ₁ ）／Ｄ ₂ ＝０．３±０．２である、チャック。
［形態１５］
天板を製作することを含む方法であって、
前記天板は、
半導体ウエハを上に載置するときに前記半導体ウエハを支持するよう構成された、基板支持台表面と、
前記天板の中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝でであって、各々の前記真空溝が、前記基板支持台表面にまで伸びて外縁を有しており、前記天板の中心軸は、前記中央領域を通っている、真空溝と、
前記台座の前記中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、
１つまたは複数の凹面と、前記中央領域と前記ガス溝の前記内縁の間に配置された内周を有する凹部と、
を含み、
前記１つまたは複数の凹面はそれぞれ、前記基板支持台表面と一致する基準面から前記中心軸に沿ってオフセットされることにより、前記１つまたは複数の凹面および前記基準面の間に間隙があり、
前記１つまたは複数の真空溝の各々の真空溝において、前記内周に最も近接した、前記真空溝の前記外縁の一部は、前記内周から、少なくとも対応する第１の距離Ｄ ₁ だけ分離され、前記ガス溝の最も近接した部分から、少なくとも対応する第２の距離Ｄ ₂ だけ分離されている、方法。
［形態１６］
形態１５に記載の方法であって、各々の真空溝において、
（Ｄ ₂ －Ｄ ₁ ）／Ｄ ₂ ＝０．３±０．２である、方法。
［形態１７］
形態１５または１６のいずれかに記載の方法であって、前記凹部の前記１つまたは複数の表面と前記基準面の間にある前記間隙は、０．０５インチ（０．１２７ｃｍ）以下である、方法。
［形態１８］
形態１５または１６のいずれかに記載の方法であって、前記ガス溝の前記内縁は、３００ｍｍ±１ｍｍの直径を有する円形領域内にあり、前記ガス溝の前記外縁は、前記円形領域の外側にある、方法。
［形態１９］
形態１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板の材料は、アルミニウムである、方法。
［形態２０］
形態１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板の材料は、セラミックである、方法。
［形態２1］
形態１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板を製作することは、
前記天板のための一片の材料を供給することと、
前記基板支持台表面を、前記天板に機械加工することと、
前記一片の材料に前記真空溝を形成することと、
前記一片の材料に、前記ガス溝を形成することと、
前記一片の材料に前記凹部を形成すること
をさらに含む、方法。
［形態２２］
形態１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板を製作することは、前記材料の環状ゾーンを削ることにより、前記一片の材料に前記凹部を機械加工することをさらに含む、方法。
［形態２３］
形態１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板を製作することは、旋盤を用いて前記一片の材料を回転させ、旋削工具を用いて前記材料の環状ゾーンを切削することにより、前記凹部を形成することをさらに含む、方法。

Claims (23)

1. 半導体処理のための装置であって、
   発熱体と、天板と、を有する台座を含み、
   前記天板は、
   半導体ウエハが前記台座に載置されるときに、前記半導体ウエハを支持するように構成された基板支持台表面と、
   前記台座の中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の前記真空溝は、前記基板支持台表面にまで伸びて外縁を有しており、前記天板の中心軸は、前記中央領域を通っている、真空溝と、
   前記台座の前記中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、
   １つまたは複数の凹面と、前記中央領域と前記ガス溝の前記内縁の間に位置決めされた内周を有する凹部と
   を含み、
   前記１つまたは複数の凹面はそれぞれ、前記基板支持台表面と一致する基準面から前記中心軸に沿ってオフセットされることにより、前記１つまたは複数の凹面および前記基準面の間に間隙があり、前記１つまたは複数の凹面が前記ガス溝の底面よりも前記基準面の近くに位置し、
   前記１つまたは複数の真空溝の各真空溝において、前記内周に最も近接した、前記真空溝の前記外縁の一部は、前記内周から、少なくとも対応する第１の距離Ｄ₁だけ分離され、前記ガス溝の最も近接した部分から、少なくとも対応する第２の距離Ｄ₂だけ分離されている、装置。
2. 請求項１に記載の装置であって、各々の真空溝において、
   （Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂＝０．４±０．１である、装置。
3. 請求項１に記載の装置であって、各々の真空溝において、
   （Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂＝０．２５±０．０５である、装置。
4. 請求項１に記載の装置であって、各々の真空溝において、
   （Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂＝０．１５±０．０５である、装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
   前記ガス溝の前記内縁は、少なくとも部分的に、前記凹部との境界となっている、装置。
6. 請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
   前記ガス溝の前記内縁と前記凹部の外周との間に、ラジアルギャップがある、装置。
7. 請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
   前記凹部の前記１つまたは複数の表面と前記基板支持台表面の間の間隙は、０．０５インチ（０．１２７ｃｍ）以下である、装置。
8. 請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
   前記ガス溝の前記内縁は、３００ｍｍ±１ｍｍの直径を有する円形領域内にあり、前記ガス溝の前記外縁は、前記円形領域の外側にある、装置。
9. 請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
   前記天板は、アルミニウム製である、装置。
10. 請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
    前記天板は、セラミック製である、装置。
11. 請求項１から４のいずれか一項に記載の装置であって、
    処理チャンバと、
    不活性ガス源と、
    真空源とをさらに含み、
    前記台座は、前記処理チャンバ内に配置され、
    前記不活性ガス源は、前記ガス溝に不活性ガスを制御可能に流すように構成されており、
    前記真空源は、前記１つまたは複数の真空溝上を、制御可能に真空に引くように構成されている、装置。
12. 請求項１１に記載の装置であって、
    前記台座の上に位置決めされ、その中を通り前記台座に向かってガスを分配して流すように構成されたシャワーヘッドと、
    各々が、前記シャワーヘッドを通して、対応するプロセスガスを制御可能に流すように構成された、１つまたは複数のプロセスガス源と、
    をさらに含む、装置。
13. 請求項１２に記載の装置であって、
    前記１つまたは複数のプロセスガス源は、フッ素および塩素からなる群から選択される元素も含む金属含有ガスを、制御可能に流すように構成された、装置。
14. 半導体処理の間に、半導体ウエハを支持するチャックであって、
    前記チャックは、
    前記半導体ウエハを上に載置するときに前記半導体ウエハを支持するよう構成された、基板支持台表面と、
    前記チャックの中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の前記真空溝が、前記基板支持台表面にまで伸びて外縁を有しており、前記チャックの中心軸は、前記中央領域を通っており、前記基板支持台表面に対して垂直である、真空溝と、
    前記中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、
    １つまたは複数の凹面と、前記中央領域と前記ガス溝の前記内縁の間にある内周を有する凹部と、
    を含み、
    前記１つまたは複数の凹面はそれぞれ、前記基板支持台表面と一致する基準面から前記中心軸に沿ってオフセットされることで、前記１つまたは複数の凹面および前記基準面の間に間隙があり、前記１つまたは複数の凹面が前記ガス溝の底面よりも前記基準面の近くに位置し、
    前記１つまたは複数の真空溝を囲む、最小の円形領域は、第１の距離Ｄ₁だけ前記内周から分離され、前記ガス溝の最も近接した部分から、第２の距離Ｄ₂だけ分離されており、（Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂＝０．３±０．２であり、
    前記ガス溝は、前記最小の円形領域を囲んで伸びる、チャック。
15. 天板を製作することを含む方法であって、
    前記天板は、
    半導体ウエハを上に載置するときに前記半導体ウエハを支持するよう構成された、基板支持台表面と、
    前記天板の中央領域内に配置された１つまたは複数の真空溝であって、各々の前記真空溝が、前記基板支持台表面にまで伸びて外縁を有しており、前記天板の中心軸は、前記中央領域を通っている、真空溝と、
    前記天板の前記中央領域を囲んで伸びて、内縁と外縁を有するガス溝と、
    １つまたは複数の凹面と、前記中央領域と前記ガス溝の前記内縁の間に配置された内周を有する凹部と、
    を含み、
    前記１つまたは複数の凹面はそれぞれ、前記基板支持台表面と一致する基準面から前記中心軸に沿ってオフセットされることにより、前記１つまたは複数の凹面および前記基準面の間に間隙があり、前記１つまたは複数の凹面が前記ガス溝の底面よりも前記基準面の近くに位置し、
    前記１つまたは複数の真空溝の各々の真空溝において、前記内周に最も近接した、前記真空溝の前記外縁の一部は、前記内周から、少なくとも対応する第１の距離Ｄ₁だけ分離され、前記ガス溝の最も近接した部分から、少なくとも対応する第２の距離Ｄ₂だけ分離されている、方法。
16. 請求項１５に記載の方法であって、各々の真空溝において、
    （Ｄ₂－Ｄ₁）／Ｄ₂＝０．３±０．２である、方法。
17. 請求項１５または１６のいずれかに記載の方法であって、前記凹部の前記１つまたは複数の表面と前記基準面の間にある前記間隙は、０．０５インチ（０．１２７ｃｍ）以下である、方法。
18. 請求項１５または１６のいずれかに記載の方法であって、前記ガス溝の前記内縁は、３００ｍｍ±１ｍｍの直径を有する円形領域内にあり、前記ガス溝の前記外縁は、前記円形領域の外側にある、方法。
19. 請求項１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板の材料は、アルミニウムである、方法。
20. 請求項１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板の材料は、セラミックである、方法。
21. 請求項１５から１８のいずれか一項に記載の方法であって、前記天板を製作することは、
    前記天板のための一片の材料を供給することと、
    前記基板支持台表面を、前記天板に機械加工することと、
    前記一片の前記材料に前記真空溝を形成することと、
    前記一片の前記材料に、前記ガス溝を形成することと、
    前記一片の前記材料に前記凹部を形成すること
    をさらに含む、方法。
22. 請求項２１に記載の方法であって、前記天板を製作することは、前記一片の前記材料の環状ゾーンを削ることにより、前記一片の前記材料に前記凹部を機械加工することをさらに含む、方法。
23. 請求項２１に記載の方法であって、前記天板を製作することは、旋盤を用いて前記一片の前記材料を回転させ、旋削工具を用いて前記一片の材料の環状ゾーンを切削することにより、前記凹部を形成することをさらに含む、方法。