JP7790633B2 - 多層回路基板 - Google Patents

Description

本発明は、多層回路基板に関する。

特許文献１には、絶縁層と、上記絶縁層の一方主面に形成された導体層とを含む配線基板であって、上記絶縁層は、上記導体層を底とし、上記絶縁層の他方主面に向かって開口する穴を有し、上記穴には、上記導体層に接続された第１ビア部と、上記第１ビア部に接続された第２ビア部とが設けられており、上記第１ビア部は、導電性部材を含み、樹脂部材を含まず、上記第１ビア部は、上記第１ビア部の上記第２ビア部側の端面が上記第２ビア部に向かって突出する突出部を有しており、上記第２ビア部の一部は、上記第１ビア部の上記突出部と上記絶縁層との間まで延在し、かつ、上記第１ビア部に接続された上記導体層には接しない、ことを特徴とする配線基板が開示されている。

国際公開第２０２２／２０２３２２号

特許文献１には、導体箔付き絶縁層に設けられた穴にめっき処理を施すことにより、穴の途中まで第１ビア部を形成すること、及び、第１ビア部が形成された穴の残りの部分に導電性ペーストを充填することにより、第１ビア部と接続された第２ビア部を形成することが記載されている。

さらに、特許文献１には、第１ビア部及び第２ビア部が形成された導体箔付き絶縁層を含む絶縁層を順に積層し、その後、得られた積層体を積層方向に加熱プレス（一括プレス）することにより、積層基板（以下、多層回路基板ともいう）を作製することが記載されている。

しかしながら、一括プレスによって多層回路基板を作製する場合には、第１ビア部及び第２ビア部を含む層間接続導体にかかる垂直荷重が局所的に大きくなる。その際、第２ビア部の導電性ペーストとして一般的に使用されているＣｕ合金系の導電性ペーストは、ヤング率が高く、展性が劣るため、この荷重に第２ビア部が耐えきれず、層間接続導体にクラックが発生しやすくなる。

そこで、ヤング率が高く、展性に優れるＡｇ合金系の導電性ペーストを第２ビア部に使用することが考えられる。しかしながら、Ｃｕに比べてＡｇはマイグレーションが発生しやすいため、Ａｇ合金系の導電性ペーストの使用量が多くなると、マイグレーションのリスクが高くなる。また、Ａｇは高価な貴金属であるため、製造コストの観点からも、Ａｇ合金系の導電性ペーストの使用量が多くなることは好ましくない。

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、層間接続導体にクラックが発生しにくく、かつ、マイグレーションのリスクが低く、製造コストの増大が抑えられる多層回路基板を提供することを目的とする。

本発明の多層回路基板は、複数の絶縁層が積層されてなり、積層方向に相対する第１主面及び第２主面を有する絶縁基材と、上記絶縁層同士の間、上記第１主面又は上記第２主面に設けられる複数の導体層と、上記絶縁層を上記積層方向に貫通して設けられる複数の層間接続導体と、を備える。上記導体層は、いずれもＣｕ箔からなる第１の導体層、第２の導体層、第３の導体層及び第４の導体層を含む。上記層間接続導体は、上記積層方向において上記第１の導体層及び上記第２の導体層に挟まれる第１の層間接続導体と、上記積層方向において上記第３の導体層及び上記第４の導体層に挟まれる第２の層間接続導体と、を含む。上記第１の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる第１部分と、Ａｇを主成分とする単一金属又は合金からなる第２部分と、を上記積層方向に含む。上記第１部分の一方の端部は上記第１の導体層と接合し、上記第１部分の他方の端部は上記第２部分の一方の端部と接合している。上記第２部分には、上記第１部分側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている。上記第２の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする合金からなる第３部分を含む。上記第３部分の一方の端部は上記第３の導体層と接合し、上記第３部分の他方の端部は上記第４の導体層と接合している。上記第３部分には、上記第３の導体層側の端部及び上記第４の導体層側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている。

本発明によれば、層間接続導体にクラックが発生しにくく、かつ、マイグレーションのリスクが低く、製造コストの増大が抑えられる多層回路基板を提供することができる。

図１は、本発明の多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の第１実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図３は、第１の層間接続導体３１の一例を模式的に示す断面図である。 図４は、第２の層間接続導体３２の一例を模式的に示す断面図である。 図５は、第２の層間接続導体３３の一例を模式的に示す断面図である。 図６Ａ及び図６Ｂは、多層回路基板１Ａの製造方法の一例を模式的に示す断面図である。 図７は、本発明の第２実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図８は、本発明の第３実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図９は、本発明の第４実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図１０は、第１の層間接続導体３４の一例を模式的に示す断面図である。 図１１は、本発明の第５実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図１２は、本発明の第６実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図１３は、本発明の第７実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図１４は、本発明の第８実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図１５は、本発明の第９実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図１６は、本発明の第１０実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。 図１７は、本発明の第１１実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の多層回路基板について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。以下において記載する本発明の個々の好ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

本明細書において、要素間の関係性を示す用語（例えば「垂直」、「平行」、「直交」等）及び要素の形状を示す用語は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。また、本明細書において、「同等である」とは、完全に同等である場合のみを意味する表現ではなく、実質的に同等である場合、例えば、数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。

以下に示す図面は模式図であり、その寸法、縦横比の縮尺等は実際の製品と異なる場合がある。図中、同一又は相当部分には同一符号を用いることとする。また、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。

図１は、本発明の多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１に示す多層回路基板１は、絶縁基材１０と、複数の導体層２０と、複数の層間接続導体３０と、を備える。

多層回路基板１は、リジッド基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。多層回路基板１は、曲げ部を有してもよい。

絶縁基材１０は、複数の絶縁層１１が積層されてなる積層体である。絶縁基材１０は、積層方向（図１では上下方向）に相対する第１主面１０ａ（図１では上面）及び第２主面１０ｂ（図１では下面）を有する。

導体層２０は、絶縁層１１同士の間、第１主面１０ａ又は第２主面１０ｂに設けられている。

絶縁基材１０の第１主面１０ａには、導体層２０として実装電極Ｅ１が配置されている。

絶縁基材１０の第２主面１０ｂには、導体層２０として放射電極Ｅ２が配置されている。放射電極Ｅ２は、導体層２０のうち第２主面１０ｂに最も近接して配置される導体層であればよく、必ずしも第２主面１０ｂに配置されていなくてもよい。放射電極Ｅ２がアンテナの放射素子を構成する。放射素子の動作周波数帯は、例えばミリ波帯等の高周波帯である。

層間接続導体３０は、絶縁層１１を積層方向に貫通して設けられている。各々の層間接続導体３０は、１層の絶縁層１１を積層方向に貫通して設けられていてもよく、２層以上の絶縁層１１を積層方向に貫通して設けられていてもよい。

各々の層間接続導体３０は、積層方向において、第１主面１０ａ側の導体層２０及び第２主面１０ｂ側の導体層２０に挟まれている。

多層回路基板１の表層には、絶縁性の保護層４０が設けられていてもよい。保護層４０は、例えば、カバーレイ、レジスト層等である。保護層４０は、第１主面１０ａ及び第２主面１０ｂのうち、両側の主面に設けられていてもよいし、いずれか一方の主面に設けられていてもよい。

図１に示す多層回路基板１には、電子部品１００が実装されている。図１に示す例では、電子部品１００として、集積回路（ＩＣ）１１０、高周波部品１２０及びコネクタ１３０が多層回路基板１の第１主面１０ａに実装されている。このうち、集積回路１１０及び高周波部品１２０は誘電体基板１４０に実装されており、誘電体基板１４０を介して多層回路基板１に実装されている。

図１中の破線で囲んだ箇所で示すように、集積回路１１０等の電子部品１００から層間接続導体をダイレクトに多層回路基板１に下ろすことで、電流の経路を短くすることが好ましい。これにより、挿入損失を小さくすことができる。そのため、実装電極Ｅ１に接続される層間接続導体３０には、小径化及び狭ピッチ化が求められる。

一方、放射電極Ｅ２に接続される層間接続導体３０には、実装電極Ｅ１に接続される層間接続導体３０ほど小径化及び狭ピッチ化は必要ない。例えば、放射電極Ｅ２に接続される層間接続導体３０の直径を実装電極Ｅ１に接続される層間接続導体３０の直径よりも大きくすることで、接続強度を高くすることができる。

多層回路基板１では、層間接続導体３０として、以下に示す各実施形態で説明する第１の層間接続導体又は第２の層間接続導体が設けられる。

後述するように、少なくとも１つの第１の層間接続導体と接続する導体層２０が実装電極Ｅ１であることが好ましい。また、少なくとも１つの第２の層間接続導体と接続する導体層２０が放射電極Ｅ２であることが好ましい。

以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。

［第１実施形態］
図２は、本発明の第１実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図２に示す多層回路基板１Ａは、絶縁基材１０と、複数の導体層２０と、複数の層間接続導体３０と、を備える。

絶縁基材１０は、複数の絶縁層１１が積層されてなる積層体である。絶縁基材１０は、積層方向（図２では上下方向）に相対する第１主面１０ａ（図２では上面）及び第２主面１０ｂ（図２では下面）を有する。

絶縁層１１は、例えば、樹脂を主成分とする樹脂絶縁層である。

絶縁層１１が樹脂絶縁層である場合、絶縁層１１は、熱硬化性樹脂を主成分とする層でもよく、熱可塑性樹脂を主成分とする層でもよいが、熱可塑性樹脂を主成分とする層を含むことが好ましい。絶縁層１１が熱可塑性樹脂から構成される場合には、導体層２０が形成された樹脂シートを複数枚積層し、熱処理によって一括圧着（一括プレス）することができる。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂若しくはその変性樹脂、及び、アクリル樹脂等が挙げられる。

熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ素樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンスルフィド樹脂（ＰＰＳ）等が挙げられる。

絶縁層１１は、液晶ポリマーを主成分とする層を含むことが好ましい。液晶ポリマーは他の熱可塑性樹脂に比べて吸水率が低い。したがって、絶縁層１１が液晶ポリマーを主成分とする層を含む場合、絶縁層１１に残存する水分を少なくすることができる。

絶縁層１１は、セラミックフィラー等の無機材料を含んでいてもよい。

セラミックフィラーとしては、例えば、窒化ホウ素、タルク、溶融シリカ等が挙げられる。

絶縁層１１の１層分の厚さ（積層方向の長さ）は、好ましくは１０μｍ以上、１００μｍ以下である。絶縁層１１の１層分の厚さは、互いに同じでもよく、異なってもよい。

導体層２０は、絶縁層１１同士の間、第１主面１０ａ又は第２主面１０ｂに設けられている。

導体層２０は、配線等にパターン化されたパターン形状であってもよく、一面に広がった面状であってもよい。導体層２０の形状は、互いに同じでもよく、異なってもよい。

導体層２０は、いずれもＣｕ（銅）箔からなることが好ましい。

導体層２０は、一方の主面にマット面を有し、他方の主面にシャイニー面を有してもよい。

導体層２０の厚さ（積層方向の長さ）は、好ましくは１μｍ以上、３５μｍ以下であり、より好ましくは６μｍ以上、１８μｍ以下である。導体層２０の厚さは、互いに同じでもよく、異なってもよい。

導体層２０は、互いに平行でもよく、平行でなくてもよい。

絶縁基材１０の第１主面１０ａには、導体層２０として実装電極Ｅ１が配置されている。

絶縁基材１０の第２主面１０ｂには、導体層２０として放射電極Ｅ２が配置されている。放射電極Ｅ２は、導体層２０のうち第２主面１０ｂに最も近接して配置される導体層であればよく、必ずしも第２主面１０ｂに配置されていなくてもよい。

図２に示す多層回路基板１Ａでは、層間接続導体３０は、第１の層間接続導体３１と、第２の層間接続導体３２及び３３と、を含む。層間接続導体３０は、第２の層間接続導体３２及び３３のうち、いずれか一方のみを含んでいてもよい。

積層方向に垂直な断面において、層間接続導体３０の形状は、円形であることが好ましい。この場合、真円だけでなく、楕円、長円等も円形に含まれる。

第１の層間接続導体３１は、第１部分３１Ａと、第２部分３１Ｂと、を積層方向に含む。

図３は、第１の層間接続導体３１の一例を模式的に示す断面図である。図３では、図２と上下を入れ替えて図示している。

第１の層間接続導体３１は、積層方向において第１の導体層２１及び第２の導体層２２に挟まれている。図３に示す例では、第１の層間接続導体３１は、１層の絶縁層１１を積層方向に貫通して設けられている。

第１の層間接続導体３１において、第１部分３１Ａは、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる。

第１部分３１Ａは、例えば、めっきビアである。ここで、めっきビアとは、液相法又は気相法により膜を成長させたものを意味する。

第２部分３１Ｂは、Ａｇを主成分とする単一金属又は合金からなる。例えば、第２部分３１Ｂは、Ａｇ_３Ｓｎ、Ａｇ_５Ｓｎ等のＡｇ－Ｓｎ合金からなる。

第２部分３１Ｂは、例えば、ペーストビアである。ここで、ペーストビアとは、ペーストを固化させたものを意味する。後述する一括プレスによって多層回路基板１Ａが作製される場合、第２部分３１Ｂが接合材として機能することで、第１部分３１Ａと第２の導体層２２とを導通接続させることができる。

第１部分３１Ａの一方の端部は第１の導体層２１と接合し、第１部分３１Ａの他方の端部は第２部分３１Ｂの一方の端部と接合している。

第１部分３１Ａと第１の導体層２１とは、異種材料を介さず、直接接合されている。そのため、第１部分３１Ａと第１の導体層２１との界面には、異種材料が存在しない部分、すなわち、第１部分３１Ａと第１の導体層２１とが直接接している部分が存在する。

第２部分３１Ｂには、第１部分３１Ａ側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層５１が形成されている。例えば、中間層５１は、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。

第２部分３１Ｂの他方の端部は第２の導体層２２と接合している。

第２部分３１Ｂには、第２の導体層２２側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層５１が形成されている。例えば、中間層５１は、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。

中間層５１は、例えば、絶縁層１１を積層方向に平行な方向に切断した断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察することにより確認することができる。中間層５１は、第１部分３１Ａ及び第２部分３１Ｂのいずれとも組成が異なるため、ＳＥＭ写真において第１部分３１Ａ及び第２部分３１Ｂとは異なる色調で表示される。

なお、含まれる金属元素の種類が同じであっても、それぞれの金属元素の含有割合が異なる場合も「組成が異なる」とする。例えば、Ｃｕ_５Ｓｎ、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_６Ｓｎ_５等の組成は、いずれも、金属種としてＣｕ及びＳｎを含む組成であるが、金属種の含有割合が異なるため、互いに組成が異なっていると言える。

図４は、第２の層間接続導体３２の一例を模式的に示す断面図である。図４では、図２と上下を入れ替えて図示している。

第２の層間接続導体３２は、積層方向において第３の導体層２３及び第４の導体層２４に挟まれている。図４に示す例では、第２の層間接続導体３２は、１層の絶縁層１１を積層方向に貫通して設けられている。

第２の層間接続導体３２は、第３部分３２Ａを含む。

第２の層間接続導体３２において、第３部分３２Ａは、Ｃｕを主成分とする合金からなる。例えば、第３部分３２Ａは、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。

第３部分３２Ａは、例えば、ペーストビアである。

第３部分３２Ａの一方の端部は第３の導体層２３と接合し、第３部分３２Ａの他方の端部は第４の導体層２４と接合している。

第３部分３２Ａには、第３の導体層２３側の端部及び第４の導体層２４側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層５２が形成されている。例えば、中間層５２は、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。ただし、中間層５２の組成は、第３部分３２Ａの組成と異なる。

図５は、第２の層間接続導体３３の一例を模式的に示す断面図である。図５では、図２と上下を入れ替えて図示している。

第２の層間接続導体３３は、積層方向において第３の導体層２３及び第４の導体層２４に挟まれている。図５に示す例では、第２の層間接続導体３３は、２層の絶縁層１１を積層方向に貫通して設けられている。第２の層間接続導体３３は、１組の第２の層間接続導体３２が反転した状態で接続した形状を有している。

第２の層間接続導体３３は、第３部分３３Ａを含む。

第２の層間接続導体３３において、第３部分３３Ａは、Ｃｕを主成分とする合金からなる。例えば、第３部分３３Ａは、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。

第３部分３３Ａは、例えば、ペーストビアである。

第３部分３３Ａの一方の端部は第３の導体層２３と接合し、第３部分３３Ａの他方の端部は第４の導体層２４と接合している。

第３部分３３Ａには、第３の導体層２３側の端部及び第４の導体層２４側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層５３が形成されている。例えば、中間層５３は、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。ただし、中間層５３の組成は、第３部分３３Ａの組成と異なる。

多層回路基板１Ａでは、第１の層間接続導体３１の第２部分３１ＢがＡｇを主成分とする単一金属又は合金からなるのに対して、第２の層間接続導体３２の第３部分３２Ａ又は第２の層間接続導体３３の第３部分３３ＡがＣｕを主成分とする合金からなることを特徴としている。

第１の層間接続導体３１においては、ヤング率が高く、展性に優れるＡｇ系の材料が第２部分３１Ｂに使用されているため、例えば一括プレスによって多層回路基板１Ａを作製する場合であっても、クラックの発生を抑えることができる。

一方、第２の層間接続導体３２又は３３においては、Ｃｕ系の材料が第３部分３２Ａ又は３３Ａに使用されているため、Ａｇ系の材料が使用されている場合に比べてマイグレーションのリスクを低くすることができる。さらに、多層回路基板１Ａ全体におけるＡｇ系の材料の使用量が少なくなるため、製造コストの増大を抑えることもできる。

このように、多層回路基板１Ａにおいては、材料の異なる第１の層間接続導体３１と第２の層間接続導体３２又は３３とをそれぞれ適した箇所に配置することができる。

例えば、少なくとも１つの第１の層間接続導体３１と接続する第１の導体層２１又は第２の導体層２２は、実装電極Ｅ１であることが好ましい。上述のとおり、実装電極Ｅ１に接続される層間接続導体３０には、小径化及び狭ピッチ化が求められる。特許文献１に記載されているような、導体箔付き絶縁層に設けられた穴に導電性ペーストを充填して固化することにより層間接続導体を形成する場合、穴の径が小さくなるほど深さ方向に導電性ペーストが充填されにくくなるため、導体箔との接続信頼性が十分に得られないおそれがある。そこで、穴の径が小さくても確実に充填することが可能なめっきビア等の第１部分３１Ａを含み、かつ、隣接層との接続を補完するためのペーストビア等の第２部分３１Ｂを含む第１の層間接続導体３１を実装電極Ｅ１と接合させることが好ましい。

第１の層間接続導体３１と接続する第１の導体層２１が実装電極Ｅ１でもよく、第１の層間接続導体３１と接続する第２の導体層２２が実装電極Ｅ１でもよいが、図２に示すように、第１の層間接続導体３１と接続する第１の導体層２１が実装電極Ｅ１であることが好ましい。すなわち、図２に示すように、第１部分３１Ａの一方の端部が実装電極Ｅ１と接合していることが好ましい。

一方、少なくとも１つの第２の層間接続導体３２又は３３と接続する第３の導体層２３又は第４の導体層２４は、放射電極Ｅ２であってもよい。上述のとおり、放射電極Ｅ２に接続される層間接続導体３０には、実装電極Ｅ１に接続される層間接続導体３０ほど小径化及び狭ピッチ化は必要ない。そのため、放射電極Ｅ２と接合する層間接続導体３０は、ペーストビア等の第２の層間接続導体３２又は３３であってもよい。第１の層間接続導体３１と異なり、めっき処理等の追加の工程が不要になるため、製造効率が向上する。

図２に示す例では、第２の層間接続導体３３が放射電極Ｅ２に接続されているが、第２の層間接続導体３２が放射電極Ｅ２に接続されていてもよい。また、第２の層間接続導体３２に接続される放射電極Ｅ２と、第２の層間接続導体３３に接続される放射電極Ｅ２とが混在してもよい。

第１の層間接続導体３１の形状、配置等は、図２又は図３に限定されるものではない。

第１の層間接続導体３１は、第１主面１０ａ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、内層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、第２主面１０ｂ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよい。同一層の絶縁層１１には、第１の層間接続導体３１と第２の層間接続導体３２又は３３とが混在して設けられていてもよい。

第１の層間接続導体３１は、第２の導体層２２側の端部の面積よりも第１の導体層２１側の端部の面積が小さいテーパー形状を有してもよく（図３参照）、テーパー形状を有しなくてもよい。第１の層間接続導体３１がテーパー形状を有する場合、傾斜角は一定でもよく（図３参照）、一定でなくてもよい。

第１部分３１Ａの第２の導体層２２側の端面は、平坦であってもよく（図２参照）、第２部分３１Ｂに向かって突出してもよく（図３参照）、第１部分３１Ａに向かって凹んでもよい（図示せず）。

第１部分３１Ａ側の第２部分３１Ｂの端部に形成されている中間層５１は、第１部分３１Ａと絶縁層１１との界面まで延在してもよく（図３参照）、延在しなくてもよい。第１部分３１Ａ側の第２部分３１Ｂの端部に形成されている中間層５１が第１部分３１Ａと絶縁層１１との界面まで延在する場合、第１の導体層２１と絶縁層１１との界面まで達しなくてもよく（図３参照）、達してもよい。

第２の導体層２２側の第２部分３１Ｂの端部に形成されている中間層５１は、第２の導体層２２と絶縁層１１との界面まで延在してもよく（図３参照）、延在しなくてもよい。

第２の層間接続導体３２の形状、配置等は、図２又は図４に限定されるものではない。

第２の層間接続導体３２は、第１主面１０ａ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、内層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、第２主面１０ｂ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよい。同一層の絶縁層１１には、第２の層間接続導体３２と第２の層間接続導体３３とが混在して設けられていてもよい。

第２の層間接続導体３２は、第４の導体層２４側の端部の面積よりも第３の導体層２３側の端面の端部が小さいテーパー形状を有してもよく（図４参照）、テーパー形状を有しなくてもよい。第２の層間接続導体３２がテーパー形状を有する場合、傾斜角は一定でもよく（図４参照）、一定でなくてもよい。

第３の導体層２３側の第３部分３２Ａの端部に形成されている中間層５２は、第３の導体層２３と絶縁層１１との界面まで延在してもよく（図４参照）、延在しなくてもよい。同様に、第４の導体層２４側の第３部分３２Ａの端部に形成されている中間層５２は、第４の導体層２４と絶縁層１１との界面まで延在してもよく（図４参照）、延在しなくてもよい。

第２の層間接続導体３２の高さは、第１の層間接続導体３１の高さよりも大きいことが好ましい。

第２の層間接続導体３２の直径は、第１の層間接続導体３１の直径と同等以上であることが好ましい。すなわち、第２の層間接続導体３２の直径は、第１の層間接続導体３１の直径と同等であるか、又は、第１の層間接続導体３１の直径よりも大きいことが好ましい。なお、第１の層間接続導体３１がテーパー形状を有する場合には、最も大きい部分の直径を第１の層間接続導体３１の直径と定義する。第２の層間接続導体３２及び第２の層間接続導体３３についても同様である。

第２の層間接続導体３３の形状、配置等は、図２又は図５に限定されるものではない。

第２の層間接続導体３３は、第１主面１０ａ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、内層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、第２主面１０ｂ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよい。同一層の絶縁層１１には、第２の層間接続導体３２と第２の層間接続導体３３とが混在して設けられていてもよい。

第２の層間接続導体３３は、テーパー形状を有する１組の第２の層間接続導体３２が反転した状態で接続した形状を有してもよく（図５参照）、テーパー形状を有しなくてもよい。

第３の導体層２３側の第３部分３３Ａの端部に形成されている中間層５３は、第３の導体層２３と絶縁層１１との界面まで延在してもよく（図５参照）、延在しなくてもよい。同様に、第４の導体層２４側の第３部分３３Ａの端部に形成されている中間層５３は、第４の導体層２４と絶縁層１１との界面まで延在してもよく（図５参照）、延在しなくてもよい。

第２の層間接続導体３３の高さは、第１の層間接続導体３１の高さよりも大きいことが好ましい。また、第２の層間接続導体３３の高さは、第２の層間接続導体３２の高さよりも大きいことが好ましい。

第２の層間接続導体３３の直径は、第１の層間接続導体３１の直径と同等以上であることが好ましい。すなわち、第２の層間接続導体３３の直径は、第１の層間接続導体３１の直径と同等であるか、又は、第１の層間接続導体３１の直径よりも大きいことが好ましい。また、第２の層間接続導体３３の直径は、第２の層間接続導体３２の直径と同等以上であることが好ましい。すなわち、第２の層間接続導体３３の直径は、第２の層間接続導体３２の直径と同等であるか、又は、第２の層間接続導体３２の直径よりも大きいことが好ましい。

多層回路基板１Ａは、例えば、以下の方法によって製造される。

図６Ａ及び図６Ｂは、多層回路基板１Ａの製造方法の一例を模式的に示す断面図である。なお、多層回路基板１Ａは、ワンチップ（個片）の状態で製造されてもよく、集合基板を作製した後に個々の個片に分離することで製造されてもよい。ここでの集合基板とは、複数の多層回路基板１Ａが含まれる基板を言う。

まず、図６Ａに示すように、複数の絶縁層１１を準備し、絶縁層１１にそれぞれ導体層２０を形成する。

例えば、絶縁層１１の一方主面にＣｕ箔をラミネートし、そのＣｕ箔をフォトリソグラフィでパターニングすることにより導体層２０を形成する。絶縁層１１は、例えば、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂を主成分とする樹脂シートである。

また、絶縁層１１には、第１の層間接続導体３１及び第２の層間接続導体３２が形成される。

例えば、導体層２０の一方面が露出するように絶縁層１１にレーザー等で貫通孔（ビアホールともいう）を形成する。貫通孔は、導体層２０に向かって孔径が小さくなるテーパー形状を有していてもよい。その後、めっき処理によって、金属材料としてＣｕを貫通孔の途中まで充填することで第１部分３１Ａを形成する。続けて、Ａｇ、Ｓｎ等の金属材料と樹脂材料とを含む導電性ペーストを貫通孔の内部に充填することで第２部分３１Ｂを形成する。後述する加熱プレスで導電性ペーストが固化することにより、第１の層間接続導体３１が形成される。

別途、導体層２０の一方面が露出するように絶縁層１１にレーザー等で貫通孔を形成した後、Ｃｕ、Ｓｎ等の金属材料と樹脂材料とを含む導電性ペーストを貫通孔の内部に充填することで第３部分３２Ａを形成する。後述する加熱プレスで導電性ペーストが固化することにより、第２の層間接続導体３２が形成される。また、２つの第３部分３２Ａが反転した状態で接続した部分には、第２の層間接続導体３３（図６Ｂ参照）が形成される。

それぞれの絶縁層１１を順に積層し、その後、積層方向に加熱プレス（一括プレス）する。これにより、図６Ｂに示す多層回路基板１Ａが製造される。

この製造方法によれば、絶縁層１１を一括プレスすることにより、絶縁基材１０を容易に作製することができる。そのため、多層回路基板１Ａの製造工程が削減され、製造コストを低く抑えることができる。

図２等には示されていないが、導体層２０の表面には、防錆層が設けられていてもよい。以下の実施形態においても同様である。

防錆層は、例えば、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｐｔ等の金属を用いた防錆処理を金属箔の表面に施すことで形成される。

上述した一括プレスによって多層回路基板１Ａが作製される場合、導体層２０と絶縁層１１との界面に防錆層を配置することにより、導体層２０を構成するＣｕ箔等の金属箔の酸化が防止されるため、導体層２０と絶縁層１１との密着性の低下を抑制することができる。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態では、内層に位置する絶縁層に第１の層間接続導体が設けられている。

図７は、本発明の第２実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図７に示す多層回路基板１Ｂでは、第１主面１０ａ側の最表層に位置する絶縁層１１だけでなく、内層に位置する絶縁層１１にも第１の層間接続導体３１が設けられている。なお、同一層の絶縁層１１には、第１の層間接続導体３１と第２の層間接続導体３２又は３３とが混在して設けられていてもよい。

このように、積層方向において隣り合う絶縁層に第１の層間接続導体がそれぞれ設けられていてもよい。これにより、小径の層間接続導体を介して内層まで配線を引き回せるため、例えば集積回路からアンテナまでを繋ぐ高周波回路の寄生容量が減り、特性を改善することができる。また、信号線周辺のグランド導体を小径及び狭ピッチで層間接続導体を配置することにより、例えば数十ＧＨｚの高周波でも電界漏れを防ぐことができる。

［第３実施形態］
本発明の第３実施形態では、積層方向から見て、第１の層間接続導体が、積層方向において隣り合う第１又は第２の層間接続導体の少なくとも一部と重なっている。

図８は、本発明の第３実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図８に示す多層回路基板１Ｃでは、積層方向から見て、上から１層目の絶縁層１１に設けられている第１の層間接続導体３１は、２層目の絶縁層１１に設けられている第２の層間接続導体３２の少なくとも一部と重なっている。図８に示す例では、１層目の絶縁層１１に設けられている第１の層間接続導体３１の中心軸は、２層目の絶縁層１１に設けられている第２の層間接続導体３２の中心軸と一致しているが、一致していなくてもよい。

さらに、積層方向から見て、上から２層目の絶縁層１１に設けられている第１の層間接続導体３１は、３層目の絶縁層１１に設けられている第１の層間接続導体３１の少なくとも一部と重なっている。図８に示す例では、２層目の絶縁層１１に設けられている第１の層間接続導体３１の中心軸は、３層目の絶縁層１１に設けられている第１の層間接続導体３１の中心軸と一致しているが、一致していなくてもよい。

上下層の層間接続導体が積層方向において重なっていると、配線を引き回す自由度が増えるため、回路のスペースを多く確保することできる。その結果、内層の高密度配線化が可能となる。

図８においては、第１の層間接続導体を含む２つの層間接続導体が重なっているが、第１の層間接続導体を含む３つ以上の層間接続導体が重なっていてもよい。例えば、第１の層間接続導体、第２の層間接続導体、第１の層間接続導体の順で重なっていてもよい。

また、積層方向から見て、第２の層間接続導体が、積層方向において隣り合う第１又は第２の層間接続導体の少なくとも一部と重なっていてもよい。その場合、第２の層間接続導体を含む２つの層間接続導体が重なっていてもよく、第２の層間接続導体を含む３つ以上の層間接続導体が重なっていてもよい。

［第４実施形態］
本発明の第４実施形態では、第１の層間接続導体が第４部分をさらに含み、かつ、２層の絶縁層を積層方向に貫通して設けられている。

図９は、本発明の第４実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図９に示す多層回路基板１Ｄでは、層間接続導体３０は、第１の層間接続導体３４と、第２の層間接続導体３２及び３３と、を含む。層間接続導体３０は、第２の層間接続導体３２及び３３のうち、いずれか一方のみを含んでいてもよい。また、層間接続導体３０は、第１の層間接続導体３１（図２参照）をさらに含んでもよい。

第１の層間接続導体３４は、第１部分３４Ａと、第２部分３４Ｂと、第４部分３４Ｃと、を積層方向に含む。

図１０は、第１の層間接続導体３４の一例を模式的に示す断面図である。図１０では、図９と上下を入れ替えて図示している。

第１の層間接続導体３４は、積層方向において第１の導体層２１及び第２の導体層２２に挟まれている。第１の層間接続導体３４は、２層の絶縁層１１を積層方向に貫通して設けられている。第１の層間接続導体３４は、１組の第１の層間接続導体３１が反転した状態で接続した形状を有している。

第１の層間接続導体３４において、第１部分３４Ａは、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる。

第１部分３４Ａは、例えば、めっきビアである。

第２部分３４Ｂは、Ａｇを主成分とする単一金属又は合金からなる。例えば、第２部分３４Ｂは、Ａｇ_３Ｓｎ、Ａｇ_５Ｓｎ等のＡｇ－Ｓｎ合金からなる。

第２部分３４Ｂは、例えば、ペーストビアである。

第４部分３４Ｃは、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる。

第４部分３４Ｃは、例えば、めっきビアである。

第１部分３４Ａの一方の端部は第１の導体層２１と接合し、第１部分３４Ａの他方の端部は第２部分３４Ｂの一方の端部と接合している。

第１部分３４Ａと第１の導体層２１とは、異種材料を介さず、直接接合されている。そのため、第１部分３４Ａと第１の導体層２１との界面には、異種材料が存在しない部分、すなわち、第１部分３４Ａと第１の導体層２１とが直接接している部分が存在する。

第２部分３４Ｂには、第１部分３４Ａ側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層５４が形成されている。例えば、中間層５４は、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。

第４部分３４Ｃの一方の端部は第２部分３４Ｂの他方の端部と接合し、第４部分３４Ｃの他方の端部は第２の導体層２２と接合している。

第４部分３４Ｃと第２の導体層２２とは、異種材料を介さず、直接接合されている。そのため、第４部分３４Ｃと第２の導体層２２との界面には、異種材料が存在しない部分、すなわち、第４部分３４Ｃと第２の導体層２２とが直接接している部分が存在する。

第２部分３４Ｂには、第４部分３４Ｃ側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層５４が形成されている。例えば、中間層５４は、Ｃｕ_３Ｓｎ、Ｃｕ_５Ｓｎ等のＣｕ－Ｓｎ合金からなる。

第１の層間接続導体３４を配置する場合、第１の層間接続導体３１に比べて配線を引き回す自由度が増えるため、回路のスペースを多く確保することできる。その結果、内層の高密度配線化が可能となる。

第１の層間接続導体３４の形状、配置等は、図９又は図１０に限定されるものではない。

第１の層間接続導体３４は、第１主面１０ａ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、内層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよく、第２主面１０ｂ側の最表層に位置する絶縁層１１に設けられていてもよい。多層回路基板１Ｄには、第１の層間接続導体３１と第１の層間接続導体３４とが混在して設けられていてもよい。

第１の層間接続導体３４は、テーパー形状を有する１組の第１の層間接続導体３１が反転した状態で接続した形状を有してもよく（図１０参照）、テーパー形状を有しなくてもよい。

第１の層間接続導体３４の高さは、第１の層間接続導体３１の高さよりも大きいことが好ましい。また、第１の層間接続導体３４の高さは、第２の層間接続導体３２又は３３の高さと同等であってもよく、第２の層間接続導体３２又は３３の高さよりも大きくてもよく、第２の層間接続導体３２又は３３の高さよりも小さくてもよい。

第１の層間接続導体３４の直径は、第１の層間接続導体３１の直径と同等であることが好ましい。また、第１の層間接続導体３４の直径は、第２の層間接続導体３２又は３３の直径と同等以下であることが好ましい。すなわち、第１の層間接続導体３４の直径は、第２の層間接続導体３２又は３３の直径と同等であるか、又は、第２の層間接続導体３２又は３３の直径よりも小さいことが好ましい。

［第５実施形態］
本発明の第５実施形態では、絶縁基材の第２主面に凹部が設けられ、絶縁基材が凹部で第１主面側に折り曲げられている。

図１１は、本発明の第５実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１１に示す多層回路基板１Ｅでは、絶縁基材１０の第２主面１０ｂに凹部１０Ｍが設けられ、絶縁基材１０が凹部１０Ｍで第１主面１０ａ側に折り曲げられている。凹部１０Ｍの深さ、折り曲げ角度等は特に限定されない。また、複数の凹部１０Ｍが設けられていてもよい。

第２主面に凹部を形成して薄くすることで、絶縁基材が曲がりやすくなる。これにより、例えば周波数、帯域の異なるアンテナ面の方向を変えることができるため、１つの多層回路基板に複数のアンテナ指向性を持たせることができる。

［第６実施形態］
本発明の第６実施形態では、放射電極と接続する第２の層間接続導体が設けられている絶縁層を構成する材料が、実装電極と接続する第１の層間接続導体が設けられている絶縁層を構成する材料と異なる。例えば、放射電極と接続する第２の層間接続導体が設けられている絶縁層の誘電率が、実装電極と接続する第１の層間接続導体が設けられている絶縁層の誘電率よりも高い。

図１２は、本発明の第６実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１２に示す多層回路基板１Ｆでは、絶縁基材１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１と異なる材料から構成される絶縁層１２と、を含む。例えば、絶縁基材１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１よりも誘電率が高い絶縁層１２と、を含む。

図１２に示す例では、絶縁層１１に第１の層間接続導体３１が設けられ、絶縁層１２に第２の層間接続導体３２又は３３が設けられているが、絶縁層１１と絶縁層１２との境界は特に限定されず、放射電極Ｅ２と接続する第２の層間接続導体（図１２では第２の層間接続導体３３）が設けられている絶縁層１２を構成する材料が、実装電極Ｅ１と接続する第１の層間接続導体３１が設けられている絶縁層１１を構成する材料と異なっていればよい。例えば、絶縁層１１には、第１の層間接続導体３１又は３４が設けられていてもよく、第２の層間接続導体３２又は３３が設けられていてもよい。同様に、絶縁層１２には、第１の層間接続導体３１又は３４が設けられていてもよく、第２の層間接続導体３２又は３３が設けられていてもよい。

絶縁層１１は、例えば、熱可塑性樹脂を主成分とする樹脂絶縁層である。熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリマー、フッ素樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂等が挙げられる。

絶縁層１２は、例えば、熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂絶縁層である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂若しくはその変性樹脂、及び、アクリル樹脂等が挙げられる。

絶縁層１２は、セラミックフィラー等の無機材料を含む樹脂絶縁層であってもよい。その場合、絶縁層１２は、熱可塑性樹脂を主成分とする樹脂絶縁層であってもよく、熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂絶縁層であってもよい。

あるいは、絶縁層１２は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）等のセラミックを主成分とするセラミック絶縁層であってもよい。絶縁層１２として、樹脂絶縁層とセラミック絶縁層とが組み合わされていてもよい。

例えば、絶縁層の誘電率を実装電極側よりも放射電極側で高くすることで、アンテナの帯域範囲において自由度が高くなる。一方、実装電極側には特性が重要な信号線等の配線が多いため、絶縁層の誘電率を低くすることで挿入損失が向上する。このように、同一の多層回路基板で複数種類の絶縁層を積層することにより、設計自由度が向上する。

図１２に示す多層回路基板１Ｆでは、例えば、実装電極Ｅ１と接続する第１の層間接続導体３１が設けられている絶縁層１１を含む第１基板部と、放射電極Ｅ２と接続する第２の層間接続導体（図１２では第２の層間接続導体３３）が設けられている絶縁層１２を含む第２基板部とが、貼り合わせ等の方法によって接合されていてもよい。

図１２には示されていないが、実装電極Ｅ１と接続する第１の層間接続導体３１が設けられている絶縁層１１を含む第１基板部と、放射電極Ｅ２と接続する第２の層間接続導体（図１２では第２の層間接続導体３３）が設けられている絶縁層１２を含む第２基板部とが、はんだ等の導電性接合材１５０を介して接合されていてもよい。その場合、第１基板部の電極と第２基板部の電極とが導電性接合材１５０を介して接合される。放射電極Ｅ２が設けられた第２基板部を第１基板部に接合することで、アンテナの必要帯域を調整することができるため、自由度が向上する。

［第７実施形態］
本発明の第７実施形態では、放射電極の傾きがそれぞれ異なる。

図１３は、本発明の第７実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１３に示す多層回路基板１Ｇでは、２つ以上の放射電極Ｅ２が同一層の絶縁層１１の主面に設けられ、第１主面１０ａに対する放射電極Ｅ２の傾きがそれぞれ異なる。

多層回路基板１Ｇは、例えば、一括プレスの際に第２主面１０ｂ側の放射電極Ｅ２の向きを変えることで製造することができる。

放射電極を複数の方向に傾かせることで、アンテナの指向性を変えた構造にすることができる。

放射電極Ｅ２の数は２つでもよく、３つ以上でもよい。放射電極Ｅ２は、必ずしも第２主面１０ｂに設けられていなくてもよい。第１主面１０ａに対する放射電極Ｅ２の傾きがそれぞれ異なる限り、第１主面１０ａと平行な放射電極Ｅ２が含まれていてもよい。また、３つ以上の放射電極Ｅ２が設けられている場合には、傾きが同じ放射電極Ｅ２が含まれていてもよい。

［第８実施形態］
本発明の第８実施形態では、放射電極が設けられている絶縁層の主面の面積は、実装電極が設けられている絶縁層の主面の面積よりも大きい。

図１４は、本発明の第８実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１４に示す多層回路基板１Ｈでは、放射電極Ｅ２が設けられている絶縁層１１の主面（図１４では第２主面１０ｂ）の面積は、実装電極Ｅ１が設けられている絶縁層１１の主面（図１４では第１主面１０ａ）の面積よりも大きい。放射電極Ｅ２は、必ずしも第２主面１０ｂに設けられていなくてもよい。

放射電極側の主面の面積を実装電極側の主面の面積よりも大きくすることで、限られた基板サイズの中で放射電極を広げることができるため、特性を改善することができる。

［第９実施形態］
本発明の第９実施形態では、第１主面に電子部品が実装されている。

図１５は、本発明の第９実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１５に示す多層回路基板１Ｉでは、第１主面１０ａに電子部品１００が実装されている。電子部品１００は、例えば、集積回路（ＩＣ）又はコネクタである。電子部品１００は、例えば、はんだ等の導電性接合材１５０を介して多層回路基板１Ｉに接続されている。

第１主面に電子部品を実装することにより、一体型モジュール基板を提供することができる。特に、実装電極Ｅ１側に第１の層間接続導体３１を配置することで、実装バンプのピッチが狭い電子部品を実装することができる。

［第１０実施形態］
本発明の第１０実施形態では、第１主面に絶縁性の保護層が設けられている。

図１６は、本発明の第１０実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１６に示す多層回路基板１Ｊでは、第１主面１０ａに絶縁性の保護層４０が設けられている。実装電極Ｅ１の少なくとも一部は、保護層４０から露出している。図１６に示すように、第２主面１０ｂに絶縁性の保護層４０が設けられていてもよい。保護層４０は、例えば、カバーレイ、レジスト層等である。

多層回路基板の表層に保護層を設けることで、絶縁層と導体層との密着強度が向上し、導体層が絶縁層から剥がれにくくなる。特に、第１主面に実装電極が高密度で配置されている場合、異物等からランド間のショート又はマイグレーションを保護層によって防ぐことができる。

［第１１実施形態］
本発明の第１１実施形態では、第２主面に別の基板が実装されている。

図１７は、本発明の第１１実施形態に係る多層回路基板の一例を模式的に示す断面図である。

図１７に示す多層回路基板１Ｋでは、第２主面１０ｂに別の基板１６０が実装されている。別の基板１６０は、例えば、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）基板等のセラミック基板である。別の基板１６０には放射電極Ｅ２が設けられている。

多層回路基板とは誘電率が異なる別の基板を放射電極側に実装することで、アンテナの必要帯域を調整することができるため、自由度が向上する。

［その他の実施形態］
本発明の多層回路基板は、上記実施形態に限定されるものではなく、多層回路基板の構成、製造条件等に関し、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

例えば、第１の層間接続導体３１は、１層の絶縁層を貫通して設けられていてもよく、２層以上の絶縁層を貫通して設けられていてもよい。第１の層間接続導体３１が２層以上の絶縁層を貫通して設けられている場合、絶縁層の構成は、互いに同じでもよく、異なってもよい。また、第１の層間接続導体３１が２層以上の絶縁層を貫通して設けられている場合、絶縁層の厚さは、互いに同じでもよく、異なってもよい。

第２の層間接続導体３２は、１層の絶縁層を貫通して設けられていてもよく、２層以上の絶縁層を貫通して設けられていてもよい。第２の層間接続導体３２が２層以上の絶縁層を貫通して設けられている場合、絶縁層の構成は、互いに同じでもよく、異なってもよい。また、第２の層間接続導体３２が２層以上の絶縁層を貫通して設けられている場合、絶縁層の厚さは、互いに同じでもよく、異なってもよい。

第２の層間接続導体３３は、２層の絶縁層を貫通して設けられていてもよく、３層以上の絶縁層を貫通して設けられていてもよい。絶縁層の構成は、互いに同じでもよく、異なってもよい。また、絶縁層の厚さは、互いに同じでもよく、異なってもよい。

第１の層間接続導体３４は、２層の絶縁層を貫通して設けられていてもよく、３層以上の絶縁層を貫通して設けられていてもよい。第１の層間接続導体３４が２層以上の絶縁層を貫通して設けられている場合、絶縁層の構成は、互いに同じでもよく、異なってもよい。また、第１の層間接続導体３４が２層以上の絶縁層を貫通して設けられている場合、絶縁層の厚さは、互いに同じでもよく、異なってもよい。

本明細書には、以下の内容が開示されている。

＜１＞
複数の絶縁層が積層されてなり、積層方向に相対する第１主面及び第２主面を有する絶縁基材と、
上記絶縁層同士の間、上記第１主面又は上記第２主面に設けられる複数の導体層と、
上記絶縁層を上記積層方向に貫通して設けられる複数の層間接続導体と、を備え、
上記導体層は、いずれもＣｕ箔からなる第１の導体層、第２の導体層、第３の導体層及び第４の導体層を含み、
上記層間接続導体は、上記積層方向において上記第１の導体層及び上記第２の導体層に挟まれる第１の層間接続導体と、上記積層方向において上記第３の導体層及び上記第４の導体層に挟まれる第２の層間接続導体と、を含み、
上記第１の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる第１部分と、Ａｇを主成分とする単一金属又は合金からなる第２部分と、を上記積層方向に含み、
上記第１部分の一方の端部は上記第１の導体層と接合し、上記第１部分の他方の端部は上記第２部分の一方の端部と接合し、
上記第２部分には、上記第１部分側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成され、
上記第２の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする合金からなる第３部分を含み、
上記第３部分の一方の端部は上記第３の導体層と接合し、上記第３部分の他方の端部は上記第４の導体層と接合し、
上記第３部分には、上記第３の導体層側の端部及び上記第４の導体層側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている、多層回路基板。

＜２＞
上記第２部分の他方の端部は上記第２の導体層と接合し、
上記第２部分には、上記第２の導体層側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている、＜１＞に記載の多層回路基板。

＜３＞
上記第１の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる第４部分をさらに含み、
上記第４部分の一方の端部は上記第２部分の他方の端部と接合し、上記第４部分の他方の端部は上記第２の導体層と接合し、
上記第２部分には、上記第４部分側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている、＜１＞に記載の多層回路基板。

＜４＞
上記第１主面に配置される実装電極と、
上記積層方向において上記実装電極よりも上記第２主面側に配置される放射電極と、をさらに備え、
少なくとも１つの上記第１の層間接続導体と接続する上記第１の導体層又は上記第２の導体層が上記実装電極である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜５＞
上記第２の層間接続導体の高さは、上記第１の層間接続導体の高さよりも大きい、＜４＞に記載の多層回路基板。

＜６＞
上記第２の層間接続導体の直径は、上記第１の層間接続導体の直径と同等以上である、＜４＞又は＜５＞に記載の多層回路基板。

＜７＞
上記積層方向において隣り合う上記絶縁層に上記第１の層間接続導体がそれぞれ設けられている、＜４＞～＜６＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜８＞
上記第１の層間接続導体及び上記第２の層間接続導体が、同一層の上記絶縁層に設けられている、＜４＞～＜７＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜９＞
上記積層方向から見て、上記第１の層間接続導体は、上記積層方向において隣り合う上記第１又は第２の層間接続導体の少なくとも一部と重なっている、＜４＞～＜８＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜１０＞
上記絶縁基材の上記第２主面に凹部が設けられ、
上記絶縁基材が上記凹部で上記第１主面側に折り曲げられている、＜４＞～＜９＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜１１＞
上記放射電極は、上記導体層のうち上記第２主面に最も近接して配置される導体層であり、
少なくとも１つの上記第２の層間接続導体と接続する上記第３の導体層又は上記第４の導体層が上記放射電極である、＜４＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜１２＞
上記放射電極と接続する上記第２の層間接続導体が設けられている上記絶縁層の誘電率は、上記実装電極と接続する上記第１の層間接続導体が設けられている上記絶縁層の誘電率よりも高い、＜１１＞に記載の多層回路基板。

＜１３＞
２つ以上の上記放射電極が同一層の上記絶縁層の主面に設けられ、
上記第１主面に対する上記放射電極の傾きがそれぞれ異なる、＜１１＞又は＜１２＞に記載の多層回路基板。

＜１４＞
上記放射電極が設けられている上記絶縁層の主面の面積は、上記実装電極が設けられている上記絶縁層の主面の面積よりも大きい、＜１１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜１５＞
上記第１主面に実装される電子部品をさらに備える、＜４＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜１６＞
上記第１主面に設けられる絶縁性の保護層をさらに備える、＜４＞～＜１５＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜１７＞
上記第２主面に実装される別の基板をさらに備え、
上記別の基板に上記放射電極が設けられている、＜４＞～＜１６＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

＜１８＞
上記絶縁層は、熱可塑性樹脂を主成分とする層を含む、＜１＞～＜１７＞のいずれか１つに記載の多層回路基板。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｉ、１Ｊ、１Ｋ 多層回路基板
１０ 絶縁基材
１０ａ 第１主面
１０ｂ 第２主面
１０Ｍ 凹部
１１、１２ 絶縁層
２０ 導体層
２１ 第１の導体層
２２ 第２の導体層
２３ 第３の導体層
２４ 第４の導体層
３０ 層間接続導体
３１、３４ 第１の層間接続導体
３１Ａ、３４Ａ 第１部分
３１Ｂ、３４Ｂ 第２部分
３２、３３ 第２の層間接続導体
３２Ａ、３３Ａ 第３部分
３４Ｃ 第４部分
４０ 保護層
５１、５２、５３、５４ 中間層
１００ 電子部品
１１０ 集積回路（ＩＣ）
１２０ 高周波部品
１３０ コネクタ
１４０ 誘電体基板
１５０ 導電性接合材
１６０ 別の基板
Ｅ１ 実装電極
Ｅ２ 放射電極

Claims (18)

1. 複数の絶縁層が積層されてなり、積層方向に相対する第１主面及び第２主面を有する絶縁基材と、
   前記絶縁層同士の間、前記第１主面又は前記第２主面に設けられる複数の導体層と、
   前記絶縁層を前記積層方向に貫通して設けられる複数の層間接続導体と、を備え、
   前記導体層は、いずれもＣｕ箔からなる第１の導体層、第２の導体層、第３の導体層及び第４の導体層を含み、
   前記層間接続導体は、前記積層方向において前記第１の導体層及び前記第２の導体層に挟まれる第１の層間接続導体と、前記積層方向において前記第３の導体層及び前記第４の導体層に挟まれる第２の層間接続導体と、を含み、
   前記第１の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる第１部分と、Ａｇを主成分とする単一金属又は合金からなる第２部分と、を前記積層方向に含み、
   前記第１部分の一方の端部は前記第１の導体層と接合し、前記第１部分の他方の端部は前記第２部分の一方の端部と接合し、
   前記第２部分には、前記第１部分側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成され、
   前記第２の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする合金からなる第３部分を含み、
   前記第３部分の一方の端部は前記第３の導体層と接合し、前記第３部分の他方の端部は前記第４の導体層と接合し、
   前記第３部分には、前記第３の導体層側の端部及び前記第４の導体層側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている、多層回路基板。
2. 前記第２部分の他方の端部は前記第２の導体層と接合し、
   前記第２部分には、前記第２の導体層側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている、請求項１に記載の多層回路基板。
3. 前記第１の層間接続導体は、Ｃｕを主成分とする単一金属からなる第４部分をさらに含み、
   前記第４部分の一方の端部は前記第２部分の他方の端部と接合し、前記第４部分の他方の端部は前記第２の導体層と接合し、
   前記第２部分には、前記第４部分側の端部において、Ｃｕ及びＳｎを含む中間層が形成されている、請求項１に記載の多層回路基板。
4. 前記第１主面に配置される実装電極と、
   前記積層方向において前記実装電極よりも前記第２主面側に配置される放射電極と、をさらに備え、
   少なくとも１つの前記第１の層間接続導体と接続する前記第１の導体層又は前記第２の導体層が前記実装電極である、請求項１～３のいずれか１項に記載の多層回路基板。
5. 前記第２の層間接続導体の高さは、前記第１の層間接続導体の高さよりも大きい、請求項４に記載の多層回路基板。
6. 前記第２の層間接続導体の直径は、前記第１の層間接続導体の直径と同等以上である、請求項４に記載の多層回路基板。
7. 前記積層方向において隣り合う前記絶縁層に前記第１の層間接続導体がそれぞれ設けられている、請求項４に記載の多層回路基板。
8. 前記第１の層間接続導体及び前記第２の層間接続導体が、同一層の前記絶縁層に設けられている、請求項４に記載の多層回路基板。
9. 前記積層方向から見て、前記第１の層間接続導体は、前記積層方向において隣り合う前記第１又は第２の層間接続導体の少なくとも一部と重なっている、請求項４に記載の多層回路基板。
10. 前記絶縁基材の前記第２主面に凹部が設けられ、
    前記絶縁基材が前記凹部で前記第１主面側に折り曲げられている、請求項４に記載の多層回路基板。
11. 前記放射電極は、前記導体層のうち前記第２主面に最も近接して配置される導体層であり、
    少なくとも１つの前記第２の層間接続導体と接続する前記第３の導体層又は前記第４の導体層が前記放射電極である、請求項４に記載の多層回路基板。
12. 前記放射電極と接続する前記第２の層間接続導体が設けられている前記絶縁層の誘電率は、前記実装電極と接続する前記第１の層間接続導体が設けられている前記絶縁層の誘電率よりも高い、請求項１１に記載の多層回路基板。
13. ２つ以上の前記放射電極が同一層の前記絶縁層の主面に設けられ、
    前記第１主面に対する前記放射電極の傾きがそれぞれ異なる、請求項１１に記載の多層回路基板。
14. 前記放射電極が設けられている前記絶縁層の主面の面積は、前記実装電極が設けられている前記絶縁層の主面の面積よりも大きい、請求項１１に記載の多層回路基板。
15. 前記第１主面に実装される電子部品をさらに備える、請求項４に記載の多層回路基板。
16. 前記第１主面に設けられる絶縁性の保護層をさらに備える、請求項４に記載の多層回路基板。
17. 前記第２主面に実装される別の基板をさらに備え、
    前記別の基板に前記放射電極が設けられている、請求項４に記載の多層回路基板。
18. 前記絶縁層は、熱可塑性樹脂を主成分とする層を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の多層回路基板。