JP7736397B2 - ミリメートル波通信用コンポーネント - Google Patents

ミリメートル波通信用コンポーネント

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Description

通信システムは典型的には、適切な媒体を介した電磁信号の伝送を含む。いくつかの従来のシステムは、銅配線を介した電気シグナリングまたは光ファイバを介した光シグナリングを含む。
添付図面と併せて以下の詳細な説明を読むことにより、実施形態が容易に理解されよう。この説明を容易にするために、同様の参照符号は、同様の構造要素を指す。添付図面の図において、実施形態は、限定としてではなく、例として示されている。
様々な実施形態によるミリメートル波通信システムを示す。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管バンドルの断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。
通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。 通信システムにおいて用いられ得る導波管バンドルの例示的な部分の断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な誘電体導波管の断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。
様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な基板統合導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な基板統合導波管の断面図である。 様々な実施形態による通信システムにおいて用いられ得る例示的な基板統合導波管の断面図である。
様々な実施形態による１または複数の基板統合導波管を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による１または複数の基板統合導波管を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による１または複数の基板統合導波管を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。
様々な実施形態による１または複数の伝送線移行部を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による１または複数の伝送線移行部を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による１または複数の伝送線移行部を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。
様々な実施形態による、１または複数のスタブを有する伝送線を含み得るマイクロ電子支持体の断面図である。
様々な実施形態による図４３のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４３のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４３のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４３のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４３のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。
様々な実施形態による、１または複数のスタブを有する伝送線を含み得るマイクロ電子支持体の断面図である。
様々な実施形態による図４５のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４５のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４５のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４５のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４５のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。
様々な実施形態による、１または複数のスタブを有する伝送線を含み得るマイクロ電子支持体の断面図である。
様々な実施形態による図４７のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４７のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４７のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。 様々な実施形態による図４７のマイクロ電子支持体内の金属層の平面図である。
様々な実施形態による、１または複数のスタブを含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。 様々な実施形態による、１または複数のスタブを含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。 様々な実施形態による、１または複数のスタブを含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。 様々な実施形態による、１または複数のスタブを含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。 様々な実施形態による、１または複数のスタブを含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。
様々な実施形態による、１または複数のスタブを有する伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による、１または複数のスタブを有する伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による、１または複数のスタブを有する伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。
様々な実施形態による、１または複数のスタブを含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。
様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。 様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。
様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。
様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線内の例示的な金属層の平面図である。
様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。 様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分を含む伝送線を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージの断面図である。
本明細書において開示される実施形態のいずれかによる、トランシーバまたは他のマイクロ電子コンポーネントに含まれ得るウェハおよびダイの平面図である。
本明細書において開示される実施形態のいずれかによる、トランシーバまたは他のマイクロ電子コンポーネントに含まれ得るマイクロ電子デバイスの側面断面図である。
様々な実施形態による通信システムに含まれ得るマイクロ電子パッケージの側面断面図である。
本明細書において開示される実施形態のいずれかによるマイクロ電子パッケージおよび／または導波管ケーブルを含み得るマイクロ電子アセンブリの側面断面図である。
本明細書において開示される実施形態のいずれかによる通信システム、マイクロ電子パッケージおよび／または導波管ケーブルを含み得る例示的なコンピューティングデバイスのブロック図である。
ミリメートル波通信用コンポーネントならびに関連する方法およびシステムが、本明細書において開示される。ディープラーニング、自律走行車両管理ならびに仮想現実および拡張現実など、大量のデータを伴うコンピューティング用途が、コンピューティングシステムに対し、かつてない要求をもたらしている。ベースバンド銅ケーブルまたは光通信コンポーネントなどの既存の従来の相互接続技術では、高データレート通信のための低レイテンシ、低コストおよび低電力という目標を達成できないことがある。誘電体導波管、導波管バンドル、導波管コネクタおよび／または伝送線構造など、本明細書において開示されるコンポーネントは、高密度、低レイテンシ、省電力の態様での高データレートミリメートル波通信を可能にする際に役立ち得る。
以下の詳細な説明において、本明細書の一部を形成する添付図面を参照する。添付図面では、全体を通じて同様の符号は同様の部分を指し、実施され得る実施形態が例示として示される。本開示の範囲から逸脱することなく、他の実施形態が利用されてよく、かつ、構造的または論理的な変更がなされてよいことが理解されよう。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。
様々なオペレーションが、特許請求の範囲に記載される主題を理解する際に最も役立つ態様で、複数の別個の動作またはオペレーションとして順に説明され得る。しかしながら、説明の順序は、これらのオペレーションが必ず順序に依存することを示唆しているものと解釈されるべきではない。特に、これらのオペレーションは、提示の順序で実行されなくてもよい。説明されるオペレーションは、説明される実施形態とは異なる順序で実行され得る。様々な追加のオペレーションが実行されてよく、および／または、説明されるオペレーションは、追加の実施形態において省略されてよい。
本開示の目的において、「Ａおよび／またはＢ」という文言は、（Ａ）、（Ｂ）または（ＡおよびＢ）を意味する。本開示の目的において、「Ａ、Ｂおよび／またはＣ」という文言は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ＡおよびＢ）、（ＡおよびＣ）、（ＢおよびＣ）または（Ａ、ＢおよびＣ）を意味する。「ＡまたはＢ」という文言は、（Ａ）、（Ｂ）または（ＡおよびＢ）を意味する。図面は、必ずしも縮尺どおりではない。図面の多くは平坦な壁および直角の隅を有する直線構造を示しているが、これは、図示の簡略化のために過ぎず、これらの技術を用いて作られる実際のデバイスは、丸みを帯びた隅、表面粗さおよび他のフィーチャを示すことになる。
説明では、「一実施形態において」または「実施形態において」という文言を用いる。当該文言は各々、同じまたは異なる実施形態のうちの１つまたは複数を指し得る。さらに、本開示の実施形態に関して用いられる「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」等の用語は、同義である。寸法の範囲を説明するために用いられる場合、「ＸとＹとの間」という文言は、ＸおよびＹを含む範囲を表す。便宜上、例えば、「図５」という文言は、図５Ａから図５Ｃという図面の集合を指すために用いられてよく、「図９」という文言は、図９Ａから図９Ｃという図面の集合を指すために用いられてよい。
図１は、様々な実施形態によるミリメートル波通信システム１００を示す。図１の通信システム１００の要素のうちのいずれか１つまたは複数は、本明細書において開示される要素の新規の実施形態を含み得る。ミリメートル波通信システム１００は、１または複数のマイクロ電子パッケージ１０２を含み得る。２つのマイクロ電子パッケージ１０２－１および１０２－２が図１に示されているが、これは例示に過ぎず、ミリメートル波通信システム１００は、１つのマイクロ電子パッケージ１０２または２つよりも多くのマイクロ電子パッケージ１０２を含み得る。マイクロ電子パッケージ１０２は、マイクロ電子支持体１０４および１または複数のマイクロ電子コンポーネント１０６を含み得る。２つのマイクロ電子コンポーネント１０６が、図１のマイクロ電子支持体１０４の各々の対向する面に配置されるものとして示されているが、これは例示に過ぎず、マイクロ電子パッケージ１０２は、マイクロ電子支持体１０４の任意の１または複数の面上に配置された１つのマイクロ電子コンポーネント１０６または２つよりも多くのマイクロ電子コンポーネント１０６を含み得る。いくつかの実施形態において、マイクロ電子コンポーネント１０６は、はんだ、金属間相互接続、ワイヤボンディングまたは別の適切な相互接続により、マイクロ電子支持体１０４の面における導電性コンタクトに結合され得る。
マイクロ電子パッケージ１０２は、導波管ケーブル１１８のケーブルコネクタ１１４と嵌合し得るパッケージコネクタ１１２も含み得る。導波管ケーブル１１８は、ケーブル本体１１６のいずれかの端部におけるケーブルコネクタ１１４を含んでよく、マイクロ電子パッケージ１０２－１とマイクロ電子パッケージ１０２－２との間のミリメートル波通信を可能にしてよい。いくつかの実施形態において、導波管ケーブル１１８の全長は、２メートル未満であり得る。いくつかの実施形態において、導波管ケーブル１１８の全長は、２０メートル未満（例えば、１メートルと２０メートルとの間、１０メートル未満または５メートル未満）であり得る。マイクロ電子支持体１０４は、マイクロ電子コンポーネント１０６の異なるそれぞれの間の、および／またはマイクロ電子コンポーネント１０６とパッケージコネクタ１１２との間の１または複数の伝送線１２０を含み得る。さらに後述するように、マイクロ電子パッケージ１０２は、伝送線１２０とパッケージコネクタ１１２との間のラウンチ／フィルタ構造１１０も含んでよく、ラウンチ／フィルタ構造１１０は、所望のラウンチおよびフィルタ機能を提供する。
マイクロ電子支持体１０４内の伝送線１２０は、１または複数の水平部分１２４および／または１または複数の垂直部分１２６を含み得る。本明細書において用いられる場合、「水平部分」は、マイクロ電子支持体内の特定の金属層に閉じ込められた伝送線１２０の一部分を指してよく、一方で、「垂直部分」は、複数の金属層間に延在する伝送線１２０の一部分を指してよい。さらに詳細に後述するように、水平部分１２４は、１または複数のトレース（およびビアパッド）を含んでよく、一方で、垂直部分１２６は、１または複数のビア（およびビアパッド）を含んでよい。少なくとも１つの水平部分１２４および少なくとも１つの垂直部分１２６を含む伝送線１２０は、水平部分１２４と垂直部分１２６との間の移行部１２２も含んでよく、いくつかの例示的な移行部１２２が、図１において強調されている。図１のマイクロ電子支持体１０４内の伝送線１２０の特定の配置は例示に過ぎず、伝送線１２０の多数の実施形態が本明細書において開示される。いくつかの実施形態において、マイクロ電子支持体１０４は、２個から３０個の間の金属層を含み得る。
マイクロ電子支持体１０４は、誘電体材料（例えば、図３６から図６５を参照して後述する誘電体材料１８２）および導電性材料を含み得る。導電性材料は、誘電体材料を通る伝送線１２０を提供するよう、誘電体材料内に（例えば、後述するトレース、ビア、ビアパッドおよび金属面内に）配置される。いくつかの実施形態において、誘電体材料（例えば、誘電体材料１８２）は、有機ビルドアップ膜などの有機物を含み得る。いくつかの実施形態において、誘電体材料は、例えば、セラミック（例えば、低温同時焼成セラミックまたは高温同時焼成セラミック）、充填剤粒子を内部に有するエポキシ膜、ガラス、無機物、または有機物と無機物との組み合わせを含み得る。いくつかの実施形態において、マイクロ電子支持体１０４の導電性材料は、金属（例えば、銅）を含み得る。いくつかの実施形態において（例えば、図３６から図６５を参照して後述するように）、マイクロ電子支持体１０４は、誘電体材料／導電性材料の層を含み得る。１つの金属層内の導電性材料のトレースが、導電性材料のビアにより、隣接する金属層内の導電性材料のトレースに電気的に結合される。そのような層を含むマイクロ電子支持体１０４は、例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）製造技術を用いて形成され得る。特定の数および配置の誘電体材料／導電性材料の層が添付図面の様々なものに示されているが、これらの特定の数および配置は例示に過ぎず、任意の所望の数および配置の誘電体材料／導電性材料が、マイクロ電子支持体１０４において用いられ得る。いくつかの実施形態において、マイクロ電子支持体１０４は、パッケージ基板を含み得る。いくつかの実施形態において、マイクロ電子支持体１０４は、インターポーザを含み得る。
図２から図４は、様々な実施形態による通信システム１００において用いられ得る例示的な導波管バンドル１４８の断面図である。図２から図４に示される誘電体導波管１５０の長手方向軸は、当該頁の面の内側および外側に延在し得る。図２から図４の導波管バンドル１４８は、ケーブル本体１１６に含まれてよく、および／または伝送線１２０の一部であってよい。図２から図４が導波管バンドル１４８内の特定の数の誘電体導波管１５０を示しているが、導波管バンドル１４８は、任意の所望の数の誘電体導波管１５０を含み得る。例えば、いくつかの実施形態において、サーバ相互接続用途のケーブル本体１１６内に含まれる導波管バンドル１４８は、導波管バンドル１４８内の最大で１６個の誘電体導波管１５０（例えば、５個から１５個の誘電体導波管１５０または８個から１６個の誘電体導波管１５０）を含んでよく、他の実施形態において、サーバ相互接続用途のケーブル本体１１６に含まれる導波管バンドル１４８は、１６個よりも多くの誘電体導波管１５０を含んでよい。別の例では、いくつかの実施形態において、バックプレーン相互接続用途のケーブル本体１１６に含まれる導波管バンドル１４８は、導波管バンドル１４８内の最大で７２個の誘電体導波管１５０を含んでよく、他の実施形態において、バックプレーン相互接続用途のケーブル本体１１６に含まれる導波管バンドル１４８は、７２個よりも多くの誘電体導波管１５０を含んでよい。別の例では、いくつかの実施形態において、自動車通信用途のケーブル本体１１６に含まれる導波管バンドル１４８は、導波管バンドル１４８内の２個の誘電体導波管１５０を含んでよく、他の実施形態において、自動車通信用途のケーブル本体１１６に含まれる導波管バンドル１４８は、２個よりも多くの誘電体導波管１５０を含んでよい。
図２の導波管バンドル１４８内に、１または複数の誘電体導波管１５０が、クラスタで配置されてよく、ケーブル本体包み込み部１２８により囲まれてよい。ケーブル本体包み込み部１２８は、誘電体導波管１５０を共に保持してよく、導波管バンドル１４８に対する機械的、熱的および／または電磁的な保護を提供してよい。ケーブル本体包み込み部１２８は、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、他のプラスチック材料および／または金属箔（例えば、銅箔、アルミニウム箔および／または二軸延伸ポリエチレンテレフタラート箔）など、任意の適切な材料を含み得る。図３の導波管バンドル１４８内に、複数の誘電体導波管１５０が、金属面１４６に沿って配置され得る（例えば、導波管ケーブル１１８内の金属箔のシートにより、またはマイクロ電子支持体１０４内の金属面により提供され得る）。また、図３の導波管バンドル１４８は、不図示のケーブル本体包み込み部１２８により囲まれ得る。図３の導波管バンドル１４８は、接地誘電体導波管バンドルと称され得る。図４の導波管バンドル１４８内に、複数の誘電体導波管１５０が、２つの金属面１４６の間に配置され得る（例えば、導波管ケーブル１１８内の金属箔のシートにより、またはマイクロ電子支持体１０４内の金属面により提供され得る）。また、図４の導波管バンドル１４８は、不図示のケーブル本体包み込み部１２８により囲まれ得る。図４の導波管バンドル１４８は、非放射型誘電体導波管バンドルと称され得る。図２から図４の導波管バンドル１４８は、本明細書において開示される誘電体導波管１５０のいずれかを含み得る。
図５から図２７は、ミリメートル波通信システム１００において用いられ得る（例えば、ケーブル本体１１６、および／または伝送線１２０の一部に含まれ得る）例示的な誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８を示す。図５の多数の要素が図６から図２７と共有されており、説明の簡略化のために、これらの要素の説明を繰り返さない。これらの要素は、本明細書において開示される実施形態のいずれかの形態を取り得る。本明細書において開示される誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８は、光相互接続リンクにより必要とされる光コンポーネントの複雑かつ高価な統合を招くことなく、帯域密度および伝送距離に関して、ベースバンド銅ケーブルに対する大きな利点を提供し得る。
後述のように、誘電体導波管１５０は、クラッディング材料１３０を含み得る。いくつかの実施形態において、クラッディング材料１３０は、金属を含まなくてもよく、誘電体導波管１５０は、別の金属コーティングを有さなくてもよい。金属クラッディングまたは金属コーティングを利用することにより、隣接する誘電体導波管１５０間のクロストークおよびエネルギー漏出を有利になくすことで、帯域密度の増加を可能にし得る。なぜなら、誘電体導波管１５０は、導波管バンドル１４８内で（例えば、導波管ケーブル１１８内で）密にバンドルされ得るからである。しかしながら、金属クラッディングまたは金属コーティングは、周波数が６０ギガヘルツを超えて拡大するときにより一層大きな信号減衰をもたらすことにより、伝送される符号を時間内に広げ、非常に複雑かつ高価な均等化／分散補償スキームで克服しなければならない符号間干渉（ＩＳＩ）を生じさせる大きな群遅延分散をもたらすことにより、および／または、周波数の増加と共に断面が減少する誘電体導波管１５０を包み込むことが困難であることに起因して生じる、金属クラッディングまたは金属コーティングにおける不具合に起因するシグナルインテグリティを低減することにより、ミリメートル波周波数における通信を損なうことがある。金属クラッディングまたは金属コーティングを含ない、本明細書において開示される誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８は、（例えば、適切な帯域密度を実現してクロストークを低減する）そのような金属クラッディングまたは金属コーティングの不存在から生じる課題のうちの１つまたは複数を克服して、（例えば、１秒当たり１００ギガビットを超える）高データレートにおけるミリメートル波通信をサポートし得る高密度、低レイテンシ、低重量、省電力の相互接続を実現し得る。
図５Ａから図５Ｃは、様々な実施形態によるミリメートル波通信システム１００において用いられ得る例示的な誘電体導波管１５０の断面図である。特に、図５Ａは、誘電体導波管１５０の長手方向軸に沿った側面断面図であり、図５Ｂは、断面Ｂ－Ｂにおける図５Ａの誘電体導波管１５０の断面図であり、図５Ｃは、断面Ｃ－Ｃにおける図５Ａの誘電体導波管１５０の断面図である。示されるように、図５の誘電体導波管１５０は、開口１３４を内部に有するコア材料１３２を含んでよく、開口１３４は、長手方向に延在する。クラッディング材料１３０が、コア材料１３２に巻き付いてよい。クラッディング材料１３０は、コア材料１３２の誘電率未満である誘電率を有し得る。コア材料１３２内の開口１３４は、空気、またはコア材料１３２の誘電率未満である誘電率を有する別の材料で充填され得る。いくつかの実施形態において、コア材料１３２は、２よりも大きい誘電率を有してよく、一方で、クラッディング材料１３０は、２未満である誘電率を有してよい。いくつかの実施形態において、コア材料１３２は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、別のフルオロポリマー、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、別のプラスチック、セラミック（例えば、アルミナ）、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）またはそれらの任意の組み合わせを含み得る。いくつかの実施形態において、コア材料１３２は、１０未満である誘電率（例えば、４未満である誘電率）を有するプラスチック材料を含み得る。コア材料１３２がセラミックを含むいくつかの実施形態において、用いられるセラミックの誘電率は、１０未満であり得る。そのような実施形態は、データセンタ用途において特に有利であり得る。コア材料１３２がセラミックを含む他の実施形態において、用いられるセラミックの誘電率は、１０と５０との間であり得る。そのような実施形態は、非常に小さい、および／または短い誘電体導波管１５０において特に有利であり得る。いくつかの実施形態において、クラッディング材料１３０は、誘電体発泡体（例えば、１．０５と１．８との間の誘電率を有する発泡体）などの誘電体材料、コア材料１３２を参照して上述した材料のいずれか、または任意の他の適切な誘電体材料を含み得る。
図５の誘電体導波管１５０は、異なる直径を有する開口１３４を有するセクションを含み得る。例えば、図５Ａは、より小さい直径を開口１３４が有するセクション１３６Ａおよびより大きい直径を開口１３４が有するセクション１３６Ｂという２つのセクションを有する誘電体導波管１５０を示す。図５における２つの異なるセクション１３６の描写は例示に過ぎず、誘電体導波管１５０は、隣接するセクション１３６の直径とは異なる直径の開口１３４を有する２つよりも多くのセクション１３６を有し得る。例えば、誘電体導波管１５０は、セクション１３６Ａを含んでよく、セクション１３６Ｂがその後に続き、別のセクション１３６Ａがその後に続く。誘電体導波管１５０内での、セクション１３６の配置とセクション１３６の相対的な長さとは、誘電体導波管１５０の所望の性能を実現するように選択され得る。
図５の誘電体導波管１５０（および本明細書において開示される誘電体導波管１５０の他のそれぞれ）の寸法は、任意の適切な値を取り得る。例えば、いくつかの実施形態において、誘電体導波管１５０の外径１３８は、１ミリメートルと１０ミリメートルとの間であり得る。いくつかの特定の実施形態において、誘電体導波管１５０の外径１３８は、１．５ミリメートルと３ミリメートルとの間であり得る。そのような実施形態は、データセンタ用途において特に有利であり得る。いくつかの実施形態において、コア材料１３２の外径１４２は、３ミリメートル未満（例えば、０．３ミリメートルと３ミリメートルとの間、または２ミリメートル未満）であり得る。いくつかの特定の実施形態において、コア材料１３２の外径１４２は、１ミリメートルと２ミリメートルとの間であり得る。そのような実施形態は、データセンタ用途において特に有利であり得る。いくつかの実施形態において、コア材料１３２の厚さ１４５は、０．１５ミリメートルと１．５ミリメートルとの間であり得る。いくつかの実施形態において、開口１３４の外径１４０は、０ミリメートル（例えば、開口１３４が存在しないセクション１３６内で）と２ミリメートルとの間であり得る。いくつかの実施形態において、開口１３４の外径１４０は、０．２ミリメートルと０．５ミリメートルとの間であり得る。そのような実施形態は、データセンタ用途において特に有利であり得る。いくつかの実施形態において、クラッディング材料１３０の厚さ１４４は、１ミリメートルと５ミリメートルとの間であり得る。
図５の誘電体導波管１５０において、セクション１３６Ａからセクション１３６Ｂへの移行は、開口１３４の直径の段階的な増加である。いくつかの実施形態において、セクション１３６Ａとセクション１３６Ｂとの間に間隙が存在し得る。この間隙は、最大で１ミリメートルの幅を有し得るが、いくつかの実施形態において、適切な波伝搬を依然として可能にする。他の実施形態において、異なる直径を有する開口１３４を有するセクション１３６間の移行は、より滑らかであり得る。例えば、図６は、セクション１３６Ａとセクション１３６Ｂとの間のテーパ状移行セクション１３６Ｃを含む誘電体導波管１５０の側面断面図である。図６から図８は、図５Ａと視点を共有している。移行セクション１３６Ｃにおいて、セクション１３６Ａとセクション１３６Ｃとの間のインタフェースにおける開口１３４の直径は、セクション１３６Ａ内の開口１３４の直径と一致してよく、当該直径は、セクション１３６Ｃとセクション１３６Ｂとの間のインタフェースに達するまでセクション１３６Ｃの長手方向長さに沿って直線的に増加してよく、セクション１３６Ｂ内の開口１３４の直径と一致し得る。いくつかの実施形態において、移行セクション１３６Ｃは、１０ミリメートル未満である長さを有し得る。いくつかの実施形態において、上述のように、セクション１３６Ａとセクション１３６Ｃとの間、および／またはセクション１３６Ｂ内のセクション１３６Ｃの間に間隙が存在し得る。
いくつかの実施形態において、開口１３４の異なる直径１４０を有する異なるセクション１３６は、別個ではないことがある。代わりに、開口１３４の直径１４０は、誘電体導波管１５０の長手方向長さにわたって滑らかに変化し得る。図７は、そのような誘電体導波管１５０の側面断面図である。滑らかに変化する直径１４０を有する開口１３４を有するコア材料１３２を利用することにより、異なるセクション１３６間の滑らかではない移行部から生じ得るあらゆる望ましくない振幅上の影響を低減し得るが、製造がより困難になり得る。
図５から図７の実施形態において、誘電体導波管１５０の外径１３８は、誘電体導波管１５０の長さにわたって一定のままである。同様に、誘電体導波管１５０のコア材料１３２の外径１４２は、一定のままである。外径１３８が誘電体導波管１５０の長さにわたって一定である実施形態により、容易な組み立てが可能になり得ると共に、追加の一致する移行部の使用をなくし得るか、または最小化し得る。しかしながら、他の実施形態において、外径１３８および／または外径１４２は、誘電体導波管１５０の長さにわたって変化し得る。例えば、図８は、誘電体導波管１５０の外径１３８がセクション１３６の異なるそれぞれにおいて異なっている実施形態を示す。同様に、誘電体導波管１５０のコア材料１３２の外径１４２は、セクション１３６の異なるそれぞれにおいて異なっている。より一般的には、いくつかの実施形態において、クラッディング材料１３０の厚さ１４４は、（例えば、図５から図８に示されるように）誘電体導波管１５０の長さにわたって一定のままであってよく、一方で、他の実施形態において、クラッディング材料１３０の厚さ１４４は、誘電体導波管１５０の長さにわたって一定のままでなくてよい。同様に、いくつかの実施形態において、コア材料１３２の厚さ１４５は、（例えば、図８に示されるように）誘電体導波管１５０の長さにわたって一定のままであってよく、一方で、他の実施形態において、コア材料１３２の厚さ１４５は、（例えば、図５から図７に示されるように）誘電体導波管１５０の長さにわたって一定のままでなくてよい。
図５から図７の誘電体導波管１５０（ならびに本明細書において開示される他の誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８）は、任意の適切な技術を用いて製造され得る。例えば、いくつかの実施形態において、所望の開口１３４を有するコア材料１３２を押し出すために、押し出しヘッドが用いられ得る。押し出しヘッドは、（例えば、図７を参照して上述したように）直径１４０が誘電体導波管の長さにわたって滑らかに変化する実施形態において、開口１３４の直径１４０を調節するように制御されてよく、または、異なるセクション１３６が、別個に押し出され、次に、熱融合を用いて組み立てられるか、またはクラッディング材料１３０からの圧力により単に共に保持されてよい。クラッディング材料１３０は、螺旋巻きを通じた適切なポリマーでの熱収縮チューブ技術を用いることにより、または別の技術を用いることにより塗布され得る。クラッディング材料１３０の共通部分が、誘電体導波管１５０の全体へ、または異なるセクション１３６へ別個に塗布され得る。
直径が変化する開口１３４を有する誘電体導波管１５０も、図３のものと同様の接地誘電体導波管バンドル１４８において、かつ、図４のものと同様の非放射型誘電体導波管バンドル１４８において、利用され得る。例えば、図９および図１０は、導波管バンドル１４８内の誘電体導波管１５０の長手方向長さに沿った直径が変化する開口１３４をそれぞれ有する接地誘電体導波管バンドル１４８および非放射型誘電体導波管バンドル１４８を示す。特に、図９Ａおよび図１０Ａは、誘電体導波管１５０の長手方向軸に沿った側面断面図であり、図９Ｂおよび図１０Ｂはそれぞれ、図９Ａおよび１０Ａの誘電体導波管１５０の断面Ｂ－Ｂにおける断面図であり、図９Ｃおよび図１０Ｃはそれぞれ、図９Ａおよび１０Ａの誘電体導波管１５０の断面Ｃ－Ｃにおける断面図である。
図９の導波管バンドル１４８において、示されるように、コア材料１３２の底面は、金属面１４６と接触してよく、クラッディング材料１３０は、コア材料１３２の上面および側面に存在してよい。図１０の導波管バンドル１４８において、コア材料１３２の底面および上面は、示されるように、金属面１４６と接触してよく、クラッディング材料１３０は、コア材料１３２の側面に存在してよい。図９および図１０の導波管バンドル１４８の誘電体導波管１５０のコア材料１３２の開口１３４は、本明細書において開示される実施形態のいずれかによる誘電体導波管１５０の長手方向長さに沿って異なる直径（例えば、間隙、直線移行部、滑らかに変化する直径等）を有し得る。
図９および１０の導波管バンドル１４８の寸法は、任意の適切な値を取り得る。例えば、いくつかの実施形態において、（図９のものと同様の）接地誘電体導波管バンドル１４８の高さ１５４は、０．５ミリメートルと５ミリメートルとの間であり得る。いくつかの実施形態において、コア材料１３２よりも上のクラッディング材料１３０の厚さ１５６は、１ミリメートルと３ミリメートルとの間であり得る。いくつかの実施形態において、（図１０のものと同様の）非放射型誘電体導波管バンドル１４８の高さ１５８は、０．５ミリメートルと３ミリメートルとの間であり得る。いくつかの実施形態において、金属面１４６の厚さ１５２は、０．００２ミリメートルと１ミリメートルとの間であり得る。いくつかの実施形態において、（図９のものと同様の）接地誘電体導波管バンドルまたは（図１０のものと同様の）非放射型誘電体導波管バンドル１４８内のコア材料１３２の高さ１６６は、０．２ミリメートルと２ミリメートルとの間であり得る。いくつかの実施形態において、（図９のものと同様の）接地誘電体導波管バンドル１４８または（図１０のものと同様の）非放射型誘電体導波管バンドル１４８内のコア材料１３２の幅１６４は、０．２ミリメートルと２ミリメートルとの間であり得る。
図５から図１０の誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８は、従来の誘電体導波管および導波管バンドルに対する大きな利点を有し得る。従来の誘電体導波管は、望ましくない分散を示し得る。当該分散では、群遅延が、周波数範囲にわたって一定ではないが、周波数の関数として変化し、ＩＳＩにつながる。そのような分散に対処するための従来のアプローチは、（例えば、混合信号回路を用いて、またはデジタル領域において実装される）複雑なベースバンドイコライザまたは有限インパルス応答フィルタを用いたプリディストータ、ヒルベルト変換に基づくシグナリングスキームおよび／または（例えば、ミリメートル波周波数、ベースバンド周波数または中間周波数において実装される）アナログ分散補償回路を含む。これらのアプローチは、理想的ではないヒルベルト変換、挿入損失および／または回路応答の限定的なリアルタイム調整度から生じる回路複雑性、シリコンエリア、ノイズ、電力消費、スプリアス応答に関して、大きなコストを発生させてしまう。図５から図１０の誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８は、全体的な補償分散を実現することにより、従来の誘電体導波管の望ましくない分散特性を是正し得る。特に、より小さい直径１４０を有する開口１３４を有するセクション１３６Ａは、群遅延が周波数と共に減少する「異常」分散を示し得るが、より大きい直径１４０を有する開口１３４を有するセクション１３６Ｂは、群遅延が周波数と共に増加する「正常」分散を示し得る。単一の誘電体導波管１５０／導波管バンドル１４８内に異常分散セクション１３６Ａおよび異常分散セクション１３６Ｂを含むことにより、分散をほとんど有しない（すなわち、周波数の関数としてより一定である群遅延を有する）誘電体導波管１５０／導波管バンドル１４８をもたらすことで、シグナリング忠実度を改善し得ると共に、高価な補償回路の必要性を低減し得る。所望の分散を実現するために必要とされる、誘電体導波管１５０内の異なるセクション１３６の特定の割合は、セクション１３６のジオメトリと、動作周波数と、用いられる特定の材料とに依存し得る。次に、特定の割合は、これらの変数の関数として決定され得る。
いくつかの実施形態において、吸収体材料が、誘電体導波管１５０の各部分に沿ってクラッディング材料１３０の周囲に存在し得る。吸収体材料１６０は、導体が不十分であること、および／またはフェライトなどの磁気材料が高損失であることに基づいて、低損失粒子またはファイバを含み得る。いくつかの実施形態において、吸収体材料１６０は、炭素粒子、ファイバおよび／またはナノチューブ（例えば、ポリウレタンと混合されたカーボンナノチューブ粉末）を含み得る充填剤またはフェライト粉末（例えば、非導電性エポキシと混合されたフェライト粉末）を含有するポリマー複合材に基づく吸収性塗装材料または他の材料であり得る。例えば、図１１Ａから図１１Ｃは、吸収体材料１６０を有するセクションを含む例示的な誘電体導波管１５０の断面図である。特に、図１１Ａは、誘電体導波管１５０の長手方向軸に沿った側面断面図であり、図１１Ｂは、断面Ｂ－Ｂにおける図１１Ａの誘電体導波管１５０の断面図であり、図１１Ｃは、断面Ｃ－Ｃにおける図１１Ａの誘電体導波管１５０の断面図である。図１１の実施形態は、３つの異なるセクション１３６、つまり、コア材料１３２内に開口１３４がなく、吸収体材料１６０がクラッディング材料１３０の周囲に存在するセクション１３６Ｂと、コア材料１３２内に開口１３４があり、吸収体材料１６０がクラッディング材料１３０の周囲に存在しないセクション１３６Ａと、コア材料１３２の外径がセクション１３６Ａ内の外径からセクション１３６Ｂへ直線的に移行し、開口１３４がセクション１３６Ｂ内の開口なしから、クラッディング材料１３０の周囲に吸収体材料１６０が存在しないセクション１３６Ａ内の開口１３４の直径へ直線的に移行する移行セクション１３６Ｃとを示す。いくつかの実施形態において、移行セクション１３６Ｃは、１ミリメートルと５０ミリメートルとの間の長さ１６２を有し得る。他の実施形態において、開口１３４の存在または不存在は、（例えば、図７を参照して上述のように）滑らかに生じ得る。いくつかの実施形態において、開口１３４は、セクション１３６Ｂ内に存在してよいが、当該開口１３４の直径は、セクション１３６Ａ内の開口１３４の直径よりも小さくてよい。いくつかの実施形態において、吸収体材料１６０は、セクション１３６Ｃのクラッディング材料１３０上に延在し得る。いくつかの実施形態において、吸収体材料１６０の厚さは、０．１ミリメートルと２ミリメートルとの間であり得る。
いくつかの実施形態において、図１１の誘電体導波管１５０のセクション１３６Ｂは、シングルモード導波管であってよく、一方で、図１１の誘電体導波管１５０のセクション１３６Ａは、マルチモード導波管であってよい。本明細書において用いられる場合、「シングルモード」導波管は、信号の基本モードのみが主にコア材料１３２に沿って誘導されるものであってよい。正方形および円形の導波管など、９０度回転対称を有する任意の断面の場合、この基本モードは、同一の伝搬性質を有する２つの直交する分極に存在し得る。「マルチモード」導波管は、基本モードおよび高次モードがコア材料１３２に沿って誘導されるものであってよい。これらの高次モードは、リンクに沿った不具合に起因して励起され得る。図１１の誘電体導波管１５０において、シングルモードセクション１３６Ｂは、（群遅延が周波数と共に増加する）正常分散を示してよく、一方で、マルチモードセクション１３６Ａは、（群遅延が周波数と共に減少する）異常分散を示してよい。図１１の誘電体導波管１５０は、図５から図１０を参照して上述したように、正常分散シングルモードセクション１３６Ｂと異常分散マルチモードセクション１３６Ａを交互に配置することにより、分散補償も実現し得る。さらに、シングルモードセクション１３６Ｂ上の吸収体材料１６０は、マルチモードセクション１３６Ａ内で生じる高次モードを吸収し得る。故に、シングルモードセクション１３６Ｂは、モードフィルタとして機能してそのような高次モードをなくし得るので、シグナリングを損なうことがあるモード間分散を低減し得る。望ましくない高次モードが、図５から図１０の誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８内で生じ、誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８に沿って伝搬し得る。そのような高次モードは、コネクタ１１２／１１４内および／またはラウンチフィルタ構造１１０内でフィルタリング除去され得る。
図１１のものと同様の誘電体導波管１５０が、図５から図１０を参照して上述した技術を用いて製造され得る。いくつかの実施形態において、シングルモードセクション１３６Ｂおよびマルチモードセクション１３６Ａは、独立して押し出されてよく、移行セクション１３６Ｃは、セクション１３６Ａおよび１３６Ｂ内のコア材料１３２のものと同様の誘電率を有する適切なポリマーを用いて３Ｄプリントまたは３Ｄ成形されてよい。次に、これらの独立のセクション１３６は、加熱され、共に結合され得る。他の実施形態において、移行セクション１３６Ｃのテーパ形状は、図５から図１０を参照して上述した押し出し中に実現され得る。いくつかの実施形態において、シングルモードセクション１３６Ｂは、まず、マルチモードセクション１３６Ａを形成し、次に、マルチモードセクション１３６Ａの一部または全部に熱および圧力を印加してマルチモードセクション１３６Ａをシングルモードセクション１３６Ｂへ陥没させることにより形成され得る。吸収体材料１６０は、本明細書において述べる技術のいずれかを用いてクラッディング材料１３０に対して塗布され得るか、または塗装材料として塗布され得る。
いくつかの実施形態において、導波管バンドル１４８は、隣接する誘電体導波管１５０内の電磁モードがエネルギーを完全に入れ替えることを防ぐことにより位相の不一致でクロストークが低減する異なる構造を有する誘電体導波管１５０を含み得る。特に、そのような異なる構造から生じる対象周波数範囲内の異なる位相定数（伝搬定数としても知られる）を有する隣接する誘電体導波管１５０は、位相不一致状態間の不完全なフォトニック移行をもたらし得る。そのような隣接する誘電体導波管１５０内の電磁モードの摂動は構造上増えないので、クロストークが低減され得る。結果的に、そのような位相不一致の誘電体導波管１５０を組み込んだ導波管バンドル１４８は、クロストークを管理可能なレベルに保持しつつ、従来実現され得るよりも共に近い間隔があけられ得る。異なる構造を有するそのような誘電体導波管１５０をそのような態様で利用することにより、各誘電体導波管１５０内のデータを異なる回数、レシーバに到達させ得る。しかしながら、この効果は、誘電体導波管１５０が劇的に異なっていない限り弱い周波数依存のみになることがあり、レシーバまたはトランスミッタにおいて容易に補償され得る。例えば、（例えば、マイクロ電子コンポーネント１０６内のミリメートル波トランシーバに含まれる）イコライザ回路は、（例えば、デスキューバッファを用いて）デジタル領域内で、または、（例えば、追加のアナログ遅延をいくつかのレーンに追加することにより）混合信号回路として、この補正を実行し得る。そのような補正は、（例えば、マイクロ電子コンポーネント１０６内および／またはマイクロ電子支持体１０４内に含まれる）誘導性／容量性遅延線またはオールパスフィルタなどのアナログ回路を用いた無線周波数（ＲＦ）フロントエンドにおける様々な段階で交互にまたは追加的に実装され得る。
図１２から図２３は、隣接する誘電体導波管１５０が異なる構造を有する導波管バンドル１４８の例を示す。本明細書において図１２から図２３のいずれかを参照して述べるフィーチャのいずれも、任意の他のフィーチャと組み合わされて導波管バンドル１４８を形成し得る。例えば、さらに後述するように、図１２は、異なる直径１４０を有する開口１３４を隣接する誘電体導波管１５０が有する実施形態を示し、図１３は、異なる誘電率を有するコア材料１３２を隣接する誘電体導波管１５０が有する実施形態を示す。図１２および図１３のこれらのフィーチャは、異なる直径１４０を有する開口１３４と異なる誘電率を有するコア材料１３２とを含む隣接する誘電体導波管１５０を本開示による導波管バンドル１４８が有するように組み合わされ得る。この特定の組み合わせは例に過ぎず、任意の組み合わせが用いられ得る。さらに、（図１２から図２３を参照して後述する）異なる構造を有する誘電体導波管１５０を含む導波管バンドル１４８が適宜、図５から図１１を参照して上述した構造のいずれかを有する誘電体導波管１５０を含み得る。
図１２は、異なる直径１４０を有する開口１３４を隣接する誘電体導波管１５０が有する導波管バンドル１４８を示す。異なる直径１４０を有する開口１３４を有する誘電体導波管１５０（例えば、示されるように、直径１４０－１を有する開口１３４を有する誘電体導波管１５０と、直径１４０－２を有する開口１３４を有する誘電体導波管１５０との交互の繰り返し）は、導波管バンドル１４８にわたって交互に繰り返し得るが、より一般的には、導波管バンドル１４８内の誘電体導波管１５０の直径１４０は、任意の所望のパターンで変化し得る。
図１３は、（例えば、異なる材料組成に起因して）異なる誘電率を有するコア材料１３２を隣接する誘電体導波管１５０が有する導波管バンドル１４８を示す。異なるコア材料１３２を有する誘電体導波管１５０（例えば、示されるように、コア材料１３２－１を有する誘電体導波管１５０と、異なるコア材料１３２－２を有する誘電体導波管１５０との交互の繰り返し）は、導波管バンドル１４８にわたって交互に繰り返し得るが、より一般的には、導波管バンドル１４８内の誘電体導波管１５０のコア材料１３２の材料組成は、任意の所望のパターンで変化し得る。
図１４は、（例えば、異なる材料組成に起因して）異なる誘電率を有するクラッディング材料１３０を隣接する誘電体導波管１５０が有する導波管バンドル１４８を示す。異なるクラッディング材料１３０を有する誘電体導波管１５０（例えば、示されるように、クラッディング材料１３０－１を有する誘電体導波管１５０と、異なるクラッディング材料１３０－２を有する誘電体導波管１５０との交互の繰り返し）は、導波管バンドル１４８にわたって交互に繰り返し得るが、より一般的には、導波管バンドル１４８内の誘電体導波管１５０のクラッディング材料１３０の材料組成は、任意の所望のパターンで変化し得る。
図１５は、異なる直径１４２を有するコア材料１３２を隣接する誘電体導波管１５０が有する導波管バンドル１４８を示す。異なる直径１４２を有するコア材料１３２を有する誘電体導波管１５０（例えば、示されるように、直径１４２－１を有するコア材料１３２を有する誘電体導波管１５０と、直径１４２－２を有するコア材料１３２を有する誘電体導波管１５０との交互の繰り返し）は、導波管バンドル１４８にわたって交互に繰り返し得るが、より一般的には、導波管バンドル１４８内の誘電体導波管１５０のコア材料１３２の直径１４２は、任意の所望のパターンで変化し得る。
異なる構造を有する隣接する誘電体導波管１５０を含む導波管バンドル１４８も、図３のものと同様の接地誘電体導波管バンドル１４８において、かつ、図４のものと同様の非放射型誘電体導波管バンドル１４８において、利用され得る。例えば、図１６および図１７は、図１２を参照して上述した異なる直径１４０の開口１３４を有する隣接する誘電体導波管１５０をそれぞれ含む接地誘電体導波管バンドル１４８および非放射型誘電体導波管バンドル１４８を示す。図１８および図１９は、図１３を参照して上述した（例えば、異なる材料組成に起因して）異なる誘電率を有するコア材料１３２を有する隣接する誘電体導波管１５０をそれぞれ含む接地誘電体導波管バンドル１４８および非放射型誘電体導波管バンドル１４８を示す。図２０および図２１は、図１４を参照して上述した（例えば、異なる材料組成に起因して）異なる誘電率を有するクラッディング材料１３０を有する隣接する誘電体導波管１５０をそれぞれ含む接地誘電体導波管バンドル１４８および非放射型誘電体導波管バンドル１４８を示す。図２２および図２３は、図１５の異なる直径１４０を参照して上述した異なる幅１６４を有するコア材料１３２を有する隣接する誘電体導波管１５０をそれぞれ含む接地誘電体導波管バンドル１４８および非放射型誘電体導波管バンドル１４８を示す。図１２から図２３は、誘電体導波管１５０の１次元アレイを示しているが、これは図示の簡略化のために過ぎず、本明細書において開示される導波管バンドル１４８は、必要に応じて、誘電体導波管１５０の２次元アレイを含み得る。
本明細書において開示される誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８の様々な要素が、特定の形状を有するものとして添付図面に示されているが、これらの形状は例示に過ぎず、任意の適切な形状が用いられ得る。例えば、コア材料１３２内の開口１３４は、任意の所望の断面形状（例えば、円形、楕円形、正方形、矩形、三角形等）を有し得る。コア材料１３２は、任意の所望の断面形状（例えば、円形、楕円形、正方形、矩形、三角形等）を有し得る。クラッディング材料１３０は、図２のものと同様の導波管バンドル内の任意の所望の断面形状（例えば、円形、楕円形、正方形、矩形、三角形等）を有し得る。誘電体導波管１５０の様々な要素の断面の形状は、全て同じである必要はなく、例えば、コア材料１３２は、矩形断面を有してよく、一方で、クラッディング材料１３０は、円形断面を有してよい。図２４および図２５は、開口１３４、コア材料１３２およびクラッディング材料１３０が様々な形状を有する例示的な誘電体導波管１５０を示す。図２４では、開口１３４は、楕円形断面を有し、コア材料１３２は、実質的に矩形の断面を有し、クラッディング材料１３０は、実質的に正方形の断面を有し、一方で、図２５では、開口１３４は、円形断面を有し、コア材料１３２は、円形断面を有し、クラッディング材料１３０は、円形断面を有する。さらに、本明細書において開示される誘電体導波管１５０および導波管バンドル１４８は、様々な要素のうちの１つよりも多くを含み得る。例えば、図２６および図２７は、コア材料１３２が複数の開口１３４（すなわち、図２６における２つの楕円形開口１３４および図２７における４つの円形開口１３４）を含む実施形態を示す。本明細書において開示される誘電体導波管１５０のいずれも、コア材料１３２における複数の開口１３４を含み得る。９０度回転対称を有する誘電体導波管１５０は、水平分極モードおよび垂直分極モードに対して同一の応答を有し得る。サポートされるデータレートを倍にするために、分極多重化が用いられ得る。さらに、分極依存型導波管構造が、本明細書において開示される誘電体導波管１５０および／または導波管バンドル１４８のいずれかと共に用いられ得る。
上述のように、本明細書において開示される誘電体導波管１５０／導波管バンドル１４８のいずれも、導波管ケーブル１１８に含まれ得る。特に、誘電体導波管１５０／導波管バンドル１４８は、ケーブル本体１１６に含まれてよく、パッケージコネクタ１１２に結合されたいずれかの端部におけるケーブルコネクタ１１４を有してよい。いくつかの実施形態において、本明細書において開示される誘電体導波管１５０／導波管バンドル１４８は、補償モード内群遅延分散の利点を実現すべく、シグナリングモードとは異なる速度で進む望ましくない高次モードのスプリアス励起に対して脆弱であり得るので、場合によっては、モード間分散から生じるＩＳＩにつながり得る。ケーブルコネクタ１１４／パッケージコネクタ１１２は、ケーブル本体１１６に沿って生じるこれらの高次モードを減衰させるように設計され、より少ない分散誘電体導波管１５０（例えば、図５から図１１の誘電体導波管１５０のいずれか）がケーブル本体１１６に含まれることと、そのようなより少ない分散誘電体導波管１５０から生じるＩＳＩをコネクタ複合体１１４／１１２の構造により処理することとを可能にし得る。
図２８Ａおよび図２８Ｂ、図２９Ａおよび図２９Ｂ、図３０、図３１Ａおよび図３１Ｂ、図３２、図３３Ａおよび図３３Ｂならびに図３４および図３５は、様々な実施形態によるミリメートル波通信システム１００において用いられ得る例示的な導波管コネクタ複合体の断面図である。図２８から図３５における複合体の特定の部分がパッケージコネクタ１１２およびケーブルコネクタ１１４として識別されているが、これらのコネクタの役割は、入れ替えられ得る（すなわち、ケーブルコネクタ１１４として識別されている構造は、パッケージコネクタ１１２として用いられてよく、逆も同様である）。図２８から図３５において、示される導波管コネクタ複合体は、パッケージコネクタ１１２と嵌合する（導波管ケーブル１１８のケーブル本体１１６の端部における）ケーブルコネクタ１１４を含む。パッケージコネクタ１１２は、マイクロ電子支持体１０４上に示される。コア材料１３２は、マイクロ電子支持体１０４の表面とマイクロ電子コンポーネント１０６（例えば、ミリメートル波トランシーバ）との間の伝送線１２０に結合される。パッケージコネクタ１１２と伝送線１２０との間のマイクロ電子支持体１０４に含まれ得るラウンチ／フィルタ構造１１０は、図示されていない。マイクロ電子コンポーネント１０６がはんだ１６８によりマイクロ電子支持体１０４に結合されるように示されているが、これは例示に過ぎず、任意の種類の相互接続（例えば、金属間相互接続）が用いられ得る。さらに、図２８から図３５がケーブル本体１１６内の単一の誘電体導波管（故に通信用の単一の「レーン」）を示しているが、これは図示の簡略化のために過ぎず、ケーブルコネクタ１１４／パッケージコネクタ１１２は、マルチレーン通信用の（例えば、導波管バンドル１４８を参照して上述した）複数の導波管を含み得る。
図２８Ａおよび図２８Ｂにおいて（ならびに図２９から図３５において）、ケーブルコネクタ１１４に至るケーブル本体１１６の小さい部分が示されているが、このケーブル本体１１６の構造は例示に過ぎず、ケーブル本体１１６は、本明細書において開示される誘電体導波管１５０のいずれの形態も取り得る。ケーブルコネクタ１１４は、ケーブル本体１１６の端部に過ぎず、パッケージコネクタ１１２の凹部に受け入れられる。示されるように、パッケージコネクタ１１２は、フレア部分２２８を有するコア材料１３２（ケーブル本体１１６に含まれるものと同じコア材料１３２または異なるコア材料１３２であってよい）を含むので、パッケージコネクタ１１２とケーブルコネクタ１１４との間のインタフェースに向かって直径が増す。コア材料１３２の直径をケーブル本体１１６からパッケージコネクタ１１２のコア材料１３２へと狭くすることにより、基本シグナリングモードの減衰に対して高次モードをより速く減衰させ、高次モードのフィルタリングおよびモード間分散の低減を効果的に行い得る。そのような実施形態は、高動作帯域幅をサポートしてよく、伝送線への直接の移行部よりも製造ばらつきに影響を受けにくくてよい。クラッディング材料１３０が、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２を囲み得る。このクラッディング材料１３０は、ケーブル本体１１６に含まれるものと同じクラッディング材料１３０または異なるクラッディング材料１３０であってよい。いくつかの実施形態において、パッケージコネクタ１１２内のコア材料１３２の長さは、５ミリメートルと５０ミリメートルとの間であり得る。
示されるように、吸収体材料１６０が、パッケージコネクタ１１２のクラッディング材料１３０のある部分の周囲に配置されてよく、コア材料１３２のフレア部分２２８から、かつ、マイクロ電子支持体１０４から横方向に離間してよい。吸収体材料１６０は、本明細書において開示される実施形態のいずれかの形態を取ってよく、導波管ケーブル１１８に沿って伝搬する望ましくない高次モードのエネルギーを吸収することで、これらの高次モードを、当該エネルギーが高次モードを導波管ケーブル１１８へ反射し戻すことなくマイクロ電子支持体１０４に達する前に、フィルタリング除去し得る。コネクタ本体１７０が、クラッディング材料１３０および吸収体材料１６０に巻き付いてよい。クラッディング材料１３０の露出面とコア材料１３２とは、コネクタ本体１７０の端部から凹み、ケーブルコネクタ１１４用のソケットを提供する。いくつかの実施形態において、コネクタ本体１７０は、プラスチック材料で形成され得る。図２８Ａは、パッケージコネクタ１１２とケーブルコネクタ１１４との間のインタフェースがパッケージコネクタ１１２とマイクロ電子支持体１０４との間のインタフェースと平行である実施形態を示し、一方で、図２８Ｂは、パッケージコネクタ１１２とケーブルコネクタ１１４との間のインタフェースがパッケージコネクタ１１２とマイクロ電子支持体１０４との間のインタフェースに対して９０度回転するように、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２、クラッディング材料１３０および吸収体材料１６０が湾曲している実施形態を示す。パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２、クラッディング材料１３０および吸収体材料１６０は、パッケージコネクタ１１２とケーブルコネクタとの間のインタフェースおよびパッケージコネクタ１１２とマイクロ電子支持体１０４との間のインタフェースとの間の所望の相対角度を実現するために、任意の所望の態様で湾曲し得る。湾曲したケーブルコネクタ１１４および／またはパッケージコネクタ１１２は、例えば、サーバラック相互接続において有利であり得ると共に、吸収体材料１６０への高次モードの（より弱く閉じ込められていることで）増加した放射に対する改善されたコネクタ性能を提供し得る。
図２９Ａおよび図２９Ｂは、図２８Ａおよび図２８Ｂの導波管コネクタ複合体と多くのフィーチャを共有するが、フレア部分２２８がパッケージコネクタ１１２のコア材料１３２の一部ではなく、ケーブルコネクタ１１４のコア材料１３２の一部である導波管コネクタ複合体をそれぞれ示す。図２９の実施形態において、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２のフレア部分２２８は、ケーブル本体１１６のクラッディング材料１３０を越えて延在し得る。示されるように、パッケージコネクタ１１２において、クラッディング材料１３０は、コネクタ本体１７０の端部から凹んでよく、コア材料１３２は、クラッディング材料１３０の端部から凹んでよい。
添付図面に示される導波管コネクタ複合体の特定の実施形態は、多数の変形を認め得る。例えば、図３０は、図２９Ａのものと同様であるが、ケーブルコネクタ１１４がコネクタ本体１７０を含み、吸収体材料１６０がパッケージコネクタ１１２ではなくケーブルコネクタ１１４の一部である導波管コネクタ複合体を示す。パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２およびクラッディング材料１３０は、パッケージコネクタ１１２のコネクタ本体１７０から凹み、ケーブルコネクタ１１４のコア材料１３２およびクラッディング材料１３０を受け入れる（ケーブルコネクタ１１４のコネクタ本体１７０を通り越して延在する）。図３１Ａは、図３０のものと同様であるが、吸収体材料１６０がケーブルコネクタ１１４およびパッケージコネクタ１１２の両方に含まれる導波管コネクタ複合体を示す。図３１Ｂは、図３１Ａのものと同様であるが、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２およびクラッディング材料１３０がパッケージコネクタ１１２のコネクタ本体１７０を通り越して延在することにより、ケーブルコネクタ１１４のコネクタ本体１７０から凹んだクラッディング材料１３０およびコア材料１３２により形成された導波管ケーブル１１８内のソケットと嵌合する導波管コネクタ複合体を示す。本明細書において開示される導波管コネクタ複合体のいずれも、そのような変形を含み得る。
いくつかの実施形態において、ケーブルコネクタ１１４とパッケージコネクタ１１２との間のインタフェースにおけるコア材料１３２の端部に角度（例えば、３０度と６０度との間の角度）が付けられてよい。例えば、図３２は、図２９Ａのものと同様であるが、パッケージコネクタ１１２およびケーブルコネクタ１１４のコア材料１３２の端部が（例えば、パッケージコネクタ１１２が結合されたマイクロ電子支持体１０４の表面に対して）相補的な斜めのコア切断面を有する導波管コネクタ複合体を示す。コア材料１３２のそのような角度が付けられた端部は、ケーブルコネクタ１１４のコア材料１３２がパッケージコネクタ１１２のコア材料１３２とは異なる誘電率を有する場合に有利であり得る。本明細書において開示される導波管コネクタ複合体のいずれも、角度が付けられたコア材料１３２を含み得る。
いくつかの実施形態において、導波管コネクタ複合体が、パッケージコネクタ１１２内のコア材料１３２の周囲の金属層を含み得る。図３３Ａおよび図３３Ｂは、そのような金属構造１７６を含む導波管コネクタ複合体を示す。示されるように、金属構造１７６は、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２とコネクタ本体１７０との間に配置されてよく、フレア部分２３０を有してよい。フレア部分２３０は、シグナリングモードがシグナルインテグリティを改善するように反射を低減し得る。フレア部分２３０が存在しないと、ケーブルコネクタ１１４とパッケージコネクタ１１２との間の移行が急峻になり、信号の大部分を反射し得ると共に、場合によっては、パッケージコネクタ１１２の内部に定在波を生じさせ得る。高次モードは、フレア部分２３０があってもなくても反射され得る。これは、モード間分散を低減するために望ましいことがある。いくつかの実施形態において、フレア部分２３０は、対象の周波数の波長と対象の周波数の波長の５倍との間である長さ１７４を有し得る。図３３Ａおよび図３３Ｂの導波管コネクタ複合体は、角度が付けられたコア材料１３２を含むが、そうである必要はない。
図３３Ａの実施形態において、ケーブルコネクタ１１４のコア材料１３２の直径は、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２の直径と同じでよいので、フレア部分が存在しなくてよい。図３３Ｂの実施形態において、ケーブルコネクタ１１４のコア材料１３２の直径は、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２の直径よりも大きいので、フレア部分２２８が、パッケージコネクタ１１２のコア材料１３２の直径と一致するようにケーブルコネクタ１１４（またはパッケージコネクタ１１２）内に存在する。フレア部分２３０を有する金属構造１７６を含む導波管コネクタ複合体は、異常分散をもたらし得るので、ケーブル本体１１６内で生じ得る正常分散を補償するために用いられ得る。さらに、図３３Ａおよび３３Ｂのパッケージコネクタ１１２によりもたらされる異常分散は大きいことがあるので、ケーブル本体１１６から生じる正常分散の中程度の量が、かなり小さいパッケージコネクタ１１２内で補償されることが可能になる。
図３４および図３５は、図３３Ａおよび図３３Ｂの実施形態の例示的な変形を示す。図３４は、ケーブルコネクタ１１４のクラッディング材料１３０がパッケージコネクタ１１２の金属構造１７６のフレア部分２３０と一致するようテーパ状である実施形態を示す。図３４は、ケーブルコネクタ１１４が金属構造１７６およびコネクタ本体１７０も含む実施形態を示す。本明細書において開示される導波管コネクタ複合体のいずれも、そのような変形を含み得る。
いくつかの実施形態において、マイクロ電子支持体１０４に含まれるラウンチ／フィルタ構造１１０は、分散補償を提供するために、本明細書において開示される他の分散補償構造に加えて、または当該分散補償構造ではなく、１または複数の基板統合導波管を含み得る。図３６は、基板統合導波管１７８を示す。図３６Ａは、斜視図であり、図３６Ｂは、図３６Ａの断面Ｂ－Ｂを通じた側面断面図であり、図３６Ｃは、図３６Ａの断面Ｃ－Ｃを通じた側面断面図である。基板統合導波管１７８は、金属ポスト１８６により間にある誘電体材料１８２を通じて結合された２つの金属プレート１８４を含み得る。いくつかの実施形態において、金属プレート１８４は、マイクロ電子支持体１０４の金属層内の金属面により提供されてよく、一方で、金属ポスト１８６は、金属面間のビアにより提供されてよい。基板統合導波管１７８は、異常分散を有し得るので、誘電体導波管１５０／導波管バンドル１４８内の正常分散を補償するために用いられ得る。
基板統合導波管１７８は、多数の態様のいずれかで、マイクロ電子支持体１０４内に配置され得る。例えば、図３７は、パッチランチャ１８０（ラウンチ／フィルタ構造１１０の一部であってよい）とマイクロ電子コンポーネント１０６までの伝送線１２０との間に結合された基板統合導波管１７８を含むマイクロ電子支持体１０４を示す。パッチランチャ１８０は、パッケージコネクタ１１２に通信可能に結合されてよく、基板統合導波管１７８は、パッチランチャ１８０の下のスロット１８８を介してパッチランチャ１８０にスロット結合されてよい。
図３８は、複数の基板統合導波管１７８を含むマイクロ電子支持体１０４を示す。これらの基板統合導波管１７８は、マルチプレクサ１９０と異なる伝送線１２０（示されるように１つのマイクロ電子コンポーネント１０６に、または必要に応じて複数のマイクロ電子コンポーネント１０６に至り得る）との間に結合され得る。パッチランチャ１８０は、パッケージコネクタ１１２に通信可能に結合されてよく、マルチプレクサ１９０は、パッチランチャ１８０と基板統合導波管１７８との間に結合されてよい。マルチプレクサ１９０は、異なる周波数帯域を分離してよく、分散補償のために当該周波数帯域を基板統合導波管１７８の異なるそれぞれへ向けてよい。いくつかの実施形態において、マルチプレクサ１９０は、ダイプレクサであってもよく、Ｎプレクサであってもよい。Ｎは、３またはより多い数に等しい。
図３９は、図３８のものと同様であるが、マイクロ電子支持体１０４が第１の部分１０４Ａおよび第２の部分１０４Ｂを含む実施形態を示す。第１の部分１０４Ａは、例えば、パッケージ基板であってよく、一方で、第２の部分１０４Ｂは、例えば、シリコン系インターポーザ、別の半導体ベースインターポーザまたは別のインターポーザ（例えば、有機物、セラミック材料、ガラス材料等を含むもの）であってよい。図３９の実施形態において、パッケージコネクタ１１２、パッチランチャ１８０、マルチプレクサ１９０および基板統合導波管１７８は、第２の部分１０４Ｂに含まれ、一方で、マイクロ電子コンポーネント１０６は、第１の部分１０４Ａに結合される。第１の部分１０４Ａおよび第２の部分１０４Ｂは、はんだ、金属間相互接続または他の相互接続の使用などの任意の適切な態様で、共に結合され得る。第２の部分１０４Ｂは、例えば、専用パッシブインターポーザであってよく、第２の部分１０４Ｂの材料１９２は、第１の部分１０４Ａの誘電体材料１８２よりも高い誘電率を有してよい。これにより、単位長さ当たりのより大きい分散補償が実現され、第１の部分１０４Ａに含まれる基板統合導波管１７８に対する基板統合導波管１７８の幅が減少する。いくつかの実施形態において、材料１９２は、シリコン（例えば、高抵抗率シリコン）、窒化アルミニウムまたは任意の他の適切な材料（例えば、高誘電率および低損失正接を有する材料）を含み得る。パッチランチャ１８０が図３７から図３９に示されているが、これは例示に過ぎず、任意の適切なランチャ構造がラウンチ／フィルタ構造１１０に含まれ得る（例えば、１または複数のアンテナ、ホーン状ランチャ、ヴィヴァルディ型ランチャ、ダイポールベースランチャまたはスロットベースランチャ）。
上記のように、マイクロ電子支持体１０４内の伝送線１２０は、１または複数の水平部分１２４、１または複数の垂直部分１２６、および水平部分１２４と垂直部分１２６との間の１または複数の移行部１２２を含み得る。マイクロ電子支持体１０４内の伝送線１２０は、金属面と、ビアと、トレースとで形成され、かつ、適宜、伝送線１２０を概ね囲むシールド構造１９４により遮蔽され得る。図４０から図４２は、マイクロ電子パッケージ１０２内の伝送線１２０の例示的な配置を示す。これらの図において、伝送線１２０は、マイクロ電子支持体１０４の対向する面における２つのマイクロ電子要素１９６間に通信可能に結合される。マイクロ電子要素１９６は、例えば、本明細書において開示されるマイクロ電子コンポーネント１０６のいずれか、または本明細書において開示されるパッケージコネクタ１１２のいずれかを含み得る。図示の簡略化のためにラウンチ／フィルタ構造１１０が図４０から図４２に示されていないが、存在してもよい。
図４０の実施形態において、単一の移行部１２２が表面水平部分１２４と垂直部分１２６とを結合させる。いくつかの実施形態において、図４０の水平部分１２４は、誘電体材料により下にあるグランドプレーンから離間したトレースを含むマイクロストリップであってよく、図４０の垂直部分１２６は、１または複数のビアとそれらの間のビアパッドとを含んでよい。添付図面のうちの図４０および他の図は、垂直部分１２０を完全に真上および真下であるものとして示しているが、これは例示に過ぎず、垂直部分１２６は、ビアの互い違いスタックまたは任意の他の適切な構造を含み得る。図４１の実施形態において、単一の水平部分１２４が、２つの垂直部分１２６間に結合されているので、伝送線１２０は、２つの移行部１２２を含む。いくつかの実施形態において、図４１の水平部分１２４は、２つのグランドプレーン間に垂直に配置され、かつ、誘電体材料によりグランドプレーンから離間したトレースを含むストリップ線、または、２つのグランドプレーン（またはグランドトレース）間に水平に配置され、かつ、誘電体材料によりグランドプレーン（またはグランドトレース）から離間したトレースを含む共面導波管であり得る。図４２の実施形態において、伝送線１２０は、２つの水平部分１２４と、２つの垂直部分１２６と、３つの移行部１２２とを含む。
伝送線内の移行部が、伝送線に沿った通信のシグナルインテグリティを損なう可能性がある。例えば、従来の水平部分と従来の垂直部分との間の従来の移行部は、寄生キャパシタンス（例えば、共面接地／金属キャパシタンス）と、動作帯域幅と対応する実現可能なデータレートとを制限し得る信号波形の反射を生じさせ得るインダクタンスとをもたらし得る。移行部１２２の周囲の垂直部分１２６および／または水平部分１２４に実装されることで、これらの移行部１２２における所望のインピーダンスの一致を実現し、移行部１２２を通じた信号伝搬の整合性を改善し、故に動作帯域幅を改善し得る様々なフィーチャを有する伝送線１２０が、本明細書において開示され、図４０から図６５を参照して後述される。
いくつかの実施形態において、伝送線１２０が、接地されたシールド構造１９４へ伝送線１２０を短絡させ得る導電性材料（例えば、金属）の１または複数のスタブ２０６を含み得る。ベースバンドシグナリング技術を使用して通信する場合、接地されたシールド構造１９４へ伝送線１２０を短絡させることにより、当該伝送線１２０を介してデータを伝送する能力をなくし得る。しかしながら、バンドパスシグナリング技術を使用したミリメートル波周波数において、そのような短絡を提供するスタブ２０６は、反応性インピーダンスとして挙動し得るので、通信を妨げることなく伝送線１２０のインピーダンスを変え得る。故に、スタブ２０６が選択的に利用され得ることで、移行部１２２の周囲の伝送線１２０の異なる部分について所望のインピーダンスが実現され、異なる部分間でのインピーダンスの一致が改善される。スタブ２０６は、伝送線１２０の任意の所望の金属層に含まれてよく、伝送線１２０の寸法（スタブ２０６および関連するフィーチャの寸法を含む）は、対象の動作周波数範囲内で高シグナルインテグリティおよび広伝送帯域幅を実現するように選択されてよい。
図４３および図４４は、複数のスタブ２０６を有する伝送線１２０を含む例示的なマイクロ電子基板１０４を示す。特に、図４３は、ラベルが付された金属層Ｋ、Ｋ＋１、Ｋ＋２、Ｋ＋３およびＫ＋４を有するマイクロ電子支持体１０４の断面図であり、図４４Ａから図４４Ｅは、マイクロ電子支持体１０４内の金属層の平面図である。図４３および図４４の伝送線１２０は、２つの水平部分１２４間に結合された単一の垂直部分１２６を含む（および、故に、２つの移行部１２２を含む）。水平部分１２４は、トレース２０２を含み、垂直部分１２６は、ビア１９８およびビアパッド２００を含む。シールド構造１９４が、伝送線１２０を囲み、オペレーション中に接地される。シールド構造１９４は、金属面２０４およびビア１９８を含む。
図４３および図４４Ｅに示されるように、金属層Ｋは、トレース２０２と、ビアパッド２００と、ビアパッド２００と接触するスタブ２０６と、シールド構造１９４の金属面２０４とを含み得る。添付図面の様々なものでは、伝送線１２０およびシールド構造１９４について異なるシェーディングが用いられているが、これは図面の理解を向上させるために過ぎず、伝送線１２０およびシールド構造１９４の材料は、同じであり得る。単一の金属層に含まれる伝送線１２０およびシールド構造１９４のコンポーネントは、共に製造される。金属層Ｋ（図４４Ｅ）のトレース２０２およびビアパッド２００は、介在誘電体材料１８２により、金属面２０４から離間し得る。トレース２０２と金属面２０４の最も近い部分との間の誘電体材料１８２のエリアは、アンチトレース２２６と称されてよく、一方で、ビアパッド２００と金属面２０４の最も近い部分との間の誘電体材料１８２のエリアは、アンチパッド２２４と称されてよい。アンチパッド２２４は、実質的に円形のフットプリントを有し得る（または多角形形状などの別の形状を実質的に有するフットプリントを有し得る）が、内部へスタブ２０６が延在するアンチパッド延在部２０８を含み得る。トレース２０２、アンチトレース２２６、ビアパッド２００、アンチパッド２２４、スタブ２０６およびアンチパッド延在部２０８の寸法は、伝送線１２０の異なる部分の所望のインピーダンスを実現するように選択され得る。いくつかの実施形態において、アンチパッド２２４は、延在するスタブ２０６を内部に含むことなく、アンチパッド延在部２０８を含み得る。
図４３および図４４Ｄに示されるように、金属層Ｋ＋１は、アンチパッド２２４内の誘電体材料１８２により金属面２０４から離間したビアパッド２００を含み得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋１内のビアパッド２００を金属層Ｋ（図４４Ｅ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４３および図４４Ｃに示されるように、金属層Ｋ＋２は、ビアパッド２００と、ビアパッド２００と接触するスタブ２０６と、シールド構造１９４の金属面２０４とを含み得る。図４４Ｅと同様に、金属層Ｋ＋２のビアパッド２００は、実質的に円形のフットプリントを有するアンチパッド２２４内の介在誘電体材料１８２により、金属面２０４から離間し得る。アンチパッド２２４は、内部へスタブ２０６が延在するアンチパッド延在部２０８を含み得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋２内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋１（図４４Ｄ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４３および図４４Ｂに示されるように、金属層Ｋ＋３は、ビアパッド２００と、ビアパッド２００と接触するスタブ２０６と、シールド構造１９４の金属面２０４とを含み得る。図４４Ｅおよび図４４Ｃと同様に、金属層Ｋ＋２のビアパッド２００は、実質的に円形のフットプリントを有するアンチパッド２２４内の介在誘電体材料１８２により、金属面２０４から離間し得る。アンチパッド２２４は、内部へスタブ２０６が延在するアンチパッド延在部２０８を含み得る。金属層Ｋ＋３のスタブ２０６は、金属層Ｋ＋２およびＫ内のスタブ２０６に対して対向する方向に延在し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋３内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋２（図４４Ｃ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４３および図４４Ａに示されるように、金属層Ｋ＋４は、トレース２０２およびビアパッド２００、ならびにシールド構造１９４の金属面２０４を含み得る。金属層Ｋ＋４のトレース２０２およびビアパッド２００はそれぞれ、アンチトレース２２６およびアンチパッド２２４内の介在誘電体材料１８２により、金属面２０４から離間し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋４内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋３（図４４Ｂ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４５および図４６は、複数のスタブ２０６を有する伝送線１２０を含む例示的なマイクロ電子基板１０４を示す。特に、図４５は、ラベルが付された金属層Ｋ、Ｋ＋１、Ｋ＋２、Ｋ＋３およびＫ＋４を有するマイクロ電子支持体１０４の断面図であり、図４６Ａから図４６Ｅは、マイクロ電子支持体１０４内の金属層の平面図である。図４５および図４６の伝送線１２０は、２つの水平部分１２４間に結合された単一の垂直部分１２６を含む（および、故に、２つの移行部１２２を含む）。水平部分１２４は、トレース２０２を含み、垂直部分１２６は、ビア１９８およびビアパッド２００を含む。シールド構造１９４が、伝送線１２０を囲み、オペレーション中に接地される。シールド構造１９４は、金属面２０４およびビア１９８を含む。
図４５および図４６Ｅに示されるように、金属層Ｋは、図４３および図４４Ｅの実施形態の金属層Ｋと同じ構造を有し得る。図４５および図４６Ｄに示されるように、金属層Ｋ＋１は、図４３および図４４Ｄの実施形態の金属層Ｋ＋１と同じ構造を有し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋１内のビアパッド２００を金属層Ｋ（図４６Ｅ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４５および図４６Ｃに示されるように、金属層Ｋ＋２は、図４３および図４４Ｃの実施形態の金属層Ｋ＋２のものと同様の構造を有し得るが、追加のアンチパッド延在部２０８と、付随する追加のスタブ２０６とを含み得る。図４５および図４６Ｃのスタブ２０６およびアンチパッド延在部２０８が、介在するビアパッド２００およびアンチパッド２２４に対して互いに対向して配置されるものとして示されているが、ビアパッド２００上の２つまたはそれより多くのスタブ２０６（関連するアンチパッド延在部２０８であり得る）が、互いに対して任意の所望の態様で配置され得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋２内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋１（図４６Ｄ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４５および図４６Ｂに示されるように、金属層Ｋ＋３は、図４３および図４４Ｄの金属層Ｋ＋１と同じ構造を有し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋３内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋２（図４６Ｃ）内のビアパッド２００に結合させ得る。図４５および図４６Ａに示されるように、金属層Ｋ＋４は、図４３および図４４Ａの金属層Ｋ＋４と同じ構造を有し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋４内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋３（図４６Ｂ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４７および図４８は、複数のスタブ２０６を有する伝送線１２０を含む例示的なマイクロ電子基板１０４を示す。特に、図４７は、ラベルが付された金属層Ｋ、Ｋ＋１、Ｋ＋２およびＫ＋３を有するマイクロ電子支持体１０４の断面図であり、図４８Ａから図４８Ｄは、マイクロ電子支持体１０４内の金属層の平面図である。図４７および図４８の伝送線１２０は、２つの水平部分１２４間に結合された単一の垂直部分１２６を含む（および、故に、２つの移行部１２２を含む）。水平部分１２４は、トレース２０２を含み、垂直部分１２６は、ビア１９８およびビアパッド２００を含む。シールド構造１９４が、伝送線１２０を囲み、オペレーション中に接地される。シールド構造１９４は、金属面２０４およびビア１９８を含む。
図４７および図４８Ｄに示されるように、金属層Ｋは、図４３および図４４Ｅの実施形態の金属層Ｋと同じ構造を有し得る。図４７および図４８Ｃに示されるように、金属層Ｋ＋１は、図４３および図４４Ｄの実施形態の金属層Ｋ＋１と同じ構造を有し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋１内のビアパッド２００を金属層Ｋ（図４８Ｄ）内のビアパッド２００に結合させ得る。図４７および図４８Ｂに示されるように、金属層Ｋ＋２は、図４３および図４４Ｂの実施形態の金属層Ｋ＋３と同じ構造を有し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋２内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋１（図４８Ｃ）内のビアパッド２００に結合させ得る。図４７および図４８Ａに示されるように、金属層Ｋ＋３は、図４３および図４４Ａの金属層Ｋ＋４と同じ構造を有し得る。ビア１９８が、金属層Ｋ＋３内のビアパッド２００を金属層Ｋ＋２（図４８Ｂ）内のビアパッド２００に結合させ得る。
図４９は、ラベルが付された様々な寸法を有する、マイクロ電子支持体１０４の金属層内のスタブ２０６の特定の例を示す。図４９を参照して述べる寸法のいずれも、本明細書において開示される実施形態のいずれかに適用され得る。いくつかの実施形態において、トレース２０２の幅２１０は、５ミクロンと４００ミクロンとの間であり得る。いくつかの実施形態において、トレース２０２と金属面２０４の隣接する部分との間の間隔２１２は、５ミクロンと４００ミクロンとの間であり得る。いくつかの実施形態において、スタブ２０６の幅２１４は、５ミクロンと４００ミクロンとの間であり得る。いくつかの実施形態において、スタブ２０６の寸法は、オペレーションの波長または周波数範囲に基づいて選択され得る。複数のスタブ２０６は、複数の周波数で共振してよく、各スタブ２０６は、これらの共振周波数付近の誘導要素または容量性要素のいずれかとして挙動し得る。スタブ２０６の長さを増やすことにより、共振周波数の減少に対応し得る。いくつかの実施形態において、スタブ２０６の長さは、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間（例えば、１５０ミクロンと３００ミクロンとの間、３００ミクロンと１０００ミクロンとの間または１０００ミクロンと１２０００ミクロンとの間）であり得る。いくつかの実施形態において、ビアパッド２００の直径２１６は、５０ミクロンと３００ミクロンとの間であり得る。いくつかの実施形態において、アンチパッド２２４の直径２１８は、１００ミクロンと６００ミクロンとの間であり得る。本明細書において開示される要素の任意の他の適切な寸法が、設計パラメータとして変更され得る。
いくつかの実施形態において、アンチパッド延在部２０８は、金属層内のスタブ２０６と関連していなくてよく、代わりに、ビアパッド２００から延在するスタブ２０６が、アンチパッド２２４の縁部においてシールド構造１９４の金属面２０４と接触してよい。２つのスタブ２０６を含むそのような実施形態の例は、図５０に示される。上記のように、トレース２０２、アンチトレース２２６、ビアパッド２００、アンチパッド２２４、スタブ２０６およびアンチパッド延在部２０８の寸法は、伝送線１２０の異なる部分の所望のインピーダンスを実現するように選択され得る。図５１は、スタブ２０６が幅２２０を有し、金属面２０４から横方向に距離２２２だけ離間した例示的な金属層を示す。いくつかの実施形態において、幅２２０は、５ミクロンと４００ミクロンとの間であってよく、距離２２２は、５ミクロンと４００ミクロンとの間であってよい。
実質的に矩形の形状を有するスタブ２０６と、実質的に円形の形状を有するアンチパッド２２４とを前述の図面の様々なもので示したが、トレース２０２、アンチトレース２２６、ビアパッド２００、アンチパッド２２４、スタブ２０６およびアンチパッド延在部２０８は、（例えば、リソグラフィビア技術の使用により可能になり得る）任意の所望の形状を有し得る。例えば、図５２は、分岐スタブ２０６を有する金属層を示し、一方で、図５３は、実質的に正方形のアンチパッド２２４を有する金属層を示す。
図５４から図５６は、接地されたシールド構造１９４へ伝送線１２０を短絡させるためのスタブ２０６を含む伝送線１２０の追加の例を示す。図５４および図５５の実施形態において、伝送線１２０は、マイクロ電子コンポーネント１０６とパッチランチャ１８０との間に結合される。図５６の実施形態において、伝送線１２０は、マイクロ電子支持体１０４の対向する面におけるマイクロ電子コンポーネント１０６間に結合される。
前述の図面は、伝送線１２０をシールド構造１９４へ短絡されているものとして示しているが、他の実施形態において、伝送線１２０は、スタブ２０６および／またはアンチパッド延在部２０８を含んでよく、スタブ２０６は、伝送線１２０をシールド構造１９４へ短絡させない。そのような実施形態において、スタブ２０６は、シールド構造１９４に電気的に結合されることにより伝送線１２０のインピーダンスを変え得るが、シールド構造１９４から離間し得る。そのような実施形態の例が図５７に示される。スタブ２０６が伝送線１２０をシールド構造１９４へ短絡させない実施形態において、スタブ２０６をシールド構造１９４から分離する間隙のサイズおよび形状は、所望のインピーダンスを実現するように調整され得る別のパラメータであり得る。
上記のように、トレース２０２（および／またはアンチトレース２２６）のサイズまたは形状は、移行部１２２の周囲の所望のインピーダンスを実現するように調節され得る。例えば、図５８Ａおよび図５８Ｂは、マイクロ電子支持体１０４の一部であってよく、かつ、狭い部分２０２Ａと広い部分２０２Ｂとを有するトレース２０２を含む金属層を示す。図５８Ａの実施形態において、トレース２０２に近接するアンチトレース２２６の幅は一定であるが、図５８Ｂの実施形態において、アンチトレース２２６は、狭い部分２２６Ａと広い部分２２６Ｂとを含む。トレース２０２の狭い部分２０２Ａおよび広い部分２０２Ｂの幅、１または複数の狭い部分２０２Ａおよび１または複数の広い部分２０２Ｂの配置ならびにアンチトレース２２６の狭い部分２２６Ａおよび広い部分２２６Ｂの幅は、所望のインピーダンスを実現するように調整され得る。
図５９から図６２ならびに図６４および図６５は、様々な実施形態による、異なるトレース幅を有する部分２０２Ａおよび２０２Ｂを含む伝送線１２０を含み得る例示的なマイクロ電子パッケージ１０２の断面図である。図５９の実施形態において、水平部分１２４に含まれるトレース２０２は、狭い部分２０２Ａと移行部１２２との間の広い部分２０２Ｂを含む。図６０の実施形態において、（マイクロ電子コンポーネント１０６とパッチランチャ１８０との間の）伝送線１２０の３つのトレース２０２が、狭い部分２０２Ａおよび広い部分２０２Ｂを含み得る。図６１および図６２の実施形態において、（マイクロ電子コンポーネント１０６とパッチランチャ１８０との間の）伝送線１２０の２つのトレース２０２が、狭い部分２０２Ａおよび広い部分２０２Ｂを含み得る。図６１の実施形態において、トレース２０２のうちの１つは、広い部分２０２Ｂと移行部１２２との間の狭い部分２０２Ａを含む。図６１および図６２の実施形態において、トレース２０２のうちの１つは、２つの狭い部分２０２Ａの間の広い部分２０２Ｂを含む。図６２の実施形態は、２つの広い部分２０２Ｂの間の狭い部分２０２Ａを含むトレース２０２も示す。そのような実施形態は、（その間の広いアンチトレース部分２２６Ｂおよび狭いアンチトレース部分２２６Ａも示す）図６３にも示される。
図６４および図６５の実施形態において、（マイクロ電子支持体１０４の対向する面における２つのマイクロ電子コンポーネント１０６の間の）伝送線１２０の２つのトレース２０２が、狭い部分２０２Ａおよび広い部分２０２Ｂを含む。図６４において、トレース２０２のうちの１つは、広い部分２０２Ｂと移行部１２２との間の狭い部分２０２Ａを有するが、図６５において、トレース２０２のうちの１つは、狭い部分２０２Ａと移行部１２２との間の広い部分２０２Ｂを有する。本明細書において開示されるマイクロ電子支持体１０４のいくつかの実施形態において、トレース２０２の広い部分２０２Ｂは、（例えば、ビアスタックの端部に近接する）垂直部分１２６のいずれかの端部におけるトレースに配置され得る。いくつかの実施形態において、トレース２０２の広い部分２０２Ｂに近接するビアパッド２００が、内部へスタブ２０６が延在していないアンチパッド延在部２０８を有するアンチパッド２２４を有し得る。伝送線１２０の実施形態は、狭い部分２０２Ａ、広い部分２０２Ｂ、スタブ２０６および／または本明細書において開示される他のフィーチャのいずれかの任意の所望の組み合わせを含み得る。
通信システム１００、マイクロ電子パッケージ１０２、導波管ケーブル１１８および／または本明細書において開示されるそれらのコンポーネントは、任意の適切な電子コンポーネントに含まれ得る。図６６から図７０は適宜、通信システム１００、マイクロ電子パッケージ１０２、導波管ケーブル１１８および／または本明細書において開示されるそれらのコンポーネントのいずれかを含み得るか、または通信システム１００、マイクロ電子パッケージ１０２、導波管ケーブル１１８および／または本明細書において開示されるそれらのコンポーネントのいずれかに含まれ得る装置の様々な例を示す。
図６６は、本明細書において開示される実施形態のいずれかによるマイクロ電子パッケージ１０２（例えば、マイクロ電子コンポーネント１０６またはマイクロ電子要素１９６）に含まれ得るウェハ１５００およびダイ１５０２の平面図である。ウェハ１５００は、半導体材料から構成されてよく、ウェハ１５００の表面に形成されたＩＣ構造を有する１または複数のダイ１５０２を含んでよい。ダイ１５０２の各々は、任意の適切なＩＣを含む半導体製品の繰り返し単位であってよい。半導体製品の製造が完了した後に、ウェハ１５００は、ダイ１５０２が互いに分離されて半導体製品の別個の「チップ」が設けられる単体化プロセスを経てよい。ダイ１５０２は、１または複数のトランジスタ（例えば、後述する図６７のトランジスタ１６４０のうちのいくつか）、および／または電気信号をトランジスタおよび任意の他のＩＣコンポーネントへ転送するための支持回路を含み得る。いくつかの実施形態において、ウェハ１５００またはダイ１５０２は、メモリデバイス（例えば、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）デバイス、磁気ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）デバイス、抵抗ＲＡＭ（ＲＲＡＭ（登録商標））デバイス、導電性ブリッジＲＡＭ（ＣＢＲＡＭ）デバイスなどのランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ））デバイス等）、ロジックデバイス（例えば、ＡＮＤゲート、ＯＲゲート、ＮＡＮＤゲートまたはＮＯＲゲート）または任意の他の適切な回路要素を含み得る。これらのデバイスのうちの複数が、単一のダイ１５０２上で組み合わされ得る。例えば、複数のメモリデバイスにより形成されるメモリアレイが、処理デバイス（例えば、図７０の処理デバイス１８０２）または情報をメモリデバイスに格納するように、またはメモリアレイに格納された命令を実行するように構成された他のロジックとして同じダイ１５０２上に形成され得る。
図６７は、本明細書において開示される実施形態のいずれかによるマイクロ電子パッケージ１０２（例えば、マイクロ電子コンポーネント１０６またはマイクロ電子要素１９６）に含まれ得るマイクロ電子デバイス１６００の側面断面図である。マイクロ電子デバイス１６００のうちの１つまたは複数は、１または複数のダイ１５０２（図６６）または他の電子コンポーネントに含まれ得る。マイクロ電子デバイス１６００は、基板１６０２（例えば、図６６のウェハ１５００）上に形成されてよく、ダイ（例えば、図６６のダイ１５０２）に含まれてよい。基板１６０２は、例えばｎ型またはｐ型の材料系（または両方の組み合わせ）を含む半導体材料系から構成される半導体基板であってよい。基板１６０２は、例えば、バルクシリコンまたはシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基礎構造を用いて形成された結晶性基板を含み得る。いくつかの実施形態において、基板１６０２は、代替的な材料を用いて形成され得る。当該材料は、限定されるものではないが、ゲルマニウム、アンチモン化インジウム、テルル化鉛、ヒ化インジウム、リン化インジウム、窒化ガリウム、ヒ化ガリウムまたはアンチモン化ガリウムを含むシリコンと組み合わされてもよく、組み合わされなくてもよい。ＩＩ－ＶＩ族、ＩＩＩ－Ｖ族またはＩＶ族として分類されるさらなる材料も、基板１６０２を形成するために用いられ得る。基板１６０２が形成され得る材料の少数の例をここで説明するが、マイクロ電子デバイス１６００の基礎として機能し得る任意の材料が用いられ得る。基板１６０２は、単体化されたダイ（例えば、図６６のダイ１５０２）、またはウェハ（例えば、図６６のウェハ１５００）の一部であってよい。
マイクロ電子デバイス１６００は、基板１６０２上に配置された１または複数のデバイス層１６０４を含み得る。デバイス層１６０４は、基板１６０２上に形成された１または複数のトランジスタ１６４０（例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ））のフィーチャを含み得る。デバイス層１６０４は、例えば、１または複数のソースおよび／またはドレイン（Ｓ／Ｄ）領域１６２０と、Ｓ／Ｄ領域１６２０間のトランジスタ１６４０内の電流の流れを制御するためのゲート１６２２と、電気信号をＳ／Ｄ領域１６２０へ／から転送するための１または複数のＳ／Ｄコンタクト１６２４とを含み得る。トランジスタ１６４０は、例えばデバイス分離領域、ゲートコンタクト等、明確さのために示されていない追加のフィーチャを含み得る。トランジスタ１６４０は、図６７に示される種類および構成に限定されず、例えば、プレーナ型トランジスタ、非プレーナ型トランジスタまたは両方の組み合わせなどの多様な他の種類および構成を含み得る。プレーナ型トランジスタは、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）または高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を含み得る。非プレーナ型トランジスタは、ダブルゲートトランジスタまたはトライゲートトランジスタなどのＦｉｎＦＥＴトランジスタならびにナノリボントランジスタおよびナノワイヤトランジスタなどのラップアラウンドゲートトランジスタまたはオールアラウンドゲートトランジスタを含み得る。
各トランジスタ１６４０は、少なくとも２つの層と、ゲート誘電体と、ゲート電極とで形成されたゲート１６２２を含み得る。ゲート誘電体は、１つの層または層のスタックを含み得る。１または複数の層は、酸化ケイ素、二酸化シリコン、炭化ケイ素および／または高誘電率誘電体材料を含み得る。高誘電率誘電体材料は、ハフニウム、シリコン、酸素、チタン、タンタル、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、バリウム、ストロンチウム、イットリウム、鉛、スカンジウム、ニオビウムおよび亜鉛などの元素を含み得る。ゲート誘電体において用いられ得る高誘電率材料の例は、限定されるものではないが、酸化ハフニウム、ハフニウムケイ素酸化物、酸化ランタン、ランタンアルミニウム酸化物、酸化ジルコニウム、ジルコニウムケイ素酸化物、酸化タンタル、酸化チタン、バリウムストロンチウムチタン酸化物、バリウムチタン酸化物、ストロンチウムチタン酸化物、酸化イットリウム、酸化アルミニウム、鉛スカンジウムタンタル酸化物およびニオブ酸鉛亜鉛を含む。いくつかの実施形態において、高誘電率材料が用いられる場合にゲート誘電体の品質を向上させるために、ゲート誘電体に対してアニール処理が実行され得る。
ゲート電極は、ゲート誘電体上に形成されてよく、トランジスタ１６４０がｐ型金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）またはｎ型金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタになるかどうかに応じて少なくとも１つのｐ型仕事関数金属またはｎ型仕事関数金属を含んでよい。いくつかの実装において、ゲート電極は、１または複数の金属層が仕事関数金属層であり、少なくとも１つの金属層が充填金属層である２つまたはそれより多くの金属層のスタックから成り得る。バリア層などのさらなる金属層が、他の目的で含まれ得る。ＰＭＯＳトランジスタの場合、ゲート電極に用いられ得る金属は、限定されるものではないが、ルテニウム、パラジウム、プラチナ、コバルト、ニッケル、導電性金属酸化物（例えば、酸化ルテニウム）、および（例えば、仕事関数調整のために）ＮＭＯＳトランジスタを参照して後述する金属のいずれかを含む。ＮＭＯＳトランジスタの場合、ゲート電極に用いられ得る金属は、限定されるものではないが、ハフニウム、ジルコニウム、チタン、タンタル、アルミニウム、これらの金属の合金、これらの金属の炭化物（例えば、炭化ハフニウム、炭化ジルコニウム、炭化チタン、炭化タンタルおよび炭化アルミニウム）、および（例えば、仕事関数調整のために）ＰＭＯＳトランジスタを参照して上述した金属のいずれかを含む。
いくつかの実施形態において、ソース－チャネル－ドレイン方向に沿って、トランジスタ１６４０の断面として見た場合、ゲート電極は、基板の表面と実質的に平行な底部分と、基板の上面と実質的に垂直な２つの側壁部分とを含むＵ字形構造から成り得る。他の実施形態において、ゲート電極を形成する金属層のうちの少なくとも１つは単に、基板の上面と実質的に平行であり、かつ、基板の上面と実質的に垂直な側壁部分を含まないプレーナ層であってよい。他の実施形態において、ゲート電極は、Ｕ字形構造とプレーナ型の非Ｕ字形構造との組み合わせから成り得る。例えば、ゲート電極は、１または複数のプレーナ型の非Ｕ字形層上に形成された１または複数のＵ字形金属層から成り得る。
いくつかの実施形態において、側壁スペーサの対が、ゲートスタックを囲むよう、ゲートスタックの対向する側面上に形成され得る。側壁スペーサは、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素、炭素ドープされた窒化ケイ素、酸窒化シリコンなどの材料から形成され得る。側壁スペーサを形成するためのプロセスは、当技術分野において周知であり、一般的に、堆積およびエッチング処理の段階を含む。いくつかの実施形態において、複数のスペーサ対が用いられてよく、例えば、２対、３対または４対の側壁スペーサが、ゲートスタックの対向する側面上に形成されてよい。
Ｓ／Ｄ領域１６２０は、各トランジスタ１６４０のゲート１６２２に隣接する基板１６０２内に形成され得る。Ｓ／Ｄ領域１６２０は、例えば、注入／拡散プロセスまたはエッチング／堆積プロセスを用いて形成され得る。前者のプロセスでは、ホウ素、アルミニウム、アンチモン、リンまたはヒ素などのドーパントが基板１６０２へイオン注入され、Ｓ／Ｄ領域１６２０が形成され得る。ドーパントを活性化させ、より遠く基板１６０２へと拡散させるアニール処理が、イオン注入プロセスの後に続き得る。後者のプロセスでは、基板１６０２がまずエッチングされ、Ｓ／Ｄ領域１６２０の位置に凹部が形成され得る。次に、エピタキシャル堆積プロセスが実行され、Ｓ／Ｄ領域１６２０を製造するために用いられる材料で凹部が充填され得る。いくつかの実装において、Ｓ／Ｄ領域１６２０は、シリコンゲルマニウムまたは炭化ケイ素などのシリコン合金を用いて製造され得る。いくつかの実施形態において、エピタキシャル堆積シリコン合金は、ホウ素、ヒ素またはリンなどのドーパントで、インサイチュでドープされ得る。いくつかの実施形態において、Ｓ／Ｄ領域１６２０は、ゲルマニウムまたはＩＩＩ－Ｖ族材料もしくは合金などの１または複数の代替的な半導体材料を用いて形成され得る。さらなる実施形態において、金属および／または金属合金の１または複数の層が、Ｓ／Ｄ領域１６２０を形成するために用いられ得る。
電力および／または入力／出力（Ｉ／Ｏ）信号などの電気信号が、デバイス層１６０４上に配置された１または複数の相互接続層（相互接続層１６０６－１６１０として図６７に示される）を通じて、デバイス層１６０４のデバイス（例えば、トランジスタ１６４０）へ、および／または当該デバイスから転送され得る。例えば、デバイス層１６０４の導電性フィーチャ（例えば、ゲート１６２２およびＳ／Ｄコンタクト１６２４）は、相互接続層１６０６－１６１０の相互接続構造１６２８と電気的に結合され得る。１または複数の相互接続層１６０６－１６１０は、マイクロ電子デバイス１６００のメタライゼーションスタック（「ＩＬＤ」スタックとも称される）１６１９を形成し得る。
相互接続構造１６２８は、多様な設計に従って電気信号を転送するよう相互接続層１６０６－１６１０内に配置され得る（特に、当該配置は、図６７に示される相互接続構造１６２８の特定の構成に限定されない）。特定の数の相互接続層１６０６－１６１０が図６７に示されているが、本開示の実施形態は、示されているものよりも多いかまたは少ない相互接続層を有するマイクロ電子デバイスを含む。
いくつかの実施形態において、相互接続構造１６２８は、金属などの導電性材料で充填された線１６２８ａおよび／またはビア１６２８ｂを含み得る。線１６２８ａは、デバイス層１６０４が形成されている基板１６０２の表面と実質的に平行である面の方向に電気信号を転送するように配置され得る。例えば、線１６２８ａは、図６７の視点から当該頁の内側および外側の方向に電気信号を転送し得る。ビア１６２８ｂは、デバイス層１６０４が形成されている基板１６０２の表面と実質的に垂直である面の方向に電気信号を転送するように配置され得る。いくつかの実施形態において、ビア１６２８ｂは、異なる相互接続層１６０６－１６１０の線１６２８ａを共に電気的に結合させ得る。
図６７に示されるように、相互接続層１６０６－１６１０は、相互接続構造１６２８間に配置された誘電体材料１６２６を含み得る。いくつかの実施形態において、相互接続層１６０６－１６１０の異なるそれぞれにおける相互接続構造１６２８間に配置された誘電体材料１６２６は、異なる組成を有し得る。他の実施形態において、異なる相互接続層１６０６－１６１０間の誘電体材料１６２６の組成は、同じであり得る。
第１の相互接続層１６０６は、デバイス層１６０４の上に形成され得る。示されるように、いくつかの実施形態において、第１の相互接続層１６０６は、線１６２８ａおよび／またはビア１６２８ｂを含み得る。第１の相互接続層１６０６の線１６２８ａは、デバイス層１６０４のコンタクト（例えば、Ｓ／Ｄコンタクト１６２４）と結合され得る。
第２の相互接続層１６０８は、第１の相互接続層１６０６の上に形成され得る。いくつかの実施形態において、第２の相互接続層１６０８は、第２の相互接続層１６０８の線１６２８ａを第１の相互接続層１６０６の線１６２８ａと結合させるためのビア１６２８ｂを含み得る。線１６２８ａおよびビア１６２８ｂは、明確さのために、各相互接続層内の（例えば、第２の相互接続層１６０８内の）線で構造的に描かれているが、いくつかの実施形態において、線１６２８ａおよびビア１６２８ｂは、構造的におよび／または物質的に連続し（例えば、デュアルダマシンプロセス中に同時に充填され）得る。
第３の相互接続層１６１０（および必要に応じて追加の相互接続層）は、第２の相互接続層１６０８または第１の相互接続層１６０６に関連して説明したものと同様の技術および構成に従って、第２の相互接続層１６０８上に連続的に形成され得る。いくつかの実施形態において、マイクロ電子デバイス１６００内のメタライゼーションスタック１６１９において「より高い」（すなわち、デバイス層１６０４からより遠く離れている）相互接続層は、より厚くてよい。
マイクロ電子デバイス１６００は、相互接続層１６０６－１６１０上に形成されたはんだレジスト材料１６３４（例えば、ポリイミドまたは同様の材料）および１または複数の導電性コンタクト１６３６を含み得る。図６７において、導電性コンタクト１６３６は、ボンドパッドの形態を取るように示されている。導電性コンタクト１６３６は、相互接続構造１６２８と電気的に結合されてよく、トランジスタ１６４０の電気信号を他の外部デバイスへ転送するように構成されてよい。例えば、マイクロ電子デバイス１６００を含むチップを別のコンポーネント（例えば、回路基板）と機械的および／または電気的に結合させるために、はんだ接合が、１または複数の導電性コンタクト１６３６上に形成され得る。マイクロ電子デバイス１６００は、相互接続層１６０６－１６１０からの電気信号を転送するための追加のまたは代替的な構造を含み得る。例えば、導電性コンタクト１６３６は、電気信号を外部コンポーネントへ転送する他の類似のフィーチャ（例えば、ポスト）を含み得る。
図６８は、マイクロ電子パッケージ１０２として機能し得る例示的なマイクロ電子パッケージ１６５０の側面断面図である。いくつかの実施形態において、マイクロ電子パッケージ１６５０は、システムインパッケージ（ＳｉＰ）であり得る。
パッケージ基板１６５２は、誘電体材料（例えば、セラミック、ビルドアップ膜、充填剤粒子を内部に有するエポキシ膜、ガラス、有機物、無機物、有機物と無機物との組み合わせ、異なる材料で形成された埋め込み部分等）で形成されてよく、誘電体材料を通って面１６７２と面１６７４との間に、または面１６７２上の異なる位置間に、および／または面１６７４上の異なる位置間に延在する導電性経路を有してよい。これらの導電性経路は、図６７を参照して上述した相互接続１６２８のいずれかの形態を取り得る。いくつかの実施形態において、パッケージ基板１６５２は、マイクロ電子支持体１０４であってもよく、本明細書において開示される実施形態のいずれかによるマイクロ電子支持体１０４に含まれてもよい。
パッケージ基板１６５２は、パッケージ基板１６５２を通じて導電性経路（不図示）に結合されることでダイ１６５６および／またはインターポーザ１６５７内の回路が導電性コンタクト１６６４の様々なものに（またはパッケージ基板１６５２に含まれる他のデバイス（不図示）に）電気的に結合することを可能にする導電性コンタクト１６６３を含み得る。
マイクロ電子パッケージ１６５０は、インターポーザ１６５７の導電性コンタクト１６６１と、第１レベル相互接続１６６５と、パッケージ基板１６５２の導電性コンタクト１６６３とを介してパッケージ基板１６５２に結合されたインターポーザ１６５７を含み得る。図６８に示される第１レベル相互接続１６６５ははんだバンプであるが、任意の適切な第１レベル相互接続１６６５が用いられ得る。いくつかの実施形態において、インターポーザ１６５７がマイクロ電子パッケージ１６５０に含まれないことがあり、代わりに、ダイ１６５６が、第１レベル相互接続１６６５により、表面１６７２における導電性コンタクト１６６３に直接結合され得る。より一般的には、１または複数のダイ１６５６が、任意の適切な構造（例えば、シリコンブリッジ、有機ブリッジ、１または複数の導波管、１または複数のインターポーザ、ワイヤボンド等）を介してパッケージ基板１６５２に結合され得る。いくつかの実施形態において、インターポーザ１６５７は、マイクロ電子支持体１０４であってもよく、本明細書において開示される実施形態のいずれかによるマイクロ電子支持体１０４に含まれてもよい。
マイクロ電子パッケージ１６５０は、ダイ１６５６の導電性コンタクト１６５４と、第１レベル相互接続１６５８と、インターポーザ１６５７の導電性コンタクト１６６０とを介してインターポーザ１６５７に結合された１または複数のダイ１６５６を含み得る。導電性コンタクト１６６０は、インターポーザ１６５７を通じて導電性経路（不図示）に結合されることで、ダイ１６５６内の回路が導電性コンタクト１６６１の様々なものに（またはインターポーザ１６５７に含まれる他のデバイス（不図示）に）電気的に結合することを可能にし得る。図６８に示される第１レベル相互接続１６５８ははんだバンプであるが、任意の適切な第１レベル相互接続１６５８が用いられ得る。本明細書において用いられる場合、「導電性コンタクト」は、異なるコンポーネント間のインタフェースとして機能する導電性材料（例えば、金属）の一部分を指し得る。導電性コンタクトは、あるコンポーネントの表面内へ凹んでいてもよく、当該表面と同一平面上にあってもよく、当該表面から離れて延在してもよく、かつ、任意の適切な形態（例えば、導電性パッドまたはソケット）を取ってよい。ダイ１６５６は、本明細書において開示されるマイクロ電子コンポーネント１０６のいずれかの形態を取り得る（例えば、１または複数のミリメートル波通信トランシーバを含み得る）。
いくつかの実施形態において、アンダーフィル材料１６６６が、第１レベル相互接続１６６５の周囲のパッケージ基板１６５２とインターポーザ１６５７との間に配置されてよく、モールド化合物１６６８が、ダイ１６５６およびインターポーザ１６５７の周囲に配置され、パッケージ基板１６５２と接触してよい。いくつかの実施形態において、アンダーフィル材料１６６６は、モールド化合物１６６８と同じであり得る。アンダーフィル材料１６６６およびモールド化合物１６６８に用いられ得る例示的な材料は適宜、エポキシモールド材料である。第２レベル相互接続１６７０は、導電性コンタクト１６６４に結合され得る。図６８に示される第２レベル相互接続１６７０は、（例えば、ボールグリッドアレイ構成用の）はんだボールであるが、任意の適切な第２レベル相互接続１６７７０（例えば、ピングリッドアレイ構成におけるピンまたはランドグリッドアレイ構成におけるランド）が用いられ得る。第２レベル相互接続１６７０は、回路基板（例えば、マザーボード）、インターポーザ、または当技術分野において公知であり、かつ、図６９を参照して後述する別のマイクロ電子パッケージなどの別のコンポーネントにマイクロ電子パッケージ１６５０を結合させるために用いられ得る。
ダイ１６５６は、本明細書において述べるダイ１５０２の実施形態のいずれかの形態を取り得る（例えば、マイクロ電子デバイス１６００の実施形態のいずれかを含み得る）。マイクロ電子パッケージ１６５０が複数のダイ１６５６を含む実施形態において、マイクロ電子パッケージ１６５０は、マルチチップパッケージ（ＭＣＰ）と称され得る。ダイ１６５６は、任意の所望の機能を実行するための回路を含み得る。例えば、ダイ１６５６のうちの１つまたは複数は、ロジックダイ（例えば、シリコン系ダイ）であってよく、ダイ１６５６のうちの１つまたは複数は、メモリダイ（例えば、高帯域幅メモリ）であってよい。
図６８に示されているマイクロ電子パッケージ１６５０はフリップチップパッケージであるが、他のパッケージアーキテクチャが用いられ得る。例えば、マイクロ電子パッケージ１６５０は、埋め込みウェハレベルボールグリッドアレイ（ｅＷＬＢ）パッケージなどのボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージであってよい。別の例において、マイクロ電子パッケージ１６５０は、ウェハレベルチップスケールパッケージ（ＷＬＣＳＰ）またはパネルファンアウト（ＦＯ）パッケージであってよい。２つのダイ１６５６が図６８のマイクロ電子パッケージ１６５０内に示されているが、Ｉマイクロ電子パッケージ１６５０は、任意の所望の数のダイ１６５６を含み得る。マイクロ電子パッケージ１６５０は、パッケージ基板１６５２の第１の面１６７２もしくは第２の面１６７４またはインターポーザ１６５７のいずれかの面上に配置された表面実装型の抵抗器、コンデンサおよびインダクタなど、追加のパッシブコンポーネントを含み得る。マイクロ電子パッケージ１６５０は、例えば、本明細書において開示されるパッケージコネクタ１１２のいずれかを含み得る。より一般的には、マイクロ電子パッケージ１６５０は、当技術分野において公知である任意の他のアクティブコンポーネントまたはパッシブコンポーネントを含み得る。
図６９は、本明細書において開示される実施形態のいずれかによる１または複数のマイクロ電子パッケージ１０２を含み得るマイクロ電子アセンブリ１７００の側面断面図である。さらに、図６９には示されていないが、マイクロ電子アセンブリ１７００は、マイクロ電子アセンブリ１７００の異なる要素を通信可能に結合させるための、および／またはマイクロ電子アセンブリ１７００の要素を外部の要素と通信可能に結合させるための１または複数の導波管ケーブル１１８を含み得る。マイクロ電子アセンブリ１７００は、（例えば、マザーボードであり得る）回路基板１７０２上に配置された多数のコンポーネントを含む。マイクロ電子アセンブリ１７００は、回路基板１７０２の第１の面１７４０および回路基板１７０２の対向する第２の面１７４２上に配置されたコンポーネントを含む。一般的に、コンポーネントは、面１７４０および１７４２の一方または両方に配置され得る。マイクロ電子アセンブリ１７００を参照して後述するマイクロ電子パッケージのいずれも、図６８を参照して上述したマイクロ電子パッケージ１６５０の実施形態のいずれかの形態を取り得る。
いくつかの実施形態において、回路基板１７０２は、誘電体材料の層により互いに分離され、かつ、導電性ビアにより相互接続された複数の金属層を含むＰＣＢであってよい。当該金属層のうちのいずれか１つまたは複数が、回路基板１７０２に結合されたコンポーネント間で電気信号を（任意で、他の金属層と連携して）転送するために、所望の回路パターンで形成され得る。他の実施形態において、回路基板１７０２は、非ＰＣＢ基板であってよい。
図６９に示されるマイクロ電子アセンブリ１７００は、結合コンポーネント１７１６により回路基板１７０２の第１の面１７４０に結合されたパッケージ－オン－インターポーザ構造１７３６を含む。結合コンポーネント１７１６は、パッケージ－オン－インターポーザ構造１７３６を回路基板１７０２へ電気的かつ機械的に結合させてよく、はんだボール（図６９に示される）、ソケットの雄部分および雌部分、接着剤、アンダーフィル材料、および／または任意の他の適切な電気的および／または機械的な結合構造を含んでよい。
パッケージ－オン－インターポーザ構造１７３６は、結合コンポーネント１７１８によりパッケージインターポーザ１７０４に結合されたマイクロ電子パッケージ１７２０を含み得る。結合コンポーネント１７１８は、結合コンポーネント１７１６を参照して上述した形態など、当該用途での任意の適切な形態を取り得る。単一のマイクロ電子パッケージ１７２０が図６９に示されているが、複数のマイクロ電子パッケージがパッケージインターポーザ１７０４に結合されてよく、実際には、追加のインターポーザがパッケージインターポーザ１７０４に結合されてよい。パッケージインターポーザ１７０４は、回路基板１７０２およびマイクロ電子パッケージ１７２０をブリッジするために用いられる介在基板を提供し得る。マイクロ電子パッケージ１７２０は、例えば、ダイ（図６６のダイ１５０２）、マイクロ電子デバイス（例えば、図６７のマイクロ電子デバイス１６００）または任意の他の適切なコンポーネントであってもよく、それらを含んでもよい。一般的に、パッケージインターポーザ１７０４は、接続をより広いピッチへ広げてもよく、ある接続を異なる接続へ再転送してもよい。例えば、パッケージインターポーザ１７０４は、回路基板１７０２に結合するために、マイクロ電子パッケージ１７２０（例えば、ダイ）を結合コンポーネント１７１６のＢＧＡ導電性コンタクトのセットに結合させてよい。図６９に示される実施形態において、マイクロ電子パッケージ１７２０および回路基板１７０２は、パッケージインターポーザ１７０４の対向する側面に取り付けられる。他の実施形態において、マイクロ電子パッケージ１７２０および回路基板１７０２は、パッケージインターポーザ１７０４の同じ側面に取り付けられ得る。いくつかの実施形態において、３つまたはそれより多くのコンポーネントが、パッケージインターポーザ１７０４により相互接続され得る。
いくつかの実施形態において、パッケージインターポーザ１７０４は、誘電体材料の層により互いに分離され、かつ、導電性ビアにより相互接続された複数の金属層を含むＰＣＢとして形成され得る。いくつかの実施形態において、パッケージインターポーザ１７０４は、エポキシ樹脂、グラスファイバ強化エポキシ樹脂、無機充填剤を含むエポキシ樹脂、セラミック材料、またはポリイミドなどのポリマー材料で形成され得る。いくつかの実施形態において、パッケージインターポーザ１７０４は、代替的な強固または柔軟な材料で形成され得る。当該材料は、シリコン、ゲルマニウムならびに他のＩＩＩ－Ｖ族材料およびＩＶ族材料など、半導体基板に用いられる上述の同じ材料を含み得る。パッケージインターポーザ１７０４は、金属線１７１０と、限定されるものではないがスルーシリコンビア（ＴＳＶ）１７０６を含むビア１７０８とを含み得る。パッケージインターポーザ１７０４は、パッシブデバイスおよびアクティブデバイスの両方を含む埋め込みデバイス１７１４をさらに含み得る。そのようなデバイスは、限定されるものではないが、コンデンサ、デカップリングコンデンサ、抵抗器、インダクタ、ヒューズ、ダイオード、変圧器、センサ、静電気放電（ＥＳＤ）デバイスおよびメモリデバイスを含み得る。ＲＦデバイス、電力増幅器、電力管理デバイス、アンテナ、アレイ、センサおよび微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスなどのより複雑なデバイスもパッケージインターポーザ１７０４上に形成され得る。パッケージ－オン－インターポーザ構造１７３６は、当技術分野において公知のパッケージ－オン－インターポーザ構造のいずれかの形態を取り得る。いくつかの実施形態において、パッケージインターポーザ１７０４は、マイクロ電子支持体１０４であってよい。
マイクロ電子アセンブリ１７００は、結合コンポーネント１７２２により回路基板１７０２の第１の面１７４０に結合されたマイクロ電子パッケージ１７２４を含み得る。結合コンポーネント１７２２は、結合コンポーネント１７１６を参照して上述した実施形態のいずれかの形態を取ってよく、マイクロ電子パッケージ１７２４は、マイクロ電子パッケージ１７２０を参照して上述した実施形態のいずれかの形態を取ってよい。
図６９に示されるマイクロ電子アセンブリ１７００は、結合コンポーネント１７２８により回路基板１７０２の第２の面１７４２に結合されたパッケージ－オン－パッケージ構造１７３４を含む。パッケージ－オン－パッケージ構造１７３４は、マイクロ電子パッケージ１７２６が回路基板１７０２とマイクロ電子パッケージ１７３２との間に配置されるように結合コンポーネント１７３０により共に結合されたマイクロ電子パッケージ１７２６およびマイクロ電子パッケージ１７３２を含み得る。結合コンポーネント１７２８および１７３０は、上述の結合コンポーネント１７１６の実施形態のいずれかの形態を取ってよく、マイクロ電子パッケージ１７２６および１７３２は、上述のマイクロ電子パッケージ１７２０の実施形態のいずれかの形態を取ってよい。パッケージ－オン－パッケージ構造１７３４は、当技術分野において公知のパッケージ－オン－パッケージ構造のいずれかに従って構成され得る。
図７０は、本明細書において開示される実施形態のいずれかによる、１または複数の通信システム１００、マイクロ電子パッケージ１０２、導波管ケーブル１１８および／またはそれらのコンポーネントを含み得る例示的なコンピューティングデバイス１８００のブロック図である。例えば、コンピューティングデバイス１８００のコンポーネントのうちの任意の適切ないくつかは、本明細書において開示されるマイクロ電子デバイス、Ｉアセンブリ１７００、マイクロ電子パッケージ１６５０、マイクロ電子デバイス１６００またはダイ１５０２のうちの１つまたは複数を含み得る。多数のコンポーネントがコンピューティングデバイス１８００に含まれるものとして図７０に示されているが、これらのコンポーネントのうちのいずれか１つまたは複数は、当該用途に適している場合、省略または重複され得る。いくつかの実施形態において、コンピューティングデバイス１８００に含まれるコンポーネントのいくつかまたは全ては、１または複数のマザーボードに取り付けられ得る。いくつかの実施形態において、これらのコンポーネントのいくつかまたは全ては、単一のシステムオンチップ（ＳｏＣ）ダイ上に製造される。
追加的に、様々な実施形態において、コンピューティングデバイス１８００は、図７０に示されるコンポーネントのうちの１つまたは複数を含まなくてよいが、１または複数のコンポーネントを結合させるためのインタフェース回路を含んでよい。例えば、コンピューティングデバイス１８００は、ディスプレイデバイス１８０６を含まなくてよいが、ディスプレイデバイス１８０６が結合され得るディスプレイデバイスインタフェース回路（例えば、コネクタおよびドライバ回路）を含んでよい。別の一連の例において、コンピューティングデバイス１８００は、オーディオ入力デバイス１８２４またはオーディオ出力デバイス１８０８を含まなくてよいが、オーディオ入力デバイス１８２４またはオーディオ出力デバイス１８０８が結合され得るオーディオ入力または出力デバイスインタフェース回路（例えば、コネクタおよび支持回路）を含んでよい。
コンピューティングデバイス１８００は、処理デバイス１８０２（例えば、１または複数の処理デバイス）を含み得る。本明細書において用いられる場合、「処理デバイス」または「プロセッサ」という用語は、レジスタおよび／またはメモリからの電子データを処理して、当該電子データをレジスタおよび／またはメモリに格納され得る他の電子データへ変換する任意のデバイスまたはデバイスの部分を指し得る。処理デバイス１８０２は、１または複数のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、中央処理装置（ＣＰＵ）、グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）、暗号プロセッサ（ハードウェア内で暗号アルゴリズムを実行する専用プロセッサ）、サーバプロセッサまたは任意の他の適切な処理デバイスを含み得る。コンピューティングデバイス１８００は、メモリ１８０４を含み得る。メモリ１８０４は、それ自体が、揮発性メモリ（例えば、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ））、不揮発性メモリ（例えば、リードオンリメモリ（ＲＯＭ））、フラッシュメモリ、ソリッドステートメモリおよび／またはハードドライブなどの１または複数のメモリデバイスを含み得る。いくつかの実施形態において、メモリ１８０４は、処理デバイス１８０２とダイを共有するメモリを含み得る。このメモリは、キャッシュメモリとして用いられてよく、埋め込みダイナミックランダムアクセスメモリ（ｅＤＲＡＭ）またはスピントランスファトルク磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）を含んでよい。
いくつかの実施形態において、コンピューティングデバイス１８００は、通信チップ１８１２（例えば、１または複数の通信チップ）を含み得る。例えば、通信チップ１８１２は、コンピューティングデバイス１８００との間でのデータの転送のための無線通信を管理するために構成され得る。「無線」という用語およびその派生語は、非固体媒体を通じた変調済み電磁放射の使用を通じてデータを通信し得る回路、デバイス、システム、方法、技術、通信チャネル等を説明するために用いられ得る。関連するデバイスがいくつかの実施形態において配線を含まないことがあるが、当該用語は、関連するデバイスが任意の配線を含まないことを示唆しているわけではない。
通信チップ１８１２は、限定されるものではないが、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリ）、ＩＥＥＥ８０２．１６規格（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１６－２００５修正）、あらゆる修正、更新および／または改訂（例えば、アドバンストＬＴＥプロジェクト、ウルトラモバイルブロードバンド（ＵＭＢ）プロジェクト（「３ＧＰＰ２」とも称される）等）を伴うロングタームエボリューション（ＬＴＥ）プロジェクトを含む米国電気電子技術者協会（ＩＥＥＥ）規格を含む、多数の無線規格またはプロトコルのいずれかを実装し得る。ＩＥＥＥ８０２．１６と互換性があるブロードバンド無線アクセス（ＢＷＡ）ネットワークは一般的に、ＷｉＭＡＸ（登録商標）ネットワークと称される。この頭字語は、ワールドワイドインターオペラビリティフォーマイクロウェーブアクセスを表し、ＩＥＥＥ８０２．１６規格の準拠および相互運用性試験に合格した製品用の認証マークである。通信チップ１８１２は、移動通信用グローバルシステム（ＧＳＭ（登録商標））、汎用パケット無線サービス（ＧＰＲＳ）、ユニバーサル移動体通信システム（ＵＭＴＳ）、高速パケットアクセス（ＨＳＰＡ）、進化型ＨＳＰＡ（Ｅ－ＨＳＰＡまたはＬＴＥネットワーク）に従って動作し得る。通信チップ１８１２は、ＧＳＭ（登録商標）エボリューション用エンハンストデータ（ＥＤＧＥ）、ＧＳＭ（登録商標） ＥＤＧＥ無線アクセスネットワーク（ＧＥＲＡＮ）、ユニバーサル地上波無線アクセスネットワーク（ＵＴＲＡＮ）または進化型ＵＴＲＡＮ（Ｅ－ＵＴＲＡＮ）に従って動作し得る。通信チップ１８１２は、符号分割多重アクセス（ＣＤＭＡ）、時分割多重アクセス（ＴＤＭＡ）、デジタルエンハンストコードレス電気通信（ＤＥＣＴ）、エボリューションデータオプティマイズド（ＥＶ－ＤＯ）およびそれらの派生物、ならびに３Ｇ、４Ｇ、５Ｇおよびそれ以降のものとして指定される任意の他の無線プロトコルに従って動作し得る。他の実施形態において、通信チップ１８１２は、他の無線プロトコルに従って動作し得る。コンピューティングデバイス１８００は、無線通信を容易にするための、および／または他の無線通信（ＡＭまたはＦＭ無線伝送など）を受信するためのアンテナ１８２２を含み得る。通信チップ１８１２は、例えば、（例えば、マイクロ電子支持体１０４を通る導波管ケーブル１１８または伝送線１２０に沿って）ミリメートル波通信をサポートするための（例えば、マイクロ電子コンポーネント１０６としての）ミリメートル波通信トランシーバを含み得る。
いくつかの実施形態において、通信チップ１８１２は、電気、光または任意の他の適切な通信プロトコル（例えば、Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標））などの有線通信を管理し得る。上記のように、通信チップ１８１２は、複数の通信チップを含み得る。例えば、第１の通信チップ１８１２は、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）またはＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などのより短距離の無線通信専用であってよく、第２の通信チップ１８１２は、全地球測位システム（ＧＰＳ）、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭＡＸ（登録商標）、ＬＴＥ、ＥＶ－ＤＯまたは他のものなどのより長距離の無線通信専用であってよい。いくつかの実施形態において、第１の通信チップ１８１２は、無線通信専用であってよく、第２の通信チップ１８１２は、有線通信専用であってよい。
コンピューティングデバイス１８００は、バッテリ／電源回路１８１４を含み得る。バッテリ／電源回路１８１４は、１または複数のエネルギー貯蔵デバイス（例えば、バッテリまたはコンデンサ）、および／またはコンピューティングデバイス１８００とは別個のエネルギー源（例えば、ＡＣ線電力）にコンピューティングデバイス１８００のコンポーネントを結合させるための回路を含み得る。
コンピューティングデバイス１８００は、ディスプレイデバイス１８０６（または上述の対応するインタフェース回路）を含み得る。ディスプレイデバイス１８０６は、ヘッドアップディスプレイ、コンピュータモニタ、プロジェクタ、タッチスクリーンディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオードディスプレイまたはフラットパネルディスプレイなどの任意の視覚インジケータを含み得る。
コンピューティングデバイス１８００は、オーディオ出力デバイス１８０８（または上述の対応するインタフェース回路）を含み得る。オーディオ出力デバイス１８０８は、スピーカ、ヘッドセットまたはイヤバッドなど、可聴インジケータを生成する任意のデバイスを含み得る。
コンピューティングデバイス１８００は、オーディオ入力デバイス１８２４（または上述の対応するインタフェース回路）を含み得る。オーディオ入力デバイス１８２４は、マイク、マイクアレイ、またはデジタル機器（例えば、楽器デジタルインタフェース（ＭＩＤＩ）出力を有する機器）など、音を表す信号を生成する任意のデバイスを含み得る。
コンピューティングデバイス１８００は、ＧＰＳデバイス１８１８（または上述の対応するインタフェース回路）を含み得る。ＧＰＳデバイス１８１８は、衛星ベースシステムと通信してよく、当技術分野において公知の方法でコンピューティングデバイス１８００の位置を受信し得る。
コンピューティングデバイス１８００は、別の出力デバイス１８１０（または上述の対応するインタフェース回路）を含み得る。他の出力デバイス１８１０の例は、オーディオコーデック、ビデオコーデック、プリンタ、情報を他のデバイスに提供するための有線式もしくは無線式のトランスミッタ、または追加のストレージデバイスを含み得る。
コンピューティングデバイス１８００は、別の入力デバイス１８２０（または上述の対応するインタフェース回路）を含み得る。他の入力デバイス１８２０の例は、加速度計、ジャイロスコープ、コンパス、撮像デバイス、キーボード、マウスなどのカーソル制御デバイス、スタイラス、タッチパッド、バーコードリーダ、クイックレスポンス（ＱＲ）コードリーダ、任意のセンサ、または無線周波数識別（ＲＦＩＤ）リーダを含み得る。
コンピューティングデバイス１８００は、ハンドヘルドコンピューティングデバイスもしくはモバイルコンピューティングデバイス（例えば、携帯電話、スマートフォン、モバイルインターネットデバイス、音楽プレーヤ、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ネットブックコンピュータ、ウルトラブックコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルパーソナルコンピュータ等）、デスクトップコンピューティングデバイス、サーバデバイスもしくは他のネットワーク接続されたコンピューティングコンポーネント、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンタテインメント制御ユニット、車両制御ユニット、デジタルカメラ、デジタルビデオレコーダまたはウェアラブルコンピューティングデバイスなど、任意の所望のフォームファクタを有し得る。いくつかの実施形態において、コンピューティングデバイス１８００は、データを処理する任意の他の電子デバイスであってよい。
以下の段落では、本明細書において開示される実施形態の様々な例を提供する。
例Ａ１は、ミリメートル波誘電体導波管であって、第１の材料であって、上記第１の材料内の開口は、上記ミリメートル波誘電体導波管に沿って長手方向に延在し、上記開口は、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って第１の位置における第１の断面を含み、上記開口は、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って第２の位置における第２の断面を含む、第１の材料と、第２の材料であって、上記第１の断面は、上記第２の断面とは異なり、上記第１の位置は、上記第２の位置とは異なり、上記第１の材料は、上記第２の材料と上記開口との間にあり、上記第２の材料は、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第２の材料とを備えるミリメートル波誘電体導波管である。
例Ａ２は、例Ａ１に記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第１の位置における円形断面を含み、上記開口が、上記第２の位置における円形断面を含むことを規定する。
例Ａ３は、例Ａ１に記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第１の位置における非円形断面を含み、上記開口が、上記第２の位置における非円形断面を含むことを規定する。
例Ａ４は、例Ａ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って第３の位置における第３の断面を含み、上記第３の断面が、上記第１の断面とは異なり、上記第３の断面が、上記第２の断面とは異なり、上記第３の位置が、上記第１の位置とは異なり、上記第３の位置が、上記第２の位置とは異なることを規定する。
例Ａ５は、例Ａ４に記載の主題を含み、さらに、上記第３の位置が、上記第１の位置と上記第２の位置との間にあり、上記第３の断面のエリアが、上記第１の断面のエリアと上記第２の断面のエリアとの間にあることを規定する。
例Ａ６は、例Ａ１から５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記第１の断面を含む上記開口を有する第１のセクションと、上記第２の断面を含む上記開口を有する第２のセクションと、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の移行セクションとを備えることを規定する。
例Ａ７は、例Ａ６に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１の断面を有するところから上記第２の断面を有するところまでの段階的変化部を上記開口内に有することを規定する。
例Ａ８は、例Ａ６に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の間隙を有することを規定する。
例Ａ９は、例Ａ８に記載の主題を含み、さらに、上記間隙が、１ミリメートル未満である幅を含むことを規定する。
例Ａ１０は、例Ａ６に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１の断面を有するところから上記第２の断面を有するところまでの滑らかに変わる変化部を上記開口内に有することを規定する。
例Ａ１１は、例Ａ１から５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って滑らかに変化する断面を含むことを規定する。
例Ａ１２は、例Ａ１から１１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、第１の開口であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記ミリメートル波誘電体導波管に沿って長手方向に延在する上記第１の材料における第２の開口をさらに備えることを規定する。
例Ａ１３は、例Ａ１２に記載の主題を含み、さらに、上記第２の開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って上記第１の位置の第３の断面を含み、上記第２の開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って上記第２の位置の第４の断面を含み、上記第３の断面が、上記第４の断面とは異なり、上記第１の位置が、上記第２の位置とは異なることを規定する。
例Ａ１４は、例Ａ１から１３のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の空気をさらに含む。
例Ａ１５は、例Ａ１から１４のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の第３の材料であって、上記第１の材料の上記誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料をさらに含む。
例Ａ１６は、例Ａ１から１５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを有することを規定する。
例Ａ１７は、例Ａ１から１６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを有することを規定する。
例Ａ１８は、例Ａ１７に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ａ１９は、例Ａ１から１８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを有することを規定する。
例Ａ２０は、例Ａ１９に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ａ２１は、例Ａ１から２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、発泡体を有することを規定する。
例Ａ２２は、例Ａ１から２１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、２未満である誘電率を有することを規定する。
例Ａ２３は、例Ａ１から２２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を有することを規定する。
例Ａ２４は、例Ａ１から２３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第１の材料内の開口のアレイのうちの１つであることを規定する。
例Ａ２５は、例Ａ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、上記第１の位置における円形断面を有し、上記第１の材料が、上記第２の位置における円形断面を有することを規定する。
例Ａ２６は、例Ａ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、上記第１の位置における非円形断面を有し、上記第１の材料が、上記第２の位置における非円形断面を有することを規定する。
例Ａ２７は、例Ａ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の位置における円形断面を有し、上記第２の材料が、上記第２の位置における円形断面を有することを規定する。
例Ａ２８は、例Ａ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の位置における非円形断面を有し、上記第２の材料が、上記第２の位置における非円形断面を有することを規定する。
例Ａ２９は、例Ａ１から２８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つであることを規定する。
例Ａ３０は、例Ａ２９に記載の主題を含み、さらに、上記ケーブルが、上記複数のミリメートル波誘電体導波管の周囲の包み込み材料を含むことを規定する。
例Ａ３１は、例Ａ２９から３０のいずれかに記載の主題を含み、上記ミリメートル波誘電体導波管の端部におけるコネクタをさらに含む。
例Ａ３２は、例Ａ１から２８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ａ３３は、例Ａ１から３２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ａ３４は、例Ａ１から３３のいずれかに記載の主題を含み、金属層であって、上記第１の材料が、上記開口と上記金属層との間にある、金属層をさらに含む。
例Ａ３５は、例Ａ３４に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、第２の金属層をさらに備え、上記第１の材料が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ａ３６は、ミリメートル波誘電体導波管である。上記ミリメートル波誘電体導波管は、第１の材料であって、上記第１の材料内の開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って断面において変化する、第１の材料と、第２の材料であって、上記第１の材料は、上記第２の材料と上記開口との間にあり、上記第２の材料は、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第２の材料とを備える。
例Ａ３７は、例Ａ３６に記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って第１の位置における円形断面を含み、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って第２の位置における円形断面を含むことを規定する。
例Ａ３８は、例Ａ３６に記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って第１の位置における非円形断面を含み、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って第２の位置における非円形断面を含むことを規定する。
例Ａ３９は、例Ａ３６から３８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定であることを規定する。
例Ａ４０は、例Ａ３６から３８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定ではないことを規定する。
例Ａ４１は、例Ａ３６から４０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、第１のエリアを含む上記開口を有する第１のセクションと、第２のエリアを含む上記開口を有する第２のセクションと、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の移行セクションとを備えることを規定する。
例Ａ４２は、例Ａ４１に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１のエリアを有するところから上記第２のエリアを有するところまでの段階的変化部を上記開口内に有することを規定する。
例Ａ４３は、例Ａ４１に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の間隙を有することを規定する。
例Ａ４４は、例Ａ４３に記載の主題を含み、さらに、上記間隙が、１ミリメートル未満である幅を含むことを規定する。
例Ａ４５は、例Ａ４１に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１のエリアを有するところから上記第２のエリアを有するところまでの滑らかに変わる変化部を上記開口内に有することを規定する。
例Ａ４６は、例Ａ３６から４０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って滑らかに変化するエリアを含むことを規定する。
例Ａ４７は、例Ａ３６から４６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、第１の開口であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記ミリメートル波誘電体導波管に沿って長手方向に延在する上記第１の材料における第２の開口をさらに備えることを規定する。
例Ａ４８は、例Ａ４７に記載の主題を含み、さらに、上記第２の開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って断面において変化することを規定する。
例Ａ４９は、例Ａ３６から４８のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の空気をさらに含む。
例Ａ５０は、例Ａ３６から４９のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の第３の材料であって、上記第１の材料の上記誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料をさらに含む。
例Ａ５１は、例Ａ３６から５０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを有することを規定する。
例Ａ５２は、例Ａ３６から５１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを有することを規定する。
例Ａ５３は、例Ａ５２に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ａ５４は、例Ａ３６から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを有することを規定する。
例Ａ５５は、例Ａ５４に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ａ５６は、例Ａ３６から５５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、発泡体を有することを規定する。
例Ａ５７は、例Ａ３６から５６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、２未満である誘電率を有することを規定する。
例Ａ５８は、例Ａ３６から５７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を有することを規定する。
例Ａ５９は、例Ａ３６から５８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第１の材料内の開口のアレイのうちの１つであることを規定する。
例Ａ６０は、例Ａ３６から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、上記第１の位置における円形断面を有し、上記第１の材料が、上記第２の位置における円形断面を有することを規定する。
例Ａ６１は、例Ａ３６から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、上記第１の位置における非円形断面を有し、上記第１の材料が、上記第２の位置における非円形断面を有することを規定する。
例Ａ６２は、例Ａ３６から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の位置における円形断面を有し、上記第２の材料が、上記第２の位置における円形断面を有することを規定する。
例Ａ６３は、例Ａ３６から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の位置における非円形断面を有し、上記第２の材料が、上記第２の位置における非円形断面を有することを規定する。
例Ａ６４は、例Ａ３６から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つであることを規定する。
例Ａ６５は、例Ａ６４に記載の主題を含み、さらに、上記ケーブルが、上記複数のミリメートル波誘電体導波管の周囲の包み込み材料を含むことを規定する。
例Ａ６６は、例Ａ６４から６５のいずれかに記載の主題を含み、上記ミリメートル波誘電体導波管の端部におけるコネクタをさらに含む。
例Ａ６７は、例Ａ３６から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ａ６８は、例Ａ３６から６７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ａ６９は、例Ａ３６から６８のいずれかに記載の主題を含み、金属層であって、上記第１の材料が、上記開口と上記金属層との間にある、金属層をさらに含む。
例Ａ７０は、例Ａ６９に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、第２の金属層をさらに備え、上記第１の材料が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ａ７１は、第１のマイクロ電子コンポーネントと、第２のマイクロ電子コンポーネントと、上記第１のマイクロ電子コンポーネントと上記第２のマイクロ電子コンポーネントとの間に通信可能に結合されたミリメートル波誘電体導波管とを備え、上記ミリメートル波誘電体導波管は、第１の材料であって、上記第１の材料内の開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管に沿って長手方向に延在し、上記開口は、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って第１の位置における第１のエリアを含み、上記開口は、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って第２の位置における第２のエリアを含み、上記第１のエリアは、上記第２のエリアとは異なり、上記第１の位置は、上記第２の位置とは異なる、第１の材料と、第２の材料であって、上記第１の材料は、上記第２の材料と上記開口との間にあり、上記第２の材料は、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を含む、第２の材料とを有する、ミリメートル波通信システムである。
例Ａ７２は、例Ａ７１に記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第１の位置における円形断面を含み、上記開口が、上記第２の位置における円形断面を含むことを規定する。
例Ａ７３は、例Ａ７１に記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第１の位置における非円形断面を含み、上記開口が、上記第２の位置における非円形断面を含むことを規定する。
例Ａ７４は、例Ａ７１から７３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って第３の位置における第３のエリアを含み、上記第３のエリアが、上記第１のエリアとは異なり、上記第３のエリアが、上記第２のエリアとは異なり、上記第３の位置が、上記第１の位置とは異なり、上記第３の位置が、上記第２の位置とは異なることを規定する。
例Ａ７５は、例Ａ７４に記載の主題を含み、さらに、上記第３の位置が、上記第１の位置と上記第２の位置との間にあり、上記第３のエリアが、上記第１のエリアと上記第２のエリアとの間にあることを規定する。
例Ａ７６は、例Ａ７１から７５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記第１のエリアを含む上記開口を有する第１のセクションと、上記第２のエリアを含む上記開口を有する第２のセクションと、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の移行セクションとを備えることを規定する。
例Ａ７７は、例Ａ７６に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１のエリアを有するところから上記第２のエリアを有するところまでの段階的変化部を上記開口内に有することを規定する。
例Ａ７８は、例Ａ７６に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の間隙を有することを規定する。
例Ａ７９は、例Ａ７８に記載の主題を含み、さらに、上記間隙が、１ミリメートル未満である幅を含むことを規定する。
例Ａ８０は、例Ａ７６に記載の主題を含み、さらに、上記移行セクションが、上記第１のエリアを有するところから上記第２のエリアを有するところまでの滑らかに変わる変化部を上記開口内に有することを規定する。
例Ａ８１は、例Ａ７１から７５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って滑らかに変化するエリアを含むことを規定する。
例Ａ８２は、例Ａ７１から８１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、第１の開口であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記ミリメートル波誘電体導波管に沿って長手方向に延在する上記第１の材料における第２の開口をさらに備えることを規定する。
例Ａ８３は、例Ａ８２に記載の主題を含み、さらに、上記第２の開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って上記第１の位置の第３のエリアを含み、上記第２の開口が、上記ミリメートル波誘電体導波管の上記長手方向に沿って上記第２の位置の第４のエリアを含み、上記第３のエリアが、上記第４のエリアとは異なり、上記第１の位置が、上記第２の位置とは異なることを規定する。
例Ａ８４は、例Ａ７１から８３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記開口内の空気を含むことを規定する。
例Ａ８５は、例Ａ７１から８４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記開口内の第３の材料であって、上記第１の材料の上記誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料を備えることを規定する。
例Ａ８６は、例Ａ７１から７５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを有することを規定する。
例Ａ８７は、例Ａ７１から８６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを有することを規定する。
例Ａ８８は、例Ａ８７に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ａ８９は、例Ａ７１から８８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを有することを規定する。
例Ａ９０は、例Ａ８９に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ａ９１は、例Ａ７１から９０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、発泡体を有することを規定する。
例Ａ９２は、例Ａ７１から９１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、２未満である誘電率を有することを規定する。
例Ａ９３は、例Ａ７１から９２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を有することを規定する。
例Ａ９４は、例Ａ７１から９３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第１の材料内の開口のアレイのうちの１つであることを規定する。
例Ａ９５は、例Ａ７１から９４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、上記第１の位置における円形断面を有し、上記第１の材料が、上記第２の位置における円形断面を有することを規定する。
例Ａ９６は、例Ａ７１から９４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、上記第１の位置における非円形断面を有し、上記第１の材料が、上記第２の位置における非円形断面を有することを規定する。
例Ａ９７は、例Ａ７１から９６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の位置における円形断面を有し、上記第２の材料が、上記第２の位置における円形断面を有することを規定する。
例Ａ９８は、例Ａ７１から９６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の位置における非円形断面を有し、上記第２の材料が、上記第２の位置における非円形断面を有することを規定する。
例Ａ９９は、例Ａ７１から９８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つであることを規定する。
例Ａ１００は、例Ａ９９に記載の主題を含み、さらに、上記ケーブルが、上記複数のミリメートル波誘電体導波管の周囲の包み込み材料を含むことを規定する。
例Ａ１０１は、例Ａ９９から１００のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記ミリメートル波誘電体導波管の端部におけるコネクタを備えることを規定する。
例Ａ１０２は、例Ａ７１から９８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ａ１０３は、例Ａ７１から１０２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ａ１０４は、例Ａ７１から１０３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、金属層であって、上記第１の材料が、上記開口と上記金属層との間にある、金属層を備えることを規定する。
例Ａ１０５は、例Ａ１０４に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、第２の金属層をさらに備え、上記第１の材料が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ａ１０６は、例Ａ７１から１０５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のマイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波通信トランシーバを有することを規定する。
例Ａ１０７は、例Ａ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、サーバシステムであることを規定する。
例Ａ１０８は、例Ａ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、ハンドヘルドシステムであることを規定する。
例Ａ１０９は、例Ａ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、ウェアラブルシステムであることを規定する。
例Ａ１１０は、例Ａ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、車両システムであることを規定する。
例Ａ１１１は、本明細書において開示される方法のいずれかを含む、ミリメートル波誘電体導波管を製造する方法である。
例Ｂ１は、第１の材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、第２の材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションとを備え、上記第１の材料は、固形材料であり、上記第２の材料は、長手方向開口を内部に含む、ミリメートル波誘電体導波管である。
例Ｂ２は、例Ｂ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料および上記第２の材料が、同じ材料組成を含むことを規定する。
例Ｂ３は、例Ｂ１から２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングおよび上記第２のクラッディングが、同じ材料組成を含むことを規定する。
例Ｂ４は、例Ｂ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ５は、例Ｂ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ６は、例Ｂ１から５のいずれかに記載の主題を含み、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の第３のセクションであって、第３の材料と第３のクラッディングとを有し、上記第３の材料は、長手方向開口を内部に含み、上記長手方向開口の直径は、上記第２のセクションに近づくにつれて増す、第３のセクションをさらに含む。
例Ｂ７は、例Ｂ６に記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の直径が、上記第２のセクションに近づくにつれて増すことを規定する。
例Ｂ８は、例Ｂ６から７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の外径が、上記第１の材料に近接する上記第３の材料の端部における上記第１の材料の外径に等しいことを規定する。
例Ｂ９は、例Ｂ６から８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の外径が、上記第２の材料に近接する上記第３の材料の端部における上記第２の材料の外径に等しいことを規定する。
例Ｂ１０は、例Ｂ６から９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３のセクションの長さが、１ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｂ１１は、例Ｂ１から１０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のセクションが、コーティングをさらに有し、上記第１のクラッディングが、上記コーティングと上記第１の材料との間にあり、上記コーティングが、上記第１のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含むことを規定する。
例Ｂ１２は、例Ｂ１１に記載の主題を含み、さらに、上記コーティングが、上記第２のセクションへは延在しないことを規定する。
例Ｂ１３は、例Ｂ１１から１２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記コーティングが、複数の導電性の粒子もしくはファイバを含むか、またはフェライト材料を含むことを規定する。
例Ｂ１４は、例Ｂ１から１３のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の空気をさらに含む。
例Ｂ１５は、例Ｂ１から１４のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の第３の材料であって、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料をさらに含む。
例Ｂ１６は、例Ｂ１から１５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｂ１７は、例Ｂ１から１６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｂ１８は、例Ｂ１７に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ１９は、例Ｂ１から１８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｂ２０は、例Ｂ１９に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ２１は、例Ｂ１から２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、発泡体を含むことを規定する。
例Ｂ２２は、例Ｂ１から２１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ２３は、例Ｂ１から２２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を含むことを規定する。
例Ｂ２４は、例Ｂ１から２３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第２の材料内の開口のアレイのうちの１つであることを規定する。
例Ｂ２５は、例Ｂ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定であることを規定する。
例Ｂ２６は、例Ｂ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定ではないことを規定する。
例Ｂ２７は、例Ｂ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ２８は、例Ｂ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ２９は、例Ｂ１から２８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つであることを規定する。
例Ｂ３０は、例Ｂ２９に記載の主題を含み、さらに、上記ケーブルが、上記複数のミリメートル波誘電体導波管の周囲の包み込み材料を含むことを規定する。
例Ｂ３１は、例Ｂ２９から３０のいずれかに記載の主題を含み、上記ミリメートル波誘電体導波管の端部におけるコネクタをさらに含む。
例Ｂ３２は、例Ｂ１から２８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ｂ３３は、例Ｂ１から３２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ｂ３４は、例Ｂ１から３３のいずれかに記載の主題を含み、金属層であって、上記第２の材料が、上記開口と上記金属層との間にある、金属層をさらに含む。
例Ｂ３５は、例Ｂ３４に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、第２の金属層をさらに備え、上記第１の材料が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ｂ３６は、第１の材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、第２の材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションとを備え、上記第１のセクションは、上記第１のクラッディングの外側のコーティングを有し、上記コーティングは、上記第２のセクション上には延在せず、上記第２の材料は、長手方向開口を内部に含む、ミリメートル波誘電体導波管である。
例Ｂ３７は、例Ｂ３６に記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料および上記第２の材料が、同じ材料組成を含むことを規定する。
例Ｂ３８は、例Ｂ３６から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングおよび上記第２のクラッディングが、同じ材料組成を含むことを規定する。
例Ｂ３９は、例Ｂ３６から３８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ４０は、例Ｂ３６から３８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ４１は、例Ｂ３６から４０のいずれかに記載の主題を含み、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の第３のセクションであって、第３の材料と第３のクラッディングとを有し、上記第３の材料は、長手方向開口を内部に含み、上記長手方向開口の直径は、上記第２のセクションに近づくにつれて増す、第３のセクションをさらに含む。
例Ｂ４２は、例Ｂ４１に記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の直径が、上記第２のセクションに近づくにつれて増すことを規定する。
例Ｂ４３は、例Ｂ４１から４２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の外径が、上記第１の材料に近接する上記第３の材料の端部における上記第１の材料の外径に等しいことを規定する。
例Ｂ４４は、例Ｂ４１から４３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の外径が、上記第２の材料に近接する上記第３の材料の端部における上記第２の材料の外径に等しいことを規定する。
例Ｂ４５は、例Ｂ４１から４４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３のセクションの長さが、１ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｂ４６は、例Ｂ３６から４５のいずれに記載の主題を含み、さらに、上記コーティングが、上記第１のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含むことを規定する。
例Ｂ４７は、例Ｂ３６から４６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記コーティングが、複数の導電性の粒子またはファイバを含むことを規定する。
例Ｂ４８は、例Ｂ３６から４７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記コーティングが、複数の導電性の粒子もしくはファイバを含むか、またはフェライト材料を含むことを規定する。
例Ｂ４９は、例Ｂ３６から４８のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の空気をさらに含む。
例Ｂ５０は、例Ｂ３６から４９のいずれかに記載の主題を含み、上記開口内の第３の材料であって、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料をさらに含む。
例Ｂ５１は、例Ｂ３６から５０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｂ５２は、例Ｂ３６から５１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｂ５３は、例Ｂ３６から５２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ５４は、例Ｂ３６から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｂ５５は、例Ｂ５４に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ５６は、例Ｂ３６から５５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、発泡体を含むことを規定する。
例Ｂ５７は、例Ｂ３６から５６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ５８は、例Ｂ３６から５７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を含むことを規定する。
例Ｂ５９は、例Ｂ３６から５８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記開口が、上記第２の材料内の開口のアレイのうちの１つであることを規定する。
例Ｂ６０は、例Ｂ３６から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、長手方向開口を内部に含み、上記第１の材料内の上記開口の直径が、上記第２の材料内の上記開口の直径未満であることを規定する。
例Ｂ６１は、例Ｂ３６から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、長手方向開口を内部に含まないことを規定する。
例Ｂ６２は、例Ｂ３６から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ６３は、例Ｂ３６から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ６４は、例Ｂ３６から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つであることを規定する。
例Ｂ６５は、例Ｂ６４に記載の主題を含み、さらに、上記ケーブルが、上記複数のミリメートル波誘電体導波管の周囲の包み込み材料を含むことを規定する。
例Ｂ６６は、例Ｂ６４から６５のいずれかに記載の主題を含み、上記ミリメートル波誘電体導波管の端部におけるコネクタをさらに含む。
例Ｂ６７は、例Ｂ３６から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ｂ６８は、例Ｂ３６から６７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ｂ６９は、例Ｂ３６から６８のいずれかに記載の主題を含み、金属層であって、上記第２の材料が、上記開口と上記金属層との間にある、金属層をさらに含む。
例Ｂ７０は、例Ｂ６９に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、第２の金属層をさらに備え、上記第１の材料が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ｂ７１は、第１のマイクロ電子コンポーネントと、第２のマイクロ電子コンポーネントと、上記第１のマイクロ電子コンポーネントと上記第２のマイクロ電子コンポーネントとの間に通信可能に結合されたミリメートル波誘電体導波管とを備え、上記ミリメートル波誘電体導波管は、第１の材料と第１のクラッディングとを含む第１のセクションと、第２の材料と第２のクラッディングとを含む第２のセクションとを有し、上記第１のセクションは、吸収性コーティングを含み、上記第２のセクションは、吸収性コーティングを含まない、ミリメートル波通信システムである。
例Ｂ７２は、例Ｂ７１に記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料および上記第２の材料が、同じ材料組成を含むことを規定する。
例Ｂ７３は、例Ｂ７１から７２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングおよび上記第２のクラッディングが、同じ材料組成を含むことを規定する。
例Ｂ７４は、例Ｂ７１から７３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、長手方向開口を内部に含み、上記開口が、円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ７５は、例Ｂ７１から７３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、長手方向開口を内部に含み、上記開口が、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ７６は、例Ｂ７１から７５のいずれかに記載の主題を含み、上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の第３のセクションであって、第３の材料と第３のクラッディングとを有し、上記第３の材料は、長手方向開口を内部に含み、上記長手方向開口の直径は、上記第２のセクションに近づくにつれて増す、第３のセクションをさらに含む。
例Ｂ７７は、例Ｂ７６に記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の直径が、上記第２のセクションに近づくにつれて増すことを規定する。
例Ｂ７８は、例Ｂ７６から７７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の外径が、上記第１の材料に近接する上記第３の材料の端部における上記第１の材料の外径に等しいことを規定する。
例Ｂ７９は、例Ｂ７６から７８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料の外径が、上記第２の材料に近接する上記第３の材料の端部における上記第２の材料の外径に等しいことを規定する。
例Ｂ８０は、例Ｂ７６から７９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３のセクションの長さが、１ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｂ８１は、例Ｂ７１から８０のいずれに記載の主題を含み、さらに、上記吸収性コーティングが、上記第１のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含むことを規定する。
例Ｂ８２は、例Ｂ８１に記載の主題を含み、さらに、上記吸収性コーティングが、上記第２のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含むことを規定する。
例Ｂ８３は、例Ｂ８１から８２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記吸収性コーティングが、複数の導電性の粒子もしくはファイバを含むか、またはフェライト材料を含むことを規定する。
例Ｂ８４は、例Ｂ７１から８３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記開口内の空気を含むことを規定する。
例Ｂ８５は、例Ｂ７１から８４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記開口内の第３の材料であって、上記第１の材料の上記誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料を備えることを規定する。
例Ｂ８６は、例Ｂ７１から７５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｂ８７は、例Ｂ７１から８６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｂ８８は、例Ｂ８７に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ８９は、例Ｂ７１から８８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｂ９０は、例Ｂ８９に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ９１は、例Ｂ７１から９０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、発泡体を含むことを規定する。
例Ｂ９２は、例Ｂ７１から９１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｂ９３は、例Ｂ７１から９２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい直径を含むことを規定する。
例Ｂ９４は、例Ｂ７１から９３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、長手方向開口を内部に含み、上記開口が、上記第２の材料内の開口のアレイのうちの１つであることを規定する。
例Ｂ９５は、例Ｂ７１から９４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定であることを規定する。
例Ｂ９６は、例Ｂ７１から９４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定ではないことを規定する。
例Ｂ９７は、例Ｂ７１から９６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ９８は、例Ｂ７１から９６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディングが、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｂ９９は、例Ｂ７１から９８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つであることを規定する。
例Ｂ１００は、例Ｂ９９に記載の主題を含み、さらに、上記ケーブルが、上記複数のミリメートル波誘電体導波管の周囲の包み込み材料を含むことを規定する。
例Ｂ１０１は、例Ｂ９９から１００のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、上記ミリメートル波誘電体導波管の端部におけるコネクタを備えることを規定する。
例Ｂ１０２は、例Ｂ７１から９８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ｂ１０３は、例Ｂ７１から１０２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ｂ１０４は、例Ｂ７１から１０３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管が、金属層であって、上記第１の材料が、上記第１のクラッディングと上記金属層との間にある、金属層を備えることを規定する。
例Ｂ１０５は、例Ｂ７１から１０４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管が、第２の金属層をさらに備え、上記第１の材料が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ｂ１０６は、例Ｂ７１から１０５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のマイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波通信トランシーバを有することを規定する。
例Ｂ１０７は、例Ｂ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、サーバシステムであることを規定する。
例Ｂ１０８は、例Ｂ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、ハンドヘルドシステムであることを規定する。
例Ｂ１０９は、例Ｂ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、ウェアラブルシステムであることを規定する。
例Ｂ１１０は、例Ｂ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、車両システムであることを規定する。
例Ｃ１は、第１のコア材料と第１のクラッディング材料とを有する第１の誘電体導波管と、第２のコア材料と第２のクラッディング材料とを有する、上記第１の誘電体導波管に隣接する第２の誘電体導波管とを備えるミリメートル波誘電体導波管バンドルであって、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向長さに沿った位置において、（１）上記第１のコア材料は、上記第２のコア材料とは異なる材料組成を含み、または（２）上記第１のクラッディング材料は、上記第２のクラッディング材料とは異なる材料組成を含む、ミリメートル波誘電体導波管バンドルである。
例Ｃ２は、例Ｃ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、上記第２のコア材料とは異なる材料組成を含むことを規定する。
例Ｃ３は、例Ｃ１から２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、上記第２のクラッディング材料とは異なる材料組成を含むことを規定する。
例Ｃ４は、例Ｃ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管が、上記第１のコア材料内の第１の長手方向開口を有し、上記第２の誘電体導波管が、上記第２のコア材料内の第２の長手方向開口を有することを規定する。
例Ｃ５は、例Ｃ４に記載の主題を含み、さらに、上記位置における上記第１の長手方向開口のエリアが、上記位置における上記第２の長手方向開口のエリアとは異なることを規定する。
例Ｃ６は、例Ｃ４から５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の長手方向開口内の材料が、上記第２の長手方向開口内の材料とは異なることを規定する。
例Ｃ７は、例Ｃ６に記載の主題を含み、さらに、上記第１の長手方向開口内の上記材料が、空気を含むことを規定する。
例Ｃ８は、例Ｃ１から７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料および上記第２のコア材料が、上記位置における異なる外径を含むことを規定する。
例Ｃ９は、例Ｃ１から７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料および上記第２のクラッディング材料が、上記位置における異なる外径を含むことを規定する。
例Ｃ１０は、例Ｃ１から９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料および上記第２のコア材料が、上記位置における異なる外形を含むことを規定する。
例Ｃ１１は、例Ｃ１から９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料および上記第２のクラッディング材料が、上記位置における異なる外形を含むことを規定する。
例Ｃ１２は、例Ｃ１から１１のいずれかに記載の主題を含み、第３の誘電体導波管であって、上記第１の誘電体導波管と上記第２の誘電体導波管との間にあり、上記第１の誘電体導波管と同じ構造を有する、第３の誘電体導波管をさらに含む。
例Ｃ１３は、例Ｃ１から１２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｃ１４は、例Ｃ１から１３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｃ１５は、例Ｃ１４に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ１６は、例Ｃ１から１５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｃ１７は、例Ｃ１６に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ１８は、例Ｃ１から１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、発泡体を含むことを規定する。
例Ｃ１９は、例Ｃ１から１８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ２０は、例Ｃ１から１８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、上記第１のコア材料の誘電率未満である誘電率を含み、上記第２のクラッディング材料が、上記第２のコア材料の誘電率未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ２１は、例Ｃ１から２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を含むことを規定する。
例Ｃ２２は、例Ｃ１から２１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、複数の開口を含むことを規定する。
例Ｃ２３は、例Ｃ１から２２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、誘電体導波管の１次元アレイを備えることを規定する。
例Ｃ２４は、例Ｃ１から２２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、誘電体導波管の２次元アレイを備えることを規定する。
例Ｃ２５は、例Ｃ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向に沿って一定であることを規定する。
例Ｃ２６は、例Ｃ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向に沿って一定ではないことを規定する。
例Ｃ２７は、例Ｃ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、円形断面を含むことを規定する。
例Ｃ２８は、例Ｃ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｃ２９は、例Ｃ１から２８のいずれかに記載の主題を含み、上記第１の誘電体導波管と上記第２の誘電体導波管とを囲む包み込み部をさらに含む。
例Ｃ３０は、例Ｃ１から２９のいずれかに記載の主題を含み、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの端部におけるコネクタをさらに含む。
例Ｃ３１は、例Ｃ１から３０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、４つまたはそれよりも多くの誘電体導波管を備えることを規定する。
例Ｃ３２は、例Ｃ１から２８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ｃ３３は、例Ｃ１から３２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ｃ３４は、例Ｃ１から３３のいずれかに記載の主題を含み、金属層であって、上記第１の誘電体導波管および上記第２の誘電体導波管は、上記金属層の同じ面にある、金属層をさらに含む。
例Ｃ３５は、例Ｃ３４に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、第２の金属層をさらに備え、上記第１の誘電体導波管が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ｃ３６は、第１のコア材料と第１のクラッディング材料とを有する第１の誘電体導波管と、第２のコア材料と第２のクラッディング材料とを有する、上記第１の誘電体導波管に隣接する第２の誘電体導波管とを備えるミリメートル波誘電体導波管バンドルであって、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向長さに沿った位置において、（１）上記第１のコア材料は、上記第２のコア材料とは異なる１または複数の寸法を含み、または（２）上記第１のクラッディング材料は、上記第２のクラッディング材料とは異なる１または複数の寸法を含む、ミリメートル波誘電体導波管バンドルである。
例Ｃ３７は、例Ｃ３６に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、上記第２のコア材料とは異なる材料組成を含むことを規定する。
例Ｃ３８は、例Ｃ３６から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、上記第２のクラッディング材料とは異なる材料組成を含むことを規定する。
例Ｃ３９は、例Ｃ３６から３８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管が、上記第１のコア材料内の第１の長手方向開口を有し、上記第２の誘電体導波管が、上記第２のコア材料内の第２の長手方向開口を有することを規定する。
例Ｃ４０は、例Ｃ３９に記載の主題を含み、さらに、上記位置における上記第１の長手方向開口のエリアが、上記位置における上記第２の長手方向開口のエリアとは異なることを規定する。
例Ｃ４１は、例Ｃ３９から４０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の長手方向開口内の材料が、上記第２の長手方向開口内の材料とは異なることを規定する。
例Ｃ４２は、例Ｃ４１に記載の主題を含み、さらに、上記第１の長手方向開口内の上記材料が、空気を含むことを規定する。
例Ｃ４３は、例Ｃ３６から４２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料および上記第２のコア材料が、上記位置における異なる外径を含むことを規定する。
例Ｃ４４は、例Ｃ３６から４２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料および上記第２のクラッディング材料が、上記位置における異なる外径を含むことを規定する。
例Ｃ４５は、例Ｃ３６から４４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料および上記第２のコア材料が、上記位置における異なる外形を含むことを規定する。
例Ｃ４６は、例Ｃ３６から４４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料および上記第２のクラッディング材料が、上記位置における異なる外形を含むことを規定する。
例Ｃ４７は、例Ｃ３６から４６のいずれかに記載の主題を含み、第３の誘電体導波管であって、上記第１の誘電体導波管と上記第２の誘電体導波管との間にあり、上記第１の誘電体導波管と同じ構造を有する、第３の誘電体導波管をさらに含む。
例Ｃ４８は、例Ｃ３６から４７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｃ４９は、例Ｃ３６から４８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｃ５０は、例Ｃ４９に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ５１は、例Ｃ３６から５０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｃ５２は、例Ｃ５１に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ５３は、例Ｃ３６から５２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、発泡体を含むことを規定する。
例Ｃ５４は、例Ｃ３６から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ５５は、例Ｃ３６から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、上記第１のコア材料の誘電率未満である誘電率を含み、上記第２のクラッディング材料が、上記第２のコア材料の誘電率未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ５６は、例Ｃ３６から５５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を含むことを規定する。
例Ｃ５７は、例Ｃ３６から５６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、複数の開口を含むことを規定する。
例Ｃ５８は、例Ｃ３６から５７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、誘電体導波管の１次元アレイを備えることを規定する。
例Ｃ５９は、例Ｃ３６から５７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、誘電体導波管の２次元アレイを備えることを規定する。
例Ｃ６０は、例Ｃ３６から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向に沿って一定であることを規定する。
例Ｃ６１は、例Ｃ３６から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向に沿って一定ではないことを規定する。
例Ｃ６２は、例Ｃ３６から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、円形断面を含むことを規定する。
例Ｃ６３は、例Ｃ３６から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｃ６４は、例Ｃ３６から６３のいずれかに記載の主題を含み、上記第１の誘電体導波管と上記第２の誘電体導波管とを囲む包み込み部をさらに含む。
例Ｃ６５は、例Ｃ３６から６４のいずれかに記載の主題を含み、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの端部におけるコネクタをさらに含む。
例Ｃ６６は、例Ｃ３６から６５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、４つまたはそれよりも多くの誘電体導波管を備えることを規定する。
例Ｃ６７は、例Ｃ３６から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ｃ６８は、例Ｃ３６から６７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ｃ６９は、例Ｃ３６から６８のいずれかに記載の主題を含み、金属層であって、上記第１の誘電体導波管および上記第２の誘電体導波管は、上記金属層の同じ面にある、金属層をさらに含む。
例Ｃ７０は、例Ｃ６９に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、第２の金属層をさらに備え、上記第１の誘電体導波管が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ｃ７１は、第１のマイクロ電子コンポーネントと、第２のマイクロ電子コンポーネントと、上記第１のマイクロ電子コンポーネントと上記第２のマイクロ電子コンポーネントとの間に通信可能に結合されたミリメートル波誘電体導波管バンドルとを備え、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルは、第１のコア材料と第１のクラッディング材料とを含む第１の誘電体導波管と、第２のコア材料と第２のクラッディング材料とを有する、上記第１の誘電体導波管に隣接する第２の誘電体導波管とを有し、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向長さに沿った位置において、上記第１の誘電体導波管は、上記第２の誘電体導波管とは異なる材料配置を含む、ミリメートル波通信システムである。
例Ｃ７２は、例Ｃ７１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、上記第２のコア材料とは異なる材料組成を含むことを規定する。
例Ｃ７３は、例Ｃ７１から７２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、上記第２のクラッディング材料とは異なる材料組成を含むことを規定する。
例Ｃ７４は、例Ｃ７１から７３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管が、上記第１のコア材料内の第１の長手方向開口を有し、上記第２の誘電体導波管が、上記第２のコア材料内の第２の長手方向開口を有することを規定する。
例Ｃ７５は、例Ｃ７４に記載の主題を含み、さらに、上記位置における上記第１の長手方向開口のエリアが、上記位置における上記第２の長手方向開口のエリアとは異なることを規定する。
例Ｃ７６は、例Ｃ７４から７５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の長手方向開口内の材料が、上記第２の長手方向開口内の材料とは異なることを規定する。
例Ｃ７７は、例Ｃ７６に記載の主題を含み、さらに、上記第１の長手方向開口内の上記材料が、空気を含むことを規定する。
例Ｃ７８は、例Ｃ７１から７７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料および上記第２のコア材料が、上記位置における異なる外径を含むことを規定する。
例Ｃ７９は、例Ｃ７１から７７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料および上記第２のクラッディング材料が、上記位置における異なる外径を含むことを規定する。
例Ｃ８０は、例Ｃ７１から７９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料および上記第２のコア材料が、上記位置における異なる外形を含むことを規定する。
例Ｃ８１は、例Ｃ７１から７９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料および上記第２のクラッディング材料が、上記位置における異なる外形を含むことを規定する。
例Ｃ８２は、例Ｃ７１から８１のいずれかに記載の主題を含み、第３の誘電体導波管であって、上記第１の誘電体導波管と上記第２の誘電体導波管との間にあり、上記第１の誘電体導波管と同じ構造を有する、第３の誘電体導波管をさらに含む。
例Ｃ８３は、例Ｃ７１から８２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｃ８４は、例Ｃ７１から８３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｃ８５は、例Ｃ８４に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ８６は、例Ｃ７１から８５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｃ８７は、例Ｃ８６に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ８８は、例Ｃ７１から８７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、発泡体を含むことを規定する。
例Ｃ８９は、例Ｃ７１から８８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ９０は、例Ｃ７１から８８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、上記第１のコア材料の誘電率未満である誘電率を含み、上記第２のクラッディング材料が、上記第２のコア材料の誘電率未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｃ９１は、例Ｃ７１から９０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、２ミリメートルよりも短いかまたはそれに等しい外径を含むことを規定する。
例Ｃ９２は、例Ｃ７１から９１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコア材料が、複数の開口を含むことを規定する。
例Ｃ９３は、例Ｃ７１から９２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、誘電体導波管の１次元アレイを有することを規定する。
例Ｃ９４は、例Ｃ７１から９２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、誘電体導波管の２次元アレイを備えることを規定する。
例Ｃ９５は、例Ｃ７１から９４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向に沿って一定であることを規定する。
例Ｃ９６は、例Ｃ７１から９４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の誘電体導波管の外径が、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの長手方向に沿って一定ではないことを規定する。
例Ｃ９７は、例Ｃ７１から９６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、円形断面を含むことを規定する。
例Ｃ９８は、例Ｃ７１から９６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のクラッディング材料が、非円形断面を含むことを規定する。
例Ｃ９９は、例Ｃ７１から９８のいずれかに記載の主題を含み、上記第１の誘電体導波管と上記第２の誘電体導波管とを囲む包み込み部をさらに含む。
例Ｃ１００は、例Ｃ７１から９９のいずれかに記載の主題を含み、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルの端部におけるコネクタをさらに含む。
例Ｃ１０１は、例Ｃ７１から１００のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、４つまたはそれよりも多くの誘電体導波管を備えることを規定する。
例Ｃ１０２は、例Ｃ７１から９８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、パッケージ基板またはインターポーザに含まれることを規定する。
例Ｃ１０３は、例Ｃ７１から１０２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、５メートル未満である長さを有することを規定する。
例Ｃ１０４は、例Ｃ７１から１０３のいずれかに記載の主題を含み、金属層であって、上記第１の誘電体導波管および上記第２の誘電体導波管は、上記金属層の同じ面にある、金属層をさらに含む。
例Ｃ１０５は、例Ｃ１０４に記載の主題を含み、さらに、上記金属層が、第１の金属層であり、上記ミリメートル波誘電体導波管バンドルが、第２の金属層をさらに備え、上記第１の誘電体導波管が、上記第１の金属層と上記第２の金属層との間にあることを規定する。
例Ｃ１０６は、例Ｃ７１から１０５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のマイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波通信トランシーバを有することを規定する。
例Ｃ１０７は、例Ｃ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、サーバシステムであることを規定する。
例Ｃ１０８は、例Ｃ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、ハンドヘルドシステムであることを規定する。
例Ｃ１０９は、例Ｃ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、ウェアラブルシステムであることを規定する。
例Ｃ１１０は、例Ｃ７１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信システムが、車両システムであることを規定する。
例Ｃ１１１は、本明細書において開示される方法のいずれかを含む、ミリメートル波誘電体導波管バンドルを製造する方法である。
例Ｄ１は、第１の材料と、少なくとも部分的に上記第１の材料の周囲にある第２の材料であって、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第２の材料と、少なくとも部分的に上記第２の材料の周囲にある第３の材料であって、上記第２の材料の損失正接よりも大きい損失正接を有する、第３の材料と、第１のコネクタインタフェースであって、上記第１の材料の第１の端部は、上記第１のコネクタインタフェースに露出している、第１のコネクタインタフェースと、第２のコネクタインタフェースであって、上記第１の材料の第２の端部は、上記第２のコネクタインタフェースに露出している、第２のコネクタインタフェースとを備えるミリメートル波誘電体導波管コネクタである。
例Ｄ２は、例Ｄ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行であることを規定する。
例Ｄ３は、例Ｄ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行ではないことを規定する。
例Ｄ４は、例Ｄ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと垂直であることを規定する。
例Ｄ５は、例Ｄ１に記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、湾曲していることを規定する。
例Ｄ６は、例Ｄ１から５のいずれかに記載の主題を含み、上記第１の材料と、上記第２の材料と、上記第３の材料との周囲のハウジングをさらに含む。
例Ｄ７は、例Ｄ６に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記ハウジングに対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ８は、例Ｄ６に記載の主題を含み、さらに、上記ハウジングが、上記第１のコネクタインタフェースに対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ９は、例Ｄ１から８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の上記第１の端部の面が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第２の材料の端部の面と平行であることを規定する。
例Ｄ１０は、例Ｄ１から８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の上記第１の端部の面が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第２の材料の端部の面と平行ではないことを規定する。
例Ｄ１１は、例Ｄ１から１０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１のコネクタインタフェースに露出していることを規定する。
例Ｄ１２は、例Ｄ１から１１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第２のコネクタインタフェースに露出していることを規定する。
例Ｄ１３は、例Ｄ１から１２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、上記第１のコネクタインタフェースに露出していないことを規定する。
例Ｄ１４は、例Ｄ１から１３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、上記第２のコネクタインタフェースに露出していないことを規定する。
例Ｄ１５は、例Ｄ１から１４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の材料の周囲を包み込むことを規定する。
例Ｄ１６は、例Ｄ１から１５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｄ１７は、例Ｄ１から１６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｄ１８は、例Ｄ１７に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ１９は、例Ｄ１から１８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｄ２０は、例Ｄ１９に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ２１は、例Ｄ１から２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、発泡体を含むことを規定する。
例Ｄ２２は、例Ｄ１から２１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ２３は、例Ｄ１から２２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、１ミリメートルと５ミリメートルとの間である外径を有することを規定する。
例Ｄ２４は、例Ｄ１から２３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、複数の導電性の粒子またはファイバを含むことを規定する。
例Ｄ２５は、例Ｄ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、フェライト材料を含むことを規定する。
例Ｄ２６は、例Ｄ１から２５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、０．１ミリメートルと２ミリメートルとの間の厚さを有することを規定する。
例Ｄ２７は、例Ｄ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の直径が、上記第１のコネクタインタフェースから狭くなっていることを規定する。
例Ｄ２８は、例Ｄ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の直径が、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタ内で一定であることを規定する。
例Ｄ２９は、例Ｄ１から２８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の長さが、５ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｄ３０は、例Ｄ１から２９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、マイクロ電子支持体に結合されることを規定する。
例Ｄ３１は、例Ｄ３０に記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、パッケージ基板またはインターポーザを含むことを規定する。
例Ｄ３２は、例Ｄ１から２９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、誘電体導波管ケーブルに結合されることを規定する。
例Ｄ３３は、例Ｄ１から３２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、円形外径を有することを規定する。
例Ｄ３４は、例Ｄ１から３２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、非円形外径を有することを規定する。
例Ｄ３５は、例Ｄ１から３４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、円形外径を有することを規定する。
例Ｄ３６は、例Ｄ１から３４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、非円形外径を有することを規定する。
例Ｄ３７は、例Ｄ１から３６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料、上記第２の材料および上記第３の材料が、導波管の一部であり、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、複数の導波管を備えることを規定する。
例Ｄ３８は、例Ｄ１から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の上記第１の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第２の材料の端部に対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ３９は、例Ｄ１から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１の材料の上記第１の端部に対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ４０は、例Ｄ１から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１の材料の上記第１の端部と同一平面上にあることを規定する。
例Ｄ４１は、第１の材料と、少なくとも部分的に上記第１の材料の周囲にある第２の材料であって、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を含む第２の材料と、第１のコネクタインタフェースと、上記第１のコネクタインタフェースに対向する第２のコネクタインタフェースとを有する第１のコネクタと、上記第１のコネクタと嵌合する第２のコネクタであって、第１の材料と、少なくとも部分的に上記第１の材料の周囲にある第２の材料であって、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を含む、第２の材料とを有する第２のコネクタとを備え、上記第１のコネクタおよび上記第２のコネクタは、上記第１のコネクタの第１のコネクタインタフェースにおいて接触し、上記第１のコネクタまたは上記第２のコネクタは、上記第１のコネクタおよび上記第２のコネクタが嵌合されている場合に第３の材料が少なくとも部分的に上記第１のコネクタの上記第２の材料または上記第２のコネクタの上記第２の材料の周囲にあるように第３の材料を有し、上記第３の材料は、上記第２の材料の損失正接よりも大きい損失正接を含む、ミリメートル波誘電体導波管コネクタ複合体である。
例Ｄ４２は、例Ｄ４１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行であることを規定する。
例Ｄ４３は、例Ｄ４１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行ではないことを規定する。
例Ｄ４４は、例Ｄ４１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと垂直であることを規定する。
例Ｄ４５は、例Ｄ４１に記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、湾曲していることを規定する。
例Ｄ４６は、例Ｄ４１から４５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタが、上記第１の材料と上記第２の材料との周囲のハウジングをさらに有することを規定する。
例Ｄ４７は、例Ｄ４６に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記ハウジングに対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ４８は、例Ｄ４６に記載の主題を含み、さらに、上記ハウジングが、上記第１のコネクタインタフェースに対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ４９は、例Ｄ４１から４８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料の面が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１のコネクタの上記第２の材料の端部の面と平行であることを規定する。
例Ｄ５０は、例Ｄ４１から４８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料の面が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１のコネクタの上記第２の材料の端部の面と平行ではないことを規定する。
例Ｄ５１は、例Ｄ４１から５０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料が、上記第１のコネクタインタフェースに露出していることを規定する。
例Ｄ５２は、例Ｄ４１から５１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料が、上記第２のコネクタインタフェースに露出していることを規定する。
例Ｄ５３は、例Ｄ４１から５２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、上記第１のコネクタに含まれ、上記第１のコネクタインタフェースに露出していないことを規定する。
例Ｄ５４は、例Ｄ４１から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、上記第１のコネクタに含まれ、上記第２のコネクタインタフェースに露出していないことを規定する。
例Ｄ５５は、例Ｄ４１から５４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第２のコネクタ内の上記第１の材料の周囲を包み込むことを規定する。
例Ｄ５６は、例Ｄ４１から５５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｄ５７は、例Ｄ４１から５６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｄ５８は、例Ｄ５７に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ５９は、例Ｄ４１から５８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｄ６０は、例Ｄ５９に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ６１は、例Ｄ４１から６０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料が、発泡体を含むことを規定する。
例Ｄ６２は、例Ｄ４１から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料が、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ６３は、例Ｄ４１から６２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料が、１ミリメートルと５ミリメートルとの間である外径を有することを規定する。
例Ｄ６４は、例Ｄ４１から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、複数の導電性の粒子またはファイバを含むことを規定する。
例Ｄ６５は、例Ｄ４１から６４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、フェライト材料を含むことを規定する。
例Ｄ６６は、例Ｄ４１から６５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、０．１ミリメートルと２ミリメートルとの間の厚さを含むことを規定する。
例Ｄ６７は、例Ｄ４１から６６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタまたは上記第２のコネクタが、上記第１の材料のテーパ状部分を有することを規定する。
例Ｄ６８は、例Ｄ４１から６６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の直径が、上記第２のコネクタ内で一定であることを規定する。
例Ｄ６９は、例Ｄ４１から６８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタ内の上記第１の材料の長さが、５ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｄ７０は、例Ｄ４１から６９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、マイクロ電子支持体に結合されることを規定する。
例Ｄ７１は、例Ｄ７０に記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、パッケージ基板またはインターポーザを含むことを規定する。
例Ｄ７２は、例Ｄ４１から６９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、誘電体導波管ケーブルに結合されることを規定する。
例Ｄ７３は、例Ｄ４１から７２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料が、円形外径を含むことを規定する。
例Ｄ７４は、例Ｄ４１から７２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料が、非円形外径を含むことを規定する。
例Ｄ７５は、例Ｄ４１から７４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料が、円形外径を含むことを規定する。
例Ｄ７６は、例Ｄ４１から７４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料が、非円形外径を含むことを規定する。
例Ｄ７７は、例Ｄ４１から７６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料および上記第２の材料が、導波管の一部であり、上記第１のコネクタが、複数の導波管を有することを規定する。
例Ｄ７８は、例Ｄ４１から７７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第１の材料の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１のコネクタの上記第２の材料の端部に対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ７９は、例Ｄ４１から７７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１のコネクタの上記第１の材料の端部に対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ８０は、例Ｄ４１から７７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタの上記第２の材料の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１のコネクタの上記第１の材料の端部と同一平面上にあることを規定する。
例Ｄ８１は、マイクロ電子コンポーネントと、上記マイクロ電子コンポーネントに通信可能に結合されたミリメートル波誘電体導波管コネクタとを備え、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタは、第１の材料と、少なくとも部分的に上記第１の材料の周囲にある第２の材料であって、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第２の材料と、少なくとも部分的に上記第２の材料の周囲にある第３の材料であって、上記第２の材料の損失正接よりも大きい損失正接を有する、第３の材料と、第１のコネクタインタフェースであって、上記第１の材料の第１の端部は、上記第１のコネクタインタフェースに露出している、第１のコネクタインタフェースと、上記マイクロ電子コンポーネントに結合された第２のコネクタインタフェースであって、上記第１の材料の第２の端部は、上記第２のコネクタインタフェースに露出している、第２のコネクタインタフェースとを有する、ミリメートル波通信コンポーネントである。
例Ｄ８２は、例Ｄ８１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行であることを規定する。
例Ｄ８３は、例Ｄ８１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行ではないことを規定する。
例Ｄ８４は、例Ｄ８１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと垂直であることを規定する。
例Ｄ８５は、例Ｄ８１に記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、湾曲していることを規定する。
例Ｄ８６は、例Ｄ８１から８５のいずれに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、上記第１の材料と、上記第２の材料と、上記第３の材料との周囲のハウジングを有することを規定する。
例Ｄ８７は、例Ｄ８６に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記ハウジングに対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ８８は、例Ｄ８６に記載の主題を含み、さらに、上記ハウジングが、上記第１のコネクタインタフェースに対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ８９は、例Ｄ８１から８８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の上記第１の端部の面が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第２の材料の端部の面と平行であることを規定する。
例Ｄ９０は、例Ｄ８１から８８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の上記第１の端部の面が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第２の材料の端部の面と平行ではないことを規定する。
例Ｄ９１は、例Ｄ８１から９０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１のコネクタインタフェースに露出していることを規定する。
例Ｄ９２は、例Ｄ８１から９１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第２のコネクタインタフェースに露出していることを規定する。
例Ｄ９３は、例Ｄ８１から９２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、上記第１のコネクタインタフェースに露出していないことを規定する。
例Ｄ９４は、例Ｄ８１から９３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、上記第２のコネクタインタフェースに露出していないことを規定する。
例Ｄ９５は、例Ｄ８１から９４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、上記第１の材料の周囲を包み込むことを規定する。
例Ｄ９６は、例Ｄ８１から９５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｄ９７は、例Ｄ８１から９６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｄ９８は、例Ｄ９７に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ９９は、例Ｄ８１から９８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｄ１００は、例Ｄ９９に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ１０１は、例Ｄ８１から１００のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、発泡体を含むことを規定する。
例Ｄ１０２は、例Ｄ８１から１０１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｄ１０３は、例Ｄ８１から１０２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、１ミリメートルと５ミリメートルとの間である外径を有することを規定する。
例Ｄ１０４は、例Ｄ８１から１０３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、複数の導電性の粒子またはファイバを含むことを規定する。
例Ｄ１０５は、例Ｄ８１から１０４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、フェライト材料を含むことを規定する。
例Ｄ１０６は、例Ｄ８１から１０５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第３の材料が、０．１ミリメートルと２ミリメートルとの間の厚さを含むことを規定する。
例Ｄ１０７は、例Ｄ８１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の直径が、上記第１のコネクタインタフェースから狭くなっていることを規定する。
例Ｄ１０８は、例Ｄ８１から１０６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の直径が、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタ内で一定であることを規定する。
例Ｄ１０９は、例Ｄ８１から１０８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の長さが、５ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｄ１１０は、例Ｄ８１から１０９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、上記マイクロ電子コンポーネントマイクロ電子支持体に結合されることを規定する。
例Ｄ１１１は、例Ｄ１１０に記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、パッケージ基板またはインターポーザを含むことを規定する。
例Ｄ１１２は、例Ｄ８１から１０９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、上記マイクロ電子コンポーネントの誘電体導波管ケーブルに結合されることを規定する。
例Ｄ１１３は、例Ｄ８１から１１２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、円形外径を含むことを規定する。
例Ｄ１１４は、例Ｄ８１から１１２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、非円形外径を有することを規定する。
例Ｄ１１５は、例Ｄ８１から１１４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、円形外径を含むことを規定する。
例Ｄ１１６は、例Ｄ８１から１１４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、非円形外径を有することを規定する。
例Ｄ１１７は、例Ｄ８１から１１６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料、上記第２の材料および上記第３の材料が、導波管の一部であり、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、複数の導波管を有することを規定する。
例Ｄ１１８は、例Ｄ８１から１１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の上記第１の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第２の材料の端部に対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ１１９は、例Ｄ８１から１１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１の材料の上記第１の端部に対して凹んでいることを規定する。
例Ｄ１２０は、例Ｄ８１から１１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料の端部が、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記第１の材料の上記第１の端部と同一平面上にあることを規定する。
例Ｄ１２１は、例Ｄ８１から１２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信コンポーネントが、サーバシステムの一部であることを規定する。
例Ｄ１２２は、例Ｄ８１から１２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信コンポーネントが、ハンドヘルドシステムの一部であることを規定する。
例Ｄ１２３は、例Ｄ８１から１２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信コンポーネントが、ウェアラブルシステムの一部であることを規定する。
例Ｄ１２４は、例Ｄ８１から１２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波通信コンポーネントが、車両システムの一部であることを規定する。
例Ｄ１２５は、本明細書において開示される方法のいずれかを含む、ミリメートル波誘電体導波管コネクタを製造する方法である。
例Ｅ１は、第１のコネクタインタフェースと、第２のコネクタインタフェースと、上記第１のコネクタインタフェースおよび上記第２のコネクタインタフェースに露出している誘電体材料と、上記誘電体材料の周囲の金属構造であって、上記第１のコネクタインタフェースにおけるフレア部分を有する、金属構造とを備えるミリメートル波誘電体導波管コネクタである。
例Ｅ２は、例Ｅ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記第２のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部と平行であることを規定する。
例Ｅ３は、例Ｅ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記第２のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部と平行ではないことを規定する。
例Ｅ４は、例Ｅ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記フレア部分から凹んでいることを規定する。
例Ｅ５は、例Ｅ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記フレア部分へ延在することを規定する。
例Ｅ６は、例Ｅ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行であることを規定する。
例Ｅ７は、例Ｅ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行ではないことを規定する。
例Ｅ８は、例Ｅ１に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと垂直であることを規定する。
例Ｅ９は、例Ｅ１に記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、湾曲していることを規定する。
例Ｅ１０は、例Ｅ１から９のいずれかに記載の主題を含み、上記誘電体材料と上記金属構造との周囲のハウジングをさらに含む。
例Ｅ１１は、例Ｅ１０に記載の主題を含み、さらに、上記ハウジングが、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｅ１２は、例Ｅ１から１１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｅ１３は、例Ｅ１から１２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｅ１４は、例Ｅ１３に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｅ１５は、例Ｅ１から１４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｅ１６は、例Ｅ１５に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｅ１７は、例Ｅ１から１６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料の長さが、５ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｅ１８は、例Ｅ１から１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、マイクロ電子支持体に結合されることを規定する。
例Ｅ１９は、例Ｅ１８に記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、パッケージ基板またはインターポーザを含むことを規定する。
例Ｅ２０は、例Ｅ１から１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、誘電体導波管ケーブルに結合されることを規定する。
例Ｅ２１は、例Ｅ１から２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、円形外径を含むことを規定する。
例Ｅ２２は、例Ｅ１から２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、非円形外径を含むことを規定する。
例Ｅ２３は、例Ｅ１から２２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料および上記金属構造が、導波管の一部であり、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、複数の導波管を備えることを規定する。
例Ｅ２４は、第１のコネクタインタフェースと、上記第１のコネクタインタフェースに対向する第２のコネクタインタフェースと、誘電体材料と、第１のコネクタインタフェースにおけるホーン部分を含む金属構造とを有する第１のコネクタと、上記第１のコネクタと嵌合する第２のコネクタであって、第１の材料と、少なくとも部分的に上記第１の材料の周囲にある第２の材料とを有する第２のコネクタとを備え、上記第２の材料は、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を含み、上記第１のコネクタおよび上記第２のコネクタは、上記第１のコネクタの第１のコネクタインタフェースにおいて嵌合する、ミリメートル波誘電体導波管コネクタ複合体である。
例Ｅ２５は、例Ｅ２４に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記第２のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部と平行であることを規定する。
例Ｅ２６は、例Ｅ２４に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記第２のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部と平行ではないことを規定する。
例Ｅ２７は、例Ｅ２４から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記ホーン部分から凹んでいることを規定する。
例Ｅ２８は、例Ｅ２４から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースにおける上記誘電体材料の端部が、上記ホーン部分へ延在することを規定する。
例Ｅ２９は、例Ｅ２４に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行であることを規定する。
例Ｅ３０は、例Ｅ２４に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと平行ではないことを規定する。
例Ｅ３１は、例Ｅ２４に記載の主題を含み、さらに、上記第１のコネクタインタフェースが、上記第２のコネクタインタフェースと垂直であることを規定する。
例Ｅ３２は、例Ｅ２４に記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、湾曲していることを規定する。
例Ｅ３３は、例Ｅ２４から３２のいずれかに記載の主題を含み、上記誘電体材料と上記金属構造との周囲のハウジングをさらに含む。
例Ｅ３４は、例Ｅ３３に記載の主題を含み、さらに、上記ハウジングが、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｅ３５は、例Ｅ２４から３４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、ポリテトラフルオロエチレン、フルオロポリマー、低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含むことを規定する。
例Ｅ３６は、例Ｅ２４から３５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、プラスチックを含むことを規定する。
例Ｅ３７は、例Ｅ３６に記載の主題を含み、さらに、上記プラスチックが、４未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｅ３８は、例Ｅ２４から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、セラミックを含むことを規定する。
例Ｅ３９は、例Ｅ３８に記載の主題を含み、さらに、上記セラミックが、１０未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｅ４０は、例Ｅ２４から３９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料の長さが、５ミリメートルと５０ミリメートルとの間であることを規定する。
例Ｅ４１は、例Ｅ２４から４０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、マイクロ電子支持体に結合されることを規定する。
例Ｅ４２は、例Ｅ４１に記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、パッケージ基板またはインターポーザを含むことを規定する。
例Ｅ４３は、例Ｅ２４から４０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のコネクタインタフェースが、誘電体導波管ケーブルに結合されることを規定する。
例Ｅ４４は、例Ｅ２４から４３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、円形外径を含むことを規定する。
例Ｅ４５は、例Ｅ２４から４３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料が、非円形外径を含むことを規定する。
例Ｅ４６は、例Ｅ２４から４５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料および上記金属構造が、導波管の一部であり、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、複数の導波管を備えることを規定する。
例Ｅ４７は、例Ｅ２４から４６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記誘電体材料および上記第１の材料が、同じ材料組成を含むことを規定する。
例Ｅ４８は、例Ｅ２４から４７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、発泡体を含むことを規定する。
例Ｅ４９は、例Ｅ２４から４８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の材料が、２未満である誘電率を含むことを規定する。
例Ｅ５０は、例Ｅ２４から４９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料の端部が、より小さい直径に対してテーパ状であることを規定する。
例Ｅ５１は、例Ｅ２４から４９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１の材料が、一定の直径を含むことを規定する。
例Ｅ５２は、基板統合導波管と、ミリメートル波誘電体導波管コネクタと、上記基板統合導波管と上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタとの間に結合されたランチャとを備えるマイクロ電子支持体である。
例Ｅ５３は、例Ｅ５２に記載の主題を含み、さらに、上記基板統合導波管が、上記ランチャに近接するスロットを有することを規定する。
例Ｅ５４は、例Ｅ５２から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、複数の基板統合導波管を備えることを規定する。
例Ｅ５５は、例Ｅ５４に記載の主題を含み、上記ランチャと上記複数の基板統合導波管との間に結合されたマルチプレクサをさらに含む。
例Ｅ５６は、例Ｅ５５に記載の主題を含み、さらに、上記マルチプレクサが、Ｎプレクサであり、上記マイクロ電子支持体が、Ｎ個の基板統合導波管を備えることを規定する。
例Ｅ５７は、例Ｅ５２から５６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、インターポーザに結合されたパッケージ基板を備え、上記基板統合導波管が、上記インターポーザ内にあることを規定する。
例Ｅ５８は、例Ｅ５７に記載の主題を含み、さらに、上記インターポーザが、シリコンまたは窒化アルミニウムを含むことを規定する。
例Ｅ５９は、例Ｅ５７から５８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ミリメートル波誘電体導波管コネクタが、上記インターポーザに結合されることを規定する。
例Ｅ６０は、例Ｅ５７から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、マイクロ電子コンポーネントが、上記パッケージ基板に結合され、上記パッケージ基板が、上記インターポーザと上記マイクロ電子コンポーネントとの間の伝送線を含むことを規定する。
例Ｅ６１は、例Ｅ５７から６０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記パッケージ基板が、有機誘電体材料を含むことを規定する。
例Ｅ６２は、例Ｅ５２から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ランチャが、パッチランチャ、ホーンランチャ、ヴィヴァルディ型ランチャ、ダイポールベースランチャまたはスロットベースランチャを含むことを規定する。
例Ｆ１は、金属層内のトレースであって、上記金属層内のビアパッドによりビアに電気的に結合されたトレースを有するミリメートル波通信伝送線と、グランドプレーンであって、１または複数の金属部分が上記ビアパッドおよび上記グランドプレーンに接触する、上記金属層内のグランドプレーンとを備えるミリメートル波通信用マイクロ電子支持体である。
例Ｆ２は、例Ｆ１に記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｆ３は、例Ｆ１から２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ４は、例Ｆ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間の複数のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ５は、例Ｆ１から４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間の分岐スポークを含むことを規定する。
例Ｆ６は、例Ｆ１から５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、アンチパッドによりグランドプレーンから離間し、上記アンチパッドが、非円形であることを規定する。
例Ｆ７は、例Ｆ６に記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、内部へ金属部分が延在する延在部を含むことを規定する。
例Ｆ８は、例Ｆ６から７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、複数の延在部を含むことを規定する。
例Ｆ９は、例Ｆ７から８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記延在部が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを含むことを規定する。
例Ｆ１０は、例Ｆ６から９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、１００ミクロンと６００ミクロンとの間の直径を含むことを規定する。
例Ｆ１１は、例Ｆ１から１０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、第１のビアパッドであり、上記金属層が、第１の金属層であり、上記１または複数の金属部分が、１または複数の第１の金属部分であり、上記伝送線が、第２の金属層内の第２のビアパッドを有し、１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと、上記第２の金属層における第２のグランドプレーンとに接触することを規定する。
例Ｆ１２は、例Ｆ１１に記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ１３は、例Ｆ１１から１２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間の複数のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ１４は、例Ｆ１１から１３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間の分岐スポークを含むことを規定する。
例Ｆ１５は、例Ｆ１１から１４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のビアパッドが、第２のアンチパッドにより第２のグランドプレーンから離間し、上記第２のアンチパッドが、非円形であることを規定する。
例Ｆ１６は、例Ｆ１５に記載の主題を含み、さらに、上記第２のアンチパッドが、内部へ第２の金属部分が延在する延在部を含むことを規定する。
例Ｆ１７は、例Ｆ１５から１６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のアンチパッドが、複数の延在部を含むことを規定する。
例Ｆ１８は、例Ｆ１１から１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のビアパッドおよび上記第２のビアパッドが、少なくとも１つのビアを間に含むことを規定する。
例Ｆ１９は、例Ｆ１１から１７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のビアパッドおよび上記第２のビアパッドが、少なくとも１つのビアを間に含むことを規定する。
例Ｆ２０は、例Ｆ１から１９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、第１のトレースであり、上記伝送線が、第２のトレースをさらに有し、上記ビアが、上記第１のトレースと上記第２のトレースとの間にあることを規定する。
例Ｆ２１は、例Ｆ２０に記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｆ２２は、例Ｆ１から２１のいずれかに記載の主題を含み、上記伝送線の端部におけるランチャ構造をさらに含む。
例Ｆ２３は、例Ｆ１から２２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの幅が、５ミクロンと４００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｆ２４は、例Ｆ１から２３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドの直径が、５０ミクロンと３００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｆ２５は、例Ｆ１から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを有する金属部分を含むことを規定する。
例Ｆ２６は、例Ｆ１から２５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、５ミクロンと４００ミクロンとの間の幅を有する金属部分を含むことを規定する。
例Ｆ２７は、例Ｆ１から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、５ミクロンと４００ミクロンとの間の距離だけ上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｆ２８は、金属層内のトレースであって、上記金属層内のビアパッドによりビアに電気的に結合された、トレースと、上記金属層内のグランドプレーンであって、１または複数の金属部分が上記ビアパッドおよび上記グランドプレーンに接触する、グランドプレーンとを含むミリメートル波通信伝送線を有するマイクロ電子支持体と、上記マイクロ電子支持体に結合されたマイクロ電子コンポーネントであって、上記伝送線に通信可能に結合された、マイクロ電子コンポーネントとを備えるマイクロ電子パッケージである。
例Ｆ２９は、例Ｆ２８に記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｆ３０は、例Ｆ２８から２９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ３１は、例Ｆ２８から３０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間の複数のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ３２は、例Ｆ２８から３１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間の分岐スポークを含むことを規定する。
例Ｆ３３は、例Ｆ２８から３２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、アンチパッドによりグランドプレーンから離間し、上記アンチパッドが、非円形であることを規定する。
例Ｆ３４は、例Ｆ３３に記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、内部へ金属部分が延在する延在部を含むことを規定する。
例Ｆ３５は、例Ｆ３３から３４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、複数の延在部を含むことを規定する。
例Ｆ３６は、例Ｆ３４から３５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記延在部が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを含むことを規定する。
例Ｆ３７は、例Ｆ３４から３６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、１００ミクロンと６００ミクロンとの間の直径を含むことを規定する。
例Ｆ３８は、例Ｆ２８から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、第１のビアパッドであり、上記金属層が、第１の金属層であり、上記１または複数の金属部分が、１または複数の第１の金属部分であり、上記伝送線が、第２の金属層内の第２のビアパッドを有し、１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと、上記第２の金属層における第２のグランドプレーンとに接触することを規定する。
例Ｆ３９は、例Ｆ３８に記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ４０は、例Ｆ３８から３９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間の複数のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ４１は、例Ｆ３８から４０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間の分岐スポークを含むことを規定する。
例Ｆ４２は、例Ｆ３８から４１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のビアパッドが、第２のアンチパッドにより第２のグランドプレーンから離間し、上記第２のアンチパッドが、非円形であることを規定する。
例Ｆ４３は、例Ｆ４２に記載の主題を含み、さらに、上記第２のアンチパッドが、内部へ第２の金属部分が延在する延在部を含むことを規定する。
例Ｆ４４は、例Ｆ４２から４３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のアンチパッドが、複数の延在部を含むことを規定する。
例Ｆ４５は、例Ｆ３８から４４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のビアパッドおよび上記第２のビアパッドが、少なくとも１つのビアを間に含むことを規定する。
例Ｆ４６は、例Ｆ３８から４４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のビアパッドおよび上記第２のビアパッドが、少なくとも１つのビアを間に含むことを規定する。
例Ｆ４７は、例Ｆ２８から４６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、第１のトレースであり、上記伝送線が、第２のトレースをさらに有し、上記ビアが、上記第１のトレースと上記第２のトレースとの間にあることを規定する。
例Ｆ４８は、例Ｆ４７に記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｆ４９は、例Ｆ２８から４８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、上記伝送線の端部におけるランチャ構造をさらに有することを規定する。
例Ｆ５０は、例Ｆ２８から４９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波誘電体導波管コネクタを有することを規定する。
例Ｆ５１は、例Ｆ２８から５０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波通信トランシーバを有することを規定する。
例Ｆ５２は、例Ｆ２８から５１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの幅が、５ミクロンと４００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｆ５３は、例Ｆ２８から５２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドの直径が、５０ミクロンと３００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｆ５４は、例Ｆ２８から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを有する金属部分を含むことを規定する。
例Ｆ５５は、例Ｆ２８から５４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、５ミクロンと４００ミクロンとの間の幅を有する金属部分を含むことを規定する。
例Ｆ５６は、例Ｆ２８から５５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、５ミクロンと４００ミクロンとの間の距離だけ上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｆ５７は、金属層内のトレースであって、上記金属層内のビアパッドによりビアに導電的に結合された、トレースと、上記金属層内のグランドプレーンであって、１または複数の金属部分が上記ビアパッドを上記グランドプレーンに電気的に結合させる、グランドプレーンとを含むミリメートル波通信伝送線を有するマイクロ電子支持体と、上記マイクロ電子支持体に結合されたマイクロ電子コンポーネントであって、上記伝送線に通信可能に結合された、マイクロ電子コンポーネントとを備えるマイクロ電子パッケージである。
例Ｆ５８は、例Ｆ５７に記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｆ５９は、例Ｆ５７から５８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ６０は、例Ｆ５７から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間の複数のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ６１は、例Ｆ５７から６０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、上記ビアパッドと上記グランドプレーンとの間の分岐スポークを含むことを規定する。
例Ｆ６２は、例Ｆ５７から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、アンチパッドによりグランドプレーンから離間し、上記アンチパッドが、非円形であることを規定する。
例Ｆ６３は、例Ｆ６２に記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、内部へ金属部分が延在する延在部を含むことを規定する。
例Ｆ６４は、例Ｆ６２から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、複数の延在部を含むことを規定する。
例Ｆ６５は、例Ｆ６３から６４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記延在部が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを含むことを規定する。
例Ｆ６６は、例Ｆ６２から６５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、１００ミクロンと６００ミクロンとの間の直径を含むことを規定する。
例Ｆ６７は、例Ｆ５７から６６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、第１のビアパッドであり、上記金属層が、第１の金属層であり、上記１または複数の金属部分が、１または複数の第１の金属部分であり、上記伝送線が、第２の金属層内の第２のビアパッドを有し、１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドを上記第２の金属層における第２のグランドプレーンに電気的に結合させることを規定する。
例Ｆ６８は、例Ｆ６７に記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ６９は、例Ｆ６７から６８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間の複数のスポークを含むことを規定する。
例Ｆ７０は、例Ｆ６７から６９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の第２の金属部分が、上記第２のビアパッドと上記第２のグランドプレーンとの間の分岐スポークを含むことを規定する。
例Ｆ７１は、例Ｆ６７から７０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のビアパッドが、第２のアンチパッドにより第２のグランドプレーンから離間し、上記第２のアンチパッドが、非円形であることを規定する。
例Ｆ７２は、例Ｆ７１に記載の主題を含み、さらに、上記第２のアンチパッドが、内部へ第２の金属部分が延在する延在部を含むことを規定する。
例Ｆ７３は、例Ｆ７１から７２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のアンチパッドが、複数の延在部を含むことを規定する。
例Ｆ７４は、例Ｆ６７から７３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のビアパッドおよび上記第２のビアパッドが、少なくとも１つのビアを間に含むことを規定する。
例Ｆ７５は、例Ｆ６７から７３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第１のビアパッドおよび上記第２のビアパッドが、少なくとも１つのビアを間に含むことを規定する。
例Ｆ７６は、例Ｆ５７から７５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、第１のトレースであり、上記伝送線が、第２のトレースをさらに有し、上記ビアが、上記第１のトレースと上記第２のトレースとの間にあることを規定する。
例Ｆ７７は、例Ｆ７６に記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｆ７８は、例Ｆ５７から７７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子支持体が、上記伝送線の端部におけるランチャ構造をさらに有することを規定する。
例Ｆ７９は、例Ｆ５７から７８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波誘電体導波管コネクタを有することを規定する。
例Ｆ８０は、例Ｆ５７から７９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波通信トランシーバを有することを規定する。
例Ｆ８１は、例Ｆ５７から８０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの幅が、５ミクロンと４００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｆ８２は、例Ｆ５７から８０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドの直径が、５０ミクロンと３００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｆ８３は、例Ｆ５７から８２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを有する金属部分を含むことを規定する。
例Ｆ８４は、例Ｆ５７から８３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記１または複数の金属部分が、５ミクロンと４００ミクロンとの間の幅を有する金属部分を含むことを規定する。
例Ｆ８５は、例Ｆ５７から８４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、５ミクロンと４００ミクロンとの間の距離だけ上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ１は、金属層内のトレースであって、上記金属層内のビアパッドによりビアに電気的に結合され、第１の幅を含む第１の部分と、上記第１の幅とは異なる第２の幅を含む第２の部分とを含むトレースと、上記トレースから離間した、上記金属層内のグランドプレーンとを有するミリメートル波通信伝送線を備えるミリメートル波通信用マイクロ電子支持体である。
例Ｇ２は、例Ｇ１に記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｇ３は、例Ｇ１から２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の部分が、上記第１の部分と上記ビアパッドとの間にあり、上記第２の幅が、上記第１の幅よりも大きいことを規定する。
例Ｇ４は、例Ｇ１から３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の部分が、上記第１の部分と上記ビアパッドとの間にあり、上記第２の幅が、上記第１の幅未満であることを規定する。
例Ｇ５は、例Ｇ１から４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、アンチパッドによりグランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ６は、例Ｇ１から５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、アンチトレースにより上記グランドプレーンから離間し、上記アンチトレースが、第３の幅を含む第３の部分と、上記第３の幅とは異なる第４の幅を含む第４の部分とを含み、上記ビアパッドが、アンチパッドにより上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ７は、例Ｇ６に記載の主題を含み、さらに、上記第４の部分が、上記第３の部分と上記アンチパッドとの間にあり、または、上記アンチパッドが、上記第３の部分と上記第４の部分との間にあることを規定する。
例Ｇ８は、例Ｇ６から７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第４の幅が、上記第３の幅よりも大きいことを規定する。
例Ｇ９は、例Ｇ６から８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第４の幅が、上記第３の幅未満であることを規定する。
例Ｇ１０は、例Ｇ６から９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの上記第１の部分が、上記アンチトレースの上記第３の部分内にあることを規定する。
例Ｇ１１は、例Ｇ６から１０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの上記第２の部分が、上記アンチトレースの上記第４の部分内にあることを規定する。
例Ｇ１２は、例Ｇ５から１１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、上記グランドプレーンへの延在部を含むことを規定する。
例Ｇ１３は、例Ｇ１２に記載の主題を含み、さらに、上記延在部が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを含むことを規定する。
例Ｇ１４は、例Ｇ５から１３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、１００ミクロンと６００ミクロンとの間の直径を含むことを規定する。
例Ｇ１５は、例Ｇ１から１４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、第１のトレースであり、上記伝送線が、第２のトレースをさらに有し、上記ビアが、上記第１のトレースと上記第２のトレースとの間にあることを規定する。
例Ｇ１６は、例Ｇ１５に記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｇ１７は、例Ｇ１５から１６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、第１の幅を含む第１の部分と、上記第１の幅とは異なる第２の幅を含む第２の部分とを含むことを規定する。
例Ｇ１８は、例Ｇ１から１７のいずれかに記載の主題を含み、上記伝送線の端部におけるランチャ構造をさらに含む。
例Ｇ１９は、例Ｇ１から１８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの幅が、５ミクロンと４００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｇ２０は、例Ｇ１から１９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドの直径が、５０ミクロンと３００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｇ２１は、例Ｇ１から２０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、５ミクロンと４００ミクロンとの間の距離だけ上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ２２は、金属層内のトレースであって、上記金属層内のビアパッドによりビアに電気的に結合され、第１の幅を含む第１の部分と、上記第１の幅とは異なる第２の幅を含む第２の部分とを含むトレースと、上記トレースから離間した、上記金属層内のグランドプレーンとを含むミリメートル波通信伝送線を有するマイクロ電子支持体と、上記マイクロ電子支持体に結合され、上記伝送線に通信可能に結合されたマイクロ電子コンポーネントとを備えるマイクロ電子パッケージである。
例Ｇ２３は、例Ｇ２２に記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｇ２４は、例Ｇ２２から２３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の部分が、上記第１の部分と上記ビアパッドとの間にあり、上記第２の幅が、上記第１の幅よりも大きいことを規定する。
例Ｇ２５は、例Ｇ２２から２４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の部分が、上記第１の部分と上記ビアパッドとの間にあり、上記第２の幅が、上記第１の幅未満であることを規定する。
例Ｇ２６は、例Ｇ２２から２５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドが、アンチパッドによりグランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ２７は、例Ｇ２２から２６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、アンチトレースにより上記グランドプレーンから離間し、上記アンチトレースが、第３の幅を含む第３の部分と、上記第３の幅とは異なる第４の幅を含む第４の部分とを含み、上記ビアパッドが、アンチパッドにより上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ２８は、例Ｇ２７に記載の主題を含み、さらに、上記第４の部分が、上記第３の部分と上記アンチパッドとの間にあり、または、上記アンチパッドが、上記第３の部分と上記第４の部分との間にあることを規定する。
例Ｇ２９は、例Ｇ２７から２８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第４の幅が、上記第３の幅よりも大きいことを規定する。
例Ｇ３０は、例Ｇ２７から２９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第４の幅が、上記第３の幅未満であることを規定する。
例Ｇ３１は、例Ｇ２７から３０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの上記第１の部分が、上記アンチトレースの上記第３の部分内にあることを規定する。
例Ｇ３２は、例Ｇ２７から３１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの上記第２の部分が、上記アンチトレースの上記第４の部分内にあることを規定する。
例Ｇ３３は、例Ｇ２６から３２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、上記グランドプレーンへの延在部を含むことを規定する。
例Ｇ３４は、例Ｇ３３に記載の主題を含み、さらに、上記延在部が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを含むことを規定する。
例Ｇ３５は、例Ｇ２６から３４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、１００ミクロンと６００ミクロンとの間の直径を含むことを規定する。
例Ｇ３６は、例Ｇ２２から３５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、第１のトレースであり、上記伝送線が、第２のトレースをさらに有し、上記ビアが、上記第１のトレースと上記第２のトレースとの間にあることを規定する。
例Ｇ３７は、例Ｇ３６に記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｇ３８は、例Ｇ３６から３７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、第１の幅を含む第１の部分と、上記第１の幅とは異なる第２の幅を含む第２の部分とを含むことを規定する。
例Ｇ３９は、例Ｇ２２から３８のいずれかに記載の主題を含み、上記伝送線の端部におけるランチャ構造をさらに含む。
例Ｇ４０は、例Ｇ２２から３９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの幅が、５ミクロンと４００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｇ４１は、例Ｇ２２から４０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドの直径が、５０ミクロンと３００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｇ４２は、例Ｇ２２から４１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、５ミクロンと４００ミクロンとの間の距離だけ上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ４３は、例Ｇ２２から４２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波誘電体導波管コネクタを有することを規定する。
例Ｇ４４は、例Ｇ２２から４３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波通信トランシーバを有することを規定する。
例Ｇ４５は、金属層内のトレースであって、上記金属層内のビアパッドによりビアに電気的に結合されたトレースと、アンチトレースにより上記トレースから離間し、アンチパッドにより上記ビアパッドから離間した、上記金属層内のグランドプレーンであって、上記アンチトレースは、第１の幅を含む第１の部分と、上記第１の幅とは異なる第２の幅を含む第２の部分とを含む、グランドプレーンとを含むミリメートル波通信伝送線を有するマイクロ電子支持体と、上記マイクロ電子支持体に結合され、上記伝送線に通信可能に結合されたマイクロ電子コンポーネントとを備えるマイクロ電子パッケージである。
例Ｇ４６は、例Ｇ４５に記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｇ４７は、例Ｇ４５から４６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の部分が、上記第１の部分と上記アンチパッドとの間にあり、上記第２の幅が、上記第１の幅よりも大きいことを規定する。
例Ｇ４８は、例Ｇ４５から４７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２の部分が、上記第１の部分と上記アンチパッドとの間にあり、上記第２の幅が、上記第１の幅未満であることを規定する。
例Ｇ４９は、例Ｇ４５から４８のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、第３の幅を含む第３の部分と、上記第３の幅とは異なる第４の幅を含む第４の部分とを含むことを規定する。
例Ｇ５０は、例Ｇ４９に記載の主題を含み、さらに、上記第４の部分が、上記第３の部分と上記ビアパッドとの間にあることを規定する。
例Ｇ５１は、例Ｇ４９から５０のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第４の幅が、上記第３の幅よりも大きいことを規定する。
例Ｇ５２は、例Ｇ４９から５１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第４の幅が、上記第３の幅未満であることを規定する。
例Ｇ５３は、例Ｇ４９から５２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの上記第３の部分が、上記アンチトレースの上記第１の部分内にあることを規定する。
例Ｇ５４は、例Ｇ４９から５３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの上記第４の部分が、上記アンチトレースの上記第２の部分内にあることを規定する。
例Ｇ５５は、例Ｇ４５から５４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、上記グランドプレーンへの延在部を含むことを規定する。
例Ｇ５６は、例Ｇ５５に記載の主題を含み、さらに、上記延在部が、１５０ミクロンと１２０００ミクロンとの間の長さを含むことを規定する。
例Ｇ５７は、例Ｇ４５から５６のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記アンチパッドが、１００ミクロンと６００ミクロンとの間の直径を含むことを規定する。
例Ｇ５８は、例Ｇ４５から５７のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、第１のトレースであり、上記伝送線が、第２のトレースをさらに有し、上記ビアが、上記第１のトレースと上記第２のトレースとの間にあることを規定する。
例Ｇ５９は、例Ｇ５８に記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、マイクロストリップ、ストリップ線または共面導波管の一部であることを規定する。
例Ｇ６０は、例Ｇ５８から５９のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記第２のトレースが、グランドプレーンの第２のアンチトレース内にあり、上記第２のアンチトレースが、第１の幅を含む第１の部分と、上記第１の幅とは異なる第２の幅を含む第２の部分とを含むことを規定する。
例Ｇ６１は、例Ｇ４５から６０のいずれかに記載の主題を含み、上記伝送線の端部におけるランチャ構造をさらに含む。
例Ｇ６２は、例Ｇ４５から６１のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースの幅が、５ミクロンと４００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｇ６３は、例Ｇ４５から６２のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記ビアパッドの直径が、５０ミクロンと３００ミクロンとの間であることを規定する。
例Ｇ６４は、例Ｇ４５から６３のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記トレースが、５ミクロンと４００ミクロンとの間の距離だけ上記グランドプレーンから離間していることを規定する。
例Ｇ６５は、例Ｇ４５から６４のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波誘電体導波管コネクタを有することを規定する。
例Ｇ６６は、例Ｇ４５から６５のいずれかに記載の主題を含み、さらに、上記マイクロ電子コンポーネントが、ミリメートル波通信トランシーバを有することを規定する。
［他の可能な項目］
［項目１］
第１の材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、
第２の材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションと
を備え、
上記第１の材料は、固形材料であり、上記第２の材料は、長手方向開口を内部に含む、
ミリメートル波誘電体導波管。
［項目２］
上記第１の材料および上記第２の材料は、同じ材料組成を含む、項目１に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目３］
上記第１のクラッディングおよび上記第２のクラッディングは、同じ材料組成を含む、項目１に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目４］
上記第１のセクションと上記第２のセクションとの間の第３のセクションであって、第３の材料と第３のクラッディングとを有し、上記第３の材料は、長手方向開口を内部に含み、上記長手方向開口の直径は、上記第２のセクションに近づくにつれて増す、第３のセクション
をさらに備える、項目１に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目５］
上記第３の材料の直径は、上記第２のセクションに近づくにつれて増す、項目４に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目６］
上記第１のセクションは、コーティングをさらに有し、上記第１のクラッディングは、上記コーティングと上記第１の材料との間にあり、上記コーティングは、上記第１のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含む、項目１に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目７］
上記コーティングは、上記第２のセクションへは延在しない、項目６に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目８］
上記コーティングは、複数の導電性の粒子もしくはファイバを含むか、またはフェライト材料を含む、項目６に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目９］
第１の材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、
第２の材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションと
を備え、
上記第１のセクションは、上記第１のクラッディングの外側のコーティングを有し、上記コーティングは、上記第２のセクション上には延在せず、上記第２の材料は、長手方向開口を内部に含む、
ミリメートル波誘電体導波管。
［項目１０］
上記コーティングは、上記第１のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含む、項目９に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目１１］
上記開口内の空気をさらに備える、項目９に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目１２］
上記開口内の第３の材料であって、上記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料
をさらに備える、項目９に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目１３］
上記第１の材料は、プラスチックを含む、項目９に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目１４］
上記第１の材料は、セラミックを含む、項目９に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目１５］
上記第１のクラッディングは、発泡体を含む、項目９に記載のミリメートル波誘電体導波管。
［項目１６］
第１のマイクロ電子コンポーネントと、
第２のマイクロ電子コンポーネントと、
上記第１のマイクロ電子コンポーネントと上記第２のマイクロ電子コンポーネントとの間に通信可能に結合されたミリメートル波誘電体導波管と
を備え、
上記ミリメートル波誘電体導波管は、
第１の材料と第１のクラッディングとを含む第１のセクションと、
第２の材料と第２のクラッディングとを含む第２のセクションと
を有し、
上記第１のセクションは、吸収性コーティングを含み、上記第２のセクションは、吸収性コーティングを含まない、
ミリメートル波通信システム。
［項目１７］
上記ミリメートル波誘電体導波管の外径は、上記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定ではない、項目１６に記載のミリメートル波通信システム。
［項目１８］
上記ミリメートル波誘電体導波管は、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つである、項目１６に記載のミリメートル波通信システム。
［項目１９］
上記ミリメートル波誘電体導波管は、パッケージ基板またはインターポーザに含まれる、項目１６に記載のミリメートル波通信システム。
［項目２０］
上記第１のマイクロ電子コンポーネントは、ミリメートル波通信トランシーバを有する、項目１６に記載のミリメートル波通信システム。

Claims (18)

  1. 第１のコア材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、
    第２のコア材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションと、
    前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間の第３のセクションであって、第３のコア材料と第３のクラッディングとを有し、前記第３のコア材料は、長手方向開口を内部に含み、前記長手方向開口の直径は、前記第２のセクションに近づくにつれて増す、第３のセクションと
    を備え、
    前記第１のコア材料は、固形材料であり、前記第２のコア材料は、長手方向開口を内部に含み、
    前記第１のクラッディングは、前記第１のコア材料に巻き付き、
    前記第２のクラッディングは、前記第２のコア材料に巻き付き、
    前記第３のクラッディングは、前記第３のコア材料に巻き付く、
    ミリメートル波誘電体導波管。
  2. 前記第１のコア材料および前記第２のコア材料は、同じ材料組成を含む、請求項１に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  3. 前記第１のクラッディングおよび前記第２のクラッディングは、同じ材料組成を含む、請求項１に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  4. 第１の材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、
    第２の材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションと、
    前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間の第３のセクションであって、第３の材料と第３のクラッディングとを有し、前記第３の材料は、長手方向開口を内部に含み、前記長手方向開口の直径は、前記第２のセクションに近づくにつれて増す、第３のセクションと
    を備え、
    前記第１の材料は、固形材料であり、前記第２の材料は、長手方向開口を内部に含み、
    前記第３の材料の直径は、前記第２のセクションに近づくにつれて増す、ミリメートル波誘電体導波管。
  5. 第１の材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、
    第２の材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションと、
    前記第１のセクションと前記第２のセクションとの間の第３のセクションであって、第３の材料と第３のクラッディングとを有し、前記第３の材料は、長手方向開口を内部に含み、前記長手方向開口の直径は、前記第２のセクションに近づくにつれて増す、第３のセクションと
    を備え、
    前記第１の材料は、固形材料であり、前記第２の材料は、長手方向開口を内部に含み、
    前記第１のセクションは、コーティングをさらに有し、前記第１のクラッディングは、前記コーティングと前記第１の材料との間にあり、前記コーティングは、前記第１のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含む、ミリメートル波誘電体導波管。
  6. 前記コーティングは、前記第２のセクションへは延在しない、請求項５に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  7. 前記コーティングは、複数の導電性の粒子もしくはファイバを含むか、またはフェライト材料を含む、請求項５に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  8. 第１の材料と第１のクラッディングとを有する第１のセクションと、
    第２の材料と第２のクラッディングとを有する第２のセクションと
    を備え、
    前記第１のセクションは、前記第１のクラッディングの外側のコーティングを有し、前記コーティングは、前記第２のセクション上には延在せず、前記第２の材料は、長手方向開口を内部に含む、
    ミリメートル波誘電体導波管。
  9. 前記コーティングは、前記第１のクラッディングの損失正接よりも大きい損失正接を含む、請求項８に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  10. 前記長手方向開口内の空気をさらに備える、請求項８に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  11. 前記長手方向開口内の第３の材料であって、前記第１の材料の誘電率未満である誘電率を有する、第３の材料
    をさらに備える、請求項８に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  12. 前記第１の材料は、プラスチックを含む、請求項８から１１のいずれか一項に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  13. 前記第１の材料は、セラミックを含む、請求項８から１１のいずれか一項に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  14. 前記第１のクラッディングは、発泡体を含む、請求項８から１１のいずれか一項に記載のミリメートル波誘電体導波管。
  15. 第１のマイクロ電子コンポーネントと、
    第２のマイクロ電子コンポーネントと、
    前記第１のマイクロ電子コンポーネントと前記第２のマイクロ電子コンポーネントとの間に通信可能に結合されたミリメートル波誘電体導波管と
    を備え、
    前記ミリメートル波誘電体導波管は、
    第１の材料と第１のクラッディングとを含む第１のセクションと、
    第２の材料と第２のクラッディングとを含む第２のセクションと
    を有し、
    前記第１のセクションは、吸収性コーティングを含み、前記第２のセクションは、吸収性コーティングを含まず、
    前記ミリメートル波誘電体導波管の外径は、前記ミリメートル波誘電体導波管の長手方向に沿って一定ではない、
    ミリメートル波通信システム。
  16. 前記ミリメートル波誘電体導波管は、ケーブル内の複数のミリメートル波誘電体導波管のうちの１つである、請求項１５に記載のミリメートル波通信システム。
  17. 前記ミリメートル波誘電体導波管は、パッケージ基板またはインターポーザに含まれる、請求項１５に記載のミリメートル波通信システム。
  18. 前記第１のマイクロ電子コンポーネントは、ミリメートル波通信トランシーバを有する、請求項１５に記載のミリメートル波通信システム。
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