JP7660100B2 - 人工ニューラルネットワークによって予測される故障モードに基づくレチクル強化技術レシピの適用 - Google Patents
人工ニューラルネットワークによって予測される故障モードに基づくレチクル強化技術レシピの適用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7660100B2 JP7660100B2 JP2022509586A JP2022509586A JP7660100B2 JP 7660100 B2 JP7660100 B2 JP 7660100B2 JP 2022509586 A JP2022509586 A JP 2022509586A JP 2022509586 A JP2022509586 A JP 2022509586A JP 7660100 B2 JP7660100 B2 JP 7660100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ret
- failure
- recipe
- design
- failure mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/36—Circuit design at the analogue level
- G06F30/367—Design verification, e.g. using simulation, simulation program with integrated circuit emphasis [SPICE], direct methods or relaxation methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/20—Design optimisation, verification or simulation
- G06F30/27—Design optimisation, verification or simulation using machine learning, e.g. artificial intelligence, neural networks, support vector machines [SVM] or training a model
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N20/00—Machine learning
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
- G06N3/045—Combinations of networks
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/04—Architecture, e.g. interconnection topology
- G06N3/0499—Feedforward networks
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/08—Learning methods
- G06N3/084—Backpropagation, e.g. using gradient descent
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/08—Learning methods
- G06N3/09—Supervised learning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/02—Reliability analysis or reliability optimisation; Failure analysis, e.g. worst case scenario performance, failure mode and effects analysis [FMEA]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
- G06F2119/18—Manufacturability analysis or optimisation for manufacturability
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N3/00—Computing arrangements based on biological models
- G06N3/02—Neural networks
- G06N3/08—Learning methods
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Artificial Intelligence (AREA)
- Geometry (AREA)
- Data Mining & Analysis (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computational Linguistics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
本出願は、事実上、内容の全体が参照により本明細書に組み込まれている、2019年8月16日に出願した米国特許仮出願第62/887,728号の利益を主張するものである。
z(x,y)=T{m(x,y)}
として表現されることが可能であり、ここでT{.}は、工程モデル(例えば、我々がイメージング工程をモデル化している場合、ホプキンズイメージングモデル)であり、m(x,y)は、入力マスクレイアウトであり、z(x,y)は、印刷されるパターンである。z*(x,y)を設計意図とする。逆イメージング問題の目標は、もたらされる印刷されたパターンT{m(x,y)}が設計意図z*(x,y)に類似するようにマスクレイアウトm(x,y)を推定することである。具体的には、設計意図に対する印刷されたパターンの類似度は、その2つのパターンの間の距離メトリックを使用して測定されることが可能である。
Claims (17)
- 設計意図のセットの中の各設計意図に関する訓練データを、前記設計意図が製造されるときに生じることが予期される故障のセットを識別すること、および前記設計意図を工程モデルによって予期されるパターンと比較することに基づいて決定される、故障の前記セットの中の各故障の故障モードおよび位置を記録することによって収集することであって、前記故障モードに属する故障の位置に印を付けるべく各故障モードに関して別個の設計層が作成される、収集すること、および
プロセッサにより、設計意図の前記セットの中の前記設計意図とは異なる第1の設計意図に関する故障の故障モードおよび位置を予測するようにニューラルネットワークを訓練すべく前記訓練データを使用すること
を含む方法。 - 前記第1の設計意図が、ウェハ上に印刷されることが所望される形状を指定する、請求項1に記載の方法。
- 前記ニューラルネットワークを訓練すべく前記訓練データを前記使用することが、監督された学習を使用することを含み、設計意図が、入力として提供され、故障モードおよび位置が、所望される出力として提供される、請求項1に記載の方法。
- 前記訓練データを収集することが、
リソグラフィ検証を使用してマスクレイアウト内の故障モードを識別すること、
前記故障モードの発生を解決すべくレチクル強化技術(RET)レシピを調整すること、および
前記調整されたRETレシピを前記マスクレイアウトに適用することを含む、請求項1に記載の方法。 - 故障の各位置に、前記故障の前記位置の付近で前記設計層にポリゴンを配置することによって印が付けられる、請求項4に記載の方法。
- 前記調整されたRETレシピを前記マスクレイアウトに前記適用することが、前記調整されたRETレシピを、前記故障モードに対応する前記設計層におけるポリゴン内の区域に適用することを含む、請求項5に記載の方法。
- 設計意図において生じることが予期される故障の故障モードおよび位置を識別すべく前記訓練されたニューラルネットワークを使用すること、ならびに
各故障に関して、前記故障の前記故障モードに基づいてRETレシピを選択すること、および
前記選択されたRETレシピを、前記故障の前記位置の周囲の区域に適用すること
を含む請求項1に記載の方法。 - プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、
リソグラフィ工程を使用して設計意図が印刷されるときに生じることが予期される故障の故障モードおよび位置を予測すべく訓練されたニューラルネットワークを使用することであって、前記ニューラルネットワークを訓練することは、前記故障モードに属する故障の位置に印を付けるべく各故障モードに関して別個の設計層を作成することを含む、使用すること、ならびに
各故障に関して、前記故障の前記故障モードに基づいてレチクル強化技術(RET)レシピを選択すること、および
前記選択されたRETレシピを、前記故障の前記位置の周囲の区域に適用することをさせる命令を記憶している非一過性の記憶媒体。 - 前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、
訓練データを収集することであって、前記訓練データが、リソグラフィ検証ツールを使用して識別される故障のセットの中の各故障の故障モードおよび位置を含む、収集すること、および
所与の設計意図に関する故障の故障モードおよび位置を予測するよう、訓練されていないニューラルネットワークを訓練すべく前記訓練データを使用することをさせる命令を含む請求項8に記載の非一過性の記憶媒体。 - 前記訓練データを前記収集することが、
前記リソグラフィ検証ツールを使用してマスクレイアウト内の故障モードを識別すること、
前記故障モードの発生を解決すべくレチクル強化技術(RET)レシピを調整すること、および
前記調整されたRETレシピを前記マスクレイアウトに適用することを備える、請求項9に記載の非一過性の記憶媒体。 - 故障の各位置に、前記故障の前記位置の付近で前記設計層にポリゴンを配置することによって印が付けられる、請求項10に記載の非一過性の記憶媒体。
- 前記調整されたRETレシピを前記マスクレイアウトに前記適用することが、前記調整されたRETレシピを、前記故障モードに対応する前記設計層におけるポリゴン内の区域に適用することを含む、請求項11に記載の非一過性の記憶媒体。
- 命令を記憶するメモリと、
前記メモリに結合されて、前記命令を実行すべきプロセッサと
を備える装置であって、
前記命令が実行されたとき、前記プロセッサに、
訓練データを収集することであって、前記訓練データが、リソグラフィ検証ツールを使用して識別される故障の故障モードおよび位置を含み、前記故障モードに属する故障の位置に印を付けるべく各故障モードに関して別個の設計層が作成される、収集すること、
前記訓練データを使用して、訓練されていない機械学習モデルを訓練することによって訓練された機械学習モデルを獲得すること、
設計意図において生じることが予期される故障の故障モードおよび位置を予測すべく前記訓練された機械学習モデルを使用すること、ならびに
各予測される故障に関して、
前記故障の故障モードに基づいてレチクル強化技術(RET)レシピを選択すること、および
前記選択されたRETレシピを、前記故障の前記位置の周囲の区域に適用することをさせる、装置。 - 前記訓練データを前記収集することが、
前記リソグラフィ検証ツールを使用してマスクレイアウト内の故障モードを識別すること、
前記故障モードの発生を解決すべくレチクル強化技術(RET)レシピを調整すること、および
前記調整されたRETレシピを前記マスクレイアウトに適用することを備える、請求項13に記載の装置。 - 前記訓練されていない機械学習モデルを前記訓練することが、監督された学習を使用することを含み、設計意図が、入力として提供され、故障の故障モードおよび位置が、所望される出力として提供される、請求項14に記載の装置。
- 故障の各位置に、前記故障の前記位置の付近で前記設計層にポリゴンを配置することによって印が付けられる、請求項15に記載の装置。
- 前記調整されたRETレシピを前記マスクレイアウトに前記適用することが、前記調整されたRETレシピを、前記故障モードに対応する前記設計層におけるポリゴン内の区域に適用することを含む、請求項16に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962887728P | 2019-08-16 | 2019-08-16 | |
| US62/887,728 | 2019-08-16 | ||
| PCT/US2020/044772 WO2021034495A1 (en) | 2019-08-16 | 2020-08-03 | Applying reticle enhancement technique recipes based on failure modes predicted by an artificial neural network |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022544585A JP2022544585A (ja) | 2022-10-19 |
| JP7660100B2 true JP7660100B2 (ja) | 2025-04-10 |
Family
ID=72088410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022509586A Active JP7660100B2 (ja) | 2019-08-16 | 2020-08-03 | 人工ニューラルネットワークによって予測される故障モードに基づくレチクル強化技術レシピの適用 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11126782B2 (ja) |
| JP (1) | JP7660100B2 (ja) |
| KR (1) | KR102922615B1 (ja) |
| CN (1) | CN114222993B (ja) |
| TW (1) | TWI859296B (ja) |
| WO (1) | WO2021034495A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220083811A (ko) * | 2019-10-23 | 2022-06-20 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 제작을 위한 레시피의 결정 (determination) |
| CN113034424A (zh) * | 2019-12-24 | 2021-06-25 | 中强光电股份有限公司 | 模型训练方法与电子装置 |
| US12372864B2 (en) | 2020-10-22 | 2025-07-29 | D2S, Inc. | Methods and systems to determine shapes for semiconductor or flat panel display fabrication |
| KR20240023167A (ko) | 2021-07-23 | 2024-02-20 | 디2에스, 인코포레이티드 | 반도체 또는 플랫 패널 디스플레이 제조를 위한 기생들을 결정하기 위한 방법들 및 시스템들 |
| US12411405B2 (en) * | 2021-09-29 | 2025-09-09 | Siemens Industry Software Inc. | Optical proximity correction based on combining inverse lithography technology with pattern classification |
| JP7723376B2 (ja) * | 2021-11-28 | 2025-08-14 | ディー・ツー・エス・インコーポレイテッド | 集積回路(ic)設計レイアウトを編集するための方法 |
| US20230169246A1 (en) | 2021-11-28 | 2023-06-01 | D2S, Inc. | Interactive compaction tool for electronic design automation |
| US12475283B2 (en) | 2022-01-19 | 2025-11-18 | D2S, Inc. | Generating and display an animation of a predicted overlap shape in an IC design |
| US20230274068A1 (en) | 2022-02-23 | 2023-08-31 | D2S, Inc. | Performing non-preferred direction detailed routing followed by preferred direction global and detailed routing |
| EP4361903A1 (en) * | 2022-10-25 | 2024-05-01 | ASML Netherlands B.V. | Failure mode identification |
| US12236380B2 (en) * | 2022-12-27 | 2025-02-25 | ValGenesis, Inc. | Risk based lifecycle management systems |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004840A (ja) | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査システム及び欠陥検査方法 |
| JP2008052221A (ja) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | パターン生成方法及びプログラム |
| JP2008268265A (ja) | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 検証方法及び検証装置 |
| JP2013238606A (ja) | 2005-11-18 | 2013-11-28 | Kla-Encor Corp | 検査データと組み合わせて設計データを使用するための方法及びシステム |
| JP2017514294A (ja) | 2014-03-06 | 2017-06-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | オーバーレイエラーのフィードフォワードおよびフィードバック修正、根本原因分析および工程の制御の統計的オーバーレイエラーの予測 |
| WO2019048506A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | Asml Netherlands B.V. | METHODS OF LEARNING OPTICAL CORRECTION OF PROXIMITY ERROR ASSISTED BY AUTOMATIC APPRENTICESHIP |
| CN109859207A (zh) | 2019-03-06 | 2019-06-07 | 华南理工大学 | 一种高密度柔性基板的缺陷检测方法 |
| JP2019114116A (ja) | 2017-12-25 | 2019-07-11 | オムロン株式会社 | データ生成装置、データ生成方法及びデータ生成プログラム |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5925525A (en) * | 1989-06-07 | 1999-07-20 | Affymetrix, Inc. | Method of identifying nucleotide differences |
| US6466314B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Reticle design inspection system |
| US6836560B2 (en) * | 2000-11-13 | 2004-12-28 | Kla - Tencor Technologies Corporation | Advanced phase shift inspection method |
| US20050240895A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-27 | Smith Adlai H | Method of emulation of lithographic projection tools |
| JP5479328B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2014-04-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | モデルベースのリソグラフィ誘導レイアウト設計を実行するための方法 |
| US8832621B1 (en) * | 2011-11-28 | 2014-09-09 | Cadence Design Systems, Inc. | Topology design using squish patterns |
| CN104900556A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-09-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种在线监控栅氧化层完整性的方法 |
| CN105139893B (zh) * | 2015-09-27 | 2018-10-16 | 上海华力微电子有限公司 | 一种存储器测试装置及一种存储器芯片测试方法 |
| US10339249B2 (en) * | 2016-03-29 | 2019-07-02 | Synopsys, Inc. | Using color pattern assigned to shapes for custom layout of integrated circuit (IC) designs |
| US10877381B2 (en) * | 2016-10-21 | 2020-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Methods of determining corrections for a patterning process |
| US10402524B2 (en) * | 2017-05-08 | 2019-09-03 | Globalfoundries Inc. | Prediction of process-sensitive geometries with machine learning |
| CN111279268B (zh) * | 2017-10-26 | 2022-04-01 | Asml荷兰有限公司 | 确定所关注的参数的值的方法、清除包含关于所关注的参数的信息的信号的方法 |
| EP3489756A1 (en) * | 2017-11-23 | 2019-05-29 | ASML Netherlands B.V. | Method and apparatus to determine a patterning process parameter |
| CN111788589A (zh) * | 2018-02-23 | 2020-10-16 | Asml荷兰有限公司 | 训练用于计算光刻术的机器学习模型的方法 |
| CN108519550B (zh) * | 2018-03-28 | 2020-06-23 | 上海华岭集成电路技术股份有限公司 | 集成电路晶圆测试优化方法 |
| US10706205B2 (en) * | 2018-10-22 | 2020-07-07 | International Business Machines Corporation | Detecting hotspots in physical design layout patterns utilizing hotspot detection model with data augmentation |
-
2020
- 2020-08-03 JP JP2022509586A patent/JP7660100B2/ja active Active
- 2020-08-03 KR KR1020227005056A patent/KR102922615B1/ko active Active
- 2020-08-03 WO PCT/US2020/044772 patent/WO2021034495A1/en not_active Ceased
- 2020-08-03 CN CN202080057283.7A patent/CN114222993B/zh active Active
- 2020-08-10 US US16/989,631 patent/US11126782B2/en active Active
- 2020-08-13 TW TW109127467A patent/TWI859296B/zh active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013238606A (ja) | 2005-11-18 | 2013-11-28 | Kla-Encor Corp | 検査データと組み合わせて設計データを使用するための方法及びシステム |
| JP2008004840A (ja) | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査システム及び欠陥検査方法 |
| JP2008052221A (ja) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toshiba Corp | パターン生成方法及びプログラム |
| JP2008268265A (ja) | 2007-04-16 | 2008-11-06 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 検証方法及び検証装置 |
| JP2017514294A (ja) | 2014-03-06 | 2017-06-01 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | オーバーレイエラーのフィードフォワードおよびフィードバック修正、根本原因分析および工程の制御の統計的オーバーレイエラーの予測 |
| WO2019048506A1 (en) | 2017-09-08 | 2019-03-14 | Asml Netherlands B.V. | METHODS OF LEARNING OPTICAL CORRECTION OF PROXIMITY ERROR ASSISTED BY AUTOMATIC APPRENTICESHIP |
| JP2019114116A (ja) | 2017-12-25 | 2019-07-11 | オムロン株式会社 | データ生成装置、データ生成方法及びデータ生成プログラム |
| CN109859207A (zh) | 2019-03-06 | 2019-06-07 | 华南理工大学 | 一种高密度柔性基板的缺陷检测方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| CHOI, Suhyeong et al.,Neural Network Classifier-Based OPC With Imbalanced Training Data,IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTER-AIDED DESIGN OF INTEGRATED CIRCUITS AND SYSTEMS [online],Vol. 38, No. 5,IEEE,2019年05月,pp. 938-948,[検索日 2024.02.20],インターネット,URL:https://ieeexplore.ieee.org/document/8332490 |
| 鈴木脩平 外1名,転移学習に基づく効率的なリソグラフィホットスポット検出器の生成手法,電子情報通信学会技術研究報告,一般社団法人電子情報通信学会,2018年02月21日,Vol. 117, No. 455,pp. 103-108 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2022544585A (ja) | 2022-10-19 |
| KR20220041117A (ko) | 2022-03-31 |
| WO2021034495A1 (en) | 2021-02-25 |
| US11126782B2 (en) | 2021-09-21 |
| TW202121050A (zh) | 2021-06-01 |
| TWI859296B (zh) | 2024-10-21 |
| US20210048741A1 (en) | 2021-02-18 |
| KR102922615B1 (ko) | 2026-02-05 |
| CN114222993A (zh) | 2022-03-22 |
| CN114222993B (zh) | 2025-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7660100B2 (ja) | 人工ニューラルネットワークによって予測される故障モードに基づくレチクル強化技術レシピの適用 | |
| US12265325B2 (en) | Inverse lithography and machine learning for mask synthesis | |
| JP7596364B2 (ja) | ニューラルネットワークに基づく集積回路用のマスク合成 | |
| US20220146945A1 (en) | Stochastic-aware lithographic models for mask synthesis | |
| JP7719176B2 (ja) | フィーチャ画像に基づく3次元マスクシミュレーション | |
| TW202145053A (zh) | 微影遮罩之開發之佈局的骨架表示 | |
| US12249115B2 (en) | Large scale computational lithography using machine learning models | |
| JP7443501B2 (ja) | 欠陥確率分布および限界寸法変動に基づくリソグラフィ改良 | |
| US12474634B2 (en) | Mask synthesis integrating mask fabrication effects and wafer lithography effects | |
| US11644746B1 (en) | Inverse etch model for mask synthesis | |
| CN114556226A (zh) | 基于光刻模型参数预测缺陷率 | |
| JP7834741B2 (ja) | マスク合成のための確率論を意識したリソグラフィモデル | |
| US11657207B2 (en) | Wafer sensitivity determination and communication | |
| US11720015B2 (en) | Mask synthesis using design guided offsets | |
| US20250138412A1 (en) | Design of curved mask layers based on levelset functions | |
| US11977324B1 (en) | Modifying segments and vertices of mask shapes for mask synthesis | |
| EP4341750A1 (en) | Machine learning for selecting initial source shapes for source mask optimization |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230517 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240729 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20241029 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20241225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20250227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20250331 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7660100 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |