JP7545397B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある。）は、携帯電話及びテレビ等のフルカラーディスプレイへ応用されている。有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、陽極から正孔が発光層に注入され、また陰極から電子が発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子が２５％の割合で生成し、及び三重項励起子が７５％の割合で生成する。
有機ＥＬ素子の性能向上を図るため、有機ＥＬ素子に用いる化合物について様々な検討がなされている（例えば、特許文献１～６参照）。有機ＥＬ素子の性能としては、例えば、輝度、発光波長、色度、発光効率、駆動電圧、及び寿命が挙げられる。
特開２０１３－１５７５５２号公報 国際公開第２００４／０１８５８７号 国際公開第２００５／１１５９５０号 国際公開第２０１１／０７７６９１号 特開２０１８－１２５５０４号公報 米国特許出願公開２０１９／２８０２０９号明細書
本発明の目的の一つは、性能が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。また、本発明の別の目的の一つは、発光効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供することである。
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、下記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
Figure 0007545397000002
（前記一般式（２）において、
Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
（前記一般式（１）で表される第一の化合物及び前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ９０１、Ｒ９０２、Ｒ９０３、Ｒ９０４、Ｒ９０５、Ｒ９０６、Ｒ９０７、Ｒ８０１及びＲ８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ９０１が複数存在する場合、複数のＲ９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０２が複数存在する場合、複数のＲ９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０３が複数存在する場合、複数のＲ９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０４が複数存在する場合、複数のＲ９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０５が複数存在する場合、複数のＲ９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０６が複数存在する場合、複数のＲ９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０７が複数存在する場合、複数のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも２つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、単結合であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、０であり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基
であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
Ａｒ１０１は、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１Ａ）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Figure 0007545397000009
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ａ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ａ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ａ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ａ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３及びＲ１３４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ１３５～Ｒ１３８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３及びＲ１３４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ａ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１Ｂ）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、前記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Figure 0007545397000010
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｂ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｂ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｂ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｂ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ただし、Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうち、少なくとも１つは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ｂ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１Ｃ）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、下記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Figure 0007545397000011
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｃ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｃ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｃ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｃ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３７、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３７、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ｃ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１Ｄ）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、下記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Figure 0007545397000012
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｄ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｄ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｄ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｄ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３５、Ｒ１３６並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３５、Ｒ１３６並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ｄ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、前記第一の発光層は、下記一般式（１１Ｅ）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、下記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
Figure 0007545397000013
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｅ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｅ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｅ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｅ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１Ｅ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
本発明の一態様によれば、前述の本発明の一態様に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器が提供される。
本発明の一態様によれば、性能が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。また、本発明の一態様によれば、発光効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。また、本発明の一態様によれば、当該有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器を提供できる。
本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の一例の概略構成を示す図である。
［定義］
本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、及び三重水素（tritium）を包含する。
本明細書において、化学構造式中、「Ｒ」等の記号や重水素原子を表す「Ｄ」が明示されていない結合可能位置には、水素原子、即ち、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子が結合しているものとする。
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、例えば、９，９－ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’－スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
また、ベンゼン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ベンゼン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているベンゼン環の環形成炭素数は、６である。また、ナフタレン環に置換基として、例えば、アルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、ナフタレン環の環形成炭素数に含めない。そのため、アルキル基が置換しているナフタレン環の環形成炭素数は、１０である。
本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば、単環、縮合環、及び環集合）の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、及び複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、別途記載のない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。例えば、ピリジン環に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子の数は、ピリジン環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているピリジン環の環形成原子数は、６である。また、例えば、キナゾリン環の炭素原子に結合している水素原子、又は置換基を構成する原子については、キナゾリン環の環形成原子数の数に含めない。そのため、水素原子、又は置換基が結合しているキナゾリン環の環形成原子数は１０である。
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表し、置換されている場合の置換基の炭素数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表し、置換されている場合の置換基の原子数を含めない。ここで、「ＹＹ」は、「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」は、１以上の整数を意味し、「ＹＹ」は、２以上の整数を意味する。
本明細書において、無置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「無置換のＺＺ基」である場合を表し、置換のＺＺ基とは「置換もしくは無置換のＺＺ基」が「置換のＺＺ基」である場合を表す。
本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とは、ＺＺ基における水素原子が置換基と置き換わっていないことを意味する。「無置換のＺＺ基」における水素原子は、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子である。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とは、ＺＺ基における１つ以上の水素原子が、置換基と置き換わっていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基と置き換わっていることを意味する。
「本明細書に記載の置換基」
以下、本明細書に記載の置換基について説明する。
本明細書に記載の「無置換のアリール基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルケニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のアルキニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
本明細書に記載の「無置換のシクロアルキル基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、３～５０であり、好ましくは３～２０、より好ましくは３～６である。
本明細書に記載の「無置換のアリーレン基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
本明細書に記載の「無置換の２価の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
本明細書に記載の「無置換のアルキレン基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
・「置換もしくは無置換のアリール基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」の具体例（具体例群Ｇ１）としては、以下の無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）及び置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「無置換のアリール基」である場合を指し、置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「置換のアリール基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アリール基」という場合は、「無置換のアリール基」と「置換のアリール基」の両方を含む。
「置換のアリール基」は、「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアリール基」としては、例えば、下記具体例群Ｇ１Ａの「無置換のアリール基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの置換のアリール基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアリール基」の例、及び「置換のアリール基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアリール基」には、下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」におけるアリール基自体の炭素原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ１Ｂの「置換のアリール基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ａ）：
フェニル基、
ｐ－ビフェニル基、
ｍ－ビフェニル基、
ｏ－ビフェニル基、
ｐ－ターフェニル－４－イル基、
ｐ－ターフェニル－３－イル基、
ｐ－ターフェニル－２－イル基、
ｍ－ターフェニル－４－イル基、
ｍ－ターフェニル－３－イル基、
ｍ－ターフェニル－２－イル基、
ｏ－ターフェニル－４－イル基、
ｏ－ターフェニル－３－イル基、
ｏ－ターフェニル－２－イル基、
１－ナフチル基、
２－ナフチル基、
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオレニル基、
９，９’－スピロビフルオレニル基、
ベンゾフルオレニル基、
ジベンゾフルオレニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、
ペリレニル基、及び
下記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価のアリール基。
・置換のアリール基（具体例群Ｇ１Ｂ）：
ｏ－トリル基、
ｍ－トリル基、
ｐ－トリル基、
パラ－キシリル基、
メタ－キシリル基、
オルト－キシリル基、
パラ－イソプロピルフェニル基、
メタ－イソプロピルフェニル基、
オルト－イソプロピルフェニル基、
パラ－ｔ－ブチルフェニル基、
メタ－ｔ－ブチルフェニル基、
オルト－ｔ－ブチルフェニル基、
３，４，５－トリメチルフェニル基、
９，９－ジメチルフルオレニル基、
９，９－ジフェニルフルオレニル基、
９，９－ビス（４－メチルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）フルオレニル基、
シアノフェニル基、
トリフェニルシリルフェニル基、
トリメチルシリルフェニル基、
フェニルナフチル基、
ナフチルフェニル基、及び
前記一般式（ＴＥＭＰ－１）～（ＴＥＭＰ－１５）で表される環構造から誘導される１価の基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基。
・「置換もしくは無置換の複素環基」
本明細書に記載の「複素環基」は、環形成原子にヘテロ原子を少なくとも１つ含む環状の基である。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、及びホウ素原子が挙げられる。
本明細書に記載の「複素環基」は、単環の基であるか、又は縮合環の基である。
本明細書に記載の「複素環基」は、芳香族複素環基であるか、又は非芳香族複素環基である。
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ２）としては、以下の無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ）、及び置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「無置換の複素環基」である場合を指し、置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「置換の複素環基」である場合を指す。）本明細書において、単に「複素環基」という場合は、「無置換の複素環基」と「置換の複素環基」の両方を含む。
「置換の複素環基」は、「無置換の複素環基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換の複素環基」の具体例は、下記具体例群Ｇ２Ａの「無置換の複素環基」の水素原子が置き換わった基、及び下記具体例群Ｇ２Ｂの置換の複素環基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換の複素環基」の例や「置換の複素環基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換の複素環基」には、具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における複素環基自体の環形成原子に結合する水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ２Ｂの「置換の複素環基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
具体例群Ｇ２Ａは、例えば、以下の窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）、酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）、硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）を含む。
具体例群Ｇ２Ｂは、例えば、以下の窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）、酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）、硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）、及び下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）を含む。
・窒素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ１）：
ピロリル基、
イミダゾリル基、
ピラゾリル基、
トリアゾリル基、
テトラゾリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ピリジル基、
ピリダジニル基、
ピリミジニル基、
ピラジニル基、
トリアジニル基、
インドリル基、
イソインドリル基、
インドリジニル基、
キノリジニル基、
キノリル基、
イソキノリル基、
シンノリル基、
フタラジニル基、
キナゾリニル基、
キノキサリニル基、
ベンゾイミダゾリル基、
インダゾリル基、
フェナントロリニル基、
フェナントリジニル基、
アクリジニル基、
フェナジニル基、
カルバゾリル基、
ベンゾカルバゾリル基、
モルホリノ基、
フェノキサジニル基、
フェノチアジニル基、
アザカルバゾリル基、及びジアザカルバゾリル基。
・酸素原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ２）：
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ナフトベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及び
ジアザナフトベンゾフラニル基。
・硫黄原子を含む無置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ３）：
チエニル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基）、
イソベンゾチオフェニル基（イソベンゾチエニル基）、
ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基）、
ナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基）、
ベンゾチアゾリル基、
ベンゾイソチアゾリル基、
フェノチアジニル基、
ジナフトチオフェニル基（ジナフトチエニル基）、
アザジベンゾチオフェニル基（アザジベンゾチエニル基）、
ジアザジベンゾチオフェニル基（ジアザジベンゾチエニル基）、
アザナフトベンゾチオフェニル基（アザナフトベンゾチエニル基）、及び
ジアザナフトベンゾチオフェニル基（ジアザナフトベンゾチエニル基）。
・下記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の複素環基（具体例群Ｇ２Ａ４）：
前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、ＸＡ及びＹＡは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、又はＣＨ２である。ただし、ＸＡ及びＹＡのうち少なくとも１つは、酸素原子、硫黄原子、又はＮＨである。
前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）において、ＸＡ及びＹＡの少なくともいずれかがＮＨ、又はＣＨ２である場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基には、これらＮＨ、又はＣＨ２から１つの水素原子を除いて得られる１価の基が含まれる。
・窒素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ１）：
（９－フェニル）カルバゾリル基、
（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、
（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、
（９－ナフチル）カルバゾリル基、
ジフェニルカルバゾール－９－イル基、
フェニルカルバゾール－９－イル基、
メチルベンゾイミダゾリル基、
エチルベンゾイミダゾリル基、
フェニルトリアジニル基、
ビフェニリルトリアジニル基、
ジフェニルトリアジニル基、
フェニルキナゾリニル基、及び
ビフェニリルキナゾリニル基。
・酸素原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ２）：
フェニルジベンゾフラニル基、
メチルジベンゾフラニル基、
ｔ－ブチルジベンゾフラニル基、及び
スピロ［９Ｈ－キサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。
・硫黄原子を含む置換の複素環基（具体例群Ｇ２Ｂ３）：
フェニルジベンゾチオフェニル基、
メチルジベンゾチオフェニル基、
ｔ－ブチルジベンゾチオフェニル基、及び
スピロ［９Ｈ－チオキサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基。
・前記一般式（ＴＥＭＰ－１６）～（ＴＥＭＰ－３３）で表される環構造から誘導される１価の複素環基の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基（具体例群Ｇ２Ｂ４）：
前記「１価の複素環基の１つ以上の水素原子」とは、該１価の複素環基の環形成炭素原子に結合している水素原子、ＸＡ及びＹＡの少なくともいずれかがＮＨである場合の窒素原子に結合している水素原子、及びＸＡ及びＹＡの一方がＣＨ２である場合のメチレン基の水素原子から選ばれる１つ以上の水素原子を意味する。
・「置換もしくは無置換のアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ３）としては、以下の無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）が挙げられる。（ここで、無置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「無置換のアルキル基」である場合を指し、置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「置換のアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキル基」という場合は、「無置換のアルキル基」と「置換のアルキル基」の両方を含む。
「置換のアルキル基」は、「無置換のアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキル基」（具体例群Ｇ３Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）の例等が挙げられる。本明細書において、「無置換のアルキル基」におけるアルキル基は、鎖状のアルキル基を意味する。そのため、「無置換のアルキル基」は、直鎖である「無置換のアルキル基」、及び分岐状である「無置換のアルキル基」が含まれる。尚、ここに列挙した「無置換のアルキル基」の例や「置換のアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルキル基」には、具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」におけるアルキル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ３Ｂの「置換のアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ａ）：
メチル基、
エチル基、
ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、
イソブチル基、
ｓ－ブチル基、及びｔ－ブチル基。
・置換のアルキル基（具体例群Ｇ３Ｂ）：ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、
ペンタフルオロエチル基、
２，２，２－トリフルオロエチル基、及び
トリフルオロメチル基。
・「置換もしくは無置換のアルケニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルケニル基」の具体例（具体例群Ｇ４）としては、以下の無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルケニル基とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「無置換のアルケニル基」である場合を指し、「置換のアルケニル基」とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「置換のアルケニル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「アルケニル基」という場合は、「無置換のアルケニル基」と「置換のアルケニル基」の両方を含む。
「置換のアルケニル基」は、「無置換のアルケニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルケニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルケニル基」（具体例群Ｇ４Ａ）が置換基を有する基、及び置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルケニル基」の例や「置換のアルケニル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルケニル基」には、具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」におけるアルケニル基自体の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ４Ｂの「置換のアルケニル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ａ）：
ビニル基、
アリル基、
１－ブテニル基、
２－ブテニル基、及び
３－ブテニル基。
・置換のアルケニル基（具体例群Ｇ４Ｂ）：
１，３－ブタンジエニル基、
１－メチルビニル基、
１－メチルアリル基、
１，１－ジメチルアリル基、
２－メチルアリル基、及び
１，２－ジメチルアリル基。
・「置換もしくは無置換のアルキニル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキニル基」の具体例（具体例群Ｇ５）としては、以下の無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）等が挙げられる。（ここで、無置換のアルキニル基とは、「置換もしくは無置換のアルキニル基」が「無置換のアルキニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキニル基」という場合は、「無置換のアルキニル基」と「置換のアルキニル基」の両方を含む。
「置換のアルキニル基」は、「無置換のアルキニル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のアルキニル基」の具体例としては、下記の「無置換のアルキニル基」（具体例群Ｇ５Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基等が挙げられる。
・無置換のアルキニル基（具体例群Ｇ５Ａ）：エチニル基
・「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ６）としては、以下の無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）等が挙げられる。（ここで、無置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「無置換のシクロアルキル基」である場合を指し、置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「置換のシクロアルキル基」である場合を指す。）本明細書において、単に「シクロアルキル基」という場合は、「無置換のシクロアルキル基」と「置換のシクロアルキル基」の両方を含む。
「置換のシクロアルキル基」は、「無置換のシクロアルキル基」における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。「置換のシクロアルキル基」の具体例としては、下記の「無置換のシクロアルキル基」（具体例群Ｇ６Ａ）における１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のシクロアルキル基」の例や「置換のシクロアルキル基」の例は、一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のシクロアルキル基」には、具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」におけるシクロアルキル基自体の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基、及び具体例群Ｇ６Ｂの「置換のシクロアルキル基」における置換基の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。
・無置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ａ）：
シクロプロピル基、
シクロブチル基、
シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、
１－アダマンチル基、
２－アダマンチル基、
１－ノルボルニル基、及び
２－ノルボルニル基。
・置換のシクロアルキル基（具体例群Ｇ６Ｂ）：
４－メチルシクロヘキシル基。
・「－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基の具体例（具体例群Ｇ７）としては、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。
・「－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基」
本明細書に記載の－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基の具体例（具体例群Ｇ８）としては、
－Ｏ（Ｇ１）、
－Ｏ（Ｇ２）、
－Ｏ（Ｇ３）、及び
－Ｏ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
・「－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基」
本明細書に記載の－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基の具体例（具体例群Ｇ９）としては、
－Ｓ（Ｇ１）、
－Ｓ（Ｇ２）、
－Ｓ（Ｇ３）、及び
－Ｓ（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
・「－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基」
本明細書に記載の－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基の具体例（具体例群Ｇ１０）としては、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）、及び
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。
ここで、
Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。
Ｇ２は、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」である。
Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。
Ｇ６は、具体例群Ｇ６に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」である。
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）における複数のＧ１は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）における複数のＧ２は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）における複数のＧ６は、互いに同一であるか、又は異なる。
・「ハロゲン原子」
本明細書に記載の「ハロゲン原子」の具体例（具体例群Ｇ１１）としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のフルオロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がフッ素原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がフッ素原子で置き換わった基（パーフルオロ基）も含む。「無置換のフルオロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のフルオロアルキル基」は、「フルオロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のフルオロアルキル基」には、「置換のフルオロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のフルオロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のフルオロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がフッ素原子と置き換わった基の例等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換のハロアルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のハロアルキル基」は、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している少なくとも１つの水素原子がハロゲン原子と置き換わった基を意味し、「置換もしくは無置換のアルキル基」におけるアルキル基を構成する炭素原子に結合している全ての水素原子がハロゲン原子で置き換わった基も含む。「無置換のハロアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。「置換のハロアルキル基」は、「ハロアルキル基」の１つ以上の水素原子が置換基と置き換わった基を意味する。尚、本明細書に記載の「置換のハロアルキル基」には、「置換のハロアルキル基」におけるアルキル鎖の炭素原子に結合する１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基、及び「置換のハロアルキル基」における置換基の１つ以上の水素原子がさらに置換基と置き換わった基も含まれる。「無置換のハロアルキル基」の具体例としては、前記「アルキル基」（具体例群Ｇ３）における１つ以上の水素原子がハロゲン原子と置き換わった基の例等が挙げられる。ハロアルキル基をハロゲン化アルキル基と称する場合がある。
・「置換もしくは無置換のアルコキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルコキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルコキシ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。
・「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキルチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。「無置換のアルキルチオ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～１８である。
・「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールオキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールオキシ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。
・「置換もしくは無置換のアリールチオ基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリールチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。「無置換のアリールチオ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０であり、より好ましくは６～１８である。
・「置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基」
本明細書に記載の「トリアルキルシリル基」の具体例としては、－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」である。－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）における複数のＧ３は、互いに同一であるか、又は異なる。「トリアルキルシリル基」の各アルキル基の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０であり、より好ましくは１～６である。
・「置換もしくは無置換のアラルキル基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、－（Ｇ３）－（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ３は、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」であり、Ｇ１は、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」である。従って、「アラルキル基」は、「アルキル基」の水素原子が置換基としての「アリール基」と置き換わった基であり、「置換のアルキル基」の一態様である。「無置換のアラルキル基」は、「無置換のアリール基」が置換した「無置換のアルキル基」であり、「無置換のアラルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、７～５０であり、好ましくは７～３０であり、より好ましくは７～１８である。
「置換もしくは無置換のアラルキル基」の具体例としては、ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、及び２－β－ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。
本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリール基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはフェニル基、ｐ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｏ－ビフェニル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－ターフェニル－３－イル基、ｏ－ターフェニル－２－イル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’－スピロビフルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、及び９，９－ジフェニルフルオレニル基等である。
本明細書に記載の置換もしくは無置換の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾイミダゾリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基（１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、又は９－カルバゾリル基）、ベンゾカルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、（９－フェニル）カルバゾリル基（（９－フェニル）カルバゾール－１－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－２－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－３－イル基、又は（９－フェニル）カルバゾール－４－イル基）、（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルトリアジニル基、ビフェニリルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、フェニルジベンゾフラニル基、及びフェニルジベンゾチオフェニル基等である。
本明細書において、カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。
本明細書において、（９－フェニル）カルバゾリル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－Ｃｚ１）～（ＴＥＭＰ－Ｃｚ９）中、＊は、結合位置を表す。
本明細書において、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチオフェニル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－３４）～（ＴＥＭＰ－４１）中、＊は、結合位置を表す。
本明細書に記載の置換もしくは無置換のアルキル基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、及びｔ－ブチル基等である。
・「置換もしくは無置換のアリーレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリーレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換の２価の複素環基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換の２価の複素環基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」から複素環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。
・「置換もしくは無置換のアルキレン基」
本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキレン基」は、別途記載のない限り、上記「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である。「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」からアルキル鎖上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基等が挙げられる。
本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリーレン基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－６８）のいずれかの基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、Ｑ１～Ｑ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－４２）～（ＴＥＭＰ－５２）中、＊は、結合位置を表す。
前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、Ｑ１～Ｑ１０は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
式Ｑ９及びＱ１０は、単結合を介して互いに結合して環を形成してもよい。
前記一般式（ＴＥＭＰ－５３）～（ＴＥＭＰ－６２）中、＊は、結合位置を表す。
前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、Ｑ１～Ｑ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－６３）～（ＴＥＭＰ－６８）中、＊は、結合位置を表す。
本明細書に記載の置換もしくは無置換の２価の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは下記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－１０２）のいずれかの基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－６９）～（ＴＥＭＰ－８２）中、Ｑ１～Ｑ９は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
前記一般式（ＴＥＭＰ－８３）～（ＴＥＭＰ－１０２）中、Ｑ１～Ｑ８は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。
以上が、「本明細書に記載の置換基」についての説明である。
・「結合して環を形成する場合」
本明細書において、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は互いに結合せず」という場合は、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合と、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合しない」場合と、を意味する。
本明細書における、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（以下、これらの場合をまとめて「結合して環を形成する場合」と称する場合がある。）について、以下、説明する。母骨格がアントラセン環である下記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物の場合を例として説明する。
例えば、Ｒ９２１～Ｒ９３０のうちの「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、環を形成する」場合において、１組となる隣接する２つからなる組とは、Ｒ９２１とＲ９２２との組、Ｒ９２２とＲ９２３との組、Ｒ９２３とＲ９２４との組、Ｒ９２４とＲ９３０との組、Ｒ９３０とＲ９２５との組、Ｒ９２５とＲ９２６との組、Ｒ９２６とＲ９２７との組、Ｒ９２７とＲ９２８との組、Ｒ９２８とＲ９２９との組、並びにＲ９２９とＲ９２１との組である。
上記「１組以上」とは、上記隣接する２つ以上からなる組の２組以上が同時に環を形成してもよいことを意味する。例えば、Ｒ９２１とＲ９２２とが互いに結合して環ＱＡを形成し、同時にＲ９２５とＲ９２６とが互いに結合して環ＱＢを形成した場合は、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）で表される。
「隣接する２つ以上からなる組」が環を形成する場合とは、前述の例のように隣接する「２つ」からなる組が結合する場合だけではなく、隣接する「３つ以上」からなる組が結合する場合も含む。例えば、Ｒ９２１とＲ９２２とが互いに結合して環ＱＡを形成し、かつ、Ｒ９２２とＲ９２３とが互いに結合して環ＱＣを形成し、互いに隣接する３つ（Ｒ９２１、Ｒ９２２及びＲ９２３）からなる組が互いに結合して環を形成して、アントラセン母骨格に縮合する場合を意味し、この場合、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０３）で表されるアントラセン化合物は、下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）で表される。下記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において、環ＱＡ及び環ＱＣは、Ｒ９２２を共有する。
形成される「単環」、又は「縮合環」は、形成された環のみの構造として、飽和の環であっても不飽和の環であってもよい。「隣接する２つからなる組の１組」が「単環」、又は「縮合環」を形成する場合であっても、当該「単環」、又は「縮合環」は、飽和の環、又は不飽和の環を形成することができる。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）において形成された環ＱＡ及び環ＱＢは、それぞれ、「単環」又は「縮合環」である。また、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）において形成された環ＱＡ、及び環ＱＣは、「縮合環」である。前記一般式（ＴＥＭＰ－１０５）の環ＱＡと環ＱＣとは、環ＱＡと環ＱＣとが縮合することによって縮合環となっている。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環ＱＡがベンゼン環であれば、環ＱＡは、単環である。前記一般式（ＴＭＥＰ－１０４）の環ＱＡがナフタレン環であれば、環ＱＡは、縮合環である。
「不飽和の環」とは、芳香族炭化水素環、又は芳香族複素環を意味する。「飽和の環」とは、脂肪族炭化水素環、又は非芳香族複素環を意味する。
芳香族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ１において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
芳香族複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２において具体例として挙げられた芳香族複素環基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
脂肪族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ６において具体例として挙げられた基が水素原子によって終端された構造が挙げられる。
「環を形成する」とは、母骨格の複数の原子のみ、あるいは母骨格の複数の原子とさらに１以上の任意の元素で環を形成することを意味する。例えば、前記一般式（ＴＥＭＰ－１０４）に示す、Ｒ９２１とＲ９２２とが互いに結合して形成された環ＱＡは、Ｒ９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、１以上の任意の元素とで形成する環を意味する。具体例としては、Ｒ９２１とＲ９２２とで環ＱＡを形成する場合において、Ｒ９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ９２２とが結合するアントラセン骨格の炭素原子と、４つの炭素原子とで単環の不飽和の環を形成する場合、Ｒ９２１とＲ９２２とで形成する環は、ベンゼン環である。
ここで、「任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素である。任意の元素において（例えば、炭素元素、又は窒素元素の場合）、環を形成しない結合は、水素原子等で終端されてもよいし、後述する「任意の置換基」で置換されてもよい。炭素元素以外の任意の元素を含む場合、形成される環は複素環である。
単環または縮合環を構成する「１以上の任意の元素」は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは２個以上１５個以下であり、より好ましくは３個以上１２個以下であり、さらに好ましくは３個以上５個以下である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」、及び「縮合環」のうち、好ましくは「単環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「飽和の環」、及び「不飽和の環」のうち、好ましくは「不飽和の環」である。
本明細書に別途記載のない限り、「単環」は、好ましくはベンゼン環である。
本明細書に別途記載のない限り、「不飽和の環」は、好ましくはベンゼン環である。
「隣接する２つ以上からなる組の１組以上」が、「互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、又は「互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは、隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、母骨格の複数の原子と、１個以上１５個以下の炭素元素、窒素元素、酸素元素、及び硫黄元素からなる群から選択される少なくとも１種の元素とからなる置換もしくは無置換の「不飽和の環」を形成する。
上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
上記の「飽和の環」、又は「不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「単環」、又は「縮合環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。
以上が、「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成する」場合、及び「隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成する」場合（「結合して環を形成する場合」）についての説明である。
・「置換もしくは無置換の」という場合の置換基
本明細書における一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基（本明細書において、「任意の置換基」と呼ぶことがある。）は、例えば、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）、
－Ｏ－（Ｒ９０４）、
－Ｓ－（Ｒ９０５）、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基等であり、
ここで、Ｒ９０１～Ｒ９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
Ｒ９０１が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０２が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０３が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０３は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０４が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０４は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０５が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０５は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０６が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０６は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０７が２個以上存在する場合、２個以上のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なる。
一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～５０のアルキル基、
環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
環形成原子数５～５０の複素環基
からなる群から選択される基である。
一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～１８のアルキル基、
環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
環形成原子数５～１８の複素環基
からなる群から選択される基である。
上記任意の置換基の各基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基の具体例である。
本明細書において別途記載のない限り、隣接する任意の置換基同士で、「飽和の環」、又は「不飽和の環」を形成してもよく、好ましくは、置換もしくは無置換の飽和の５員環、置換もしくは無置換の飽和の６員環、置換もしくは無置換の不飽和の５員環、又は置換もしくは無置換の不飽和の６員環を形成し、より好ましくは、ベンゼン環を形成する。
本明細書において別途記載のない限り、任意の置換基は、さらに置換基を有してもよい。任意の置換基がさらに有する置換基としては、上記任意の置換基と同様である。
本明細書において、「ＡＡ～ＢＢ」を用いて表される数値範囲は、「ＡＡ～ＢＢ」の前に記載される数値ＡＡを下限値とし、「ＡＡ～ＢＢ」の後に記載される数値ＢＢを上限値として含む範囲を意味する。
〔第一実施形態〕
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有する。前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を少なくとも１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、前記第二の発光層は、下記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有する。本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している。
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と、第一の発光層と、第二の発光層と、陰極とをこの順に有している。
本明細書において、「第一の発光層と第二の発光層とが、直接、接している」層構造は、例えば、以下の態様（ＬＳ１）、（ＬＳ２）及び（ＬＳ３）のいずれかの態様も含み得る。
（ＬＳ１）第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一の化合物及び第二の化合物の両方が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ２）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で第一の化合物、第二の化合物及び発光性の化合物が混在する領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
（ＬＳ３）第一の発光層及び第二の発光層が発光性の化合物を含む場合に、第一の発光層に係る化合物の蒸着の工程と第二の発光層に係る化合物の蒸着の工程を経る過程で当該発光性の化合物からなる領域、第一の化合物からなる領域、又は第二の化合物からなる領域が生じ、当該領域が第一の発光層と第二の発光層との界面に存在する態様。
本明細書において、「ホスト材料」とは、例えば、「層の５０質量％以上」含まれる材料である。したがって、例えば、第一の発光層は、下記一般式（１）で表される第一の化合物を、第一の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。第二の発光層は、例えば、下記一般式（２）で表される第二の化合物を、第二の発光層の全質量の５０質量％以上、含有する。
（有機ＥＬ素子の発光波長）
本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に主ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の光を放射することが好ましい。
素子駆動時に有機ＥＬ素子が放射する光の主ピーク波長の測定は、以下のようにして行う。電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ社製）で計測する。得られた分光放射輝度スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を測定し、これを主ピーク波長（単位：ｎｍ）とする。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、第一の発光層及び第二の発光層以外に、１以上の有機層を有していてもよい。有機層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層及び電子障壁層からなる群から選択される少なくともいずれかの層が挙げられる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、有機層は、第一の発光層及び第二の発光層だけで構成されていてもよいが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、及び電子障壁層等からなる群から選択される少なくともいずれかの層をさらに有していてもよい。
（正孔輸送層）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記陽極と、前記第一の発光層との間に、正孔輸送層を有することが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記陰極と、前記第二の発光層との間に、電子輸送層を有することが好ましい。
図１に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機層１０と、を含む。有機層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層６、正孔輸送層７、第一の発光層５１、第二の発光層５２、電子輸送層８、及び電子注入層９が、この順番で積層されて構成される。
（第一の化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１）で表される化合物である。
（前記一般式（１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
（本実施形態に係る第一の化合物中、Ｒ９０１、Ｒ９０２、Ｒ９０３、Ｒ９０４、Ｒ９０５、Ｒ９０６、Ｒ９０７、Ｒ８０１及びＲ８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ９０１が複数存在する場合、複数のＲ９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０２が複数存在する場合、複数のＲ９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０３が複数存在する場合、複数のＲ９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０４が複数存在する場合、複数のＲ９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０５が複数存在する場合、複数のＲ９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０６が複数存在する場合、複数のＲ９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０７が複数存在する場合、複数のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基は、下記一般式（１１１）で表される基であることが好ましい。
（前記一般式（１１１）において、
Ｘ１は、ＣＲ１２３Ｒ１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ１２５であり、
Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
Ａｒ１０１は、前記一般式（１１）におけるＡｒ１０１と同義であり、
Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１）中、
Ｘ１は、ＣＲ１２３Ｒ１２４であり、
Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
Ａｒ１０１は、前記一般式（１１）におけるＡｒ１０１と同義であり、
Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、及びＲ１２４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なることが好ましい。
前記一般式（１１１）で表される基における下記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の炭素原子＊１～＊８の位置のうち、＊１～＊４のいずれか１つの位置にＬ１１１が結合し、＊１～＊４の残りの３つの位置にＲ１２１が結合し、＊５～＊８のいずれか１つの位置にＬ１１２が結合し、＊５～＊８の残りの３つの位置にＲ１２２が結合する。
例えば、前記一般式（１１１）で表される基において、Ｌ１１１が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊２の炭素原子の位置に結合し、Ｌ１１２が前記一般式（１１１ａ）で表される環構造中の＊７の炭素原子の位置に結合する場合、前記一般式（１１１）で表される基は、下記一般式（１１１ｂ）で表される。
（前記一般式（１１１ｂ）において、
Ｘ１、Ｌ１１１、Ｌ１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ１０１、Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５は、それぞれ独立に、前記一般式（１１１）におけるＸ１、Ｌ１１１、Ｌ１１２、ｍａ、ｍｂ、Ａｒ１０１、Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５と同義であり、
複数のＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
複数のＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１１）で表される基は、前記一般式（１１１ｂ）で表される基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
ｍａは、０、１又は２であり、
ｍｂは、０、１又は２である、ことが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
ｍａは、０又は１であり、
ｍｂは、０又は１であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ａｒ１０１は、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニル基、
置換もしくは無置換のターフェニル基、
置換もしくは無置換のピレニル基、
置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
置換もしくは無置換のフルオレニル基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ａｒ１０１は、下記一般式（１２）、一般式（１３）又は一般式（１４）で表される基であることも好ましい。
（前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）において、
Ｒ１１１～Ｒ１２０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ１２４で表される基、
－ＣＯＯＲ１２５で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１２）、一般式（１３）及び一般式（１４）中の＊は、前記一般式（１１）中のＬ１０１との結合位置、又は前記一般式（１１１）もしくは一般式（１１１ｂ）中のＬ１１２との結合位置を示す。）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記第一の化合物は、下記一般式（１０１）で表されることが好ましい。
（前記一般式（１０１）において、
Ｒ１０１～Ｒ１２０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち１つがＬ１０１との結合位置を示し、Ｒ１１１～Ｒ１２０のうち１つがＬ１０１との結合位置を示し、
Ｌ１０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ｌ１０１は、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記第一の化合物は、下記一般式（１０２）で表されることが好ましい。
（前記一般式（１０２）において、
Ｒ１０１～Ｒ１２０は、それぞれ独立に、前記一般式（１０１）におけるＲ１０１～Ｒ１２０と同義であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち１つがＬ１１１との結合位置を示し、Ｒ１１１～Ｒ１２０のうち１つがＬ１１２との結合位置を示し、
Ｘ１は、ＣＲ１２３Ｒ１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ１２５であり、
Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、０、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、０、１、２、３又は４であり、
Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
前記一般式（１０２）で表される化合物において、
ｍａは、０、１又は２であり、
ｍｂは、０、１又は２であることが好ましい。
前記一般式（１０２）で表される化合物において、
ｍａは、０又は１であり、
ｍｂは、０又は１であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であり、かつ、Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、置換もしくは無置換のピレニル基を含まないことも好ましい。
Ａｒ１０１が、置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である場合、Ａｒ１０１としてのアリール基が有する置換基は、複素環基ではないことも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、前記一般式（１１）で表される基を少なくとも２つ有することも好ましい。
第一の化合物が、前記一般式（１１）で表される基を少なくとも２つ有する場合において、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち２つ以上が、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、単結合であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、０であり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なることも好ましい。
ｍｘが０の場合、Ａｒ１０１が前記一般式（１）中のピレン環と単結合で結合する。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち２つ又は３つが、前記一般式（１１）で表される基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なることも好ましい。
Ｒ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基は、単環の複素環基、２つの環が縮合した複素環基、及び３つの環が縮合した複素環基からなる群から選ばれる複素環基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち１つ又は２つが、前記一般式（１１）で表される基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、かつＬ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なることが好ましく、Ｌ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であることがより好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１）で表される基であり、
前記一般式（１１）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１）で表される基は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｌ１０１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ１０１が２以上存在する場合、２以上のＡｒ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示すことも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のターフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のフルオレンジイル基、及び置換もしくは無置換のフェナントリレン基からなる群から選択される少なくともいずれかのアリーレン基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフランジイル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基、及び置換もしくは無置換のカルバゾールジイル基からなる群から選択される少なくともいずれかの２価の複素環基であるであることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、少なくとも１つのＬ１０１は、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のターフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のフルオレンジイル基、及び置換もしくは無置換のフェナントリレン基からなる群から選択される少なくともいずれかのアリーレン基であるであることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、少なくとも１つのＬ１０１は、置換もしくは無置換のジベンゾフランジイル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基、及び置換もしくは無置換のカルバゾールジイル基からなる群から選択される少なくともいずれかの２価の複素環基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、少なくとも１つのＬ１０１は、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のターフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のフルオレンジイル基、及び置換もしくは無置換のフェナントリレン基からなる群から選択される少なくともいずれかのアリーレン基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、少なくとも１つのＬ１０１は、置換もしくは無置換のジベンゾフランジイル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基、及び置換もしくは無置換のカルバゾールジイル基からなる群から選択される少なくともいずれかの２価の複素環基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ１０１は、４つ以上の環が縮合したアリール基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ１０１は、４つ以上の環が縮合した複素環基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ１０１は、４つ以上の環が縮合した複素環基であり、ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、少なくとも１つのＬ１０１は、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のターフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のフルオレンジイル基、及び置換もしくは無置換のフェナントリレン基からなる群から選択される少なくともいずれかのアリーレン基であることも好ましい。
一実施形態において、第一の化合物は、分子中にピレン環を１つのみ有する化合物（モノピレン化合物と称する場合がある。）である。
第一の化合物がモノピレン化合物であって、Ａｒ１０１は、４つ以上の環が縮合したアリール基又は４つ以上の環が縮合した複素環基である場合、ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、少なくとも１つのＬ１０１は、単結合ではないこと（すなわち、Ｌ１０１がアリーレン基又は２価の複素環基であること）が好ましく、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基、置換もしくは無置換のターフェニレン基、置換もしくは無置換のナフチレン基、置換もしくは無置換のフルオレンジイル基、及び置換もしくは無置換のフェナントリレン基からなる群から選択される少なくともいずれかのアリーレン基又は置換もしくは無置換のジベンゾフランジイル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェンジイル基、及び置換もしくは無置換のカルバゾールジイル基からなる群から選択される少なくともいずれかの２価の複素環基であることがより好ましい。このような連結基が、モノピレン化合物において、ピレン環と、４つ以上の環が縮合したアリール基又は４つ以上の環が縮合した複素環基との間に介在していることにより、ホール移動度の低下を抑制し、有機ＥＬ素子の発光効率の低下も抑制できる。また、当該連結基は、電子注入性低下のおそれがあるため、カルバゾール環を含まないことが好ましい。モノピレン化合物において、ピレン環と、４つ以上の環が縮合したアリール基又は４つ以上の環が縮合した複素環基との間に介在する連結基を有することにより、当該モノピレン化合物を含有する発光層への電子注入性が低下することを抑制し、有機ＥＬ素子の発光効率の低下も抑制できる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ａｒ１０１は、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニル基、
置換もしくは無置換のターフェニル基、
置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
置換もしくは無置換のフルオレニル基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１～Ｒ１１０のうち１つが、前記一般式（１１）で表される基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍｘが、１であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、水素原子であることが好ましい。
前記第一の化合物及び前記第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち２つが一般式（１１）で表される基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち３つが一般式（１１）で表される基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち４つが一般式（１１）で表される基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが１以上である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが０であり、Ａｒ１０１が置換もしくは無置換のアリール基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが０であり、Ａｒ１０１が置換もしくは無置換の窒素原子を含む複素環基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが０であり、Ａｒ１０１が置換もしくは無置換の硫黄原子を含む複素環基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが０であり、Ａｒ１０１が置換もしくは無置換の
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及び
ジアザナフトベンゾフラニル基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが０であり、Ａｒ１０１が無置換の
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、及び
ジアザナフトベンゾフラニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが０であり、Ａｒ１０１が置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１）で表される第一の化合物中のＲ１０１ないしＲ１１０のうち１つが一般式（１１）で表される基であり、ｍｘが０であり、Ａｒ１０１が無置換のジベンゾフラニル基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１０１）で表される第一の化合物中のｍｘが２以上である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１０１）で表される第一の化合物中のｍｘが１以上であり、Ｌ１０１は環形成炭素数６～２４のアリーレン基、または環形成原子数５～２４の２価の複素環基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
例えば、前記一般式（１０１）で表される第一の化合物中のｍｘが１以上であり、Ｌ１０１は環形成炭素数６～１８のアリーレン基、または環形成原子数５～１８の２価の複素環基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１１Ａ）で表される基を少なくとも１つ有することも好ましい。
Figure 0007545397000042
（前記一般式（１１Ａ）において、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３及びＲ１３４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ１３５～Ｒ１３８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３及びＲ１３４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ａ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
第一の化合物が前記一般式（１１Ａ）で表される基を少なくとも１つ有する場合、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ａ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ａ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ａ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ａ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なることが好ましい。
Ｒ１３５～Ｒ１３８は、互いに結合せず、置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ置換もしくは無置換の縮合環を形成しない。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の化合物は、前記一般式（１１Ａ）で表される基を１つ有することも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１、Ｒ１０３、Ｒ１０６又はＲ１０８が、前記一般式（１１Ａ）で表される基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１３５～Ｒ１３８は、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、又は
ニトロ基であることが好ましい。
前記一般式（１１Ａ）で表される基において、Ｒ１３５～Ｒ１３８、並びに前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３及びＲ１３４は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、前記一般式（１１Ａ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１１Ｂ）で表される基を少なくとも１つ有することも好ましい。
Figure 0007545397000043
（前記一般式（１１Ｂ）において、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ただし、Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうち、少なくとも１つは、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ｂ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
第一の化合物が前記一般式（１１Ｂ）で表される基を少なくとも１つ有する場合、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｂ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｂ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｂ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｂ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、前記一般式（１１Ｂ）で表される基を１つ有することも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１、Ｒ１０３、Ｒ１０６又はＲ１０８が、前記一般式（１１Ｂ）で表される基であることも好ましい。
前記一般式（１１Ｂ）で表される基において、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、前記一般式（１１Ｂ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１１Ｃ）で表される基を少なくとも１つ有することも好ましい。
Figure 0007545397000044
（前記一般式（１１Ｃ）において、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３７、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３７、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ｃ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
第一の化合物が前記一般式（１１Ｃ）で表される基を少なくとも１つ有する場合、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｃ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｃ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｃ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｃ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、前記一般式（１１Ｃ）で表される基を１つ有することも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１、Ｒ１０３、Ｒ１０６又はＲ１０８が、前記一般式（１１Ｃ）で表される基であることも好ましい。
前記一般式（１１Ｃ）で表される基において、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３７、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、前記一般式（１１Ｃ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１１Ｄ）で表される基を少なくとも１つ有することも好ましい。
Figure 0007545397000045
（前記一般式（１１Ｄ）において、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３５、Ｒ１３６並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３５、Ｒ１３６並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（１１Ｄ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
第一の化合物が前記一般式（１１Ｄ）で表される基を少なくとも１つ有する場合、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｄ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｄ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｄ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｄ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、前記一般式（１１Ｄ）で表される基を１つ有することも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１、Ｒ１０３、Ｒ１０６又はＲ１０８が、前記一般式（１１Ｄ）で表される基であることも好ましい。
前記一般式（１１Ｄ）で表される基において、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３、Ｒ１３４、Ｒ１３５、Ｒ１３６並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、前記一般式（１１Ｄ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、下記一般式（１１Ｅ）で表される基を少なくとも１つ有することも好ましい。
Figure 0007545397000046
（前記一般式（１１Ｅ）において、
ＸＡは、酸素原子、又は硫黄原子であり、
Ｒ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ１０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記一般式（１１Ｅ）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
第一の化合物が前記一般式（１１Ｅ）で表される基を少なくとも１つ有する場合、前記一般式（１）中、
Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
前記一般式（１１Ｅ）で表される基であり、
ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の少なくとも１つは、前記一般式（１１Ｅ）で表される基であり、
前記一般式（１１Ｅ）で表される基が複数存在する場合、複数の前記一般式（１１Ｅ）で表される基は、互いに同一であるか又は異なることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物は、前記一般式（１１Ｅ）で表される基を１つ有することも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、Ｒ１０１、Ｒ１０３、Ｒ１０６又はＲ１０８が、前記一般式（１１Ｅ）で表される基であることも好ましい。
前記一般式（１１Ｅ）で表される基において、前記置換もしくは無置換の単環を形成せず、かつ前記置換もしくは無置換の縮合環を形成しないＲ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、前記一般式（１１Ｅ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基は、置換もしくは無置換のピレニル基ではないことが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１）で表される基は、下記一般式（１１１Ｅ）で表される基であることも好ましい。
Figure 0007545397000047
（前記一般式（１１１Ｅ）において、
Ｘ１は、ＣＲ１２３Ｒ１２４、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ１２５であり、
Ｌ１１１及びＬ１１２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍａは、１、２、３又は４であり、
ｍｂは、１、２、３又は４であり、
ｍａ＋ｍｂは、２、３又は４であり、
ＸＡ、Ｒ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４は、それぞれ、前記一般式（１１Ｅ）におけるＸＡ、Ｒ１３１、Ｒ１３３～Ｒ１３５、Ｒ１３８並びにＲ１４１～Ｒ１４４と同義であり、
Ｒ１２１、Ｒ１２２、Ｒ１２３、Ｒ１２４及びＲ１２５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｃは、３であり、
３つのＲ１２１は、互いに同一であるか、又は異なり、
ｍｄは、３であり、
３つのＲ１２２は、互いに同一であるか、又は異なる。）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、１又は２であり、ｍｂは、１又は２であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、ｍａは、１であり、ｍｂは、１であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１Ａ）、一般式（１１Ｂ）、一般式（１１Ｃ）、一般式（１１Ｄ）、一般式（１１Ｅ）又は一般式（１１１Ｅ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１Ａ）、一般式（１１Ｂ）、一般式（１１Ｃ）、一般式（１１Ｄ）、一般式（１１Ｅ）又は一般式（１１１Ｅ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（１１Ａ）、一般式（１１Ｂ）、一般式（１１Ｃ）、一般式（１１Ｄ）、一般式（１１Ｅ）又は一般式（１１１Ｅ）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、水素原子であることが好ましい。
（第一の化合物の製造方法）
第一の化合物は、公知の方法により製造できる。また、第一の化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。
（第一の化合物の具体例）
第一の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物挙げられる。ただし、本発明は、これら第一の化合物の具体例に限定されない。
（第二の化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の化合物は、下記一般式（２）で表される化合物である。
Figure 0007545397000066
（前記一般式（２）において、
Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
（本実施形態に係る第二の化合物中、Ｒ９０１、Ｒ９０２、Ｒ９０３、Ｒ９０４、Ｒ９０５、Ｒ９０６、Ｒ９０７、Ｒ８０１及びＲ８０２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ９０１が複数存在する場合、複数のＲ９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０２が複数存在する場合、複数のＲ９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０３が複数存在する場合、複数のＲ９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０４が複数存在する場合、複数のＲ９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０５が複数存在する場合、複数のＲ９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０６が複数存在する場合、複数のＲ９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０７が複数存在する場合、複数のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
－ＣＯＯＲ８０２で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、又は
ニトロ基であり、
Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
フェニル基、
ナフチル基、
フェナントリル基、
ビフェニル基、
ターフェニル基、
ジフェニルフルオレニル基、
ジメチルフルオレニル基、
ベンゾジフェニルフルオレニル基、
ベンゾジメチルフルオレニル基、
ジベンゾフラニル基、
ジベンゾチエニル基、
ナフトベンゾフラニル基、又は
ナフトベンゾチエニル基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２０１）、一般式（２０２）、一般式（２０３）、一般式（２０４）、一般式（２０５）、一般式（２０６）、一般式（２０７）、一般式（２０８）又は一般式（２０９）で表される化合物であることが好ましい。
（前記一般式（２０１）～（２０９）中、
Ｌ２０１及びＡｒ２０１は、前記一般式（２）におけるＬ２０１及びＡｒ２０１と同義であり、
Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２０１～Ｒ２０８と同義である。）
前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）又は一般式（２２９）で表される化合物であることも好ましい。
（前記一般式（２２１）、一般式（２２２）、一般式（２２３）、一般式（２２４）、一般式（２２５）、一般式（２２６）、一般式（２２７）、一般式（２２８）及び一般式（２２９）において、
Ｒ２０１並びにＲ２０３～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２０１並びにＲ２０３～Ｒ２０８と同義であり、
Ｌ２０１及びＡｒ２０１は、それぞれ、前記一般式（２）におけるＬ２０１及びＡｒ２０１と同義であり、
Ｌ２０３は、前記一般式（２）におけるＬ２０１と同義であり、
Ｌ２０３とＬ２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ２０１と同義であり、
Ａｒ２０３とＡｒ２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）又は一般式（２４９）で表される化合物であることも好ましい。
（前記一般式（２４１）、一般式（２４２）、一般式（２４３）、一般式（２４４）、一般式（２４５）、一般式（２４６）、一般式（２４７）、一般式（２４８）及び一般式（２４９）において、
Ｒ２０１、Ｒ２０２並びにＲ２０４～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２０１、Ｒ２０２並びにＲ２０４～Ｒ２０８と同義であり、
Ｌ２０３は、前記一般式（２）におけるＬ２０１と同義であり、
Ｌ２０３とＬ２０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ２０３は、前記一般式（２）におけるＡｒ２０１と同義であり、
Ａｒ２０３とＡｒ２０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
前記一般式（２）で表される第二の化合物中、前記一般式（２１）で表される基ではないＲ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基であることが好ましい。
Ｌ１０１は、
単結合、又は
無置換の環形成炭素数６～２２のアリーレン基であり、
Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～２２のアリール基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８は、分子間の相互作用が抑制されることを防ぎ、電子移動度の低下を抑制する点から、水素原子であることが好ましいが、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基でもよい。
Ｒ２０１～Ｒ２０８がアルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基となった場合、分子間の相互作用が抑制され、第一の化合物に対し電子移動度が低下し、後述する下記数式（数３）に記載のμＨ２＞μＨ１の関係を満たさなくなるおそれがある。第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、μＨ２＞μＨ１の関係を満たす事で第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制することが期待できる。なお、置換基としては、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、－ＣＯＯＲ８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基がかさ高くなるおそれがあり、アルキル基、及びシクロアルキル基がさらにかさ高くなるおそれがある。
前記一般式（２）で表される第二の化合物中、アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８は、かさ高い置換基ではないことが好ましく、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、－ＣＯＯＲ８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基であることも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、
前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、水素原子であることが好ましい。
前記第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、前述のかさ高くなるおそれのある置換基、特に置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことも好ましい。Ｒ２０１～Ｒ２０８における「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、置換もしくは無置換のアルキル基、及び置換もしくは無置換のシクロアルキル基を含まないことにより、アルキル基及びシクロアルキル基等のかさ高い置換基が存在する事による分子間の相互作用が抑制されるのを防ぎ、電子移動度の低下を防ぐことができ、また、このような第二の化合物を第二の発光層に用いた場合には、第一の発光層でのホールと電子との再結合能の低下、及び発光効率の低下を抑制できる。
アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８がかさ高い置換基ではなく、置換基としてのＲ２０１～Ｒ２０８は、無置換であることがさらに好ましい。また、アントラセン骨格の置換基であるＲ２０１～Ｒ２０８がかさ高い置換基ではない場合において、かさ高くない置換基としてのＲ２０１～Ｒ２０８に置換基が結合する場合、当該置換基もかさ高い置換基ではないことが好ましく、置換基としてのＲ２０１～Ｒ２０８に結合する当該置換基は、アルキル基及びシクロアルキル基ではないことが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、ハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、アラルキル基、－Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、－ＣＯＯＲ８０２で表される基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基ではないことがより好ましい。
前記第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中のＡｒ２０１は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中のＡｒ２０１は無置換のジベンゾフラニル基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中は少なくとも１つの水素を有し、前記水素のうち少なくとも１つが重水素である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中のＬ２０１はＴＥＭＰ－６３ないしＴＥＭＰ－６８である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中のＡｒ２０１は置換もしくは無置換の
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、及び
ペリレニル基からなる群から選択される少なくともいずれかの基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中のＡｒ２０１は置換もしくは無置換のフルオレニル基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中のＡｒ２０１は置換もしくは無置換のキサンテニル基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、例えば、前記一般式（２）で表される第二の化合物中のＡｒ２０１はベンゾキサンテニル基である。
（第二の化合物の製造方法）
第二の化合物は、公知の方法により製造できる。また、第二の化合物は、公知の方法に倣い、目的物に合わせた既知の代替反応及び原料を用いることによっても、製造できる。
（第二の化合物の具体例）
第二の化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物挙げられる。ただし、本発明は、これら第二の化合物の具体例に限定されない。
Figure 0007545397000095
Figure 0007545397000097
Figure 0007545397000099
Figure 0007545397000102
Figure 0007545397000108
Figure 0007545397000114
Figure 0007545397000120
Figure 0007545397000121
Figure 0007545397000122
Figure 0007545397000123
Figure 0007545397000124
Figure 0007545397000125
Figure 0007545397000126
Figure 0007545397000127
Figure 0007545397000128
Figure 0007545397000129
Figure 0007545397000130
Figure 0007545397000131
Figure 0007545397000133
Figure 0007545397000134
Figure 0007545397000135
（第三の化合物及び第四の化合物）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層は、蛍光発光性の第三の化合物をさらに含有することも好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層は、蛍光発光性の第四の化合物をさらに含有することも好ましい。
第一の発光層が第三の化合物を含有し、かつ第二の発光層が第四の化合物を含有する場合、第三の化合物と第四の化合物とは、互いに同一であるか又は異なる。
第三の化合物及び第四の化合物は、それぞれ独立に、
下記一般式（３）で表される化合物、
下記一般式（４）で表される化合物、
下記一般式（５）で表される化合物、
下記一般式（６）で表される化合物、
下記一般式（７）で表される化合物、
下記一般式（８）で表される化合物、
下記一般式（９）で表される化合物、及び
下記一般式（１０）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物である。
（一般式（３）で表される化合物）
一般式（３）で表される化合物について説明する。
Figure 0007545397000137
（前記一般式（３）において、
Ｒ３０１～Ｒ３１０のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ３０１～Ｒ３１０の少なくとも１つは下記一般式（３１）で表される１価の基であり、
前記単環を形成せず、前記縮合環を形成せず、かつ下記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ３０１～Ｒ３１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
（前記一般式（３１）において、
Ａｒ３０１及びＡｒ３０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ３０１～Ｌ３０３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
＊は、前記一般式（３）中のピレン環における結合位置を示す。）
第三の化合物及び第四の化合物中、Ｒ９０１、Ｒ９０２、Ｒ９０３、Ｒ９０４、Ｒ９０５、Ｒ９０６及びＲ９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ９０１が複数存在する場合、複数のＲ９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０２が複数存在する場合、複数のＲ９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０３が複数存在する場合、複数のＲ９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０４が複数存在する場合、複数のＲ９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０５が複数存在する場合、複数のＲ９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０６が複数存在する場合、複数のＲ９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ９０７が複数存在する場合、複数のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なる。
前記一般式（３）において、Ｒ３０１～Ｒ３１０のうち２つが前記一般式（３１）で表される基であることが好ましい。
一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３３）で表される化合物である。
（前記一般式（３３）において、
Ｒ３１１～Ｒ３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ３０１～Ｒ３１０と同義であり、
Ｌ３１１～Ｌ３１６は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
Ａｒ３１２、Ａｒ３１３、Ａｒ３１５及びＡｒ３１６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
前記一般式（３１）において、Ｌ３０１は、単結合であることが好ましく、Ｌ３０２及びＬ３０３は単結合であることが好ましい。
一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３４）又は一般式（３５）で表される。
（前記一般式（３４）において、
Ｒ３１１～Ｒ３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ３０１～Ｒ３１０と同義であり、
Ｌ３１２、Ｌ３１３、Ｌ３１５及びＬ３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＬ３１２、Ｌ３１３、Ｌ３１５及びＬ３１６と同義であり、
Ａｒ３１２、Ａｒ３１３、Ａｒ３１５及びＡｒ３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＡｒ３１２、Ａｒ３１３、Ａｒ３１５及びＡｒ３１６と同義である。）
（前記一般式（３５）において、
Ｒ３１１～Ｒ３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ３０１～Ｒ３１０と同義であり、
Ａｒ３１２、Ａｒ３１３、Ａｒ３１５及びＡｒ３１６は、それぞれ独立に、前記一般式（３３）におけるＡｒ３１２、Ａｒ３１３、Ａｒ３１５及びＡｒ３１６と同義である。）
前記一般式（３１）において、好ましくは、Ａｒ３０１及びＡｒ３０２のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、好ましくは、Ａｒ３１２及びＡｒ３１３のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、好ましくは、Ａｒ３１５及びＡｒ３１６のうち少なくとも１つが下記一般式（３６）で表される基である。
（前記一般式（３６）において、
Ｘ３は、酸素原子又は硫黄原子を示し、
Ｒ３２１～Ｒ３２７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ３２１～Ｒ３２７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
＊は、Ｌ３０２、Ｌ３０３、Ｌ３１２、Ｌ３１３、Ｌ３１５又はＬ３１６との結合位置を示す。）
Ｘ３は、酸素原子であることが好ましい。
Ｒ３２１～Ｒ３２７のうち少なくとも１つは、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であることが好ましい。
前記一般式（３１）において、Ａｒ３０１が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ３０２が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、Ａｒ３１２が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ３１３が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
前記一般式（３３）～一般式（３５）において、Ａｒ３１５が前記一般式（３６）で表される基であり、Ａｒ３１６が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であることが好ましい。
一実施形態において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（３７）で表される。
（前記一般式（３７）において、
Ｒ３１１～Ｒ３１８は、それぞれ独立に、前記一般式（３）における、前記一般式（３１）で表される１価の基ではないＲ３０１～Ｒ３１０と同義であり、
Ｒ３２１～Ｒ３２７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ３４１～Ｒ３４７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ３２１～Ｒ３２７並びにＲ３４１～Ｒ３４７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ３３１～Ｒ３３５並びにＲ３５１～Ｒ３５５は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
前記一般式（３）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。
Figure 0007545397000144
Figure 0007545397000146
Figure 0007545397000147
（一般式（４）で表される化合物）
一般式（４）で表される化合物について説明する。
Figure 0007545397000149
（前記一般式（４）において、
Ｚは、それぞれ独立に、ＣＲａ又は窒素原子であり、
Ａ１環及びＡ２環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｒａが複数存在する場合、複数のＲａのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
ｎ２１及びｎ２２は、それぞれ独立に、０、１、２、３又は４であり、
Ｒｂが複数存在する場合、複数のＲｂのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒｃが複数存在する場合、複数のＲｃのうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲａ、Ｒｂ及びＲｃは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
Ａ１環及びＡ２環の「芳香族炭化水素環」は、上述した「アリール基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
Ａ１環及びＡ２環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（４）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
「置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環」の具体例としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
Ａ１環及びＡ２環の「複素環」は、上述した「複素環基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
Ａ１環及びＡ２環の「複素環」は、前記一般式（４）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
「置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環」の具体例としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
Ｒｂは、Ａ１環としての芳香族炭化水素環を形成する炭素原子のいずれか、又は、Ａ１環としての複素環を形成する原子のいずれかに結合する。
Ｒｃは、Ａ２環としての芳香族炭化水素環を形成する炭素原子のいずれか、又は、Ａ２環としての複素環を形成する原子のいずれかに結合する。
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃのうち、少なくとも１つが、下記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましく、少なくとも２つが、下記一般式（４ａ）で表される基であることがより好ましい。
（前記一般式（４ａ）において、
Ｌ４０１は、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
Ａｒ４０１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
下記一般式（４ｂ）で表される基である。）
（前記一般式（４ｂ）において、
Ｌ４０２及びＬ４０３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基であり、
Ａｒ４０２及びＡｒ４０３からなる組は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＡｒ４０２及びＡｒ４０３は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
一実施形態において、前記一般式（４）で表される化合物は下記一般式（４２）で表される。
（前記一般式（４２）において、
Ｒ４０１～Ｒ４１１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ４０１～Ｒ４１１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
Ｒ４０１～Ｒ４１１のうち、少なくとも１つが、前記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましく、少なくとも２つ前記一般式（４ａ）で表される基であることがより好ましい。
Ｒ４０４及びＲ４１１が前記一般式（４ａ）で表される基であることが好ましい。
一実施形態において、前記一般式（４）で表される化合物は、Ａ１環に下記一般式（４－１）又は一般式（４－２）で表される構造が結合した化合物である。
また、一実施形態において、前記一般式（４２）で表される化合物は、Ｒ４０４～Ｒ４０７が結合する環に下記一般式（４－１）又は一般式（４－２）で表される構造が結合した化合物である。
（前記一般式（４－１）において、２つの＊は、それぞれ独立に、前記一般式（４）のＡ１環としての芳香族炭化水素環の環形成炭素原子もしくは複素環の環形成原子と結合するか、又は前記一般式（４２）のＲ４０４～Ｒ４０７のいずれかと結合し、
前記一般式（４－２）の３つの＊は、それぞれ独立に、前記一般式（４）のＡ１環としての芳香族炭化水素環の環形成炭素原子もしくは複素環の環形成原子と結合するか、又は前記一般式（４２）のＲ４０４～Ｒ４０７のいずれかと結合し、
Ｒ４２１～Ｒ４２７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ４３１～Ｒ４３８のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ４２１～Ｒ４２７並びにＲ４３１～Ｒ４３８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物は、下記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）で表される化合物である。
（前記一般式（４１－３）、式（４１－４）及び式（４１－５）中、
Ａ１環は、前記一般式（４）で定義した通りであり、
Ｒ４２１～Ｒ４２７は、それぞれ独立に、前記一般式（４－１）におけるＲ４２１～Ｒ４２７と同義であり、
Ｒ４４０～Ｒ４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４２）におけるＲ４０１～Ｒ４１１と同義である。）
一実施形態においては、前記一般式（４１－５）のＡ１環としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環は、
置換もしくは無置換のナフタレン環、又は
置換もしくは無置換のフルオレン環である。
一実施形態においては、前記一般式（４１－５）のＡ１環としての置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環は、
置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。
一実施形態においては、前記一般式（４）又は前記一般式（４２）で表される化合物は、下記一般式（４６１）～一般式（４６７）で表される化合物からなる群から選択される。
Figure 0007545397000161
（前記一般式（４６１）、一般式（４６２）、一般式（４６３）、一般式（４６４）、一般式（４６５）、一般式（４６６）及び一般式（４６７）中、
Ｒ４２１～Ｒ４２７は、それぞれ独立に、前記一般式（４－１）におけるＲ４２１～Ｒ４２７と同義であり、
Ｒ４３１～Ｒ４３８は、それぞれ独立に、前記一般式（４－２）におけるＲ４３１～Ｒ４３８と同義であり、
Ｒ４４０～Ｒ４４８並びにＲ４５１～Ｒ４５４は、それぞれ独立に、前記一般式（４２）におけるＲ４０１～Ｒ４１１と同義であり、
Ｘ４は、酸素原子、ＮＲ８０１、又はＣ（Ｒ８０２）（Ｒ８０３）であり、
Ｒ８０１、Ｒ８０２及びＲ８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０３が複数存在する場合、複数のＲ８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）
一実施形態において、前記一般式（４２）で表される化合物は、Ｒ４０１～Ｒ４１１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成し、当該実施形態について、以下一般式（４５）で表される化合物として詳述する。
（一般式（４５）で表される化合物）
一般式（４５）で表される化合物について説明する。
（前記一般式（４５）において、
Ｒ４６１とＲ４６２とからなる組、Ｒ４６２とＲ４６３とからなる組、Ｒ４６４とＲ４６５とからなる組、Ｒ４６５とＲ４６６とからなる組、Ｒ４６６とＲ４６７とからなる組、Ｒ４６８とＲ４６９とからなる組、Ｒ４６９とＲ４７０とからなる組、及び、Ｒ４７０とＲ４７１とからなる組からなる群から選択される組のうち２以上は、互いに結合して、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環を形成し、
ただし、
Ｒ４６１とＲ４６２とからなる組及びＲ４６２とＲ４６３とからなる組；
Ｒ４６４とＲ４６５とからなる組及びＲ４６５とＲ４６６とからなる組；
Ｒ４６５とＲ４６６とからなる組及びＲ４６６とＲ４６７とからなる組；
Ｒ４６８とＲ４６９とからなる組及びＲ４６９とＲ４７０とからなる組；並びに
Ｒ４６９とＲ４７０とからなる組及びＲ４７０とＲ４７１とからなる組が、同時に環を形成することはなく、
Ｒ４６１～Ｒ４７１が形成する２つ以上の環は、互いに同一であるか、又は異なり、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ４６１～Ｒ４７１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
前記一般式（４５）において、ＲｎとＲｎ＋１（ｎは４６１、４６２、４６４～４６６、及び４６８～４７０から選ばれる整数を表す）は互いに結合して、ＲｎとＲｎ＋１が結合する２つの環形成炭素原子と共に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環を形成する。当該環は、好ましくは、炭素原子、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子からなる群から選択される原子で構成され、当該環の原子数は、好ましくは３～７であり、より好ましくは５又は６である。
前記一般式（４５）で表される化合物における上記の環構造の数は、例えば、２つ、３つ、又は４つである。２つ以上の環構造は、それぞれ前記一般式（４５）の母骨格上の同一のベンゼン環上に存在してもよいし、異なるベンゼン環上に存在してもよい。例えば、環構造を３つ有する場合、前記一般式（４５）の３つのベンゼン環のそれぞれに１つずつ環構造が存在してもよい。
前記一般式（４５）で表される化合物における上記の環構造としては、例えば、下記一般式（４５１）～（４６０）で表される構造等が挙げられる。
（前記一般式（４５１）～（４５７）において、
＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２及び＊１３と＊１４のそれぞれは、ＲｎとＲｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、
Ｒｎが結合する環形成炭素原子は、＊１と＊２、＊３と＊４、＊５と＊６、＊７と＊８、＊９と＊１０、＊１１と＊１２及び＊１３と＊１４が表す２つの環形成炭素原子のどちらであってもよく、
Ｘ４５は、Ｃ（Ｒ４５１２）（Ｒ４５１３）、ＮＲ４５１４、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ４５０１～Ｒ４５０６及びＲ４５１２～Ｒ４５１３のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ４５０１～Ｒ４５１４は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ４６１～Ｒ４７１と同義である。）
（前記一般式（４５８）～（４６０）において、
＊１と＊２、及び＊３と＊４のそれぞれは、ＲｎとＲｎ＋１が結合する前記２つの環形成炭素原子を表し、
Ｒｎが結合する環形成炭素原子は、＊１と＊２、又は＊３と＊４が表す２つの環形成炭素原子のどちらであってもよく、
Ｘ４５は、Ｃ（Ｒ４５１２）（Ｒ４５１３）、ＮＲ４５１４、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ４５１２～Ｒ４５１３及びＲ４５１５～～Ｒ４５２５のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ４５１２～Ｒ４５１３、Ｒ４５１５～Ｒ４５２１及びＲ４５２２～Ｒ４５２５、並びにＲ４５１４は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ４６１～Ｒ４７１と同義である。）
前記一般式（４５）において、Ｒ４６２、Ｒ４６４、Ｒ４６５、Ｒ４７０及びＲ４７１の少なくとも１つ（好ましくは、Ｒ４６２、Ｒ４６５及びＲ４７０の少なくとも１つ、さらに好ましくはＲ４６２）が、環構造を形成しない基であると好ましい。
（ｉ）前記一般式（４５）において、ＲｎとＲｎ＋１により形成される環構造が置換基を有する場合の置換基、
（ｉｉ）前記一般式（４５）において、環構造を形成しないＲ４６１～Ｒ４７１、及び
（ｉｉｉ）式（４５１）～（４６０）におけるＲ４５０１～Ｒ４５１４、Ｒ４５１５～～Ｒ４５２５は、好ましくは、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基、又は
下記一般式（４６１）～一般式（４６４）で表される基からなる群から選択される基のいずれかである。
（前記一般式（４６１）～（４６４）中、
Ｒｄは、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｘ４６は、Ｃ（Ｒ８０１）（Ｒ８０２）、ＮＲ８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ８０１、Ｒ８０２及びＲ８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０３が複数存在する場合、複数のＲ８０３は、互いに同一であるか又は異なり、
ｐ１は、５であり、
ｐ２は、４であり、
ｐ３は、３であり、
ｐ４は、７であり、
前記一般式（４６１）～（４６４）中の＊は、それぞれ独立に、環構造との結合位置を示す。）
第三の化合物及び第四の化合物において、Ｒ９０１～Ｒ９０７は、前述のように定義した通りである。
一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－１）～（４５－６）のいずれかで表される。
（前記一般式（４５－１）～（４５－６）において、
環ｄ～ｉは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
Ｒ４６１～Ｒ４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ４６１～Ｒ４７１と同義である。）
一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－７）～（４５－１２）のいずれかで表される。
（前記一般式（４５－７）～（４５－１２）において、
環ｄ～ｆ、ｋ、ｊは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
Ｒ４６１～Ｒ４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ４６１～Ｒ４７１と同義である。）
一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－１３）～（４５－２１）のいずれかで表される。
（前記一般式（４５－１３）～（４５－２１）において、
環ｄ～ｋは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の単環又は置換もしくは無置換の縮合環であり、
Ｒ４６１～Ｒ４７１は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ４６１～Ｒ４７１と同義である。）
前記環ｇ又は前記環ｈがさらに置換基を有する場合の置換基としては、例えば、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、
前記一般式（４６１）で表される基、
前記一般式（４６３）で表される基、又は
前記一般式（４６４）で表される基が挙げられる。
一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－２２）～（４５－２５）のいずれかで表される。
（前記一般式（４５－２２）～（４５－２５）において、
Ｘ４６及びＸ４７は、それぞれ独立に、Ｃ（Ｒ８０１）（Ｒ８０２）、ＮＲ８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ４６１～Ｒ４７１並びにＲ４８１～Ｒ４８８は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ４６１～Ｒ４７１と同義である。
Ｒ８０１、Ｒ８０２及びＲ８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０３が複数存在する場合、複数のＲ８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）
一実施形態において、前記一般式（４５）で表される化合物は、下記一般式（４５－２６）で表される。
Figure 0007545397000174
（前記一般式（４５－２６）において、
Ｘ４６は、Ｃ（Ｒ８０１）（Ｒ８０２）、ＮＲ８０３、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ４６３、Ｒ４６４、Ｒ４６７、Ｒ４６８、Ｒ４７１、及びＲ４８１～Ｒ４９２は、それぞれ独立に、前記一般式（４５）におけるＲ４６１～Ｒ４７１と同義である。
Ｒ８０１、Ｒ８０２及びＲ８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０３が複数存在する場合、複数のＲ８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）
前記一般式（４）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。下記具体例中、Ｐｈは、フェニル基を示し、Ｄは、重水素原子を示す。
Figure 0007545397000175
Figure 0007545397000176
Figure 0007545397000177
Figure 0007545397000178
Figure 0007545397000179
Figure 0007545397000180
Figure 0007545397000181
Figure 0007545397000182
（一般式（５）で表される化合物）
一般式（５）で表される化合物について説明する。一般式（５）で表される化合物は、上述した一般式（４１－３）で表される化合物に対応する化合物である。
（前記一般式（５）において、
Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７のうち隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
Ｒ５２１及びＲ５２２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
「Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組」は、例えば、Ｒ５０１とＲ５０２からなる組、Ｒ５０２とＲ５０３からなる組、Ｒ５０３とＲ５０４からなる組、Ｒ５０５とＲ５０６からなる組、Ｒ５０６とＲ５０７からなる組、Ｒ５０１とＲ５０２とＲ５０３からなる組等の組合せである。
一実施形態において、Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７の少なくとも１つ、好ましくは２つが－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基である。
一実施形態においては、Ｒ５０１～Ｒ５０７及びＲ５１１～Ｒ５１７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５２）で表される化合物である。
（前記一般式（５２）において、
Ｒ５３１～Ｒ５３４及びＲ５４１～Ｒ５４４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ５３１～Ｒ５３４、Ｒ５４１～Ｒ５４４、並びにＲ５５１及びＲ５５２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ５６１～Ｒ５６４は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
一実施形態においては、前記一般式（５）で表される化合物は、下記一般式（５３）で表される化合物である。
（前記一般式（５３）において、Ｒ５５１、Ｒ５５２及びＲ５６１～Ｒ５６４は、それぞれ独立に、前記一般式（５２）におけるＲ５５１、Ｒ５５２及びＲ５６１～Ｒ５６４と同義である。）
一実施形態においては、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ５６１～Ｒ５６４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基（好ましくはフェニル基）である。
一実施形態においては、前記一般式（５）におけるＲ５２１及びＲ５２２、前記一般式（５２）及び一般式（５３）におけるＲ５５１及びＲ５５２は、水素原子である。
一実施形態においては、前記一般式（５）、一般式（５２）及び一般式（５３）における、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基は、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
前記一般式（５）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。
Figure 0007545397000189
Figure 0007545397000191
Figure 0007545397000192
Figure 0007545397000194
Figure 0007545397000195
Figure 0007545397000197
Figure 0007545397000198
Figure 0007545397000199
Figure 0007545397000202
（一般式（６）で表される化合物）
一般式（６）で表される化合物について説明する。
（前記一般式（６）において、
ａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｒ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、前記ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
ａ環、ｂ環及びｃ環は、ホウ素原子及び２つの窒素原子から構成される前記一般式（６）中央の縮合２環構造に縮合する環（置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環）である。
ａ環、ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、上述した「アリール基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
ａ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。
ｂ環及びｃ環の「芳香族炭化水素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。
「置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環」の具体例としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
ａ環、ｂ環及びｃ環の「複素環」は、上述した「複素環基」に水素原子を導入した化合物と同じ構造である。
ａ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子３つを環形成原子として含む。ｂ環及びｃ環の「複素環」は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の炭素原子２つを環形成原子として含む。「置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環」の具体例としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」に水素原子を導入した化合物等が挙げられる。
Ｒ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、ａ環、ｂ環又はｃ環と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。この場合における複素環は、前記一般式（６）中央の縮合２環構造上の窒素原子を含む。この場合における複素環は、窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。Ｒ６０１及びＲ６０２がａ環、ｂ環又はｃ環と結合するとは、具体的には、ａ環、ｂ環又はｃ環を構成する原子とＲ６０１及びＲ６０２を構成する原子が結合することを意味する。例えば、Ｒ６０１がａ環と結合して、Ｒ６０１を含む環とａ環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。
Ｒ６０１がｂ環と結合する場合、Ｒ６０２がａ環と結合する場合、及びＲ６０２がｃ環と結合する場合も上記と同じである。
一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環である。
一実施形態において、前記一般式（６）におけるａ環、ｂ環及びｃ環は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のベンゼン環又はナフタレン環である。
一実施形態において、前記一般式（６）におけるＲ６０１及びＲ６０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、前記一般式（６）で表される化合物は下記一般式（６２）で表される化合物である。
（前記一般式（６２）において、
Ｒ６０１Ａは、Ｒ６１１及びＲ６２１からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ６０２Ａは、Ｒ６１３及びＲ６１４からなる群から選択される１以上と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＲ６０１Ａ及びＲ６０２Ａは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ６１１～Ｒ６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
前記一般式（６２）のＲ６０１Ａ及びＲ６０２Ａは、それぞれ、前記一般式（６）のＲ６０１及びＲ６０２に対応する基である。
例えば、Ｒ６０１ＡとＲ６１１が結合して、これらを含む環とａ環に対応するベンゼン環が縮合した２環縮合（又は３環縮合以上）の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む２環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ６０１ＡとＲ６２１が結合する場合、Ｒ６０２ＡとＲ６１３が結合する場合、及びＲ６０２ＡとＲ６１４が結合する場合も上記と同じである。
Ｒ６１１～Ｒ６２１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、又は
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成してもよい。
例えば、Ｒ６１１とＲ６１２が結合して、これらが結合する６員環に対して、ベンゼン環、インドール環、ピロール環、ベンゾフラン環又はベンゾチオフェン環等が縮合した構造を形成してもよく、形成された縮合環は、ナフタレン環、カルバゾール環、インドール環、ジベンゾフラン環又はジベンゾチオフェン環となる。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６１１～Ｒ６２１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、
Ｒ６１１～Ｒ６２１のうち少なくとも１つは、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
一実施形態において、前記一般式（６２）で表される化合物は、下記一般式（６３）で表される化合物である。
（前記一般式（６３）において、
Ｒ６３１は、Ｒ６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ６３３は、Ｒ６４７と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ６３４は、Ｒ６５１と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ６４１は、Ｒ６４２と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成せず、
Ｒ６３１～Ｒ６５１のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
Ｒ６３１は、Ｒ６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成してもよい。例えば、Ｒ６３１とＲ６４６が結合して、Ｒ６４６が結合するベンゼン環と、Ｎを含む環と、ａ環に対応するベンゼン環とが縮合した３環縮合以上の含窒素複素環を形成してもよい。当該含窒素複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２のうち、窒素を含む３環縮合以上の複素環基に対応する化合物等が挙げられる。Ｒ６３３とＲ６４７が結合する場合、Ｒ６３４とＲ６５１が結合する場合、及びＲ６４１とＲ６４２が結合する場合も上記と同じである。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
一実施形態において、環形成に寄与しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、又は
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基であり、
Ｒ６３１～Ｒ６５１のうち少なくとも１つは置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ａ）で表される化合物である。
（前記一般式（６３Ａ）において、
Ｒ６６１は、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ６６２～Ｒ６６５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）
一実施形態において、Ｒ６６１～Ｒ６６５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、Ｒ６６１～Ｒ６６５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ）で表される化合物である。
（前記一般式（６３Ｂ）において、
Ｒ６７１及びＲ６７２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ６７３～Ｒ６７５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）
一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｂ’）で表される化合物である。
（前記一般式（６３Ｂ’）において、Ｒ６７２～Ｒ６７５は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｂ）におけるＲ６７２～Ｒ６７５と同義である。）
一実施形態において、Ｒ６７１～Ｒ６７５のうち少なくとも１つは、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、
Ｒ６７２は、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ６７１及びＲ６７３～Ｒ６７５は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ）で表される化合物である。
（前記一般式（６３Ｃ）において、
Ｒ６８１及びＲ６８２は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
Ｒ６８３～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）
一実施形態において、前記一般式（６３）で表される化合物は、下記一般式（６３Ｃ’）で表される化合物である。
（前記一般式（６３Ｃ’）において、Ｒ６８３～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、前記一般式（６３Ｃ）におけるＲ６８３～Ｒ６８６と同義である。）
一実施形態において、Ｒ６８１～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、Ｒ６８１～Ｒ６８６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
前記一般式（６）で表される化合物は、まずａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（Ｎ－Ｒ６０１を含む基及びＮ－Ｒ６０２を含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、ａ環、ｂ環及びｃ環を連結基（ホウ素原子を含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応ではバッハブルト－ハートウィッグ反応等のアミノ化反応を適用できる。第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応等を適用できる。
以下に、前記一般式（６）で表される化合物の具体例を記載するが、これらは例示に過ぎず、前記一般式（６）で表される化合物は下記具体例に限定されない。
Figure 0007545397000214
Figure 0007545397000216
（一般式（７）で表される化合物）
一般式（７）で表される化合物について説明する。
（前記一般式（７）において、
ｒ環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７２）又は一般式（７３）で表される環であり、
ｑ環及びｓ環は、それぞれ独立に、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７４）で表される環であり、
ｐ環及びｔ環は、それぞれ独立に、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（７５）又は一般式（７６）で表される構造であり、
Ｘ７は、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ７０２である。
Ｒ７０１が複数存在する場合、隣接する複数のＲ７０１は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ７０１及びＲ７０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ａｒ７０１及びＡｒ７０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ７０１は、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキレン基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニレン基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニレン基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキレン基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
ｍ１は、０、１又は２であり、
ｍ２は、０、１、２、３又は４であり、
ｍ３は、それぞれ独立に、０、１、２又は３であり、
ｍ４は、それぞれ独立に、０、１、２、３、４又は５であり、
Ｒ７０１が複数存在する場合、複数のＲ７０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｘ７が複数存在する場合、複数のＸ７は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ７０２が複数存在する場合、複数のＲ７０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ７０１が複数存在する場合、複数のＡｒ７０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ａｒ７０２が複数存在する場合、複数のＡｒ７０２は、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｌ７０１が複数存在する場合、複数のＬ７０１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
前記一般式（７）において、ｐ環、ｑ環、ｒ環、ｓ環及びｔ環の各環は、隣接環と炭素原子２つを共有して縮合する。縮合する位置及び向きは限定されず、任意の位置及び向きで縮合可能である。
一実施形態において、ｒ環としての前記一般式（７２）又は一般式（７３）において、ｍ１＝０又はｍ２＝０である。
一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は、下記一般式（７１－１）～（７１－６）のいずれかで表される。
（前記一般式（７１－１）～一般式（７１－６）において、Ｒ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ１及びｍ３は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ１及びｍ３と同義である。）
一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－１１）～一般式（７１－１３）のいずれかで表される。
（前記一般式（７１－１１）～一般式（７１－１３）において、Ｒ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ１、ｍ３及びｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ１、ｍ３及びｍ４と同義である。）
一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－２１）～（７１－２５）のいずれかで表される。
（前記一般式（７１－２１）～一般式（７１－２５）において、Ｒ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ１及びｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ１及びｍ４と同義である。）
一実施形態において、前記一般式（７）で表される化合物は下記一般式（７１－３１）～一般式（７１－３３）のいずれかで表される。
（前記一般式（７１－３１）～一般式（７１－３３）において、Ｒ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ２～ｍ４は、それぞれ、前記一般式（７）におけるＲ７０１、Ｘ７、Ａｒ７０１、Ａｒ７０２、Ｌ７０１、ｍ２～ｍ４と同義である。）
一実施形態においては、Ａｒ７０１及びＡｒ７０２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態においては、Ａｒ７０１及びＡｒ７０２の一方が置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、Ａｒ７０１及びＡｒ７０２の他方が置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
前記一般式（７）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。
Figure 0007545397000244
（一般式（８）で表される化合物）
一般式（８）で表される化合物について説明する。
（前記一般式（８）において、
Ｒ８０１とＲ８０２、Ｒ８０２とＲ８０３、及びＲ８０３とＲ８０４の少なくとも一組は、互いに結合して下記一般式（８２）で示される２価の基を形成し、
Ｒ８０５とＲ８０６、Ｒ８０６とＲ８０７、及びＲ８０７とＲ８０８の少なくとも一組は、互いに結合して下記一般式（８３）で示される２価の基を形成する。）
（前記一般式（８２）で示される２価の基を形成しないＲ８０１～Ｒ８０４、及びＲ８１１～Ｒ８１４の少なくとも１つは下記一般式（８４）で表される１価の基であり、
前記一般式（８３）で示される２価の基を形成しないＲ８０５～Ｒ８０８、及びＲ８２１～Ｒ８２４の少なくとも１つは下記一般式（８４）で表される１価の基であり、
Ｘ８は、酸素原子、硫黄原子、又はＮＲ８０９であり、
前記一般式（８２）及び一般式（８３）で表される２価の基を形成せず、かつ、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ８０１～Ｒ８０８、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ８１１～Ｒ８１４及びＲ８２１～Ｒ８２４、並びにＲ８０９は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
（前記一般式（８４）において、
Ａｒ８０１及びＡｒ８０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ８０１～Ｌ８０３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基からなる群から選択される２～４個の基が結合して形成される２価の連結基であり、
前記一般式（８４）中の＊は、前記一般式（８）で表される環構造、一般式（８２）又は一般式（８３）で表される基との結合位置を示す。）
前記一般式（８）において、前記一般式（８２）で示される２価の基及び一般式（８３）で示される２価の基が形成される位置は特に限定されず、Ｒ８０１～Ｒ８０８の可能な位置において当該基を形成し得る。
一実施形態において、前記一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（８１－１）～（８１－６）のいずれかで表される。
（前記一般式（８１－１）～一般式（８１－６）において、
Ｘ８は、前記一般式（８）におけるＸ８と同義であり、
Ｒ８０１～Ｒ８２４のうち少なくとも２つは、前記一般式（８４）で表される１価の基であり、
前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ８０１～Ｒ８２４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
一実施形態において、前記一般式（８）で表される化合物は、下記一般式（８１－７）～（８１－１８）のいずれかで表される。
（前記一般式（８１－７）～一般式（８１－１８）において、
Ｘ８は、前記一般式（８）におけるＸ８と同義であり、
＊は、前記一般式（８４）で表される１価の基と結合する単結合であり、
Ｒ８０１～Ｒ８２４は、それぞれ独立に、前記一般式（８１－１）～一般式（８１－６）における前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ８０１～Ｒ８２４とと同義である。）
前記一般式（８２）及び一般式（８３）で表される２価の基を形成せず、かつ、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ８０１～Ｒ８０８、及び、前記一般式（８４）で表される１価の基ではないＲ８１１～Ｒ８１４及びＲ８２１～Ｒ８２４は、好ましくは、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
前記一般式（８４）で表される１価の基は、好ましくは下記一般式（８５）又は一般式（８６）で表される。
（前記一般式（８５）において、
Ｒ８３１～Ｒ８４０は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
前記一般式（８５）中の＊は、前記一般式（８４）中の＊と同義である。）
（前記一般式（８６）において、
Ａｒ８０１、Ｌ８０１及びＬ８０３は、前記一般式（８４）におけるＡｒ８０１、Ｌ８０１及びＬ８０３と同義であり、
ＨＡｒ８０１は、下記一般式（８７）で表される構造である。）
（前記一般式（８７）において、
Ｘ８１は、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ｒ８４１～Ｒ８４８のいずれか１つは、Ｌ８０３に結合する単結合であり、
単結合ではないＲ８４１～Ｒ８４８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
前記一般式（８）で表される化合物としては、国際公開第２０１４／１０４１４４号に記載の化合物の他、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。
（一般式（９）で表される化合物）
一般式（９）で表される化合物について説明する。
（前記一般式（９）において、
Ａ９１環及びＡ９２環は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ａ９１環及びＡ９２環からなる群から選択される１以上の環は、
下記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。）
（前記一般式（９２）において、
Ａ９３環は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ｘ９は、ＮＲ９３、Ｃ（Ｒ９４）（Ｒ９５）、Ｓｉ（Ｒ９６）（Ｒ９７）、Ｇｅ（Ｒ９８）（Ｒ９９）、酸素原子、硫黄原子又はセレン原子であり、
Ｒ９１及びＲ９２は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ９１及びＲ９２、並びにＲ９３～Ｒ９９は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
Ａ９１環及びＡ９２環からなる群から選択される１以上の環は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。即ち、一実施形態において、Ａ９１環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。また、一実施形態において、Ａ９２環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。
一実施形態において、Ａ９１環及びＡ９２環のいずれか又は両方に下記一般式（９３）で表される基が結合する。
（前記一般式（９３）において、
Ａｒ９１及びＡｒ９２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｌ９１～Ｌ９３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～３０のアリーレン基及び置換もしくは無置換の環形成原子数５～３０の２価の複素環基からなる群から選択される２～４個結合して形成される２価の連結基であり、
前記一般式（９３）中の＊は、Ａ９１環及びＡ９２環のいずれかとの結合位置を示す。）
一実施形態において、Ａ９１環に加えて、Ａ９２環の前記芳香族炭化水素環の環形成炭素原子、又は前記複素環の環形成原子は、前記一般式（９２）で表される構造の＊と結合する。この場合、前記一般式（９２）で表される構造は、互いに同一でもよいし異なってもよい。
一実施形態において、Ｒ９１及びＲ９２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、Ｒ９１及びＲ９２は、互いに結合してフルオレン構造を形成する。
一実施形態において、環Ａ９１及び環Ａ９２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環である。
一実施形態において、環Ａ９３は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環である。
一実施形態において、Ｘ９は、酸素原子又は硫黄原子である。
前記一般式（９）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。
（一般式（１０）で表される化合物）
一般式（１０）で表される化合物について説明する。
Figure 0007545397000278
（前記一般式（１０）において、
Ａｘ１環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（１０ａ）で表される環であり、
Ａｘ２環は、隣接環の任意の位置で縮合する前記一般式（１０ｂ）で表される環であり、
前記一般式（１０ｂ）中の２つの＊は、Ａｘ３環の任意の位置と結合し、
ＸＡ及びＸＢは、それぞれ独立に、Ｃ（Ｒ１００３）（Ｒ１００４）、Ｓｉ（Ｒ１００５）（Ｒ１００６）、酸素原子又は硫黄原子であり、
Ａｘ３環は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環であり、
Ａｒ１００１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ１００１～Ｒ１００６は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
ｍｘ１は、３であり、ｍｘ２は、２であり、
複数のＲ１００１は、互いに同一であるか、又は異なり、
複数のＲ１００２は、互いに同一であるか、又は異なり、
ａｘは、０、１又は２であり、
ａｘが０又は１の場合、「３－ａｘ」で示されるカッコ内の構造は、互いに同一であるか、又は異なり、
ａｘが２の場合、複数のＡｒ１００１は、互いに同一であるか、又は異なる。）
一実施形態において、Ａｒ１００１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。
一実施形態において、Ａｘ３環は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素環であり、例えば、置換もしくは無置換のベンゼン環、置換もしくは無置換のナフタレン環、又は置換もしくは無置換のアントラセン環である。
一実施形態において、Ｒ１００３及びＲ１００４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基である。
一実施形態において、ａｘは１である。
前記一般式（１０）で表される化合物としては、例えば、以下に示す化合物が具体例として挙げられる。
一実施形態においては、前記発光層が、第三の化合物及び第四の化合物の少なくともいずれかの化合物として、
前記一般式（４）で表される化合物、
前記一般式（５）で表される化合物、
前記一般式（７）で表される化合物、
前記一般式（８）で表される化合物、
前記一般式（９）で表される化合物及び
下記一般式（６３ａ）で表される化合物からなる群から選択される１以上の化合物を含有する。
（前記一般式（６３ａ）において、
Ｒ６３１は、Ｒ６４６と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ６３３は、Ｒ６４７と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ６３４は、Ｒ６５１と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ６４１は、Ｒ６４２と結合して、置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
Ｒ６３１～Ｒ６５１のうちの隣接する２つ以上の１組以上は、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ６３１～Ｒ６５１は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
但し、前記置換もしくは無置換の複素環を形成せず、前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ６３１～Ｒ６５１のうちの少なくとも１つは、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物が、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）で表される化合物であり、前記一般式（４１－５）中のＡ１環が、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環である。
一実施形態においては、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）、及び一般式（４１－５）における、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環が、
置換もしくは無置換のナフタレン環、
置換もしくは無置換のアントラセン環、又は
置換もしくは無置換のフルオレン環であり、
前記置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環が、
置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。
一実施形態においては、前記一般式（４１－３）、一般式（４１－４）又は一般式（４１－５）における、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数１０～５０の縮合芳香族炭化水素環が、
置換もしくは無置換のナフタレン環、又は
置換もしくは無置換のフルオレン環であり、
前記置換もしくは無置換の環形成原子数８～５０の縮合複素環が、
置換もしくは無置換のジベンゾフラン環、
置換もしくは無置換のカルバゾール環、又は
置換もしくは無置換のジベンゾチオフェン環である。
一実施形態においては、前記一般式（４）で表される化合物が、
下記一般式（４６１）で表される化合物、
下記一般式（４６２）で表される化合物、
下記一般式（４６３）で表される化合物、
下記一般式（４６４）で表される化合物、
下記一般式（４６５）で表される化合物、
下記一般式（４６６）で表される化合物、及び
下記一般式（４６７）で表される化合物からなる群から選択される。
Figure 0007545397000285
（前記一般式（４６１）～（４６７）中、
Ｒ４２１～Ｒ４２７、Ｒ４３１～Ｒ４３６、Ｒ４４０～Ｒ４４８及びＲ４５１～Ｒ４５４のうちの隣接する２つ以上からなる組の１組以上が、
互いに結合して、置換もしくは無置換の単環を形成するか、
互いに結合して、置換もしくは無置換の縮合環を形成するか、又は
互いに結合せず、
Ｒ４３７、Ｒ４３８、並びに前記単環を形成せず、かつ前記縮合環を形成しないＲ４２１～Ｒ４２７、Ｒ４３１～Ｒ４３６、Ｒ４４０～Ｒ４４８及びＲ４５１～Ｒ４５４は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
－Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
－Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｘ４は、酸素原子、ＮＲ８０１、又はＣ（Ｒ８０２）（Ｒ８０３）であり、
Ｒ８０１、Ｒ８０２及びＲ８０３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なり、
Ｒ８０３が複数存在する場合、複数のＲ８０３は、互いに同一であるか又は異なる。）
一実施形態においては、Ｒ４２１～Ｒ４２７及びＲ４４０～Ｒ４４８が、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
一実施形態においては、Ｒ４２１～Ｒ４２７及びＲ４４０～Ｒ４４７が、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１８の複素環基からなる群から選択される。
一実施形態においては、前記一般式（４１－３）で表される化合物が、下記一般式（４１－３－１）で表される化合物である。
（前記一般式（４１－３－１）中、Ｒ４２３、Ｒ４２５、Ｒ４２６、Ｒ４４２、Ｒ４４４及びＲ４４５は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ４２３、Ｒ４２５、Ｒ４２６、Ｒ４４２、Ｒ４４４及びＲ４４５と同義である。）
一実施形態においては、前記一般式（４１－３）で表される化合物が、下記一般式（４１－３－２）で表される化合物である。
（前記一般式（４１－３－２）中、Ｒ４２１～Ｒ４２７及びＲ４４０～Ｒ４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ４２１～Ｒ４２７及びＲ４４０～Ｒ４４８と同義であり、
但し、Ｒ４２１～Ｒ４２７及びＲ４４０～Ｒ４４６の少なくとも１つは、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基である。）
一実施形態においては、前記式（４１－３－２）における、Ｒ４２１～Ｒ４２７及びＲ４４０～Ｒ４４６のいずれか２つが、－Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基である。
一実施形態においては、前記式（４１－３－２）で表される化合物が、下記式（４１－３－３）で表される化合物である。
（前記一般式（４１－３－３）中、Ｒ４２１～Ｒ４２４、Ｒ４４０～Ｒ４４３、Ｒ４４７及びＲ４４８は、それぞれ独立に、前記一般式（４１－３）におけるＲ４２１～Ｒ４２４、Ｒ４４０～Ｒ４４３、Ｒ４４７及びＲ４４８と同義であり、
ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ及びＲＤは、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～１８の複素環基である。）
一実施形態においては、前記式（４１－３－３）で表される化合物が、下記式（４１－３－４）で表される化合物である。
（前記一般式（４１－３－４）中、Ｒ４４７、Ｒ４４８、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ及びＲＤは、それぞれ独立に、前記式（４１－３－３）におけるＲ４４７、Ｒ４４８、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ及びＲＤと同義である。）
一実施形態においては、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ及びＲＤが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基である。
一実施形態においては、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣ及びＲＤが、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である。
一実施形態においては、Ｒ４４７及びＲ４４８が、水素原子である。
一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ９０１ａ）（Ｒ９０２ａ）（Ｒ９０３ａ）、
－Ｏ－（Ｒ９０４ａ）、
－Ｓ－（Ｒ９０５ａ）、
－Ｎ（Ｒ９０６ａ）（Ｒ９０７ａ）、
ハロゲン原子、
シアノ基、
ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ９０１ａ～Ｒ９０７ａは、それぞれ独立に、
水素原子、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
Ｒ９０１ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０１ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０２ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０２ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０３ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０３ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０４ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０４ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０５ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０５ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０６ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０６ａは、互いに同一であるか、又は異なり、
Ｒ９０７ａが２以上存在する場合、２以上のＲ９０７ａは、互いに同一であるか、又は異なる。
一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。
一実施形態においては、前記各式中の「置換もしくは無置換の」という場合における置換基が、
無置換の炭素数１～１８のアルキル基、
無置換の環形成炭素数６～１８のアリール基、又は
無置換の環形成原子数５～１８の複素環基である。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第二の発光層は、蛍光発光性の第四の化合物をさらに含有し、前記第四の化合物は、主ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の発光を示す化合物であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、前記第一の発光層は、蛍光発光性の第三の化合物をさらに含有し、前記第三の化合物は、主ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の発光を示す化合物であることが好ましい。
化合物の主ピーク波長の測定方法は、次の通りである。測定対象となる化合物の１０－６ｍｏｌ／Ｌ以上１０－５ｍｏｌ／Ｌ以下のトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の発光スペクトル（縦軸：発光強度、横軸：波長とする。）を測定する。発光スペクトルは、株式会社日立ハイテクサイエンス製の分光光度計（装置名：Ｆ－７０００）により測定できる。なお、発光スペクトル測定装置は、ここで用いた装置に限定されない。
発光スペクトルにおいて、発光強度が最大となる発光スペクトルのピーク波長を発光主ピーク波長とする。なお、本明細書において、主ピーク波長を蛍光発光主ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）と称する場合がある。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層が第一の化合物及び第三の化合物を含む場合、第一の化合物は、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましく、第三の化合物は、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター、又は発光材料と称する場合もある。）であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の発光層が第一の化合物及び第三の化合物を含む場合、第一の化合物の一重項エネルギーＳ１（Ｈ１）と、第三の化合物の一重項エネルギーＳ１（Ｄ３）とが、下記数式（数１）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１（Ｈ１）＞Ｓ１（Ｄ３）…（数１）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層が第二の化合物及び第四の化合物を含む場合、第二の化合物は、ホスト材料（マトリックス材料と称する場合もある。）であることが好ましく、第四の化合物は、ドーパント材料（ゲスト材料、エミッター、又は発光材料と称する場合もある。）であることが好ましい。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第二の発光層が第二の化合物及び第四の化合物を含む場合、第二の化合物の一重項エネルギーＳ１（Ｈ２）と、第四の化合物の一重項エネルギーＳ１（Ｄ４）とが、下記数式（数２）の関係を満たすことが好ましい。
Ｓ１（Ｈ２）＞Ｓ１（Ｄ４）…（数２）
（一重項エネルギーＳ１）
溶液を用いた一重項エネルギーＳ１の測定方法（溶液法と称する場合がある。）としては、下記の方法が挙げられる。
測定対象となる化合物の１０－５ｍｏｌ／Ｌ以上１０－４ｍｏｌ／Ｌ以下のトルエン溶液を調製して石英セルに入れ、常温（３００Ｋ）でこの試料の吸収スペクトル（縦軸：吸収強度、横軸：波長とする。）を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値λｅｄｇｅ［ｎｍ］を次に示す換算式（Ｆ２）に代入して一重項エネルギーを算出する。
換算式（Ｆ２）：Ｓ１［ｅＶ］＝１２３９．８５／λｅｄｇｅ
吸収スペクトル測定装置としては、例えば、日立社製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）が挙げられるが、これに限定されない。
吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線は以下のように引く。吸収スペクトルの極大値のうち、最も長波長側の極大値から長波長方向にスペクトル曲線上を移動する際に、曲線上の各点における接線を考える。この接線は、曲線が立ち下がるにつれ（つまり縦軸の値が減少するにつれ）、傾きが減少しその後増加することを繰り返す。傾きの値が最も長波長側（ただし、吸光度が０．１以下となる場合は除く）で極小値をとる点において引いた接線を当該吸収スペクトルの長波長側の立ち下がりに対する接線とする。
なお、吸光度の値が０．２以下の極大点は、上記最も長波長側の極大値には含めない。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子において、第一の化合物の電子移動度μＨ１と、第二の化合物の電子移動度μＨ２とが、下記数式（数３）の関係を満たすことも好ましい。
μＨ２＞μＨ１…（数３）
第一の化合物と第二の化合物とが、前記数式（数３）の関係を満たすことで、第一の発光層でのホールと電子との再結合能が向上する。
電子移動度は、インピーダンス分光法を用い、以下の方法で測定できる。
陽極及び陰極で厚さ１００ｎｍ～２００ｎｍの測定対象層を挟み、バイアスＤＣ電圧を印加しながら１００ｍＶ以下の微小交流電圧を印加する。このときに流れる交流電流値（絶対値と位相）を測定する。交流電圧の周波数を変えながら本測定を行い、電流値と電圧値とから、複素インピーダンス（Ｚ）を算出する。このときモジュラスＭ＝ｉωＺ（ｉ：虚数単位、ω：角周波数）の虚数部（ＩｍＭ）の周波数依存性を求め、ＩｍＭが最大値となる周波数ωの逆数を、測定対象層内を伝導する電子の応答時間と定義する。そして以下の式により電子移動度を算出する。
電子移動度＝（測定対象層の膜厚）２／（応答時間・電圧）
第一の発光層及び第二の発光層は、燐光発光性材料（ドーパント材料）を含まないことが好ましい。
また、第一の発光層及び第二の発光層は、重金属錯体及び燐光発光性の希土類金属錯体を含まないことが好ましい。ここで、重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、及び白金錯体等が挙げられる。
また、第一の発光層及び第二の発光層は、金属錯体を含まないことも好ましい。
（発光層の膜厚）
本実施形態に係る有機ＥＬ素子の発光層の膜厚は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましく、７ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。発光層の膜厚が５ｎｍ以上であると、発光層を形成し易く、色度を調整し易い。発光層の膜厚が５０ｎｍ以下であると、駆動電圧の上昇を抑制し易い。
（発光層における化合物の含有率）
第一の発光層が第一の化合物及び第三の化合物を含有する場合、第一の発光層における第一の化合物及び第三の化合物の含有率は、例えば、それぞれ、以下の範囲であることが好ましい。
第一の化合物の含有率は、８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下であることがより好ましく、９５質量％以上９９質量％以下であることがさらに好ましい。
第三の化合物の含有率は、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上７質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上５質量％以下であることがさらに好ましい。
ただし、第一の発光層における第一の化合物及び第三の化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。
なお、本実施形態は、第一の発光層に、第一の化合物及び第三の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第一の発光層は、第一の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第一の発光層は、第三の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
第二の発光層が第二の化合物及び第四の化合物を含有する場合、第二の発光層における第二の化合物及び第四の化合物の含有率は、例えば、それぞれ、以下の範囲であることが好ましい。
第二の化合物の含有率は、８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上９９質量％以下であることがより好ましく、９５質量％以上９９質量％以下であることがさらに好ましい。
第四の化合物の含有率は、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上７質量％以下であることがより好ましく、１質量％以上５質量％以下であることがさらに好ましい。
ただし、第二の発光層における第二の化合物及び第四の化合物の合計含有率の上限は、１００質量％である。
なお、本実施形態は、第二の発光層に、第二の化合物及び第四の化合物以外の材料が含まれることを除外しない。
第二の発光層は、第二の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。第二の発光層は、第四の化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
有機ＥＬ素子１の構成についてさらに説明する。以下、符号の記載は省略することがある。
（基板）
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、及びプラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板を形成する材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、及びポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
（陽極）
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１質量％以上１０質量％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、および酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５質量％以上５質量％以下、酸化亜鉛を０．１質量％以上１質量％以下含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
陽極上に形成されるＥＬ層のうち、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔（ホール）注入が容易である複合材料を用いて形成されるため、電極材料として可能な材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、その他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素も含む）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
（陰極）
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い物質としては、低分子の有機化合物である４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等やジピラジノ［２，３－ｆ：２０，３０－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）も挙げられる。
また、正孔注入性の高い物質としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。具体的には、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０－６ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質である。
正孔輸送層には、ＣＢＰ、９－［４－（Ｎ－カルバゾリル）］フェニル－１０－フェニルアントラセン（ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（ＰＣｚＰＡ）のようなカルバゾール誘導体や、ｔ－ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いても良い。ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、３）高分子化合物を使用することができる。具体的には低分子の有機化合物として、Ａｌｑ、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎｑ、ＺｎＰＢＯ、ＺｎＢＴＺなどの金属錯体等を用いることができる。また、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。本実施態様においては、ベンゾイミダゾール化合物を好適に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０－６ｃｍ２／（Ｖ・ｓ）以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。また、電子輸送層は、単層で構成されていてもよいし、上記物質からなる層が二層以上積層されて構成されていてもよい。
また、電子輸送層には、高分子化合物を用いることもできる。例えば、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）などを用いることができる。
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
（層形成方法）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各層の形成方法としては、上記で特に言及した以外には制限されないが、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法などの乾式成膜法や、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法などの湿式成膜法などの公知の方法を採用することができる。
（膜厚）
本実施形態の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、上記で特に言及した場合を除いて限定されない。一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、膜厚が厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常、有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
本実施形態によれば、発光効率が向上した有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。
本実施形態に係る有機ＥＬ素子においては、前記一般式（１）等で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有する第一の発光層と、前記一般式（２）等で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有する第二の発光層とが、直接、接している。第一の発光層と第二の発光層とをこのように積層させることで、生成した一重項励起子及び三重項励起子を有効に活用でき、その結果、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができる。
〔第二実施形態〕
（電子機器）
本実施形態に係る電子機器は、上述の実施形態のいずれかの有機ＥＬ素子を搭載している。電子機器としては、例えば、表示装置及び発光装置等が挙げられる。表示装置としては、例えば、表示部品（例えば、有機ＥＬパネルモジュール等）、テレビ、携帯電話、タブレット、及びパーソナルコンピュータ等が挙げられる。発光装置としては、例えば、照明及び車両用灯具等が挙げられる。
〔実施形態の変形〕
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されず、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良等は、本発明に含まれる。
例えば、発光層は、２層に限られず、２を超える複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が２を超える複数の発光層を有する場合、少なくとも２つの発光層が上記実施形態で説明した条件を満たしていればよい。例えば、その他の発光層が、蛍光発光型の発光層であっても、三重項励起状態から直接基底状態への電子遷移による発光を利用した燐光発光型の発光層であってもよい。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、中間層を介して複数の発光ユニットが積層された、いわゆるタンデム型の有機ＥＬ素子であってもよい。
また、例えば、発光層の陽極側、及び陰極側の少なくとも一方に障壁層を隣接させて設けてもよい。障壁層は、発光層に接して配置され、正孔、電子、及び励起子の少なくともいずれかを阻止することが好ましい。
例えば、発光層の陰極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、電子を輸送し、かつ正孔が当該障壁層よりも陰極側の層（例えば、電子輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、電子輸送層を含む場合は、発光層と電子輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、発光層の陽極側で接して障壁層が配置された場合、当該障壁層は、正孔を輸送し、かつ電子が当該障壁層よりも陽極側の層（例えば、正孔輸送層）に到達することを阻止する。有機ＥＬ素子が、正孔輸送層を含む場合は、発光層と正孔輸送層との間に当該障壁層を含むことが好ましい。
また、励起エネルギーが発光層からその周辺層に漏れ出さないように、障壁層を発光層に隣接させて設けてもよい。発光層で生成した励起子が、当該障壁層よりも電極側の層（例えば、電子輸送層及び正孔輸送層等）に移動することを阻止する。
発光層と障壁層とは接合していることが好ましい。
その他、本発明の実施における具体的な構造、及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。本発明はこれら実施例に何ら限定されない。
＜化合物＞
実施例又は参考例に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。
Figure 0007545397000324
比較例に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。
実施例又は参考例に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた化合物の構造を以下に示す。
実施例、比較例、参考例及び比較参考例に係る有機ＥＬ素子の製造に用いた、他の化合物の構造を以下に示す。
Figure 0007545397000346
Figure 0007545397000347
Figure 0007545397000353
＜有機ＥＬ素子の作製１＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔参考例１〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH1:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET1(10)/ET2(15)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１又は化合物ＢＨ２）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔比較参考例１〕
比較参考例１の有機ＥＬ素子は、表１に記載のとおり、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２〕
比較参考例２の有機ＥＬ素子は、表１に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に発光層として膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の評価＞
実施例、比較例、参考例及び比較参考例で作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。評価結果を表１～４６に示す。
なお、本明細書において、ある実施例の評価結果が複数の表に記載されている場合があり、ある比較例の評価結果が複数の表に記載されている場合があり、ある参考例の評価結果が複数の表に記載されている場合があり、ある比較参考例の評価結果が複数の表に記載されている場合がある。
・外部量子効率ＥＱＥ
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。
・寿命ＬＴ９０
得られた有機ＥＬ素子に、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９０％となるまでの時間（ＬＴ９０（単位：時間））を測定した。
・寿命ＬＴ９５
得られた有機ＥＬ素子に、電流密度が５０ｍＡ／ｃｍ２となるように電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が９５％となるまでの時間（ＬＴ９５（単位：時間））を測定した。
・素子駆動時の主ピーク波長λｐ
有機ＥＬ素子の電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、主ピーク波長λｐ（単位：ｎｍ）を算出した。
・駆動電圧
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように陽極と陰極との間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。
・ＣＩＥ１９３１色度
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタ株式会社製）で計測した。実施例１４５及び比較例１１８の有機ＥＬ素子について、得られた分光放射輝度スペクトルから、ＣＩＥｙを算出した。
表１に示すとおり、第一の化合物を第一のホスト材料として含有する第一の発光層と第二の化合物を第二のホスト材料として含有する第二の発光層とが、直接、接した層構成を備える参考例１に係る有機ＥＬ素子によれば、いずれか一方の発光層だけを備える比較参考例１～２に係る有機ＥＬ素子に比べて、高い発光効率で発光した。また、参考例１に係る有機ＥＬ素子は、比較参考例１～２に係る有機ＥＬ素子に比べて、長寿命であった。
〔参考例２～２０〕
参考例２～２０の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）を表２に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例３～２１〕
比較参考例３～２１の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）を表３に記載の第一の化合物に変更したこと以外、比較参考例１と同様にして作製した。
〔参考例２１〕
参考例２１の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表４に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例２２～２３〕
参考例２２～２３の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表４に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２２〕
比較参考例２２の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表４に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例２４〕
参考例２４の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表５に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例２５～２６〕
参考例２５～２６の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表５に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２３〕
比較参考例２３の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表５に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例２７〕
参考例２７の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表６に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例２８～２９〕
参考例２８～２９の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表６に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２４〕
比較参考例２４の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表６に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例３０〕
参考例３０の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表７に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例３１～３２〕
参考例３１～３２の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表７に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２５〕
比較参考例２５の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表７に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例３３〕
参考例３３の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表８に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例３４～３５〕
参考例３４～３５の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表８に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２６〕
比較参考例２６の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表８に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例３６〕
参考例３６の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表９に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例３７～３８〕
参考例３７～３８の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表９に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２７〕
比較参考例２７の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表９に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例３９〕
参考例３９の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表１０に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例４０～４１〕
参考例４０～４１の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表１０に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２８〕
比較参考例２８の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表１０に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例４２〕
参考例４２の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表１１に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例４３～４４〕
参考例４３～４４の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表１１に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例２９〕
比較参考例２９の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２（第二のホスト材料）を表１１に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例４５〕
参考例４５の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＤ１、並びに第二の発光層における化合物ＢＤ１を表１２に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例４６～４７〕
参考例４６～４７の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び化合物ＢＤ１、並びに第二の発光層における化合物ＢＤ１を表１２に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例３０〕
比較参考例３０の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＤ１を表１２に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例３１〕
比較参考例３１の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＤ１を表１２に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔参考例４８〕
参考例４８の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＤ１、並びに第二の発光層における化合物ＢＤ１を表１３に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔参考例４９～５０〕
参考例４９～５０の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）及び化合物ＢＤ１、並びに第二の発光層における化合物ＢＤ１を表１３に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例３２〕
比較参考例３２の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＤ１を表１３に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例３３〕
比較参考例３３の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＤ１を表１３に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例２と同様にして作製した。
〔実施例５１～６８〕
実施例５１～６８の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）を表１４に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較例Ｃ６９〕
比較例Ｃ６９の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）を表１４に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較例３４～５１〕
比較例３４～５１の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）を表１５に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製２＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例７０〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ３を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－２１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ４を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
実施例７０の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT3(80)/HT4(10)/BH1-21:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET4(10)/ET2(15)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－２１又は化合物ＢＨ２）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔実施例７１～７７〕
実施例７１～７７の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－２１（第一のホスト材料）を表１６に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例７０と同様にして作製した。
〔比較例Ｃ７８〕
比較例Ｃ７８の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－２１（第一のホスト材料）を表１６に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例７０と同様にして作製した。
〔比較例５２～５９〕
比較例５２～５９の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと、並びに、第一の発光層における第一の化合物（第一のホスト材料）を表１６に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例７０と同様にして作製した。
〔比較例６０〕
比較例６０の有機ＥＬ素子は、表１６に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、実施例７０と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製３＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例７９〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ３を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－２９（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ３を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
実施例７９の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT3(80)/HT4(10)/BH1-29:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET3(10)/ET2(15)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－２９又は化合物ＢＨ２）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔実施例８０～８９〕
実施例８０～８９の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－２９（第一のホスト材料）を表１７に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例７９と同様にして作製した。
〔比較例Ｃ９０〕
比較例Ｃ９０の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－２９（第一のホスト材料）を表１７に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例７９と同様にして作製した。
〔比較例６１～７１〕
比較例６１～７１の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと、並びに、第一の発光層における第一の化合物（第一のホスト材料）を表１７に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例７９と同様にして作製した。
〔比較例７２〕
比較例７２の有機ＥＬ素子は、表１７に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、実施例７９と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製４＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔参考例９１〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ５及び化合物ＨＡ２を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。この正孔注入層中の化合物ＨＴ５の割合を９７質量％とし、化合物ＨＡ２の割合を３質量％とした。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ５を蒸着し、膜厚８５ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－６１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ３を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ６及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ６の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。なお、Ｌｉｑは、（８－キノリノラト）リチウム（（８－Ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ）の略称である。
第２の電子輸送層上にＬｉｑを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例９１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT5:HA2(10,97%:3%)/HT5(85)/HT4(5)/BH1-61:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET3(5)/ET6:Liq(25,50%:50%)/Liq(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ５及び化合物ＨＡ２の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－６１又はＢＨ２）及びドーパント材料（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ６及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例９２～９５〕
参考例９２～９５の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－６１（第一のホスト材料）を表１８に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例９１と同様にして作製した。
〔比較参考例７３～７６〕
比較参考例７３～７６の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと、並びに、第一の発光層における第一の化合物（第一のホスト材料）を表１８に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例９１と同様にして作製した。
〔比較参考例７７〕
比較参考例７７の有機ＥＬ素子は、表１８に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、参考例９１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製５＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔参考例９６〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ３及び化合物ＨＡ２を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。この正孔注入層中の化合物ＨＴ３の割合を９７質量％とし、化合物ＨＡ２の割合を３質量％とした。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ３を蒸着し、膜厚８５ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－７５（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ３を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ８及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ５の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。なお、Ｌｉｑは、（８－キノリノラト）リチウム（（８－Ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ）の略称である。
第２の電子輸送層上にＬｉｑを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例９６の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT3:HA2(10,97%:3%)/HT3(85)/HT4(5)/BH1-75:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET3(5)/ET8:Liq(25,50%:50%)/Liq(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ３及び化合物ＨＡ２の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－７５又はＢＨ２）及びドーパント材料（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ８及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例９７〕
参考例９７の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－７５（第一のホスト材料）を表１９に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例９６と同様にして作製した。
〔比較参考例７８〕
比較参考例７８の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと、並びに、第一の発光層における第一の化合物（第一のホスト材料）を表１９に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例９６と同様にして作製した。
〔比較参考例７９〕
比較参考例７９の有機ＥＬ素子は、表１９に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、参考例９６と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製６＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔参考例９８〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ５及び化合物ＨＡ２を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。この正孔注入層中の化合物ＨＴ５の割合を９７質量％とし、化合物ＨＡ２の割合を３質量％とした。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ５を蒸着し、膜厚８５ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－６４（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ３を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ８及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ８の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。
第２の電子輸送層上にＬｉｑを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例９８の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT5:HA2(10,97%:3%)/HT5(85)/HT4(5)/BH1-64:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET3(5)/ET8:Liq(25,50%:50%)/Liq(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ５及び化合物ＨＡ２の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－６４又はＢＨ２）及びドーパント材料（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ８及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例９９～１０３〕
参考例９９～１０３の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－６４（第一のホスト材料）を表２０に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例９８と同様にして作製した。
〔比較参考例８０～８４〕
比較参考例８０～８４の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと、並びに、第一の発光層における第一の化合物（第一のホスト材料）を表２０に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例９８と同様にして作製した。
〔比較参考例８５〕
比較参考例８５の有機ＥＬ素子は、表２０に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、参考例９８と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製７＞
有機ＥＬ素子を以下のように作製し、評価した。
〔実施例１０４〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして、化合物ＨＴ５及び化合物ＨＡ２を共蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。この正孔注入層中の化合物ＨＴ５の割合を９７質量％とし、化合物ＨＡ２の割合を３質量％とした。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ５を蒸着し、膜厚８５ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚５ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－７０（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層（ＨＢＬ）上に化合物ＥＴ６及び化合物Ｌｉｑを共蒸着し、膜厚２５ｎｍの電子輸送層（ＥＴ）を形成した。この電子輸送層（ＥＴ）の化合物ＥＴ６の割合を５０質量％とし、化合物Ｌｉｑの割合を５０質量％とした。
第２の電子輸送層上にＬｉｑを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
実施例１０４の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HT5:HA2(10,97%:3%)/HT5(85)/HT4(5)/BH1-70:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET1(5)/ET6:Liq(25,50%:50%)/Liq(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９７％：３％）は、正孔注入層における化合物ＨＴ５及び化合物ＨＡ２の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－７０又はＢＨ２）及びドーパント材料（化合物ＢＤ１）の割合（質量％）を示し、パーセント表示された数字（５０％：５０％）は、電子輸送層（ＥＴ）における化合物ＥＴ６及び化合物Ｌｉｑの割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔実施例１０５～１０８〕
実施例１０５～１０８の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－７０（第一のホスト材料）を表２１に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例１０４と同様にして作製した。
〔比較例Ｃ１０９〕
比較例Ｃ１０９の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－７０（第一のホスト材料）を表２１に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例１０４と同様にして作製した。
〔比較例８６～９０〕
比較例８６～９０の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと、並びに、第一の発光層における第一の化合物（第一のホスト材料）を表２１に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例１０４と同様にして作製した。
〔比較例９１〕
比較例９１の有機ＥＬ素子は、表２１に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、実施例１０４と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製８＞
〔参考例１１０〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ８を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－８１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１１０の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT1(80)/HT8(10)/BH1-81:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET1(10)/ET2(15)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－８１又は化合物ＢＨ２）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１１１〕
参考例１１１の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－８１（第一のホスト材料）を表２２に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例１１０と同様にして作製した。
〔比較参考例９２〕
比較参考例９２の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと以外、参考例１１０と同様にして作製した。
〔比較参考例９３〕
比較参考例９３の有機ＥＬ素子は、表２２に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、参考例１１０と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製９＞
〔参考例１１２～１１３〕
参考例１１２～１１３の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）を表２３に記載の化合物に変更したこと以外、参考例１と同様にして作製した。
〔比較参考例９４〕
比較参考例９４の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１（第一のホスト材料）を表２３に記載の化合物に変更したこと以外、比較参考例１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１０＞
〔参考例１１４〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－８３（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ７を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１１４の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH1-83:BD1(5,98%:2%)/BH2:BD1(20,98%:2%)/ET7(10)/ET2(15)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層又は第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－８３又は化合物ＢＨ２）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１１５〕
参考例１１５の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－８３（第一のホスト材料）を表２４に記載の第一の化合物に変更したこと以外、参考例１１４と同様にして作製した。
〔比較参考例９５〕
比較参考例９５の有機ＥＬ素子は、発光層として膜厚２５ｎｍの第一の発光層を形成し、第二の発光層を形成せずに、第一の発光層の上に第１の電子輸送層を形成したこと以外、参考例１１４と同様にして作製した。
〔比較参考例９６〕
比較参考例９６の有機ＥＬ素子は、表２４に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと以外、参考例１１４と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１１＞
〔参考例１１６〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１１６の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT1(80)/HT4(10)/BH1:BD1(5,98%:2%)/BH2-8:BD1(20,98%:2%)/ET1(10)/ET2(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２－８）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１１７〕
参考例１１７の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表２５に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１１６と同様にして作製した。
〔比較参考例９７〕
比較参考例９７の有機ＥＬ素子は、表２５に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表２５に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１１６と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１２＞
〔参考例１１８～１１９〕
参考例１１８～１１９の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表２６に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１１６と同様にして作製した。
〔比較参考例９８〕
比較参考例９８の有機ＥＬ素子は、表２６に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表２６に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１１６と同様にして作製した。
〔参考例１２０〕
参考例１２０の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表２７に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１１６と同様にして作製した。
〔比較参考例９９〕
比較参考例９９の有機ＥＬ素子は、表２７に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表２７に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１１６と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１３＞
〔参考例１２１〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ３を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ４を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ７を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１２１の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT3(80)/HT4(10)/BH1:BD2(5,98%:2%)/BH2-2:BD2(20,98%:2%)/ET7(10)/ET2(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１）及び化合物ＢＤ２の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２－２）及び化合物ＢＤ２の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１２２〕
参考例１２２の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料）を表２８に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２１と同様にして作製した。
〔比較参考例１００〕
比較参考例１００の有機ＥＬ素子は、表２８に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表２８に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２１と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１４＞
〔参考例１２３〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ５を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ６を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－１０（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ７を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１２３の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT5(80)/HT6(10)/BH1-10:BD2(5,98%:2%)/BH2-2:BD2(20,98%:2%)/ET7(10)/ET2(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－１０）及び化合物ＢＤ２の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２－２）及び化合物ＢＤ２の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１２４〕
参考例１２４の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料）を表２９に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２３と同様にして作製した。
〔比較参考例１０１〕
比較参考例１０１の有機ＥＬ素子は、表２９に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表２９に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２３と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１５＞
〔参考例１２５〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ３を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ７を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－１０（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ７を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１２５の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT3(80)/HT7(10)/BH1-10:BD1(5,98%:2%)/BH2-2:BD1(20,98%:2%)/ET7(10)/ET2(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－１０）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２－２）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１２６〕
参考例１２６の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料）を表３０に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
〔比較参考例１０２〕
比較参考例１０２の有機ＥＬ素子は、表３０に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３０に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
〔参考例１２７〕
参考例１２７の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料）を表３１に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
〔比較参考例１０３〕
比較参考例１０３の有機ＥＬ素子は、表３１に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３１に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
〔参考例１２８〕
参考例１２８の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料）を表３２に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
〔比較参考例１０４〕
比較参考例１０４の有機ＥＬ素子は、表３２に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３２に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
〔参考例１２９〕
参考例１２９の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－２（第二のホスト材料）を表３３に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
〔比較参考例１０５〕
比較参考例１０５の有機ＥＬ素子は、表３３に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３３に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１２５と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１６＞
〔参考例１３０〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ３を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ７を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－１０（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ１を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ５を蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１３０の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT3(80)/HT7(10)/BH1-10:BD1(5,98%:2%)/BH2-8:BD1(20,98%:2%)/ET1(10)/ET5(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－１０）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２－８）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１３１〕
参考例１３１の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表３４に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３０と同様にして作製した。
〔比較参考例１０６〕
比較参考例１０６の有機ＥＬ素子は、表３４に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３４に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３０と同様にして作製した。
〔参考例１３２〕
参考例１３２の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表３５に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３０と同様にして作製した。
〔比較参考例１０７〕
比較参考例１０７の有機ＥＬ素子は、表３５に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３５に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３０と同様にして作製した。
〔参考例１３３〕
参考例１３３の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表３６に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３０と同様にして作製した。
〔比較参考例１０８〕
比較参考例１０８の有機ＥＬ素子は、表３６に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３６に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３０と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１７＞
〔参考例１３４〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ４を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１３４の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH1:BD1(5,98%:2%)/BH2-8:BD1(20,98%:2%)/ET4(10)/ET2(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２－８）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１３５〕
参考例１３５の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表３７に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１０９〕
比較参考例１０９の有機ＥＬ素子は、表３７に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３７に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔参考例１３６〕
参考例１３６の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表３８に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１１０〕
比較参考例１１０の有機ＥＬ素子は、表３８に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３８に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔参考例１３７〕
参考例１３７の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表３９に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１１１〕
比較参考例１１１の有機ＥＬ素子は、表３９に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表３９に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔参考例１３８〕
参考例１３８の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表４０に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１１２〕
比較参考例１１２の有機ＥＬ素子は、表４０に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表４０に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔参考例１３９〕
参考例１３９の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表４１に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１１３〕
比較参考例１１３の有機ＥＬ素子は、表４１に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表４１に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔参考例１４０〕
参考例１４０の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表４２に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１１４〕
比較参考例１１４の有機ＥＬ素子は、表４２に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表４２に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔参考例１４１〕
参考例１４１の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表４３に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１１５〕
比較参考例１１５の有機ＥＬ素子は、表４３に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表４３に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔参考例１４２〕
参考例１４２の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表４４に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
〔比較参考例１１６〕
比較参考例１１６の有機ＥＬ素子は、表４４に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表４４に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１３４と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１８＞
〔参考例１４３〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ１を蒸着し、膜厚５ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ１を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ２を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ１（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ７を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚２０ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの陰極を形成した。
参考例１４３の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA1(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH1:BD1(5,98%:2%)/BH2-8:BD1(20,98%:2%)/ET7(10)/ET2(20)/LiF(1)/Al(80)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２－８）及び化合物ＢＤ１の割合（質量％）を示す。以下、同様の表記とする。
〔参考例１４４〕
参考例１４４の有機ＥＬ素子は、第二の発光層における化合物ＢＨ２－８（第二のホスト材料）を表４５に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１４３と同様にして作製した。
〔比較参考例１１７〕
比較参考例１１７の有機ＥＬ素子は、表４５に記載のとおり、第一の発光層を形成せずに、第二の正孔輸送層の上に膜厚２５ｎｍの第二の発光層を形成したこと、並びに第二の発光層における第二の化合物（第二のホスト材料）を表４５に記載の第二の化合物に変更したこと以外、参考例１４３と同様にして作製した。
＜有機ＥＬ素子の作製１９＞
〔実施例１４５〕
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯ透明電極の膜厚は、１３０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ３を蒸着し、膜厚１０ｎｍの正孔注入層（ＨＩ）を形成した。
正孔注入層の成膜に続けて化合物ＨＴ９を蒸着し、膜厚８０ｎｍの第一の正孔輸送層（ＨＴ）を成膜した。
第一の正孔輸送層の成膜に続けて化合物ＨＴ１０を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二の正孔輸送層（電子障壁層ともいう）（ＥＢＬ）を成膜した。
第二の正孔輸送層上に化合物ＢＨ１－８４（第一のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚５ｎｍの第一の発光層を成膜した。
第一の発光層上に化合物ＢＨ２（第二のホスト材料（ＢＨ））及び化合物ＢＤ２（ドーパント材料（ＢＤ））を、化合物ＢＤ２の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２０ｎｍの第二の発光層を成膜した。
第二の発光層上に化合物ＥＴ９を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第１の電子輸送層（正孔障壁層ともいう）（ＨＢＬ）を形成した。
第１の電子輸送層上に化合物ＥＴ２を蒸着し、膜厚１５ｎｍの第２の電子輸送層（ＥＴ）を形成した。
第２の電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚５０ｎｍの陰極を形成した。
実施例１４５の素子構成を略式的に示すと、次のとおりである。
ITO(130)/HA3(10)/HT9(80)/HT10(10)/BH1-84:BD2(5,98%:2%)/BH2:BD2(20,98%:2%)/ET9(10)/ET2(15)/LiF(1)/Al(50)
なお、括弧内の数字は、膜厚（単位：ｎｍ）を示す。
同じく括弧内において、パーセント表示された数字（９８％：２％）は、第一の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ１－８４）及び化合物ＢＤ２の割合（質量％）を示し、又はパーセント表示された数字（９８％：２％）は、第二の発光層におけるホスト材料（化合物ＢＨ２）及び化合物ＢＤ２の割合（質量％）を示す。
〔比較例１１８〕
比較例１１８の有機ＥＬ素子は、第一の発光層における化合物ＢＨ１－８４（第一のホスト材料）を表４６に記載の第一の化合物に変更したこと以外、実施例１４５と同様にして作製した。
Figure 0007545397000400
＜化合物の評価＞
（トルエン溶液の調製）
化合物ＢＤ１を、４．９×１０－６ｍｏｌ／Ｌの濃度でトルエンに溶解し、化合物ＢＤ１のトルエン溶液を調製した。これと同様に、化合物ＢＤ２のトルエン溶液及び化合物ＢＤ３のトルエン溶液を調製した。
（蛍光発光主ピーク波長（ＦＬ－ｐｅａｋ）の測定）
蛍光スペクトル測定装置（分光蛍光光度計Ｆ－７０００（株式会社日立ハイテクサイエンス製））を用いて、化合物ＢＤ１のトルエン溶液を３９０ｎｍで励起した場合の蛍光発光主ピーク波長を測定した。化合物ＢＤ２のトルエン溶液及び化合物ＢＤ３のトルエン溶液についても、化合物ＢＤ１と同様に蛍光発光主ピーク波長を測定した。
化合物ＢＤ１の蛍光発光主ピーク波長は、４５３ｎｍであった。
化合物ＢＤ２の蛍光発光主ピーク波長は、４５５ｎｍであった。
化合物ＢＤ３の蛍光発光主ピーク波長は、４５１ｎｍであった。
１…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…陰極、５１…第一の発光層、５２…第二の発光層、６…正孔注入層、７…正孔輸送層、８…電子輸送層、９…電子注入層。

Claims (19)

  1. 陽極と、
    陰極と、
    前記陽極及び前記陰極の間に配置された第一の発光層と、
    前記第一の発光層と前記陰極との間に配置された第二の発光層と、を有し、
    前記第一の発光層は、下記一般式（１１）で表される基を１つ有し、かつ下記一般式（１）で表される第一の化合物を第一のホスト材料として含有し、
    前記第二の発光層は、下記一般式（２）で表される第二の化合物を第二のホスト材料として含有し、
    前記第一の発光層と前記第二の発光層とが、直接、接している、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
    （前記一般式（１）において、
    Ｒ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
    水素原子、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
    置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
    置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
    －Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
    －Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
    －Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
    置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
    －Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
    －ＣＯＯＲ８０２で表される基、
    ハロゲン原子、
    シアノ基、
    ニトロ基、又は
    前記一般式（１１）で表される基であり、
    ただし、Ｒ１０１～Ｒ１１０の１つが、前記一般式（１１）で表される基であり、
    Ｌ１０１は、
    単結合、又は
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
    Ｌ１０１は、置換もしくは無置換のピレニレン基ではなく、
    Ｌ１０１としての置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のｐ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｍ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｏ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のベンゾアントリル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のベンゾフェナントリル基、置換もしくは無置換のフェナレニル基、置換もしくは無置換のクリセニル基、置換もしくは無置換のベンゾクリセニル基、置換もしくは無置換のトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のベンゾトリフェニレニル基、置換もしくは無置換のテトラセニル基、置換もしくは無置換のペンタセニル基、置換もしくは無置換の９，９’－スピロビフルオレニル基、置換もしくは無置換のフルオランテニル基、置換もしくは無置換のベンゾフルオランテニル基、又は置換もしくは無置換のペリレニル基からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基であり、
    Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基であり、
    ｍｘは、０、１、２、３、４又は５であり、
    Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のピレニル基ではなく、
    Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のｐ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｍ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｏ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換の１－ナフチル基、置換もしくは無置換の２－ナフチル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、置換もしくは無置換のフルオレニル基、又は置換もしくは無置換のベンゾフルオレニル基であり、
    Ａｒ１０１が、置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である場合、Ａｒ１０１としてのアリール基が有する置換基は、炭素数１～１８のアルキル基であり、
    Ｌ１０１が２以上存在する場合、２以上のＬ１０１は、互いに同一であるか、又は異なり、
    前記一般式（１１）中の＊は、前記一般式（１）中のピレン環との結合位置を示す。）
    （前記一般式（２）において、
    Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
    水素原子、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
    置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
    置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
    －Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
    －Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
    －Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
    －Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
    置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
    －Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
    －ＣＯＯＲ８０２で表される基、
    ハロゲン原子、
    シアノ基、
    ニトロ基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
    置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
    Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
    単結合、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
    置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
    Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
    置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である。）
    （前記一般式（１）で表される第一の化合物及び前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ９０１、Ｒ９０２、Ｒ９０３、Ｒ９０４、Ｒ９０５、Ｒ９０６、Ｒ９０７、Ｒ８０１及びＲ８０２は、それぞれ独立に、
    水素原子、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
    置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基であり、
    Ｒ９０１が複数存在する場合、複数のＲ９０１は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ９０２が複数存在する場合、複数のＲ９０２は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ９０３が複数存在する場合、複数のＲ９０３は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ９０４が複数存在する場合、複数のＲ９０４は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ９０５が複数存在する場合、複数のＲ９０５は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ９０６が複数存在する場合、複数のＲ９０６は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ９０７が複数存在する場合、複数のＲ９０７は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ８０１が複数存在する場合、複数のＲ８０１は、互いに同一であるか又は異なり、
    Ｒ８０２が複数存在する場合、複数のＲ８０２は、互いに同一であるか又は異なる。）
  2. 請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    ｍｘは、１、２、３、４又は５であり、
    少なくとも１つのＬ１０１は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のｐ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｍ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｏ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－２－イル基、又は置換もしくは無置換のフェナントリル基からアリール環上の１つの水素原子を除くことにより誘導される２価の基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    Ａｒ１０１は、４つの環が縮合したアリール基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    Ａｒ１０１は、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換の１－ナフチル基、置換もしくは無置換の２－ナフチル基、置換もしくは無置換のｐ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｍ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｏ－ビフェニル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｐ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｍ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－４－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－３－イル基、置換もしくは無置換のｏ－ターフェニル－２－イル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は置換もしくは無置換のフルオレニル基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、素子駆動時に主ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の光を放射する、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記第二の発光層は、蛍光発光性の第四の化合物をさらに含有し、
    前記第四の化合物は、主ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の発光を示す化合物である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記第一の発光層は、蛍光発光性の第三の化合物をさらに含有し、
    前記第三の化合物は、主ピーク波長が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の発光を示す化合物である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、それぞれ独立に、
    水素原子、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、又は
    置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（１１）で表される基ではないＲ１０１～Ｒ１１０は、水素原子である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
    水素原子、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のハロアルキル基、
    置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
    置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
    －Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基、
    －Ｏ－（Ｒ９０４）で表される基、
    －Ｓ－（Ｒ９０５）で表される基、
    －Ｎ（Ｒ９０６）（Ｒ９０７）で表される基、
    置換もしくは無置換の炭素数７～５０のアラルキル基、
    －Ｃ（＝Ｏ）Ｒ８０１で表される基、
    －ＣＯＯＲ８０２で表される基、
    ハロゲン原子、
    シアノ基、又は
    ニトロ基であり、
    Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
    単結合、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基、又は
    置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の２価の複素環基であり、
    Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
    置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の複素環基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    Ｌ２０１及びＬ２０２は、それぞれ独立に、
    単結合、又は
    置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基であり、
    Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  12. 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    Ａｒ２０１及びＡｒ２０２は、それぞれ独立に、
    フェニル基、
    ナフチル基、
    フェナントリル基、
    ビフェニル基、
    ターフェニル基、
    ジフェニルフルオレニル基、
    ジメチルフルオレニル基、
    ベンゾジフェニルフルオレニル基、
    ベンゾジメチルフルオレニル基、
    ジベンゾフラニル基、
    ジベンゾチエニル基、
    ナフトベンゾフラニル基、又は
    ナフトベンゾチエニル基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２）で表される第二の化合物は、下記一般式（２０１）、一般式（２０２）、一般式（２０３）、一般式（２０４）、一般式（２０５）、一般式（２０６）、一般式（２０７）、一般式（２０８）又は一般式（２０９）で表される化合物である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
    （前記一般式（２０１）～（２０９）中、
    Ｌ２０１及びＡｒ２０１は、前記一般式（２）におけるＬ２０１及びＡｒ２０１と同義であり、
    Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＲ２０１～Ｒ２０８と同義である。）
  14. 請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、それぞれ独立に、
    水素原子、
    置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
    置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、又は
    －Ｓｉ（Ｒ９０１）（Ｒ９０２）（Ｒ９０３）で表される基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記一般式（２）で表される第二の化合物中、Ｒ２０１～Ｒ２０８は、水素原子である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  16. 請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記第一の化合物及び前記第二の化合物において、「置換もしくは無置換」と記載された基は、いずれも「無置換」の基である、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  17. 請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記陽極と、前記第一の発光層との間に、正孔輸送層を有する、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  18. 請求項１から請求項１７のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
    前記陰極と、前記第二の発光層との間に、電子輸送層を有する、
    有機エレクトロルミネッセンス素子。
  19. 請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
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