JP7513666B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板処理装置に関するものである。
半導体素子を製造するために、基板に写真、蝕刻、アッシング、イオン注入、そして、薄膜蒸着などの多様な工程らを通じて所望するパターンをウェハーなどの基板上に形成する。それぞれの工程には多様な処理液、処理ガスらが使用され、工程が進行中にはパーティクル、そして工程副産物が発生する。
図１は、処理工程が一部遂行された基板の姿を見せてくれる図面である。図１を参照すれば、処理工程が一部遂行された基板(W)上には膜(L)が形成され、蝕刻などの処理を通じて膜(L)を貫通するホール(H、またはパターンとも称する)が形成されることがある。膜(L)は窒化物(Nitride)、酸化物(Oxide)、または金属(例えば、タングステン)のような素材でなされることがある。
基板(W)を処理する過程で、基板(W)上には多様な不純物が付着されることがある。例えば、不純物はカーボンを含む有機(Organic)不純物(OP)であることがあって、カーボンを含まない無機(In-Organic)不純物(IOP)であることがある。基板(W)上には有機不純物(OP)、無機不純物(IOP)がすべて付着されていることもあって、場合によっては有機不純物(OP)が付着されていることもある。また、このような不純物らは基板(W)上に形成されているホール(H)内に付着されていることもある。
一般に、このようなホール(H)に付着された不純物らを除去するため、基板(W)上に薬液を供給する。しかし、最近基板(W)上に形成されるパターンの稠密化、ホール(H)のアスペクト比(Aspect Ratio、AR)が高くなることによって、ホール(H)内に薬液が適切に浸透することができなくて基板(W)上に付着された不純物らが適切に除去されることができないことがある。
韓国特許公開第10-1998-0039624号公報
本発明は、基板を効率的に処理することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は基板上に付着された不純物を効果的に除去することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は基板上に付着された不純物の種類によって処理モードを異にして基板上に付着された不純物の除去効率を改善することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載らから通常の技術者が明確に理解されることができるであろう。
本発明は基板処理装置を提供する。基板処理装置は、処理空間を定義するハウジングと、前記処理空間で基板を支持するチャック-前記チャックには前記処理空間でプラズマを発生させる下部電極が提供される-、上部電極と、及び前記上部電極と前記処理空間との間に配置されるイオンブロッカーを含むことができる。
一実施例によれば、前記イオンブロッカーは接地されて前記上部電極と前記イオンブロッカーとの間空間であるプラズマ空間で発生されたプラズマからイオンを除去することができる。
一実施例によれば、前記下部電極に電力を印加する下部電源モジュールと、前記上部電極に電力を印加する上部電源モジュールと、及び前記下部電極または前記上部電極によってプラズマで励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットをさらに含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ユニットは、前記処理空間に工程ガスを供給する第１ガス供給ユニットと、及び前記イオンブロッカーと前記上部電極との間空間であるプラズマ空間に工程ガスを供給する第２ガス供給ユニットと、を含むことができる。
一実施例によれば、前記イオンブロッカーと前記処理空間との間に配置される、シャワーヘッドをさらに含むことができる。
一実施例によれば、前記第１ガス供給ユニットは、前記シャワーヘッドと前記イオンブロッカーとの間空間であるミキシング空間に工程ガスを供給することができる。
一実施例によれば、前記第１ガス供給ユニットは、前記イオンブロッカーに形成されたガス供給口と連結される第１ガスラインと、及び前記シャワーヘッドに形成されたガス注入口と連結される第２ガスラインと、を含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給口、そして前記ガス注入口は、前記ミキシング空間を向けて工程ガスを供給するように構成されることができる。
一実施例によれば、前記ガス供給口、そして前記ガス注入口は、前記ミキシング空間のお互いに相異な領域に工程ガスを供給するように構成されることができる。
一実施例によれば、前記ガス供給口は、前記ミキシング空間の中央領域に工程ガスを供給するように構成され、前記ガス注入口は、前記ミキシング空間の縁領域に工程ガスを供給するように構成されることができる。
一実施例によれば、前記ガス注入口は、前記ミキシング空間には通じるが、前記処理空間には通じないように構成されることができる。
一実施例によれば、前記ガス供給口は、前記ミキシング空間には通じるが、前記プラズマ空間には通じないように構成されることができる。
一実施例によれば、制御機をさらに含み、前記制御機は、第１モード、第２モード、そして第３モードのうちで何れか一つのモードで基板を処理するように前記下部電源モジュール、前記上部電源モジュール、そして前記ガス供給ユニットを制御し、前記第１モードは、前記プラズマ空間でプラズマを発生させるモードであり、前記第２モードは、前記プラズマ空間と前記処理空間でプラズマを発生させるモードであり、前記第３モードは、前記処理空間でプラズマを発生させるモードであることができる。
また、本発明は基板処理装置を提供する。基板処理装置は、処理空間を定義するハウジングと、前記処理空間で基板を支持する静電チャックと、前記処理空間でプラズマを発生させる下部電極と、前記ハウジングより上部に配置されるイオンブロッカーと、前記イオンブロッカーと対向されるように配置される上部電極-前記上部電極は前記イオンブロッカーと前記上部電極との間空間であるプラズマ空間でプラズマを発生させ、前記プラズマ空間は前記処理空間と流体連通される-と、前記下部電極または前記上部電極によってプラズマ状態で励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットと、前記下部電極に電力を印加する下部電源モジュールと、及び前記上部電極に電力を印加する上部電源モジュールと、を含むことができる。
一実施例によれば、制御機をさらに含み、前記制御機は、第１モード、第２モード、そして第３モードのうちで何れか一つのモードで基板を処理するように前記下部電源モジュール、前記上部電源モジュール、そして前記ガス供給ユニットを制御し、前記第１モードは、前記プラズマ空間でプラズマを発生させるモードであり、前記第２モードは、前記プラズマ空間と前記処理空間でプラズマを発生させるモードであり、前記第３モードは、前記処理空間でプラズマを発生させるモードであることができる。
一実施例によれば、前記制御機は、前記第１モードで基板を処理時前記ガス供給ユニットがO、H２、NF３、He、Ar、NH３のうちで少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するように前記ガス供給ユニットを制御することができる。
一実施例によれば、前記制御機は、前記第２モードで基板を処理時前記ガス供給ユニットがAr、Xe、NH３、H２、N２、O、NF３、F２、Heのうちで少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するように前記ガス供給ユニットを制御することができる。
一実施例によれば、前記制御機は、前記第３モードで基板を処理時前記ガス供給He、Ar、Xe、NH３、H２、N２、O、NF３、F２のうちで少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するように前記ガス供給ユニットを制御することができる。
また、本発明はパターンが形成された基板を処理する装置において、処理空間を定義するハウジングと、前記処理空間で基板を支持する静電チャック-前記静電チャックには前記処理空間でプラズマを発生させる下部電極が提供される-、前記ハウジングより上部に配置され、前記処理空間を定義するシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドより上部に配置され、前記シャワーヘッドと共にミキシング空間を定義するイオンブロッカーと、前記イオンブロッカーより上部に配置され、前記イオンブロッカーと共にプラズマ空間を定義する上部電極-前記上部電極は前記プラズマ空間でプラズマを発生させ-、前記ミキシング空間で工程ガスを供給する第１ガス供給ユニットと、及び前記プラズマ空間に工程ガスを供給する第２ガス供給ユニットと、を含むことができる。
一実施例によれば、前記下部電極に電力を印加する下部電源モジュールと、前記上部電極に電力を印加する上部電源モジュールと、及び制御機をさらに含み、前記制御機は、基板上に残留する不純物の種類によって第１モード、第２モード、そして第３モードのうちで何れか一つのモードで基板を処理するように前記下部電源モジュール、前記上部電源モジュール、前記第１ガス供給ユニット、そして第２ガス供給ユニットを制御し、前記第１モードは、前記プラズマ空間でプラズマを発生させるモードであり、前記第２モードは、前記プラズマ空間と前記処理空間でプラズマを発生させるモードであり、前記第３モードは、前記処理空間でプラズマを発生させるモードであることができる。
本発明の一実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。
また、本発明の一実施例によれば、基板上に付着された不純物を効果的に除去することができる。
また、本発明の一実施例によれば、基板上に付着された不純物の種類によって処理モードを異にして基板上に付着された不純物の除去効率を改善することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面らから本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
処理工程が一部遂行された基板の姿を見せてくれる図面である。 本発明の一実施例による基板処理装置を見せてくれる図面である。 図２の基板処理装置が基板を処理時選択することができる処理モードの姿を図式化した図面である。 図３の第１モードの第１ラジカル工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。 図３の第１モードの第２ラジカル工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。 図３の第２モードのイオン処理工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。 図３のイオン処理工程が遂行される基板の姿を見せてくれる図面である。 図３の第２モードのラジカル処理工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。 図３のラジカル処理工程が遂行される基板の姿を見せてくれる図面である。 図３の第３モードのイオン処理工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明することに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似第２構成要素も第１構成要素に命名されることができる。
ある構成要素が異なる構成要素に“連結されて”いるか、または“接続されて”いると言及された時には、その他の構成要素に直接的に連結されているか、または接続されていることもあるが、中間に他の構成要素が存在することもあると理解されなければならないであろう。反面に、ある構成要素が異なる構成要素に“直接連結されて”いるか、または“直接接続されて”いると言及された時には、中間に他の構成要素が存在しないことで理解されなければならないであろう。構成要素らとの関係を説明する他の表現ら、すなわち“～間に”と“すぐ～間に”または“～に隣合う”と“～に直接隣合う”なども同じく解釈されなければならない。
異なるように定義されない限り、技術的であるか科学的な用語を含んでここで使用されるすべての用語らは、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者によって一般的に理解されることと等しい意味である。一般に使用される前もって定義されているもののような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味であることで解釈されなければならないし、本出願で明白に定義しない限り、理想的や過度に形式的な意味で解釈されない。
以下では、図２乃至図１０を参照して本発明の実施例に対して説明する。
図２は、本発明の一実施例による基板処理装置を見せてくれる図面である。図２を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置１０は基板(W)を処理することができる。基板処理装置１０はプラズマを利用して基板(W)を処理することができる。基板処理装置１０はプラズマを利用して基板(W)上に付着された不純物を除去することができる。基板処理装置１０に搬入される基板(W)は処理工程が一部遂行された基板(W)が搬入されることができる。例えば、基板処理装置１０に搬入される基板(W)は、蝕刻工程、写真工程などが遂行された基板(W)が搬入されることがある。例えば、基板処理装置１０に搬入された処理対象である基板(W)は、前で図１を参照して説明した基板(W)と同一または類似な状態(すなわち、有機不純物(OP)と無機不純物(IOP)がすべて付着された状態で基板処理装置１０に搬入されることができる。これと異なり、基板(W)上に有機不純物(OP)だけが付着された状態で基板処理装置１０に搬入されることもできる。
基板処理装置１０は、ハウジング１００、チャック２００、シャワーヘッド３００、加熱部材４００、イオンブロッカー５００、絶縁部材(DR)、上部電極(第２電極の一例)６００、ガス供給ユニット７００、８００、排気ユニット９００、そして制御機１０００を含むことができる。
ハウジング１００とシャワーヘッド３００はお互いに組合され、基板(W)が処理される空間である処理空間(A１、第１空間の一例)を定義することができる。また、シャワーヘッド３００、加熱部材４００、そして、イオンブロッカー５００はお互いに組合されてイオン(I)が除去されたプラズマ(P)と第１ガス供給ユニット７００が供給する第１工程ガス(G１)をお互いにミキシングする空間であるミキシング空間(A３、第３空間の一例)を定義することができる。また、イオンブロッカー５００、絶縁部材(DR)、上部電極６００はお互いに組合され、プラズマ(P)が発生される空間であるプラズマ空間(A２、第２空間の一例)を定義することができる。また、処理空間(A１)、プラズマ空間(A２)、そしてミキシング空間(A３)を定義することに関与する構成らを通称してチャンバと呼ぶこともある。
ハウジング１００は処理空間(A１)を定義することができる。例えば、ハウジング１００は後述するシャワーヘッド３００とお互いに組合されて処理空間(A１)を定義することができる。ハウジング１００は上部が開放された桶形状を有することができる。ハウジング１００の内側壁は、後述するプラズマ(P)によって蝕刻されることを防止することができる素材でコーティングされることができる。例えば、ハウジング１００の内側壁はセラミックスのような誘電体膜でコーティングされることができる。また、ハウジング１００は接地されることができる。また、ハウジング１００には基板(W)が処理空間(A１)に搬入されるか、または処理空間(A１)から搬出されることができるように開口(図示せず)が形成されることがある。開口はドア(図示せず)によって選択的に遮蔽されることができる。
チャック２００は処理空間(A１)で基板(W)を支持することができる。チャック２００は基板(W)を加熱することができる。また、チャック２００は基板(W)を静電気力を利用してチャッキング(Chucking)することができるESCであることがある。チャック２００は支持板２１０、静電電極２２０、ヒーター２３０、そして下部電極（第１電極の一例)２４０を含むことができる。
支持板２１０は基板(W)を支持することができる。支持板２１０は基板(W)を支持する支持面を有することができる。支持板２１０は誘電体で提供されることができる。例えば、支持板２１０はセラミックス素材で提供されることができる。支持板２１０内には静電電極２２０が提供されることができる。静電電極２２０は上部から眺める時、基板(W)と重畳される位置に提供されることができる。静電電極２２０に電力が印加されれば、静電電極２２０は基板(W)をチャッキングさせることができる静電気力による電界を形成することができる。電界は基板(W)が支持板２１０を向ける方向にチャックキングされるようにする人力を基板(W)に伝達することができる。また、電界は、後述するイオン(I)が基板(W)を向けて直進で流動(すなわち、イオン(I)が異方性を有するように)するようにできる。
また、基板処理装置１０、例えばチャック２００は静電電極２２０に電力を印加する第１電源モジュール２２２、２２４を含むことができる。第１電源モジュール２２２、２２４は静電電極電源２２２及び静電電極スイッチ２２４を含むことができる。静電電極スイッチ２２４のオン/オフによって静電電極２２０には電力が印加されることができる。
ヒーター２３０は基板(W)を加熱することができる。ヒーター２３０は支持板２１０の温度を上昇させて基板(W)を加熱することができる。また、ヒーター２３０に電力が印加されればヒーター２３０は熱を発生させることができる。ヒーター２３０はタングステンのような発熱体であることがある。しかし、ヒーター２３０の種類はこれに限定されるものではなくて、公知されたヒーター２３０で多様に変形されることができる。ヒーター２３０は基板(W)が処理されるうちに基板(W)から分離される不純物(例えば、Si-ポリマー)がホール(H)に再付着されることを防止できるように、支持板２１０の温度を高めることができる。例えば、ヒーター２３０は支持板２１０の温度を８５℃乃至１３０℃で制御することができる。
また、基板処理装置１０、例えばチャック２００はヒーター２３０に電力を印加する第２電源モジュール２３２、２３４を含むことができる。第２電源モジュール２３２、２３４はヒーター電源２３２及びヒーター電源スイッチ２３４を含むことができる。ヒーター電源スイッチ２３４のオン/オフによってヒーター２３０には電力が印加されることができる。
下部電極２４０は処理空間(A１)でプラズマを発生させることができる。下部電極２４０は板形状を有することができる。下部電極２４０は後述するシャワーヘッド３００とお互いに対向される電極であることができる。下部電極２４０に電力が印加されれば、下部電極２４０は処理空間(A１)に電界を形成し、形成された電界は処理空間(A１)に流入(供給)される工程ガス(G１、G２)を励起させてプラズマ(P)を発生させることができる。また、基板処理装置１０、例えばチャック２００は下部電極２４０に電力を印加する下部電源モジュール２４２、２４４を含むことができる。下部電源モジュール２４２、２４４はRFソースである下部電源２４２及び下部電源スイッチ２４４を含むことができる。下部電源スイッチ２４４のオン/オフによって下部電極２４０には電力が印加されることができる。
シャワーヘッド３００はハウジング１００の上部に配置されることができる。シャワーヘッド３００は後述するイオンブロッカー５００と処理空間(A１)との間に配置されることができる。シャワーヘッド３００は接地されることができる。シャワーヘッド３００は接地されて上述した下部電極２４０とお互いに対向電極で機能することができる。また、シャワーヘッド３００には複数のホール３０２が形成されることができる。ホール３０２はシャワーヘッド３００の上面から下面まで延長されて形成されることができる。すなわち、ホール３０２はシャワーヘッド３００を貫通して形成されることができる。ホール３０２は処理空間(A１)と後述するプラズマ空間(A２)をお互いに流体連通させることができる。また、ホール３０２は処理空間(A１)と後述するミキシング空間(A３)をお互いに流体連通させることができる。
また、シャワーヘッド３００にはガス注入口３０４が形成されることができる。ガス注入口３０４は後述する第２ガスライン７０６と連結されることができる。ガス注入口３０４はミキシング空間(A３)を向けて第１工程ガス(G１)を供給するように構成されることができる。ガス注入口３０４はミキシング空間(A３)の縁領域に工程ガスを供給するように構成されることができる。ガス注入口３０４はミキシング空間(A３)には通じるが(また、間接的にプラズマ空間(A２)と通じるが)、処理空間(A１)には通じないように構成されることができる。
加熱部材４００はシャワーヘッド３００の上部に配置されることができる。加熱部材４００は上部から眺める時リング形状を有するリングヒーターであることができる。加熱部材４００は熱を発生させてミキシング空間(A３)の温度を高めてイオン(I)が除去されたプラズマ(P)と第１工程ガス(G１)がミキシングされることがより効果的になされることができるように助けることができる。
イオンブロッカー５００はプラズマ空間(A２)とミキシング空間(A３)を区画(さらに延いてはプラズマ空間(A２)と処理空間(A１)を間接的に区画)することができる。イオンブロッカー５００は上部電極６００と処理空間(A１)との間に配置されることができる。
イオンブロッカー５００は加熱部材４００の上部に配置されることができる。イオンブロッカー５００は接地されることができる。イオンブロッカー５００は接地され、プラズマ空間(A２)で発生されたプラズマ(P)がミキシング空間(A３)、さらに延いては処理空間(A１)に流入時、プラズマ(P)が含むイオン(I)を除去することができる。要するに、プラズマ空間(A２)で発生されたプラズマ(P)は、イオンブロッカー５００を経りながらイオン(I)が除去されるので、実質的にラジカル(R)のみを含むようになることができる。
また、イオンブロッカー５００は接地されて後述する上部電極６００とお互いに対向電極として機能することができる。イオンブロッカー５００には複数の通孔５０２らが形成されることができる。通孔５０２らはイオンブロッカー５００を貫通して形成されることができる。通孔５０２らはプラズマ空間(A２)とミキシング空間(A３)を流体連通させることができる。通孔５０２らはプラズマ空間(A２)と処理空間(A１)を流体連通させることができる。
また、イオンブロッカー５００にはガス供給口５０４が形成されることがある。ガス供給口５０４は後述する第１ガスライン７０４と連結されることができる。ガス供給口５０４はミキシング空間(A３)工程ガスを供給するように構成されることができる。ガス供給口５０４はミキシング空間(A３)の中央領域に工程ガスを供給するように構成されることができる。ガス供給口５０４はミキシング空間(A３)には通じるが(また、間接的に処理空間(A１)と通じるが)、プラズマ空間(A２)には通じないように構成されることができる。
上部電極６００は板形状を有することができる。上部電極６００はプラズマを発生させることができる。上部電極６００には、基板処理装置１０が有する上部電源モジュール６０２、６０４が電力を印加することができる。上部電源モジュール６０２、６０４はRFソースである上部電源６０２及び下部電源スイッチ６０４を含むことができる。上部電源スイッチ６０２のオン/オフによって上部電極６００には電力が印加されることができる。上部電極６００に電力が印加されれば、対向電極として機能するイオンブロッカー５００と上部電極６００との間に電界が形成され、これにプラズマ空間(A２)で後述する第２工程ガス(G２)を励起してプラズマを発生させることができる。また、上部電極６００とイオンブロッカー５００との間には絶縁素材で提供される絶縁部材(DR)が配置されることができる。絶縁部材(DR)は上部から眺める時、リング形状を有することができる。
ガス供給ユニット７００、８００はプラズマ(P)状態で励起される工程ガス(G１、G２)を供給することができる。ガス供給ユニット７００、８００は第１ガス供給ユニット７００、そして、第２ガス供給ユニット８００を含むことができる。以下では、第１ガス供給ユニット７００が供給する工程ガスを、第１工程ガス(G１)と言って、第２ガス供給ユニット８００が供給する工程ガスを、第２工程ガス(G２)と言う。
第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間(A３)に工程ガスを供給することができる。第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間(A３)に工程ガスを注入し、処理空間(A１)に工程ガスを供給することができる。第１ガス供給ユニット７００は第１ガス供給源７０１、メインガスライン７０３、第１ガスライン７０４及び第２ガスライン７０６を含むことができる。メインガスライン７０３の一端は第１ガス供給源７０１と連結されることができるし、メインガスライン７０３の他端は第１ガスライン７０４及び第２ガスライン７０６に分岐されることができる。第１ガスライン７０４は上述したガス供給口５０４と連結されることができる。また、第２ガスライン７０６は上述したガス注入口３０４と連結されることができる。
第１ガス供給ユニット７００が供給する第１工程ガス(G１)はHe、Ar、Xe、NH３、H２、N２、O、NF３、F２のうちで少なくとも一つ以上であることがある。
第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間(A２)に工程ガスを供給することができる。第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間(A２)に工程ガスを注入し、ミキシング空間(A２)、そして、処理空間(A１)に工程ガスを供給することができる。第２ガス供給ユニット８００は第２ガス供給源８０１、そして、ガスチャンネル８０３を含むことができる。ガスチャンネル８０３の一端は第２ガス供給源８０１と連結され、他端はプラズマ空間(A２)と連通されることができる。
第２ガス供給ユニット８００が供給する第２工程ガス(G２)はNF３、F２、He、Ar、Xe、H２、N２のうちで少なくとも一つ以上であることがある。
排気ユニット９００は処理空間(A１)に供給された工程ガス(G１、G２)、工程副産物などを排出することができる。排気ユニット９００は処理空間(A１)の圧力を調節することができる。排気ユニット９００は減圧部材９０２、そして、減圧ライン９０４を含むことができる。減圧部材９０２はポンプであることができる。しかし、これに限定されるものではなくて、減圧を提供する公知された装置で多様に変形されることができる。
制御機１０００は基板処理装置１０、具体的に基板処理装置１０が有する構成らを制御することができる。例えば、制御機１０はガス供給ユニット７００、８００、第１電源モジュール２２２、２２４、第２電源モジュール２３２、２３４、減圧部材９０２、下部電源モジュール２４２、２４４、上部電源モジュール６０２、６０４などを制御することができる。制御機１０００は基板処理装置１０の制御を行うマイクロプロセッサー(コンピューター)でなされるプロセスコントローラーと、オペレーターが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作などを行うキーボードや、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイなどでなされるユーザーインターフェースと、基板処理装置１０で実行される処理をプロセスコントローラーの制御で実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件によって各構成部に処理を実行させるためのプログラム、すなわち、処理レシピが記憶された記憶部を具備することができる。また、ユーザーインターフェース及び記憶部はプロセスコントローラーに接続されることがある。処理レシピは記憶部のうちで記憶媒体に記憶されることがあって、記憶媒体は、ハードディスクであっても良く、CD-ROM、DVDなどの可搬性ディスクや、フラッシュメモリーなどの半導体メモリーであることもある。
以下では、本発明の一実施例による基板処理方法に対して説明する。以下で説明する基板処理方法は、前述した基板処理装置１０によって遂行されることがある。また、以下で説明する基板処理方法を遂行するために制御機１０００は基板処理装置１０が有する構成らを制御することができる。
以下では、第１ガス供給ユニット７００が供給する工程ガスを第１工程ガス(G１)と言って、第２ガス供給ユニット８００が供給する工程ガスを第２工程ガス(G２)と言う。また、処理空間(A１)で工程ガスが励起されて発生されるプラズマを第１プラズマ(P１)と言って、プラズマ空間(A２)で工程ガスが励起されて発生するプラズマを第２プラズマ(P２)と言う。プラズマ空間(A２)で発生される第２プラズマ(P２)が処理空間(A１)に流入される場合、イオンブロッカー５００によってイオンが除去されるので、第２プラズマ(P２)はイオンが除去されたプラズマを意味することができる。また、処理空間(A１)で発生する第１プラズマ(P１)はイオンブロッカー５００によってイオンが除去されないので、第１プラズマ(P１)はイオンを含むプラズマを意味することができる。
図３は、図２の基板処理装置が基板を処理時選択することができる処理モードの姿を図式化した図面である。図３を参照すれば、制御機１０００は先行工程(PT)の種類によって、基板処理装置１０の処理モードを選択することができる。例えば、制御機１０００は先行工程(PT)の種類によって、第１モード(M１)、第２モード(M２)、そして、第３モード(M３)のうちで何れか一つのモードを選択して基板処理装置１０が基板(W)を処理するように基板処理装置１０の下部電源モジュール２４２、２４４、上部電源モジュール６０２、６０４、そして、ガス供給ユニット７００、８００を制御することができる。
例えば、先行工程(PT)が基板(W)を蝕刻する蝕刻工程である場合、基板(W)上には有機不純物(OP)と無機不純物(IOP)すべてが付着されることがある。これに、先行工程(PT)が蝕刻工程である場合には、後述する第１モード(M１)または第２モード(M２)で基板処理装置１０が基板(W)を処理することができる。
これと異なり、先行工程(PT)が感光液及び現像液を供給して基板(W)を処理する写真工程である場合、基板(W)上には有機不純物(OP)が付着されることがある。これに、先行工程(PT)が写真工程である場合、後述する第３モード(M３)で基板処理装置１０が基板(W)を処理することができる。
第１モード(M１)はプラズマ空間(A２)でプラズマを発生させ、イオンが除去されたプラズマを基板(W)に伝達して基板(W)を処理する工程(すなわち、ラジカルを利用して基板(W)を処理する工程)である第１ラジカル工程(M１１)、そして、第２ラジカル工程(M１２が遂行されるモードであることができる。第１ラジカル工程(M１１)、そして、第２ラジカル工程(M１２)は交番及び繰り返して遂行されることができる。第１モード(M１)は有機不純物及び無機不純物をすべて除去することができるモードであることができる。
第２モード(M２)は処理空間(A１)でプラズマを発生させ、イオンが含まれたプラズマを基板(W)に伝達して基板(W)を処理する工程であるイオン処理工程(M２１)が遂行され、またプラズマ空間(A２)でプラズマを発生させてイオンが除去されたプラズマを基板(W)に伝達して基板(W)を処理する工程(すなわち、ラジカルを利用して基板(W)を処理する工程)であるラジカル処理工程(M２２)が遂行されるモードであることができる。イオン処理工程(M２１)及びラジカル処理工程(M２２)は交番及び繰り返して遂行されることができる。第２モード(M２)は有機不純物及び無機不純物をすべて除去することができるモードであることができる。
第３モード(M３)は処理空間(A１)でプラズマを発生させ、イオンが含まれたプラズマを基板(W)に伝達して基板(W)を処理する工程であるイオン処理工程のみを遂行することができる。第３モード(M３)有機不純物を除去することができるモードであることができる。
図４は、図３の第１モードの第１ラジカル工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。図４を参照すれば、第１ラジカル工程(M１１)時第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間(A２)に第２工程ガス(G２)を供給することができる。第２工程ガス(G２)はH２、NH３、NF３、Oのうちで少なくとも一つ以上と、He、Arのうちで少なくとも一つ以上を含むことができる。上部電極６００はプラズマ空間(A２)に電界を形成することができる。プラズマ空間(A２)で発生された第２プラズマ(P２)はイオンブロッカー５００を経って流れながらイオン(I)が除去され、イオンが除去された第２プラズマ(P２)は処理空間(A１)に流入されて基板(W)に伝達することができる。
第２工程ガス(G２)が水素(H)を含む工程ガスである場合、基板(W)上のカーボン(C)は水素ラジカルと反応し、CH４形態で基板(W)から分離されることができる。第２工程ガス(G２)が酸素(O)を含む工程ガスである場合、基板(W)上のカーボン(C)は水素ラジカルと反応し、CO２形態で基板(W)から分離されることができる。第２工程ガス(G２)が水素(F)を含む工程ガスである場合、基板(W)上のカーボン(C)は水素ラジカルと反応し、CF４形態で基板(W)から分離されることができる。すなわち、第１ラジカル工程(M１１)は基板(W)上の有機不純物(OP)を除去することができる。
図５は、図３の第１モードの第２ラジカル工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。図５を参照すれば、第２ラジカル工程(M１２)時第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間(A３)で第１工程ガス(G１)を供給し、第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間(A２)で第２工程ガス(G２)を供給することができる。上部電極６００はプラズマ空間(A２)に電界を形成することができる。
第１工程ガス(G１)はNH３を含むことができる。第２工程ガス(G２)はNF３及びHeとArのうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。プラズマ空間(A２)で発生された第２プラズマ(P２)はイオンブロッカー５００を経って流れながらイオン(I)が除去され、イオンが除去された第２プラズマ(P２)はミキシング空間(A３)で第１工程ガス(G１)と会って混合されることができる。イオンが除去された第２プラズマ(P２)は第１工程ガス(G１)とミキシングされた状態で処理空間(A１)に流入されることができる。
第２工程ガス(G２)がNF３を含み、第１工程ガス(G１)がNH３を含めば、イオンが除去された第２プラズマ(P２)と第１工程ガス(G１)はお互いに反応してNH４Fを生成することができる。NH４Fが処理空間(A１)に流入されて基板(W)に伝達されれば、基板上に付着された無機不純物(IOP)であるSiO２はNH４Fとお互いに反応して(NH４-)２SiF６形態基板(W)から分離されることができる。
図６は、図３の第２モードのイオン処理工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。図６を参照すれば、イオン処理工程(M２１)時第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間(A３)で第１工程ガス(G１)を供給することができる。
第１工程ガス(G１)はHe、Ar、Xeのうちで少なくとも何れか一つ、そして、NH３、H２、N２、O、NF３、F２のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。第１工程ガス(G１)が処理空間(A１)に流入されれば、処理空間(A１)で下部電極２４０が発生させる電界によって第１工程ガス(G１)は第１プラズマ(P１)に励起されることができる。
第１工程ガス(G１)はNH３を含むことができる。第２工程ガス(G２)はNF３及びHeとArのうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。プラズマ空間(A２)で発生された第２プラズマ(P２)はイオンブロッカー５００を経って流れながらイオン(I)が除去され、イオンが除去された第２プラズマ(P２)はミキシング空間(A３)で第１工程ガス(G１)と会って混合されることができる。イオンが除去された第２プラズマ(P２)は第１工程ガス(G１)とミキシングされた状態で処理空間(A１)に流入されることができる。
第２工程ガス(G２)がNF３を含み、第１工程ガス(G１)がNH３を含めば、イオンが除去された第２プラズマ(P２)と第１工程ガス(G１)はお互いに反応してNH４Fを生成することができる。NH４Fが処理空間(A１)に流入されて基板(W)に伝達されれば、基板上に付着された無機不純物(IOP)であるSiO２はNH４Fとお互いに反応して(NH４-)２SiF６形態基板(W)から分離されることができる。
また、イオン処理工程(M２１)が遂行されるうちに、基板(W)は静電電極２２０によってチャッキングされることができる。静電電極２２０に電力が印加されれば、基板(W)上には下に向ける方向に引っぱる力を発生させる電界が形成されることができる。このような電界は基板(W)をチャッキング(Chucking)するだけでなく、後述するイオン(I)が異方性の状態(すなわち、イオン(I)が下に向ける方向に垂直するように流動する状態)を有するようにすることもできる。
処理空間(A１)で発生される第１プラズマ(P１)はイオンブロッカー５００を経らないで、処理空間(A１)で直接的に発生するようになるので、イオン(I)を含むことができる。第１プラズマ(P１)が含むイオン(I)は極性を有するので、静電電極２２０が形成する静電気力によって異方性を有するようになることができる。これに、図７に示されたようにイオン(I)はホール(H)内に進入して有機不純物(OP)及び/または無機不純物(IOP)に伝達されることができる。
不純物らは膜(L)、ホール(H)、基板(W)に対して突き出されているはずであるので、無機不純物(IOP)は膜(L)、ホール(H)、基板(W)に比べて相対的にイオン(I)によって物理的にさらに処理されることができる。すなわち、イオン(I)によって処理された領域と処理されない領域との間に差が選択比の差を発生させることができる。
また、第１工程ガス(G１)が水素(H)を含む工程ガスである場合、基板(W)上のカーボン(C)は水素ラジカルと反応し、CH４形態で基板(W)から分離されることができる。第１工程ガス(G１)が酸素(O)を含む工程ガスである場合、基板(W)上のカーボン(C)は水素ラジカルと反応し、CO２形態で基板(W)から分離されることができる。第１工程ガス(G１)が水素(F)を含む工程ガスである場合、基板(W)上のカーボン(C)は水素ラジカルと反応し、CF４形態で基板(W)から分離されることができる。すなわち、第１ラジカル工程(M１１)は基板(W)上の有機不純物(OP)を化学的に除去することができる。
図８は、図３の第２モードのラジカル処理工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。
ラジカル処理工程(M２２)時第１ガス供給ユニット７００はミキシング空間(A３)に第１工程ガス(G１)を供給し、第２ガス供給ユニット８００はプラズマ空間(A２)に第２工程ガス(G２)を供給することができる。プラズマ空間(A２)には上部電極６００が電界を形成することができる。
第２工程ガス(G２)はNF３、F２のうちで少なくとも何れか一つ、そして、He、Ar、Xe、H２、N２のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。また、第１工程ガス(G１)はNF３、そして、F２のうちで少なくとも何れか一つを含むことができる。
プラズマ空間(A２)で発生された第２プラズマ(P２)はイオンブロッカー５００を経って流れながらイオン(I)が除去され、イオンが除去された第２プラズマ(P２)はミキシング空間(A３)で第１工程ガス(G１)と会って混合されることができる。イオンが除去された第２プラズマ(P２)は第１工程ガス(G１)とミキシングされた状態で処理空間(A１)に流入されることができる。
第２工程ガス(G２)がNF３を含み、第１工程ガス(G１)がNH３を含めば、イオンが除去された第２プラズマ(P２)と第１工程ガス(G１)はお互いに反応してNH４Fを生成することができる。NH４Fが処理空間(A１)に流入されて基板(W)に伝達されれば、基板上に付着された無機不純物(IOP)であるSiO２はNH４Fとお互いに反応して(NH４-)２SiF６形態基板(W)から分離されることができる。
また、イオン(I)が除去された第２プラズマ(P２)には中性であるラジカル(R)だけが存在し、ラジカル(R)は等方性を有する。これに、図９に示されたように、イオン(I)によって物理的に線処理された無機不純物(IOP)らを効果的に除去することができるようになる。
図１０は、図３の第３モードのイオン処理工程を遂行する基板処理装置の姿を見せてくれる図面である。図１０を参照すれば、第３モード(M３)では基板処理装置１０がイオン処理工程を遂行することができる。イオン処理工程は前に説明したイオン処理工程(M２１)と同一または類似であることがあるので、繰り返される説明は略する。
イオン(I)を含む第１プラズマ(P１)で基板(W)を処理する間には、チャック２００の温度は５０℃乃至１５０℃、より望ましくは８５℃乃至１３０℃で制御されることができる。また、イオン(I)を含む第１プラズマ(P１)で基板(W)を処理する間、処理空間(A１)の圧力は排気ユニット９００によって５mTorr乃至１５０mTorr、より望ましくは１０mTorr乃至１００mTorrで制御されることができる。また。第１処理段階(Ｓ２０)が遂行されるうちに、下部電極２４０には５０W乃至１５００W、より望ましくは１００W乃至１０００Wが印加されることができる。また、イオン(I)を含む第１プラズマ(P１)で基板(W)を処理する間、供給される工程ガス、例えば、NH３を含む工程ガスは５０sccm乃至１０００sccm、より望ましくは１００sccm乃至１０００sccmで処理空間(A１)に供給されることができる。
イオン(I)が除去された第２プラズマ(P２)で基板を処理する間には、チャック２００の温度は５０℃乃至１５０℃、より望ましくは８５℃乃至１３０℃で制御されることができる。また、イオン(I)が除去された第２プラズマ(P２)で基板を処理する間、処理空間(A１)の圧力は排気ユニット９００によって０．５Torr乃至１５Torr、より望ましくは１Torr乃至１０Torrで制御されることができる。また。第２処理段階(Ｓ４０)が遂行されるうちに、上部電極６００には２０W乃至５００W、より望ましくは５０W乃至５００Wが印加されることができる。また、イオン(I)が除去された第２プラズマ(P２)で基板を処理する間に遂行されるうちに供給される工程ガス、例えばNH３を含む工程ガスは５０sccm乃至１５００sccm、より望ましくは１００sccm乃至１０００sccmでミキシング空間(A３)に供給されることができる。また、イオン(I)が除去された第２プラズマ(P２)で基板を処理する間、例えばNF３を含む工程ガスは５sccm乃至８００sccm、より望ましくは１０sccm乃至５００sccmでプラズマ空間(A３)に供給されることができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことで解釈されなければならない。
１０ 基板処理装置
１００ ハウジング
１０２ 処理空間
１０４ 排気ホール
２００ チャック
２１０ 支持板
２２０ 静電電極
２２２ 静電電極電源
２２４ 静電電極スイッチ
２３０ ヒーター
２３２ ヒーター電源
２３４ ヒーター電源スイッチ
２４０ 下部電極
２４２ 下部電源
２４４ 下部電源スイッチ
３００ シャワーヘッド
３０２ ホール
３０４ ガス注入口
４００ 加熱部材
５００ イオンブロッカー
５０２ 通孔
５０４ ガス供給口
DR 絶縁部材
６００ 上部電極
６０２ 上部電源
６０４ 上部電源スイッチ
７００ 第１ガス供給ユニット
７０１ 第１ガス供給源
７０３ メインガスライン
７０４ 第１ガスライン
７０６ 第２ガスライン
８００ 第２ガス供給ユニット
８０１ 第２ガス供給源
８０３ ガスチャンネル
９００ 排気ユニット
９０２ 減圧部材
９０４ 減圧ライン

Claims (19)

  1. 基板を処理する装置において、
    処理空間を定義するハウジングと、
    前記処理空間で基板を支持するチャック-前記チャックには前記処理空間でプラズマを発生させる下部電極が提供される-と、
    上部電極と、
    前記上部電極と前記処理空間との間に配置されるイオンブロッカーと、及び
    前記イオンブロッカーと前記処理空間との間に配置される、シャワーヘッドと
    を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記イオンブロッカーは接地されて前記上部電極と前記イオンブロッカーとの間の空間であるプラズマ空間で発生されたプラズマからイオンを除去する、ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記下部電極に電力を印加する下部電源モジュールと、
    前記上部電極に電力を印加する上部電源モジュールと、及び
    前記下部電極または前記上部電極によってプラズマで励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットをさらに含む、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記ガス供給ユニットは、
    前記処理空間に工程ガスを供給する第１ガス供給ユニットと、及び
    前記イオンブロッカーと前記上部電極との間の空間であるプラズマ空間で工程ガスを供給する第２ガス供給ユニットを含む、ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１ガス供給ユニットは、
    前記シャワーヘッドと前記イオンブロッカーとの間の空間であるミキシング空間に工程ガスを供給する、ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１ガス供給ユニットは、
    前記イオンブロッカーに形成されたガス供給口と連結される第１ガスラインと、及び
    前記シャワーヘッドに形成されたガス注入口と連結される第２ガスラインを含む、ことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記ガス供給口、そして前記ガス注入口は、
    前記ミキシング空間を向けて工程ガスを供給するように構成される、ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記ガス供給口、そして前記ガス注入口は、
    前記ミキシング空間のお互いに相異な領域に工程ガスを供給するように構成される、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記ガス供給口は、
    前記ミキシング空間の中央領域に工程ガスを供給するように構成され、
    前記ガス注入口は、
    前記ミキシング空間の縁領域に工程ガスを供給するように構成される、ことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記ガス注入口は、
    前記ミキシング空間には通じるが、前記処理空間には通じないように構成される、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  11. 前記ガス供給口は、
    前記ミキシング空間には通じるが、前記プラズマ空間には通じないように構成される、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  12. 制御機をさらに含み、
    前記制御機は、
    第１モード、第２モード、そして第３モードのうちで何れか一つのモードで基板を処理するように前記下部電源モジュール、前記上部電源モジュール、そして前記ガス供給ユニットを制御し、
    前記第１モードは、
    前記プラズマ空間でプラズマを発生させるモードであり、
    前記第２モードは、
    前記プラズマ空間と前記処理空間でプラズマを発生させるモードであり、
    前記第３モードは、
    前記処理空間でプラズマを発生させるモードである、ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  13. 基板処理装置において、
    処理空間を定義するハウジングと、
    前記処理空間で基板を支持する静電チャックと、
    前記処理空間でプラズマを発生させる下部電極と、
    前記ハウジングより上部に配置されるイオンブロッカーと、
    前記イオンブロッカーと前記処理空間との間に配置される、シャワーヘッドと、
    前記イオンブロッカーと対向されるように配置される上部電極-前記上部電極は前記イオンブロッカーと前記上部電極との間の空間であるプラズマ空間でプラズマを発生させ、前記プラズマ空間は前記処理空間と流体連通される-と、
    前記下部電極または前記上部電極によってプラズマ状態で励起される工程ガスを供給するガス供給ユニットと、
    前記下部電極に電力を印加する下部電源モジュールと、及び
    前記上部電極に電力を印加する上部電源モジュールを含む、ことを特徴とする基板処理装置。
  14. 制御機をさらに含み、
    前記制御機は、
    第１モード、第２モード、そして第３モードのうちで何れか一つのモードで基板を処理するように前記下部電源モジュール、前記上部電源モジュール、そして前記ガス供給ユニットを制御し、
    前記第１モードは、
    前記プラズマ空間でプラズマを発生させるモードであり、
    前記第２モードは、
    前記プラズマ空間と前記処理空間でプラズマを発生させるモードであり、
    前記第３モードは、
    前記処理空間でプラズマを発生させるモードである、ことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記制御機は、
    前記第１モードで基板を処理時前記ガス供給ユニットがO、H２、NF３、He、Ar、NH３のうちで少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するように前記ガス供給ユニットを制御する、ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記制御機は、
    前記第２モードで基板を処理時前記ガス供給ユニットがAr、Xe、NH３、H２、N２、O、NF３、F２、Heのうちで少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するように前記ガス供給ユニットを制御する、ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
  17. 前記制御機は、
    前記第３モードで基板を処理時前記ガス供給ユニットがHe、Ar、Xe、NH３、H２、N２、O、NF３、F２のうちで少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するように前記ガス供給ユニットを制御する、ことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
  18. パターンが形成された基板を処理する装置において、
    処理空間を定義するハウジングと、
    前記処理空間で基板を支持する静電チャック-前記静電チャックには前記処理空間でプラズマを発生させる下部電極が提供される-と、
    前記ハウジングの上部に配置され、前記処理空間を定義するシャワーヘッドと、
    前記シャワーヘッドより上部に配置され、前記シャワーヘッドと共にミキシング空間を定義するイオンブロッカーと、
    前記イオンブロッカーより上部に配置され、前記イオンブロッカーと共にプラズマ空間を定義する上部電極-前記上部電極は前記プラズマ空間でプラズマを発生させ-と、
    前記ミキシング空間に工程ガスを供給する第１ガス供給ユニットと、及び
    前記プラズマ空間で工程ガスを供給する第２ガス供給ユニットを含む、基板処理装置。
  19. 前記下部電極に電力を印加する下部電源モジュールと、
    前記上部電極に電力を印加する上部電源モジュールと、及び
    制御機をさらに含み、
    前記制御機は、
    基板上に残留する不純物の種類によって第１モード、第２モード、そして第３モードのうちで何れか一つのモードで基板を処理するように前記下部電源モジュール、前記上部電源モジュール、前記第１ガス供給ユニット、そして第２ガス供給ユニットを制御し、
    前記第１モードは、
    前記プラズマ空間でプラズマを発生させるモードであり、
    前記第２モードは、
    前記プラズマ空間と前記処理空間でプラズマを発生させるモードであり、
    前記第３モードは、
    前記処理空間でプラズマを発生させるモードである、ことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
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