JP7505899B2 - Radiation detector and radiation diagnostic device - Google Patents
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Description
本明細書及び図面に開示の実施形態は、放射線検出器及び放射線診断装置に関する。 The embodiments disclosed in this specification and the drawings relate to a radiation detector and a radiation diagnostic device.
従来、X線CT(Computed Tomography)装置やPET(Positron Emission Tomography)装置等の放射線診断装置は、放射線を検出するための放射線検出器を備える。これらの放射線診断装置には、面検出器と呼ばれる検出器のように、広カバレッジの放射線検出器を備えるものもある。 Conventionally, radiological diagnostic devices such as X-ray CT (Computed Tomography) devices and PET (Positron Emission Tomography) devices are equipped with radiation detectors for detecting radiation. Some of these radiological diagnostic devices are equipped with wide-coverage radiation detectors, such as detectors called area detectors.
本明細書及び図面に開示の実施形態が解決しようとする課題の一つは、広カバレッジの放射線検出器を低コストで実現することである。ただし、本明細書及び図面に開示の実施形態により解決しようとする課題は上記課題に限られない。後述する実施形態に示す各構成による各効果に対応する課題を他の課題として位置付けることもできる。 One of the problems that the embodiments disclosed in this specification and the drawings attempt to solve is to realize a wide-coverage radiation detector at low cost. However, the problems that the embodiments disclosed in this specification and the drawings attempt to solve are not limited to the above problem. Problems corresponding to the effects of each configuration shown in the embodiments described below can also be positioned as other problems.
実施形態に係る放射線検出器は、チップと、放射線防護シールドとを備える。チップは、二次元方向に複数のフォトダイオードが配列され、前記フォトダイオードが配列される平面と同一平面上の一部に放射線からの防護が必要な素子が設けられている。放射線防護シールドは、前記素子の放射線入射側に設けられている。 The radiation detector according to the embodiment includes a chip and a radiation protection shield. The chip has a plurality of photodiodes arranged in two dimensions, and an element that needs to be protected from radiation is provided in a portion of the same plane as the plane on which the photodiodes are arranged. The radiation protection shield is provided on the radiation incident side of the element.
(実施形態)
以下、図面を参照しながら、本願が開示する放射線検出器及び放射線診断装置の実施形態について説明する。ここで、各図面に示される構成は模式的なものであり、図示されている各構成要素の寸法や構成要素間の寸法の比率は実物と異なる場合がある。また、図面相互の間でも、同じ構成要素の寸法や構成要素間の寸法の比率が異なって示されている場合がある。
(Embodiment)
Hereinafter, embodiments of a radiation detector and a radiation diagnostic device disclosed in the present application will be described with reference to the drawings. The configurations shown in the drawings are schematic, and the dimensions of each component and the dimensional ratios between the components shown may differ from the actual ones. Furthermore, the dimensions of the same component and the dimensional ratios between the components may be different between the drawings.
なお、以下に示す実施形態では、本願が開示する放射線検出器及び放射線診断装置の構成をX線検出器及びX線CT装置に適用した場合の例を説明する。 In the embodiment described below, an example is described in which the configuration of the radiation detector and radiation diagnostic device disclosed in this application is applied to an X-ray detector and an X-ray CT device.
図1は、本実施形態に係るX線CT装置の構成例を示す図である。 Figure 1 is a diagram showing an example of the configuration of an X-ray CT device according to this embodiment.
例えば、図1に示すように、本実施形態に係るX線CT装置1は、架台装置10と、寝台装置30と、コンソール装置40とを有する。なお、図1では説明の便宜上、架台装置10を複数示している。
For example, as shown in FIG. 1, the X-ray CT apparatus 1 according to this embodiment includes a
なお、本実施形態では、非チルト状態での回転フレーム13の回転軸又は寝台装置30の天板33の長手方向を「Z軸方向」と定義する。また、Z軸方向に直交し、床面に対し水平である軸方向を「X軸方向」と定義する。また、Z軸方向に直交し、床面に対し垂直である軸方向を「Y軸方向」と定義する。
In this embodiment, the rotation axis of the rotating
架台装置10は、被検体P(患者等)にX線を照射し、被検体Pを透過したX線を検出して、コンソール装置40に出力する装置である。架台装置10は、X線管11と、X線検出器12と、回転フレーム13と、制御装置15と、ウェッジ16と、X線絞り17と、X線高電圧装置14とを有する。
The
X線管11は、X線高電圧装置14からの高電圧の印加により、陰極(フィラメント)から陽極(ターゲット)に向けて熱電子を照射することでX線を発生する真空管である。例えば、X線管11は、回転する陽極に熱電子を照射することでX線を発生させる回転陽極型のX線管である。
The
ウェッジ16は、X線管11から照射されたX線量を調節するためのフィルタである。具体的には、ウェッジ16は、X線管11から被検体Pへ照射されるX線が、予め定められた分布になるように、X線管11から照射されたX線を透過して減衰するフィルタである。例えば、ウェッジ16は、所定のターゲット角度や所定の厚みとなるようにアルミニウムを加工したフィルタである。なお、ウェッジ16は、ウェッジフィルタ(wedge filter)や、ボウタイフィルタ(bow-tie filter)とも呼ばれる。
The
X線絞り17は、ウェッジ16を透過したX線の照射範囲を絞り込むための鉛板等を含み、複数の鉛板等を組み合わせることによってスリットを形成している。
The
X線検出器12は、X線管11から照射され、被検体Pを通過したX線を検出する。具体的には、X線検出器12は、X線管11の焦点を中心として一つの円弧に沿ってチャネル方向に複数の検出素子が配列された複数の検出素子列を有する。例えば、X線検出器12は、チャネル方向に複数の検出素子が配列された検出素子列が列方向(スライス方向、row方向とも呼ばれる)に複数配列された構造を有する。
The
また、X線検出器12は、各検出素子から出力される電気信号を処理するDAS(Data Acquisition System)を有する。DASは、X線検出器12の各検出素子から出力される電気信号に基づいて、検出データを生成する。DASが生成した検出データは、コンソール装置40へと転送される。
The
X線高電圧装置14は、変圧器(トランス)及び整流器等の電気回路を有し、X線管11に印加する高電圧を発生する機能を有する高電圧発生装置と、X線管11が照射するX線出力に応じた出力電圧の制御を行うX線制御装置とを有する。高電圧発生装置は、変圧器方式であってもよいし、インバータ方式であっても構わない。なお、X線高電圧装置14は、後述する回転フレーム13に設けられてもよいし、架台装置10において回転フレーム13を回転可能に支持する支持フレーム(図示は省略)に設けられてもよい。
The X-ray
回転フレーム13は、X線管11とX線検出器12とを対向支持し、後述する制御装置15によってX線管11とX線検出器12とを回転させる円環状のフレームである。なお、回転フレーム13は、X線管11とX線検出器12に加えて、X線高電圧装置14を更に備えて支持する。ここで、X線検出器12が有するDASが生成した検出データは、回転フレーム13に設けられた発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)を有する送信機から光通信によって架台装置10の非回転部分(例えば、支持フレーム等)に設けられたフォトダイオードを有する受信機に送信され、コンソール装置40へ転送される。なお、回転フレーム13から架台装置10の非回転部分への検出データの送信方法は、前述の光通信に限らず、非接触型のデータ伝送であれば如何なる方式を採用しても構わない。
The rotating
制御装置15は、CPU(Central Processing Unit)等を有する処理回路と、モータ及びアクチュエータ等の駆動機構とを有する。制御装置15は、コンソール装置40若しくは架台装置10に取り付けられた入力インターフェース43からの入力信号を受けて、架台装置10及び寝台装置30の動作制御を行う機能を有する。例えば、制御装置15は、入力信号を受けて回転フレーム13を回転させる制御や、架台装置10をチルトさせる制御、及び寝台装置30及び天板33を動作させる制御を行う。なお、架台装置10をチルトさせる制御は、架台装置10に取り付けられた入力インターフェース43によって入力される傾斜角度(チルト角度)情報により、制御装置15がX軸方向に平行な軸を中心に回転フレーム13を回転させることによって実現される。なお、制御装置15は、架台装置10に設けられてもよいし、コンソール装置40に設けられても構わない。
The
寝台装置30は、スキャン対象である被検体Pを載置、移動させる装置であり、基台31と、寝台駆動装置32と、天板33と、支持フレーム34とを有する。基台31は、支持フレーム34を鉛直方向に移動可能に支持する筐体である。寝台駆動装置32は、被検体Pが載置された天板33を天板33の長軸方向に移動するモータあるいはアクチュエータである。支持フレーム34の上面に設けられた天板33は、被検体Pが載置される板である。なお、寝台駆動装置32は、天板33に加え、支持フレーム34を天板33の長軸方向に移動してもよい。
The
コンソール装置40は、操作者によるX線CT装置1の操作を受け付けるとともに、架台装置10によって収集された検出データを用いてCT画像データを再構成する装置である。コンソール装置40は、メモリ41と、ディスプレイ42と、入力インターフェース43と、処理回路44とを有する。なお、ここでは、コンソール装置40と架台装置10とが別体である場合の例を説明するが、架台装置10にコンソール装置40又はコンソール装置40の構成要素の一部が含まれていてもよい。
The
メモリ41は、例えば、RAM(Random Access Memory)、フラッシュメモリ等の半導体メモリ素子、ハードディスク、光ディスク等により実現される。メモリ41は、例えば、投影データやCT画像データを記憶する。
The
ディスプレイ42は、各種の情報を表示する。例えば、ディスプレイ42は、処理回路44によって生成された医用画像(CT画像)や、操作者からの各種操作を受け付けるためのGUI(Graphical User Interface)等を出力する。例えば、ディスプレイ42は、液晶ディスプレイやCRT(Cathode Ray Tube)ディスプレイである。なお、例えば、ディスプレイ42は、架台装置10に設けられていてもよい。また、例えば、ディスプレイ42は、デスクトップ型でもよいし、コンソール装置40本体と無線通信可能なタブレット端末等で構成されていてもよい。
The
入力インターフェース43は、操作者からの各種の入力操作を受け付け、受け付けた入力操作を電気信号に変換して処理回路44に出力する。例えば、入力インターフェース43は、投影データを収集する際の収集条件や、CT画像データを再構成する際の再構成条件、CT画像から後処理画像を生成する際の画像処理条件等を操作者から受け付ける。例えば、入力インターフェース43は、マウスやキーボード、トラックボール、スイッチ、ボタン、ジョイスティック等により実現される。なお、例えば、入力インターフェース43は、架台装置10に設けられていてもよい。また、例えば、入力インターフェース43は、コンソール装置40本体と無線通信可能なタブレット端末等で構成されていてもよい。
The input interface 43 accepts various input operations from the operator, converts the accepted input operations into electrical signals, and outputs the electrical signals to the
処理回路44は、X線CT装置1全体の動作を制御する。例えば、処理回路44は、システム制御機能441、前処理機能442、再構成処理機能443、及び画像処理機能444を実行する。
The
システム制御機能441は、入力インターフェース43を介して操作者から受け付けた入力操作に基づいて、処理回路44の各種機能を制御する。例えば、システム制御機能441は、X線CT装置1において実行されるCTスキャンを制御する。また、システム制御機能441は、前処理機能442、再構成処理機能443、及び画像処理機能444を制御することで、コンソール装置40におけるCT画像データの生成や表示を制御する。
The
前処理機能442は、X線検出器12のDASから出力された検出データに対して対数変換処理やオフセット補正処理、チャネル間の感度補正処理、ビームハードニング補正等の前処理を施した投影データを生成する。なお、前処理前のデータ(検出データ)及び前処理後のデータを総称して投影データと称する場合もある。
The
再構成処理機能443は、前処理機能442にて生成された投影データに対して、フィルタ補正逆投影法や逐次近似再構成法等を用いた再構成処理を行ってCT画像データ(再構成画像データ)を生成する。
The
画像処理機能444は、入力インターフェース43を介して操作者から受け付けた入力操作に基づいて、再構成処理機能443によって生成されたCT画像データを公知の方法により、任意断面の断層像データや3次元画像データに変換する。なお、3次元画像データの生成は再構成処理機能443が直接行っても構わない。
The
ここで、例えば、処理回路44は、プロセッサにより実現される。この場合に、処理回路44が有する各処理機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態でメモリ41に記憶される。そして、処理回路44は、メモリ41から各プログラムを読み出して実行することで、各プログラムに対応する機能を実現する。換言すると、各プログラムを読み出した状態の処理回路44は、図1の処理回路44内に示された各処理機能を有することとなる。
Here, for example, the
なお、ここでは、単一の処理回路44によって、上述した各処理機能が実現されるものとして説明したが、例えば、複数の独立したプロセッサを組み合わせて処理回路44を構成し、各プロセッサがプログラムを実行することにより各処理機能を実現するものとしても構わない。また、処理回路44が有する各処理機能は、単一又は複数の処理回路に適宜に分散又は統合されて実現されてもよい。また、処理回路44が有する各処理機能は、回路等のハードウェアとソフトウェアとの混合によって実現されても構わない。また、ここでは、単一のメモリ41が各処理機能に対応するプログラムを記憶する場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、複数の記憶回路が分散して配置され、処理回路44が、個別の記憶回路から対応するプログラムを読み出して実行する構成としても構わない。
Here, it has been described that each of the above-mentioned processing functions is realized by a
図2は、本実施形態に係るX線検出器12の構成例を示す図である。
Figure 2 is a diagram showing an example of the configuration of the
例えば、図2に示すように、X線検出器12は、全体として略円弧状に形成されており、当該円弧の中心がX線管11の位置と一致するように、前述した回転フレーム13に固定されている。
For example, as shown in FIG. 2, the
ここで、X線検出器12における円弧の周方向は、チャネル方向に一致している。また、X線検出器12における円弧の軸方向は、列方向に一致している。また、X線検出器12における円弧の径方向は、X線の照射方向に一致している。なお、以下の説明で参照する各図面では、チャネル方向を矢印Cで示し、列方向を矢印Rで示し、X線の照射方向を矢印Iで示している。
Here, the circumferential direction of the arc in the
例えば、X線検出器12は、複数のX線検出器モジュール121と、コリメータ122と、第1の固定フレーム123と、第2の固定フレーム124と、第1の支持フレーム125と、第2の支持フレーム126と、遮光板127とを有する。
For example, the
X線検出器モジュール121は、それぞれ、X線検出アレイ1211と、支持部材1212と、DAS1213とを有する。
Each
X線検出アレイ1211は、シンチレータアレイと、フォトダイオードアレイとを有する。シンチレータアレイは、チャネル方向及び列方向に配列された複数のシンチレータを有し、各シンチレータが、入射X線量に応じた光子量の光を出力するシンチレータ結晶を有する。フォトダイオードアレイは、チャネル方向及び列方向に配列された複数のフォトダイオードを検出素子として有する。ここで、フォトダイオードアレイに含まれるフォトダイオードは、それぞれ、シンチレータアレイに含まれるシンチレータと1対1で対応するように配置されており、対応するシンチレータから出力される光量に応じた電気信号をDAS1213に出力する。
The
支持部材1212は、略直方体状に形成されており、X線管11と対向して配置される面上にX線検出アレイ1211が固定され、当該X線検出アレイ1211を支持する。
The
DAS1213は、支持部材1212におけるX線検出アレイ1211とは反対側の面に、X線の照射方向に沿って延在するように取り付けられており、X線検出アレイ1211の各フォトダイオードから出力される電気信号に基づいて、検出データを生成する。
The
コリメータ122は、チャネル方向及び列方向に沿って格子状に配列された複数のX線遮蔽板を有し、当該X線遮蔽板によって各X線検出器モジュール121のX線検出アレイ1211への散乱X線の入射を防護する。具体的には、コリメータ122は、チャネル方向に沿った略円弧状に形成され、各X線検出器モジュール121を覆うように配置されており、各X線遮蔽板が、各X線検出器モジュール121のX線検出アレイ1211に入射するX線から散乱線を除去する。
The
ここで、本実施形態では、コリメータ122は、格子状に配列されたX線遮蔽板によって形成される複数のスリット(矩形状の貫通孔)のそれぞれが、一つのX線検出アレイ1211に含まれるシンチレータ及びフォトダイオードのチャネル方向に沿った一列ごとに配置されるように構成されている。
In this embodiment, the
第1の固定フレーム123及び第2の固定フレーム124は、コリメータ122の列方向における両端に固定されており、X線が入射する側とは反対側に、複数のX線検出器モジュール121がチャネル方向に並べて取り付けられる。ここで、第1の固定フレーム123及び第2の固定フレーム124は、各X線検出器モジュール121が単独で着脱可能となるように構成されている。
The first and second fixed
第1の支持フレーム125及び第2の支持フレーム126は、コリメータ122及び固定フレームを支持する。具体的には、第1の支持フレーム125及び第2の支持フレーム126は、列方向に両側から第1の固定フレーム123、第2の固定フレーム124及びコリメータ122挟み込むように支持し、その状態で、架台装置10の支持フレーム(図示は省略)に固定されている。
The
遮光板127は、各X線検出器モジュール121のX線検出アレイ1211に入射する光を抑制する。例えば、遮光板127は、光を抑制することが可能な材料を用いて薄い板状に形成された部材であり、コリメータ122の全体を覆うように、第1の支持フレーム125及び第2の支持フレーム126に取り付けられている。
The
図3は、本実施形態に係るX線検出器モジュール121の構成例を示す図である。
Figure 3 is a diagram showing an example of the configuration of the
例えば、図3に示すように、X線検出器モジュール121に含まれるX線検出アレイ1211は、シンチレータアレイ12111と、フォトダイオードアレイ12112とを有する。
For example, as shown in FIG. 3, the
シンチレータアレイ12111は、フォトダイオードアレイ12112に含まれる複数のフォトダイオードのX線入射側に配置され、チャネル方向及び列方向に配列された複数のシンチレータを有する。ここで、シンチレータアレイ12111は、シンチレータ間の光のクロストークを防ぐための隔壁を介して並べられた複数のシンチレータを含む。
The
フォトダイオードアレイ12112は、チャネル方向及び列方向に配列された複数のフォトダイオードを検出素子として有する。ここで、前述したように、フォトダイオードアレイ12112に含まれるフォトダイオードは、それぞれ、シンチレータアレイに含まれるシンチレータと1対1で対応するように配置されている。
The
以上、X線CT装置1及びX線検出器12の構成について説明した。このような構成のもと、本実施形態では、広カバレッジのX線検出器12を実現するために、各X線検出器モジュール121のフォトダイオードアレイ12112が、複数のフォトダイオードを有するチップ50を列方向に複数並べて配列することによって構成されている。
The above describes the configuration of the X-ray CT device 1 and the
ここで、チップ50は、二次元方向に配列された複数のフォトダイオードと、各フォトダイオードから出力される電気信号をデジタル信号に変換するADC(Analog to Digital Converter)を有する。
Here, the
このように、複数のフォトダイオードを有するチップを複数並べて配列することによってフォトダイオードアレイを構成する技術として、例えば、4sideタイラブル検出器や3sideタイラブル検出器をチップとして用いる方法がある。 As such, one technique for constructing a photodiode array by arranging multiple chips each having multiple photodiodes side by side is to use, for example, a 4-sided tallyable detector or a 3-sided tallyable detector as the chips.
図4~7は、本実施形態に係る比較例である4sideタイラブル検出器及び3sideタイラブル検出器をチップとして用いる場合の例を示す図である。 Figures 4 to 7 are diagrams showing examples of using a 4-sided tallyable detector and a 3-sided tallyable detector as chips, which are comparative examples of this embodiment.
例えば、図4に示すように、4sideタイラブル検出器50aは、X線が入射する入射面の全体にわたって二次元方向に複数のフォトダイオード51aが配列され、フォトダイオードが配列された基板の裏側にADC(図示は省略)が設けられた構成を有する。
For example, as shown in FIG. 4, a 4-
そして、例えば、図5の左側に示すように、4sideタイラブル検出器50aを用いる場合には、複数の4sideタイラブル検出器50aを列方向に並べて配列することによって、X線検出器のフォトダイオードアレイが実現される。この場合には、例えば、図5の右側に示すように、フォトダイオードアレイ上に配置される範囲の全体にわたって複数のシンチレータが隔壁(太い実線で示す)を介して並べられたシンチレータアレイ60aが用いられる。
For example, when using a 4-
ここで、4sideタイラブル検出器50aは、入射面の全体にわたってフォトダイオード51aが配列されているため、複数の4sideタイラブル検出器50aを連続して並べることによって、フォトダイオード51aを広い範囲に切れ目なく配置することができる。このため、4sideタイラブル検出器50aは、広カバレッジのX線検出器12を実現するために有効である。
Here, the 4-
しかしながら、4sideタイラブル検出器50aを用いる場合には、一般的に、X線検出器12のコストが高くなる。例えば、4sideタイラブル検出器50aでは、フォトダイオード51aが配列された基板の裏側にADCが設けられるため、TSV(Through Silicon Via)等を介してフォトダイオード51aとADCとを垂直方向に接続する必要があり、製造にかかるコストが高くなる。また、セラミック基板をインターポーザーとして裏面にADCを接続する方法もあるが、アナログ配線が長くなるため性能が悪くなることや、フォトダイオード51aをBIP(Backside Illuminated Photodiode)接続する必要がある制約等から実装が難しく、製造にかかるコストが高くなる。
However, when the 4-
一方、例えば、図6に示すように、3sideタイラブル検出器50bは、二次元方向に複数のフォトダイオード51bが配列され、当該複数のフォトダイオード51bが配列された基板と同内平面上の一辺にADC52bが設けられた構成を有する。これにより、3sideタイラブル検出器50bは、矩形状の四つの辺のうちの三辺に複数のフォトダイオード51bが配置され、一辺にADC52bが配置された構成となっている。
On the other hand, as shown in FIG. 6, for example, a 3-
そして、例えば、図7の左側に示すように、3sideタイラブル検出器50bを用いる場合には、二つの3sideタイラブル検出器50bを列方向に並べて配列することによって、X線検出器のフォトダイオードアレイが実現される。この場合には、例えば、図7の右側に示すように、フォトダイオードアレイ上に配置される範囲のみに複数のシンチレータが隔壁(太い実線で示す)を介して並べられたシンチレータアレイ60bが用いられる。
For example, when using a 3-
ここで、3sideタイラブル検出器50bは、フォトダイオード51bとADC52bとをCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)プロセスによって同一シリコン面内で形成することができるため、4sideタイラブル検出器50aを用いる場合と比べて、性能が良いX線検出器を低コストで実現することができる。
The 3-
しかしながら、3sideタイラブル検出器50bは、フォトダイオード51bとADC52bとが同一平面上に配置されているため、フォトダイオード51bを切れ目なく配置するためには、ADC52bが設けられている辺の対辺同士が隣接するように並べられることになる。そのため、3sideタイラブル検出器50bを用いる場合には、二つの3sideタイラブル検出器50bだけでX線検出器のフォトダイオードアレイを実現することになり、広カバレッジのX線検出器12を実現することが難しい。
However, in the 3-
このようなことから、本実施形態では、広カバレッジのX線検出器12を低コストで実現することができるようにしている。
For these reasons, this embodiment makes it possible to realize a wide-
具体的には、本実施形態では、X線検出器12は、二次元方向に複数のフォトダイオードが配列され、当該フォトダイオードが配列される平面と同一平面上の一部にADCが設けられたチップ50を備える。
Specifically, in this embodiment, the
ここで、本実施形態では、チップ50として、二次元方向に複数のフォトダイオードが配列され、フォトダイオードが配列された基板と同一平面上の一辺にADCが設けられた3sideタイラブル検出器が用いられる。
In this embodiment, the
図8は、本実施形態に係るX線検出器モジュール121に含まれるシンチレータアレイ12111及びフォトダイオードアレイ12112の一例を示す図である。
Figure 8 is a diagram showing an example of a
例えば、図8の左側に示すように、本実施形態では、X線検出器モジュール121に含まれるフォトダイオードアレイ12112が、3sideタイラブル検出器であるチップ50を列方向に複数配列することによって構成されている。具体的には、チップ50は、二次元方向に複数のフォトダイオード51が配列され、当該複数のフォトダイオード51が配列された基板と同内平面上の一辺にADC52が設けられた構成を有する。
For example, as shown on the left side of FIG. 8, in this embodiment, the
例えば、列方向に四つのチップ50が配列されることによって、フォトダイオードアレイ12112が構成される。ここで、列方向における内側に配置される二つのチップ50は、ADC52が設けられている辺の対辺同士が隣接するように並べて配置される。また、列方向における外側に配置される二つのチップ50は、それぞれ、ADC52が設けられている辺の対辺と、内側に配置されたチップ50におけるADC52が設けられている辺とが隣接するように並べて配置される。
For example, the
このように、3sideタイラブル検出器であるチップ50を列方向に複数配列した場合には、複数のフォトダイオード51とADC52とが列方向に交互に配置されることになる。この結果、X線検出器12は、感度領域と不感領域とが周期的に出現するような面検出器の構造となる。
In this way, when
ここで、ADC52は、X線が入射すると劣化が懸念されるため、X線からの防護が必要な素子である。そこで、本実施形態では、X線検出器12が、ADC52のX線入射側に設けられたX線防護シールドを備える。
Here, the
例えば、図8の右側に示すように、X線検出器モジュール121に含まれるシンチレータアレイ12111が、隔壁を介さずに並べられた複数のシンチレータをさらに含み、当該複数のシンチレータによって、X線防護シールド70が構成される。
For example, as shown on the right side of FIG. 8, the
図9及び10は、本実施形態に係るX線防護シールド70の一例を説明するための図である。
Figures 9 and 10 are diagrams illustrating an example of an X-ray
ここで、本実施形態では、ADC52は、シンチレータアレイ12111に含まれる隔壁の配置間隔より大きく、コリメータ122に含まれるX線遮蔽板の厚さより大きいこととする。また、前述したように、本実施形態では、コリメータ122は、格子状に配列されたX線遮蔽板によって形成される複数のスリットのそれぞれが、一つのX線検出アレイ1211に含まれるシンチレータ及びフォトダイオードのチャネル方向に沿った一列ごとに配置されるように構成されている。
Here, in this embodiment, the
このような場合に、例えば、図9に示すように、仮に、ADC52のX線入射側に配置された複数のシンチレータが隔壁(太い実線で示す)を介して並べられていたとすると、コリメータ122のスリットを通り抜けたX線(矢印線で示す)が、シンチレータ間の隔壁を通って、基板53上に配置されたADC52に入射することになる。
In such a case, for example, as shown in FIG. 9, if multiple scintillators arranged on the X-ray entrance side of the
これに対し、例えば、図10に示すように、本実施形態では、ADC52のX線入射側に、隔壁を介さずに並べられた複数のシンチレータが配置され、当該複数のシンチレータによってX線防護シールド70が構成される。すなわち、本実施形態では、ADC52のX線入射側に、互いに密着して並べられた複数のシンチレータが配置される。これにより、コリメータ122のスリットを通り抜けたX線(矢印線で示す)は、ADC52のX線入射側に配置された複数のシンチレータによって減衰し、ADC52に入射しないようになる。
In contrast, as shown in FIG. 10, for example, in this embodiment, multiple scintillators are arranged without a partition on the X-ray entrance side of the
さらに、本実施形態では、前処理機能442が、ADC52が配列された位置に対応するデータを生成する。ここで、前処理機能442は、生成部の一例である。
Furthermore, in this embodiment, the
例えば、前処理機能442は、各X線検出器モジュール121のDAS1213から出力された検出データに基づいて、線形補間や重み付け補間等の補間処理によって、ADC52が配列された位置に対応するデータを生成することで、ADC52が配列された位置に対応するデータが補間された投影データを生成する。
For example, the
または、例えば、前処理機能442は、ディープラーニング等の機械学習によって作成された学習済みモデルを用いて、ADC52が配列された位置に対応するデータが補間された投影データを生成してもよい。この場合に、例えば、学習済みモデルは、予め、本実施形態に係るX線検出器12を用いて被検体から収集された検出データと、複数のフォトダイオードが切れ目なく配置されたX線検出器を用いて同じ被検体から収集された投影データと学習用データとした機械学習によって作成されて、メモリ41に記憶される。ここで、例えば、学習済みモデルは、各X線検出器モジュール121のDAS1213から出力された検出データを入力して、ADC52が配列された位置に対応するデータが補間された投影データを出力するモデルとなる。
Alternatively, for example, the
上述したように、本実施形態では、X線検出器12が、二次元方向に複数のフォトダイオードが配列され、当該フォトダイオードが配列される平面と同一平面上の一部にX線からの防護が必要なADC52が設けられたチップ50を備える。また、X線検出器12は、ADC52のX線入射側に設けられたX線防護シールド70を備える。また、X線CT装置1は、ADC52が配列された位置に対応するデータを生成する前処理機能442を備える。
As described above, in this embodiment, the
このような構成によれば、3sideタイラブル検出器のようなコストが安い検出器をチップ50として用いて、X線検出器12を構成することができる。したがって、本実施形態によれば、広カバレッジのX線検出器12を低コストで実現することができる。
With this configuration, the
(変形例)
なお、上述した実施形態は、適宜に変形して実施することも可能である。
(Modification)
The above-described embodiment can be modified as appropriate.
例えば、上述した実施形態では、チップ50として、3sideタイラブル検出器が用いられる場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、フォトダイオードが配列された基板と同一平面上であって、フォトダイオードの間にADCが設けられた検出器が用いられてもよい。
For example, in the above embodiment, an example was described in which a three-sided tallyable detector is used as the
すなわち、二次元方向に複数のフォトダイオードが配列され、当該フォトダイオードが配列される平面と同一平面上の一部にADCが設けられた検出器であれば、各種の検出器をチップ50として用いることができる。このような検出器は、フォトダイオードとADCとをCMOSプロセスによって同一シリコン面内で形成することができるため、4sideタイラブル検出器のようにフォトダイオードが配列された基板の裏側にADCが設けられる検出器と比べて、性能が良いX線検出器を低コストで実現することができる。
In other words, various detectors can be used as
また、上述した実施形態では、複数のチップ50を列方向に複数並べて配列することによってX線検出器モジュール121のフォトダイオードアレイ12112が構成される場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、列方向に並べられたチップ50の列がさらにチャネル方向に複数並べられてもよい。これにより、X線検出器12のカバレッジを列方向に広げるだけでなく、チャネル方向にも広げることができる。
In addition, in the above-described embodiment, an example has been described in which the
また、上述した実施形態では、複数のフォトダイオード51とADC52とが列方向に交互に配置されるように複数のチップ50が並べられる場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、ADC52がチャネル方向の一端側でチャネル方向に連続して一列に並ぶように、複数のチップ50が並べられてもよい。または、例えば、チャネル方向に沿って配置されたADC52と、列方向に沿って配置されたADC52とが交互に並ぶように、複数のチップ50が並べられてもよい。
In the above-described embodiment, an example has been described in which
また、例えば、上述した実施形態では、隔壁を介さずに並べられた複数のシンチレータによってX線防護シールド70が構成される場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。
In addition, for example, in the above-described embodiment, an example was described in which the X-ray
例えば、X線防護シールド70は、シンチレータアレイ12111の一部に設けられた遮蔽材によって構成されてもよい。
For example, the
図11は、本実施形態の変形例に係るX線防護シールド70の一例を説明するための図である。
Figure 11 is a diagram illustrating an example of an X-ray
例えば、図11に示すように、シンチレータアレイ12111において、ADC52のX線入射側に配置されるシンチレータの一部を切削し、その部分に鉛等の遮蔽材を配置することによって、X線防護シールド70が構成される。
For example, as shown in FIG. 11, in the
または、例えば、ADC52のX線入射側に配置されるシンチレータの一部を切削するのではなく、当該シンチレータを全て取り除き、その位置に遮蔽材を配置することによって、X線防護シールド70が構成されてもよい。
Alternatively, for example, rather than cutting away a portion of the scintillator located on the X-ray entrance side of the
または、例えば、ADC52のX線入射側に配置されるシンチレータは残したまま、当該シンチレータのX線入射側の表面、又は、当該シンチレータとADC52との間に遮蔽材を配置することによって、X線防護シールド70が構成されてもよい。
Alternatively, for example, the
また、例えば、X線防護シールド70は、コリメータ122の一部に設けられた遮蔽材によって構成されてもよい。
Also, for example, the
図12は、本実施形態の変形例に係るX線防護シールド70の一例を説明するための図である。
Figure 12 is a diagram illustrating an example of an X-ray
例えば、図12に示すように、コリメータ122において、ADC52のX線入射側に位置するスリット内に鉛等の遮蔽材を配置することによって、X線防護シールド70が構成される。
For example, as shown in FIG. 12, the
また、上述した実施形態では、チップ50に設けられる素子がADC52である場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、チップ50に設けられる素子は、AFE(Analog Front End)、増幅回路、積分回路、スイッチアレイチップ等であってもよい。
In the above embodiment, an example has been described in which the element provided on the
さらに、例えば、チップ50に設けられる素子は、ボンディングパッドでもよい。
Furthermore, for example, the elements provided on
図13は、本実施形態の変形例に係る素子の一例を示す図である。 Figure 13 shows an example of an element according to a modified example of this embodiment.
例えば、図13に示すように、チップ50において、複数のフォトダイオード51が配列される平面と同一平面上にボンディングパッド54が設けられる。この場合には、例えば、ADC52は、チップ50の基板53の裏側に設けられ、ボンディングパッド54を介して、ワイヤボンディングによってフォトダイオード51と接続される。または、ADC52は、DAS1213に設けられ、チップ50の基板53とDAS1213との間に設けられたコネクタ及びボンディングパッド54を介して、フォトダイオード51と接続されてもよい。
13, for example, in
なお、チップ50に設けられる素子がボンディングパッドである場合、これらの素子はX線からの防護は不要であるため、X線防護シールド70は設けられなくてもよい。
Note that if the elements provided on the
また、上述した実施形態では、前処理機能442が、ADC52が配列された位置に対応するデータを生成する場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、架台装置10に含まれる制御装置15や、コンソール装置40に含まれる処理回路44の再構成処理機能443が、ADC52が配列された位置に対応するデータを生成してもよい。この場合に、制御装置15又は再構成処理機能443は、生成部の一例である。
In addition, in the above-described embodiment, an example has been described in which the
また、上述した実施形態では、前処理機能442が、機械学習によって作成された学習済みモデルを用いて、ADC52が配列された位置に対応するデータが補間された投影データを生成する場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、再構成処理機能443が、ADC52が配列された位置に対応するデータを生成する場合には、機械学習によって作成された学習済みモデルを用いて、ADC52が配列された位置に対応するデータが補間されたCT画像データを生成してもよい。この場合に、例えば、学習済みモデルは、予め、本実施形態に係るX線検出器12を用いて収集されたCT画像データと、複数のフォトダイオードが切れ目なく配置されたX線検出器を用いて同じ被検体から収集されたCT画像データと学習用データとした機械学習によって作成されて、メモリ41に記憶される。ここで、例えば、学習済みモデルは、本実施形態に係るX線検出器12を用いて収集された投影データから再構成されたCT画像を入力して、ADC52が配列された位置に対応するデータが補間されたCT画像データを出力するモデルとなる。
In the above-described embodiment, the
また、上述した実施形態では、本願が開示する放射線検出器及び放射線診断装置の構成をX線検出器及びX線CT装置に適用した場合の例を説明したが、実施形態はこれに限られない。例えば、本願が開示する放射線検出器及び放射線診断装置の構成は、γ線検出器及びPET装置等のように、他の放射線検出器及び放射線診断装置にも同様に適用することが可能である。 In the above-described embodiment, an example was described in which the configuration of the radiation detector and radiation diagnostic device disclosed in the present application is applied to an X-ray detector and an X-ray CT device, but the embodiment is not limited to this. For example, the configuration of the radiation detector and radiation diagnostic device disclosed in the present application can be similarly applied to other radiation detectors and radiation diagnostic devices, such as a gamma ray detector and a PET device.
なお、上述した説明で用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)、或いは、特定用途向け集積回路(Application Specific Integrated Circuit:ASIC)、プログラマブル論理デバイス(例えば、単純プログラマブル論理デバイス(Simple Programmable Logic Device:SPLD)、複合プログラマブル論理デバイス(Complex Programmable Logic Device:CPLD)、及びフィールドプログラマブルゲートアレイ(Field Programmable Gate Array:FPGA))等の回路を意味する。プロセッサが例えばCPUである場合、プロセッサは、記憶回路に保存されたプログラムを読み出して実行することで、機能を実現する。一方、プロセッサが例えばASICである場合、記憶回路にプログラムを保存する代わりに、当該機能がプロセッサの回路内に論理回路として直接組まれる。なお、本実施形態の各プロセッサは、プロセッサごとに単一の回路として構成される場合に限らず、複数の独立した回路を組み合わせて一つのプロセッサとして構成し、その機能を実現するようにしてもよい。さらに、図1における複数の構成要素を一つのプロセッサへ統合してその機能を実現するようにしてもよい。 The term "processor" used in the above description means, for example, a circuit such as a CPU (Central Processing Unit), a GPU (Graphics Processing Unit), an Application Specific Integrated Circuit (ASIC), or a programmable logic device (for example, a Simple Programmable Logic Device (SPLD), a Complex Programmable Logic Device (CPLD), and a Field Programmable Gate Array (FPGA)). When the processor is, for example, a CPU, the processor realizes a function by reading and executing a program stored in a memory circuit. On the other hand, when the processor is, for example, an ASIC, instead of storing a program in a memory circuit, the function is directly incorporated as a logic circuit in the circuit of the processor. Note that each processor in this embodiment is not limited to being configured as a single circuit for each processor, but may be configured as a single processor by combining multiple independent circuits to realize its function. Furthermore, the multiple components in FIG. 1 may be integrated into a single processor to realize its function.
また、上述した実施形態及び変形例において、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。すなわち、各装置の分散又は統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部又は一部を、各種の負荷や使用状況等に応じて、任意の単位で機能的又は物理的に分散又は統合して構成することができる。更に、各装置にて行なわれる各処理機能は、その全部又は任意の一部が、CPU及び当該CPUにて解析実行されるプログラムにて実現され、或いは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現され得る。 In addition, in the above-mentioned embodiment and modified examples, each component of each device shown in the figures is functionally conceptual, and does not necessarily have to be physically configured as shown. In other words, the specific form of distribution or integration of each device is not limited to that shown in the figures, and all or part of it can be functionally or physically distributed or integrated in any unit depending on various loads, usage conditions, etc. Furthermore, each processing function performed by each device can be realized in whole or in any part by a CPU and a program analyzed and executed by the CPU, or can be realized as hardware using wired logic.
また、上述した実施形態及び変形例において説明した各処理のうち、自動的に行なわれるものとして説明した処理の全部又は一部を手動的に行なうこともでき、或いは、手動的に行なわれるものとして説明した処理の全部又は一部を公知の方法で自動的に行なうこともできる。この他、上記文書中や図面中で示した処理手順、制御手順、具体的名称、各種のデータやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。 Furthermore, among the processes described in the above-mentioned embodiments and variations, all or part of the processes described as being performed automatically can be performed manually, or all or part of the processes described as being performed manually can be performed automatically using known methods. In addition, the information including the processing procedures, control procedures, specific names, various data, and parameters shown in the above documents and drawings can be changed as desired unless otherwise specified.
以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、広カバレッジの放射線検出器を低コストで実現することができる。 According to at least one of the embodiments described above, a wide-coverage radiation detector can be realized at low cost.
いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更、実施形態同士の組み合わせを行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。 Although several embodiments have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, modifications, and combinations of embodiments can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are within the scope of the invention and its equivalents as set forth in the claims, as well as the scope and spirit of the invention.
1 X線CT装置
12 X線検出器
12111 シンチレータアレイ
122 コリメータ
44 処理回路
442 前処理機能
50 チップ
51 フォトダイオード
52 ADC
70 X線防護シールド
REFERENCE SIGNS LIST 1
70 X-ray protection shield
Claims (9)
前記複数のフォトダイオードの放射線入射側に配置され、前記二次元方向に複数のシンチレータが配列されたシンチレータアレイと、
前記素子の放射線入射側に設けられた放射線防護シールドと
を備え、
前記放射線防護シールドは、前記シンチレータアレイにおける前記素子の放射線入射側に配置されるシンチレータの一部を切削した部分に配置された遮蔽材、又は、前記シンチレータアレイにおける前記素子の放射線入射側に配置されるシンチレータの放射線入射側の表面に配置された遮蔽材によって構成される、
放射線検出器。 a chip on which a plurality of photodiodes are arranged in a two-dimensional direction and on which an element that needs to be protected from radiation is provided in a part of the same plane as the plane on which the photodiodes are arranged;
a scintillator array arranged on radiation incident sides of the plurality of photodiodes, the scintillator array including a plurality of scintillators arranged in the two-dimensional direction;
a radiation protection shield provided on the radiation incident side of the element,
The radiation protection shield is composed of a shielding material disposed in a portion obtained by cutting out a part of a scintillator disposed on the radiation incidence side of the element in the scintillator array, or a shielding material disposed on a surface of the radiation incidence side of a scintillator disposed on the radiation incidence side of the element in the scintillator array.
Radiation detector.
前記複数のフォトダイオードの放射線入射側に配置され、前記二次元方向に複数のシンチレータが配列されたシンチレータアレイと、
前記素子の放射線入射側に設けられた放射線防護シールドと
を備え、
前記シンチレータアレイは、前記シンチレータ間の光のクロストークを防ぐための隔壁を介して並べられた複数のシンチレータと、前記隔壁を介さずに並べられた複数のシンチレータとを含み、
前記放射線防護シールドは、前記隔壁を介さずに並べられた複数のシンチレータによって構成される、
放射線検出器。 a chip on which a plurality of photodiodes are arranged in a two-dimensional direction and on which an element that needs to be protected from radiation is provided in a part of the same plane as the plane on which the photodiodes are arranged;
a scintillator array arranged on radiation incident sides of the plurality of photodiodes, the scintillator array including a plurality of scintillators arranged in the two-dimensional direction;
a radiation protection shield provided on the radiation incident side of the element,
the scintillator array includes a plurality of scintillators arranged with partitions interposed therebetween to prevent optical crosstalk between the scintillators, and a plurality of scintillators arranged without the partitions interposed therebetween;
The radiation protection shield is composed of a plurality of scintillators arranged without the partition wall.
Radiation detector.
前記二次元方向に沿って格子状に配列された複数の放射線遮蔽板を有し、前記チップへの散乱放射線の入射を防護するコリメータと、
前記素子の放射線入射側に設けられた放射線防護シールドと
を備え、
前記放射線防護シールドは、前記コリメータの一部に設けられた遮蔽材によって構成される、
放射線検出器。 a chip on which a plurality of photodiodes are arranged in a two-dimensional direction and on which an element that needs to be protected from radiation is provided in a part of the same plane as the plane on which the photodiodes are arranged;
a collimator having a plurality of radiation shielding plates arranged in a grid pattern along the two-dimensional direction, the collimator preventing scattered radiation from being incident on the tip;
a radiation protection shield provided on the radiation incident side of the element,
The radiation protection shield is constituted by a shielding material provided on a part of the collimator.
Radiation detector.
前記シンチレータアレイは、前記シンチレータ間の光のクロストークを防ぐための隔壁を介して並べられた複数のシンチレータを含む、
請求項3に記載の放射線検出器。 a scintillator array disposed on a radiation incident side of the plurality of photodiodes and including a plurality of scintillators arranged in the two-dimensional direction;
The scintillator array includes a plurality of scintillators arranged with partitions interposed therebetween to prevent optical crosstalk between the scintillators.
The radiation detector according to claim 3 .
請求項2又は4に記載の放射線検出器。 The elements are greater than the spacing between the partitions included in the scintillator array.
The radiation detector according to claim 2 or 4.
請求項1又は2に記載の放射線検出器。 a collimator having a plurality of radiation shielding plates arranged in a grid pattern along the two-dimensional direction to protect the chip from scattered radiation;
The radiation detector according to claim 1 or 2 .
請求項3又は6に記載の放射線検出器。 The element is greater than the thickness of the radiation shielding plate included in the collimator.
The radiation detector according to claim 3 or 6.
請求項1~7のいずれか一つに記載の放射線検出器。 The element is an ADC (Analog to Digital Converter), an AFE (Analog Front End), an amplifier circuit, or an integrator circuit.
The radiation detector according to any one of claims 1 to 7.
前記素子が配列された位置に対応するデータを生成する生成部と
を備える、放射線診断装置。 A radiation detector according to any one of claims 1 to 8,
and a generating unit that generates data corresponding to positions at which the elements are arranged.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001242253A (en) | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Toshiba Corp | Radiation detector and x-ray ct device |
JP2005524853A (en) | 2002-05-09 | 2005-08-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Multi-array detection system for CT |
JP2008263190A (en) | 2001-04-11 | 2008-10-30 | Nippon Kessho Kogaku Kk | Photodetector and radiation detecting device |
US20190179040A1 (en) | 2017-12-08 | 2019-06-13 | X-Scan Imaging Corporation | Integrated multi-slice x-ray detector for in-line computed tomography |
-
2020
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001242253A (en) | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Toshiba Corp | Radiation detector and x-ray ct device |
JP2008263190A (en) | 2001-04-11 | 2008-10-30 | Nippon Kessho Kogaku Kk | Photodetector and radiation detecting device |
JP2005524853A (en) | 2002-05-09 | 2005-08-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Multi-array detection system for CT |
US20190179040A1 (en) | 2017-12-08 | 2019-06-13 | X-Scan Imaging Corporation | Integrated multi-slice x-ray detector for in-line computed tomography |
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