JP7491902B2 - 電子デバイスで使用するためのポリマー - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本出願は、その全体を参照により本明細書に援用される、２０１８年８月８日出願の、米国仮特許出願第６２／７１５，８８９号明細書の利益を主張するものである。

本開示は、新規なポリマー化合物に関する。本開示は、そのようなポリマー化合物及びこれらの材料を含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスの調製方法に更に関する。

エレクトロニクス用途で使用するための材料は、多くの場合、それらの構造的、光学的、熱的、電子的、及び他の特性に関して厳しい要件を有する。商業的エレクトロニクス用途の数が増え続けるにつれて、必須の特性の幅及び特異性は、新しい及び／又は改善された特性を持った材料の革新を強く求めている。ポリイミドは、様々なエレクトロニクス用途で広範に使用されてきた部類のポリマー化合物を表す。それらは、それらが好適な特性を有するという条件で、電子ディスプレイデバイスのガラスの柔軟な代替物としての機能を果たすことができる。これらの材料は、それらの電力の穏当な消費量、軽量、及び層の平坦性が効果的な実用性にとって決定的に重要な特性である、液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）の構成要素として役立つことができる。そのようなパラメータを重視する電子ディスプレイデバイスでの他の使用には、デバイス基板、カラーフィルターシート用の基板、カバーフィルム、タッチスクリーンパネル等が含まれる。

多数のこれらの構成要素は、有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）を有する有機電子デバイスの構築及び作動においても重要である。ＯＬＥＤは、それらの高い電力変換効率及び広範囲の最終用途への適用可能性のために、多くのディスプレイ用途向けに前途有望である。それらは、携帯電話、タブレット型デバイス、ハンドヘルド型／ラップトップ型コンピューター、及び他の市販製品でますます使用されつつある。これらの用途は、低い電力消費量に加えて、大量の情報量、フルカラー、及び速いビデオ速度応答時間のディスプレイを求めている。

ポリイミドフィルムは、一般に、十分な熱安定性、高いガラス転移温度、及びそのような使用についての検討に値する機械的靭性を有する。また、ポリイミドは、一般に、繰り返し曲げを受ける場合にヘイズを発現せず、だからそれらは、柔軟なディスプレイ用途においてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）のような他の透明な基板よりも多くの場合に好ましい。

ポリイミドは、一般に剛性であり、高芳香族性材料であり；そのポリマー鎖は、フィルム／コーティングが形成されつつあるときにフィルム／コーティングの面内で配向する傾向がある。これは、ディスプレイ性能に悪影響を及ぼし得る光学的遅れを生み出すフィルムの平行方向対垂直方向の屈折率の差（複屈折）をもたらす。新規な構造特徴を持った新モノマーは、具体的な用途向けの改善された特性を持ったポリイミドを潜在的にもたらすことができる。

電子デバイスで使用するのに好適であるポリマー材料が引き続き必要とされている。

式Ｉ

（式中：
Ｑ¹は、Ｈ、Ｒ¹、及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ²は、Ｈ、Ｒ²、及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ³は、Ｒ³及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ⁴は、Ｒ⁴及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ⁵は、Ｒ⁷及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｒ¹及びＲ²は、出現ごとに同じ又は異なるものであり、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、シロキシ、非置換若しくは置換炭化水素アリール、非置換若しくは置換ヘテロアリール、及び非置換若しくは置換アリールオキシからなる群から選択され；
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、及びＲ⁷は、同じ又は異なるものであり、Ｈ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、シロキシ、非置換若しくは置換炭化水素アリール、非置換若しくは置換ヘテロアリール、及び非置換若しくは置換アリールオキシからなる群から選択され；
Ｒ⁸は、アルキル、シリル、非置換若しくは置換炭化水素アリール、及び非置換若しくは置換ヘテロアリールからなる群から選択され；
Ｒ⁹は、出現ごとに同じ又は異なるものであり、ＮＨ₂及びＡｒＮＨ₂からなる群から選択され；
Ａｒは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールであり；
ａ及びｂは、同じ又は異なるものであり、０～３の整数であり；
但し、Ｑ¹～Ｑ⁵の少なくとも２つはＲ⁹である）
を有するポリアミンが提供される。

式ＩＩ

（式中：
Ｒ^aは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、１つ以上のテトラカルボン酸成分残基を表し；
Ｒ^bは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、１つ以上の芳香族ジアミン残基を表し；
ここで、Ｒ^bの１０～１００モル％は、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからのジアミン残基である）
の繰り返し単位を有するポリアミド酸が更に提供される。

（ａ）式ＩＩの繰り返し単位を有するポリアミド酸と（ｂ）高沸点の、非プロトン性溶媒とを含む組成物が更に提供される。

その繰り返し単位が式ＩＩＩ

（式中、Ｒ^a及びＲ^bは、式ＩＩにおいて定義された通りである）
の構造を有するポリイミドが更に提供される。

式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドを含むポリイミドフィルムが更に提供される。

ポリイミドが式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドフィルムの１つ以上の調製方法が更に提供される。

ガラスの柔軟な代替物が式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドを含むポリイミドフィルムである電子デバイスにおけるガラスの柔軟な代替物が更に提供される。

式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドを含むポリイミドフィルムを含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスが更に提供される。

有機電子デバイスが本明細書に開示されるようなガラスの柔軟な代替物を含有する、ＯＬＥＤなどの、有機電子デバイスが更に提供される。

前述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は、例示的且つ説明的であるにすぎず、添付の特許請求の範囲において規定されるような、本発明を限定しない。

実施形態は、本明細書に示されるような概念の理解を増進するための添付の図において例示される。

ガラスの柔軟な代替物としての役割を果たすことができるポリイミドフィルムの１つの例の例示を含む。 ガラスの柔軟な代替物を含む電子デバイスの１つの例の例示を含む。

当業者は、図中の対象物が、簡潔且つ明確にするために例示されており、一定の縮尺で必ずしも描かれていないことを十分理解する。例えば、図中の対象物のいくつかの寸法は、実施形態の理解を増進するのに役立つために、他の対象物に対して誇張されている場合がある。

以下に詳細に記載されるように、式Ｉを有するポリアミンが提供される。

以下に詳細に記載されるように、式ＩＩの繰り返し単位を有するポリアミド酸が更に提供される。

（ａ）式ＩＩの繰り返し単位を有するポリアミド酸と（ｂ）高沸点の、非プロトン性溶媒とを含む組成物が更に提供される。

以下に詳細に記載されるように、その繰り返し単位が式ＩＩＩの構造を有するポリイミドが更に提供される。

ポリイミドが式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドフィルムの１つ以上の調製方法が更に提供される。

ガラスの柔軟な代替物が式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドを含むポリイミドフィルムである電子デバイスにおけるガラスの柔軟な代替物が更に提供される。

式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドを含むポリイミドフィルムを含む少なくとも１つの層を有する電子デバイスが更に提供される。

有機電子デバイスが本明細書に開示されるようなガラスの柔軟な代替物を含有する、ＯＬＥＤなどの、有機電子デバイスが更に提供される。

多くの態様及び実施形態が上に記載されてきたが、それらは、例示的であるにすぎず、限定的ではない。本明細書を読んだ後に、当業者は、他の態様及び実施形態が本発明の範囲から逸脱することなく可能であることを十分理解する。

実施形態の任意の１つ以上の他の特徴及び利益は、以下の詳細な説明から、及び特許請求の範囲から明らかであろう。詳細な説明は、先ず、用語の定義及び明確化に取り組み、これに、式Ｉを有するポリアミン、ポリアミド酸、ポリイミド、ポリイミドフィルムの調製方法、電子デバイス、及び最後に実施例が続く。

１．用語の定義及び明確化
下記の実施形態の詳細に取り組む前に、いくつかの用語が定義される又は明確化される。

「用語の定義及び明確化」において用いるところでは、Ｒ、Ｒ^a、Ｒ^b、Ｒ’、Ｒ’’及び任意の他の変量は、総称であり、式中で定義される変量と同じものであっても、異なるものであってもよい。

用語「整列層」は、液晶デバイス（ＬＣＤ）製造プロセス中に１つの優先方向においてＬＣＤガラス上にそれが擦りつけられる結果として分子を各プレートの最も近くに整列させるＬＣＤ中の有機ポリマーの層を意味することを意図する。

本明細書で用いるところでは、用語「アルキル」には、分岐状及び直鎖状の飽和脂肪族炭化水素基が含まれる。特に明記しない限り、この用語はまた、環状基を含むことを意図する。アルキル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃブチル、ｔｅｒｔブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、イソヘキシル等が挙げられる。用語「アルキル」には、置換及び非置換の両方の炭化水素基が更に含まれる。いくつかの実施形態では、アルキル基は、一置換、二置換及び三置換され得る。置換アルキル基の一例は、トリフルオロメチルである。他の置換アルキル基は、本明細書に記載される置換基の１つ以上から形成される。特定の実施形態では、アルキル基は、１～２０個の炭素原子を有する。他の実施形態では、この基は、１～６個の炭素原子を有する。この用語は、ヘテロアルキル基を含むことを意図する。ヘテロアルキル基は、１～２０個の炭素原子を有し得る。

用語「非プロトン性」は、酸性水素原子を欠き、それ故、水素供与体として作用することができない部類の溶媒を指す。一般的な非プロトン性溶媒には、アルカン、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、ベンゼン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、及び多くのその他の溶媒が含まれる。

用語「芳香族化合物」は、４ｎ＋２の非局在化π電子を有する少なくとも１つの不飽和環状基を含む有機化合物を意味することを意図する。この用語は、炭素及び水素原子のみを有する芳香族化合物、並びに環状基内の炭素原子の１個以上が窒素、酸素、硫黄等などの、別の原子によって置換されているヘテロ芳香族化合物の両方を包含することを意図する。

用語「アリール」又は「アリール基」は、芳香族化合物からの１個以上の水素（「Ｈ」）又は重水素（「Ｄ」）の除去によって形成される部分。アリール基は、単環（単環式）であり得るか、又は一緒に縮合した若しくは共有結合によって結合した複数環（二環式以上）であり得る。「炭化水素アリール」は、芳香環中に炭素原子のみを有する。「ヘテロアリール」は、少なくとも１つの芳香環中に１つ以上のヘテロ原子を有する。いくつかの実施形態では、炭化水素アリール基は、６～６０個の環炭素原子；いくつかの実施形態では、６～３０個の環炭素原子を有する。いくつかの実施形態では、ヘテロアリール基は、４～５０個の環炭素原子；いくつかの実施形態では、４～３０個の環炭素原子を有する。

用語「アルコキシ」は、基－ＯＲ（式中、Ｒはアルキルである）を意味することを意図する。

用語「アリールオキシ」は、基－ＯＲ（式中、Ｒはアリールである）を意味することを意図する。

特に明記しない限り、全ての基は、置換又は非置換であり得る。アルキル又はアリールなどの、しかしそれらに限定されない、任意選択的に置換された基は、同じ又は異なるものであり得る１つ以上の置換基で置換され得る。好適な置換基には、アルキル、アリール、ニトロ、シアノ、－Ｎ（Ｒ’）（Ｒ^’’）、ハロ、ヒドロキシ、カルボキシ、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アルコキシカルボニル、パーフルオロアルキル、パーフルオロアルコキシ、アリールアルキル、シリル、シロキシ、シロキサン、チオアルコキシ、－Ｓ（Ｏ）₂－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ’）（Ｒ’’）、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ－アルキル、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ－アルコキシアルキル、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ－アルキルアリールオキシアルキル、－Ｓ（Ｏ）_s－アリール（式中、ｓ＝０～２である）又は－Ｓ（Ｏ）_s－ヘテロアリール（式中、ｓ＝０～２である）が含まれる。各Ｒ’及びＲ’’は、独立して、任意選択的に置換されたアルキル、シクロアルキル、又はアリール基である。Ｒ’及びＲ’’は、それらが結合している窒素原子と一緒に、特定の実施形態では環系を形成することができる。置換基は、架橋基でもあり得る。

用語「アミン」は、孤立電子対を持った塩基性窒素原子を含有する化合物を意味することを意図し、ここで孤立電子対は、別の原子と共有されていない１組の２つの価電子を指す。用語「アミノ」は、官能基－ＮＨ₂、－ＮＨＲ、又は－ＮＲ₂（式中、Ｒは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、アルキル基又はアリール基であり得る）を指す。用語「ジアミン」は、関連孤立電子対を持った２個の塩基性窒素原子を含有する化合物を意味することを意図する。用語「ポリアミン」は、関連孤立電子対を持った２個以上の塩基性窒素原子を含有する化合物を意味することを意図する。用語「芳香族ジアミン」は、２個のアミノ基を有する芳香族化合物を意味することを意図する。用語「芳香族ポリアミン」は、２個以上のアミノ基を有する芳香族化合物を意味することを意図する。用語「屈曲ジアミン」は、２個の塩基性窒素原子及び関連孤立電子対が、対応する化合物又は官能基の対称の中心の周りに非対称に配置されているジアミン、例えばｍ－フェニレンジアミン：

を意味することを意図する。

用語「芳香族ジアミン残基」は、芳香族ジアミンにおける２個のアミノ基に結合した部分を意味することを意図する。用語「芳香族ポリアミン残基」は、芳香族ポリアミンにおける２個以上のアミノ基に結合した部分を意味することを意図する。用語「芳香族ジイソシアネート残基」は、芳香族ジイソシアネート化合物における２個のイソシアネート基に結合した部分を意味することを意図する。用語「芳香族ポリイソシアネート残基」は、芳香族ポリイソシアネート化合物における２個以上のイソシアネート基に結合した部分を意味することを意図する。これは、以下に更に例示される。

用語「ジアミン残基」及び「ジイソシアネート残基」は、それぞれ、２個のアミノ基又は２個のイソシアネート基に結合した部分を意味することを意図し、ここで、この部分は、脂肪族又は芳香族である。用語「ポリアミン残基」及び「ポリイソシアネート残基」は、それぞれ、２個以上のアミノ基又は２個以上のイソシアネート基に結合した部分を意味することを意図し、ここで、この部分は、脂肪族又は芳香族である。

用語「ｂ＊」は、黄色／青色反対色を表すＣＩＥＬａｂ色空間におけるｂ＊軸を意味することを意図する。黄色は、プラスのｂ＊値によって表され、青色は、マイナスのｂ＊値によって表される。測定されるｂ＊値は、特に溶媒の選択が高温処理条件に曝露された材料に関して測定される色に影響を及ぼし得るので、溶媒によって影響を受ける可能性がある。これは、溶媒の固有の特性及び／又は様々な溶媒に含有される低レベルの不純物に関連する特性の結果として発生し得る。特定の溶媒が、多くの場合、特定の用途向けに所望のｂ＊値を達成するために事前選択される。

用語「複屈折」は、ポリマーフィルム又はコーティングにおける異なる方向での屈折率の差を意味することを意図する。この用語は、通常、ｘ軸又はｙ軸（面内）及びｚ軸（面外）屈折率間の差を指す。

用語「電荷輸送」は、層、材料、部材、又は構造に言及している場合、そのような層、材料、部材、又は構造が、比較的効率良く且つ小さい電荷損失で、そのような層、材料、部材、又は構造の厚さを通してのそのような電荷の移動を容易にすることを意味することを意図する。正孔輸送材料は、正電荷を容易に運び；電子輸送材料は、負電荷を容易に運ぶ。発光材料はまた、いくつかの電荷輸送特性を有し得るが、用語「電荷輸送層、材料、部材、又は構造」は、その一次機能が発光である層、材料、部材、又は構造を含むことを意図しない。

用語「化合物」は、化学結合を破断することなしに物理的手段によって原子をそれらの相当する分子から分離することができない、原子を更に含む分子から構成される電気的に非帯電の物質を意味することを意図する。この用語は、オリゴマー及びポリマーを含むことを意図する。

用語「線形熱膨張率（ＣＴＥ又はα）」は、温度の関数として材料が膨張する又は収縮する量を規定するパラメータを意味することを意図する。線形熱膨張率は、１℃当たりの長さの変化として表され、一般に、μｍ／ｍ／℃又はｐｐｍ／℃の単位で表される。

α＝（ΔＬ／Ｌ₀）／ΔＴ

本明細書に開示される測定されたＣＴＥ値は、第１又は第２加熱スキャン中に公知の方法により作成される。材料の相対膨張／収縮特性の理解は、電子デバイスの製作及び／又は信頼性における重要な検討事項であり得る。

用語「ドーパント」は、そのような材料が存在しない層の電子的特性又は放射線の放出、受容、若しくはフィルタリングの波長と比較して、その層の電子的特性又は放射線の放出、受容、若しくはフィルタリングの目標波長を変化させる、ホスト材料を含む層内の、材料を意味することを意図する。

用語「電気活性」は、それが層又は材料に言及する場合、デバイスの動作を電子的に容易にする層又は材料を示すことを意図する。電気活性材料の例としては、電荷（電荷は、電子か正孔かのどちらかであり得る）を導くか、注入するか、輸送するか、若しくはブロックする材料、又は放射線を発する若しくは放射線を受けるときに電子－正孔対の濃度の変化を示す材料が挙げられるが、それらに限定されない。不活性材料の例としては、平坦化材料、絶縁材料、及び環境バリア材料が挙げられるが、それらに限定されない。

用語「引張伸び」又は「引張歪み」は、それが、印加引張応力下で破断する前に材料中で発生する長さの百分率増加を意味することを意図する。それは、例えば、ＡＳＴＭ法Ｄ８８２によって測定することができる。

接頭辞「フルオロ」は、基中の１個以上の水素原子がフッ素で置換されていることを示すことを意図する。

用語「ガラス転移温度（又はＴ_g）」は、材料が硬質状態、ガラス状状態、又は脆性状態から柔軟性又はゴム弾性である状態に突然に変化する非晶質ポリマーに又は半結晶ポリマーの非晶質領域に可逆変化が発生する温度を意味することを意図する。微視的には、ガラス転移は、普通はコイル状の、動きのないポリマー鎖が自由に回転するようになる及び相互に通過できる場合に発生する。Ｔ_gは、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）、熱機械分析法（ＴＭＡ）、若しくは動的機械分析法（ＤＭＡ）、又は他の方法を用いて測定され得る。

接頭辞「ヘテロ」は、１個以上の炭素原子が異なる原子で置換されていることを示す。いくつかの実施形態では、ヘテロ原子は、Ｏ、Ｎ、Ｓ、又はそれらの組み合わせである。

用語「高沸点」は、１３０℃超の沸点を示すことを意図する。

用語「ホスト材料」は、ドーパントが添加される材料を意味することを意図する。ホスト材料は、電子的特性又は放射線を発するか、受容するか、若しくはフィルターする能力を有していても又は有していなくてもよい。いくつかの実施形態では、ホスト材料は、より高い濃度で存在する。

用語「等温重量損失」は、その熱安定性に直接関連する材料の特性を意味することを意図する。等温重量損失は、一般に、熱重量分析（ＴＧＡ）によって興味のある一定の温度で測定される。高い熱安定性を有する材料は、一般に、所望の期間必要とされる使用温度又は加工温度で非常に低い百分率の等温重量損失を示し、それ故、強度の有意な喪失、ガス放出、及び／又は構造の変化なしにこれらの温度での用途に使用することができる。

用語「レーザー粒子カウンターテスト」は、ポリアミド酸及び他のポリマー溶液の粒子含量を評価し、それによって試験溶液の代表的試料が５インチのシリコンウェハー上にスピンコートされ、ソフトベークされる／乾燥されるために用いられる方法を指す。このように調製されたフィルムは、任意の数の標準的測定技術によって粒子含量について評価される。そのような技術には、当技術分野において公知であるレーザー粒子検出及び他のものが含まれる。

用語「液体組成物」は、材料が溶解して溶液を形成する液体媒体、材料が分散されて分散系を形成する液体媒体、又は材料が懸濁されて懸濁液若しくは乳化液を形成する液体媒体を意味することを意図する。

用語「母材」は、その上に１つ以上の層が、例えば、電子デバイスの形成において堆積される基盤を意味することを意図する。非限定的な例としては、ガラス、シリコン、及び他のものが挙げられる。

用語「１％のＴＧＡ重量損失」は、元のポリマー重量の１％が（吸収水を排除する）分解に起因して失われる温度を意味することを意図する。

用語「光学的遅れ（又はＲ_TH）」は、平均面内屈折率と面外屈折率との間の差（すなわち、複屈折）を意味することを意図し、この差に、次いでフィルム又はコーティングの厚さが掛けられる。光学的遅れは、典型的には、所与の周波数の光に対して測定され、単位は、ナノメートルで報告される。

用語「有機電子デバイス」又は場合により「電子デバイス」は、本明細書では、１つ以上の有機半導体層又は材料を含むデバイスを意味することを意図する。

用語「粒子含量」は、溶液中に存在する不溶性粒子の数又はカウントを意味することを意図する。粒子含量の測定は、溶液自体に関して又はそれらのフィルムから調製された完成材料（ピース、フィルム等）に関して行うことができる。様々な光学方法を用いて特性を評価することができる。

用語「光活性」は、（発光ダイオード又は化学セルにおけるなどの）印加電圧によって活性化されたときに発光する、（ダウンコンバート燐光体デバイスにおけるなどの）光子の吸収後に発光する、又は（光検出器若しくは光起電力セルにおけるなどの）輻射エネルギーに応答し、印加バイアス電圧ありで若しくはなしで信号を発生させる材料又は層を指す。

用語「ポリアミド酸溶液」は、イミド基を形成するための分子内環化の能力を有するアミド酸単位を含有するポリマーの溶液を指す。

用語「ポリ酸無水物」は、２つ以上の酸無水物基を有する化合物を指す。用語「ポリ無水物残基」は、２つ以上の酸無水物基に結合して部分を意味することを意図する。これは、下記に更に例示される。

用語「ポリイミド」は、１つ以上の多官能性カルボン酸成分と１つ以上の第一級ポリアミン又はポリイソシアネートとの反応から生じる縮合ポリマーを指す。それらは、ポリマー骨格の主鎖に沿って線状若しくは複素環式単位としてイミド構造－ＣＯ－ＮＲ－ＣＯ－を含有する。

用語「満足できる」は、材料の特性又は特徴に関する場合、特性又は特徴が、使用中の材料に対する全ての要件／要求を満たすことを意味することを意図する。例えば、窒素中３５０℃で３時間の１％未満の等温重量損失は、本明細書に開示されるポリイミドフィルムに関連して、「満足できる」特性の非限定的な例と見なすことができる。

用語「ソフトベーキング」は、エレクトロニクス製造において一般に用いられるプロセスであって、コートされた材料が、溶媒を駆逐し、フィルムを固化させるために加熱されるプロセスを意味することを意図する。ソフトベーキングは、コートされた層又はフィルムのその後の熱処理のための準備工程として、９０℃～１１０℃の温度でホットプレート上又は排気付きオーブン中で一般的に行われる。

用語「基板」は、硬質か柔軟性かのどちらかであり得、ガラス、ポリマー、金属若しくはセラミック材料又はそれらの組み合わせを含み得るが、それらに限定されない、１つ以上の材料の１つ以上の層を含み得る基礎材料を指す。基板は、電子構成部品、回路、又は導電性部材を含んでいても又は含んでいなくてもよい。

用語「シロキサン」は、基Ｒ₃ＳｉＯＲ₂Ｓｉ－（式中、Ｒは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、Ｈ、Ｃ１～２０アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである）を指す。いくつかの実施形態では、Ｒアルキル基中の１個以上の炭素は、Ｓｉで置換されている。

用語「シロキシ」は、基Ｒ₃ＳｉＯ－（式中、Ｒは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、Ｈ、Ｃ１～２０アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである）を指す。

用語「シリル」は、基Ｒ₃Ｓｉ－（式中、Ｒは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、Ｈ、Ｃ１～２０アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである）を指す。 いくつかの実施形態では、Ｒアルキル基中の１個以上の炭素は、Ｓｉで置換されている。

用語「スピンコーティング」は、平坦な基板に一様な薄いフィルムを堆積させるために用いられるプロセスを意味することを意図する。一般に、少量のコーティング材料が、低速で回転しているか又はまったく回転していないかのどちらかである、基板の中央に塗布される。基板は、次いで、遠心力によって一様にコーティング材料を広げるために特定の速度で回転させられる。

用語「スピロ基」は、２つの環が単一原子を共有する二環式有機部分を有する基を指す。環は、性質が異なる又は同一であり得、他の環系の一部を形成し得る。共通の原子は、各環において２つの結合を有し、スピロ原子と呼ばれる。いくつかの実施形態では、スピロ原子は、Ｃ及びＳｉからなる群から選択される。

用語「引張弾性率」は、フィルムのような材料における応力（単位面積当たりの力）と歪み（比例変形）との間の初期関係を規定する固体材料の剛性の尺度を意味することを意図する。一般的に用いられる単位は、ギガパスカル（ＧＰａ）である。

用語「テトラカルボン酸成分」は、以下：テトラカルボン酸、テトラカルボン酸一無水物、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸モノエステル、及びテトラカルボン酸ジエステルのいずれか１つ以上を意味することを意図する。

用語「テトラカルボン酸成分残基」は、テトラカルボン酸成分中の４つのカルボキシ基に結合した部分を意味することを意図する。これは、以下に更に例示される。

用語「透過率」は、反対側で検出可能であるようにフィルムを通過するフィルムに衝突する所与の波長の光のパーセントを指す。可視領域（３８０ｎｍ～８００ｎｍ）における光透過率測定値は、本明細書に開示されるポリイミドフィルムの使用中の特性を理解するために最も重要であるフィルム色特性を特徴付けるために特に有用である。

用語「黄色度指数（又はＹＩ）」は、標準と比べて黄色度の大きさを指す。ＹＩのプラスの値は、黄色の存在及び大きさを示す。マイナスのＹＩを持った材料は、青色がかって見える。特に高温で行われた重合プロセス及び／又は硬化プロセスについて、ＹＩが溶媒依存性であり得ることにまた留意されるべきである。溶媒としてＤＭＡＣを使用して導入される色の大きさは、例えば、溶媒としてＮＭＰを使用して導入される色の大きさと異なる場合がある。これは、溶媒の固有の特性及び／又は様々な溶媒中に含有される低レベルの不純物に関連する特性の結果として発生し得る。特定の溶媒が、多くの場合、特定の用途向けに所望のＹＩ値を達成するために事前選択される。

置換基結合が以下に示されるように１つ以上の環を通過する構造において、

置換基Ｒは１つ以上の環上の任意の利用可能な位置で結合し得ることが意味される。

語句「に隣接した」は、デバイス中の層に言及するために用いられるとき、１つの層が別の層の直接隣にあることを必ずしも意味しない。他方で、語句「隣接Ｒ基」は、化学式中で互いに隣りにあるＲ基（すなわち、結合によって連結された原子上にあるＲ基）に言及するために用いられる。典型的な隣接Ｒ基は、以下に示される：

本明細書では、特に明示的に述べられるか、又は用法の文脈によって反対を示されない限り、本明細書の主題の実施形態が特定の特徴又は要素を含むか、包含するか、含有するか、有するか、それらからなるか、又はそれらによって若しくはそれらから構成されると述べられるか又は記載される場合、明示的に述べられたか又は記載されたものに加えて１つ以上の特徴又は要素が実施形態に存在し得る。本明細書の開示された主題の代わりの実施形態は、特定の特徴又は要素から本質的になると記載され、その実施形態では、操作の原理又は実施形態の際立った特性を実質的に変更するであろう特徴又は要素は、その中に存在しない。本明細書の記載された主題の更なる代わりの実施形態は、特定の特徴又は要素からなると記載され、その実施形態では、又はそれの実態のない変形では、具体的に述べられた又は記載された特徴又は要素のみが存在する。

更に、明確にそれとは反対のことが述べられない限り、「又は」は、包括的な又はを意味し、排他的な又はを意味しない。例えば、条件Ａ又はＢは、以下：Ａが真であり（又は存在し）且つＢが偽である（又は存在しない）、Ａが偽であり（又は存在せず）且つＢが真である（又は存在する）、並びにＡ、及びＢが両方とも真である（又は存在する）のいずれか１つによって満たされる。

また、「ａ」又は「ａｎ」の使用は、本明細書に記載される要素及び成分を記載するために用いられる。これは、便宜上及び本発明の範囲の一般的な意味を与えるために行われるにすぎない。この記載は、１つ又は少なくとも１つを包含すると解釈されるべきであり、単数はまた、それが別の意味を有することが明らかでない限り複数も含む。

元素の周期表内の縦列に対応する族番号は、ＣＲＣ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，８１^st Ｅｄｉｔｉｏｎ（２０００－２００１）に見られるような、「新表記法」規約を用いる。

特に定義されない限り、本明細書で用いられる全ての技術用語及び科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書に記載するものと同様の又は同等の方法及び材料を本発明の実施形態の実施又は試験において使用することができるが、好適な方法及び材料が、以下に記載される。本明細書に記述された全ての刊行物、特許出願、特許、及び他の参照文献は、特定の節が引用されない限り、それらの全体を参照により援用される。矛盾の場合には、定義を含む、本明細書が優先されるであろう。更に、材料、方法、及び実施例は、例示的であるにすぎず、限定的であることを意図されない。

本明細に記載されていない範囲まで、特定の材料、処理活動、及び回路に関する多くの詳細は、従来通りであり、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光起電力、及び半導体部材技術内の教科書及び他の情報源に見出され得る。

２．式Ｉを有するポリアミン
本明細書に記載されるポリアミンは、式Ｉ

（式中：
Ｑ¹は、Ｈ、Ｒ¹、及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ²は、Ｈ、Ｒ²、及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ³は、Ｒ³及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ⁴は、Ｒ⁴及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｑ⁵は、Ｒ⁷及びＲ⁹からなる群から選択され；
Ｒ¹及びＲ²は、出現ごとに同じ又は異なるものであり、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、シロキシ、非置換若しくは置換炭化水素アリール、非置換若しくは置換ヘテロアリール、及び非置換若しくは置換アリールオキシからなる群から選択され；
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、及びＲ⁷は、同じ又は異なるものであり、Ｈ、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、シロキシ、非置換若しくは置換炭化水素アリール、非置換若しくは置換ヘテロアリール、及び非置換若しくは置換アリールオキシからなる群から選択され；
Ｒ⁸は、アルキル、シリル、非置換若しくは置換炭化水素アリール、及び非置換若しくは置換ヘテロアリールからなる群から選択され；
Ｒ⁹は、出現ごとに同じ又は異なるものであり、ＮＨ₂及びＡｒＮＨ₂からなる群から選択され；
Ａｒは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールであり；
ａ及びｂは、同じ又は異なるものであり、０～３の整数であり；
但し、Ｑ¹～Ｑ⁵の少なくとも２つはＲ⁹である）
を有する。

式Ｉのいくつか実施形態では、Ｑ¹～Ｑ⁵の厳密に２つはＲ⁹である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹及びＱ²はＲ⁹である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ³及びＱ⁴はＲ⁹である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹及びＱ⁵はＲ⁹である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹はＲ⁹である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹はＨである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹はＦである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹はＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~20アルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~20フルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~20パーフルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~20アルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~20フルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~20パーフルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹はＳｉＨ₃である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~12シリル；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シリルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、Ｃ_1~12シロキシ；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シロキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリール；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、非置換若しくは置換Ｃ_3~30ヘテロアリール；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_3~18ヘテロアリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｑ¹は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリールオキシ；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールオキシであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

いくつかの実施形態では、上記の炭化水素アリール、ヘテロアリール、及びアリールオキシ基のいずれも、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、及びシロキシからなる群から選択される１つ以上の置換基で更に置換されている。

式ＩにおけるＱ¹についての上記の実施形態の全てが、式ＩにおけるＱ²、Ｑ³、Ｑ⁴、及びＱ⁵に等しく当てはまる。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＝０である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＝１である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＝２である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＝３である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹はＦである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹はＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~20アルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~20フルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~20パーフルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~20アルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~20フルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~20パーフルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹はＳｉＨ₃である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~12シリル；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シリルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、Ｃ_1~12シロキシ；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シロキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞であり、少なくとも１つのＲ¹は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリール；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、非置換若しくは置換Ｃ_3~30ヘテロアリール；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_3~18ヘテロアリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ａ＞０であり、少なくとも１つのＲ¹は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリールオキシ；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールオキシであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

いくつかの実施形態では、上記の炭化水素アリール、ヘテロアリール、及びアリールオキシ基のいずれも、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、及びシロキシからなる群から選択される１つ以上の置換基で更に置換されている。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＝０である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＝１である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＝２である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＝３である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²はＦである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²はＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~20アルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~20フルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~20パーフルオロフルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~20アルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~20フルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~20パーフルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²はＳｉＨ₃である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~12シリル；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シリルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、Ｃ_1~12シロキシ；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シロキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリール；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、非置換若しくは置換Ｃ_3~30ヘテロアリール；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_3~18ヘテロアリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ｂ＞０であり、少なくとも１つのＲ²は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリールオキシ；いくつかの実施形態では、非置換若しくは置換Ｃ_6~18炭化水素アリールオキシであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

いくつかの実施形態では、上記の炭化水素アリール、ヘテロアリール、及びアリールオキシ基のいずれも、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、及びシロキシからなる群から選択される１つ以上の置換基で更に置換されている。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵＝Ｒ⁶である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵≠Ｒ⁶である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵＝Ｒ⁶＝Ｈである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵はＨである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵はＦである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵はＣＮである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~20アルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~20フルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~20パーフルオロアルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~20アルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~20フルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10フルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~20パーフルオロアルコキシ；いくつかの実施形態ではＣ_1~10パーフルオロアルコキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵はＳｉＨ₃である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~12シリル；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シリルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、Ｃ_1~12シロキシ；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シロキシである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリール；いくつかの実施形態では、Ｃ_6~18炭化水素アリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、非置換若しくは置換Ｃ_3~30ヘテロアリール；いくつかの実施形態では、Ｃ_3~18ヘテロアリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁵は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリールオキシ；いくつかの実施形態では、Ｃ_6~18炭化水素アリールオキシであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

いくつかの実施形態では、上記の炭化水素アリール、ヘテロアリール、及びアリールオキシ基のいずれも、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、及びシロキシからなる群から選択される１つ以上の置換基で更に置換されている。

式ＩにおけるＲ⁵についての上記の実施形態の全てが、式ＩにおけるＲ⁶に等しく当てはまる。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁸は、Ｃ_1~20アルキル；いくつかの実施形態ではＣ_1~10アルキルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁸はＣ_1~12シリル；いくつかの実施形態ではＣ_3~6シリルである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁸は、非置換若しくは置換Ｃ_6~30炭化水素アリール；いくつかの実施形態では、Ｃ_6~18炭化水素アリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ｒ⁸は、非置換若しくは置換Ｃ_3~30ヘテロアリール；いくつかの実施形態では、Ｃ_3~18ヘテロアリールであり；いくつかの実施形態では、非置換である。

いくつかの実施形態では、上記の炭化水素アリール及びヘテロアリール基のいずれも、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、シリル、及びシロキシからなる群から選択される１つ以上の置換基で更に置換されている。

式Ｉのいくつかの実施形態では、２つのＲ⁹基が存在し、同じものである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、２つのＲ⁹基が存在し、異なるものである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、３つのＲ⁹基が存在し、全て同じものである。いくつかの実施形態では、Ｒ⁹基の２つ又は３つは異なるものである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、４つのＲ⁹基が存在し、全て同じものである。いくつかの実施形態では、Ｒ⁹基の２つ、３つ、又は４つは異なるものである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、５つのＲ⁹基が存在し、全て同じものである。いくつかの実施形態では、Ｒ⁹基の２つ、３つ、４つ、又は５つは、異なるものである。

式Ｉのいくつかの実施形態では、少なくとも１つのＲ⁹はＮＨ₂である。

式のいくつかの実施形態では、少なくとも１つのＲ⁹はＡｒＮＨ₂である。

式Ｉのいくつかの実施形態では、少なくとも１つのＲ⁹はＡｒＮＨ₂であり、ここで、Ａｒは、式ａ

（式中：
Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、出現ごとに同じ又は異なるものであり、Ｆ、ＣＮ、アルキル、フルオロアルキル、非置換若しくは置換炭化水素アリール、非置換若しくは置換ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、非置換若しくは置換アリールオキシ、シリル、及びシロキシからなる群から選択され、ここで、隣接するＲ¹⁰及び／又はＲ¹¹基は、一緒に結合して縮合環を形成し得；
ｐ及びｑは、同じ又は異なるものであり、０～４の整数であり；
ｓは０～３の整数であり；
＊は結合点を示す）
を有する。

式Ｉのいくつかの実施形態では、Ａｒは、非置換若しくは置換であり得る、フェニル、ビフェニル、及びナフチルからなる群から選択される。いくつかの実施形態では、Ａｒは、Ｆ、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、及びフルオロアルコキシからなる群から選択される少なくとも１つの置換基を有する。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ポリアミンは、式ＩＡ

（式中、Ｒ¹～Ｒ⁹、ａ、及びｂは、式Ｉにおいて定義された通りである）
を有する。式Ｉにおける、Ｒ¹～Ｒ⁹、ａ、及びｂについての上記の実施形態の全てが、式ＩＡにおけるＲ¹～Ｒ⁹、ａ、及びｂに等しく当てはまる。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ポリアミンは、式ＩＢ

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁵～Ｒ⁹、ａ、及びｂは、式Ｉにおいて定義された通りである）
を有する。式ＩにおけるＲ¹、Ｒ²、Ｒ⁵～Ｒ⁹、ａ、及びｂについての上記の実施形態の全てが、式ＩＢにおけるＲ¹、Ｒ²、Ｒ⁵～Ｒ⁹、ａ、及びｂに等しく当てはまる。

式Ｉのいくつかの実施形態では、ポリアミンは、式ＩＣ

（式中、Ｒ¹～Ｒ⁶、Ｒ⁸、Ｒ⁹、ａ、及びｂは、式Ｉにおいて定義された通りである）
を有する。式ＩにおけるＲ¹～Ｒ⁶、Ｒ⁸、Ｒ⁹、ａ、及びｂについての上記の実施形態の全てが、式ＩＣにおける、Ｒ¹～Ｒ⁶、Ｒ⁸、Ｒ⁹、ａ、及びｂに等しく当てはまる。

新化合物は、Ｃ－Ｃ又はＣ－Ｎ結合をもたらすであろう任意の技術を用いて製造することができる。鈴木、山本、スティル（Ｓｔｉｌｌｅ）、根岸、及び金属触媒Ｃ－Ｎカップリング並びに金属触媒及び酸化直接アリール化、及びディールス－アルダー付加環化などの、様々なそのような技術が公知である。例示的な調製は、実施例において示される。

１つの合成スキームが以下に示される。

上記のスキームにおいて、「Ｂｐｉｎ」は、ボロン酸ピナコールエステル（ｂｏｒｏｎ ｐｉｎａｃｏｌａｔｅ）を表す。

式Ｉについての上記の実施形態のいずれも、それらが互いに矛盾しない限り、別の実施形態の１つ以上と組み合わせることができる。例えば、Ｑ¹及びＱ²がＲ⁷である実施形態は、少なくとも１つのＲ⁷がＮＨ₂である実施形態、ａ＝０である実施形態、及びｂ＝０である実施形態と組み合わせることができる。当業者は、どれの実施形態が互いに矛盾するかを理解するであろうし、その結果、本出願によって考えられる実施形態の組み合わせを容易に決定できるであろう。

式Ｉを有する化合物のいくつかの非限定的な例が以下に示される。

３．ポリアミド酸
本明細書に記載されるポリアミド酸は、１つ以上のポリ酸無水物と、１つ以上のポリアミンの１０～１００モル％が式Ｉを有する、１つ以上のポリアミンとの反応生成物である。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、式Ｉを有する単一のポリアミンが反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、式Ｉを有する２つの異なるポリアミンが反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、式Ｉを有する３つの異なるポリアミンが反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、式Ｉを有する４つの異なるポリアミンが反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、１つ以上のポリアミンの２０～１００モル％は；いくつかの実施形態では、３０～１００モル％；いくつかの実施形態では、４０～１００モル％；いくつかの実施形態では、５０～１００モル％；いくつかの実施形態では、６０～１００モル％；いくつかの実施形態では、７０～１００モル％；いくつかの実施形態では、８０～１００モル％；いくつかの実施形態では、９０～１００モル％；いくつかの実施形態では、１００％が式Ｉを有する。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、少なくとも１つの追加のポリアミンが、式Ｉを有するポリアミンと一緒に反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、１つの追加のポリアミンが、式Ｉを有するポリアミンと一緒に反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、２つの追加のポリアミンが、式Ｉを有するポリアミンと一緒に反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、３つの追加のポリアミンが、式Ｉを有するポリアミンと一緒に反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、４つの追加のポリアミンが、式Ｉを有するポリアミンと一緒に反応させられる。

ポリアミド酸のいくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、式ＩＩ

（式中：
Ｒ^aは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、１つ以上のテトラカルボン酸残基を表し；
Ｒ^bは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、１つ以上のジアミン残基を表し；
ここで、Ｒ^bの１０～１００モル％は、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからの残基である）
の繰り返し単位構造を有する。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、単一のテトラカルボン酸成分残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、２つの異なるテトラカルボン酸成分残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、３つの異なるテトラカルボン酸残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、４つの異なるテトラカルボン酸残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、１つ以上のテトラカルボン酸二無水物残基を表す。

好適な芳香族テトラカルボン酸二無水物の例としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’－オキシジフタル酸無水物（ＯＤＰＡ）、４，４’－ヘキサフルオロイソ－プロピリデンビスフタル酸ポリ無水物（６ＦＤＡ）、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物（ＤＳＤＡ）、４，４’－ビスフェノール－Ａ二無水物（ＢＰＡＤＡ）、ヒドロキノンジフタル酸無水物（ＨＱＤＥＡ）、エチレングリコールビス（トリメリット酸無水物）（ＴＭＥＧ－１００）、４－（２，５－ジオキソテトラヒドロフラン－３－イル）－１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－１，２－ジカルボン酸無水物（ＤＴＤＡ）、４，４’－ビスフェノールＡ二酸無水物（ＢＰＡＤＡ）等及びそれらの組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。これらの芳香族二酸無水物は、アルキル、アリール、ニトロ、シアノ、－Ｎ（Ｒ’）（Ｒ^’’）、ハロ、ヒドロキシ、カルボキシ、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、ヘテロアリール、アルコキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アルコキシカルボニル、パーフルオロアルキル、パーフルオロアルコキシ、アリールアルキル、シリル、シロキシ、シロキサン、チオアルコキシ、－Ｓ（Ｏ）₂－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ（Ｒ’）（Ｒ’’）、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ－アルキル、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ－アルコキシアルキル、（Ｒ’）（Ｒ’’）Ｎ－アルキルアリールオキシアルキル、－Ｓ（Ｏ）_s－アリール（式中、ｓ＝０～２である）又はＳ（Ｏ）_s－ヘテロアリール（式中、ｓ＝０～２である）を含む当技術分野において知られている基で任意選択的に置換され得る。各Ｒ’及びＲ’’は、独立して、任意選択的に置換されたアルキル、シクロアルキル、又はアリール基である。Ｒ’及びＲ’’は、それらが結合している窒素原子と一緒に、特定の実施形態では環系を形成することができる。置換基はまた、架橋基であり得る。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＰＭＤＡ、ＢＰＤＡ、６ＦＤＡ、及びＢＴＤＡからなる群から選択されるテトラカルボン酸二無水物からの１つ以上の残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＰＭＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＢＰＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、６ＦＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＢＴＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＰＭＤＡ残基及びＢＰＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＰＭＤＡ残基及び６ＦＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＰＭＤＡ残基及びＢＴＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＢＰＤＡ残基及び６ＦＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＢＰＤＡ残基及びＢＴＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、６ＦＤＡ残基及びＢＴＤＡ残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^aは、ＰＭＤＡ残基、ＢＰＤＡ残基、及び６ＦＤＡ残基を表す。

式ＩＩにおいて、Ｒ^bの１０～１００モル％は、上に示されたような、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからのジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bの１０～１００モル％は、上に示されたような、式Ｉを有する１つのジアミンからのジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bの１０～１００モル％は、上に示されたような、式Ｉを両方とも有する２つの異なるジアミンからのジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bの１０～１００モル％は、上に示されたような、式Ｉを全て有する３つの異なるジアミンからのジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bの１０～１００モル％は、上に示されたような、式Ｉを全て有する４つ以上の異なるジアミンからのジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bの２０～１００モル％は；いくつかの実施形態では、３０～１００モル％；いくつかの実施形態では、４０～１００モル％；いくつかの実施形態では、５０～１００モル％；いくつかの実施形態では、６０～１００モル％；いくつかの実施形態では、７０～１００モル％；いくつかの実施形態では、８０～１００モル％；いくつかの実施形態では、９０～１００モル％；いくつかの実施形態では、１００％が、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからの残基である。

式Ｉについての上記の実施形態のいずれも、式ＩＩにおいて、それらが互いに矛盾しない限り、他の実施形態の１つ以上と組み合わせることができる。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bは、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからのジアミン残基及び少なくとも１つの追加のジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bは、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからのジアミン残基及び１つの追加のジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bは、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからのジアミン残基及び２つの追加のジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bは、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからのジアミン残基及び３つの追加のジアミン残基を表す。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、１つ以上の追加のジアミン残基は、１つ以上の芳香族ジアミンからの残基である。

いくつかの実施形態では、追加の芳香族ジアミンは、ｐ－フェニレンジアミン（ＰＰＤ）、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ｍ－トリジン）、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル（ｏ－トリジン）、３，３’－ジヒドロキシ－４，４’－ジアミノビフェニル（ＨＡＢ）、９，９’－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン（ＦＤＡ）、ｏ－トリジンスルホン（ＴＳＮ）、２，３，５，６－テトラメチル－１，４－フェニレンジアミン（ＴＭＰＤ）、２，４－ジアミノ－１，３，５－トリメチルベンゼン（ＤＡＭ）、３，３’，５，５’－テトラメチルベンジジン（３３５５ＴＭＢ）、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン（２２ＴＦＭＢ又はＴＦＭＢ）、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、４，４’－メチレンジアニリン（ＭＤＡ）、４，４’－［１，３－フェニレンビス（１－メチル－エチリデン）］ビスアニリン（Ｂｉｓ－Ｍ）、４，４’－［１，４－フェニレンビス（１－メチル－エチリデン）］ビスアニリン（Ｂｉｓ－Ｐ）、４，４’－オキシジアニリン（４，４’－ＯＤＡ）、ｍ－フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、３，４’－オキシジアニリン（３，４’－ＯＤＡ）、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン（３，３’－ＤＤＳ）、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン（４，４’－ＤＤＳ）、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド（ＡＳＤ）、２，２－ビス［４－（４－アミノ－フェノキシ）フェニル］スルホン（ＢＡＰＳ）、２，２－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）－フェニル］スルホン（ｍ－ＢＡＰＳ）、１，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｑ）、１，３’－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン（ＴＰＥ－Ｒ）、１，３’－ビス（４－アミノ－フェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ－１３３）、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、４，４’－ジアミノベンズアニリド（ＤＡＢＡ）、メチレンビス（アントラニル酸）（ＭＢＡＡ）、１，３’－ビス（４－アミノフェノキシ）－２，２－ジメチルプロパン（ＤＡＮＰＧ）、１，５－ビス（４－アミノフェノキシ）ペンタン（ＤＡ５ＭＧ）、２，２’－ビス［４－（４－アミノフェノキシフェニル）］ヘキサフルオロプロパン（ＨＦＢＡＰＰ）、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（Ｂｉｓ－Ａ－ＡＦ）、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（Ｂｉｓ－ＡＰ－ＡＦ）、２，２－ビス（３－アミノ－４－メチルフェニル）ヘキサフルオロプロパン（Ｂｉｓ－ＡＴ－ＡＦ）、４，４’－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル（６ＢＦＢＡＰＢ）、３，３’５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン（ＴＭＭＤＡ）等及びそれらの組み合わせからなる群から選択される。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、Ｒ^bは、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからのジアミン残基及び少なくとも１つの追加のジアミンからのジアミン残基を表し、ここで、追加のジアミンは、ＰＰＤ、４，４’－ＯＤＡ、３，４’－ＯＤＡ、ＴＦＭＢ、Ｂｉｓ－Ａ－ＡＦ、Ｂｉｓ－ＡＴ－ＡＦ、及びＢｉｓ－Ｐからなる群から選択される。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、一酸無水物モノマーから生じる部分は、エンドキャッピング基として存在する。

いくつかの実施形態では、一酸無水物モノマーは、無水フタル酸等及びそれらの誘導体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態では、一酸無水物は、総テトラカルボン酸組成物の５モル％以下の量で存在する。

式ＩＩのいくつかの実施形態では、モノアミンモノマーから生じる部分は、エンドキャッピング基として存在する。

いくつかの実施形態では、モノアミンモノマーは、アニリン等及びそれらの誘導体からなる群から選択される。

いくつかの実施形態では、モノアミンは、総アミン組成物の５モル％以下の量で存在する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて１００，０００超の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて１５０，０００超の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて２００，０００超の分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて２５０，０００超の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて３００，０００超の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて１００，０００～４００，０００の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて２００，０００～４００，０００の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて２５０，０００～３５０，０００の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸は、ポリスチレン標準を使ったゲル浸透クロマトグラフィーに基づいて２００，０００～３００，０００の重量平均分子量（Ｍ_W）を有する。

ポリアミド酸についての上記の実施形態のいずれも、それらが互いに矛盾しない限り、他の実施形態の１つ以上と組み合わせることができる。

全体的なポリアミド酸組成物は、当技術分野において一般的に使用される表記法によって指定することができる。例えば、１００％のＯＤＰＡであるテトラカルボン酸成分と、９０モル％のＢｉｓ－Ｐ及び１０モル％のＴＦＭＢであるジアミン成分とを有するポリアミド酸は、
ＯＤＰＡ／／Ｂｉｓ－Ｐ／ＴＦＭＢ １００／／／９０／１０
と表されよう。

また、（ａ）式ＩＩの繰り返し単位を有するポリアミド酸と、（ｂ）高沸点非プロトン性溶媒とを含む液体組成物が提供される。液体組成物はまた、「ポリアミド酸溶液」と本明細書では言われる。

いくつかの実施形態では、高沸点非プロトン性溶媒は、１５０℃以上の沸点を有する。

いくつかの実施形態では、高沸点非プロトン性溶媒は、１７５℃以上の沸点を有する。

いくつかの実施形態では、高沸点非プロトン性溶媒は、２００℃以上の沸点を有する。

いくつかの実施形態では、高沸点非プロトン性溶媒は極性溶媒である。いくつかの実施形態では、溶媒は、２０超の誘電率を有する。

高沸点非プロトン性溶媒のいくつかの例としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、γ－ブチロラクトン、ジブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等、及びそれらの組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒は、ＮＭＰ、ＤＭＡｃ、及びＤＭＦからなる群から選択される。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はＮＭＰである。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はＤＭＡｃである。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はＤＭＦである。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はγ－ブチロラクトンである。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はジブチルカルビトールである。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はブチルカルビトールアセテートである。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートである。

液体組成物のいくつかの実施形態では、溶媒はプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートである。

いくつかの実施形態では、上で特定された高沸点非プロトン性溶媒の２つ以上が液体組成物で使用される。

いくつかの実施形態では、追加の共溶媒が液体組成物で使用される。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、９９重量％超の高沸点非プロトン性溶媒中の１重量％未満のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、９５～９９重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の１～５重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、９０～９５重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の５～１０重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、８５～９０重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の１０～１５重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、８０～８５重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の１５～２０重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、７５～８０重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の２０～２５重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、７０～７５重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の２５～３０重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、６５～７０重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の３０～３５重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、６０～６５重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の３５～４０重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、５５～６０重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の４０～４５重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、５０～５５重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の４５～５０重量％のポリアミド酸である。

いくつかの実施形態では、液体組成物は、５０重量％の高沸点非プロトン性溶媒中の５０重量％のポリアミド酸である。

ポリアミド酸溶液は、多数の添加剤のいずれか１つを任意選択的に更に含有することができる。そのような添加剤は、それらが所望のポリイミド特性に悪影響を及ぼさない限り、酸化防止剤、熱安定剤、接着促進剤、カップリング剤（例えば、シラン）、無機充填材又は様々な強化剤であり得る。

ポリアミド酸溶液は、構成要素（すなわち、モノマー及び溶媒）の導入に関して様々な利用可能な方法を用いて調製することができる。ポリアミド酸溶液のいくつかの生成方法には、以下が含まれる：
（ａ）ポリアミン成分及びポリ酸無水物成分が事前に一緒に混合され、次いで混合物が撹拌しながら溶媒に少しずつ添加される方法。
（ｂ）溶媒がポリアミン成分とポリ酸無水物成分との撹拌混合物に添加される方法。（上記の（ａ）とは反対に）
（ｃ）ポリアミンが溶媒に独占的に溶解させられ、次いで反応速度を制御することを可能にするような比でポリ酸無水物がそれに添加される方法。
（ｄ）ポリ酸無水物成分が溶媒に独占的に溶解させられ、次いで反応速度を制御することを可能にするような比でアミン成分がそれに添加される方法。
（ｅ）成分及びポリ酸無水物成分が溶媒に別々に溶解させられ、次いでこれらの溶液が反応器中で混合される方法。
（ｆ）過剰なポリアミン成分を持ったポリアミド酸及び過剰なポリ酸無水物成分を持った別のポリアミド酸が事前に形成され、次いで特にノンランダムコポリマー又はブロックコポリマーを生み出すような方法で、反応器中で相互に反応させられる方法。
（ｇ）ポリアミン成分及びポリ酸無水物成分の特定部分が最初に反応させられ、次いで残りのポリアミン成分が反応させられるか、又は逆もまた同様である方法。
（ｈ）成分が部分的に又は全体を任意の順序で溶媒の一部か全部かのいずれかに添加され、また任意の成分の一部又は全部が溶媒の一部又は全部中の溶液として添加され得る方法。
（ｉ）ポリ酸無水物成分の１つをポリアミン成分の１つと最初に反応させて第１ポリアミド酸を与える方法。次いで他のポリ酸無水物成分を他のポリアミン成分と反応させて第２ポリアミド酸を与える方法。次いでフィルム形成の前に、多数の方法のいずれか１つでポリアミド酸を組み合わせる方法。
一般的に言えば、ポリアミド酸溶液は、上に開示されたポリアミド酸溶液調製方法のいずれか１つから得ることができる。

ポリアミド酸溶液は、次いで、粒子含量を減らすために、１回以上濾過することができる。そのような濾過溶液から生み出されたポリイミドフィルムは、減少した数の欠陥を示し、それによって、本明細書に開示されるエレクトロニクス用途において優れた性能をもたらすことができる。濾過効率の評価は、ポリアミド酸溶液の代表的試料が５インチのシリコンウェハー上にキャストされるレーザー粒子カウンターテストによって行うことができる。ソフトベーキング／乾燥後に、フィルムは、商業的に利用可能である及び当技術分野において公知である機器での任意の数のレーザー粒子計数技術によって粒子含量について評価される。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、レーザー粒子カウンターテストによって測定されるように４０粒子未満の粒子含量をもたらすように調製及び濾過される。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、レーザー粒子カウンターテストによって測定されるように３０粒子未満の粒子含量をもたらすように調製及び濾過される。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、レーザー粒子カウンターテストによって測定されるように２０粒子未満の粒子含量をもたらすように調製及び濾過される。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、レーザー粒子カウンターテストによって測定されるように１０粒子未満の粒子含量をもたらすように調製及び濾過される。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、レーザー粒子カウンターテストによって測定されるように２粒子～８粒子の粒子含量をもたらすように調製及び濾過される。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、レーザー粒子カウンターテストによって測定されるように４粒子～６粒子の粒子含量をもたらすように調製及び濾過される。

ポリアミド酸溶液の例示的な調製は実施例に示されている。

４．ポリイミド
上記のポリアミド酸のイミド化から生じるポリイミドが提供される。「イミド化」とは、イミド基を形成するためのアミド酸基の分子内環化を意味する。いくつかの実施形態では、熱イミド化が用いられる。いくつかの実施形態では、化学イミド化が用いられる。いくつかの実施形態では、熱イミド化と化学イミド化との組み合わせが用いられる。

いくつかの実施形態では、ポリイミドは、式ＩＩＩ

（式中、
Ｒ^aは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、１つ以上のテトラカルボン酸成分残基を表し；
Ｒ^bは、出現ごとに同じ又は異なるものであり、１つ以上の芳香族ジアミン残基を表し；
ここで、Ｒ^bの１０～１００モル％は、式Ｉを有する１つ以上のジアミンからの残基である）
の繰り返し単位構造を有する。

式ＩＩにおけるＲ^a及びＲ^bについての上記の実施形態の全てが、式ＩＩＩにおいてＲ^a及びＲ^bに等しく当てはまる。

式Ｉについての上記の実施形態のいずれも、式ＩＩＩにおいて、それらが互いに矛盾しない限り、他の実施形態の１つ以上と組み合わせることができる。

ポリイミドは、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリイソイミド、及びポリアミド酸塩などの任意の好適なポリイミド前駆体から製造することができる。

上記のように、ポリイミドが式ＩＩＩの繰り返し単位構造を有する、ポリイミドフィルムがまた提供される。

ポリイミドフィルムは、ポリイミド前駆体を基板上へコートし、続いてイミド化することによって製造することができる。これは、熱変換プロセス又は化学変換プロセスによって成し遂げることができる。

更に、ポリイミドが好適なコーティング溶媒に可溶である場合、それは、好適なコーティング溶媒に溶解させられ及びポリイミドとしてコートされる、既にイミド化されたポリマーとして提供することができる。

いくつかの実施形態では、式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドを含むポリイミドフィルムは、高いガラス転移温度及び低い熱膨張率（ＣＴＥ）の両方を有する。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、ガラス転移温度（Ｔ_g）は、３２５℃よりも上の温度で硬化させられたポリイミドフィルムについては３００℃超；いくつかの実施形態では、３５０℃超；いくつかの実施形態では、３７５℃超である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、面内熱膨張率（ＣＴＥ）は、第１測定について、５０℃及び２００℃の間で５０ｐｐｍ／℃未満；いくつかの実施形態では、３５ｐｐｍ／℃未満；いくつかの実施形態では、２０ｐｐｍ／℃未満；いくつかの実施形態では、１５ｐｐｍ／℃未満である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、面内熱膨張率（ＣＴＥ）は、第２測定について、５０℃及び２００℃の間で５０ｐｐｍ／℃未満；いくつかの実施形態では、４０ｐｐｍ／℃未満である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、１％ＴＧＡ重量損失温度は、３５０℃超；いくつかの実施形態では、４００℃超；いくつかの実施形態では、４５０℃超である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、引張弾性率は、１．５ＧＰａ～１５．０ＧＰａ；いくつかの実施形態では、１．５ＧＰａ～１０．０ＧＰａ；いくつかの実施形態では、１．５～７．５ＧＰａ；いくつかの実施形態では、１．５～５．０ＧＰａである。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、破断伸びは１０％超である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、複屈折は、１．０未満；いくつかの実施形態では、０．１未満；いくつかの実施形態では、０．０５未満である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、光学的遅れは、５５０ｎｍで５００未満；いくつかの実施形態では、４００未満；いくつかの実施形態では、３５０未満である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、ヘイズは、１．０％未満；いくつかの実施形態では０．５％未満である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、ｂ＊は、７．５未満；いくつかの実施形態では、５．０未満である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、ＹＩは、１２未満；いくつかの実施形態では、１０未満である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、４５０ｎｍでの透過率は、５０％超；いくつかの実施形態では、８０％超である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、５５０ｎｍでの透過率は、７０％超；いくつかの実施形態では、８０％超である。

ポリイミドフィルムのいくつかの実施形態では、７５０ｎｍでの透過率は、７０％超；いくつかの実施形態では、８０％超である。

ポリイミドフィルムについての上記の実施形態のいずれも、それらが互いに矛盾しない限り、他の実施形態の１つ以上と組み合わせることができる。

５．ポリイミドフィルムの調製方法
一般に、ポリイミドフィルムは、化学又は熱変換によってポリイミド前駆体から調製することができる。いくつかの実施形態では、フィルムは、化学又は熱変換プロセスによって、対応するポリアミド酸溶液から調製される。本明細書に開示されるポリイミドフィルムは、特に電子デバイスにおけるガラスの柔軟な代替物として使用される場合、熱変換プロセスによって調製される。

一般に、ポリイミドフィルムは、化学又は熱変換プロセスによって対応するポリアミド酸溶液から調製することができる。本明細書に開示されるポリイミドフィルムは、特に電子デバイスにおけるガラスのための柔軟な代替物として使用される場合、化学変換プロセスに対して、熱変換又は修飾熱変換プロセスによって調製される。

化学変換プロセスは、米国特許第５，１６６，３０８号明細書及び同第５，２９８，３３１号明細書に記載されており、それらは、それらの全体を参照により援用される。そのようなプロセスでは、変換用化学薬品がポリアミド酸溶液に添加される。本発明において有用であることが分かった変換用化学薬品には、（ｉ）脂肪族酸無水物（無水酢酸等）及び酸無水物などの、１つ以上の脱水剤、並びに（ｉｉ）脂肪族第三級アミン（トリエチルアミン等）、第三級アミン（ジメチルアニリン等）及び複素環式第三級アミン（ピリジン、ピコリン、イソキノリン等）などの、１つ以上の触媒が含まれるが、それらに限定されない。材料を脱水する酸無水物は、典型的には、ポリアミド酸溶液中に存在するアミド酸基の量のわずかにモル過剰で使用される。使用される無水酢酸の量は、典型的には、ポリアミド酸の１当量当たり約２．０～３．０モルである。一般に、同等量の第三級アミン触媒が使用される。

熱変換プロセスは、ポリアミド酸キャスティング溶液をポリイミドに変換させるために変換用化学薬品（すなわち、触媒）を用いても用いなくてもよい。変換用化学薬品が使用される場合、プロセスは、修飾熱変換プロセスと考えられ得る。両タイプの熱変換プロセスにおいて、フィルムを加熱して溶媒のフィルムを乾燥させるため及びイミド化反応を行うための両方のために熱エネルギーのみが使用される。転換触媒あり又はなしの熱変換プロセスが、一般に、本明細書に開示されるポリイミドフィルムを調製するために用いられる。

具体的な方法パラメータは、興味のある特性をもたらすのがフィルム組成だけではないことを考えて事前に選択される。むしろ、硬化温度及び温度傾斜プロファイルがまた、本明細書に開示される意図される使用にとって最も望ましい特性の達成において重要な役割を果たす。ポリアミド酸は、任意のその後の加工工程（例えば、機能的ディスプレイを生成するために必要な無機層又は他の層の堆積）の最高温度での、又はそれより高い温度で、しかしポリイミドの有意の熱分解／変色が発生する温度より低い温度でイミド化されるべきである。特により高い加工温度がイミド化のために用いられる場合に、不活性雰囲気が一般に好ましいことにまた留意されるべきである。

本明細書に開示されるポリアミド酸／ポリイミドについては、３００℃超のその後の加工温度が必要とされる場合には、３００℃～３２０℃の温度が典型的には用いられる。適切な硬化温度の選択は、熱特性と機械的特性との最良のバランスを達成する十分に硬化したポリイミドを可能にする。この非常に高い温度のために、不活性雰囲気が必要とされる。典型的には、１００ｐｐｍ未満のオーブン中の酸素レベルが用いられるべきである。非常に低い酸素レベルは、ポリマーの有意な分解／変色なしに最高の硬化温度が使用されることを可能にする。イミド化プロセスを加速する触媒は、約２００℃～３００℃の硬化温度でより高レベルのイミド化を達成するのに効果的である。この手法は、ポリイミドのＴ_gよりも下である上方硬化温度で柔軟なデバイスが調製される場合に、任意選択的に用いられ得る。

各潜在的硬化工程における時間の量もまた、重要なプロセス検討事項である。一般に、最高温度硬化のために用いられる時間は、最小限に保たれるべきである。３２０℃硬化のためには、例えば、硬化時間は、不活性雰囲気下では１時間位までであり得るが、より高い硬化温度では、この時間は、熱分解を回避するために短縮されるべきである。一般的に言えば、より高い温度は、より短い時間を指令する。当業者は、特定の最終使用向けのポリイミドの特性を最適化するために温度と時間とのバランスを認識するであろう。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、熱変換プロセスによってポリイミドフィルムに変換させられる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが５０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが４０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが３０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが２０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１０μｍ～２０μｍであるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１５μｍ～２０μｍであるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１８μｍであるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、近接モードでホットプレート上においてソフトベークされ、ここで、窒素ガスが、コートされた母材をホットプレートの直上に保持するために使用される。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、フルコンタクトモードでホットプレート上においてソフトベークされ、ここで、コートされた母材はホットプレート表面と直接接触している。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、近接モードとフルコンタクトモードとの組み合わせを用いてホットプレート上においてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、８０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、９０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１００℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１１０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１２０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１３０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１４０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１０分超の合計時間の間ソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１０分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、８分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、６分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、４分の合計時間の間ソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、４分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、２分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、２つの事前選択された温度で２つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者は、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、３つの事前選択された温度で３つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、４つの事前選択された温度で４つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、５つの事前選択された温度で５つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同一であるか又は異なり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、６つの事前選択された温度で６つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、７つの事前選択された温度で７つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、８つの事前選択された温度で８つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、９つの事前選択された温度で９つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、１０の事前選択された温度で１０の事前選択された時間間隔の間硬化させられ、それらの後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、８０℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１００℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１００℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１５０℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１５０℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２００℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２００℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２５０℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２５０℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、３００℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、３００℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、３５０℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、３５０℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、４００℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、４００℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、４５０℃に等しい。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、４５０℃超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、５分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、１０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、１５分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２５分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、３０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、３５分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、４０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、４５分である。

熱変換プロセスのいくつかでは、事前選択された時間間隔の１つ以上は、５０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、５５分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、６０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、６０分超である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分～６０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分～９０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分～１２０分である。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリイミドフィルムの調製方法は、順番に、以下の工程：上記のポリアミド酸溶液を母材上にコートする工程；コートざれた母材をソフトベークする工程；ソフトベークされたコートされた母材を、複数の事前選択された温度で複数の事前選択された時間間隔の間処理し、それによってポリイミドフィルムが、本明細書に開示されるもののようなエレクトロニクス用途での使用にとって満足できる特性を示す工程を含む。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリイミドフィルムの調製方法は、順番に、以下の工程：上記のポリアミド酸溶液を母材上にコートする工程；コートざれた母材をソフトベークする工程；ソフトベークされたコートされた母材を、複数の事前選択された温度で複数の事前選択された時間間隔の間処理し、それによってポリイミドフィルムが、本明細書に開示されるもののようなエレクトロニクス用途での使用にとって満足できる特性を示す工程からなる。

熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリイミドフィルムの調製方法は、順番に、以下の工程：上記のポリアミド酸溶液を母材上にコートする工程；コートざれた母材をソフトベークする工程；ソフトベークされたコートされた母材を、複数の事前選択された温度で複数の事前選択された時間間隔の間処理し、それによってポリイミドフィルムが、本明細書に開示されるもののようなエレクトロニクス用途での使用にとって満足できる特性を示す工程から本質的になる。

典型的には、本明細書に開示されるポリアミド酸溶液／ポリイミドは、ディスプレイ製造プロセスの残りを通して加工を容易にするために支持ガラス基板上にコートされ／硬化させられる。ディスプレイ製造業者によって決定されるようなプロセス中のある時点で、ポリイミドコーティングは、機械的プロセス又はレーザー剥離プロセスによって支持ガラス基板から取り除かれる。これらのプロセスは、堆積ディスプレイ層を伴うフィルムとしてポリイミドをガラスから分離し、柔軟なフォーマットを可能にする。多くの場合、堆積層を伴うこのポリイミドフィルムは、次いで、ディスプレイのその後の製作のための支持体を提供するために、より厚い、しかし依然として柔軟な、プラスチックフィルムに接合される。

転換触媒がそのような転換触媒が存在しない場合に可能であるよりも低い温度でイミド化反応を一般に進ませる、修飾熱変換プロセスがまた提供される。

いくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、修飾熱変換プロセスによってポリイミドフィルムに変換される。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒を更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、第三級アミンからなる群から選択される転換触媒を更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、トリブチルアミン、ジメチルエタノールアミン、イソキノリン、１，２－ジメチルイミダゾール、Ｎ－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－イミダゾール、３，５－ジメチルピリジン、３，４－ジメチルピリジン、２，５－ジメチルピリジン、５－メチルベンズイミダゾール等からなる群から選択される転換触媒を更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、転換触媒は、ポリアミド酸溶液の５重量パーセント以下で存在する。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、転換触媒は、ポリアミド酸溶液の３重量パーセント以下で存在する。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、転換触媒は、ポリアミド酸溶液の１重量パーセント以下で存在する。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、転換触媒は、ポリアミド酸溶液の１重量パーセントで存在する。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒としてトリブチルアミンを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒としてジメチルエタノールアミンを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒としてイソキノリンを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒として１，２－ジメチルイミダゾールを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒として３，５－ジメチルピリジンを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒として５－メチルベンズイミダゾールを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒としてＮ－メチルイミダゾールを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒として２－メチルイミダゾールを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒として２－エチル－４－イミダゾールを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒として３，４－ジメチルピリジンを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、転換触媒として２，５－ジメチルピリジンを更に含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが５０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが４０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが３０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが２０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１０μｍ～２０μｍであるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１５μｍ～２０μｍであるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１８μｍであるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリアミド酸溶液は、結果として生じたフィルムのソフトベークされた厚さが１０μｍ未満であるように母材上にコートされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、近接モードでホットプレート上においてソフトベークされ、ここで、窒素ガスが、コートされた母材をホットプレートの直上に保持するために使用される。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、フルコンタクトモードでホットプレート上においてソフトベークされ、ここで、コートされた母材は、ホットプレート表面と直接接触している。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、近接モードとフルコンタクトモードとの組み合わせを用いてホットプレート上においてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、８０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、９０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１００℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１１０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１２０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１３０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１４０℃に設定されたホットプレートを用いてソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１０分超の合計時間の間ソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、１０分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、８分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、６分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、４分の合計時間の間ソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、４分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、コートされた母材は、２分未満の合計時間の間ソフトベークされる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、２つの事前選択された温度で２つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者は、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、３つの事前選択された温度で３つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、４つの事前選択された温度で４つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、５つの事前選択された温度で５つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、６つの事前選択された温度で６つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、７つの事前選択された温度で７つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、８つの事前選択された温度で８つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、９つの事前選択された温度で９つの事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ソフトベークされたコートされた母材は、その後、１０の事前選択された温度で１０の事前選択された時間間隔の間硬化させられ、その後者のそれぞれは、同じ又は異なるものであり得る。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、８０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１００℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１００℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１５０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、１５０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２００℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２００℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２２０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２２０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２３０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２３０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２４０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２４０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２５０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２５０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２６０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２６０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２７０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２７０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２８０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２８０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２９０℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２９０℃超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、３００℃に等しい。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、３００℃未満である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２９０℃未満である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２８０℃未満である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２７０℃未満である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２６０℃未満である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された温度は、２５０℃未満である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、５分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、１０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、１５分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２５分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、３０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、３５分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、４０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、４５分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、５０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、５５分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、６０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、６０分超である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分～６０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分～９０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、事前選択された時間間隔の１つ以上は、２分～１２０分である。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリイミドフィルムの調製方法は、順番に、以下の工程：変換用化学薬品を含む上記のポリアミド酸溶液を母材上にコートする工程；コートざれた母材をソフトベークする工程；ソフトベークされたコートされた母材を、複数の事前選択された温度で複数の事前選択された時間間隔の間処理し、それによってポリイミドフィルムが、本明細書に開示されるもののようなエレクトロニクス用途での使用にとって満足できる特性を示す工程を含む。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリイミドフィルムの調製方法は、順番に、以下の工程：変換用化学薬品を含む上記のポリアミド酸溶液を母材上にコートする工程；コートざれた母材をソフトベークする工程；ソフトベークされたコートされた母材を、複数の事前選択された温度で複数の事前選択された時間間隔の間処理し、それによってポリイミドフィルムが、本明細書に開示されるもののようなエレクトロニクス用途での使用にとって満足できる特性を示す工程からなる。

修飾熱変換プロセスのいくつかの実施形態では、ポリイミドフィルムの調製方法は、順番に、以下の工程：変換用化学薬品を含む上記のポリアミド酸溶液を母材上にコートする工程；コートざれた母材をソフトベークする工程；ソフトベークされたコートされた母材を、複数の事前選択された温度で複数の事前選択された時間間隔の間処理し、それによってポリイミドフィルムが、本明細書に開示されるもののようなエレクトロニクス用途での使用にとって満足できる特性を示す工程から本質的になる。

６．電子デバイス
本明細書に開示されるポリイミドフィルムは、ＯＬＥＤ及びＬＣＤディスプレイなどの電子ディスプレイデバイスにおける多数の層で使用するのに好適であり得る。そのような層の非限定的な例としては、デバイス基板、タッチパネル、カラーフィルターシート用基板、カバーフィルム等が挙げられる。各用途向けの特定の材料の特性要件は、ユニークであり、本明細書に開示されるポリイミドフィルムに対して適切な組成及び加工条件によって対処され得る。

いくつかの実施形態では、電子デバイスにおけるガラスの柔軟な代替物は、上で詳細に記載されたように、式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドを含むポリイミドフィルムである。

いくつかの実施形態では、上で詳細に記載されたように、式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドフィルムを含む少なくとも１つの層を有する有機電子デバイスが提供される。

本明細書に記載されるような少なくとも１つの化合物を含む１つ以上の層を有することから恩恵を受け得る有機電子デバイスには、（１）電気エネルギーを放射線に変換するデバイス（例えば、発光ダイオード、発光ダイオードディスプレイ、照明デバイス、照明器具、又はダイオードレーザー）、（２）エレクトロニクスプロセスによって信号を検出するデバイス（例えば、光検出器、光伝導セル、フォトレジスター、フォトスイッチ、フォトトランジスター、光電管、ＩＲ検出器、バイオセンサー）、（３）放射線を電気エネルギーに変換するデバイス（例えば、光起電力デバイス又は太陽電池）、（４）１つの波長の光をより長い波長の光に変換するデバイス（例えば、ダウンコンバート燐光体デバイス）、及び（５）１つ以上の有機半導体層を含む１つ以上の電子部品を含むデバイス（例えば、トランジスター又はダイオード）が含まれるが、それらに限定されない。本発明による組成物のための他の使用には、メモリ記憶デバイス用のコーティング材料、帯電防止フィルム、バイオセンサー、エレクトロクロミックデバイス、固体電解質キャパシター、再充電可能な電池などのエネルギー貯蔵デバイス、及び電磁遮蔽用途が含まれる。

本明細書に記載されるようなガラスの柔軟な代替物としての役割を果たすことができるポリイミドフィルムの１つの例示が図１に示される。柔軟なフィルム１００は、本開示の実施形態において記載されたような特性を有することができる。いくつかの実施形態では、ガラスの柔軟な代替物としての役割を果たすことができるポリイミドフィルムが、電子デバイスに含まれる。図２は、電子デバイス２００が有機電子デバイスである場合を例示する。デバイス２００は、基板１００、アノード層１１０及び第２電気コンタクト層、カソード層１３０、並びにそれらの間の光活性層１２０を有する。追加の層が任意選択的に存在し得る。緩衝層と言われることもある、正孔注入層（図示されていない）が、アノード層に隣接し得る。正孔輸送材料を含む、正孔輸送層（図示されていない）が、正孔注入層に隣接し得る。電子輸送材料を含む、電子輸送層（図示されていない）が、カソードに隣接し得る。選択肢として、デバイスは、アノード１１０の隣に１つ以上の追加の正孔注入層若しくは正孔輸送層（図示されていない）及び／又はカソード１３０の隣に１つ以上の追加の電子注入層又は電子輸送層（図示されていない）を使用し得る。１１０と１３０との間の層は、個別に及びまとめて有機活性層と言われる。存在していてもしていなくてもよい追加の層には、カラーフィルター、タッチパネル、及び／又はカバーシートが含まれる。これらの層の１つ以上は、基板１００に加えて、本明細書に開示されるポリイミドフィルムからまた製造され得る。

異なる層が、図２に関連して本明細書で更に考察されるであろう。しかしながら、この考察は、他の構成にも同様に当てはまる。

いくつかの実施形態では、異なる層は、以下の範囲の厚さ：基板１００、５～１００ミクロン；アノード１１０、５００～５，０００Å、いくつかの実施形態では、１，０００～２，０００Å；正孔注入層（図示されていない）、５０～２，０００Å、いくつかの実施形態では、２００～１，０００Å；正孔輸送層（図示されていない）、５０～３，０００Å、いくつかの実施形態では２００～２，０００Å；光活性層１２０、１０～２，０００Å、いくつかの実施形態では、１００～１，０００Å；電子輸送層（図示されていない）、５０～２，０００Å、いくつかの実施形態では、１００～１，０００Å；カソード１３０、２００～１０，０００Å、いくつかの実施形態では３００～５，０００Åを有する。層厚さの所望の比は、使用される材料の正確な性質に依存するであろう。

いくつかの実施形態では、有機電子デバイス（ＯＬＥＤ）は、本明細書に開示されるようなガラスの柔軟な代替物を含有する。

いくつかの実施形態では、デバイス基板が本明細書に開示されるポリイミドフィルムを含む、有機電子デバイスが提供される。いくつかの実施形態では、デバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。

いくつかの実施形態では、有機電子デバイスは、基板、アノード、カソード、及びそれらの間の光活性層を含み、１つ以上の追加の有機活性層を更に含む。いくつかの実施形態では、追加の有機活性層は、正孔輸送層である。いくつかの実施形態では、追加の有機活性層は、電子輸送層である。いくつかの実施形態では、追加の有機層は、正孔輸送層及び電子輸送層の両方である。

アノード１１０は、正電荷キャリアを注入するために特に効率的である電極である。アノードは、例えば、金属、混合金属、合金、金属酸化物若しくは混合金属酸化物を含有する材料から製造することができるか、又はそれは、導電性ポリマー、及びそれの混合物であり得る。好適な金属には、第１１族金属、第４族、第５族、及び第６族の金属、並びに第８～第１０族遷移金属が含まれる。アノードが光透過性である場合、インジウム－スズ酸化物などの、第１２族、第１３族及び第１４族金属の混合金属酸化物が一般に使用される。アノードはまた、“Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｍａｄｅ ｆｒｏｍ ｓｏｌｕｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ，”Ｎａｔｕｒｅ ｖｏｌ．３５７，ｐｐ４７７－４７９（１９９２年６月１１日）に記載されているようにポリアニリンなどの有機材料を含み得る。アノード及びカソードの少なくとも１つは、発生した光を観察できるように少なくとも部分的に透明であるべきである。

任意選択の正孔注入層は、正孔注入材料を含むことができる。用語「正孔注入層」又は「正孔注入材料」は、導電性材料又は半導体材料を意味することを意図し、下位層の平坦化、電荷輸送及び／又は電荷注入特性、酸素又は金属イオンなどの不純物の捕捉、並びに有機電子デバイスの性能を促進するための又は改善するための他の態様を含むがそれらに限定されない、有機電子デバイスにおける１つ以上の機能を有し得る。正孔注入材料は、ポリマー、オリゴマー、又は小分子であり得、溶液、分散系、懸濁液、乳化液、コロイド状混合物、又は他の組成物の形態にあり得る。

正孔注入層は、プロトン酸で多くの場合ドープされている、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）又はポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などの、ポリマー材料で形成することができる。プロトン酸は、例えば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２－アクリルアミド－２－メチル－１－プロパンスルホン酸）等であり得る。正孔注入層１２０は、銅フタロアシアニン及びテトラチアフルバレン－テトラシアノキノジメタン系（ＴＴＦ－ＴＣＮＱ）などの、電荷移動化合物等を含むことができる。いくつかの実施形態では、正孔注入層１２０は、導電性ポリマー及びコロイド形成ポリマー酸の分散系から製造される。そのような材料は、例えば、公開された米国特許出願公開第２００４－０１０２５７７号明細書、同第２００４－０１２７６３７号明細書、及び同第２００５－０２０５８６０号明細書に記載されている。

他の層は、正孔輸送材料を含むことができる。正孔輸送層用の正孔輸送材料の例は、例えば、Ｙ．Ｗａｎｇによる、Ｋｉｒｋ－Ｏｔｈｍｅｒ Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｆｏｕｒｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌ．１８，ｐ．８３７－８６０，１９９６に要約されている。正孔輸送小分子及びポリマーの両方を使用することができる。一般的に使用される正孔輸送分子には、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）－トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）；４，４’，４’’－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）；Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）；４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＢＰ）；１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）；１，１－ビス［（ジ－４－トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）；Ｎ，Ｎ’－ビス（４－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（４－エチルフェニル）－［１，１’－（３，３’－ジメチル）ビフェニル］－４，４’－ジアミン（ＥＴＰＤ）；テトラキス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－２，５－フェニレンジアミン（ＰＤＡ）；α－フェニル－４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）；ｐ－（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）；トリフェニルアミン（ＴＰＡ）；ビス［４－（Ｎ，Ｎ－ジエチルアミノ）－２－メチルフェニル］（４－メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）；１－フェニル－３－［ｐ－（ジエチルアミノ）スチリル］－５－［ｐ－（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲ又はＤＥＡＳＰ）；１，２－トランス－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＴＴＢ）；Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）ベンジジン（α－ＮＰＢ）；及び銅フタロアシアニンなどの、ポルフィリン化合物が含まれるが、それらに限定されない。一般的に使用される正孔輸送ポリマーには、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（ジオキシチオフェン）、ポリアニリン、及びポリピロールが含まれるが、それらに限定されない。上述されたものなどの正孔輸送分子を、ポリスチレン及びポリカーボネートなどのポリマー中にドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることがまた可能である。いくつかの場合に、トリアリールアミンポリマー、とりわけトリアリールアミン－フルオレンコポリマーが使用される。いくつかの場合に、ポリマー及びコポリマーは架橋性である。架橋性正孔輸送ポリマーの例は、例えば、公開された米国特許出願公開第２００５－０１８４２８７号明細書及び公開されたＰＣＴ出願国際公開第２００５／０５２０２７号パンフレットに見出すことができる。いくつかの実施形態では、正孔輸送層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン及びペリレン－３，４，９，１０－テトラカルボン酸－３，４，９，１０－二無水物などの、ｐ型ドーパントでドープされる。

デバイスの用途に応じて、光活性層１２０は、（発光ダイオード又は発光電気化学セルにおけるなどの）印加電圧によって活性化される発光層、（ダウンコンバート燐光体デバイスにおけるなどの）光を吸収し、より長い波長を有する光を放射する材料の層、又は（光検出器又は光起電力デバイスにおけるなどの）輻射エネルギーに応答し、印加バイアス電圧あり又はなしで信号を発生させる材料の層であり得る。

いくつかの実施形態では、光活性層は、光活性材料を有する発光性化合物を含む化合物を含む。いくつかの実施形態では、光活性層は、ホスト材料を更に含む。ホスト材料の例としては、クリセン、フェナントレン、トリフェニレン、フェナントロリン、ナフタレン、アントラセン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フェニルピリジン、カルバゾール、インドロカルバゾール、フラン、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ベンゾジフラン、及び金属キノリネート錯体が挙げられるが、それらに限定されない。いくつかの実施形態では、ホスト材料は重水素化されている。

いくつかの実施形態では、光活性層は、（ａ）３８０～７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）第１ホスト化合物、及び（ｃ）第２ホスト化合物を含む。好適な第２ホスト化合物は、上で記載されている。

いくつかの実施形態では、光活性層は、（ａ）３８０～７５０ｎｍに発光極大を有するエレクトロルミネセンスの能力があるドーパント、（ｂ）第１ホスト化合物、及び（ｃ）第２ホスト化合物だけを含み、ここで、操作の原理又は層の際立った特性を実質的に変化させるであろう追加の材料は存在しない。

いくつかの実施形態では、第１ホストは、光活性層中に重量を基準として、第２ホストよりも高い濃度で存在する。

いくつかの実施形態では、光活性層中の第１ホスト対第２ホストの重量比は、１０：１～１：１０の範囲内にある。いくつかの実施形態では、この重量比は、６：１～１：６；いくつかの実施形態では、５：１～１：２；いくつかの実施形態では、３：１～１：１の範囲内にある。

いくつかの実施形態では、ドーパント対全ホストの重量比は、１：９９～２０：８０；いくつかの実施形態では５：９５～１５：８５の範囲内にある。

いくつかの実施形態では、光活性層は、（ａ）赤色発光ドーパント、（ｂ）第１ホスト化合物、及び（ｃ）第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態では、光活性層は、（ａ）緑色発光ドーパント、（ｂ）第１ホスト化合物、及び（ｃ）第２ホスト化合物を含む。

いくつかの実施形態では、光活性層は、（ａ）黄色発光ドーパント、（ｂ）第１ホスト化合物、及び（ｃ）第２ホスト化合物を含む。

任意選択の層は、電子輸送を促進すると共にまた、層界面での励起子のクエンチングを防ぐための閉じ込め層としても役立つように機能することができる。好ましくは、この層は、電子移動度を促進し、励起子クエンチングを低減する。

いくつかの実施形態では、そのような層は、他の電子輸送材料を含む。任意選択の電子輸送層で使用することができる電子輸送材料の例としては、トリス（８－ヒドロキシキノラト）アルミニウム（ＡｌＱ）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（ｐ－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、テトラキス－（８－ヒドロキシキノラト）ハフニウム（ＨｆＱ）及びテトラキス－（８－ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ＺｒＱ）などの金属キノレート誘導体を含む、金属キレート化オキシノイド化合物；並びに２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）、及び１，３，５－トリ（フェニル－２－ベンゾイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＤＰＡ）及び２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン類；トリアジン；フラーレン；並びにそれらの混合物が挙げられる。いくつかの実施形態では、電子輸送材料は、金属キノレート及びフェナントロリン誘導体からなる群から選択される。いくつかの実施形態では、電子輸送層は、ｎ型ドーパントを更に含む。ｎ型ドーパント材料は周知である。ｎ型ドーパントには、第１族及び第２族金属；ＬｉＦ、ＣｓＦ、及びＣｓ₂ＣＯ₃などの、第１族及び第２族金属塩；Ｌｉキノレートなどの、第１族及び第２族金属有機化合物；並びにロイコ染料、金属錯体、例えばＷ₂（ｈｐｐ）₄（式中、ｈｐｐ＝１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド－［１，２－ａ］－ピリミジンである）及びコバルトセンなどの、分子ｎ型ドーパント、テトラチアナフタセン、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、複素環ラジカル又はジラジカル、並びに複素環式ラジカル又はジラジカルのダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物及び多環が含まれるが、それらに限定されない。

任意選択の電子注入層が、電子輸送層一面に堆積され得る。電子注入材料の例としては、Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦ、Ｌｉ₂Ｏ、Ｌｉキノレート、Ｃｓ含有有機金属化合物、ＣｓＦ、Ｃｓ₂Ｏ、及びＣｓ₂ＣＯ₃が挙げられるが、それらに限定されない。この層は、下にある電子輸送層、上にあるカソード、又は両方と反応し得る。電子注入層が存在する場合、堆積された材料の量は、一般に１～１００Å、いくつかの実施形態では１～１０Åの範囲内にある。

カソード１３０は、電子又は負電荷キャリアを注入するために特に効率的である電極である。カソードは、アノードよりも低い仕事関数を有する任意の金属又は非金属であり得る。カソード用の材料は、第１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｃｓ）、第２族（アルカリ土類）金属、稀土類元素及びランタニド、並びにアクチニドを含む、第１２族金属から選択することができる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウム及びマグネシウムなどの材料、並びに組み合わせを使用することができる。

他の層を有機電子デバイスにおいて有することが知られている。例えば、注入される正電荷の量を制御するための及び／若しくは層のバンドギャップ整合を提供するための、又は保護層として機能するための層（図示されていない）が、アノード１１０と正孔注入層（図示されていない）との間に存在することができる。銅フタロアシアニン、オキシ窒化ケイ素、フルオロカーボン、シランなどの、当技術分野において公知である層、又は例えばＰｔなどの、金属の極薄層を使用することができる。或いはまた、アノード層１１０、活性層１２０、又はカソード層１３０のいくつか又は全てを表面処理して、電荷キャリア輸送効率を高めることができる。構成要素層のそれぞれ用の材料の選択は、高いエレクトロルミネセンス効率を有するデバイスを提供するために発光体層中の正電荷及び負電荷のバランスを取ることによって好ましくは決定される。

それぞれの機能層を２つ以上の層から構成できることは理解される。

デバイス層は、一般に、蒸着、液体堆積、及び熱転写を含む、任意の堆積技術、又は技術の組み合わせによって形成することができる。ガラス、プラスチック、及び金属などの基板を使用することができる。熱蒸発、化学蒸着等などの、従来の蒸着技術を用いることができる。有機層は、コーティング、浸漬コーティング、ロール－ツーロール技術、インクジェット印刷、連続ノズル印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷等を含むが、それらに限定されない、従来のコーティング又は印刷技術を用いて、好適な溶媒中の溶液又は分散系から塗布することができる。

液体堆積方法について、特定の化合物又は関連する部類の化合物のための好適な溶媒は、当業者によって容易に決定することができる。いくつかの用途向けには、化合物は非水性溶媒に溶解させられることが望ましい。そのような非水性溶媒は、Ｃ₁～Ｃ₂₀アルコール、エーテル及び酸エステルなどの、比較的極性であり得るか、又はＣ₁～Ｃ₁₂アルカン若しくは芳香族化合物、例えばトルエン、キシレン、トリフルオロトルエン等などの比較的非極性であり得る。新化合物を含む、本明細書に記載されるような溶液又は分散系としてのいずれかで、液体組成物の作製での使用に好適な他の液体には、塩素化炭化水素（塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなどの）、芳香族炭化水素（トリフルロトルエンを含む、置換及び非置換トルエン及びキシレンなどの）、極性溶媒（テトラヒドロフラン（ＴＨＰ）、Ｎ－メチルピロリドンなどの）エステル（酢酸エチルなどの）アルコール（イソプロパノール）、ケトン（シクロペンタトン）並びにそれらの混合物が含まれるが、それらに限定されない。エレクトロルミネセント材料用の好適な溶媒は、例えば、公開されたＰＣＴ出願国際公開第２００７／１４５９７９号パンフレットに記載されている。

いくつかの実施形態では、デバイスは、正孔注入層、正孔輸送層、及び光活性層の液体堆積によって、並びに柔軟な基板へのアノード、電子輸送層、電子注入層及びカソードの蒸着によって製造される。

デバイスの効率は、デバイスにおける他の層を最適化することによって改善できることが理解される。例えば、Ｃａ、Ｂａ又はＬｉＦなどのより効率的なカソードを使用することができる。動作電圧の低下をもたらすか又は量子効率を増加させる成形基板及び新規な正孔輸送材料も適用できる。様々な層のエネルギーレベルを調整し、エレクトロルミネセンスを容易にするために追加の層を加えることもできる。

いくつかの実施形態では、デバイスは、順に、以下の構造物：基板、アノード、正孔注入層、正孔輸送層、光活性層、電子輸送層、電子注入層、カソードを有する。

本明細書に記載されるものと同様の又は同等の方法及び材料が本発明の実施又は試験において使用できるが、好適な方法及び材料が以下に記載される。更に、材料、方法、及び実施例は、例示的であるすぎず、限定的であることを意図されない。本明細書に言及される全ての刊行物、特許出願、特許、及び他の参考文献は、それらの全体を参照により援用される。

本明細書に記載される概念は、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定しない、以下の実施例において更に例示される。

実施例１
この実施例は、式Ｉを有するジアミン、化合物４の調製を例示する。

（ａ）２，６－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェニル）アントラセン（３）
トルエン（４００ｍｌ）、エタノール（２００ｍｌ）及び水（８０ｍｌ）中の２，６－ビス－Ｂｐｉｎアントラセン１（１４．５ｇ、３３．７１ｍｍｏｌｅ）、４－ブロモ－３－（トリフルオロメチル）アニリン２（２４．２７ｇ、１０１．１３ｍｍｏｌｅ）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（３．９ｇ、３．３７ｍｍｏｌｅ）及び炭酸カリウム（２３．２９ｇ、１６９ｍｍｏｌｅ）の混合物をガス抜きし、窒素雰囲気下に８５℃で３日間加熱しながら撹拌した。反応混合物から沈澱した生成物３（９．７ｇ）を熱時濾過によって集めた。濾液を冷却し、沈殿物を濾過によって集めてより低い純度の３．２ｇの生成物を得た。¹Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ₆，５００ＭＨｚ）：５．６９（ｓ，４Ｈ），６．８８（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ１＝２Ｈｚ，Ｊ２＝８Ｈｚ），７．０３（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２Ｈｚ），７．１８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．４０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９Ｈｚ），７．９２（ｓ，２Ｈ），８．０５（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝９Ｈｚ），８．５８（ｓ，２Ｈ）．

（ｂ）６，１４－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェニル）－３ａ，４，９，９ａ－テトラヒドロ－２－フェニル－４，９［１’，２’］－ベンゾ－１Ｈ－ベンゼノ［ｆ］イソインドール－１，３（２Ｈ）－ジオン、化合物４
生成物３（７．６３７ｇ、１５．３８ｍｍｏｌｅ）、Ｎ－フェニルマレイミド（７．９６ｇ、４５．９７ｍｍｏｌｅ）の混合物を、窒素雰囲気下に１５０℃で１．５時間、１，２－ジクロロベンゼン（１００ｍｌ）中で加熱した。その後追加量のマレイミド（４．６ｇ）を添加し、混合物を同じ温度で１時間加熱した。反応混合物を冷却し、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒を蒸発させ、この残渣を、ジクロロメタン及びジクロロメタン－アセトンの混合物を使った勾配溶出を用いるシリカゲルカラムでのクロマトグラフィー精製にかけた。生成物を含有する分画を集め、溶出液を蒸発させて６．４１ｇのジアミン化合物４を得、それは、ジクロロメタンとヘキサンとの混合物からの結晶化によって更に精製することができる。¹Ｈ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ₆，５００ＭＨｚ）：３．４１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ１＝４Ｈｚ，Ｊ２＝９Ｈｚ），３．４７（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ１＝４Ｈｚ，Ｊ２＝９Ｈｚ），４．９１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝４Ｈｚ），５．６２（ｓ，４Ｈ），６．５３－６．５５（ｍ，２Ｈ），６．７８（ｔｄ，２Ｈ，Ｊ１＝２Ｈｚ，Ｊ２＝８Ｈｚ），６．８９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝ ８Ｈｚ），６．９５（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ１＝２Ｈｚ，Ｊ２＝８Ｈｚ），７．０２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．０６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．１０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．１８（ｓ，１Ｈ），７．３０（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ），７．３２－７．３３（ｍ，３Ｈ），７．４１（ｓ，１Ｈ），７．４９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８Ｈｚ）．¹³Ｃ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ₆，１２５ＭＨｚ，アトロポ異性体）：１７６．３５，１７６．２５，１４８．８３，１４８．７８，１４１．７，１４０．７，１３９．４，１３９．２，１３８．９，１３８．３，１３３．６４，１３３．６，１３２．３，１２９．１３，１２８．９，１２７．９，１２７．７，１２７．５，１２７．４，１２７．１１，１２７．０，１２６．０，１２５．５，１２４．７，１２４．２，１２３．８，１２３．７，１１７．０，１１０．８７，１１０．８３，５５．４，４７．２２，４７．１７，４５．０．¹⁹Ｆ－ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ₆，４７０ ＭＨｚ，アトロポ異性体）：５５．２７，５５．３５．

実施例２
この実施例は、式ＩＩを有するポリアミド酸を含む液体組成物の調製を例示する。

ジアミン化合物４（４．５ｇ、６．７２ｍｍｏｌｅ）、ＢＰＤＡ（２．７６８ｇ、９．４０８ｍｍｏｌｅ）、ＰＭＤＡ（０．２９３ｇ、１．３４４ｍｍｏｌｅ）、ＴＦＭＢ（２．１５２ｇ、６．７２ｍｍｏｌｅ）及びＮ－メチルピロリドン（６２ｇ）を周囲温度で反応させ、その後ＰＭＤＡ（４５ｍｇ）を少しずつ添加した。最終２１重量％のポリマー含量及び粘度２７３９０ｃＰまでＮＭＰを部分的に留去した。ＧＰＣ：Ｍｎ＝９６９４１、Ｍｗ＝２０３５６１、Ｍｐ＝１９５８２４、Ｍｚ＝３２４３２７、ＰＤＩ＝２．１０．

実施例３
この実施例は、ポリイミドが式ＩＩＩを有する、ポリイミドフィルムの調製を例示する。

実施例２からのポリアミド酸溶液を、マイクロフィルターを通して濾過し、クリーンなシリコンウェハー上へスピンコートし、ホットプレート上９０℃でソフトベークし、炉中へ入れた。炉を窒素でパージし、３２０℃の最高温度に加熱した。ウェハーを炉から取り出し、水に浸漬し、手動により層間剥離してポリイミドフィルムの試料をもたらした。

８．６２μｍの厚さを有するポリイミドフィルムは、以下の特性：
ヘイズ：０．１９％
Ｔ_g：３２７℃
ＣＴＥ（第１測定）：３４．１ｐｐｍ／℃
複屈折（６３３ｎｍ）：０．０４２
引張弾性率：４．７７ＧＰａ
引張強度：１９８．７ＭＰａ
破断伸び：２４．６％
１％ＴＧＡ損失：４１５℃
光学的遅れ：３６９
を有した。

一般的な説明又は実施例において上に記載された活動の全てが必要であるわけではないこと、特定の活動の一部が必要とされない場合があること、及び１つ以上の更なる活動が、記載されているものに加えて行われ得ることに留意されたい。更にまた、活動が列挙される順番は、必ずしも活動が行われる順番ではない。

前述の本明細書で、概念は、特定の実施形態に関連して記載されてきた。しかしながら、当業者は、様々な修正及び変更が、以下の特許請求の範囲に示されるような本発明の範囲から逸脱することなく行われ得ることを十分理解する。したがって、本明細書及び図は、限定的な意味よりもむしろ例示的な意味で考えられるべきであり、全てのそのような修正は、本発明の範囲内に包含されることを意図する。

利益、他の利点、及び問題の解決策が、特定の実施形態に関して上で記載されてきた。しかしながら、利益、利点、問題の解決策、及び任意の利益、利点、又は解決策を生じさせ得るか又はより顕著にならせ得る任意の特徴は、任意の又は全ての請求項の決定的に重要であるか、必要とされるか、又は不可欠な特徴として解釈されるべきではない。

明確にするために、特定の特徴は、別個の実施形態との関連で本明細書に記載され、単一の実施形態で組み合わせてまた提供され得ることが十分理解されるべきである。反対に、簡潔にするために、単一の実施形態との関連で記載される様々な特徴はまた、個別に又は任意の部分的な組み合わせで提供され得る。本明細書で明記される様々な範囲の数値の使用は、記述範囲内の最小値及び最大値が両方とも語「約」によって先行されるかのように近似値として記述されている。このように、記述範囲の上下のわずかな変動は、範囲内の値と実質的に同じ結果を達成するために用いることができる。また、これらの範囲の開示は、１つの値の構成要素のいくつかが、異なる値の構成要素と混合されるときに生じることができる小数値を含む、最小平均値と最大平均値との間のあらゆる値を含む連続した範囲であることを意図する。更に、より広い及びより狭い範囲が開示されるとき、１つの範囲からの最小値を別の範囲からの最大値と一致させることは、本発明の予想内にあり、その逆も同様である。

Claims (6)

1. 式ＩD
   

   

   を有するポリアミン。
2. 式ＩＩ
   

   

   （式中：
   Ｒ^aは、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’－ヘキサフルオロイソ－プロピリデンビスフタル酸ポリ無水物（６ＦＤＡ）、及び３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）からなる群から選択されるテトラカルボン酸二無水物由来の残基を表し；
   Ｒ^bは、請求項１に記載のポリアミン由来のジアミン残基を表す）
   の繰り返し単位を有するポリアミド酸。
3. （ａ）請求項２に記載のポリアミド酸と、（ｂ）高沸点の、非プロトン性溶媒とを含む液体組成物。
4. 式ＩＩＩ
   

   

   （式中：
   Ｒ^aは、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、４，４’－ヘキサフルオロイソ－プロピリデンビスフタル酸ポリ無水物（６ＦＤＡ）、及び３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤＡ）からなる群から選択されるテトラカルボン酸二無水物由来の残基を表し；
   Ｒ^bは、請求項１に記載のポリアミン由来の芳香族ジアミン残基を表す）
   の繰り返し単位構造を有するポリイミド。
5. 請求項４に記載の、式ＩＩＩの繰り返し単位を有するポリイミドのフィルムを含む少なくとも１つの層を有する有機電子デバイス。
6. 前記層が、デバイス基板、カラーフィルターシート用の基板、カバーフィルム、及びタッチスクリーンパネルからなる群から選択されるデバイス構成部品に使用される、請求項５に記載の電子デバイス。

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