JP7483071B2 - サポートテーブルから物体をアンロードする方法 - Google Patents

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Description

（関連出願の相互参照）
[0001] 本出願は、２０１７年６月６日に出願された欧州特許出願第１７１７４５８３．９号及び２０１８年１月１８日に出願された１８１５２２２０．２号の優先権を主張する。これらは援用により全体が本願に含まれる。
[0002] 本発明は、アンロードプロセス中にサポートテーブルから物体をアンロードする方法、リソグラフィ装置、物体を保持するためのリソグラフィ装置のサポートテーブルのための真空システム、及びポジショナに関する。
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は例えば、パターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（しばしば「設計レイアウト」又は「設計」とも称される）を、基板（例えばウェーハ）上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。
[0004] 基板にパターンを投影するため、リソグラフィ装置は電磁放射を用いることができる。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、及び１３．５ｎｍである。４ｎｍ～２０ｎｍの範囲内の波長、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置を用いると、例えば１９３ｎｍの波長の放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成することができる。
[0005] より小さいフィーチャの解像度の向上を可能とするため、リソグラフィシステムに液浸技法が導入されている。液浸リソグラフィ装置では、装置の投影システム（パターン付きビームはこれを通過して基板の方へ投影される）と基板との間の空間に、比較的高い屈折率を有する液浸液の液体層が置かれる。液浸液は、最後に、投影システムの最終要素の下にある基板の一部を覆う。従って、露光が行われる基板の少なくとも一部は液体に浸される。液浸液の効果は、露光放射は気体中よりも液浸液中の方が波長が短いので、結像するフィーチャの小型化が可能となることである。（また、液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくすること、及び焦点深度を大きくすることであるとも考えられる。）
[0006] 市場向けの液浸リソグラフィにおいて、液浸液は水である。通常、この水は、半導体製造工場で一般的に用いられる超純水（ＵＰＷ）のような高純度の蒸留水である。液浸システムにおいて、ＵＰＷは精製されることが多く、液浸液として空間へ供給される前に追加の熱ステップを実行する場合がある。水以外に、高い屈折率を有する他の液体を液浸液として使用できる。その例として、フッ化炭化水素のような炭化水素、及び／又は水溶液が挙げられる。更に、液浸リソグラフィで使用するため、液体以外の他の流体も想定されている。
[0007] 本明細書における記載では、使用中に最終要素と最終要素に対向する表面との間の空間に液浸液を閉じ込める局所液浸に言及している。対向表面は、基板の表面であるか、又は基板の表面と同一平面上にあるサポートテーブル（又は基板サポート）の表面である。（以下の文書で基板の表面に言及する場合は、特に明記しない限り、これに加えて又はこの代わりに基板サポートの表面のことも指し、その逆もまた同様であることに留意されたい）。投影システムとステージとの間に存在する流体ハンドリング構造を用いて、液浸液を空間に閉じ込める。液浸液によって充填される空間は平面視で基板の上面よりも小さく、この空間は、下方で基板及び基板ステージが移動している間、投影システムに対して実質的に静止状態に維持される。
[0008] 非閉じ込め液浸システム（いわゆる「オールウェット（All Wet）」液浸システム）及び浴式液浸システムのような他の液浸システムも想定されている。非閉じ込め液浸システムにおいて、液浸液は、最終要素の下にある表面よりも広い面積を覆う。空間外の液体は薄い液膜として存在する。液浸液は基板の表面全体を覆うか、又は基板及びこの基板と同一平面上のサポートテーブルも覆う。浴式システムにおいて、基板は液浸液浴内に完全に浸される。
[0009] 流体ハンドリング構造は、液浸液を空間に供給し、液浸液を空間から除去し、これによって液浸液を空間に閉じ込める構造である。これは、流体供給システムの一部である特徴部（feature）を含む。図２及び図３は、そのようなシステムで使用することができる異なる供給デバイスを示す。流体ハンドリング構造は、投影システムの最終要素とサポートテーブル又は基板との間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延出して、この空間を部分的に画定するようになっている。
[00010] 流体ハンドリング構造は、選ばれた様々な機能を有することができる。各機能は、流体ハンドリング構造がその機能を達成することを可能とする対応した特徴部から得られる。流体ハンドリング構造は、例えばバリア部材、シール部材、流体供給システム、流体除去システム、液体閉じ込め構造等、それぞれが機能を表す多くの異なる用語によって言及されることがある。
[0010] バリア部材としての流体ハンドリング構造は、空間からの液浸液の流れに対するバリアである。液体閉じ込め構造としての構造は、液浸液を空間に閉じ込める。シール部材としての流体ハンドリング構造の封止特徴部は、液浸液を空間に閉じ込めるシールを形成する。封止特徴部は、ガスナイフのようなシール部材の表面の開口からの追加のガス流を含み得る。
[0011] 液浸装置では、基板の裏側とサポートテーブルの上部との間のシールに、液体（例えば水）メニスカスが固定される（stabilize）。サポートテーブルから基板を除去する場合、この液体の一部が基板上及びサポートテーブル上に残る可能性がある。サポートテーブルから基板を除去する場合に基板上及び／又はサポートテーブル上に残る液体の量を低減することが望ましい。
[0012] 本発明の一態様に従って、アンロードプロセス中にサポートテーブルから物体をアンロードする方法が提供される。露光プロセス中に、
物体の中央部の下にあるサポートテーブルの中央領域に第１の圧力を加え、
物体の周辺部の下にあるサポートテーブルの周辺領域に第２の圧力を加えることによって、物体はサポートテーブルにクランプされ、クランプの間、第１の圧力及び第２の圧力は物体とシール部材との間に液体が保持されるように制御され、シール部材は、サポートテーブルの上面において半径方向で中央領域と周辺領域との間に位置決めされると共に、物体の方へ突出し、方法は、
第１の圧力を周囲圧力の方へ増大させることと、
第２の圧力を低減させることによって、物体とシール部材との間に保持された液体の少なくとも一部を除去することと、
第２の圧力を周囲圧力の方へ増大させることと、
を含む。
[0013] 本発明の一態様に従って、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、
物体を保持するためのサポートテーブルであって、
物体の中央部の下にある中央領域に第１の圧力を加えるための第１のチャネルと、
物体の周辺部の下にある周辺領域に第２の圧力を加えるための第２のチャネルと、
サポートテーブルの上面において半径方向で第１のチャネルと第２のチャネルとの間に位置決めされ、物体の方へ突出しているシール部材と、
を含むサポートテーブルと、
コントローラであって、
露光プロセス中に物体とシール部材との間に液体が保持されるように露光プロセス中に第１の圧力及び第２の圧力を加えることを制御し、
第１の圧力を周囲圧力の方へ増大させ、
物体とシール部材との間に保持された液体の少なくとも一部を除去するように第２の圧力を低減させ、
アンロードプロセス中に第２の圧力を周囲圧力の方へ増大させる、
ように適合されたコントローラと、
を備える。
[0014] 本発明の一態様に従って、リソグラフィ装置の基板テーブル及びサポートテーブルのための真空システムが提供される。サポートテーブルは物体を保持するためのものであり、真空システムはフロー回路（flow circuit）を含み、フロー回路は、
サポートテーブルを基板テーブルにクランプするよう構成された第１の真空圧力ラインを含む第１の圧力回路と、
第２の圧力回路であって、
物体の周辺部の下にあるサポートテーブルの周辺領域に第２の圧力を加えるよう構成された第２の真空圧力ラインと、
物体をサポートテーブルにクランプするように、物体の中央部の下にあるサポートテーブルの中央領域に第１の圧力を加えるよう構成された第３の真空圧力ラインと、
第２の圧力回路に圧力を与えるよう構成された真空デバイスと、
第２の圧力回路から分岐している第４の真空圧力ラインと、
を含む第２の圧力回路と、
第２の真空圧力ラインにおける圧力を制御するための第１のフローコントローラと、
第４の真空圧力ラインにおける圧力を制御するための第２のフローコントローラと、
を備える。
[0015] 本発明の一態様に従って、リソグラフィ装置の基板テーブル及びサポートテーブルのための真空システムが提供される。サポートテーブルは物体を保持するためのものであり、真空システムはフロー回路を含み、フロー回路は、
第１の圧力回路であって、
サポートテーブルを基板テーブルにクランプするよう構成された第１の真空圧力ラインと、
物体の周辺部の下にあるサポートテーブルの周辺領域に第２の圧力を加えるよう構成された第２の真空圧力ラインと、
物体をサポートテーブルにクランプするように、物体の中央部の下にあるサポートテーブルの中央領域に第１の圧力を加えるよう構成された第３の真空圧力ラインと、
を含む第１の圧力回路と、
第２の真空圧力ラインにおける圧力を制御するための第１のフローコントローラと、
周囲圧力から第３の真空圧力ラインへの流れを制御するための第４のフローコントローラと、
を備える。
[0016] 本発明の一態様に従って、リソグラフィ装置の基板テーブル及びサポートテーブルのための真空システムが提供される。サポートテーブルは物体を保持するためのものであり、真空システムはフロー回路を含み、フロー回路は、
第１の圧力回路であって、
サポートテーブルを基板テーブルにクランプするよう構成された第１の真空圧力ラインと、
物体をサポートテーブルにクランプするように、物体の中央部の下にあるサポートテーブルの中央領域に第１の圧力を加えるよう構成された第３の真空圧力ラインと、
を含む第１の圧力回路と、
物体の周辺部の下にあるサポートテーブルの周辺領域に第２の圧力を加えるよう構成された第２の真空圧力ラインを含む第２の圧力回路と、
第２の真空圧力ラインにおける圧力を制御するための第１のフローコントローラと、
第３の真空圧力ラインにおける圧力を制御するための第５のフローコントローラと、
を備える。
[0017] リソグラフィ装置の基板テーブル及びサポートテーブルのための真空システムであって、サポートテーブルは物体を保持するためのものであり、真空システムはフロー回路を含み、フロー回路は、
第１の圧力回路であって、
サポートテーブルを基板テーブルにクランプするよう構成された第１の真空圧力ラインを含む第１の圧力回路と、
第２の圧力回路であって、
物体の周辺部の下にあるサポートテーブルの周辺領域に第２の圧力を加えるよう構成された第２の真空圧力ラインと、
物体をサポートテーブルにクランプするように、物体の中央部の下にあるサポートテーブルの中央領域に第１の圧力を加えるよう構成された第３の真空圧力ラインであって、第２の真空圧力ラインと第３の真空圧力ラインとの間に所定の圧力差を保持するためのフローコントローラを介して第２の真空圧力ラインに接続されている、第３の真空圧力ラインと、
を含む第２の圧力回路と、
周囲圧力から第２の真空圧力ラインへの流れを制御するための別のフローコントローラと、
を備える、真空システム。
[0018] これより、添付の概略図を参照して本発明の実施形態を単に一例として説明する。添付図面において、対応する参照符号は対応する部分を示す。
[0019] 本発明の一実施形態に従ったリソグラフィ装置を示す。 [0020] リソグラフィ投影装置における使用向けの液体供給システムを示す。 [0021] 一実施形態に従った別の液体供給システムを示す側断面図である。 [0022] 本発明の一実施形態に従ってサポートテーブル上に支持された基板を概略的に示す。 [0023] 図４に示されている基板とサポートテーブルとの間に固定された液体メニスカスをクローズアップで概略的に示す。 [0024] サポートテーブルから基板が除去された場合に液体メニスカスに起こり得ることをクローズアップで概略的に示す。 [0025] 本発明の一実施形態に従ったアンロードプロセス中の異なる領域における時間と圧力との関係を示すグラフである。 [0026] 比較例に従った異なる領域における時間と圧力との関係を示すグラフである。 [0027] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0027] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0027] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0027] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0027] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0027] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0028] 本発明の一実施形態に従ってサポートテーブル上に支持された基板の側断面図を概略的に示す。 [0029] 本発明の一実施形態に従ったアンロードプロセス中の異なる領域における時間と圧力との関係を示すグラフである。 [0030] 比較例に従った異なる領域における時間と圧力との関係を示すグラフである。 [0031] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0031] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0031] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0031] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。 [0031] 本発明の実施形態に従った真空システムの図を概略的に示す。
[0032] 本文書において、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線放射（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射を包含するため使用される。
[0033] 「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、本文で用いる場合、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及び／又はプログラマブルＬＣＤアレイを含む。
[0034] 図１はリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は以下のものを備えている。
ａ．任意選択として、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ
ｂ．パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ
ｃ．例えば、１つ以上のセンサを支持するセンサテーブル、又は基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成されたサポートテーブルＷＴのような、特定のパラメータに従って例えば基板Ｗ等のテーブルの表面を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続されたサポートテーブル
ｄ．パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳ
[0035] 動作中、照明システムＩＬは、放射源ＳＯからの放射ビーム又は放射を、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して受光する。照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、又は制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、及び／又は他のタイプの光学コンポーネントのような様々なタイプの光学コンポーネント、又はそれらのいずれかの組み合わせを含むことができる。イルミネータＩＬを用いて、パターニングデバイスＭＡの面において放射ビームＢが断面内に所望の空間及び角度の強度分布を有するように調整することができる。
[0036] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、使用する放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用のような他の要因に合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈するべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語が使用される場合、これは更に一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。
[0037] リソグラフィ装置は、例えば２つ以上のサポートテーブル、又は１つ以上のサポートテーブルと１つ以上の洗浄テーブル、センサテーブル、もしくは測定テーブルとの組み合わせのように、２つ以上のサポートテーブルを有するタイプとすることができる。例えばリソグラフィ装置は、投影システムの露光側に位置付けられた２つ以上のテーブルを備えるマルチステージ装置であり、各テーブルが１つ以上の物体を備えている及び／又は保持している。一例において、テーブルのうち１つ以上は、放射感応性基板を保持することができる。一例において、テーブルのうち１つ以上は、投影システムからの放射を測定するセンサを保持することができる。一例において、マルチステージ装置は、放射感応性基板を保持するように構成された第１のテーブル（すなわちサポートテーブル）と、放射感応性基板を保持するように構成されていない第２のテーブル（以降、限定ではないが一般に、測定テーブル、センサテーブル、及び／又は洗浄テーブルと呼ぶ）とを備える。第２のテーブルは、放射感応性基板以外の１つ以上の物体を備える及び／又は保持することができる。このような１つ以上の物体には、投影システムからの放射を測定するセンサ、１つ以上のアライメントマーク、及び／又は（例えば液体閉じ込め構造を洗浄する）洗浄デバイスから選択された１つ以上のものが含まれ得る。
[0038] 動作中、放射ビームＢは、支持構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイスＭＡに存在するパターン（設計レイアウト）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダ、又は容量センサ）を用いて、例えば、放射ビームＢの経路内の集束し位置合わせした位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように、サポートテーブルＷを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に図示されていない）を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスマスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ０、Ｐ１を用いて位置合わせすることができる。図示されている基板アライメントマークＭ１、Ｍ２は専用のターゲット部分を占有するが、それらをターゲット部分Ｃ間の空間に位置付けることも可能である（スクライブラインアライメントマークとして既知である）。
[0039] 図２は、局所液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを概略的に示す。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素とサポートテーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延出する流体ハンドリング構造ＩＨ（又は流体閉じ込め構造）が設けられている。流体ハンドリング構造ＩＨは、ＸＹ面内で投影システムＰＳに対して実質的に静止状態であるが、Ｚ方向（光軸の方向）では、ある程度の相対的な移動が生じ得る。一例においては、流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗの表面との間にシールが形成され、これは、ガスシール（ガスシールを有するそのようなシステムは欧州特許第１，４２０，２９８号に開示されている）又は液体シールのような無接触シールとすればよい。
[0040] 流体ハンドリング構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方で最終要素を取り囲むように位置決めされた流体ハンドリング構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。液浸液は、液体開口１３のうち１つによって、投影システムＰＳの下方の流体ハンドリング構造ＩＨ内の空間１１に導入される。液浸液は、液体開口１３のうち別のものによって除去することも可能である。液浸液は、少なくとも２つの液体開口１３を介して空間１１内に導入してもよい。液浸液を供給するため液体開口１３のうちどれを使用するか、また任意選択的に液浸液を除去するため液体開口１３のうちどれを使用するかは、サポートテーブルＷＴの移動方向に応じて決定できる。
[0041] 使用中に流体ハンドリング構造ＩＨの底部と基板Ｗの表面との間に形成されるガスによって形成されたガスシール１６等の無接触シールにより、液浸液を空間１１に閉じ込めることができる。ガスシール１６内のガスは、圧力下でインレット１５を通って流体ハンドリング構造ＩＨと基板Ｗとの間のギャップに提供される。ガスはアウトレット１４を介して抜き取られる。ガスインレット１５の過圧、アウトレット１４の真空レベル、及びギャップのジオメトリは、液浸液を閉じ込める内側への高速ガス流が生じるように構成されている。そのようなシステムが、米国特許第２００４／０２０７８２４号に開示されている（これは援用により全体が本願に含まれる）。一例において、流体ハンドリング構造ＩＨはガスシール１６を持たない。
[0042] 図３は、一実施形態に従った別の液体供給システム又は流体ハンドリングシステムを示す側断面図である。図３に示すと共に以下で説明する構成は、上述し図１に示したリソグラフィ装置に適用することができる。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素とサポートテーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延出する流体ハンドリング構造ＩＨ（又は液体閉じ込め構造）が設けられている。
[0043] 流体ハンドリング構造ＩＨは、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１内に少なくとも部分的に液浸液を閉じ込める。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下方で最終要素を取り囲むように位置決めされた流体ハンドリング構造ＩＨによって少なくとも部分的に形成される。一例において、流体ハンドリング構造ＩＨは本体部材５３及び多孔性部材３３を備えている。多孔性部材３３は板状であり、複数の孔（すなわち開口又は細孔）を有する。一実施形態において、多孔性部材３３はメッシュプレートであり、多数の小さい孔８４がメッシュ状に形成されている。このようなシステムは、米国特許第２０１０／００４５９４９Ａ１号に開示されている。これは援用により全体が本願に含まれる。
[0044] 本体部材５３は、空間１１に液浸液を供給することができる供給ポート７２と、空間１１から液浸液を回収することができる回収ポート７３と、を備えている。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続されている。液体供給装置７５は、対応する通路７４を介して液浸液を供給ポート７２に供給することができる。回収ポート７３は、空間１１から液浸液を回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体回収装置８０に接続されている。液体回収装置８０は、回収ポート７３を介して回収された液浸液を、通路２９を通して回収する。多孔性部材３３は回収ポート７３に配置されている。供給ポート７２を用いて液体供給動作を実行し、多孔性部材３３を用いて液体回収動作を実行することで、一方側で投影システムＰＳと流体ハンドリング構造ＩＨとの間に、他方側で基板Ｗとの間に空間１１が形成される。
[0045] 図４は、サポートテーブルＷＴ上に支持された基板Ｗの断面を概略的に示す。以下では、物体の一例として基板Ｗを、サポートテーブルの一例としてサポートテーブルＷＴを参照して本発明を説明する。しかしながら、本発明は、基板ＷがサポートテーブルＷＴ上に支持された状況に限定されない。例えば本発明は、支持構造ＭＴによって支持されたパターニングデバイスＭＡに適用可能である。
[0046] 図４に示されているように、基板ＷはサポートテーブルＷＴによって支持される。リソグラフィ装置の使用中、基板ＷはサポートテーブルＷＴにクランプすることができる。例えば、露光プロセス中、基板ＷはサポートテーブルＷＴにクランプされる。露光プロセスと露光プロセスとの間に、基板ＷはサポートテーブルＷＴからアンロードされる場合がある。例えば、基板交換シーケンス中、基板Ｗは基板ＷＴから除去される場合がある。
[0047] 図４に示されているように、一実施形態において、サポートテーブルＷＴは第１のチャネル２６を含む。第１のチャネル２６は、基板Ｗの中央部分ＷＣの下にあるサポートテーブルＷＴの中央領域２１に第１の圧力ｐ１を加えるためのものである。図４に示されているように、一実施形態において、第１のチャネル２６はサポートテーブルＷＴの本体２０を貫通するように設けられている。一実施形態において、第１のチャネル２６は、中央領域２１に第１の圧力ｐ１を加えるように構成された圧力回路に接続されている。第１の圧力ｐ１は基板Ｗの上方の周囲圧力よりも小さいので、基板ＷはサポートテーブルＷＴにクランプされる。
[0048] 一実施形態において、サポートテーブルＷＴは第２のチャネル２７を含む。第２のチャネル２７は、基板Ｗの周辺部分ＷＰの下にあるサポートテーブルＷＴの周辺領域２２に第２の圧力ｐ２を加えるためのものである。第２のチャネル２７は第１のチャネル２６の半径方向外側にある。一実施形態において、第２のチャネル２７はサポートテーブルＷＴの本体２０を貫通して設けられている。代替的な実施形態では、第２のチャネル２７は、本体２０と本体２０を半径方向に取り囲む抽出体（extraction body）との間のギャップとして設けられている。一実施形態において、第２のチャネル２７は、周辺領域２２に第２の圧力ｐ２を加えるように構成された圧力回路に接続されている。
[0049] 一実施形態において、サポートテーブルＷＴはシール部材２４を含む。シール部材２４は、半径方向で第１のチャネル２６と第２のチャネル２７との間に位置決めされている。シール部材２４はサポートテーブルＷＴの上面に位置決めされている。シール部材２４は平面視で環状である。シール部材２４は基板Ｗの方へ突出している。しかしながら、基板ＷがサポートテーブルＷＴにクランプされた場合にシール部材２４は基板Ｗと直接接触しない。シール部材２４の上部と基板Ｗの裏側との間には小さいギャップがある。
[0050] 一実施形態において、サポートテーブルＷＴは外側シール２５を含む。外側シール２５は第２のチャネル２７の半径方向外側に位置決めされている。外側シール２５はサポートテーブルＷＴの上面に位置決めされている。外側シール部材２５は平面視で環状である。外側シール部材２５は基板Ｗの方へ突出している。しかしながら、基板ＷがサポートテーブルＷＴにクランプされた場合に外側シール部材２５は基板Ｗと直接接触しない。外側シール部材２５の上部と基板Ｗの裏側との間には小さいギャップがある。
[0051] 露光プロセス中、周辺領域２２から第２のチャネル２７を介して流体が抽出される。第２のチャネル２７によって加えられる第２の圧力ｐ２は、基板ＷをサポートテーブルＷＴにクランプするのを更に促進する。第２のチャネル２７を通る流体流は、基板Ｗの裏側に到達する液浸液の量を低減させるのに役立つ。
[0052] 露光プロセス中、シール部材２４と基板Ｗとの間にシールが形成される。具体的には、シール部材２４の上部と基板Ｗの底部との間で、液体メニスカス２３がシール部材２４上に固定される。液体メニスカス２３は毛細管圧に基づいて固定化される。第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２は、これらの圧力の差がシール部材２４の上の毛細管圧よりも小さい（すなわち、シール部材２４から液体メニスカス２３を除去するために必要な力よりも小さい）ように制御される。
[0053] 上述のように、第１のチャネル２６及び第２のチャネル２７は、以下で更に詳しく説明される真空システム４０の一部を形成する１つ以上の圧力回路に接続されている。一実施形態において、真空システム４０（すなわち真空供給）は、供給圧力が変動する場合であっても第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差が維持されるように構成されている。
[0054] 第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間のギャップ（すなわちシール部材２４から離れた領域）における毛細管圧よりも大きいように制御される。このため、図５に示されているように液体メニスカス２３はシールにおいて固定する。図５は、サポートテーブルＷＴのシール部材２４において固定化された液体メニスカス２３のクローズアップである。
[0055] 露光プロセス中、液体メニスカス２３が存在するためシール部材２４は濡れている。基板ＷがサポートテーブルＷＴからアンロードされた（すなわち除去された）場合、液体メニスカス２３からの液体の一部が基板Ｗ上に残り、液体メニスカス２３の液体の一部がシール部材２４と接触した状態を保つ可能性がある。基板Ｗと接触した状態を保ってシール部材２４上にある液体メニスカス２３からの液体量を低減することが望ましい。
[0056] 図１に示されているように、一実施形態において、リソグラフィ装置はコントローラ５００を備えている。コントローラ５００は、第１のチャネル２６及び第２のチャネル２７に接続された真空供給を制御するように構成されている。コントローラ５００は、中央領域２１及び周辺領域２２にそれぞれ加えられる第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２を制御するように構成されている。
[0057] 図６は、基板ＷがサポートテーブルＷＴからアンロードされた後、基板Ｗ上に残ってシール部材２４と接触した状態のままである液体メニスカス２３からの液体を示す。この残留液体は望ましくない。
[0058] 一実施形態では、基板Ｗをアンロードする直前に、周辺領域２２における真空レベルを増大させることによってシール部材２４上に大きい圧力差を生成する。これについては以下で更に詳しく説明する。
[0059] 一実施形態において、コントローラ５００は、露光プロセス中に基板Ｗとシール部材２４との間で液体が保持されるように、露光プロセス中の第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２の適用を制御するよう適合されている。これが図５に示された状況である。アンロードプロセスの直前及び実行中におけるコントローラ５００の機能について以下で説明する。
[0060] 図７は、アンロードプロセスの実行前及び実行中の異なる領域における時間と圧力との関係を示すグラフである。一点鎖線で形成された下方のラインは、アンロードプロセス実行中の周辺領域２２における第２の圧力ｐ２を示す。破線で形成された上方のラインは、アンロードプロセス実行中の中央領域２１における第１の圧力ｐ１を表す。
[0061] 図７に示されている圧力変動は、アンロードプロセスの実行前及び実行中に第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２がどのように変動するかを示す単なる一例を表している。しかしながら、本発明は図７に示されているような特定の形態のラインに限定されない。
[0062] 図７に示されているように、一実施形態において、コントローラ５００は第１の圧力ｐ１を周囲圧力の方へ増大させるように適合されている。これは、図７に示されている（３つの時間期間のうち）中央の時間領域に示されている。
[0063] 一実施形態において、コントローラ５００は、基板Ｗとシール部材２４との間に保持された液体の少なくとも一部が除去されるように、第２の圧力ｐ２を低下させるよう適合されている。これは図７において、第２の圧力ｐ２が低下する中央の時間期間の開始部分に示されている。
[0064] これは、基板ＷがサポートテーブルＷＴから除去される前に行われる。従って、基板ＷがサポートテーブルＷＴのバール上に支持された状態のままであるときに、第２の圧力ｐ２を低下させる（かつ、第１の圧力ｐ１を増大させる）。この時点で（すなわち基板Ｗがアンロードされる前に）、液体メニスカス２３からの液体の少なくとも一部が除去される。液体は第２のチャネル２７を介して除去することができる。
[0065] 一実施形態において、コントローラ５００は、アンロードプロセス中に第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させるように適合されている。これは、図７に示されている中央の時間期間の後半部分及び右側の時間期間に示されている。具体的には、第２の圧力ｐ２は、最小値に達した後に周囲圧力の方へ増大させる。第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させることによって、基板ＷをサポートテーブルＷＴから除去できるようにクランプ圧力を低下させる。
[0066] アンロードプロセス前に液体の少なくとも一部を除去することによって、アンロードプロセス後に基板Ｗの裏側に残っている液体の量を低減させる。これは、アンロードした基板Ｗを後で処理する際に発生する恐れのある望ましくない問題を軽減する。例えば、アンロードした基板Ｗの裏側の液体残留物が毛細管力を発生させ、結果として基板Ｗに引っかき傷（scratch）が生じる可能性がある。これは基板Ｗの品質を低下させる。具体的に述べると、一部の基板Ｗは再利用されることがあるが、これは、基板ＷをサポートテーブルＷＴからアンロードした後、アンロードした基板Ｗを後に再びそのサポートテーブル（又は異なるサポートテーブル）ＷＴにクランプする必要があることを意味する。クロージング基板（closing substrate）は、そのような基板Ｗの一例である。そのような再利用可能な基板Ｗが、例えば引っかき傷を発生させ得る液体残留物を有することは、望ましくない。
[0067] アンロードプロセス前に液体の少なくとも一部を除去することによって、シール部材２４及び／又は外側シール２５に接触した状態のままである液体の量を低減させる。これは、後に基板ＷがサポートテーブルＷＴ上のいずれかの特定位置に不必要に付着する可能性を低下させる。また、これは、一部の液体が測定に使用されるグリッドへ偶発的に移動するリスクを低下させる。また、これは、次の基板Ｗをロードする際に蒸発する可能性のある液体の量を低減させる。蒸発が起こると、低温スポット（cold spot）が生じ、このためサポートテーブルＷＴが不必要に変形する。また、これは、サポートテーブルＷＴ上で伝達される汚染の量を低減させる。
[0068] 上述の通り、基板Ｗをアンロードする直前に、周辺領域２２における真空レベルを増大させると共に中央領域２１における真空レベルを低下させることによって、シール部材２４上に大きい圧力差を生成する。
[0069] 比較例として、液体の量を低減させるための代替的な方法は、基板Ｗをアンロードするシーケンス中に液体メニスカス２３を排出することである。まず、周辺領域２２に真空が維持されている間に、中央領域２１にガスを吹き込むことができる。これによって、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差が増大してシール部材２４上の毛細管圧よりも大きくなる。この結果、シール部材２４から液体メニスカス２３が取り除かれる。その後、第２の圧力ｐ２が増大して基板Ｗを解放できるように、第２の圧力ｐ２のための真空をオフに切り換えることができる。
[0070] 本発明の一実施形態は、この比較例に対する改善を達成することが予想される。具体的に述べると、本発明の一実施形態は、サポートテーブルＷＴのエッジにおけるバールの摩耗を軽減させることが予想される。
[0071] これは、基板Ｗの周辺部分ＷＰの下に第２の圧力ｐ２を維持しながら基板Ｗの中央部分ＷＣの下に過圧を加えた場合、基板Ｗが傘の形状に屈曲するからである。基板Ｗのエッジは、基板Ｗのエッジにおけるバールの上で滑る。これはバールを摩耗させる。
[0072] 本発明の一実施形態は、基板Ｗの屈曲の低減を達成することが予想される。本発明の一実施形態では、基板Ｗの中央部分ＷＰの下に、過圧（すなわち、第１の圧力ｐ１を周囲圧力よりも大きく増大させること）は適用されない。従って、基板Ｗの屈曲によるバールの摩耗は軽減する。
[0073] 別の比較例として、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２の双方を周囲圧力の方へ徐々に増大させることにより、基板Ｗをアンロードすることができる。図８は、そのような比較例に従って基板Ｗをアンロードする場合の異なる領域における時間と圧力との関係を示すグラフである。図８において、下方のラインは第２の圧力ｐ２を示し、上方のラインは第１の圧力ｐ１を示す。
[0074] 図７及び図８に示されているシーケンスは、基板Ｗの周辺部分ＷＰの下に加えられた真空を著しく低下させるまでは基板Ｗの中央部分Ｃの下に過圧を加えない。図７及び図８は、アンロードの最終段階で第１の圧力ｐ１を周囲圧力よりも大きく増大させ得ることを示す。過圧によって基板Ｗは傘の形状に変形する。これによって基板Ｗが外側のバールの上で滑る可能性がある。しかしながら、第１の圧力ｐ１が周囲圧力よりも大きくなるときには第２の圧力ｐ２は周囲圧力に極めて近いので、この滑りがバールに加える垂直力は最小限である。この結果、サポートテーブルＷＴのエッジにおけるバールの摩耗は低減する。しかしながら、図８に示されているシーケンスでは、液体メニスカス２３からの液体の望ましくない量が基板Ｗ及び／又はサポートテーブルＷＴ上に残る。
[0075] 本発明の一実施形態は、上述の比較例に対する改善を達成することが予想される。具体的に述べると、本発明の一実施形態は、アンロードプロセス中の基板Ｗのエッジにおける屈曲を回避しながら、シール部材２４の上へ戻っていく液体の量を低減させることが予想される。
[0076] 具体的に述べると、図８に示されているシーケンスでは、第２の圧力ｐ２を増大させるとすぐに液体はシール部材２４の上へ戻っていく。この結果、シール部材２４は濡れた状態を保つので、次の基板ＷがサポートテーブルＷＴに不必要に付着する。
[0077] 図７に示されているように、一実施形態において、コントローラ５００は、基板Ｗとシール部材２４との間に保持された液体の少なくとも一部を除去するように第２の圧力ｐ２を低下させながら第１の圧力ｐ１を増大させるよう適合されている。これは、図７において中央の時間期間の開始部分に示されている。第２の圧力ｐ２を低下させると同時に第１の圧力ｐ１を増大させる。この結果、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との圧力差はいっそう迅速に増大し、これによって液体メニスカス２３はいっそう迅速に除去される。これは、基板ＷをサポートテーブルＷＴからいっそう迅速にアンロードできるので、スループットが増大し得ることを意味する。
[0078] 図７に示されているように、一実施形態において、第２の圧力ｐ２は、第１の圧力ｐ１よりも後の時点で周囲圧力レベル（Ｙ軸上のゼロライン）に到達する。第２の圧力ｐ２は、サポートテーブルＷＴから基板Ｗをアンロードするプロセス全体を通して第１の圧力ｐ１よりも低く維持される。図７に示されているように、一実施形態において、第２の圧力ｐ２は、アンロードプロセス中に周囲圧力に対して第１の圧力ｐ１よりも低いレベルで加えられる。従って、アンロードプロセス全体を通して、液体は中央領域２１から第２のチャネル２７の方へ動かされる。この結果、シール部材２４の近傍の液体は中央領域２１から離れる方へ動かされる。例えば、液体を第２のチャネル２７を介して除去することにより、アンロードプロセスの終了後にサポートテーブルＷＴ上に残っている液体の量を低減させることができる。
[0079] 図９から図１２の各々は、本発明の一実施形態に従った真空システム４０を概略的に示す。図９から図１２に示されている真空システム４０を用いて、上述の圧力シーケンス（例えば図７に示されている圧力シーケンス）を実施することができる。
[0080] 真空システム４０は、基板Ｗを保持するためのサポートテーブルＷＴのためのものである。真空システム４０は、第１の圧力回路４３を含むフロー回路を備えている。第１の圧力回路４３は第１の真空圧力ライン４９を含む。第１の真空圧力ライン４９は、サポートテーブルＷＴを基板テーブル６５にクランプするためのものである（例えば図１５に示されているように）。一実施形態において、真空システム４０のフロー回路は第２の圧力回路４２を備えている。第２の圧力回路４２は、第２の真空圧力ライン４１及び第３の真空圧力ライン５４を含む。第３の真空圧力ライン５４は、基板ＷをサポートテーブルＷＴにクランプするように、基板Ｗの中央部分ＷＰの下にあるサポートテーブルＷＴの中央領域２１に第１の圧力ｐ１を加えるよう構成されている。例えば一実施形態において、第３の真空圧力ライン５４は第１のチャネル２６に接続されている。
[0081] 図１５に示されているように、一実施形態において、サポートテーブルＷＴは基板テーブル６５によって支持されている。サポートテーブルＷＴは、サポートテーブルＷＴと基板テーブル６５との間に周囲圧力よりも小さい圧力を加えることによって基板テーブル６５にクランプされる。一実施形態において、第２のポジショナ（図１に示されている）は基板テーブル６５を含む。一般に、サポートテーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。一実施形態において、ショートストロークモジュールは基板テーブル６５を含む。第１の圧力回路４３は、サポートテーブルＷＴを第２のポジショナＰＷにクランプするための圧力を加えるように構成されている。
[0082] 一実施形態において、真空システム４０のフロー回路は第２の圧力回路４２を含む。第２の圧力回路４２は、基板Ｗの周辺部分ＷＰの下にあるサポートテーブルＷＴの周辺領域２２に第２の圧力ｐ２を加えるよう構成されている。一実施形態において、第２の圧力回路４２は真空デバイスを含む。真空デバイスは、第２の圧力回路４２に圧力を供給するよう構成されている。
[0083] 図９から図１２の各々に示されているように、一実施形態において、第２の圧力回路４２は第２の真空圧力ライン４１を含む。例えば一実施形態において、第２の真空圧力ライン４１は、周辺領域２２に第２の圧力ｐ２を加えるように第２のチャネル２７に接続されている。一実施形態において、第２の圧力回路４２は、第２の圧力回路４２から分岐した第３の真空圧力ライン５０を含む。
[0084] 図９から図１２の各々に示されているように、真空システム４０のフロー回路は第１のフローコントローラ４４を含む。第１のフローコントローラ４４は、第２の真空圧力ライン４１における圧力を制御するように構成されている。例えば一実施形態において、第１のフローコントローラ４４は、開放及び閉鎖することができるバルブである。第１のフローコントローラ４４が開放された場合、第２の真空圧力ライン４１は第２の圧力回路４２の真空供給に接続される。
[0085] 図９から図１２の各々に示されているように、一実施形態において、真空システム４０のフロー回路は第２のフローコントローラ４５を含む。第２のフローコントローラ４５は、第４の真空圧力ライン５０における圧力を制御するように構成されている。例えば一実施形態において、第２のフローコントローラ４５は、開放及び閉鎖することができるバルブである。
[0086] 図９から図１１に示されている実施形態において、第２のフローコントローラ４５が開放された場合、第４の真空圧力ライン５０は第１の圧力回路４３と流体連通する。従って、第１のフローコントローラ４４及び第２のフローコントローラ４５を切り換えることにより、第２の真空圧力ライン４１における圧力は、第２の圧力回路４２の真空供給による供給から第１の圧力回路４３の真空供給による供給へ切り換えることができる。このため、第１のフローコントローラ４４及び第２のフローコントローラ４５を切り換えることによって第２の圧力ｐ２を制御できる。
[0087] 例えば一実施形態において、第１の圧力回路４３の真空供給は、第２の圧力回路４２の真空供給に比べて低い圧力（すなわち、より強力な真空）を提供する。従って、露光プロセスの間は、第１のフローコントローラ４４を開放すると共に第２のフローコントローラ４５を閉鎖することで、第２の圧力回路４２の真空供給によって第２の圧力ｐ２を制御する。アンロードプロセスが開始する直前に、第１のフローコントローラ４４を閉鎖すると共に第２のフローコントローラ４５を開放して、第２の圧力ｐ２を、圧力回路４３の真空供給によって供給される圧力まで低下させることができる。
[0088] サポートテーブルＷＴは真空圧によって基板テーブル６５にクランプされる。基板Ｗは真空圧によってサポートテーブルＷＴにクランプされる。一実施形態において、サポートテーブルＷＴと基板テーブル６５との間の領域に加えられる圧力は、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間の領域に加えられる圧力よりも低い。
[0089] 図９から図１２に示されている実施形態では、露光プロセスの間、第１の真空圧力ライン４９は、第２の真空圧力ライン４１又は第３の真空圧力ライン５４に比べて低い圧力を与えるように構成されている。第１の圧力回路４３は、第２の圧力回路４２よりも低い圧力（すなわち、より深い真空）を供給することができる。
[0090] 図９から図１２の各々に示されているように、一実施形態において、第２の真空圧力ライン４１は第３の真空圧力ライン５４に接続されている。第２の真空圧力ライン４１を第３の真空圧力ライン５４に接続するため、接続ライン５５が設けられている。同一の真空圧源が、第２の真空圧力ライン４１及び第３の真空圧力ライン５４の双方に負圧を供給する。例えば、露光プロセスの間、第２の圧力回路４２が第２の圧力ライン４１及び第３の真空圧力ライン５４の双方に負圧を供給する。（例えばアンロードプロセスのため）液体メニスカス２３を除去する必要がある場合、第２の圧力ライン４１及び第３の真空圧力ライン５４のための負圧源が切り換えられる。図９から図１１に示されている実施形態では、負圧源は第２の圧力回路４２から第１の圧力回路４３に切り換えられる。図１２に示されている実施形態では、負圧源は第２の圧力回路４２から第３の圧力回路６３に切り換えられる。
[0091] 図９から図１２に示されているように、一実施形態において、真空システム４０は第４のフローコントローラ５８を含む。第４のフローコントローラ５８は、周囲圧力から第３の真空圧力ライン５４への流れを制御するためのものである。例えば一実施形態において、第４のフローコントローラ５８は制限部（restriction）である。周囲圧力から第３の真空圧力ライン５４への流れは、第３の真空圧力ライン５４によって中央領域２１に提供される圧力を増大させる。その結果、中央領域２１に供給される第１の圧力ｐ１は、周辺領域２２に加えられる第２の圧力ｐ２よりも大きくなる。第４のフローコントローラ５８は、露光動作中に第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の差が所定範囲内に収まるように構成されている。
[0092] 図９から図１２に示されているように、一実施形態において、真空システム４０は第１の周囲圧力ライン５７を含む。第１の周囲圧力ライン５７は第３の真空圧力ライン５４と流体連通している。第４のフローコントローラ５８は第１の周囲圧力ライン５７に設けられている。第１の周囲圧力ライン５７は、第４のフローコントローラ５８を介して第３の真空圧力ライン５４に周囲圧力を接続する。
[0093] 図９から図１１に示されているように、一実施形態において、真空システム４０は第６のフローコントローラ５６を含む。第６のフローコントローラ５６は、第２の真空圧力ライン４１を第３の真空圧力ライン５４に接続する接続ライン５５に設けられている。第６のフローコントローラ５６は、第２の真空圧力ライン４１と第３の真空圧力ライン５４との間の流れを制御するように構成されている。例えば一実施形態において、第６のフローコントローラ５６は、流れを制限するよう構成された制限部である。一実施形態において、第６のフローコントローラ５６は、第３の真空圧力ライン５４から第２の真空圧力ライン４１への流れを制限する。これは、第２の真空圧力ライン４１と第３の真空圧力ライン５４との間の圧力差を保つために役立つ。上述のように、周囲圧力から第３の真空圧力ライン５４への流れも存在する。第６のフローコントローラ５６は、周囲圧力から第２の真空圧力ライン４１への流れを制限するように構成されている。
[0094] 図９から図１２に示されているように、一実施形態において、真空システム４０は第７のフローコントローラ５９を含む。第７のフローコントローラ５９は第３の真空圧力ライン５４に設けられている。第７のフローコントローラ５９は、第３の真空圧力ライン５４における圧力を制御するよう構成されている。一実施形態において、第７のフローコントローラ５９は開放及び閉鎖することができるバルブである。露光プロセスの間、第７のフローコントローラ５９は開放され、第１のフローコントローラ４４も開放される。第７のフローコントローラ５９を閉鎖することによって第１の圧力ｐ１を増大させることができる。
[0095] 図９から図１１の各々に示されているように、一実施形態において、真空システムは真空チャンバ４７を含む。真空チャンバ４７は第３のフローコントローラ４８の上流にある。第３のフローコントローラ４８は、真空チャンバ４７から第１の圧力回路４３への流れを制御するよう構成されている。図９及び図１０に示されているように、一実施形態において、第３のフローコントローラ４８は第４の真空圧力ライン５０にある。あるいは、図１１に示されているように、一実施形態において第３のフローコントローラ４８は第５の真空圧力ライン５１にある（これについては以下で更に詳しく説明する）。一実施形態において、第３のフローコントローラ４８は、真空チャンバ４７から第１の圧力回路４３の真空供給への連続流を制限するように構成された制限部を含む。
[0096] 第１のフローコントローラ４４が閉鎖されると共に第２のフローコントローラ４５が開放された場合、第２の真空圧力ライン４１は真空チャンバ４７と流体連通する。この結果、第２の圧力ｐ２は真空チャンバ４７内の圧力の方へ低下する。
[0097] 第２の圧力ｐ２のこの低下は、１秒未満、任意選択的に０．５秒未満、任意選択的に０．２秒未満、任意選択的に０．１秒未満、実行され得る。シール部材２４と基板Ｗとの間から液体メニスカス２３を除去するように、第２の圧力ｐ２を低下させる。
[0098] 第２の圧力ｐ２を低下させた後、図７に示されているように、第２の圧力を再び周囲圧力の方へ増大させる。このとき、第２のフローコントローラ４５を閉鎖すると共に、真空チャンバ４７内の圧力を再び第１の圧力回路４３の真空供給によって供給される圧力の方へ低下させることができる。
[0099] 第２のフローコントローラ４５を開放させた場合はいつでも、第２の真空圧力ライン４１によって与えられる負圧は増大する。これは、第２の圧力ｐ２が一時的に低下することを意味する。これが発生すると、第１の圧力回路４３内の真空圧力は迅速に増大する。これは、第１の圧力回路４３が第２の真空圧力ライン４１における高い真空圧力に露呈されるからである。第２の真空圧力ライン４１によって与えられる負圧の一時的な低下の後、第１の圧力回路４３によって供給される最初の真空レベルを回復させる。真空チャンバ４７は、真空圧力を蓄え、第２の真空圧力ライン４１によって与えられる負圧を増大させる場合にその蓄えた真空圧力を解放するためのものである。真空デバイスが真空チャンバ４７を含むように構成することによって、最初の真空レベルをいっそう迅速に回復させることができる。これは基板Ｗのスループットを増大させるために有用である。具体的に述べると、これは、第１の圧力回路４３によって供給される真空レベルを回復させるために必要である使用と使用との間の待機時間を短縮する。真空チャンバ４７内の真空レベルの回復は、他の真空レベルを妨げないように、測定及び露光プロセス中に（すなわち基板交換シーケンスと基板交換シーケンスとの間に）低い流量で実行できる。
[00100] 図１０から図１２の各々に示されているように、一実施形態において、真空システム４０は分離チャンバ６０を備えている。分離チャンバ６０は二相流を分離するためのものである。二相流は、液体と気体の双方を含む流れである。分離チャンバ６０は第２の圧力回路４２に設けられている。二相流は、第２の真空圧力ライン４１から（例えば第２のチャネル２７から）分離チャンバ６０内に入る。
[00101] 液体は、分離チャンバ６０から液体アウトレット６２を介して出力される。気体は、分離チャンバ６０からガスアウトレット６１を介して出力される。液体アウトレット６２は分離チャンバ６０の底部に位置決めされている。二相流からの液体は重力のため分離チャンバ６０の底部に集まる。図１０及び図１２に示されているように、一実施形態では、第１のフローコントローラ４４を開放させた場合、液体を分離チャンバ６０から抽出することができる。あるいは図１１に示されているように、一実施形態では、第４の真空圧力ライン５０に第５のフローコントローラ５２が設けられている。第５のフローコントローラ５２を開放させた場合、液体を分離チャンバ６０から抽出することができる。しかしながら、第１のフローコントローラ４４（図１０もしくは図１２を参照のこと）又は第５のフローコントローラ５２（図１１を参照のこと）を閉鎖させた場合、液体は分離チャンバ６０内に留まる。一実施形態において、第２の圧力ｐ２を低下させている場合（例えば第２のフローコントローラ４５を開放させた場合）、液体抽出は阻止される。次いで、第２のフローコントローラ４５を閉鎖させると共に第１のフローコントローラ４４を開放させると、液体抽出が復活する。これは、基板Ｗがアンロードされた後に実行される。
[00102] 分離チャンバ６０を設けることにより、第１の圧力回路４３へ出力される液体の量は低減するか又は無くなる。これによって、第１の圧力回路４３の要素は液体から保護される。第２の利点は、第１の圧力回路４３を単相流が流れることで、第１の真空圧力ライン４９における圧力がいっそう安定することである。これは、二相流が通常望ましくない圧力変動を生じるからである。
[00103] 分離チャンバ６０は、液体を抽出するために、ガス抽出に使用される真空レベルよりも深い真空レベルを必要としない。従って、最低圧力を有する第１の圧力回路４３にガスアウトレット６１を接続することができる（図１０及び図１１を参照のこと）。
[0100] 一実施形態において、分離チャンバ６０は、少なくとも１ミリリットル、任意選択的に少なくとも２ミリリットル、任意選択的に少なくとも５ミリリットルの容積を有する。一実施形態において、分離チャンバ６０は、最大で１０ミリリットル、任意選択的に最大で５ミリリットル、任意選択的に最大で２ミリリットルの容積を有する。
[0101] 図１０及び図１２に示されているように、分離チャンバ６０は第１のフローコントローラ４４及び第２のフローコントローラ４５の上流にある。図１０及び図１２に示されているように、一実施形態において、分離チャンバ６０は第２の真空圧力ライン４１及び第４の真空圧力ライン５０と流体連通している。
[0102] 第４の真空圧力ライン５０は分離チャンバ６０のガスアウトレット６１に接続されている。第１のフローコントローラ４４は分離チャンバ６０からの液体抽出を制御するように構成されている。第２のフローコントローラ４５は、アンロードプロセスの直前に使用される最低圧力に第２の真空圧力ライン４１が接続されるか否かを制御するように構成されている。
[0103] 一実施形態において、第２の真空圧力ライン４１は液体流（flow of liquid）のために構成され、第４の真空圧力ライン５０は気体流（flow of gas）のために構成されている（図１０及び図１２を参照のこと）。従って、第１のフローコントローラ４４を開放させた場合、液体は分離チャンバ６０から第２の真空圧力ライン４１内へ、更に第１のフローコントローラ４４を介して流れる。その間、第４の真空圧力ライン５０には実質的に液体は流れない。これは、分離チャンバ６０によって二相流から液体が分離されているからである。この結果、最低圧力を与える第１の圧力回路４３を乾燥状態に保つことができる。
[0104] 図９から図１２の各々に示されているように、一実施形態において、真空デバイス４６、４７は第２のフローコントローラ４５の下流にあり、第４の真空圧力ライン５０に圧力を与えるよう構成されている。第２のフローコントローラ４５を閉鎖させた場合、低い圧力は周辺領域２２に与えられない。第２のフローコントローラ４５を開放させた（かつ、第１のフローコントローラ４４を閉鎖させた）場合、低い圧力が周辺領域２２に与えられる。
[0105] 図９から図１１の各々に示されているように、一実施形態において、第４の真空圧力ライン５０は第１の圧力回路４３と流体連通している。これは、第１の圧力回路４３が、サポートテーブルＷＴを基板テーブル６５にクランプするため使用されるだけでなく、低い圧力をアンロードプロセスの直前に周辺領域２２に与え、露光プロセス中に真空チャンバ４７に与えるためにも使用され得ることを意味する。
[0106] 一実施形態において、第３のフローコントローラ４８は、第２の圧力回路４２から第１の圧力回路４３内への流れの量を制御するように構成されている（図９から図１１を参照のこと）。図９から図１１に示されている実施形態において、第３のフローコントローラ４８は、例えば露光及び測定動作中に真空チャンバ４７内の圧力を低速で低下させることを可能とする制限部である。
[0107] 図１２に示されているように、一実施形態において、真空デバイスはベンチュリポンプ４６を含む。ベンチュリポンプ４６はベンチュリ効果によって真空を生成する。一実施形態において、ベンチュリポンプ４６は、エジェクタジェットポンプ（ejector-jet pump）タイプの吸引器である。
[0108] 図１２に示されているように、一実施形態において、第４の真空圧力ライン５０は第３の圧力回路６３と流体連通している。第３の圧力回路６３は、ベンチュリポンプ４６によって生成された真空を有する。ベンチュリポンプ４６は、アンロードプロセスの前に第２の圧力ｐ２を低下させるのに必要な深真空を生成する代替的な方法である。ベンチュリポンプ４６は、小さい真空流のためにかなり小型とすることができる。一実施形態において、第３の圧力回路６３は圧縮乾燥空気の供給を含む。圧縮乾燥空気の供給はベンチュリポンプ４６に与えられ、これがベンチュリ効果を生じて真空を生成するようになっている。
[0109] 真空デバイスがベンチュリポンプ４６を含むように構成することによって、第１の圧力回路４３の真空供給は第２の圧力ｐ２を低下させることによる影響を受けない。
[0110] 一実施形態において、第３の圧力回路６３における圧縮乾燥空気の供給は、基板Ｗのアンロード中に基板Ｗの方へ空気を吹き付けるためにも使用できる。一実施形態において、圧縮乾燥空気は更にフローコントローラを活性化するために使用される。
[0111] 以下で、図１１の実施形態と図９及び図１０の実施形態との相違について特に説明する。図１１に示されているように、一実施形態では、真空チャンバ４７及び分離チャンバ６０を組み合わせることができる。一実施形態において、真空システム４０は第５の真空圧力ライン５１を含む。第５の真空圧力ライン５１は第４の真空圧力ライン５０から分岐している。第５の真空圧力ライン５１は、組み合わせた真空チャンバ４７及び分離チャンバ６０を第１の圧力回路４３に接続するためのものである。
[0112] 図１１に示されているように、一実施形態において、分離チャンバ６０は、第４の真空ライン５０において第２のフローコントローラ４５の下流にあると共に第５のフローコントローラ５２の上流にあり、第４の真空圧力ライン５０及び第５の真空圧力ライン５１と流体連通している。
[0113] 図１１に示されているように、一実施形態において、第４の真空圧力ライン５０は第２の圧力回路４２と流体連通しており、第５の真空圧力ライン５１は第１の圧力回路４３と流体連通している。
[0114] 一実施形態において、第４の真空圧力ライン５０は液体流及び気体流のために構成され、第５の真空圧力ライン５１は気体流のために構成されている。従って、第４の真空圧力ライン５０は二相流を入力するため分離チャンバ６０に接続されている。第４の真空圧力ライン５０の下流セクションは分離チャンバ６０の液体アウトレット６２に接続されている。第５の真空圧力ライン５１は分離チャンバ６０のガスアウトレット６１に接続されている。
[0115] 従って、図１１に示されているように一実施形態において、真空チャンバ４７は分離チャンバ６０を含む。真空システム４０は、第５の真空圧力ライン５１における圧力を制御するための第３のフローコントローラ４８を含む。この実施形態における第３のフローコントローラ４８は、図９及び図１０の実施形態における第３のフローコントローラ４８と同様に動作する。すなわち、第３のフローコントローラ４８は、真空チャンバ４７から第１の圧力回路４３の真空供給への連続流を制限するように構成された制限部を含む。
[0116] 一実施形態では、基板Ｗのアンロード中の任意の時点で、第２の圧力ｐ２は周囲圧力に対して第１の圧力ｐ１よりも低い圧力に構成されている。これは図７にも示されている。更に、基板Ｗのアンロード中の任意の時点で、第２の圧力ｐ２は低下するように構成されている。
[0117] 図９から図１２に示されている実施形態の各々では、第２の真空圧力ライン４１にどの真空源を接続するかを切り換えることにより、第２の真空圧力ライン４１によって供給される第２の圧力ｐ２を一時的に低下させることができる。この機能を必要としない２つの代替的な実施形態について、図１３及び１４を参照して説明する。
[0118] 図１３及び図１４の実施形態におけるコンポーネントのいくつかは、図９から図１２の実施形態におけるコンポーネントと同一である。これが当てはまる場合、これらの図面において同一の参照番号を使用し、詳細な説明は省略する。
[0119] 図１３に示されている実施形態では、第１の圧力回路４３に、第１の真空圧力ライン４９、第２の真空圧力ライン４１、及び第３の真空圧力ライン５４の各々が含まれている。第２の圧力回路４２は必要ない。第１の圧力回路４３は、サポートテーブルＷＴを基板テーブル６５にクランプするため深真空を与えるように構成されている。従って図１３の実施形態では、基板ＷとサポートテーブルＷＴとの間に加えられる圧力は、サポートテーブルＷＴと基板テーブル６５との間の領域に与えられる圧力にいっそう近いものとすることができる。これは、図９から図１２に示されている実施例において、サポートテーブルＷＴを基板テーブル６５にクランプするための圧力の方が基板ＷをサポートテーブルＷＴにクランプするための圧力よりも著しく小さいのとは異なる。
[0120] アンロードプロセスの間、第７のフローコントローラ５９を閉鎖させる。これによって、中央領域２１に加えられる第１の圧力ｐ１は周囲圧力の方へ増大する。これは第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の差を増大させる。この差が充分に大きい場合、メニスカス２３の液体の少なくとも一部が除去される。続いて、第１のフローコントローラ４４を閉鎖させる。これによって第２の圧力ｐ２は周囲圧力の方へ増大する。その後、基板ＷをサポートテーブルＷＴから持ち上げることが可能となる。
[0121] 従って、図１３の実施形態を用いたアンロードプロセスは、図８に示したものと同様のパターンに従うことができる。しかしながら、第２の真空圧力ライン４１及び第３の真空圧力ライン５４は、第１のプレッサ回路４３のいっそう深い真空源に接続されている。この結果、第７のフローコントローラ５９を閉鎖させた場合、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差を増大させることができる。この圧力差の増大は、基板Ｗの裏側及びシール部材２４上に残っている液体が低減するようにメニスカス２３を除去するのに役立つ。
[0122] 図１４に示されているように、一実施形態では、第１の圧力回路４３に第３の真空圧力ライン５４が含まれている。従って、露光プロセスの間、中央領域２１には第１の圧力ｐ１として深真空が与えられる。図１４に示されているように、一実施形態では第２の圧力回路４２が設けられている。第２の圧力４２は第２の真空圧力ライン４１を含む。図９から図１２に示されている実施形態では、第１の圧力回路４３は第２の圧力回路４２よりも深い真空を与えるように構成されている。しかしながら、図１４の実施形態では、第２の圧力回路４２は第１の圧力回路４３と同様の深さの真空を与えるように構成されている。これにより、露光プロセス中、第１の圧力ｐ１（第３の真空圧力ライン５４によって与えられる）と第２の圧力ｐ２（第２の真空圧力ライン４１によって与えられる）との間の圧力差を小さくすることができる。シール部材２４上にシールを形成するため、露光プロセス中の圧力差は小さいことが望ましい。露光プロセス中の圧力差が大きすぎる場合、シールを形成する液体が除去されるので、シールが存在しなくなる。
[0123] アンロードプロセス中、第１の圧力ｐ１が増大するように第７のフローコントローラ５９を閉鎖させる。これによって第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差が増大するので、メニスカス２３が除去される。この後、第１のフローコントローラ４４を閉鎖させるので、第２の圧力ｐ２は周囲圧力の方へ増大する。その後、基板ＷをサポートテーブルＷＴから除去することが可能となる。
[0124] 図１４に示されている実施形態において、露光プロセス中、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２の双方は深真空に対応する。このため、第７のフローコントローラ５９を閉鎖させた場合、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間に大きい圧力差が生じる。メニスカス２３を除去するため、また、アンロードプロセス後に基板Ｗ及び／又はサポートテーブルＷＴ上に残っている液体の量を低減させるように、この圧力差を充分に大きくすることができる。
[0125] 図１６は、アンロードプロセスの実行前及び実行中の異なる領域における時間と圧力との関係を示すグラフである。一点鎖線で形成された下方のラインは、アンロードプロセス中の周辺領域２２における第２の圧力ｐ２を示す。破線で形成された上方のラインは、アンロードプロセス中の中央領域２１における第１の圧力ｐ１を示す。
[0126] 図１６に示されている圧力変動は概略に過ぎず、アンロードプロセスの実行前及び実行中に第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２がどのように変動するかの一例を表す。しかしながら、本発明は図１６に示されているような特定の形態のラインに限定されない。
[0127] 図１６に示されているように、一実施形態において、コントローラ５００は第１の圧力ｐ１を周囲圧力の方へ増大させるように適合されている。図１６に示されているように、コントローラ５００は更に、第１の圧力ｐ１を周囲圧力の方へ増大させると同時に第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させるように適合されている。一実施形態において、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させる間、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差は実質的に一定のままである。
[0128] 第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させた後、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２は実質的に一定のレベルに到達する。これを定常状態と呼ぶことができる。定常状態において、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差は露光プロセス中の圧力差と実質的に等しい。
[0129] 一実施形態において、コントローラ５００は、基板Ｗとシール部材２４との間に保持された液体の少なくとも一部が除去されるように、第２の圧力ｐ２を低下させるよう適合されている。これは図１６において、定常状態値の終了時に第２の圧力ｐ２が低下する箇所に示されている。
[0130] これが実行されるのは、基板ＷをサポートテーブルＷＴから除去する前である。従って、基板ＷがサポートテーブルＷＴのバール上に支持された状態のままであるときに、第２の圧力ｐ２を低減させる。この時点で、すなわち基板Ｗをアンロードする前に、液体メニスカス２３からの液体の少なくとも一部が除去される。液体は第２のチャネル２７を介して除去することができる。
[0131] 一実施形態では、基板Ｗを隆起させるように中央領域２１に過圧が加えられる。基板Ｗが隆起すると、基板Ｗの形状は変形して上下逆さの椀形（bowl shape）になる。基板Ｗが隆起すると、基板Ｗは中央領域２１のバールと接触しなくなる。しかしながら、基板Ｗは周辺部でサポートテーブルＷＴとの接触を維持する。基板Ｗの隆起は、シール部材２４と基板Ｗとの間のギャップを広げるのに役立つ。シール部材２４と基板Ｗとの間のギャップ拡大は、基板Ｗとシール部材２４との間に保持された液体を除去するのに役立つ。本発明の一実施形態は、基板Ｗとシール部材２４との間から排出される液体量を増大させることが予想される。
[0132] 一実施形態では、第２の圧力ｐ２を低下させる前に、基板Ｗを隆起させるように中央領域２１に過圧が加えられる。第２の圧力ｐ２を低下させるのは、シール部材２４と基板Ｗとの間のギャップを拡大させた後である。第２の圧力ｐ２を低下させると、シール部材２４と基板Ｗとの間から、より多い液体量を除去することができる。
[0133] 図１６は、中央領域２１に過圧が加えられることを示す。これは図１６において、楕円形の境界線で強調されたセクションに示されている。図１６の強調した楕円形のセクションに示されているように、第１の圧力ｐ１は周囲圧力よりも大きく増大させる。過圧を加えた後まもなく基板Ｗは隆起する。
[0134] 図１６に示されているように、一実施形態において、第１の圧力ｐ１が実質的に一定であり、かつ、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差が露光圧力中と実質的に等しい場合、第１の圧力ｐ１を周囲圧力の方へ増大させるステップの後の任意の時点で、過圧が加えられる。第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２が定常状態であるときに過圧が加えられる。定常状態において、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２は所定の既知の値を有する。これらの値は、以下で更に詳しく説明するように制御できる。従って、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２（及びそれらの差）が既知の値を有する時点で、基板Ｗを隆起させるように中央領域２１に過圧が加えられる。これらの既知の値は、露光プロセス中の第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２よりも周囲圧力に近い。言い換えると、定常状態においてクランプ圧力は大幅に低下する。クランプ圧力が大幅に低下しているときに、過圧が加えられる。
[0135] 過圧が加えられると、基板Ｗは隆起する。基板Ｗが隆起すると、基板ＷのエッジはサポートテーブルＷＴ上の最も外側のバール上で滑る。この滑りによってバールの摩耗が生じる可能性がある。しかしながら、この滑りが発生するのはクランプ圧力が大幅に低下しているときである。このため、外側バールを摩耗させる可能性のある摩擦エネルギは大幅に低減する。バールを摩耗させる可能性のある摩擦力は、滑りが発生するときのクランプ力に正比例する。
[0136] 本発明に従って、基板Ｗの隆起が発生するときを制御することができる。隆起は、基板Ｗの変形が完了して基板Ｗの形状が変化しなくなり上下逆さの椀形になったときに発生すると考えられる。本発明の一実施形態は、サポートテーブルＷＴの外側のバールの摩耗の低減を達成すると予想される。
[0137] 図１７は、比較例に従った、アンロードプロセス中の異なる領域における時間と圧力との間の関係を示すグラフである。この比較例では、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の圧力差が増大している任意の時点で、中央領域２１に過圧が加えられる。基板Ｗの周辺部をクランプしている第２の圧力ｐ２が図１６に示した実施形態に比べて小さい任意の時点で、中央領域２１に過圧が加えられる。この結果、本発明におけるよりも大きいクランプ圧力が存在する任意の時点で基板Ｗが隆起する。これは、基板ＷのエッジがサポートテーブルＷＴの外側バールの上で滑った場合、外側バールを摩耗させる可能性のあるいっそう大きい力が存在することを意味する。これは、中央領域２１に過圧が加えられる時点で、より大きいクランプ圧力があるからである。
[0138] 図１６に示されているように、コントローラ５００は、アンロードプロセス中に第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させるように適合されている。具体的には、液体の一部を除去するように第２の圧力ｐ２を低減させた後、第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させる。第２の圧力ｐ２を周囲圧力の方へ増大させることによって、基板ＷをサポートテーブルＷＴから除去できるようにクランプ圧力が低減される。
[0139] 図１８は、本発明の一実施形態に従った真空システム４０を概略的に示す。図１８に示されている真空システム４０を用いて、上述の圧力シーケンス（図１６に示されている圧力シーケンス）を実施することができる。
[0140] 真空システム４０は、基板Ｗを保持するためのサポートテーブルＷＴのためのものである。真空システム４０は、第１の圧力回路４３を含むフロー回路を備えている。第１の圧力回路４３は第１の真空圧力ライン４９を含む。第１の真空圧力ライン４９は、サポートテーブルＷＴを基板テーブル６５にクランプするためのものである。
[0141] 一実施形態において、真空システム４０のフロー回路は第２の圧力回路４２を備えている。第２の圧力回路４２は、第２の真空圧力ライン４１及び第３の真空圧力ライン５４を含む。第３の真空圧力ライン５４は、基板ＷをサポートテーブルＷＴにクランプするように、中央領域２１に第１の圧力ｐ１を加えるよう構成されている。第２の真空圧力ライン４１は、第２の圧力ｐ２を周辺領域２２に加えるように、第２のチャネル２７に接続されている。
[0142] 図１８から図２２の実施形態におけるコンポーネントのいくつかは、図９から図１４の実施形態におけるコンポーネントと同一である。これが当てはまる場合、これらの図面において同一の参照番号を使用し、詳細な説明は省略する。
[0143] 図１８に示されているように、一実施形態において、真空システム４０は第６のフローコントローラ５６を含む。第２の真空圧力ライン４１は、第６のフローコントローラ５６を介して第３の真空圧力ライン５４に接続されている。第６のフローコントローラ５６は、第２の真空圧力ライン４１と第３の真空圧力ライン５４との間の流れを制御するように構成されている。
[0144] 第１の周囲圧力ライン５７は、周囲圧力から第３の真空圧力ライン５４への流れを与える。第６のフローコントローラ５６は、周囲圧力から第２の真空圧力ライン４１への流れを制限するよう構成されている。これは、第２の真空圧力ライン４１と第３の真空圧力ライン５４との間の圧力差を保持するのに役立つ。第２の真空圧力ライン４１と第３の真空圧力ライン５４との間の圧力差（すなわち小さい圧力差）を保持することによって、シール部材２４と基板Ｗとの間に液体を保持することができる。あるいは、第２の真空圧力ライン４１と第３の真空圧力ライン５４との間に小さい圧力差を維持できない場合、液体が不必要に除去されることにより、例えば露光プロセス中にシールを破壊するリスクが増大する。
[0145] 図１８に示されているように、一実施形態において、真空システム４０は第２の周囲圧力ライン８１を含む。第２の周囲圧力ライン８１は、第２の真空圧力ライン４１を周囲圧力に流体接続する。第８のフローコントローラ８２は、周囲圧力から第２の真空圧力ライン４１への流れを制御するよう構成されている。例えば一実施形態において、第８のフローコントローラ８２は、流れを制限するように構成された制限部である。
[0146] 一実施形態において、真空システム４０は第９のフローコントローラ８３を含む。第９のフローコントローラ８３は、開放及び閉鎖することができるバルブである。露光プロセス中、第９のフローコントローラ８３は閉鎖されている。しかしながら、第９のフローコントローラ８３はアンロードプロセスのために開放される。
[0147] 上記に記載され、図１６に示されているように、基板Ｗをアンロードする前、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２を共に周囲圧力の方へ増大させる（すなわち、第１の圧力ｐ１と第２の圧力ｐ２との間の小さい圧力差を維持する）。第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２はそれらの定常状態値まで増大される。これは、第９のフローコントローラ８３を開放することによって達成される。第９のフローコントローラ８３が開放された場合、第２の真空圧力ライン４１は第８のフローコントローラ８２を介して第２の周囲圧力ライン８１に沿って周囲圧力に接続される。これにより、周囲圧力から第２の真空圧力ライン４１への流れが可能となる。これは第２の圧力ｐ２を増大させる。同時に、第２の真空圧力ライン４１における圧力増大は、第１の圧力ｐ１が同じ割合で増大するように第３の真空圧力ライン５４における圧力を増大させる。
[0148] 第９のフローコントローラ８３が開放した状態では、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２は、定常状態値に達するまで周囲圧力の方へ増大し続ける。定常状態値は第８のフローコントローラ８２の構成に応じて異なる。第８のフローコントローラ８２によって周囲圧力から第２の真空圧力ライン４１へ可能となる流れが大きくなればなるほど、定常状態値は周囲圧力に近付く。従って、第８のフローコントローラ８２の制限部におけるオリフィスの大きさを選択することにより、第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２の定常状態値を制御することができる。一実施形態において、第１の圧力ｐ１の定常状態値は、周囲圧力よりも約１ｋＰａ～約２０ｋＰａ低い範囲内である。任意選択的に、第１の圧力ｐ１の定常状態値は、周囲圧力よりも約５ｋＰａ～約１０ｋＰａ低い範囲内である。
[0149] 図１８に示されているように、真空システム４０には、バルブ（すなわち第９のフローコントローラ８３）を有するブリード（bleed）（すなわち第８のフローコントローラ８２を有する第２の周囲圧力ライン８１）が備えられている。正常なクランプ動作では、基板Ｗを完全にクランプするため、（確実に第９のフローコントローラ８３を閉鎖することによって）ブリードは閉鎖される。基板Ｗのアンロードの間、（第９のフローコントローラ８３を開放することによって）ブリードを開放して、基板Ｗのためのクランプ圧力を低減させる。一度、定常状態で低減クランプ圧力を達成したら、基板Ｗが隆起するように中央領域２１に過圧を供給する。基板Ｗのエッジにおけるクランプが定常状態の低減レベルにある間に、基板Ｗのエッジは外側バール上で滑る。これにより、外側バールの摩擦エネルギは低減する。
[0150] 認められるように、上述の特徴部は他の実施形態と共に使用することができる。例えば図１６は、第２の圧力ｐ２を、露光動作中（すなわち図１６のグラフの一番左側）とほぼ同じレベルまで低減させることを示す。しかしながら、第２の圧力ｐ２は、露光プロセス中よりも低いレベルまで低下させてもよい。これは、シール部材２４と基板Ｗとの間から液体を除去するのに役立つ。これは、例えば図１９から図２２のいずれかに示されるような真空システム４０を用いて達成できる。
[0151] 図１９は、第２の周囲圧力ライン８１、第８のフローコントローラ８２、及び第９のフローコントローラ８３が、図９に示す真空システム４０に適用されている真空システム４０を概略的に示す。第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２をそれらの定常状態値（すなわち低減クランプ圧力）まで増大させるように、第９のフローコントローラ８３を開放させる。次いで、基板Ｗを変形させて隆起形状を形成するように、中央領域２１に過圧が加えられる。一度隆起したら、第２の圧力ｐ２を露光プロセス中よりも低いレベルまで低減させるように、第２のフローコントローラ４５を開放させる。隆起が実施されたら、第２の真空圧力ライン４１から第３の真空圧力ライン５４を切断する。例えば、第６のフローコントローラ５６を閉鎖させればよい。第６のフローコントローラ５６は可変制限部としてもよい。
[0152] 図２０は、第２の周囲圧力ライン８１、第８のフローコントローラ８２、及び第９のフローコントローラ８３が、図１０に示す真空システム４０に適用されている真空システム４０を概略的に示す。第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２をそれらの定常状態値（すなわち低減クランプ圧力）まで増大させるように、第９のフローコントローラ８３を開放させる。次いで、基板Ｗを変形させて隆起形状を形成するように、中央領域２１に過圧が加えられる。一度隆起したら、第２の圧力ｐ２を露光プロセス中よりも低いレベルまで低減させるように、第２のフローコントローラ４５を開放させる。
[0153] 図２１は、第２の周囲圧力ライン８１、第８のフローコントローラ８２、及び第９のフローコントローラ８３が、図１１に示す真空システム４０に適用されている真空システム４０を概略的に示す。第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２をそれらの定常状態値（すなわち低減クランプ圧力）まで増大させるように、第９のフローコントローラ８３を開放させる。次いで、基板Ｗを変形させて隆起形状を形成するように、中央領域２１に過圧が加えられる。一度隆起したら、第２の圧力ｐ２を露光プロセス中よりも低いレベルまで低減させるように、第２のフローコントローラ４５を開放させる。
[0154] 図２２は、第２の周囲圧力ライン８１、第８のフローコントローラ８２、及び第９のフローコントローラ８３が、図１２に示す真空システム４０に適用されている真空システム４０を概略的に示す。第１の圧力ｐ１及び第２の圧力ｐ２をそれらの定常状態値（すなわち低減クランプ圧）まで増大させるように、第９のフローコントローラ８３を開放させる。次いで、基板Ｗを変形させて隆起形状を形成するように、中央領域２１に過圧が加えられる。一度隆起したら、第２の圧力ｐ２を露光プロセス中よりも低いレベルまで低減させるように、第２のフローコントローラ４５を開放させる。
[0155] 認められるように、上述の特徴部の任意のものを他の任意の特徴部と共に使用することができ、本出願に包含されるのは明示的に記載された組み合わせだけではない。例えば、本発明の一実施形態を図３の例に適用することも可能である。
[0156] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及できるが、本明細書におけるリソグラフィ装置は、マイクロスケール又はナノスケールのコンポーネントやフィーチャの製造における他の用途を有し得ることを理解するべきである。他の用途の例として、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造が挙げられる。
[0157] 文脈上許される場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実施することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読み取られて実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令として実施することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）によって読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含み得る。例えば機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響、又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号等）、及び他のものを含み得る。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、本明細書において特定のアクションを実行するものとして記載され得る。しかしながら、そのような記載は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは実際には、コンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスが、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行することによって生じ、実行する際、アクチュエータ又は他のデバイスが物質世界と相互作用し得ることは認められよう。
[0158] 本発明の具体的な実施形態を上述したが、本発明は記載したもの以外でも実施され得ることは認められよう。上記の記載は限定でなく例示を意図している。従って、以下に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明に対して変更を加え得ることは、当業者には明らかであろう。

Claims (10)

  1. リソグラフィ装置のための真空システムであって、
    前記リソグラフィ装置の基板テーブルにサポートテーブル（ＷＴ）をクランプするよう構成された第１の真空圧力ライン（４９）であって、前記サポートテーブルは物体（Ｗ）を保持するよう構成される、第１の真空圧力ライン（４９）と、
    露光プロセス中に二相流を抽出するように、前記物体（Ｗ）の周辺部の下にある前記サポートテーブル（ＷＴ）の周辺領域に第２の圧力を加えるよう構成された第２の真空圧力ライン（４１）と、
    前記物体（Ｗ）を前記サポートテーブル（ＷＴ）にクランプするように、前記物体（Ｗ）の中央部の下にある前記サポートテーブル（ＷＴ）の中央領域に第１の圧力を加えるよう構成された第３の真空圧力ライン（５４）と、
    前記第２の真空圧力ライン（４１）を前記第３の真空圧力ライン（５４）に接続する接続ライン（５５）と、
    を備え、
    前記真空システムは、周囲圧力から前記第３の真空圧力ライン（５４）への流れを与えるよう構成された周囲圧力ライン（５７）を更に備え、前記周囲圧力ライン（５７）は、前記接続ライン（５５）と流体連通する、真空システム。
  2. 前記第２の真空圧力ライン（４１）における圧力を制御するよう構成された第１のフローコントローラ（４４）を更に備える、請求項１に記載の真空システム。
  3. 前記第１のフローコントローラ（４４）は、前記接続ライン（５５）の下流にある、請求項２に記載の真空システム。
  4. 前記第３の真空圧力ライン（５４）における圧力を制御するよう構成された第２のフローコントローラ（５９）を更に備える、請求項１から３のいずれかに記載の真空システム。
  5. 前記第２のフローコントローラ（５９）は、前記周囲圧力ライン（５７）の下流にある、請求項４に記載の真空システム。
  6. 前記接続ラインにおける流れを制御するよう構成された第３のフローコントローラを更に備える、請求項１から５のいずれかに記載の真空システム。
  7. 前記第３のフローコントローラは、流れを制限する制限部を含み、前記周囲圧力ラインは、前記制限部の下流で前記接続ラインに接続される、請求項６に記載の真空システム。
  8. 前記第２の真空圧力ラインは、真空供給に接続される、請求項１から７のいずれかに記載の真空システム。
  9. 前記第２の真空圧力ラインは、前記物体のアンロード中に前記物体の方へ空気を吹き付けるように、圧縮空気が供給される、請求項１から８のいずれかに記載の真空システム。
  10. リソグラフィ装置における基板を支持するよう構成されたサポートテーブルであって、
    前記基板を支持するよう配列された複数の突起と、
    前記基板の中央部の下にある前記サポートテーブルの中央領域に第１の圧力を加えるための第１のチャネルと、
    前記基板の周辺部の下にある前記サポートテーブルの周辺領域に第２の圧力を加えるための第２のチャネルと、
    前記サポートテーブルの上面において半径方向で前記第１のチャネルと前記第２のチャネルとの間に位置決めされ、前記物体の方へ突出する第１のシール部材と、
    前記上面において前記第２のチャネルの半径方向外側に位置決めされ、前記物体の方へ突出する第２のシール部材と、
    を備え、
    前記第1のチャネル及び前記第２のチャネルは、請求項１から９のいずれかに記載の真
    空システムと流体連通する、サポートテーブル。
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