JP7467586B2 - Memsセンサ - Google Patents
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Description
バックチャンバが貫通するベースと、
前記ベースに接続され、前記バックチャンバを覆う振動膜であって、対向して設けられる第1ダイアフラム及び第2ダイアフラムを含み、前記第1ダイアフラムと前記第2ダイアフラムとの間に収容空間が形成される振動膜と、
前記収容空間内に設けられ、且つその対向する両端が前記第1ダイアフラム及び前記第2ダイアフラムにそれぞれ接続される支持部材と、
前記収容空間内に設けられ、且つ前記第1ダイアフラム及び第2ダイアフラムと間隔を隔てて設けられる対向電極とを含み、
前記振動膜には、複数の通風溝が間隔を隔ててリング状で設けられ、前記通風溝は、前記第1ダイアフラム、前記支持部材及び第2ダイアフラムを順次貫通し、
前記第1ダイアフラム及び前記第2ダイアフラムは、いずれも導電部及び非導電部を含み、前記導電部は、前記前記第1ダイアフラム及び前記第2ダイアフラムの中心から前記振動膜のエッジへ延在し、且つ前記通風溝まで延在していない。
図1~図3に示すように、図1は、本発明の実施例1に係るMEMSセンサの斜視図であり、図2は、本発明の実施例1に係るMEMSセンサの平面図であり、図3は、本発明の実施例1に係る電極領域の取り付け位置模式図であり、本発明の実施例1は、MEMSセンサを提供し、ベース10、振動膜20、支持部材30及び対向電極40を含み、
バックチャンバ11は、ベース10を貫通し、好ましくは、バックチャンバ11の内輪郭面は、円形溝構造である。
図9に示すように、図9は、本発明の実施例2に係るMEMSセンサの平面図であり、本発明の実施例2は、MEMSセンサを提供し、当該MEMSセンサは、ベース10、振動膜20、支持部材30及び対向電極40を含み、
バックチャンバ11は、ベース10を貫通し、好ましくは、バックチャンバ11の内輪郭面は、円形溝構造である。
11 バックチャンバ
20 振動膜
21 電極領域
211 スルーホール
22 第1ダイアフラム
221 第1突起
23 第2ダイアフラム
231 第2突起
24 収容空間
25 通風溝
26 導電部
27 非導電部
30 支持部材
31 支持リング
32 第1円弧状部
33 第1切り欠き
34 第2円弧状部
35 第2切り欠き
40 対向電極
50 導線
Claims (10)
- MEMSセンサであって、
バックチャンバが貫通するベースと、
前記ベースに接続され、前記バックチャンバを覆う振動膜であって、対向して設けられる第1ダイアフラム及び第2ダイアフラムを含み、前記第1ダイアフラムと前記第2ダイアフラムとの間に収容空間が形成される振動膜と、
前記収容空間内に設けられ、且つその対向する両端が前記第1ダイアフラム及び前記第2ダイアフラムにそれぞれ接続される支持部材と、
前記収容空間内に設けられ、且つ前記第1ダイアフラム及び第2ダイアフラムと間隔を隔てて設けられる対向電極とを含み、
前記振動膜には、複数の通風溝が間隔を隔ててリング状で設けられ、前記通風溝は、前記第1ダイアフラム、前記支持部材及び第2ダイアフラムを順次貫通し、
前記第1ダイアフラム及び前記第2ダイアフラムは、いずれも導電部及び非導電部を含み、前記導電部は、前記振動膜の中心から前記振動膜のエッジへ延在し、且つ前記通風溝まで延在していないことを特徴とするMEMSセンサ。 - 前記導電部は、前記非導電部に積層される電極領域であり、前記非導電部は、絶縁膜であり、又は前記非導電部の導電率は、前記導電部の導電率よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記導電部は、半導体材料に導電性イオンをドープすることで形成され、前記非導電部は、導電性イオンをドープしない半導体材料によって形成されることを特徴とする請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記電極領域は、前記第1ダイアフラムと前記第2ダイアフラムとの前記収容空間に向かう側に設けられ、又は前記電極領域は、前記第1ダイアフラムと前記第2ダイアフラムとの前記収容空間から離れる側に設けられていることを特徴とする請求項2に記載のMEMSセンサ。
- 前記MEMSセンサは、外部回路に接続されるパッドと、前記導電部と前記パッドとを接続するリードとを更に含み、前記リードは、前記通風溝を避けて設けられていることを特徴とする請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記第1ダイアフラムは、前記収容空間に向かって突出する複数の第1突起を含み、前記第2ダイアフラムは、前記収容空間に向かって突出する複数の第2突起を含み、前記第1突起と前記第2突起との間は、前記支持部材によって接続されることを特徴とする請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 前記導電部は、前記非導電部に積層される電極領域であり、前記電極領域には、複数のスルーホールが設けられ、複数のスルーホール、複数の前記第1突起及び複数の前記第2突起は、いずれも一対一に対応していることを特徴とする請求項6に記載のMEMSセンサ。
- 前記支持部材は、同心に設けられる支持リングを含み、複数の前記支持リングは、前記振動膜の円心を中心として前記振動膜の径方向に沿って間隔を隔てて設けられ、各前記支持リングは、いずれも同心に設けられる複数の第1円弧状部で構成され、複数の前記第1円弧状部は、間隔を隔ててリング状で設けられ、隣接する2つの前記第1円弧状部の間には、第1切り欠きが形成されることを特徴とする請求項1に記載のMEMSセンサ。
- 隣接する2つの前記支持リング内の複数の前記第1切り欠きの位置は、いずれも一対一に対応し、且つ、前記振動膜の径方向に沿って、複数の前記支持リング内の前記第1切り欠きの弧長は、徐々に増加することを特徴とする請求項8に記載のMEMSセンサ。
- 前記振動膜のエッジに近接する少なくとも1つの前記支持リングにおいて、前記第1円弧状部は、同心に設けられる複数の第2円弧状部で構成され、複数の前記第2円弧状部は、間隔を隔ててリング状で設けられ、隣接する2つの前記第2円弧状部の間には、第2切り欠きが形成されることを特徴とする請求項8に記載のMEMSセンサ。
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