JP7467146B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法、並びに、表示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 80
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 44
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
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- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
発光部、
同一基板上に発光部と共に配置された半導体素子、及び、
発光部の上方に形成された光導波路、
を備え、
光導波路は、
発光部の上に光路として形成されたコア層、及び、
コア層の周囲に形成されたクラッド層、
を有する。
同一基板上に、発光部及び半導体素子を配置した状態で、発光部及び半導体素子を覆うように保護層を形成し、
次いで、保護層の発光部の上方を除去して凹部を形成した後、保護層の上にクラッド層を成膜し、
次いで、クラッド層について凹部の周壁に沿って環状に残存させた後、保護層の上にコア層を成膜し、
次いで、コア層について光路として機能する部分だけを残存させる。
発光装置を含む画素が配置されて成り、
発光装置は、
発光部、
同一基板上に発光部と共に配置された半導体素子、及び、
発光部の上方に形成された光導波路、
を備え、
光導波路は、
発光部の上に光路として形成されたコア層、及び、
コア層の周囲に形成されたクラッド層、
を有する。
1.本開示の発光装置及びその製造方法、並びに、表示装置、全般に関する説明
2.本開示の第1実施形態に係る発光装置
2-1.第1実施形態に係る発光装置の実装構造
2-2.第1実施形態に係る発光装置の製造フロー
3.本開示の第2実施形態に係る発光装置
3-1.第2実施形態に係る発光装置の実装構造
3-2.第2実施形態に係る発光装置の製造フロー
4.本開示の実施形態に係る表示装置
5.変形例
6.本開示がとることができる構成
本開示の発光装置及びその製造方法、並びに、表示装置にあっては、クラッド層の屈折率について、コア層の屈折率よりも低い構成とすることができる。
[第1実施形態に係る発光装置の実装構造]
第1実施形態に係る発光装置は、発光ダイオード(LED)等の発光素子を用いて発光部を構成する自発光装置である。図1は、本開示の第1実施形態に係る発光装置の実装構造の断面を模式的に示す断面図である。
次に、第1実施形態に係る発光装置10Aの製造方法(製造フロー)について、図3の工程図(その1)、図4の工程図(その2)、及び、図5の工程図(その3)を用いて説明する。
[第2実施形態に係る発光装置の実装構造]
第2実施形態に係る発光装置も、第1実施形態に係る発光装置と同様に、自発光装置である。図6は、本開示の第2実施形態に係る発光装置の実装構造の断面を模式的に表す断面図である。
次に、第2実施形態に係る発光装置10の製造方法(製造フロー)について、図8の工程図(その1)、図9の工程図(その2)、及び、図10の工程図(その3)を用いて説明する。
図11は、本開示の実施形態に係る表示装置の構成の概略を示す斜視図である。本開示の実施形態に係る表示装置100は、基板110上に多数の画素120が行列状に2次元配置されて成るフラットパネルの表示装置であり、例えば、ビルの内外の壁面等に取り付けて用いられる大画面の表示装置である。
以上、本開示に係る技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示に係る技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した発光素子及び表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
[A-1]発光部、
同一基板上に発光部と共に配置された半導体素子、及び、
発光部の上方に形成された光導波路、
を備え、
光導波路は、
発光部の上に光路として形成されたコア層、及び、
コア層の周囲に形成されたクラッド層、
を有する、
発光装置。
[A-2]クラッド層の屈折率は、コア層の屈折率よりも低い、
上記[A-1]に記載の発光装置。
[A-3]発光部の周壁を覆う外壁コア層を有する、
上記[A-2]に記載の発光装置。
[A-4]外壁コア層の屈折率は、発光部及び半導体素子を覆う保護層の屈折率よりも高い、
上記[A-3]に記載の発光装置。
[A-5]外壁コア層は、発光部の上のコア層と同じ材料で形成されている、
上記[A-4]に記載の発光装置。
[A-6]発光部及び半導体素子を覆う保護層の上に成膜された遮光膜を有する、
上記[A-1]乃至上記[A-5]のいずれかに記載の発光装置。
[A-7]半導体素子は、発光部を駆動する駆動ICである、
上記[A-1]乃至上記[A-6]のいずれかに記載の発光装置。
[B-1]同一基板上に、発光部及び半導体素子を配置した状態で、発光部及び半導体素子を覆うように保護層を形成し、
次いで、保護層の発光部の上方を除去して凹部を形成した後、保護層の上にクラッド層を成膜し、
次いで、クラッド層について凹部の周壁に沿って環状に残存させた後、保護層の上にコア層を成膜し、
次いで、コア層について光路として機能する部分だけを残存させる、
発光装置の製造方法。
[B-2]保護層を形成する前に、発光部の側壁を覆うように外壁コア層を形成し、
しかる後、発光部及び半導体素子を覆うように保護層を形成し、
次いで、保護層の発光部の上方を除去して凹部を形成した後、保護層の上にクラッド層を成膜し、
次いで、クラッド層について凹部の周壁に沿って環状に残存させた後、保護層の上にコア層を成膜し、
次いで、コア層について光路として機能する部分だけを残存させる、
上記[B-1]に記載の発光装置の製造方法。
[C-1]発光装置を含む画素が配置されて成り、
発光装置は、
発光部、
同一基板上に発光部と共に配置された半導体素子、及び、
発光部の上方に形成された光導波路、
を備え、
光導波路は、
発光部の上に光路として形成されたコア層、及び、
コア層の周囲に形成されたクラッド層、
を有する、
表示装置。
[C-2]クラッド層の屈折率は、コア層の屈折率よりも低い、
上記[C-1]に記載の表示装置。
[C-3]発光部の周壁を覆う外壁コア層を有する、
上記[C-2]に記載の表示装置。
[C-4]外壁コア層の屈折率は、発光部及び半導体素子を覆う保護層の屈折率よりも高い、
上記[C-3]に記載の表示装置。
[C-5]外壁コア層は、発光部の上のコア層と同じ材料で形成されている、
上記[C-4]に記載の表示装置。
[C-6]発光部及び半導体素子を覆う保護層の上に成膜された遮光膜を有する、
上記[C-1]乃至上記[C-5]のいずれかに記載の表示装置。
[C-7]半導体素子は、発光部を駆動する駆動ICである、
上記[C-1]乃至上記[C-6]のいずれかに記載の表示装置。
Claims (7)
- 周壁を含む発光部、
同一基板上に発光部と共に配置された半導体素子、
発光部の上方に形成された光導波路、及び、
発光部の周壁を覆う外壁コア層、
を備え、
光導波路は、
発光部の上に光路として形成されたコア層、及び、コア層の周囲に形成されたクラッド層、を有し、
クラッド層の屈折率は、コア層の屈折率よりも低く、
外壁コア層の屈折率は、発光部及び半導体素子を覆う保護層の屈折率よりも高い、
発光装置。 - 外壁コア層は、発光部の上のコア層と同じ材料で形成されている、
請求項1に記載の発光装置。 - 発光部及び半導体素子を覆う保護層の上に成膜された遮光膜を有する、
請求項1に記載の発光装置。 - 半導体素子は、発光部を駆動する駆動ICである、
請求項1に記載の発光装置。 - 同一基板上に、発光部及び半導体素子を配置した状態で、発光部及び半導体素子を覆うように保護層を形成し、
次いで、保護層の発光部の上方を除去して凹部を形成した後、保護層の上にクラッド層を成膜し、
次いで、クラッド層について凹部の周壁に沿って環状に残存させた後、保護層の上にコア層を成膜し、
次いで、コア層について光路として機能する部分だけを残存させる、
発光装置の製造方法。 - 保護層を形成する前に、発光部の側壁を覆うように外壁コア層を形成し、
しかる後、発光部及び半導体素子を覆うように保護層を形成し、
次いで、保護層の発光部の上方を除去して凹部を形成した後、保護層の上にクラッド層を成膜し、
次いで、クラッド層について凹部の周壁に沿って環状に残存させた後、保護層の上にコア層を成膜し、
次いで、コア層について光路として機能する部分だけを残存させる、
請求項5に記載の発光装置の製造方法。 - 発光装置を含む画素が配置されて成り、
発光装置は、
周壁を含む発光部、
同一基板上に発光部と共に配置された半導体素子、
発光部の上方に形成された光導波路、及び、
発光部の周壁を覆う外壁コア層、
を備え、
光導波路は、
発光部の上に光路として形成されたコア層、及び、コア層の周囲に形成されたクラッド層、を有し、
クラッド層の屈折率は、コア層の屈折率よりも低く、
外壁コア層の屈折率は、発光部及び半導体素子を覆う保護層の屈折率よりも高い、
表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020019499A JP7467146B2 (ja) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 発光装置及び発光装置の製造方法、並びに、表示装置 |
PCT/JP2020/048450 WO2021157248A1 (ja) | 2020-02-07 | 2020-12-24 | 発光装置及び発光装置の製造方法、並びに、表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020019499A JP7467146B2 (ja) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 発光装置及び発光装置の製造方法、並びに、表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021125629A JP2021125629A (ja) | 2021-08-30 |
JP7467146B2 true JP7467146B2 (ja) | 2024-04-15 |
Family
ID=77200164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020019499A Active JP7467146B2 (ja) | 2020-02-07 | 2020-02-07 | 発光装置及び発光装置の製造方法、並びに、表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7467146B2 (ja) |
WO (1) | WO2021157248A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59129481A (ja) * | 1983-01-17 | 1984-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光受光装置 |
-
2020
- 2020-02-07 JP JP2020019499A patent/JP7467146B2/ja active Active
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---|
GOU, Fangwang et al.,Tripling the Optical Efficiency of Color-Converted Micro-LED Displays with Funnel-Tube Array,Crystals,2019年01月14日,Vol.9, No.1,P.39 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021125629A (ja) | 2021-08-30 |
WO2021157248A1 (ja) | 2021-08-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20220222 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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|
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