JP7464412B2 - Processing Equipment - Google Patents

Processing Equipment Download PDF

Info

Publication number
JP7464412B2
JP7464412B2 JP2020040366A JP2020040366A JP7464412B2 JP 7464412 B2 JP7464412 B2 JP 7464412B2 JP 2020040366 A JP2020040366 A JP 2020040366A JP 2020040366 A JP2020040366 A JP 2020040366A JP 7464412 B2 JP7464412 B2 JP 7464412B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
measuring device
chuck table
measurement points
grinding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020040366A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2021137942A (en
Inventor
昌治 佃
智彦 牧野
由希 森田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2020040366A priority Critical patent/JP7464412B2/en
Publication of JP2021137942A publication Critical patent/JP2021137942A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7464412B2 publication Critical patent/JP7464412B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

本発明は、ワークの表面を加工する加工装置に関するものである。 The present invention relates to a processing device that processes the surface of a workpiece.

半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ(以下、「ワーク」という)を薄く平坦に研削するものとして、回転する研削砥石の研削面をワークに押し当て、ワークの研削を行う研削装置が知られている。 In the field of semiconductor manufacturing, a grinding device is known that grinds semiconductor wafers such as silicon wafers (hereafter referred to as "workpieces") into a thin, flat shape by pressing the grinding surface of a rotating grinding wheel against the workpiece to grind the workpiece.

特許文献1には、粗研削加工及び精研削加工の順にワークを加工する装置が開示されている。 Patent document 1 discloses an apparatus that processes a workpiece in the order of rough grinding and fine grinding.

特開2009-117648号公報JP 2009-117648 A

ところで、ワークに対して研削加工又は研磨加工を行う際に、ワークの表面(被加工面)に溝状のクラックが生じることがある。特に、目の粗い研削砥石を用いる粗研削加工では、クラックが生じやすい傾向にある。クラックが生じると、ワークから剥離した破片が砥石に噛み込んで、その後に加工するワークにひっかき傷のような深刻なダメージを与える虞があった。 When grinding or polishing a workpiece, groove-shaped cracks may occur on the surface of the workpiece (the surface being machined). Cracks are particularly likely to occur during rough grinding using a coarse grinding wheel. When cracks occur, pieces of the workpiece may break off and get caught in the wheel, causing serious damage such as scratches to the workpiece to be machined subsequently.

しかしながら、従来は、オペレ―タが加工後のワークを目視で検査するため、クラックの発生を事後的に確認するに留まっており、さらに、クラックが何れのタイミングで形成されたかが定かではないため、クラック発生の原因究明に時間を要するという問題があった。 However, in the past, operators would visually inspect the workpiece after machining, so they could only check for cracks after the fact. Furthermore, because it was unclear when the cracks formed, it took time to determine the cause of the cracks.

そこで、クラックを速やかに検知するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。 As a result, a technical problem arises that must be solved in order to quickly detect cracks, and the present invention aims to solve this problem.

上記目的を達成するために、本発明に係る加工装置は、ワークの表面を加工する加工装置であって、前記ワークを吸着保持した状態で回転可能なチャックテーブルと、前記ワークの表面までの距離を非接触で測定する測定手段と、前記チャックテーブルの回転に応じて前記ワークの周方向に移動する前記測定装置の測定点の軌跡上において、前記チャックテーブルの回転数、前記チャックテーブルの回転周期及び前記測定装置のサンプリング周期に応じて算出される前記測定点間の距離が前記測定点のスポット径を下回り、前記測定点が前記軌跡の全周に亘って隙間なく設定されるように、前記チャックテーブルの回転周期及び前記測定装置のサンプリング周期を調整可能な制御手段と、を備えている。 In order to achieve the above-mentioned object, the processing apparatus of the present invention is a processing apparatus for processing the surface of a workpiece, and is equipped with a chuck table that can rotate while holding the workpiece by suction, a measuring means for non-contact measuring the distance to the surface of the workpiece, and a control means for adjusting the rotation period of the chuck table and the sampling period of the measuring device so that on a locus of measurement points of the measuring device that moves in a circumferential direction of the workpiece in accordance with the rotation of the chuck table, the distance between the measurement points calculated in accordance with the rotation speed of the chuck table, the rotation period of the chuck table, and the sampling period of the measuring device is less than the spot diameter of the measurement points, and the measurement points are set without gaps over the entire circumference of the locus .

この構成によれば、測定装置の測定点がワーク上で周方向に略全周に拡がるため、ワークの加工中に、ワーク表面に生じたクラックを直ちに検知することができる。 With this configuration, the measurement points of the measuring device are spread around the entire circumference of the workpiece, so cracks that occur on the workpiece surface can be immediately detected while the workpiece is being processed.

また、本発明に係る加工装置は、前記測定装置が、光干渉式の変位センサであることが好ましい。 In addition, in the processing device according to the present invention, it is preferable that the measuring device is an optical interference type displacement sensor.

また、本発明に係る加工装置は、前記測定装置が、光量測定センサであることが好ましい。 In addition, in the processing device according to the present invention, it is preferable that the measuring device is a light quantity measuring sensor.

本発明は、ワークの加工中に、ワーク表面に生じたクラックを直ちに検知することができる。 The present invention can immediately detect cracks that occur on the workpiece surface while the workpiece is being processed.

本発明の一実施形態に係る研削装置を示す正面図。1 is a front view showing a grinding device according to an embodiment of the present invention; チャックテーブルと測定装置の配置関係を示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing the arrangement relationship between the chuck table and a measuring device. チャックテーブルが回転する度に、測定装置の測定点が増加する様子を示す模式図。FIG. 13 is a schematic diagram showing how the number of measurement points of the measuring device increases each time the chuck table rotates. 測定装置の測定点間の距離がスポット径に対して広い状態を示す模式図と、測定装置の測定値を示すグラフ。1A is a schematic diagram showing a state in which the distance between measurement points of a measurement device is wide compared to the spot diameter, and a graph showing measurement values of the measurement device. 測定装置の地点間の距離がスポット径に対して狭い状態を示す模式図と、測定装置の測定値を示すグラフ。1A is a schematic diagram showing a state in which the distance between points of a measurement device is narrow compared to the spot diameter, and a graph showing the measurement values of the measurement device. 本発明の変形例において、クラックの有無を判定する様子を示す模式図。FIG. 11 is a schematic diagram showing a state in which the presence or absence of a crack is determined in a modified example of the present invention.

本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。 One embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that in the following, when referring to the number, numerical value, amount, range, etc. of components, unless otherwise specified or when it is clearly limited to a specific number in principle, it is not limited to that specific number and may be more or less than the specific number.

また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。 In addition, when referring to the shape or positional relationship of components, etc., this includes things that are substantially similar or similar to that shape, etc., unless otherwise specified or considered in principle to be clearly different.

また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。 In addition, drawings may exaggerate characteristic parts to make the features easier to understand, and the dimensional ratios of components may not be the same as in reality. In addition, in cross-sectional views, hatching of some components may be omitted to make the cross-sectional structure of the components easier to understand.

研削装置1は、ワークWを薄く平坦に研削加工するものである。ワークWは、シリコンウェハ等の半導体ウェハである。研削装置1は、研削手段2と、チャックテーブル3と、を備えている。 The grinding device 1 grinds the workpiece W to make it thin and flat. The workpiece W is a semiconductor wafer such as a silicon wafer. The grinding device 1 includes a grinding means 2 and a chuck table 3.

研削手段2は、研削砥石21と、砥石スピンドル22と、スピンドル送り機構23と、を備えている。 The grinding means 2 includes a grinding wheel 21, a grinding wheel spindle 22, and a spindle feed mechanism 23.

研削砥石21は、例えば#600のカップ型砥石であり、下面がワークWを研削する研削面21aを構成している。研削砥石21は、砥石スピンドル22の下端に取り付けられている。 The grinding wheel 21 is, for example, a #600 cup-shaped grinding wheel, and its lower surface forms a grinding surface 21a that grinds the workpiece W. The grinding wheel 21 is attached to the lower end of the grinding wheel spindle 22.

砥石スピンドル22は、研削砥石21を回転軸2a回りに図2中の矢印A方向に回転駆動するように構成されている。なお、研削砥石21の回転方向は、図2中の矢印Aの向きに限定されず、反対向き(時計回り)であっても構わない。 The grinding wheel spindle 22 is configured to rotate the grinding wheel 21 around the rotation axis 2a in the direction of arrow A in FIG. 2. Note that the rotation direction of the grinding wheel 21 is not limited to the direction of arrow A in FIG. 2, and may be the opposite direction (clockwise).

スピンドル送り機構23は、砥石スピンドル22を上下方向に昇降させる。スピンドル送り機構23は、公知の構成であり、例えば、砥石スピンドル22の移動方向を案内する複数のリニアガイドと、砥石スピンドル22を昇降させるボールネジスライダ機構と、で構成されている。スピンドル送り機構23は、砥石スピンドル22とコラム24との間に介装されている。 The spindle feed mechanism 23 raises and lowers the grinding wheel spindle 22 in the vertical direction. The spindle feed mechanism 23 is of a known configuration, and is composed of, for example, multiple linear guides that guide the movement direction of the grinding wheel spindle 22, and a ball screw slider mechanism that raises and lowers the grinding wheel spindle 22. The spindle feed mechanism 23 is interposed between the grinding wheel spindle 22 and the column 24.

チャックテーブル3は、チャックスピンドル31を備えている。チャックスピンドル31は、回転軸3a回りに図2中の矢印B方向に回転駆動するように構成されている。なお、チャックスピンドル31の回転方向は、図2中の矢印Bの向きに限定されず、反対向き(反時計回り)であっても構わない。 The chuck table 3 is equipped with a chuck spindle 31. The chuck spindle 31 is configured to be driven to rotate around the rotation axis 3a in the direction of arrow B in FIG. 2. Note that the rotation direction of the chuck spindle 31 is not limited to the direction of arrow B in FIG. 2, and may be the opposite direction (counterclockwise).

チャックテーブル3は、上面にアルミナ等の多孔質材料からなる図示しない吸着体が埋設されている。チャックテーブル3は、内部を通って表面に延びる図示しない管路を備えている。管路は、図示しないロータリージョイントを介して真空源、圧縮空気源又は給水源に接続されている。真空源が起動すると、チャックテーブル3に載置されたワークWがチャックテーブル3に吸着保持される。また、圧縮空気源又は給水源が起動すると、ワークWとチャックテーブル3との吸着が解除される。 The chuck table 3 has an adsorbent (not shown) made of a porous material such as alumina embedded in its upper surface. The chuck table 3 has a conduit (not shown) that runs through the inside and reaches the surface. The conduit is connected to a vacuum source, a compressed air source, or a water supply source via a rotary joint (not shown). When the vacuum source is activated, the workpiece W placed on the chuck table 3 is adsorbed and held on the chuck table 3. When the compressed air source or water supply source is activated, the adsorption between the workpiece W and the chuck table 3 is released.

研削装置1は、測定装置4を備えている。測定装置4は、チャックテーブル3の上方に配置されている。測定装置4は、光干渉式の変位センサであり、例えば、株式会社東京精密製のOpt-measure等である。 The grinding device 1 is equipped with a measuring device 4. The measuring device 4 is disposed above the chuck table 3. The measuring device 4 is an optical interference type displacement sensor, such as Opt-measure manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.

測定装置4は、ワークWの表面に向けて照射光を照射し、ワークWの表面で反射した反射光を受光することで、測定装置4とワークW表面との距離(変位)を非接触で計測する。すなわち、測定装置4は、測定装置4の直下に設定される測定点PにおけるワークWまでの距離を測定する。 The measuring device 4 emits light toward the surface of the workpiece W and receives the light reflected by the surface of the workpiece W, thereby non-contact measuring the distance (displacement) between the measuring device 4 and the surface of the workpiece W. In other words, the measuring device 4 measures the distance to the workpiece W at a measuring point P that is set directly below the measuring device 4.

測定点Pは、クラックが比較的生じ易いワークWの周縁付近(例えば、ワークWの外周から5mm程度内側)に設定されるのが好ましい。ワークW上の測定点Pは、チャックテーブル3の回転駆動により、図2中の円状の軌跡Lに沿ってワークWの周方向に移動する。 The measurement point P is preferably set near the periphery of the workpiece W where cracks are relatively likely to occur (for example, about 5 mm inside from the outer periphery of the workpiece W). The measurement point P on the workpiece W moves in the circumferential direction of the workpiece W along the circular trajectory L in FIG. 2 by the rotational drive of the chuck table 3.

研削装置1の動作は、制御装置5によって制御される。制御装置5は、研削装置1を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。制御装置5は、例えば、CPU、メモリ等により構成される。なお、制御装置5の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作することにより実現されても良い。 The operation of the grinding device 1 is controlled by the control device 5. The control device 5 controls each of the components that make up the grinding device 1. The control device 5 is composed of, for example, a CPU, a memory, etc. The functions of the control device 5 may be realized by controlling it using software, or may be realized by operating it using hardware.

次に、研削装置1でワークWを研削加工する手順について説明する。 Next, the procedure for grinding the workpiece W using the grinding device 1 will be described.

まず、ワークWをチャックテーブル3に吸着保持する。次に、スピンドル送り機構23のスライダによって研削砥石21をワークWの上方に移動させる。そして、研削砥石21及びチャックテーブル3をそれぞれ回転させながら、研削砥石21の研削面21aがワークWに押し当てられることにより、ワークWが研削される。 First, the workpiece W is held by suction on the chuck table 3. Next, the grinding wheel 21 is moved above the workpiece W by the slider of the spindle feed mechanism 23. Then, while the grinding wheel 21 and the chuck table 3 are both rotated, the grinding surface 21a of the grinding wheel 21 is pressed against the workpiece W, thereby grinding the workpiece W.

次に、測定装置4は、ワークW上の測定点Pまでの距離を測定し、測定値を制御装置5に送る。また、ワークWが回転軸3a周りに回転するにしたがって、ワーク上の測定点Pが、ワークWの周方向に移動する。 Next, the measuring device 4 measures the distance to the measurement point P on the workpiece W and sends the measurement value to the control device 5. Also, as the workpiece W rotates around the rotation axis 3a, the measurement point P on the workpiece moves in the circumferential direction of the workpiece W.

また、制御装置5は、ワークWを繰り返し回転させて、測定点Pが軌跡Lの全周に及ぶように、制御装置5は、チャックテーブル3の回転周期、測定装置4のサンプリング周期の位相差を調整する。チャックテーブル3、測定装置4の測定条件の一例を以下に示す。 The control device 5 also adjusts the rotation period of the chuck table 3 and the phase difference of the sampling period of the measuring device 4 so that the measurement point P covers the entire circumference of the trajectory L by repeatedly rotating the workpiece W. An example of the measurement conditions for the chuck table 3 and the measuring device 4 is shown below.

[測定条件]
・ワークWの外径:12inch
・ワークWの厚み:25μm
・チャックテーブル3の回転速度:201rpm
・チャックテーブル3の周期:3.35Hz
・測定点Pの位置:ワーク外周から内側に5mm
・測定点Pスポットの径:約50μm
・測定装置4のサンプリング周期:1025Hz
[Measurement condition]
・Outer diameter of workpiece W: 12 inches
・Thickness of workpiece W: 25 μm
Rotation speed of chuck table 3: 201 rpm
Chuck table 3 frequency: 3.35 Hz
Position of measurement point P: 5 mm inward from the outer periphery of the workpiece
Measurement point P spot diameter: approx. 50 μm
Sampling period of measuring device 4: 1025 Hz

図3(a)~(c)は、チャックテーブル3の回転数に応じて、測定点Pが増加する様子を示す模式図である。図3(a)は、ワークWが1回転した場合の測定点Pの位置関係を示し、図3(b)は、ワークWが2回転した場合の測定点Pの位置関係を示し、図3(c)は、測定点PがワークWの全周に及んだ状態を示す。なお、図3中の測定点Pのスポット径は、説明の都合により実際よりも拡大している。 Figures 3(a) to (c) are schematic diagrams showing how the number of measurement points P increases according to the number of rotations of the chuck table 3. Figure 3(a) shows the positional relationship of the measurement points P when the workpiece W rotates once, Figure 3(b) shows the positional relationship of the measurement points P when the workpiece W rotates twice, and Figure 3(c) shows the state in which the measurement points P cover the entire circumference of the workpiece W. Note that the spot diameter of the measurement points P in Figure 3 is enlarged for ease of explanation.

上述した測定条件においては、図3(a)に示すように、ワークWが1周した際の測定点Pの数は約306であり、測定点P間の距離は約2978μmとなる。同様に、図3(b)に示すように、ワークWが2周した際の測定点Pの数は約612であり、測定点P間の距離は約1489μmとなる。このように、ワークWの回転数が少ない場合には、測定点P間の距離が測定点Pのスポット径を上回っており、測定装置4の測定点Pが軌跡L上に疎らに散乱している状態である。 Under the measurement conditions described above, as shown in FIG. 3(a), when the workpiece W rotates once, the number of measurement points P is approximately 306, and the distance between the measurement points P is approximately 2978 μm. Similarly, as shown in FIG. 3(b), when the workpiece W rotates twice, the number of measurement points P is approximately 612, and the distance between the measurement points P is approximately 1489 μm. Thus, when the number of rotations of the workpiece W is low, the distance between the measurement points P exceeds the spot diameter of the measurement points P, and the measurement points P of the measuring device 4 are sparsely scattered on the trajectory L.

その後もワークWを回転し続けて、ワークWが67周すると、図3(c)に示すように、測定点Pの数は約20500点になり、測定点P間の距離が44.4μmとなり、測定点Pのスポット径(50μm)を下回り、測定点Pが軌跡Lの全周に亘って隙間なく設定される。 After that, the workpiece W continues to rotate, and when the workpiece W completes 67 revolutions, as shown in FIG. 3(c), the number of measurement points P becomes approximately 20,500, the distance between the measurement points P becomes 44.4 μm, which is smaller than the spot diameter of the measurement points P (50 μm), and the measurement points P are set without gaps all around the circumference of the locus L.

次に、制御装置5は、測定装置4の測定値に基づいてワークW表面にクラック(微小な段差)が生じているか否かを判定する。 Next, the control device 5 determines whether or not cracks (tiny steps) have occurred on the surface of the workpiece W based on the measurements made by the measuring device 4.

具体的には、図4(a)に示すように、ワークW上で隣り合う測定点P間の距離が測定点Pの径に比べて著しく長い場合、隣り合う測定点Pの間にクラックが形成されていると、図4(b)に示すように測定装置4の測定値に変動はないため、制御装置5は、変位の変動に基づいてクラックを検出することができない。なお、図4(b)に示す測定装置4の測定値は、測定装置4とワークW表面との距離の変動を微分したものであり、測定装置4とワークW表面との距離に変動がないため、測定値は略一定である。 Specifically, as shown in FIG. 4(a), when the distance between adjacent measurement points P on the workpiece W is significantly longer than the diameter of the measurement points P, if a crack is formed between the adjacent measurement points P, the control device 5 cannot detect the crack based on the variation in displacement because there is no variation in the measurement value of the measuring device 4 as shown in FIG. 4(b). Note that the measurement value of the measuring device 4 shown in FIG. 4(b) is the differentiation of the variation in the distance between the measuring device 4 and the surface of the workpiece W, and because there is no variation in the distance between the measuring device 4 and the surface of the workpiece W, the measurement value is approximately constant.

一方、図5(a)に示すように、隣り合う測定点Pが軌跡Lの略全周に拡がり、ワークW上で隣り合う測定点P間の距離が測定点Pの径に比べて短い場合には、少なくとも1つの測定点Pがクラック内に配置されるため、図5(b)に示すように測定装置4の測定値がクラックの位置に応じて変動するため、制御装置5は、変位の変動に基づいてクラックを検出することができる。なお、図5(b)に示す測定装置4の測定値は、測定装置4とワークW表面との距離の変動を微分したものであり、クラックの前後で測定値は増大した後に減少する。 On the other hand, as shown in FIG. 5(a), when adjacent measurement points P are spread over almost the entire circumference of the locus L and the distance between adjacent measurement points P on the workpiece W is shorter than the diameter of the measurement points P, at least one measurement point P is located inside the crack, and the measurement value of the measuring device 4 varies according to the position of the crack as shown in FIG. 5(b), so the control device 5 can detect the crack based on the variation in displacement. Note that the measurement value of the measuring device 4 shown in FIG. 5(b) is the differentiated variation in the distance between the measuring device 4 and the surface of the workpiece W, and the measurement value increases and then decreases before and after the crack.

このようにして、制御装置5は、ワークWの研削加工中に、ワークW表面に形成されたクラックを直ちに検知することができる。 In this way, the control device 5 can immediately detect cracks formed on the surface of the workpiece W during grinding processing of the workpiece W.

そして、ワークWが所望の厚みまで研削されると、研削砥石21及びチャックテーブル3の回転を停止させ、スピンドル送り機構23のスライダが起動して、研削砥石21をワークWから離間させる。そして、チャックテーブル3によるワークWの吸着保持を解除して、研削装置1によるワークWの研削加工が終了する。 When the workpiece W has been ground to the desired thickness, the rotation of the grinding wheel 21 and the chuck table 3 is stopped, and the slider of the spindle feed mechanism 23 is activated to move the grinding wheel 21 away from the workpiece W. Then, the suction hold of the workpiece W by the chuck table 3 is released, and the grinding process of the workpiece W by the grinding device 1 is completed.

なお、測定装置4は、上述した構成に代えて、ワークW表面で反射した反射光の光強度を測定する光量測定センサであっても構わない。この場合には、図6(a)、(b)に示すように、測定装置4の測定値は、クラックにおいて減少するように変動することから、制御装置5は、反射光の光強度の変動に基づいて、クラックの有無を検知することができる。なお、このような測定装置4としては、上述した変位センサの分光器を用いることが考えられるが、これに限定されるものではない。 In addition, instead of the above-mentioned configuration, the measuring device 4 may be a light quantity measuring sensor that measures the light intensity of the light reflected by the surface of the workpiece W. In this case, as shown in Figures 6(a) and (b), the measurement value of the measuring device 4 fluctuates so as to decrease at the crack, so that the control device 5 can detect the presence or absence of a crack based on the fluctuation in the light intensity of the reflected light. Note that, as such a measuring device 4, it is possible to use a spectroscope of the displacement sensor described above, but this is not limited to this.

また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。 Furthermore, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention, and it goes without saying that the present invention extends to such modifications.

なお、本実施形態は、研削装置1に測定装置4を適用した場合を例に説明したが、ワークWを研磨パッドで研磨する研磨装置に測定装置4を適用することも可能である。 In this embodiment, the measuring device 4 is applied to the grinding device 1, but the measuring device 4 can also be applied to a polishing device that polishes the workpiece W with a polishing pad.

1 :研削装置(加工装置)
2 :研削手段
21 :研削砥石
21a:研削面
22 :砥石スピンドル
23 :スピンドル送り機構
24 :コラム
3 :チャックテーブル
3a :回転軸
31 :チャックスピンドル
4 :測定装置(測定手段)
5 :制御装置(制御手段)
L :軌跡
P :測定点
W :ワーク
1: Grinding equipment (processing equipment)
2: Grinding means 21: Grinding wheel 21a: Grinding surface 22: Grinding wheel spindle 23: Spindle feed mechanism 24: Column 3: Chuck table 3a: Rotating shaft 31: Chuck spindle 4: Measuring device (measuring means)
5: Control device (control means)
L: Path P: Measurement point W: Workpiece

Claims (3)

ワークの表面を加工する加工装置であって、
前記ワークを吸着保持した状態で回転可能なチャックテーブルと、
前記ワークの表面までの距離を非接触で測定する測定手段と、
前記チャックテーブルの回転に応じて前記ワークの周方向に移動する前記測定装置の測定点の軌跡上において、前記チャックテーブルの回転数、前記チャックテーブルの回転周期及び前記測定装置のサンプリング周期に応じて算出される前記測定点間の距離が前記測定点のスポット径を下回り、前記測定点が前記軌跡の全周に亘って隙間なく設定されるように、前記チャックテーブルの回転周期及び前記測定装置のサンプリング周期を調整可能な制御手段と、
を備えていることを特徴とする加工装置。
A processing device for processing a surface of a workpiece,
a chuck table that can rotate while suction-holding the workpiece;
A measuring means for measuring a distance to a surface of the workpiece in a non-contact manner;
a control means for adjusting the rotation period of the chuck table and the sampling period of the measuring device so that, on a locus of measurement points of the measuring device which moves in a circumferential direction of the workpiece in response to the rotation of the chuck table, a distance between the measurement points calculated in response to the rotation speed of the chuck table, the rotation period of the chuck table, and the sampling period of the measuring device is less than a spot diameter of the measurement points, and the measurement points are set without gaps over the entire circumference of the locus ;
A processing apparatus comprising:
前記測定装置は、光干渉式の変位センサであることを特徴とする請求項1記載の加工装置。 The processing device according to claim 1, characterized in that the measuring device is an optical interference type displacement sensor. 前記測定装置は、光量測定センサであることを特徴とする請求項1記載の加工装置。
2. The processing apparatus according to claim 1, wherein the measuring device is a light quantity measuring sensor.
JP2020040366A 2020-03-09 2020-03-09 Processing Equipment Active JP7464412B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020040366A JP7464412B2 (en) 2020-03-09 2020-03-09 Processing Equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020040366A JP7464412B2 (en) 2020-03-09 2020-03-09 Processing Equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021137942A JP2021137942A (en) 2021-09-16
JP7464412B2 true JP7464412B2 (en) 2024-04-09

Family

ID=77667359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020040366A Active JP7464412B2 (en) 2020-03-09 2020-03-09 Processing Equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7464412B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN218341807U (en) * 2022-06-27 2023-01-20 内蒙古中环晶体材料有限公司 Device for automatically measuring side length of ground single crystal

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009030A (en) 2000-06-16 2002-01-11 Nec Corp Method and device for detecting polishing end point of semiconductor wafer
JP2004154928A (en) 2002-10-17 2004-06-03 Ebara Corp Polishing state monitoring device, polishing device and polishing method
JP2009111238A (en) 2007-10-31 2009-05-21 Marubun Corp Semiconductor wafer grinder
JP2017072583A (en) 2015-08-26 2017-04-13 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute Surface measurement device and surface measurement method
JP2019016662A (en) 2017-07-05 2019-01-31 東京エレクトロン株式会社 Substrate warp monitoring device, substrate processing device using the same, and substrate warp monitoring method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002009030A (en) 2000-06-16 2002-01-11 Nec Corp Method and device for detecting polishing end point of semiconductor wafer
JP2004154928A (en) 2002-10-17 2004-06-03 Ebara Corp Polishing state monitoring device, polishing device and polishing method
JP2009111238A (en) 2007-10-31 2009-05-21 Marubun Corp Semiconductor wafer grinder
JP2017072583A (en) 2015-08-26 2017-04-13 財團法人工業技術研究院Industrial Technology Research Institute Surface measurement device and surface measurement method
JP2019016662A (en) 2017-07-05 2019-01-31 東京エレクトロン株式会社 Substrate warp monitoring device, substrate processing device using the same, and substrate warp monitoring method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021137942A (en) 2021-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180097136A (en) Polishing apparatus and polishing method of substrate
JP7113119B2 (en) Grinding equipment
JP7424755B2 (en) Holding surface forming method
JP7472368B2 (en) Substrate Processing Equipment
JP7464412B2 (en) Processing Equipment
JP7353406B2 (en) polishing equipment
JP2024123060A (en) Processing system and method
KR20160033041A (en) Method for grinding workpiece
JP5943766B2 (en) Grinding equipment
JP2016060031A (en) Grinding wheel
JP6486752B2 (en) Dry polishing machine
JP7388893B2 (en) Wafer grinding method
JP7348037B2 (en) processing equipment
JP7253953B2 (en) Substrate processing equipment
JP7529501B2 (en) Processing System
JP7068849B2 (en) Grinding device
JP2023140052A (en) Chipping generation detection device and processing device
JP7228438B2 (en) Substrate processing equipment
JP7331198B2 (en) Grinding equipment
JP7300260B2 (en) Grinding equipment
JP7551321B2 (en) Processing Equipment
WO2022201650A1 (en) Processing system
JP2023000307A (en) Grinding apparatus
JP3427670B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
JP2018114559A (en) Polishing device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231128

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240305

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7464412

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150