JP7461665B2 - 半導体装置の信頼性試験装置 - Google Patents
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Description
先ず、本発明の実施形態に係る半導体装置の信頼性試験装置の構成について説明する。なお、本実施形態では、高温高湿逆バイアス試験を行う場合について説明する。
1 電源
2 半導体装置
D (半導体装置の)ドレイン(端子)
S (半導体装置の)ソース(端子)
31 第1抵抗
32 第2抵抗
4 電流測定記録装置
5 増幅器
6 A/D変換器
7 電流測定器
70 広域データサンプリング装置
70a 切替制御部
8 記録装置
9 時計
10 CPU
Claims (4)
- 電圧印加用の電源と、
前記電源の正負電極と、複数の被試験対象である半導体装置の端子間と、をそれぞれ接続することで構成される複数の閉回路と、
前記複数の閉回路内にそれぞれ設けられた第1抵抗と、
前記複数の閉回路内に前記第1抵抗と直列にそれぞれ設けられた第2抵抗と、
前記第2抵抗の両端部間にその測定端部をそれぞれ接続して設けられ、電流値を測定して記録する電流測定記録装置と、を備え、
前記電流測定記録装置は、その内部に、増幅器、A/D変換器、電流測定器、及び記録装置を有し、
前記電流測定記録装置は、その内部に、前記電流測定器で測定した電流値のデータを、その時間的変動速度に対して広域でサンプリング可能な広域データサンプリング装置を更に有すること
を特徴とする半導体装置の信頼性試験装置。 - 前記第1抵抗は、前記第2抵抗よりも抵抗値が大きく設定されていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置の信頼性試験装置。 - 前記広域データサンプリング装置は、電流値のデータの時間的変動速度に適した低速データサンプリングモードと、高速データサンプリングモードと、を有し、
前記低速データサンプリングモードと、前記高速データサンプリングモードとを切替可能とされていること
を特徴とする請求項1に記載の半導体装置の信頼性試験装置。 - 前記広域データサンプリング装置は、前記低速データサンプリングモードと、前記高速データサンプリングモードとを切り替える複数種の切り替え条件を記憶し、これら複数種の切り替え条件のうち、電流値の変動傾向に応じた切り替え条件に基づいて前記両モード間を自動で切り替える切替制御部を有すること
を特徴とする請求項3に記載の半導体装置の信頼性試験装置。
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Citations (6)
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