JP7461455B2 - 光伝送ユニット、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

光伝送ユニット、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法 Download PDF

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Description

本開示は、光伝送ユニット、レーザ装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
近年、半導体露光装置においては、半導体集積回路の微細化および高集積化につれて、解像力の向上が要請されている。このため、露光用光源から放出される光の短波長化が進められている。たとえば、露光用のガスレーザ装置としては、波長約２４８ｎｍのレーザ光を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置、ならびに波長約１９３ｎｍのレーザ光を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられる。
ＫｒＦエキシマレーザ装置およびＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振光のスペクトル線幅は、３５０～４００ｐｍと広い。そのため、ＫｒＦ及びＡｒＦレーザ光のような紫外線を透過する材料で投影レンズを構成すると、色収差が発生してしまう場合がある。その結果、解像力が低下し得る。そこで、ガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を、色収差が無視できる程度となるまで狭帯域化する必要がある。そのため、ガスレーザ装置のレーザ共振器内には、スペクトル線幅を狭帯域化するために、狭帯域化素子（エタロンやグレーティング等）を含む狭帯域化モジュール（Line Narrow Module：ＬＮＭ）が備えられる場合がある。以下では、スペクトル線幅が狭帯域化されるガスレーザ装置を狭帯域化ガスレーザ装置という。
特開２００８－２７７６１７号公報 特開２００６－１８４０７７号公報 米国特許公開第２００８／０１０６７２０号公報 特表２０１１－５０７０４２号公報
概要
本開示の１つの観点に係る光伝送ユニットは、反射面でパルスレーザ光を反射している間に反射面を変形させる変形装置を含む変形可能ミラーと、変形可能ミラーによって反射されたパルスレーザ光を均一化するホモジナイザと、を備える。
本開示の他の観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、反射面を変形させる変形装置を含む変形可能ミラーと、反射面でパルスレーザ光を反射している間に変形装置を駆動させる第１のプロセッサと、変形可能ミラーによって反射されたパルスレーザ光を均一化するホモジナイザと、ホモジナイザによって均一化されたパルスレーザ光のスペクトルを計測するスペクトル計測器と、を備える。
本開示の他の観点に係る電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの製造方法であって、パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、反射面を変形させる変形装置を含む変形可能ミラーと、反射面でパルスレーザ光を反射している間に変形装置を駆動させる第１のプロセッサと、変形可能ミラーによって反射されたパルスレーザ光を均一化するホモジナイザと、ホモジナイザによって均一化されたパルスレーザ光のスペクトルを計測するスペクトル計測器と、を備えるレーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、パルスレーザ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にパルスレーザ光を露光することを含む。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、明暗の斑点からなるパターンを撮像したスペックル画像の一例を示す図である。 図２は、図１に示したスペックル画像の明暗のヒストグラムを示す図である。 図３は、スペクトル線幅を説明するための図である。 図４は、Ｅ９５の定義を説明するための図である。 図５は、エキシマレーザ装置の構成を示す図である。 図６は、光ファイバの構成を示す図である。 図７は、図６の７－７断面図である。 図８は、スペクトル計測器の構成を示す図である。 図９は、干渉縞とフリンジパターンとを説明するための図である。 図１０は、スペックルノイズとフリンジパターンとを説明するための図である。 図１１は、ファイバ揺動機構による光ファイバの揺動を説明するための図である。 図１２は、パルスレーザ光の１パルスの発光強度の経時変化と、その時間内における光ファイバの出射端の振動の様子を示す図である。 図１３は、パルスレーザ光の１パルスの発光強度の経時変化と、１パルスの発光時間内で振動する場合の振幅を示す図である。 図１４は、エキシマレーザ装置の構成を示す図である。 図１５は、変形可能ミラーの構成を示す図である。 図１６は、光伝送ユニットの構成の一部の詳細を示す図である。 図１７は、光ファイバの断面図である。 図１８は、反射面の振動変形タイミングを説明するための図である。 図１９は、変形可能ミラーの制御によるパルスレーザ光の反射を説明するための図である。 図２０は、パルスレーザ光のパルス幅とＳＣ低減率との関係を示す図である。 図２１は、光伝送ユニットの構成の一部の一例を示す図である。 図２２は、光伝送ユニットの構成の一部の一例を示す図である。 図２３は、光伝送ユニットの構成の一部の他の例を示す図である。 図２４は、光伝送ユニットの構成の一部の他の例を示す図である。 図２５は、光伝送ユニットの構成の一部の一例を示す図である。 図２６は、光伝送ユニットの構成の一部の一例を示す図である。 図２７は、光ファイバの断面図である。 図２８は、エキシマレーザ装置の構成の一部を示す図である。 図２９は、露光装置の構成例を概略的に示す図である。
実施形態
－目次－
１．用語の説明
１．１ スペックルコントラストの定義
１．２ Ｅ９５の定義
２．レーザシステムの概要
２．１ レーザシステムの構成
２．１．１ 光ファイバの構成
２．１．２ スペクトル計測器の構成
２．２ 動作
２．２．１ フリンジパターン
３．課題
４．実施形態１
４．１ 構成
４．１．１ 変形可能ミラーの構成
４．１．２ 光伝送ユニットの構成の詳細
４．１．３ 光ファイバの構成
４．２ 動作
４．３ 作用・効果
５．実施形態２
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用・効果
６．実施形態３
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用・効果
７．実施形態４
７．１ 構成
７．２ 動作
７．３ 作用・効果
８．電子デバイスの製造方法
９．その他
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
１．用語の説明
本明細書において使用される用語を以下のように定義する。
１．１ スペックルコントラストの定義
スペックルとは、レーザ光がランダムな媒質で散乱したときに生じる明暗の斑点である。図１は、明暗の斑点からなるパターンを撮像したスペックル画像の一例を示す図である。また、図２は、図１に示したスペックル画像の明暗のヒストグラムを示す図である。
スペックル評価指標として、一般的にスペックルコントラストＳＣが使用される。スペックル画像の強度の標準偏差をσ、スペックル画像の強度の平均をＩマクロン（Ｉの上にマクロンが記されたもの）とすると、スペックルコントラストＳＣは、下記の式（１）で表すことができる。
１．２ Ｅ９５の定義
図３は、スペクトル線幅を説明するための図である。スペクトル線幅とは、図３に示すようなレーザ光のスペクトル波形の光量閾値における全幅である。本明細書では、光量ピーク値に対する各光量閾値の相対値を線幅閾値Thresh（０＜Thresh＜１）ということにする。例えばピーク値の半値を線幅閾値０．５という。なお線幅閾値０．５におけるスペクトル波形の全幅Ｗ／２を特別に半値全幅又はＦＷＨＭ（Full Width at Half Maximum）という。
図４は、Ｅ９５の定義を説明するための図である。スペクトル純度、例えば９５％純度Ｅ９５とは、図４に示すように、全スペクトルエネルギのうち波長λ０を中心として９５％を占める部分の全幅Ｗ９５％であって、下記の式（２）が成り立つ。
特に何も述べない場合は、本明細書ではスペクトル純度をＥ９５として説明する。
２．レーザシステムの概要
２．１ レーザシステムの構成
図５は、エキシマレーザ装置１の構成を示す図である。エキシマレーザ装置１は、紫外波長のパルスレーザ光を発生させる狭帯域化ガスレーザ装置である。図５に示すように、エキシマレーザ装置１は、マスターオシレータ（Master Oscillator：ＭＯ）１０と、スペクトル可変部２０と、ＭＯビームステアリングユニット３０と、パワーオシレータ（Power Oscillator：ＰＯ）４０と、ＰＯビームステアリングユニット５０と、光学パルスストレッチャ（Optical Pulse Stretcher）６０と、光伝送ユニット７０と、スペクトル計測器８０と、プロセッサ９０と、制御部９２と、同期発振制御部９４と、ドライバ９６とを含む。
ＭＯ１０（狭帯域化ガスレーザ装置の一例）は、ＬＮＭ１１と、チャンバ１４と、電源１７と、充電器１８とを含む。
ＬＮＭ１１は、スペクトル線幅を狭帯域化するためのプリズム１２と、グレーティング１３とを含む。プリズム１２は、ビームエキスパンダとして機能する。プリズム１２は、不図示の回転ステージ上に載置され、回転ステージが回転することによりグレーティング１３への入射角を変更するように配置される。グレーティング１３は、入射角と回折角とが一致するリトロー配置されていてもよい。
チャンバ１４は、後述する光共振器の光路上に配置される。チャンバ１４は、１対の放電電極１５と、パルスレーザ光が透過する２枚のウィンドウ１６ａ及びウィンドウ１６ｂとを含む。チャンバ１４は、エキシマレーザガスを内部に収容する。エキシマレーザガスは、例えば、レアガスとしてＡｒガス又はＫｒガス、ハロゲンガスとしてＦ２ガス、バッファガスとしてＮｅガスを含んでいてもよい。
電源１７は、不図示の充電コンデンサと、不図示のスイッチとを含む。充電器１８は、一対の放電電極１５間に高電圧を印加するための電気エネルギを保持する。充電器１８は、電源１７に設けられる充電コンデンサに接続される。
スペクトル可変部２０は、出力結合ミラー（Output Coupler：ＯＣ）２２を含む。ＯＣ２２は、反射率が４０％～６０％の反射ミラーである。ＯＣ２２とＬＮＭ１１とは、光共振器を構成するように配置される。
ＭＯビームステアリングユニット３０は、高反射ミラー３１ａと高反射ミラー３１ｂとを含む。高反射ミラー３１ａと高反射ミラー３１ｂとは、ＭＯ１０から出力されたパルスレーザ光がＰＯ４０に入射するように配置される。
ＰＯ４０は、リアミラー４１と、チャンバ４２と、ＯＣ４５と、電源４７と、充電器４８とを含む。
リアミラー４１は、反射率が８０％～９０％の反射ミラーである。ＯＣ４５は、反射率が２０％～３０％の反射ミラーである。リアミラー４１とＯＣ４５とは光共振器を構成するように配置される。
チャンバ４２は、光共振器の光路上に配置される。チャンバ４２は、１対の放電電極４３と、パルスレーザ光が透過する２枚のウィンドウ４４ａ及びウィンドウ４４ｂとを含む。チャンバ４２は、エキシマレーザガスを内部に収容する。チャンバ４２は、チャンバ１４と同様の構成である。
電源４７は、不図示の充電コンデンサと、不図示のスイッチとを含む。充電器４８は、電源４７の充電コンデンサに所定の電圧で充電する直流電源装置である。
ＰＯビームステアリングユニット５０は、高反射ミラー５１ａと高反射ミラー５１ｂとを含む。高反射ミラー５１ａと高反射ミラー５１ｂとは、ＰＯ４０から出力されたパルスレーザ光がＯＰＳ６０に入射するように配置される。
ＯＰＳ６０は、ＰＯビームステアリングユニット５０から出力されたパルスレーザ光のパルス幅を伸長する装置である。ＯＰＳ６０は、ビームスプリッタ（Beam Splitter：ＢＳ）６１と４枚の凹面ミラー６２とを含む。
ＢＳ６１は、ＰＯビームステアリングユニット５０から出力されたパルスレーザ光の光路上に配置される。ＢＳ６１は、入射したパルスレーザ光のうちの一部のパルスレーザ光を透過させ、その他のパルスレーザ光を反射させる反射ミラーである。ＢＳ６１の反射率は、約６０％である。ＢＳ６１は、ＢＳ６１を透過したパルスレーザ光を光伝送ユニット７０に入射させるように配置される。
４枚の凹面ミラー６２は、ＢＳ６１を反射したパルスレーザ光の遅延光路を構成する。４枚の凹面ミラー６２は、ＢＳ６１で反射されたレーザ光が４枚の凹面ミラー６２で反射して、再びＢＳ６１でビームが結像するように配置される。
４枚の凹面ミラー６２は、それぞれ焦点距離がＦ１である凹面ミラー６２ａと、凹面ミラー６２ｂと、凹面ミラー６２ｃと、凹面ミラー６２ｄとから構成される。
凹面ミラー６２ａと凹面ミラー６２ｂとは、ＢＳ６１で反射されたパルスレーザ光が凹面ミラー６２ａで反射され、凹面ミラー６２ｂに入射するように配置される。凹面ミラー６２ｃと凹面ミラー６２ｄとは、凹面ミラー６２ｂで反射されたパルスレーザ光が凹面ミラー６２ｃで反射され、凹面ミラー６２ｄに入射するように配置される。さらに、凹面ミラー６２ｄは、凹面ミラー６２ｄで反射されたパルスレーザ光がＢＳ６１に入射するように配置される。
ここでは、ＯＰＳ６０が１段のＯＰＳを含む例を説明したが、ＯＰＳ６０は２段以上のＯＰＳを含んでいてもよい。
光伝送ユニット７０は、ＢＳ７１と、高反射ミラー７２と、集光レンズ７３と、光ファイバ７４とを含む。
ＢＳ７１は、ＯＰＳ６０から出力されたパルスレーザ光の光路上に配置される。ＢＳ７１は、入射したパルスレーザ光のうちの一部のパルスレーザ光を透過させ、その他のパルスレーザ光を反射させる反射ミラーである。ＢＳ７１は、ＢＳ７１を透過したパルスレーザ光を露光装置３０２に入射させるように配置される。
高反射ミラー７２は、ＢＳ７１で反射されたパルスレーザ光を反射し、集光レンズ７３に入射するように配置される。集光レンズ７３は、入射したパルスレーザ光を集光し、光ファイバ７４に入射するように配置される。
光ファイバ７４に入射したパルスレーザ光は、スペクトル計測器８０に入力される。
スペクトル計測器８０は、プロセッサ９０と通信可能に接続される。制御部９２は、プロセッサ９０と、同期発振制御部９４と、ドライバ９６と、露光装置３０２の露光装置制御部３１０と通信可能に接続される。
同期発振制御部９４は、電源１７と、充電器１８と、電源４７と、充電器４８と通信可能に接続される。ドライバ９６は、ＬＮＭ１１とスペクトル可変部２０と通信可能に接続される。
２．１．１ 光ファイバの構成
図６は、光ファイバ７４の構成を示す図である。図７は、図６の７－７断面図である。図６及び図７に示すように、光ファイバ７４は、パルスレーザ光の導波路を構成するコア７４Ａと、コア７４Ａを取り囲むクラッド７４Ｂとを含む。光ファイバ７４は、コア７４Ａの断面形状が円形である。
２．１．２ スペクトル計測器の構成
図８は、スペクトル計測器８０の構成を示す図である。図８に示すように、スペクトル計測器８０は、ファイバ揺動機構８１と、コリメートレンズ８２と、エタロン８３と、集光レンズ８４と、センサ８５とを含む。
ファイバ揺動機構８１は、光ファイバ７４の出射端をＺ方向に向けて保持し、Ｖ方向に揺動する。ファイバ揺動機構８１は、光ファイバ７４を常時揺動してもよい。光ファイバ７４を揺動する方向はＶ方向に限定されず、出射方向であるＺ方向に垂直な方向であればよい。
コリメートレンズ８２は、光ファイバ７４から出射したパルスレーザ光を平行光に変換する。エタロン８３は、入射されたパルスレーザ光を分光し、パルスレーザ光の干渉縞を発生させる。集光レンズ８４は、エタロン８３から出射された光をセンサ８５の受光面に結像させる。センサ８５は、受光面に結像されたパルスレーザ光の干渉縞からフリンジパターンを取得する。
２．２ 動作
制御部９２は、露光装置３０２の露光装置制御部３１０からのレーザ発振トリガを受け付ける。
同期発振制御部９４は、制御部９２から充電電圧と発振トリガ信号を受け付ける。同期発振制御部９４は、受け付けた充電電圧に基づいて充電器１８と充電器４８との電圧を制御する。また、同期発振制御部９４は、発振トリガ信号に同期して、電源１７のスイッチと電源４７のスイッチとを制御する。
電源１７のスイッチがオフからオンになると、電源１７は充電器１８に保持されていた電気エネルギからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を一対の放電電極１５に印加する。同様に、電源４７のスイッチがオフからオンになると、電源４７は充電器４８に保持されていた電気エネルギからパルス状の高電圧を生成し、この高電圧を一対の放電電極４３に印加する。
一対の放電電極１５に高電圧が印加されると、一対の放電電極１５間の絶縁が破壊され、放電が発生する。この放電のエネルギにより、チャンバ１４内のエキシマレーザガスが励起され、ＯＣ２２とＬＮＭ１１とで構成される光共振器によって、狭帯域化されたパルスレーザ光がＯＣ２２から出力される。このパルスレーザ光は、ＭＯビームステアリングユニット３０によって、ＰＯ４０のリアミラー４１にシード光として入射する。
リアミラー４１を透過したシード光が入射するタイミングに同期して、一対の放電電極４３に高電圧が印加され、チャンバ４２において放電が発生する。その結果、レーザガスが励起され、ＯＣ４５とリアミラー４１とで構成されるファブリペロ型の光共振器によってシード光が増幅され、ＯＣ４５から増幅されたパルスレーザ光が出力される。ＯＣ４５から出力されたパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット５０を経由して、ＯＰＳ６０に入射する。ＯＰＳ６０を通過したパルスレーザ光は、パルス幅が伸長され、光伝送ユニット７０に入射する。
光伝送ユニット７０のＢＳ７１は、入射したパルスレーザ光のうちの一部のパルスレーザ光をエキシマレーザ装置１から出力し、その他のパルスレーザ光を高反射ミラー７２に入射させる。エキシマレーザ装置１から出力されたパルスレーザ光は、露光装置３０２に入力される。
高反射ミラー７２に入射したパルスレーザ光は、高反射ミラー７２で反射された後に集光レンズ７３で集光され、光ファイバ７４の一端に入射する。光ファイバ７４の一端に入射したパルスレーザ光は、スペクトル計測器８０に入力され、ファイバ揺動機構８１により揺動されている光ファイバ７４の他端から出射する。
光ファイバ７４から出射したパルスレーザ光は、コリメートレンズ８２により平行光に変換された後、エタロン８３により分光され、集光レンズ８４により集光されてセンサ８５の受光面上に干渉縞を形成する。センサ８５は、干渉縞を受光してフリンジパターンを検出する。
センサ８５において検出されたフリンジパターンは、プロセッサ９０に送信される。プロセッサ９０（第２のプロセッサの一例）は、受信したフリンジパターンから、パルスレーザ光の中心波長、スペクトル線幅、及びＥ９５幅等を計算する。これらの計算は、複数パルスにより平均化されたフリンジパターンに対して行われる。
プロセッサ９０において計算されたパルスレーザ光の中心波長、スペクトル線幅、及びＥ９５幅等の計測値は、制御部９２に送信される。
制御部９２は、露光装置３０２の露光装置制御部３１０からスペクトル目標値を受け付ける。制御部９２は、計測値がスペクトル目標値に近づくように、ドライバ９６を介してスペクトル可変部２０とＬＮＭ１１とを制御する。
２．２．１ フリンジパターン
図９は、干渉縞とフリンジパターンとを説明するための図である。図９のＦ９Ａは、パルスレーザ光が形成する干渉縞とセンサ８５の受光面との位置関係の一例を示しており、Ｆ９Ｂは、Ｆ９Ａの干渉縞を受光したセンサ８５が検出するフリンジパターンの一例を示している。フリンジパターンは、干渉縞の位置を信号強度で表したものである。
図１０は、スペックルノイズとフリンジパターンとを説明するための図である。図１０のＦ１０Ａは、スペックルノイズを含む不均一な照明の干渉縞からフリンジパターンを検出した場合を示し、Ｆ１０Ｂは、均一化された照明の干渉縞からフリンジパターンを検出した場合を示す。
Ｆ１０Ａに示すフリンジパターンは、スペックルノイズを含む。一方、Ｆ１０Ｂに示すフリンジパターンは、スペックルノイズが低減される。
ファイバ揺動機構８１による光ファイバ７４の揺動がない場合、パルスレーザ光はスペックルノイズを含むため、Ｆ１０Ａに示すフリンジパターンと同様のフリンジパターンとなる。また、ファイバ揺動機構８１によって光ファイバ７４を揺動し、かつ複数パルスを平均化して均一化した場合、スペックルノイズが低減され、Ｆ１０Ｂに示すフリンジパターンと同様のフリンジパターンとなる。
このように、ファイバ揺動機構８１によって光ファイバ７４を揺動し、かつ複数パルスを平均化することで、フリンジパターンのスペックルノイズを低減することができる。
３．課題
図１１は、ファイバ揺動機構８１による光ファイバ７４の振動を説明するための図である。図１１に示すように、ファイバ揺動機構８１による揺動により、光ファイバ７４の出射端は、３０ミリ秒の周期でＶ方向に±５０μｍ程度振動する。この振動は、光ファイバ７４の出射端から出射されるパルスレーザ光の光路を変化させて、センサ８５の受光面上に形成されるスペックルを変化させる効果をもたらす。この効果により、複数パルスで平均化されたフリンジパターンはスペックルノイズが低減されるため、スペクトル計測精度が安定化する。
図１２と図１３とは、ＰＯ４０から出力された後にＯＰＳ６０により伸長された１パルスのパルスレーザ光の、発光強度の経時変化を示す図である。図１２には、その時間内（約４００ナノ秒）におけるファイバ揺動機構８１による光ファイバ７４の出射端の振動の振幅を併せて示している。図１２に示すように、１パルスの発光時間内における光ファイバ７４の出射端の振幅変化はほぼ０μｍであるため、１パルスの発光時間内では光ファイバ７４の振動によるスペックルノイズ低減効果は得られない。
近年、高速波長制御の要求が高まっている。高速に波長制御を行うため、複数パルスによる平均化を行わずに１パルス毎に高精度なスペクトル計測を行う技術が求められている。高精度なスペクトル計測を行うためには、毎パルスでスペックルノイズが低減されたフリンジパターンを取得する必要がある。そのため、例えば図１３に示すように１パルスの発光時間内で、レーザ光の光路を振動し得る方策が必要となる。
４．実施形態１
４．１ 構成
図１４は、実施形態１に係るエキシマレーザ装置２の構成を示す図である。エキシマレーザ装置２は、光伝送ユニット１００とプロセッサ１１０とを含む。光伝送ユニット１００は、変形可能ミラー１０２と、拡散板１０４と、集光レンズ１０６と、光ファイバ１０８とを含む。
変形可能ミラー１０２は、変形可能な反射面１０２Ａを備える。変形可能ミラー１０２は、ＢＳ７１と高反射ミラー７２とで反射されたパルスレーザ光が反射面１０２Ａに入射するように配置される。
集光レンズ７３（第１の集光光学素子の一例）は、高反射ミラー７２と変形可能ミラー１０２との間の光路に配置される。
拡散板１０４（ホモジナイザの一例）は、入射したパルスレーザ光を拡散させて出射する光学素子である。拡散板１０４は、透過率の高い腐食型の拡散板であることが望ましい。腐食型の拡散板とは、例えばガラスの片面をすりガラス状にした後、フッ化水素により表面を腐食させた拡散板である。
拡散板１０４と、集光レンズ１０６と、光ファイバ１０８とは、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａで反射されたパルスレーザ光が、拡散板１０４と集光レンズ１０６とを介して光ファイバ１０８の一端に入射するように配置される。光ファイバ１０８の他端は、スペクトル計測器８０と接続される。
スペクトル計測器８０は、ファイバ揺動機構８１（図８参照）を備えなくてもよい。
プロセッサ１１０（第１のプロセッサの一例）は、制御部９２と変形可能ミラー１０２とに通信可能に接続される。
４．１．１ 変形可能ミラーの構成
図１５は、変形可能ミラー１０２の構成を示す図である。変形可能ミラー１０２は、反射面１０２Ａと、反射面１０２Ａを保持するミラーホルダ１０２Ｂと、反射面１０２Ａを振動変形させる振動装置１０２Ｃとを備える。
振動装置１０２Ｃ（変形装置の一例）は、反射面１０２Ａがパルスレーザ光を反射している間に反射面１０２Ａの裏面に力を加えて反射面１０２Ａの形状を周期的に凹状又は凸状に変形させる１つの不図示のアクチュエータを備える。振動装置１０２Ｃは、反射面１０２Ａの複数の位置の形状をそれぞれ凹状又は凸状に変形させるようにしてもよい。その場合、振動装置１０２Ｃはマトリクス状に配置された複数のアクチュエータを備えてもよい。反射面１０２Ａの形状を変化させるアクチュエータは、静電的、電磁的、液圧的、圧電的、音響的及び機械的に駆動されるアクチュエータのいずれであってもよい。
４．１．２ 光伝送ユニットの構成の詳細
図１６は、光伝送ユニット１００の構成の一部の詳細を示す図である。
変形可能ミラー１０２は、集光レンズ７３から入射するパルスレーザ光の入射角θ０が０°より大きく４５°以下で、集光レンズ７３と反射面１０２Ａとの間隔が集光レンズ７３の焦点距離よりも短くなるように配置される。
拡散板１０４は、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａの変形がない場合に集光レンズ７３によりパルスレーザ光が集光する位置に配置される。
集光レンズ１０６（第２の集光光学素子の一例）は、拡散板１０４を通して拡げられたパルスレーザ光を光ファイバ１０８に集光可能な位置に配置される。集光レンズ１０６の開口数（Numerical Aperture：ＮＡ）は、光ファイバ１０８の開口数以下であることが望ましい。
４．１．３ 光ファイバの構成
図１７は、光ファイバ１０８の断面図である。光ファイバ１０８は、パルスレーザ光の導波路を構成するコア１０８Ａと、コア１０８Ａを取り囲むクラッド１０８Ｂとを含む。
図１７のＦ１７Ａ、Ｆ１７Ｂ、Ｆ１７Ｃ、Ｆ１７Ｄ、及びＦ１７Ｅは、それぞれコア１０８Ａの断面形状が円形、正方形、長方形、六角形、及び八角形の光ファイバ１０８を示す。また、図１７に示すＦ１７Ｆは、複数のコア１０８Ａがバンドル化された光ファイバ１０８を示す。このように、光ファイバ１０８は、コア１０８Ａの断面形状が円形のものに限らず、照度均一化効果の高い多角形状断面（正方形、長方形、六角形、八角形）、又はバンドルタイプのものを含んでいてもよい。
４．２ 動作
プロセッサ１１０は、制御部９２から送られる発振トリガ信号を用いて、変形可能ミラー１０２の振動装置１０２Ｃの振動変形開始タイミングを制御する。
ＭＯ１０によるパルスレーザ光の発光は、発振トリガ信号の立ち上がり開始から所定の時間内に行われる。所定の時間は、例えば４０マイクロ秒である。所定の時間は、レーザ発振周波数に依らずほぼ一定である。また、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａの振動は、発振トリガ信号に同期して行われる。プロセッサ１１０は、発振トリガ信号を受信すると振動装置１０２Ｃに対して振動変形指令を出力する。振動装置１０２Ｃは、振動変形指令を受信すると変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａを振動させる。プロセッサ１１０は発振トリガ信号の立ち上り開始から所定時間の間、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａを振動させるように振動変形指令を出力する。
発振トリガ信号に同期してＭＯ１０が発光したパルスレーザ光は、ＰＯビームステアリングユニット５０とＯＰＳ６０とを経由して、光伝送ユニット１００に入射する。
光伝送ユニット１００に入射したパルスレーザ光のうち、ＢＳ７１を透過したパルスレーザ光は露光装置３０２に入力される。一方、ＢＳ７１で反射されたパルスレーザ光は、高反射ミラー７２で反射された後に集光レンズ７３で集光され、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａに入射する。変形可能ミラー１０２の振動装置１０２Ｃは、反射面１０２Ａでパルスレーザ光を反射している間中、反射面１０２Ａを振動変形させているので反射面１０２Ａで反射されるパルスレーザ光のスペックルが変化する。
反射面１０２Ａで反射されたパルスレーザ光は、拡散板１０４で拡散された後、集光レンズ１０６で集光されて光ファイバ１０８に入射する。光ファイバ１０８を通過したパルスレーザ光は、スペクトル計測器８０に入力される。
図１８は、反射面１０２Ａの振動変形タイミングを説明するための図である。図１８に示すように、反射面１０２Ａは、発振トリガ信号が立ち上がるタイミングから４０マイクロ秒の間、振動変形する。パルスレーザ光は、発振トリガ信号が立ち上がるタイミングから４０マイクロ秒以内に発光する。これにより、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａは、パルスレーザ光の入射前に振動変形を開始し、パルスレーザ光の出射後に振動変形を終了する。
このように、プロセッサ１１０は、ＭＯ１０によるパルスレーザ光の出力タイミング（パルスレーザ光の生成の一例）と、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａの振動変形開始タイミングとを同期させる。あるいは、プロセッサ１１０は、ＰＯ４０によるパルスレーザ光の増幅タイミングと、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａの振動変形開始タイミングとを同期させるようにしてもよい。
なお、反射面１０２Ａの振動変形の停止タイミングは４０マイクロ秒後（一定時間後の一例）に限定されず、プロセッサ１１０は、パルスレーザ光がスペクトル計測器８０に入射された後に反射面１０２Ａの振動変形を停止させればよい。
図１９は、変形可能ミラー１０２の制御によるパルスレーザ光の反射を説明するための図である。図１９のＦ１９Ａは、反射面１０２Ａの変形がない場合のパルスレーザ光の反射を示しており、Ｆ１９Ｂは、反射面１０２Ａが変形している場合のパルスレーザ光の反射を示している。Ｆ１９Ｂに示すように、パルスレーザ光の１パルス内に反射面１０２Ａが振動変形することで、反射面１０２Ａで反射されるパルスレーザ光のスペックルが変化する。この結果、毎パルスで取得するフリンジパターンからスペックルノイズが低減される。
反射面１０２Ａは、振動装置１０２Ｃが振動変形指令を受信している間、反射されるパルスレーザ光のビーム拡がり角が最大５°となる振幅で、最大１２ＭＨｚの周波数で振動し得る。
４．３ 作用・効果
エキシマレーザ装置２によれば、パルスレーザ光の１パルス内に変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａを図１３に示すように振動させることができる。例えば、ＯＰＳ６０通過後のパルスレーザ光の１パルスの発光時間は約４００ナノ秒であり、反射面１０２Ａの所定の位置の変形は１周期で１００ナノ秒程度である。このように、エキシマレーザ装置２によれば、パルスレーザ光の１パルス内に反射面１０２Ａの形状を周期的に凹状又は凸状に変形させるので、パルスレーザ光のスペックルノイズを低減することができる。
図２０は、パルスレーザ光のパルス幅とＳＣ低減率との関係を示す図である。ＳＣ低減率は、変形可能ミラー１０２の振動変形によってスペックルコントラストＳＣが低減する率であり、単位は％である。ＳＣ低減率は、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａが振動変形していない場合のスペックルコントラストＳＣＯＦＦと、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａが振動変形している場合のスペックルコントラストＳＣＯＮとを用いて、下記の式（３）により定義される。
ＳＣ低減率＝（ＳＣＯＦＦ－ＳＣＯＮ）／ＳＣＯＦＦ×１００ …（３）
パルスレーザ光のパルス幅は、ＯＰＳ６０の遅延光路長を調整することで変更可能である。図２０において、パルス幅４０ｎｓ付近のデータは、ＯＰＳ６０を用いない場合であり、ＯＰＳ６０の光路長を変化させてパルスレーザ光のパルス幅を長くするほど、ＳＣ低減率は高くなることを示している。このように、エキシマレーザ装置２によれば、変形可能ミラー１０２をＯＰＳ６０の後に配置することにより、ＯＰＳ６０と変形可能ミラー１０２とによる相乗的なスペックル低減効果を得ることができる。
なお、ＳＣ低減率は、反射面１０２Ａの振動変形がパルス幅より短い周期で、かつ振幅が大きいほど高くなると考えられる。
エキシマレーザ装置２によれば、パルスレーザ光が入射する前から反射面１０２Ａの振動変形を開始させているので、安定した振動変形でパルスレーザ光を反射することができる。また、エキシマレーザ装置２によれば、パルスレーザ光の毎パルスの発光に対して、毎回同じタイミングで反射面１０２Ａを振動変形させるので、毎パルス同じスペックル低減効果が得られる。即ち、毎パルス異なるタイミングで反射面１０２Ａを振動させるよりもスペクトル波形が安定化するため、スペクトル計測精度の改善に寄与することができる。
エキシマレーザ装置２によれば、パルスレーザ光の光路の変形可能ミラー１０２の後段に拡散板１０４を配置したので、パルスレーザ光の照度あるいは強度分布を適切に均一化することができる。また、エキシマレーザ装置２によれば、腐食型の拡散板１０４を使用したので、パルスレーザ光が減衰することを抑制することができる。さらに、エキシマレーザ装置２によれば、反射面１０２Ａの変形がない場合に集光レンズ７３によりパルスレーザ光が集光する位置に拡散板１０４を配置したので、パルスレーザ光が減衰することを抑制することができる。
エキシマレーザ装置２によれば、光ファイバ１０８への入射前にパルスレーザ光のスペックルを変化させるので、光ファイバ１０８からの出射後にスペックルを変化させる場合よりも光ファイバ１０８の耐久性を向上させることができる。また、エキシマレーザ装置２によれば、集光レンズ１０６の開口数を光ファイバ１０８の開口数以下としたので、パルスレーザ光を効率よく光ファイバ１０８に入射させることができる。
エキシマレーザ装置２によれば、断面が多角形状のコア１０８Ａ、及びバンドルタイプのコア１０８Ａの少なくとも一方を備える光ファイバ１０８（ホモジナイザの一例）を用いた場合には、パルスレーザ光の照度あるいは強度分布の均一化効果を高めることができる。
５．実施形態２
５．１ 構成
図２１と図２２とは、それぞれ実施形態２に係る光伝送ユニット１２０の構成の一部の一例を示す図である。光伝送ユニット１２０は、不図示のＢＳ７１と、不図示の高反射ミラー７２と、不図示の集光レンズ７３と（それぞれ図１６参照）を含む。また、光伝送ユニット１２０は、パルスレーザ光の光路の変形可能ミラー１０２の反射光の光路に高反射ミラー１２２を含む。
高反射ミラー１２２は、例えば反射率が９９％以上の光学素子である。高反射ミラー１２２は、拡散板１０４によって拡散されたパルスレーザ光を高反射し、集光レンズ１０６に入射するように配置される。
高反射ミラー１２２は、反射面１０２Ａに入射するパルスレーザ光の入射角に応じて配置される角度を変更してもよい。図２１は、入射角θ１の例を示している。図２２は、入射角θ１より小さい入射角θ２の例を示している。入射角θ１と入射角θ２とは、ともに０°より大きく４５°以下である。
高反射ミラー１２２を凹面形状の集光ミラーとし、集光レンズ１０６を除いた構成にしてもよい。図２３と図２４とは、それぞれ光伝送ユニット１２０の構成の一部の他の例を示す図である。この例では、光伝送ユニット１２０は、高反射凹面ミラー１２４を含む。凹面の形状は球面のほか、放物面や軸外放物面あるいは回転楕円面等の非球面でもよい。
高反射凹面ミラー１２４（第２の集光光学素子の一例）は、反射率が９９％以上の凹面形状の集光ミラーである。高反射凹面ミラー１２４は、拡散板１０４によって拡散されたパルスレーザ光を高反射かつ集光し、光ファイバ１０８に入射するように配置される。高反射凹面ミラー１２４の開口数は、光ファイバ１０８の開口数以下であることが望ましい。
高反射凹面ミラー１２４は、反射面１０２Ａに入射するパルスレーザ光の入射角に応じて配置される角度を変更してもよい。図２３は、入射角θ１の例を示している。図２４は、入射角θ１より小さい入射角θ２の例を示している。
５．２ 動作
図２１と図２２とに示す光伝送ユニット１２０では、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａにより反射されたパルスレーザ光は、拡散板１０４によって拡散される。拡散されたパルスレーザ光は、高反射ミラー１２２によって高反射された後に集光レンズ１０６によって集光されて、光ファイバ１０８に入射する。
図２３と図２４とに示す光伝送ユニット１２０では、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａにより反射されたパルスレーザ光は、拡散板１０４によって拡散される。拡散されたパルスレーザ光は、高反射凹面ミラー１２４によって高反射かつ集光されて、光ファイバ１０８に入射する。
５．３ 作用・効果
光伝送ユニット１２０によれば、光伝送ユニット１００の構成がエキシマレーザ装置１の設計上の観点から実施が困難であると判断される場合に、パルスレーザ光の光路を変更しつつ光伝送ユニット１００と同等のスペックルノイズ低減効果を有する代替的な構成手段として機能し得る。
６．実施形態３
６．１ 構成
図２５と図２６とは、それぞれ実施形態３に係る光伝送ユニット１３０の構成の一部の一例を示す図である。光伝送ユニット１３０は、不図示のＢＳ７１と、不図示の高反射ミラー７２と、不図示の集光レンズ７３と（それぞれ図１６参照）を含む。また、光伝送ユニット１３０は、光ファイバ１３２（ホモジナイザの一例）を含む。光伝送ユニット１３０は、拡散板１０４を含まない点が光伝送ユニット１００と異なる。
変形可能ミラー１０２は、反射面１０２Ａに入射したパルスレーザ光が集光レンズ１０６に入射するように配置される。
集光レンズ１０６は、入射したパルスレーザ光を集光して光ファイバ１３２に入射するように配置される。集光レンズ１０６の開口数は、光ファイバ１３２の開口数以下であることが望ましい。
集光レンズ１０６と光ファイバ１０８とは、反射面１０２Ａに入射するパルスレーザ光の入射角に応じて配置される角度を変更してもよい。図２５は、入射角θ３の例を示している。図２６は、入射角θ３より小さい入射角θ４の例を示している。入射角θ３と入射角θ４とは、ともに０°より大きく４５°以下である。
図２７は、光ファイバ１３２の断面図である。光ファイバ１３２は、パルスレーザ光の導波路を構成するコア１３２Ａと、コア１３２Ａを取り囲むクラッド１３２Ｂとを含む。
図２７に示すＦ２７Ａ、Ｆ２７Ｂ、Ｆ２７Ｃ、及びＦ２７Ｄは、それぞれコア１３２Ａの断面形状が正方形、長方形、六角形、及び八角形の光ファイバ１３２を示す。また、図２７に示すＦ２７Ｅは、複数のコア１３２Ａがバンドル化された光ファイバ１３２を示す。
６．２ 動作
光伝送ユニット１３０は、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａにより反射されたパルスレーザ光を集光レンズ１０６により直接集光して光ファイバ１３２に入射させる。
６．３ 作用・効果
光伝送ユニット１３０によれば、断面が多角形状のコア１３２Ａ、及びバンドルタイプのコア１３２Ａの少なくとも一方を備える光ファイバ１３２を用いるので、拡散板１０４による照度均一化効果を光ファイバ１３２のみで達成することができる。
また、光伝送ユニット１３０によれば、拡散板１０４を含まない分、光伝送ユニット１００よりも光量の損失を小さくすることができる。
さらに、光伝送ユニット１３０によれば、光伝送ユニット１００よりも省スペースで、かつ光伝送ユニット１００と同等のスペックルノイズ低減効果を達成することができる。
７．実施形態４
７．１ 構成
図２８は、実施形態４に係るエキシマレーザ装置３の構成の一部を示す図である。エキシマレーザ装置３は、光伝送ユニット１４０とスペクトル計測器１５０とを含む。
光伝送ユニット１４０は、不図示のＢＳ７１と、不図示の高反射ミラー７２と（それぞれ図１６参照）を含む。光伝送ユニット１４０は、集光レンズ１０６と光ファイバ１０８とを含まない点が光伝送ユニット１００と異なる。変形可能ミラー１０２は、集光レンズ７３から入射するパルスレーザ光の入射角θ５が０°より大きく４５°以下となるように配置される。
また、スペクトル計測器１５０は、ファイバ揺動機構８１を含まない点がスペクトル計測器８０と異なる。
７．２ 動作
エキシマレーザ装置３は、変形可能ミラー１０２の反射面１０２Ａで反射したパルスレーザ光を、拡散板１０４を通して拡散し、直接スペクトル計測器１５０へ入射させる。
７．３ 作用・効果
光伝送ユニット１４０によれば、均一化したパルスレーザ光を、光ファイバ１０８を経由せずにスペクトル計測器１５０に入射させるため、光伝送ユニット１００よりも光量の損失を小さくすることができる。
また、光伝送ユニット１４０によれば、光伝送ユニット１００よりも省スペースで、かつ光伝送ユニット１００と同等のスペックルノイズ低減効果を達成することができる。
８．電子デバイスの製造方法
図２９は、露光装置３０２の構成例を概略的に示す図である。電子デバイスの製造方法は、エキシマレーザ装置３００と、露光装置３０２とによって実現される。
エキシマレーザ装置３００は、各実施形態で説明したエキシマレーザ装置１、エキシマレーザ装置２、又はエキシマレーザ装置３を含んでもよい。
エキシマレーザ装置３００から出力されたパルスレーザ光は、露光装置３０２に入力され、露光光として用いられる。
露光装置３０２は、照明光学系３０４と投影光学系３０６とを含む。照明光学系３０４は、ＯＰＳ６０から入射したパルスレーザ光によって、レチクルステージＲＴのレチクルパターンを照明する。投影光学系３０６は、レチクルを透過したパルスレーザ光を、縮小投影してワークピーステーブルＷＴ上に配置された不図示のワークピースに結像させる。ワークピースはフォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置３０２は、レチクルステージＲＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、レチクルパターンを反映したパルスレーザ光をワークピース上に露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで半導体デバイスを製造することができる。半導体デバイスは本開示における「電子デバイス」の一例である。
９．その他
エキシマレーザ装置２のＭＯ１０としてエキシマレーザ装置を用いたが、固体レーザ装置を用いてもよい。ＭＯ１０として固体レーザ装置を用いた場合であっても、エキシマレーザ装置２は、狭帯域化ガスレーザ装置として解釈することができる。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかである。また、本開示の実施形態を組み合わせて使用することも当業者には明らかである。
本明細書及び特許請求の範囲全体で使用される用語は、明記が無い限り「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきである。さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。

Claims (19)

  1. 反射面でパルスレーザ光を反射している間に前記反射面を変形させる変形装置を含む変形可能ミラーと、
    前記変形可能ミラーによって反射されたパルスレーザ光を均一化するホモジナイザと、
    を備え、
    前記変形装置は前記パルスレーザ光の１パルス内に前記反射面の形状を周期的に変形させる、光伝送ユニット。
  2. 請求項１に記載の光伝送ユニットであって、
    前記変形可能ミラーに入射する前記パルスレーザ光の入射角は４５°以下である、光伝送ユニット。
  3. 請求項１に記載の光伝送ユニットであって、
    前記ホモジナイザは拡散板を備える、光伝送ユニット。
  4. 請求項３に記載の光伝送ユニットであって、
    前記拡散板は腐食型である、光伝送ユニット。
  5. 請求項３に記載の光伝送ユニットであって、
    前記パルスレーザ光を前記拡散板に集光させる第１の集光光学素子を備える、光伝送ユニット。
  6. 請求項５に記載の光伝送ユニットであって、
    前記第１の集光光学素子は、前記パルスレーザ光を前記変形可能ミラーを介して前記拡散板に集光させる位置に配置される、光伝送ユニット。
  7. 請求項３に記載の光伝送ユニットであって、
    前記拡散板によって均一化された前記パルスレーザ光の光路に反射ミラーを備える、光伝送ユニット。
  8. 請求項７に記載の光伝送ユニットであって、
    前記反射ミラーは、集光ミラーである、光伝送ユニット。
  9. 請求項１に記載の光伝送ユニットであって、
    前記ホモジナイザは断面が多角形状のコア及びバンドルタイプのコアの少なくとも一方を含む光ファイバを備える、光伝送ユニット。
  10. 請求項９に記載の光伝送ユニットであって、
    前記パルスレーザ光を前記光ファイバに集光させる第２の集光光学素子を備える、光伝送ユニット。
  11. 請求項１０に記載の光伝送ユニットであって、
    前記第２の集光光学素子の開口数は前記光ファイバの開口数以下である、光伝送ユニット。
  12. 請求項１１に記載の光伝送ユニットであって、
    前記パルスレーザ光の生成と同期させて前記変形装置の駆動を開始させる第１のプロセッサを備える、光伝送ユニット。
  13. 請求項１２に記載の光伝送ユニットであって、
    前記第１のプロセッサは前記変形装置の駆動を開始してから一定時間後に前記変形装置の駆動を停止させる、光伝送ユニット。
  14. パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、
    反射面を変形させる変形装置を含む変形可能ミラーと、
    前記反射面でパルスレーザ光を反射している間に前記変形装置を駆動させる第１のプロセッサと、
    前記変形可能ミラーによって反射されたパルスレーザ光を均一化するホモジナイザと、
    前記ホモジナイザによって均一化されたパルスレーザ光のスペクトルを計測するスペクトル計測器と、
    を備えるレーザ装置。
  15. 請求項１４に記載のレーザ装置であって、
    前記パルスレーザ光のパルス幅を伸長して前記変形可能ミラーに出射する光学パルスストレッチャを備える、レーザ装置。
  16. 請求項１４に記載のレーザ装置であって、
    前記スペクトル計測器は、
    前記パルスレーザ光が入射するエタロンと、
    前記エタロンによって生じるフリンジパターンを取得するセンサと、
    を備える、レーザ装置。
  17. 請求項１６に記載のレーザ装置であって、
    １つの前記フリンジパターンから前記パルスレーザ光のスペクトルを計算する第２のプロセッサを備える、レーザ装置。
  18. 請求項１７に記載のレーザ装置であって、
    前記計算されたスペクトルに基づいて前記レーザ発振器を制御する制御部を含む、レーザ装置。
  19. 電子デバイスの製造方法であって、
    パルスレーザ光を出力するレーザ発振器と、
    反射面を変形させる変形装置を含む変形可能ミラーと、
    前記反射面でパルスレーザ光を反射している間に前記変形装置を駆動させる第１のプロセッサと、
    前記変形可能ミラーによって反射されたパルスレーザ光を均一化するホモジナイザと、
    前記ホモジナイザによって均一化されたパルスレーザ光のスペクトルを計測するスペクトル計測器と、
    を備えるレーザ装置によってパルスレーザ光を生成し、
    前記パルスレーザ光を露光装置に出力し、
    電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記パルスレーザ光を露光すること
    を含む電子デバイスの製造方法。
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