JP7455683B2 - Power supply device and image forming device - Google Patents
Power supply device and image forming device Download PDFInfo
- Publication number
- JP7455683B2 JP7455683B2 JP2020111338A JP2020111338A JP7455683B2 JP 7455683 B2 JP7455683 B2 JP 7455683B2 JP 2020111338 A JP2020111338 A JP 2020111338A JP 2020111338 A JP2020111338 A JP 2020111338A JP 7455683 B2 JP7455683 B2 JP 7455683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- terminal
- developing
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Developing For Electrophotography (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
- Control Or Security For Electrophotography (AREA)
- Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
Description
本発明は、電源装置、及び電源装置を備える画像形成装置に関する。 The present invention relates to a power supply device and an image forming apparatus including the power supply device.
図8(b)は、図8(a)に示すプリンタ300の画像形成部における画像形成動作を説明するための画像形成部周辺の断面図である。帯電ローラ102には、高電圧の帯電電圧を供給する帯電電圧源VPRの出力電圧である帯電電圧Vprが印加され、帯電ローラ102は、感光ドラム101の表面電位を暗部電位Vdに帯電させる。感光ドラム101は、図8(b)中、矢印方向(時計回り方向)に回転し、露光部319から出射されたレーザ光103の照射を受けると、感光ドラム101の表面電位は、明部電位Vlに除電される。感光ドラム101は更に回転し、現像ローラ104に当接する。現像ローラ104には現像電圧Vdcが印加され、現像ローラ104の表面には、トナー100が付着している。このとき、レーザ光103の照射を受けた明部電位Vlの方が、現像電圧Vdcより電位が高いので、トナー100は感光ドラム101の表面に付着する。
FIG. 8(b) is a cross-sectional view of the vicinity of the image forming section for explaining the image forming operation in the image forming section of the
そして、感光ドラム101は更に回転し、シート109を介して、転写ローラ105に当接する。転写ローラ105には転写電圧Vtrが印加され、転写電圧Vtrの方が、トナー100が付着している明部電位Vlよりも電位が高いので、トナー100は感光ドラム101から剥離し、シート109上に付着する。シート109は、図8(b)中、左方向に搬送され、定着器314(図8(a))によって加圧、加熱される。すると、シート109上のトナー100が融解し、シート109に定着される。
Then, the
図9は、現像ローラ104に印加される現像電圧Vdcを生成する現像電圧回路Biasの構成を説明する回路図である。現像電圧Vdcは、現像電圧回路Biasとシャント抵抗R0と帯電電圧源VPRによって生成される。図9に示す現像電圧回路Biasにおいて、CPUは、電源電圧として規定電圧Vbが供給され、出力端子TGTから現像電圧Vdcの出力電圧を制御するPWM信号を出力する。
FIG. 9 is a circuit diagram illustrating the configuration of a developing voltage circuit Bias that generates the developing voltage Vdc applied to the developing
図9では、トランジスタTr1、Tr2は、規定電圧Vaに接続されており、トランジスタTr2のコレクタ端子にはシャント抵抗R0を介して帯電電圧源VPRが接続されている。破線で示すシャント電流Isは、規定電圧Va→トランジスタTr1→トランジスタTr2→シャント抵抗R0→帯電電圧源VPR→グランド(GND)の経路で流れる。現像電圧回路Biasは、TGT端子から出力するPWM信号により、シャント電流Isの電流値を適宜増減させることで、現像ローラ104に所望の現像電圧Vdcを出力することができる。例えば、特許文献1には、上述した現像電圧回路の回路構成が開示されている。なお、上述した図8、図9の詳細な説明は後述する。
In FIG. 9, transistors Tr1 and Tr2 are connected to a specified voltage Va, and a charging voltage source VPR is connected to the collector terminal of transistor Tr2 via a shunt resistor R0. The shunt current Is shown by the broken line flows along a path of specified voltage Va→transistor Tr1→transistor Tr2→shunt resistor R0→charging voltage source VPR→ground (GND). The developing voltage circuit Bias can output a desired developing voltage Vdc to the developing
図11は、感光ドラム101が停止している状態(図11(a))から回転開始した状態(図11(b))を説明する画像形成部の断面図である。図11(a)において、感光ドラム101の帯電ローラ102と当接した位置から現像ローラ104に当接した位置までの扇形の領域は、表面電位が0Vの領域である。そして、感光ドラム101は回転を開始して、図11(a)の状態から図11(b)に示す状態に移行する。このとき、現像ローラ104に印加される現像電圧Vdcが0Vよりも低い負電位の場合には、現像ローラ104の表面のトナー100は、電位の高い感光ドラム101側に付着してしまう。
FIG. 11 is a cross-sectional view of the image forming section illustrating a state in which the
その結果、付着したトナー100は、感光ドラム101とともに転写ローラ105に移動すると、転写ローラ105に付着することにより転写ローラ105を汚してしまう。更に、転写ローラ105に搬送されるシートの裏面(転写ローラ105側の面)にトナー100が付着することにより、シート109の裏汚しが生じる。また、回転開始時に感光ドラム101に付着したトナー100は、クリーニングブレード106により除去される。ところが、除去されたトナー100が増えることにより、廃トナーを格納する廃トナーボックス107の大型化を招き、ひいては画像形成装置の大型化を招くという課題が生じる。
As a result, when the attached
本発明は、このような状況のもとでなされたもので、感光ドラムの回転開始時に感光ドラム上の帯電されていない領域にトナーが付着することを防止することを目的とする。 The present invention was made under such circumstances, and an object of the present invention is to prevent toner from adhering to an uncharged area on the photosensitive drum when the photosensitive drum starts rotating.
上述した課題を解決するために、本発明では、以下の構成を備える。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention includes the following configuration.
(1)負荷に電源電圧を供給する電源装置であって、第1の電圧源と、入力端子が前記第1の電圧源と接続され、前記第1の電圧源から入力された電圧から前記負荷に供給する電圧を生成する電圧生成部と、前記電圧生成部の出力端子に接続された第2の電圧源と、前記電圧生成部が生成する前記電圧を制御する制御手段と、前記制御手段と前記電圧生成部とに接続されたバイパス手段と、を備え、前記電圧生成部は、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタは、エミッタ端子が前記第1の電圧源と接続され、ベース端子が前記制御手段と接続され、コレクタ端子が前記第2のトランジスタのエミッタ端子と接続され、前記第2のトランジスタは、ベース端子が前記バイパス手段と接続され、コレクタ端子が前記電圧生成部の出力端子と接続され、前記第1のトランジスタのベース端子と前記第2のトランジスタのベース端子とは第1の抵抗を介して接続され、前記第2のトランジスタのベース端子とコレクタ端子とは第2の抵抗を介して接続され、前記制御手段は、前記第1のトランジスタのベース端子に流れる電流を制御することにより、前記第2のトランジスタのコレクタ端子から出力される電圧を制御し、前記バイパス手段は、前記第2のトランジスタのベース端子と前記制御手段との間に配置され、前記第2のトランジスタのベース端子に流れる電流を前記制御手段に流すことを特徴とする電源装置。 (1) A power supply device that supplies a power supply voltage to a load, wherein a first voltage source and an input terminal are connected to the first voltage source, and the voltage input from the first voltage source is applied to the load. a second voltage source connected to an output terminal of the voltage generation section; a control means for controlling the voltage generated by the voltage generation section; bypass means connected to the voltage generation section, the voltage generation section having a first transistor and a second transistor, the first transistor having an emitter terminal connected to the first transistor. the second transistor has a base terminal connected to the bypass means, a base terminal connected to the control means, a collector terminal connected to the emitter terminal of the second transistor, and a base terminal connected to the bypass means; is connected to the output terminal of the voltage generation section, the base terminal of the first transistor and the base terminal of the second transistor are connected via a first resistor, and the base terminal of the second transistor and The control means is connected to the collector terminal via a second resistor, and the control means controls the voltage output from the collector terminal of the second transistor by controlling the current flowing to the base terminal of the first transistor. the bypass means is arranged between the base terminal of the second transistor and the control means, and causes the current flowing to the base terminal of the second transistor to flow through the control means. Device.
(2)感光ドラムと、前記感光ドラムを一様の電位に帯電する帯電手段と、前記帯電手段により前記一様の電位に帯電された前記感光ドラムに静電潜像を形成する露光手段と、前記感光ドラム上の静電潜像をトナーにより現像し、トナー像を形成する現像手段と、前記感光ドラム上に形成された前記トナー像をシートに転写する転写手段と、請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の電源装置と、を備え、前記現像手段は、前記静電潜像にトナーを付着させる現像ローラを有し、前記電源装置は、前記現像ローラに電圧を供給することを特徴とする画像形成装置。 (2) a photosensitive drum, a charging means for charging the photosensitive drum to a uniform potential, and an exposure means for forming an electrostatic latent image on the photosensitive drum charged to the uniform potential by the charging means; Developing means for developing an electrostatic latent image on the photosensitive drum with toner to form a toner image; and a transfer means for transferring the toner image formed on the photosensitive drum onto a sheet. 10, wherein the developing means has a developing roller that attaches toner to the electrostatic latent image, and the power source supplies voltage to the developing roller. An image forming apparatus characterized by:
本発明によれば、感光ドラムの回転開始時に感光ドラム上の帯電されていない領域にトナーが付着することを防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent toner from adhering to an uncharged area on the photosensitive drum when the photosensitive drum starts rotating.
[画像形成装置]
電源装置を備える画像形成装置の一例として、レーザビームプリンタを例にあげて説明する。図8(a)に電子写真方式のプリンタの一例であるレーザビームプリンタの概略構成を示す。レーザビームプリンタ300(以下、プリンタ300という)は、静電潜像が形成される感光体としての感光ドラム101、感光ドラム101を一様の電位に帯電する帯電ローラ102(帯電手段)を備えている。プリンタ300は、更に、感光ドラム101に静電潜像を形成する露光部319(露光手段)、感光ドラム101上(感光ドラム上)に形成された静電潜像をトナーで現像する現像ローラ104を有する現像装置(現像手段)を備えている。そして、感光ドラム101に現像されたトナー像をカセット316から供給された記録材としてのシート109(不図示)に転写ローラ105(転写手段)によって転写して、シート109に転写したトナー像を定着器314で定着してトレイ315に排出する。クリーニングブレード106は、シート109に転写されず、感光ドラム101上に残留したトナーを除去し、除去されたトナーは、廃トナーを収容する廃トナーボックス107に蓄積される。この感光ドラム101、帯電ローラ102、露光部319、現像ローラ104、転写ローラ105が画像形成部である。また、プリンタ300は、後述する負荷に電源電圧を供給する電源装置500を備えている。なお、画像形成装置は、図8(a)に例示したものに限定されず、例えば複数の画像形成部を備える画像形成装置であってもよい。更に、感光ドラム101上のトナー像を中間転写ベルトに転写する一次転写部と、中間転写ベルト上のトナー像をシートに転写する二次転写部を備える画像形成装置であってもよい。
[Image forming device]
A laser beam printer will be described as an example of an image forming apparatus including a power supply device. FIG. 8A shows a schematic configuration of a laser beam printer, which is an example of an electrophotographic printer. The laser beam printer 300 (hereinafter referred to as the printer 300) includes a
プリンタ300は、画像形成部による画像形成動作や、シート109の搬送動作を制御するCPUを有するコントローラ320を備えている。電源装置500は、例えばコントローラ320に電力を供給する低電圧電源と、帯電ローラ102、現像ローラ104、転写ローラ105に高電圧を供給する高電圧電源(電圧源)と、を備えている。
The
[画像形成部の構成]
図8(b)は、図8(a)に示すプリンタ300の画像形成部における画像形成動作を説明するための画像形成部周辺の断面図である。帯電ローラ102には、高電圧の帯電電圧を供給する帯電電圧源VPRの出力電圧である帯電電圧Vprが印加されている。帯電電圧Vprは、概ね-1000V程度である。帯電ローラ102は、感光ドラム101の表面電位を暗部電位Vdに帯電する。暗部電位Vdは、概ね-700V程度である。感光ドラム101は、図8(b)中、矢印方向(時計回り方向)に回転し、露光部319から出射されたレーザ光103の照射を受ける。感光ドラム101の表面電位は、レーザ光103の照射を受けることにより、明部電位Vlに除電される。明部電位Vlは、概ね-100V程度である。感光ドラム101は更に回転し、現像ローラ104に当接する。現像ローラ104には、現像電圧Vdcが印加されている。現像電圧Vdcは、概ね-400V程度である。現像ローラ104の表面には、トナー100が付着している。トナー100は、負の電荷をもった粉体である。このとき、レーザ光103の照射を受けた明部電位Vl(概略-100V)の方が、現像電圧Vdc(概略-400V)より電位が高いので、トナー100は感光ドラム101の表面に付着する。
[Configuration of image forming section]
FIG. 8(b) is a cross-sectional view of the vicinity of the image forming unit for explaining the image forming operation in the image forming unit of the
そして、感光ドラム101は更に回転し、シート109を介して、転写ローラ105に当接する。転写ローラ105には、高電圧の転写電圧を供給する転写電圧源VTRの出力電圧である転写電圧Vtrが印加されている。転写電圧Vtrは、概ね+1000V程度である。このとき、転写電圧Vtr(概略+1000V)の方が、トナー100が付着している明部電位Vl(概略-100V)よりも電位が高いので、トナー100は感光ドラム101から剥離し、シート109上に付着する。シート109は、図8(b)中、左方向に搬送され、定着器314(図8(a))によって加圧、加熱される。すると、シート109上のトナー100が融解し、シート109に定着される。なお、破線で示すシャント電流Isの説明は後述する。
Then, the
[従来の現像電圧回路の構成]
図9は、現像ローラ104に印加される現像電圧Vdcを生成する従来の現像電圧回路Biasの構成を説明する回路図である。現像電圧Vdcは、現像電圧回路Biasとシャント抵抗R0と帯電電圧源VPRによって生成される。
[Conventional development voltage circuit configuration]
FIG. 9 is a circuit diagram illustrating the configuration of a conventional developing voltage circuit Bias that generates the developing voltage Vdc applied to the developing
図9に示す現像電圧回路Biasにおいて、制御部であるCPUは、電源電圧として第3の電圧源である規定電圧Vbが供給され、出力端子TGTから現像電圧Vdcの電圧を制御するパルス信号であるPWM信号を出力する。出力端子TGTは、抵抗R14の一端と接続され、抵抗R14の他端はコンデンサC2の一端及びオペアンプOP1の反転入力端子(-)と接続されている。抵抗R14及びコンデンサC2は、CPUのTGT端子から出力されるPWM信号を平滑化する平滑部を構成する。コンデンサC2の他端はグランド(GND)に接続(接地)されている。規定電圧Vbと出力される現像電圧Vdcとの間には、抵抗R12、R13が直列に接続されている。抵抗R12と抵抗R13の接続点がオペアンプOP1の非反転入力端子(+)と接続されている。制御手段であるオペアンプOP1の出力端子は、コンデンサC1を介して、非反転入力端子(+)と接続されている。また、オペアンプOP1の出力端子と非反転入力端子(+)とは、コンデンサC1を介して接続されている。 In the developing voltage circuit Bias shown in FIG. 9, the CPU, which is the control unit, is supplied with the specified voltage Vb, which is the third voltage source, as the power supply voltage, and receives a pulse signal from the output terminal TGT to control the developing voltage Vdc. Outputs a PWM signal. The output terminal TGT is connected to one end of a resistor R14, and the other end of the resistor R14 is connected to one end of the capacitor C2 and the inverting input terminal (-) of the operational amplifier OP1. The resistor R14 and the capacitor C2 constitute a smoothing section that smoothes the PWM signal output from the TGT terminal of the CPU. The other end of the capacitor C2 is connected (grounded) to the ground (GND). Resistors R12 and R13 are connected in series between the specified voltage Vb and the output developing voltage Vdc. A connection point between the resistor R12 and the resistor R13 is connected to the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier OP1. An output terminal of the operational amplifier OP1, which is a control means, is connected to a non-inverting input terminal (+) via a capacitor C1. Further, the output terminal of the operational amplifier OP1 and the non-inverting input terminal (+) are connected via a capacitor C1.
第1のトランジスタであるpnp型のトランジスタTr1は、エミッタ端子は第1の電圧源である規定電圧Vaと接続され、コレクタ端子はトランジスタTr2のエミッタ端子と接続されている。トランジスタTr1のベース端子は、抵抗R10を介して規定電圧Vaと接続され、第1の抵抗である抵抗R1を介してトランジスタTr2のベース端子と接続され、抵抗R11を介して、オペアンプOP1の出力端子と接続されている。第2のトランジスタであるpnp型のトランジスタTr2のエミッタ端子は、トランジスタTr1のコレクタ端子と接続されている。また、トランジスタTr2のコレクタ端子は、一端がトランジスタTr2のベース端子と接続された第2の抵抗である抵抗R2の他端、及び抵抗R13の抵抗R12との接続点とは逆側の端子と接続されている。更に、トランジスタTr2のコレクタ端子は、現像電圧Vdcの出力端子と第3の抵抗であるシャント抵抗R0の一端と接続されている。シャント抵抗R0の他端は、帯電電圧Vprの出力端子、及び第2の電源である帯電電圧源VPRと接続されている。 The pnp transistor Tr1, which is the first transistor, has an emitter terminal connected to a specified voltage Va, which is a first voltage source, and a collector terminal connected to the emitter terminal of the transistor Tr2. The base terminal of the transistor Tr1 is connected to the specified voltage Va via a resistor R10, the base terminal of the transistor Tr2 is connected via a resistor R1 which is a first resistor, and the output terminal of the operational amplifier OP1 is connected via a resistor R11. is connected to. The emitter terminal of the pnp transistor Tr2, which is the second transistor, is connected to the collector terminal of the transistor Tr1. Further, the collector terminal of the transistor Tr2 is connected to the other end of the resistor R2, which is a second resistor whose one end is connected to the base terminal of the transistor Tr2, and to the terminal of the resistor R13 on the opposite side from the connection point with the resistor R12. has been done. Furthermore, the collector terminal of the transistor Tr2 is connected to the output terminal of the developing voltage Vdc and one end of a shunt resistor R0, which is a third resistor. The other end of the shunt resistor R0 is connected to an output terminal of the charging voltage Vpr and a charging voltage source VPR, which is a second power source.
[従来の現像電圧回路の動作]
上述したように、図9では、電圧生成部を構成するトランジスタTr1、Tr2は、規定電圧Va(例えば+24Vの直流電圧)に接続されており、トランジスタTr2のコレクタ端子にはシャント抵抗R0を介して帯電電圧源VPRが接続されている。破線で示すシャント電流Is(以下、コレクタ電流Isともいう)は、規定電圧Va→トランジスタTr1→トランジスタTr2→シャント抵抗R0→帯電電圧源VPR→グランド(GND)の経路で流れる。現像電圧回路Biasは、TGT端子から出力するPWM信号により、シャント電流Isの電流値を適宜増減させることで、現像ローラ104に所望の現像電圧Vdcを出力することができる。その結果、現像電圧Vdcは、次の(式1)により表すことができる。
現像電圧Vdc=Vpr+R0×Is・・・(式1)
[Operation of conventional developing voltage circuit]
As described above, in FIG. 9, the transistors Tr1 and Tr2 constituting the voltage generation section are connected to a specified voltage Va (for example, +24V DC voltage), and the collector terminal of the transistor Tr2 is connected to the collector terminal of the transistor Tr2 via the shunt resistor R0. A charging voltage source VPR is connected. A shunt current Is (hereinafter also referred to as collector current Is) indicated by a broken line flows along a path of specified voltage Va→transistor Tr1→transistor Tr2→shunt resistor R0→charged voltage source VPR→ground (GND). The developing voltage circuit Bias can output a desired developing voltage Vdc to the developing
Developing voltage Vdc=Vpr+R0×Is...(Formula 1)
規定電圧Vb(例えば+3.3Vの直流電圧)と現像電圧Vdcとの間には、直列に接続された抵抗R12と抵抗R13が配置されている。そして、抵抗R12、R13により分圧された分圧電圧Vsnsは、基準電圧として、オペアンプOP1の第2の入力端子である非反転入力端子(+)に入力される。一方、オペアンプOP1の第1の入力端子である反転入力端子(-)には、コンデンサC2から所望の現像電圧Vdcに応じた電圧である目標電圧Vtgtが入力される。目標電圧Vtgtは、CPUの出力端子TGTから出力されたPWM信号を抵抗R14とコンデンサC2によって平滑した直流電圧である。オペアンプOP1は、反転入力端子(-)と非反転入力端子(+)に入力される入力電圧を比較して、比較結果に応じた出力電圧Voを出力端子より出力する。 A resistor R12 and a resistor R13 connected in series are arranged between the specified voltage Vb (for example, a DC voltage of +3.3V) and the developing voltage Vdc. The divided voltage Vsns divided by the resistors R12 and R13 is input as a reference voltage to the non-inverting input terminal (+) which is the second input terminal of the operational amplifier OP1. On the other hand, the target voltage Vtgt, which is a voltage corresponding to the desired developing voltage Vdc, is input from the capacitor C2 to the inverting input terminal (-), which is the first input terminal of the operational amplifier OP1. The target voltage Vtgt is a DC voltage obtained by smoothing the PWM signal output from the output terminal TGT of the CPU by a resistor R14 and a capacitor C2. The operational amplifier OP1 compares the input voltages input to the inverting input terminal (-) and the non-inverting input terminal (+), and outputs an output voltage Vo according to the comparison result from the output terminal.
分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも高い場合には、オペアンプOP1の出力端子の出力電圧Voが上昇する。すると、トランジスタTr1のベース端子に流れるベース電流が減少し、その結果、トランジスタTr1のコレクタ端子に流れるコレクタ電流Is(シャント電流Isでもある)が減少する。トランジスタTr1のコレクタ電流Isが減少すると、上述した(式1)より、現像電圧Vdcが低下する。すると、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとを抵抗R12、R13で分圧した分圧電圧Vsnsが減少する。 When the divided voltage Vsns is higher than the target voltage Vtgt, the output voltage Vo at the output terminal of the operational amplifier OP1 increases. Then, the base current flowing to the base terminal of the transistor Tr1 decreases, and as a result, the collector current Is (also the shunt current Is) flowing to the collector terminal of the transistor Tr1 decreases. When the collector current Is of the transistor Tr1 decreases, the developing voltage Vdc decreases according to the above-mentioned (Formula 1). Then, the divided voltage Vsns obtained by dividing the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc by the resistors R12 and R13 decreases.
一方、分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも低い場合には、オペアンプOP1の出力端子の出力電圧Voが低下する。すると、トランジスタTr1のベース端子に流れるベース電流が増加し、その結果、トランジスタTr1のコレクタ端子に流れるコレクタ電流Isが増加する。コレクタ電流Isが増加すると、上述した(式1)より、現像電圧Vdcが上昇する。すると、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとを抵抗R12、R13で分圧した分圧電圧Vsnsが増加する。このように、オペアンプOP1に負帰還がかかり、目標電圧Vtgtは常に分圧電圧Vsnsと概ね等しくなる。 On the other hand, when the divided voltage Vsns is lower than the target voltage Vtgt, the output voltage Vo at the output terminal of the operational amplifier OP1 decreases. Then, the base current flowing to the base terminal of the transistor Tr1 increases, and as a result, the collector current Is flowing to the collector terminal of the transistor Tr1 increases. When the collector current Is increases, the developing voltage Vdc increases according to the above-mentioned (Formula 1). Then, the divided voltage Vsns obtained by dividing the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc by the resistors R12 and R13 increases. In this way, negative feedback is applied to the operational amplifier OP1, and the target voltage Vtgt is always approximately equal to the divided voltage Vsns.
CPUは、不揮発性メモリのROM(不図示)を有している。そして、ROMには、目標電圧VtgtをオペアンプOP1の反転入力端子(-)に出力するためのPWM信号のオンデューティ比(1周期におけるオン状態の比率)と現像電圧Vdcとを対応づけたテーブルが格納されている。そして、CPUは、所望の現像電圧Vdcが現像ローラ104に出力されるように、TGT端子から出力されるPWM信号のオンデューティ比を設定する。図9に示す現像電圧回路Biasでは、目標電圧Vtgtに対応するPWM信号のオンデューティ比が高いほど、現像電圧Vdcは高くなる。
The CPU has a ROM (not shown) that is a nonvolatile memory. The ROM contains a table that associates the on-duty ratio (ratio of on-state in one cycle) of the PWM signal with the developing voltage Vdc for outputting the target voltage Vtgt to the inverting input terminal (-) of the operational amplifier OP1. Stored. Then, the CPU sets the on-duty ratio of the PWM signal output from the TGT terminal so that the desired developing voltage Vdc is output to the developing
トランジスタTr1のベース端子と出力される現像電圧Vdcの出力端子との間には、抵抗R1と抵抗R2が直列に接続されている。抵抗R1と抵抗R2は、略同じ抵抗値である。また、トランジスタTr1のベース端子に印加される電圧と現像電圧Vdcとを抵抗R1と抵抗R2により分圧した分圧電圧がトランジスタTr2のベース端子に印加される。 A resistor R1 and a resistor R2 are connected in series between the base terminal of the transistor Tr1 and the output terminal of the developing voltage Vdc. The resistor R1 and the resistor R2 have substantially the same resistance value. Furthermore, a divided voltage obtained by dividing the voltage applied to the base terminal of the transistor Tr1 and the developing voltage Vdc by the resistor R1 and the resistor R2 is applied to the base terminal of the transistor Tr2.
トランジスタTr1のベース端子に印加される電圧は、規定電圧VaからトランジスタTr1のベース-エミッタ間電圧分だけ低い電圧となる。ベース-エミッタ間電圧は、略0.6V程度と非常に小さい電圧であるため、概ね0Vと考えても支障はない。そのため、抵抗R1のトランジスタTr1のベース端子と接続された端子(上端子)には、規定電圧Vaが印加される。一方、抵抗R2の現像電圧Vdcが出力される出力端子に接続される端子(下端子)には現像電圧Vdcが印加される。そのため、略同じ抵抗値を有する抵抗R1と抵抗R2が接続される接続点は、規定電圧Vaと現像電圧Vdcの分圧点である。その結果、抵抗R1と抵抗R2が接続される接続点と接続されたトランジスタTr2のベース端子には、規定電圧Vaと現像電圧Vdcの中間電圧、すなわち(規定電圧Va+現像電圧Vdc)/2が、印加されることとなる。すると、トランジスタTr1のエミッタ-コレクタ間電圧と、トランジスタTr2のエミッタ-コレクタ間電圧は、概ね等しくなる。トランジスタTr1、Tr2のように複数のトランジスタを使用する目的は、トランジスタのエミッタ-コレクタ間電圧を、それぞれのトランジスタに分散させることにより、より耐圧の小さいトランジスタを使用することができるようにするためである。 The voltage applied to the base terminal of the transistor Tr1 is lower than the specified voltage Va by the base-emitter voltage of the transistor Tr1. Since the base-emitter voltage is a very small voltage of approximately 0.6V, there is no problem in considering it to be approximately 0V. Therefore, the specified voltage Va is applied to the terminal (upper terminal) of the resistor R1 connected to the base terminal of the transistor Tr1. On the other hand, the developing voltage Vdc is applied to a terminal (lower terminal) connected to the output terminal of the resistor R2 to which the developing voltage Vdc is output. Therefore, the connection point where the resistor R1 and the resistor R2 having substantially the same resistance value are connected is a voltage dividing point between the specified voltage Va and the developing voltage Vdc. As a result, the intermediate voltage between the specified voltage Va and the developing voltage Vdc, that is, (regulated voltage Va + developing voltage Vdc)/2, is applied to the base terminal of the transistor Tr2 connected to the connection point where the resistors R1 and R2 are connected. will be applied. Then, the emitter-collector voltage of the transistor Tr1 and the emitter-collector voltage of the transistor Tr2 become approximately equal. The purpose of using multiple transistors like transistors Tr1 and Tr2 is to distribute the emitter-collector voltage of the transistors to each transistor, thereby making it possible to use transistors with lower breakdown voltages. be.
図10は、図9の現像電圧回路に、更にトランジスタTr3と抵抗R3を追加した回路の例である。このように、トランジスタと抵抗を追加することにより、更にエミッタ-コレクタ間電圧を分散させることもできる。図10では、トランジスタを3つ使用した回路の例を示しているが、例えばトランジスタを4つ以上に増やすことも可能である。 FIG. 10 is an example of a circuit in which a transistor Tr3 and a resistor R3 are further added to the developing voltage circuit of FIG. In this way, by adding a transistor and a resistor, it is possible to further disperse the emitter-collector voltage. Although FIG. 10 shows an example of a circuit using three transistors, it is also possible to increase the number of transistors to four or more, for example.
[従来の現像電圧回路における課題]
図11は、感光ドラム101が停止している状態(図11(a))から回転開始した状態(図11(b))を説明する画像形成部の断面図である。図11(a)において、感光ドラム101の帯電ローラ102と当接した位置から現像ローラ104に当接した位置までの扇形の領域は、表面電位が0Vの箇所である。そして、感光ドラム101が回転を開始すると、図11(a)の状態から図11(b)に示す状態に移行する。このとき、現像ローラ104に印加される現像電圧Vdcが0Vよりも低い負電位の場合には、現像ローラ104の表面のトナー100は、電位の高い感光ドラム101側に付着してしまう。そこで、感光ドラム101にトナー100が付着することを防ぐために、現像ローラ104に印加される現像電圧Vdcを0Vより大きい電圧に設定することが考えられるが、上述した従来の現像電圧回路では難しい。以下に、従来の現像電圧回路の感光ドラム101の回転開始時の動作について説明する。
[Issues with conventional development voltage circuits]
FIG. 11 is a cross-sectional view of the image forming section illustrating a state in which the
[感光ドラムの回転開始時の現像電圧回路の動作]
図12は、現像電圧回路Biasから最大の現像電圧Vdcを出力する際の回路動作を説明する図である。図12の回路図は、上述した図9の回路図と同様であり、破線で示した電流Isの流れは、図9で説明した感光ドラム101の通常動作時における電流の流れを示している。一方、図12において、実線で示す電流Ib1、Ib2は、感光ドラム101の回転開始時の電流の流れを示している。
[Operation of the developing voltage circuit when the photosensitive drum starts rotating]
FIG. 12 is a diagram illustrating the circuit operation when the maximum developing voltage Vdc is output from the developing voltage circuit Bias. The circuit diagram in FIG. 12 is similar to the circuit diagram in FIG. 9 described above, and the flow of the current Is shown by the broken line indicates the flow of current during normal operation of the
図12において、
1)CPUは、出力端子TGTからオンデューティ比が最大(100%)のPWM信号を出力する。これにより、コンデンサC1により平滑化され、オペアンプOP1の反転入力端子(-)に入力される目標電圧は、常時、概ね規定電圧Vbとなる(図12中、丸数字1参照)。
2)その結果、オペアンプOP1の出力端子から出力される電圧Voは、略0Vとなる(図12中、丸数字2参照)。
In FIG. 12,
1) The CPU outputs a PWM signal with a maximum on-duty ratio (100%) from the output terminal TGT. As a result, the target voltage smoothed by the capacitor C1 and input to the inverting input terminal (-) of the operational amplifier OP1 is always approximately the specified voltage Vb (see circled
2) As a result, the voltage Vo output from the output terminal of the operational amplifier OP1 becomes approximately 0V (see circled
3)オペアンプOP1の出力端子から出力される電圧が略0Vとなるため、トランジスタTr1のベース端子に流れる電流Ib1(図中、実線で表示)が増加する。これにより、トランジスタTr1が飽和し、トランジスタTr1のエミッタ-コレクタ間電圧Vce1は略0.3Vとなる(図12中、丸数字3参照)。
4)その結果、トランジスタTr1のコレクタ端子から出力されるコレクタ電圧Vc1は、以下の(式2)に示すように、規定電圧Va-(トランジスタTr1の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce1となる(図12中、丸数字4参照)。
コレクタ電圧Vc1=Va-Vce1・・・(式2)
3) Since the voltage output from the output terminal of the operational amplifier OP1 becomes approximately 0V, the current Ib1 (indicated by a solid line in the figure) flowing into the base terminal of the transistor Tr1 increases. As a result, the transistor Tr1 becomes saturated, and the emitter-collector voltage Vce1 of the transistor Tr1 becomes approximately 0.3V (see circled
4) As a result, the collector voltage Vc1 output from the collector terminal of the transistor Tr1 becomes the specified voltage Va - the emitter-collector voltage Vce1 (of the transistor Tr1), as shown in the following (Equation 2) (Fig. 12 (see circle number 4).
Collector voltage Vc1=Va-Vce1... (Formula 2)
5)トランジスタTr1がオンすることにより、トランジスタTr2のベース端子にベース電流Ib2(図中、実線で表示)が流れる。これにより、トランジスタTr2のベース端子のベース電圧Vb2は、以下の(式3)に示すように、(トランジスタTr1の)コレクタ電圧Vc1-(トランジスタTr2の)ベース-エミッタ間電圧Vbe2となる(図12中、丸数字5参照)。
ベース電圧Vb2=Vc1-Vbe2・・・(式3)
6)トランジスタTr2の電流増幅率をhfe2とし、トランジスタTr2のコレクタ端子に流れるコレクタ電流Isとする。以下の(式4)に示すように、(トランジスタTr2の)電流増幅率hfe2を(トランジスタTr2の)ベース電流Ib2に乗じたコレクタ電流Isが、トランジスタTr2に流れる(図12中、丸数字6参照)。
コレクタ電流Is=hfe2×Ib2・・・(式4)
5) When the transistor Tr1 is turned on, a base current Ib2 (indicated by a solid line in the figure) flows to the base terminal of the transistor Tr2. As a result, the base voltage Vb2 at the base terminal of the transistor Tr2 becomes the collector voltage Vc1 (of the transistor Tr1) - the base-emitter voltage Vbe2 (of the transistor Tr2), as shown in the following (Equation 3) (Fig. 12 (see circled number 5).
Base voltage Vb2=Vc1-Vbe2...(Formula 3)
6) Let the current amplification factor of the transistor Tr2 be hfe2, and let the collector current Is flowing to the collector terminal of the transistor Tr2. As shown in the following (Equation 4), a collector current Is obtained by multiplying the base current Ib2 (of the transistor Tr2) by the current amplification factor hfe2 (of the transistor Tr2) flows through the transistor Tr2 (see circled
Collector current Is=hfe2×Ib2...(Formula 4)
7)トランジスタTr2のコレクタ電圧Vc2は、現像ローラ104に印加される現像電圧Vdcであるから、トランジスタTr2のベース電流Ib2は、以下の(式5)で表される(図12中、丸数字7参照)。
ベース電流Ib2=(Vb2-Vdc)/R2・・・(式5)
7) Since the collector voltage Vc2 of the transistor Tr2 is the developing voltage Vdc applied to the developing
Base current Ib2=(Vb2-Vdc)/R2...(Formula 5)
以下に、上述した(式1)~(式5)を示す。
Vdc=Vpr+R0×Is・・・(式1)
Vc1=Va-Vce1・・・(式2)
Vb2=Vc1-Vbe2・・・(式3)
Is=hfe2×Ib2・・・(式4)
Ib2=(Vb2-Vdc)/R2・・・(式5)
そして、(式1)~(式5)を用いて、(式1)からコレクタ電流Isを消去し、現像電圧Vdcについて解くと、以下の(式6)が得られる。
現像電圧Vdc=(R2×Vpr+R0×hfe2×(Va-Vce1-Vbe2))
/(R2+R0×hfe2)・・・(式6)
The above-mentioned (Formula 1) to (Formula 5) are shown below.
Vdc=Vpr+R0×Is...(Formula 1)
Vc1=Va-Vce1...(Formula 2)
Vb2=Vc1-Vbe2...(Formula 3)
Is=hfe2×Ib2...(Formula 4)
Ib2=(Vb2-Vdc)/R2...(Formula 5)
Then, by using (Formula 1) to (Formula 5) to eliminate the collector current Is from (Formula 1) and solving for the developing voltage Vdc, the following (Formula 6) is obtained.
Developing voltage Vdc=(R2×Vpr+R0×hfe2×(Va-Vce1-Vbe2))
/(R2+R0×hfe2)...(Formula 6)
一般に、シャント抵抗R0は3.3MΩ程度、抵抗R2は10MΩ程度、電流増幅率hfe2は50程度、エミッタ-コレクタ間電圧Vce1は0.3V程度、ベース-エミッタ間電圧Vbe2は0.6V程度である。また、帯電電圧Vprは-1000V程度、規定電圧Vaは+24V程度である。これらの値を式(6)に代入すると、現像電圧Vdcは、-35V程度となる。すなわち、現像電圧Vdcは-35Vの負電位となり、感光ドラム101の表面電圧である0Vよりも低い電圧であるため、現像ローラ104上のトナー100は感光ドラム101側に付着してしまうことになる。
Generally, the shunt resistance R0 is about 3.3MΩ, the resistance R2 is about 10MΩ, the current amplification factor hfe2 is about 50, the emitter-collector voltage Vce1 is about 0.3V, and the base-emitter voltage Vbe2 is about 0.6V. . Further, the charging voltage Vpr is about -1000V, and the specified voltage Va is about +24V. When these values are substituted into equation (6), the developing voltage Vdc becomes approximately -35V. In other words, the developing voltage Vdc has a negative potential of -35V, which is lower than 0V, which is the surface voltage of the
[課題]
以上説明したように、回転開始時に感光ドラム101の帯電ローラ102と当接した位置から現像ローラ104に当接した位置までの領域は、表面電位が0Vの領域である。そのため、感光ドラム101が回転開始すると、表面電位が0Vの領域には、現像ローラ104からトナー100が付着してしまう。そして、感光ドラム101に付着したトナー100は、感光ドラム101の回転方向下流側に配置され、感光ドラム101に当接し、正電圧が印加される転写ローラ105に付着する。その結果、付着したトナー100は転写ローラ105の表面を汚し、転写ローラ105に搬送されるシート109の裏面(転写ローラ105側の面)にトナー100が付着することにより、シート109の裏汚しの原因となる。また、感光ドラム101上に残ったトナー100は、クリーニングブレード106により除去される。除去されるトナー100が増加することにより、廃トナー108を格納する廃トナーボックス107の大型化を招き、ひいては画像形成装置の大型化を招くという課題が生じる。
[assignment]
As described above, the area of the
次に、本発明を適用した現像電圧回路Biasの実施例について説明する。なお、本実施例の現像電圧回路が適用される画像形成装置や、現像電圧回路Biasから出力される現像電圧が供給される現像ローラを含む画像形成部の構成は、上述した図8、図11と同様であり、説明を省略する。 Next, an embodiment of the developing voltage circuit Bias to which the present invention is applied will be described. The configuration of the image forming apparatus to which the developing voltage circuit of this embodiment is applied and the image forming unit including the developing roller to which the developing voltage outputted from the developing voltage circuit Bias is supplied is shown in FIGS. 8 and 11 described above. This is the same as , and the explanation will be omitted.
[現像電圧回路の構成]
図1は、本実施例の現像電圧回路Biasの回路構成を示す回路図である。図1に示す回路構成は、上述した図9に示す従来の現像電圧回路Biasの回路構成と比べて、バイパス手段であるダイオードD1と抵抗R15が追加された点が異なる。図1において、抵抗R15は、一端がオペアンプOP1の出力端子、コンデンサC1の一端、及び抵抗R11の一端と接続されており、他端がダイオードD1のカソード端子と接続されている。また、ダイオードD1は、カソード端子が抵抗R15の他端と接続されており、アノード端子が抵抗R1の一端、抵抗R2の一端、及びトランジスタTr2のベース端子と接続されている。なお、図1におけるその他の回路構成は、図9の回路構成と同様であり、ここでの説明を省略する。
[Configuration of development voltage circuit]
FIG. 1 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the developing voltage circuit Bias of this embodiment. The circuit configuration shown in FIG. 1 differs from the circuit configuration of the conventional developing voltage circuit Bias shown in FIG. 9 described above in that a diode D1 and a resistor R15, which serve as bypass means, are added. In FIG. 1, the resistor R15 has one end connected to the output terminal of the operational amplifier OP1, one end of the capacitor C1, and one end of the resistor R11, and the other end connected to the cathode terminal of the diode D1. Further, the diode D1 has a cathode terminal connected to the other end of the resistor R15, and an anode terminal connected to one end of the resistor R1, one end of the resistor R2, and the base terminal of the transistor Tr2. Note that the other circuit configurations in FIG. 1 are the same as the circuit configuration in FIG. 9, and will not be described here.
[現像電圧回路の動作]
次に、現像電圧回路Biasの動作について、感光ドラム101の回転開始時(起動時)における回路動作と、通常動作時における回路動作と、に分けて説明する。
[Operation of developing voltage circuit]
Next, the operation of the developing voltage circuit Bias will be explained separately into the circuit operation when the
[感光ドラムの起動時の現像電圧回路の動作]
上述したように、感光ドラム101の回転開始時には、図11に示す灰色の扇型部のように、表面電位が0Vのまま、現像ローラ104に達する箇所が感光ドラム101上に存在する。このとき、現像電圧Vdcが0Vよりも低い負電位の場合には、トナー100は、電位の高い感光ドラム101の表面に付着してしまう。その結果、感光ドラム101に付着したトナーが、転写ローラ105に付着して転写ローラ105を汚し、シート109の裏汚れを生じることがある。また、クリーニングブレード106により回収された付着トナーが格納される廃トナーボックス107の大型化、ひいては画像形成装置の大型化を招くという課題も生じる。
[Operation of the developing voltage circuit when starting the photosensitive drum]
As described above, when the
そのため、本実施例の現像電圧回路は、現像電圧Vdcをなるべく0Vよりも高い正電圧に設定することにより、感光ドラム101の回転開始時に感光ドラム101にトナー100が付着することを防ぐ構成を有している。
Therefore, the developing voltage circuit of this embodiment has a configuration that prevents the
図2は、感光ドラム101の回転開始時に、現像電圧回路Biasから最大の現像電圧Vdcを出力する際の回路動作を説明する図である。図2において、実線で示す電流Ib1、Ib2は、感光ドラム101の回転開始時の電流の流れを示している。一方、破線で示した電流Isの流れは、後述する感光ドラム101の通常動作時における電流の流れを示している。
FIG. 2 is a diagram illustrating a circuit operation when the maximum developing voltage Vdc is output from the developing voltage circuit Bias when the
図2において、
1)CPUは、出力端子TGTからオンデューティ比が最大(100%)のPWM信号を出力する。これにより、コンデンサC2により平滑化され、オペアンプOP1の反転入力端子(-)に入力される目標電圧は、常時、概ね規定電圧Vbとなる(図2中、丸数字1参照)。
2)その結果、オペアンプOP1の出力端子から出力される電圧Voは、略0Vとなる(図2中、丸数字2参照)。
In Figure 2,
1) The CPU outputs a PWM signal with a maximum on-duty ratio (100%) from the output terminal TGT. As a result, the target voltage smoothed by the capacitor C2 and input to the inverting input terminal (-) of the operational amplifier OP1 is always approximately the specified voltage Vb (see circled
2) As a result, the voltage Vo output from the output terminal of the operational amplifier OP1 becomes approximately 0V (see circled
3)オペアンプOP1の出力端子から出力される電圧が略0Vとなるため、トランジスタTr1のベース端子に流れる電流Ib1(図中、実線で表示)が増加する。これにより、トランジスタTr1が飽和し、トランジスタTr1のエミッタ-コレクタ間電圧Vce1は略0.3Vとなる(図2中、丸数字3参照)。
4)その結果、トランジスタTr1のコレクタ端子から出力されるコレクタ電圧Vc1は、以下の(式2)に示すように、規定電圧Va-(トランジスタTr1の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce1となる(図2中、丸数字4参照)。
コレクタ電圧Vc1=Va-Vce1・・・(式2)
3) Since the voltage output from the output terminal of the operational amplifier OP1 becomes approximately 0V, the current Ib1 (indicated by a solid line in the figure) flowing into the base terminal of the transistor Tr1 increases. As a result, the transistor Tr1 becomes saturated, and the emitter-collector voltage Vce1 of the transistor Tr1 becomes approximately 0.3V (see circled
4) As a result, the collector voltage Vc1 output from the collector terminal of the transistor Tr1 becomes the specified voltage Va - the emitter-collector voltage Vce1 (of the transistor Tr1), as shown in the following (Equation 2) (Fig. 2 (see circle number 4).
Collector voltage Vc1=Va-Vce1... (Formula 2)
5)トランジスタTr1がオンすることにより、トランジスタTr2のベース端子にベース電流Ib2(図中、実線で表示)が流れる。これにより、トランジスタTr2のベース端子のベース電圧Vb2は、以下の(式3)に示すように、(トランジスタTr1の)コレクタ電圧Vc1-(トランジスタTr2の)ベース-エミッタ間電圧Vbe2となる(図2中、丸数字5参照)。
ベース電圧Vb2=Vc1-Vbe2・・・(式3)
6)(式2)を用いて、(式3)から(トランジスタTr1の)コレクタ電圧Vc1を消去すると、以下の(式7)が求められる。
ベース電圧Vb2=Va-Vce1-Vbe2・・・(式7)
一般に、エミッタ-コレクタ間電圧Vce1は0.3V程度、ベース-エミッタ間電圧Vbe2は0.6V程度、規定電圧Vaは+24V程度である。これらの値を(式7)に代入すると、(トランジスタTr2のベース端子の)ベース電圧Vb2は、+23.1V程度となる。ダイオードD1のカソード端子の電圧が略0V、アノード端子の電圧が23.1Vであるため、ダイオードD1は導通状態となる。その結果、トランジスタTr2のベース電流Ib2が、トランジスタTr2のベース端子→ダイオードD1→抵抗R15→オペアンプOP1の経路で流れる(図2中、丸数字6参照)。
5) When the transistor Tr1 is turned on, a base current Ib2 (indicated by a solid line in the figure) flows through the base terminal of the transistor Tr2. As a result, the base voltage Vb2 at the base terminal of the transistor Tr2 becomes the collector voltage Vc1 (of the transistor Tr1) - the base-emitter voltage Vbe2 (of the transistor Tr2), as shown in the following (Equation 3) (Fig. 2 (see circled number 5).
Base voltage Vb2=Vc1-Vbe2...(Formula 3)
6) By using (Formula 2) and eliminating the collector voltage Vc1 (of transistor Tr1) from (Formula 3), the following (Formula 7) is obtained.
Base voltage Vb2=Va-Vce1-Vbe2...(Formula 7)
Generally, the emitter-collector voltage Vce1 is about 0.3V, the base-emitter voltage Vbe2 is about 0.6V, and the specified voltage Va is about +24V. When these values are substituted into (Equation 7), the base voltage Vb2 (at the base terminal of the transistor Tr2) becomes approximately +23.1V. Since the voltage at the cathode terminal of the diode D1 is approximately 0V and the voltage at the anode terminal is 23.1V, the diode D1 becomes conductive. As a result, the base current Ib2 of the transistor Tr2 flows through the path of the base terminal of the transistor Tr2, the diode D1, the resistor R15, and the operational amplifier OP1 (see circled
7)トランジスタTr2のベース端子から電流Ib2(図中、実線で表示)が流れることにより、トランジスタTr2が飽和し、トランジスタTr2のエミッタ-コレクタ間電圧Vce2は略0.3Vとなる(図2中、丸数字7参照)。
8)このときの現像電圧Vdcは、次の(式8)により表される(図2中、丸数字8参照)。
現像電圧Vdc=Va-Vce1-Vce2・・・(式8)
7) Current Ib2 (indicated by a solid line in the figure) flows from the base terminal of the transistor Tr2, so that the transistor Tr2 is saturated, and the emitter-collector voltage Vce2 of the transistor Tr2 becomes approximately 0.3V (in FIG. 2, (See circled number 7).
8) The developing voltage Vdc at this time is expressed by the following (Equation 8) (see circled
Developing voltage Vdc=Va-Vce1-Vce2...(Formula 8)
一般に、(トランジスタTr1の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce1は0.3V程度、(トランジスタTr2の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce2は0.3V程度、規定電圧Vaは+24V程度である。これらの値を(式8)に代入すると、現像電圧Vdcは、+23.4V程度となる。すなわち、現像電圧Vdcが+23.4Vであり、感光ドラム101の表面電圧0Vよりも高い電圧に設定されることにより、トナー100が感光ドラム101の表面に付着することを防ぐことができる。
Generally, the emitter-collector voltage Vce1 (of the transistor Tr1) is about 0.3V, the emitter-collector voltage Vce2 (of the transistor Tr2) is about 0.3V, and the specified voltage Va is about +24V. When these values are substituted into (Equation 8), the developing voltage Vdc becomes approximately +23.4V. That is, by setting the developing voltage Vdc to +23.4 V, which is higher than the surface voltage of the
[感光ドラムの通常動作時の現像電圧回路の動作]
次に、感光ドラム101の通常動作時における現像電圧回路Biasの動作について説明する。ここで、通常動作時とは、上述した感光ドラム101の回転開始時を除いた、感光ドラム101の動作状態である。詳細には、通常動作時とは、帯電ローラ102により帯電された感光ドラム101の領域が現像ローラ104に移動した後の感光ドラム101の動作状態を指している。
[Operation of the developing voltage circuit during normal operation of the photosensitive drum]
Next, the operation of the developing voltage circuit Bias during normal operation of the
現像電圧回路Biasでは、図2に示すように、トランジスタTr1、Tr2は、規定電圧Va(例えば+24Vの直流電圧)に接続されており、トランジスタTr2のコレクタ端子にはシャント抵抗R0を介して帯電電圧源VPRが接続されている。そして、感光ドラム101の通常動作時には、図中、破線で示すシャント電流Isが、規定電圧Va→トランジスタTr1→トランジスタTr2→シャント抵抗R0→帯電電圧源VPR→グランド(GND)の経路で流れる。現像電圧回路Biasは、TGT端子から出力するPWM信号により、シャント電流Isの電流値を適宜増減させることで、現像ローラ104に所望の現像電圧Vdcを出力することができ、現像電圧Vdcは、上述した次の(式1)により表すことができる。
現像電圧Vdc=Vpr+R0×Is・・・(式1)
In the developing voltage circuit Bias, as shown in FIG. 2, transistors Tr1 and Tr2 are connected to a specified voltage Va (for example, +24V DC voltage), and a charging voltage is connected to the collector terminal of transistor Tr2 via a shunt resistor R0. source VPR is connected. During normal operation of the
Developing voltage Vdc=Vpr+R0×Is...(Formula 1)
オペアンプOP1の非反転入力端子(+)には、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとの間に直列に接続された抵抗R12と抵抗R13により分圧された分圧電圧Vsnsが入力される。一方、オペアンプOP1の反転入力端子(-)には、CPUの出力端子TGTから出力されたPWM信号を抵抗R14とコンデンサC2によって平滑された直流電圧である目標電圧Vtgtが入力される。 A divided voltage Vsns divided by a resistor R12 and a resistor R13 connected in series between the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc is input to the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier OP1. On the other hand, the target voltage Vtgt, which is a DC voltage obtained by smoothing the PWM signal output from the output terminal TGT of the CPU by the resistor R14 and the capacitor C2, is input to the inverting input terminal (-) of the operational amplifier OP1.
分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも高い場合には、オペアンプOP1の出力電圧Voが上昇して、トランジスタTr1のベース電流が減少すると、トランジスタTr1のコレクタ電流Isが減少する。その結果、上述した(式1)より、現像電圧Vdcが低下する。すると、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとを抵抗R12、R13で分圧した分圧電圧Vsnsが減少する。一方、分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも低い場合には、オペアンプOP1の出力電圧Voが低下し、トランジスタTr1のベース電流が増加すると、トランジスタTr1のコレクタ電流Isが増加する。その結果、上述した(式1)より、現像電圧Vdcが上昇する。すると、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとを抵抗R12、R13で分圧した分圧電圧Vsnsが増加する。このように、オペアンプOP1に負帰還がかかり、目標電圧Vtgtは常に分圧電圧Vsnsと概ね等しくなる。 When the divided voltage Vsns is higher than the target voltage Vtgt, the output voltage Vo of the operational amplifier OP1 increases and the base current of the transistor Tr1 decreases, so that the collector current Is of the transistor Tr1 decreases. As a result, the developing voltage Vdc decreases according to the above-mentioned (Formula 1). Then, the divided voltage Vsns obtained by dividing the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc by the resistors R12 and R13 decreases. On the other hand, when the divided voltage Vsns is lower than the target voltage Vtgt, the output voltage Vo of the operational amplifier OP1 decreases, and when the base current of the transistor Tr1 increases, the collector current Is of the transistor Tr1 increases. As a result, the developing voltage Vdc increases according to the above-mentioned (Formula 1). Then, the divided voltage Vsns obtained by dividing the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc by the resistors R12 and R13 increases. In this way, negative feedback is applied to the operational amplifier OP1, and the target voltage Vtgt is always approximately equal to the divided voltage Vsns.
トランジスタTr1のベース端子と現像電圧Vdcの出力端子との間には、抵抗値が略同じである抵抗R1、R2が直列に接続されており、抵抗R1、R2で分圧した分圧電圧がトランジスタTr2のベース端子に印加される。トランジスタTr1のベース-エミッタ間電圧は、概ね0Vと考えても支障はないため、抵抗R1のトランジスタTr1のベース端子と接続された端子(上端子)には、規定電圧Vaが印加される。一方、抵抗R2の現像電圧Vdcが出力される出力端子に接続される端子(下端子)には現像電圧Vdcが印加される。その結果、抵抗R1と抵抗R2が接続される接続点と接続されたトランジスタTr2のベース端子には、規定電圧Vaと現像電圧Vdcの中間電圧、すなわち(規定電圧Va+現像電圧Vdc)/2が、印加されることとなる。 Resistors R1 and R2 having approximately the same resistance value are connected in series between the base terminal of the transistor Tr1 and the output terminal of the developing voltage Vdc, and the divided voltage divided by the resistors R1 and R2 is applied to the transistor. It is applied to the base terminal of Tr2. Since it is safe to assume that the base-emitter voltage of the transistor Tr1 is approximately 0V, the specified voltage Va is applied to the terminal (upper terminal) of the resistor R1 connected to the base terminal of the transistor Tr1. On the other hand, the developing voltage Vdc is applied to a terminal (lower terminal) connected to the output terminal of the resistor R2 to which the developing voltage Vdc is output. As a result, the intermediate voltage between the specified voltage Va and the developing voltage Vdc, that is, (regulated voltage Va + developing voltage Vdc)/2, is applied to the base terminal of the transistor Tr2 connected to the connection point where the resistors R1 and R2 are connected. will be applied.
そのため、上述した感光ドラム101の通常動作時には、ダイオードD1のカソード端子側の電圧は、アノード端子側の電圧よりも高い電圧となり、ダイオードD1は非導通状態が維持される。そのため、ダイオードD1と抵抗R15が直列に接続された回路は、感光ドラム101の回転開始時にはトランジスタTr2のベース電流Ib2が流れ、感光ドラム101の通常動作時には電流が流れない構成となっている。その結果、感光ドラム101の回転開始時には、現像ローラ104に印加する現像電圧Vdcを0Vよりも高い電圧に設定することができ、感光ドラム101にトナー100が付着することを防止することができる。これにより、感光ドラム101に付着したトナー100が転写ローラ105に付着し、転写ローラ105に搬送されるシートの裏面(転写ローラ105側の面)にトナー100が付着することによるシート109の裏汚しの発生を防ぐことができる。また、感光ドラム101にトナー100が付着しないため、クリーニングブレード106により除去される感光ドラム101上の付着トナー100を格納する廃トナーボックス107の大型化や、それに伴う画像形成装置の大型化を回避することができる。
Therefore, during normal operation of the
なお、図2でトランジスタTr1、Tr2のように複数のトランジスタを使用している目的は、トランジスタのエミッタ-コレクタ間電圧を、各トランジスタに分散させることにより、耐圧の小さいトランジスタを使用することができるようにするためである。したがって、例えば図3に示す現像電圧回路Biasのように、図2の回路にトランジスタTr3、抵抗R3、抵抗R16、ダイオードD2を追加することで、更にエミッタ-コレクタ間電圧を分散させることもできる。なお、図3では、使用しているトランジスタの数は3つであるが、例えば4つ以上に増やすことも可能である。 Note that the purpose of using multiple transistors like transistors Tr1 and Tr2 in FIG. 2 is to distribute the emitter-collector voltage of the transistors to each transistor, thereby allowing the use of transistors with low breakdown voltages. This is to ensure that. Therefore, for example, by adding a transistor Tr3, a resistor R3, a resistor R16, and a diode D2 to the circuit of FIG. 2, like the developing voltage circuit Bias shown in FIG. 3, the emitter-collector voltage can be further dispersed. Although the number of transistors used in FIG. 3 is three, it is possible to increase the number to four or more, for example.
以上説明したように、本実施例によれば、感光ドラムの回転開始時に感光ドラム上の帯電されていない領域にトナーが付着することを防止することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to prevent toner from adhering to an uncharged area on the photosensitive drum when the photosensitive drum starts rotating.
実施例1では、シャント抵抗R0による電圧降下を利用して、帯電電圧源VPRの帯電電圧Vprから現像電圧Vdcを生成する実施例について説明した。実施例2では、高電圧の現像電圧を供給する現像電圧源VDC0を設け、シャント抵抗R0による電圧降下を利用して、現像電圧源VDC0の出力電圧Vdc0から現像電圧Vdcを生成する実施例について説明する。
In the first embodiment, an example has been described in which the developing voltage Vdc is generated from the charging voltage Vpr of the charging voltage source VPR by using the voltage drop caused by the shunt resistor R0.
[画像形成部の構成]
図4は、図8(a)に示すプリンタ300の画像形成部において、本実施例の画像形成部周辺の構成を説明する断面図である。実施例1の場合には、帯電ローラ102に供給される帯電電圧Vprは帯電電圧源VPRから供給され、現像ローラ104に供給される現像電圧Vdcも、シャント抵抗R0を介して、帯電電圧源VPRから供給されていた。一方、本実施例では、図4に示すように、帯電電圧源VPRからの出力電圧は、帯電電圧Vprとして帯電ローラ102にのみ供給される。一方、現像電圧Vdcは、高電圧の現像電圧を供給する第2の電圧源である現像電圧源VDC0を設け、現像電圧源VDC0から出力される現像電圧Vdc0からシャント抵抗R0による電圧降下を利用して生成される。
[Configuration of image forming section]
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the configuration around the image forming section of this embodiment in the image forming section of the
[現像電圧回路の構成]
図5は、本実施例の現像電圧回路Biasの回路構成を示す回路図である。図5に示す現像電圧回路Biasの回路構成は、実施例1の図1に示す現像電圧回路Biasの回路構成と同一であるが、シャント抵抗R0と接続されている電圧源が、図1では帯電電圧源VPRであったのに対し、図5では現像電圧源VDC0である点が異なる。図5に示す回路では、現像電圧源VDC0が出力する現像電圧Vdc0から、シャント抵抗R0による電圧降下を利用して、現像電圧Vdcが生成される。
[Configuration of development voltage circuit]
FIG. 5 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the developing voltage circuit Bias of this embodiment. The circuit configuration of the developing voltage circuit Bias shown in FIG. 5 is the same as the circuit configuration of the developing voltage circuit Bias shown in FIG. Unlike the voltage source VPR in FIG. 5, the difference is that the developing voltage source VDC0 is used in FIG. In the circuit shown in FIG. 5, a developing voltage Vdc is generated from a developing voltage Vdc0 outputted by a developing voltage source VDC0 using a voltage drop caused by a shunt resistor R0.
[現像電圧回路の動作]
次に、本実施例の現像電圧回路の動作について、感光ドラム101の回転開始時(起動時)における回路動作と、通常動作時における回路動作と、に分けて説明する。
[Operation of developing voltage circuit]
Next, the operation of the developing voltage circuit of this embodiment will be explained separately into the circuit operation when the
[感光ドラムの起動時の現像電圧回路の動作]
図5に示す、本実施例の現像電圧回路Biasの回路構成は、実施例1の図1に示す現像電圧回路Biasの回路構成と同一である。そのため、感光ドラム101の回転開始時(起動時)における回路動作は、実施例1と同様であり、ここでの説明を省略する。
[Operation of the developing voltage circuit when starting the photosensitive drum]
The circuit configuration of the developing voltage circuit Bias of this embodiment shown in FIG. 5 is the same as the circuit configuration of the developing voltage circuit Bias of the first embodiment shown in FIG. Therefore, the circuit operation at the start of rotation of the photosensitive drum 101 (at startup) is the same as in the first embodiment, and the description thereof will be omitted here.
[感光ドラムの通常動作時の現像電圧回路の動作]
次に、感光ドラム101の通常動作時における現像電圧回路Biasの動作について説明する。本実施例の現像電圧回路Biasでは、図5に示すようにトランジスタTr1、Tr2は、規定電圧Va(例えば+24Vの直流電圧)に接続されており、トランジスタTr2のコレクタ端子はシャント抵抗R0を介して、現像電圧源VDC0に接続されている。そして、感光ドラム101の通常動作時には、図中、破線で示すシャント電流Isが、規定電圧Va→トランジスタTr1→トランジスタTr2→シャント抵抗R0→現像電圧源VDC0→グランド(GND)の経路で流れる。現像電圧回路Biasは、TGT端子から出力するPWM信号により、シャント電流Isの電流値を適宜増減させることで、現像ローラ104に所望の現像電圧Vdcを出力することができ、現像電圧Vdcは、次の(式9)により表すことができる。
現像電圧Vdc=Vdc0+R0×Is・・・(式9)
[Operation of the developing voltage circuit during normal operation of the photosensitive drum]
Next, the operation of the developing voltage circuit Bias during normal operation of the
Developing voltage Vdc=Vdc0+R0×Is...(Formula 9)
分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも高い場合、及び分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも低い場合の現像電圧回路Biasの回路動作については、実施例1と同様であり、説明を省略する。また、トランジスタTr2のベース端子には、実施例1と同様に、規定電圧Vaと現像電圧Vdcの中間電圧である(規定電圧Va+現像電圧Vdc)/2が印加されることとなる。そのため、上述した感光ドラム101の通常動作時において、ダイオードD1のカソード端子側の電圧は、アノード端子側の電圧よりも高い電圧となり、ダイオードD1は非導通状態が維持される。
The circuit operation of the developing voltage circuit Bias when the divided voltage Vsns is higher than the target voltage Vtgt and when the divided voltage Vsns is lower than the target voltage Vtgt is the same as in the first embodiment, and the description thereof will be omitted. Further, as in the first embodiment, (specified voltage Va+developing voltage Vdc)/2, which is an intermediate voltage between the specified voltage Va and the developing voltage Vdc, is applied to the base terminal of the transistor Tr2. Therefore, during the normal operation of the
このように、本実施例でも、実施例1と同様に、ダイオードD1と抵抗R15が直列に接続された回路は、感光ドラム101の回転開始時にはトランジスタTr2のベース電流Ib2が流れ、感光ドラム101の通常動作時には電流が流れない構成となっている。その結果、感光ドラム101の回転開始時には、現像ローラ104に印加する現像電圧Vdcを0Vよりも高い電圧に設定することができ、感光ドラム101にトナー100が付着することを防止することができる。これにより、シートの裏面(転写ローラ105側の面)にトナー100が付着することによるシート109の裏汚しの発生を防ぐことができる。また、感光ドラム101にトナー100が付着しないため、感光ドラム101の回転開始時にクリーニングブレード106により除去される感光ドラム101上の付着トナー100が減少する。その結果、除去された付着トナー100を格納する廃トナーボックス107の大型化、画像形成装置の大型化を回避することができる。
In this way, in this embodiment as well, as in the first embodiment, in the circuit in which the diode D1 and the resistor R15 are connected in series, when the
以上説明したように、本実施例によれば、感光ドラムの回転開始時に感光ドラム上の帯電されていない領域にトナーが付着することを防止することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to prevent toner from adhering to an uncharged area on the photosensitive drum when the photosensitive drum starts rotating.
実施例1、2では、現像電圧回路BiasのトランジスタTr1のコレクタ端子に印加される規定電圧Vaが、数十Vの正電圧(例えば+24Vの直流電圧)の場合の回路構成について説明した。現像電圧回路Biasで使用しているオペアンプOP1の出力端子の耐圧が数十Vであることが一般的であり、オペアンプOP1の耐圧に応じて、規定電圧Vaの電圧を数十Vの正電圧としている。オペアンプOP1の出力端子の耐圧は、規定電圧Vaと同じか、規定電圧Vaより高いことが望ましい。 In Examples 1 and 2, the circuit configuration was described in which the specified voltage Va applied to the collector terminal of the transistor Tr1 of the developing voltage circuit Bias was a positive voltage of several tens of V (for example, a DC voltage of +24 V). Generally, the withstand voltage of the output terminal of the operational amplifier OP1 used in the developing voltage circuit Bias is several tens of V, and depending on the withstand voltage of the operational amplifier OP1, the voltage of the specified voltage Va can be set as a positive voltage of several tens of V. There is. It is desirable that the breakdown voltage of the output terminal of the operational amplifier OP1 be the same as the specified voltage Va or higher than the specified voltage Va.
一方、感光ドラム101の回転開始時、感光ドラム101上には、図11中の扇型の領域のように、表面電位が0Vのまま、現像ローラ104に移動する領域が存在する。このとき、現像ローラ104に印加される現像電圧Vdcが0Vよりも低い負電位の場合には、現像ローラ104の表面上のトナー100は、電位の高い感光ドラム側に付着してしまうことになる。
On the other hand, when the
そのための対策として、現像電圧Vdcをなるべく高い電圧に設定することが有効であることを上述した。現像電圧Vdcを更に高い電圧(例えば、プラス数十Vからプラス数百Vの正電圧)に設定しようとすると、所定の電圧である規定電圧Vaをより高い電圧にする必要があり、オペアンプOP1の出力端子の耐圧を高くする必要が生ずる。ところが、これは、回路のコストアップを招くことになる。実施例3では、オペアンプOP1の出力端子の耐圧を上げずに、規定電圧Vaの電圧を高く設定する方法について説明する。 As mentioned above, as a countermeasure for this, it is effective to set the developing voltage Vdc as high as possible. If you try to set the developing voltage Vdc to a higher voltage (for example, a positive voltage of plus several tens of V to plus several hundred V), it is necessary to make the specified voltage Va, which is a predetermined voltage, higher. It becomes necessary to increase the withstand voltage of the output terminal. However, this results in an increase in the cost of the circuit. In the third embodiment, a method of setting the specified voltage Va to a high value without increasing the withstand voltage of the output terminal of the operational amplifier OP1 will be described.
[画像形成部の構成]
図6は、図8(a)に示すプリンタ300の画像形成部において、本実施例の画像形成部周辺の構成を説明する断面図である。図8(b)に示す実施例1の場合の現像電圧回路Biasでは、トランジスタTr1は、規定電圧Vaと接続されていた。一方、本実施例では、図6に示すように、現像電圧回路BiasのトランジスタTr1は、電圧Veを出力する電圧源VEと接続されている。なお、電圧源VEが出力する電圧Veの電圧値は、例えばプラス数十Vからプラス数百Vの直流電圧とする。
[Configuration of image forming section]
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the configuration around the image forming section of the present embodiment in the image forming section of the
[現像電圧回路の構成]
図7は、本実施例の現像電圧回路Biasの回路構成を示す回路図である。図7に示す現像電圧回路Biasの回路構成は、実施例1の図1に示す現像電圧回路Biasと比べて、次の点が異なる。すなわち、トランジスタTr1に接続される電圧が、実施例1の場合には規定電圧Vaであったが、実施例3では、規定電圧Vaよりも高電圧の電圧源VEから出力される電圧Ve(Ve>Va)となっている点が異なる。また、現像電圧回路Biasにおいて、実施例3の場合には、オペアンプOP1の出力端子と抵抗R11の一端及び抵抗R15の一端との間に、第3のトラジスタであるトランジスタTr4と抵抗R17、R18により構成された回路が追加されている点が異なる。
[Configuration of development voltage circuit]
FIG. 7 is a circuit diagram showing the circuit configuration of the developing voltage circuit Bias of this embodiment. The circuit configuration of the developing voltage circuit Bias shown in FIG. 7 differs from the developing voltage circuit Bias shown in FIG. 1 of the first embodiment in the following points. That is, the voltage connected to the transistor Tr1 was the specified voltage Va in the first embodiment, but in the third embodiment, the voltage Ve (Ve >Va). In the developing voltage circuit Bias, in the case of the third embodiment, a transistor Tr4, which is a third transistor, and resistors R17 and R18 are connected between the output terminal of the operational amplifier OP1 and one end of the resistor R11 and one end of the resistor R15. The difference is that a configured circuit is added.
図7において、抵抗R17は、一端がオペアンプOP1の出力端子、及びコンデンサC1の一端と接続され、他端が抵抗R18の一端、及びトランジスタTr4のベース端子と接続されている。抵抗R18の他端はトランジスタTr4のエミッタ端子と接続されている。トランジスタTr4のコレクタ端子は抵抗R11の一端及び抵抗R15の一端と接続され、エミッタ端子はGNDに接続されている。また、トランジスタTr1のエミッタ端子、及び抵抗R10の一端は、電圧源VEに接続されている。その他の回路構成は、実施例1の図1と同様であり、説明を省略する。 In FIG. 7, the resistor R17 has one end connected to the output terminal of the operational amplifier OP1 and one end of the capacitor C1, and the other end connected to one end of the resistor R18 and the base terminal of the transistor Tr4. The other end of the resistor R18 is connected to the emitter terminal of the transistor Tr4. A collector terminal of the transistor Tr4 is connected to one end of a resistor R11 and one end of a resistor R15, and an emitter terminal is connected to GND. Further, the emitter terminal of the transistor Tr1 and one end of the resistor R10 are connected to the voltage source VE. The other circuit configurations are the same as those in FIG. 1 of the first embodiment, and their explanation will be omitted.
[現像電圧回路の動作]
次に、本実施例の現像電圧回路の動作について、感光ドラム101の回転開始時(起動時)における回路動作と、通常動作時における回路動作と、に分けて説明する。
[Operation of developing voltage circuit]
Next, the operation of the developing voltage circuit of this embodiment will be explained separately into the circuit operation when the
[感光ドラムの起動時の現像電圧回路の動作]
図7において、トランジスタTr4は、オペアンプOP1の出力端子から出力電圧Voがハイレベルのときにオン状態、ローレベルのときにオフ状態となるnpn型のトランジスタである。そのため、実施例1では、CPUは出力端子TGTからオンデューティ比が最大(100%)のPWM信号を出力していたが、本実施例では、CPUは出力端子TGTからオンデューティ比が最小(0%)のPWM信号を出力する。これにより、オペアンプOP1の出力端子からハイレベルの電圧が出力されるようにする。なお、CPUは、所望の現像電圧Vdcが現像ローラ104に出力されるように、上述したROMに格納されたテーブル内の情報に基づいて、TGT端子から出力されるPWM信号のオンデューティ比(1周期におけるオン状態の比率)を設定する。そのため、回路構成を変更することなく、PWM信号のオンデューティ比を変更して対応することが可能である。
[Operation of the developing voltage circuit when starting the photosensitive drum]
In FIG. 7, the transistor Tr4 is an npn type transistor that is turned on when the output voltage Vo from the output terminal of the operational amplifier OP1 is at a high level and turned off when it is at a low level. Therefore, in the first embodiment, the CPU outputs the PWM signal with the maximum on-duty ratio (100%) from the output terminal TGT, but in this embodiment, the CPU outputs the PWM signal with the minimum on-duty ratio (0) from the output terminal TGT. %) PWM signal is output. This causes a high level voltage to be output from the output terminal of the operational amplifier OP1. Note that the CPU adjusts the on-duty ratio (1 (on-state ratio in the cycle). Therefore, it is possible to respond by changing the on-duty ratio of the PWM signal without changing the circuit configuration.
図7において、
1)CPUは、出力端子TGTからオンデューティ比が最小のPWM信号を出力する。これにより、オペアンプOP1の反転入力端子(-)に入力される目標電圧は、常時、概ね0Vとなる。その結果、オペアンプOP1の出力端子から出力される電圧Voは、ハイレベルとなる。これにより、トランジスタTr4は、オン状態となる。
2)トランジスタTr4がオン状態となることにより、トランジスタTr1のベース端子に流れる電流Ib1が増加して、トランジスタTr1が飽和し、トランジスタTr1のエミッタ-コレクタ間電圧Vce1は略0.3Vとなる。その結果、トランジスタTr1のコレクタ端子から出力されるコレクタ電圧Vc1は、規定電圧Ve-(トランジスタTr1の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce1となる。
In Figure 7,
1) The CPU outputs a PWM signal with the minimum on-duty ratio from the output terminal TGT. As a result, the target voltage input to the inverting input terminal (-) of the operational amplifier OP1 is always approximately 0V. As a result, the voltage Vo output from the output terminal of the operational amplifier OP1 becomes high level. As a result, the transistor Tr4 is turned on.
2) By turning on the transistor Tr4, the current Ib1 flowing to the base terminal of the transistor Tr1 increases, the transistor Tr1 becomes saturated, and the emitter-collector voltage Vce1 of the transistor Tr1 becomes approximately 0.3V. As a result, the collector voltage Vc1 output from the collector terminal of the transistor Tr1 becomes the specified voltage Ve−(the emitter-collector voltage Vce1 of the transistor Tr1).
3)トランジスタTr1がオンすることにより、トランジスタTr2のベース端子にベース電流Ib2が流れる。これにより、トランジスタTr2のベース端子のベース電圧Vb2は、(トランジスタTr1の)コレクタ電圧Vc1-(トランジスタTr2の)ベース-エミッタ間電圧Vbe2となる。その結果、トランジスタTr2のベース端子のベース電圧Vb2は、規定電圧Ve-(トランジスタTr1の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce1-(トランジスタTr2の)ベース-エミッタ間電圧Vbe2となる。
ダイオードD1のアノード端子の電圧はカソード端子の電圧よりも高いため、ダイオードD1は導通状態となる。そのため、トランジスタTr2のベース電流Ib2が、トランジスタTr2のベース端子→ダイオードD1→抵抗R15→トランジスタTr4→オペアンプOP1の経路で流れる。
3) By turning on the transistor Tr1, a base current Ib2 flows to the base terminal of the transistor Tr2. As a result, the base voltage Vb2 at the base terminal of the transistor Tr2 becomes the collector voltage Vc1 (of the transistor Tr1) - the base-emitter voltage Vbe2 (of the transistor Tr2). As a result, the base voltage Vb2 at the base terminal of the transistor Tr2 becomes the specified voltage Ve - the emitter-collector voltage Vce1 (of the transistor Tr1) - the base-emitter voltage Vbe2 (of the transistor Tr2).
Since the voltage at the anode terminal of the diode D1 is higher than the voltage at the cathode terminal, the diode D1 becomes conductive. Therefore, the base current Ib2 of the transistor Tr2 flows through the path of the base terminal of the transistor Tr2, the diode D1, the resistor R15, the transistor Tr4, and the operational amplifier OP1.
4)トランジスタTr2のベース端子から電流Ib2が流れることにより、トランジスタTr2が飽和し、トランジスタTr2のエミッタ-コレクタ間電圧Vce2は略0.3Vとなる。このときの現像電圧Vdcは、次の(式10)により表される。
現像電圧Vdc=Ve-Vce1-Vce2・・・(式10)
4) The current Ib2 flows from the base terminal of the transistor Tr2, so that the transistor Tr2 is saturated, and the emitter-collector voltage Vce2 of the transistor Tr2 becomes approximately 0.3V. The developing voltage Vdc at this time is expressed by the following (Equation 10).
Developing voltage Vdc=Ve-Vce1-Vce2... (Formula 10)
一般に、(トランジスタTr1の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce1は0.3V程度、(トランジスタTr2の)エミッタ-コレクタ間電圧Vce2は0.3V程度、規定電圧Veはプラス数十Vからプラス数百Vである。これらの値を(式10)に代入すると、現像電圧Vdcは、略プラス数十Vからプラス数百V程度となる。すなわち、現像電圧Vdcは、感光ドラム101の表面電圧0Vよりも高い電圧に設定され、トナー100が感光ドラム101の表面に付着することを防ぐことができる。
Generally, the emitter-collector voltage Vce1 (of the transistor Tr1) is about 0.3V, the emitter-collector voltage Vce2 (of the transistor Tr2) is about 0.3V, and the specified voltage Ve is from plus several tens of V to plus several hundred V. be. When these values are substituted into (Equation 10), the developing voltage Vdc will be about approximately plus several tens of volts to plus several hundred volts. That is, the developing voltage Vdc is set to a voltage higher than the surface voltage of the
[感光ドラムの通常動作時の現像電圧回路の動作]
現像電圧回路Biasでは、図7に示すように、pnp型のトランジスタTr1、Tr2は、規定電圧Ve(例えば電圧源VEから出力される+数十Vから+数百Vの直流電圧)に接続されている。また、トランジスタTr2のコレクタ端子にはシャント抵抗R0を介して帯電電圧源VPRが接続されている。そして、感光ドラム101の通常動作時には、図中、破線で示すシャント電流Isが、電圧源VE→トランジスタTr1→トランジスタTr2→シャント抵抗R0→帯電電圧源VPR→グランド(GND)の経路で流れる。現像電圧回路Biasは、TGT端子から出力するPWM信号により、シャント電流Isの電流値を適宜増減させることで、現像ローラ104に所望の現像電圧Vdcを出力することができ、現像電圧Vdcは、次の(式11)により表すことができる。
現像電圧Vdc=Vpr+R0×Is・・・(式11)
[Operation of the developing voltage circuit during normal operation of the photosensitive drum]
In the developing voltage circuit Bias, as shown in FIG. 7, pnp transistors Tr1 and Tr2 are connected to a specified voltage Ve (for example, a DC voltage of +several tens of V to +several hundreds of V output from the voltage source VE). ing. Furthermore, a charging voltage source VPR is connected to the collector terminal of the transistor Tr2 via a shunt resistor R0. During normal operation of the
Developing voltage Vdc=Vpr+R0×Is...(Formula 11)
また、実施例1の場合と同様に、オペアンプOP1の非反転入力端子(+)には、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとの間に直列に接続された抵抗R12と抵抗R13により分圧された分圧電圧Vsnsが入力される。一方、オペアンプOP1の反転入力端子(-)には、CPUの出力端子TGTから出力されたPWM信号を抵抗R14とコンデンサC2によって平滑された直流電圧である目標電圧Vtgtが入力される。なお、上述したように、本実施例では、オペアンプOP1とpnp型のトランジスタTr1、Tr2との間にはnpn型のトランジスタTr4が配置されている。そのため、CPUは、実施例1のPWM信号のオンデューティ比(1周期におけるオン時間の比率)が、本実施例ではオフデューティ比(1周期におけるオフ時間の比率)となるPWM信号を出力する。 In addition, as in the case of the first embodiment, the non-inverting input terminal (+) of the operational amplifier OP1 has a voltage divided by a resistor R12 and a resistor R13 connected in series between the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc. A divided voltage Vsns is input. On the other hand, the target voltage Vtgt, which is a DC voltage obtained by smoothing the PWM signal output from the output terminal TGT of the CPU by the resistor R14 and the capacitor C2, is input to the inverting input terminal (-) of the operational amplifier OP1. Note that, as described above, in this embodiment, the npn type transistor Tr4 is arranged between the operational amplifier OP1 and the pnp type transistors Tr1 and Tr2. Therefore, the CPU outputs a PWM signal in which the on-duty ratio (ratio of on-time in one cycle) of the PWM signal in the first embodiment becomes the off-duty ratio (ratio of off-time in one cycle) in this embodiment.
分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも高い場合には、オペアンプOP1の出力電圧Voが上昇して、トランジスタTr4に流れ込むトランジスタTr1のベース電流が減少すると、トランジスタTr1のコレクタ電流Isが減少する。その結果、上述した(式11)より、現像電圧Vdcが低下する。すると、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとを抵抗R12、R13で分圧した分圧電圧Vsnsが減少する。一方、分圧電圧Vsnsが目標電圧Vtgtよりも低い場合には、オペアンプOP1の出力電圧Voが低下し、トランジスタTr4に流れ込むトランジスタTr1のベース電流が増加すると、トランジスタTr1のコレクタ電流Isが増加する。その結果、上述した(式11)より、現像電圧Vdcが上昇する。すると、規定電圧Vbと現像電圧Vdcとを抵抗R12、R13で分圧した分圧電圧Vsnsが増加する。このように、オペアンプOP1に負帰還がかかり、目標電圧Vtgtは常に分圧電圧Vsnsと概ね等しくなる。 When the divided voltage Vsns is higher than the target voltage Vtgt, the output voltage Vo of the operational amplifier OP1 increases and the base current of the transistor Tr1 flowing into the transistor Tr4 decreases, so that the collector current Is of the transistor Tr1 decreases. As a result, the developing voltage Vdc decreases according to the above-mentioned (Equation 11). Then, the divided voltage Vsns obtained by dividing the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc by the resistors R12 and R13 decreases. On the other hand, when the divided voltage Vsns is lower than the target voltage Vtgt, the output voltage Vo of the operational amplifier OP1 decreases, the base current of the transistor Tr1 flowing into the transistor Tr4 increases, and the collector current Is of the transistor Tr1 increases. As a result, the developing voltage Vdc increases according to the above-mentioned (Equation 11). Then, the divided voltage Vsns obtained by dividing the specified voltage Vb and the developing voltage Vdc by the resistors R12 and R13 increases. In this way, negative feedback is applied to the operational amplifier OP1, and the target voltage Vtgt is always approximately equal to the divided voltage Vsns.
なお、感光ドラム101の通常動作時の現像電圧回路BiasのトランジスタTr1、Tr2の回路動作については、実施例1の場合と同様であり、ここでの説明を省略する。これにより、感光ドラム101の回転開始時には、現像ローラ104に印加する現像電圧Vdcを0Vよりも高い電圧に設定することができ、感光ドラム101にトナー100が付着することを防止することができる。その結果、感光ドラム101に付着したトナー100が転写ローラ105に付着し、転写ローラ105に搬送されるシートの裏面(転写ローラ105側の面)にトナー100が付着することによるシート109の裏汚しの発生を防ぐことができる。また、感光ドラム101にトナー100が付着しないため、クリーニングブレード106により除去される感光ドラム101上の付着トナー100を格納する廃トナーボックス107の大型化や、それに伴う画像形成装置の大型化を避けることができる。
Note that the circuit operations of the transistors Tr1 and Tr2 of the developing voltage circuit Bias during the normal operation of the
以上説明したように、図7では、オペアンプOP1の出力端子と、トランジスタTr1のベース端子の間に、エミッタ-コレクタ間耐圧が、電圧源VEから供給される電圧Veよりも高いトランジスタTr4を挿入している。このような回路構成とすることで、オペアンプOP1の出力端子の耐圧を上げずに、トランジスタTr1のコレクタに印加する電圧を高く設定することができる。なお、電圧源VEから供給される電圧Veに応じて、トランジスタTr1、Tr2も、電圧Veに応じたトランジスタに変更される。 As explained above, in FIG. 7, the transistor Tr4, whose emitter-collector breakdown voltage is higher than the voltage Ve supplied from the voltage source VE, is inserted between the output terminal of the operational amplifier OP1 and the base terminal of the transistor Tr1. ing. With such a circuit configuration, the voltage applied to the collector of the transistor Tr1 can be set high without increasing the withstand voltage of the output terminal of the operational amplifier OP1. Note that, depending on the voltage Ve supplied from the voltage source VE, the transistors Tr1 and Tr2 are also changed to transistors corresponding to the voltage Ve.
なお、本実施例においても、実施例1の図3に示す現像電圧回路Biasのように、図7の回路にトランジスタTr3、抵抗R3、抵抗R16、ダイオードD2を追加することで、更にエミッタ-コレクタ間電圧を分散させることもできる。また、本実施例においても、実施例2のように、高電圧の現像電圧を供給する現像電圧源VDC0を設け、現像電圧源VDC0の出力電圧Vdc0からシャント抵抗R0による電圧降下を利用して、現像電圧Vdcを生成することもできる。 In this embodiment as well, like the developing voltage circuit Bias shown in FIG. 3 of the first embodiment, by adding the transistor Tr3, the resistor R3, the resistor R16, and the diode D2 to the circuit of FIG. It is also possible to disperse the voltage between the two. Also, in this embodiment, as in the second embodiment, a development voltage source VDC0 that supplies a high-voltage development voltage is provided, and the voltage drop from the output voltage Vdc0 of the development voltage source VDC0 due to the shunt resistor R0 is utilized. A developing voltage Vdc can also be generated.
以上説明したように、本実施例によれば、感光ドラムの回転開始時に感光ドラム上の帯電されていない領域にトナーが付着することを防止することができる。 As described above, according to this embodiment, it is possible to prevent toner from adhering to an uncharged area on the photosensitive drum when the photosensitive drum starts rotating.
D1 ダイオードD1
OP1 オペアンプOP1
R1 抵抗R1
R2 抵抗R2
Tr1 トランジスタTr1
Tr2 トランジスタTr2
Va 規定電圧Va
D1 Diode D1
OP1 operational amplifier OP1
R1 Resistor R1
R2 Resistance R2
Tr1 Transistor Tr1
Tr2 Transistor Tr2
Va Specified voltage Va
Claims (13)
第1の電圧源と、
入力端子が前記第1の電圧源と接続され、前記第1の電圧源から入力された電圧から前記負荷に供給する電圧を生成する電圧生成部と、
前記電圧生成部の出力端子に接続された第2の電圧源と、
前記電圧生成部が生成する前記電圧を制御する制御手段と、
前記制御手段と前記電圧生成部とに接続されたバイパス手段と、
を備え、
前記電圧生成部は、第1のトランジスタ、及び第2のトランジスタを有し、
前記第1のトランジスタは、エミッタ端子が前記第1の電圧源と接続され、ベース端子が前記制御手段と接続され、コレクタ端子が前記第2のトランジスタのエミッタ端子と接続され、
前記第2のトランジスタは、ベース端子が前記バイパス手段と接続され、コレクタ端子が前記電圧生成部の出力端子と接続され、
前記第1のトランジスタのベース端子と前記第2のトランジスタのベース端子とは第1の抵抗を介して接続され、
前記第2のトランジスタのベース端子とコレクタ端子とは第2の抵抗を介して接続され、
前記制御手段は、前記第1のトランジスタのベース端子に流れる電流を制御することにより、前記第2のトランジスタのコレクタ端子から出力される電圧を制御し、
前記バイパス手段は、前記第2のトランジスタのベース端子と前記制御手段との間に配置され、前記第2のトランジスタのベース端子に流れる電流を前記制御手段に流すことを特徴とする電源装置。 A power supply device that supplies power supply voltage to a load,
a first voltage source;
a voltage generation unit having an input terminal connected to the first voltage source and generating a voltage to be supplied to the load from the voltage input from the first voltage source;
a second voltage source connected to the output terminal of the voltage generation section;
control means for controlling the voltage generated by the voltage generation section;
bypass means connected to the control means and the voltage generation section;
Equipped with
The voltage generation section includes a first transistor and a second transistor,
The first transistor has an emitter terminal connected to the first voltage source, a base terminal connected to the control means, and a collector terminal connected to the emitter terminal of the second transistor,
The second transistor has a base terminal connected to the bypass means, a collector terminal connected to the output terminal of the voltage generation section,
The base terminal of the first transistor and the base terminal of the second transistor are connected via a first resistor,
The base terminal and collector terminal of the second transistor are connected via a second resistor,
The control means controls the voltage output from the collector terminal of the second transistor by controlling the current flowing to the base terminal of the first transistor,
The power supply device is characterized in that the bypass means is disposed between the base terminal of the second transistor and the control means, and causes the current flowing through the base terminal of the second transistor to flow through the control means.
前記オペアンプは、前記負荷に供給する電圧に応じた目標電圧が入力される第1の入力端子と基準となる電圧が入力される第2の入力端子の入力電圧を比較した結果に応じた電圧を前記第1のトランジスタのベース端子に出力することを特徴とする請求項3に記載の電源装置。 The control means is an operational amplifier,
The operational amplifier generates a voltage according to the result of comparing the input voltages of a first input terminal to which a target voltage corresponding to the voltage to be supplied to the load is input and a second input terminal to which a reference voltage is input. 4. The power supply device according to claim 3, wherein the power supply is output to a base terminal of the first transistor.
前記第3の電圧源は、直列に接続された複数の抵抗を介して、前記第2のトランジスタのコレクタ端子と接続され、
前記複数の抵抗により分圧された電圧は、前記オペアンプの前記第2の入力端子に入力されることを特徴とする請求項5に記載の電源装置。 The power supply device has a third voltage source,
the third voltage source is connected to the collector terminal of the second transistor via a plurality of resistors connected in series;
6. The power supply device according to claim 5, wherein the voltage divided by the plurality of resistors is input to the second input terminal of the operational amplifier.
前記ダイオードのアノード端子は、前記第2のトランジスタのベース端子と接続され、
前記ダイオードのカソード端子は、前記抵抗の一端と接続され、
前記抵抗の他端は、前記オペアンプの前記出力端子と接続され、
前記バイパス手段は、前記第2のトランジスタのベース端子の電圧が前記オペアンプの出力電圧よりも高い場合には、前記第2のトランジスタのベース端子に流れる電流を前記オペアンプの前記出力端子に流すことを特徴とする請求項6に記載の電源装置。 The bypass means includes a diode and a resistor,
an anode terminal of the diode is connected to a base terminal of the second transistor,
A cathode terminal of the diode is connected to one end of the resistor,
The other end of the resistor is connected to the output terminal of the operational amplifier,
The bypass means causes a current flowing through the base terminal of the second transistor to flow through the output terminal of the operational amplifier when the voltage at the base terminal of the second transistor is higher than the output voltage of the operational amplifier. The power supply device according to claim 6.
前記制御部から出力されるパルス信号を平滑化する平滑部と、
を備え、
前記平滑部は、前記目標電圧に対応するパルス信号を平滑化した電圧を前記オペアンプの前記第1の入力端子に出力することを特徴とする請求項7に記載の電源装置。 a control unit that outputs a pulse signal corresponding to a target voltage according to the voltage supplied to the load;
a smoothing section that smoothes the pulse signal output from the control section;
Equipped with
The power supply device according to claim 7, wherein the smoothing section outputs a voltage obtained by smoothing a pulse signal corresponding to the target voltage to the first input terminal of the operational amplifier.
前記感光ドラムを一様の電位に帯電する帯電手段と、
前記帯電手段により前記一様の電位に帯電された前記感光ドラムに静電潜像を形成する露光手段と、
前記感光ドラム上の静電潜像をトナーにより現像し、トナー像を形成する現像手段と、
前記感光ドラム上に形成された前記トナー像をシートに転写する転写手段と、
請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の電源装置と、
を備え、
前記現像手段は、前記静電潜像にトナーを付着させる現像ローラを有し、
前記電源装置は、前記現像ローラに電圧を供給することを特徴とする画像形成装置。 photosensitive drum,
Charging means for charging the photosensitive drum to a uniform potential;
exposure means for forming an electrostatic latent image on the photosensitive drum charged to the uniform potential by the charging means;
a developing means for developing the electrostatic latent image on the photosensitive drum with toner to form a toner image;
a transfer means for transferring the toner image formed on the photosensitive drum to a sheet;
The power supply device according to any one of claims 1 to 10,
Equipped with
The developing means includes a developing roller that attaches toner to the electrostatic latent image,
The image forming apparatus is characterized in that the power supply device supplies voltage to the developing roller.
前記第2の電圧源は、前記帯電ローラに電圧を供給する電圧源であることを特徴とする請求項11に記載の画像形成装置。 The charging means includes a charging roller that charges the photosensitive drum to the uniform potential,
The image forming apparatus according to claim 11, wherein the second voltage source is a voltage source that supplies voltage to the charging roller.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020111338A JP7455683B2 (en) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | Power supply device and image forming device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020111338A JP7455683B2 (en) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | Power supply device and image forming device |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022010655A JP2022010655A (en) | 2022-01-17 |
JP2022010655A5 JP2022010655A5 (en) | 2023-06-29 |
JP7455683B2 true JP7455683B2 (en) | 2024-03-26 |
Family
ID=80147553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020111338A Active JP7455683B2 (en) | 2020-06-29 | 2020-06-29 | Power supply device and image forming device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7455683B2 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018132653A (en) | 2017-02-15 | 2018-08-23 | キヤノン株式会社 | Image formation device |
-
2020
- 2020-06-29 JP JP2020111338A patent/JP7455683B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018132653A (en) | 2017-02-15 | 2018-08-23 | キヤノン株式会社 | Image formation device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022010655A (en) | 2022-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9904232B2 (en) | Power supply apparatus and image forming apparatus | |
JP6056227B2 (en) | Image forming apparatus and bias power supply apparatus | |
JP7145015B2 (en) | Power supply and image forming apparatus | |
JP7455683B2 (en) | Power supply device and image forming device | |
JP6727806B2 (en) | Power supply device and image forming apparatus | |
JP5590956B2 (en) | Image forming apparatus and power supply apparatus | |
US6731892B2 (en) | Image forming apparatus having high-voltage power supply | |
KR20220168986A (en) | Power supply apparatus and image forming apparatus | |
US11435684B2 (en) | Power supply apparatus and image forming apparatus | |
JP4737247B2 (en) | Image forming apparatus | |
JPH08137223A (en) | Image forming device | |
JP6765906B2 (en) | High-voltage generator and image forming device | |
JPH04368968A (en) | Image forming device | |
JP2023000289A (en) | Power supply device and image forming apparatus | |
JP3505828B2 (en) | Power supply | |
JP7114350B2 (en) | Power supply and image forming apparatus | |
JP2018063674A (en) | Power supply device and image forming apparatus | |
JP2021196466A (en) | Power supply device and image forming apparatus | |
JP4264277B2 (en) | Constant voltage power supply device, developing device, and image forming apparatus | |
JP2022079160A (en) | Image forming apparatus | |
JP2007052690A (en) | Power supply device and image processing apparatus | |
JP3782570B2 (en) | Image recording device | |
JP6700695B2 (en) | Power supply device and image forming apparatus | |
JP2022077437A (en) | Image forming apparatus | |
JP2023090497A (en) | Power supply device and image forming apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230621 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240124 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240313 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7455683 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |