JP7455610B2 - エネルギー誘導高周波（ｒｆ）アブレーション - Google Patents
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Description
本発明は、全般に高周波（ＲＦ）アブレーションに関し、特に、心臓組織ＲＦアブレーションに関する。
ＲＦアブレーションを制御するための技術は、過去に、特許文献において提案されてきた。例えば、米国特許出願公開第２００４／０１５８２３７号は、カテーテルの交換を伴うことなく様々なアブレーション処置の実行を可能にする、統合型複数エネルギーアブレーションシステムを記載している。エネルギー送達アンビリカルシステムを介して、カテーテル又はプローブなどの１つ以上のエネルギー処理装置に接続されるコンソールが提供される。統合型アブレーションステーションは、市販のカテーテルに適合するように設計され、より深くてより幅広い損傷能力及び／又はより広範に亘る温度アブレーションスペクトルが望まれるときに、連続的に又は同時にアブレーション及びマッピングの処置を実施できるようにする。流体循環の閉鎖システムを組み込むことにより、高周波エネルギーの送達中に、循環流体がＲＦカテーテルアブレーション電極を冷却できるようにする。
その他の例として、米国特許出願公開第２０１７／０２０９２０８号は、７０Ｗ～１００Ｗの範囲内で、電極によって送達される第１の最大高周波（ＲＦ）電力を選択することと、２０Ｗ～６０Ｗの範囲内で、電極によって送達される第２の最大ＲＦ電力を選択することと、を含む方法を記述している。方法はまた、５ｇ～５０ｇの範囲内で、電極に対して許容可能な力を選択することと、５５～６５℃の範囲内で、アブレーションされる組織の許容可能な最高温度を選択することと、８～４５ｍＬ／分の範囲内で、電極に灌注流体を提供する灌注速度を選択することと、を含む。方法は、最初に第１の電力を使用し、選択された値を使用して、３秒～６秒の事前規定された時間の後に第２の電力に切り替え、１０秒～２０秒のアブレーションの合計時間後にアブレーションを終了することによって、組織のアブレーションを実行することを更に含む。
米国特許出願公開第２０１２／０１５７８９０号は、生存被検体の体内にプローブを挿入し、プローブを体内の組織に接触させ、電力出力レベルでエネルギーを生成し、生成されたエネルギーをプローブを介して組織内に送達することによって実施される、体内組織のアブレーションを記述している。アブレーションは更に、生成されたエネルギーを送達する一方で、組織の測定温度と送達されたエネルギーの測定電力レベルとを判定し、測定温度と測定電力レベルの関数に応じて電力出力レベルを制御することによって実施される。アブレーションを実施するための関連装置についても、記述されている。
本発明の一実施形態は、患者の体内の組織内に特定の損傷部を形成するために必要な目標量のアブレーションエネルギーを定めることを含む、体内組織のアブレーションを行う方法を提供する。アブレーションプローブ及び組織を接触させる。アブレーションプローブを使用して、アブレーション信号が組織に印加され、これにより、定められた最大電力制約内で許容される最短持続時間中に目標量のアブレーションエネルギーを送達する。
いくつかの実施形態において、当該方法は、アブレーション信号の印加中に、組織の近傍に灌注流体を付与することを更に含む。組織の近傍の温度がモニタリングされ、モニタリングされた温度が定められた最高温度限界を超える場合、灌注流体の流れが増加される。
いくつかの実施形態において、当該方法は、モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超えるものの、灌注流体の流れが、定められた最大流動限界を超える場合、アブレーション信号の電力を低減し、アブレーション信号の持続時間を延ばすことを更に含む。
一実施形態において、温度をモニタリングすることは、アブレーション信号を組織に送達する電極の温度を測定することを含む。他の実施形態において、当該方法は、組織に付与されるアブレーションエネルギーの事前設定された量に達するまで、アブレーションの持続時間を延ばすことを更に含む。
いくつかの実施形態において、当該方法は、アブレーション信号の印加中に、組織の近傍に灌注流体を付与することを更に含む。組織の近傍で温度がモニタリングされ、モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、アブレーション信号の電力を低減して、温度を最高温度限界に、所与の許容値までで維持する。
いくつかの実施形態において、当該方法は、アブレーション信号の印加中に、アブレーション信号の電力が低下している場合、灌注の流れを増加させ、最高温度限界を下回るように温度を低下させ、次いで、アブレーション信号の電力を最大電力目標まで上昇させることを更に含む。
一実施形態において、当該方法は、アブレーション信号の印加中に、許容される持続時間内に目標量のアブレーションエネルギーが満たされない場合、アブレーション信号を停止することを更に含む。
本発明の一実施形態によると、体内組織のアブレーションを行うためのシステムであって、メモリと、アブレーションプローブと、発生器と、プロセッサとを備えるシステムも更に提供される。メモリは、患者の体内の組織内に特定の損傷部を生成するために必要な目標量のアブレーションエネルギーの値を記憶するように構成されている。アブレーションプローブは、組織と接触するように構成されている。発生器は、アブレーション信号を生成するように構成されている。プロセッサは、発生器及びアブレーションプローブを制御して、定められた最大電力制約内で許容される最短持続時間中に、目標量のアブレーションエネルギーで組織にアブレーション信号を印加するように構成されている。
本発明は、以下の「発明を実施するための形態」を図面と併せて考慮することで、より完全に理解されよう。
概要
心臓組織高周波（ＲＦ）アブレーションシステムは、アブレーション用エネルギーの量と、対応する損傷部の深さを変化させ得る。これを達成するために、このようなシステムは、アブレーションされる組織の温度が確実に最高値を超えないようにしつつ、灌注速度とＲＦ電力入力の双方と、アブレーションの持続とを変化させ得る。しかしながら、アブレーション中、例えば薄い組織では、組織の温度応答が乏しいことがある（例えば、温度が予期せず昇降することがある）。これに対応して変化するエネルギーの量は、損傷部の深さを制御不能にさせ得る。
心臓組織高周波（ＲＦ）アブレーションシステムは、アブレーション用エネルギーの量と、対応する損傷部の深さを変化させ得る。これを達成するために、このようなシステムは、アブレーションされる組織の温度が確実に最高値を超えないようにしつつ、灌注速度とＲＦ電力入力の双方と、アブレーションの持続とを変化させ得る。しかしながら、アブレーション中、例えば薄い組織では、組織の温度応答が乏しいことがある（例えば、温度が予期せず昇降することがある）。これに対応して変化するエネルギーの量は、損傷部の深さを制御不能にさせ得る。
以下に記載される本発明の実施形態では、一定エネルギーモードでアブレーションシステムを動作させ、制約内で可能な最短時間で事前設定量のアブレーションＲＦエネルギーを組織に付与して、予め計画した損傷部の深さを達成する。（短いアブレーション時間により、所望の損傷部領域内にエネルギーを集中させるのを支援する。すなわち、所望の領域から逃れるエネルギーの量を低減する。）最大ＲＦ電力レベルが設定され、アブレーションのための公称時間が得られる。アブレーション中、温度をモニタリングして、高温限界及び低温限界を含む許容温度範囲内に温度を維持する。
アブレーション中、灌注流量及び電力出力レベルが調整され、その許容範囲内に温度を維持しつつ、可能な最大ＲＦ電力を維持する。いくつかの実施形態において、印加されるＲＦ電力レベルが低減されると、アアブレーションＲＦエネルギー目標の事前設定量に達するように、ブレーション時間が延ばされる。
典型的には、アブレーションのアルゴリズムを動作させるプロセッサは、許容流量範囲内で灌注流量の増加を命令し、アブレーション電力が、事前設定された電力上限及び温度範囲で許容される可能な最高レベルに維持できるようにする。換言すれば、電力を低減することは、潅注のみを使用して最高温度限界未満に留めることが不可能であるときに、最後の手段としてのみ復帰させられる。
いくつかの実施形態において、開示の方法は、（ａ）患者の体内の組織に特定の損傷部を生成するのに必要な目標量のアブレーションエネルギーを定めるステップと、（ｂ）アブレーションプローブ及び組織を接触させるステップと、（ｃ）アブレーションプローブを使用して、組織にアブレーション信号を印加し、これにより、定められた最大出力制約内で許容される最短持続時間中に目標量のアブレーションエネルギーを送達するステップと、を含む。
いくつかの実施形態において、本開示の方法は、アブレーション信号の印加中に、組織の近傍に灌注流体を付与することと、組織の近傍の温度をモニタリングすることと、を更に含む。モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、プロセッサは、灌注流体の流れを増加させるように命令する。
モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超えるものの、灌注流体の流れが、定められた最大流動限界を超える場合、プロセッサは、アブレーション信号の電力を低減し、アブレーション信号の持続時間を延ばすように命令する。
開示のＲＦアブレーション技術は、組織内に配される目標量のＲＦエネルギーに応じて、より短い持続で最大のＲＦ出力レベルを維持できるようにすることで、カテーテルをベースとしたＲＦアブレーション処置の臨床成果を向上させることができる。
システムの説明
図１は、本発明の実施形態に係る、心臓組織高周波（ＲＦ）アブレーション治療のためのシステム１２の模式的な絵図である。典型的には、システム２０のメモリ４５は、図２に記されるプロトコルなど、様々な臨床シナリオ用の多数のアブレーションプロトコルを記憶する。
図１は、本発明の実施形態に係る、心臓組織高周波（ＲＦ）アブレーション治療のためのシステム１２の模式的な絵図である。典型的には、システム２０のメモリ４５は、図２に記されるプロトコルなど、様々な臨床シナリオ用の多数のアブレーションプロトコルを記憶する。
医師２６は、被験者２２の血管を通じて心室２４内にカテーテル２８を挿入し、カテーテルの遠位端３２が治療対象の領域の心内膜に接触するように、カテーテルを操作する。カテーテル２８の先端電極５１は、挿入画２５に見られるが、電極の温度を測定する１つ以上の温度センサ５０を備える。いくつかの実施形態において、この温度は、アブレーションされる組織の近傍の温度の推定値として使用される。
アブレーション部位に遠位端３２を位置決めし、先端が心内膜に確実に接触するようにした後、操作者２６は、制御コンソール４２内のＲＦエネルギー発生器４４を作動して、ケーブル３８を介して遠位端３２にＲＦエネルギーを供給する。一方、灌注ポンプ４８は、管４０及びカテーテル２８の内腔を介して、通常の生理食塩水溶液などの冷却流体を、遠位端に供給する。典型的には、アブレーション前及びアブレーション中の両方において、ディスプレイ４６は、以下の表Ｉ～ＩＶに列挙されるものなどのアブレーションパラメータの値を、医師２６に表示する。
ＲＦエネルギー発生器及び灌注ポンプの動作は、アブレーション中に適切な容量の灌注を与えるために調整されてよく、これにより、灌注流体で心臓に過剰に負荷を与えることなく、カテーテルの先端及び組織を冷却する。温度センサ５０内の各温度センサは、例えば、ＲＦエネルギー投与量及び／又は灌注容量を制御する際に使用するフィードバックを、コンソール４２に提供する。
システム１２を操作するため、プロセッサ４１は、プロセッサがシステムを動作させるのに使用する多数のモジュールを含む。これらのモジュールは、温度モジュール５２、電力制御モジュール５４、及び灌注モジュール５５を含むものであり、これらの機能については後述する。特に、プロセッサ４１は、以下で更に説明するとおり、プロセッサ４１が本開示のステップを実行できるようにする、図２を含む本明細書に開示の専用アルゴリズムを実行する。
図示の実施形態は、具体的には、心臓組織のアブレーションを行うための先端アブレーション装置の使用に関し、代替的に、本明細書に記載の方法は、プロセッサ４１によって各電極の動作が独立に制御されるとき、複数のアブレーション電極を備えるアブレーション装置に適用され得る。
エネルギー誘導ＲＦアブレーション
図２は、本発明の一実施形態に係る、図１のＲＦアブレーションシステム２０の動作において実施されるアルゴリズムのステップを模式的に示すフローチャートである。このプロセスは、アブレーションパラメータ事前設定ステップ６０から開始するものであり、このステップにおいて、医師２６は、上述した可変のアブレーションパラメータを各々事前設定し、特に、目標量のアブレーションエネルギーを設定する。このようなステップには、異なる臨床シナリオに合わせて多くのプロトコルを作成することが含まれてよく、このようなプロトコルは、例えば、システム２０のメモリ４５に保存される。
図２は、本発明の一実施形態に係る、図１のＲＦアブレーションシステム２０の動作において実施されるアルゴリズムのステップを模式的に示すフローチャートである。このプロセスは、アブレーションパラメータ事前設定ステップ６０から開始するものであり、このステップにおいて、医師２６は、上述した可変のアブレーションパラメータを各々事前設定し、特に、目標量のアブレーションエネルギーを設定する。このようなステップには、異なる臨床シナリオに合わせて多くのプロトコルを作成することが含まれてよく、このようなプロトコルは、例えば、システム２０のメモリ４５に保存される。
いくつかの実施形態において、アブレーションパラメータは、表Ｉ～ＩＶのうちの１つに示されるように設定される。典型的に、ＲＦ電力については、安全の理由のために最小ＲＦ電力はシステムによってゼロに自動設定されるため、システムの操作者は、最大ＲＦ電力のみを設定する。
表Ｉ～ＩＶは、例えば、臨床的必要性に応じて、付帯的ダメージを最少化しつつ、損傷部の深さを最適化するために使用され得る、４つの異なる設定を提供している。
表Ｉ－低程度深さ（２ｍｍ未満）
表ＩＩ－中程度深さ（２ｍｍ～３．５ｍｍ）
表ＩＩＩ－高程度深さ（３．５ｍｍ～５．０ｍｍ）
表ＩＶ－それ以上の深さ（５．０ｍｍ超）
表Ｉ－低程度深さ（２ｍｍ未満）
表ＩＩ－中程度深さ（２ｍｍ～３．５ｍｍ）
表ＩＩＩ－高程度深さ（３．５ｍｍ～５．０ｍｍ）
表ＩＶ－それ以上の深さ（５．０ｍｍ超）
低程度深さのパラメータ：
中程度深さのパラメータ：
高程度深さのパラメータ：
更に高程度の深さのパラメータ：
医師２６がアブレーションを実施する前に、アブレーションパラメータ設定ステップ６０が実行される。
アブレーションセッションの開始時、プローブ導入ステップ６２において、医師２６は、システム２０に内蔵されたカテーテル位置追跡システムを使用して、心臓２４内の所望の位置にカテーテル２８を挿入する。このステップにおいて、医師２６は、カテーテル２８を、目標とする心臓組織に接触させる。
インピーダンス決定ステップ６４において、プロセッサ４１は、電力制御モジュール５４を使用して、電極５１のインピーダンスが事前設定されたインピーダンス値より大きいかどうかを確認する。大きい場合、システムは、終了ステップ６６において、電極５１のアブレーション処置を停止する。ステップ６４で負の値が返ってきた場合、アルゴリズムの制御がＲＦアブレーションステップ６８まで継続する。
ＲＦ送達ステップ６８において、医師２６は、ステップ６０でパラメータ値が選択されている、医師の選択した特定のアブレーションプロトコルで、システム２０を動作させる。医師２６のタスクは、例えば、表Ｉに示されるとおり、許容される最短持続時間中に、目標量のエネルギーを（例えば、電極５１で）付与することにより、事前設定されたアブレーションプロトコルを実施することである。システム２０のディスプレイ４６は、従来既知の方法により、電極へのＲＦ送達の進捗を医師２６に表示するように構成されてもよい。進捗の表示は、アブレーションによって損傷部が生成される際の各損傷部の寸法のシミュレーションなどのグラフィック表示によるものであってもよく、及び／又は、英数字表示を利用したものであってもよい。
ＲＦ送達処置の間、プロセッサ４１は、フローチャートの決定ステップ７０、７４、及び７８に示されるとおり、温度モジュール５２を使用して、処置の進捗に関する多数のチェックを実施する。灌注モジュール５５及び電力制御モジュール５４では、フローチャートの変更ステップ７２及び７６に示されるとおり、変更を実施する。
代替実施形態において、温度がチェックされ、温度が事前に指定された目標に達する場合、プロセッサは、発生器に電力を低減するように指示し、温度を事前に指定された温度目標の範囲に維持する。システムが、所与の電力（例えば、１Ｗ）を超えて電力が低下していることを特定した場合、灌注の流れを増加させて、電力低下を防ぐ。流れを増加させることにより、温度を目標温度に維持しつつ、電力を上昇させることが可能となる。
第１の温度決定ステップ７０において、プロセッサは、温度モジュール５２を使用して、測定された組織の温度が、ステップ６０で選択された、事前設定の許容温度範囲を外れたかどうかをチェックする。温度決定ステップ７０で肯定の応答が返された場合、灌注制御モジュール５５では、灌注変更ステップ７２にて、灌注流量を変更して、温度を許容範囲にする。
第２の温度決定ステップ７４において、プロセッサは、温度モジュール５２を使用して、測定された組織温度が、ステップ６０で選択された、事前設定の許容温度範囲を外れたかどうかを再チェックする。温度決定ステップ７４で肯定の応答が返された場合、電力制御モジュール５４は、電力変更ステップ７６にて、電極５１への電力を変更して、温度を許容範囲にする。
表Ｉによる組織温度制御において、ステップ７２及び７６の変更が成功しなかった場合、システムは、終了ステップ６６にて、電極５１のアブレーション処置を停止する。
決定ステップ７０、７４、又は７８のいずれかで否定の応答が返された場合、アブレーション決定ステップ８０まで制御を継続する。
アブレーション決定ステップ８０において、プロセッサ４１は、ステップ６０において設定された、所与の電極によって配されるアブレーション用エネルギーの量に達したかどうかをチェックする。達していれば、プロセスは終了する。エネルギーが達していないか、又は超過していた場合、制御は持続決定ステップ８２に移り、ここで、プロセッサ４１は、ステップ６０で設定されたアブレーションの最長時間に達したか、又はこれを超過したかどうかをチェックする。事前設定された最長時間に達した場合、システムは、終了ステップ６６において電極５１の処置を停止する。そうでなければ、プロセスは、決定ステップ６４のループに戻る。
決定ステップ６４、７０、７４、７８、８０、及び８２は、簡易かつ明確に示すために、フローチャート中に連続的に示されている。しかしながら、典型的に、システムは、電力制御モジュールを使用してこれらのステップを並列に実施する。
図２に示される例としてのフローチャートは、概念を明確に示すことを純粋な目的として選択されたものである。本実施形態はまた、組織に対する電極５１の接触力のレベルをチェックするなど、アルゴリズムの追加ステップを含むが、より簡略化されたフローチャートを提供するために、本開示からは意図的に省略されている。
一実施形態において、本開示の方法は、アブレーション信号の印加中に、組織の近傍に灌注流体を付与するステップと、組織の近傍の温度をモニタリングするステップと、モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、アブレーション信号の電力を低減して、温度を最高温度限界に、所与の許容値までで維持するステップと、を更に含む。
他の実施形態において、本開示の方法は、アブレーション信号の印加中に、アブレーション信号の電力が低下している場合、灌注の流れを増加させて、最高温度限界を下回るように温度を低下させ、次いでアブレーション信号の電力を最大電力目標まで上昇させるステップを更に含む。
更に他の実施形態において、本開示の方法は、アブレーション信号の印加中に、許容される継続時間内に目標量のアブレーションエネルギーが満たされない場合、アブレーション信号を停止することを更に含む。
本明細書に記載の実施形態は、主として心臓組織への適用を対象とするものであるが、本明細書に記載の方法及びシステムは、例えば、体内の他の臓器のアブレーションにも使用可能である。
したがって、上記に述べた実施形態は、例として引用したものであり、また本発明は、上文に具体的に示し説明したものに限定されないことが理解されよう。むしろ本発明の範囲は、上述の様々な特徴の組み合わせ及びその一部の組み合わせの両方、並びに上述の説明を読むことで当業者により想到されるであろう、また従来技術において開示されていないそれらの変形及び修正を含むものである。参照により本特許出願に援用される文献は、これらの援用文献においていずれかの用語が本明細書において明示的又は暗示的になされた定義と矛盾して定義されている場合には、本明細書における定義のみを考慮するものとする点を除き、本出願の一部とみなすものとする。
〔実施の態様〕
（１） 体内組織のアブレーションを行う方法であって、
患者の体内の組織内に特定の損傷部を形成するのに必要な目標量のアブレーションエネルギーを定めることと、
アブレーションプローブ及び前記組織を接触させることと、
前記アブレーションプローブを使用して、前記組織にアブレーション信号を印加することであって、前記アブレーション信号は、定められた最大電力制約内で許容される最短持続時間中に前記目標量のアブレーションエネルギーを送達する、ことと、を含む、方法。
（２） 前記アブレーション信号の印加中に、
前記組織の近傍に灌注流体を付与することと、
前記組織の近傍の温度をモニタリングすることと、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記灌注流体の流れを増加させることと、を含む、実施態様１に記載の方法。
（３） 前記モニタリングされた温度が、前記定められた最高温度限界を超えるものの、前記灌注流体の前記流れが、定められた最大流量限界を超える場合、前記アブレーション信号の電力を低減し、前記アブレーション信号の前記持続時間を延ばすこと、を含む、実施態様２に記載の方法。
（４） 前記温度をモニタリングすることが、前記アブレーション信号を前記組織に送達する電極の温度を測定すること、を含む、実施態様２に記載の方法。
（５） 前記組織に印加されるアブレーションエネルギーの事前設定された量に達するまで、アブレーションの持続時間を延ばすこと、を含む、実施態様１に記載の方法。
（１） 体内組織のアブレーションを行う方法であって、
患者の体内の組織内に特定の損傷部を形成するのに必要な目標量のアブレーションエネルギーを定めることと、
アブレーションプローブ及び前記組織を接触させることと、
前記アブレーションプローブを使用して、前記組織にアブレーション信号を印加することであって、前記アブレーション信号は、定められた最大電力制約内で許容される最短持続時間中に前記目標量のアブレーションエネルギーを送達する、ことと、を含む、方法。
（２） 前記アブレーション信号の印加中に、
前記組織の近傍に灌注流体を付与することと、
前記組織の近傍の温度をモニタリングすることと、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記灌注流体の流れを増加させることと、を含む、実施態様１に記載の方法。
（３） 前記モニタリングされた温度が、前記定められた最高温度限界を超えるものの、前記灌注流体の前記流れが、定められた最大流量限界を超える場合、前記アブレーション信号の電力を低減し、前記アブレーション信号の前記持続時間を延ばすこと、を含む、実施態様２に記載の方法。
（４） 前記温度をモニタリングすることが、前記アブレーション信号を前記組織に送達する電極の温度を測定すること、を含む、実施態様２に記載の方法。
（５） 前記組織に印加されるアブレーションエネルギーの事前設定された量に達するまで、アブレーションの持続時間を延ばすこと、を含む、実施態様１に記載の方法。
（６） 前記アブレーション信号の印加中に、
前記組織の近傍に灌注流体を付与することと、
前記組織の近傍の温度をモニタリングすることと、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記アブレーション信号の電力を低減して、前記温度を前記最高温度限界に、所与の許容値までで維持することと、を含む、実施態様１に記載の方法。
（７） 前記アブレーション信号の印加中に、前記アブレーション信号の前記電力が低下している場合、灌注の流れを増加させ、前記最高温度限界を下回るように前記温度を低下させ、次いで、前記アブレーション信号の前記電力を最大電力目標まで上昇させること、を含む、実施態様６に記載の方法。
（８） 前記アブレーション信号の印加中に、許容される前記持続時間内に前記目標量のアブレーションエネルギーが満たされない場合、前記アブレーション信号を停止すること、を含む、実施態様１に記載の方法。
（９） 体内組織のアブレーションを行うためのシステムであって、
患者の体内の組織内に特定の損傷部を形成するのに必要な目標量のアブレーションエネルギーの値を記憶するように構成されているメモリと、
組織と接触するように構成されているアブレーションプローブと、
アブレーション信号を生成するように構成されている発生器と、
前記発生器及び前記アブレーションプローブを制御して、定められた最大電力制約内で許容される最短持続時間中に、前記目標量のアブレーションエネルギーで前記組織に前記アブレーション信号を印加するように構成されているプロセッサと、を備える、システム。
（１０） 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、前記プローブを制御して、
前記組織の近傍に灌注流体を付与し、
前記組織の近傍の温度をモニタリングし、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記灌注流体の流れを増加させるように、更に構成されている、実施態様９に記載のシステム。
前記組織の近傍に灌注流体を付与することと、
前記組織の近傍の温度をモニタリングすることと、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記アブレーション信号の電力を低減して、前記温度を前記最高温度限界に、所与の許容値までで維持することと、を含む、実施態様１に記載の方法。
（７） 前記アブレーション信号の印加中に、前記アブレーション信号の前記電力が低下している場合、灌注の流れを増加させ、前記最高温度限界を下回るように前記温度を低下させ、次いで、前記アブレーション信号の前記電力を最大電力目標まで上昇させること、を含む、実施態様６に記載の方法。
（８） 前記アブレーション信号の印加中に、許容される前記持続時間内に前記目標量のアブレーションエネルギーが満たされない場合、前記アブレーション信号を停止すること、を含む、実施態様１に記載の方法。
（９） 体内組織のアブレーションを行うためのシステムであって、
患者の体内の組織内に特定の損傷部を形成するのに必要な目標量のアブレーションエネルギーの値を記憶するように構成されているメモリと、
組織と接触するように構成されているアブレーションプローブと、
アブレーション信号を生成するように構成されている発生器と、
前記発生器及び前記アブレーションプローブを制御して、定められた最大電力制約内で許容される最短持続時間中に、前記目標量のアブレーションエネルギーで前記組織に前記アブレーション信号を印加するように構成されているプロセッサと、を備える、システム。
（１０） 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、前記プローブを制御して、
前記組織の近傍に灌注流体を付与し、
前記組織の近傍の温度をモニタリングし、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記灌注流体の流れを増加させるように、更に構成されている、実施態様９に記載のシステム。
（１１） 前記モニタリングされた温度が、前記定められた最高温度限界を超えるものの、前記灌注流体の前記流れが、定められた最大流量限界を超える場合、前記プロセッサは、前記発生器を制御して、前記アブレーション信号の電力を低減し、前記アブレーション信号の前記持続時間を延ばすように更に構成されている、実施態様１０に記載のシステム。
（１２） 前記モニタリングされた温度が、前記アブレーション信号を前記組織に送達する電極の温度である、実施態様９に記載のシステム。
（１３） 前記プロセッサが、前記発生器を制御して、前記組織に印加されるアブレーションエネルギーの事前設定された量に達するまで、アブレーションの持続時間を延ばすように更に構成されている、実施態様９に記載のシステム。
（１４） 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、
前記組織の近傍に灌注流体を付与し、
前記組織の近傍の温度をモニタリングし、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記アブレーション信号の電力を低減して、前記温度を前記最高温度限界に、所与の許容値までで維持するように、更に構成されている、実施態様９に記載のシステム。
（１５） 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、前記アブレーション信号の前記電力が低下している場合、灌注の流れを増加させて、前記最高温度限界を下回るように前記温度を低下させ、次いで前記アブレーション信号の前記電力を最大電力目標まで上昇させるように、更に構成されている、実施態様１４に記載のシステム。
（１２） 前記モニタリングされた温度が、前記アブレーション信号を前記組織に送達する電極の温度である、実施態様９に記載のシステム。
（１３） 前記プロセッサが、前記発生器を制御して、前記組織に印加されるアブレーションエネルギーの事前設定された量に達するまで、アブレーションの持続時間を延ばすように更に構成されている、実施態様９に記載のシステム。
（１４） 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、
前記組織の近傍に灌注流体を付与し、
前記組織の近傍の温度をモニタリングし、
前記モニタリングされた温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記アブレーション信号の電力を低減して、前記温度を前記最高温度限界に、所与の許容値までで維持するように、更に構成されている、実施態様９に記載のシステム。
（１５） 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、前記アブレーション信号の前記電力が低下している場合、灌注の流れを増加させて、前記最高温度限界を下回るように前記温度を低下させ、次いで前記アブレーション信号の前記電力を最大電力目標まで上昇させるように、更に構成されている、実施態様１４に記載のシステム。
（１６） 前記プロセッサは、許容される前記持続時間内に前記目標量のアブレーションエネルギーが満たされない場合、前記アブレーション信号を停止するように更に構成されている、実施態様９に記載のシステム。
Claims (6)
- 体内組織のアブレーションを行うためのシステムであって、
患者の体内の組織内に特定の損傷部を形成するのに必要な目標量のアブレーションエネルギーの値を記憶するように構成されているメモリと、
組織と接触するように構成されているアブレーションプローブと、
アブレーション信号を生成するように構成されている発生器と、
前記発生器及び前記アブレーションプローブを制御して、定められた最大電力制約内で許容される最短の持続時間中に、前記目標量のアブレーションエネルギーで前記組織に前記アブレーション信号を印加するように構成されているプロセッサと、を備え、
前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、前記アブレーションプローブを制御して、
前記組織の近傍に灌注流体を付与し、
前記組織の近傍の温度をモニタリングし、
モニタリングされた前記温度が、定められた最高温度限界を超える場合、前記灌注流体の流れを増加させるように、更に構成され、
モニタリングされた前記温度が、前記定められた最高温度限界を超えるものの、前記灌注流体の前記流れが、定められた最大流量限界を超える場合、前記プロセッサは、前記発生器を制御して、前記アブレーション信号の電力を低減し、前記アブレーション信号の前記持続時間を延ばすように更に構成されている、システム。 - モニタリングされた前記温度が、前記アブレーション信号を前記組織に送達する電極の温度である、請求項１に記載のシステム。
- 前記プロセッサが、前記発生器を制御して、前記組織に印加されるアブレーションエネルギーの事前設定された量に達するまで、前記アブレーションの持続時間を延ばすように更に構成されている、請求項１に記載のシステム。
- 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、
モニタリングされた前記温度が、前記定められた最高温度限界を超える場合、前記アブレーション信号の電力を低減して、前記温度を前記最高温度限界に、所与の許容値までで維持するように、更に構成されている、請求項１に記載のシステム。 - 前記プロセッサは、前記アブレーション信号の印加中に、前記アブレーション信号の前記電力が低下している場合、灌注の流れを増加させて、前記最高温度限界を下回るように前記温度を低下させ、次いで前記アブレーション信号の前記電力を最大電力目標まで上昇させるように、更に構成されている、請求項４に記載のシステム。
- 前記プロセッサは、許容される前記持続時間内に前記目標量のアブレーションエネルギーが満たされない場合、前記アブレーション信号を停止するように更に構成されている、請求項１に記載のシステム。
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