JP7454291B2 - 組織成分の非侵襲検出方法、装置、システム及びウェアラブルデバイス - Google Patents
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Description
被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の各ソースプローブ距離での第1の光強度値を取得し、ここで、前記ソースプローブ距離の数が少なくとも二つであり、前記所定の波長の数が少なくとも一つであることと、
検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値に基づいて、前記所定の波長に対応する各前記第1の光強度値から、第1の光強度測定値及び/又は第1の光強度参照値を決定し、前記第1の光強度測定値に対応するソースプローブ距離を測定距離とし、前記第1の光強度参照値に対応するソースプローブ距離を参照距離とし、ここで、前記第1の光強度測定値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最大である第1の光強度値であり、前記第1の光強度参照値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最小である第1の光強度値であり、前記検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量が前記第1の光強度値と対応する所定の光強度設定値との間の変化量であることと、を含む。
被検体の被検出部位に対して、各所定の波長での組織光学パラメータと検出すべき組織成分の濃度変化による組織光学パラメータ変化を取得し、ここで、前記所定の波長の数が少なくとも一つであることと、
各所定の波長での組織光学パラメータと検出すべき組織成分の濃度変化による組織光学パラメータとの変化関係に基づいて、各測定距離及び/又は各参照距離を決定することと、を含む。
被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の測定距離での第2の光強度測定値、及び/又は参照距離での第2の光強度参照値を取得し、ここで、各前記測定距離と各前記参照距離は、上記した組織成分の非侵襲検出における距離決定方法に基づいて決定され、前記所定の波長の数が少なくとも一つであることと、
各所定の波長での前記第2の光強度測定値及び/又は第2の光強度参照値に基づいて、検出すべき組織成分の濃度を決定することと、含む。
被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の各ソースプローブ距離での第1の光強度値を取得し、ここで、前記ソースプローブ距離の数が少なくとも二つであり、前記所定の波長の数が少なくとも一つであるように構成される第1の取得モジュールと、
検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値に基づいて、前記所定の波長に対応する各前記第1の光強度値から、第1の光強度測定値及び/又は第1の光強度参照値を決定し、前記第1の光強度測定値に対応するソースプローブ距離を測定距離とし、前記第1の光強度参照値に対応するソースプローブ距離を参照距離とし、ここで、前記第1の光強度測定値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最大である第1の光強度値であり、前記第1の光強度参照値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最小である第1の光強度値であり、前記検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量が前記第1の光強度値と対応する所定の光強度設定値との間の変化量であるように構成される第1の決定モジュールと、を含む。
被検体の被検出部位に対して、各所定の波長での組織光学パラメータと検出すべき組織成分の濃度変化による組織光学パラメータとの変化関係を取得し、ここで、前記所定の波長の数が少なくとも一つであるように構成される第2の取得モジュールと、
各前記所定の波長での組織光学パラメータと検出すべき組織成分の濃度変化による組織光学パラメータとの変化関係に基づいて、各測定距離及び/又は各参照距離を決定するように構成される第2の決定モジュールと、を含む。
被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の測定距離での第2の光強度測定値、及び/又は参照距離での第2の光強度参照値を取得し、ここで、各前記測定距離と各前記参照距離は、上記した組織成分の非侵襲検出における距離決定装置に基づいて決定され、前記所定の波長の数が少なくとも一つであるように構成される光強度センサと、
各前記所定の波長での第2の光強度測定値及び/又は前記第2の光強度参照値に基づいて、検出すべき組織成分の濃度を決定するように構成されるプロセッサと、を含む。
前記ウェアラブルデバイスは、被検出部位に着用される。
前記ウェアラブルデバイスは、被検出部位に着用され、
前記光強度センサは、被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の測定距離での第2の光強度測定値、及び/又は参照距離での第2の光強度参照値を取得し、ここで、各前記測定距離と各参照距離は、請求項18~30のいずれかに記載の装置又は請求項31に記載の装置に基づいて決定され、前記所定の波長の数が少なくとも一つであるように構成され、
前記プロセッサは、各前記所定の波長での前記第1の光強度測定値及び/又は前記第1の光強度参照値を処理し、処理された各前記所定の波長での前記第1の光強度測定値及び/又は前記第1の光強度参照値を取得し、処理された各前記所定の波長での前記第1の光強度測定値及び/又は前記第1の光強度参照値を前記端末に発信するように構成され、
前記端末は、処理された各前記所定の波長での各前記第1の光強度測定値及び/又は前記第1の光強度参照値に基づいて、検出すべき組織成分の濃度を決定するように構成される。
各所定の波長での光強度差分値に基づいて、検出すべき組織成分の濃度を決定する、ように構成される。
Claims (17)
- 被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の測定距離での第2の光強度測定値、及び/又は参照距離での第2の光強度参照値を取得し、ここで、前記測定距離は、第1の光強度測定値に対応するソースプローブ距離であり、前記参照距離は、第1の光強度参照値に対応するソースプローブ距離であり、前記所定の波長の数が少なくとも一つであることと、
各所定の波長での前記第2の光強度測定値及び/又は第2の光強度参照値に基づいて、検出すべき組織成分の濃度を決定することと、含み、
前記被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の測定距離での第2の光強度測定値、及び/又は、参照距離での第2の光強度参照値を取得することは、
被検体の被検出部位に対して、前記被検出部位の表面に、光源入口を介して各所定の波長に対応する入射ビームを前記被検出部位に放出することと、
各前記所定の波長に対応する測定感光面に基づいて、各前記入射ビームが前記被検出部位を通過した後に前記被検出部位の表面から出射された第2の光強度測定値を取得し、ここで、前記入射ビームの中心からの各前記測定感光面のソースプローブ距離が、対応する測定距離であること、及び/又は
各前記所定の波長に対応する参照感光面に基づいて、各前記入射ビームが前記被検出部位を通過した後に前記被検出部位の表面から出射された第2の光強度参照値を取得し、ここで、前記入射ビームの中心からの各前記参照感光面の距離が、対応するする参照距離であることと、を含み、
各前記測定感光面と各前記参照感光面は、線型感光面アレイに属する、
組織成分の非侵襲検出方法。 - 前記光源入口が導光部アレイの第1端に接触し、前記線型感光面アレイが前記導光部アレイの第1端に設置され、前記導光部アレイの第2端が前記被検出部位の表面に接触する又は接触しなく、前記導光部アレイの第2端と前記導光部アレイの第1端とが対置端面であることにより、
前記光源入口及び前記線型感光面アレイと前記被検出部位の表面との非接触を実現する、
請求項1に記載の方法。 - 前記導光部アレイは、一つの放出導光部及び一つの受信導光部アレイを含み、前記受信導光部アレイは、少なくとも二つの受信導光部を含み、
隣接する二つの前記受信導光部の第1端の間の距離は、隣接する二つの前記受信導光部の第2端の間の距離以上であり、
各前記受信導光部の第1端の断面の面積は、各前記受信導光部の第2端の断面の面積以上である、
請求項2に記載の方法。 - 各所定の波長での前記第2の光強度測定値及び/又は前記第2の光強度参照値に基づいて、検出すべき組織成分の濃度を決定することは、
各前記所定の波長に対して、前記所定の波長での前記第2の光強度測定値と前記第2の光強度参照値とを差分演算し、光強度差分値を取得することと、
各前記所定の波長での前記光強度差分値に基づいて、前記検出すべき組織成分の濃度を決定することと、を含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記第1の光強度測定値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最大である第1の光強度値であり、前記第1の光強度参照値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最小である第1の光強度値であり、前記検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量が前記第1の光強度値と対応する所定の光強度設定値との間の変化量である、
請求項1に記載の方法。 - 被検体の被検出部位に対して、各所定の波長の測定距離での第2の光強度測定値、及び/又は参照距離での第2の光強度参照値を取得し、ここで、前記測定距離は、第1の光強度測定値に対応するソースプローブ距離であり、前記参照距離は、第1の光強度参照値に対応するソースプローブ距離であり、前記所定の波長の数が少なくとも一つであるように構成される光強度センサと、
各前記所定の波長での第2の光強度測定値及び/又は前記第2の光強度参照値に基づいて、検出すべき組織成分の濃度を決定するように構成されるプロセッサと、を含み、
前記光強度センサは、
前記被検体の被検出部位に対して、前記被検出部位の表面に、光源入口を介して各所定の波長に対応する入射ビームを前記被検出部位に放出するように構成されるビーム生成器と、
各前記所定の波長に対応する測定感光面に基づいて、各前記入射ビームが前記被検出部位を通過した後に前記被検出部位の表面から出射された第2の光強度測定値を取得し、ここで、前記入射ビームの中心からの各前記測定感光面のソースプローブ距離が、対応する測定距離であるように構成される第1の光強度信号センサと、
各前記所定の波長に対応する参照感光面に基づいて、各前記入射ビームが前記被検出部位を通過した後に前記被検出部位の表面から出射された第2の光強度参照値を取得し、ここで、前記入射ビームの中心からの各前記参照感光面の距離が、対応する参照距離である、ように構成される第2の光強度信号センサと、を含み、
各前記測定感光面と各前記参照感光面とは、線型感光面アレイに属する、
組織成分の非侵襲検出装置。 - 前記装置はさらに導光部アレイを含み、
前記光源入口は、前記導光部アレイの第1端に接触し、前記線型感光面アレイは、前記導光部アレイの第1端に設置され、前記導光部アレイの第2端は、前記被検出部位の表面に接触する又は接触しなく、前記導光部アレイの第2端と前記導光部アレイの第1端とは対置端面である、
請求項6に記載の装置。 - 前記導光部アレイは、一つの放出導光部及び一つの受信導光部アレイを含み、前記受信導光部アレイは、少なくとも二つの受信導光部を含み、
隣接する二つの前記受信導光部の第1端の間の距離は、隣接する二つの前記受信導光部の第2端の間の距離以上であり、
各前記受信導光部の第1端の断面の面積は、各前記受信導光部の第2端の断面の面積以上である、
請求項7に記載の装置。 - 前記導光部アレイは、第1の平板ケース及び第2の平板ケースを含み、前記第1の平板ケースに導光溝アレイが設置され、前記導光溝アレイは、一つの放出導光溝及び少なくとも二つの受信導光溝を含み、
前記第1の平板ケースと前記第2の平板ケースとが係合し、かつ、前記第1の平板ケースと前記第2の平板ケースとが係合した後、前記第1の平板ケースの第1端と前記第2の平板ケースの第1端が凹溝とを形成し、前記放出導光部は、前記放出導光溝と前記第2の平板ケースとで形成され、各前記受信導光部は、各前記受信導光溝と前記第2の平板ケースで形成され、
前記光源入口を前記放出導光溝の第1端に接触させ、前記線型感光面アレイを前記凹溝に嵌め込むことにより、各元感光面が対応する前記受信導光溝の第1端に設置される、
請求項8に記載の装置。 - 前記第1の平板ケースに、前記導光溝アレイの表面メッキ膜、かつ前記第2の平板ケースの内面メッキ膜が設置され、又は、前記第1の平板ケースの内面メッキ膜、かつ前記第2の平板ケースの内面メッキ膜が設置される、
請求項9に記載の装置。 - 前記放出導光部は、放出光導ロッドであり、各前記受信導光部は、光導ロッドであり、前記放出光導ロッドの第1端は、前記光源入口に接触し、各前記光導ロッドの第1端に対応する元感光面が設置される、
請求項8に記載の装置。 - 前記放出導光部は、放出中実光導シートであり、各前記受信導光部は、受信中実光導シートであり、前記放出中実光導シートと各前記受信中実光導シートの表面がメッキされ、前記放出中実光導シートの第1端は、前記光源入口に接触し、各前記受信中実光導シートの第1端に対応する元感光面が設置される、
請求項8に記載の装置。 - 前記プロセッサは、
各前記所定の波長に対して、前記所定の波長での前記第2の光強度測定値と前記第2の光強度参照値とを差分演算し、光強度差分値を取得し、
各前記所定の波長での前記光強度差分値に基づいて、前記検出すべき組織成分の濃度を決定する、ように構成される
請求項6に記載の装置。 - 前記光源入口及び前記線型感光面アレイは、前記被検出部位の表面に接触しなく、第1の遮光部及び/又は第2の遮光部をさらに含み、
前記第1の遮光部は、前記光源入口と前記被検出部位の表面との間の隙間領域に設置され、かつ、前記第1の遮光部は前記被検出部位の表面に接触し、前記光源入口は、前記第1の遮光部の内部に設置され、前記第1の遮光部は、前記光源入口と一体である、又は、前記光源入口と別体であり、
前記第2の遮光部は、前記線型感光面アレイと前記被検出部位の表面との間の隙間領域に設置され、かつ、前記第2の遮光部は、前記被検出部位の表面に接触し、前記線型感光面アレイは、前記第2の遮光部の内部に設置され、前記第2の遮光部は、前記線型感光面アレイと一体である、又は、前記線型感光面アレイと別体である、
請求項6に記載の装置。 - 前記導光部アレイの第2端は、前記被検出部位の表面に接触しなく、第3の遮光部及び/又は第4の遮光部をさらに含み、
前記第3の遮光部は、前記放出導光部と前記被検出部位の表面との間の隙間領域に設置され、前記第3の遮光部の第1端は、前記放出導光部の第2端に接触し、前記第3の遮光部の第2端は、前記被検出部位の表面に接触し、前記第3の遮光部の第2端と前記第3の遮光部の第1端とは対置端面であり、
前記第4の遮光部は、前記受信導光部アレイと前記被検出部位の表面との間の隙間領域に設置され、前記第4の遮光部の第1端は、前記受信導光部アレイの第2端に接触し、前記第4の遮光部の第2端は、前記被検出部位の表面に接触し、前記第4の遮光部の第2端と前記第4の遮光部の第1端とは対置端面である、
請求項8に記載の装置。 - 前記第1の光強度測定値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最大である第1の光強度値であり、前記第1の光強度参照値が、検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量の絶対値が最小である第1の光強度値であり、前記検出すべき組織成分の濃度変化による光強度変化量が前記第1の光強度値と対応する所定の光強度設定値との間の変化量である、
請求項6に記載の装置。 - 本体と請求項6~16のいずれか1項に記載の組織成分の非侵襲検出装置とを含み、
前記組織成分の非侵襲検出装置は、前記本体に設置され、
ウェアラブルデバイスは、被検出部位に着用される、
ウェアラブルデバイス。
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