JP7453328B2 - レーザ放射用の変換装置 - Google Patents
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Description
Γ=F3/F5=R3/R5
ここで、
F3は第1のアレイのシリンドリカルレンズの焦点距離であり、
F5は第2のアレイのシリンドリカルレンズの焦点距離であり、
R3は第1のアレイのシリンドリカルレンズの曲率半径であり、そして、
R5は第2のアレイのシリンドリカルレンズの曲率半径である。
γ=arctan(√(Γ))
本発明の更なる特徴及び利点は、添付の図を参照して好ましい例示的な実施形態の以下の説明に基づいて明らかになるであろう。
Γ=H/H’=h/h’=R3/R5=F3/F5[方程式1]
ここで、R3は、第1のアレイ2のシリンドリカルレンズ3の半径であり、R5は、第2のアレイ4のシリンドリカルレンズ5の半径である。シリンドリカルレンズ3、5の半径R3、R5は、異方性ビーム成形用の変換装置を使用してレーザ線を生成する場合、数ミリメートルになり得る。
γ=arctan(√(Γ))[方程式2]
1.共線性
2.平行度
3.凸集合
4.線に沿った長さの比率
5.重み付けされた点集合の重心
Fω(Γ)=R(Γ)T・S(Γ)・R(Γ)
FΘ(Γ)=R(Γ)T・S-1(Γ)・R(Γ)[方程式5]
ここで、
Claims (12)
- レーザ放射(7)用の変換装置(1)であって、
第1の方向(x)に並んで配置されたシリンドリカルレンズ(3)の第1のアレイ(2)と、
前記第1の方向(x)に並んで配置されたシリンドリカルレンズ(5)の第2のアレイ(4)を備え、
前記変換装置(1)の動作中に、変換される前記レーザ放射(7)が最初に前記第1のアレイ(2)を通過し、次に前記第2のアレイ(4)を通過し、ここでそれぞれの場合において前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)の1つは、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルレンズ(5)の1つに関連付けられて、テレスコープのアレイを生じるように規定されており、前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)のシリンダ軸(6)と前記第1の方向(x)との間の角度(γ)は、45°より大きく、90°未満であり、
前記第1のアレイ(2)が、モノリシックな基板の一方の面に形成されており、前記第2のアレイ(4)が、前記基板の他方の面に形成されており、
前記テレスコープの縮小係数(Γ)は、次を適用し得て、
Γ=F 3 /F 5 =R 3 /R 5
ここで、
F 3 は、前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)の焦点距離であり、
F 5 は、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルレンズ(5)の焦点距離であり、
R 3 は、前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)の曲率半径であり、そして、
R 5 は、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルレンズ(5)の曲率半径であり、
前記第1及び/又は第2のアレイ(2、4)の前記シリンドリカルレンズ(3、5)の前記シリンダ軸(6)と前記第1の方向(x)との間の角度は角度(γ)であり、次が適用される、
γ=arctan(√(Γ))ことを特徴とする、
変換装置(1)。 - 前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルレンズ(5)のシリンダ軸(6)が前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)のシリンダ軸(6)に平行であることを特徴とする、
請求項1に記載の変換装置(1)。 - 前記第1及び/又は第2のアレイ(2、4)の前記シリンドリカルレンズ(3、5)の前記シリンダ軸(6)と前記第1の方向(x)との間の角度(γ)は、46°より大きく、60°未満であることを特徴とする、
請求項1又は2に記載の変換装置(1)。 - 前記第1のアレイ(2)のすべてのシリンドリカルレンズ(3)が同じ焦点距離(F3)及び/又は同じ曲率半径(R3)を有すること、及び/又は、前記第2のアレイ(4)のすべてのシリンドリカルレンズ(5)が同じ焦点距離(F5)及び/又は同じ曲率半径(R5)を有することを特徴とする、
請求項1~3のいずれか一項に記載の変換装置(1)。 - 前記テレスコープの縮小係数(Γ)は、1.1~3の間であることを特徴とする、
請求項1~4のいずれか一項に記載の変換装置(1)。 - 前記第1及び/又は前記第2のアレイ(2、4)の前記シリンドリカルレンズ(3、5)は、屈折レンズ又は屈折率分布型レンズであることを特徴とする、
請求項1~5のいずれか一項に記載の変換装置(1)。 - レーザ放射用の変換装置であって、
第1の方向に並んで配置されたシリンドリカルミラーの第1のアレイと、
前記第1の方向に並んで配置されたシリンドリカルミラーの第2のアレイを備え、
前記変換装置の動作中に、変換される前記レーザ放射が最初に前記第1のアレイによって反射され、次に前記第2のアレイによって反射され、ここでそれぞれの場合において前記第1のアレイの前記シリンドリカルミラーの1つは、前記第2のアレイの前記シリンドリカルミラーの1つに関係付けられて、テレスコープのアレイを生じるように規定されており、前記第1のアレイの前記シリンドリカルミラーのシリンダ軸と前記第1の方向との間の角度(γ)は、45°より大きく、90°未満であり、
前記第1のアレイが、モノリシックな基板の一方の面に形成されており、前記第2のアレイが、前記基板の他方の面に形成されており、
前記テレスコープの縮小係数(Γ)は、次を適用し得て、
Γ=F 3 /F 5 =R 3 /R 5
ここで、
F 3 は、前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルミラーの焦点距離であり、
F 5 は、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルミラーの焦点距離であり、
R 3 は、前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルミラーの曲率半径であり、そして、
R 5 は、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルミラーの曲率半径であり、
前記第1及び/又は第2のアレイの前記シリンドリカルミラーのシリンダ軸と前記第1の方向との間の角度は角度(γ)であり、次が適用される、
γ=arctan(√(Γ))ことを特徴とする、
変換装置。 - レーザ装置であって、
前記レーザ装置の動作中にレーザ放射(7)を放出するレーザ光源(10)と、
前記レーザ光源(10)から放射される前記レーザ放射(7)用の変換装置(1)であって、第1の方向(x)に互いに隣り合って配置されたシリンドリカルレンズ(3)又はシリンドリカルミラーの第1のアレイ(2)と、前記第1の方向(x)に互いに隣り合って配置されたシリンドリカルレンズ(5)又はシリンドリカルミラーの第2のアレイ(4)を有し、それぞれの場合において前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)又はシリンドリカルミラーが、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルレンズ(5)又は前記シリンドリカルミラーの1つに割り当てられて、前記第1のアレイ(2)のシリンドリカルレンズ(3)を通過する、又は前記第1のアレイの前記シリンドリカルミラーによって反射される前記レーザ放射(7)の部分ビーム(7a、7b、7c、7d)が、前記第2のアレイ(4)の前記関連するシリンドリカルレンズ(5)を少なくとも実質的に通過する、又は前記第2のアレイの前記シリンドリカルミラーによって少なくとも実質的に反射され、ここで前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)又は前記シリンドリカルミラー上のこの部分ビーム(7a、7b、7c、7d)の断面は、前記第2のアレイ(4)の前記関連するシリンドリカルレンズ(5)又は前記シリンドリカルミラー上の前記部分ビーム(7a、7b、7c、7d)の断面よりも大きい、請求項1~7のいずれか一項に記載の変換装置(1)である、変換装置(1)と、を備え、
前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)又は前記シリンドリカルミラーの前記シリンダ軸(6)と前記第1の方向(x)との間の角度(γ)は、45°より大きく、90°未満であり、
前記第1のアレイ(2)が、モノリシックな基板の一方の面に形成されており、前記第2のアレイ(4)が、前記基板の他方の面に形成されており、
前記テレスコープの縮小係数(Γ)は、次を適用し得て、
Γ=F 3 /F 5 =R 3 /R 5
ここで、
F 3 は、前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)の前記焦点距離であり、
F 5 は、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルレンズ(5)の前記焦点距離であり、
R 3 は、前記第1のアレイ(2)の前記シリンドリカルレンズ(3)の前記曲率半径であり、そして、
R 5 は、前記第2のアレイ(4)の前記シリンドリカルレンズ(5)の前記曲率半径であり、
前記第1及び/又は第2のアレイ(2、4)の前記シリンドリカルレンズ(3、5)の前記シリンダ軸(6)と前記第1の方向(x)との間の角度は角度(γ)であり、次が適用される、
γ=arctan(√(Γ))ことを特徴とする、
レーザ装置。 - 前記レーザ光源(10)は、半導体レーザとして、互いに約200μmの距離に離隔された複数のエミッタを備えたレーザダイオードバーとして設計されることを特徴とする、
請求項8に記載のレーザ装置。 - 前記レーザ装置は、前記レーザ光源(10)と前記変換装置(1)との間に配置された少なくとも1つの速軸コリメートレンズ(11)を更に備え、前記速軸コリメートレンズ(11)は前記レーザ光源(10)によって発せられた前記レーザ放射(7)を前記第1の方向(x)に垂直な第2の方向(y)にコリメートすることを特徴とする、
請求項8又は9に記載のレーザ装置。 - 前記レーザ光源(10)は、前記レーザ放射(7)の伝播方向(z)に垂直な前記第1の方向(x)に関するビーム品質係数(Mx 2)が1より大きく、かつ前記伝播方向(z)に垂直である第2の方向(y)に関するビーム品質係数(My 2)が1より大きい、マルチモードレーザ放射を放出し得て、前記変換装置(1)の前記アレイ(2、4)は、前記変換装置(1)に衝突する前記レーザ放射(7)が変換されて、前記レーザ放射(7)の前記ビーム品質係数(Mx 2)が前記第1の方向(x)に対して増加され、前記レーザ放射(7)の前記ビーム品質係数(My 2)が前記第2の方向に対して減少されるように、前記レーザ装置内に設計され配置されていることを特徴とする、
請求項8又は9に記載のレーザ装置。 - 前記レーザ光源(10)は、Nd-YAGレーザ又はエキシマレーザ又は紫外線ダイオード励起固体(DPSS)レーザとして設計されることを特徴とする、
請求項8、10又は11のうちの一項に記載のレーザ装置。
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Publications (2)
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DE (1) | DE102020109422B4 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004096092A (ja) | 2002-07-10 | 2004-03-25 | Nippon Steel Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた固体レーザ装置 |
JP2009503596A (ja) | 2006-06-02 | 2009-01-29 | リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー | 光ビーム整形装置 |
US20170242158A1 (en) | 2014-06-16 | 2017-08-24 | Element Six Technologies Limited | Synthetic diamond optical elements |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5513201A (en) | 1993-04-30 | 1996-04-30 | Nippon Steel Corporation | Optical path rotating device used with linear array laser diode and laser apparatus applied therewith |
DE19920293A1 (de) | 1998-10-30 | 2000-05-04 | Lissotschenko Vitalij | Anordnung und Vorrichtung zur optischen Strahltransformation |
EP1006382B1 (de) * | 1998-10-30 | 2002-09-18 | Lissotschenko, Vitalij | Anordnung und Vorrichtung zur optischen Strahltransformation |
JP4040934B2 (ja) | 2002-08-30 | 2008-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 集光装置 |
US7230968B2 (en) * | 2003-07-10 | 2007-06-12 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor laser device and solid-state laser device using same |
DE50313072D1 (de) | 2003-10-30 | 2010-10-21 | Limo Patentverwaltung Gmbh | Anordnung und Vorrichtung zur optischen Strahlbündeltransformation |
TWI361123B (en) * | 2004-12-22 | 2012-04-01 | Zeiss Carl Laser Optics Gmbh | Optical illumination system for creating a line beam |
DE102013102599A1 (de) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Beleuchtungsvorrichtung |
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JP2004096092A (ja) | 2002-07-10 | 2004-03-25 | Nippon Steel Corp | 半導体レーザ装置およびそれを用いた固体レーザ装置 |
JP2009503596A (ja) | 2006-06-02 | 2009-01-29 | リモ パテントフェルヴァルトゥング ゲーエムベーハー ウント コー.カーゲー | 光ビーム整形装置 |
US20170242158A1 (en) | 2014-06-16 | 2017-08-24 | Element Six Technologies Limited | Synthetic diamond optical elements |
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