JP7452592B1 - display device - Google Patents

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Abstract

【課題】放熱性に優れた表示装置を提供する。【解決手段】ブラックマトリクス基板3は、第1主面及び第2主面を有している透明基板31と、第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクス32と、ブラックマトリクス32上に設けられ、第1貫通孔の位置に第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層34と、第2貫通孔の各々の側壁と樹脂層34の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層35とを含み、反射層35のうち樹脂層34の上面を被覆した部分は、算術平均高さSaが40乃至650nmの範囲内にあり、クルトシスSkuが3以上である。【選択図】図3The present invention provides a display device with excellent heat dissipation. A black matrix substrate 3 includes a transparent substrate 31 having a first main surface and a second main surface, and a black matrix substrate 31 provided on the first main surface and having a plurality of first through holes. A matrix 32, a resin layer 34 provided on the black matrix 32 and having second through holes at the positions of the first through holes, and a side wall of each of the second through holes and an upper surface of the resin layer 34. The portion of the reflective layer 35 that covers the upper surface of the resin layer 34 has an arithmetic mean height Sa within a range of 40 to 650 nm, and a kurtosis Sku of 3 or more. be. [Selection diagram] Figure 3

Description

本発明は、表示装置に関する。 The present invention relates to a display device.

表示装置では、画素又はサブ画素を互いから区画する隔壁を設けることがある(特許文献1及び2を参照)。隔壁は、例えば、光を効率的に利用すること、又は、混色を防止することを可能とする。 In display devices, partition walls are sometimes provided to separate pixels or sub-pixels from each other (see Patent Documents 1 and 2). The partition wall makes it possible, for example, to utilize light efficiently or to prevent color mixing.

特開2018-189920号公報JP2018-189920A 特開2015-064391号公報Japanese Patent Application Publication No. 2015-064391

本発明は、放熱性に優れた表示装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a display device with excellent heat dissipation.

本発明の一側面によると、第1主面及び第2主面を有している透明基板と、前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層とを含み、前記反射層のうち前記上面を被覆した部分は、算術平均高さSが40乃至650nmの範囲内にあり、クルトシスSkuが3以上であるブラックマトリクス基板が提供される。 According to one aspect of the present invention, a transparent substrate having a first main surface and a second main surface; a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes; , a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at the positions of the plurality of first through holes, and a side wall of each of the plurality of second through holes and the resin layer. a reflective layer that at least partially covers an upper surface, and the portion of the reflective layer that covers the upper surface has an arithmetic average height S a in a range of 40 to 650 nm, and a kurtosis S ku of 3. The above black matrix substrate is provided.

ここで、「算術平均高さS」は、JIS B0681-2:2018において定義されている表面性状パラメータである。また、「クルトシスSku」は、JIS B0681-2:2018において定義されている表面性状パラメータである。なお、JIS B0681-2:2018は、ISO25178-2に対応している。 Here, the "arithmetic mean height S a " is a surface texture parameter defined in JIS B0681-2:2018. Further, "Kurtosis S ku " is a surface texture parameter defined in JIS B0681-2:2018. Note that JIS B0681-2:2018 corresponds to ISO25178-2.

本発明の他の側面によると、前記反射層のうち前記側壁を被覆した部分は、算術平均高さSが40乃至650nmの範囲内にあり、クルトシスSkuが3以上である上記側面に係るブラックマトリクス基板が提供される。 According to another aspect of the present invention, the portion of the reflective layer that covers the side wall has an arithmetic mean height S a in a range of 40 to 650 nm, and a kurtosis S ku of 3 or more. A black matrix substrate is provided.

本発明の更に他の側面によると、前記反射層は、前記ブラックマトリクスを部分的に更に被覆した上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a black matrix substrate according to any of the above aspects, in which the reflective layer further partially covers the black matrix.

本発明の更に他の側面によると、前記複数の第2貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に含んだ上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a black matrix substrate according to any one of the above aspects, further including a plurality of wavelength conversion layers respectively provided in at least some of the plurality of second through holes. Ru.

本発明の更に他の側面によると、前記複数の第1貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に含んだ上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。 According to still another aspect of the present invention, the black matrix according to any one of the above aspects further includes a color filter including a plurality of colored layers, each of which is disposed at a position of at least a part of the plurality of first through holes. A substrate is provided.

本発明の更に他の側面によると、前記反射層は、金属又は合金からなる層を含んだ上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a black matrix substrate according to any of the above aspects, in which the reflective layer includes a layer made of metal or an alloy.

本発明の更に他の側面によると、上記側面の何れかに係るブラックマトリクス基板と、前記第1主面と向き合うように設置された調光装置と、前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置との間に介在して、それらを貼り合わせた接着層とを備えた表示装置が提供される。 According to still another aspect of the present invention, a black matrix substrate according to any of the above aspects, a light control device installed to face the first main surface, and a combination of the black matrix substrate and the light control device. A display device is provided that includes an adhesive layer interposed therebetween and bonded together.

本発明の更に他の側面によると、
前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置と前記接着層との積層体の外部に位置した放熱体と、前記反射層から前記放熱体へ熱を導く伝熱体とを更に備えた上記側面に係る表示装置が提供される。
According to yet another aspect of the invention,
The display according to the above-mentioned side surface further comprising a heat radiator located outside the laminate of the black matrix substrate, the light control device, and the adhesive layer, and a heat conductor that guides heat from the reflective layer to the heat radiator. Equipment is provided.

本発明の更に他の側面によると、前記放熱体は、前記調光装置及び前記接着層を間に挟んで前記ブラックマトリクス基板と向き合うように設けられた裏面放熱体を含んだ上記側面に係る表示装置が提供される。 According to still another aspect of the present invention, the display according to the above-mentioned side surface includes a back heat radiator provided to face the black matrix substrate with the light control device and the adhesive layer interposed therebetween. Equipment is provided.

本発明の更に他の側面によると、前記裏面放熱体は、前記調光装置上に設けられた裏面放熱層である上記側面に係る表示装置が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a display device according to the above aspect, in which the back heat radiator is a back heat radiator layer provided on the light control device.

本発明の更に他の側面によると、前記調光装置には1以上の貫通孔が設けられ、前記伝熱体は、少なくとも部分的に前記1以上の貫通孔内に位置した上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to yet another aspect of the invention, the light control device is provided with one or more through holes, and the heat transfer body is located at least partially within the one or more through holes. A display device according to the present invention is provided.

本発明の更に他の側面によると、前記調光装置は複数の発光素子を含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, in which the light control device includes a plurality of light emitting elements.

本発明の更に他の側面によると、前記調光装置は複数の発光ダイオードを含んだ上記側面の何れかに係る表示装置が提供される。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a display device according to any of the above aspects, wherein the light control device includes a plurality of light emitting diodes.

本発明によれば、放熱性に優れた表示装置が提供される。 According to the present invention, a display device with excellent heat dissipation properties is provided.

図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a part of a display device according to a first embodiment of the present invention. 図2は、図1に示す表示装置の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in FIG. 1. 図3は、図1に示す表示装置のIII-III線に沿った断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line III-III. 図4は、図1に示す表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line IV-IV. 図5は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の一部を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing a part of a display device according to a second embodiment of the present invention.

以下に、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施形態は、上記側面の何れかをより具体化したものである。以下に記載する事項は、単独で又は複数を組み合わせて、上記側面の各々に組み入れることができる。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The embodiments described below are more specific implementations of any of the above aspects. The matters described below can be incorporated into each of the above aspects alone or in combination.

また、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、下記の構成部材の材質、形状、及び構造等によって限定されるものではない。本発明の技術的思想には、請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。 In addition, the embodiments shown below illustrate configurations for embodying the technical idea of the present invention, and the technical idea of the present invention includes the materials, shapes, structures, etc. of the following constituent members. It is not limited by. Various changes can be made to the technical idea of the present invention within the technical scope defined by the claims.

なお、同様又は類似した機能を有する要素については、以下で参照する図面において同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面は模式的なものであり、或る方向の寸法と別の方向の寸法との関係、及び、或る部材の寸法と他の部材の寸法との関係等は、現実のものとは異なり得る。 Note that elements having the same or similar functions will be designated by the same reference numerals in the drawings referred to below, and overlapping explanations will be omitted. In addition, the drawings are schematic, and the relationship between dimensions in one direction and dimensions in another direction, and the relationship between the dimensions of a certain member and the dimensions of other members, etc. may differ from the actual one. It can be different.

<1>第1実施形態
図1は、本発明の第1実施形態に係る表示装置の一部を示す平面図である。図2は、図1に示す表示装置の等価回路図である。図3は、図1に示す表示装置のIII-III線に沿った断面図である。図4は、図1に示す表示装置のIV-IV線に沿った断面図である。なお、図1において、破線で囲まれた領域は、後述するように、ブラックマトリクス32が有している第1貫通孔の透明基板31側の開口を表している。
<1> First Embodiment FIG. 1 is a plan view showing a part of a display device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the display device shown in FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line III-III. FIG. 4 is a cross-sectional view of the display device shown in FIG. 1 taken along line IV-IV. In addition, in FIG. 1, the area surrounded by the broken line represents the opening on the transparent substrate 31 side of the first through hole that the black matrix 32 has, as will be described later.

図1乃至図4に示す表示装置1Aは、アクティブマトリクス駆動方式によるカラー表示が可能であり、各サブ画素が発光ダイオード(LED)を含んだマイクロLEDディスプレイである。 The display device 1A shown in FIGS. 1 to 4 is a micro LED display capable of color display using an active matrix driving method, and each sub-pixel includes a light emitting diode (LED).

なお、各図において、X方向及びY方向は、表示装置1Aの表示面に対して平行であり且つ互いに交差する方向である。一例によれば、X方向及びY方向は、互いに対して垂直である。また、Z方向は、X方向及びY方向に対して垂直な方向である。即ち、Z方向は、表示装置1Aの厚さ方向である。 Note that in each figure, the X direction and the Y direction are directions that are parallel to the display surface of the display device 1A and intersect with each other. According to one example, the X direction and the Y direction are perpendicular to each other. Further, the Z direction is a direction perpendicular to the X direction and the Y direction. That is, the Z direction is the thickness direction of the display device 1A.

表示装置1Aは、図2に示すように、映像信号線VSLと、電源線PSLと、走査信号線SSLと、画素PXと、映像信号線ドライバVDRと、走査信号線ドライバSDRとを含んでいる。 As shown in FIG. 2, the display device 1A includes a video signal line VSL, a power supply line PSL, a scanning signal line SSL, a pixel PX, a video signal line driver VDR, and a scanning signal line driver SDR. .

映像信号線VSL及び電源線PSLは、Y方向へ各々が伸びており、X方向へ交互に配列している。走査信号線SSLは、X方向へ各々が伸びており、Y方向へ配列している。 The video signal line VSL and the power supply line PSL each extend in the Y direction and are arranged alternately in the X direction. The scanning signal lines SSL each extend in the X direction and are arranged in the Y direction.

画素PXは、X方向及びY方向へ配列している。各画素PXは、第1サブ画素PXRと、第2サブ画素PXGと、第3サブ画素PXBとを含んでいる。第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、映像信号線VSLと走査信号線SSLとの交差部に対応して配列している。 Pixels PX are arranged in the X direction and the Y direction. Each pixel PX includes a first sub-pixel PXR, a second sub-pixel PXG, and a third sub-pixel PXB. The first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB are arranged corresponding to the intersection of the video signal line VSL and the scanning signal line SSL.

第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、異なる色の光を射出する。ここでは、一例として、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、それぞれ、赤色光、緑色光及び青色光を射出することとする。 The first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB emit light of different colors. Here, as an example, it is assumed that the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB emit red light, green light, and blue light, respectively.

各画素PXにおいて、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、X方向へこの順に配列している。各画素PXにおける、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBの配列順序は変更可能である。 In each pixel PX, a first sub-pixel PXR, a second sub-pixel PXG, and a third sub-pixel PXB are arranged in this order in the X direction. The arrangement order of the first sub-pixel PXR, second sub-pixel PXG, and third sub-pixel PXB in each pixel PX can be changed.

また、ここでは、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、ストライプ配列を形成している。第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBは、デルタ配列及びモザイク配列などの他の配列を形成していてもよい。 Further, here, the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB form a stripe arrangement. The first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB may form other arrangements such as a delta arrangement and a mosaic arrangement.

第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBの各々は、発光素子Dと、駆動制御素子DRと、スイッチSWと、キャパシタCとを含んでいる。 Each of the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB includes a light emitting element D, a drive control element DR, a switch SW, and a capacitor C.

発光素子Dは、発光ダイオードである。発光ダイオードは、例えば、無機物からなる発光ダイオードである。無機物からなる発光ダイオードは、例えば、これらと同様の層構造を有している積層体を、複数の部分へと個片化することにより得られる。発光素子Dは、有機物からなる発光ダイオードであるエレクトロルミネッセンス素子であってもよい。発光素子Dの陰極は、接地電極へ接続されている。ここでは、一例として、発光素子Dは、無機物からなり、青色光を射出する青色発光ダイオードであるとする。 Light emitting element D is a light emitting diode. The light emitting diode is, for example, a light emitting diode made of an inorganic material. A light emitting diode made of an inorganic substance can be obtained, for example, by dividing a laminate having a layer structure similar to these into a plurality of parts. The light emitting element D may be an electroluminescent element which is a light emitting diode made of an organic material. The cathode of the light emitting element D is connected to a ground electrode. Here, as an example, it is assumed that the light emitting element D is a blue light emitting diode that is made of an inorganic substance and emits blue light.

駆動制御素子DR及びスイッチSWは、電界効果トランジスタである。ここでは、駆動制御素子DRはpチャネル薄膜トランジスタであり、スイッチSWはnチャネル薄膜トランジスタである。駆動制御素子DRは、ゲートがスイッチSWのドレインへ接続され、ソースが電源線PSLへ接続され、ドレインが発光素子Dの陽極へ接続されている。スイッチSWは、ゲートが走査信号線SSLへ接続され、ソースが映像信号線VSLへ接続されている。 The drive control element DR and switch SW are field effect transistors. Here, the drive control element DR is a p-channel thin film transistor, and the switch SW is an n-channel thin film transistor. The drive control element DR has a gate connected to the drain of the switch SW, a source connected to the power supply line PSL, and a drain connected to the anode of the light emitting element D. The switch SW has a gate connected to the scanning signal line SSL, and a source connected to the video signal line VSL.

キャパシタCは、例えば、薄膜キャパシタである。キャパシタCは、一方の電極が駆動制御素子DRのゲートへ接続されており、他方の電極が電源線PSLへ接続されている。 Capacitor C is, for example, a thin film capacitor. The capacitor C has one electrode connected to the gate of the drive control element DR, and the other electrode connected to the power supply line PSL.

第1サブ画素PXRは、図3及び図4に示す第1波長変換層36R及び第1着色層33Rを更に含んでいる。 The first sub-pixel PXR further includes a first wavelength conversion layer 36R and a first colored layer 33R shown in FIGS. 3 and 4.

第1波長変換層36Rは、第1サブ画素PXRの発光素子Dと向き合うように設置されている。第1波長変換層36Rは、第1サブ画素PXRの発光素子Dが射出した光を特定の色の第1光へと変換する。第1波長変換層36Rは、例えば、第1サブ画素PXRの発光素子Dが射出した青色光を赤色光へと変換する。 The first wavelength conversion layer 36R is installed to face the light emitting element D of the first sub-pixel PXR. The first wavelength conversion layer 36R converts the light emitted by the light emitting element D of the first sub-pixel PXR into first light of a specific color. The first wavelength conversion layer 36R converts, for example, blue light emitted by the light emitting element D of the first sub-pixel PXR into red light.

第1着色層33Rは、第1波長変換層36Rを間に挟んで第1サブ画素PXRの発光素子Dと向き合うように設置されている。第1着色層33Rは、第1波長変換層36Rによる波長変換後の光を透過させるとともに、第1波長変換層36Rによって波長変換されなかった光を吸収する。第1着色層33Rは、例えば、第1波長変換層36Rによる波長変換後の赤色光を透過させるとともに、第1波長変換層36Rによって波長変換されなかった青色光等を吸収する赤色着色層である。 The first colored layer 33R is installed to face the light emitting element D of the first sub-pixel PXR with the first wavelength conversion layer 36R interposed therebetween. The first colored layer 33R transmits the light whose wavelength has been converted by the first wavelength conversion layer 36R, and absorbs the light whose wavelength has not been converted by the first wavelength conversion layer 36R. The first colored layer 33R is, for example, a red colored layer that transmits red light after wavelength conversion by the first wavelength conversion layer 36R and absorbs blue light etc. whose wavelength has not been converted by the first wavelength conversion layer 36R. .

第2サブ画素PXGは、図3に示す第2波長変換層36G及び第2着色層33Gを更に含んでいる。 The second sub-pixel PXG further includes a second wavelength conversion layer 36G and a second colored layer 33G shown in FIG.

第2波長変換層36Gは、第2サブ画素PXGの発光素子Dと向き合うように設置されている。第2波長変換層36Gは、第2サブ画素PXGの発光素子Dが射出した光を、第1光とは色が異なる第2光へと変換する。第2波長変換層36Gは、例えば、第2サブ画素PXGの発光素子Dが射出した青色光を緑色光へと変換する。 The second wavelength conversion layer 36G is installed to face the light emitting element D of the second sub-pixel PXG. The second wavelength conversion layer 36G converts the light emitted by the light emitting element D of the second sub-pixel PXG into second light having a different color from the first light. The second wavelength conversion layer 36G converts, for example, blue light emitted by the light emitting element D of the second sub-pixel PXG into green light.

第2着色層33Gは、第2波長変換層36Gを間に挟んで第2サブ画素PXGの発光素子Dと向き合うように設置されている。第2着色層33Gは、第2波長変換層36Gによる波長変換後の光を透過させるとともに、第2波長変換層36Gによって波長変換されなかった光を吸収する。第2着色層33Gは、例えば、第2波長変換層36Gによる波長変換後の緑色光を透過させるとともに、第2波長変換層36Gによって波長変換されなかった青色光等を吸収する緑色着色層である。 The second colored layer 33G is placed so as to face the light emitting element D of the second sub-pixel PXG with the second wavelength conversion layer 36G interposed therebetween. The second colored layer 33G transmits the light whose wavelength has been converted by the second wavelength conversion layer 36G, and absorbs the light whose wavelength has not been converted by the second wavelength conversion layer 36G. The second colored layer 33G is, for example, a green colored layer that transmits green light after wavelength conversion by the second wavelength conversion layer 36G and absorbs blue light, etc. whose wavelength has not been converted by the second wavelength conversion layer 36G. .

第3サブ画素PXBは、図3に示す下地層33B及び充填層36Bを更に含んでいる。 The third sub-pixel PXB further includes a base layer 33B and a filling layer 36B shown in FIG.

充填層36Bは、第3サブ画素PXBの発光素子Dと向き合うように設置されている。充填層36Bは、例えば、無色透明な層である。充填層36Bは省略することができる。 The filling layer 36B is installed to face the light emitting element D of the third sub-pixel PXB. The filling layer 36B is, for example, a colorless and transparent layer. The filling layer 36B can be omitted.

下地層33Bは、充填層36Bを間に挟んで第3サブ画素PXBの発光素子Dと向き合うように設置されている。下地層33Bは、第3サブ画素PXBの発光素子Dが射出した光を第3光として透過させる。下地層33Bは、例えば、第3サブ画素PXBの発光素子Dが射出した青色光を透過させる無色の光透過層又は青色着色層である。 The base layer 33B is placed so as to face the light emitting element D of the third sub-pixel PXB with the filling layer 36B in between. The base layer 33B transmits the light emitted by the light emitting element D of the third sub-pixel PXB as third light. The base layer 33B is, for example, a colorless light transmitting layer or a blue colored layer that transmits blue light emitted from the light emitting element D of the third subpixel PXB.

映像信号線ドライバVDR及び走査信号線ドライバSDRは、図2に示すように、表示パネルにCOG(chip on glass)実装されている。映像信号線ドライバVDR及び走査信号線ドライバSDRは、COG実装の代わりに、TCP(tape carrier package)実装されてもよい。 The video signal line driver VDR and the scanning signal line driver SDR are mounted on a display panel as COG (chip on glass), as shown in FIG. The video signal line driver VDR and the scanning signal line driver SDR may be implemented using TCP (tape carrier package) instead of COG implementation.

映像信号線ドライバVDRには、映像信号線VSLと電源線PSLとが接続されている。映像信号線ドライバVDRは、映像信号線VSLに、映像信号として電圧信号を出力する。 A video signal line VSL and a power supply line PSL are connected to the video signal line driver VDR. The video signal line driver VDR outputs a voltage signal as a video signal to the video signal line VSL.

走査信号線ドライバSDRには、走査信号線SSLが接続されている。走査信号線ドライバSDRは、走査信号線SSLに走査信号として電圧信号を出力する。電源線PSLは、映像信号線ドライバVDRに接続する代わりに、走査信号線ドライバSDRに接続してもよい。 A scanning signal line SSL is connected to the scanning signal line driver SDR. The scanning signal line driver SDR outputs a voltage signal as a scanning signal to the scanning signal line SSL. The power supply line PSL may be connected to the scanning signal line driver SDR instead of being connected to the video signal line driver VDR.

表示装置1Aについて、更に詳しく説明する。
表示装置1Aは、図3及び図4に示すように、調光装置2Aと、ブラックマトリクス基板3と、接着層4とを含んでいる。
The display device 1A will be explained in more detail.
The display device 1A includes a light control device 2A, a black matrix substrate 3, and an adhesive layer 4, as shown in FIGS. 3 and 4.

調光装置は、ブラックマトリクス基板へ向けて光を射出するとともに、この光の強さ及びこの光を射出する時間の少なくとも一方を、画素毎に又はサブ画素毎に調節可能な装置である。図3及び図4に示す調光装置2Aは、基板21と、半導体層22と、導体層23A、23B、23C及び23Dと、絶縁層24A、24B及び24Cと、発光素子25と、隔壁層26と、充填層27と、導体層28とを含んでいる。 The light control device is a device that emits light toward a black matrix substrate and is capable of adjusting at least one of the intensity of the light and the time for emitting the light for each pixel or each subpixel. The light control device 2A shown in FIG. 3 and FIG. , a filling layer 27 , and a conductor layer 28 .

基板21は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板を含んでいる。基板21は、絶縁基板のブラックマトリクス基板3と向き合った主面に設けられたアンダーコート層を更に含んでいてもよい。アンダーコート層は、例えば、絶縁基板上に順次積層されたシリコン窒化物層とシリコン酸化物層との積層体である。基板21は、シリコン基板などの半導体基板であってもよい。基板21は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。 The substrate 21 includes, for example, an insulating substrate such as a glass substrate. The substrate 21 may further include an undercoat layer provided on the main surface of the insulating substrate facing the black matrix substrate 3. The undercoat layer is, for example, a laminate of a silicon nitride layer and a silicon oxide layer that are sequentially stacked on an insulating substrate. The substrate 21 may be a semiconductor substrate such as a silicon substrate. The substrate 21 may be rigid or flexible.

半導体層22は、基板21のブラックマトリクス基板3と向き合った主面上で配列している。半導体層22は、例えば、ポリシリコン層である。半導体層22は、駆動制御素子DR又はスイッチSWを構成している薄膜トランジスタの半導体層である。各半導体層22は、ソース及びドレインと、それらの間に介在したチャネル領域とを含んでいる。 The semiconductor layers 22 are arranged on the main surface of the substrate 21 facing the black matrix substrate 3 . The semiconductor layer 22 is, for example, a polysilicon layer. The semiconductor layer 22 is a semiconductor layer of a thin film transistor that constitutes the drive control element DR or the switch SW. Each semiconductor layer 22 includes a source and a drain, and a channel region interposed therebetween.

導体層23Aは、基板21の上記主面上に設けられた導体パターンである。導体層23Aは、映像信号線VSL、電源線PSL、ソース電極SE、ドレイン電極DE、及びキャパシタCの下部電極(図示せず)を構成している。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、それぞれ、半導体層22のソース及びドレインへ接続されている。導体層23Aは、金属又は合金からなる。導体層23Aは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The conductor layer 23A is a conductor pattern provided on the main surface of the substrate 21. The conductor layer 23A constitutes the video signal line VSL, the power supply line PSL, the source electrode SE, the drain electrode DE, and the lower electrode (not shown) of the capacitor C. The source electrode SE and the drain electrode DE are connected to the source and drain of the semiconductor layer 22, respectively. The conductor layer 23A is made of metal or an alloy. The conductor layer 23A may have a single layer structure or a multilayer structure.

絶縁層24Aは、導体層23Aと基板21の上記主面とを被覆している。絶縁層24Aは、例えばTEOS(tetraethyl orthosilicate)を用いて形成することができる。駆動制御素子DR又はスイッチSWを構成している各薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、絶縁層24Aの一部である。また、各キャパシタCの誘電体層は、絶縁層24Aの他の一部である。 The insulating layer 24A covers the conductor layer 23A and the main surface of the substrate 21. The insulating layer 24A can be formed using, for example, TEOS (tetraethyl orthosilicate). The gate insulating film of each thin film transistor constituting the drive control element DR or switch SW is a part of the insulating layer 24A. Further, the dielectric layer of each capacitor C is another part of the insulating layer 24A.

導体層23Bは、絶縁層24A上に設けられた導体パターンである。駆動制御素子DR又はスイッチSWを構成している各薄膜トランジスタのゲート電極GEは、導体層23Bの一部である。各ゲート電極GEは、絶縁層24Aを間に挟んで半導体層22のチャネル領域と向き合っている。また、各キャパシタCの上部電極(図示せず)は、導体層23Bの他の一部である。各上部電極は、絶縁層24Aを間に挟んで、この上部電極を含んだキャパシタCの下部電極と向き合っている。導体層23Bは、金属又は合金からなる。導体層23Bは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The conductor layer 23B is a conductor pattern provided on the insulating layer 24A. The gate electrode GE of each thin film transistor constituting the drive control element DR or switch SW is a part of the conductor layer 23B. Each gate electrode GE faces the channel region of the semiconductor layer 22 with the insulating layer 24A in between. Further, the upper electrode (not shown) of each capacitor C is another part of the conductor layer 23B. Each upper electrode faces the lower electrode of the capacitor C including the upper electrode, with the insulating layer 24A interposed therebetween. The conductor layer 23B is made of metal or an alloy. The conductor layer 23B may have a single layer structure or a multilayer structure.

絶縁層24Bは、導体層23Bと絶縁層24Aとを被覆している。絶縁層24Bは、層間絶縁膜である。絶縁層24Bは、例えば、シリコン酸化物などの無機絶縁体からなる。無機絶縁体からなる絶縁層は、例えば、プラズマCVD(chemical vapor deposition)法により成膜することができる。 The insulating layer 24B covers the conductor layer 23B and the insulating layer 24A. The insulating layer 24B is an interlayer insulating film. The insulating layer 24B is made of, for example, an inorganic insulator such as silicon oxide. The insulating layer made of an inorganic insulator can be formed by, for example, a plasma CVD (chemical vapor deposition) method.

導体層23Cは、図4に示すように、絶縁層24B上に設けられた導体パターンである。導体層23Cは、走査信号線SSLを構成している。ソース電極SE及びドレイン電極DEは、絶縁層24A上に設ける代わりに、絶縁層24B上に設けてもよい。即ち、導体層23Cで、走査信号線SSLとソース電極SE及びドレイン電極DEとを構成してもよい。 The conductor layer 23C is a conductor pattern provided on the insulating layer 24B, as shown in FIG. The conductor layer 23C constitutes a scanning signal line SSL. The source electrode SE and the drain electrode DE may be provided on the insulating layer 24B instead of being provided on the insulating layer 24A. That is, the conductor layer 23C may constitute the scanning signal line SSL, the source electrode SE, and the drain electrode DE.

絶縁層24Cは、導体層23Cと絶縁層24Bとを被覆している。絶縁層24Cは、パッシベーション膜である。絶縁層24Cは、例えば、シリコン窒化物などの無機絶縁体からなる。 The insulating layer 24C covers the conductor layer 23C and the insulating layer 24B. The insulating layer 24C is a passivation film. The insulating layer 24C is made of an inorganic insulator such as silicon nitride, for example.

導体層23Dは、絶縁層24C上に設けられた導体パターンである。導体層23Dは、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBに対応してX方向及びY方向へ配列した電極パッドを構成している。絶縁層24A、24B及び24Cからなる積層体には、駆動制御素子DRのドレインへ接続されたドレイン電極DEの位置に貫通孔が設けられている。各電極パッドは、この貫通孔を介してドレイン電極DEへ接続されている。導体層23Dは、例えば、金属又は合金からなる。導体層23Dは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The conductor layer 23D is a conductor pattern provided on the insulating layer 24C. The conductor layer 23D constitutes electrode pads arranged in the X direction and the Y direction corresponding to the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB. A through hole is provided in the stacked body consisting of the insulating layers 24A, 24B, and 24C at the position of the drain electrode DE connected to the drain of the drive control element DR. Each electrode pad is connected to the drain electrode DE through this through hole. The conductor layer 23D is made of metal or an alloy, for example. The conductor layer 23D may have a single layer structure or a multilayer structure.

各電極パッドのZ方向に対して垂直な平面への正射影の輪郭は、この電極パッド上に設置された発光素子25の先の平面への正射影から離間するとともに、この正射影を取り囲んでいる。即ち、電極パッドは、発光素子25と比較して、Z方向に対して垂直な方向の寸法がより大きい。それ故、電極パッドは、基板21へ向けて進行する光を反射する反射層としての役割も果たす。電極パッドには、この反射層としての役割を担わせなくてもよい。この場合、この役割を果たす反射層は、電極パッドとは別に設けてもよく、設けなくてもよい。 The contour of the orthogonal projection of each electrode pad onto a plane perpendicular to the Z direction is spaced apart from the orthogonal projection of the light emitting element 25 installed on this electrode pad onto the plane above, and surrounds this orthogonal projection. There is. That is, the electrode pad has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction than the light emitting element 25. Therefore, the electrode pad also serves as a reflective layer that reflects light traveling toward the substrate 21. The electrode pad does not have to play the role of this reflective layer. In this case, the reflective layer that plays this role may be provided separately from the electrode pad, or may not be provided.

図3及び図4に示す発光素子25は、図2に示す発光素子Dである。発光素子25は、電極パッド上に配置されている。 The light emitting element 25 shown in FIGS. 3 and 4 is the light emitting element D shown in FIG. 2. The light emitting element 25 is placed on the electrode pad.

発光素子25は、ここでは、無機物からなる発光ダイオードである。なお、発光素子25として発光ダイオードを含んだ基板は、「LED基板」と呼ぶこともある。 The light emitting element 25 here is a light emitting diode made of an inorganic material. Note that a substrate including a light emitting diode as the light emitting element 25 is sometimes referred to as an "LED substrate."

発光素子25は、複数の層、例えば、第1層251、第2層252及び第3層253を含んだ多層構造を有している。ここでは、発光素子25が含んでいる層の積層方向はZ方向である。この積層方向は、Z方向に対して垂直であってもよい。 The light emitting element 25 has a multilayer structure including a plurality of layers, for example, a first layer 251, a second layer 252, and a third layer 253. Here, the stacking direction of the layers included in the light emitting element 25 is the Z direction. This stacking direction may be perpendicular to the Z direction.

各発光素子25は、陽極及び陰極を含んでいる。発光素子25は、一方の面に陽極と陰極とを有している。発光素子25の陽極は、図示しないボンディングワイヤを介して電極パッドへ接続されている。発光素子25が一方の面に陽極を有し、他方の面に陰極を有している場合、発光素子25の電極パッドへの接合と陽極の電極パッドへの接続とを、導電ペーストなどの導電材料を接合材として用いたダイボンディングによって行ってもよい。発光素子25が一方の面に陽極と陰極とを有している場合、導体層28を省略するとともに、発光素子25の陰極と接続するための電極パッドを絶縁層24C上に更に設け、これら電極パッドと接続された配線を絶縁層間に更に設け、発光素子25の電極パッド及び導体層28への接合と、陽極及び陰極の電極パッドへの接続とを、フリップチップボンディングによって行ってもよい。 Each light emitting element 25 includes an anode and a cathode. The light emitting element 25 has an anode and a cathode on one surface. The anode of the light emitting element 25 is connected to an electrode pad via a bonding wire (not shown). When the light emitting element 25 has an anode on one surface and a cathode on the other surface, the bonding of the light emitting element 25 to the electrode pad and the connection of the anode to the electrode pad are performed using a conductive paste such as a conductive paste. The bonding may also be performed by die bonding using the material as a bonding material. When the light emitting element 25 has an anode and a cathode on one surface, the conductor layer 28 is omitted, and an electrode pad for connecting to the cathode of the light emitting element 25 is further provided on the insulating layer 24C, and these electrodes are Wiring connected to the pads may be further provided between the insulating layers, and the connection of the light emitting element 25 to the electrode pad and the conductor layer 28 and the connection of the anode and cathode to the electrode pads may be performed by flip chip bonding.

発光素子25のX方向及びY方向における寸法は、好ましくは1乃至100μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至80μmの範囲内にあり、更に好ましくは10乃至60μmの範囲内にある。発光素子25のZ方向における寸法は、好ましくは1乃至20μmの範囲内にあり、より好ましくは1乃至15μmの範囲内にあり、更に好ましくは1乃至10μmの範囲内にある。 The dimensions of the light emitting element 25 in the X and Y directions are preferably in the range of 1 to 100 μm, more preferably in the range of 5 to 80 μm, and still more preferably in the range of 10 to 60 μm. The dimension of the light emitting element 25 in the Z direction is preferably in the range of 1 to 20 μm, more preferably in the range of 1 to 15 μm, and still more preferably in the range of 1 to 10 μm.

隔壁層26は、絶縁層24C上に設けられている。隔壁層26は、電極パッドの位置に貫通孔を有している。発光素子25は、それぞれ、これら貫通孔内に位置している。隔壁層26は、例えば、樹脂からなる。そのような隔壁層26は、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィによって形成することができる。隔壁層26は、貫通孔を有する樹脂層と、それら貫通孔の側壁と任意に樹脂層の上面とを被覆した反射層とを含んでいてもよい。反射層は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。隔壁層26は省略することができる。 The partition layer 26 is provided on the insulating layer 24C. The partition layer 26 has through holes at the positions of the electrode pads. The light emitting elements 25 are located within these through holes, respectively. The partition layer 26 is made of resin, for example. Such a partition layer 26 can be formed by photolithography using a photosensitive resin. The partition layer 26 may include a resin layer having through holes, and a reflective layer covering the side walls of the through holes and optionally the upper surface of the resin layer. The reflective layer may have a single layer structure or a multilayer structure. The reflective layer includes, for example, a metal, an alloy, or a transparent dielectric. The partition layer 26 can be omitted.

充填層27は、発光素子25と隔壁層26との間の隙間を埋め込んでいる。充填層27は、発光素子25が射出した光を透過させる光透過層である。また、充填層27は、発光素子25及びこれと電極との接合部等を保護する保護層としての役割も果たす。充填層27は、例えば、樹脂からなる。充填層27の屈折率は、隔壁層26の表面を構成している材料の屈折率とは異なることが好ましい。 The filling layer 27 fills the gap between the light emitting element 25 and the partition layer 26. The filling layer 27 is a light transmitting layer that transmits the light emitted from the light emitting element 25. Furthermore, the filling layer 27 also serves as a protective layer that protects the light emitting element 25 and the joints between it and the electrodes. The filling layer 27 is made of resin, for example. The refractive index of the filling layer 27 is preferably different from the refractive index of the material forming the surface of the partition layer 26.

導体層28は、隔壁層26及び充填層27上に設けられている。発光素子25の陰極は、導体層28へ接続されている。導体層28は、導電性透明酸化物からなる場合、発光素子25の陰極全体を覆うように設けることができる。導体層28は、金属又は合金からなる場合、発光素子25の陰極を部分的に覆うように設けることが好ましい。 The conductor layer 28 is provided on the partition layer 26 and the filling layer 27. The cathode of the light emitting element 25 is connected to the conductor layer 28. When the conductor layer 28 is made of a conductive transparent oxide, it can be provided so as to cover the entire cathode of the light emitting element 25 . When the conductor layer 28 is made of metal or an alloy, it is preferable to provide the conductor layer 28 so as to partially cover the cathode of the light emitting element 25 .

ブラックマトリクス基板3は、調光装置2Aと向き合っている。具体的には、ブラックマトリクス基板3は、発光素子25等を間に挟んで基板21と向き合っている。 The black matrix substrate 3 faces the light control device 2A. Specifically, the black matrix substrate 3 faces the substrate 21 with the light emitting elements 25 and the like interposed therebetween.

ブラックマトリクス基板3は、透明基板31と、ブラックマトリクス32と、樹脂層34と、反射層35と、第1着色層33R及び第2着色層33Gを含んだカラーフィルタと、下地層33Bと、第1波長変換層36Rと、第2波長変換層36Gと、充填層36Bとを含んでいる。 The black matrix substrate 3 includes a transparent substrate 31, a black matrix 32, a resin layer 34, a reflective layer 35, a color filter including a first colored layer 33R and a second colored layer 33G, a base layer 33B, and a color filter including a first colored layer 33R and a second colored layer 33G. It includes a first wavelength conversion layer 36R, a second wavelength conversion layer 36G, and a filling layer 36B.

透明基板31は、可視光透過性を有している。透明基板31は、例えば、無色の基板である。透明基板31は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。透明基板31は、例えば、ガラス、透明樹脂又はそれらの組み合わせからなる。透明基板31は、硬質であってもよく、可撓性であってもよい。透明基板31は、調光装置2Aと向き合った第1主面と、その裏面である第2主面とを有している。 The transparent substrate 31 has visible light transmittance. The transparent substrate 31 is, for example, a colorless substrate. The transparent substrate 31 may have a single layer structure or a multilayer structure. The transparent substrate 31 is made of, for example, glass, transparent resin, or a combination thereof. The transparent substrate 31 may be hard or flexible. The transparent substrate 31 has a first main surface facing the light control device 2A and a second main surface that is the back surface thereof.

ブラックマトリクス32は、透明基板31の第1主面上に設けられている。ブラックマトリクス32は、可視光を遮る黒色層である。ブラックマトリクス32は、例えば、バインダ樹脂と着色剤とを含んだ混合物からなる。着色剤は、例えば、黒色顔料であるか、又は、減法混色によって黒色を呈する顔料の混合物、例えば、青色顔料、緑色顔料及び赤色顔料を含んだ混合物である。一例によれば、ブラックマトリクス32は、グラファイト、グラフェン、及びカーボンナノチューブの炭素材料を含有した層である。他の例によれば、ブラックマトリクス32は、クロム層と酸化クロム層との積層体である。 The black matrix 32 is provided on the first main surface of the transparent substrate 31. The black matrix 32 is a black layer that blocks visible light. The black matrix 32 is made of, for example, a mixture containing a binder resin and a colorant. The coloring agent is, for example, a black pigment or a mixture of pigments that produces a black color by subtractive color mixing, for example a mixture containing a blue pigment, a green pigment and a red pigment. According to one example, the black matrix 32 is a layer containing carbon materials such as graphite, graphene, and carbon nanotubes. According to another example, the black matrix 32 is a laminate of a chromium layer and a chromium oxide layer.

ブラックマトリクス32は、発光素子25の位置に第1貫通孔を有している。各第1貫通孔の透明基板31側の開口は、発光素子25と比較して、Z方向に垂直な方向の寸法がより大きい。 The black matrix 32 has a first through hole at the position of the light emitting element 25. The opening of each first through hole on the transparent substrate 31 side has a larger dimension in the direction perpendicular to the Z direction than the light emitting element 25 .

ここでは、第1貫通孔の透明基板31側の開口は、図1に破線で示すように、Y方向へ伸びた形状を有している。ブラックマトリクス32のうち画素PXに対応した各部分は、第1サブ画素PXRの位置に設けられた第1貫通孔と、第2サブ画素PXGの位置に設けられた第1貫通孔と、第3サブ画素PXBの位置に設けられた第1貫通孔とを含んでおり、これら3つの第1貫通孔はX方向へ配列している。これら3つの第1貫通孔から各々がなる複数の第1貫通孔群は、X方向及びY方向へ配列している。X方向へ隣り合った第1貫通孔群間の距離は、同一の貫通孔群が含んでいる第1貫通孔間の距離と比較してより大きい。Y方向へ隣り合った第1貫通孔群間の距離も、同一の貫通孔群が含んでいる第1貫通孔間の距離と比較してより大きい。 Here, the opening of the first through hole on the transparent substrate 31 side has a shape extending in the Y direction, as shown by the broken line in FIG. Each portion of the black matrix 32 corresponding to the pixel PX includes a first through hole provided at the position of the first sub pixel PXR, a first through hole provided at the position of the second sub pixel PXG, and a third through hole provided at the position of the second sub pixel PXG. and a first through hole provided at the position of the sub-pixel PXB, and these three first through holes are arranged in the X direction. A plurality of first through-hole groups each consisting of these three first through-holes are arranged in the X direction and the Y direction. The distance between adjacent first through-hole groups in the X direction is larger than the distance between first through-holes included in the same through-hole group. The distance between adjacent first through-hole groups in the Y direction is also larger than the distance between first through-holes included in the same through-hole group.

ブラックマトリクス32の開口率は、好ましくは5乃至66%の範囲内にあり、より好ましくは5乃至40%の範囲内にあり、更に好ましくは5乃至20%の範囲内にある。無機物からなる発光ダイオードは、光射出面が小さい場合であっても明るく発光させることができ、また、長寿命である。それ故、発光素子25が無機物からなる発光ダイオードである場合、ブラックマトリクス32の開口率を小さくしても、明るい表示が可能である。そして、ブラックマトリクス32の開口率を小さくすると、外光の反射を抑制でき、深みがより強い黒色を表示することができ、従って、より高いコントラスト比を実現することができる。 The aperture ratio of the black matrix 32 is preferably in the range of 5 to 66%, more preferably in the range of 5 to 40%, and still more preferably in the range of 5 to 20%. A light emitting diode made of an inorganic material can emit bright light even if the light exit surface is small, and has a long life. Therefore, when the light emitting element 25 is a light emitting diode made of an inorganic material, bright display is possible even if the aperture ratio of the black matrix 32 is made small. When the aperture ratio of the black matrix 32 is reduced, reflection of external light can be suppressed, black color with greater depth can be displayed, and a higher contrast ratio can therefore be achieved.

ブラックマトリクス32の厚さは、好ましくは0.1乃至30μmの範囲内にあり、より好ましくは1乃至15μmの範囲内にあり、更に好ましくは1乃至5μmの範囲内にある。厚いブラックマトリクス32は、高い遮光性を達成するうえで有利である。但し、ブラックマトリクス32を厚くすると、感光性黒色組成物からなる塗膜へのパターン露光において、塗膜の深部へ光が十分な強さで到達できず、高い形状精度を達成できない可能性がある。 The thickness of the black matrix 32 is preferably in the range of 0.1 to 30 μm, more preferably in the range of 1 to 15 μm, and still more preferably in the range of 1 to 5 μm. A thick black matrix 32 is advantageous in achieving high light-shielding properties. However, if the black matrix 32 is made thicker, during pattern exposure of a coating film made of a photosensitive black composition, light may not be able to reach deep parts of the coating film with sufficient intensity, and high shape accuracy may not be achieved. .

樹脂層34は、図3及び図4に示すように、ブラックマトリクス32上に設けられている。一例によれば、樹脂層34は透明である。この場合、樹脂層34は、着色していてもよく、無色であってもよい。樹脂層34は、光散乱性を有していてもよい。透明な樹脂層34は、例えば、膜厚が5μmであると仮定した場合に、その厚さ方向へ入射させた、波長が350乃至480nmの範囲内の光の透過率の最大値が20%以上であることが望ましい。 The resin layer 34 is provided on the black matrix 32, as shown in FIGS. 3 and 4. According to one example, resin layer 34 is transparent. In this case, the resin layer 34 may be colored or colorless. The resin layer 34 may have light scattering properties. For example, assuming that the film thickness is 5 μm, the transparent resin layer 34 has a maximum transmittance of 20% or more for light in the wavelength range of 350 to 480 nm that is incident in the thickness direction. It is desirable that

樹脂層34は、第1貫通孔の位置に第2貫通孔をそれぞれ有している。これら第2貫通孔は、上記の第1貫通孔群に対応した第2貫通孔群を構成している。第2貫通孔群の各々は、ここでは、X方向へ配列した3つの第2貫通孔からなる。第2貫通孔群は、互いに交差する第1方向及び第2方向、ここでは、X方向及びY方向へ配列している。 The resin layer 34 has second through holes at the positions of the first through holes. These second through holes constitute a second through hole group corresponding to the above first through hole group. Each of the second through-hole groups here includes three second through-holes arranged in the X direction. The second through-hole group is arranged in a first direction and a second direction that intersect with each other, here, in the X direction and the Y direction.

X方向へ隣り合った第2貫通孔群間の距離W1は、同一の貫通孔群が含んでいる第2貫通孔間の距離W1と比較してより大きい。Y方向へ隣り合った第2貫通孔群間の距離W1も、同一の貫通孔群が含んでいる第2貫通孔間の距離W1と比較してより大きい。 The distance W x 1 between the second through-hole groups adjacent to each other in the X direction is larger than the distance W1 between the second through-holes included in the same through-hole group. The distance W y 1 between the second through-hole groups adjacent to each other in the Y direction is also larger than the distance W 1 between the second through-holes included in the same through-hole group.

距離W1は、好ましくは5乃至80μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至40μmの範囲内にあり、更に好ましくは5乃至20μmの範囲内にある。 The distance W1 is preferably in the range of 5 to 80 μm, more preferably in the range of 5 to 40 μm, and still more preferably in the range of 5 to 20 μm.

距離W1は、好ましくは5乃至250μmの範囲内にあり、より好ましくは50乃至250mの範囲内にあり、更に好ましくは100乃至250μmの範囲内にある。 The distance W x 1 is preferably in the range of 5 to 250 μm, more preferably in the range of 50 to 250 m, even more preferably in the range of 100 to 250 μm.

距離W1は、好ましくは5乃至250μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至100μmの範囲内にあり、更に好ましくは5乃至50μmの範囲内にある。 The distance W y 1 is preferably in the range of 5 to 250 μm, more preferably in the range of 5 to 100 μm, and still more preferably in the range of 5 to 50 μm.

距離W1と距離W1との比W1/W1は、好ましくは0.1乃至50の範囲内にあり、より好ましくは2乃至20の範囲内にあり、更に好ましくは5乃至15の範囲内にある。距離W1は、距離W1と等しくてもよく、距離W1よりも小さくてもよい。 The ratio W x 1/W1 between the distance W x 1 and the distance W1 is preferably in the range of 0.1 to 50, more preferably in the range of 2 to 20, and still more preferably in the range of 5 to 15. It's within. The distance W x 1 may be equal to the distance W1 or may be smaller than the distance W1.

距離W1と距離W1との比W1/W1は、好ましくは0.1乃至50の範囲内にあり、より好ましくは0.1乃至10の範囲内にあり、更に好ましくは0.1至5の範囲内にある。距離W1は、距離W1と等しくてもよく、距離W1よりも小さくてもよい。 The ratio W y 1/W1 between the distance W y 1 and the distance W1 is preferably in the range of 0.1 to 50, more preferably in the range of 0.1 to 10, and even more preferably 0.1. It is within the range of 5 to 5. The distance W y 1 may be equal to the distance W1 or may be smaller than the distance W1.

第2貫通孔は、ここでは、透明基板31側の開口の第1主面への正射影の輪郭(以下、第2輪郭という)が、それぞれ、第1貫通孔の第1主面への正射影の輪郭(以下、第1輪郭という)を取り囲むように設けられている。第2輪郭は、第1輪郭を取り囲んでいなくてもよい。第2輪郭が第1輪郭を取り囲んだ構造では、第2輪郭が第1輪郭を取り囲んでいない構造と比較して、迷光が表示へ及ぼす影響が小さい。 Here, the contour of the orthogonal projection of the opening on the transparent substrate 31 side onto the first principal surface of the second through hole (hereinafter referred to as the second contour) is the contour of the orthogonal projection of the opening on the transparent substrate 31 side onto the first principal surface. It is provided so as to surround the projection contour (hereinafter referred to as the first contour). The second contour does not have to surround the first contour. In a structure in which the second contour surrounds the first contour, stray light has less influence on the display than in a structure in which the second contour does not surround the first contour.

樹脂層34のうち隣り合った第2貫通孔によって挟まれた部分は、順テーパ状の断面形状を有している。この部分は、矩形状の断面形状を有していてもよく、逆テーパ状の断面形状を有していてもよく、他の断面形状を有していてもよい。 A portion of the resin layer 34 sandwiched between adjacent second through holes has a forward tapered cross-sectional shape. This portion may have a rectangular cross-sectional shape, a reverse tapered cross-sectional shape, or another cross-sectional shape.

樹脂層34の厚さは、好ましくは5乃至50μmの範囲内にあり、より好ましくは5乃至40μmの範囲内にあり、更に好ましくは10乃至25μmの範囲内にある。樹脂層34の厚さが小さい場合、第2貫通孔内に形成する層の合計厚さを大きくすることが難しい。樹脂層34を厚くすると、隣り合った第2貫通孔間に挟まれた隔壁部の形状精度が低下する。 The thickness of the resin layer 34 is preferably in the range of 5 to 50 μm, more preferably in the range of 5 to 40 μm, and still more preferably in the range of 10 to 25 μm. When the thickness of the resin layer 34 is small, it is difficult to increase the total thickness of the layers formed in the second through hole. When the resin layer 34 is made thicker, the shape accuracy of the partition wall portion sandwiched between adjacent second through holes is reduced.

反射層35は、第2貫通孔の各々の側壁と樹脂層34の上面とを少なくとも部分的に被覆している。ここでは、反射層35は、図3乃至図4に示すように、第2貫通孔の各々の側壁全体と、樹脂層34の上面全体と、ブラックマトリクス32のうち樹脂層34で覆われていない部分とを被覆している。反射層35は、第2貫通孔の側壁の一部を被覆していなくてもよい。例えば、反射層35は、第2貫通孔の少なくとも1つの側壁のうちブラックマトリクス32近傍の部分、及び、第2貫通孔の少なくとも1つの側壁のうち樹脂層34の上面近傍の部分の少なくとも一方を被覆していなくてもよい。また、反射層35は、ブラックマトリクス32のうち樹脂層34で覆われていない部分を被覆していなくてもよい。 The reflective layer 35 at least partially covers the side walls of each of the second through holes and the upper surface of the resin layer 34 . Here, as shown in FIGS. 3 and 4, the reflective layer 35 covers the entire side wall of each second through hole, the entire upper surface of the resin layer 34, and the part of the black matrix 32 that is not covered with the resin layer 34. It covers the parts. The reflective layer 35 does not need to cover a part of the side wall of the second through hole. For example, the reflective layer 35 covers at least one of a portion of at least one side wall of the second through hole near the black matrix 32 and a portion of at least one side wall of the second through hole near the top surface of the resin layer 34. It does not need to be covered. Furthermore, the reflective layer 35 does not need to cover the portions of the black matrix 32 that are not covered with the resin layer 34 .

反射層35のうち第2貫通孔内に位置した部分は、第1着色層33R、第2着色層33G又は下地層33Bの位置で開口している。これら開口の各々の面積S2は、好ましくは、第1貫通孔の開口の面積S1と比較してより大きい。面積S2と面積S1との比S2/S1は、好ましくは1乃至100の範囲内にあり、より好ましくは1乃至30の範囲内にあり、更に好ましくは1乃至2の範囲内にある。 The portion of the reflective layer 35 located within the second through hole is open at the position of the first colored layer 33R, the second colored layer 33G, or the base layer 33B. The area S2 of each of these openings is preferably larger compared to the area S1 of the opening of the first through hole. The ratio S2/S1 between area S2 and area S1 is preferably in the range of 1 to 100, more preferably in the range of 1 to 30, and still more preferably in the range of 1 to 2.

反射層35は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。反射層35が含む層は、例えば、金属、合金又は透明誘電体である。反射層35は、熱伝導性の観点から、金属又は合金からなる層を含んでいることが好ましい。一例によれば、反射層35は、アルミニウム、アルミニウム合金又はネオジム合金からなる。 The reflective layer 35 may have a single layer structure or a multilayer structure. The layer included in the reflective layer 35 is, for example, a metal, an alloy, or a transparent dielectric. From the viewpoint of thermal conductivity, the reflective layer 35 preferably includes a layer made of metal or an alloy. According to one example, the reflective layer 35 consists of aluminum, an aluminum alloy or a neodymium alloy.

反射層35は、樹脂層34の上面を被覆した部分の厚さが、100乃至500nmの範囲内にあることが好ましく、100乃至250nmの範囲内にあることがより好ましい。反射層35を厚くすると、面内方向への熱伝導性が向上する。但し、反射層35を厚くすると、製造コストが上昇する。 The thickness of the reflective layer 35 covering the upper surface of the resin layer 34 is preferably in the range of 100 to 500 nm, more preferably in the range of 100 to 250 nm. Increasing the thickness of the reflective layer 35 improves the thermal conductivity in the in-plane direction. However, increasing the thickness of the reflective layer 35 increases manufacturing costs.

反射層35は、例えば、スパッタリング法及び真空蒸着法などの気相堆積法による成膜と、エッチングマスクの形成と、ウェットエッチングなどのエッチングとをこの順に行うことにより形成することができる。エッチングマスクは、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィにより形成することができる。このエッチングマスクとして利用した透明樹脂層は、上記のエッチング後に除去してもよく、除去しなくてもよい。 The reflective layer 35 can be formed by, for example, forming a film using a vapor deposition method such as a sputtering method or a vacuum evaporation method, forming an etching mask, and etching such as wet etching in this order. The etching mask can be formed by photolithography using a photosensitive resin. The transparent resin layer used as this etching mask may or may not be removed after the above etching.

第1着色層33Rは、図3及び図4に示すように、第1サブ画素PXRの位置で第1貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第1着色層33Rは赤色着色層である。 The first colored layer 33R fills a first through hole at the position of the first sub-pixel PXR, as shown in FIGS. 3 and 4. As mentioned above, the first colored layer 33R is a red colored layer here.

第2着色層33Gは、図3に示すように、第2サブ画素PXGの位置で第1貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、第2着色層33Gは緑色着色層である。 As shown in FIG. 3, the second colored layer 33G fills the first through hole at the position of the second sub-pixel PXG. As mentioned above, the second colored layer 33G is a green colored layer here.

下地層33Bは、図3に示すように、第3サブ画素PXBの位置で第1貫通孔を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、無色の光透過層又は青色着色層である。 As shown in FIG. 3, the base layer 33B embeds the first through hole at the position of the third sub-pixel PXB. As mentioned above, here it is a colorless light-transmitting layer or a blue-colored layer.

第1波長変換層36Rは、第1着色層33R上に設けられており、第2凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。第1波長変換層36Rは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第1波長変換層36Rは、第1サブ画素PXRの発光素子Dが射出した青色光を赤色光へと変換する。 The first wavelength conversion layer 36R is provided on the first colored layer 33R, and buries at least the bottom of the second recess. The first wavelength conversion layer 36R is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, here, the first wavelength conversion layer 36R converts the blue light emitted by the light emitting element D of the first sub-pixel PXR into red light.

第2波長変換層36Gは、第2着色層33G上に設けられており、第2凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。第2波長変換層36Gは、量子ドット蛍光体などの蛍光体と透明樹脂とを含んだ層である。上記の通り、ここでは、第2波長変換層36Gは、第2サブ画素PXGの発光素子Dが射出した青色光を赤色光へと変換する。 The second wavelength conversion layer 36G is provided on the second colored layer 33G and buries at least the bottom of the second recess. The second wavelength conversion layer 36G is a layer containing a phosphor such as a quantum dot phosphor and a transparent resin. As described above, here, the second wavelength conversion layer 36G converts the blue light emitted by the light emitting element D of the second sub-pixel PXG into red light.

充填層36Bは、下地層33B上に設けられており、第2凹部の少なくとも底部を埋め込んでいる。上記の通り、ここでは、充填層36Bは無色透明な層である。この場合、充填層36Bは、例えば、透明樹脂からなる。 The filling layer 36B is provided on the base layer 33B and fills at least the bottom of the second recess. As mentioned above, the filling layer 36B is a colorless and transparent layer here. In this case, the filling layer 36B is made of transparent resin, for example.

接着層4は、調光装置2Aとブラックマトリクス基板3との間に介在しており、それらを互いに対して貼り合わせている。接着層4は、発光素子25が射出した光を透過させる。接着層4は、例えば、無色透明な層である。接着層4は、接着剤又は粘着剤からなる。 The adhesive layer 4 is interposed between the light control device 2A and the black matrix substrate 3, and adheres them to each other. The adhesive layer 4 transmits the light emitted by the light emitting element 25. The adhesive layer 4 is, for example, a colorless and transparent layer. The adhesive layer 4 is made of adhesive or adhesive.

この表示装置1Aにおいて、反射層35のうち樹脂層34の上面を被覆した部分は、算術平均高さSが40乃至650nmの範囲内にあり、クルトシスSkuが3以上である。好ましくは、反射層35のうち樹脂層34に設けられた第2貫通孔の側壁を被覆した部分も、算術平均高さSが40乃至650nmの範囲内にあり、クルトシスSkuが3以上である。これら算術平均高さSは、100nm以上であることが好ましく、400nm以下であることも好ましい。また、これらクルトシスSkuは、例えば、6以下である。なお、クルトシスSkuは、高さ分布の鋭さを表している。 In this display device 1A, the portion of the reflective layer 35 that covers the upper surface of the resin layer 34 has an arithmetic mean height S a in the range of 40 to 650 nm, and a kurtosis S ku of 3 or more. Preferably, the portion of the reflective layer 35 that covers the side wall of the second through hole provided in the resin layer 34 also has an arithmetic average height S a within the range of 40 to 650 nm, and a kurtosis S ku of 3 or more. be. It is preferable that these arithmetic mean heights S a are 100 nm or more, and it is also preferable that it is 400 nm or less. Further, these kurtosis S ku are, for example, 6 or less. Note that the kurtosis S ku represents the sharpness of the height distribution.

この表示装置1Aでは、発光素子25が主な発熱源である。発光素子25において生じた熱の一部は、接着層4を介して反射層35へと伝わる。反射層35のうち樹脂層34の上面を被覆した部分が上記の表面性状を有している場合、この部分がより平滑である場合と比較して、接着層4と反射層35との間での熱交換がより効率的に生じ得る。 In this display device 1A, the light emitting element 25 is the main heat source. A portion of the heat generated in the light emitting element 25 is transmitted to the reflective layer 35 via the adhesive layer 4. When the part of the reflective layer 35 that covers the upper surface of the resin layer 34 has the above-mentioned surface texture, the difference between the adhesive layer 4 and the reflective layer 35 is greater than when this part is smoother. heat exchange can occur more efficiently.

また、反射層35は、接着層4と透明基板31との間に位置した要素の中で、特に優れた熱伝導性を有している。そして、この表示装置1Aでは、反射層35は、樹脂層34の上面だけでなく、樹脂層34に設けられた貫通孔の側壁も被覆し、更には、ブラックマトリクス32も部分的に被覆している。即ち、反射層35は、接着層4と隣接した部分に加え、透明基板31の近傍に位置した部分を含んでいる。そして、反射層35と透明基板31との間に介在しているブラックマトリクス32は、カーボン含有樹脂や酸化クロムなどの黒色材料からなる。これら黒色材料は、熱伝導性が高い材料である。それ故、接着層4から反射層35へ伝わった熱は、透明基板31へ速やかに伝わる。 Further, the reflective layer 35 has particularly excellent thermal conductivity among the elements located between the adhesive layer 4 and the transparent substrate 31. In this display device 1A, the reflective layer 35 covers not only the upper surface of the resin layer 34 but also the side walls of the through holes provided in the resin layer 34, and also partially covers the black matrix 32. There is. That is, the reflective layer 35 includes a portion adjacent to the adhesive layer 4 as well as a portion located near the transparent substrate 31. The black matrix 32 interposed between the reflective layer 35 and the transparent substrate 31 is made of a black material such as carbon-containing resin or chromium oxide. These black materials have high thermal conductivity. Therefore, the heat transmitted from the adhesive layer 4 to the reflective layer 35 is quickly transmitted to the transparent substrate 31.

従って、表示装置1Aは、発光素子25において生じた熱の一部を、ブラックマトリクス基板3を介して外気へと速やかに放熱し得る。それ故、この表示装置1Aは、内部に熱が蓄積し難く、放熱性に優れている。 Therefore, the display device 1A can quickly radiate part of the heat generated in the light emitting elements 25 to the outside air via the black matrix substrate 3. Therefore, this display device 1A is difficult to accumulate heat inside and has excellent heat dissipation.

表示装置1Aは、このように放熱性に優れているので、以下に説明するように、劣化、輝度低下、及び色ずれを生じ難い。 Since the display device 1A has excellent heat dissipation properties as described above, it is difficult to cause deterioration, decrease in brightness, and color shift, as described below.

近年、表示装置の用途拡大に向けて、屋外視認性を向上させるべく、出力を高めて高輝度化した表示装置が必要とされている。しかしながら、発光ダイオードを用いた表示装置において高出力化すると、発光ダイオードの発熱により、その近傍に位置した配線及び封止樹脂などの部材が熱劣化するなどの不具合を生じることがある。また、量子ドットなどの蛍光体は、熱劣化並びに高温下での発光時の輝度低下及び色ずれ(可視域において最大強度を示す波長のシフト;以下、波長シフトという)を起こす。特に、発光ダイオードを含み、接着層を介して一対の基板を貼り合わせた構造を有している表示装置では、発熱源である発光ダイオードが大気から隔離されているため、内部に熱が蓄えられ易い。それ故、発光ダイオードが射出する短波長の光(青色光又は紫外光)を、量子ドットなどの蛍光体を用いて、青、緑及び赤色光へと変換して、フルカラー表示を行う高輝度表示装置においては、優れた放熱性が必要である。 In recent years, with the aim of expanding the use of display devices, there has been a need for display devices with increased output and high brightness in order to improve outdoor visibility. However, when the output of a display device using a light emitting diode is increased, the heat generated by the light emitting diode may cause problems such as thermal deterioration of members such as wiring and sealing resin located near the light emitting diode. In addition, phosphors such as quantum dots undergo thermal deterioration, as well as a decrease in brightness and color shift when emitting light at high temperatures (shift in wavelength showing maximum intensity in the visible range; hereinafter referred to as wavelength shift). In particular, in a display device that includes a light emitting diode and has a structure in which a pair of substrates are bonded together via an adhesive layer, the light emitting diode, which is the heat source, is isolated from the atmosphere, so heat is stored inside. easy. Therefore, high-brightness display uses phosphors such as quantum dots to convert the short wavelength light (blue light or ultraviolet light) emitted by light-emitting diodes into blue, green, and red light for full-color display. Equipment requires excellent heat dissipation.

上記の通り、上述した表示装置1Aは、発光素子25において生じた熱の一部を、ブラックマトリクス基板3を介して表示装置1Aの外部へ速やかに放熱する。それ故、この表示装置1Aは、内部に熱が蓄積し難く、内部が過剰に高い温度になり難い。従って、表示装置1Aは、量子ドットなどの劣化、輝度低下、及び色ずれ(波長シフト)を生じ難い。 As described above, the display device 1A described above quickly radiates part of the heat generated in the light emitting elements 25 to the outside of the display device 1A via the black matrix substrate 3. Therefore, in this display device 1A, heat does not easily accumulate inside the display device 1A, and the inside temperature does not easily reach an excessively high temperature. Therefore, the display device 1A is unlikely to cause deterioration of quantum dots, etc., decrease in brightness, and color shift (wavelength shift).

また、反射層35のうち樹脂層34に設けられた第2貫通孔の側壁を被覆した部分が上記の表面性状を有している場合、この部分は、発光素子25からの光を適度に散乱させ得る。その結果、第1波長変換層36Rや第2波長変換層36Gにおける波長変換効率が高まり、高輝度化又は低消費電力化が可能になる。 Further, if the portion of the reflective layer 35 that covers the side wall of the second through hole provided in the resin layer 34 has the above-mentioned surface texture, this portion will moderately scatter the light from the light emitting element 25. can be done. As a result, the wavelength conversion efficiency in the first wavelength conversion layer 36R and the second wavelength conversion layer 36G increases, making it possible to increase brightness or reduce power consumption.

上述した表面性状を有している反射層35は、例えば、樹脂層34へOプラズマ処理などの表面粗化処理を施し、その後、反射層35の成膜を行うことにより得ることができる。即ち、表面粗化処理を施すことにより、樹脂層34の算術平均高さS及びクルトシスSkuを大きくすることができ、それ故、反射層35の算術平均高さS及びクルトシスSkuも大きくすることができる。例えば、算術平均高さSが30nmである樹脂層へOプラズマ処理を施すことにより、算術平均高さSが40nm以上の反射層35を得ることができる。 The reflective layer 35 having the above-mentioned surface properties can be obtained, for example, by subjecting the resin layer 34 to surface roughening treatment such as O 2 plasma treatment, and then forming the reflective layer 35 into a film. That is, by performing the surface roughening treatment, the arithmetic mean height S a and the kurtosis S ku of the resin layer 34 can be increased, and therefore the arithmetic mean height S a and the kurtosis S ku of the reflective layer 35 can also be increased. It can be made larger. For example, by subjecting a resin layer having an arithmetic mean height S a of 30 nm to O 2 plasma treatment, the reflective layer 35 having an arithmetic mean height S a of 40 nm or more can be obtained.

上述した表面性状を有している反射層35は、樹脂層34の材料に粒子を含有させることにより得ることもできる。粒子の粒径及び含有量を適宜設定することにより、所望の表面性状を有している樹脂層34を得ることができ、それ故、上述した表面性状を有している反射層35を得ることも可能である。 The reflective layer 35 having the above-mentioned surface properties can also be obtained by incorporating particles into the material of the resin layer 34. By appropriately setting the particle size and content of the particles, it is possible to obtain the resin layer 34 having the desired surface texture, and therefore to obtain the reflective layer 35 having the above-mentioned surface texture. is also possible.

樹脂層34の材料に粒子を含有させる場合、これら粒子は、金属酸化物などの高熱伝導性材料からなるものであることが好ましい。この場合、樹脂層34の熱伝導性が高まり、放熱性が向上する。 When the material of the resin layer 34 contains particles, these particles are preferably made of a highly thermally conductive material such as a metal oxide. In this case, the thermal conductivity of the resin layer 34 is increased, and the heat dissipation performance is improved.

樹脂層34の材料に粒子を含有させる場合、この材料に占める粒子の割合は、50体積%以下であることが好ましく、20体積%以下であることがより好ましい。この割合を大きくすると、樹脂層34の形状精度が低下する。 When the material of the resin layer 34 contains particles, the proportion of the particles in the material is preferably 50% by volume or less, more preferably 20% by volume or less. If this ratio is increased, the shape accuracy of the resin layer 34 will decrease.

上述した光の散乱効果を得るうえでは、反射層35のうち樹脂層34に設けられた第2貫通孔の側壁を被覆している部分は、算術平均高さSが可視域の波長と同程度であることが好ましい。 In order to obtain the above-mentioned light scattering effect, the portion of the reflective layer 35 that covers the side wall of the second through hole provided in the resin layer 34 has an arithmetic mean height S a that is the same as the wavelength in the visible range. It is preferable that the degree of

反射層35のうち樹脂層34の上面を被覆している部分及び樹脂層34に設けられた第2貫通孔の側壁を被覆している部分は、算術平均高さSが過度に大きくないことが望ましい。これら部分の算術平均高さSが大きな反射層35を形成するには、算術平均高さSが大きな樹脂層34を形成する必要がある。そのような樹脂層34には、その上へ反射層35を形成するべく、反射材料層の一部をエッチングによって除去した場合に、エッチング残渣を生じ易い。また、樹脂層34の算術平均高さSを過剰に大きくすると、このエッチングの際にマスクとして利用する保護レジストの剥離性が低下する。 The arithmetic mean height S a of the portion of the reflective layer 35 that covers the upper surface of the resin layer 34 and the portion that covers the side wall of the second through hole provided in the resin layer 34 is not excessively large. is desirable. In order to form the reflective layer 35 with a large arithmetic mean height S a of these portions, it is necessary to form a resin layer 34 with a large arithmetic mean height S a . In such a resin layer 34, when a portion of the reflective material layer is removed by etching in order to form the reflective layer 35 thereon, etching residue is likely to be generated. Furthermore, if the arithmetic mean height S a of the resin layer 34 is excessively increased, the removability of the protective resist used as a mask during this etching will be reduced.

また、表示装置1Aでは、ブラックマトリクス基板3は、第2貫通孔が設けられた樹脂層34とこれを被覆した反射層35とからなる隔壁層を含んでいる。貫通孔を有している樹脂層とこれを被覆した金属層とを含んだ隔壁層をブラックマトリクス基板に設けた構造は、LED基板とブラックマトリクス基板との貼り合わせ前におけるLED基板のリペアに有利である。これについて、以下に説明する。 Further, in the display device 1A, the black matrix substrate 3 includes a partition layer consisting of a resin layer 34 provided with a second through hole and a reflective layer 35 covering the resin layer 34. The structure in which a black matrix substrate is provided with a partition layer including a resin layer having through holes and a metal layer covering the resin layer is advantageous for repairing the LED substrate before bonding the LED substrate and the black matrix substrate. It is. This will be explained below.

マイクロLEDディスプレイの輝度を向上させるためには、発光ダイオードを隔てる隔壁の反射率を高くすることが有効である。また、隣接画素間における混色を防止するためには、隔壁の遮光性を高くする必要がある。以上から、高い反射率と遮光性を両立した隔壁が求められている。 In order to improve the brightness of a micro LED display, it is effective to increase the reflectance of the partition walls that separate the light emitting diodes. Furthermore, in order to prevent color mixing between adjacent pixels, it is necessary to increase the light-shielding properties of the partition walls. For these reasons, there is a need for partition walls that have both high reflectance and light-blocking properties.

隔壁を含んだ隔壁層に、貫通孔を有する樹脂層上に反射層を形成した構造を採用すると、製造の容易さ、高い反射率、及び高い遮光性を達成できる。 When a structure in which a reflective layer is formed on a resin layer having through-holes is adopted as a partition layer including partition walls, ease of manufacture, high reflectance, and high light-shielding properties can be achieved.

貫通孔を有する樹脂層を形成するには、露光及び現像工程を含む周知のフォトリソグラフィを利用することが望ましい。しかしながら、高低差が大きな凹凸を表面に有しているLED基板には、フォトレジストを均一に成膜することが難しい。また、樹脂層を形成する際に、フォトレジスト塗布及び現像などの溶液が触れる工程でLED基板に不良が生じる虞がある。 In order to form a resin layer having through-holes, it is desirable to use well-known photolithography including exposure and development steps. However, it is difficult to uniformly form a photoresist on an LED substrate whose surface has irregularities with large height differences. Furthermore, when forming the resin layer, there is a risk that defects may occur in the LED substrate during steps such as photoresist coating and development that come into contact with a solution.

上記問題点を解決するために、発光ダイオード上に保護膜を形成することもできる。しかしながら、保護膜を形成した後に発光ダイオードに不良が見つかった場合、LED基板のリペアができなくなり、結果として歩留まりを低下させる要因となる。 In order to solve the above problems, a protective film can also be formed on the light emitting diode. However, if a defect is found in the light emitting diode after the protective film is formed, the LED substrate cannot be repaired, resulting in a reduction in yield.

貫通孔を有している樹脂層とこれを被覆した金属層とを含んだ隔壁層をブラックマトリクス基板に設けた場合、高さが大きな隔壁をLED基板に形成する必要がなく、場合によっては、LED基板から隔壁を省略することができる。それ故、歩留まりを低下させることなしに、製造の容易さ、高い反射率、及び高い遮光性を達成できる。 When a partition layer including a resin layer having through holes and a metal layer covering the resin layer is provided on a black matrix substrate, there is no need to form large partition walls on the LED substrate, and in some cases, The partition wall can be omitted from the LED board. Therefore, ease of manufacture, high reflectance, and high light shielding properties can be achieved without reducing yield.

<2>第2実施形態
図5は、本発明の第2実施形態に係る表示装置の一部を示す断面図である。
図5に示す表示装置1Bは、以下の構成を採用したこと以外は、上述した表示装置1Aと同様である。即ち、表示装置1Bは、調光装置2Aの代わりに、Z方向へ各々が伸びた1以上の貫通孔が設けられていること以外は調光装置2Aと同様の調光装置2Bを含んでいる。また、表示装置1Bは、放熱体5及び伝熱体を更に含んでいる。
<2> Second Embodiment FIG. 5 is a sectional view showing a part of a display device according to a second embodiment of the present invention.
The display device 1B shown in FIG. 5 is the same as the display device 1A described above except that the following configuration is adopted. That is, the display device 1B includes a light control device 2B that is similar to the light control device 2A except that one or more through holes each extending in the Z direction are provided instead of the light control device 2A. . In addition, the display device 1B further includes a heat radiator 5 and a heat conductor.

放熱体5は、調光装置2Aとブラックマトリクス基板3と接着層4との積層体の外部に位置している。ここでは、放熱体5は、調光装置2B及び接着層4を間に挟んでブラックマトリクス基板3と向き合うように設けられた裏面放熱体である。より具体的には、放熱体5は、ここでは、調光装置2B上に設けられた裏面放熱層である。 The heat sink 5 is located outside the laminate of the light control device 2A, the black matrix substrate 3, and the adhesive layer 4. Here, the heat radiator 5 is a back heat radiator provided so as to face the black matrix substrate 3 with the light control device 2B and the adhesive layer 4 interposed therebetween. More specifically, the heat dissipation body 5 is a back heat dissipation layer provided on the light control device 2B here.

放熱体5は、高熱伝導性材料からなる。高熱伝導性材料は、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀、チタン、モリブデン、タンタル、タングステン、及びニオブなどの金属;これら金属の1以上を含んだ合金;炭化タングステンなどのカーバイド;グラファイト、グラフェン、カーボンナノチューブ、及びダイヤモンドなどの炭素材料;その他の絶縁性セラミック;又は、それらの1以上を含んだ複合材である。放熱体5は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The heat sink 5 is made of a highly thermally conductive material. Highly thermally conductive materials include, for example, metals such as copper, aluminum, iron, silver, titanium, molybdenum, tantalum, tungsten, and niobium; alloys containing one or more of these metals; carbides such as tungsten carbide; graphite, graphene, Carbon materials such as carbon nanotubes and diamonds; other insulating ceramics; or composite materials containing one or more of them. The heat sink 5 may have a single layer structure or a multilayer structure.

放熱体5は、表面が平坦である。表面が平坦な放熱体5は、例えば、調光装置2A上への成膜によって形成することができる。或いは、表面が平坦な放熱体5は、調光装置2Bへ貼り付けることにより、調光装置B上へ設けることができる。表面が平坦な放熱体5は、放熱体5の形成又は放熱体5の調光装置2B上への設置が容易である。 The heat sink 5 has a flat surface. The heat sink 5 having a flat surface can be formed by, for example, forming a film on the light control device 2A. Alternatively, the heat sink 5 having a flat surface can be provided on the light control device B by pasting it on the light control device 2B. The heat radiator 5 having a flat surface is easy to form or install on the light control device 2B.

放熱体5は、表面が凹凸を有していてもよい。例えば、放熱体5は、表面に複数のフィン又はピンを有していてもよい。そのような放熱体5は、表面積が大きく、放熱性に優れている。 The heat sink 5 may have an uneven surface. For example, the heat sink 5 may have a plurality of fins or pins on its surface. Such a heat sink 5 has a large surface area and is excellent in heat dissipation.

放熱体5の見かけ上の面積SRB(凹凸を考慮しない面積)と調光装置2Aの裏面の面積Sとの比SRB/Sは、0.05以上であることが好ましく、0.5以上であることがより好ましい。比SRB/Sを大きくするほど、放熱性が高まる。なお、比SRB/Sの上限値は、例えば1である。比SRB/Sは、1よりも大きくてもよい。 The ratio S RB /S B of the apparent area S RB of the heat sink 5 (area not taking into account irregularities) and the area S B of the back surface of the light control device 2A is preferably 0.05 or more, and 0.05 or more. More preferably, it is 5 or more. The larger the ratio S RB /S B is, the higher the heat dissipation is. Note that the upper limit value of the ratio S RB /S B is, for example, 1. The ratio S RB /S B may be greater than 1.

放熱体5の最小厚さは、50μm以上であることが好ましく、500μm以上であることがより好ましい。放熱体5の最小厚さを大きくすると、放熱体5の熱容量が大きくなるとともに、放熱体5の熱抵抗が小さくなる。放熱体5の最小厚さに上限値がないが、放熱体5の最小厚さを大きくすると、表示装置1Bが厚くなる。この観点では、放熱体5の最小厚さは、5mm以下であることが好ましい。 The minimum thickness of the heat sink 5 is preferably 50 μm or more, more preferably 500 μm or more. When the minimum thickness of the heat sink 5 is increased, the heat capacity of the heat sink 5 increases, and the thermal resistance of the heat sink 5 decreases. Although there is no upper limit to the minimum thickness of the heat sink 5, if the minimum thickness of the heat sink 5 is increased, the display device 1B becomes thicker. From this point of view, it is preferable that the minimum thickness of the heat sink 5 is 5 mm or less.

伝熱体は、上記積層体の内部に設けられている。伝熱体は、反射層35から放熱体5へ熱を導く。 The heat transfer body is provided inside the laminate. The heat transfer body guides heat from the reflective layer 35 to the heat dissipation body 5.

伝熱体は、ここでは、主伝熱体29及び補助伝熱体6からなる。また、ここでは、伝熱体は、少なくとも部分的に調光装置2Bの貫通孔内に位置している。 The heat transfer body here consists of a main heat transfer body 29 and an auxiliary heat transfer body 6. Moreover, here, the heat transfer body is located at least partially within the through hole of the light control device 2B.

具体的には、主伝熱体29は、調光装置2Bに設けられた貫通孔を充填した高熱伝導性材料からなる。主伝熱体29は、調光装置2Bに設けられた貫通孔の側壁を高熱伝導性材料で被覆したものであってもよい。主伝熱体29は、反射層35から放熱体5への伝熱を促進する。 Specifically, the main heat transfer body 29 is made of a highly thermally conductive material that fills a through hole provided in the light control device 2B. The main heat transfer body 29 may be one in which the side wall of a through hole provided in the light control device 2B is coated with a highly thermally conductive material. The main heat transfer body 29 promotes heat transfer from the reflective layer 35 to the heat dissipation body 5 .

補助伝熱体6は、主伝熱体29と反射層35との間に設置されている。補助伝熱体6は、高熱伝導性材料からなる。補助伝熱体6は、反射層35から主伝熱体29への伝熱を促進する。補助伝熱体6は、省略することができる。 The auxiliary heat transfer body 6 is installed between the main heat transfer body 29 and the reflective layer 35. The auxiliary heat transfer body 6 is made of a highly thermally conductive material. The auxiliary heat transfer body 6 promotes heat transfer from the reflective layer 35 to the main heat transfer body 29. The auxiliary heat transfer body 6 can be omitted.

主伝熱体29及び補助伝熱体6は、上記の通り、高熱伝導性材料からなる。高熱伝導性材料としては、例えば、放熱体5について例示したものを使用することができる。主伝熱体29及び補助伝熱体6の各々は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。 The main heat transfer body 29 and the auxiliary heat transfer body 6 are made of a highly thermally conductive material as described above. As the highly thermally conductive material, for example, those exemplified for the heat sink 5 can be used. Each of the main heat transfer body 29 and the auxiliary heat transfer body 6 may have a single layer structure or a multilayer structure.

この表示装置1Bでは、発光素子25が主な発熱源である。発光素子25において生じた熱の他の一部は、表示装置1Aと同様に、ブラックマトリクス基板3を介して、外気へと放熱される。発光素子25において生じた熱の他の一部は、反射層35及び伝熱体を介して、上記積層体の外部に設置された放熱体5へと導かれる。それ故、この表示装置1Bは、上記積層体の内部に熱が更に蓄積し難く、放熱性に特に優れている。 In this display device 1B, the light emitting element 25 is the main heat source. The other part of the heat generated in the light emitting element 25 is radiated to the outside air via the black matrix substrate 3, similarly to the display device 1A. Another part of the heat generated in the light emitting element 25 is guided to the heat sink 5 installed outside the laminate via the reflective layer 35 and the heat transfer body. Therefore, this display device 1B is less likely to accumulate heat inside the laminate, and is particularly excellent in heat dissipation.

また、表示装置1Bでは、放熱体5を裏面に設けているため、放熱体5が表示を妨げることがない。それ故、放熱体5には、様々な構造を採用することができる。 Furthermore, in the display device 1B, since the heat sink 5 is provided on the back surface, the heat sink 5 does not interfere with display. Therefore, various structures can be adopted for the heat sink 5.

更に、表示装置1Bにおいても、貫通孔を有している樹脂層とこれを被覆した金属層とを含んだ隔壁層をブラックマトリクス基板に設けているので、高さが大きな隔壁をLED基板に形成する必要がなく、場合によっては、LED基板から隔壁を省略することができる。それ故、歩留まりを低下させることなしに、製造の容易さ、高い反射率、及び高い遮光性を達成できる。 Furthermore, in the display device 1B, a partition layer including a resin layer having through holes and a metal layer covering the resin layer is provided on the black matrix substrate, so a large partition wall can be formed on the LED substrate. In some cases, the partition wall can be omitted from the LED board. Therefore, ease of manufacture, high reflectance, and high light shielding properties can be achieved without reducing yield.

<3>変形例
上述した表示装置及びブラックマトリクス基板には、以下に例示するように、様々な変形が可能である。
<3> Modifications Various modifications can be made to the display device and black matrix substrate described above, as exemplified below.

例えば、表示装置1Bにおいて、反射層35と放熱体5とを熱的に接続する伝熱体は、調光装置2Bとブラックマトリクス基板3と接着層4との積層体の外部に少なくとも部分的に位置するように設けてもよい。例えば、伝熱体は、上記積層体の端面上に設けてもよい。 For example, in the display device 1B, the heat transfer body that thermally connects the reflective layer 35 and the heat dissipation body 5 is at least partially located outside the laminate of the light control device 2B, the black matrix substrate 3, and the adhesive layer 4. You may provide it so that it may be located. For example, the heat transfer body may be provided on the end face of the laminate.

或いは、表示装置1Aは、放熱体として、透明基板31の第2主面上に設けられ、ブラックマトリクス32に設けられた第1貫通孔の位置で開口している前面放熱層を更に含んでいてもよい。この場合、表示装置1Aは、反射層35と前面放熱層とを熱的に接続する伝熱体を更に含んでいてもよい。伝熱体は、調光装置2Aとブラックマトリクス基板3と接着層4との積層体の内部に設けてもよく、この積層体の外部に少なくとも部分的に位置するように設けてもよい。 Alternatively, the display device 1A further includes a front heat dissipation layer as a heat dissipation body, which is provided on the second main surface of the transparent substrate 31 and is open at the position of the first through hole provided in the black matrix 32. Good too. In this case, the display device 1A may further include a heat conductor that thermally connects the reflective layer 35 and the front heat dissipation layer. The heat transfer body may be provided inside the laminate of the light control device 2A, the black matrix substrate 3, and the adhesive layer 4, or may be provided at least partially outside the laminate.

表示装置を含んだ電子機器では、通常、表示装置は、その前面が電子機器の外部へ露出するとともに、その裏面が筐体の内部空間と隣接するように筐体に設置される。それ故、放熱体として前面放熱層を設けた表示装置1Aは、電子機器に搭載した場合に、放熱体と外気との間での熱交換を生じ易い。 In an electronic device including a display device, the display device is usually installed in a casing so that the front surface of the display device is exposed to the outside of the electronic device and the back surface is adjacent to the internal space of the casing. Therefore, when the display device 1A provided with a front heat dissipation layer as a heat dissipation body is mounted on an electronic device, heat exchange is likely to occur between the heat dissipation body and the outside air.

表示装置1Bも、上述した前面放熱層を更に含んでいてもよい。この場合、表示装置1Bは、反射層35と前面放熱層とを熱的に接続する伝熱体を更に含んでいてもよい。 The display device 1B may also further include the above-described front heat dissipation layer. In this case, the display device 1B may further include a heat conductor that thermally connects the reflective layer 35 and the front heat dissipation layer.

調光装置2A及び2B等に設ける回路には、図2とは異なる構成を採用することができる。
例えば、映像信号線ドライバVDRは、映像信号線VSLへ映像信号として電流信号を供給するものであってもよい。この場合、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBの各々は、映像信号を書き込む書込期間においては、駆動制御素子DRのゲート-ソース間電圧がこの電流信号に対応した値に設定され、発光期間においては、上記ゲート-ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流を発光素子Dへ流すように構成してもよい。また、調光装置2A及び2Bには、アクティブマトリクス駆動方式により画像を表示するための回路を採用する代わりに、パッシブマトリクス駆動方式により画像を表示するための回路を採用してもよい。
A configuration different from that shown in FIG. 2 can be adopted for the circuit provided in the light control devices 2A, 2B, etc.
For example, the video signal line driver VDR may supply a current signal as a video signal to the video signal line VSL. In this case, in each of the first sub-pixel PXR, the second sub-pixel PXG, and the third sub-pixel PXB, during the write period in which the video signal is written, the gate-source voltage of the drive control element DR is equal to this current signal. It may be set to a corresponding value, and a drive current having a magnitude corresponding to the gate-source voltage may be caused to flow through the light emitting element D during the light emitting period. Furthermore, instead of employing a circuit for displaying an image using an active matrix drive method, a circuit for displaying an image using a passive matrix drive method may be employed in the light control devices 2A and 2B.

発光素子25として、青色発光ダイオードを使用する代わりに、紫外発光ダイオードを使用してもよい。この場合、充填層36Bは、第3サブ画素PXBの発光素子25が射出した光を、第1光及び第2光とは色が異なる第3光へと変換する波長変換層である。例えば、第1波長変換層36R、第2波長変換層36G、及び充填層36Bは、発光素子25が射出した紫外光を、それぞれ、赤色光、緑色光及び青色光へと変換する。 Instead of using a blue light emitting diode as the light emitting element 25, an ultraviolet light emitting diode may be used. In this case, the filling layer 36B is a wavelength conversion layer that converts the light emitted by the light emitting element 25 of the third sub-pixel PXB into third light having a different color from the first light and the second light. For example, the first wavelength conversion layer 36R, the second wavelength conversion layer 36G, and the filling layer 36B convert the ultraviolet light emitted by the light emitting element 25 into red light, green light, and blue light, respectively.

発光素子25として、単一種類の発光ダイオードを使用する代わりに、複数種類の発光ダイオードを使用してもよい、例えば、第1サブ画素PXR、第2サブ画素PXG、及び第3サブ画素PXBにおいて、赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードをそれぞれ使用してもよい。この場合、第1着色層33R及び第2着色層33Gの代わりに、下地層33Bについて上述したのと同様の層を設け、第1波長変換層36R及び第2波長変換層36Gの代わりに、充填層36Bについて上述したのと同様の層を設けてもよい。 Instead of using a single type of light emitting diode as the light emitting element 25, multiple types of light emitting diodes may be used, for example, in the first subpixel PXR, the second subpixel PXG, and the third subpixel PXB. , a red light emitting diode, a green light emitting diode and a blue light emitting diode, respectively. In this case, a layer similar to that described above for the base layer 33B is provided instead of the first colored layer 33R and the second colored layer 33G, and a filling layer is provided instead of the first wavelength conversion layer 36R and the second wavelength conversion layer 36G. Layers similar to those described above for layer 36B may be provided.

上記の表示装置はカラー画像の表示が可能であるが、表示装置は、モノクローム画像を表示するものであってもよい。例えば、表示装置1Aにおいて、第1サブ画素PXR及び第2サブ画素PXGを省略し、発光素子25として青色発光ダイオードを使用し、充填層36Bを、青色光を黄色光へ変換する波長変換層とする。充填層36Bが、これに入射した青色光の一部を黄色光へ変換し、残りを透過させる場合、青色と黄色との加法混色による白色の表示が可能である。 Although the display device described above is capable of displaying a color image, the display device may also display a monochrome image. For example, in the display device 1A, the first sub-pixel PXR and the second sub-pixel PXG are omitted, a blue light emitting diode is used as the light emitting element 25, and the filling layer 36B is a wavelength conversion layer that converts blue light into yellow light. do. When the filling layer 36B converts a portion of the blue light incident thereon into yellow light and transmits the rest, it is possible to display white by additive color mixing of blue and yellow.

ブラックマトリクス基板は、ブラックマトリクス32と樹脂層34との間に介在したオーバーコート層を更に含んでいてもよい。オーバーコート層は、透明樹脂と、紫外線吸収剤、イエロー顔料及び透明粒子の1以上とを含むことができる。紫外線吸収剤を含んだオーバーコート層は、樹脂層34へ入射した迷光が紫外光である場合に、これを吸収し得る。 The black matrix substrate may further include an overcoat layer interposed between the black matrix 32 and the resin layer 34. The overcoat layer can include a transparent resin and one or more of a UV absorber, a yellow pigment, and transparent particles. The overcoat layer containing an ultraviolet absorber can absorb ultraviolet light when the stray light incident on the resin layer 34 is ultraviolet light.

有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの、マイクロLEDディスプレイ以外の表示装置であってもよい。但し、表示装置は、発光素子を含んでいることが好ましい。 Display devices other than micro LED displays may also be used, such as organic electroluminescent displays. However, it is preferable that the display device includes a light emitting element.

1A…表示装置、1B…表示装置、2A…調光装置、2B…調光装置、3…ブラックマトリクス基板、4…接着層、5…放熱体、6…補助伝熱体、21…基板、22…半導体層、23A…導体層、23B…導体層、23C…導体層、23D…導体層、24A…絶縁層、24B…絶縁層、24C…絶縁層、25…発光素子、26…隔壁層、27…充填層、28…導体層、29…主伝熱体、31…透明基板、32…ブラックマトリクス、33B…下地層、33G…第2着色層、33R…第1着色層、34…樹脂層、35…反射層、36B…充填層、36G…第2波長変換層、36R…第1波長変換層、251…第1層、252…第2層、253…第3層、C…キャパシタ、D…発光素子、DR…駆動制御素子、PSL…電源線、PX…画素、PXB…第3サブ画素、PXG…第2サブ画素、PXR…第1サブ画素、SDR…走査信号線ドライバ、SSL…走査信号線、SW…スイッチ、VDR…映像信号線ドライバ、VSL…映像信号線。
1A...Display device, 1B...Display device, 2A...Dimmer, 2B...Dimmer, 3...Black matrix substrate, 4...Adhesive layer, 5...Heat radiator, 6...Auxiliary heat transfer body, 21...Substrate, 22 ... Semiconductor layer, 23A... Conductor layer, 23B... Conductor layer, 23C... Conductor layer, 23D... Conductor layer, 24A... Insulating layer, 24B... Insulating layer, 24C... Insulating layer, 25... Light emitting element, 26... Partition layer, 27 ...Filled layer, 28...Conductor layer, 29...Main heat transfer body, 31...Transparent substrate, 32...Black matrix, 33B...Underlayer, 33G...Second colored layer, 33R...First colored layer, 34...Resin layer, 35... Reflection layer, 36B... Filling layer, 36G... Second wavelength conversion layer, 36R... First wavelength conversion layer, 251... First layer, 252... Second layer, 253... Third layer, C... Capacitor, D... Light emitting element, DR...drive control element, PSL...power supply line, PX...pixel, PXB...third sub-pixel, PXG...second sub-pixel, PXR...first sub-pixel, SDR...scanning signal line driver, SSL...scanning signal line, SW...switch, VDR...video signal line driver, VSL...video signal line.

Claims (13)

第1主面及び第2主面を有している透明基板と、
前記第1主面上に設けられ、複数の第1貫通孔を有しているブラックマトリクスと、
前記ブラックマトリクス上に設けられ、前記複数の第1貫通孔の位置に複数の第2貫通孔をそれぞれ有している樹脂層と、
前記複数の第2貫通孔の各々の側壁と前記樹脂層の上面とを少なくとも部分的に被覆した反射層と
を含み、
前記反射層のうち前記上面を被覆した部分は、算術平均高さSが40乃至650nmの範囲内にあり、クルトシスSkuが3以上であるブラックマトリクス基板。
a transparent substrate having a first main surface and a second main surface;
a black matrix provided on the first main surface and having a plurality of first through holes;
a resin layer provided on the black matrix and having a plurality of second through holes at the positions of the plurality of first through holes, respectively;
a reflective layer that at least partially covers the side walls of each of the plurality of second through holes and the upper surface of the resin layer;
A black matrix substrate in which a portion of the reflective layer that covers the upper surface has an arithmetic mean height S a in a range of 40 to 650 nm and a kurtosis S ku of 3 or more.
前記反射層のうち前記側壁を被覆した部分は、算術平均高さSが40乃至650nmの範囲内にあり、クルトシスSkuが3以上である請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 The black matrix substrate according to claim 1, wherein the portion of the reflective layer that covers the side wall has an arithmetic mean height S a in a range of 40 to 650 nm and a kurtosis S ku of 3 or more. 前記反射層は、前記ブラックマトリクスを部分的に更に被覆した請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 The black matrix substrate according to claim 1, wherein the reflective layer further partially covers the black matrix. 前記複数の第2貫通孔の少なくとも一部の中にそれぞれ設けられた複数の波長変換層を更に含んだ請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 The black matrix substrate according to claim 1, further comprising a plurality of wavelength conversion layers each provided in at least a portion of the plurality of second through holes. 前記複数の第1貫通孔の少なくとも一部の位置にそれぞれ配置された複数の着色層を含んだカラーフィルタを更に含んだ請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 2. The black matrix substrate according to claim 1, further comprising a color filter including a plurality of colored layers disposed at at least some positions of the plurality of first through holes. 前記反射層は、金属又は合金からなる層を含んだ請求項1に記載のブラックマトリクス基板。 The black matrix substrate according to claim 1, wherein the reflective layer includes a layer made of metal or an alloy. 請求項1乃至6の何れか1項に記載のブラックマトリクス基板と、
前記第1主面と向き合うように設置された調光装置と、
前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置との間に介在して、それらを貼り合わせた接着層と
を備えた表示装置。
A black matrix substrate according to any one of claims 1 to 6,
a light control device installed to face the first main surface;
A display device comprising: an adhesive layer interposed between the black matrix substrate and the light control device to bond them together.
前記ブラックマトリクス基板と前記調光装置と前記接着層との積層体の外部に位置した放熱体と、
前記反射層から前記放熱体へ熱を導く伝熱体と
を更に備えた請求項7に記載の表示装置。
a heat sink located outside the laminate of the black matrix substrate, the light control device, and the adhesive layer;
The display device according to claim 7, further comprising a heat transfer body that guides heat from the reflective layer to the heat radiator.
前記放熱体は、前記調光装置及び前記接着層を間に挟んで前記ブラックマトリクス基板と向き合うように設けられた裏面放熱体を含んだ請求項8に記載の表示装置。 9. The display device according to claim 8, wherein the heat radiator includes a back heat radiator provided to face the black matrix substrate with the light control device and the adhesive layer interposed therebetween. 前記裏面放熱体は、前記調光装置上に設けられた裏面放熱層である請求項9に記載の表示装置。 The display device according to claim 9, wherein the back heat radiator is a back heat radiator layer provided on the light control device. 前記調光装置には1以上の貫通孔が設けられ、前記伝熱体は、少なくとも部分的に前記1以上の貫通孔内に位置した請求項9に記載の表示装置。 The display device according to claim 9, wherein the light control device is provided with one or more through holes, and the heat transfer body is located at least partially within the one or more through holes. 前記調光装置は複数の発光素子を含んだ請求項7に記載の表示装置。 The display device according to claim 7, wherein the light control device includes a plurality of light emitting elements. 前記調光装置は複数の発光ダイオードを含んだ請求項7に記載の表示装置。 The display device according to claim 7, wherein the light control device includes a plurality of light emitting diodes.
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