JP7442336B2 - 高誘電率及び高絶縁破壊電界強度を有する誘電体薄膜を含む金属-ポリマーコンデンサー - Google Patents
高誘電率及び高絶縁破壊電界強度を有する誘電体薄膜を含む金属-ポリマーコンデンサー Download PDFInfo
- Publication number
- JP7442336B2 JP7442336B2 JP2020024409A JP2020024409A JP7442336B2 JP 7442336 B2 JP7442336 B2 JP 7442336B2 JP 2020024409 A JP2020024409 A JP 2020024409A JP 2020024409 A JP2020024409 A JP 2020024409A JP 7442336 B2 JP7442336 B2 JP 7442336B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanoparticles
- polymer
- core
- polymeric material
- nanoparticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims description 91
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 38
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title description 11
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 183
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 26
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 15
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 claims description 12
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 claims description 12
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 10
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 8
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 claims description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 8
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 8
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 claims description 4
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007762 w/o emulsion Substances 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 13
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 6
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical class [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical compound FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 2
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 239000007970 homogeneous dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 2
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920000131 polyvinylidene Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011127 biaxially oriented polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229920001688 coating polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000039 congener Substances 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000008241 heterogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012429 reaction media Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/14—Organic dielectrics
- H01G4/18—Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
- H01G4/206—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06 inorganic and synthetic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
Description
- 寄生抵抗及び寄生インダクタンスを抑えるために、回路のできるだけ近くに、すなわち、できるだけ最短の接続距離で接続されなければならず、
- 例えば、回路と垂直に配置して、モジュールに集積化できるように、非常に薄くなければならず(<1mm)、
- 高い絶縁破壊電圧(≧200MV/m)を有さなければならず、
- 高い誘電率(≧50)を有さなければならず、
- 低い電気損失(<10-2)を有さなければならず、
- 良好な温度安定性(少なくとも、100℃まで)を有さなければならない。
- コア-シェル構造ナノ粒子であり、ナノ粒子のコアが金属であり、シェルが無機炭素質材料でできた第1の層と第1のポリマー材料でできた第2の層とを含み、ナノ粒子の最大直径とナノ粒子の最小直径の比が5以下、好ましくは3以下である、コア-シェル構造ナノ粒子と、
- ナノ粒子が分散している、無機マトリックス又は第2のポリマー材料でできたマトリックスと
を含む、コンデンサーに関する。
i.溶液を用意する工程であり、溶液が、
- 溶媒と、
- コア/シェル構造ナノ粒子であり、ナノ粒子のコアが金属であり、シェルが炭素質材料でできた第1の層と第1のポリマー材料でできた第2の層とを含む、コア/シェル構造ナノ粒子と、
- 溶解された第2のポリマー材料又は第2のポリマー材料の前駆体と
を含む、工程と、
ii. 場合により、第2のポリマー材料の前駆体を重合させる工程と、
iii. 電極に該溶液を堆積させる工程と
を含む、方法にも関する。
a)有機相に分散した水性相の液滴を含む油中水型ミニエマルションを調製する工程と、
b)炭素質材料のシェルで被覆された金属コアを含むナノ粒子を添加し、それによって、液滴に閉じ込められたナノ粒子を得る工程と、
c)第1のポリマー材料の前駆体モノマーを添加する工程と、
d)重合開始剤を添加する工程と
によって得られ、
このとき、モノマーと重合開始剤とを添加することにより、モノマーの重合がもたらされ、それによって、有機相に分散した、第1のポリマー材料の層で被覆されたナノ粒子が得られる。
- 炭素質材料でできた第1の層と、
- 第1のポリマー材料でできた第2の層と
を含む。
i.溶液を用意する工程であって、溶液が、
- 溶媒と、
- コア/シェル構造ナノ粒子20であり、ナノ粒子のコア21が金属であり、シェルが炭素質材料でできた第1の層22と第1のポリマー材料でできた第2の層23とを含み、ナノ粒子20が低多分散度を有する、コア/シェル構造ナノ粒子と、
- 溶解された第2のポリマー材料又は第2のポリマー材料の前駆体と
を含む、工程と、
ii. 電極に該溶液を堆積させる工程と、
iii. 場合により、第2のポリマー材料の前駆体を重合させる工程と
を含む方法で製造することができる。
a)有機相に分散した水性相の液滴を含む油中水型ミニエマルションを調製する工程と、
b)炭素質材料22のシェルで被覆された金属コア21を含むナノ粒子20を添加し、それによって、液滴に閉じ込められたナノ粒子20を得る工程と、
c)第1のポリマー材料の前駆体モノマーを添加する工程と、
d)重合開始剤を添加する工程と
によって得られ、このとき、モノマーと重合開始剤とを接触させることによって、モノマーの重合がもたらされ、それによって、有機相に分散した、第1のポリマー材料の層23で被覆されたナノ粒子20が得られる。
Ni/グラフェン/PSナノ粒子20をミニエマルション法により調製した。これらのナノ粒子を含む溶液に、高分子量ポリスチレン(PS)を添加する。
21 金属コア、コア
22 コーティング、シェル、炭素質シェル、炭素質材料でできた第1の層、炭素質材料のシェル、無機炭素質材料でできた第1の層
23 ポリマーの層、ポリマー材料の層、薄層、第1のポリマー材料でできた第2の層、第1のポリマー材料の層、第2の層
40 誘電体薄膜、ナノ複合体誘電体薄膜
50 マトリックス、ポリマーマトリックス
60 電気絶縁性ナノ粒子
100 基板、シリコン基板、
101 第1の電極、下部電極、第1の金電極
102 第2の電極、上部電極
110 誘電体薄膜
Claims (17)
- 第1の電極(101)と第2の電極(102)との間に配置された誘電体薄膜(40)を含む金属-ポリマーコンデンサーであって、
誘電体薄膜(40)が、
コア-シェル構造ナノ粒子(20)であって、ナノ粒子のコア(21)が金属であり、シェルが無機炭素質材料でできた第1の層(22)と第1のポリマー材料でできた第2の層(23)とを含み、ナノ粒子(20)の最大直径とナノ粒子(20)の最小直径の比が5以下である、コア-シェル構造ナノ粒子と、
ナノ粒子(20)が分散しているマトリックス(50)であって、無機マトリックス又は第2のポリマー材料でできたマトリックスである、マトリックスと
を含み、
誘電体薄膜(40)中のナノ粒子(20)の体積百分率が、0.01%~10%であることを特徴とする、コンデンサー。 - 無機炭素質材料が、組織化二次元炭素であることを特徴とする、請求項1に記載のコンデンサー。
- ナノ粒子のコア(21)が、コバルト、鉄、ニッケル、銅、銀、又は金でできていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のコンデンサー。
- 第1のポリマー材料が、ポリスチレン、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリウレタン、ポリアクリル酸、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、及びピレン基を有するポリマーの中から選択されることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載のコンデンサー。
- 誘電体薄膜(40)が、電気絶縁性ナノ粒子(60)を含むことを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載のコンデンサー。
- 電気絶縁性ナノ粒子(60)が、金属酸化物、炭化ケイ素、ダイヤモンド、又は六方晶窒化ホウ素でできていることを特徴とする、請求項5に記載のコンデンサー。
- 電気絶縁性ナノ粒子(60)が、ナノ粒子のシェル中にあることを特徴とする、請求項5又は6に記載のコンデンサー。
- 電気絶縁性ナノ粒子(60)が、ポリマーマトリックス中にあることを特徴とする、請求項5から7のいずれか一項に記載のコンデンサー。
- 誘電体薄膜が、コア/シェル構造ナノ粒子(20)と電気絶縁性ナノ粒子(60)とを交互に含むことを特徴とする、請求項8に記載のコンデンサー。
- コア/シェル構造ナノ粒子(20)及び電気絶縁性ナノ粒子(60)が、ポリマーマトリックス(50)中に無秩序に分散していることを特徴とする、請求項8に記載のコンデンサー。
- 第2のポリマー材料が、ポリエチレンテレフタレート、セルロースアセテート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアミド、ポリシロキサン、ポリスルホン、場合により芳香族であってよいポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、及びエポキシドの中から選択されることを特徴とする、請求項1から10のいずれか一項に記載のコンデンサー。
- 第2のポリマー材料が、紫外線に対して感光性の基を含むことを特徴とする、請求項1から11のいずれか一項に記載のコンデンサー。
- ナノ粒子(20)の最大直径とナノ粒子(20)の最小直径の比が、1.5未満であることを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載のコンデンサー。
- 請求項1から13のいずれか一項に記載の金属-ポリマーコンデンサーを製造する方法であって、
i. 溶液を用意する工程であって、溶液が、
溶媒と、
コア-シェル構造ナノ粒子(20)であって、ナノ粒子(20)のコア(21)が金属であり、シェルが炭素質材料でできた第1の層(22)と第1のポリマー材料でできた第2の層(23)とを含み、ナノ粒子(20)の最大直径とナノ粒子(20)の最小直径の比が5以下である、コア-シェル構造ナノ粒子(20)と、
溶解された第2のポリマー材料又は第2のポリマー材料の前駆体と
を含む、工程と、
ii. 場合により、第2のポリマー材料の前駆体を重合させる工程と、
iii. 電極(101)上に該溶液を堆積させる工程と
を含む、方法。 - 工程i)で用意されるコア/シェル構造ナノ粒子(20)が、
a)有機相中に分散した水性相の液滴を含む油中水型エマルションを調製する工程と、
b)炭素質材料(22)のシェルで被覆された金属コア(21)を含むナノ粒子(20)を添加し、それによって、液滴に閉じ込められたナノ粒子(20)を得る工程と、
c)第1のポリマー材料の前駆体モノマーを添加する工程と、
d)重合開始剤を添加する工程と
によって得られ、
モノマーと重合開始剤とを接触させることにより、モノマーの重合がもたらされ、それによって、有機相に分散した、第1のポリマー材料の層(23)で被覆されたナノ粒子(20)が得られることを特徴とする、請求項14に記載の方法。 - 電気絶縁性ナノ粒子(60)が、工程i)で添加されることを特徴とする、請求項14又は15に記載の方法。
- 電気絶縁性ナノ粒子(60)が、工程a)、b)、又はc)で添加されることを特徴とする、請求項15又は16に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1901600 | 2019-02-18 | ||
FR1901600A FR3092930B1 (fr) | 2019-02-18 | 2019-02-18 | Capacite metal-polymere comprenant un film dielectrique a forte constante dielectrique et a fort champ de claquage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020136680A JP2020136680A (ja) | 2020-08-31 |
JP7442336B2 true JP7442336B2 (ja) | 2024-03-04 |
Family
ID=67810664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020024409A Active JP7442336B2 (ja) | 2019-02-18 | 2020-02-17 | 高誘電率及び高絶縁破壊電界強度を有する誘電体薄膜を含む金属-ポリマーコンデンサー |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200265997A1 (ja) |
EP (1) | EP3696834B1 (ja) |
JP (1) | JP7442336B2 (ja) |
FR (1) | FR3092930B1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3092833B1 (fr) * | 2019-02-18 | 2021-07-16 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de nanoparticules hybrides metal/polymere a faible distribution de tailles par polymerisation en mini-emulsion |
CN113527826B (zh) * | 2021-06-04 | 2022-08-26 | 宁波大学 | 一种片状核壳结构掺杂聚偏氟乙烯共聚物的复合薄膜及其制备方法 |
CN113736195B (zh) * | 2021-09-03 | 2022-04-15 | 武汉理工大学 | 一种耐高温铁电聚合物基介电储能复合薄膜及其制备方法和应用 |
CN114121490A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-03-01 | 江苏科技大学 | 一种低损耗含氟聚合物多层介质膜、其制备方法及应用 |
CN115850544B (zh) * | 2022-12-21 | 2023-10-20 | 浙江工业大学 | Ag@PMMA纳米复合材料、其制备及PVDF基介电复合材料的制备方法 |
CN116082683B (zh) * | 2023-03-03 | 2023-08-18 | 哈尔滨理工大学 | 一种芴聚酯与聚丙烯酸乙酯-氯乙醚基全有机共混复合材料的制备方法及应用 |
CN117757147A (zh) * | 2023-12-15 | 2024-03-26 | 哈尔滨理工大学 | 一种核壳结构填料及其制备方法和在聚醚酰亚胺基储能复合介质薄膜中的应用 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105140028A (zh) | 2015-09-25 | 2015-12-09 | 安捷利(番禺)电子实业有限公司 | 一种高介电常数的埋入式电容的制备方法 |
US20170321018A1 (en) | 2016-05-03 | 2017-11-09 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Nanocomposite and method of producing same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5321001B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-10-23 | 富士通株式会社 | 構造体、キャパシタ、及びキャパシタの製造方法 |
-
2019
- 2019-02-18 FR FR1901600A patent/FR3092930B1/fr active Active
-
2020
- 2020-02-11 US US16/787,071 patent/US20200265997A1/en not_active Abandoned
- 2020-02-14 EP EP20157469.6A patent/EP3696834B1/fr active Active
- 2020-02-17 JP JP2020024409A patent/JP7442336B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105140028A (zh) | 2015-09-25 | 2015-12-09 | 安捷利(番禺)电子实业有限公司 | 一种高介电常数的埋入式电容的制备方法 |
US20170321018A1 (en) | 2016-05-03 | 2017-11-09 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Nanocomposite and method of producing same |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Yang Shen, Yuanhua Lin, Ce-Wen Nan,Interfacial Effect on Dielectric Properties of Polymer Nanocomposites Filled with Core/Shell-Structured Particles,ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS,2007年09月24日,Vol.17 No.14,第2405-2410頁 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3696834A1 (fr) | 2020-08-19 |
JP2020136680A (ja) | 2020-08-31 |
EP3696834B1 (fr) | 2024-04-03 |
FR3092930A1 (fr) | 2020-08-21 |
US20200265997A1 (en) | 2020-08-20 |
FR3092930B1 (fr) | 2021-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7442336B2 (ja) | 高誘電率及び高絶縁破壊電界強度を有する誘電体薄膜を含む金属-ポリマーコンデンサー | |
Pan et al. | High-energy-density polymer nanocomposites composed of newly structured one-dimensional BaTiO3@ Al2O3 nanofibers | |
Prateek et al. | Recent progress on ferroelectric polymer-based nanocomposites for high energy density capacitors: synthesis, dielectric properties, and future aspects | |
Andritsch | Epoxy based nanodielectrics for high voltage DC-applications: synthesis, dielectric properties and space charge dynamics | |
Wang et al. | Polymer nanocomposites for electrical energy storage | |
Dang et al. | High-permittivity polymer nanocomposites: Influence of interface on dielectric properties | |
US20100216928A1 (en) | Polymer particle composite having high fidelity order, size, and shape particles | |
Yang et al. | Enhancement of dielectric performance of polymer composites via constructing BaTiO3–Poly (dopamine)–Ag nanoparticles through mussel-inspired surface functionalization | |
Shen et al. | Surface‐modified barium titanate by MEEAA for high‐energy storage application of polymer composites | |
Huang et al. | Structure and performance of dielectric films based on self-assembled nanocrystals with a high dielectric constant | |
Dan et al. | Structure design boosts concomitant enhancement of permittivity, breakdown strength, discharged energy density and efficiency in all‐organic dielectrics | |
Li et al. | P (VDF-TrFE) ferroelectric nanotube array for high energy density capacitor applications | |
Li et al. | Electrostatically assisted fabrication of silver–dielectric core/shell nanoparticles thin film capacitor with uniform metal nanoparticle distribution and controlled spacing | |
Tong et al. | Influence of coupling agent on the microstructure and dielectric properties of free-standing ceramic-polymer composites | |
Che et al. | High‐Energy‐Density Waterborne Dielectrics from Polyelectrolyte‐Colloid Complexes | |
US20160260544A1 (en) | Flexible dielectric structure and method of making same | |
Che et al. | Inkjet Printing of All Aqueous Inks to Flexible Microcapacitors for High‐Energy Storage | |
Cao et al. | Core-shell structured Ag@ PDA nanowires and BT@ PDA nanoparticles for three-phase flexible polymer nanocomposites with excellent dielectric properties | |
Taroata et al. | High integration density capacitors directly integrated in a single copper layer of printed circuit boards | |
US11017917B2 (en) | Dielectric composite containing dispersed primary nanoparticles of aluminum or aluminum oxide | |
Yang et al. | Dielectric and Energy Storage Properties of Coupling Agent Modification of BT-PVDF Nanocomposite Films | |
Gong et al. | Enhancement of energy density in the BOPP-based sandwich-structured film by the synergistic effect of BaTiO3@ polyaniline hybrid dielectric fillers | |
US11097341B2 (en) | Method for manufacturing metal/polymer hybrid nanoparticles with narrow size distribution by miniemulsion polymerisation | |
Dang | Polymer nanocomposites with high permittivity | |
US11433648B2 (en) | Multilayered dielectric composites for high temperature applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7442336 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |