JP7422971B2 - 基材および関連する半導体デバイス構造の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積する方法 - Google Patents
基材および関連する半導体デバイス構造の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7422971B2 JP7422971B2 JP2019149002A JP2019149002A JP7422971B2 JP 7422971 B2 JP7422971 B2 JP 7422971B2 JP 2019149002 A JP2019149002 A JP 2019149002A JP 2019149002 A JP2019149002 A JP 2019149002A JP 7422971 B2 JP7422971 B2 JP 7422971B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molybdenum
- substrate
- metal film
- less
- molybdenum metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 129
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 127
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 88
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 23
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 104
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 64
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 63
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 57
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 52
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 50
- -1 molybdenum halide Chemical class 0.000 claims description 50
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 45
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 38
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 38
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 34
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 24
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 22
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CNRRZWMERIANGJ-UHFFFAOYSA-N chloro hypochlorite;molybdenum Chemical compound [Mo].ClOCl CNRRZWMERIANGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 5
- GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I molybdenum pentachloride Chemical compound Cl[Mo](Cl)(Cl)(Cl)Cl GICWIDZXWJGTCI-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 5
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GTVGLPJVORBGRY-UHFFFAOYSA-N [Mo].BrOBr Chemical compound [Mo].BrOBr GTVGLPJVORBGRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MDKDXDROOSZTMM-UHFFFAOYSA-N iodo hypoiodite molybdenum Chemical compound [Mo].IOI MDKDXDROOSZTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910015221 MoCl5 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 claims 1
- ASLHVQCNFUOEEN-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.O=[Mo]=O ASLHVQCNFUOEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 123
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003877 atomic layer epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWTIUUVUEKAHRM-UHFFFAOYSA-N germanium tin Chemical compound [Ge].[Sn] IWTIUUVUEKAHRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005898 GeSn Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAJBHOLJPAFYGK-UHFFFAOYSA-N [Sn].[Ge].[Si] Chemical compound [Sn].[Ge].[Si] KAJBHOLJPAFYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- XKLVLDXNZDIDKQ-UHFFFAOYSA-N butylhydrazine Chemical group CCCCNN XKLVLDXNZDIDKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004871 chemical beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- VXGHASBVNMHGDI-UHFFFAOYSA-N digermane Chemical compound [Ge][Ge] VXGHASBVNMHGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910000078 germane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QKKCMWPOASMDQR-UHFFFAOYSA-J molybdenum(4+);tetraiodide Chemical compound I[Mo](I)(I)I QKKCMWPOASMDQR-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- YPFBRNLUIFQCQL-UHFFFAOYSA-K tribromomolybdenum Chemical compound Br[Mo](Br)Br YPFBRNLUIFQCQL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
関連出願の相互参照
本出願は、以下の優先権を主張する：「Ｌａｙｅｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ」と題され、２０１７年８月３０日に出願された、米国非仮特許出願第１５／６９１，２４１号、「Ｌａｙｅｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ」と題され、２０１７年１２月１８日に出願された、米国仮特許出願第６２／６０７，０７０号；「Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ」と題され、２０１８年１月１９日に出願された、米国仮特許出願第６２／６１９，５７９号。
本出願は、以下の優先権を主張する：「Ｌａｙｅｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ」と題され、２０１７年８月３０日に出願された、米国非仮特許出願第１５／６９１，２４１号、「Ｌａｙｅｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄ」と題され、２０１７年１２月１８日に出願された、米国仮特許出願第６２／６０７，０７０号；「Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ」と題され、２０１８年１月１９日に出願された、米国仮特許出願第６２／６１９，５７９号。
本開示は、概して、基材の誘電材料表面上にモリブデン金属膜を堆積させる方法、および周期的堆積プロセスによって誘電材料の表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積するための特定の方法に関する。本開示はまた概して、誘電材料の表面上に直接配置されたモリブデン金属膜を含む半導体デバイス構造に関する。
先端技術ノードにおける半導体デバイス製造プロセスは一般に、例えば、タングステン金属膜および銅金属膜などの金属膜を形成するための最先端の堆積法を必要とする。
金属膜の堆積に対する共通要件は、堆積プロセスが極めて共形であることである。例えば、高アスペクト比特徴を含む三次元構造上に金属膜を均一に堆積するために、共形堆積が必要とされることが多い。金属膜の堆積に対する別の共通の要件は、堆積プロセスが、大きな基材領域の上に連続する超薄膜を堆積することができることである。金属膜が導電性である特定の場合において、堆積プロセスは、低電気抵抗性膜を生成するように最適化される必要があり得る。
先端的半導体デバイス用途で一般的に利用される低電気抵抗性金属膜は、タングステン（Ｗ）および／または銅（Ｃｕ）を含み得る。しかしながら、タングステン金属膜および銅金属膜は一般に、金属膜と誘電材料との間に配置された厚いバリア層を必要とする。厚いバリア層は、下にある誘電材料への金属種の拡散を防止するために利用されてもよく、それによって装置の信頼性および装置の歩留まりが改善される。しかしながら、厚いバリア層は一般に高い電気抵抗率を示し、そのため半導体デバイス構造の全体的な電気抵抗率の増加をもたらす。
例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）および周期的化学蒸着（ＣＣＶＤ）などの周期的堆積プロセスは、一つ以上の前駆体（反応物質）を反応チャンバに逐次的に導入し、そこで前駆体は逐次的に一度に一つずつ基板の表面と反応する。原子レベルの厚さ制御による優れた共形性を有する金属膜を生成する周期的堆積プロセスが実証されてきた。
したがって、共形の周期的堆積プロセスによって堆積される低電気抵抗性金属膜を堆積し、利用するための方法および関連する半導体デバイス構造が望まれている。
この発明の概要は、概念の選択を簡略化した形で紹介するように提供する。これらの概念について、以下の本開示の発明を実施するための形態において、更に詳細に記載する。本発明の概要は、請求項に記載する主題の重要な特徴も、本質的な特徴も特定することを意図しておらず、請求項に記載する主題の範囲を限定するように使用されることも意図していない。
いくつかの実施形態では、周期的堆積プロセスにより基材の誘電材料表面上にモリブデン金属膜を堆積する方法が提供される。方法は、誘電体表面を含む基材を反応チャンバに供給すること、および誘電体表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積させることを含み得、堆積することは、基材をモリブデンハライド前駆体を含む第一の気相反応物質と接触させること、および基材を還元剤前駆体を含む第二の気相反応物質と接触させることを含む。
いくつかの実施形態では、半導体デバイス構造が提供される。半導体デバイス構造は、一つ以上のギャップ特徴を含む基材であって、誘電材料の表面を含む一つ以上のギャップ特徴、および一つ以上のギャップ特徴内に配置され、かつそれを充填するモリブデン金属膜であって、誘電材料の表面と直接接触して配置されるモリブデン金属膜を含み得る。
従来の技術を超えて達成される本発明および利点を要約するために、本発明のある目的および利点について、本明細書において上に記載してきた。当然のことながら、必ずしもこうした目的または利点の全てが本発明の任意の特定の実施形態によって達成されなくてもよいことが理解されるべきである。それゆえ、例えば、本明細書に教授または示唆する通り、一つの利点または利点の一群を達成または最適化する形式で、本明細書に教授または示唆されてもよい、他の目的または利点を必ずしも達成することなく、本発明が具体化または実行されてもよいことを、当業者は認識するであろう。
これらの実施形態の全ては、本明細書に開示する本発明の範囲内であることが意図されている。当業者には、これらのおよび他の実施形態は、添付の図面を参照して、以下のいくつかの実施形態の発明を実施するための形態から容易に明らかとなり、本発明は、開示される全ての特定の実施形態にも限定されない。
本明細書は、本発明の実施形態と見なされるものを特に指摘し、明確に主張して、特許請求の範囲で結論付けるものの、本開示の実施形態の利点は、添付の図面と併せて読むと、本開示の実施形態のある例についての記載から、より容易に解明されてもよい。
いくつかの実施形態および実施例を以下に開示するが、本発明が、具体的に開示する本発明の実施形態および／または用途、並びにその明白な変更および均等物を超えて拡大することは、当業者により理解されるであろう。それゆえ、開示する本発明の範囲は、以下に記載し具体的に開示する実施形態によって限定されるべきでないことが意図される。
本明細書に示される図は、何らかの特定の材料、構造またはデバイスの実際の図であることを意味せず、本開示の実施形態について記載するために使用される、単に理想化された表現にすぎない。
本明細書で使用する通り、「基材」という用語は、使用される場合がある、またはその上にデバイス、回路もしくはフィルムが形成される場合がある、あらゆる下層材料または複数の下層材料を指してもよい。
本明細書で使用される「周期的堆積」という用語は、基材上に膜を堆積させるために反応チャンバに一つ以上の前駆体（反応物質）を連続的に導入することを指し、原子層堆積および周期的化学蒸着などの堆積技術を含む。
本明細書で使用される「周期的化学蒸着」という用語は、基材を一つ以上の揮発性前駆体に逐次曝し、その前駆体が基材上で反応および／または分解して所望の堆積物を生成する、任意のプロセスを指すことができる。
本明細書で使用される「原子層堆積」（ＡＬＤ）という用語は、堆積サイクル、好ましくは複数の連続堆積サイクルが反応チャンバ内で行われる蒸着プロセスを指すことができる。典型的には、各サイクルの間、前駆体は、堆積表面（例えば、基材の表面または以前に堆積させた下地の表面、例えば、以前のＡＬＤサイクルを用いて堆積させた材料等）に化学吸着し、追加の前駆体と容易に反応しない単分子層またはサブ単分子層を形成する（即ち、自己制御反応）。その後、必要に応じて、化学吸着した前駆体を堆積表面上で所望の材料に変換するのに使用するために、反応物質（例えば、別の前駆体または反応ガス）をその後プロセスチャンバ内に導入することができる。典型的には、この反応物質は前駆体と更に反応することができる。更に、各サイクル中にパージ工程を利用して、化学吸着した前駆体の変換後に、過剰な前駆体をプロセスチャンバから除去する、並びに／または過剰の反応物質および／若しくは反応副生成物をプロセスチャンバから除去することができる。更に、本明細書で使用される「原子層堆積」という用語は、関連する用語、例えば、「化学蒸着原子層堆積」、「原子層エピタキシー」（ＡＬＥ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、ガス源ＭＢＥ、または有機金属ＭＢＥ、並びに前駆体組成物、反応性ガス、およびパージ（例えば、不活性キャリア）ガスの交互パルスで実施される場合の化学ビームエピタキシー等、により示されるプロセスを含むことも意味する。
本明細書で使用する場合、「膜」および「薄膜」という用語は、本明細書に開示された方法により形成された任意の連続的または非連続的な構造および材料を意味することを意図する。「膜」および「薄膜」としては、例えば、２Ｄ材料、ナノラミネート、ナノロッド、ナノチューブ、またはナノ粒子、または平坦な部分的な若しくは完全な分子層、または部分的な若しくは完全な原子層、または原子および／若しくは分子のクラスタ、を挙げることができる。「膜」および「薄膜」は、ピンホールを有する材料または層を含み得るが、それでも少なくとも部分的に連続している。
本明細書で使用される場合、「モリブデンハライド前駆体」という用語は、少なくともモリブデン成分およびハライド成分を含む反応物質を指し、ハライド成分は、塩素成分、ヨウ素成分、または臭素成分のうちの一つ以上を含み得る。
本明細書で使用される場合、「モリブデンカルコゲナイドハライド」という用語は、少なくともモリブデン成分、ハライド成分、およびカルコゲナイド成分を含む反応物質を指し、カルコゲンは、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレンおよびテルリウム（Ｔｅ）を含む周期表のＩＶ族の元素である。
本明細書で使用される場合、「モリブデンオキシハライド」という用語は、少なくともモリブデン成分、酸素成分、およびハライド成分を含む反応物質を指し得る。
本明細書で使用される場合、「還元剤前駆体」という用語は、酸化還元化学反応において別の種に電子を供与する反応物質を指し得る。
本明細書で使用される場合、「結晶膜」という用語は、結晶構造の少なくとも短範囲規則性、または長範囲規則性をも呈する膜を指し、単結晶膜ならびに多結晶膜を含む。
本明細書で使用される場合、「ギャップ特徴」という用語は、非平面の表面の二つの表面の間に配置された開口部またはくぼみを意味し得る。「ギャップ特徴」という用語は、基材表面から垂直に延在する二つの突起部の傾斜した側壁、または基材表面の表面内に垂直に延在する刻み目の対向する傾斜した側壁の間に配置された開口部またはくぼみを指し得、このようなギャップ特徴は「垂直なギャップ特徴」と称され得る。「ギャップ特徴」という用語はまた、二つの対向する実質的に水平な表面の間に配置された開口部またはくぼみを意味し得、水平な表面は水平な開口部またはくぼみを繋ぎ、こうしたギャップ特徴は、「水平なギャップ特徴」と称され得る。
本明細書で使用される場合、「継ぎ目」という用語は、ギャップ充填金属に形成される縁の当接によって形成される線または一つ以上の空隙を意味し得、「継ぎ目」は走査型透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ）または透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）を使用して確認できるが、観察によって垂直なギャップ充填金属にはっきりした垂直な線または一つ以上の空隙、または水平なギャップ充填金属にはっきりした水平な線または一つ以上の水平な空隙が明らかになった場合、「継ぎ目」が存在する。本開示の実施形態を通じて多くの例示的な材料が与えられており、例示的な材料のそれぞれに与えられる化学式は限定的であると解釈されるべきではなく、与えられる非限定的な例示的な材料はある例示的な化学量論によって限定されるべきではないことに留意されたい。
本開示は、誘電材料の表面上に直接モリブデン金属膜を堆積させる、すなわち、中間層を必要しない、方法を含む。モリブデン金属薄膜は、例えば、低電気抵抗率ギャップ充填、３Ｄ－ＮＡＮＤ、ＤＲＡＭワード線特徴用のライナー層、またはＣＭＯＳロジック用の相互接続材料など、多くの用途で利用され得る。誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積する能力は、誘電材料とモリブデン金属膜との間の中間層の必要性を取り除くことができ、それにより、ロジック用途、すなわち、ＣＭＯＳ構造、ならびに３Ｄ－ＮＡＮＤおよびＤＲＡＭ構造などのメモリアプリケーション内のワード線／ビット線、の相互接続のための実効電気抵抗率を低くすることができる。
したがって、本開示の実施形態は、周期的堆積プロセスにより基材の誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するための方法を含む。方法は、誘電材料の表面を含む基材を反応チャンバに供給すること、および誘電体表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積させることを含み得、堆積することは、基材をモリブデンハライド前駆体を含む第一の気相反応物質と接触させること、および基材を還元剤前駆体を含む第二の気相反応物質と接触させることを含む。
本明細書に開示される基材の誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積する方法は、例えば、原子層堆積（ＡＬＤ）、または周期的化学蒸着（ＣＣＶＤ）などの周期的堆積プロセスを含み得る。
周期的堆積プロセスの非限定的な例示の実施形態は原子層堆積（ＡＬＤ）を含み、ＡＬＤは典型的な自己制御反応に基づいており、それにより反応物質の逐次および交互パルスを用いて、堆積サイクル当たり材料の約１原子（または分子）単層を堆積する。堆積条件および前駆体は、典型的には、一つの反応物質の吸着層が同じ反応物質の気相の反応物質と非反応性の表面終端を残すように、自己飽和反応を提供するように選択される。その後、基材を、前の終端と反応する異なる反応物質と接触させ、連続的な堆積を可能にする。従って、交互パルスの各サイクルは、典型的には、所望の材料の約１層以下の単層を残す。しかし、上記のように、一つ以上のＡＬＤサイクルにおいて、例えば、交互するプロセスの性質にもかかわらずいくつかの気相反応が起こる場合、材料の一つより多い単層を堆積させることができることを、当業者は認識するであろう。
誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を形成するのに利用されるＡＬＤ型プロセスにおいて、一単位堆積サイクルは、基材を第一の反応物質に曝露することと、任意の未反応の第一の反応物質および反応副生成物を反応チャンバから除去することと、基材を第二の気相反応物質に曝露することと、を含み得、第二の除去工程に続く。本開示のいくつかの実施形態では、第一の気相反応物質はモリブデン前駆体を含み、第二の気相反応物質は還元剤前駆体を含み得る。
前駆体は、反応物質間の気相反応を防止し、自己飽和表面反応を可能にするように、アルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ２）のような不活性ガスによって分離されることができる。しかし、いくつかの実施形態では、基材を移動させて、第一の気相の反応物質と第二の気相の反応物質とを、別々に接触させることができる。反応が自己飽和するので、基材の厳密な温度制御および前駆体の正確な投与量制御は必要でない場合もある。しかし、基材温度は、入射ガス種が単層に凝縮しないように、および表面で分解しないようにすることが好ましい。基材を次の反応性化学物質と接触させる前に、余分な化学物質および反応副生成物がある場合には、それらを、例えば反応空間をパージすることによりまたは基材を移動させることにより、基材の表面から除去する。望ましくない気体の分子を、不活性パージガスを用いて反応空間から効果的に排出することができる。パージを促進するために、真空ポンプを使用することができる。
モリブデン金属膜を誘電材料表面上に直接堆積するために使用することができる反応器は、本明細書に記載の周期的堆積プロセスに使用することができる。このような反応器は、前駆体を供給するように構成されたＡＬＤ反応器ならびにＣＶＤ反応器を含む。いくつかの実施形態によれば、シャワーヘッド反応器を使用し得る。いくつかの実施形態によれば、クロスフロー、バッチ、ミニバッチ、または空間ＡＬＤ反応器が使用され得る。
本開示のいくつかの実施形態では、バッチ式反応器を使用し得る。いくつかの実施形態では、垂直バッチ式反応器を使用し得る。他の実施形態では、バッチ式反応器は、１０枚以下のウェーハ、８枚以下のウェーハ、６枚以下のウェーハ、４枚以下のウェーハ、または２枚以下のウェーハを収容するように構成されたミニバッチ反応器を備える。バッチ式反応器が使用されるいくつかの実施形態では、ウェーハ間の不均一性は３％（１シグマ）未満、２％未満、１％未満または更には０．５％未満である。
本明細書に記載の例示的な周期的堆積プロセスを、クラスタツールに連結された反応器または反応チャンバで任意に行い得る。クラスタツールでは、各反応チャンバが一つのタイプのプロセス専用であるため、各モジュール内の反応チャンバの温度を一定に保つことができ、各運転の前に基材をプロセス温度まで加熱する反応器と比較してスループットが向上する。更に、クラスタツールでは、反応チャンバを基材間で所望のプロセス圧力レベルに排気する時間を短縮することが可能である。本開示のいくつかの実施形態では、本明細書に開示される誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するための例示的な周期的堆積プロセスは、複数の反応チャンバを含むクラスタツール内で実施されてもよく、各個々の反応チャンバは、基材を個々の前駆体ガスに曝露させるために使用されてもよく、基材は複数の前駆体ガスに曝露されるように異なる反応チャンバ間を移送されてもよく、基材の移送は基材の酸化／汚染を回避するために制御された周辺環境下で実施される。本開示のいくつかの実施形態では、誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するための周期的堆積プロセスは、複数の反応チャンバを備えるクラスタツール内で実施されてもよく、各個々の反応チャンバは、基材を異なる温度に加熱するように構成されてもよい。
独立型反応器はロードロックを備え得る。その場合、各運転と運転との間に反応チャンバを冷却する必要はない。
本開示のいくつかの非限定的実施形態によると、ＡＬＤプロセスを使用して、誘電材料表面上に直接モリブデン金属膜を堆積させることができる。本開示のいくつかの実施形態では、各ＡＬＤサイクルは、二つの別々の堆積工程または段階を含み得る。堆積サイクルの第一段階（「モリブデン段階」）では、堆積が望まれる基材の表面は、基材の表面上に化学吸着するモリブデン前駆体を含み、基材の表面上に反応物質種の約一層以下の単層を形成する第一の気相の反応物質と接触させ得る。堆積の第二の段階では、堆積が望まれる基材表面を、還元剤前駆体（「還元段階」）を含む第二の気相反応物質と接触させ得る。
誘電材料表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積させるための例示的な原子層堆積プロセスは、誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するための例示的な原子層堆積プロセス１００を示す図１を参照して理解され得る。
より詳細には、図１は、周期的堆積フェーズ１０５を含む例示的なモリブデン堆積プロセス１００を示す。例示的な原子層堆積プロセス１００は、誘電体表面を含む基材を反応チャンバ内に供給すること、および基材を所望の堆積温度に加熱することを含む、プロセスブロック１１０によって開始することができる。
本開示のいくつかの実施形態では、基材は、例えば、トレンチ構造、垂直なギャップ特徴、水平なギャップ特徴、および／またはフィン構造など、高いアスペクト比特徴を含む、平面基材またはパターン付き基材を含み得る。基材は、限定するものではないが、半導体材料、誘電材料、および金属材料を含む、一つ以上の材料を含み得る。
いくつかの実施形態では、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ゲルマニウムスズ（ＧｅＳｎ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコンゲルマニウムスズ（ＳｉＧｅＳｎ）、ケイ素（ＳｉｇｅＳｎ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはＩＩＩ－Ｖ族の半導体材料、などの半導体材料を含み得る。
いくつかの実施形態では、基材は、例えば、限定するものではないが、誘電材料および金属酸化物誘電材料を含むシリコン、などの誘電材料を含み得る。いくつかの実施形態では、基材は、例えば、限定するものではないが、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、亜酸化ケイ素、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、オキシ炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）、オキシ炭化ケイ素窒化物（ＳｉＯＣＮ）、シリコン炭窒化物（ＳｉｃＮ）、などの誘電材料を含むシリコンを含む一つ以上の誘電体表面を含み得る。いくつかの実施形態では、基材は、限定するものではないが、例えば、酸化アルミニウム（（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ハフニウムケイ酸塩（ＨｆＳｉｏｘ）および酸化ランタン（Ｌａ）２Ｏ３）、などの金属酸化物を含む一つ以上の誘電体表面を含み得る。
本開示のいくつかの実施形態では、基材は設計された基材を備え得、表面半導体層は、その間に配置された介在する埋め込み酸化（ＢＯＸ）によってバルク支持体上に配置される。
パターン付き基材は、基材表面中または基材表面上に形成された半導体デバイス構造を含み得る基材を含み得、例えば、パターン付き基材は、例えば、トランジスタおよび／またはメモリ素子などの部分的に作成された半導体デバイス構造を含み得る。いくつかの実施形態では、基材は、単結晶表面および／または、多結晶表面および／または非結晶表面などの非単結晶表面を含み得る一つ以上の二次表面を含み得る。単結晶表面は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ゲルマニウムスズ（ｇＥＳｎ）、またはゲルマニウム（Ｇｅ）のうちの一つ以上を含み得る。多結晶または非晶質表面は、酸化物、酸窒化物、オキシカーバイド、オキシカーバイド窒化物、窒化物、またはそれらの混合物などの誘電材料を含み得る。
堆積に利用される反応チャンバは、原子層堆積反応チャンバ、または化学蒸着反応チャンバ、または本明細書で前述したような反応チャンバのいずれかであってもよい。本開示のいくつかの実施形態では、基材は、後続の周期的堆積フェーズ１０５のために所望の堆積温度に加熱され得る。例えば、基材は、約８００℃未満、または約７００℃未満、または約６００℃未満、または約５００℃未満、または約４００℃未満、または約３００℃未満、または約２００℃未満の基材温度まで加熱され得る。本開示のいくつかの実施形態では、例示的な原子層堆積プロセス１００の間の基材温度は、２００℃～８００℃の間、または４００℃～７００℃の間、または５００℃～６００℃の間であり得る。
更に、望ましい堆積温度、すなわち、所望の基材温度を達成するために、例示的な原子層堆積プロセス１００はまた、堆積されたモリブデン金属膜の望ましい特徴、および誘電体表面上のモリブデン金属膜の直接的な堆積を得るために、堆積中、反応チャンバ内の圧力を調節し得る。例えば、本開示のいくつかの実施形態では、例示的な原子層堆積プロセス１００は、３００Ｔｏｒｒ未満、または２００Ｔｏｒｒ未満、または１００Ｔｏｒｒ未満、または５０Ｔｏｒｒ未満、または３０Ｔｏｒｒ未満、または更には１０Ｔｏｒｒ未満の反応チャンバ圧力に調節される反応チャンバ内で実施され得る。いくつかの実施形態では、堆積中の反応チャンバ内の圧力は、１０Ｔｏｒｒ～３００Ｔｏｒｒ、または３０Ｔｏｒｒ～８０Ｔｏｒｒ、または更には３０Ｔｏｒｒ以上の圧力に調節され得る。
基材を所望の堆積温度まで加熱し、反応チャンバ内の圧力を調節すると、例示的な原子層堆積プロセス１００は、プロセスブロック１２０によって周期的堆積フェーズ１０５により継続され得るが、これは基材を第一の気相反応物質と接触させること、特に、いくつかの実施形態において、すなわち、モリブデン前駆体である、モリブデンハライド前駆体を含む第一の気相反応物質と接触させることを含む。
本開示のいくつかの実施形態では、モリブデンハライド前駆体は、塩化モリブデン前駆体、ヨウ化モリブデン前駆体、または臭化モリブデン前駆体を含み得る。例えば、非限定的な例として、第一の気相反応物質は、例えば、モリブデンペンタクロリド（ＭｏＣｌ５）などの塩化モリブデンを含み得る。
いくつかの実施形態では、モリブデンハライド前駆体は、モリブデンカルコゲナイドを含み得、特定の実施形態では、モリブデンハライド前駆体は、モリブデンカルコゲナイドハライドを含み得る。例えば、モリブデンカルコゲナイドハライド前駆体は、オキシ塩化モリブデン、オキシヨウ化モリブデン、またはオキシ臭化モリブデンを含む群から選択される、モリブデンオキシハライドを含み得る。本開示の特定の実施形態では、モリブデン前駆体は、限定するものではないが、モリブデン（ＩＶ）ジクロリドジオキシド（ＭｏＯ２Ｃｌ２）を含むオキシ塩化モリブデンを含み得る。
本開示のいくつかの実施形態では、基材をモリブデンハライド前駆体を含む第一の気相反応物質と接触させることは、モリブデンハライド前駆体を基材に、約０．１秒～約６０秒間、約０．１秒～約１０秒間、または約０．５秒～約５．０秒間、接触させることを含み得る。更に、基材をモリブデンハライド前駆体と接触させる間、モリブデンハライド前駆体の流量は、１０００ｓｃｃｍ未満、または５００ｓｃｃｍ未満、または１００ｓｃｃｍ未満、または１０ｓｃｃｍ未満、または更に１ｓｃｃｍ未満であり得る。更に、基材をモリブデンハライド前駆体と接触させる間、モリブデン前駆体の流量は、約１～２０００ｓｃｃｍ、約５～１０００ｓｃｃｍ、または約１０～約５００ｓｃｃｍの範囲であり得る。
図１のプロセス１００によって示される誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するための例示的な原子層堆積プロセスは、反応チャンバをパージすることによって継続され得る。例えば、過剰な第一の気相反応物質および反応副生成物（あれば）を、例えば、不活性ガスでポンプ注入することによって、基材の表面から除去することができる。本開示のいくつかの実施形態では、パージプロセスは、パージサイクルを含んでもよく、基材表面は、約５．０秒未満、または約３．０秒未満、または更に約２．０秒未満の時間にわたってパージされる。例えば、過剰なモリブデン前駆体および可能性のある反応副生成物などの過剰な第一の気相反応物質を、反応チャンバと流体連通するポンプシステムによって生成される真空を用いて除去してもよい。
反応チャンバをパージサイクルでパージすると、例示的な原子層堆積プロセス１００は、基材を第二の気相の反応物質と接触させること、特に基材を還元剤前駆体（「還元前駆体」）を含む第二の気相反応物質と接触させることを含むプロセスブロック１３０によって、周期的堆積フェーズ１０５の第二段階を継続し得る。
本開示のいくつかの実施形態では、還元剤前駆体は、少なくとも一つのフォーミングガス（Ｈ２＋Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、アルキル－ヒドラジン（例えば、三級ブチルヒドラジンＣ４Ｈ１２Ｎ２））、水素分子（Ｈ２）、水素原子（Ｈ）、水素プラズマ、水素ラジカル、水素励起種、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、ボラン、またはアミンを含み得る。さらなる実施形態では、還元剤前駆体は、少なくとも一つのシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８）、ゲルマン（ＧｅＨ４）ジゲルマン（Ｇｅ２Ｈ６）、ボラン（ＢＨ３）、またはジボラン（Ｂ２Ｈ６）を含み得る。本開示の特定の実施形態では、還元剤前駆体は水素分子（Ｈ２）を含み得る。
本開示のいくつかの実施形態では、基材を還元剤前駆体と接触させることは、基材を還元材前駆体と、約０．０１秒～約１８０秒間、約０．０５秒～約６０秒間、または約０．１秒～約１０．０秒間、接触させることを含み得る。更に、基材を還元剤前駆体と接触させる間、還元剤前駆体の流量は、３０ｓｌｍ未満、または１５ｓｌｍ未満、または１０ｓｌｍ未満、または５ｓｌｍ未満、または１ｓｌｍ未満、または更に０．１ｓｌｍ未満であってもよい。更に、基材を還元剤前駆体と接触させる間、還元剤前駆体の流量は、約０．１～３０ｓｌｍ、約５～１５ｓｌｍ、または１０ｓｌｍ以上の範囲であり得る。
基材を還元剤前駆体と接触させると、誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するための例示的プロセス１００は、反応チャンバをパージすることによって進められ得る。例えば、過剰な還元剤前駆体および反応副生成物を、例えば、不活性ガスを流しながらポンプ注入することによって、基材の表面から除去することができる。本開示のいくつかの実施形態では、パージプロセスは、基材表面を約０．１秒～約３０秒間、または約０．５秒～約３秒間、または更には約１秒～２秒間、パージすることを含み得る。
第二の気相反応物質、すなわち、反応チャンバからの還元剤前駆体（および反応副生成物）のパージが完了すると、例示的な原子層堆積プロセス１００の周期的堆積フェーズ１０５は決定ゲート１４０で継続され、決定ゲート１４０は堆積されたモリブデン金属膜の厚さに依存する。例えば、モリブデン金属膜が所望のデバイス用途に対して不十分な厚さで堆積された場合、プロセスブロック１２０に戻ること、およびさらなる堆積サイクルを継続することによって周期的堆積フェーズ１０５を繰り返してもよく、一単位の堆積サイクルは、基材をモリブデンハライド前駆体と接触させること（プロセスブロック１２０）、反応チャンバをパージすること、基材を還元剤前駆体と接触させること（プロセスブロック１３０）、およびまた反応チャンバをパージすること、を含み得る。周期的堆積フェーズ１０５の単位堆積サイクルは、所望の厚さのモリブデン金属膜が基材上に、特には誘電体表面上に直接堆積されるまで一回以上繰り返されてもよい。モリブデン金属膜が所望の厚さに堆積されると、例示的な原子層堆積プロセス１００は、プロセスブロック１５０を介して終了され、モリブデン金属膜がその上に堆積された誘電体表面を含む基材は、デバイス構造の形成のためにさらなる処理に供され得る。
当然のことながら、本開示のいくつかの実施形態では、基材を第一の気相反応物質（例えば、モリブデン前駆体）および第二の気相反応物質（例えば、還元前駆体）と接触させる順序は、基材を最初に第二の気相反応物質と接触させるのに続いて、第一の気相反応物質と接触させるようにすることができる。更に、いくつかの実施形態では、例示的なプロセス１００の周期的堆積フェーズ１０５は、基材を第二の気相反応物質と一回以上接触させる前に、基材を第一の気相反応物質と一回以上接触させることを含んでもよい。更に、いくつかの実施形態では、例示的なプロセス１００の周期的堆積フェーズ１０５は、基材を第一の気相反応物質と一回以上接触させる前に、基材を第二の気相反応物質と一回以上接触させることを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、周期的堆積プロセスは、ハイブリッドＡＬＤ／ＣＶＤまたは周期的ＣＶＤプロセスであることができる。例えば、いくつかの実施形態では、ＡＬＤプロセスの成長速度は、ＣＶＤプロセスと比較して低い場合がある。成長速度を増加させる一つのアプローチは、ＡＬＤプロセスにおいて典型的に使用される温度よりも高い基材温度で動作するアプローチであり、結果として化学蒸着プロセスの部分になるが、更に前駆体の逐次導入を利用し、このようなプロセスは周期的ＣＶＤと呼ばれ得る。いくつかの実施形態では、周期的ＣＶＤプロセスは、反応チャンバ内への二つ以上の前駆体の導入を含み得、反応チャンバ内の二つ以上の前駆体の間の重複の期間は、堆積のＡＬＤ成分と堆積のＣＶＤ成分の両方をもたらす。例えば、周期的ＣＶＤプロセスは、一つの前駆体の連続的な流れ、および第二の前駆体の反応チャンバへの定期的なパルスを含み得る。
したがって、本開示の代替的実施形態では、モリブデン金属膜は、周期的化学蒸着（ＣＣＶＤ）プロセスを用いて誘電材料表面上に直接堆積されてもよい。誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するための例示的な周期的化学蒸着プロセス２００が、図２を参照して説明される。周期的堆積プロセス２００は、図１の例示的な原子層堆積プロセス１００の特定なプロセスブロックと同等、または実質的に同等な特定のプロセスブロックを含み、そのため同等のプロセスブロックは簡潔に要約され、付加的／改変されたプロセスブロックが詳細に記載される。
より詳細には、例示的な周期的化学蒸着プロセス２００は、誘電体表面を含む基材を反応チャンバ内に供給すること、および基材を堆積温度に加熱することを含むプロセスブロック２１０によって開始することができる。プロセスブロック１１０は、図１の参照プロセスブロック１１０で詳細に説明してきたため、プロセスブロック２１０の詳細は、周期化学蒸着プロセス２００に関して繰り返さない。
基材を所望の堆積温度に加熱し、反応チャンバ圧力を調節すると、周期的化学蒸着プロセス２００は、基材を還元剤前駆体と連続的に接触させることを含むプロセスブロック２２０によって継続され得る。より詳細には、還元剤前駆体は、反応チャンバに導入されてもよく、反応チャンバ内に配置された基材を、３０ｓｌｍ未満、または１５ｓｌｍ未満、または１０ｓｌｍ未満、または５ｓｌｍ未満、または１ｓｌｍ未満、または更には０．１ｓｌｍ未満の流量で接触させてもよい。いくつかの実施形態では、基材を還元剤前駆体と接触させる間、還元剤前駆体の流量は、約０．１～３０ｓｌｍ、約５～１５ｓｌｍ、または１０ｓｌｍ以上の範囲であり得る。還元剤前駆体は、例示的な原子層堆積プロセス１００のプロセスブロック１３０を参照して詳細に記載される還元剤前駆体のうちの任意の一つ以上を含み得る。
例示的な周期的化学蒸着プロセス２００は、基材をモリブデンハライド前駆体と接触させることを含むプロセスブロック２３０によって周期的堆積フェーズ２０５を実施することによって続行され得る。例示的な原子層堆積プロセス１００とは対照的に、周期的化学蒸着プロセス２００において、モリブデンハライド前駆体および還元剤前駆体は、反応チャンバ内で同時に存在し、したがって、モリブデンハライド前駆体および還元剤前駆体の両方が同時に基材と、特に基材の誘電体表面と接触する。言い換えると、プロセスブロック２３０は、モリブデンハライド前駆体および還元剤前駆体の両方を反応チャンバに共流し、基材と少なくともモリブデンハライド前駆体および還元剤前駆体を含むガス混合物と接触させることを含む。モリブデンハライド前駆体は、例示的な原子層堆積プロセス１００のプロセスブロック１２０を参照して詳細に記載されるモリブデンハライド前駆体のうちの任意の一つ以上を含み得る。
本開示のいくつかの実施形態では、基材をモリブデンハライド前駆体と接触させること（すなわち、プロセスブロック２３０）は、モリブデンハライド前駆体を基材に、約０．１秒～約６０秒間、約０．１秒～約１０秒間、または約０．５秒～約５．０秒間、接触させることを含み得る。更に、基材をモリブデンハライド前駆体と接触させる間、モリブデンハライド前駆体の流量は、１０００ｓｃｃｍ未満、または５００ｓｃｃｍ未満、または１００ｓｃｃｍ未満、または１０ｓｃｃｍ未満、または更に１ｓｃｃｍ未満であり得る。更に、基材をモリブデンハライド前駆体と接触させる間、モリブデン前駆体の流量は、約１～２０００ｓｃｃｍ、約５～１０００ｓｃｃｍ、または約１０～約５００ｓｃｃｍの範囲であり得る。
還元剤前駆体の流れを維持する一方で、例示的な周期化学蒸着プロセス２００の周期的堆積フェーズ２０５は、決定ゲート２４０で継続されてもよく、決定ゲート２４０は、堆積されたモリブデン金属膜の厚さに依存する。例えば、モリブデン金属膜が望ましいデバイス用途に対して不十分な厚さで堆積された場合、周期的堆積フェーズ２０５は、プロセスブロック２３０に戻ること、およびモリブデンハライド前駆体のさらなるパルスを反応チャンバに導入することによって繰り返され得る。したがって、例示的な周期的化学蒸着プロセス２００は、還元剤前駆体を連続的に流すこと、およびモリブデンハライドを定期的に反応チャンバに導入することを含み、それによってモリブデン金属膜を誘電材料の表面上に直接堆積する。モリブデン金属膜が所望の厚さに堆積されると、例示的な周期的化学蒸着堆積プロセス２００は、プロセスブロック２５０を介して終了され、モリブデン金属膜がその上に直接堆積された誘電体表面を含む基材は、デバイス構造の形成のためにさらなる処理に供され得る。
本開示の代替的な実施形態では、例示的な周期的化学蒸着プロセスは、モリブデンハライド前駆体を連続的に流すこと、および還元剤前駆体を定期的に反応チャンバに導入することを含み、それによってモリブデン金属膜を誘電材料の表面上に直接堆積する。
本明細書に開示される例示的な堆積プロセスは、モリブデン金属膜を誘電体表面上に、約０．０５Å／サイクル～約１０Å／サイクル、約０．５Å／サイクル～約５Å／サイクル、または更には約１Å／サイクル～約２Å／サイクルの成長速度で堆積し得る。いくつかの実施形態では、誘電体表面上のモリブデン金属膜の成長速度は、約０．５Å／サイクル超、または約１Å／サイクル超、または更には約２Å／サイクル超である。本開示のいくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は、約１Å／サイクルの成長速度で堆積され得る。
本明細書に開示される方法によって堆積されたモリブデン金属膜は、連続的膜であり得る。いくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は、約１００Å以下、または約６０Å以下、または約５０Å以下、または約４０Å以下、または約３０Å以下、または約２０以下、または約１０Å以下、または更には５Å以下の厚さで連続的であってもよい。本明細書で言及される連続性は、物理的連続性または電気的連続性であることができる。本開示のいくつかの実施形態では、材料膜が物理的に連続的であってもよい厚さは、膜が電気的に連続的である厚さと同じでなくてもよく、その逆もまた同じである。
本開示のいくつかの実施形態では、形成されたモリブデン金属膜は、約２０Å～約２５０Å、または約５０Å～約２００Å、または更には約１００Å～約１５０Åの厚さを有してもよい。いくつかの実施形態では、本明細書に記載されるいくつかの実施形態に従って堆積されたモリブデン金属膜は、約２０Åを超える、または約３０Åを超える、または約４０Åを超える、または約５０Åを超える、または約６０Åを超える、または約１００Åを超える、または約２５０Åを超える、または約５００Åを超える、またはそれを超える、厚さを有し得る。いくつかの実施形態では、本明細書に記載されるいくつかの実施形態に従って堆積されたモリブデン金属膜は、約２５０Å未満、または約１００Å未満、または約５０Å未満、または約２５Å未満、または約１０Å未満、または更には約５Å未満の厚さを有し得る。いくつかの実施形態では、誘電体表面上に直接配置されたモリブデン金属膜は、約１００Å～２５０Åの厚さを有してもよい。
本開示のいくつかの実施形態では、モリブデン金属膜が結晶膜を含んでもよいように、誘電体表面上に直接堆積させることができる。例えば、図３は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）表面上に直接堆積された１５０Å厚のモリブデン金属膜から得られたＸ線回折（ＸＲＤ）データを図示したものである。図３のＸＲＤデータの検討は、３００と標識されたＸＲＤピークによって示されるように、モリブデン金属膜の結晶性性質を明らかに示す。いくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は単結晶膜を含み得る。いくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は、多結晶性膜を含んでもよく、多結晶性モリブデン金属膜を含む複数の結晶粒子は、１００Åより大きい、または２００Åより大きい、または更には２５０Åより大きい粒子サイズを有してもよい。いくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は体心立方結晶構造を含み得る。
本開示のいくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は、垂直なギャップ特徴および／または水平なギャップ特徴を含む、一つ以上の高アスペクト比ギャップ特徴を有する誘電体表面上に堆積され得る。例えば、図４Ａは、垂直高アスペクト比ギャップ特徴４０４を有する誘電材料４０２を備える半導体デバイス構造４００を図示し、アスペクト比（高さ：幅）は、２：１より大きく、または５：１より大きく、または１０：１より大きく、または２５：１より大きく、または５０：１より大きく、または更には１００：１より大きく、この例において使用される「より大きい」とは、ギャップ特徴の高さにおける距離を示す。本明細書で開示される堆積方法は、モリブデン金属４０６によって説明されるように、垂直高アスペクト比ギャップ特徴４０４の表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するために利用され得る。いくつかの実施形態では、垂直高アスペクト比誘電ギャップ特徴を直接モリブデン金属膜で被覆する工程は、約５０％以上、約８０％超、または約９０％超、または約９５％超、または約９８％超、または約９９％以上でありうる。
非限定的な例として、半導体デバイス構造４００は、部分的に作成されたＣＭＯＳロジックデバイスを表してもよく、誘電材料４０２は、層間誘電体を備えてもよく、またモリブデン金属膜４０６は、一つ以上のトランジスタ構造（図示せず）への電気接続を提供するための金属ギャップ充填を含んでもよい。図４Ａに示すように、モリブデン金属膜４０６は、中間バリア層材料を必要とせずに、誘電材料４０２と直接接触し、それによって半導体デバイス構造４００の全体的な実効電気抵抗率を低減する。
いくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は、ギャップ充填金属化として利用されてもよく、またモリブデン金属膜は、継ぎ目を形成することなく、ギャップ特徴、すなわち、垂直高アスペクト比ギャップ特徴を充填し得、継ぎ目は、ギャップ充填材料に形成される縁の当接によって形成される線または一つ以上の空隙を指してもよく、継ぎ目は、走査型透過電子顕微鏡法（ＳＴＥＭ）または透過電子顕微鏡法（ＴＥＭ）を使用することによって確認し得、観察によってギャップ充填材料内にはっきりした垂直な線または一つ以上の垂直な空隙が明らかになった場合には、継ぎ目が存在する。
さらなる非限定的な例として、図４Ｂは、一つ以上の水平高アスペクト比ギャップ特徴４１２を有する誘電材料４１０を備える半導体デバイス構造４０８を図示し、アスペクト比（高さ：幅）は、１：２より大きく、または１：５より大きく、または１：１０より大きく、または１：２５より大きく、または１：５０より大きく、または更には１００：１より大きく、この特定で使用される「より大きい」という用語は、ギャップ特徴の幅におけるより大きな距離を示す。本明細書で開示される堆積方法は、モリブデン金属４１４によって説明されるように、水平高アスペクト比ギャップ特徴４１２の表面上に直接モリブデン金属膜を堆積するために利用され得る。いくつかの実施形態では、水平高アスペクト比誘電特徴を直接モリブデン金属膜で被覆する工程は、約５０％以上、約８０％超、または約９０％超、または約９５％超、または約９８％超、または約９９％以上でありうる。
非限定的な例示的な実施形態として、半導体デバイス構造４０８は、部分的に作成された記憶装置の一部分を表してもよく、誘電材料４０２が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含み、およびモリブデン金属膜４０６は、金属ゲート構造を含んでもよい。
垂直なギャップ充填プロセスとして、前述のように、モリブデン金属膜は、継ぎ目を形成することなく、水平高アスペクト比特徴に対するギャップ充填金属化として利用され得る。
本開示のいくつかの実施形態では、誘電体表面上に直接堆積されたモリブデン金属膜は、低電気抵抗性モリブデン金属膜を含み得る。例えば、いくつかの実施形態では、モリブデン金属膜は、３０００μΩ－ｃｍ未満、または１０００μΩ－ｃｍ未満、または５００μΩ－ｃｍ未満、または２００μΩ－ｃｍ未満、または１００μΩ－ｃｍ未満、または５０μΩ－ｃｍ未満、または２５μΩ－ｃｍ未満、または１５μΩ－ｃｍまたは更に１０μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有することができる。非限定的な例として、モリブデン金属膜は誘電材料の表面上に直接、約１００Å未満の厚さに堆積され得、モリブデン金属膜は３５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を示し得る。さらなる非限定的な例として、モリブデン金属膜は誘電材料の表面上に直接、２００Å未満の厚さに堆積され得、モリブデン金属膜は２５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を示し得る。
本開示のいくつかの実施形態では、誘電体表面上に直接モリブデン金属膜を堆積させる方法は、低原子百分率（ａｔ．％）の不純物で、モリブデン金属膜を堆積させることを更に含み得る。例えば、本開示のモリブデン金属膜は、５ａｔ．％未満、または２ａｔ．％未満、または更には１ａｔ．％未満の不純物濃度を含み得る。いくつかの実施形態では、モリブデン金属膜内に配置された不純物は、少なくとも酸素および塩素を含み得る。
上に記載した本開示の例示的実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその法的等価物
により定義される、本発明の実施形態の単なる例であるため、これらの実施形態によって
本発明の範囲は限定されない。いかなる同等の実施形態も、本発明の範囲内にあることを
意図している。実際に、記載した要素の代替の有用な組み合わせなど、本明細書に示し記
載したものに加えて、本開示の様々な改変が、記載から当業者に明らかとなってもよい。
このような改変および実施形態もまた、添付の特許請求の範囲に入ると意図される。
本発明は以下の態様を含む。
[１]
周期的堆積プロセスによって基材の誘電材料表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積する方法であって、
誘電体表面を含む基材を反応チャンバ内に供給すること、および
前記誘電体表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積することであって、
前記基材をモリブデンハライド前駆体を含む第一の気相反応物質と接触させることと、
前記基材を還元剤前駆体を含む第二の気相反応物質と接触させることと、を含む、堆積すること、を含む、方法。
[２]
前記基材を約４００℃～７００℃の基材温度に加熱することを更に含む、[１]に記載の方法。
[３]
前記基材を約５００℃～６００℃の基材温度に加熱することを更に含む、[１]に記載の方法。
[４]
前記反応チャンバ内の堆積中の前記圧力を、３０Ｔｏｒｒより大きく調節することを更に含む、[１]に記載の方法。
[５]
前記モリブデンハライドがモリブデンカルコゲナイドハライドを含む、[１]に記載の方法。
[６]
前記モリブデンカルコゲナイドハライドは、オキシ塩化モリブデン、オキシヨウ化モリブデン、またはオキシ臭化モリブデンを含む群から選択される、モリブデンオキシハライドを含む、[５]に記載の方法。
[７]
前記オキシ塩化モリブデンが、モリブデン（ＩＶ）ジクロリドジオキシド（ＭｏＯ ２ Ｃｌ ２ ）を含む、[６]に記載の方法。
[８]
前記還元剤前駆体が、水素分子（Ｈ ２ ）、水素原子（Ｈ）、フォーミングガス（Ｈ ２ ＋Ｎ ２ ）、アンモニア（ＮＨ ３ ）、ヒドラジン（Ｎ ２ Ｈ ４ ）、ヒドラジン誘導体、水素系プラズマ、水素ラジカル、水素励起種、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、ボラン、アミン、またはシランの少なくとも一つを含む、[１]に記載の方法。
[９]
前記モリブデンハライドが、塩化モリブデンを含む、[１]に記載の方法。
[１０]
前記塩化モリブデンが、モリブデンペンタクロリド（ＭｏＣｌ ５ ）を含む、[９]に記載の方法。
[１１]
前記方法が、前記基材を前記第一の気相反応物質および前記第二の気相反応物質と交互に逐次接触させる少なくとも一つの堆積サイクルを含む、[１]に記載の方法。
[１２]
前記堆積サイクルが、一回以上繰り返される、[１１]に記載の方法。
[１３]
前記モリブデン金属膜を堆積することが、原子層堆積プロセスを含む、[１１]に記載の方法。
[１４]
前記モリブデン金属膜を堆積することが、周期的堆積プロセスを含む、[１]に記載の方法。
[１５]
前記周期的化学蒸着プロセスが、前記基材を前記第一の気相反応物質と定期的に接触させること、および前記基材を前記第二の気相反応物質と連続的に接触させることを含む、[１４]に記載の方法。
[１６]
前記モリブデン金属膜が、１００Å未満の厚さで３５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、[１]に記載の方法。
[１７]
前記モリブデン膜が、２００Å未満の厚さで２５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、[１]に記載の方法。
[１８]
前記モリブデン金属膜が結晶膜である、[１]に記載の方法。
[１９]
前記結晶モリブデン金属膜が、１００Åより大きい粒径を有する複数の結晶粒子を有する、[１８]に記載の方法。
[２０]
前記モリブデン金属膜が、２原子百分率（ａｔ．％）未満の不純物濃度を有する、[１]に記載の方法。
[２１]
前記モリブデン金属膜が９０パーセント（％）より大きいステップカバレッジで堆積される、[１]に記載の方法。
[２２]
[１]に記載の方法に従って堆積された誘電材料の表面上に直接配置されたモリブデン金属膜を含む、半導体デバイス構造。
[２３]
半導体デバイス構造であって、
一つ以上のギャップ特徴を含む基材であって、前記一つ以上のギャップ特徴が誘電材料の表面を含む基材、および
前記一つ以上のギャップ特徴内に配置され、かつ充填されたモリブデン金属膜であって、前記誘電材料の前記表面と直接接触するように配置されるモリブデン金属膜、を含む、半導体デバイス構造。
[２４]
前記一つ以上のギャップ特徴が、１：２より大きいアスペクト比を有する実質的に水平なギャップ特徴を含む、[２３]に記載の構造。
[２５]
前記一つ以上のギャップ特徴が、２：１より大きいアスペクト比を有する実質的に垂直なギャップ特徴を含む、[２３]に記載の構造。
[２６]
前記モリブデン金属膜が、継ぎ目の形成なしに、前記一つ以上のギャップ特徴を充填する、[２３]に記載の構造。
[２７]
前記モリブデン金属膜が、２００Å未満の厚さで２５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、[２３]に記載の構造。
[２８]
前記結晶モリブデン金属膜が、１００Åより大きい粒径を有する複数の結晶粒子を含む多結晶モリブデン金属膜を含む、[２３]に記載の構造。
[２９]
前記モリブデン金属膜が、２ａｔ．％未満の不純物濃度を有する、[２３]に記載の構造。
により定義される、本発明の実施形態の単なる例であるため、これらの実施形態によって
本発明の範囲は限定されない。いかなる同等の実施形態も、本発明の範囲内にあることを
意図している。実際に、記載した要素の代替の有用な組み合わせなど、本明細書に示し記
載したものに加えて、本開示の様々な改変が、記載から当業者に明らかとなってもよい。
このような改変および実施形態もまた、添付の特許請求の範囲に入ると意図される。
本発明は以下の態様を含む。
[１]
周期的堆積プロセスによって基材の誘電材料表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積する方法であって、
誘電体表面を含む基材を反応チャンバ内に供給すること、および
前記誘電体表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積することであって、
前記基材をモリブデンハライド前駆体を含む第一の気相反応物質と接触させることと、
前記基材を還元剤前駆体を含む第二の気相反応物質と接触させることと、を含む、堆積すること、を含む、方法。
[２]
前記基材を約４００℃～７００℃の基材温度に加熱することを更に含む、[１]に記載の方法。
[３]
前記基材を約５００℃～６００℃の基材温度に加熱することを更に含む、[１]に記載の方法。
[４]
前記反応チャンバ内の堆積中の前記圧力を、３０Ｔｏｒｒより大きく調節することを更に含む、[１]に記載の方法。
[５]
前記モリブデンハライドがモリブデンカルコゲナイドハライドを含む、[１]に記載の方法。
[６]
前記モリブデンカルコゲナイドハライドは、オキシ塩化モリブデン、オキシヨウ化モリブデン、またはオキシ臭化モリブデンを含む群から選択される、モリブデンオキシハライドを含む、[５]に記載の方法。
[７]
前記オキシ塩化モリブデンが、モリブデン（ＩＶ）ジクロリドジオキシド（ＭｏＯ ２ Ｃｌ ２ ）を含む、[６]に記載の方法。
[８]
前記還元剤前駆体が、水素分子（Ｈ ２ ）、水素原子（Ｈ）、フォーミングガス（Ｈ ２ ＋Ｎ ２ ）、アンモニア（ＮＨ ３ ）、ヒドラジン（Ｎ ２ Ｈ ４ ）、ヒドラジン誘導体、水素系プラズマ、水素ラジカル、水素励起種、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、ボラン、アミン、またはシランの少なくとも一つを含む、[１]に記載の方法。
[９]
前記モリブデンハライドが、塩化モリブデンを含む、[１]に記載の方法。
[１０]
前記塩化モリブデンが、モリブデンペンタクロリド（ＭｏＣｌ ５ ）を含む、[９]に記載の方法。
[１１]
前記方法が、前記基材を前記第一の気相反応物質および前記第二の気相反応物質と交互に逐次接触させる少なくとも一つの堆積サイクルを含む、[１]に記載の方法。
[１２]
前記堆積サイクルが、一回以上繰り返される、[１１]に記載の方法。
[１３]
前記モリブデン金属膜を堆積することが、原子層堆積プロセスを含む、[１１]に記載の方法。
[１４]
前記モリブデン金属膜を堆積することが、周期的堆積プロセスを含む、[１]に記載の方法。
[１５]
前記周期的化学蒸着プロセスが、前記基材を前記第一の気相反応物質と定期的に接触させること、および前記基材を前記第二の気相反応物質と連続的に接触させることを含む、[１４]に記載の方法。
[１６]
前記モリブデン金属膜が、１００Å未満の厚さで３５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、[１]に記載の方法。
[１７]
前記モリブデン膜が、２００Å未満の厚さで２５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、[１]に記載の方法。
[１８]
前記モリブデン金属膜が結晶膜である、[１]に記載の方法。
[１９]
前記結晶モリブデン金属膜が、１００Åより大きい粒径を有する複数の結晶粒子を有する、[１８]に記載の方法。
[２０]
前記モリブデン金属膜が、２原子百分率（ａｔ．％）未満の不純物濃度を有する、[１]に記載の方法。
[２１]
前記モリブデン金属膜が９０パーセント（％）より大きいステップカバレッジで堆積される、[１]に記載の方法。
[２２]
[１]に記載の方法に従って堆積された誘電材料の表面上に直接配置されたモリブデン金属膜を含む、半導体デバイス構造。
[２３]
半導体デバイス構造であって、
一つ以上のギャップ特徴を含む基材であって、前記一つ以上のギャップ特徴が誘電材料の表面を含む基材、および
前記一つ以上のギャップ特徴内に配置され、かつ充填されたモリブデン金属膜であって、前記誘電材料の前記表面と直接接触するように配置されるモリブデン金属膜、を含む、半導体デバイス構造。
[２４]
前記一つ以上のギャップ特徴が、１：２より大きいアスペクト比を有する実質的に水平なギャップ特徴を含む、[２３]に記載の構造。
[２５]
前記一つ以上のギャップ特徴が、２：１より大きいアスペクト比を有する実質的に垂直なギャップ特徴を含む、[２３]に記載の構造。
[２６]
前記モリブデン金属膜が、継ぎ目の形成なしに、前記一つ以上のギャップ特徴を充填する、[２３]に記載の構造。
[２７]
前記モリブデン金属膜が、２００Å未満の厚さで２５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、[２３]に記載の構造。
[２８]
前記結晶モリブデン金属膜が、１００Åより大きい粒径を有する複数の結晶粒子を含む多結晶モリブデン金属膜を含む、[２３]に記載の構造。
[２９]
前記モリブデン金属膜が、２ａｔ．％未満の不純物濃度を有する、[２３]に記載の構造。
Claims (19)
- 周期的堆積プロセスによって基材の誘電材料表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積する方法であって、
誘電体表面を含む基材を反応チャンバ内に供給すること、および
前記誘電体表面上に直接、モリブデン金属膜を堆積することであって、
前記基材をモリブデンハライド前駆体を含む第一の気相反応物質と接触させることと、
前記基材を還元剤前駆体を含む第二の気相反応物質と接触させることと、を含む、堆積すること、を含み、
前記モリブデン金属膜を堆積することが、前記基材を前記第一の気相反応物質と定期的に接触させること、および前記基材を前記第二の気相反応物質と連続的に接触させることを含む周期的化学蒸着プロセスを含む、方法。 - 前記基材を４００℃～７００℃の基材温度に加熱することを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 前記基材を５００℃～６００℃の基材温度に加熱することを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 前記反応チャンバ内の堆積中の前記圧力を、３０Ｔｏｒｒより大きく調節することを更に含む、請求項１に記載の方法。
- 前記モリブデンハライドがモリブデンカルコゲナイドハライドを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記モリブデンカルコゲナイドハライドは、オキシ塩化モリブデン、オキシヨウ化モリブデン、またはオキシ臭化モリブデンを含む群から選択される、モリブデンオキシハライドを含む、請求項５に記載の方法。
- 前記オキシ塩化モリブデンが、モリブデン（ＩＶ）ジクロリドジオキシド（ＭｏＯ２Ｃｌ２）を含む、請求項６に記載の方法。
- 前記還元剤前駆体が、水素分子（Ｈ２）、水素原子（Ｈ）、フォーミングガス（Ｈ２＋Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、ヒドラジン誘導体、水素系プラズマ、水素ラジカル、水素励起種、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、ボラン、アミン、またはシランの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記モリブデンハライドが、塩化モリブデンを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記塩化モリブデンが、モリブデンペンタクロリド（ＭｏＣｌ５）を含む、請求項９に記載の方法。
- 前記方法が、前記基材を前記第一の気相反応物質および前記第二の気相反応物質と交互に逐次接触させる少なくとも一つの堆積サイクルを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記堆積サイクルが、一回以上繰り返される、請求項１１に記載の方法。
- 前記モリブデン金属膜を堆積することが、原子層堆積プロセスを含む、請求項１１に記載の方法。
- 前記モリブデン金属膜が、１００Å未満の厚さで３５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記モリブデン膜が、２００Å未満の厚さで２５μΩ－ｃｍ未満の電気抵抗率を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記モリブデン金属膜が結晶膜である、請求項１に記載の方法。
- 前記結晶モリブデン金属膜が、１００Åより大きい粒径を有する複数の結晶粒子を有する、請求項１６に記載の方法。
- 前記モリブデン金属膜が、２原子百分率（ａｔ．％）未満の不純物濃度を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記モリブデン金属膜が９０パーセント（％）より大きいステップカバレッジで堆積される、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/105,745 US20190067003A1 (en) | 2017-08-30 | 2018-08-20 | Methods for depositing a molybdenum metal film on a dielectric surface of a substrate and related semiconductor device structures |
| US16/105,745 | 2018-08-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020029616A JP2020029616A (ja) | 2020-02-27 |
| JP7422971B2 true JP7422971B2 (ja) | 2024-01-29 |
Family
ID=69623949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019149002A Active JP7422971B2 (ja) | 2018-08-20 | 2019-08-15 | 基材および関連する半導体デバイス構造の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7422971B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| WO2022064549A1 (ja) * | 2020-09-23 | 2022-03-31 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、記録媒体及び基板処理装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012246531A (ja) | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Adeka Corp | 酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法、酸化モリブデンを含有する薄膜の形成用原料及びモリブデンアミド化合物 |
| US20150262939A1 (en) | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor Device and Method Of Manufacturing the Same |
| JP2016098406A (ja) | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | モリブデン膜の成膜方法 |
| US20160348234A1 (en) | 2015-05-28 | 2016-12-01 | Tokyo Electron Limited | Method of Forming Metal Film |
| US20180019165A1 (en) | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Entegris, Inc. | CVD Mo DEPOSITION BY USING MoOCl4 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06349031A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-12-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド |
-
2019
- 2019-08-15 JP JP2019149002A patent/JP7422971B2/ja active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012246531A (ja) | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Adeka Corp | 酸化モリブデンを含有する薄膜の製造方法、酸化モリブデンを含有する薄膜の形成用原料及びモリブデンアミド化合物 |
| US20150262939A1 (en) | 2014-03-14 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor Device and Method Of Manufacturing the Same |
| JP2015177006A (ja) | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016098406A (ja) | 2014-11-21 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | モリブデン膜の成膜方法 |
| US20160348234A1 (en) | 2015-05-28 | 2016-12-01 | Tokyo Electron Limited | Method of Forming Metal Film |
| JP2016222954A (ja) | 2015-05-28 | 2016-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜の成膜方法 |
| US20180019165A1 (en) | 2016-07-14 | 2018-01-18 | Entegris, Inc. | CVD Mo DEPOSITION BY USING MoOCl4 |
| JP2019527302A (ja) | 2016-07-14 | 2019-09-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | ＭｏＯＣｌ４を使用することによるＣＶＤ Ｍｏ堆積 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020029616A (ja) | 2020-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102553413B1 (ko) | 기판의 유전체 표면 상에 몰리브덴 금속막을 증착하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 | |
| US11908736B2 (en) | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures | |
| TWI794276B (zh) | 用於填充基材表面上的間隙特徵的方法和相關的半導體元件結構 | |
| US11898242B2 (en) | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film | |
| US11996292B2 (en) | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures | |
| US12020938B2 (en) | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode | |
| JP7547037B2 (ja) | 周期的堆積プロセスによって基材の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積させる方法および関連する半導体デバイス構造 | |
| JP7542939B2 (ja) | 基材表面および関連する半導体デバイス構造上のギャップ特徴を充填するための方法 | |
| KR20210024418A (ko) | 기판 표면 위에 다결정질 몰리브덴 막을 형성하는 방법 및 이와 관련된 다결정 몰리브덴 막을 포함한 구조 | |
| JP7422971B2 (ja) | 基材および関連する半導体デバイス構造の誘電体表面上にモリブデン金属膜を堆積する方法 | |
| TWI845743B (zh) | 用於藉由循環沉積製程將氮化鉬膜沉積於基板表面上之方法及包括氮化鉬膜之相關半導體裝置結構 | |
| US20230160057A1 (en) | Metal-on-metal deposition methods for filling a gap feature on a substrate surface | |
| CN118241177A (zh) | 沉积钼的等离子体增强方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220801 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230821 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231205 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20231214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7422971 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |