JP7414082B2 - inductor parts - Google Patents

inductor parts Download PDF

Info

Publication number
JP7414082B2
JP7414082B2 JP2022005757A JP2022005757A JP7414082B2 JP 7414082 B2 JP7414082 B2 JP 7414082B2 JP 2022005757 A JP2022005757 A JP 2022005757A JP 2022005757 A JP2022005757 A JP 2022005757A JP 7414082 B2 JP7414082 B2 JP 7414082B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic layer
inductor component
magnetic
thickness
wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022005757A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022050651A5 (en
JP2022050651A (en
Inventor
由雅 吉岡
隆一朗 冨永
顕徳 ▲濱▼田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2022005757A priority Critical patent/JP7414082B2/en
Publication of JP2022050651A publication Critical patent/JP2022050651A/en
Publication of JP2022050651A5 publication Critical patent/JP2022050651A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7414082B2 publication Critical patent/JP7414082B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
  • Insulating Of Coils (AREA)

Description

本発明は、インダクタ部品に関する。 The present invention relates to inductor components.

近年、ノートブック、スマートフォン、デジタルTVなどの電子機器の小型化や薄型化が進んでいる。これに伴い、電子機器に搭載されるインダクタ部品にも、実装面積を小さくできる表面実装型で、小型で、薄型な部品が求められている。 In recent years, electronic devices such as notebooks, smartphones, and digital TVs have become smaller and thinner. Along with this, inductor components installed in electronic devices are also required to be surface-mounted, small, and thin components that can reduce the mounting area.

例えば、ICパッケージ内に電圧レギュレータのシステムを統合し、省電力化と小型化を図る技術としてIVR技術がある。本技術の実現のためには、ICパッケージに内蔵可能な小型、薄型なパワーインダクタ化が必要となる。 For example, IVR technology is a technology that integrates a voltage regulator system within an IC package to save power and reduce the size of the IC package. In order to realize this technology, it is necessary to create a small and thin power inductor that can be built into an IC package.

また、スマートカードでは、カード内に電圧レギュレータやバッテリーチャージャーなどを備えつつ、カード厚みを0.76mmとする必要がある(ISO/IEC 7810規定)。そのため、薄いカードにも、搭載可能な薄型なインダクタが必要となる。 In addition, smart cards must have a voltage regulator, battery charger, etc. inside the card, and the card thickness must be 0.76 mm (ISO/IEC 7810 standard). Therefore, a thin inductor that can be mounted even on thin cards is required.

従来、表面実装型の薄型インダクタ部品として、特許第6024243号公報(特許文献1)に記載されたものがある。インダクタ部品は、プリント基板の平面上に巻回されたスパイラル配線と、スパイラル配線を挟む位置にある第1磁性層および第2磁性層とを備える。つまり、プリント基板の上下面にスパイル配線を形成し、その周りを磁性材料で充填することで磁気抵抗を低減し、インダクタンスの取得効率が高いインダクタ部品を実現している。 Conventionally, there is a surface-mounted thin inductor component described in Japanese Patent No. 6024243 (Patent Document 1). The inductor component includes a spiral wiring wound on a plane of a printed circuit board, and a first magnetic layer and a second magnetic layer located at positions sandwiching the spiral wiring. In other words, by forming spiral wiring on the top and bottom surfaces of a printed circuit board and filling the surrounding area with magnetic material, magnetic resistance is reduced and an inductor component with high inductance acquisition efficiency is achieved.

特許第6024243号公報Patent No. 6024243

ところで、さらなる薄型化を進めていく場合、製造時のばらつきの影響が一段と大きくなる。具体的には、薄型化によりインダクタ部品各部の厚みが小さくなるが、各部の厚みのばらつき量は、薄型化しても小さくなるとは限らない。例えば、従来技術では、第1磁性層および第2磁性層の厚みは、表面を研削して調整されているが、研削精度はインダクタ部品の厚みではなく、設備や製造プロセスに依存する。よって、この場合、薄型化によって、第1磁性層および第2磁性層の厚みのばらつきは相対的に大きくなる。 By the way, when further thinning is promoted, the influence of variations during manufacturing becomes even greater. Specifically, although the thickness of each part of the inductor component becomes smaller due to the reduction in thickness, the amount of variation in the thickness of each part does not necessarily become smaller even if the inductor component is made thinner. For example, in the prior art, the thickness of the first magnetic layer and the second magnetic layer is adjusted by grinding the surfaces, but the grinding accuracy depends not on the thickness of the inductor component but on the equipment and manufacturing process. Therefore, in this case, due to the thinning, the variation in the thickness of the first magnetic layer and the second magnetic layer becomes relatively large.

前述のとおり、第1磁性層や第2磁性層の厚みは、インダクタンスの取得効率に影響するため、これらの厚みのばらつきが大きくなると、インダクタ部品のインダクタンス値のばらつきが大きくなってしまう。 As described above, the thicknesses of the first magnetic layer and the second magnetic layer affect the inductance acquisition efficiency, so if the variations in these thicknesses increase, the variations in the inductance values of the inductor components will increase.

そこで、本開示の課題は、薄型化が進んでも、インダクタンス値のばらつきを低減できるインダクタ部品を提供することにある。 Therefore, an object of the present disclosure is to provide an inductor component that can reduce variations in inductance value even as the thickness of the inductor component increases.

前記課題を解決するため、本開示の一態様であるインダクタ部品は、
平面上に巻回されたスパイラル配線と、
前記スパイラル配線が巻回された平面に対する法線方向の両側から前記スパイラル配線を挟む位置にある第1磁性層および第2磁性層と、
前記スパイラル配線から前記法線方向に延在し、前記第1磁性層および前記第2磁性層の内の少なくとも前記第1磁性層の内部を貫通する垂直配線と、
前記第1磁性層および前記第2磁性層の内の少なくとも前記第1磁性層の表面に設けられ、前記垂直配線の端面を覆う外部端子と
を備え、
前記法線方向からみた前記外部端子の面積に関して、前記第1磁性層は、前記第2磁性層よりも大きく、
前記第1磁性層の厚みをAとし、前記第2磁性層の厚みをBとしたとき、A/((A+B)/2)が0.6以上でかつ1.6以下となる。
In order to solve the above problems, an inductor component that is one aspect of the present disclosure includes:
Spiral wiring wound on a flat surface,
a first magnetic layer and a second magnetic layer sandwiching the spiral wiring from both sides in the normal direction to the plane around which the spiral wiring is wound;
a vertical wiring extending from the spiral wiring in the normal direction and penetrating the inside of at least the first magnetic layer of the first magnetic layer and the second magnetic layer;
an external terminal provided on the surface of at least the first magnetic layer of the first magnetic layer and the second magnetic layer and covering an end surface of the vertical wiring;
Regarding the area of the external terminal viewed from the normal direction, the first magnetic layer is larger than the second magnetic layer,
When the thickness of the first magnetic layer is A and the thickness of the second magnetic layer is B, A/((A+B)/2) is 0.6 or more and 1.6 or less.

本開示のインダクタ部品によれば、第1磁性層の厚みと第2磁性層の厚みとの相対関係に比較的余裕があるため、例えば、研削によっても調整可能である。また、後述するように、インダクタンス値への影響も小さい。 According to the inductor component of the present disclosure, since there is a relative margin between the thickness of the first magnetic layer and the thickness of the second magnetic layer, adjustment is possible by, for example, grinding. Furthermore, as will be described later, the influence on the inductance value is also small.

したがって、薄型化が進んでも、インダクタンス値のばらつきを低減できる。なお、本願において「スパイラル配線」とは、平面状に形成された曲線(2次元曲線)であって、ターン数が1周未満の曲線であってもよく、一部直線部を有していてもよい。 Therefore, even if the device becomes thinner, variations in inductance values can be reduced. In addition, in this application, "spiral wiring" is a curve formed in a planar shape (two-dimensional curve), and may be a curve with less than one turn, and may have a straight portion in part. Good too.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1磁性層の厚みは、前記第2磁性層の厚みよりも厚い。 Moreover, in one embodiment of the inductor component, the thickness of the first magnetic layer is thicker than the thickness of the second magnetic layer.

前記実施形態によれば、第1磁性層の厚みは、第2磁性層の厚みよりも厚いので、インダクタンスの狭偏差化を図ることができる。 According to the embodiment, since the first magnetic layer is thicker than the second magnetic layer, it is possible to narrow the deviation of the inductance.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1磁性層の厚みと前記第2磁性層の厚みは、それぞれ、10μm以上である。 Further, in one embodiment of the inductor component, the thickness of the first magnetic layer and the thickness of the second magnetic layer are each 10 μm or more.

前記実施形態によれば、第1磁性層の厚みと第2磁性層の厚みは、それぞれ、10μm以上であるので、第1、第2磁性層からスパイル配線が露出することを抑制できる。 According to the embodiment, since the thickness of the first magnetic layer and the thickness of the second magnetic layer are each 10 μm or more, it is possible to suppress the exposure of the spiral wiring from the first and second magnetic layers.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線は、銅または銅化合物からなる導体である。 Further, in one embodiment of the inductor component, the spiral wiring is a conductor made of copper or a copper compound.

前記実施形態によれば、スパイラル配線の直流抵抗を下げることができる。 According to the embodiment, the DC resistance of the spiral wiring can be reduced.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線は、無機フィラーおよび有機樹脂からなる絶縁樹脂に覆われている。 Further, in one embodiment of the inductor component, the spiral wiring is covered with an insulating resin made of an inorganic filler and an organic resin.

前記実施形態によれば、スパイラル配線の配線間を狭ギャップにしても、確実に絶縁性を確保できるため、信頼性の高いインダクタ部品を提供できる。 According to the embodiment, insulation can be ensured even if the gap between the spiral wirings is narrow, so that a highly reliable inductor component can be provided.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記インダクタ部品の厚みは、0.35mm以下である。 Further, in one embodiment of the inductor component, the thickness of the inductor component is 0.35 mm or less.

前記実施形態によれば、スマートカードなどの薄さが要求されるアプリケーションに対しても十分に搭載可能となる。 According to the embodiment, it is possible to sufficiently mount the device in applications that require thinness, such as smart cards.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記スパイラル配線の厚みは、(A+B)/2より厚く、かつ、2(A+B)より薄い。 Moreover, in one embodiment of the inductor component, the thickness of the spiral wiring is thicker than (A+B)/2 and thinner than 2(A+B).

前記実施形態によれば、薄型にしても、スパイラル配線の直流抵抗を低減しつつ、インダクタンスを確保できる。 According to the embodiment, even if the spiral wiring is made thin, the DC resistance of the spiral wiring can be reduced and the inductance can be ensured.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記インダクタ部品の厚みは、0.2mm以下である。 Further, in one embodiment of the inductor component, the thickness of the inductor component is 0.2 mm or less.

前記実施形態によれば、薄型のインダクタ部品でも、スパイラル配線の直流抵抗を低減しつつ、インダクタンスを確保できる。 According to the embodiment, even with a thin inductor component, inductance can be ensured while reducing the DC resistance of the spiral wiring.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第2磁性層の透磁率は、前記第1磁性層の透磁率よりも高い。 Also, in one embodiment of the inductor component, the second magnetic layer has a higher magnetic permeability than the first magnetic layer.

前記実施形態によれば、インダクタンスの取得効率を高くできる。 According to the embodiment, the inductance acquisition efficiency can be increased.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記垂直配線は、前記第2磁性層の内部には存在しない。 Further, in one embodiment of the inductor component, the vertical wiring does not exist inside the second magnetic layer.

前記実施形態によれば、透磁率が第1磁性層よりも高い第2磁性層において、磁性材の体積が減る垂直配線を形成しないことで、インダクタンスの取得効率が上がる。また、第2磁性層は第1磁性層よりも加工による影響が大きいため、第2磁性層の内部に垂直配線を形成しないことで、歩留まりを高くできる。 According to the embodiment, in the second magnetic layer whose magnetic permeability is higher than that of the first magnetic layer, vertical wiring that reduces the volume of the magnetic material is not formed, thereby increasing the inductance acquisition efficiency. Further, since the second magnetic layer is more affected by processing than the first magnetic layer, the yield can be increased by not forming vertical wiring inside the second magnetic layer.

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記第1磁性層は、FeSi系もしくはFeCo系もしくはFeAl系合金もしくはそれらのアモルファス合金からなる無機フィラーと、エポキシもしくはポリイミドもしくはフェノール系の有機樹脂とのコンポジット材料であり、
前記無機フィラーの含有率は、前記有機樹脂に対して50vol%以上あり、前記無機フィラーは、略球形である。
Additionally, in one embodiment of the inductor component,
The first magnetic layer is a composite material of an inorganic filler made of FeSi-based, FeCo-based, FeAl-based alloy, or an amorphous alloy thereof, and an epoxy, polyimide, or phenol-based organic resin,
The content of the inorganic filler is 50 vol % or more based on the organic resin, and the inorganic filler has a substantially spherical shape.

前記実施形態によれば、第1磁性層は、無機フィラーと有機樹脂のコンポジット材料であり、無機フィラーの含有率は、50vol%以上あるので、第1磁性層に垂直配線を設けても、磁気特性と加工性を両立できる。また、無機フィラーは、略球形であるので、第1磁性層に垂直配線を設けるとき、垂直配線が滑って第1磁性層に充填されやすくなる。 According to the embodiment, the first magnetic layer is a composite material of an inorganic filler and an organic resin, and the content of the inorganic filler is 50 vol% or more, so even if vertical wiring is provided in the first magnetic layer, the magnetic Achieves both properties and workability. Further, since the inorganic filler is approximately spherical, when vertical wiring is provided in the first magnetic layer, the vertical wiring easily slips and is filled into the first magnetic layer.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間の少なくとも一部において、前記第1磁性層および前記第2磁性層と比較して磁性粉の量が少ない領域が存在する。 Further, in one embodiment of the inductor component, the amount of magnetic powder is smaller in at least a portion between the first magnetic layer and the second magnetic layer than in the first magnetic layer and the second magnetic layer. There are fewer areas.

前記実施形態によれば、第1磁性層と第2磁性層との間に磁性粉の量が少ない領域が存在するので、第1磁性層と第2磁性層との間の密着性が向上し、インダクタ部品の磁性層の強度を向上させることができる。または、磁性粉の存在量が少ない領域を設けることで、磁気飽和特性が向上し得る。 According to the embodiment, since there is a region with a small amount of magnetic powder between the first magnetic layer and the second magnetic layer, the adhesion between the first magnetic layer and the second magnetic layer is improved. , the strength of the magnetic layer of the inductor component can be improved. Alternatively, by providing a region where the amount of magnetic powder present is small, the magnetic saturation characteristics can be improved.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記領域の厚みが0.5μm以上30μm以下である。 Further, in one embodiment of the inductor component, the thickness of the region is 0.5 μm or more and 30 μm or less.

前記実施形態によれば、薄型化しつつ、インダクタ部品の磁性層の強度を向上させることができ、または、磁気飽和特性が向上し得る。 According to the embodiment, the strength of the magnetic layer of the inductor component can be improved while the inductor component is made thinner, or the magnetic saturation characteristics can be improved.

また、インダクタ部品の一実施形態では、
前記スパイラル配線は、複数あり、
前記複数個のスパイラル配線間において、前記スパイラル配線同士を直列に接続するビア導体をさらに備え、
前記ビア導体を含む前記ビア導体と同一層は、導体、無機フィラーおよび有機樹脂のみを含む。
Additionally, in one embodiment of the inductor component,
There are multiple spiral wirings,
Further comprising a via conductor connecting the spiral wirings in series between the plurality of spiral wirings,
The same layer as the via conductor, which includes the via conductor, contains only a conductor, an inorganic filler, and an organic resin.

前記実施形態によれば、ビア導体と同一層は、ある程度の厚みが必要なガラスクロスなどの基材を含まないので、薄型化を可能にしつつ、電気的特性に寄与しない部分が相対的に減少することで、同じ厚みであっても電気的特性を向上させることができる。 According to the above embodiment, the same layer as the via conductor does not include a base material such as glass cloth that requires a certain thickness, so while it is possible to reduce the thickness, the portion that does not contribute to electrical characteristics is relatively reduced. By doing so, the electrical characteristics can be improved even if the thickness is the same.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記ビア導体と同一層の厚みは、1μm以上でかつ20μm以下である。 Further, in one embodiment of the inductor component, the thickness of the same layer as the via conductor is 1 μm or more and 20 μm or less.

前記実施形態によれば、ビア導体と同一層の厚みは、1μm以上であるので、スパイラル配線間のショートを確実に防ぐことができ、ビア導体と同一層の厚みは、20μm以下であるので、薄型のインダクタ部品を提供できる。 According to the embodiment, since the thickness of the same layer as the via conductor is 1 μm or more, short circuits between spiral wiring can be reliably prevented, and the thickness of the same layer as the via conductor is 20 μm or less, We can provide thin inductor parts.

また、インダクタ部品の一実施形態では、前記無機フィラーは、FeSi系合金、FeCo合金、FeAl合金、それらのアモルファス合金およびSiOのうちの少なくとも一つからなり、前記無機フィラーの平均粒径は、5μm以下である。 In one embodiment of the inductor component, the inorganic filler is made of at least one of a FeSi alloy, a FeCo alloy, a FeAl alloy, an amorphous alloy thereof, and SiO2 , and the inorganic filler has an average particle size of: It is 5 μm or less.

前記実施形態によれば、高周波での損失の低減や、絶縁性の確保を図ることができる。 According to the embodiment, it is possible to reduce loss at high frequencies and ensure insulation.

本開示の一態様であるインダクタ部品によれば、薄型化が進んでも、インダクタンス値のばらつきを低減できる。 According to an inductor component that is one aspect of the present disclosure, even if the inductor component becomes thinner, variations in inductance values can be reduced.

第1実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。FIG. 2 is a perspective plan view showing an inductor component according to the first embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing an inductor component according to the first embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の第1のシミュレーション結果を示すグラフある。There is a graph showing the first simulation results of the inductor component according to the first embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の第2のシミュレーション結果を示すグラフある。There is a graph showing a second simulation result of the inductor component according to the first embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第1実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining the manufacturing method of the inductor component concerning a 1st embodiment. 第2実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an inductor component according to a second embodiment. 第2実施形態に係るインダクタ部品を示す拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing an inductor component according to a second embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品を示す透視平面図である。FIG. 7 is a perspective plan view showing an inductor component according to a third embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing an inductor component according to a third embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment. 第3実施形態に係るインダクタ部品の製法を説明する説明図である。It is an explanatory view explaining a manufacturing method of an inductor component concerning a 3rd embodiment.

以下、本開示の一態様を図示の実施の形態により詳細に説明する。 Hereinafter, one aspect of the present disclosure will be described in detail with reference to illustrated embodiments.

(第1実施形態)
(構成)
図1は、インダクタ部品の第1実施形態を示す透視平面図である。図2は、図1のX-X断面図である。
(First embodiment)
(composition)
FIG. 1 is a perspective plan view showing a first embodiment of an inductor component. FIG. 2 is a sectional view taken along line XX in FIG.

インダクタ部品1は、例えば、パソコン、DVDプレーヤー、デジカメ、TV、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、インダクタ部品1の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。 The inductor component 1 is mounted in electronic equipment such as a personal computer, a DVD player, a digital camera, a TV, a mobile phone, and a car electronics, and is, for example, a rectangular parallelepiped-shaped component as a whole. However, the shape of the inductor component 1 is not particularly limited, and may be a cylinder, a polygonal column, a truncated cone, or a truncated polygon.

図1と図2に示すように、インダクタ部品1は、磁性層10と、絶縁層15と、スパイラル配線21と、垂直配線51~53と、外部端子41~43と、被覆膜50とを有する。 As shown in FIGS. 1 and 2, the inductor component 1 includes a magnetic layer 10, an insulating layer 15, a spiral wiring 21, vertical wirings 51 to 53, external terminals 41 to 43, and a coating film 50. have

スパイラル配線21は、導電性材料からなり、平面上に巻回されている。スパイラル配線21が巻回された平面に対する法線方向を、図中、Z方向(上下方向)とし、以下では、順Z方向を上側、逆Z方向を下側とする。なお、Z方向は他の実施形態、実施例においても同様とする。スパイラル配線21は、上側からみて、内周端21aから外周端21bに向かって時計回り方向に渦巻状に巻回されている。 The spiral wiring 21 is made of a conductive material and is wound on a plane. The normal direction to the plane around which the spiral wiring 21 is wound is the Z direction (vertical direction) in the figure, and hereinafter, the forward Z direction will be referred to as the upper side and the reverse Z direction will be referred to as the lower side. Note that the Z direction is the same in other embodiments and examples. The spiral wiring 21 is spirally wound in a clockwise direction from an inner circumferential end 21a toward an outer circumferential end 21b when viewed from above.

磁性層10は、磁性材料からなり、第1磁性層11と、第2磁性層12と、内磁路部13と、外磁路部14とによって構成される。第1磁性層11および第2磁性層12は、Z方向(スパイラル配線21が巻回された平面に対する法線方向)両側からスパイラル配線21を挟む位置にある。具体的には、第1磁性層11はスパイラル配線21の上側、第2磁性層12はスパイラル配線21の下側に位置している。内磁路部13、外磁路部14は、図1に示すように、それぞれスパイラル配線21の内側、外側に配置され、かつ図2に示すように第1磁性層11および第2磁性層12に接続されている。このように、磁性層10はスパイラル配線21に対して閉磁路を構成している。なお、図では、第1磁性層11、第2磁性層12、内磁路部13、外磁路部14は、区別して描かれているが、磁性層10として一体化していてもよい。 The magnetic layer 10 is made of a magnetic material and includes a first magnetic layer 11 , a second magnetic layer 12 , an inner magnetic path section 13 , and an outer magnetic path section 14 . The first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12 are located at positions sandwiching the spiral wiring 21 from both sides in the Z direction (the normal direction to the plane on which the spiral wiring 21 is wound). Specifically, the first magnetic layer 11 is located above the spiral wiring 21 and the second magnetic layer 12 is located below the spiral wiring 21. As shown in FIG. 1, the inner magnetic path section 13 and the outer magnetic path section 14 are arranged inside and outside the spiral wiring 21, respectively, and as shown in FIG. It is connected to the. In this way, the magnetic layer 10 forms a closed magnetic path with respect to the spiral wiring 21. Although the first magnetic layer 11, the second magnetic layer 12, the inner magnetic path section 13, and the outer magnetic path section 14 are drawn separately in the figure, they may be integrated as the magnetic layer 10.

絶縁層15は、絶縁性材料からなり、第1磁性層11と第2磁性層12との間に配置され、該絶縁層15には、スパイラル配線21が埋め込まれている。絶縁層15は、無機フィラーおよび有機樹脂からなる絶縁樹脂である。絶縁層15によってスパイラル配線21を覆うことで、スパイラル配線21の配線間を狭ギャップにしても、確実に絶縁性を確保できるため、信頼性の高いインダクタ部品を提供できる。なお、図1では、磁性層10および絶縁層15を透明にした図で示しているが、磁性層10および絶縁層15は透明、半透明、不透明のいずれであってもよいし、着色されていてもよい。 The insulating layer 15 is made of an insulating material and is disposed between the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12, and the spiral wiring 21 is embedded in the insulating layer 15. The insulating layer 15 is an insulating resin made of an inorganic filler and an organic resin. By covering the spiral wiring 21 with the insulating layer 15, insulation can be ensured even if the gap between the spiral wirings 21 is narrow, so that a highly reliable inductor component can be provided. Although FIG. 1 shows the magnetic layer 10 and the insulating layer 15 as transparent, the magnetic layer 10 and the insulating layer 15 may be transparent, translucent, or opaque, or may be colored. You can.

垂直配線51~53は、導電性材料からなり、スパイラル配線21からZ方向に延在し、第1磁性層11または第2磁性層12の内部を貫通している。垂直配線51~53は、スパイラル配線21からZ方向に延在し、絶縁層15の内部を貫通するビア導体25と、ビア導体25からZ方向に延在し、第1磁性層11または第2磁性層12の内部を貫通する柱状配線31~33とを含む。 The vertical wirings 51 to 53 are made of a conductive material, extend from the spiral wiring 21 in the Z direction, and penetrate inside the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12. The vertical wirings 51 to 53 include a via conductor 25 extending from the spiral wiring 21 in the Z direction and penetrating the inside of the insulating layer 15, and a via conductor 25 extending from the via conductor 25 in the Z direction and connecting to the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 11. It includes columnar wirings 31 to 33 that penetrate inside the magnetic layer 12.

第1垂直配線51は、スパイラル配線21の内周端21aの上面から上側に延在するビア導体25と、該ビア導体25から上側に延在し、第1磁性層11の内部を貫通する第1柱状配線31とを含む。第2垂直配線52および第3垂直配線53は、スパイラル配線21を挟んだZ方向の両側のそれぞれに存在する。第2垂直配線52は、スパイラル配線21の外周端21bの上面から上側に延在するビア導体25と、該ビア導体25から上側に延在し、第1磁性層11の内部を貫通する第2柱状配線32とを含む。第3垂直配線53は、スパイラル配線21の外周端21bの下面から下側に延在するビア導体25と、該ビア導体25から下側に延在し、第2磁性層12の内部を貫通する第3柱状配線33とを含む。 The first vertical wiring 51 includes a via conductor 25 extending upward from the upper surface of the inner circumferential end 21a of the spiral wiring 21, and a via conductor 25 extending upward from the via conductor 25 and penetrating the inside of the first magnetic layer 11. 1 columnar wiring 31. The second vertical wiring 52 and the third vertical wiring 53 are present on both sides of the spiral wiring 21 in the Z direction. The second vertical wiring 52 includes a via conductor 25 extending upward from the upper surface of the outer peripheral end 21 b of the spiral wiring 21 , and a second vertical wiring 52 extending upward from the via conductor 25 and penetrating the inside of the first magnetic layer 11 . The columnar wiring 32 is included. The third vertical wiring 53 includes a via conductor 25 extending downward from the lower surface of the outer circumferential end 21b of the spiral wiring 21, and a via conductor 25 extending downward from the via conductor 25 and penetrating the inside of the second magnetic layer 12. and a third columnar wiring 33.

外部端子41~43は、導電性材料からなり、第1磁性層11および第2磁性層12の表面に設けられている。外部端子41~43は、それぞれ、垂直配線51~53の端面を覆っている。なお、「表面」とは、インダクタ部品1の外側を向く主面であり、第1磁性層11の表面は上面であり、第2磁性層12の表面は下面である。第1外部端子41は、第1磁性層11の上面に設けられ、該上面から露出する垂直配線51(第1柱状配線31)の端面を覆っている。第2外部端子42および第3外部端子43は、スパイラル配線21を挟んだZ方向の両側のそれぞれに存在する。第2外部端子42は、第1磁性層11の上面に設けられ、該上面から露出する垂直配線52(第2柱状配線32)の端面を覆っている。第3外部端子43は、第2磁性層12の下面に設けられ、該下面から露出する垂直配線53(第3柱状配線33)の端面を覆っている。 The external terminals 41 to 43 are made of a conductive material and are provided on the surfaces of the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12. The external terminals 41 to 43 cover the end faces of the vertical wirings 51 to 53, respectively. Note that the "surface" refers to the main surface facing outside of the inductor component 1, the surface of the first magnetic layer 11 is the top surface, and the surface of the second magnetic layer 12 is the bottom surface. The first external terminal 41 is provided on the upper surface of the first magnetic layer 11 and covers the end surface of the vertical wiring 51 (first columnar wiring 31) exposed from the upper surface. The second external terminal 42 and the third external terminal 43 are present on both sides of the spiral wiring 21 in the Z direction. The second external terminal 42 is provided on the upper surface of the first magnetic layer 11 and covers the end surface of the vertical wiring 52 (second columnar wiring 32) exposed from the upper surface. The third external terminal 43 is provided on the lower surface of the second magnetic layer 12 and covers the end surface of the vertical wiring 53 (third columnar wiring 33) exposed from the lower surface.

外部端子41~43には、好ましくは、防錆処理が施されている。ここで、防錆処理とは、NiおよびAu、または、NiおよびSnなどで被膜することである。これにより、はんだによる銅喰われや、錆びを抑制することができ、実装信頼性の高いインダクタ部品1を提供できる。 Preferably, the external terminals 41 to 43 are subjected to anti-rust treatment. Here, the rust prevention treatment means coating with Ni and Au, or Ni and Sn, or the like. Thereby, copper eating by solder and rust can be suppressed, and an inductor component 1 with high mounting reliability can be provided.

被覆膜50は、絶縁性材料からなり、図2に示すように、第1磁性層11の上面および第2磁性層12の下面を覆い、垂直配線51~53および外部端子41~43の端面を露出させている。なお、図1では、被覆膜50を省略して描いている。 The coating film 50 is made of an insulating material, and covers the upper surface of the first magnetic layer 11 and the lower surface of the second magnetic layer 12, as shown in FIG. is exposed. In addition, in FIG. 1, the coating film 50 is omitted.

法線方向(Z方向)からみた外部端子41~43の面積に関して、第1磁性層11は、第2磁性層12よりも大きい。具体的に述べると、第1磁性層11の表面に設けられた外部端子41,42の総面積が、第2磁性層12の表面に設けられた外部端子43の総面積よりも大きい。なお、第1磁性層11と第2磁性層12のうちの第1磁性層11のみに外部端子を設けてもよく、このとき、当然に、外部端子の面積において、第1磁性層11は第2磁性層12よりも大きくなる。 The first magnetic layer 11 is larger than the second magnetic layer 12 in terms of the area of the external terminals 41 to 43 when viewed from the normal direction (Z direction). Specifically, the total area of the external terminals 41 and 42 provided on the surface of the first magnetic layer 11 is larger than the total area of the external terminals 43 provided on the surface of the second magnetic layer 12. Note that the external terminal may be provided only in the first magnetic layer 11 of the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12, and in this case, the first magnetic layer 11 naturally has the area of the external terminal. 2 magnetic layers 12.

第1磁性層11の厚みをAとし、第2磁性層12の厚みをBとしたとき、A/((A+B)/2)が0.6以上でかつ1.6以下となる。これによれば、第1磁性層11の厚みと第2磁性層12の厚みとの相対関係に比較的余裕があるため、例えば、研削によっても調整可能である。また、インダクタンス値への影響も小さい。したがって、薄型化が進んでも、インダクタンス値のばらつきを低減できる。 When the thickness of the first magnetic layer 11 is A and the thickness of the second magnetic layer 12 is B, A/((A+B)/2) is 0.6 or more and 1.6 or less. According to this, since there is a relative margin between the thickness of the first magnetic layer 11 and the thickness of the second magnetic layer 12, adjustment is possible by, for example, grinding. Moreover, the influence on the inductance value is also small. Therefore, even if the device becomes thinner, variations in inductance values can be reduced.

このとき、インダクタ部品1の厚みは、好ましくは、0.35mm以下である。したがって、スマートカードなどの薄さが要求されるアプリケーションに対しても十分に搭載可能となる。 At this time, the thickness of the inductor component 1 is preferably 0.35 mm or less. Therefore, it can be fully installed in applications that require thinness, such as smart cards.

また、第1磁性層11の厚みは、好ましくは、第2磁性層12の厚みよりも厚い。したがって、第1磁性層11側の外部端子41,42を実装基板のランドパターンに接続したとき、ランドパターンへの磁束の漏れを低減し、ランドパターンの導体内で渦電流を低減し、渦電流によるインダクタンス低下を抑制できる。 Further, the thickness of the first magnetic layer 11 is preferably thicker than the thickness of the second magnetic layer 12. Therefore, when the external terminals 41 and 42 on the first magnetic layer 11 side are connected to the land pattern of the mounting board, leakage of magnetic flux to the land pattern is reduced, eddy current is reduced within the conductor of the land pattern, and eddy current It is possible to suppress the decrease in inductance due to

また、スパイラル配線21の厚みは、好ましくは、(A+B)/2より厚く、かつ、2(A+B)より薄い。したがって、薄型にしても、スパイラル配線21の直流抵抗を低減しつつ、インダクタンスを確保できる。具体的に述べると、コンバータ用途に使用されるパワーインダクタは、直流抵抗が大きくなると、コンバータの電力損失が大きくなり、効率を低下させることに繋がるため、スパイラル配線21の断面積を大きくする必要がある。つまり、スパイラル配線21の厚みが十分に厚いことが望まれる。一方、スパイラル配線21の厚みを厚くし過ぎると、薄型のインダクタ部品1の場合、十分なインダクタンスを確保するために、必要な磁性層11,12の厚みを確保できなくなることから、厚すぎても好ましくなく、本範囲内で形成されることにより、薄型のインダクタ部品1を想定したときに所望の特性を得やすい。 Further, the thickness of the spiral wiring 21 is preferably thicker than (A+B)/2 and thinner than 2(A+B). Therefore, even if the spiral wiring 21 is made thin, the DC resistance of the spiral wiring 21 can be reduced and the inductance can be ensured. Specifically, in a power inductor used for a converter, when the DC resistance increases, the power loss of the converter increases, leading to a decrease in efficiency, so it is necessary to increase the cross-sectional area of the spiral wiring 21. be. In other words, it is desirable that the spiral wiring 21 be sufficiently thick. On the other hand, if the thickness of the spiral wiring 21 is made too thick, in the case of a thin inductor component 1, the required thickness of the magnetic layers 11 and 12 cannot be secured in order to secure sufficient inductance. This is not preferable, but by forming within this range, desired characteristics can be easily obtained when a thin inductor component 1 is assumed.

このとき、インダクタ部品1の厚みは、好ましくは、0.2mm以下である。したがって、薄型のインダクタ部品1でも、スパイラル配線21の直流抵抗を低減しつつ、インダクタンスを確保できる。 At this time, the thickness of the inductor component 1 is preferably 0.2 mm or less. Therefore, even with the thin inductor component 1, inductance can be ensured while reducing the DC resistance of the spiral wiring 21.

前記インダクタ部品1によれば、垂直配線51~53が、スパイラル配線21からZ方向に延在し、第1磁性層11または第2磁性層12の内部を貫通する。より具体的には、垂直配線51~53は、スパイラル配線21からZ方向に延在し、絶縁層15の内部を貫通するビア導体25と、ビア導体25からZ方向に延在し、第1磁性層11または第2磁性層12の内部を貫通する柱状配線31~33と、を含む。 According to the inductor component 1, the vertical wirings 51 to 53 extend from the spiral wiring 21 in the Z direction and penetrate inside the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12. More specifically, the vertical wirings 51 to 53 include a via conductor 25 extending from the spiral wiring 21 in the Z direction and penetrating the inside of the insulating layer 15, and a first conductor extending from the via conductor 25 in the Z direction. Columnar wirings 31 to 33 that penetrate inside the magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12 are included.

すなわち、インダクタ部品1では、スパイラル配線21から直接Z方向に配線が引き出されている。これは、スパイラル配線21が、インダクタ部品の上面側または下面側に最短距離で引き出されていることを意味し、基板配線がインダクタ部品1の上面側または下面側から接続される3次元実装において、不要な配線引き回しを低減できることを意味する。したがって、インダクタ部品1は、3次元実装に十分に対応できる構成を有しており、回路設計の自由度を向上できる。 That is, in the inductor component 1, the wiring is directly drawn out from the spiral wiring 21 in the Z direction. This means that the spiral wiring 21 is drawn out to the top or bottom side of the inductor component over the shortest distance, and in three-dimensional mounting where the board wiring is connected from the top or bottom side of the inductor component 1, This means that unnecessary wiring can be reduced. Therefore, the inductor component 1 has a configuration that can sufficiently accommodate three-dimensional mounting, and the degree of freedom in circuit design can be improved.

また、インダクタ部品1では、スパイラル配線21から側面方向に配線が引き出されないため、Z方向から見たインダクタ部品1の面積、すなわち実装面積の低減を実現することができる。したがって、インダクタ部品1は、表面実装および3次元実装のいずれにおいても求められる実装面積の低減も実現でき、回路設計の自由度を向上できる。 Further, in the inductor component 1, since no wiring is drawn out from the spiral wiring 21 in the side direction, the area of the inductor component 1 viewed from the Z direction, that is, the mounting area can be reduced. Therefore, the inductor component 1 can achieve a reduction in the mounting area required for both surface mounting and three-dimensional mounting, and can improve the degree of freedom in circuit design.

また、インダクタ部品1では、柱状配線31~33は、磁性層10の内部を貫通し、スパイラル配線21が巻回された平面に対して法線方向に延在する。この場合、柱状配線31~33においては、電流はスパイラル配線21が巻回された平面に沿った方向に流れず、Z方向に流れる。 Furthermore, in the inductor component 1, the columnar wires 31 to 33 penetrate inside the magnetic layer 10 and extend in the normal direction to the plane around which the spiral wire 21 is wound. In this case, in the columnar wirings 31 to 33, current does not flow in the direction along the plane around which the spiral wiring 21 is wound, but in the Z direction.

ここで、インダクタ部品1のサイズが小さくなると、相対的に磁性層10も小さくなるが、特に内磁路部13では磁束密度が高くなり、磁気飽和しやすくなる。しかし、柱状配線31~33に流れるZ方向の電流による磁束は、内磁路部13を通らないので、磁気飽和特性、すなわち直流重畳特性への影響を低減できる。一方で、従来技術のように、スパイラル配線から引出部によって側面側(スパイラル配線が巻回された平面に沿った方向側)に配線を引き出した場合は、引出部に流れる電流により発生する磁束の一部は内磁路部や外磁路部を通過してしまうため、磁気飽和特性、直流重畳特性への影響を避けることができない。 Here, as the size of the inductor component 1 becomes smaller, the magnetic layer 10 also becomes relatively smaller, but the magnetic flux density becomes higher, especially in the inner magnetic path section 13, and magnetic saturation becomes more likely. However, since the magnetic flux caused by the Z-direction current flowing through the columnar wirings 31 to 33 does not pass through the inner magnetic path section 13, the influence on the magnetic saturation characteristics, that is, the DC superimposition characteristics can be reduced. On the other hand, when the wire is pulled out from the spiral wiring to the side (direction along the plane on which the spiral wiring is wound) by the lead-out part as in the conventional technology, the magnetic flux generated by the current flowing in the lead-out part is Since a part of it passes through the inner magnetic path section and the outer magnetic path section, it is impossible to avoid the influence on the magnetic saturation characteristics and DC superposition characteristics.

なお、柱状配線31~33が第1磁性層11または第2磁性層12の内部を貫通するため、スパイラル配線21から配線を引き出す際に磁性層10の開口箇所を小さくすることができ、容易に閉磁路構造を取ることができる。これにより、基板側へのノイズ伝播を抑制することができる。 Note that since the columnar wirings 31 to 33 penetrate through the inside of the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12, the opening in the magnetic layer 10 can be made small when the wiring is drawn out from the spiral wiring 21. It can have a closed magnetic circuit structure. Thereby, noise propagation to the substrate side can be suppressed.

さらに、インダクタ部品1では、垂直配線51~53は、スパイラル配線21を挟んだZ方向の両側のそれぞれに位置するので、スパイラル配線21を挟んだZ方向の両側のそれぞれに配線を引き出すことができる。具体的には、例えば、インダクタ部品1では、外部端子41~43は、スパイラル配線21を挟んだZ方向の両側のそれぞれに位置する。この場合、例えば、インダクタ部品1の上下面側から基板配線が接続することができる3次元実装に対して、基板配線の接続方法の選択肢を広げることができ、好適となる。 Furthermore, in the inductor component 1, the vertical wires 51 to 53 are located on both sides of the spiral wire 21 in the Z direction, so that the wires can be drawn out to both sides of the spiral wire 21 in the Z direction. . Specifically, for example, in the inductor component 1, the external terminals 41 to 43 are located on both sides of the spiral wiring 21 in the Z direction. In this case, for example, it is possible to expand the options for connecting the board wiring, which is suitable for three-dimensional mounting in which the board wiring can be connected from the top and bottom sides of the inductor component 1.

さらに、スパイラル配線21は磁性層10に沿った平面上に巻回されているため、薄型化に対しても内磁路部13を大きく取ることができ、磁気飽和特性の高い薄型のインダクタ部品1を提供できる。これに対して、例えば、スパイラル配線が磁性層10に沿った平面に対して垂直に巻回されたインダクタ部品を用いると、インダクタ部品の更なる薄型化、すなわち基板の厚み方向の薄型化に対し、コイル径=磁性層の面積が縮小する。これにより、磁気飽和特性が悪化して、インダクタへの十分な通電ができない。 Furthermore, since the spiral wiring 21 is wound on a plane along the magnetic layer 10, the inner magnetic path portion 13 can be made large even when the thickness is reduced, and the thin inductor component 1 has high magnetic saturation characteristics. can be provided. On the other hand, for example, if an inductor component in which spiral wiring is wound perpendicularly to the plane along the magnetic layer 10 is used, it is possible to further reduce the thickness of the inductor component, that is, to reduce the thickness of the inductor component in the thickness direction of the substrate. , the coil diameter = the area of the magnetic layer is reduced. As a result, magnetic saturation characteristics deteriorate, and sufficient current cannot be applied to the inductor.

なお、垂直配線51~53および外部端子41~43は、第1磁性層11のみに形成してもよい。また、第1磁性層11または第2磁性層12の表面に設けられ、スパイラル配線21と電気的に接続されていない外部端子としてのダミー端子を設けてもよい。ダミー端子は導電性であり、すなわち熱伝導率が高いため、放熱性が向上して、信頼性の高い(高環境耐性の)インダクタ部品1を提供できる。例えば、ダミー端子が、基板(埋め込み型の基板を含む)の基板配線に接続された場合は、ダミー端子から基板配線を通る放熱経路が構成されるため、さらに放熱性が向上する。また、ダミー端子が接地されている場合、例えば、ダミー端子が、基板配線の接地線に接続されている場合、ダミー端子が静電シールドを構成することで、静電気が外部回路に伝搬することを抑制でき、ノイズによる誤動作などを防ぐことができる。また、インダクタ部品1を表面実装する場合、ダミー端子をインダクタ部品1の姿勢の安定に利用できる。 Note that the vertical wirings 51 to 53 and the external terminals 41 to 43 may be formed only in the first magnetic layer 11. Further, a dummy terminal may be provided as an external terminal provided on the surface of the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12 and not electrically connected to the spiral wiring 21. Since the dummy terminal is electrically conductive, that is, has high thermal conductivity, heat dissipation is improved, and a highly reliable (highly environmentally resistant) inductor component 1 can be provided. For example, when the dummy terminal is connected to the board wiring of a board (including an embedded board), a heat dissipation path is formed from the dummy terminal through the board wiring, so that the heat dissipation performance is further improved. In addition, if the dummy terminal is grounded, for example, if the dummy terminal is connected to the ground wire of the board wiring, the dummy terminal forms an electrostatic shield to prevent static electricity from propagating to the external circuit. This can prevent malfunctions caused by noise. Furthermore, when the inductor component 1 is surface mounted, the dummy terminal can be used to stabilize the posture of the inductor component 1.

さらに、インダクタ部品1は、図2に示すように、第1磁性層11または第2磁性層12の表面を覆い、垂直配線51~53の端面を露出させる被覆膜50を備えている。ここで、上記「露出」には、インダクタ部品1の外方への露出だけでなく、他の部材への露出も含めている。 Furthermore, as shown in FIG. 2, the inductor component 1 includes a coating film 50 that covers the surface of the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12 and exposes the end faces of the vertical wirings 51 to 53. Here, the above-mentioned "exposure" includes not only the outward exposure of the inductor component 1 but also the exposure to other members.

具体的に述べると、第1磁性層11の上面において、被覆膜50は、外部端子41,42を除く領域を覆っている。第2磁性層12の下面において、被覆膜50は、外部端子43を除く領域を覆っている。このように、外部端子41~43と接続する垂直配線51~53の端面は、被覆膜50から露出している。したがって、隣り合う外部端子41,42(垂直配線51,52)の間の絶縁を確実にとることができる。これにより、インダクタ部品1の耐圧性や耐環境性を確保することができる。また、被覆膜50の形状によって、磁性層10の表面に形成される外部端子41~43の形成領域を任意に設定できるようになることから、実装時の自由度を上げることができるとともに、外部端子41~43を容易に形成できる。 Specifically, the coating film 50 covers the upper surface of the first magnetic layer 11 except for the external terminals 41 and 42. The coating film 50 covers the lower surface of the second magnetic layer 12 except for the external terminals 43 . In this way, the end surfaces of the vertical wirings 51 to 53 connected to the external terminals 41 to 43 are exposed from the coating film 50. Therefore, insulation between adjacent external terminals 41 and 42 (vertical wirings 51 and 52) can be ensured. Thereby, the pressure resistance and environment resistance of the inductor component 1 can be ensured. Furthermore, depending on the shape of the coating film 50, the formation area of the external terminals 41 to 43 formed on the surface of the magnetic layer 10 can be arbitrarily set, which increases the degree of freedom during mounting. External terminals 41 to 43 can be easily formed.

なお、インダクタ部品1では、図2に示すように、外部端子41~43の表面は、第1磁性層11または第2磁性層12の表面よりも、Z方向の外側に位置する。具体的には、外部端子41~43は、被覆膜50に埋め込まれており、外部端子41~43の表面は、第1磁性層11または第2磁性層12の表面と同一平面となっていない。このとき、磁性層10の表面と外部端子41~43の表面との位置関係を独立に設定することができ、外部端子41~43の厚みの自由度を上げることができる。この構成によれば、インダクタ部品1における外部端子41~43の表面の高さ位置を調整することができ、例えば、インダクタ部品1が基板に埋め込まれた際に、他の埋め込み部品の外部端子の高さ位置と合わせ込むことが可能となる。よって、インダクタ部品1を用いることにより、基板のビア形成時のレーザの焦点合わせ工程を合理化することができ、基板の製造効率を向上できる。 Note that in the inductor component 1, as shown in FIG. 2, the surfaces of the external terminals 41 to 43 are located on the outer side in the Z direction than the surfaces of the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12. Specifically, the external terminals 41 to 43 are embedded in the coating film 50, and the surfaces of the external terminals 41 to 43 are flush with the surface of the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12. do not have. At this time, the positional relationship between the surface of the magnetic layer 10 and the surfaces of the external terminals 41 to 43 can be set independently, and the degree of freedom in the thickness of the external terminals 41 to 43 can be increased. According to this configuration, the height position of the surface of the external terminals 41 to 43 in the inductor component 1 can be adjusted. For example, when the inductor component 1 is embedded in a board, the height position of the surface of the external terminals of other embedded components can be adjusted. It is possible to match the height position. Therefore, by using the inductor component 1, it is possible to streamline the laser focusing process when forming vias on the substrate, and it is possible to improve the manufacturing efficiency of the substrate.

さらに、インダクタ部品1では、図1に示すように、Z方向からみて、垂直配線51~53(柱状配線31~33)の端面を覆う外部端子41~43の面積は、垂直配線51~53(柱状配線31~33)の面積よりも大きい。したがって、実装時の接合面積が大きくなり、インダクタ部品1の実装信頼性が向上する。また、基板に実装する時に基板配線とインダクタ部品1との接合位置について、アライメントマージンを確保することができ、実装信頼性を高めることができる。なお、このとき、柱状配線31~33の体積に関わらず、実装信頼性を向上できるため、柱状配線31~33のZ方向から見た断面積を小さくすることにより、第1磁性層11または第2磁性層12の体積の減少を抑制し、インダクタ部品1の特性低下を抑制することができる。 Furthermore, in the inductor component 1, as shown in FIG. It is larger than the area of the columnar wirings 31 to 33). Therefore, the bonding area during mounting is increased, and the mounting reliability of the inductor component 1 is improved. Further, when mounting on a board, an alignment margin can be secured for the bonding position between the board wiring and the inductor component 1, and mounting reliability can be improved. At this time, since mounting reliability can be improved regardless of the volume of the columnar wirings 31 to 33, by reducing the cross-sectional area of the columnar wirings 31 to 33 when viewed from the Z direction, the first magnetic layer 11 or the A decrease in the volume of the second magnetic layer 12 can be suppressed, and a deterioration in the characteristics of the inductor component 1 can be suppressed.

スパイラル配線21、垂直配線51~53(ビア導体25、柱状配線31~33)、外部端子41~43は、好ましくは、銅または銅化合物からなる導体である。これにより、安価で直流抵抗を低減できるインダクタ部品1を提供できる。また、銅を主体とすることで、スパイラル配線21、垂直配線51~53、外部端子41~43間の接合力や導電性の向上を図ることもできる。 The spiral wiring 21, the vertical wirings 51 to 53 (the via conductor 25, the columnar wirings 31 to 33), and the external terminals 41 to 43 are preferably conductors made of copper or a copper compound. Thereby, it is possible to provide an inductor component 1 that is inexpensive and can reduce direct current resistance. Furthermore, by using copper as the main material, it is possible to improve the bonding strength and conductivity between the spiral wiring 21, the vertical wirings 51 to 53, and the external terminals 41 to 43.

なお、インダクタ部品1では、第1磁性層11と第2磁性層12との間に配置され、スパイラル配線21が埋め込まれた絶縁層15を備える。これにより、インダクタ部品1では、配線間のスペースが非常に狭い場合であっても、配線間において金属磁性体などの磁性材料を介した電気的な短絡経路ができる可能性を除くことができるので信頼性の高いインダクタ部品を提供することができる。ただし、絶縁層15が、磁性材料からなることで、磁性層10の一部となっていてもよい。絶縁層15が磁性層10の一部である場合は、同じチップサイズで考えると、磁性層10のボリュームが増えることから、インダクタンス値を高くすることができる。なお、この場合、垂直配線51~53は、ビア導体25と柱状配線31~33とが一体化され、区別されない構成であってもよい。 Note that the inductor component 1 includes an insulating layer 15 that is disposed between the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12 and in which the spiral wiring 21 is embedded. As a result, in the inductor component 1, even if the space between the wires is very narrow, it is possible to eliminate the possibility of creating an electrical short circuit path between the wires through magnetic materials such as metal magnetic bodies. Highly reliable inductor parts can be provided. However, the insulating layer 15 may be a part of the magnetic layer 10 by being made of a magnetic material. When the insulating layer 15 is a part of the magnetic layer 10, the volume of the magnetic layer 10 increases when considering the same chip size, so that the inductance value can be increased. Note that in this case, the vertical wirings 51 to 53 may have a structure in which the via conductor 25 and the columnar wirings 31 to 33 are integrated and are not distinguished from each other.

インダクタ部品1は、1つのスパイラル配線を有するが、この構成に限られず、同一平面上に巻回された2つ以上のスパイラル配線を備えていてもよい。 Although the inductor component 1 has one spiral wiring, it is not limited to this configuration, and may include two or more spiral wiring wound on the same plane.

ただし、インダクタ部品1では外部端子41~43の形成自由度が高いため、外部端子の数が多いインダクタ部品において、その効果はより一層顕著となる。 However, since the inductor component 1 has a high degree of freedom in forming the external terminals 41 to 43, this effect becomes even more pronounced in an inductor component with a large number of external terminals.

(実施例)
次に、インダクタ部品1の実施例について説明する。
(Example)
Next, an example of the inductor component 1 will be described.

スパイラル配線21、垂直配線51~53(ビア導体25、柱状配線31~33)、外部端子41~43は、例えばCu、Ag、Auなどの低抵抗な金属によって構成される。好ましくは、SAP(Semi Additive Process;セミアディティブ工法)によって形成される銅めっきを用いることで、低抵抗でかつ狭ピッチなスパイラル配線21を安価に形成できる。なお、スパイラル配線21、垂直配線51~53、外部端子41~43は、SAP以外のめっき工法、スパッタリング法や蒸着法、塗布法などで形成してもよい。 The spiral wiring 21, the vertical wirings 51 to 53 (the via conductors 25, the columnar wirings 31 to 33), and the external terminals 41 to 43 are made of a low resistance metal such as Cu, Ag, or Au. Preferably, by using copper plating formed by SAP (Semi Additive Process), the spiral wiring 21 with low resistance and narrow pitch can be formed at low cost. Note that the spiral wiring 21, the vertical wirings 51 to 53, and the external terminals 41 to 43 may be formed by a plating method other than SAP, such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a coating method.

本実施例においては、スパイラル配線21、垂直配線51~53は、SAPによる銅めっきで形成され、外部端子41~43は、無電解Cuめっきで形成される。なお、スパイラル配線21、垂直配線51~53(ビア導体25、柱状配線31~33)、外部端子41~43を全て同じ工法で形成してもよい。 In this embodiment, the spiral wiring 21 and the vertical wirings 51 to 53 are formed by SAP copper plating, and the external terminals 41 to 43 are formed by electroless Cu plating. Note that the spiral wiring 21, the vertical wirings 51 to 53 (the via conductors 25, the columnar wirings 31 to 33), and the external terminals 41 to 43 may all be formed by the same method.

磁性層10(第1磁性層11、第2磁性層12、内磁路部13および外磁路部14)は、例えば、磁性材料の粉末を含有する樹脂からなり、好ましくは、略球形の金属磁性材料を含む。したがって、磁性材料の磁路の充填性を良くできる。これにより、磁路を小さくでき、小型なインダクタ部品1を提供することができる。ただし、磁性層は、フェライトなどの磁性材料の粉末を含有する樹脂であってもよいし、フェライト基板や磁性材料のグリーンシートを焼結したものであってもよい。 The magnetic layer 10 (the first magnetic layer 11, the second magnetic layer 12, the inner magnetic path section 13, and the outer magnetic path section 14) is made of, for example, a resin containing powder of a magnetic material, and is preferably made of approximately spherical metal. Contains magnetic materials. Therefore, the filling property of the magnetic path of the magnetic material can be improved. Thereby, the magnetic path can be made small, and a compact inductor component 1 can be provided. However, the magnetic layer may be a resin containing powder of a magnetic material such as ferrite, or may be a sintered ferrite substrate or a green sheet of a magnetic material.

本実施例においては、磁性層10を構成する樹脂は、例えば、エポキシ系樹脂、ビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドからなる有機絶縁材料である。また、磁性層10の磁性材料の粉末は、平均粒径5μm以下の金属磁性体である。金属磁性体は、例えば、FeSiCrなどのFeSi系合金、FeCo系合金、NiFeなどのFe系合金、または、それらのアモルファス合金である。磁性材料の含有率は、好ましくは、磁性層10全体に対して50vol%以上85vol%以下である。 In this embodiment, the resin constituting the magnetic layer 10 is an organic insulating material made of, for example, epoxy resin, bismaleimide, liquid crystal polymer, or polyimide. Further, the magnetic material powder of the magnetic layer 10 is a metallic magnetic substance with an average particle size of 5 μm or less. The metal magnetic material is, for example, a FeSi-based alloy such as FeSiCr, a FeCo-based alloy, a Fe-based alloy such as NiFe, or an amorphous alloy thereof. The content of the magnetic material is preferably 50 vol% or more and 85 vol% or less based on the entire magnetic layer 10.

上記のように、平均粒径が5μm以下と粒径の小さい磁性材料を使うことで、金属磁性体に発生する渦電流を抑制することができ、数十MHzといった高周波でも損失の小さいインダクタ部品1を得ることができる。 As mentioned above, by using a magnetic material with a small average particle size of 5 μm or less, it is possible to suppress the eddy current generated in the metal magnetic material, and the inductor component 1 has low loss even at high frequencies of several tens of MHz. can be obtained.

また、Fe系の磁性材料を使うことで、フェライトなどよりも大きな磁気飽和特性を得ることができる。 Furthermore, by using an Fe-based magnetic material, it is possible to obtain greater magnetic saturation characteristics than ferrite or the like.

また、磁性材料の充填量を50vol%以上にすることで透磁率を高くすることができ、所望のインダクタンス値の取得に必要なスパイラル配線のターン数を低減できるため、直流抵抗と近接効果による高周波での損失を低減できる。さらに、充填量が85vol%以下の場合、磁性材料に対して有機絶縁樹脂のボリュームが十分大きく、磁性材料の流動性を確保できるため、充填性が向上し、実効透磁率や、磁性材料自体の強度を向上できる。 In addition, by increasing the filling amount of magnetic material to 50 vol% or more, magnetic permeability can be increased, and the number of turns of spiral wiring required to obtain the desired inductance value can be reduced. loss can be reduced. Furthermore, when the filling amount is 85 vol% or less, the volume of the organic insulating resin is sufficiently large compared to the magnetic material, and the fluidity of the magnetic material can be ensured, so the filling property is improved and the effective magnetic permeability and the magnetic material itself are improved. Strength can be improved.

一方、低周波で使う場合、渦電流損を高周波程気にする必要がなくなるため、金属磁性体の平均粒径を大きくし、より高透磁率にしてもよい。例えば、平均粒径が100~30μmの大粒と、大粒間の隙間を充填するようにいくつかの小粒(10μm以下)とが混在するような磁性材料が好ましい。こうすることで充填量を高くし、1~10MHzといった周波数で高透磁率の磁性材料を実現できる。ただし、1MHz以上の周波数では、渦電流損の影響を抑制するため、比透磁率は70以下であることが好ましい。 On the other hand, when used at low frequencies, there is no need to be concerned about eddy current loss as it is at high frequencies, so the average particle size of the metal magnetic material may be increased to provide higher magnetic permeability. For example, it is preferable to use a magnetic material in which large particles with an average particle size of 100 to 30 μm and some small particles (10 μm or less) coexist so as to fill the gaps between the large particles. By doing so, the filling amount can be increased and a magnetic material with high magnetic permeability at frequencies such as 1 to 10 MHz can be realized. However, at frequencies of 1 MHz or higher, the relative magnetic permeability is preferably 70 or lower in order to suppress the influence of eddy current loss.

本実施例においては、被覆膜50は、ポリイミド、フェノール、エポキシ樹脂などの有機絶縁樹脂からなる感光性レジストやソルダーレジストで形成されている。 In this embodiment, the coating film 50 is formed of a photosensitive resist or solder resist made of an organic insulating resin such as polyimide, phenol, or epoxy resin.

また、外部端子41~43の表面に施される防錆処理は、Ni、Au、Snなどのめっきである。 Further, the rust prevention treatment applied to the surfaces of the external terminals 41 to 43 is plating with Ni, Au, Sn, or the like.

絶縁層15は、例えば、平均粒径0.5μm以下のSiOフィラーを含有する樹脂からなる。ただし、絶縁層15において、フィラーは必須構成ではない。スパイラル配線21の周りは本実施例のように絶縁層15により被覆されており、スパイラル配線21と磁性材料が接触しない構成をとっているが、磁性材料自体が絶縁性を持つことから、必ずしも絶縁層15で被膜する必要はない。 The insulating layer 15 is made of, for example, a resin containing SiO 2 filler with an average particle size of 0.5 μm or less. However, the filler is not an essential component in the insulating layer 15. The area around the spiral wiring 21 is covered with an insulating layer 15 as in this embodiment, so that the spiral wiring 21 and the magnetic material do not come into contact with each other. However, since the magnetic material itself has insulation properties, insulation is not necessarily required. It is not necessary to coat with layer 15.

絶縁層15で被覆をしない場合は、同じチップサイズで考えると磁性材料のボリュームが増えることでインダクタンス値を高くすることができる。一方、本実施例のように絶縁層15でスパイラル配線21を被覆すると、スパイラル配線21の配線間スペースが非常に狭い場合、スパイラル配線21の配線間において金属磁性体を介した電気的にショートするパスができる可能性を除くことができ、信頼性の高いインダクタ部品1を提供することができる。 When not covered with the insulating layer 15, the inductance value can be increased by increasing the volume of the magnetic material considering the same chip size. On the other hand, when the spiral wiring 21 is covered with the insulating layer 15 as in this embodiment, if the space between the spiral wiring 21 is very narrow, an electrical short-circuit may occur between the spiral wiring 21 via the metal magnetic material. The possibility of a path being formed can be eliminated, and a highly reliable inductor component 1 can be provided.

本実施例において、スパイラル配線21の配線幅は60μm、配線間スペースは10μm、配線厚みは70μmである。 In this embodiment, the spiral wiring 21 has a wiring width of 60 μm, an inter-wire space of 10 μm, and a wiring thickness of 70 μm.

なお、配線間スペースは20μm以下3μm以上が好ましい。配線間スペースを20μm以下にすることで配線幅を大きくとることができるので、直流抵抗を下げることができる。配線間スペースを3μm以上にすることで配線間の絶縁性が十分に保てる。 Note that the space between wirings is preferably 20 μm or less and 3 μm or more. By setting the inter-wiring space to 20 μm or less, the wiring width can be increased, and the direct current resistance can be lowered. By setting the space between the wires to 3 μm or more, sufficient insulation between the wires can be maintained.

また、配線厚みは40μm以上120μm以下が好ましい。配線厚みを40μm以上にすることで直流抵抗を十分に下げることができる。配線厚みを120μm以下にすることで配線アスペクトを極端に大きくすることがなくなり、プロセスばらつきを抑制することができる。 Moreover, the wiring thickness is preferably 40 μm or more and 120 μm or less. By setting the wiring thickness to 40 μm or more, the direct current resistance can be sufficiently lowered. By setting the wiring thickness to 120 μm or less, the wiring aspect does not become extremely large, and process variations can be suppressed.

スパイラル配線21と第1磁性層11との間、スパイラル配線21と第2磁性層12との間にある絶縁層15の厚みは10μmであり、内磁路部13とスパイラル配線21との間にある絶縁層15の厚みは、25μmである。 The thickness of the insulating layer 15 between the spiral wiring 21 and the first magnetic layer 11 and between the spiral wiring 21 and the second magnetic layer 12 is 10 μm. The thickness of one insulating layer 15 is 25 μm.

なお、スパイラル配線21と第1磁性層11、第2磁性層12との間にある絶縁層15の幅は3μm以上20μm以下が好ましい。3μm以上距離をとることでスパイラル配線21と第1磁性層11、第2磁性層12が接触することを確実に防ぐことができ、20μm以下にすることでインダクタ部品1の薄型化が実現できる。 Note that the width of the insulating layer 15 between the spiral wiring 21 and the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12 is preferably 3 μm or more and 20 μm or less. By setting a distance of 3 μm or more, it is possible to reliably prevent the spiral wiring 21 from coming into contact with the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12, and by setting the distance to 20 μm or less, the inductor component 1 can be made thinner.

内磁路部13とスパイラル配線21との間にある絶縁層15の幅は3μm以上50μm以下が好ましい。3μm以上距離をとることでスパイラル配線21と内磁路部13が接触することを確実に防ぐことができ、45μm以下にすることで内磁路部13あるいは外磁路部14を広くとることができるので磁気飽和特性を向上し、インダクタンス値を高くとることができる。 The width of the insulating layer 15 between the inner magnetic path portion 13 and the spiral wiring 21 is preferably 3 μm or more and 50 μm or less. By setting a distance of 3 μm or more, it is possible to reliably prevent the spiral wiring 21 and the inner magnetic path portion 13 from coming into contact with each other, and by setting the distance to 45 μm or less, the inner magnetic path portion 13 or the outer magnetic path portion 14 can be made wider. Therefore, the magnetic saturation characteristics can be improved and the inductance value can be increased.

スパイラル配線21のターン数は本実施形態では、2.5ターンである。ターン数は5ターン以下が好ましい。ターン数が5ターン以下であれば50MHzから150MHzといった高周波スイッチング動作に対して近接効果の損失を小さくすることできる。一方、1MHzといった低周波スイッチング動作で使用する場合は2.5ターン以上が好ましい。ターン数を多くすることで、インダクタンスを高くし、インダクタリップル電流を小さくできる。 In this embodiment, the number of turns of the spiral wiring 21 is 2.5 turns. The number of turns is preferably 5 turns or less. If the number of turns is 5 or less, the loss due to the proximity effect can be reduced for high frequency switching operations from 50 MHz to 150 MHz. On the other hand, when used in low frequency switching operation such as 1 MHz, 2.5 turns or more is preferable. By increasing the number of turns, the inductance can be increased and the inductor ripple current can be reduced.

本実施形態では、第1磁性層11の厚みを117.5μmとし、第2磁性層12の厚みを67.5μmとしている。第1磁性層11、第2磁性層12の厚みは、それぞれ、10μm以上200μm以下が好ましい。第1、第2磁性層11,12の厚みが薄すぎると第1、第2磁性層11,12の研削時にプロセスばらつきによりスパイラル配線21が露出してしまう恐れがある。また、第1、第2磁性層11,12に含まれる磁性材料の平均粒径に対して、第1、第2磁性層11,12の厚みが薄いと脱粒による実効透磁率の低下が大きい。第1、第2磁性層11,12の厚みを200μm以下にするとインダクタ部品の薄膜化が実現できる。 In this embodiment, the thickness of the first magnetic layer 11 is 117.5 μm, and the thickness of the second magnetic layer 12 is 67.5 μm. The thickness of the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12 is preferably 10 μm or more and 200 μm or less, respectively. If the thickness of the first and second magnetic layers 11 and 12 is too thin, the spiral wiring 21 may be exposed due to process variations during grinding of the first and second magnetic layers 11 and 12. Further, when the thickness of the first and second magnetic layers 11 and 12 is thinner than the average grain size of the magnetic material contained in the first and second magnetic layers 11 and 12, the effective magnetic permeability decreases significantly due to grain shedding. By setting the thickness of the first and second magnetic layers 11 and 12 to 200 μm or less, the inductor component can be made thinner.

また、本実施形態の通り、第1、第2磁性層11,12の厚みは異なっていてもよく、外部端子の面積が大きい第1磁性層11の厚みをA、第2磁性層12の厚みをBとしたとき、(A/(A+B)/2)が0.6から1.6の範囲にあることが好ましい。 Further, as in the present embodiment, the thicknesses of the first and second magnetic layers 11 and 12 may be different, and the thickness of the first magnetic layer 11 having a large external terminal area is A, and the thickness of the second magnetic layer 12 is A. When B is, (A/(A+B)/2) is preferably in the range of 0.6 to 1.6.

このとき、第1磁性層11の厚みと第2磁性層12の厚みとの相対関係に比較的余裕があるため、例えば、研削によっても調整可能である。また、後述するように、インダクタンス値への影響も小さい。また、第1、第2磁性層11,12の厚みの相関関係に比較的余裕があるため、インダクタ部品1の厚みを狭偏差とすることが可能となる。具体的には、第1、第2磁性層11,12の厚みの設定自由度が高いため、例えば、スパイラル配線21の厚みのばらつきや絶縁層15の厚みのばらつきなど、加工で発生した厚みのばらつきを磁性層11,12の厚みで吸収することができ、結果としてインダクタ部品1の厚みを狭偏差化できる。 At this time, since there is a relative margin between the thickness of the first magnetic layer 11 and the thickness of the second magnetic layer 12, adjustment is also possible by, for example, grinding. Furthermore, as will be described later, the influence on the inductance value is also small. Further, since there is a relatively large margin in the correlation between the thicknesses of the first and second magnetic layers 11 and 12, it is possible to have a narrow deviation in the thickness of the inductor component 1. Specifically, since there is a high degree of freedom in setting the thicknesses of the first and second magnetic layers 11 and 12, it is possible to avoid thickness variations caused by processing, such as variations in the thickness of the spiral wiring 21 and the thickness of the insulating layer 15. Variations can be absorbed by the thickness of the magnetic layers 11 and 12, and as a result, the thickness deviation of the inductor component 1 can be narrowed.

また、第1磁性層11の厚みが、第2磁性層12の厚みより厚いことが好ましい。インダクタ部品1では、法線方向(Z方向)からみた外部端子41~43の面積に関して、第1磁性層11は、第2磁性層12よりも大きい。すなわち、インダクタ部品1では、第1磁性層11中の磁束の方が、第2磁性層12中の磁束よりも、外部端子41~43によって遮られやすい。そこで、第1磁性層11側の厚みを厚くして外部端子41~43との距離を空け、外部端子41~43の影響を低減することで、インダクタンスの磁性層厚(チップ厚)のばらつきに対する感度を落とすことができ、狭偏差なインダクタンスを有するインダクタ部品を提供することができる。また、一般に外部端子41~43の面積が大きい第1磁性層11側の方が、インダクタ部品1を実装・内蔵する基板側のランドパターンの面積も大きく、また周囲の電子部品の数も多くなりやすい。したがって、第1磁性層11の厚みを厚くして、磁束漏れを低減することで、ランドパターンによる渦電流損や周囲の電子部品へのノイズ入射など、磁束漏れによる悪影響を効果的に低減することができる。 Further, the thickness of the first magnetic layer 11 is preferably thicker than the thickness of the second magnetic layer 12. In the inductor component 1, the first magnetic layer 11 is larger than the second magnetic layer 12 in terms of the area of the external terminals 41 to 43 when viewed from the normal direction (Z direction). That is, in the inductor component 1, the magnetic flux in the first magnetic layer 11 is more easily blocked by the external terminals 41 to 43 than the magnetic flux in the second magnetic layer 12. Therefore, by increasing the thickness on the first magnetic layer 11 side and increasing the distance from the external terminals 41 to 43 to reduce the influence of the external terminals 41 to 43, it is possible to reduce the variation in the magnetic layer thickness (chip thickness) of the inductance. It is possible to reduce sensitivity and provide an inductor component having inductance with narrow deviation. Furthermore, in general, the area of the land pattern on the side of the substrate on which the inductor component 1 is mounted and built-in is larger on the first magnetic layer 11 side, where the area of the external terminals 41 to 43 is larger, and the number of surrounding electronic components is also larger. Cheap. Therefore, by increasing the thickness of the first magnetic layer 11 to reduce magnetic flux leakage, it is possible to effectively reduce the negative effects of magnetic flux leakage, such as eddy current loss due to the land pattern and noise input to surrounding electronic components. Can be done.

防錆処理を含めた外部端子41~43の厚みは、無電解銅めっき厚5μm、Niめっき厚5μm、Auめっき厚0.1μmである。また、被覆膜50の厚みは5μmである。これらの厚みも適便チップ厚みと実装信頼性の観点から厚み、大きさが選択されてよい。 The thickness of the external terminals 41 to 43 including anti-rust treatment is 5 μm thick for electroless copper plating, 5 μm thick for Ni plating, and 0.1 μm thick for Au plating. Further, the thickness of the coating film 50 is 5 μm. These thicknesses and sizes may be selected from the viewpoint of convenient chip thickness and mounting reliability.

以上より、本実施例によると、チップサイズ1210(1.2mm x 1.0mm)、厚み0.300mmである薄型インダクタを提供することができる。 As described above, according to this embodiment, a thin inductor having a chip size of 1210 (1.2 mm x 1.0 mm) and a thickness of 0.300 mm can be provided.

(シミュレーション結果)
以下では、インダクタ部品1の構成における効果を実証するために行った、インダクタ部品1の構成に基づくシミュレーション結果を説明する。図3Aに、第1のシミュレーション結果を示す。図3Aでは、チップ厚みを変えたときの(A/(A+B)/2)とインダクタンスの変化(ΔL)との関係を示す。シミュレーション条件について説明する。シミュレータは、電磁界シミュレータHFSS@シノプシスを用いる。磁性材料の透磁率μは、8.9であり、L取得周波数は、100MHzであり、チップサイズは、1.2mmx1.0mmであり、スパイラル配線21のターン数は、2.5ターンであり、スパイラル配線L/S/tは、60μm/10μm/70μmである。チップ厚みが0.200mmであるときをグラフL1にて示し、チップ厚みが0.300mmであるときをグラフL2にて示す。図3Aに示すように、(A/(A+B)/2)が0.6から1.6の範囲にあるとき、インダクタンスの変化を10%の低下までに抑えることができる。
(simulation result)
Below, the results of a simulation based on the configuration of the inductor component 1, which was conducted to demonstrate the effects of the configuration of the inductor component 1, will be explained. FIG. 3A shows the first simulation results. FIG. 3A shows the relationship between (A/(A+B)/2) and the change in inductance (ΔL) when the chip thickness is changed. The simulation conditions will be explained. The electromagnetic field simulator HFSS@Synopsys is used as a simulator. The magnetic permeability μ of the magnetic material is 8.9, the L acquisition frequency is 100 MHz, the chip size is 1.2 mm x 1.0 mm, and the number of turns of the spiral wiring 21 is 2.5 turns. The spiral wiring L/S/t is 60 μm/10 μm/70 μm. Graph L1 shows when the chip thickness is 0.200 mm, and graph L2 shows when the chip thickness is 0.300 mm. As shown in FIG. 3A, when (A/(A+B)/2) is in the range of 0.6 to 1.6, the change in inductance can be suppressed to a decrease of 10%.

図3Bに、第2のシミュレーション結果を示す。図3Bでは、磁性材料の透磁率を変えたときの(A/(A+B)/2)とインダクタンスの変化(ΔL)との関係を示す。シミュレーション条件について説明する。シミュレータは、電磁界シミュレータHFSS@シノプシスを用いる。L取得周波数は、100MHzであり、チップサイズは、1.2mmx1.0mmであり、チップ厚みは、0.200mmであり、スパイラル配線21のターン数は、2.5ターンであり、スパイラル配線L/S/tは、60μm/10μm/70μmである。磁性材料の透磁率μが8.6であるときをグラフL1にて示し、磁性材料の透磁率μが26.5であるときをグラフL2にて示し、磁性材料の透磁率μが70であるときをグラフL3にて示す。図3Bに示すように、(A/(A+B)/2)が0.6から1.6の範囲にあるとき、インダクタンスの変化を20%の低下までに抑えることができる。 FIG. 3B shows the second simulation result. FIG. 3B shows the relationship between (A/(A+B)/2) and the change in inductance (ΔL) when the magnetic permeability of the magnetic material is changed. The simulation conditions will be explained. The electromagnetic field simulator HFSS@Synopsys is used as a simulator. The L acquisition frequency is 100 MHz, the chip size is 1.2 mm x 1.0 mm, the chip thickness is 0.200 mm, the number of turns of the spiral wiring 21 is 2.5 turns, and the spiral wiring L/ S/t is 60 μm/10 μm/70 μm. Graph L1 shows when the magnetic permeability μ of the magnetic material is 8.6, graph L2 shows when the magnetic permeability μ of the magnetic material is 26.5, and the magnetic permeability μ of the magnetic material is 70. The time is shown in graph L3. As shown in FIG. 3B, when (A/(A+B)/2) is in the range of 0.6 to 1.6, the change in inductance can be suppressed to a decrease of 20%.

(製造方法)
次に、インダクタ部品1の製造方法について説明する。
(Production method)
Next, a method for manufacturing the inductor component 1 will be described.

図4Aに示すようにダミーコア基板61を準備する。ダミーコア基板61の両面には基板銅箔を有する。本実施形態では、ダミーコア基板61はガラスエポキシ基板である。ダミーコア基板61の厚みは、インダクタ部品の厚みに影響を与えないため、加工上のそりなどの理由から適便取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。 A dummy core substrate 61 is prepared as shown in FIG. 4A. Both sides of the dummy core board 61 have substrate copper foil. In this embodiment, the dummy core substrate 61 is a glass epoxy substrate. Since the thickness of the dummy core substrate 61 does not affect the thickness of the inductor component, it is sufficient to use a thickness that is easy to handle for reasons such as warping during processing.

次に、基板銅箔の面上に銅箔62を接着する。銅箔62は基板銅箔の円滑面に接着される。このため、銅箔62と基板銅箔の接着力を弱くすることでき、後工程において、ダミーコア基板61を銅箔62から容易に剥がすことができる。好ましくはダミーコア基板61とダミー金属層(銅箔62)を接着する接着剤は、低粘着剤とする。また、ダミーコア基板61と銅箔62の接着力を弱くするために、ダミーコア基板61と銅箔62の接着面を光沢面とすることが望ましい。 Next, a copper foil 62 is bonded onto the surface of the substrate copper foil. Copper foil 62 is adhered to the smooth surface of the substrate copper foil. Therefore, the adhesive force between the copper foil 62 and the substrate copper foil can be weakened, and the dummy core substrate 61 can be easily peeled off from the copper foil 62 in a subsequent process. Preferably, the adhesive for bonding the dummy core substrate 61 and the dummy metal layer (copper foil 62) is a low adhesive agent. Further, in order to weaken the adhesive force between the dummy core substrate 61 and the copper foil 62, it is desirable that the bonding surface between the dummy core substrate 61 and the copper foil 62 be a glossy surface.

その後、銅箔62上に絶縁層63を積層する。このとき絶縁層63は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。 After that, an insulating layer 63 is laminated on the copper foil 62. At this time, the insulating layer 63 is thermally pressed and hardened using a vacuum laminator, a press machine, or the like.

図4Bに示すように、絶縁層63をレーザ加工などにより開口部63aを形成する。そして、図4Cに示すように、絶縁層63上にダミー銅64aとスパイラル配線64bを形成する。詳しくは、絶縁層63上に無電解めっきやスパッタリング、蒸着などによりSAPのための給電膜(図示せず)を形成する。給電膜の形成後、給電膜上に感光性のレジストを塗布や貼りつけ、フォトリソグラフィによって配線パターンとなる箇所に感光性レジストの開口部を形成する。その後、ダミー銅64a、スパイラル配線64bに相当するメタル配線を感光性レジスト層の開口部に形成する。メタル配線形成後、感光性レジストを薬液により剥離除去し、給電膜をエッチング除去する。その後、さらにこのメタル配線を給電部として、追加の銅電解めっきを施すことで狭スペースな配線を得る。また、SAPにより図4Bに形成された開口部63aには銅が充填される。 As shown in FIG. 4B, an opening 63a is formed in the insulating layer 63 by laser processing or the like. Then, as shown in FIG. 4C, a dummy copper 64a and a spiral wiring 64b are formed on the insulating layer 63. Specifically, a power supply film (not shown) for SAP is formed on the insulating layer 63 by electroless plating, sputtering, vapor deposition, or the like. After forming the power supply film, a photosensitive resist is applied or pasted onto the power supply film, and openings in the photosensitive resist are formed at locations that will become wiring patterns by photolithography. After that, a dummy copper 64a and a metal wiring corresponding to the spiral wiring 64b are formed in the opening of the photosensitive resist layer. After forming the metal wiring, the photosensitive resist is removed using a chemical solution, and the power supply film is removed by etching. Thereafter, this metal wiring is used as a power supply section and additional copper electrolytic plating is applied to obtain wiring in a narrow space. Further, the opening 63a formed by SAP in FIG. 4B is filled with copper.

そして、図4Dに示すように、ダミー銅64a、スパイラル配線64bを絶縁層65で覆う。絶縁層65は真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。 Then, as shown in FIG. 4D, the dummy copper 64a and the spiral wiring 64b are covered with an insulating layer 65. The insulating layer 65 is thermally pressed and hardened using a vacuum laminator, press machine, or the like.

次に、図4Eに示すように、レーザ加工などにより絶縁層65に開口部65aを形成する。 Next, as shown in FIG. 4E, an opening 65a is formed in the insulating layer 65 by laser processing or the like.

その後、ダミーコア基板61を銅箔62から剥がす。そして、銅箔62をエッチングなどにより取り除き、ダミー銅64aをエッチングなどにより取り除いて、図4Fに示すように、内磁路部13に対応する孔部66aと外磁路部14に対応する孔部66bを形成する。 Thereafter, the dummy core substrate 61 is peeled off from the copper foil 62. Then, the copper foil 62 is removed by etching or the like, and the dummy copper 64a is removed by etching or the like to form a hole 66a corresponding to the inner magnetic path section 13 and a hole corresponding to the outer magnetic path section 14, as shown in FIG. 4F. 66b.

その後、図4Gに示すように、絶縁層開口部67aをレーザ加工などにより形成する。そして、図4Hに示すように、SAPにより絶縁層開口部67aを銅により充填し、絶縁層67上に柱状配線68を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 4G, an insulating layer opening 67a is formed by laser processing or the like. Then, as shown in FIG. 4H, the insulating layer opening 67a is filled with copper using SAP, and the columnar wiring 68 is formed on the insulating layer 67.

次に、図4Iに示すように、磁性材料(磁性層)69によりスパイラル配線、絶縁層、柱状配線を覆って、インダクタ基板を形成する。磁性材料69は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。このとき、磁性材料69は、孔部66a,66bにも充填される。 Next, as shown in FIG. 4I, the spiral wiring, the insulating layer, and the columnar wiring are covered with a magnetic material (magnetic layer) 69 to form an inductor substrate. The magnetic material 69 is thermally pressed and hardened using a vacuum laminator, press machine, or the like. At this time, the magnetic material 69 is also filled in the holes 66a and 66b.

そして、図4Jに示すように、インダクタ基板の上下の磁性材料69を研削工法により薄層化する。このとき、柱状配線68の一部を露出されることで、磁性材料69の同一平面上に柱状配線68の露出部が形成される。このとき、インダクタンス値が得られるのに十分な厚みまで磁性材料69を研削することで、インダクタ部品の薄型化を図ることができる。 Then, as shown in FIG. 4J, the magnetic material 69 on the top and bottom of the inductor substrate is thinned by a grinding method. At this time, by exposing a portion of the columnar wiring 68, an exposed portion of the columnar wiring 68 is formed on the same plane of the magnetic material 69. At this time, by grinding the magnetic material 69 to a thickness sufficient to obtain an inductance value, the inductor component can be made thinner.

その後、図4Kに示すように、印刷工法により磁性体表面に絶縁樹脂(被覆膜)70を形成する。ここで、絶縁樹脂70の開口部70aを、外部端子の形成部分とする。本実施例では、印刷工法を用いたが、フォトリソグラフィ法によって開口部70aを形成してもよい。 Thereafter, as shown in FIG. 4K, an insulating resin (coating film) 70 is formed on the surface of the magnetic material by a printing method. Here, the opening 70a of the insulating resin 70 is used as a portion where an external terminal is formed. In this embodiment, a printing method is used, but the opening 70a may be formed using a photolithography method.

次に、図4Lに示すように、無電解銅めっきや、NiおよびAuなどのめっき被膜し、外部端子71aを形成し、図4Mに示すように、破線部Lにてダイシングにより個片化し、図2のインダクタ部品を得る。なお、図4B以降、記載を省略したが、ダミーコア基板61の両面にインダクタ基板を形成してもよい。これにより、高い生産性を得ることができる。 Next, as shown in FIG. 4L, an external terminal 71a is formed by electroless copper plating or a plating film such as Ni and Au, and as shown in FIG. 4M, it is diced into pieces at the broken line L, The inductor component shown in FIG. 2 is obtained. Although not shown in FIG. 4B and subsequent figures, inductor substrates may be formed on both sides of the dummy core substrate 61. Thereby, high productivity can be obtained.

なお、この実施形態では、第2磁性層12側にも外部端子を設けているが、第2磁性層12側に外部端子を設けない場合、図4Kに示すように、磁性材料69の下面に絶縁樹脂70を設けない。 In this embodiment, an external terminal is also provided on the second magnetic layer 12 side, but if no external terminal is provided on the second magnetic layer 12 side, as shown in FIG. 4K, the lower surface of the magnetic material 69 is Insulating resin 70 is not provided.

(第2実施形態)
図5は、インダクタ部品の断面図である。第2実施形態は、第1実施形態とは、第2磁性層の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第2実施形態において、第1実施形態と同一の符号は、第1実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
(Second embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional view of the inductor component. The second embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the second magnetic layer. This different configuration will be explained below. Note that in the second embodiment, the same reference numerals as those in the first embodiment have the same configurations as in the first embodiment, so the description thereof will be omitted.

図5に示すように、インダクタ部品1Aでは、第2磁性層12Aの透磁率は、第1磁性層11の透磁率よりも高い。したがって、インダクタンスの取得効率を高くできる。このとき、第1磁性層11の厚みAは、好ましくは、第2磁性層12Aの厚みBよりも厚い。これにより、第2磁性層12Aの厚みBが薄くても、第2磁性層12Aの透磁率は高くて、漏れ磁束が生じにくくなり、さらに、第1磁性層11の厚みが厚いことから、第1磁性層11側の漏れ磁束も生じにくくなる。 As shown in FIG. 5, in the inductor component 1A, the magnetic permeability of the second magnetic layer 12A is higher than the magnetic permeability of the first magnetic layer 11. Therefore, the efficiency of acquiring inductance can be increased. At this time, the thickness A of the first magnetic layer 11 is preferably thicker than the thickness B of the second magnetic layer 12A. As a result, even if the thickness B of the second magnetic layer 12A is small, the magnetic permeability of the second magnetic layer 12A is high, making it difficult to generate leakage flux.Furthermore, since the thickness of the first magnetic layer 11 is thick, Leakage flux on the magnetic layer 11 side is also less likely to occur.

ここで、透磁率の解析方法について述べる。透磁率の大小は、以下の第1、第2または第3の解析方法により、評価することができる。基本、第1または第2の解析方法を用いて測定するが、第1または第2の解析方法を用いることができないときにのみ、第3の解析方法を用いて測定する。 Here, a method for analyzing magnetic permeability will be described. The magnitude of magnetic permeability can be evaluated by the following first, second, or third analysis method. Basically, the first or second analysis method is used for measurement, but only when the first or second analysis method cannot be used, the third analysis method is used for measurement.

第1の解析方法としては、磁性材料を液状、シート状などで入手できる場合はそれらをシート、板、ブロック状に加工し、公知のインピーダンス測定方法により透磁率を取得できることができる。 As a first analysis method, if the magnetic material is available in liquid form, sheet form, etc., it can be processed into a sheet, plate, or block shape, and the magnetic permeability can be obtained by a known impedance measurement method.

第2の解析方法としては、チップ状態からは、例えば、チップのインダクタンスを測定した後、磁性層の一面を研削やエッチングなどにより除去し、再度インダクタンスを測定する。その後、電磁界シミュレーション(例えばアンシス社のHFSS)でそれぞれの状態に対応するインダクタンスとなる実行透磁率を求めることで、チップ状態からの透磁率を比較することが可能である。 As a second analysis method, from the chip state, for example, after measuring the inductance of the chip, one surface of the magnetic layer is removed by grinding or etching, and the inductance is measured again. Thereafter, it is possible to compare the magnetic permeability from the chip state by determining the effective magnetic permeability that becomes the inductance corresponding to each state using electromagnetic field simulation (for example, HFSS from Ansys).

第3の解析方法としては、一般的な、公知の知識よりSEM画像の断面から判断することができる。例えば、EDX分析の結果から、同じ材料系の磁性粉が使用されていれば、粒径が大きい磁性粉が多い、磁性材料の方が、少ない磁性材料よりも透磁率は高い。ここで、取得するSEM画像はチップの長手側の中心をカットして得られる断面から得て良い。また、SEM画像の倍率は200~2000倍であることが好ましい。 As a third analysis method, judgment can be made from the cross section of the SEM image based on general and well-known knowledge. For example, from the results of EDX analysis, if magnetic powders of the same material type are used, a magnetic material with a large amount of magnetic powder having a large particle size has a higher magnetic permeability than a magnetic material with a smaller amount of magnetic powder. Here, the SEM image to be acquired may be obtained from a cross section obtained by cutting the center of the longitudinal side of the chip. Further, the magnification of the SEM image is preferably 200 to 2000 times.

また、垂直配線51,52は、第2磁性層12Aの内部には存在しない。この場合、透磁率が第1磁性層11よりも高い第2磁性層12Aにおいて、磁性材の体積が減る垂直配線を形成しないことで、インダクタンスの取得効率が上がる。また、第2磁性層12Aは第1磁性層11よりも透磁率が高いため、磁性層中の磁性材料の割合(体積)が大きく、加工によって磁性材料の脱粒や欠損が発生しやすく、かつ脱硫や欠損のインダクタンスへの影響も大きい。すなわち、第2磁性層12Aは第1磁性層11よりも加工による影響が大きいため、第2磁性層12Aの内部に垂直配線を形成しないことで、歩留まりを高くできる。 Further, the vertical wirings 51 and 52 do not exist inside the second magnetic layer 12A. In this case, in the second magnetic layer 12A whose magnetic permeability is higher than that of the first magnetic layer 11, the inductance acquisition efficiency is increased by not forming a vertical wiring that reduces the volume of the magnetic material. In addition, since the second magnetic layer 12A has a higher magnetic permeability than the first magnetic layer 11, the proportion (volume) of the magnetic material in the magnetic layer is large, and the magnetic material is easily shed or chipped during processing. The effect of defects on inductance is also large. That is, since the second magnetic layer 12A is more affected by processing than the first magnetic layer 11, the yield can be increased by not forming vertical wiring inside the second magnetic layer 12A.

また、第1磁性層11は、好ましくは、FeSi系もしくはFeCo系もしくはFeAl系合金もしくはそれらのアモルファス合金からなる無機フィラーと、エポキシもしくはポリイミドもしくはフェノール系の有機樹脂とのコンポジット材料であり、無機フィラーの含有率は、好ましくは、有機樹脂に対して50vol%以上あり、無機フィラーは、好ましくは、略球形である。 The first magnetic layer 11 is preferably a composite material of an inorganic filler made of FeSi, FeCo, or FeAl alloy, or an amorphous alloy thereof, and an organic resin such as epoxy, polyimide, or phenol. The content of the inorganic filler is preferably 50 vol % or more based on the organic resin, and the inorganic filler is preferably approximately spherical.

したがって、第1磁性層11は、無機フィラーと有機樹脂のコンポジット材料であり、無機フィラーの含有率は、50vol%以上あるので、第1磁性層11に垂直配線51,52を設けても、磁気特性と加工性を両立できる。また、無機フィラーは、略球形であるので、第1磁性層11に垂直配線51,52を設けるとき、垂直配線51,52が滑って第1磁性層11に充填されやすくなる。 Therefore, the first magnetic layer 11 is a composite material of an inorganic filler and an organic resin, and the content of the inorganic filler is 50 vol% or more. Achieves both properties and workability. Further, since the inorganic filler is approximately spherical, when the vertical wirings 51 and 52 are provided in the first magnetic layer 11, the vertical wirings 51 and 52 tend to slip and be filled into the first magnetic layer 11.

図6は、インダクタ部品1Aの拡大図である。図6に示すように、第1磁性層11と第2磁性層12Aとの間の少なくとも一部において、第1磁性層11および第2磁性層12Aと比較して磁性粉(無機フィラー)101,102の量が少ない領域が存在する。この領域は、第1磁性層11に含まれる樹脂成分および第2磁性層12Aに含まれる樹脂成分で構成されてよく、あるいは、第1磁性層11および第2磁性層12Aに含まれる樹脂成分とは異なる樹脂で構成されてもよい。以下、この領域を樹脂層16とよぶ。 FIG. 6 is an enlarged view of the inductor component 1A. As shown in FIG. 6, in at least a portion between the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12A, magnetic powder (inorganic filler) 101, There is a region where the amount of 102 is small. This region may be composed of a resin component contained in the first magnetic layer 11 and a resin component contained in the second magnetic layer 12A, or a resin component contained in the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12A. may be composed of different resins. Hereinafter, this region will be referred to as the resin layer 16.

樹脂層16は、磁性粉を含まないものであり得るが、第1磁性層11および第2磁性層12Aよりも磁性粉の存在量が少ない限りにおいて、磁性粉を含有してもよい。樹脂層16に含まれる磁性粉は、第1、第2磁性層11,12Aに含まれる磁性粉と同じであってよい。 The resin layer 16 may not contain magnetic powder, but may contain magnetic powder as long as the amount of magnetic powder present is smaller than that of the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12A. The magnetic powder contained in the resin layer 16 may be the same as the magnetic powder contained in the first and second magnetic layers 11 and 12A.

したがって、第1磁性層11と第2磁性層12Aとの間に樹脂層16が存在するので、第1磁性層11と第2磁性層12Aとの間の密着性が向上し、インダクタ部品1Aの磁性層10の強度を向上させることができる。また、磁性粉の少ない樹脂層16を設けることで、磁気飽和特性が向上し得る。 Therefore, since the resin layer 16 exists between the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12A, the adhesion between the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12A is improved, and the inductor component 1A is The strength of the magnetic layer 10 can be improved. Further, by providing the resin layer 16 with less magnetic powder, the magnetic saturation characteristics can be improved.

樹脂層16の厚さが大きいほど、密着性および磁気飽和特性が向上するが、樹脂層16の厚さが大きすぎると、インダクタンスの取得効率が低下するおそれがある。樹脂層16の厚さは、0.5μm以上30μm以下であることが好ましい。樹脂層16の厚さが0.5μm以上であると、第1磁性層11と第2磁性層12Aとの間の密着性をより一層向上させることができ、かつ、磁気飽和特性をより一層向上させることができる。樹脂層16の厚さが30μm以下であると、密着性および磁気飽和特性が向上すると同時に、インダクタンスの取得効率の低下を抑制することができる。 The thicker the resin layer 16 is, the better the adhesion and magnetic saturation characteristics are. However, if the resin layer 16 is too thick, the inductance acquisition efficiency may be reduced. The thickness of the resin layer 16 is preferably 0.5 μm or more and 30 μm or less. When the thickness of the resin layer 16 is 0.5 μm or more, the adhesion between the first magnetic layer 11 and the second magnetic layer 12A can be further improved, and the magnetic saturation characteristics can be further improved. can be done. When the thickness of the resin layer 16 is 30 μm or less, adhesion and magnetic saturation characteristics are improved, and at the same time, a decrease in inductance acquisition efficiency can be suppressed.

また、第1磁性層11は、略球形の磁性粉101を含み、第2磁性層12Aは、偏平形の磁性粉102を含む。第2磁性層12Aにおいて、偏平形の磁性粉101は、その長軸が法線方向(Z方向)と直交する方向に沿って配列される。これにより、第2磁性層12Aにおいて、磁束は、法線方向(Z方向)と直交する方向に沿って流れる。したがって、第2磁性層12Aは、第1磁性層11と比べて、透磁率が高くなる。 Further, the first magnetic layer 11 includes substantially spherical magnetic powder 101, and the second magnetic layer 12A includes flat magnetic powder 102. In the second magnetic layer 12A, the flat magnetic powders 101 are arranged with their long axes along a direction perpendicular to the normal direction (Z direction). Thereby, in the second magnetic layer 12A, magnetic flux flows along a direction perpendicular to the normal direction (Z direction). Therefore, the second magnetic layer 12A has higher magnetic permeability than the first magnetic layer 11.

なお、第1と第2磁性層11,12Aには、異種材料、または、高充填化した材料を使用してもよい。または、第1と第2磁性層11,12Aにおいて磁性粉の充填量に勾配をかけて、第1磁性層11よりも第2磁性層12Aの実効透磁率を高くしてもよい。 Note that different materials or highly filled materials may be used for the first and second magnetic layers 11 and 12A. Alternatively, the effective magnetic permeability of the second magnetic layer 12A may be made higher than that of the first magnetic layer 11 by applying a gradient to the filling amount of magnetic powder in the first and second magnetic layers 11 and 12A.

(第3実施形態)
(構成)
図7Aは、インダクタ部品の第3実施形態を示す透視平面図である。図7Bは、図7AのX-X断面図である。第3実施形態は、第1実施形態とは、スパイラル配線の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第3実施形態において、第1実施形態と同一の符号は、第1実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
(Third embodiment)
(composition)
FIG. 7A is a perspective plan view showing a third embodiment of the inductor component. FIG. 7B is a sectional view taken along line XX in FIG. 7A. The third embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the spiral wiring. This different configuration will be explained below. Note that in the third embodiment, the same reference numerals as those in the first embodiment have the same configurations as in the first embodiment, so the description thereof will be omitted.

図7Aと図7Bに示すように、インダクタ部品1Bは、インダクタ部品1と同様に、スパイラル配線21,22からZ方向に延伸し、第1磁性層11または第2磁性層12の内部を貫通する垂直配線51~53を備える。 As shown in FIGS. 7A and 7B, like the inductor component 1, the inductor component 1B extends from the spiral wirings 21 and 22 in the Z direction and penetrates the inside of the first magnetic layer 11 or the second magnetic layer 12. Vertical wirings 51 to 53 are provided.

一方、インダクタ部品1Bでは、スパイラル配線は第1スパイラル配線21と第2スパイラル配線22の複数あり、第1スパイラル配線21と第2スパイラル配線22との間を直列に接続する第2ビア導体27をさらに備える。具体的に述べると、第1スパイラル配線21と第2スパイラル配線22は、Z方向に積層されている。第1スパイラル配線21は、上側からみて、外周端21bから内周端21aに向かって反時計回り方向に渦巻状に巻回されている。第2スパイラル配線22は、上側からみて、内周端22aから外周端22bに向かって反時計回り方向に渦巻状に巻回されている。 On the other hand, in the inductor component 1B, the spiral wiring includes a plurality of first spiral wirings 21 and second spiral wirings 22, and a second via conductor 27 that connects the first spiral wiring 21 and the second spiral wiring 22 in series. Be prepared for more. Specifically, the first spiral wiring 21 and the second spiral wiring 22 are stacked in the Z direction. The first spiral wiring 21 is spirally wound in a counterclockwise direction from an outer peripheral end 21b toward an inner peripheral end 21a when viewed from above. The second spiral wiring 22 is spirally wound in a counterclockwise direction from an inner peripheral end 22a toward an outer peripheral end 22b when viewed from above.

第1スパイラル配線21の外周端21bは、その外周端21bの上側の第1垂直配線51(ビア導体25および第1柱状配線31)を介して、第1外部端子41に接続される。第1スパイラル配線21の内周端21aは、その内周端21aの下側の第2ビア導体27を介して、第2スパイラル配線22の内周端22aに接続される。 The outer peripheral end 21b of the first spiral wiring 21 is connected to the first external terminal 41 via the first vertical wiring 51 (the via conductor 25 and the first columnar wiring 31) above the outer peripheral end 21b. The inner peripheral end 21a of the first spiral wiring 21 is connected to the inner peripheral end 22a of the second spiral wiring 22 via the second via conductor 27 below the inner peripheral end 21a.

第2スパイラル配線22の外周端22bは、その外周端22bの上側の第2垂直配線52(ビア導体25、26および第2柱状配線32)を介して、第2外部端子42に接続される。第2スパイラル配線22の外周端22bは、その外周端22bの下側の第3垂直配線53(ビア導体25および第3柱状配線33)を介して、第3外部端子43に接続される。ビア導体26は、第2スパイラル配線22の外周端22bの上側のビア導体25からZ方向に延在し絶縁層15の内部を貫通する。ビア導体26は、第1スパイラル配線21と同一平面上に形成される。 The outer peripheral end 22b of the second spiral wiring 22 is connected to the second external terminal 42 via the second vertical wiring 52 (the via conductors 25, 26 and the second columnar wiring 32) above the outer peripheral end 22b. The outer peripheral end 22b of the second spiral wiring 22 is connected to the third external terminal 43 via the third vertical wiring 53 (the via conductor 25 and the third columnar wiring 33) below the outer peripheral end 22b. The via conductor 26 extends in the Z direction from the via conductor 25 above the outer peripheral end 22 b of the second spiral wiring 22 and penetrates inside the insulating layer 15 . The via conductor 26 is formed on the same plane as the first spiral wiring 21 .

第2ビア導体27を含む第2ビア導体27と同一層は、導体、無機フィラーおよび有機樹脂のみを含む。つまり、同一層は、第2ビア導体27、絶縁層15および磁性層10のみを含む。したがって、第2ビア導体27と同一層は、ある程度の厚みが必要なガラスクロスなどの基材を含まないので、薄型化を可能にしつつ、電気的特性に寄与しない部分が相対的に減少することで、同じ厚みであっても電気的特性を向上させることができる。なお、「第2ビア導体27と同一層」とは、法線方向(Z方向)について、第2ビア導体27の上端から下端までの領域と同じ位置にある部分(層)を指す。言い換えると、スパイラル配線21が巻回された平面と平行な面について、第2ビア導体27の上端から下端までの領域と同一面にある部分(層)を指す。
これに対して、従来のインダクタ部品は、非磁性のプリント基板を有しており、このプリント基板の厚みは、60μmと厚いために、チップ厚が薄くなるにつれて、チップ全体の非磁性領域が占める割合が増加してくる。この結果、チップ厚が薄くなるほど、インダクタンスの取得効率の低下が大きくなる。 また、パワーインダクタの重要な特性指標として、直流抵抗Rdcがあるが、直流抵抗Rdcを維持したまま、チップ厚を薄くしようとすると、スパイラル配線の厚みを維持しつつ、チップ厚を薄くする必要があるため、その結果、磁性層の厚みが薄くなり、インダクタンスの取得効率の低下や磁束漏れが発生する可能性がある。例えば、ランドパターン側に磁束がもれると、ランドパターンの導体内で渦電流が発生し、発生した渦電流により、磁束を打ち消す方向に新たな磁束が生成される。その結果、インダクタンスが低下することになる。また、漏れ磁束による磁気ノイズの伝播により周りの電子部品へ影響を及ぼすことが懸念される。
The same layer as the second via conductor 27 including the second via conductor 27 contains only a conductor, an inorganic filler, and an organic resin. That is, the same layer includes only the second via conductor 27, the insulating layer 15, and the magnetic layer 10. Therefore, since the same layer as the second via conductor 27 does not include a base material such as glass cloth that requires a certain thickness, it is possible to reduce the thickness while relatively reducing the portion that does not contribute to electrical characteristics. Therefore, the electrical characteristics can be improved even if the thickness is the same. Note that "the same layer as the second via conductor 27" refers to a portion (layer) located at the same position as the region from the upper end to the lower end of the second via conductor 27 in the normal direction (Z direction). In other words, it refers to a portion (layer) that is on the same plane as the region from the upper end to the lower end of the second via conductor 27 with respect to a plane parallel to the plane on which the spiral wiring 21 is wound.
On the other hand, conventional inductor components have a non-magnetic printed circuit board, and the thickness of this printed circuit board is as thick as 60 μm, so as the chip thickness becomes thinner, the non-magnetic area of the entire chip occupies more. The percentage will increase. As a result, as the chip thickness becomes thinner, the reduction in inductance acquisition efficiency becomes greater. Also, DC resistance Rdc is an important characteristic index of power inductors, but if you try to reduce the chip thickness while maintaining the DC resistance Rdc, you will need to reduce the chip thickness while maintaining the spiral wiring thickness. Therefore, as a result, the thickness of the magnetic layer becomes thinner, and there is a possibility that the inductance acquisition efficiency decreases and magnetic flux leakage occurs. For example, when magnetic flux leaks to the land pattern side, an eddy current is generated within the conductor of the land pattern, and the generated eddy current generates new magnetic flux in a direction that cancels out the magnetic flux. As a result, the inductance will decrease. Furthermore, there is a concern that the propagation of magnetic noise due to leakage magnetic flux may affect surrounding electronic components.

第2ビア導体27と同一層の厚みは、好ましくは、1μm以上でかつ20μm以下である。したがって、第2ビア導体27と同一層の厚みは、1μm以上であるので、スパイラル配線間のショートを確実に防ぐことができ、第2ビア導体27と同一層の厚みは、20μm以下であるので、薄型のインダクタ部品1Bを提供できる。 The thickness of the same layer as the second via conductor 27 is preferably 1 μm or more and 20 μm or less. Therefore, since the thickness of the same layer as the second via conductor 27 is 1 μm or more, short circuits between the spiral wiring can be reliably prevented, and the thickness of the same layer as the second via conductor 27 is 20 μm or less. , it is possible to provide a thin inductor component 1B.

無機フィラーは、好ましくは、FeSi系合金、FeCo合金、FeAl合金、それらのアモルファス合金およびSiOのうちの少なくとも一つからなり、無機フィラーの平均粒径は、好ましくは、5μm以下である。したがって、高周波での損失の低減や、絶縁性の確保を図ることができる。 The inorganic filler preferably consists of at least one of a FeSi alloy, a FeCo alloy, a FeAl alloy, an amorphous alloy thereof, and SiO 2 , and the average particle size of the inorganic filler is preferably 5 μm or less. Therefore, it is possible to reduce loss at high frequencies and ensure insulation.

また、インダクタ部品1Bでは、第2ビア導体27により、第1スパイラル配線21と第2スパイラル配線22とが直列に接続されているので、ターン数を増やすことでインダクタンス値を向上できる。また、第1から第3垂直配線51~53を第1、第2スパイラル配線21,22の外周から出すことができるので、第1、第2スパイラル配線21,22の内径を大きくとることができ、インダクタンス値を向上できる。 Furthermore, in the inductor component 1B, since the first spiral wiring 21 and the second spiral wiring 22 are connected in series by the second via conductor 27, the inductance value can be improved by increasing the number of turns. Furthermore, since the first to third vertical wirings 51 to 53 can be brought out from the outer peripheries of the first and second spiral wirings 21 and 22, the inner diameters of the first and second spiral wirings 21 and 22 can be increased. , the inductance value can be improved.

また、第1スパイラル配線21と第2スパイラル配線22は、それぞれ法線方向に積層されているので、ターン数に対してZ方向からみたインダクタ部品1Bの面積、すなわち実装面積を低減でき、インダクタ部品1Bの小型化が実現できる。 Furthermore, since the first spiral wiring 21 and the second spiral wiring 22 are laminated in the normal direction, the area of the inductor component 1B seen from the Z direction, that is, the mounting area, can be reduced relative to the number of turns, and the inductor component Miniaturization of 1B can be achieved.

なお、インダクタ部品1Bでは、直列接続されたスパイラル配線を偶数備える構成であったが、これに限られず、直列接続されたスパイラル配線は奇数であってもよい。垂直配線は、スパイラル配線からZ方向に配線を引き出すため、直列接続されたスパイラル配線が奇数個であって、インダクタの一方の端部が内周側に配置されていても、該端部を外周側に引き出す必要がない。したがって、この場合、薄型化を実現することができる。また、このように、直列接続されるスパイラル配線の数の自由度が向上するため、インダクタンス値の設定範囲の自由度も向上する。 Although the inductor component 1B has a configuration including an even number of spiral wirings connected in series, the present invention is not limited to this, and an odd number of spiral wirings may be connected in series. In vertical wiring, the wiring is drawn out from the spiral wiring in the Z direction, so even if an odd number of spiral wirings are connected in series and one end of the inductor is placed on the inner periphery, the end is connected to the outer periphery. There is no need to pull it out to the side. Therefore, in this case, a reduction in thickness can be achieved. Further, since the degree of freedom in the number of spiral wirings connected in series is improved in this way, the degree of freedom in the setting range of the inductance value is also improved.

また、インダクタ部品1Bでは、2層のスパイラル配線からなるインダクタを同一平面上に1つ配置しているが、同一平面上にインダクタを2つ以上配置していてもよい。 Further, in the inductor component 1B, one inductor made of two layers of spiral wiring is arranged on the same plane, but two or more inductors may be arranged on the same plane.

(製造方法)
次に、インダクタ部品1Bの製造方法について説明する。
(Production method)
Next, a method for manufacturing the inductor component 1B will be described.

まず、インダクタ部品1の製造方法の図4Aから図4Cに示す工程を行う。続いて、図8Aに示すように、第1のダミー銅64aおよび第1のスパイラル配線64bを第1の絶縁層65で覆う。絶縁層65は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。 First, the steps shown in FIGS. 4A to 4C of the method for manufacturing the inductor component 1 are performed. Subsequently, as shown in FIG. 8A, the first dummy copper 64a and the first spiral wiring 64b are covered with a first insulating layer 65. The insulating layer 65 is thermocompressed and thermally cured using a vacuum laminator, a press machine, or the like.

そして、図8Bに示すように、レーザ加工などにより、ダミー銅64a上の絶縁層65を開口して開口部65aを形成し、スパイラル配線64bの端部上の絶縁層65を開口して開口部65bを形成する。 Then, as shown in FIG. 8B, by laser processing or the like, the insulating layer 65 on the dummy copper 64a is opened to form an opening 65a, and the insulating layer 65 on the end of the spiral wiring 64b is opened to form the opening. 65b.

次に、図8Cに示すように、図8Cと同じようにSAPとその後の追加銅電極めっきを行って、第2のダミー銅81aと第2のスパイラル配線81bを形成する。なお、スパイラル配線の積層数を増やす場合、図8Aから図8Cを繰り返せばよい。 Next, as shown in FIG. 8C, SAP and subsequent additional copper electrode plating are performed in the same manner as in FIG. 8C to form second dummy copper 81a and second spiral wiring 81b. Note that when increasing the number of layers of spiral wiring, the steps from FIG. 8A to FIG. 8C may be repeated.

そして、図8Dに示すように、第2のダミー銅81aおよび第2のスパイラル配線81bを第2の絶縁層82で覆う。絶縁層82は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。そして、レーザ加工などにより、第2のダミー銅81a上の絶縁層82の開口部82aを形成する。 Then, as shown in FIG. 8D, the second dummy copper 81a and the second spiral wiring 81b are covered with a second insulating layer 82. The insulating layer 82 is thermocompression bonded and thermosetted using a vacuum laminator, a press machine, or the like. Then, an opening 82a in the insulating layer 82 on the second dummy copper 81a is formed by laser processing or the like.

その後、ダミーコア基板61を銅箔62から剥がす。そして、銅箔62をエッチングなどにより取り除き、ダミー銅64aをエッチングなどにより取り除いて、図8Eに示すように、内磁路に対応する孔部66aと外磁路に対応する孔部66bを形成する。 Thereafter, the dummy core substrate 61 is peeled off from the copper foil 62. Then, the copper foil 62 is removed by etching or the like, and the dummy copper 64a is removed by etching or the like to form a hole 66a corresponding to the inner magnetic path and a hole 66b corresponding to the outer magnetic path, as shown in FIG. 8E. .

その後、図8Fに示すように、絶縁層82に開口部87aをレーザ加工などにより形成する。そして、図8Gに示すように、SAPにより絶縁層82の開口部87aを銅により充填し、絶縁層82上に柱状配線68を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 8F, an opening 87a is formed in the insulating layer 82 by laser processing or the like. Then, as shown in FIG. 8G, the opening 87a of the insulating layer 82 is filled with copper using SAP, and the columnar wiring 68 is formed on the insulating layer 82.

次に、図8Hに示すように、磁性材料(磁性層)69によりスパイラル配線、絶縁層、柱状配線を覆って、インダクタ基板を形成する。磁性材料69は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し、熱硬化する。このとき、磁性材料69は、孔部66a,66bにも充填される。 Next, as shown in FIG. 8H, the spiral wiring, the insulating layer, and the columnar wiring are covered with a magnetic material (magnetic layer) 69 to form an inductor substrate. The magnetic material 69 is thermally pressed and hardened using a vacuum laminator, press machine, or the like. At this time, the magnetic material 69 is also filled in the holes 66a and 66b.

そして、図8Iに示すように、インダクタ基板の上下の磁性材料69を研削工法により薄層化する。このとき、柱状配線68の一部を露出されることで、磁性材料69の同一平面上に柱状配線68の露出部が形成される。 Then, as shown in FIG. 8I, the magnetic material 69 on the top and bottom of the inductor substrate is thinned by a grinding method. At this time, by exposing a portion of the columnar wiring 68, an exposed portion of the columnar wiring 68 is formed on the same plane of the magnetic material 69.

その後、図8Jに示すように、印刷工法により磁性体表面に絶縁樹脂(絶縁層)70を形成する。ここで、絶縁樹脂70の開口部70aを、外部端子の形成部分とする。上記では、印刷工法を用いたが、フォトリソグラフィ法によって開口部70aを形成してもよい。 Thereafter, as shown in FIG. 8J, an insulating resin (insulating layer) 70 is formed on the surface of the magnetic material by a printing method. Here, the opening 70a of the insulating resin 70 is used as a portion where an external terminal is formed. Although the printing method is used in the above example, the opening 70a may be formed using a photolithography method.

次に、図8Kに示すように、無電解銅めっきや、NiおよびAuなどのめっき被膜し、外部端子71aを形成し、図8Lに示すように、破線部Lにてダイシングにより個片化し、図7のインダクタ部品1Bを得る。なお、ダミーコア基板61の両面にインダクタ基板を形成してもよい。これにより、高い生産性を得ることができる。 Next, as shown in FIG. 8K, electroless copper plating or plating film such as Ni and Au is applied to form external terminals 71a, and as shown in FIG. The inductor component 1B shown in FIG. 7 is obtained. Note that inductor substrates may be formed on both sides of the dummy core substrate 61. Thereby, high productivity can be obtained.

なお、本開示は上述の実施形態に限定されず、本開示の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第1から第3実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。 Note that the present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and design changes can be made without departing from the gist of the present disclosure. For example, the features of the first to third embodiments may be combined in various ways.

また、第1から第3実施形態において、他の実施形態で説明した作用効果であって、該実施形態では特に言及せず、説明を省略しているものであっても、該実施形態で同様の構成を有する場合は、該実施形態においても基本的に同じ作用効果は発揮される。 In addition, in the first to third embodiments, even if the effects described in other embodiments are not specifically mentioned or the explanation is omitted in the embodiments, the same effects may be used in the first to third embodiments. In this case, basically the same effects can be achieved in this embodiment as well.

1,1A,1B インダクタ部品
10 磁性層
11 第1磁性層
12,12A 第2磁性層
13 内磁路部
14 外磁路部
15 絶縁層
16 樹脂層(磁性粉の量の少ない領域)
21 第1スパイラル配線
22 第2スパイラル配線
25 ビア導体
31 第1柱状配線
32 第2柱状配線
33 第3柱状配線
41 第1外部端子
42 第2外部端子
43 第3外部端子
50 被覆膜
51 第1垂直配線
52 第2垂直配線
53 第3垂直配線
1, 1A, 1B Inductor parts 10 Magnetic layer 11 First magnetic layer 12, 12A Second magnetic layer 13 Inner magnetic path section 14 Outer magnetic path section 15 Insulating layer 16 Resin layer (area with a small amount of magnetic powder)
21 First spiral wiring 22 Second spiral wiring 25 Via conductor 31 First pillar wiring 32 Second pillar wiring 33 Third pillar wiring 41 First external terminal 42 Second external terminal 43 Third external terminal 50 Covering film 51 First Vertical wiring 52 Second vertical wiring 53 Third vertical wiring

Claims (15)

平面上に巻回されたスパイラル配線と、
前記スパイラル配線が巻回された平面に対する法線方向の両側から前記スパイラル配線を挟む位置にある第1磁性層および第2磁性層と、
前記スパイラル配線から前記法線方向に延在し、前記第1磁性層の内部を貫通する第1垂直配線と、
前記スパイラル配線から前記法線方向に延在し、前記第2磁性層の内部を貫通する第2垂直配線と、
前記第1磁性層の表面および前記第2磁性層の表面に設けられ外部端子と
を備え、
前記外部端子は、前記第1磁性層の表面の一部に直接接し、かつ、前記第1垂直配線の端面を覆う第1外部端子と、前記第2磁性層の表面の一部に直接接し、かつ、前記第2垂直配線の端面を覆う第2外部端子と、を含み、
前記法線方向からみた平面視において、前記第1外部端子の面積は、前記第2外部端子の面積よりも大きく、
前記第1磁性層の厚みは、前記第2磁性層の厚みよりも厚く、
前記第1磁性層の厚みをAとし、前記第2磁性層の厚みをBとしたとき、A/((A+B)/2)が1.0より大きくかつ1.15以下となる、インダクタ部品。
Spiral wiring wound on a flat surface,
a first magnetic layer and a second magnetic layer sandwiching the spiral wiring from both sides in the normal direction to the plane around which the spiral wiring is wound;
a first vertical wiring extending from the spiral wiring in the normal direction and penetrating inside the first magnetic layer ;
a second vertical wiring extending from the spiral wiring in the normal direction and penetrating inside the second magnetic layer;
an external terminal provided on the surface of the first magnetic layer and the surface of the second magnetic layer,
The external terminal is in direct contact with a part of the surface of the first magnetic layer, and a first external terminal that covers an end face of the first vertical wiring, and a part of the surface of the second magnetic layer, and a second external terminal that covers an end surface of the second vertical wiring,
In plan view from the normal direction, the area of the first external terminal is larger than the area of the second external terminal ,
The thickness of the first magnetic layer is thicker than the thickness of the second magnetic layer,
An inductor component, wherein A/((A+B)/2) is greater than 1.0 and less than or equal to 1.15, where A is the thickness of the first magnetic layer and B is the thickness of the second magnetic layer.
平面上に巻回されたスパイラル配線と、
前記スパイラル配線が巻回された平面に対する法線方向の両側から前記スパイラル配線を挟む位置にある第1磁性層および第2磁性層と、
前記スパイラル配線から前記法線方向に延在し、前記第1磁性層の内部を貫通する第1垂直配線と、
前記スパイラル配線から前記法線方向に延在し、前記第2磁性層の内部を貫通する第2垂直配線と、
前記第1磁性層の表面および前記第2磁性層の表面に設けられ外部端子と
を備え、
前記外部端子は、前記第1磁性層の表面の一部に直接接し、かつ、前記第1垂直配線の端面を覆う第1外部端子と、前記第2磁性層の表面の一部に直接接し、かつ、前記第2垂直配線の端面を覆う第2外部端子と、を含み、
前記法線方向からみた平面視において、前記第1外部端子の面積は、前記第2外部端子の面積よりも大きく、
前記第1磁性層の厚みは、前記第2磁性層の厚みよりも厚く、
前記第1磁性層の厚みをAとし、前記第2磁性層の厚みをBとしたとき、A/((A+B)/2)が1.0より大きくかつ1.3以下となる、インダクタ部品。
Spiral wiring wound on a flat surface,
a first magnetic layer and a second magnetic layer sandwiching the spiral wiring from both sides in the normal direction to the plane around which the spiral wiring is wound;
a first vertical wiring extending from the spiral wiring in the normal direction and penetrating inside the first magnetic layer ;
a second vertical wiring extending from the spiral wiring in the normal direction and penetrating inside the second magnetic layer;
an external terminal provided on the surface of the first magnetic layer and the surface of the second magnetic layer,
The external terminal is in direct contact with a part of the surface of the first magnetic layer and covers an end surface of the first vertical wiring, and the external terminal is in direct contact with a part of the surface of the second magnetic layer, and a second external terminal that covers an end surface of the second vertical wiring,
In plan view from the normal direction, the area of the first external terminal is larger than the area of the second external terminal ,
The thickness of the first magnetic layer is thicker than the thickness of the second magnetic layer,
An inductor component, wherein A/((A+B)/2) is greater than 1.0 and less than or equal to 1.3, where A is the thickness of the first magnetic layer and B is the thickness of the second magnetic layer.
前記第1磁性層の厚みと前記第2磁性層の厚みは、それぞれ、10μm以上である、請求項1または2に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to claim 1 or 2 , wherein the thickness of the first magnetic layer and the thickness of the second magnetic layer are each 10 μm or more. 前記スパイラル配線は、銅または銅化合物からなる導体である、請求項1からの何れか一つに記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 3 , wherein the spiral wiring is a conductor made of copper or a copper compound. 前記スパイラル配線は、無機フィラーおよび有機樹脂からなる絶縁樹脂に覆われている、請求項1からの何れか一つに記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 4 , wherein the spiral wiring is covered with an insulating resin made of an inorganic filler and an organic resin. 前記インダクタ部品の厚みは、0.35mm以下である、請求項1からの何れか一つに記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 5 , wherein the inductor component has a thickness of 0.35 mm or less. 前記スパイラル配線の厚みは、(A+B)/2より厚く、かつ、2(A+B)より薄い、請求項1からの何れか一つに記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 6 , wherein the thickness of the spiral wiring is thicker than (A+B)/2 and thinner than 2(A+B). 前記インダクタ部品の厚みは、0.2mm以下である、請求項に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to claim 7 , wherein the inductor component has a thickness of 0.2 mm or less. 前記第2磁性層の透磁率は、前記第1磁性層の透磁率よりも高い、請求項1からの何れか一つに記載のインダクタ部品。 The inductor component according to any one of claims 1 to 8 , wherein the second magnetic layer has a higher magnetic permeability than the first magnetic layer. 前記第1磁性層は、FeSi系もしくはFeCo系もしくはFeAl系合金もしくはそれらのアモルファス合金からなる無機フィラーと、エポキシもしくはポリイミドもしくはフェノール系の有機樹脂とのコンポジット材料であり、
前記無機フィラーの含有率は、前記有機樹脂に対して50vol%以上あり、前記無機フィラーは、略球形である、請求項に記載のインダクタ部品。
The first magnetic layer is a composite material of an inorganic filler made of FeSi-based, FeCo-based, FeAl-based alloy, or an amorphous alloy thereof, and an epoxy, polyimide, or phenol-based organic resin,
The inductor component according to claim 9 , wherein the content of the inorganic filler is 50 vol% or more with respect to the organic resin, and the inorganic filler has a substantially spherical shape.
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間の少なくとも一部において、前記第1磁性層および前記第2磁性層と比較して磁性粉の量が少ない領域が存在する、請求項から10の何れか一つに記載のインダクタ部品。 From claim 8 , there is a region in which the amount of magnetic powder is smaller than in the first magnetic layer and the second magnetic layer, at least in a part between the first magnetic layer and the second magnetic layer. 10. The inductor component according to any one of 10 . 前記領域の厚みが0.5μm以上30μm以下である、請求項11に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to claim 11 , wherein the thickness of the region is 0.5 μm or more and 30 μm or less. 前記スパイラル配線は、複数あり、
前記複数個のスパイラル配線間において、前記スパイラル配線同士を直列に接続するビア導体をさらに備え、
前記ビア導体を含む前記ビア導体と同一層は、導体、無機フィラーおよび有機樹脂のみを含む、請求項1または2に記載のインダクタ部品。
There are multiple spiral wirings,
Further comprising a via conductor connecting the spiral wirings in series between the plurality of spiral wirings,
The inductor component according to claim 1 or 2 , wherein the same layer as the via conductor that includes the via conductor contains only a conductor, an inorganic filler, and an organic resin.
前記ビア導体と同一層の厚みは、1μm以上でかつ20μm以下である、請求項13に記載のインダクタ部品。 The inductor component according to claim 13 , wherein the thickness of the same layer as the via conductor is 1 μm or more and 20 μm or less. 前記無機フィラーは、FeSi系合金、FeCo合金、FeAl合金、それらのアモルファス合金およびSiOのうちの少なくとも一つからなり、前記無機フィラーの平均粒径は、5μm以下である、請求項13または14に記載のインダクタ部品。 14. The inorganic filler is made of at least one of a FeSi alloy, a FeCo alloy, a FeAl alloy, an amorphous alloy thereof, and SiO2 , and the inorganic filler has an average particle size of 5 μm or less. Inductor parts listed in.
JP2022005757A 2020-08-21 2022-01-18 inductor parts Active JP7414082B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022005757A JP7414082B2 (en) 2020-08-21 2022-01-18 inductor parts

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020140164A JP7253520B2 (en) 2020-08-21 2020-08-21 inductor components
JP2022005757A JP7414082B2 (en) 2020-08-21 2022-01-18 inductor parts

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020140164A Division JP7253520B2 (en) 2020-08-21 2020-08-21 inductor components

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022050651A JP2022050651A (en) 2022-03-30
JP2022050651A5 JP2022050651A5 (en) 2023-01-20
JP7414082B2 true JP7414082B2 (en) 2024-01-16

Family

ID=73453937

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020140164A Active JP7253520B2 (en) 2020-08-21 2020-08-21 inductor components
JP2022005757A Active JP7414082B2 (en) 2020-08-21 2022-01-18 inductor parts

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020140164A Active JP7253520B2 (en) 2020-08-21 2020-08-21 inductor components

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP7253520B2 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014837A (en) 2002-06-07 2004-01-15 Jfe Steel Kk Plane magnetic element
JP2008085057A (en) 2006-09-27 2008-04-10 Nitta Ind Corp Electromagnetic wave absorbing material
JP2014127717A (en) 2012-12-26 2014-07-07 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Common mode filter and method of manufacturing the same
JP2017069523A (en) 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 Inductor component, package component and switching regulator
JP2017103355A (en) 2015-12-02 2017-06-08 Tdk株式会社 Manufacturing method of coil component, coil component, and power supply circuit unit

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210541A (en) * 2005-01-27 2006-08-10 Nec Tokin Corp Inductor
JP2010205905A (en) * 2009-03-03 2010-09-16 Fuji Electric Systems Co Ltd Magnetic component, and method of manufacturing the magnetic component
WO2016013643A1 (en) * 2014-07-25 2016-01-28 株式会社村田製作所 Electronic component and method for producing same
JP6668723B2 (en) * 2015-12-09 2020-03-18 株式会社村田製作所 Inductor components

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004014837A (en) 2002-06-07 2004-01-15 Jfe Steel Kk Plane magnetic element
JP2008085057A (en) 2006-09-27 2008-04-10 Nitta Ind Corp Electromagnetic wave absorbing material
JP2014127717A (en) 2012-12-26 2014-07-07 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Common mode filter and method of manufacturing the same
JP2017069523A (en) 2015-10-02 2017-04-06 株式会社村田製作所 Inductor component, package component and switching regulator
JP2017103355A (en) 2015-12-02 2017-06-08 Tdk株式会社 Manufacturing method of coil component, coil component, and power supply circuit unit

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020191476A (en) 2020-11-26
JP7253520B2 (en) 2023-04-06
JP2022050651A (en) 2022-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6912976B2 (en) Inductor parts
US20230260696A1 (en) Inductor component
US10784039B2 (en) Inductor component and inductor-component incorporating substrate
US11735353B2 (en) Inductor component and method of manufacturing same
US10694622B2 (en) Printed wiring board and switching regulator
JP7306219B2 (en) Inductor array components and substrates with built-in inductor array components
JP7414082B2 (en) inductor parts
CN112652445B (en) Inductor component
JP7156209B2 (en) Inductor components and substrates with built-in inductor components
JP7411590B2 (en) Inductor parts and their manufacturing method
US12033789B2 (en) Inductor component and inductor component embedded substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230207

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20230522

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20230529

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230928

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20231006

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231128

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231211

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7414082

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150