JP7402612B2

JP7402612B2 - Filters and multiplexers

Info

Publication number: JP7402612B2
Application number: JP2019044760A
Authority: JP
Inventors: 直之田坂; 崇天野
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2019-03-12
Filing date: 2019-03-12
Publication date: 2023-12-21
Anticipated expiration: 2039-03-12
Also published as: JP2020150361A

Description

本発明は、フィルタおよびマルチプレクサに関し、共振回路と弾性波共振器を有するフィルタおよびマルチプレクサに関する。 The present invention relates to a filter and a multiplexer, and more particularly, to a filter and a multiplexer having a resonant circuit and an elastic wave resonator.

キャパシタおよびインダクタにより形成された共振回路に、弾性波共振器を設けるフィルタが知られている（例えば特許文献１、２）。 A filter is known in which an elastic wave resonator is provided in a resonant circuit formed by a capacitor and an inductor (for example, Patent Documents 1 and 2).

特開２０１８－１２９６８０号公報Japanese Patent Application Publication No. 2018-129680 特開２０１８－１２９６８３号公報Japanese Patent Application Publication No. 2018-129683

共振回路に弾性波共振器を設けることで、通過帯域と阻止帯域との間の急峻性を高めることができる。しかしながら、温度特性が劣化することがある。 By providing an elastic wave resonator in the resonant circuit, the steepness between the pass band and the stop band can be increased. However, the temperature characteristics may deteriorate.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、温度特性を向上させることを目的とする。 The present invention was made in view of the above problems, and an object of the present invention is to improve temperature characteristics.

本発明は入力端子と、出力端子と、前記入力端子と前記出力端子との間に直列接続された２つのキャパシタと、前記入力端子と前記出力端子との間において、前記２つのキャパシタに並列接続されたインダクタと、を備え、共振周波数は、通過帯域より高く、かつ正の温度係数を有する共振回路と、一端が前記２つのキャパシタの間のノードに接続され、他端が接地され、共振周波数は、通過帯域と前記共振回路の共振周波数との間に位置し、かつ負の温度係数を有する弾性波共振器と、誘電率の温度係数が負でありＳｒＴｉＯ _３を添加したＣａＭｇＳｉ _２Ｏ _６を含む積層された複数の誘電体層と、を備え、前記２つのキャパシタは、前記複数の誘電体層のうち少なくとも１つの誘電体層を挟む一対の電極を備え、前記インダクタは、前記複数の誘電体層の少なくとも１つの誘電体層に設けられた配線パターンを備えるフィルタである。
The present invention includes an input terminal, an output terminal, two capacitors connected in series between the input terminal and the output terminal, and a capacitor connected in parallel to the two capacitors between the input terminal and the output terminal. a resonant circuit having a resonant frequency higher than the passband and a positive temperature coefficient; one end connected to a node between the two capacitors and the other end grounded; is an elastic wave resonator located between the passband and the resonant frequency of the resonant circuit and having a negative temperature coefficient, and an elastic wave resonator having a negative temperature coefficient of dielectric constant and CaMgSi ₂ O ₆ doped with SrTiO ₃ . a plurality of stacked dielectric layers , the two capacitors each include a pair of electrodes sandwiching at least one dielectric layer among the plurality of dielectric layers, and the inductor The filter includes a wiring pattern provided on at least one dielectric layer of the body layer .

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。 The present invention is a multiplexer including the above filter.

本発明によれば、温度特性を向上させることができる。 According to the present invention, temperature characteristics can be improved.

図１は、実施例１に係るフィルタの回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a filter according to a first embodiment. 図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図であり、図２（ｂ）は、実施例１における別の弾性波共振器の断面図である。2(a) is a plan view of an elastic wave resonator in Example 1, and FIG. 2(b) is a sectional view of another elastic wave resonator in Example 1. 図３は、実施例１に係るＬＣ部品の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the LC component according to Example 1. 図４は、実験に用いたマルチプレクサを示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a multiplexer used in the experiment. 図５は、実験において弾性波共振器Ｒ２１をシャント接続したときの通過特性である。FIG. 5 shows the passage characteristics when the elastic wave resonator R21 was shunt-connected in an experiment. 図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１のマルチプレクサにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。FIGS. 6A and 6B are diagrams showing the pass characteristics of the filter 42 in the multiplexer of Comparative Example 1. 図７（ａ）および図７（ｂ）は、比較例１のシミュレーションにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。FIGS. 7A and 7B are diagrams showing the pass characteristics of the filter 42 in a simulation of Comparative Example 1. 図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１のシミュレーションにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。FIGS. 8A and 8B are diagrams showing the pass characteristics of the filter 42 in the simulation of the first embodiment.

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１は、実施例１に係るフィルタの回路図である。図１に示すように、実施例１に係るフィルタでは、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に共振回路２０が接続されている。共振回路２０は、キャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１を備えている。キャパシタＣ１およびＣ２は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に直列接続されている。インダクタＬ１は、入力端子ＴｉｎとキャパシタＣ１との間のノードＮ１と、出力端子ＴｏｕｔとキャパシタＣ２との間のノードＮ２と、の間に、キャパシタＣ１およびＣ２と並列接続されている。弾性波共振器Ｒ１の一端は、キャパシタＣ１とＣ２との間のノードＮ３に接続され、他端はグランド端子に接続されている。 FIG. 1 is a circuit diagram of a filter according to a first embodiment. As shown in FIG. 1, in the filter according to the first embodiment, a resonant circuit 20 is connected between the input terminal Tin and the output terminal Tout. The resonant circuit 20 includes capacitors C1 and C2 and an inductor L1. Capacitors C1 and C2 are connected in series between input terminal Tin and output terminal Tout. Inductor L1 is connected in parallel with capacitors C1 and C2 between a node N1 between input terminal Tin and capacitor C1 and a node N2 between output terminal Tout and capacitor C2. One end of the elastic wave resonator R1 is connected to a node N3 between capacitors C1 and C2, and the other end is connected to a ground terminal.

共振回路２０は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間の通過特性に減衰極を形成する。弾性波共振器Ｒ１は、共振回路２０が形成する減衰極と通過帯域との間の減衰極を形成する。これにより、通過帯域と阻止帯域との間に急峻性を高めることができる。 The resonant circuit 20 forms an attenuation pole in the pass characteristic between the input terminal Tin and the output terminal Tout. The elastic wave resonator R1 forms an attenuation pole between the attenuation pole formed by the resonance circuit 20 and the passband. This makes it possible to increase the steepness between the pass band and the stop band.

図２（ａ）は、実施例１における弾性波共振器の平面図であり、図２（ｂ）は、実施例１における別の弾性波共振器の断面図である。図２（ａ）の例では、弾性波共振器Ｒ１は弾性表面波共振器である。基板１０の上面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）１２と反射器１３が設けられている。ＩＤＴ１２は、互いに対向する１対の櫛型電極１２ａを有する。櫛型電極１２ａは、複数の電極指１２ｂと複数の電極指１２ｂを接続するバスバー１２ｃとを有する。反射器１３は、ＩＤＴ１２の両側に設けられている。ＩＤＴ１２が基板１０に弾性表面波を励振する。基板１０は、例えば、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または水晶基板等の圧電基板である。基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板等の支持基板上に圧電基板が接合された複合基板でもよい。支持基板と圧電基板との間に酸化シリコン膜または窒化アルミニウム膜等の絶縁膜が設けられていてもよい。ＩＤＴ１２および反射器１３は例えばアルミニウム膜または銅膜により形成される。基板１０上にＩＤＴ１２および反射器１３を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。 2(a) is a plan view of an elastic wave resonator in Example 1, and FIG. 2(b) is a sectional view of another elastic wave resonator in Example 1. In the example of FIG. 2(a), the elastic wave resonator R1 is a surface acoustic wave resonator. An IDT (Interdigital Transducer) 12 and a reflector 13 are provided on the upper surface of the substrate 10. The IDT 12 has a pair of comb-shaped electrodes 12a facing each other. The comb-shaped electrode 12a has a plurality of electrode fingers 12b and a bus bar 12c connecting the plurality of electrode fingers 12b. Reflectors 13 are provided on both sides of the IDT 12. The IDT 12 excites surface acoustic waves in the substrate 10. The substrate 10 is, for example, a piezoelectric substrate such as a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or a quartz substrate. The substrate 10 may be a composite substrate in which a piezoelectric substrate is bonded to a support substrate such as a sapphire substrate, a spinel substrate, an alumina substrate, a quartz substrate, or a silicon substrate. An insulating film such as a silicon oxide film or an aluminum nitride film may be provided between the support substrate and the piezoelectric substrate. The IDT 12 and the reflector 13 are formed of, for example, an aluminum film or a copper film. A protective film or a temperature compensation film may be provided on the substrate 10 so as to cover the IDT 12 and the reflector 13.

図２（ｂ）の例では、弾性波共振器Ｒ１は圧電薄膜共振器である。基板１０上に圧電膜１６が設けられている。圧電膜１６を挟むように下部電極１４および上部電極１８が設けられている。下部電極１４と基板１０との間に空隙１５が形成されている。空隙１５の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。圧電膜１６の少なくとも一部を挟み下部電極１４と上部電極１８とが対向する領域が共振領域１７である。共振領域１７内の下部電極１４および上部電極１８は圧電膜１６内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。基板１０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極１４および上部電極１８は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜１６は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙１５の代わりに下部電極１４下に弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。 In the example of FIG. 2(b), the elastic wave resonator R1 is a piezoelectric thin film resonator. A piezoelectric film 16 is provided on the substrate 10. A lower electrode 14 and an upper electrode 18 are provided so as to sandwich the piezoelectric film 16 therebetween. A gap 15 is formed between the lower electrode 14 and the substrate 10. Instead of the void 15, an acoustic reflection film that reflects elastic waves may be provided. A region where the lower electrode 14 and the upper electrode 18 face each other with at least a portion of the piezoelectric film 16 in between is the resonance region 17 . The lower electrode 14 and the upper electrode 18 in the resonance region 17 excite elastic waves in the thickness longitudinal vibration mode within the piezoelectric film 16. The substrate 10 is, for example, a sapphire substrate, a spinel substrate, an alumina substrate, a glass substrate, a crystal substrate, or a silicon substrate. The lower electrode 14 and the upper electrode 18 are, for example, metal films such as ruthenium films. The piezoelectric film 16 is, for example, an aluminum nitride film. Instead of the void 15, an acoustic reflection film that reflects elastic waves may be provided under the lower electrode 14.

弾性波共振器Ｒ１として、弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器を用いた場合、共振周波数および反共振周波数の温度係数は負である。これにより、弾性波共振器Ｒ１により形成される減衰極の温度係数は負となる。例えば、基板１０を４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用いた弾性表面波共振器の共振周波数の温度係数は約－４０ｐｐｍ／℃である。 When a surface acoustic wave resonator or a piezoelectric thin film resonator is used as the elastic wave resonator R1, the temperature coefficients of the resonant frequency and the anti-resonant frequency are negative. As a result, the temperature coefficient of the attenuation pole formed by the elastic wave resonator R1 becomes negative. For example, the temperature coefficient of the resonance frequency of a surface acoustic wave resonator using a 42° Y-cut, X-propagating, lithium tantalate substrate for the substrate 10 is about -40 ppm/°C.

図３は、実施例１に係るＬＣ部品の断面図である。図３に示すように、ＬＣ部品３０は、複数の誘電体層３１ａから３１ｅが積層された積層体３１を備えている。誘電体層３１ａから３１ｄの表面にはそれぞれ金属層３２ａから３２ｄが設けられている。積層体３１の下面には端子３６が設けられている。誘電体層３１ａから３１ｄを貫通するビア（図３ではビア３４ａおよび３４ｄを図示）が設けられている。誘電体層３１ｂを挟む金属層３２ａおよび３２ｂによりキャパシタＣ１およびＣ２が形成される。金属層３２ｃおよび３２ｄによりインダクタＬ１が形成される。 FIG. 3 is a cross-sectional view of the LC component according to Example 1. As shown in FIG. 3, the LC component 30 includes a laminate 31 in which a plurality of dielectric layers 31a to 31e are stacked. Metal layers 32a to 32d are provided on the surfaces of dielectric layers 31a to 31d, respectively. Terminals 36 are provided on the lower surface of the laminate 31. Vias (vias 34a and 34d are shown in FIG. 3) passing through dielectric layers 31a to 31d are provided. Capacitors C1 and C2 are formed by metal layers 32a and 32b sandwiching dielectric layer 31b. Inductor L1 is formed by metal layers 32c and 32d.

誘電体層３１ａから３１ｅは、例えばセラミック材料等の無機絶縁体からなる。誘電体層３１ａから３１ｅは、例えば主成分としてシリコン（Ｓｉ）、カルシウム（Ｃａ）およびマグネシウム（Ｍｇ）の酸化物（例えばディオブサイドＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６）を主成分とし、例えばチタン酸ストロンチウム（ＳｉＴｉＯ_３）が添加されている。金属層３２ａ、３２ｂ、ビア３４ａ、３４ｄおよび端子３６は、例えば銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、金－パラジウム合金または銀－白金合金を主成分とする金属層である。 The dielectric layers 31a to 31e are made of an inorganic insulator such as a ceramic material. The dielectric layers 31a to 31e mainly contain, for example, oxides of silicon (Si), calcium (Ca), and magnesium (Mg) (for example, diobside CaMgSi ₂ O ₆ ), and, for example, strontium titanate (SiTiO ₃ ) is added. The metal layers 32a, 32b, vias 34a, 34d, and terminal 36 are made of, for example, silver (Ag), palladium (Pd), platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), gold (Au), or gold-palladium alloy. Or it is a metal layer whose main component is a silver-platinum alloy.

誘電体層３１ａから３１ｅの誘電率が温度により変化すると、並列共振回路の共振周波数が変化する。例えば、インダクタＬ１のインダクタンスをＬ、キャパシタＣ１およびＣ２の合成キャパシタンスをＣとすると、並列共振回路の共振周波数は１／√ＬＣに比例する。よって、誘電体層３１ａから３１ｅの誘電率の温度係数を所望の値とすることで、共振回路２０の共振周波数の温度係数を所望の値にできる。 When the dielectric constants of the dielectric layers 31a to 31e change with temperature, the resonant frequency of the parallel resonant circuit changes. For example, if the inductance of the inductor L1 is L and the combined capacitance of the capacitors C1 and C2 is C, then the resonant frequency of the parallel resonant circuit is proportional to 1/√LC. Therefore, by setting the temperature coefficient of the dielectric constant of the dielectric layers 31a to 31e to a desired value, the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 can be set to a desired value.

表１は、誘電体材料の比誘電率の温度係数τｆ［ｐｐｍ／℃］、比誘電率εｒおよびτｆ／εｒを示す表である。

Table 1 is a table showing the temperature coefficient τf [ppm/°C], relative permittivity εr, and τf/εr of the dielectric constant of the dielectric material.

表１に示すように、ＭｇＴｉＯ_３およびＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６の比誘電率の温度係数τｆは負である。ＴｉＯ_２、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３およびＢａＺｒＯ_３の比誘電率の温度係数τｆは正である。比誘電率の温度係数が負の誘電体材料と比誘電率の温度係数が正の誘電体材料を適宜混合することで、任意の温度係数τｆを実現できる。 As shown in Table 1, the temperature coefficient τf of the dielectric constant of MgTiO ₃ and CaMgSi ₂ O ₆ is negative. The temperature coefficient τf of the dielectric constant of TiO ₂ , CaTiO ₃ , SrTiO ₃ , CaZrO ₃ and BaZrO ₃ is positive. Any temperature coefficient τf can be achieved by appropriately mixing a dielectric material with a negative temperature coefficient of dielectric constant and a dielectric material with a positive temperature coefficient of dielectric constant.

例えばＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６にτｆが正の誘電体材料を添加してτｆを調整するときには、τｆ／εｒが大きい誘電体材料を選択すれば、比誘電率をあまり変えずに、τｆを調整できる。そこで、τｆ／εｒが最も大きいＳｒＴｉＯ_３を添加する場合を考えた。 For example, when adjusting τf by adding a dielectric material with a positive τf to CaMgSi ₂ O ₆ , selecting a dielectric material with a large τf/εr allows adjustment of τf without changing the dielectric constant much. Therefore, a case was considered in which SrTiO ₃ having the largest τf/εr was added.

表２は、ＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６とＳｒＴｉＯ_３との体積比に対するτｆを示す表である。

Table 2 is a table showing τf with respect to the volume ratio of CaMgSi ₂ O ₆ and SrTiO ₃ .

表２に示すように、ＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６とＳｒＴｉＯ_３との体積比が０．９６０と０．０４０のときτｆは０ｐｐｍ／℃である。ＳｒＴｉＯ_３を減らすとτｆは負となり、増やすと正となる。このように、ＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６に添加するＳｒＴｉＯ_３の量を選択することにより、誘電体層３１ａから３１ｅの誘電率の温度係数τｆを所望の値とすることができる。これにより、共振回路２０の共振周波数の温度係数を所望の値にすることができる。 As shown in Table 2, when the volume ratio of CaMgSi ₂ O ₆ and SrTiO ₃ is 0.960 and 0.040, τf is 0 ppm/°C. When SrTiO ₃ is reduced, τf becomes negative, and when it is increased, it becomes positive. In this way, by selecting the amount of SrTiO ₃ added to CaMgSi ₂ O ₆ , the temperature coefficient τf of the dielectric constant of the dielectric layers 31a to 31e can be set to a desired value. Thereby, the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 can be set to a desired value.

［実験］
図４は、実験に用いたマルチプレクサを示す回路図である。図４に示すように、マルチプレクサは端子Ｔａと端子Ｔ１との間に接続されたフィルタ４０、端子ＴａとＴ２との間に接続されたフィルタ４２、および端子ＴａとＴ３との間に接続されたフィルタ４４を備えている。 [experiment]
FIG. 4 is a circuit diagram showing a multiplexer used in the experiment. As shown in FIG. 4, the multiplexer includes a filter 40 connected between terminals Ta and T1, a filter 42 connected between terminals Ta and T2, and a filter 42 connected between terminals Ta and T3. A filter 44 is provided.

フィルタ４０はキャパシタＣ１１からＣ１３並びにインダクタＬ１１およびＬ１２を備えている。インダクタＬ１１およびＬ１２は端子ＴａとＴ１との間に直列接続されている。キャパシタＣ１１はインダクタＬ１２に並列接続されている。キャパシタＣ１２およびＣ１３は端子ＴａとＴ１との間にシャント接続されている。 Filter 40 includes capacitors C11 to C13 and inductors L11 and L12. Inductors L11 and L12 are connected in series between terminals Ta and T1. Capacitor C11 is connected in parallel to inductor L12. Capacitors C12 and C13 are shunt connected between terminals Ta and T1.

フィルタ４２は、キャパシタＣ２１からＣ２３、インダクタＬ２１およびＬ２２並びに弾性波共振器Ｒ２１を備えている。キャパシタＣ２１からＣ２３は端子ＴａとＴ２との間に直列接続されている。インダクタＬ２１はキャパシタＣ２２およびＣ２３に並列接続されている。インダクタＬ２２および弾性波共振器Ｒ２１は端子ＴａとＴ２との間にシャント接続されている。 The filter 42 includes capacitors C21 to C23, inductors L21 and L22, and an elastic wave resonator R21. Capacitors C21 to C23 are connected in series between terminals Ta and T2. Inductor L21 is connected in parallel to capacitors C22 and C23. Inductor L22 and elastic wave resonator R21 are shunt connected between terminals Ta and T2.

フィルタ４２のうちフィルタ２２が実施例１のフィルタである。キャパシタＣ２２、Ｃ２３およびインダクタＬ２１は共振回路２０のそれぞれキャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１に相当する。弾性波共振器Ｒ２１は弾性波共振器Ｒ１に相当する。 Among the filters 42, the filter 22 is the filter of the first embodiment. Capacitors C22, C23 and inductor L21 correspond to capacitors C1, C2 and inductor L1 of resonant circuit 20, respectively. The elastic wave resonator R21 corresponds to the elastic wave resonator R1.

フィルタ４４は、キャパシタＣ３１からＣ３３、インダクタＬ３１からＬ３３並びに弾性波共振器Ｒ３１を備えている。キャパシタＣ３１からＣ３３は端子ＴａとＴ３との間に直列接続されている。インダクタＬ３１はキャパシタＣ３１およびＣ３２に並列接続され、インダクタＬ３２はキャパシタＣ３３に並列接続されている。インダクタＬ３３および弾性波共振器Ｒ３１は端子ＴａとＴ３との間にシャント接続されている。 The filter 44 includes capacitors C31 to C33, inductors L31 to L33, and an elastic wave resonator R31. Capacitors C31 to C33 are connected in series between terminals Ta and T3. Inductor L31 is connected in parallel to capacitors C31 and C32, and inductor L32 is connected in parallel to capacitor C33. Inductor L33 and elastic wave resonator R31 are shunt connected between terminals Ta and T3.

フィルタ４０、４２および４４は、ノードＮ１において共通に接続されている。フィルタ４２および４４は、ノードＮ１とＮ２との間に共通回路として、キャパシタＣ０１およびインダクタＬ０１を有する。キャパシタＣ０１およびインダクタＬ０１は、ノードＮ１とＮ２との間に直列接続されている。フィルタ４０はローパスフィルタとして機能し、フィルタ４２および４４はバンドパスフィルタとして機能する。 Filters 40, 42 and 44 are connected in common at node N1. Filters 42 and 44 have a capacitor C01 and an inductor L01 as a common circuit between nodes N1 and N2. Capacitor C01 and inductor L01 are connected in series between nodes N1 and N2. Filter 40 functions as a low-pass filter, and filters 42 and 44 function as band-pass filters.

フィルタ４０はローバンドの信号を通過させ、ミドルバンドおよびハイバンドの信号を抑圧する。フィルタ４２はミドルバンドの信号を通過させ、ローバンドおよびハイバンドの信号を抑圧する。フィルタ４４はハイバンドの信号を通過させ、ローバンドおよびミドルバンドの信号を抑圧する。 Filter 40 passes low band signals and suppresses middle band and high band signals. Filter 42 passes middle band signals and suppresses low band and high band signals. Filter 44 passes high band signals and suppresses low band and middle band signals.

ローバンド、ミドルバンドおよびハイバンドは、それぞれ７００ＭＨｚから９６０ＭＨｚ、１７１０ＭＨｚから２２００ＭＨｚおよび２３００ＭＨｚから２６９０ＭＨｚである。ローバンド、ミドルバンドおよびハイバンドは、各々ＬＴＥ（ＬＴＥ規格（Ｅ－ＵＴＲＡ Operating Band））に対応する周波数帯規格（Ｅ－ＵＴＲＡ Operating Band）に対応する複数のバンドを含む。 The low band, middle band, and high band are 700 MHz to 960 MHz, 1710 MHz to 2200 MHz, and 2300 MHz to 2690 MHz, respectively. The low band, middle band, and high band each include a plurality of bands corresponding to a frequency band standard (E-UTRA Operating Band) corresponding to LTE (LTE standard (E-UTRA Operating Band)).

フィルタ４２および４４の通過帯域はそれぞれミドルバンドおよびハイバンドより広く設けられる。ミドルバンドおよびハイバンドは通過帯域幅が３００ＭＨｚ以上である。このように広帯域のフィルタ４２および４４はＬＣ回路により形成される。しかし、ミドルバンドとハイバンドとの通過帯域の間隔は１００ＭＨｚである。このため、フィルタ４２および４４には通過帯域と阻止帯域との間の急峻性が求められる。しかし、インダクタおよびキャパシタでフィルタを形成すると、急峻性が十分でない。そこで、弾性波共振器Ｒ２１およびＲ３１を接続する。これにより、フィルタ４２および４４における急峻性を高めることができる。 The passbands of filters 42 and 44 are provided wider than the middle band and high band, respectively. The middle band and high band have a passband width of 300 MHz or more. In this way, the broadband filters 42 and 44 are formed by LC circuits. However, the interval between the middle band and high band passbands is 100 MHz. For this reason, the filters 42 and 44 are required to have steepness between the pass band and the stop band. However, forming a filter using an inductor and a capacitor does not have sufficient steepness. Therefore, elastic wave resonators R21 and R31 are connected. Thereby, the steepness of the filters 42 and 44 can be increased.

［比較例１］
比較例１として、図４の回路のマルチプレクサを作製した。作製条件は以下である。誘電体層の比誘電率の温度係数τｆがほぼ０となるように、ＣａＭｇＳｉ_２Ｏ_６にＳｒＴｉＯ_３を添加した。各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを表３とした。

[Comparative example 1]
As Comparative Example 1, a multiplexer having the circuit shown in FIG. 4 was manufactured. The manufacturing conditions are as follows. SrTiO ₃ was added to CaMgSi ₂ O ₆ so that the temperature coefficient τf of the dielectric constant of the dielectric layer was approximately 0. Table 3 shows the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor.

弾性波共振器Ｒ２１およびＲ３１は、４２°回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板を用いた弾性表面波共振器とし、共振周波数および反共振周波数を以下とした。
Ｒ２１の共振周波数：２．２５１ＧＨｚ、反共振周波数：２．３３２ＧＨｚ
Ｒ３１の共振周波数：２．２６１ＧＨｚ、反共振周波数：２．３３１ＧＨｚ The elastic wave resonators R21 and R31 were surface acoustic wave resonators using a 42° rotated Y-cut X-propagating lithium tantalate substrate, and the resonant frequency and anti-resonant frequency were set as follows.
R21 resonance frequency: 2.251GHz, anti-resonance frequency: 2.332GHz
R31 resonance frequency: 2.261GHz, anti-resonance frequency: 2.331GHz

図５は、実験において弾性波共振器Ｒ２１をシャント接続したときの通過特性である。図５に示すように、共振周波数ｆｒに減衰極が形成され、反共振周波数ｆａにおいて減衰量が小さくなっている。 FIG. 5 shows the passage characteristics when the elastic wave resonator R21 was shunt-connected in an experiment. As shown in FIG. 5, an attenuation pole is formed at the resonant frequency fr, and the amount of attenuation is small at the anti-resonant frequency fa.

環境温度を８５℃、２５℃および－３０℃として、端子ＴａとＴ２との間のフィルタ４２の通過特性を測定した。図６（ａ）および図６（ｂ）は、比較例１のマルチプレクサにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の範囲Ａの拡大図である。減衰極Ａ１は主に共振回路２０の共振周波数により形成される。減衰極Ａ２は主に弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数により形成される。 The passage characteristics of the filter 42 between terminals Ta and T2 were measured at environmental temperatures of 85°C, 25°C, and -30°C. FIGS. 6A and 6B are diagrams showing the pass characteristics of the filter 42 in the multiplexer of Comparative Example 1. FIG. 6(b) is an enlarged view of range A in FIG. 6(a). The attenuation pole A1 is mainly formed by the resonant frequency of the resonant circuit 20. The attenuation pole A2 is mainly formed by the resonance frequency of the elastic wave resonator R21.

フィルタ４２の通過特性は、ミドルバンドの帯域ＭＢが通過帯域となり、ハイバンドの帯域ＨＢが阻止帯域となる。帯域ＭＢとＨＢとの間の減衰量の変化が急峻である。これは、弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数に由来する減衰極Ａ２を通過帯域と減衰極Ａ１との間に設けためである。弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数は、通過帯域と減衰極Ａ１との間であって通過帯域の高周波側のすそ野に重なるように位置している。 Regarding the pass characteristics of the filter 42, the middle band MB is a pass band, and the high band HB is a stop band. The change in attenuation between bands MB and HB is steep. This is because the attenuation pole A2 derived from the resonance frequency of the elastic wave resonator R21 is provided between the passband and the attenuation pole A1. The resonant frequency of the elastic wave resonator R21 is located between the passband and the attenuation pole A1 so as to overlap the base of the high frequency side of the passband.

温度が高くなると、矢印５１のように減衰極Ａ１の周波数は高くなり、矢印５２のように減衰極Ａ２の周波数は低くなる。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋３９ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋３５ｐｐｍ／℃である。 As the temperature increases, the frequency of the attenuation pole A1 increases as indicated by an arrow 51, and the frequency of the attenuation pole A2 decreases as indicated by an arrow 52. The temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 85°C and 25°C is +39 ppm/°C, and the temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 25°C and -20°C is +35 ppm/°C. .

温度が高くなると減衰極Ａ１とＡ２が遠ざかるため、減衰極Ａ１とＡ２との間の減衰量のピーク５４の大きさが矢印５３のように高くなる。減衰量のピーク５４が阻止帯域で最も減衰量が小さいため、ピーク５４の大きさの温度変化を抑制することが求められる。 As the temperature increases, the attenuation poles A1 and A2 move away from each other, so the magnitude of the peak 54 of the attenuation amount between the attenuation poles A1 and A2 increases as indicated by the arrow 53. Since the attenuation peak 54 has the smallest attenuation in the stop band, it is required to suppress temperature changes in the magnitude of the peak 54.

弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数の温度係数は負であり、減衰極Ａ２の周波数の温度係数が負であることは理解できる。しかし、減衰極Ａ１の周波数の温度係数が正となる理由が不明である。 It can be understood that the temperature coefficient of the resonance frequency of the elastic wave resonator R21 is negative, and that the temperature coefficient of the frequency of the attenuation pole A2 is negative. However, it is unclear why the temperature coefficient of the frequency of the attenuation pole A1 is positive.

［比較例１のシミュレーション］
図６（ａ）および図６（ｂ）の測定した通過特性を基に、弾性波共振器Ｒ２１と共振回路２０のうち弾性波共振器Ｒ１のみが温度により特性が変化し共振回路２０の特性は温度で変化しない場合と、共振回路２０のみが温度により特性が変化し弾性波共振器Ｒ２１の特性は温度で変化しない場合のフィルタ４２の通過特性をシミュレーションした。 [Simulation of Comparative Example 1]
Based on the measured transmission characteristics shown in FIGS. 6(a) and 6(b), of the elastic wave resonator R21 and the resonant circuit 20, only the characteristics of the elastic wave resonator R1 change with temperature, and the characteristics of the resonant circuit 20 change. The pass characteristics of the filter 42 were simulated in the case where the characteristics do not change with temperature and in the case where only the characteristics of the resonant circuit 20 change with temperature and the characteristics of the elastic wave resonator R21 do not change with temperature.

図７（ａ）および図７（ｂ）は、比較例１のシミュレーションにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。図７（ａ）は弾性波共振器Ｒ１のみ特性が温度で変化する場合のフィルタ４２の通過特性を示している。図７（ａ）に示すように、弾性波共振器Ｒ２１のみ温度により特性が変化し共振回路２０の特性が温度で変化しない場合、矢印５１のように減衰極Ａ１の周波数の温度係数は正である。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋２３ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋４３ｐｐｍ／℃である。矢印５２のように減衰極Ａ２の周波数の温度係数は負である。矢印５３のように減衰量のピーク５４の温度変化が大きい。 FIGS. 7A and 7B are diagrams showing the pass characteristics of the filter 42 in a simulation of Comparative Example 1. FIG. 7A shows the pass characteristics of the filter 42 when only the characteristics of the elastic wave resonator R1 change with temperature. As shown in FIG. 7(a), when the characteristics of only the elastic wave resonator R21 change with temperature and the characteristics of the resonant circuit 20 do not change with temperature, the temperature coefficient of the frequency of the attenuation pole A1 is positive as shown by the arrow 51. be. The temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 85°C and 25°C is +23 ppm/°C, and the temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 25°C and -20°C is +43 ppm/°C. . As indicated by an arrow 52, the temperature coefficient of the frequency of the attenuation pole A2 is negative. As indicated by an arrow 53, the temperature change at the peak 54 of the attenuation amount is large.

図７（ｂ）は共振回路２０のみ特性が温度で変化する場合のフィルタ４２の通過特性を示している。図７（ｂ）に示すように、共振回路２０のみ温度により特性が変化し弾性波共振器Ｒ２１の特性が温度で変化しない場合、減衰極Ａ１およびＡ２の周波数の温度係数はほとんど０である。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋０．２ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋０．３ｐｐｍ／℃である。減衰量のピーク５４の温度変化はほとんどない。 FIG. 7B shows the pass characteristics of the filter 42 when only the characteristics of the resonant circuit 20 change with temperature. As shown in FIG. 7B, when the characteristics of only the resonant circuit 20 change with temperature and the characteristics of the elastic wave resonator R21 do not change with temperature, the temperature coefficient of the frequency of the attenuation poles A1 and A2 is almost 0. The temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 85°C and 25°C is +0.2 ppm/°C, and the temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 25°C and -20°C is +0.3 ppm. /℃. There is almost no temperature change at the peak 54 of the attenuation amount.

弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数の温度係数は負であることが知られている。図７（ａ）のように、弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数に由来する減衰極Ａ２の周波数の温度変化は、弾性波共振器の共振周波数の温度変化で説明がつく。共振回路２０の共振周波数に由来する減衰極Ａ１の周波数が弾性波共振器Ｒ２１の共振周波数の温度変化により変化してしまう。このような現象は発明者らが初めて見出した現象である。 It is known that the temperature coefficient of the resonance frequency of the elastic wave resonator R21 is negative. As shown in FIG. 7A, the temperature change in the frequency of the attenuation pole A2 derived from the resonant frequency of the elastic wave resonator R21 can be explained by the temperature change in the resonant frequency of the elastic wave resonator. The frequency of the attenuation pole A1 derived from the resonant frequency of the resonant circuit 20 changes due to temperature changes in the resonant frequency of the elastic wave resonator R21. This phenomenon was discovered for the first time by the inventors.

［実施例１のシミュレーション］
共振回路２０の共振数波数の温度係数を正としシミュレーションした。例えば、共振回路２０を構成する部品３０の誘電体材料内のＳｒＴｉＯ_３の添加量を少なくし比誘電率の温度係数τｆを負とする。これにより、共振回路２０の共振周波数の温度係数は正となる。 [Simulation of Example 1]
The simulation was performed by setting the temperature coefficient of the resonance number wave number of the resonance circuit 20 to be positive. For example, the amount of SrTiO ₃ added in the dielectric material of the component 30 constituting the resonant circuit 20 is reduced to make the temperature coefficient τf of the relative dielectric constant negative. As a result, the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 becomes positive.

図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１のシミュレーションにおけるフィルタ４２の通過特性を示す図である。図８（ａ）は共振回路２０のみ特性が温度で変化する場合のフィルタ４２の通過特性を示している。図８（ａ）に示すように、共振回路２０の共振周波数の温度係数を正とすると、減衰極Ａ１およびＡ２の周波数の温度係数は、矢印５１および５２のように正となる。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋４５ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋４５ｐｐｍ／℃である。このとき、共振回路２０の共振周波数の温度係数は０．２ｐｐｍ／℃である。すなわち、共振回路２０の共振周波数の温度係数の絶対値は弾性波共振器Ｒ３１の共振周波数の温度係数（約－４０ｐｐｍ／℃）の約２００倍である。 FIGS. 8A and 8B are diagrams showing the pass characteristics of the filter 42 in the simulation of the first embodiment. FIG. 8A shows the pass characteristics of the filter 42 when only the characteristics of the resonant circuit 20 change with temperature. As shown in FIG. 8A, if the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 is positive, the temperature coefficients of the frequencies of the attenuation poles A1 and A2 are positive as shown by arrows 51 and 52. The temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 85°C and 25°C is +45 ppm/°C, and the temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 25°C and -20°C is +45 ppm/°C. . At this time, the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 is 0.2 ppm/°C. That is, the absolute value of the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 is about 200 times the temperature coefficient of the resonant frequency (about -40 ppm/° C.) of the elastic wave resonator R31.

図８（ｂ）は図８（ａ）の共振回路２０の温度変化と、図７（ａ）の弾性波共振器Ｒ２１の温度変化を合成してシミュレーションしたフィルタ４２の通過特性である。図８（ｂ）に示すように、減衰極Ａ１とＡ２の周波数の温度変化がともに図６（ｂ）の比較例１より小さくなっている。８５℃と２５℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋１０ｐｐｍ／℃であり、２５℃と－２０℃との間の減衰極Ａ１のボトム周波数の温度係数は＋１７ｐｐｍ／℃である。これにより、減衰量のピーク５４の温度変化が小さくなる。 FIG. 8(b) shows the pass characteristic of the filter 42 simulated by combining the temperature change of the resonant circuit 20 of FIG. 8(a) and the temperature change of the elastic wave resonator R21 of FIG. 7(a). As shown in FIG. 8(b), the temperature changes in the frequencies of the attenuation poles A1 and A2 are both smaller than in Comparative Example 1 of FIG. 6(b). The temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 85°C and 25°C is +10 ppm/°C, and the temperature coefficient of the bottom frequency of the attenuation pole A1 between 25°C and -20°C is +17 ppm/°C. . This reduces the temperature change at the peak 54 of the attenuation amount.

弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器等の弾性波共振器Ｒ１の共振周波数および反共振周波数の周波数の温度係数を０とすることは難しく、一般的に負である。一方、キャパシタおよびインダクタを有する共振回路２０の共振周波数の温度係数は、表１および表２のように調整可能ある。そこで、一般的に共振回路２０の共振周波数の温度係数がほぼ０となるように共振回路２０を形成する。 It is difficult to set the temperature coefficient of the resonance frequency and anti-resonance frequency of the acoustic wave resonator R1 such as a surface acoustic wave resonator or a piezoelectric thin film resonator to 0, and it is generally negative. On the other hand, the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 having a capacitor and an inductor can be adjusted as shown in Tables 1 and 2. Therefore, the resonant circuit 20 is generally formed so that the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 is approximately zero.

しかし、減衰極Ａ１の温度係数は負となり、減衰極Ａ２の温度係数は正となってしまう。これにより、減衰極Ａ１とＡ２の間のピーク５４の大きさが温度により変化してしまう。 However, the temperature coefficient of the attenuation pole A1 becomes negative, and the temperature coefficient of the attenuation pole A2 becomes positive. As a result, the magnitude of the peak 54 between the attenuation poles A1 and A2 changes depending on the temperature.

実施例１によれば、共振回路２０は入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔとの間に互いに並列接続されたキャパシタＣ１およびＣ２とインダクタＬ１とを備える。弾性波共振器Ｒ１の一端がキャパシタＣ１、Ｃ２またはインダクタＬ１の一端に接続され、他端が接地されている。弾性波共振器Ｒ１の共振周波数は通過帯域と共振回路２０の共振周波数との間に位置する。このとき、弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数の符号を共振回路２０の共振周波数の温度係数の符号と反対とする。これにより、図８（ｂ）のように減衰極Ａ１とＡ２の間のピーク５４の大きさの温度変化を小さくできる。よって、フィルタの温度特性が向上できる。 According to the first embodiment, the resonant circuit 20 includes capacitors C1 and C2 and an inductor L1 that are connected in parallel to each other between an input terminal Tin and an output terminal Tout. One end of the elastic wave resonator R1 is connected to one end of the capacitors C1, C2 or the inductor L1, and the other end is grounded. The resonant frequency of the elastic wave resonator R1 is located between the passband and the resonant frequency of the resonant circuit 20. At this time, the sign of the temperature coefficient of the resonant frequency of the elastic wave resonator R1 is set to be opposite to the sign of the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20. This makes it possible to reduce the temperature change in the magnitude of the peak 54 between the attenuation poles A1 and A2, as shown in FIG. 8(b). Therefore, the temperature characteristics of the filter can be improved.

弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数の絶対値に対する、共振回路２０の共振周波数の温度係数の絶対値の比は、０．１以上かつ１．９以下が好ましく、０．２以上かつ１．８以下がより好ましく、０．５以上かつ１．５以下がさらに好ましい。これにより、ピーク５４の大きさの温度変化をより小さくできる。 The ratio of the absolute value of the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20 to the absolute value of the temperature coefficient of the resonant frequency of the elastic wave resonator R1 is preferably 0.1 or more and 1.9 or less, and preferably 0.2 or more and 1. .8 or less is more preferable, and 0.5 or more and 1.5 or less are even more preferable. Thereby, the temperature change in the magnitude of the peak 54 can be made smaller.

実施例１では、共振回路２０を誘電体層を積層した部品で形成する例を説明したが、共振回路２０の少なくとも一部は、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramic）のように部品を搭載する基板内に形成してもよい。共振回路２０の少なくとも一部はチップコンデンサまたはチップインダクタでもよい。これらの場合においても、ピーク５４の大きさの温度変化を小さくできる。 In the first embodiment, an example was explained in which the resonant circuit 20 is formed by a component made of laminated dielectric layers, but at least a part of the resonant circuit 20 may be mounted with components such as LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic). It may also be formed within the substrate. At least a portion of the resonant circuit 20 may be a chip capacitor or a chip inductor. Even in these cases, the temperature change in the magnitude of the peak 54 can be reduced.

弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数は一般的に負である。そこで、図３のように、キャパシタＣ１およびＣ２は、誘電体層３１ｂと誘電体層３１ｂを挟む一対の金属層３２ａおよび３２ｂ（電極）を有している。このとき、誘電体層３１ｂの誘電率の温度係数を負とする。並列共振回路のインダクタのインダクタンスをＬ、キャパシタのキャパシタンスをＣとすると、並列共振回路の共振周波数は１／√ＬＣである。よって、減衰極Ａ１の周波数の温度係数は正となる。これにより、ピーク５４の温度変化を小さくできる。 The temperature coefficient of the resonance frequency of the elastic wave resonator R1 is generally negative. Therefore, as shown in FIG. 3, the capacitors C1 and C2 have a dielectric layer 31b and a pair of metal layers 32a and 32b (electrodes) sandwiching the dielectric layer 31b. At this time, the temperature coefficient of the dielectric constant of the dielectric layer 31b is set to be negative. When the inductance of the inductor of the parallel resonant circuit is L and the capacitance of the capacitor is C, the resonant frequency of the parallel resonant circuit is 1/√LC. Therefore, the temperature coefficient of the frequency of the attenuation pole A1 is positive. Thereby, the temperature change at the peak 54 can be reduced.

減衰極Ａ１（すなわち共振回路２０の共振周波数）は通過帯域より高い。このとき、弾性波共振器Ｒ１の共振周波数の温度係数の符号を共振回路２０の共振周波数の温度係数の符号と反対とする。これにより、減衰極Ａ１とＡ２の間のピーク５４の大きさの温度変化を小さくできる。 The attenuation pole A1 (ie, the resonant frequency of the resonant circuit 20) is higher than the passband. At this time, the sign of the temperature coefficient of the resonant frequency of the elastic wave resonator R1 is set to be opposite to the sign of the temperature coefficient of the resonant frequency of the resonant circuit 20. Thereby, the temperature change in the magnitude of the peak 54 between the attenuation poles A1 and A2 can be reduced.

共振回路２０は、インダクタＬ１に並列接続された２つのキャパシタＣ１およびＣ２を備えている。弾性波共振器Ｒ１の一端は２つのキャパシタＣ１およびＣ２の間のノードＮ３に接続される。これにより、通過帯域と阻止帯域との間の減衰量の変化を急峻にできる。 Resonant circuit 20 includes two capacitors C1 and C2 connected in parallel to inductor L1. One end of the elastic wave resonator R1 is connected to a node N3 between two capacitors C1 and C2. This makes it possible to sharply change the amount of attenuation between the pass band and the stop band.

図３のように、共振回路は、積層された複数の誘電体層３１ａから３１ｅと複数の誘電体層３１ａから３１ｅの少なくとも１つの誘電体層に設けられた金属層３２ａから３２ｄ（配線パターン）とを含む。金属層３２ａから３２ｄは、キャパシタＣ１およびＣ２の電極およびインダクタＬ１を含む。このように、積層部品の場合、誘電体層３１ａから３１ｅの組成を変えることで、誘電体層の誘電率の温度係数を任意に設定することができる。 As shown in FIG. 3, the resonant circuit includes a plurality of laminated dielectric layers 31a to 31e and metal layers 32a to 32d (wiring patterns) provided on at least one dielectric layer of the plurality of dielectric layers 31a to 31e. including. Metal layers 32a to 32d include electrodes of capacitors C1 and C2 and inductor L1. In this manner, in the case of a laminated component, by changing the composition of the dielectric layers 31a to 31e, the temperature coefficient of the dielectric constant of the dielectric layers can be arbitrarily set.

実施例１のフィルタを適用するマルチプレクサの例として３つのフィルタ４０、４２および４４を有するトリプレクサを例に説明したが、マルチプレクサは、ダイプレクサ、デュプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。 Although a triplexer having three filters 40, 42, and 44 has been described as an example of a multiplexer to which the filter of the first embodiment is applied, the multiplexer may be a diplexer, a duplexer, or a quadplexer.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to these specific embodiments, and various modifications and variations can be made within the scope of the gist of the present invention as described in the claims. Changes are possible.

２０共振回路
２２、４０、４２、４４フィルタ
３０部品
３１ａ－３１ｅ誘電体層
３２ａ－３２ｄ金属層 20 Resonant circuit 22, 40, 42, 44 Filter 30 Components 31a-31e Dielectric layer 32a-32d Metal layer

Claims

input terminal and
output terminal and
two capacitors connected in series between the input terminal and the output terminal, and an inductor connected in parallel to the two capacitors between the input terminal and the output terminal, the resonance frequency is , a resonant circuit that is higher than the passband and has a positive temperature coefficient;
One end is connected to a node between the two capacitors, the other end is grounded, the resonant frequency is located between the passband and the resonant frequency of the resonant circuit, and the elastic wave resonance has a negative temperature coefficient. The vessel and
A plurality of laminated dielectric layers containing CaMgSi ₂ O ₆ having a negative temperature coefficient of dielectric constant and doped with SrTiO ₃ ;
Equipped with
The two capacitors include a pair of electrodes sandwiching at least one dielectric layer among the plurality of dielectric layers,
The filter includes a wiring pattern in which the inductor is provided in at least one dielectric layer of the plurality of dielectric layers .

A multiplexer comprising a filter according to claim 1 .