JP7387048B1 - 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7387048B1 JP7387048B1 JP2023116899A JP2023116899A JP7387048B1 JP 7387048 B1 JP7387048 B1 JP 7387048B1 JP 2023116899 A JP2023116899 A JP 2023116899A JP 2023116899 A JP2023116899 A JP 2023116899A JP 7387048 B1 JP7387048 B1 JP 7387048B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- iii
- compound semiconductor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 181
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 78
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 414
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 17
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- LRRBNLHPFPHVCW-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid;hydrogen peroxide Chemical compound OO.OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O LRRBNLHPFPHVCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100208382 Danio rerio tmsb gene Proteins 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
(1)第1のIII-V族化合物半導体層と第2のIII-V族化合物半導体層とを繰り返し積層した積層体を有する発光層を備える半導体発光素子であって、
前記第1及び前記第2のIII-V族化合物半導体層におけるIII族元素はAl、Ga、Inからなる群より選択される1種又は2種以上であり、
前記第1及び前記第2のIII-V族化合物半導体層におけるV族元素はAs、Sb、Pからなる群より選択される1種又は2種以上であり、
前記第1のIII-V族化合物半導体層の組成波長と、前記第2のIII-V族化合物半導体層の組成波長との組成波長差が70nm以上であり、
前記積層体のバンド構造における伝導帯側の井戸深さ(Dc)が、価電子帯側の井戸深さ(Dv)よりも大きく、かつ前記組成波長差により形成される前記伝導帯側の井戸深さ(Dc)の、前記伝導帯側の井戸深さ(Dc)と前記価電子帯の井戸深さ(Dv)の合計に対する比(Dc/(Dc+Dv))が65%以上であることを特徴とする、半導体発光素子。
前記発光層を形成する発光層形成工程を含み、
前記発光層形成工程は、前記第1のIII-V族化合物半導体層を形成する第1工程と、前記第2のIII-V族化合物半導体層を形成する第2工程と、を繰り返すことにより前記積層体を形成する、半導体発光素子の製造方法。
まず、本明細書において単に「III-V族化合物半導体」と称する場合、その組成は一般式:(InaGabAlc)(PxAsySbz)により表される。ここで、各元素の組成比については以下の関係が成立する。
III族元素について、c=1-a-b,0≦a≦1,0≦b≦1,0≦c≦1
V族元素について、z=1-x-y,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1
本発明の発光層におけるIII-V族化合物半導体層はAl,Ga,Inからなる群より選択される1種又は2種以上のIII族元素と、As,Sb,Pからなる群より選択される1種又は2種以上のV族元素により構成される。
III族元素について、c=1-a-b,0≦a≦1,0≦b≦1,0≦c≦1
V族元素について、x、y、zはいずれか一つが1であり、他の2つが0である。
本明細書における混晶の格子定数の算出について説明する。格子定数には基板平面に対して垂直方向(成長方向)と水平方向(面内方向)の2種があるところ、本明細書においては垂直方向の値を用いる。まずベガート則に従い混晶の単純な格子定数を計算する。InGaAsP系(すなわち一般式:(InaGab)(PxAsy))を例として例示すると、物性定数Aabxy(ベガート則による格子定数)は、各組成比(固相比)が既知である場合、擬4元混晶の基になる4つの2元混晶の物性定数Bax,Bbx,Bay,Bby(下記表1の文献値の格子定数)をもとに下記式<1>により計算される。
Aabxy=a×x×Bax+b×x×Bbx+a×y×Bay+b×y×Bby ・・・<1>
そして、成長用基板の格子定数をasとすると、半導体結晶の弾性的性質に基づく格子変形を考慮して下記式<2>を適用し、格子変形を考慮した(垂直方向の)格子定数aabxy求めることができる。
aabxy=Aabxy‐2×(as-Aabxy)×C12abxy/C11abxy ・・・<2>
ここで、本実施形態においては、InPを成長用基板としていることから、成長用基板の格子定数asにはInPの格子定数を用いればよい。
なお、III-V族化合物半導体が3元系、5元系又は6元系の場合でも、前述と同様の考えに従って式を変形し、組成波長及び格子定数を求めることができる。また、2元系については上記文献に記載の値を用いることができる。
STRJapan社製シュミレーションソフト(SiLENSe_Version 6.4)を用い、初期設定状態で各層の組成比の値を入力することでバンド構造を計算した。図1に当該シュミレーションソフトを用いて計算した本実施形態の発光層におけるバンド構造を例示する。図内中央付近の水平線はフェルミ準位である。当該シュミレーションソフトを用いると、バンド構造を表示すると共に、各層のエネルギーバンドギャップEg(eV)、伝導帯側の障壁層と井戸層との間のバンドギャップ差である井戸深さ(Dc、単位eV)及び、価電子帯側の障壁層と井戸層との間のバンドギャップ差である井戸深さ(Dv、単位eV)が算出される。そして、エネルギーバンドギャップEgから下記式<5>
Eg=1239.8/λ ・・・<5>
により換算される波長λで表される各層の組成波長を計算した。
また、形成される各層の厚さ全体は、光干渉式膜厚測定器を用いて測定することができる。さらに、各層のそれぞれの厚さは、光干渉式膜厚測定器及び透過型電子顕微鏡による成長層の断面観察から算出できる。また、超格子構造に類する程度に各層の厚さが数nm程度で小さい場合にはTEM-EDSを用いて厚さを測定することができ、本明細書における各層の組成比(固相比)については、SIMS分析することにより得られた値を用いることとする。本明細書における発光層の各層の組成比(固相比)については、エッチングにより発光層の最上層付近を露出させた後、発光層の厚さ方向にSIMS分析(四重極型)を実施することにより得られた値を用いることとする。なお、SIMS分析結果に対して、各層の厚さ方向の中央部における各層の半分の厚さ範囲の平均元素濃度の値を使用するものとする。製造時においては、単膜で成長したものについてXRD測定による格子定数とPL測定による発光中心波長をEgに換算した値を用いて固相比を算出することで目的の組成比となる成長条件を決め、当該成長条件を用いて目的の組成比を持つ層を積層すればよい。
本明細書において、電気的にp型として機能する層をp型層と称し、電気的にn型として機能する層をn型層と称する。一方、Si、Zn、S、Sn、Mg等の特定の不純物を意図的には添加しておらず、電気的にp型又はn型として機能しない場合、「i型」又は「アンドープ」と言う。アンドープのIII-V族化合物半導体層には、製造過程における不可避的な不純物の混入はあって良い。具体的には、ドーパント濃度が低い(例えば7.6×1015atoms/cm3未満)場合、「アンドープ」であるとして、本明細書では取り扱うものとする。Si、Zn、S、Sn、Mg等の不純物濃度の値は、SIMS分析によるものとする。同様に、活性層のn型ドーパント(例えばSi、S、Te、Sn、Ge、O等の)不純物濃度(「ドーパント濃度」)の値もSIMS分析によるものとする。なお、各半導体層の境界付近においてドーパント濃度の値は大きく変移するため、厚さ方向の中央におけるドーパント濃度の値をその層のドーパント濃度の値とする。
本発明の一態様を示す図2を参照する。本発明に従う半導体発光素子は、第1のIII-V族化合物半導体層51と第2のIII-V族化合物半導体層52とを繰り返し積層した積層体を有する発光層50を備える。第1のIII-V族化合物半導体層51と第2のIII-V族化合物半導体層52は、互いに組成比が異なる。以下、第1のIII-V族化合物半導体層51及び第2のIII-V族化合物半導体層52をそれぞれ第1層51及び第2層52とそれぞれ略記する。そして、本発明に従う半導体発光素子において、第1層51及び第2層52におけるIII族元素はAl,Ga,Inからなる群より選択される1種又は2種以上であり、かつ、第1層51及び第2層52におけるV族元素はAs,Sb,Pからなる群より選択される1種又は2種以上である。以下、第1層51が障壁層であり、第2層52が井戸層である場合を例として説明を行う。
以下、本発明の実施形態における発光層50の各構成の詳細についてさらに説明する。
発光層50の全体の膜厚は制限されないものの、例えば1μm~8μmとすることができる。また、発光層50の積層体における第1層51、第2層52の各層の膜厚も制限されないものの、例えば1nm以上15nm以下程度とすることができる。各層の膜厚は互いに同じでもよいし、異なってもよい。また、第1層51同士の膜厚に関し、積層体内で同じでもよいし異なっていてもよい。第2層52同士の膜厚の膜厚同士についても同様である。ただし、第1層51同士の膜厚及び第2層52同士の膜厚を同一にして発光層50を超格子構造とすることは、本発明における好ましい態様の一つである。
図2を参照する。第1層51及び第2層52の両者の組数は制限されないものの、例えば3組以上50組以下とすることができる。積層体の一端を第1層51とし、他端を第2層52とすることができる。この場合、第1層51及び第2層52の組数はn組(nは自然数である)であると表記する。
組成波長差及び格子定数差の条件を満足する限りは、第1層51、第2層52の各層の一般式:(InaGabAlc)(PxAsySbz)で表されるIII-V族化合物半導体の組成比a,b,c,x,y,zは制限されない。ただし、発光層の結晶性の悪化を抑制するために、組成比の選択範囲は、成長用基板と発光層中の第1層及び第2層のそれぞれとの間の格子定数差の比をいずれも1%以下とすることが好ましい。すなわち、成長用基板と第1層の格子定数差の絶対値を成長用基板と第1層の平均値で割った値と、成長用基板と第2層の格子定数差の絶対値を成長用基板と第2層の平均値で割った値がいずれも1%以下であることが好ましい。例えば発光中心波長を1000nm以上1900nm以下とする場合、成長用基板をInP基板とすれば、各層におけるInの組成比aを0.0以上1.0以下、Gaの組成比bを0.0以上1.0以下、Alの組成比cを0.0以上0.35以下、Pの組成比xを0.0以上0.95以下、Asの組成比yを0.15以上1.0以下、Sbの組成比zを0.0以上0.7以下とすることができる。これらの範囲内から組成波長差及び格子定数差の比の条件を満足するよう、適宜設定すればよい。上記発光中心波長は一例に過ぎず、例えばInGaAsP系半導体やInGaAlAs系半導体である場合には発光中心波長を1000nm以上2200nm以下の範囲内とすることができ、発光中心波長を1300nm以上とすることが好ましく、1400nm以上とすることがより好ましい。Sbを含む場合にはさらに長波長(11μm以下)の赤外線とすることができる。
発光層50における各層のドーパントは制限されないものの、第1層51、第2層52のいずれもi型とすることが本発明効果を確実に得るためには好ましい。ただし、各層についてn型又はp型ドーパントをドープしてもよい。
成長用基板は発光層50の組成に応じて、InP基板、InAs基板、GaAs基板、GaSb基板、InSb基板などの化合物半導体基板から適宜選択すればよい。各基板の導電型については成長用基板上の半導体層の導電型に対応させることが好ましく、本実施形態に適用可能な化合物半導体基板としてn型InP基板及びn型GaAs基板を例示することができる。
支持基板10としては、当該支持基板10上に発光層50を成長させる成長用基板を用いることができる。後述する接合法を用いる場合は、成長用基板とは異種の種々の基板を支持基板110(図4参照)として使用してもよい。
支持基板10上に介在層20を設けてもよい。支持基板10として成長用基板を用いる場合、介在層20をIII-V族化合物半導体層とすることができる。成長用基板としての支持基板10上に半導体層をエピタキシャル成長させるための初期成長層として用いることができる。また、例えば、成長用基板としての支持基板10と、n型半導体層30との間の格子歪みを緩衝させるためのバッファ層として用いることもできる。また、成長用基板と介在層20を格子整合させつつ、半導体組成を変えることで、エッチングストップ層としても用いることができる。例えば支持基板がn型のInP基板である場合は、介在層20をn型InGaAs層とすることが好ましい。この場合、介在層20をInP成長用基板と格子整合させるため、III族元素におけるIn組成比を0.3以上0.7以下とすることが好ましく、0.5以上0.6以下とすることがより好ましい。また上記のInGaAsと同程度にInP基板と格子定数が近くなる組成比とするならば、AlInAsやAlInGaAs、InGaAsPとしてもよい。介在層20は、単層であってもよいし、あるいは、他層との複合層(例えば超格子層)であっても良い。
支持基板10及び必要に応じて介在層20上に、n型半導体層30を設けることができ、当該n型半導体層30をn型クラッド層として用いることができる。発光層50のIII-V族化合物半導体の組成に応じてn型半導体層30のIII-V族化合物半導体の組成を適宜定めればよい。発光層50がInGaAsP系半導体やInGaAlAs系半導体で構成される場合には、例えばn型InP層を用いることができる。n型半導体層30は単層構造であってもよいし、複数層が積層された複合層であっても構わない。n型クラッド層の厚さとして1μm以上5μm以下を例示することができる。
n型半導体層30及びp型半導体層70と発光層50との間に第1スペーサ層41及び第2スペーサ層42をそれぞれ設けることも好ましい。第1スペーサ層41はアンドープ又はn型のIII-V族化合物半導体層とすることができ、例えばi型InPスペーサ層を用いることが好ましい。一方p側の第2スペーサ層42はアンドープのIII-V族化合物半導体層とすることが好ましく、例えばi型InPスペーサ層を用いることができる。アンドープのスペーサ層42を設けることで、発光層50とp型層との間の不要なドーパントの拡散を防止することができる。各スペーサ層41,42の厚さは制限されないが、例えば5nm以上500nm以下とすればよい。
発光層50及び必要に応じて第2スペーサ層42上にp型半導体層70を設けることができる。p型半導体層70は発光層50の側から順に、p型クラッド層71及びp型コンタクト層73を備えることができる。p型クラッド層71及びp型コンタクト層73の間に中間層72を設けることも好ましい。中間層72を設けることで、p型クラッド層71及びp型コンタクト層73の格子不整合を緩和することができる。発光層50のIII-V族化合物半導体の組成に応じてp型半導体層70のIII-V族化合物半導体の組成を適宜定めればよい。発光層50がInGaAlAs系半導体で構成される場合には、p型クラッド層としてp型InPを、中間層としてp型InGaAsPを、p型コンタクト層73としてPを含まないp型InGaAsを例示することができる。p型半導体層70の各層の膜厚は特に制限されないものの、p型クラッド層71の膜厚として1μm以上5μm以下を例示することができ、中間層72の膜厚として10nm以上200nm以下を例示することができ、p型コンタクト層73の膜厚として50nm以上200nm以下を例示することができる。
p型半導体層70上及び支持基板10の裏面にそれぞれ第2導電型電極80及び第1導電型電極90を設けることができ、各電極を構成するための金属材料は、Ti、Pt、Auなどの金属や、金と共晶合金を形成する金属(Snなど)などの一般的なものを用いることができる。さらに、各電極の電極パターンは任意であり、何ら制限されない。
本発明による前述の半導体発光素子の製造方法は、発光層50を形成する発光層形成工程を少なくとも含み、この発光層形成工程は、第1層51を形成する第1工程と、第2層52を形成する第2工程と、を繰り返すことにより前述の積層体を形成する。
実施例1による半導体発光素子200のIII-V族化合物半導体層の各構成については図4の符号を参照し、後述の支持基板に接合する前の成長用基板の上に成長された状態について表2に厚さとドーパント濃度を示す。Sドープのn型InP基板を成長用基板10として用いた。n型InP基板(Sドープ、ドーパント濃度2.0×1018atoms/cm3)の(100)面上に、厚さ100nmのn型InP層及び厚さ20nmのn型In0.57Ga0.43As層(それぞれを初期成長層及びエッチングストップ層120)、厚さ3500nmのn型InP層(n型クラッド層としてのn型半導体層130)、厚さ100nmのi型InP層(第1スペーサ層141)、詳細を後述する発光層150、厚さ320nmのi型InP層(第2スペーサ層142)、厚さ2400nmのp型InP層(p型クラッド層171)、厚さ50nmのp型In0.8Ga0.2As0.5P0.5層(中間層172)、厚さ100nmのp型In0.57Ga0.43As層(p型コンタクト層173)をMOCVD法により順次形成した。n型InP層及びn型InGaAs層(それぞれを初期成長層及びエッチングストップ層120)、n型InP層(n型クラッド層としてのn型半導体層130)はSiドープを行い、ドーパント濃度は5.0×1017atoms/cm3とした。p型InP層(p型クラッド層171)はZnドープを行い、ドーパント濃度は7.0×1017atoms/cm3とした。p型InGaAsP層(中間層172)、p型InGaAs層(p型コンタクト層173)はZnドープを行い、ドーパント濃度は1.5×1019atoms/cm3とした。
障壁層となる第1層151の組成を、In0.5264Ga0.3597Al0.1139Asから、In0.5264Ga0.3166Al0.1570Asに変更した以外は、実施例1と同様にして実施例2にかかる半導体発光素子を得た。障壁層(第1層151)及び井戸層(第2層152)の、厚み、組成比、組成波長及び格子定数の値を、表3に記載する。実施例2の発光層の組成比における組成波長差は218.4nmであり、2つの格子定数の差の絶対値を2つの格子定数の平均値で割った値(格子定数差の比)は0.28%であり、伝導帯側の井戸深さ(Dc)の、伝導帯側の井戸深さ(Dc)と価電子帯の井戸深さ(Dv)の合計に対する比(Dc/(Dc+Dv))が68.7%であった。これらの値を表4に記載する。
障壁層(第1層151)の組成及び井戸層(第2層152)の組成と厚みを、表3に記載したとおりに変えた以外は、実施例1と同様にして、実施例3~5、及び比較例1~9にかかる半導体発光素子を得た。
半値幅
++・・・110nm未満
+・・・110nm以上120nm未満
-・・・120nm以上
発光出力
++・・・4.80mW以上
+・・・4.40mW以上4.80mW未満
-・・・4.40mW未満
20 介在層
30 n型半導体積層体
41 第1スペーサ層
42 第2スペーサ層
50 発光層
51 第1層
52 第2層
60 誘電体層
70 p型半導体層
71 p型クラッド層
72 中間層
73 p型コンタクト層
80 第2導電型電極
90 第1導電型電極
100 半導体発光素子
Claims (5)
- 第1のIII-V族化合物半導体層と第2のIII-V族化合物半導体層とを繰り返し積層した積層体を有する発光層を備える半導体発光素子であって、
前記第1及び前記第2のIII-V族化合物半導体層におけるIII族元素はAl、Ga、Inからなる群より選択される1種又は2種以上であり、
前記第1及び前記第2のIII-V族化合物半導体層におけるV族元素はAs、Sb、Pからなる群より選択される1種又は2種以上であり、
前記第1のIII-V族化合物半導体層の組成波長と、前記第2のIII-V族化合物半導体層の組成波長との組成波長差が70nm以上であり、
前記積層体のバンド構造における伝導帯側の井戸深さ(Dc)が、価電子帯側の井戸深さ(Dv)よりも大きく、かつ前記組成波長差により形成される前記伝導帯側の井戸深さ(Dc)の、前記伝導帯側の井戸深さ(Dc)と前記価電子帯の井戸深さ(Dv)の合計に対する比(Dc/(Dc+Dv))が65%以上であり、
前記第1のIII-V族化合物半導体層の格子定数と前記第2のIII-V族化合物半導体層の格子定数における、2つの格子定数の差の絶対値を2つの格子定数の平均値で割った値が、0.10%以上0.40%以下であることを特徴とする、半導体発光素子。 - 前記価電子帯側の井戸深さ(Dv)が0.11eV以下である、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1及び前記第2のIII-V族化合物半導体層におけるV族元素はAs、Sb、Pからなる群より選択される1種である、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記第1のIII-V族化合物半導体層の組成波長と、前記第2のIII-V族化合物半導体層の組成波長との組成波長差が100nm以上290nm以下である、請求項1に記載の半導体発光素子。
- 請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体発光素子を製造する方法であって、
前記発光層を形成する発光層形成工程を含み、
前記発光層形成工程は、前記第1のIII-V族化合物半導体層を形成する第1工程と、前記第2のIII-V族化合物半導体層を形成する第2工程と、を繰り返すことにより前記積層体を形成する、半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2023/026476 WO2024019098A1 (ja) | 2022-07-22 | 2023-07-19 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
TW112127251A TW202408030A (zh) | 2022-07-22 | 2023-07-21 | 半導體發光元件和半導體發光元件的製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022117526 | 2022-07-22 | ||
JP2022117526 | 2022-07-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7387048B1 true JP7387048B1 (ja) | 2023-11-27 |
JP2024014794A JP2024014794A (ja) | 2024-02-01 |
Family
ID=88917931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023116899A Active JP7387048B1 (ja) | 2022-07-22 | 2023-07-18 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7387048B1 (ja) |
TW (1) | TW202408030A (ja) |
WO (1) | WO2024019098A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134842A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
WO2004112208A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Nec Corporation | 半導体レーザ |
JP2006196484A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
WO2009100943A1 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Infrarot-halbleiterlaser |
-
2023
- 2023-07-18 JP JP2023116899A patent/JP7387048B1/ja active Active
- 2023-07-19 WO PCT/JP2023/026476 patent/WO2024019098A1/ja unknown
- 2023-07-21 TW TW112127251A patent/TW202408030A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002134842A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
WO2004112208A1 (ja) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Nec Corporation | 半導体レーザ |
JP2006196484A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
WO2009100943A1 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Infrarot-halbleiterlaser |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024019098A1 (ja) | 2024-01-25 |
TW202408030A (zh) | 2024-02-16 |
JP2024014794A (ja) | 2024-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5112511B2 (ja) | 放射線放出半導体ボディ | |
US11302843B2 (en) | Deep ultraviolet light-emitting device and method of manufacturing same | |
US8901595B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP6940664B2 (ja) | 深紫外発光素子およびその製造方法 | |
WO2018003374A1 (ja) | 半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイス | |
JPH09186360A (ja) | AlGaInP発光ダイオード | |
JP2002305323A (ja) | n型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子 | |
JP6785331B2 (ja) | 半導体光デバイスの製造方法及び半導体光デバイスの中間体 | |
WO2020255976A1 (ja) | 半導体光デバイスの製造方法及び半導体光デバイス | |
US20150115220A1 (en) | (Al, In, Ga, B)N DEVICE STRUCTURES ON A PATTERNED SUBSTRATE | |
TWI725679B (zh) | 半導體發光元件以及半導體發光元件的製造方法 | |
TWI803785B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
JP7387048B1 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP7413599B1 (ja) | Iii-v族化合物半導体発光素子及びiii-v族化合物半導体発光素子の製造方法 | |
TWI743463B (zh) | 半導體光元件的製造方法以及半導體光元件的中間體 | |
WO2019216308A1 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP6158591B2 (ja) | 半導体レーザ | |
JP2022120619A (ja) | 発光素子 | |
CN116670839A (zh) | 混合应变多量子阱超辐射发光二极管 | |
JP2010016232A (ja) | 半導体素子および半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7387048 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |