JP7366252B2 - キャリア近接マスクのための方法および装置 - Google Patents
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Description
図8は、本開示の実施形態による、図1A~図1D、図2A~図2C、および図3に示されるキャリア近接マスクなどのキャリア近接マスクを利用する例示的なプロセスフロー800を示す。ブロック802において、キャリア近接マスク内の基板が提供される。基板は、基板の第1の側に作業領域を含み得、基板の第2の側に1つまたは複数の作業領域を含み得る。基板は、キャリア近接マスクの第1のキャリア本体とキャリア近接マスクの第2のキャリア本体との間に懸吊され得る。第1のキャリア本体は開口部を有し得、各開口部は、基板の第1の側の作業領域の1つを露出させる。さらに、開口部のそれぞれは、可変エッチング深さプロファイルを画定するためにビームと畳み込む第1のエッジを有し得る。
Claims (20)
- 基板に可変エッチング深さプロファイルを形成する方法であって、
基板を提供することと、
キャリアを提供することであって、前記キャリアは、第2のキャリア本体と結合される第1のキャリア本体を含み、前記基板は、前記第1のキャリア本体と前記第2のキャリア本体との間に結合され、前記第1のキャリア本体は、前記基板の作業領域を露出するための1つまたは複数の開口部を有し、前記1つまたは複数の開口部はエッジを有する、キャリアを提供することと、
第1の開口部の前記エッジのうちの第1のエッジを処理ツールからのビームと畳み込んで畳み込みビームを作成することであって、前記畳み込みビームは、前記第1の開口部によって露出された前記基板の作業領域をエッチングして、前記第1のエッジに近接する前記基板内に可変エッチング深さプロファイルを作成する、畳み込みビームを作成することと、
を含む、方法。 - 前記ビームが前記基板のマスクされた領域から前記第1のキャリア本体のエッジに移行するときに、前記ビームの電流密度を増加させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ビームが前記第1のキャリア本体のエッジから前記第1のキャリア本体の開口部内に移行するときに、前記ビームの電流密度を減少させることをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 前記電流密度を増加させることは、前記ビームのデューティサイクルを増加させること、前記ビームの走査速度を減少させること、またはそれらの組み合わせを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記可変エッチング深さプロファイルは、前記基板の平面に沿って複数の角度の付いた構造を有し、前記複数の角度の付いた構造が画定する深さプロファイルは、前記深さプロファイルの長さに沿って、前記第1の開口部の幅にわたって、前記基板の前記平面に平行な長さにわたって変化する、請求項2に記載の方法。
- 前記エッジの形状は矩形のエッジを含み、前記矩形のエッジは前記ビームと畳み込んで前記エッジの厚さに比例した長さを有する可変エッチング深さプロファイルを形成し、前記可変エッチング深さプロファイルは角度の付いたエッチングプロファイルを有し、前記角度の付いたエッチングプロファイルは前記基板の前記平面に対して入射角を有する、請求項5に記載の方法。
- 1つまたは複数の開口部を有する第1のキャリア本体であって、前記1つまたは複数の開口部は、基板の第1の側に可変エッチング深さプロファイルを形成するための近接マスクとして形成され、前記1つまたは複数の開口部のうちの第1の開口部は、畳み込みのためのエッジを有し、前記エッジは、規定された形状、周波数、および電流密度のイオンビームと畳み込んで、前記イオンビームと共に所望の回折プロファイルを近似するように作成された形状を有し、前記イオンビームの前記所望の回折プロファイルは、前記基板の前記第1の側に前記可変エッチング深さプロファイルをエッチングするものである、第1のキャリア本体と、
前記基板の第2の側で前記第1のキャリア本体と結合する第2のキャリア本体であって、前記第1のキャリア本体と前記第2のキャリア本体との間に前記基板を懸吊する、第2のキャリア本体と、
前記第1のキャリア本体を前記第2のキャリア本体とクランプするための1つまたは複数のクランプのセットと、
を備える、キャリア近接マスク。 - 前記エッジの前記形状は、前記第1のキャリア本体の平面に垂直な面を有し、前記面は、前記開口部の下の前記基板に亘る前記所望の回折プロファイルの幅に比例する、前記第1のキャリア本体の前記平面に垂直な高さを有する、請求項7に記載のキャリア近接マスク。
- 前記第1のキャリア本体の前記平面に垂直な前記面は、前記イオンビームと畳み込み、角度の付いたエッチングプロファイルを有する可変エッチング深さプロファイルを作成し、前記角度の付いたエッチングプロファイルは、前記基板への入射角がゼロではない、請求項8に記載のキャリア近接マスク。
- 前記エッジの前記形状は、前記第1のキャリア本体の前記平面に垂直な前記面を作成するために矩形である、請求項8に記載のキャリア近接マスク。
- 前記エッジの前記形状は、前記第1の開口部において前記第1のキャリア本体の前記平面に垂直な前記面を作成するために面取りされている、請求項8に記載のキャリア近接マスク。
- 前記形状は、前記イオンビームが前記第1の開口部を通過するのを遮断するように角度付けされた第2の面を含む、請求項10に記載のキャリア近接マスク。
- 前記第1のキャリア本体は、前記1つまたは複数の開口部の追加の開口部を含み、前記第1のキャリア本体は、前記追加の開口部のそれぞれにエッジを含み、前記エッジは、前記イオンビームと畳み込んで前記イオンビームと共に前記所望の回折プロファイルを近似するように作成された形状を有する、請求項7に記載のキャリア近接マスク。
- 前記第2のキャリア本体は複数の開口部を含み、前記第2のキャリア本体は、前記複数の開口部内のそれぞれにエッジを有し、前記エッジは、前記イオンビームと畳み込んで、前記イオンビームと共に前記基板の前記第2の側をエッチングするための所望の回折プロファイルを近似するように作成された形状を有している、請求項12に記載のキャリア近接マスク。
- 構造を形成するための方法であって、
キャリア近接マスクに基板を提供することであって、前記基板は、前記基板の第1の側に作業領域、前記基板の第2の側に1つまたは複数の作業領域を有し、前記基板は、前記キャリア近接マスクの第1のキャリア本体と前記キャリア近接マスクの第2のキャリア本体との間に懸吊され、前記第1のキャリア本体は開口部を有し、各開口部は、前記基板の前記第1の側にある前記作業領域の1つを露出させるためのものであり、各開口部は第1のエッジを有する、キャリア近接マスクに基板を提供することと、
処理ツールによって、前記開口部を横切ってビームを走査することと、
前記処理ツールを使用して、前記1つまたは複数の開口部を介して前記基板の前記第1の側の前記作業領域を処理し、前記エッジを前記処理ツールからの前記ビームと畳み込んで畳み込みビームを作成することであって、各畳み込みビームは、前記基板の前記第1の側の前記エッジの対応する1つに近接する前記基板内に可変エッチング深さプロファイルを作成するために、前記基板の前記作業領域の1つをエッチングする、畳み込みビームを作成することと、
を含む、方法。 - 前記第1のキャリア本体は、前記処理中にデバイスの1つ置きの行をマスクし、デバイスの1つ置きの行は異なる回折光学素子を有する、請求項15に記載の方法。
- 前記マスクの前記エッジと畳み込まれた前記ビームの回折に関連するエッチング深さ、前記ビームの周波数、前記ビームの形状、および前記エッジの形状に基づく前記畳み込みビームの回折プロファイルを調整するために、前記ビームが前記第1のキャリア本体のマスクされた領域から前記第1のキャリア本体の前記開口部の1つのエッジに移行するときに前記ビームの電流密度を増加させることをさらに含む、請求項15に記載の方法。
- 前記電流密度を増加させることは、前記ビームのデューティサイクルを増加させること、前記ビームの走査速度を減少させること、またはそれらの組み合わせを含む、請求項17に記載の方法。
- 前記ビームが前記第1のキャリア本体のエッジから前記第1のキャリア本体の開口部内に移行するときに前記ビームの電流密度を減少させることをさらに含む、請求項18に記載の方法。
- 面取りされたエッジを作成するために前記エッジを面取りすることをさらに含み、前記面取りされたエッジは、前記ビームの前記電流密度との関係において、前記可変エッチング深さプロファイルの平均深さを増加させ、前記可変エッチング深さプロファイルの長さを短縮する、請求項19に記載の方法。
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