JP7366065B2 - 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置 - Google Patents

照明モジュールおよびこれを備えた照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7366065B2
JP7366065B2 JP2020564617A JP2020564617A JP7366065B2 JP 7366065 B2 JP7366065 B2 JP 7366065B2 JP 2020564617 A JP2020564617 A JP 2020564617A JP 2020564617 A JP2020564617 A JP 2020564617A JP 7366065 B2 JP7366065 B2 JP 7366065B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
reflection
reflective
substrate
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020564617A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021524985A (ja
Inventor
オム，ドンイル
チャン，ジェヒョク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of JP2021524985A publication Critical patent/JP2021524985A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7366065B2 publication Critical patent/JP7366065B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/68—Details of reflectors forming part of the light source
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/10—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source
    • F21S43/13—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S43/14—Light emitting diodes [LED]
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/10—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source
    • F21S43/13—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S43/14—Light emitting diodes [LED]
    • F21S43/145—Surface emitters, e.g. organic light emitting diodes [OLED]
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/20—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by refractors, transparent cover plates, light guides or filters
    • F21S43/26—Refractors, transparent cover plates, light guides or filters not provided in groups F21S43/235 - F21S43/255
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/30—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by reflectors
    • F21S43/31—Optical layout thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
    • F21S43/50—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by aesthetic components not otherwise provided for, e.g. decorative trim, partition walls or covers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/0083—Array of reflectors for a cluster of light sources, e.g. arrangement of multiple light sources in one plane
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • G02F1/133605—Direct backlight including specially adapted reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S45/00—Arrangements within vehicle lighting devices specially adapted for vehicle exteriors, for purposes other than emission or distribution of light
    • F21S45/10—Protection of lighting devices
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S45/00—Arrangements within vehicle lighting devices specially adapted for vehicle exteriors, for purposes other than emission or distribution of light
    • F21S45/50—Waterproofing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/70—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on flexible or deformable supports or substrates, e.g. for changing the light source into a desired form
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Description

発明の実施例は、発光素子を有する照明モジュールに関するものである。発明の実施例は、発光素子および前記発光素子の周りに反射部材を有する照明モジュールに関するものである。発明の実施例は、面光源を提供する照明モジュールに関するものである。発明の実施例は、照明モジュールを有するライトユニットまたは車両用ランプに関するものである。
通常的な照明の応用は、車両用照明(light)だけではなく、ディスプレイおよび看板用バックライトを含む。発光素子、例えば発光ダイオード(LED)は、蛍光灯、白熱灯など既存の光源に比べて、低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性などの長所がある。このような発光ダイオードは、各種表示装置、室内灯または室外灯のような各種照明装置に適用されている。
最近では、車両用光源として、発光ダイオードを採用するランプが提案されている。白熱灯と比較すると、発光ダイオードは、消費電力が小さいという点で有利である。しかし、発光ダイオードから出射される光の出射角度が小さいので、車両用ランプにおいては、発光ダイオードを有するランプの発光面積を増加させる必要がある。前記発光ダイオードは、サイズが小さいので、ランプのデザイン自由度を高めることができ、半永久的な寿命によって経済性もある。
発明の実施例は、面光源を提供する照明モジュールを提供する。発明の実施例は、複数の発光素子および前記各発光素子の周りに反射部材が配置された照明モジュールを提供する。発明の実施例は、発光素子を基準として、対向する反射部材の表面が有する曲率が異なる照明モジュールを提供する。発明の実施例は、発光素子を基準として、対向する反射部材の最上端との距離が相互異なる照明モジュールを提供する。発明の実施例は、基板の上に複数の発光素子、反射部材および樹脂層を有するフレキシブルな照明モジュールを提供する。発明の実施例は、基板の上に複数の発光素子、反射部材、樹脂層および蛍光体層を有するフレキシブルな照明モジュールを提供する。発明の実施例は、光抽出効率および配光特性が改善された照明モジュールを提供する。発明の実施例は、面光源を照射する照明モジュールおよびこれを有する照明装置を提供する。発明の実施例は、照明モジュールを有するライトユニット、表示装置または車両用ランプを提供する。
発明の実施例に係る照明モジュールは、基板と、前記基板の上に配置された複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に配置された樹脂層と、前記複数の発光素子の周りに配置された反射部材と、を含み、前記反射部材は、第１反射領域と前記第１反射領域と対向する第２反射領域を有する複数の反射ユニットを含み、前記複数の反射ユニットのうち少なくとも１つは、前記第１反射領域の最上端地点と前記基板と前記第１反射領域が接する第１地点を連結する直線と前記第１地点での前記基板の接線が第１角度を有し、前記第２反射領域の最上端地点と前記基板と前記第２反射領域が接する第２地点を連結する直線と前記第２地点での前記基板の接線が第２角度を有し、前記複数の反射ユニットのうち少なくとも１つは、前記第１角度と前記第２角度が異なってもよい。
発明の実施例に係る照明モジュールは、基板と、前記基板の上に配置される複数の発光素子と、前記複数の発光素子の上に配置された樹脂層と、前記複数の発光素子の周りに配置された反射部材と、を含み、前記複数の発光素子は、第１発光素子および第２発光素子を含み、前記反射部材は、前記第１発光素子の周りに配置された第１反射ユニットと、前記第２反射ユニットの周りに配置された第２反射ユニットを含み、前記第１反射ユニットは、前記第１発光素子の一側に配置された第１反射領域と、他側に配置された第２反射領域を含み、前記第２反射ユニットは、前記第２発光素子の一側に配置された第１反射領域と、他側に配置された第２反射領域を含み、前記第１反射ユニットは、前記第１反射領域の最上端地点と前記第１発光素子の上面中心を通る直線が前記第１発光素子の上面中心を通る法線と接する前記基板の第１接線と第１傾斜角度を有し、前記第２反射ユニットは、前記第１反射領域の最上端地点と前記第２発光素子の上面中心を通る直線が前記第２発光素子の上面中心を通る法線と接する前記基板の第２接線と第２傾斜角度を有し、前記第１反射ユニットが有する第１傾斜角度と前記第２反射ユニットが有する第２傾斜角度は、相互異なってもよい。
発明の実施例によれば、前記複数の反射ユニットのうち少なくとも１つは、前記第１角度が前記第２角度より小さくてもよい。発明の実施例によれば、前記複数の反射ユニットは、隣接した第１、２反射ユニットを含み、前記第１および第２反射ユニットのそれぞれが有する前記第１角度は、相互異なってもよい。発明の実施例によれば、前記複数の反射ユニットのうち他の少なくとも１つは、前記第１角度と前記第２角度が同一であってもよい。発明の実施例によれば、前記第１反射ユニットの第２反射領域と前記第２反射ユニットの第１反射領域が接する領域は、前記最上端地点を含むことができる。発明の実施例によれば、前記第１反射領域の高さと前記第２反射領域の高さは、前記回路基板の上面から相互同じ高さを有することができる。
発明の実施例によれば、前記発光素子の上面中心から前記第１反射領域の最上端地点までの第１距離は、前記発光素子の上面中心から前記第２反射領域の最上端地点までの第２距離と異なってもよい。発明の実施例によれば、前記第１距離は、前記第２距離より大きくてもよい。発明の実施例によれば、前記複数の発光素子の間の間隔は、相互同一であってもよい。発明の実施例によれば、前記第１地点と前記第２地点は、前記発光素子の下面中心から同じ距離で離隔してもよい。発明の実施例によれば、前記第１反射領域と前記第２反射領域は、曲率を含むことができる。発明の実施例によれば、前記発光素子の上に前記基板の上面と垂直方向に重なる領域に遮光部がさらに配置されてもよい。
発明の実施例によれば、前記樹脂層の上面および側面に配置される蛍光体層をさらに含み、前記反射ユニットは、前記蛍光体層の側面部と接触することができる。発明の実施例によれば、前記基板の上面は、曲率を有することができる。発明の実施例によれば、前記反射部材の高さは、前記樹脂層の高さの０．４～０．６倍の範囲を有することができる。
発明の実施例によれば、前記第１反射ユニットは、前記第２反射領域の最上端地点と前記第１発光素子の上面中心を通る直線が前記第１接線と第３傾斜角度を有し、前記第２反射ユニットは、前記第２反射領域の最上端地点と前記第２発光素子の中心を通る直線が前記第２接線と第４傾斜角度を有し、前記第１反射ユニットが有する第３傾斜角度と前記第２反射ユニットが有する第４傾斜角度は、相互異なってもよい。発明の実施例によれば、前記第１反射ユニットが有する第１傾斜角度は、前記第２反射ユニットが有する第１傾斜角度より大きくてもよい。発明の実施例によれば、前記第１反射ユニットが有する第３傾斜角度は、前記第２反射ユニットが有する第４傾斜角度より小さくてもよい。
発明の実施例によれば、照明モジュールにおいて、面光源の光の均一度を改善することができ、フレキシブルな照明モジュールにおいて、領域別の配光分布の差を減らすことができる。発明の実施例によれば、照明モジュールにおいて、各発光素子の周りに異なる曲率または異なる傾斜面を有する反射部材を提供して、発光素子のチルト位置による光度低下を防止することができ、各発光素子の上におけるホットスポット(hot spot)を減らすことができる。発明の実施例によれば、発光素子の上に樹脂材質の樹脂層を積層することで、フレキシブルな照明モジュールを具現することができる。発明の実施例は、照明モジュールの光効率および配光特性を改善することができる。発明の実施例に係る照明モジュールおよびこれを有する照明装置の光学的な信頼性を改善することができる。発明の実施例に係る照明モジュールを有する車両用照明装置の信頼性を改善することができる。発明の実施例は、照明モジュールを有するバックライトユニット、各種表示装置、面光源照明装置または車両用ランプに適用することができる。
図１は、発明の実施例に係る照明モジュールを示した側断面図である。 図２は、図１の照明モジュールのＡ‐Ａ側断面図である。 図３は、図２の照明モジュールの反射部材を説明するための部分拡大図である。 図４は、図３の反射部材の別の例である。 図５は、図３の照明モジュールの反射部材の構造を説明するための図面である。 図６は、発明の実施例に係る照明モジュールの変形例である。 図７は、図６の照明モジュールにおいて、反射部材の構造を説明するための図面である。 図８は、図６の照明モジュールにおいて、反射部材の構造および光の経路を説明するための図面である。 図９は、発明の実施例に係る照明モジュールの別の例である。 図１０は、発明の実施例に係る照明モジュールの適用例を示したランプの例である。 図１１は、発明の実施例に係る照明モジュールの発光素子の一例である。 図１２は、比較例および反射部材を有する照明モジュールの各発光素子の指向角分布の例である。 図１３は、発明の実施例に係る照明モジュールにおいて、発光素子の回転角度による反射部材の最大幅を比較したグラフである。 図１４は、発明の実施例に係る照明モジュールを有するランプが適用された車両の平面図である。 図１５は、発明の実施例に係る照明モジュールまたは照明装置を有するランプを示した図面である。
以下、添付された図面を参照して、本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が本発明を容易に実施できる好ましい実施例を詳しく説明する。ただし、本明細書に記載された実施例と図面に示された構成は、本発明の好ましい一実施例に過ぎず、本出願時点において、これらを代替できる多様な均等物と変形例があり得ることを理解できるでしょう。
本発明の好ましい実施例に対する動作原理を詳しく説明する際に、係る公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に不明確にすると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。後述される用語は、本発明における機能を考慮して定義された用語として、各用語の意味は、本明細書全般にわたる内容に基づいて解釈されるべきである。図面全体にかけて、類似する機能および作用をする部分に対しては、同じ図面符号を付する。
本発明による照明装置は、照明を必要とする多様なランプ装置、例えば車両用ランプ、家庭用照明装置、産業用照明装置に適用可能である。例えば、車両用ランプに適用される場合、ヘッドランプ、車幅灯(position lamp)、サイドミラー灯、フォグランプ、尾灯(Tail lamp)、非常点滅灯、制動灯、昼間走行灯、車両室内照明、ドアスカッフ、リアコンビネーションランプ、バックアップランプなどに適用可能である。本発明の照明装置は、室内、室外の広告装置、表示装置および各種電車分野にも適用可能であり、他にも現在開発されて商用化されているか今後技術発展に伴って具現可能なあらゆる照明関連分野や広告関連分野などに適用可能であろう。
以下、発明の実施例は、添付された図面および実施例に対する説明によって明白になるだろう。発明の実施例の説明において、各層(膜)、領域、パターン又は構造物が基板、各層(膜)、領域、パッド又はパターンの「上(on)」又は「下(under)」に形成されると記載される場合、「上(on)」と「下(under)」は、「直接(directly)」又は「他の層を介在して(indirectly)」形成されるものも含む。また、各層の上又は下に対する基準は、図面を基準として説明する。
図１は、発明の実施例に係る照明モジュールを示した平面図であり、図２は、図１の照明モジュールのＡ‐Ａ側断面図の例であり、図３は、図２の照明モジュールの反射部材を説明するための部分拡大図である。
図１～図３を参照すると、照明モジュール１００は、基板１１、前記基板１１の上に配置された発光素子２１、前記発光素子２１の周りに反射部材３１、前記基板１１の上で前記発光素子２１を覆う樹脂層４１を含むことができる。前記照明モジュール１００は、前記樹脂層４１の上に蛍光体層５１を含むことができる。
前記照明モジュール１００は、前記発光素子２１から放出された光を面光源として放出することができる。前記照明モジュール１００は、前記基板１１の上に配置された反射層を含むことができる。前記照明モジュール１００において、複数の発光素子２１はＮ列(Ｎは１以上の整数)配列されてもよい。前記複数の発光素子２１は、図１のようにＮ列およびＭ行(Ｎ、Ｍは２以上の整数)配列されてもよい。前記照明モジュール１００は、照明を必要とする多様なランプ装置、例えば車両用ランプ、家庭用照明装置、産業用照明装置に適用可能である。例えば、車両用ランプに適用される照明モジュールの場合、ヘッドランプ、サイドミラー灯、車幅灯(position lamp)、フォグランプ、尾灯(Tail lamp)、方向指示灯(turn signal lamp)、制動灯(stop lamp)、昼間走行灯(Daytime running right)、車両室内照明、ドアスカッフ(door scarf)、リアコンビネーションランプ、バックアップランプ等に適用可能である。前記照明モジュール１００は、傾きや曲面を有するブラケットまたはハウジングに組立てられる形態でフレキシブルなモジュールとして提供されてもよい。
前記照明モジュール１００は、緑色、青色、黄色、白色または赤色光のうち少なくとも１つを発光することができる。例えば、前記照明モジュール１００は、赤色光を発光することができる。
前記基板１１は、印刷回路基板(PCB：Printed Circuit Board)を含み、例えば、樹脂系の印刷回路基板(PCB)、メタルコア(Metal Core)ＰＣＢ、フレキシブル(Flexible)ＰＣＢ、セラミックＰＣＢ、ＦＲ‐４基板を含むことができる。前記基板１１は、例えばフレキシブルＰＣＢを含むことができる。前記基板１１の上面はＸ軸‐Ｙ軸平面を有し、前記基板１１の厚さは、Ｘ方向とＹ方向に直交するＺ方向の高さであってもよい。ここで、Ｘ方向は第１方向であり、Ｙ方向はＸ方向と直交する第２方向であり、前記Ｚ方向はＸ方向とＹ方向に直交する第３方向である。
前記基板１１は、上部に配線層(図示せず)を含み、前記配線層は、前記発光素子２１に電気的に連結される。複数の発光素子２１は、前記配線層によって直列、並列または直‐並列に連結されてもよい。前記基板１１は、前記発光素子２１、前記樹脂層４１および反射部材３１の下部に位置したベース部材または支持部材として機能することができる。
前記基板１１のＸ方向の長さとＹ方向の長さは、同一または異なってもよい。前記基板１１の厚さは、０．５ｍｍ以下、例えば０．３ｍｍ～０．５ｍｍの範囲を有することができる。前記基板１１の厚さを薄く提供するので、照明モジュールの厚さは薄くなることができる。前記照明モジュール１００の厚さｔ１は、前記基板１１の底から５．５ｍｍ以下、例えば４．５ｍｍ～５．５ｍｍの範囲または４．５ｍｍ～５ｍｍの範囲を有することができる。前記照明モジュール１００の厚さｔ１は、前記基板１１の下面から蛍光体層５１の上面の間の直線距離であってもよい。前記照明モジュール１００の厚さｔ１は、前記樹脂層３１の厚さｔ２の２２０％以下、例えば１８０％～２２０％の範囲を有することができる。前記照明モジュール１００は、前記厚さｔ１が前記範囲より薄い場合、光拡散空間が減少してホットスポットが発生することがあり、前記厚さが前記範囲より大きい場合、厚さ増加によって空間的な設置制約とデザイン自由度が低下することがある。発明の実施例は、照明モジュール１００の厚さｔ１を５．５ｍｍ以下、例えば５ｍｍ以下に提供して、曲面構造が可能となるので、デザイン自由度および空間的制約を減らすことができる。
前記基板１１は、一部にコネクタを備えて、前記発光素子２１に電源を供給することができる。前記基板１１において、前記コネクタが配置された領域は樹脂層が形成されない領域であってもよい。前記基板１１は、トップビュー形状が長方形や、正四角形や、他の多角形形状を有することができる。前記基板１１は、直線形状または曲線形状を有するバー(Bar)形状を有することができる。
前記基板１１は、上部に保護層または反射層を含むことができる。前記保護層または反射層は、ソルダーレジスト材質を有する部材を含むことができ、前記ソルダーレジスト材質は、白色材質として、入射する光を反射させることができる。
前記発光素子２１は、前記基板１１の上に配置され、前記樹脂層４１で密封されてもよい。前記発光素子２１は、前記樹脂層４１を通じて光を放出する。前記発光素子２１の表面には、前記樹脂層４１が接触することができる。前記発光素子２１は、光出射面と多数の側面を有し、前記光出射面は、前記樹脂層４１の上面と対向して光を放出する。前記発光素子２１の多数の側面は、光を放出することができる。前記樹脂層４１は、前記各発光素子２１の光出射面と多数の側面に接触することができる。前記樹脂層４１の上に蛍光体層５１が配置された場合、前記樹脂層４１を通じて放出された光は、前記蛍光体層５１を通じて出射することができる。
前記発光素子２１の光出射面および側面は、光を出射する。前記発光素子２１は、少なくとも５面を通じて発光するＬＥＤチップであり、前記基板１１の上にフリップチップ形態に配置される。前記発光素子２１は、別の例として、水平型ＬＥＤチップまたは垂直型ＬＥＤチップを含むことができる。前記発光素子２１が水平型ＬＥＤチップまたは垂直型ＬＥＤチップである場合、前記ＬＥＤチップは、ワイヤーで他のＬＥＤチップや配線パターンに連結される。前記ＬＥＤチップにワイヤーが連結された場合、ワイヤーの高さによって樹脂層の厚さが増加し、ワイヤーの長さによる連結空間によって発光素子２１の間の距離が増加する。別の例として、前記発光素子２１は、ＬＥＤチップを有するパッケージで提供されてもよい。
前記発光素子２１は、０．３ｍｍ以下の厚さを有することができる。発明の実施例に係る前記発光素子２１は、５面発光で指向角分布が大きくなり、これによって発光素子２１の間の間隔ａ１は、前記樹脂層４１の厚さｔ２(ｔ２≦ａ１)と同一または大きくてもよく、例えば２．５ｍｍ以上を有することができ、ＬＥＤチップのサイズに応じて可変できる。発明の実施例に開示された発光素子２１は、少なくとも５面発光するＬＥＤチップで提供されることで、各発光素子２１の輝度分布および指向角分布が改善されることがわかる。
前記発光素子２１は、前記基板１１の上でＮ×Ｍ行列で配置された場合、Ｎは１列または２列以上であり、Ｍは１列または２列以上であってもよい。前記Ｎ、Ｍは１以上の整数である。前記発光素子２１はＹ軸およびＸ軸方向にそれぞれ配列されてもよい。
前記発光素子２１は、発光ダイオード(LED)チップであり、青色、赤色、緑色、紫外線(UV)、赤外線のうち少なくとも１つを発光することができる。前記発光素子２１は、例えば青色、赤色、緑色のうち少なくとも１つを発光することができる。前記発光素子２１は、前記基板１１と電気的に連結され、４２０ｎｍ～４７０ｎｍの範囲の青色光を発光することができる。前記発光素子２１は光源であってもよい。
前記発光素子２１の表面は、透明な絶縁層または樹脂材質の層で保護されてもよい。前記発光素子２１の表面には、蛍光体を有する蛍光体層が形成されてもよい。前記発光素子２１は、下部にセラミック支持部材または金属プレートを有する支持部材が配置されてもよく、前記支持部材は電気伝導および熱伝導部材として使用することができる。
発明の実施例に係る発光素子２１の上には、多数の層が積層され、前記多数の層は、例えば２層以上または３層以上の層を含むことができる。前記多数の層は、不純物を有しない層、蛍光体が添加された層および拡散剤を有する層、蛍光体／拡散剤が添加された層のうち少なくとも２層または３層以上を選択的に含むことができる。前記多数の層のうち少なくとも１つは、拡散剤と蛍光体を選択的に含むことができる。即ち、前記蛍光体と前記拡散剤は、相互別途の層に配置、または、相互混合されて１つの層に配置されてもよい。前記不純物は、蛍光体または／および拡散剤であってもよい。前記蛍光体と前記拡散剤がそれぞれ備えた層は、相互隣接するように配置、または、相互離隔して配置されてもよい。前記蛍光体と前記拡散剤が配置された層が相互分離した場合、前記蛍光体が配置された層が前記拡散剤が配置された層より上に配置される。
前記蛍光体は、青色蛍光体、緑色蛍光体、赤色蛍光体、黄色蛍光体のうち少なくとも１つを含むことができる。前記蛍光体のサイズは、１μm～１００μｍの範囲を有することができる。前記蛍光体の密度が高いほど波長変換効率は高くなるが、光度が低下することがあるので、前記蛍光体のサイズ内で光効率を考慮して蛍光体を添加することができる。前記拡散剤は、PMMA(Poly Methyl Meth Acrylate)系、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、シリコン系のうち少なくとも１つを含むことができる。前記拡散剤は、発光波長で屈折率が１．４～２の範囲であり、そのサイズは、１μm～１００μｍの範囲を有することができる。前記拡散剤は、球形状であってもよいが、これに限定されるものではない。前記多数の層は、樹脂材質の層を含むことができる。前記多数の層は、相互同じ屈折率であるか、少なくとも２層の屈折率が同一であるか、最上側に隣接した層であるほど屈折率が段々低下してもよい。
前記照明モジュール１００は、反射部材３１を含むことができる。前記反射部材３１は、前記基板１１と樹脂層４１の間に配置される。前記反射部材３１は、前記基板１１の上面に配置され、前記樹脂層４１の上面から離隔してもよい。前記反射部材３１は、前記発光素子２１と垂直方向に重ならない領域に配置されてもよい。前記反射部材３１は、前記樹脂層４１と垂直方向に重なることができる。前記反射部材３１は、前記基板１１の上面に接着剤で接着または直接接着されてもよい。前記反射部材３１は、反射シートや反射樹脂を含むことができる。前記反射部材３１は、シリコンまたはエポキシを含む樹脂材質に高い屈折率のフィラーや反射剤または吸収剤を添加することができる。前記フィラーは、PMMA(Poly Methyl Meth Acrylate)系、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、シリコン系のうち少なくとも１つを含むことができる。前記フィラーは、発光波長で屈折率が１．４～２の範囲であり、そのサイズは、４μm～６μｍの範囲を有することができる。前記反射部材３１は、表面カラーが白色でであってもよい。別の例として、前記反射部材３１は、吸収部材で提供することができ、前記吸収部材は、シリコンまたはエポキシのような樹脂材質内に黒鉛のようなフィラーを含むことができる。このような吸収部材は、発光素子の周りで光を吸収して、不必要な光の干渉を防止することができる。発明の説明のために、前記反射部材３１を例として説明することにする。
前記反射部材３１は、前記発光素子２１のそれぞれの周りに配置されてもよい。前記反射部材３１は、前記発光素子２１のそれぞれの周りに配置された側壁であり、入射した光を反射させることができる。前記反射部材３１の上端は、前記発光素子２１の上端より高く配置されてもよい。前記反射部材３１の高さまたは厚さは、前記基板１１の上面を基準として前記発光素子２１の高さまたは厚さより大きくてもよい。これにより、前記反射部材３１は、前記発光素子２１から入射した光を前記発光素子２１の上部方向に反射させ、発光素子２１の上の光度は増加する。
図３を参照すると、前記反射部材３１は、前記各発光素子２１が貫通する複数の貫通ホールｈ１を含むことができる。前記複数の貫通ホールｈ１のそれぞれには少なくとも１つの発光素子が挿入される。別の例として、前記貫通ホールｈ１のそれぞれには２つまたは３つ以上の発光素子が挿入されてもよい。即ち、１つの貫通ホールｈ１には１つまたは２つ以上の発光素子が配置されてもよい。前記貫通ホールｈ１の形状は、円形状または多角形形状を有することができる。
前記反射部材３１は、複数の反射ユニット３３を含むことができる。前記複数の反射ユニット３３のそれぞれは、前記各発光素子２１の側面と対向することができる。前記反射ユニット３３は、前記各発光素子２１が収容されるリセスまたはキャビティを含むことがある。前記反射ユニット３３の数は、前記発光素子２１の数と同一であってもよい。
前記反射ユニット３３は、上面形状が円形状または楕円形状を有することができる。別の例として、前記反射ユニット３３は、上面形状が多角形形状または多角形形状の角の部分が曲線である形状を含むことができる。前記反射ユニット３３は、前記基板１１の上面に水平な直線を基準として、傾斜した平面または曲面を含むことができる。前記反射ユニット３３は、傾斜または曲率を有する反射面を含むことができる。前記反射ユニット３３は、別の例として、多段ステップ構造を有する反射面を含むことができる。前記反射部材３１の反射ユニット３３は、前記発光素子２１の側面と対向するように配置されてもよい。前記反射部材３１の反射ユニット３３は、前記発光素子２１の周りで光を反射する側壁であってもよい。前記反射ユニット３３の詳細な説明は後述することにする。
前記反射部材３１の外縁部は、基板１１の外側に配置された発光素子２１の外側に配置されてもよい。前記反射部材３１の外側面は、基板１１の外側面に隣接した側面であり、前記樹脂層４１の外側面と同じ平面上に配置されてもよい。このとき、前記樹脂層４１の外縁部は、前記基板１１の上面から離隔してもよい。別の例として、前記反射部材３１の外側面に前記樹脂層４１の外縁部が延長されて前記基板１１の上面に接触することができる。
前記反射部材３１の厚さｂ０は、前記発光素子２１の厚さより厚く前記樹脂層４１の厚さｔ２より小さくてもよい。前記反射部材３１の上端は、前記発光素子２１の上面より高く前記樹脂層４１の上面より低くてもよい。前記反射部材３１の厚さｂ０は、前記樹脂層４１の厚さｔ２の０．４倍以上、例えば０．４倍～０．６倍の範囲を有することができる。前記反射部材３１の厚さｂ０が前記範囲で配置されることで、光反射効率を改善させ、光度を増加させることができる。前記反射部材３１の厚さｂ０が前記範囲より小さい場合、光反射効率および光度が低下することがあり、前記範囲より大きい場合、光の指向角が４０度以下となるか暗部が発生することがある。図３を参照すると、前記反射部材３１の上端と前記樹脂層４１の上面の間の最小距離ｂ１は、０．５ｍｍ以上、例えば０．５ｍｍ～２ｍｍの範囲を有することができる。前記反射部材３１の厚さｂ０と前記距離ｂ１の比率は２：１～１：２の範囲を有することができる。
前記反射部材３１の厚さｂ０は、前記発光素子２１の厚さの２倍以上に提供されて、入射した光を効果的に反射させることができる。前記反射部材３１の厚さｂ０、即ち最大厚さは１ｍｍ以上、例えば１ｍｍ～３ｍｍの範囲を有することができる。
前記反射部材３１の上部は、前記発光素子２１の間の領域で、前記樹脂層４１に近いほど相互離れることになる。前記貫通ホールｈ１と連結された反射ユニット３３は、前記発光素子２１が配置される底から前記樹脂層４１に近いほど広くなる。即ち、前記反射ユニット３３の幅ｃ０または面積は、前記樹脂層４１に近いほど大きくなる。前記反射部材３１の反射ユニット３３の上部幅ｃ０は、前記発光素子２１の間の間隔ａ１より小さくてもよい。前記反射部材３１の反射ユニット３３の上部幅ｃ０は、前記反射部材３１の厚さｂ０より大きくてもよい。
前記反射部材３１は、反射樹脂で配置されてもよい。別の例として、図４のように、前記反射部材３１は、樹脂部３２および反射層３２ａを含むことができる。前記反射部材３１は、透明な材質の樹脂部３２の表面に反射層３２ａが積層されてもよい。前記反射層３２ａは、エポキシまたはシリコンの樹脂部３２の上に金属または非金属材質からなることができる。前記樹脂部３２は、複数個が相互離隔、または、横および縦方向に交差するようにマトリックス形態で配列されてもよい。前記樹脂部３２は、側断面が三角形形状を有することができる。前記樹脂部３２の上端の高さは、前記発光素子２１の上端の高さより高く配置されてもよい。前記反射層３２ａは、前記樹脂部３２の表面に凹状の曲面を有する反射領域として形成されてもよい。このような反射層３２ａが前記樹脂部３２の表面に積層されることで、図２の反射部材に比べて、反射層３２ａの量や面積を減らすことができる。このような反射部材３１の表面構造は、別の例の構造に適用することができる。
前記樹脂層４１は、前記基板１１の上に配置される。前記樹脂層４１は、前記基板１１の上で前記発光素子２１を密封する。前記樹脂層４１は、前記基板１１の上面に接着されてもよい。前記樹脂層４１は、前記基板１１の上面に接着剤で接着または直接接着されてもよい。前記樹脂層４１は、前記反射部材３１を密封する。前記樹脂層４１は、前記反射部材３１の表面に接触することができる。前記樹脂層４１の下部４１ａは、前記反射部材３１の反射ユニット３３の内部に突出することができる。前記樹脂層４１の下部４１ａは、前記反射部材３１と前記発光素子２１の間に配置される。前記樹脂層４１の下部４１ａは、前記反射部材３１と前記発光素子２１の間の領域を通じて前記基板１１の上面に接触することができる。
前記樹脂層４１は、前記発光素子２１の厚さより厚い厚さを有することができる。前記樹脂層４１の上面は、前記反射部材３１の上端より高く配置されてもよい。前記樹脂層４１の厚さｔ２は、前記基板１１の厚さより厚くてもよく、前記基板１１の厚さより５倍以上、例えば５倍～１０倍の範囲の厚さを有することができる。前記樹脂層４１は、前記厚さｔ２に配置されることで、前記基板１１の上で発光素子２１を密封して湿気の浸透を防止することができ、前記基板１１を支持することができる。前記樹脂層４１と前記基板１１は、フレキシブルプレートからなることができる。前記樹脂層４１の厚さｔ２は４ｍｍ以下、例えば２ｍｍ～４ｍｍの範囲または２ｍｍ～３．５ｍｍの範囲を有することができる。
前記樹脂層４１は、透明な樹脂材質、例えばＵＶ(Ultra violet)樹脂(Resin)、シリコンまたはエポキシのような樹脂材質からなることができる。前記樹脂層４１の屈折率は１．８以下、例えば１．１～１．８の範囲または１．４～１．６の範囲を有することができ、前記拡散剤の屈折率よりは低くてもよい。前記ＵＶ樹脂は、例えば主材料として、ウレタンアクリレートオリゴマーを主原料とする樹脂(オリゴマータイプ)を利用することができる。例えば、合成オリゴマーであるウレタンアクリレートオリゴマーを利用することができる。前記主材料に低沸点希釈型反応性モノマーであるIBOA(isobornyl acrylate)、HBA(Hydroxybutyl Acrylate)、HEMA(Hydroxy Metaethyl Acrylate)等が混合されたモノマーをさらに含むことができ、添加剤として光開始剤(例えば、1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone、Diphenyl)、Diphwnyl2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide)等または酸化防止剤などを混合することができる。前記ＵＶ樹脂は、オリゴマー１０～２１％、モノマー３０～６３％、添加剤１．５～６％を含んで構成される組成物からなることができる。この場合、前記モノマーは、IBOA(isobornyl Acrylate)１０～２１％、HBA(Hydroxybutyl Acrylate)１０～２１％、HEMA (Hydroxy Metaethyl Acrylate)１０～２１％の混合物で構成されてもよい。前記添加剤は、光開始剤１～５％を添加して光反応性を開示する機能をするようにすることができ、酸化防止剤０．５～１％を添加して黄変現象を改善できる混合物からなることができる。上述した組成物を利用した前記樹脂層４１の形成は、導光板の代わりにＵＶ樹脂などの樹脂で層を形成して、屈折率、厚さ調節を可能とすると共に、上述した組成物を利用して粘着特性と信頼性および量産速度を全て充足できるようにすることができる。
前記樹脂層４１は、拡散剤を含むことができる。前記樹脂層４１が前記拡散剤を有する場合、出射方向に進行する光が拡散され、光源分布に対する均一度を改善することができる。ここで、前記樹脂層４１の拡散剤は５ｗｔ％以下、例えば２ｗｔ％～５ｗｔ％の範囲を有することができる。前記拡散剤の含有量が前記範囲より小さい場合、ホットスポットを低下させることに限界があり、前記範囲より大きい場合、光透過率が低下することがある。別の例として、前記樹脂層４１は、拡散剤のような不純物が添加されない層を含むことができる。前記樹脂層は、不純物がないので光が直進性を持って透過することができる。
前記樹脂層４１が拡散剤を有する場合、出射された光によるホットスポットの発生を抑制することができる。前記拡散剤は、前記発光素子２１から放出された光の波長より大きいサイズを有することができる。このような拡散剤が前記波長より大きいサイズを有して配置されるので、光拡散効果が改善される。前記樹脂層４１は、前記反射部材３１の最外側の側面に延長されるか、前記蛍光体層５１の側面部５１ａが延長される。
前記蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の上に配置される。前記蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の上面に配置されてもよい。前記蛍光体層５１の側面部５１ａは、前記樹脂層４１の側面に配置されてもよい。前記蛍光体層５１の側面部５１ａは、前記反射部材２１の外縁部の側面に配置されてもよい。前記蛍光体層５１の側面部５１ａは、前記基板１１の上面に接着されてもよい。ここで、前記蛍光体層５１は、側面部５１ａが除去されてもよく、この場合、前記樹脂層４１の側面は、前記蛍光体層５１から露出することができる。また、前記蛍光体層５１の側面部５１ａが除去された場合、反射部材３１の外縁部の側面は露出することができる。
前記蛍光体層５１の側面部５１ａは、前記樹脂層４１および反射部材３１の外側面に延長され、前記回路基板１１の上面に接触するので、湿気の浸透を防止することができる。前記蛍光体層５１の側面部５１ａは、波長変換された光を放出することができる。前記蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の上面に配置された上部領域と前記側面部５１ａの領域に同じ蛍光体または異なる蛍光体を含むことができる。例えば、上部領域に第１蛍光体、前記側面部５１ａに第２蛍光体が添加されてもよい。前記第１蛍光体は、赤色蛍光体であり、前記第２蛍光体は、赤色、緑色、黄色、青色のうち少なくとも１つを含むことができる。
前記蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の樹脂材質と異なる材質または同じ材質からなることができる。前記蛍光体層５１は、透明な樹脂材質を含むことができ、内部に蛍光体を含むことができる。前記蛍光体層５１は、一種類以上の蛍光体、例えば赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体、黄色蛍光体のうち少なくとも１つを含むことができる。前記蛍光体層５１は、赤色蛍光体を含むことができる。前記蛍光体層５１は、内部に蛍光体を含むことで、入射した光の波長を変換することができる。ここで、前記発光素子２１から放出された光が第１光であり、前記蛍光体層５１から波長変換された光が第２光である場合、前記第２光は第１光より長い波長であってもよい。前記第２光は、前記第１光の光度より光度が大きくてもよい。前記蛍光体層５１の蛍光体の含有量が高いので、ほとんどの第１光を第２光に波長変換することができる。前記蛍光体層５１を通じて波長変換された第２光の光度は、前記第１光の光度より高くなる。点灯時または未点灯時の蛍光体層５１の表面カラーは、赤色カラーまたは赤色に近いカラーであってもよい。点灯時または未点灯時の蛍光体層５１の表面カラーは、前記蛍光体のカラーと近いカラーであってもよい。
前記蛍光体層５１には上記に開示された蛍光体と複数のインク粒子を含むことができる。前記インク粒子は、緑色、赤色または赤色粒子であってもよく、例えば赤色粒子であってもよい。前記蛍光体層５１の蛍光体と前記インク粒子は、同じカラー系列、例えば赤色系であってもよい。
前記蛍光体層５１は、シリコンまたはエポキシのような材質を含むことができる。前記蛍光体層５１は、屈折率が１．４５～１．６の範囲を有することができる。前記蛍光体層５１は、屈折率が拡散剤の屈折率と同一またはより高くてもよい。前記蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の屈折率よりは高くてもよい。このような蛍光体層５１の屈折率が前記範囲より低い場合、光の均一度が低くなり、前記範囲より高い場合、光透過率が低下することがある。これにより、前記蛍光体層５１の屈折率を前記範囲に提供して、光透過率および光の均一度を調節することができる。前記蛍光体層５１は、内部に蛍光体を有しているので、光を拡散させる層であると定義することができる。
前記蛍光体の含有量は、前記蛍光体層５１をなす樹脂材質とほぼ同じ量または割合で添加されてもよい。前記蛍光体層５１は、樹脂材質と蛍光体の比率が、例えば４：６～６：４の割合で混合されてもよい。前記蛍光体は、前記蛍光体層５１内に４０ｗｔ％～６０ｗｔ％の範囲で含まれることができる。前記蛍光体の含有量は、前記蛍光体層５１の樹脂の量との比率が２０％以下または１０％以下の差を有することができる。実施例は、前記蛍光体層５１において、蛍光体の含有量が４０％以上または６０％以下の比率で添加されることで、前記蛍光体層５１の表面におけるカラーが蛍光体のカラーの色感で提供され、光の拡散および波長変換効率を改善することができる。また、蛍光体層５１を通じて発光素子２１から放出された光の波長、例えば青色光が透過することを減らすことができる。また、蛍光体層５１を通じて抽出された光が蛍光体の波長による面光源として提供される。
前記蛍光体層５１は、例えばシリコン材質内に蛍光体を添加して硬化させてフィルム形態に提供されてもよい。このような蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の上に直接形成されるか、別途に形成された後接着されてもよい。前記フィルム形態に製造された蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の上面に接着されてもよい。前記蛍光体層５１と前記樹脂層４１の間には接着剤が配置される。前記接着剤は透明な材質として、ＵＶ接着剤、シリコンまたはエポキシのような接着剤であってもよい。前記蛍光体層５１がフィルム形態に提供されることで、内部の蛍光体分布を均一に提供することができ、表面カラーの色感も一定レベル以上に提供することができる。前記蛍光体層５１を樹脂材質のフィルムを用いることで、ポリエステル(PET)フィルムを用いた場合に比べて、フレキシブルが高いモジュールを提供することができる。前記蛍光体層５１は、蛍光体を有する保護フィルムであるか蛍光体を有する離型フィルム(Release film)であってもよい。前記蛍光体層５１は、前記樹脂層４１に対して付着または分離が可能なフィルムで提供されてもよい。
前記蛍光体層５１は、前記樹脂層４１の厚さｔ２より小さい厚さｔ３(ｔ３＜ｔ２であってもよい。前記蛍光体層５１は、０．５ｍｍ以下の厚さ、例えば０．３ｍｍ～０．５ｍｍの範囲を有することができる。前記蛍光体層５１の厚さｔ３は、前記樹脂層４１の厚さｔ２の２５％以下であってもよい。前記蛍光体層５１の厚さｔ３は、前記樹脂層４１の厚さｔ２の１８％以下、例えば１４％～１８％の範囲を有することができる。前記蛍光体層５１の厚さｔ３が前記範囲より厚い場合、光抽出効率は低下したりモジュールの厚さが増加することがあり、前記範囲より小さい場合、ホットスポットの抑制が困難であったり波長変換効率が低下することがある。また、前記蛍光体層５１は、波長変換および外部保護のための層であり、前記範囲より厚い場合、モジュールのフレキシブル特性が落ちることがあり、デザイン自由度が低下する。
前記蛍光体は、前記発光素子２１から放出された光を波長変換する。前記蛍光体が赤色蛍光体である場合、赤色光に変換する。前記発光素子２１から放出された光がほとんど波長変換されるように、前記樹脂層４１に添加された拡散剤を通じて光を均一に拡散させ、前記蛍光体層は、前記拡散された光を波長変換することができる。前記蛍光体層５１は、蛍光体を備えることで、外観の色が前記蛍光体の色にて見せることができる。例えば、前記蛍光体が赤色である場合、表面カラーは、赤色に見えるので、前記発光素子２１が消灯である場合、赤色イメージで提供され、前記発光素子２１が点灯である場合、所定光度を有する赤色光が拡散され、面光源の赤色イメージで提供される。別の例として、前記蛍光体層５１の表面には、前記蛍光体と同じカラーまたはより濃いカラーの色感を有する層がさらに配置されてもよい。即ち、赤色蛍光体が添加された場合、表面に赤色インク粒子を有するインク層が形成されてもよい。
実施例に係る照明モジュール１００は５．５ｍｍ以下の厚さを有し、上面を通じて面光源を発光でき、フレキシブル特性を有することができる。前記照明モジュール１００は、側面を通じて光を放出することができる。発明の実施例に係る照明モジュールにおいて、図１２の（ａ）のように、反射部材がない場合(比較例)、発光素子の上における光の指向角分布は１２０度以上、例えば１２０度～１３５度の範囲を有することができる。図１２の（ｂ）のように、実施例に係る反射部材を有する場合、発光素子の上における光の指向角分布は８０度以下、例えば４０度～８０度の範囲を有することができる。即ち、反射部材を発光素子２１の周りに提供することで、個別発光素子の光度が比較例に比べて改善される。
実施例に係る照明モジュール１００が曲面や傾いたブラケットに組立てられた場合、曲がった領域と曲がっていない領域における光度分布が異なり、特定領域で暗部が発生することがある。発明の実施例は、反射部材３１を利用して照明モジュール１００の組立て環境に応じて同じ方向に光が照射されるように反射光を異なるように提供することができる。
図３および図５を参照すると、反射部材３１は、複数の反射ユニット３３を含むことができる。前記複数の反射ユニット３３のそれぞれは、第１方向(Ｘ)に相互対向する第１および第２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２を含むことができる。前記複数の反射ユニット３３のそれぞれは、第２方向(Ｙ)に相互対向する第３および第４反射領域(図示せず)を含むことができ、前記第３および第４反射領域は、第１および第２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の説明を参照することにする。前記第１反射領域ｒｓ１は、前記発光素子２１を基準として一側または右側方向に配置され、前記第２反射領域ｒｓ２は、前記発光素子２１を基準として他側または左側方向に配置される。前記第１反射領域ｒｓ１は、前記発光素子２１の一側面と対向して、前記第２反射領域ｒｓ２は、前記発光素子２１の他側面と対向することができる。前記第１および第２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２は、前記発光素子２１に垂直な中心線を基準として相互反対側に配置され、相互対向することができる。前記反射ユニット３３は、前記反射部材３１の反射面であってもよく、反射部または傾斜した表面であると定義することができる。図３のように、前記反射ユニット３３の上部幅ｃ０は、前記発光素子２１の間の間隔と同一であってもよい。即ち、水平な照明モジュールにおいて、前記反射ユニット３３の上部幅ｃ０は相互同一であってもよい。ところで、所定の曲率を有する照明モジュールにおいて、前記反射ユニット３３の上部幅ｃ０は水平な領域と曲率を有する領域で異なってもよい。このとき、照明モジュールが曲率を有する領域と曲率を有しない領域を含む場合、前記照明モジュールの上に均一な分布の面光源を照射することに困難がある。発明の実施例は、均一な面光源を照射するための前記反射ユニット３３の上部幅ｃ０は、曲率を有する領域が曲率を有しない領域より狭くてもよい。ここで、図１３のように、反射ユニット３３の上部幅ｃ０は、ＬＥＤ、即ち発光素子２１の回転、傾斜または傾いた角度が大きくなるほど段々狭くなってもよい。
図３を参照すると、前記第１反射領域ｒｓ１は、発光素子２１を基準として他側方向に配置された第１最上端地点ｐ１と前記基板１１と接触する第１地点ｐ３の間の領域であってもよい。前記第１反射領域ｒｓ１は、前記第１最上端地点ｐ１と前記第１地点ｐ３の間を連結する直線と同じ線上に配置されるか前記直線より凹むように配置されてもよい。前記第１反射領域ｒｓ１は、平坦な傾斜面または凹状の曲面を含むことができる。ここで、前記第１反射領域ｒｓ１の第１最上端地点ｐ１と前記第１地点ｐ３の間を連結した直線と前記基板１１の間の第１角度ｒａは１０度～８０度の範囲を有することができる。
前記第２反射領域ｒｓ２は、発光素子２１を基準として他側方向に配置された第２最上端地点ｐ２と前記基板１１と接触する第２地点ｐ４の間の領域であってもよい。前記第２反射領域ｒｓ２は、前記第２最上端地点ｐ２と前記第２地点ｐ４の間を連結する直線と同じ線上に配置されるか前記直線より凹むように配置されてもよい。前記第２反射領域ｒｓ２は、平坦な傾斜面または凹状の曲面を含むことができる。ここで、前記第２反射領域ｒｓ２の第２最上端地点ｐ２と前記第２地点ｐ４の間を連結した直線と前記基板１１の間の第２角度ｒｂは１０度～８０度の範囲を有することができる。
前記複数の反射ユニット３３のうち少なくとも１つまたは２つ以上は、前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂが同一であってもよい。前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂが同一な場合、前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂは３０度～６０度の範囲に配置され、入射する光を上部方向に反射させることができる。前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂが同一な場合、前記反射ユニット３３は基板１１の水平な領域上に配置される。
前記複数の反射ユニット３３のうち少なくとも１つまたは２つ以上は、前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂが相互異なってもよい。例えば、前記第１角度ｒａは、第２角度ｒｂより大きくてもよく、この場合には水平な直線上で前記第１最上端地点ｐ１の位置が前記第２最上端地点ｐ２より低く配置されてもよい。別の例として、前記第２角度ｒｂは、前記第１角度ｒａより大きくてもよく、この場合には水平な直線上で前記第２最上端地点ｐ２の位置が前記第１最上端地点ｐ１より低く配置されてもよい。ここで、前記第１、２最上端地点ｐ１、ｐ２の位置が異なる場合、前記反射ユニット３３が前記基板１１を有する照明モジュールが曲面領域であるか傾斜した領域に配置されたユニットであってもよい。
前記複数の反射ユニット３３のうち少なくとも１つまたは２つ以上は、前記第１および第２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の曲率が同一であってもよい。前記第１および第２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の曲率が同一な場合、前記反射ユニット３３は基板１１の水平な領域上に配置される。
前記複数の反射ユニット３３のうち少なくとも１つまたは２つ以上は、前記第１および第２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の曲率が異なってもよい。図７のように、前記第１および第２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の曲率が異なる場合、前記反射ユニット３３ａ、３３ｂは基板１１の傾斜または曲面領域上に配置される。ここで、前記基板１１が曲がった領域において、前記第１、２角度は、前記基板１１の接線が基準となることができる。前記第１反射領域ｒｓ１の曲率半径は、前記第２反射領域ｒｓ２の曲率半径より大きくてもよく、この場合には水平な直線上で前記第２最上端地点ｐ２が前記第１最上端地点ｐ１より低く配置されてもよい。このような構造を有する反射ユニット３３ａ、３３ｂは、水平な直線を基準として基板１１の他側または左側方向の領域が低く曲がったり傾斜した領域に配置されてもよい。前記第２反射領域ｒｓ２の曲率半径は、前記第１反射領域ｒｓ１の曲率半径より大きくてもよく、この場合には水平な直線上で前記第１最上端地点ｐ１が前記第２最上端地点ｐ２より低く配置されてもよい。このような構造を有する反射ユニット３３ａ、３３ｂは、水平な直線を基準として基板１１の右側領域が低く曲がったり傾斜した領域に配置されてもよい。発明の実施例の照明モジュールは、水平な領域、左側または他側方向が低く曲がった領域、左側または他側方向が低く傾斜した領域、右側または一側方向が低く曲がった領域、右側または一側方向が低く傾斜した領域のうち少なくとも１つまたは２つ以上を含むことができる。発明の実施例は、左側または他側方向が低い領域と前記水平な領域上で出射する光の指向方向が同一であるように提供することができる。または、右側または一側方向が低い領域と前記水平な領域上に出射する光の指向方向が同一であってもよい。よって、フレキシブルな照明モジュールの適用環境において、光の指向分布が相互異なる方向に形成されることを抑制することができ、照明モジュールの信頼性を改善することができる。
図５のように、前記発光素子２１の上面中心と前記基板１１の上面に水平な直線の間の角度ｒ０は、前記第１角度ｒａより小さくてもよい。このときの第１最上端地点ｐ１と前記第２最上端地点ｐ２は同じ高さで配置されてもよい。前記角度ｒ０は、５５度以下、例えば３５度～５５の範囲で配置されてもよい。
図６を参照すると、複数の反射ユニット３３内に配置された前記複数の発光素子２１の間の間隔ａ１は相互同一であってもよい。ここで、前記発光素子２１の間の間隔ａ１１は、隣接した２つの発光素子２１の中心の間の距離であってもよい。前記基板１１が水平な領域において、いずれか１つの反射ユニット３３は、前記第１最上端地点ｐ１と前記第２最上端地点ｐ２が前記発光素子２１の上面中心と相互同じ距離で配置されてもよい。前記基板１１が曲がったり傾斜した領域において、いずれか１つの反射ユニット３３の第１最上端地点ｐ１と前記第２最上端地点ｐ２は、前記発光素子２１の上面中心と異なる距離ｄ１、ｄ２で配置されてもよい。例えば、前記第１最上端地点ｐ１と前記発光素子２１の上面中心の間の距離ｄ１は、前記第２最上端地点ｐ２と前記発光素子２１の上面中心の間の距離ｄ２(ｄ２＞ｄ１)より大きくてもよい。このような構造を有する反射ユニット３３は、水平な直線を基準として基板１１の左側または他側方向の領域が低く曲がったり傾斜した領域に配置されてもよい。別の例として、前記第２最上端地点ｐ２と前記発光素子２１の上面中心の間の距離は、前記第１最上端地点ｐ１と前記発光素子２１の上面中心の間の距離より大きくてもよい。このような構造を有する反射ユニット３３は、水平な直線を基準として基板１１の右側または一側方向の領域が低く曲がったり傾斜した領域に配置されてもよい。
図３および図６のように、前記基板１１が水平であるか、傾斜または曲がった領域において、前記反射部材３１の貫通ホールｈ１の周りに配置された前記第１および第２地点ｐ３、ｐ４は、前記発光素子２１の中心または発光素子２１の側面から同じ間隔で離隔してもよい。前記反射ユニット３３のうち少なくとも１つまたは２つは、前記第１反射領域ｒｓ１の第１最上端地点ｐ１と前記基板１１と前記第１反射領域ｒｓ１が接触する第１地点ｐ３を連結する直線と前記第１地点ｐ３での前記基板１１の接線が第１角度ｒａをなすことができる。前記第２反射領域ｒｓ２の第２最上端地点ｐ２と前記基板１１と前記第２反射領域ｒｓ２が接触する第２地点ｐ４を連結する直線と前記第２地点ｐ４での前記基板１１の接線が第２角度ｒｂをなすことができる。このときには、前記第１角度ｒａと前記第２角度ｒｂが異なってもよく、例えば第１角度ｒａが前記第２角度ｒｂより小さくてもよい。前記第１角度ｒａと前記第２角度ｒｂの和は、８０度～１００度の範囲を有することができる。前記第１角度ｒａは４５度以上であり、１０度～５５度の範囲であり、前記第２角度ｒｂは４５度～８０度の範囲を有することができる。ここで、水平な直線と前記反射ユニット３３における基板１１の接線の間の角度(即ち、基板の傾斜角度)は０度～８０度の範囲を有することができ、前記基板１１の傾斜角度が増加する時、前記第１角度ｒａは減少し、前記第２角度ｒｂは増加する。前記第１角度ｒａは、前記反射ユニット３３の位置によって１０度から５５度の範囲で段々減少し、前記第２角度ｒｂは４５度から９５度の範囲まで段々増加する。各反射ユニット３３における前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂが前記範囲より小さい場合、光制御が困難となり、前記範囲より大きい場合、光効率が低下することがある。
図６を参照すると、水平な方向の直線は基準線であり、前記基板１１の曲面上に配置された発光素子２１と前記基板１１の間の界面で水平方向に通る基準線の高さは異なってもよい。前記基板１１の曲面上に配置された各発光素子２１の上面中心に垂直な中心線と前記基準線の間の角度は、相互異なってもよい。前記中心線は、基板１１と発光素子２１が接触する接線に対して垂直な法線方向に延長された直線であってもよい。前記基板１１の曲面で前記各発光素子２１を通る中心線と基準線の間の角度は９０度未満であってもよい。前記各発光素子２１の中心線と基準線の間の角度は、前記基板１１のフラットな領域から遠くなるほど小さくなってもよい。
図３のように、前記複数の反射ユニットのうち水平な直線上に同じ高さで配置された反射ユニットは、第１、２角度ｒａ、ｒｂが同一であってもよい。このときの前記第１反射領域ｒｓ１の上端の高さと前記第２反射領域ｒｓ２の上端の高さは相互同一であってもよい。
図７のように、複数の反射ユニットのうち隣接した２つを第１および第２反射ユニット３３ａ、３３ｂという場合、前記第１反射ユニット３３ａの第１角度ｒａと前記第２反射ユニット３３ｂの第２角度ｒｂは異なってもよい。このときの第１および第２反射ユニット３３ａ、３３ｂは、水平な直線、即ち、基準線に対して異なる高さで配置されてもよい。前記第２発光素子２１ｂの一側に配置された第２反射ユニット３３ｂの第１反射領域ｒｓ１と、前記第１発光素子２１ａの他側に配置された第１反射ユニット３３ａの第２反射領域ｒｓ２が接する上端領域は、同じ最上端地点ｐａを含むことができる。即ち、１つの最上端地点ｐａは、隣接した２つの反射ユニット３３ａ、３３ｂの第１、２最上端地点であってもよい。
ここで、前記第１発光素子２１ａが配置された前記基板１１の上で水平な基準線と、前記第１発光素子２１ａの上面中心を垂直方向に通る中心線の間の第１傾斜角度は９０度未満であってもよい。前記第２発光素子２１ｂが配置された前記基板１１の上で水平な基準線と、前記第２発光素子２１ｂの上面中心を垂直方向に通る中心線の間の第２傾斜角度は９０度未満であってもよい。このときの前記第２傾斜角度は、前記第１傾斜角度より小さくてもよい。
前記基板１１の傾斜または曲がった領域に配置された少なくとも１つまたは２つ以上の反射ユニット３３から発光素子２１の上面中心を基準として第１反射領域ｒｓ１の最上端地点までの第１距離は、前記第２反射領域ｒｓ２の最上端地点までの第２距離と異なってもよい。例えば、第１距離は第２距離より大きくてもよい。
反射部材３１の第１反射ユニット３３ａは、第２反射ユニット３３ｂより右側または一側方向に配置されてもよい。水平な直線を基準として前記第１反射ユニット３３ａの少なくとも一部は、第２反射ユニット３３ｂより高い位置に配置されてもよい。前記第１および第２反射ユニット３３ａ、３３ｂは、傾斜または曲がった領域に配置されてもよい。前記第１反射ユニット３３ａは、第１発光素子２１ａの周りに配置され、第２反射ユニット３３ｂは、第２発光素子２１ｂの周りに配置されてもよい。
前記第１、２反射ユニット３３ａ、３３ｂは、最上端地点ｐａが相互隣接した反射領域と接する地点であってもよい。前記各反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の下端に配置された第１および第２地点ｐ３、ｐ４を連結した直線と基板１１の接線の間の角度を区分すると、第１反射ユニットは第１、２角度ｒａ、ｒｂと定義することができ、第２反射ユニット３３ｂは、第３、４角度ｒｃ、ｒｄと定義することができる。前記第１、２角度ｒａ、ｒｂは、前記第１反射ユニット３３ａの下に配置された基板１１の上面領域の第１接線が基準であってもよく、前記第３、４角度ｒｃ、ｒｄは、前記第２反射ユニット３３ｂの下に配置された前記基板１１の上面領域の第２接線が基準であってもよい。
前記第１反射ユニット３３ａの第１反射領域ｒｓ１の第１角度ｒａは、第２反射領域ｒｓ２の第２角度ｒｂより小さく、第２反射ユニット３３ｂの第１反射領域ｒｓ１の第３角度ｒｃは、第２反射領域ｒｓ２の第４角度ｒｄより小さくてもよい。前記第１角度ｒａは、前記第３角度ｒｃより大きくてもよく、前記第２角度ｒｂは、前記第４角度ｒｄより大きくてもよい。
前記第２角度ｒｂと前記第３角度ｒｃは相互同一または１０度以下の差を有することができる。前記第２角度ｒｂと前記第４角度ｒｄは相互異なり、例えば１度以上の差を有することができ、前記第２角度ｒｂと前記第３角度ｒｃの差と同一またはより小さくてもよい。前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂは相互異なり、例えば１度以上の差を有することができ、前記第２角度ｒｂと前記第３角度の差と同一またはより小さくてもよい。このような曲がった基板１１領域における第１、２反射ユニット３３ａ、３３ｂの反射領域の角度を異なるように提供することで、各反射ユニットを通じて照射される光の分布特性が水平領域で光分布に近接するように提供して、照明の正面で見る時曲がった領域における暗部の発生を減らすことができる。各反射ユニット３３ａ、３３ｂでの前記第１および第２角度ｒａ、ｒｂと第３および第４角度ｒｃ、ｒｄが前記範囲より小さい場合、光制御が困難となり、前記範囲より大きい場合、光効率が低下することがある。
発明の実施例に係る照明モジュールは、基板１１が水平な領域、曲がったり傾斜した領域を含むことができる。前記曲がったり傾斜した領域は、隣接した反射領域の間に配置された発光素子を基準として、左側または他側が低く曲がった領域、左側または他側方向が低く傾斜した領域、右側または一側方向が低く曲がった領域または右側または一側方向が低く傾斜した領域のうち少なくとも１つまたは２つ以上を含むことができる。発明の実施例は、左側または他側方向が低い領域と前記水平な領域上に出射する光の指向方向が同一であるように提供することができる。または、右側または一側方向が低い領域と前記水平な領域上に出射する光の指向方向が同一であってもよい。よって、フレキシブルな照明モジュールの適用環境において、光の指向分布が相互異なる方向に形成されることを抑制することができ、照明モジュールの信頼性を改善することができる。
図８を参照すると、基板１１において、少なくとも一部が曲面である領域を通る直線は接線ｒｘであり、前記接線ｒｘに水平な方向の直線は基準線Ｘであってもよい。前記基準線Ｘに垂直な方向は中心軸Ｚ方向であってもよい。前記接線ｒｘを基準として基準線の間の傾斜角度ｒ１は９０度未満、例えば１度から８０度の範囲を有することができる。このとき、前記反射ユニット３３の第１最上端地点ｐ１と前記発光素子２１の上面中心を通る直線ｒｍは、前記基板１１の接線ｒｘを基準として角度ｒ２で傾斜し、前記第１傾斜角度ｒ２は１０度～４５度の範囲を有することができる。前記接線ｒｘは、前記発光素子２１の上面中心を通る法線と接する基板１１の曲面における接線である。ここで、前記第１傾斜角度ｒ２は、前記傾斜角度ｒ１が１０度方向に減るほど４５度から１０度まで段々減少する。前記反射ユニット３３の第２最上端地点ｐ２と前記発光素子２１の上面中心を通る直線ｒｎは、前記基板１１を通る接線の間の第２反射領域ｒｓ２の第２傾斜角度ｒ３で傾斜し、前記第２傾斜角度ｒ３は４５度～８０度の範囲を有することができる。このとき、前記第２傾斜角度ｒ３は、前記傾斜角度ｒ１が８０度方向に大きくなるほど４５度から８０度まで大きくなる。ここで、前記中心軸Ｚを基準として前記直線ｒｍの角度は、前記直線ｒｎの角度より小さくてもよい。
前記第１反射領域ｒｓ１の第１傾斜角度ｒ２と前記第２反射領域ｒｓ２の第２傾斜角度ｒ３の和は、８５度～９５度の範囲を有することができる。相互異なる反射ユニットにおける前記２つの反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の第１および第２傾斜角度ｒ２、ｒ３の和は、相互同一であってもよい。前記傾斜した反射ユニット３３に配置された第１反射領域ｒｓ１の第１傾斜角度ｒ２は、図５に示された傾斜した角度ｒ０よりは小さくてもよい。前記第１、２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の高さｂ０は、図５に示された反射領域の高さと同一であってもよい。前記第１、２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２は最上端地点と前記樹脂層４１の上面４１ｂとの距離(ｂ２＝ｂ３)が同一であってもよい。各反射ユニット３３における前記第１、２反射領域ｒｓ１、ｒｓ２の第１および第２傾斜角度ｒ２、ｒ３が前記範囲より小さい場合、光制御が困難となり、前記範囲より大きい場合、光効率が低下することがある。
一例として、図８において、反射ユニットの第１および第２傾斜角度ｒ２、ｒ３は、図７の反射ユニットに適用することができる。前記第１および第２反射ユニット３３ａ、３３ｂにおいて、第１傾斜角度ｒ２は異なってもよい。例えば、前記第１反射ユニット３３ａにおいて、第１反射領域ｒｓ１による第１傾斜角度ｒ２は、第２反射ユニット３３ｂにおいて、第１反射領域ｒｓ１による第１傾斜角度ｒ２より大きくてもよい。同様に、前記第１および第２反射ユニット３３ａ、３３ｂにおいて、第２傾斜角度ｒ３は異なってもよい。例えば、第１反射ユニット３３ａにおいて、第２反射領域ｒｓ２による第２傾斜角度ｒ３は、前記第２反射ユニット３３ｂにおいて、第２反射領域ｒｓ２による第２傾斜角度ｒ３より小さくてもよい。
図７のように、前記基板１１の上で複数の反射ユニットを有する場合、第１および第２反射ユニット３３ａにおいて第１および第２発光素子２１ａ、２１ｂの一側に配置された第１反射領域ｒｓ１を通る直線の傾斜角度を第１および第２傾斜角度と定義し、第１および第２反射ユニット３３ｂにおいて第１および第２発光素子２１ａ、２１ｂの他側に配置された第２反射領域ｒｓ２を通る直線の傾斜角度を第３および第４傾斜角度と定義することができる。即ち、前記第１傾斜角度は、前記第１反射ユニット３３ａにおいて前記第１反射領域ｒｓ１の最上端地点ｐａと前記第１発光素子２１の上面中心を通る直線が前記第１発光素子２１ａが配置された前記基板１１の第１接線がなす角度であり、図８で傾斜角度ｒ２であってもよい。前記第２傾斜角度は、前記第２反射ユニット３３ｂにおいて前記第１反射領域ｒｓ１の最上端地点ｐａと前記第２発光素子２１ｂの上面中心を通る直線が前記第２発光素子２１ｂの上面中心を通る法線と接触する前記基板１１の第２接線がなす角度であり、図８で傾斜角度ｒ２であってもよい。前記第３傾斜角度は、前記第１反射ユニット３３ａにおいて前記第２反射領域ｒｓ２の最上端地点ｐａと前記第１発光素子２１ａの上面中心を通る直線が前記第１接線となす角度であり、図８で傾斜角度ｒ３であってもよい。前記第４傾斜角度は、前記第２反射ユニット３３ｂにおいて前記第２反射領域ｒｓ２の最上端地点ｐａと前記第２発光素子２１ｂの中心を通る直線が前記第２接線となす角度であり、図８で傾斜角度ｒ３であってもよい。このとき、前記第１反射ユニット３３ａが有する第１傾斜角度(図８でｒ２)と前記第２反射ユニット３３ｂが有する第２傾斜角度(図８でｒ２)は異なってもよい。前記第１反射ユニット３３ａが有する第３傾斜角度と前記第２反射ユニットが有する第４傾斜角度は、相互異なってもよい。前記第１反射ユニット３３ａが有する第１傾斜角度は、前記第２反射ユニット３３ｂが有する第１傾斜角度より大きくてもよく、前記第１反射ユニット３３ａが有する第３傾斜角度は、前記第２反射ユニット３３ｂが有する第４傾斜角度より小さくてもよい。
図９を参照すると、発明の実施例に係る照明モジュールは、遮光部５５を含むことができる。前記遮光部５５は、蛍光体層５１と前記樹脂層４１の間に配置される。別の例として、前記遮光部５５は、前記蛍光体層５１の内部に配置されるか、前記蛍光体層５１の上面に配置されてもよい。前記遮光部５５は、蛍光体を含むことができる。前記遮光部５５は、前記蛍光体層５１の蛍光体濃度より高い蛍光体濃度を含むことができる。前記遮光部５５は、蛍光体の種類が一種類以上であってもよく、例えば赤色、緑色、黄色、青色蛍光体のうち少なくとも１つを含むことができる。別の例として、前記遮光部５５は、樹脂材質に拡散剤または反射剤を有する領域であってもよい。前記遮光部５５は、前記発光素子２１と垂直方向に重なる領域に配置されてもよい。前記遮光部５５は、前記発光素子２１の上面面積より０．５倍以上の面積、例えば０．５倍～５倍の範囲で配置されてもよい。このような遮光部５５が前記発光素子２１の上部領域をカバーするので、前記発光素子２１から放出された光度を低くすることができ、ホットスポットを抑制することができる。前記遮光部５５の幅ｃ１は、前記反射部材３１の反射ユニットの上部幅よりは小さくてもよい。前記遮光部５５の幅ｃ１は、前記発光素子２１の幅より０．５倍以上であってもよく、例えば０．５倍～５倍の範囲を有することができる。前記遮光部５５の厚さは、前記蛍光体層５１の厚さと同一またはより薄くてもよい。前記遮光部５５は、前記蛍光体層５１のオープン領域を通じて配置されるか、前記樹脂層４１の上面に接触することができる。前記遮光部５５は、トップビュー形状が円形状または多角形形状を有することができる。
前記蛍光体層５１の突出部５１ｂは、前記遮光部５５と垂直方向に重なる領域であり、前記蛍光体層５１の上面より突出することができる。前記蛍光体層５１は、前記遮光部５５と重なる突出部５１ｂが前記蛍光体層５１の上面より上方に突出することができる。前記遮光部５５と重なった前記蛍光体層５１の突出部５１ｂの上面面積は、前記遮光部５５の上面面積より大きくてもよい。これにより、前記遮光部５５と前記蛍光体層５１は、入射した光の波長を変換して出射することになり、遮光領域上では光度が低くなることができる。
実施例に係る照明モジュールは、水平な領域、曲がった領域または傾斜した領域のうち少なくとも１つを含むランプに適用することができる。図１０のようなランプに多様な照明モジュール１００Ａ、１００Ｂ、２００の形態で適用することができる。即ち、直線型バー形状の照明モジュール１００Ｂ、２００のように提供されてもよく、直線部分と曲線部分や傾斜した部分が混合された照明モジュール１００Ａとして提供されてもよい。
図１１は、発明の実施例に係る照明モジュールの発光素子の例を示した図面である。図１１を参照すると、発光素子は、発光構造物２２５および複数の電極２４５、２４７を含む。前記発光構造物２２５は、II族～VI族元素の化合物半導体層、例えばIII族～Ｖ族元素の化合物半導体層またはII族～VI族元素の化合物半導体層からなることができる。前記複数の電極２４５、２４７は、前記発光構造物２２５の半導体層に選択的に連結され、電源を供給する。前記発光素子は、透光性基板２２１を含むことができる。前記透光性基板２２１は、前記発光構造物２２５の上に配置される。前記透光性基板２２１は、例えば透光性、絶縁性基板または伝導性基板であってもよい。前記透光性基板２２１は、例えばサファイア(Al2O３)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、Ga2O3のうち少なくとも１つを利用することができる。前記透光性基板２２１のトップ面および底面のうち少なくとも１つまたは両方ともには、複数の凸部(図示せず)が形成されて、光抽出効率を改善することができる。各凸部の側断面形状は、半球形状、半楕円形状または多角形形状のうち少なくとも１つを含むことができる。このような透光性基板２２１は除去されてもよいが、これに限定されるものではない。
前記透光性基板２２１と前記発光構造物２２５の間には、バッファ層(図示せず)および低伝導性の半導体層(図示せず)のうち少なくとも１つを含むことができる。前記バッファ層は、前記透光性基板２２１と半導体層との格子定数差を緩和させるための層として、II族～VI族化合物半導体から選択してなることができる。前記バッファ層の下には、ドーピングされていないIII族～Ｖ族化合物半導体層がさらに形成されてもよいが、これに限定されるものではない。前記発光構造物２２５は、前記透光性基板２２１の下に配置され、第１導電型半導体層２２２、活性層２２３および第２導電型半導体層２２４を含む。前記各層２２２、２２３、２２４の上および下のうち少なくとも１つには他の半導体層がさらに配置されてもよいが、これに限定されるものではない。
前記第１導電型半導体層２２２は透光性基板２２１の下に配置され、第１導電型ドーパントがドーピングされた半導体、例えばｎ型半導体層に具現することができる。前記第１導電型半導体層２２２は、InxAlyGa1-x-yN(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ+ｙ≦１)の組成式を含む。前記第１導電型半導体層２２２は、III族～Ｖ族元素の化合物半導体、例えばGaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPから選択することができる。前記第１導電型ドーパントはｎ型ドーパントとして、Si、Ge、Sn、Se、Teなどのようなドーパントを含む。前記活性層２２３は、第１導電型半導体層２２２の下に配置され、単一量子井戸、多重量子井戸(MQW)、量子線(quantum wire)構造または量子ドット(quantum dot)構造を選択的に含み、井戸層と障壁層の周期を含む。前記井戸層／障壁層の周期は、例えばInGaN／GaN、GaN／AlGaN、AlGaN／AlGaN、InGaN／AlGaN、InGaN／InGaN、AlGaAs／GaA、InGaAs／GaAs、InGaP／GaP、AlInGaP／InGaP、InP／GaAsのペアのうち少なくとも１つを含む。前記第２導電型半導体層２２４は、前記活性層２２３の下に配置される。前記第２導電型半導体層２２４は、第２導電型ドーパントがドーピングされた半導体、例えばInxAlyGa1-x-yN(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ+ｙ≦１)の組成式を含む。前記第２導電型半導体層２２４は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPのような化合物半導体のうち少なくとも１つからなることができる。前記第２導電型半導体層２２４がｐ型半導体層であり、前記第１導電型ドーパントはｐ型ドーパントとして、Mg、Zn、Ca、Sr、Baを含むことができる。前記発光構造物２２５は、別の例として、前記第１導電型半導体層２２２がｐ型半導体層、前記第２導電型半導体層２２４はｎ型半導体層に具現することができる。前記第２導電型半導体層２２４の下には、前記第２導電型と反対極性を有する第３導電型半導体層が形成されてもよい。また、前記発光構
造物２２５は、ｎ‐ｐ接合構造、ｐ‐ｎ接合構造、ｎ‐ｐ‐ｎ接合構造、ｐ‐ｎ‐ｐ接合構造のうちいずれか１つの構造に具現することができる。
前記発光構造物２２５の下には、第１および第２電極２４５、２４７が配置される。前記第１電極２４５は、前記第１導電型半導体層２２２と電気的に連結され、前記第２電極２４７は、第２導電型半導体層２２４と電気的に連結される。前記第１および第２電極２４５、２４７は、底の形状が多角形または円形状を有することができる。前記発光構造物２２５内には、複数のリセス２２６を備えることができる。
前記発光素子は、第１および第２電極層２４１、２４２、第３電極層２４３、絶縁層２３１、２３３を含む。前記第１および第２電極層２４１、２４２のそれぞれは、単層または多層に形成され、電流拡散層として機能することができる。前記第１および第２電極層２４１、２４２は、前記発光構造物２２５の下に配置された第１電極層２４１と、前記第１電極層２４１の下に配置された第２電極層２４２を含むことができる。前記第１電極層２４１は電流を拡散させ、前記第２電極層２４１は入射する光を反射させることになる。
前記第１および第２電極層２４１、２４２は、相互異なる物質形成されてもよい。前記第１電極層２４１は、透光性材質で形成され、例えば金属酸化物または金属窒化物からなることができる。前記第１電極層２４１は、例えばITO(indium tin oxide)、ITON(ITO nitride)、IZO(indium zinc oxide)、IZON(IZO nitride)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indium gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide)から選択して形成することができる。前記第２電極層２４２は、前記第１電極層２４１の下面と接触して反射電極層として機能することができる。前記第２電極層２４２は、金属、例えばAg、AuまたはAlを含む。前記第２電極層２４２は、前記第１電極層２４１が一部領域が除去された場合、前記発光構造物２２５の下面に部分的に接触することができる。
別の例として、前記第１および第２電極層２４１、２４２の構造は、ＯＤＲ(Omni Directional Reflector layer)構造に積層されてもよい。前記ＯＤＲ構造は、低い屈折率を有する第１電極層２４１と、前記第１電極層２４１と接触した高反射材質の金属材質である第２電極層２４２の積層構造に形成される。前記電極層２４１、２４２は、例えばITO／Agの積層構造からなることができる。このような前記第１電極層２４１と第２電極層２４２の間の界面で全方位反射角を改善することができる。
別の例として、前記第２電極層２４２は除去され、他の材質の反射層に形成されてもよい。前記反射層は、ＤＢＲ(distributed bragg reflector)構造に形成されてもよく、前記ＤＢＲ構造は、相互異なる屈折率を有する２つの誘電体層が交互に配置された構造を含み、例えばＳｉＯ２層、Ｓｉ３Ｎ４層、ＴｉＯ２層、Ａｌ２Ｏ３層およびＭｇＯ層のうち相互異なるいずれか１つをそれぞれ含むことができる。別の例として、前記電極層２４１、２４２は、ＤＢＲ構造とＯＤＲ構造を両方とも含むことができ、この場合９８％以上の光反射率を有する発光素子を提供することができる。前記フリップチップ方式で搭載された発光素子は、前記第２電極層２４２から反射された光が透光性基板２２１を通じて放出するので、垂直上方方向にほとんどの光を放出することができる。前記発光素子の側面に放出された光は、実施例に係る接着部材を通じて反射部材によって光出射領域に反射される。
前記第３電極層２４３は、前記第２電極層２４２の下に配置され、前記第１および第２電極層２４１、２４２と電気的に絶縁される。前記第３電極層２４３は、金属、例えばチタン(Ti)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、白金(Pt)、スズ(Sn)、銀(Ag)、リン(P)のうち少なくとも１つを含む。前記第３電極層２４３の下には、第１電極２４５および第２電極２４７が配置される。
前記絶縁層２３１、２３３は、第１および第２電極層２４１、２４２、第３電極層２４３、第１および第２電極２４５、２４７、発光構造物２２５の層の間の不必要な接触を遮断する。前記絶縁層２３１、２３３は、第１および第２絶縁層２３１、２３３を含み、前記第１絶縁層２３１は、前記第３電極層２４３と第２電極層２４２の間に配置される。前記第２絶縁層２３３は、前記第３電極層２４３と第１、２電極２４５、２４７の間に配置される。
前記第３電極層２４３は、前記第１導電型半導体層２２２と連結される。前記第３電極層２４３の連結部２４４は、前記第１、２電極層２４１、２４２および発光構造物２２５の下部を通じてビア構造で突出して第１導電型半導体層２２２と接触する。前記連結部２４４は、複数に配置されてもよい。前記第３電極層２４３の連結部２４４の周りには、前記第１絶縁層２３１の一部２３２が発光構造物２２５のリセス２２６に沿って延長され、第３電極層２４３と前記第１および第２電極層２４１、２４２、第２導電型半導体層２２４および活性層２２３の間の電気的な連結を遮断する。前記発光構造物２２５の側面には、側面保護のために絶縁層が配置されてもよいが、これに限定されるものではない。
前記第２電極２４７は、前記第２絶縁層２３３の下に配置され、前記第２絶縁層２３３のオープン領域を通じて前記第１および第２電極層２４１、２４２のうち少なくとも１つと接触または連結される。前記第１電極２４５は、前記第２絶縁層２３３の下に配置され、前記第２絶縁層２３３のオープン領域を通じて前記第３電極層２４３と連結される。これにより、前記第２電極２４７の突起２４８は、第１、２電極層２４１、２４２を通じて第２導電型半導体層２２４に電気的に連結され、第１電極２４５の突起２４６は、第３電極層２４３を通じて第１導電型半導体層２２２に電気的に連結される。
図１４は、発明の実施例に係る照明モジュールが適用された車両ランプが適用された車両の平面図であり、図１５は、発明の実施例に開示された照明モジュールまたは照明装置を有する車両ランプを示した図面である。
図１４および図１５を参照すると、車両９００において、尾灯８００は、第１ランプユニット８１２、第２ランプユニット８１４、第３ランプユニット８１６およびハウジング８１０を含むことができる。ここで、第１ランプユニット８１２は、方向指示灯の役割をするための光源であってもよく、第２ランプユニット８１４はテールランプの役割をするための光源であってもよく、第３ランプユニット８１６は制動灯の役割をするための光源であってもよいが、これに限定されるものではない。前記第１～第３ランプユニット８１２、８１４、８１６のうち少なくとも１つまたは全ては、発明の実施例に開示された照明モジュールを含むことができる。前記ハウジング８１０は、第１～第３ランプユニット８１２、８１４、８１６を収納し、透光性材質からなることができる。このとき、ハウジング８１０は、車両本体のデザインに応じて屈曲を有することができ、第１～第３ランプユニット８１２、８１４、８１６は、ハウジング８１０の形状に応じて曲面を有する面光源を具現することができる。このような車両ランプは、前記ランプユニットが車両の尾灯、制動灯や、ターンシグナルランプに適用することができる。
以上の実施例で説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施例に含まれ、必ず１つの実施例に限定されるものではない。また、各実施例に例示された特徴、構造、効果などは、実施例が属する分野で通常の知識を有する者によって、他の実施例に対して組合せまたは変形して実施可能である。よって、そのような組合せと変形に係る内容は、本発明の範囲に含まれると解釈されるべきである。

Claims (12)

  1. 基板と、
    前記基板の上に配置された複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子の上に配置された樹脂層と、
    前記複数の発光素子の周りに配置された反射部材と、
    前記樹脂層の上面および側面に配置される蛍光体層と、を含み、
    前記反射部材は、第１反射領域と前記第１反射領域と対向する第２反射領域を有する複数の反射ユニットを含み、
    前記複数の反射ユニットのうち少なくとも１つは、前記第１反射領域の最上端地点と前記基板と前記第１反射領域が接する第１地点を連結する直線と前記第１地点で前記基板の接線が第１角度を有し、前記第２反射領域の最上端地点と前記基板と前記第２反射領域が接する第２地点を連結する直線と前記第２地点での前記基板の接線が第２角度を有し、
    前記複数の反射ユニットのうち少なくとも１つは、前記第１角度と前記第２角度が異なり、
    前記反射部材の一部は、前記複数の発光素子の間にそれぞれ配置され、
    前記複数の発光素子は、前記基板と前記樹脂層と垂直方向に重なり、
    前記反射ユニットは、前記蛍光体層の側面部と接触し、
    前記基板の上面は、曲率を有する、照明モジュール。
  2. 前記複数の反射ユニットのうち少なくとも１つは、前記第１角度が前記第２角度より小さい、請求項１に記載の照明モジュール。
  3. 前記複数の反射ユニットは、隣接した第１反射ユニットおよび第２反射ユニットを含み、
    前記第１および第２反射ユニットにおいて、前記第１角度は相互異なり、
    前記複数の反射ユニットのうち他の少なくとも１つは、前記第１角度と前記第２角度が同一である、請求項１に記載の照明モジュール。
  4. 前記第１反射ユニットの第２反射領域と前記第２反射ユニットの第１反射領域が接触する領域は、前記最上端地点を含み、
    前記第１反射領域と前記第２反射領域は、曲率を有する凹状の曲面を含む、請求項３に記載の照明モジュール。
  5. 前記複数の反射ユニットのうち少なくとも１つにおいて、前記第１反射領域の高さと前記第２反射領域の高さは、前記基板の上面から相互同じ高さを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の照明モジュール。
  6. 前記発光素子の上面中心から前記第１反射領域の最上端地点までの第１距離は、前記発光素子の上面中心から前記第２反射領域の最上端地点までの第２距離より大きい、請求項１から５のいずれか一項に記載の照明モジュール。
  7. 前記複数の発光素子の間の間隔は、相互同一であり、
    前記第１地点と前記第２地点は、前記発光素子のそれぞれの下面中心から同じ距離で離隔する、請求項６に記載の照明モジュール。
  8. 前記樹脂層の下部は、前記複数の反射ユニットの間に配置され、前記発光素子と接触し、
    前記樹脂層の上に配置され、前記発光素子の上面と垂直方向に重なる遮光部を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の照明モジュール。
  9. 前記反射部材の高さは、前記樹脂層の高さの０．４倍～０．６倍の範囲を有し、
    前記樹脂層の厚さは４ｍｍ以下である、請求項１から８のいずれか一項に記載の照明モジュール。
  10. 基板と、
    前記基板の上に配置される複数の発光素子と、
    前記複数の発光素子の上に配置された樹脂層と、
    前記複数の発光素子の周りに配置された反射部材と、
    前記樹脂層の上面および側面に配置される蛍光体層と、を含み、
    前記複数の発光素子は、第１発光素子および第２発光素子を含み、
    前記反射部材は、前記第１発光素子の周りに配置された第１反射ユニットと、前記第２発光素子の周りに配置された第２反射ユニットを含み、
    前記第１および第２反射ユニットのそれぞれは、前記第１および第２発光素子の一側に配置された第１反射領域と、他側に配置された第２反射領域を含み、
    前記第１反射ユニットは、前記第１反射領域の最上端地点と前記第１発光素子の上面中心を通る直線が前記第１発光素子の上面中心を通る法線と接触する前記基板の第１接線と第１傾斜角度を有し、
    前記第２反射ユニットは、前記第１反射領域の最上端地点と前記第２発光素子の上面中心を通る直線が前記第２発光素子の上面中心を通る法線と接する前記基板の第２接線と第２傾斜角度を有し、
    前記第１反射ユニットが有する第１傾斜角度と前記第２反射ユニットが有する第２傾斜角度は、相互異なり、
    前記反射部材の側面は、前記蛍光体層の側面部と接触し、
    前記基板の上面は、曲率を有する、照明モジュール。
  11. 前記第１反射ユニットは、前記第２反射領域の最上端地点と前記第１発光素子の上面中心を通る直線が前記第１接線と第３傾斜角度を有し、
    前記第２反射ユニットは、前記第２反射領域の最上端地点と前記第２発光素子の中心を通る直線が前記第２接線と第４傾斜角度を有し、
    前記第１反射ユニットが有する第３傾斜角度と前記第２反射ユニットが有する第４傾斜角度は、相互異なる、請求項１０に記載の照明モジュール。
  12. 前記第１反射ユニットが有する第１傾斜角度は、前記第２反射ユニットが有する第２傾斜角度より大きく、
    前記第１反射ユニットが有する第３傾斜角度は、前記第２反射ユニットが有する第４傾斜角度より小さい、請求項１１に記載の照明モジュール。
JP2020564617A 2018-05-24 2019-05-03 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置 Active JP7366065B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180058813A KR20190133878A (ko) 2018-05-24 2018-05-24 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR10-2018-0058813 2018-05-24
PCT/KR2019/005342 WO2019225877A1 (ko) 2018-05-24 2019-05-03 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021524985A JP2021524985A (ja) 2021-09-16
JP7366065B2 true JP7366065B2 (ja) 2023-10-20

Family

ID=68615623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020564617A Active JP7366065B2 (ja) 2018-05-24 2019-05-03 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11742465B2 (ja)
EP (1) EP3795890B1 (ja)
JP (1) JP7366065B2 (ja)
KR (1) KR20190133878A (ja)
CN (1) CN112219060B (ja)
WO (1) WO2019225877A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022035593A (ja) * 2020-08-21 2022-03-04 株式会社ファルテック 移動体搭載表示装置
EP4291820A1 (en) * 2021-02-12 2023-12-20 Valeo Vision Automotive luminous device
FR3119900A1 (fr) * 2021-02-12 2022-08-19 Valeo Vision Dispositif lumineux pour automobile
CN113093433A (zh) * 2021-04-25 2021-07-09 业成科技（成都）有限公司 光源组件及其制备方法、背光模组和显示装置
KR20230011168A (ko) * 2021-07-13 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR20230020795A (ko) * 2021-08-04 2023-02-13 엘지이노텍 주식회사 조명 장치 및 이를 구비한 차량 램프
CN113985657A (zh) * 2021-10-28 2022-01-28 深圳Tcl新技术有限公司 背光模块及其制备方法、显示装置
CN114280847B (zh) * 2021-12-30 2023-06-02 武汉华星光电技术有限公司 背光模组及显示装置
EP4270483A1 (en) * 2022-04-28 2023-11-01 Nichia Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008117865A1 (ja) 2007-03-28 2008-10-02 Kyocera Corporation 照明装置および照明ユニット
JP2009231750A (ja) 2008-03-25 2009-10-08 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP2013247038A (ja) 2012-05-28 2013-12-09 Sharp Corp 照明装置および表示装置
US20170254518A1 (en) 2016-03-06 2017-09-07 Sergiy Vasylyev Flexible solid-state illumination devices

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5714422Y2 (ja) 1976-06-21 1982-03-25
DE3148843C2 (de) * 1981-12-10 1986-01-02 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Mehrfach-Leuchtdiodenanordnung
DE3315785A1 (de) 1983-04-30 1984-11-08 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Kraftfahrzeugleuchte
US5725407A (en) * 1996-04-08 1998-03-10 Industrial Technology Research Institute Process for manufacturing a luminescent display screen that features a sloping structure
JP2005285874A (ja) 2004-03-26 2005-10-13 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP4535792B2 (ja) 2004-07-01 2010-09-01 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 バックライト及びそのバックライトを備えた液晶表示装置
US7858408B2 (en) 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
EP1840977A4 (en) * 2004-12-24 2009-07-29 Kyocera Corp LIGHT SOURCE AND LIGHTING DEVICE
US7652301B2 (en) 2007-08-16 2010-01-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Optical element coupled to low profile side emitting LED
JP5279225B2 (ja) * 2007-09-25 2013-09-04 三洋電機株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
JP5300702B2 (ja) 2009-12-04 2013-09-25 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
KR101402814B1 (ko) 2011-04-04 2014-06-03 엘지이노텍 주식회사 조명장치 및 이를 이용한 액정표시장치
KR101239835B1 (ko) 2011-04-19 2013-03-06 한국광기술원 지향성 발광 패턴을 갖는 발광 다이오드 패키지 및 이를 이용한 액정 디스플레이 장치
CN103477252A (zh) * 2011-04-22 2013-12-25 夏普株式会社 透镜和光源单元
EP2737363B1 (en) 2011-07-29 2023-06-21 LG Innotek Co., Ltd. Lighting device and liquid crystal display device having the same
KR101415582B1 (ko) 2011-07-29 2014-07-08 엘지이노텍 주식회사 조명장치 및 이를 이용한 액정표시장치
CN103311400A (zh) * 2012-03-15 2013-09-18 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
KR20140007510A (ko) 2012-07-09 2014-01-20 주재철 Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법
KR101433607B1 (ko) 2013-01-16 2014-08-26 관동대학교산학협력단 가로등의 led 배광용 반사판
KR102309831B1 (ko) 2015-03-23 2021-10-13 현대모비스 주식회사 조명장치
KR102406860B1 (ko) 2015-06-09 2022-06-10 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 조명 장치
WO2018003027A1 (ja) * 2016-06-29 2018-01-04 三菱電機株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
US10274168B2 (en) * 2016-07-20 2019-04-30 Nichia Corporation Light emitting device
WO2018036618A1 (en) 2016-08-23 2018-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a plurality of optoelectronic devices and optoelectronic device
KR20180028683A (ko) 2016-09-09 2018-03-19 엘지이노텍 주식회사 조명 장치
US10514150B2 (en) * 2017-02-22 2019-12-24 Osram Sylvania Inc. Solid-state luminaire reflector assembly

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008117865A1 (ja) 2007-03-28 2008-10-02 Kyocera Corporation 照明装置および照明ユニット
JP2009231750A (ja) 2008-03-25 2009-10-08 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP2013247038A (ja) 2012-05-28 2013-12-09 Sharp Corp 照明装置および表示装置
US20170254518A1 (en) 2016-03-06 2017-09-07 Sergiy Vasylyev Flexible solid-state illumination devices

Also Published As

Publication number Publication date
CN112219060B (zh) 2024-03-26
CN112219060A (zh) 2021-01-12
EP3795890A1 (en) 2021-03-24
EP3795890A4 (en) 2022-03-23
JP2021524985A (ja) 2021-09-16
KR20190133878A (ko) 2019-12-04
WO2019225877A1 (ko) 2019-11-28
EP3795890B1 (en) 2024-03-27
US11742465B2 (en) 2023-08-29
US20210367116A1 (en) 2021-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7366065B2 (ja) 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置
JP7407505B2 (ja) 照明モジュールおよびこれを備えた照明装置
KR102594815B1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
US11757068B2 (en) Lighting module and lighting apparatus having thereof
EP3796403B1 (en) Lighting module and lighting device comprising same
US10186643B2 (en) Light-emitting module and light unit having thereof
KR102024291B1 (ko) 램프 유닛 및 그를 이용한 차량 램프 장치
US9391117B2 (en) Light emitting diode package
US20130264538A1 (en) Light emitting lamp
US8791495B2 (en) Light emitting device package and lighting system
KR20180023778A (ko) 발광 소자 패키지
KR20200036578A (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
KR20200035699A (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220427

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230628

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230919

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231010

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7366065

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150