JP7363030B2 - Resin composition, cured film, method for producing relief pattern of cured film, electronic component, semiconductor device, method for producing electronic component, method for producing semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、樹脂組成物に関する。より詳しくは、半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などに好適に用いられる樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a resin composition. More specifically, the present invention relates to a resin composition suitable for use in surface protective films of semiconductor devices, interlayer insulating films, insulating layers of organic electroluminescent devices, and the like.
従来、電子機器の半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜等には、耐熱性や機械特性等に優れたポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂などが広く使用されている。ポリイミドやポリベンゾオキサゾールを表面保護膜または層間絶縁膜として使用する場合、スルーホール等の形成方法の1つは、ポジ型のフォトレジストを用いるエッチングである。しかし、この方法では、フォトレジストの塗布や剥離の工程が必要であり、煩雑であるという問題がある。そこで作業工程の合理化を目的に感光性が付与された耐熱性材料の検討がなされてきた。 Conventionally, polyimide resins, polybenzoxazole resins, and the like, which have excellent heat resistance and mechanical properties, have been widely used for surface protection films, interlayer insulating films, etc. of semiconductor elements of electronic devices. When polyimide or polybenzoxazole is used as a surface protection film or an interlayer insulating film, one method for forming through holes and the like is etching using a positive photoresist. However, this method requires the steps of applying and peeling off the photoresist, and has the problem of being complicated. Therefore, studies have been conducted on heat-resistant materials that have been imparted with photosensitivity for the purpose of streamlining the work process.
通常、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールは、それらの前駆体の塗膜を熱的に脱水閉環させて優れた耐熱性および機械特性を有する薄膜を得る。その場合、通常350℃前後の高温焼成を必要とする。ところが、例えば次世代メモリとして有望なMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁気抵抗メモリ)や、封止樹脂は、高温に弱い。そのため、このような素子の表面保護膜や、封止樹脂上に再配線構造を形成するファンアウトウエハレベルパッケージの層間絶縁膜に用いるために、約250℃以下の低温での焼成で硬化し、従来の材料を350℃前後の高温で焼成した場合と遜色ない、信頼性の高い膜特性が得られるポリイミド樹脂またはポリベンゾオキサゾール樹脂が求められている。 Usually, polyimide and polybenzoxazole are obtained by thermally dehydrating and ring-closing the coating film of their precursor to obtain a thin film having excellent heat resistance and mechanical properties. In that case, high-temperature firing usually around 350°C is required. However, for example, MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), which is a promising next-generation memory, and sealing resin are sensitive to high temperatures. Therefore, in order to be used as a surface protection film for such elements or an interlayer insulation film for fan-out wafer level packages that form rewiring structures on the sealing resin, it is cured by baking at a low temperature of about 250°C or less. There is a need for polyimide resins or polybenzoxazole resins that can provide highly reliable film properties comparable to those obtained by baking conventional materials at high temperatures of around 350°C.
また、近年の半導体パッケージは、高集積化、小型化および高速度化の要請に伴い、配線の微細化が進んでいる。これに伴い、表面保護膜や層間絶縁膜等においても微細なパターンが形成できる感光性樹脂組成物が求められてきた。 Further, in recent years, semiconductor packages have become increasingly finer in wiring due to demands for higher integration, smaller size, and higher speed. Along with this, there has been a demand for photosensitive resin compositions that can form fine patterns even in surface protective films, interlayer insulating films, and the like.
一方で耐熱性樹脂組成物を半導体等の用途に用いる場合、加熱硬化後の膜はデバイス内に永久膜として残る。このため、加熱硬化後の膜の物性が重要であり、実使用の加速試験である信頼性評価後の硬化膜の物性、特に伸度について、要求仕様を満たすことを確認した上で半導体パッケージに供される。また、半導体パッケージにおける信頼性として、半導体チップ表面に形成される材料との密着性が重要である。とりわけウエハレベルパッケージの配線層間の絶縁膜などの用途として用いる場合は、電極や配線などに用いる金属材料との密着性が重要となる。ところが、上記の低温硬化可能な樹脂を含む樹脂組成物はこれら配線材料として用いられる金属との密着性が低いという課題があった。特に、パターンが形成できる感光性樹脂組成物から形成された樹脂硬化膜の場合、組成物を構成する感光剤、増感剤、酸発生剤および溶解調整剤などの添加物が加熱硬化後も硬化膜中に残留しているため、添加物を含有していないものよりも密着強度は低く、物性も低いものであった。 On the other hand, when the heat-resistant resin composition is used for applications such as semiconductors, the film after heat curing remains as a permanent film within the device. For this reason, the physical properties of the film after heating and curing are important, and after confirming that the physical properties of the cured film meet the required specifications, especially the elongation, after reliability evaluation, which is an accelerated test in actual use, the semiconductor package is manufactured. Served. Furthermore, for reliability in a semiconductor package, adhesion to a material formed on the surface of a semiconductor chip is important. In particular, when used as an insulating film between wiring layers of a wafer level package, adhesion to metal materials used for electrodes, wiring, etc. is important. However, resin compositions containing the above-mentioned low-temperature curable resins have a problem in that they have low adhesion to metals used as wiring materials. In particular, in the case of cured resin films made from photosensitive resin compositions that can form patterns, additives such as photosensitizers, sensitizers, acid generators, and solubility regulators that make up the composition remain hard even after heat curing. Because it remained in the film, the adhesion strength and physical properties were lower than those without additives.
これらの課題に対して、感光性樹脂に銅変色防止剤を添加することで、銅腐食を抑制する感光性樹脂組成物(特許文献1参照)、脂肪族基を有するポリベンゾオキサゾールに複素環状化合物を添加することで、銅への密着性や高伸度が得られる感光性樹脂組成物(特許文献2参照)が開示されている。 To address these issues, we have developed a photosensitive resin composition that suppresses copper corrosion by adding a copper discoloration inhibitor to the photosensitive resin (see Patent Document 1), and a heterocyclic compound in polybenzoxazole having an aliphatic group. A photosensitive resin composition (see Patent Document 2) has been disclosed in which adhesion to copper and high elongation can be obtained by adding .
また、感光性樹脂組成物以外にも、感光剤を用いず、脂肪族基を用いた既閉環ポリイミドを炭酸レーザーで加工する検討(特許文献3参照)や、回路基板用途としてフッ素樹脂と他樹脂の混合により得られた膜をアブレーション加工した硬化膜の例が報告されている(特許文献4参照)。 In addition to photosensitive resin compositions, we are also considering processing already closed ring polyimides using aliphatic groups without using photosensitizers using carbon dioxide laser (see Patent Document 3), and using fluororesin and other resins for circuit board applications. An example of a cured film obtained by ablating a film obtained by mixing has been reported (see Patent Document 4).
しかしながら、感光性樹脂に銅変色防止剤を添加した感光性樹脂組成物や、脂肪族基を有するポリベンゾオキサゾールに複素環状化合物を添加した感光性樹脂組成物の硬化膜は、高温保持試験、恒温高湿試験、熱サイクル試験などの信頼性評価後の伸度や強度が低く、多層構造になった場合、硬化膜にクラックが発生したり、また金属配線からの剥離が起こる問題があった。また、脂肪族基を用いた既閉環ポリイミドはレーザー加工による発生する熱によりパターンに残渣が残ったり、形状に異常が起こる問題があるとともに、強度が低く、ウエハレベルパッケージの配線層間の絶縁膜などの用途に用いる場合は信頼性評価後にクラックが発生する問題があった。また、フッ素樹脂を有する膜についても、伸度・強度ともに弱いため微細な配線を形成する半導体パッケージにおいてはクラックが発生するとともに、フッ素樹脂が紫外線の吸収をもたないため、アブレーション加工においても残渣のない微細なパターンの形成が困難な問題があった。 However, cured films of photosensitive resin compositions in which a copper discoloration inhibitor is added to a photosensitive resin, or photosensitive resin compositions in which a heterocyclic compound is added to polybenzoxazole having an aliphatic group, cannot be cured by high-temperature holding tests or constant temperature tests. The elongation and strength after reliability evaluations such as high-humidity tests and thermal cycle tests were low, and when a multilayer structure was formed, there were problems with cracks occurring in the cured film and peeling from metal wiring. In addition, closed ring polyimide using aliphatic groups has problems such as the heat generated by laser processing leaving residue on the pattern and abnormal shapes, and low strength, such as insulating films between wiring layers of wafer level packages. When used for this purpose, there was a problem of cracks occurring after reliability evaluation. In addition, films containing fluororesin have low elongation and strength, so cracks occur in semiconductor packages where fine wiring is formed, and since fluororesin does not absorb ultraviolet rays, it also leaves residue during ablation processing. There was a problem in that it was difficult to form fine patterns without blemishes.
本発明は上記のような従来技術に伴う課題を鑑みてなされたものであり、200℃以下の低温硬化が可能でありながら、UVレーザーにより、微細なパターン形成が可能な硬化膜が得られ、高信頼性の電子部品、半導体装置が得られるアブレーション加工用の樹脂組成物を提供する。 The present invention has been made in view of the problems associated with the conventional technology as described above, and it is possible to obtain a cured film that can be cured at a low temperature of 200°C or less and can be formed into a fine pattern using a UV laser. Provided is a resin composition for ablation processing that allows highly reliable electronic components and semiconductor devices to be obtained.
上記課題を解決するため、本発明は次の各構成を特徴とするものである。
[1](a)樹脂、(b)溶剤を含有する樹脂組成物であって、
前記(a)樹脂が、イミド化率5%以上90%未満のポリイミド前駆体構造を有する樹脂である、UVレーザーを用いたアブレーション加工用の樹脂組成物。
[2]前記樹脂組成物を硬化した硬化膜の引っ張り伸度が50%以上、引っ張り強度が150~450MPaである[1]に記載の樹脂組成物。
[3]さらに、(c)塩基性添加剤を含有する[1]または[2]に記載の樹脂組成物。
[4](a)樹脂が、カルボン酸残基を含み、前記カルボン酸残基のエステル化率が10%以上90%未満である[1]~[3]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[5](a)樹脂におけるカルボン酸残基のエステル化した置換基が分子量100以下のアルキル基またはおよびアルキルエーテル基である[4]に記載の樹脂組成物。
[6]前記(a)樹脂に含まれる全カルボン酸残基と全アミン残基を合わせたもの全体を100モル%として、一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基およびカルボン酸残基を合わせた残基の割合が10~99モル%である[1]~[5]のいずれに記載の樹脂組成物。
In order to solve the above problems, the present invention is characterized by the following configurations.
[1] A resin composition containing (a) a resin, (b) a solvent,
A resin composition for ablation processing using a UV laser, wherein the resin (a) is a resin having a polyimide precursor structure with an imidization rate of 5% or more and less than 90%.
[2] The resin composition according to [1], wherein a cured film obtained by curing the resin composition has a tensile elongation of 50% or more and a tensile strength of 150 to 450 MPa.
[3] The resin composition according to [1] or [2], further containing (c) a basic additive.
[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the resin (a) contains a carboxylic acid residue, and the esterification rate of the carboxylic acid residue is 10% or more and less than 90%. .
[5] The resin composition according to [4], wherein the esterified substituent of the carboxylic acid residue in the resin (a) is an alkyl group or an alkyl ether group having a molecular weight of 100 or less.
[6] Diamine residues and carboxylic acid residues containing the structure represented by general formula (1), assuming that the total of all carboxylic acid residues and all amine residues contained in the resin (a) is 100 mol%. The resin composition according to any one of [1] to [5], wherein the proportion of acid residues in total is 10 to 99 mol%.
(一般式(1)中、Rは水素原子または炭素数1~20の有機基を示す。a、bは0~4の整数である。*印は結合部を表す。)
[7]前記(a)樹脂が、脂環式ジアミン残基を有し、かつ、2個以上のベンゼン環が単結合で結合されたカルボン酸残基構造を有し、
脂環式ジアミン残基は、一般式(2)、一般式(3)、および一般式(4)からなる群から選ばれる1つ以上の構造を有するものである、[1]~[6]のいずれかに記載の樹脂組成物。
(In the general formula (1), R represents a hydrogen atom or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. a and b are integers of 0 to 4. * mark represents a bonding part.)
[7] The resin (a) has an alicyclic diamine residue and a carboxylic acid residue structure in which two or more benzene rings are bonded by a single bond,
The alicyclic diamine residue has one or more structures selected from the group consisting of general formula (2), general formula (3), and general formula (4), [1] to [6] The resin composition according to any one of the above.
(一般式(2)中、*印は結合部を表す。) (In general formula (2), the * mark represents a bonding part.)
(一般式(3)中、R1、R2は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基またはトリフルオロメチル基を表す。また、mは1~10の範囲内の整数を表す。また、*印は結合部を表す。) (In general formula (3), R 1 and R 2 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. In addition, m represents an integer within the range of 1 to 10. (In addition, the asterisk (*) represents the joint.)
(一般式(4)中、R3、R4は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基またはトリフルオロメチル基を表す。また、*印は結合部を表す。)
[8]前記(c)塩基性添加剤がpH9.5~11.5の添加剤であり、前記(a)樹脂100質量部に対する(c)塩基性添加剤の含有量が0.1質量部~10質量部である[3]~[7]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[9]前記(c)塩基性添加剤が2以上の置換基を有するイミダゾール誘導体であることを特徴とする[3]~[8]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[10]前記(a)樹脂が、イミド化率20%以上70%未満のポリイミド前駆体構造を有する樹脂である[1]~[9]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[11]さらに、(d)架橋剤を含有し、前記(d)架橋剤が3以上のメチロール基、またはアルコキシメチル基を有する[1]~[10]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[12]さらに、(e)界面活性剤を含有し、前記(e)界面活性剤がアクリル重合物であることを特徴とする[1]~[11]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[13][1]~[12]に記載の樹脂組成物を硬化した硬化膜が、UVレーザーによってアブレーション加工された硬化膜。
[14]前記UVレーザーがエキシマレーザーであることを特徴とする[13]に記載の硬化膜。
[15]前記UVレーザーがKrFのエキシマレーザーであることを特徴とする[14]に記載の硬化膜。
[16][1]~[12]のいずれかに記載の樹脂組成物を基板上に塗布する工程と、180℃以下で加熱処理する工程と、UVレーザーによってアブレーション加工する工程を含む、硬化膜のレリーフパターンの製造方法。
[17][13]~[15]のいずれかに記載の硬化膜が、再配線間の層間絶縁膜として配置された、電子部品または半導体装置。
[18]前記再配線が銅金属配線であり、前記銅金属配線の幅と隣り合う配線同士の間隔が5μm以下である、[17]に記載の電子部品または半導体装置。
[19][13]~[15]のいずれかに記載の硬化膜が、シリコンチップが配置された封止樹脂基板上に、再配線間の層間絶縁膜として配置された、[17]または[18]に記載の電子部品または半導体装置。
[20][17]記載の再配線層が、半導体チップに近づくにつれ、金属配線の幅と隣り合う配線同士の間隔が狭くなる[17]~[19]に記載の半導体電子部品または半導体装置。
[21][13]~[15]のいずれかに記載の硬化膜を、仮貼り材料が配置された支持基板上に再配線間の層間絶縁膜として配置する工程と、
その上にシリコンチップと封止樹脂を配置する工程と、
その後、仮貼り材料が配置された支持基板と再配線を剥離する工程を含む、
電子部品または半導体装置の製造方法。
(In general formula (4), R 3 and R 4 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. Also, the mark * represents a bonding part.)
[8] The basic additive (c) is an additive having a pH of 9.5 to 11.5, and the content of the basic additive (c) is 0.1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the (a) resin. -10 parts by mass of the resin composition according to any one of [3] to [7].
[9] The resin composition according to any one of [3] to [8], wherein the basic additive (c) is an imidazole derivative having two or more substituents.
[10] The resin composition according to any one of [1] to [9], wherein the resin (a) is a resin having a polyimide precursor structure with an imidization rate of 20% or more and less than 70%.
[11] The resin composition according to any one of [1] to [10], further comprising (d) a crosslinking agent, wherein the (d) crosslinking agent has three or more methylol groups or alkoxymethyl groups.
[12] The resin composition according to any one of [1] to [11], further comprising (e) a surfactant, wherein the (e) surfactant is an acrylic polymer.
[13] A cured film obtained by curing the resin composition according to [1] to [12] and ablated with a UV laser.
[14] The cured film according to [13], wherein the UV laser is an excimer laser.
[15] The cured film according to [14], wherein the UV laser is a KrF excimer laser.
[16] A cured film comprising a step of applying the resin composition according to any one of [1] to [12] onto a substrate, a step of heat treatment at 180° C. or less, and a step of ablation processing with a UV laser. A method for manufacturing relief patterns.
[17] An electronic component or semiconductor device, in which the cured film according to any one of [13] to [15] is disposed as an interlayer insulating film between rewirings.
[18] The electronic component or semiconductor device according to [17], wherein the rewiring is a copper metal wiring, and the width of the copper metal wiring and the interval between adjacent wirings are 5 μm or less.
[19] The cured film according to any one of [13] to [15] is disposed as an interlayer insulating film between rewirings on a sealing resin substrate on which a silicon chip is disposed, [17] or [ 18]. The electronic component or semiconductor device according to [18].
[20] The semiconductor electronic component or semiconductor device according to [17] to [19], in which the width of the metal wiring and the interval between adjacent wirings become narrower as the rewiring layer according to [17] approaches the semiconductor chip.
[21] A step of disposing the cured film according to any one of [13] to [15] as an interlayer insulating film between rewirings on the support substrate on which the temporary pasting material is disposed;
A step of placing a silicon chip and a sealing resin thereon;
After that, it includes a step of peeling off the support substrate on which the temporary pasting material is placed and the rewiring.
A method for manufacturing electronic components or semiconductor devices.
200℃以下の低温硬化が可能でありながら、UVレーザーにより、微細なパターン形成が可能な硬化膜が得られ、高信頼性の電子部品、半導体装置が得られるアブレーション加工用の樹脂組成物を提供する。 Provides a resin composition for ablation processing that can be cured at a low temperature of 200°C or less and that can be used to form a fine pattern using a UV laser, resulting in highly reliable electronic components and semiconductor devices. do.
本発明の樹脂組成物は、(a)樹脂、(b)溶剤を含有する樹脂組成物であって、
前記(a)樹脂が、イミド化率5%以上90%未満のポリイミド前駆体構造を有する樹脂である、UVレーザーを用いたアブレーション加工用の樹脂組成物である。
The resin composition of the present invention is a resin composition containing (a) a resin, (b) a solvent, and
A resin composition for ablation processing using a UV laser, wherein the resin (a) is a resin having a polyimide precursor structure with an imidization rate of 5% or more and less than 90%.
前記(a)樹脂におけるポリイミド前駆体構造は、イミド化率が5%以上90%未満であることを特徴とする。イミド化率が5%以上の場合、ポリイミド前駆体のカルボン酸量が少なくなり、熱硬化する際に、ポリイミド前駆体のカルボン酸と金属配線が相互作用することで発生する金属拡散が抑制される。このため、硬化膜は、金属成分の含有量が低くなり、UVレーザーを用いたアブレーション加工において残渣のない微細なパターン(高解像度)が得られる。また、金属腐食が抑制されるため密着力を向上できる。さらに、ポリイミド前駆体が熱硬化時に開裂することで発生する膜特性の低下についても抑制できるため、UVレーザーを用いたアブレーション加工に適した膜物性が得られ、信頼性の高い硬化膜が得られるため好ましい。 The polyimide precursor structure in the resin (a) is characterized in that the imidization rate is 5% or more and less than 90%. When the imidization rate is 5% or more, the amount of carboxylic acid in the polyimide precursor decreases, and metal diffusion that occurs due to interaction between the carboxylic acid in the polyimide precursor and metal wiring during thermal curing is suppressed. . Therefore, the cured film has a low content of metal components, and a fine pattern (high resolution) without residue can be obtained by ablation processing using a UV laser. Furthermore, since metal corrosion is suppressed, adhesion can be improved. Furthermore, it is possible to suppress the deterioration in film properties that occurs when the polyimide precursor cleaves during heat curing, resulting in film properties suitable for ablation processing using a UV laser and a highly reliable cured film. Therefore, it is preferable.
また、イミド化率が90%未満の場合、塗布膜において、イミド基によるポリマーの部分的な凝集を抑制することができるため、硬化膜のUVレーザーを用いたアブレーション加工時に残渣のない微細なパターンが得られ、高解像度かつ信頼性の高い硬化膜が得られるため好ましい。 In addition, when the imidization rate is less than 90%, it is possible to suppress partial aggregation of the polymer due to imide groups in the coating film, so it is possible to form a fine pattern without residue when ablating the cured film using a UV laser. This method is preferable because a cured film with high resolution and high reliability can be obtained.
膜物性・金属密着とアブレーション加工性のバランスから、ポリイミド前駆体構造のイミド化率は20%以上が好ましく、30%以上がさらに好ましい。また、70%未満が好ましく、50%未満がさらに好ましい。 In view of the balance between film properties, metal adhesion, and ablation processability, the imidization rate of the polyimide precursor structure is preferably 20% or more, more preferably 30% or more. Further, it is preferably less than 70%, and more preferably less than 50%.
本発明の樹脂組成物を硬化した硬化膜の引っ張り伸度は50%以上、引っ張り強度は150~450MPaであることが好ましい。 It is preferable that the cured film obtained by curing the resin composition of the present invention has a tensile elongation of 50% or more and a tensile strength of 150 to 450 MPa.
伸度が50%以上かつ強度が150MPa以上である場合、UVレーザー照射時にパターン加工界面での硬化膜の分解・劣化が抑制でき、また、伸度が50%以上かつ引っ張り強度は450MPa以下である場合、エネルギー照射時間が短くともパターン加工が可能であるため、形状に異常が起こらず、微細なパターン形成できる。このため、信頼性評価にも耐え得る高解像度なパターンが得られる。 When the elongation is 50% or more and the strength is 150 MPa or more, the decomposition and deterioration of the cured film at the pattern processing interface can be suppressed during UV laser irradiation, and the elongation is 50% or more and the tensile strength is 450 MPa or less. In this case, pattern processing is possible even if the energy irradiation time is short, so fine patterns can be formed without causing abnormalities in shape. Therefore, a high-resolution pattern that can withstand reliability evaluation can be obtained.
本発明において、ポリイミド前駆体は、一般式(5)で表される構造を有する樹脂構造を意味する。 In the present invention, the polyimide precursor means a resin structure having a structure represented by general formula (5).
(一般式(5)中、R5は3~6価の有機基を示し、R6は2価の有機基を示し、Rは水素原子または炭素数1~20の有機基を示す。mは1~4の整数であり、nは10から100000までの整数である。)
一般式(5)中、は、R5、R6は、架橋性や密着力向上のためフェノール性水酸基や脂肪族鎖を有していてもよいが、アブレーション加工後のパターン異常や残渣が抑制できるため、フェノール性水酸基のない芳香族基であることが好ましい。また、フッ素を有さないことが好ましい。フッ素は紫外線領域での吸収を持たないため、紫外線領域の吸収をもつ樹脂や添加剤を含有していたとしても、アブレーション加工時で微細なパターン形成を形成する際には除去できず残渣が発生し、また、分子鎖や金属との相互作用が抑制されることで物性の低下・密着力の低下が起こるため、フッ素を有さないことが好ましい。
(In the general formula (5), R 5 represents a trivalent to hexavalent organic group, R 6 represents a divalent organic group, R represents a hydrogen atom or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, and m represents (It is an integer from 1 to 4, and n is an integer from 10 to 100,000.)
In general formula (5), R 5 and R 6 may have a phenolic hydroxyl group or an aliphatic chain to improve crosslinkability and adhesion, but pattern abnormalities and residues after ablation processing may be suppressed. Therefore, an aromatic group without a phenolic hydroxyl group is preferable. Moreover, it is preferable that it does not contain fluorine. Fluorine does not absorb in the ultraviolet region, so even if it contains resin or additives that absorb in the ultraviolet region, it cannot be removed and a residue is generated when forming fine patterns during ablation processing. However, since interaction with molecular chains and metals is suppressed, physical properties and adhesion are reduced, so it is preferable not to contain fluorine.
上記一般式(5)中、R5は酸二無水物、またはトリメリット酸の残基を表しており、3価~6価の有機基である。 In the above general formula (5), R 5 represents an acid dianhydride or a residue of trimellitic acid, and is a trivalent to hexavalent organic group.
前記酸二無水物として具体的には、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物、9,9-ビス{4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル}フルオレン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸二無水物、3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、3,4-ジカルボキシ-1,2,3,4-テトラヒドロ-1-ナフタレンコハク酸二無水物、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロフリル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸二無水物、2,3,5-トリカルボキシ-2-シクロペンタン酢酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,3,4,5-テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、3,5,6-トリカルボキシ-2-ノルボルナン酢酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b-ヘキサヒドロ-5(テトラヒドロ-2,5-ジオキソ-3-フラニル)ナフト[1,2-c]フラン-1,3-ジオンおよび下記式に示した構造の酸二無水物や、これらの芳香族環や炭化水素の水素原子の一部を、炭素数1~10のアルキル基やなどで置換した化合物、トリカルボン酸一無水物としては、トリメリト酸無水物(1,2,4-トリカルボキシベンゼン-1,2無水物)、ヘミメリト酸無水物(1,2,3-トリカルボキシベンゼン-1,2無水物)、2,3,5-トリカルボキシナフタレン-2,3-無水物、4-(4-カルボキシフェノキシ)フタル酸無水物、1,2,4-カルボキシシクロヘキサン-1,2無水物、1,2,3-トリカルボキシシクロプロパン-1,2無水物、1,2,3-トリカルボキシシクロブタン-1,2無水物、アコニチン酸無水物等を挙げることができるが、これらに限定されない。これらは単独でまたは2種以上を組み合わせて使用される Specifically, the acid dianhydride includes pyromellitic dianhydride, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic acid. Dianhydride, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'- Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 1,1- Bis(3,4-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone dianhydride, bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether dianhydride, 1,2,5, 6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 9,9-bis(3,4-dicarboxyphenyl)fluorene dianhydride, 9,9-bis{4-(3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl}fluorene Acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic dianhydride, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride Anhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride Acid dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalenesuccinic dianhydride, 5-( 2,5-dioxotetrahydrofuryl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxy-2-cyclopentaneacetic dianhydride, bicyclo[2. 2.2] Oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic dianhydride, 3,5,6-tricarboxy- 2-Norbornane acetic dianhydride, 1,3,3a,4,5,9b-hexahydro-5(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)naphtho[1,2-c]furan-1,3- Diones and acid dianhydrides with the structure shown in the formula below, compounds in which some of the hydrogen atoms of these aromatic rings and hydrocarbons are substituted with alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, tricarboxylic acid monoanhydrides, etc. Examples include trimellitic anhydride (1,2,4-tricarboxybenzene-1,2 anhydride), hemimellitic anhydride (1,2,3-tricarboxybenzene-1,2 anhydride), 2, 3,5-Tricarboxynaphthalene-2,3-anhydride, 4-(4-carboxyphenoxy)phthalic anhydride, 1,2,4-carboxycyclohexane-1,2-anhydride, 1,2,3-trianhydride Examples include, but are not limited to, carboxycyclopropane-1,2 anhydride, 1,2,3-tricarboxycyclobutane-1,2 anhydride, aconitic acid anhydride, and the like. These can be used alone or in combination of two or more
R16は酸素原子、C(CH3)2またはSO2を、R17およびR18は水素原子、水酸基またはチオール基を表す。 R 16 represents an oxygen atom, C(CH 3 ) 2 or SO 2 , and R 17 and R 18 represent a hydrogen atom, a hydroxyl group or a thiol group.
これらのうち、高強度・高伸度の硬化膜により良好なアブレーション加工が可能になるため、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、9,9-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)フルオレン酸二無水物、9,9-ビス{4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル}フルオレン酸二無水物が好ましい。この中でも、引っ張り伸度が50%以上、引っ張り強度が150~450MPaの硬化膜を得るためには、2個以上のベンゼン環が単結合で結合されたカルボン酸残基構造である3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物が好ましく、これらの酸無水物をポリイミド前駆体に含まれる全カルボン酸残基を100モル%として、50~100モル%用いることが好ましい。さらに高伸度でアブレーション加工に優れた硬化膜が得られるため、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物を用いることがより好ましい。また、硬化時のポリイミド前駆体の開裂を抑制できるため、酸二無水物残基はエステル化されていた場合にも、高伸度が得られるため好ましい。
Among these, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4 '-Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2' , 3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane dianhydride, 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)
一般式(5)中のR6は2価の有機基を示し、ジアミン由来の有機基を表している。 R 6 in general formula (5) represents a divalent organic group, and represents an organic group derived from diamine.
芳香族を有するジアミン残基の具体的な例としては、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、ビス(4-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニルなどの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環や炭化水素の水素原子の一部を、炭素数1~10のアルキル基やなどで置換した化合物などを挙げることができるが、これらに限定されない。共重合させる他のジアミンは、そのまま、あるいは対応するジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンとして用いることができる。また、これら2種以上のジアミン成分を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of diamine residues having an aromatic group include 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, and 3,4'-diaminodiphenyl ether. '-Diamino diphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, benzine, m- Phenylene diamine, p-phenylene diamine, 1,5-naphthalene diamine, 2,6-naphthalene diamine, bis(4-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis(3-aminophenoxyphenyl) sulfone, bis(4-aminophenoxy) biphenyl , bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}ether, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-diethyl- 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2',3,3'-tetramethyl Aromatic diamines such as -4,4'-diaminobiphenyl, 3,3',4,4'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, and some of the hydrogen atoms of these aromatic rings and hydrocarbons. Examples include, but are not limited to, compounds in which the compound is substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, etc. The other diamine to be copolymerized can be used as it is or as a corresponding diisocyanate compound or trimethylsilylated diamine. Moreover, you may use these two or more types of diamine components in combination.
これらのうち、高強度および高伸度の硬化膜により良好なアブレーション加工が可能になるため、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンが好ましい。この中でも、引っ張り伸度が50%以上、引っ張り強度が150~450MPaの硬化膜を得るためには、ビス(3,3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼンを用いることが好ましく、これらのジアミンをポリイミド前駆体に含まれる全ジアミン残基を100モル%として、15~98モル%用いることが好ましい。さらに高伸度でアブレーション加工に優れた硬化膜が得られるため、4,4’-ジアミノジフェニルエーテルを用いることがさらに好ましい。 Among these, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4, 4'-diaminodiphenylmethane, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, benzine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, 2,6-naphthalene Diamine, bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}ether, and 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene are preferred. Among these, in order to obtain a cured film with a tensile elongation of 50% or more and a tensile strength of 150 to 450 MPa, bis(3,3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, bis{4- It is preferable to use (4-aminophenoxy)phenyl}ether and 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, and these diamines are used in an amount of 15 to 15%, assuming that the total diamine residues contained in the polyimide precursor are 100% by mole. It is preferable to use 98 mol%.Furthermore, it is more preferable to use 4,4'-diaminodiphenyl ether, since a cured film with high elongation and excellent ablation processing can be obtained.
また、引っ張り強度が150~450MPaの硬化膜を得るためには、樹脂組成物の硬化温度は150℃~350℃が好ましく、170℃~200℃がより好ましい。 Further, in order to obtain a cured film having a tensile strength of 150 to 450 MPa, the curing temperature of the resin composition is preferably 150°C to 350°C, more preferably 170°C to 200°C.
本発明において、前記ポリイミド前駆体に含まれる全カルボン酸残基と全アミン残基を合わせたもの全体を100モル%として、一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基およびカルボン酸残基を合わせた残基の割合が10~99モル%であることが好ましい。 In the present invention, diamine residues and carboxylic acid residues containing a structure represented by general formula (1) are defined as 100 mol% of the total of all carboxylic acid residues and all amine residues contained in the polyimide precursor. It is preferable that the ratio of residues including acid residues is 10 to 99 mol%.
(一般式(1)中、Rは水素原子または炭素数1~20の有機基を示す。a、bは0~4の整数である。*印は結合部を表す。)
炭素数1~20の有機基としては、炭素数1~20のアルキル基、アルキレンエーテル基、フルオロアルキル基、芳香族基などが挙げられる。
なお、前記ポリイミド前駆体におけるカルボン酸残基とアミン残残基は、イミド化している部位を含むものとする。
(In the general formula (1), R represents a hydrogen atom or an organic group having 1 to 20 carbon atoms. a and b are integers of 0 to 4. * mark represents a bonding part.)
Examples of the organic group having 1 to 20 carbon atoms include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkylene ether group, a fluoroalkyl group, and an aromatic group.
Note that the carboxylic acid residue and amine residue in the polyimide precursor include imidized sites.
ポリイミド前駆体に含まれる全カルボン酸残基と全アミン残基を合わせたもの全体を100モル%として、一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基およびカルボン酸残基を合わせた残基の割合が10モル%以上において、高強度、高伸度および高密着な硬化膜が得られると共に、アブレーション加工時に適した吸光度が得られ、高解像度なパターンが得られるため好ましい。また、基板との密着力が非常に高い場合、アブレーション加工後にも、除去困難な硬化膜が残渣として残りやすいため、一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基およびカルボン酸残基を合わせた残基の割合は、99モル%以下であることが好ましい。
パターン形状と残渣のバランスから、60~98モル%がさらに好ましい。
The total of all carboxylic acid residues and all amine residues contained in the polyimide precursor is taken as 100 mol%, and the diamine residues and carboxylic acid residues containing the structure represented by general formula (1) are combined. It is preferable that the proportion of the residues is 10 mol % or more, since a cured film with high strength, high elongation and high adhesion can be obtained, as well as an absorbance suitable for ablation processing and a pattern with high resolution can be obtained. In addition, if the adhesion to the substrate is very high, even after ablation processing, a cured film that is difficult to remove tends to remain as a residue. The proportion of residues including groups is preferably 99 mol% or less.
From the viewpoint of pattern shape and balance of residue, 60 to 98 mol% is more preferable.
また、本発明において、脂肪族基を有するジアミンを有してもよいが、膜強度が低下するとともにアブレーション加工時のパターンに残渣が発生しやすいため、ジアミン成分として共重合する場合、ポリイミド前駆体に含まれる全アミン残基を100モル%として、1~5モル%が好ましい。 In addition, in the present invention, a diamine having an aliphatic group may be included, but since the film strength decreases and a residue is likely to be generated in the pattern during ablation processing, when copolymerizing as a diamine component, a polyimide precursor It is preferably 1 to 5 mol%, based on 100 mol% of all amine residues contained in the amine residues.
脂肪族基を有するジアミンとしては、ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(p-アミノ-フェニル)オクタメチルペンタシロキサンや、エチレンジアミン、1,3-ジアミノプロパン、2-メチル-1,3-プロパンジアミン、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジアミノペンタン、2-メチル-1,5-ジアミノペンタン、1,6-ジアミノヘキサン、1,7-ジアミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカン、1,2-シクロヘキサンジアミン、1,3-シクロヘキサンジアミン、1,4-シクロヘキサンジアミン、1,2-ビス(2-アミノエトキシ)エタン、KH-511、ED-600、ED-900、ED-2003、EDR-148、EDR-176、D-200、D-400、D-2000、THF-100、THF-140、THF-170、RE-600、RE-900、RE-2000、RP-405、RP-409、RP-2005、RP-2009、RT-1000、HE-1000、HT-1100、HT-1700、(以上商品名、HUNTSMAN(株)製)が挙げられる。 Examples of diamines having an aliphatic group include bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, bis(p-amino-phenyl)octamethylpentasiloxane, ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 2-methyl-1, 3-propanediamine, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 2-methyl-1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane , 1,9-diaminononane, 1,10-diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, 1,2-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1 , 2-bis(2-aminoethoxy)ethane, KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, EDR-148, EDR-176, D-200, D-400, D-2000, THF- 100, THF-140, THF-170, RE-600, RE-900, RE-2000, RP-405, RP-409, RP-2005, RP-2009, RT-1000, HE-1000, HT-1100, Examples include HT-1700 (all product names, manufactured by HUNTSMAN Co., Ltd.).
また、本発明において、(a)樹脂が、2個以上のベンゼン環が単結合で結合されたカルボン酸残基構造とともに、脂環式ジアミン残基を有することが好ましい。2個以上のベンゼン環が単結合で結合されたカルボン酸残基構造により、高強度、高伸度および高密着な硬化膜が得られると共に、脂環式ジアミン残基により、膜強度が低下せず、アブレーション加工時に残渣のない高解像度なパターンが得られるため好ましい。 膜強度と残渣のバランスから、ジアミン残基の全量100モル%に対して、脂環式ジアミン残基の含有比率は、60~80モル%が好ましい。脂環式ジアミン残基は、一般式(2)、一般式(3)、および一般式(4)からなる群から選ばれる1つ以上の構造を有するものであることが好ましい。 Further, in the present invention, it is preferable that the resin (a) has an alicyclic diamine residue as well as a carboxylic acid residue structure in which two or more benzene rings are bonded by a single bond. Due to the carboxylic acid residue structure in which two or more benzene rings are bonded by single bonds, a cured film with high strength, high elongation, and high adhesion can be obtained, and the alicyclic diamine residue does not reduce the film strength. First, it is preferable because a high-resolution pattern with no residue can be obtained during ablation processing. In view of the balance between film strength and residue, the content ratio of alicyclic diamine residues is preferably 60 to 80 mol% with respect to the total amount of diamine residues of 100 mol%. The alicyclic diamine residue preferably has one or more structures selected from the group consisting of general formula (2), general formula (3), and general formula (4).
(一般式(2)中、*印は結合部を表す。) (In general formula (2), the * mark represents a bonding part.)
(一般式(3)中、R1、R2は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基またはトリフルオロメチル基を表す。また、mは1~10の範囲内の整数を表す。また、*印は結合部を表す。) (In general formula (3), R 1 and R 2 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. In addition, m represents an integer within the range of 1 to 10. (In addition, the asterisk (*) represents the joint.)
(一般式(4)中、R3、R4は、それぞれ同じでも異なっていてもよく、水素原子またはメチル基またはトリフルオロメチル基を表す。また、*印は結合部を表す。)
具体的には、1,2-シクロヘキサンジアミン、1,3-シクロヘキサンジアミン、1,4-シクロヘキサンジアミン、1,2-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,3-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、4,4’-メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、4,4’-メチレンビス(2-メチルシクロヘキシルアミン)が挙げられる。
(In general formula (4), R 3 and R 4 may be the same or different, and each represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. Also, the mark * represents a bonding part.)
Specifically, 1,2-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,2-bis(aminomethyl)cyclohexane, 1,3-bis(aminomethyl)cyclohexane, 1, Examples include 4-bis(aminomethyl)cyclohexane, 4,4'-methylenebis(cyclohexylamine), and 4,4'-methylenebis(2-methylcyclohexylamine).
また、架橋剤との組み合わせにより強度を向上できるため、フェノール性水酸基を有するジアミンを用いてもよいが、硬化後にフェノール性水酸基が残存していた場合、伸度が低下するとともに、アブレーション加工時のパターンに残渣が発生しやすいため、ジアミン成分として共重合する場合、ポリイミド前駆体に含まれる全カルボン酸残基と全アミン残基を合わせたもの全体を100モル%として、1~30モル%が好ましい。 In addition, diamines with phenolic hydroxyl groups may be used because strength can be improved by combining with a crosslinking agent, but if phenolic hydroxyl groups remain after curing, elongation will decrease and Since residues are likely to be generated in the pattern, when copolymerizing as a diamine component, 1 to 30 mol% of the total carboxylic acid residues and all amine residues contained in the polyimide precursor is taken as 100 mol%. preferable.
フェノール性水酸基を有するジアミンの具体的な例としては、例えば、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メチレン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシ)ビフェニル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)フルオレン、などの芳香族ジアミンや、これらの芳香族環や炭化水素の水素原子の一部を、炭素数1~10のアルキル基などで置換した化合物、また、下記に示す構造を有するジアミンなどを挙げることができるが、これらに限定されない。共重合させる他のジアミンは、そのまま、あるいは対応するジイソシアネート化合物、トリメチルシリル化ジアミンとして用いることができる。また、これら2種以上のジアミン成分を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of diamines having a phenolic hydroxyl group include bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, and bis(3-amino-4-hydroxyphenyl). Aromatic diamines such as hydroxyphenyl)methylene, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)ether, bis(3-amino-4-hydroxy)biphenyl, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)fluorene, Compounds in which some of the hydrogen atoms of these aromatic rings and hydrocarbons are substituted with alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms, and diamines having the structures shown below can be mentioned, but are not limited to these. Not done. The other diamine to be copolymerized can be used as it is or as a corresponding diisocyanate compound or trimethylsilylated diamine. Moreover, you may use these two or more types of diamine components in combination.
一般式(5)中、Rは水素原子または炭素数1~20の有機基によりエステル化されていることが好ましく、カルボン酸残基のエステル化率は10%以上、90%未満であることがより好ましい。なお、カルボン酸残基は、イミド化している部位を含むものとする。イミド化が10%である場合、エステル化率は90%未満となる。
カルボン酸残基が10%以上エステル化されていることで、熱硬化時のイオンマイグレーションが抑制できることで密着性が付与できる。ポリイミド前駆体がエステル化された場合、ポリイミド前駆体のカルボン酸量が少なくなり、熱硬化する際に、ポリイミド前駆体のカルボン酸と金属配線が相互作用することで発生する金属拡散が抑制される。このため、硬化膜は、金属成分の含有量が低くなり、UVレーザーを用いたアブレーション加工において残渣のない高解像度なパターンが得られる。また、熱硬化時にポリイミド前駆体の開裂が抑制できるため高物性の硬化膜が得られる点でも好ましい。
In general formula (5), R is preferably esterified with a hydrogen atom or an organic group having 1 to 20 carbon atoms, and the esterification rate of the carboxylic acid residue is preferably 10% or more and less than 90%. More preferred. Note that the carboxylic acid residue includes an imidized site. When imidization is 10%, the esterification rate is less than 90%.
By esterifying 10% or more of the carboxylic acid residues, ion migration during heat curing can be suppressed and adhesion can be imparted. When the polyimide precursor is esterified, the amount of carboxylic acid in the polyimide precursor decreases, and metal diffusion that occurs due to interaction between the carboxylic acid in the polyimide precursor and metal wiring during thermal curing is suppressed. . Therefore, the cured film has a low content of metal components, and a high-resolution pattern without residue can be obtained in ablation processing using a UV laser. It is also preferable in that a cured film with high physical properties can be obtained since cleavage of the polyimide precursor can be suppressed during thermal curing.
金属密着・アブレーション加工の残渣・形状のバランスからエステル化率は40%以上がさらに好ましい。 The esterification rate is more preferably 40% or more in view of the balance between metal adhesion, ablation residue, and shape.
また、エステル化は、硬化膜中に残存する脱離基の重量比が少ないことから、分子量100以下のアルキル基またはおよびアルキルエーテル基であることが好ましい。硬化膜中に残存する脱離基が少ないことで、アブレーション加工に耐え得る高物性な硬化膜が得られ、高解像度なパターンが得られるため好ましい。具体的には、上記一般式(5)中、Rはメチル基、エチル基、ブチル基、であることが好ましい。 Further, in the esterification, since the weight ratio of leaving groups remaining in the cured film is small, it is preferable to use an alkyl group or an alkyl ether group with a molecular weight of 100 or less. It is preferable that there are few leaving groups remaining in the cured film, since a cured film with high physical properties that can withstand ablation processing can be obtained, and a pattern with high resolution can be obtained. Specifically, in the above general formula (5), R is preferably a methyl group, an ethyl group, or a butyl group.
前記のエステル化については、ポリイミド前駆体構造に由来する構造単位の全カルボン酸残基100モル%に対して、一般式(6)または一般式(7)で表される化合物を130モル%~200モル%用いることが好ましい。これより、エステル化とイミド化の両方を促進することができるため好ましい。 Regarding the above esterification, the compound represented by general formula (6) or general formula (7) is added in an amount of 130 mol % to 100 mol % of the total carboxylic acid residues of the structural units derived from the polyimide precursor structure. It is preferable to use 200 mol%. This is preferable since both esterification and imidization can be promoted.
(R7は水素原子または炭素数1以上の1価の有機基を示し、R8は水素原子または炭素数1以上の1価の有機基、含窒素有機基、含酸素有機基のいずれかを示し、R9は炭素数1以上の1価の有機基を示し、R10は炭素数1以上の2価の環状有機基、含窒素有機基、含酸素有機基のいずれかを示す。)
前記(a)樹脂は、ポリイミド前駆体構造以外に、上記特性を失わない範囲でポリアミド構造、ポリヒドロキシアミド構造、ポリベンゾオキサゾール構造、ポリベンゾチアゾール構造などが共重合されていてもよい。
(R 7 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, and R 8 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, or an oxygen-containing organic group. R9 represents a monovalent organic group having 1 or more carbon atoms, and R10 represents any of a divalent cyclic organic group having 1 or more carbon atoms, a nitrogen-containing organic group, or an oxygen-containing organic group.)
In addition to the polyimide precursor structure, the resin (a) may be copolymerized with a polyamide structure, a polyhydroxyamide structure, a polybenzoxazole structure, a polybenzothiazole structure, etc., as long as the above properties are not lost.
さらに、本発明における(a)樹脂のモル比は、核磁気共鳴装置(NMR)を用いて、得られた樹脂、樹脂組成物、硬化膜におけるポリアミド構造やポリイミド構造のピークを検出する方法において確認できる。なお、重合する際に用いるモノマーのモル比が既知の場合には、重合する際に用いるモノマーのモル比からポリアミド構造やポリイミド構造のモル比を算出することができる。 Furthermore, the molar ratio of (a) resin in the present invention is confirmed by a method of detecting the peaks of the polyamide structure and polyimide structure in the obtained resin, resin composition, and cured film using a nuclear magnetic resonance apparatus (NMR). can. Note that if the molar ratio of the monomers used during polymerization is known, the molar ratio of the polyamide structure or polyimide structure can be calculated from the molar ratio of the monomers used during polymerization.
本発明において、(a)樹脂は、重量平均分子量で3,000~200,000が好ましい。この範囲では、高い物性とアブレーション加工性の面から、30,000~100,000以下がより好ましくい。ここで分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得ることができる。 In the present invention, the resin (a) preferably has a weight average molecular weight of 3,000 to 200,000. Within this range, it is more preferably 30,000 to 100,000 or less in terms of high physical properties and ablation processability. The molecular weight can be measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted from a standard polystyrene calibration curve.
本発明の樹脂組成物の保存安定性を向上させるため、前記(a)樹脂は主鎖末端をモノアミン、モノカルボン酸、酸無水物、モノ活性エステル化合物などの他の末端封止剤で封止してもよい。また、前記(a)樹脂の末端を末端封止剤により封止することで、得られる硬化膜の機械特性を好ましい範囲に容易に調整することができる。 In order to improve the storage stability of the resin composition of the present invention, the main chain end of the resin (a) is capped with other end-capping agents such as monoamines, monocarboxylic acids, acid anhydrides, and monoactive ester compounds. You may. Moreover, by sealing the ends of the resin (a) with an end-capping agent, the mechanical properties of the resulting cured film can be easily adjusted to a preferable range.
末端封止剤の導入割合は、ポリアミド樹脂の重量平均分子量が高くなりアルカリ溶液への溶解性が低下することを抑制するため、全アミン成分に対して好ましくは0.1モル%以上、より好ましくは5モル%以上である。また、樹脂の重量平均分子量が低くなることで得られる硬化膜の機械特性が低下することを抑制するため、好ましくは60モル%以下、より好ましくは50モル%以下である。また、複数の末端封止剤を反応させ、複数の異なる末端基を導入してもよい。 The introduction ratio of the terminal capping agent is preferably 0.1 mol% or more, more preferably 0.1 mol% or more based on the total amine component, in order to suppress the increase in the weight average molecular weight of the polyamide resin and the decrease in solubility in alkaline solutions. is 5 mol% or more. In addition, in order to suppress deterioration of the mechanical properties of the cured film obtained due to a decrease in the weight average molecular weight of the resin, the content is preferably 60 mol% or less, more preferably 50 mol% or less. Alternatively, a plurality of terminal capping agents may be reacted to introduce a plurality of different terminal groups.
末端封止剤としてのモノアミンとして具体的には、M-600,M-1000,M-2005,M-2070(以上商品名、HUNTSMAN(株)製)、アニリン、2-エチニルアニリン、3-エチニルアニリン、4-エチニルアニリン、5-アミノ-8-ヒドロキシキノリン、1-ヒドロキシ-7-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-6-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-5-アミノナフタレン、1-ヒドロキシ-4-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-7-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-6-アミノナフタレン、2-ヒドロキシ-5-アミノナフタレン、1-カルボキシ-7-アミノナフタレン、1-カルボキシ-6-アミノナフタレン、1-カルボキシ-5-アミノナフタレン、2-カルボキシ-7-アミノナフタレン、2-カルボキシ-6-アミノナフタレン、2-カルボキシ-5-アミノナフタレン、2-アミノ安息香酸、3-アミノ安息香酸、4-アミノ安息香酸、4-アミノサリチル酸、5-アミノサリチル酸、6-アミノサリチル酸、2-アミノベンゼンスルホン酸、3-アミノベンゼンスルホン酸、4-アミノベンゼンスルホン酸、3-アミノ-4,6-ジヒドロキシピリミジン、2-アミノフェノール、3-アミノフェノール、4-アミノフェノール、2-アミノチオフェノール、3-アミノチオフェノール、4-アミノチオフェノールなどを用いることができる。これらを2種以上用いてもよい。 Specifically, monoamines used as terminal capping agents include M-600, M-1000, M-2005, M-2070 (trade names manufactured by HUNTSMAN Co., Ltd.), aniline, 2-ethynylaniline, and 3-ethynyl. Aniline, 4-ethynylaniline, 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-amino Naphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy -5-aminonaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid , 4-aminosalicylic acid, 5-aminosalicylic acid, 6-aminosalicylic acid, 2-aminobenzenesulfonic acid, 3-aminobenzenesulfonic acid, 4-aminobenzenesulfonic acid, 3-amino-4,6-dihydroxypyrimidine, 2- Aminophenol, 3-aminophenol, 4-aminophenol, 2-aminothiophenol, 3-aminothiophenol, 4-aminothiophenol, etc. can be used. Two or more types of these may be used.
末端封止剤としてのモノカルボン酸、モノ活性エステル化合物は、3-カルボキシフェノール、4-カルボキシフェノール、3-カルボキシチオフェノール、4-カルボキシチオフェノール、1-ヒドロキシ-7-カルボキシナフタレン、1-ヒドロキシ-6-カルボキシナフタレン、1-ヒドロキシ-5-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-7-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-6-カルボキシナフタレン、1-メルカプト-5-カルボキシナフタレン、3-カルボキシベンゼンスルホン酸、4-カルボキシベンゼンスルホン酸などのモノカルボン酸類およびこれらのカルボキシル基がエステル化した活性エステル化合物、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、3-ヒドロキシフタル酸無水物などの酸無水物、ジカルボン酸であるフタル酸、マレイン酸、ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン酸、3-ヒドロキシフタル酸、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸や、トリカルボン酸である、トリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、1,5-ジカルボキシナフタレン、1,6-ジカルボキシナフタレン、1,7-ジカルボキシナフタレン、2,6-ジカルボキシナフタレンなどのジカルボン酸類の一方のカルボキシル基とN-ヒドロキシベンゾトリアゾールやイミダゾール、N-ヒドロキシ-5-ノルボルネン-2,3-ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物、これらの芳香族環や炭化水素の水素原子の一部を、炭素数1~10のアルキル基などで置換した化合物などを用いることができる。これらを2種以上用いてもよい。 Monocarboxylic acids and monoactive ester compounds as terminal capping agents include 3-carboxyphenol, 4-carboxyphenol, 3-carboxythiophenol, 4-carboxythiophenol, 1-hydroxy-7-carboxynaphthalene, 1-hydroxy -6-carboxynaphthalene, 1-hydroxy-5-carboxynaphthalene, 1-mercapto-7-carboxynaphthalene, 1-mercapto-6-carboxynaphthalene, 1-mercapto-5-carboxynaphthalene, 3-carboxybenzenesulfonic acid, 4 - Monocarboxylic acids such as carboxybenzenesulfonic acid and active ester compounds obtained by esterifying their carboxyl groups, phthalic anhydride, maleic anhydride, nadic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride, 3-hydroxyphthalic anhydride, etc. acid anhydrides, dicarboxylic acids such as phthalic acid, maleic acid, nadic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, 3-hydroxyphthalic acid, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid, and tricarboxylic acids such as trimellitic acid and trimesine. Acid, diphenyl ether tricarboxylic acid, terephthalic acid, phthalic acid, maleic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, 1,5-dicarboxynaphthalene, 1,6-dicarboxynaphthalene, 1,7-dicarboxynaphthalene, 2,6-dicarboxynaphthalene Active ester compounds obtained by the reaction of one carboxyl group of dicarboxylic acids such as N-hydroxybenzotriazole, imidazole, N-hydroxy-5-norbornene-2,3-dicarboximide, and their aromatic rings and carbonization. Compounds in which some of the hydrogen atoms of hydrogen are substituted with an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms can be used. Two or more types of these may be used.
本発明で用いることのできる末端封止剤は、以下の方法で容易に検出できる。例えば、末端封止剤が導入された(a)樹脂を、酸性溶液に溶解し、構成単位であるアミン成分と酸無水物成分に分解し、これをガスクロマトグラフィー(GC)や、NMRにより、本発明に使用された末端封止剤を容易に検出できる。これとは別に、末端封止剤が導入された(a)樹脂成分を直接、熱分解ガスクロマトグラフ(PGC)や赤外スペクトルおよび13C-NMRスペクトルで測定することによっても、容易に検出できる。 The terminal capping agent that can be used in the present invention can be easily detected by the following method. For example, the resin (a) into which the terminal capping agent has been introduced is dissolved in an acidic solution, decomposed into the constituent units of amine component and acid anhydride component, and then analyzed by gas chromatography (GC) or NMR. The terminal capping agent used in the present invention can be easily detected. Apart from this, it can also be easily detected by directly measuring the resin component (a) into which the terminal capping agent has been introduced using pyrolysis gas chromatography (PGC), infrared spectrum, and 13 C-NMR spectrum.
本発明において、(a)樹脂は、たとえば、次の方法により合成されるがこれに限定はされない。 In the present invention, the resin (a) is synthesized, for example, by the following method, but is not limited thereto.
ポリイミド前駆体構造は、まず、ジアミン、酸二無水物、他の共重合成分を室温で、場合によっては高めた温度で、有機溶剤中に溶解し、次いで加熱して重合させる。反応時の溶液の安定性の観点から、溶解させる順番は溶解性の高いジアミン化合物を先に行うことが好ましい。場合によっては他の共重合成分を加え、末端封止剤となる酸、または酸無水物、またはモノアミンを加えて重合させる。 The polyimide precursor structure is created by first dissolving the diamine, acid dianhydride, and other copolymer components in an organic solvent at room temperature, or at an elevated temperature in some cases, and then heating to polymerize. From the viewpoint of stability of the solution during the reaction, it is preferable to dissolve the diamine compound with higher solubility first. In some cases, other copolymerization components are added, and an acid, an acid anhydride, or a monoamine serving as a terminal capping agent is added and polymerized.
得られたポリイミド前駆体をエステル化する場合、上記の重合後、カルボン酸をエステル化剤で反応させる。特に、一般式(6)または一般式(7)を用いた場合、イミド化率を調整できる。 When the obtained polyimide precursor is esterified, carboxylic acid is reacted with an esterifying agent after the above polymerization. In particular, when general formula (6) or general formula (7) is used, the imidization rate can be adjusted.
また、本発明の(a)樹脂は、ピリジンなどのイミド化促進剤を添加し、40~150℃で攪拌することによって、イミド化を調整してもよい。 Further, the imidization of the resin (a) of the present invention may be adjusted by adding an imidization promoter such as pyridine and stirring at 40 to 150°C.
本発明において、(a)樹脂は、上記の方法で重合させた後、他添加剤を混合し、樹脂組成物としてもよいが、多量の水またはメタノールおよび水の混合液などに投入し、沈殿させて濾別乾燥し、単離することが好ましい。乾燥温度は40~100℃が好ましく、より好ましくは50~80℃である。この操作によって未反応のモノマーや、2量体や3量体などのオリゴマー成分が除去され、熱硬化後の膜特性を向上させることができる。 In the present invention, (a) resin may be polymerized by the above method and then mixed with other additives to form a resin composition. It is preferable to filter, dry, and isolate. The drying temperature is preferably 40 to 100°C, more preferably 50 to 80°C. This operation removes unreacted monomers and oligomer components such as dimers and trimers, thereby improving the film properties after heat curing.
本発明における、イミド化率は、例えば以下の方法で容易に求めることができる。まず、ポリマーの赤外吸収スペクトルを測定し、ポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピーク(1780cm-1付近、1377cm-1付近)の存在を確認する。次に、そのポリマーを350℃で1時間熱処理したもののイミド化率を100%のサンプルとして赤外吸収スペクトルを測定し、熱処理前後の樹脂の1377cm-1付近のピーク強度を比較することによって、熱処理前樹脂中のイミド基の含量を算出し、イミド化率を求める。 The imidization rate in the present invention can be easily determined, for example, by the following method. First, the infrared absorption spectrum of the polymer is measured to confirm the presence of absorption peaks (around 1780 cm -1 and around 1377 cm -1 ) of the imide structure caused by polyimide. Next, we measured the infrared absorption spectrum of the polymer heat-treated at 350°C for 1 hour as a sample with an imidization rate of 100%, and compared the peak intensities around 1377 cm -1 of the resin before and after the heat treatment. The content of imide groups in the pre-resin is calculated and the imidization rate is determined.
樹脂の重合に用いる有機溶剤としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N’-ジメチルプロピレン尿素、N,N-ジメチルイソ酪酸アミド、メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミドのアミド類、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、γ-カプロラクトン、ε-カプロラクトン、α-メチル-γ-ブチロラクトンなどの環状エステル類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどのカーボネート類、トリエチレングリコールなどのグリコール類、m-クレゾール、p-クレゾールなどのフェノール類、アセトフェノン、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどが挙げられるがこれらに限定されない。 Examples of organic solvents used for resin polymerization include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, N,N' - Dimethylpropylene urea, N,N-dimethylisobutyric acid amide, amides of methoxy-N,N-dimethylpropionamide, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, γ-caprolactone, ε-caprolactone, α- Cyclic esters such as methyl-γ-butyrolactone, carbonates such as ethylene carbonate and propylene carbonate, glycols such as triethylene glycol, phenols such as m-cresol and p-cresol, acetophenone, 1,3-dimethyl-2 - Examples include, but are not limited to, imidazolidinone, sulfolane, dimethyl sulfoxide, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl lactate, and the like.
本発明の樹脂組成物は、(b)溶剤を含有する。溶剤としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N’-ジメチルプロピレン尿素、N,N-ジメチルイソ酪酸アミド、メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミドなどの極性の非プロトン性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテートなどのエステル類、乳酸エチル、乳酸メチル、ジアセトンアルコール、3-メチル-3-メトキシブタノールなどのアルコール類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。 The resin composition of the present invention contains (b) a solvent. As a solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, 1,3-dimethyl-2 - Polar aprotic solvents such as imidazolidinone, N,N'-dimethylpropylene urea, N,N-dimethylisobutyric acid amide, methoxy-N,N-dimethylpropionamide, tetrahydrofuran, dioxane, propylene glycol monomethyl ether, propylene Ethers such as glycol monoethyl ether, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diisobutyl ketone, esters such as ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, propyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate Examples include alcohols such as ethyl lactate, methyl lactate, diacetone alcohol, and 3-methyl-3-methoxybutanol, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. Two or more types of these may be contained.
溶剤の含有量は(a)樹脂を溶解させるため、(a)樹脂100質量部に対して、100質量部以上含有することが好ましく、膜厚1μm以上の塗膜を形成させるため、1,500質量部以下含有することが好ましい。 The content of the solvent is preferably 100 parts by mass or more per 100 parts by mass of (a) resin in order to dissolve the resin, and 1,500 parts in order to form a coating film with a thickness of 1 μm or more. It is preferable that the content is less than 1 part by mass.
本発明の樹脂組成物は、さらに(c)塩基性添加剤を含有することが好ましい。(c)塩基性添加剤を含有することで、高イミド化が可能になり、高い膜物性が得られることで高信頼性の硬化膜が得られるとともに、アブレーション加工時に残渣のない高解像度なパターンが得られる。これは、塩基性添加剤がイミド基周辺に配位することで、硬化膜中のポリマー凝集を抑制し、結果、UVレーザーによるアブレーション加工時に、ポリマーの分子・原子間の結合が瞬時に切れることによる分解・気化・蒸散が均一に起こるためと考えられる。
(c)塩基性添加剤としては、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、インダゾール、ベンゾトリアゾール、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピリジン、キノリン、イソキノリン、ジピリジル、ジキノリル、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、フタラジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、ベンゾシンノリン、ベンゾフタラジン、ベンゾキノキサリン、ベンゾキナゾリン、フェナントロリン、フェナジン、カルボリン、ペリミジン、トリアジン、テトラジン、プテリジン、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、チアゾール、ベンゾチアゾール、イソチアゾール、ベンゾイソチアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ピロールジオン、イソインドールジオン、ピロリジンジオン、ベンゾイソキノリンジオン、トリエチレンジアミン、およびヘキサメチレンテトラミン、これらの芳香族環や複素環、炭化水素・窒化水素の水素原子の一部を、ジ置換アミノ基(ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、エチルメチルアミノ基、ブチルメチルアミノ基、ジアミルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジキシリルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、ベンジルメチルアミノ基など)、モノ置換アミノ基(メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、アニリノ基、アニシジノ基、フェネチジノ基、トルイジノ基、キシリジノ基、ピリジルアミノ基、チアゾリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ベンジリデンアミノ基など)、環状アミノ基(ピロリジノ基、ピペリジノ基、ピペラジノ基、モルホリノ基、1-ピロリル基、1-ピラゾリル基、1-イミダゾリル基、1-トリアゾリル基など)、アシルアミノ基(ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、シンナモイルアミノ基、ピリジンカルボニルアミノ基、トリフルオロアセチルアミノ基など)、スルホニルアミノ基(メシルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ基、ピリジルスルホニルアミノ基、トシルアミノ基、タウリルアミノ基、トリフルオロメチルスルホニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、メチルスルファモイルアミノ基、スルファニルアミノ基、アセチルスルファニルアミノ基など)、アミノ基、ヒドロキシアミノ基、ウレイド基、セミカルバジド基、カルバジド基、ジ置換ヒドラジノ基(ジメチルヒドラジノ基、ジフェニルヒドラジノ基、メチルフェニルヒドラジノ基など)、モノ置換ヒドラジノ基(メチルヒドラジノ基、フェニルヒドラジノ基、ピリジルヒドラジノ基、ベンジリデンヒドラジノ基など)、ヒドラジノ基、アミジノ基、ヒドロキシル基、オキシム基(ヒドロキシイミノメチル基、メトキシイミノメチル基、エトキシイミノメチル基、ヒドロキシイミノエチル基、ヒドロキシイミノプロピル基など)、ヒドロキシアルキル基(ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基など)、ヒドロキシアリール基(ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基、ジヒドロキシフェニル基など)、アルコキシアルキル基(メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基など)、シアノ基、シアナト基、チオシアナト基、ニトロ基、ニトロソ基、オキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキシ基、チアゾリルオキシ基、アセトキシ基など)、チオ基(メチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ピリジルチオ基、チアゾリルチオ基など)、メルカプト基、ハロゲン基(フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基)、カルボキシル基およびその塩、オキシカルボニル基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基など)、アミノカルボニル基(カルバモイル基、メチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基、ピリジルカルバモイル基、カルバゾイル基、アロファノイル基、オキサモイル基、スクシンアモイル基など)、チオカルボキシル基およびその塩、ジチオカルボキシル基およびその塩、チオカルボニル基(メトキシチオカルボニル基、メチルチオカルボニル基、メチルチオチオカルボニル基など)、アシル基(ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、アクリロイル基、ベンゾイル基、シンナモイル基、ピリジンカルボニル基、チアゾールカルボニル基、トリフルオロアセチル基など)、チオアシル基(チオホルミル基、チオアセチル基、チオベンゾイル基、ピリジンチオカルボニル基など)、スルフィン酸基およびその塩、スルホン酸基およびその塩、スルフィニル基(メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基など)、スルホニル基(メシル基、エチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ピリジルスルホニル基、トシル基、タウリル基、トリフルオロメチルスルホニル基、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、スルファニリル基、アセチルスルファニリル基など)、オキシスルホニル基(メトキシスルホニル基、エトキシスルホニル基、フェノキシスルホニル基、アセトアミノフェノキシスルホニル基、ピリジルオキシスルホニル基など)、チオスルホニル基(メチルチオスルホニル基、エチルチオスルホニル基、フェニルチオスルホニル基、アセトアミノフェニルチオスルホニル基、ピリジルチオスルホニル基など)、アミノスルホニル基(スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、エチルスルファモイル基、ジエチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基、アセトアミノフェニルスルファモイル基、ピリジルスルファモイル基など)、アンモニオ基(トリメチルアンモニオ基、エチルジメチルアンモニオ基、ジメチルフェニルアンモニオ基、ピリジニオ基、キノリニオ基など)、アゾ基(フェニルアゾ基、ピリジルアゾ基、チアゾリルアゾ基など)、アゾキシ基、ハロゲン化アルキル基(クロロメチル基、ブロモメチル基、フルオロメチル基、ジクロロメチル基、ジブロモメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基など)、炭化水素基(アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基など)、複素環基、有機ケイ素基(シリル基、ジシラニル基、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基など)などで置換した化合物などを含有することができるが、これに限定されない。これらを2種以上含有してもよい。
It is preferable that the resin composition of the present invention further contains (c) a basic additive. (c) By containing a basic additive, high imidization is possible, and high physical properties of the film are obtained, resulting in a highly reliable cured film and a high-resolution pattern with no residue during ablation processing. is obtained. This is because the basic additive coordinates around the imide groups, suppressing polymer aggregation in the cured film, and as a result, bonds between molecules and atoms of the polymer are instantly broken during ablation processing with a UV laser. This is thought to be because decomposition, vaporization, and transpiration occur uniformly.
(c) Basic additives include imidazole, pyrazole, triazole, tetrazole, benzimidazole, naphthoimidazole, indazole, benzotriazole, purine, imidazoline, pyrazoline, pyridine, quinoline, isoquinoline, dipyridyl, diquinolyl, pyridazine, pyrimidine, pyrazine. , phthalazine, quinoxaline, quinazoline, cinnoline, naphthyridine, acridine, phenanthridine, benzoquinoline, benzisoquinoline, benzocinnoline, benzophthalazine, benzoquinoxaline, benzoquinazoline, phenanthroline, phenazine, carboline, perimidine, triazine, tetrazine, pteridine, oxazole , benzoxazole, isoxazole, benzisoxazole, thiazole, benzothiazole, isothiazole, benzisothiazole, oxadiazole, thiadiazole, pyrroledione, isoindoledione, pyrrolidinedione, benzisoquinolinedione, triethylenediamine, and hexamethylenetetramine , some of the hydrogen atoms of these aromatic rings, heterocycles, hydrocarbons and hydrogen nitrides are replaced with di-substituted amino groups (dimethylamino group, diethylamino group, dibutylamino group, ethylmethylamino group, butylmethylamino group, diamylamino group). group, dibenzylamino group, diphenethylamino group, diphenylamino group, ditolylamino group, dixylylamino group, methylphenylamino group, benzylmethylamino group, etc.), monosubstituted amino group (methylamino group, ethylamino group, propyl Amino group, isopropylamino group, tert-butylamino group, anilino group, anisidino group, phenetidino group, toluidino group, xylidino group, pyridylamino group, thiazolyl amino group, benzylamino group, benzylidene amino group, etc.), cyclic amino group (pyrrolidino group) , piperidino group, piperazino group, morpholino group, 1-pyrrolyl group, 1-pyrazolyl group, 1-imidazolyl group, 1-triazolyl group, etc.), acylamino group (formylamino group, acetylamino group, benzoylamino group, cinnamoylamino group) group, pyridinecarbonylamino group, trifluoroacetylamino group), sulfonylamino group (mesylamino group, ethylsulfonylamino group, phenylsulfonylamino group, pyridylsulfonylamino group, tosylamino group, taurylamino group, trifluoromethylsulfonylamino group, sulfamoylamino group, methylsulfamoylamino group, sulfanylamino group, acetylsulfanylamino group), amino group, hydroxyamino group, ureido group, semicarbazide group, carbazido group, disubstituted hydrazino group (dimethylhydrazino group, diphenylhydrazino group, methylphenylhydrazino group, etc.), monosubstituted hydrazino group (methylhydrazino group, phenylhydrazino group, pyridylhydrazino group, benzylidenehydrazino group, etc.), hydrazino group, amidino group, hydroxyl group, oxime groups (hydroxyiminomethyl group, methoxyiminomethyl group, ethoxyiminomethyl group, hydroxyiminoethyl group, hydroxyiminopropyl group, etc.), hydroxyalkyl group (hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, hydroxypropyl group, etc.), hydroxyaryl group (hydroxyphenyl group, hydroxynaphthyl group, dihydroxyphenyl group, etc.), alkoxyalkyl group (methoxymethyl group, methoxyethyl group, ethoxyethyl group, etc.), cyano group, cyanato group, thiocyanato group, nitro group, nitroso group, oxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, hydroxyethoxy group, phenoxy group, naphthoxy group, pyridyloxy group, thiazolyloxy group, acetoxy group, etc.), thio group (methylthio group, ethylthio group, phenylthio group, pyridylthio group, thiazolylthio group, etc.), mercapto group, halogen group (fluoro group, chloro group, bromo group, iodo group), carboxyl group and its salts, oxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group) ), aminocarbonyl groups (carbamoyl group, methylcarbamoyl group, phenylcarbamoyl group, pyridylcarbamoyl group, carbazoyl group, allophanoyl group, oxamoyl group, succinamoyl group, etc.), thiocarboxyl group and its salts, dithiocarboxyl group and its salts, Thiocarbonyl groups (methoxythiocarbonyl group, methylthiocarbonyl group, methylthiothiocarbonyl group, etc.), acyl groups (formyl group, acetyl group, propionyl group, acryloyl group, benzoyl group, cinnamoyl group, pyridinecarbonyl group, thiazolecarbonyl group, fluoroacetyl group, etc.), thioacyl group (thioformyl group, thioacetyl group, thiobenzoyl group, pyridinethiocarbonyl group, etc.), sulfinic acid group and its salts, sulfonic acid group and its salts, sulfinyl group (methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group) , phenylsulfinyl group, etc.), sulfonyl group (mesyl group, ethylsulfonyl group, phenylsulfonyl group, pyridylsulfonyl group, tosyl group, tauryl group, trifluoromethylsulfonyl group, sulfamoyl group, methylsulfamoyl group, sulfanylyl group, acetyl group) sulfanylyl group, etc.), oxysulfonyl group (methoxysulfonyl group, ethoxysulfonyl group, phenoxysulfonyl group, acetaminophenoxysulfonyl group, pyridyloxysulfonyl group, etc.), thiosulfonyl group (methylthiosulfonyl group, ethylthiosulfonyl group, phenyl thiosulfonyl group, acetaminophenylthiosulfonyl group, pyridylthiosulfonyl group), aminosulfonyl group (sulfamoyl group, methylsulfamoyl group, dimethylsulfamoyl group, ethylsulfamoyl group, diethylsulfamoyl group, phenyl sulfamoyl group, acetaminophenylsulfamoyl group, pyridylsulfamoyl group, etc.), ammonio group (trimethylammonio group, ethyldimethylammonio group, dimethylphenylammonio group, pyridinio group, quinolinio group, etc.) groups (phenylazo group, pyridylazo group, thiazolyl azo group, etc.), azoxy group, halogenated alkyl group (chloromethyl group, bromomethyl group, fluoromethyl group, dichloromethyl group, dibromomethyl group, difluoromethyl group, trifluoromethyl group, penta fluoroethyl group, heptafluoropropyl group, etc.), hydrocarbon group (alkyl group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, etc.), heterocyclic group, organosilicon group (silyl group, disilanyl group, trimethylsilyl group, triphenylsilyl group) etc.), but is not limited thereto. Two or more types of these may be contained.
この中でも、(c)塩基性添加剤は、pH9.5~11.5であることが好ましい。本発明において、pH値は、室温の10%水溶液において、ガス電極を用いた水溶液pH測定方法(JISZ-8802,1984)を用いて測定した値とする。 Among these, the basic additive (c) preferably has a pH of 9.5 to 11.5. In the present invention, the pH value is a value measured in a 10% aqueous solution at room temperature using an aqueous solution pH measurement method using a gas electrode (JISZ-8802, 1984).
(c)塩基性添加剤が、pH9.5以上の場合、イミド基への配位が起こり、硬化膜内のポリマー凝集を抑制しやすく、アブレーション加工時の残渣が抑制できるため、高解像度が得られるため好ましい。また、(c)塩基性添加剤の塩基性が高すぎる場合、複数のポリマーに塩基性添加剤が作用するため、ポリマー同士の相互作用が強くなり、同様にポリマー凝集が発生しやすいため、pHは11.5以下が好ましい。
さらに、前記(c)塩基性添加剤が2以上の置換基を有するイミダゾール誘導体が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルキレンエーテル基、フルオロアルキル基、芳香族基、アミド基、カルボニル基、アルキルアミノ基などが挙げられる。2以上の置換基を有することで、イミダゾール誘導体がイミド基へ配位しながら、複数のポリマーが相互作用するのを抑制することができるため、アブレーション加工時の凝集を抑制でき、さらに高解像度なパターンが得られるため好ましい。
(c) When the basic additive has a pH of 9.5 or higher, coordination to imide groups occurs, which makes it easier to suppress polymer aggregation within the cured film and suppress residues during ablation processing, resulting in high resolution. It is preferable because In addition, (c) if the basicity of the basic additive is too high, the basic additive acts on multiple polymers, which strengthens the interaction between the polymers and similarly tends to cause polymer aggregation. is preferably 11.5 or less.
Furthermore, the basic additive (c) is preferably an imidazole derivative having two or more substituents. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkylene ether group, a fluoroalkyl group, an aromatic group, an amide group, a carbonyl group, and an alkylamino group. By having two or more substituents, the imidazole derivative can coordinate to the imide group while inhibiting the interaction of multiple polymers, thereby suppressing aggregation during ablation processing and achieving even higher resolution. This is preferable because a pattern can be obtained.
具体的には、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、4-エチル-2-メチルイミダゾール、及び1-メチル-4-エチルイミダゾール、1-メトキシカルボニルアミノメチルイミダゾール、1-(2-メトキシカルボニルアミノエチル)-2-メチルイミダゾール、1-(2-エトキシカルボニルアミノエチル)-2-メチルイミダゾール、1-(2-プロポキシカルボニルアミノエチル)-2-メチルイミダゾール、1-(2-ブトキシカルボニルアミノエチル)-2-メチルイミダゾール、1-(2-フェノキシカルボニルアミノエチル)-2-メチルイミダゾール、1-(3-メトキシカルボニルアミノプロピル)-2-メチルイミダゾール、1-(3-エトキシカルボニルアミノプロピル)-2-メチルイミダゾール、1-(3-プロポキシカルボニルアミノプロピル)-2-メチルイミダゾール、1-(3-ブトキシカルボニルアミノプロピル)-2-メチルイミダゾール、1-(3-フェノキシカルボニルアミノプロピル)-2-メチルイミダゾール、1-(2-メトキシカルボニルアミノエチル)-2-フェニルイミダゾール、1-(3-メトキシカルボニルアミノプロピル)-2-フェニルイミダゾール、1-(2-アミノエチル)-2-メチルイミダゾール、1-(3-アミノプロピル)-2-メチルイミダゾール、1-(2-アミノエチル)-2-フェニルイミダゾール、1-(3-アミノプロピル)-2-フェニルイミダゾール、1-(3-アミノプロピル)-2-ウンデシルイミダゾール、1-[2-(メチルアミノ)エチル]-2-フェニルイミダゾールなどが挙げられるが、これに限定されない。 Specifically, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 4-ethyl-2-methylimidazole, and 1-methyl-4-ethylimidazole, 1-methoxycarbonylaminomethylimidazole, 1- (2-methoxycarbonylaminoethyl)-2-methylimidazole, 1-(2-ethoxycarbonylaminoethyl)-2-methylimidazole, 1-(2-propoxycarbonylaminoethyl)-2-methylimidazole, 1-(2 -butoxycarbonylaminoethyl)-2-methylimidazole, 1-(2-phenoxycarbonylaminoethyl)-2-methylimidazole, 1-(3-methoxycarbonylaminopropyl)-2-methylimidazole, 1-(3-ethoxy carbonylaminopropyl)-2-methylimidazole, 1-(3-propoxycarbonylaminopropyl)-2-methylimidazole, 1-(3-butoxycarbonylaminopropyl)-2-methylimidazole, 1-(3-phenoxycarbonylamino propyl)-2-methylimidazole, 1-(2-methoxycarbonylaminoethyl)-2-phenylimidazole, 1-(3-methoxycarbonylaminopropyl)-2-phenylimidazole, 1-(2-aminoethyl)-2 -Methylimidazole, 1-(3-aminopropyl)-2-methylimidazole, 1-(2-aminoethyl)-2-phenylimidazole, 1-(3-aminopropyl)-2-phenylimidazole, 1-(3 Examples include, but are not limited to, -aminopropyl)-2-undecylimidazole, 1-[2-(methylamino)ethyl]-2-phenylimidazole, and the like.
前記(c)塩基性添加剤の添加量は、(a)樹脂100質量部に対して0.01~50質量部が好ましく、0.05~10質量部がより好ましく、0.1~1.5質量部が特に好ましい。この範囲において、(c)塩基性添加剤の効果が得られ、また、樹脂組成物での保存安定性に優れるため好ましい。 The amount of the basic additive (c) added is preferably 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 0.05 to 10 parts by weight, and more preferably 0.1 to 1. 5 parts by mass is particularly preferred. This range is preferable because the effects of the basic additive (c) can be obtained and the resin composition has excellent storage stability.
本発明の樹脂組成物は、さらに、(d)架橋剤を含有し、前記(d)架橋剤が3以上のメチロール基、またはアルコキシメチル基を有することが好ましい。
(d)架橋剤が、硬化膜中でポリマー間で架橋することで、硬化膜中のイミド基の凝集を抑制することができるため、残渣が抑制でき、高解像度なパターンが得られるため好ましい。
The resin composition of the present invention further contains (d) a crosslinking agent, and it is preferable that the (d) crosslinking agent has three or more methylol groups or alkoxymethyl groups.
(d) The crosslinking agent crosslinks between polymers in the cured film, thereby suppressing aggregation of imide groups in the cured film, thereby suppressing residues and obtaining a high-resolution pattern, which is preferable.
例としては、MX-290、NIKALAC MX-280、NIKALAC MX-270、NIKALAC MX-279、NIKALAC MW-100LM、NIKALAC MX-750LM(以上、商品名、(株)三和ケミカル製)や下記の架橋剤が挙げられるが、これに限定されない。これらを2種以上含有してもよい。 Examples include MX-290, NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270, NIKALAC MX-279, NIKALAC MW-100LM, NIKALAC MX-750LM (trade names, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) and the following cross-linked Examples include, but are not limited to, agents. Two or more types of these may be contained.
(式中c、d、およびeはそれぞれ1以上の整数を表し、3≦c≦20、1≦d≦30、1≦e≦30が好ましい。)
また、前記(a)樹脂100質量部に対する前記(d)架橋剤の含有量は15~70質量部の範囲内であることが好ましい。15質量部以上の場合、硬化膜の高密度化と酸化防止効果が得られ、信頼性評価後の伸度低下を大きく抑制できる。70質量部以下であると、硬化膜の伸度向上効果が得られ、膜のクラックを低減し、また、金属配線との密着性も向上させることができる。
(In the formula, c, d, and e each represent an integer of 1 or more, and preferably 3≦c≦20, 1≦d≦30, and 1≦e≦30.)
Further, the content of the crosslinking agent (d) relative to 100 parts by mass of the resin (a) is preferably within the range of 15 to 70 parts by mass. When the amount is 15 parts by mass or more, high density of the cured film and antioxidant effect can be obtained, and a decrease in elongation after reliability evaluation can be greatly suppressed. When the amount is 70 parts by mass or less, the elongation of the cured film can be improved, cracks in the film can be reduced, and adhesion to metal wiring can also be improved.
本発明の樹脂組成物は、さらに、(e)界面活性剤を含有することが好ましい。これにより、硬化膜の表面膜厚が均一化されるため、表面の屈折率が均一になり、レーザー加工時に高解像度なパターンが得られる。 It is preferable that the resin composition of the present invention further contains (e) a surfactant. This makes the surface thickness of the cured film uniform, so the refractive index of the surface becomes uniform, and a high-resolution pattern can be obtained during laser processing.
具体的には、界面活性剤としては、住友3M(株)製の“フロラード”(登録商標)、D
IC(株)製の“メガファック”(登録商標)、旭硝子(株)製の“スルフロン”(登録
商標)などのフッ素系界面活性剤、信越化学工業(株)製のKP341、チッソ(株)製
のDBE、共栄社化学(株)製の“ポリフロー”(登録商標)、“グラノール”(登録商
標)、ビック・ケミー(株)製のBYKなどの有機シロキサン界面活性剤、共栄社化学(
株)製のポリフローなどのアクリル重合物の界面活性剤が挙げられる。この中でも、(a)樹脂との相溶性が低いことで硬化膜の膜表面に偏在しやすい点から、アクリル重合物の界面活性剤であることが好ましい。界面活性剤は、耐熱性樹脂の前駆体100質量部に対し、0.01~10質量部含有することが好ましい。
Specifically, as the surfactant, "Florado" (registered trademark) manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd., D
Fluorine surfactants such as “Megafac” (registered trademark) manufactured by IC Corporation and “Sulfuron” (registered trademark) manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., KP341 manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., and Chisso Corporation Organic siloxane surfactants such as DBE manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., “Polyflow” (registered trademark) and “Granol” (registered trademark) manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., BYK manufactured by BYK Chemie Co., Ltd.,
Examples include acrylic polymer surfactants such as Polyflow manufactured by Co., Ltd. Among these, (a) acrylic polymer surfactants are preferred because they tend to be unevenly distributed on the surface of the cured film due to their low compatibility with the resin. The surfactant is preferably contained in an amount of 0.01 to 10 parts by mass based on 100 parts by mass of the heat-resistant resin precursor.
本発明の樹脂組成物は、アブレーション加工時の残渣が発生せず、物性が低下しない範囲で、感光剤を含有してもよい。感光性樹脂組成物で使用されるナフトキノンジアジド化合物や重合開始剤、光重合性化合物などの感光剤を含有する場合、レーザー加工時に反応、発泡などが発生し、加工できないまたは残渣が発生する問題が発生する。また、感光剤はモノマー成分であり、硬化膜に残存した場合、信頼性後の膜特性が低下するため好ましくない。 The resin composition of the present invention may contain a photosensitizer to the extent that no residue is generated during ablation processing and the physical properties are not deteriorated. When a photosensitive resin composition contains a photosensitive agent such as a naphthoquinone diazide compound, a polymerization initiator, or a photopolymerizable compound, reactions and foaming may occur during laser processing, resulting in processing failure or residue generation. Occur. Furthermore, the photosensitive agent is a monomer component, and if it remains in the cured film, it is not preferable because the film properties after reliability will deteriorate.
また、基板との接着性を高めるために、保存安定性を損なわない範囲で本発明の樹脂組成物にシリコーン成分として、トリメトキシアミノプロピルシラン、トリメトキシエポキシシラン、トリメトキシビニルシラン、トリメトキシチオールプロピルシランなどのシランカップリング剤を含有してもよい。 In addition, in order to improve the adhesion to the substrate, the resin composition of the present invention may contain trimethoxyaminopropylsilane, trimethoxyepoxysilane, trimethoxyvinylsilane, trimethoxythiolpropyl as a silicone component within a range that does not impair storage stability. It may contain a silane coupling agent such as silane.
シランカップリング剤の好ましい含有量は、(a)樹脂100質量部に対して0.01~5質量部である。 The preferable content of the silane coupling agent is 0.01 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the resin (a).
本発明の樹脂組成物は、(a)樹脂の特性を損なわない範囲で、他の樹脂を有してもよいが、非フッ素系樹脂であること好ましい。フッ素系樹脂は、ポリテトラフルオロエチレン、トリクロロフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン-ヘキサフルオロプロピレン、ポリビニリデンフルオロライド、ポリビニルフルオロライド、テトラフルオロエチレン-パーフルオロアルキルビニルエーテル、テトラフルオロエチレン-エチレン、クロロトリフルオロエチレン-エチレン樹脂を意味する。フッ素は紫外線領域での吸収を持たないため、紫外線領域の吸収をもつ樹脂や添加剤を含有していたとしても、アブレーション加工時で微細なパターン形成を形成する際には除去できず残渣が発生し、また、分子鎖や金属との相互作用が抑制されるため物性の低下・密着力の低下が起こるため、非フッ素樹脂であることが好ましい。 The resin composition of the present invention may contain other resins as long as the properties of (a) resin are not impaired, but non-fluorine resins are preferred. Fluorine resins include polytetrafluoroethylene, trichlorofluoroethylene, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene, polyvinylidene fluoride, polyvinyl fluoride, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether, tetrafluoroethylene-ethylene, and chlorotrifluoroethylene. - means ethylene resin. Fluorine does not absorb in the ultraviolet region, so even if it contains resin or additives that absorb in the ultraviolet region, it cannot be removed and a residue is generated when forming fine patterns during ablation processing. However, since interactions with molecular chains and metals are suppressed, physical properties and adhesion are reduced, so a non-fluororesin is preferable.
他の樹脂としては、具体的には、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミド樹脂、シロキサン樹脂、アクリル酸を共重合したアクリルポリマー、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、またそれらにメチロール基、アルコキシメチル基やエポキシ基などの架橋基を導入した変性体、それらの共重合ポリマーなどが挙げられる。 Examples of other resins include polyimide resins, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursors, polyamide resins, siloxane resins, acrylic polymers copolymerized with acrylic acid, epoxy resins, novolak resins, resol resins, and polyhydroxy resins. Examples include styrene resins, modified products having crosslinking groups such as methylol groups, alkoxymethyl groups, and epoxy groups introduced therein, and copolymers thereof.
本発明の樹脂組成物の粘度は、2~5,000mPa・sが好ましい。粘度は、E型回転粘度計を用いて測定することができる。粘度が2mPa・s以上となるように固形分濃度を調整することにより、所望の膜厚を得ることが容易になる。一方、粘度が5,000mPa・s以下であれば、均一性の高い塗布膜を得ることが容易になる。このような粘度を有する樹脂組成物は、例えば固形分濃度を5~60質量%にすることで容易に得ることができる。 The viscosity of the resin composition of the present invention is preferably 2 to 5,000 mPa·s. Viscosity can be measured using an E-type rotational viscometer. By adjusting the solid content concentration so that the viscosity is 2 mPa·s or more, it becomes easy to obtain a desired film thickness. On the other hand, if the viscosity is 5,000 mPa·s or less, it becomes easy to obtain a highly uniform coating film. A resin composition having such a viscosity can be easily obtained, for example, by adjusting the solid content concentration to 5 to 60% by mass.
次に、本発明の樹脂組成物を用いた硬化膜としての硬化膜のレリーフパターンを形成する方法について説明する。 Next, a method for forming a relief pattern of a cured film using the resin composition of the present invention will be described.
まず、本発明の樹脂組成物を基板に塗布する。基板としては、シリコンウエハ、セラミックス類、ガリウムヒ素、有機系回路基板、無機系回路基板、シリコンウエハとエポキシ樹脂などの封止樹脂の複合基板、およびこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものなどが挙げられるが、これらに限定されない。 First, the resin composition of the present invention is applied to a substrate. Substrates include silicon wafers, ceramics, gallium arsenide, organic circuit boards, inorganic circuit boards, composite boards of silicon wafers and sealing resins such as epoxy resin, and circuit constituent materials placed on these boards. Examples include, but are not limited to:
有機系回路基板の例としては、ガラス布・エポキシ銅張積層板などのガラス基板銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板などのコンポジット銅張積層板、仮張りキャリア基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板などの耐熱・熱可塑性基板、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板などのフレキシブル基板が挙げられる。また、無機系回路基板の例は、ガラス基板、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板などのセラミック基板、アルミニウムベース基板、鉄ベース基板などの金属系基板が挙げられる。回路の構成材料の例は、銀、金、銅などの金属を含有する導体、無機系酸化物などを含有する抵抗体、ガラス系材料および/または樹脂などを含有する低誘電体、樹脂や高誘電率無機粒子などを含有する高誘電体、ガラス系材料などを含有する絶縁体などが挙げられる。 Examples of organic circuit boards include glass substrate copper clad laminates such as glass cloth/epoxy copper clad laminates, composite copper clad laminates such as glass nonwoven fabric/epoxy copper clad laminates, temporary carrier substrates, and polyetherimide. Examples include heat-resistant/thermoplastic substrates such as resin substrates, polyetherketone resin substrates, and polysulfone resin substrates, and flexible substrates such as polyester copper-clad film substrates and polyimide copper-clad film substrates. Examples of inorganic circuit boards include ceramic substrates such as glass substrates, alumina substrates, aluminum nitride substrates, and silicon carbide substrates, and metal substrates such as aluminum-based substrates and iron-based substrates. Examples of circuit constituent materials include conductors containing metals such as silver, gold, and copper, resistors containing inorganic oxides, low dielectric materials containing glass materials and/or resins, resins and high Examples include high dielectric materials containing dielectric constant inorganic particles, and insulators containing glass-based materials.
シリコンウエハはUV波長での吸収が大きく、有機系回路基板はポリイミドと吸収帯が近いおとから、レーザー加工する際は硬化膜と共にパターン加工されやすいため、狙いのパターン形成が困難である。このため、硬化膜が加工される部位の下地はUV波長での反射の大きい金属配線が形成されていることが好ましい。 Silicon wafers have high absorption at UV wavelengths, and organic circuit boards have absorption bands close to those of polyimide, so when laser processing is performed, they are likely to be patterned together with the cured film, making it difficult to form the desired pattern. For this reason, it is preferable that metal wiring with high reflection at UV wavelengths be formed on the base of the part where the cured film is processed.
金属配線については、空気酸化することで表面状態が変化するため、あらかじめ酸素プラズマ処理や過酸化水素水などで酸化処理しておくことが好ましい。 As for the metal wiring, since the surface state changes by air oxidation, it is preferable to perform an oxidation treatment in advance using oxygen plasma treatment, hydrogen peroxide solution, or the like.
塗布方法としてはスピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーター、ロールコーター、コンマロールコーター、グラビアコーター、スクリーンコーター、スリットダイコーターなどの方法が挙げられる。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が0.1~150μmになるように塗布される。未硬化シートとする場合は、その後乾燥させて剥離する。 Application methods include spin coating using a spinner, spray coating, roll coating, screen printing, blade coater, die coater, calendar coater, meniscus coater, bar coater, roll coater, comma roll coater, gravure coater, screen coater, and slit die coater. Examples include methods such as tar. The thickness of the coating film varies depending on the coating method, solid content concentration of the composition, viscosity, etc., but the coating is usually done so that the film thickness after drying is 0.1 to 150 μm. If it is an uncured sheet, it is then dried and peeled off.
シリコンウエハなどの基板と樹脂組成物との接着性を高めるために、基板を前述のシランカップリング剤で前処理することもできる。例えば、シランカップリング剤をイソプロパノール、エタノール、メタノール、水、テトラヒドロフラン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、アジピン酸ジエチルなどの溶媒に0.5~20質量%溶解させた溶液を、スピンコート、浸漬、スプレー塗布、蒸気処理などにより表面処理をする。場合によっては、その後50℃~300℃までの熱処理を行い、基板とシランカップリング剤との反応を進行させる。 In order to improve the adhesion between a substrate such as a silicon wafer and the resin composition, the substrate can also be pretreated with the above-mentioned silane coupling agent. For example, a solution in which 0.5 to 20% by mass of a silane coupling agent is dissolved in a solvent such as isopropanol, ethanol, methanol, water, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, diethyl adipate, etc. , surface treatment by spin coating, dipping, spray coating, steam treatment, etc. In some cases, heat treatment is then performed at 50° C. to 300° C. to advance the reaction between the substrate and the silane coupling agent.
次に樹脂組成物または未硬化シートを基板上に塗布またはラミネートした基板を乾燥して、樹脂組成物被膜を得る。乾燥はオーブン、ホットプレート、赤外線などを使用し、50℃~180℃の範囲で1分間~数時間行うことが好ましい。 Next, the resin composition or uncured sheet is applied or laminated onto the substrate, and the substrate is dried to obtain a resin composition coating. Drying is preferably carried out using an oven, hot plate, infrared rays, etc. at a temperature of 50° C. to 180° C. for 1 minute to several hours.
本発明においての加熱処理、すなわち硬化条件としては150℃以上350℃以下が好ましい。基板・半導体装置への影響や、適切な伸度・強度を得るためには、170℃以上200℃以下がより好ましい。 The heat treatment in the present invention, that is, the curing conditions, is preferably 150°C or more and 350°C or less. The temperature is more preferably 170°C or more and 200°C or less in order to avoid any influence on the substrate/semiconductor device and to obtain appropriate elongation/strength.
本発明の樹脂組成物を硬化した硬化膜の破断点伸度は、50%以上が好ましく、100%以上がより好ましい。また、強度は150MPa以上450MPa以下が好ましく、180MPa以上300MPa以下がより好ましい。この範囲においては、レーザー照射時にパターン加工界面での硬化膜の分解・劣化が抑制でき、また、引っ張り強度は450MPa以下である場合、エネルギー照射時間が短くともパターン加工が可能であるため、形状に異常が起こらず、微細なパターン形成できる。このため、信頼性評価後にも耐え得る微細なパターンが得られる。 The elongation at break of the cured film obtained by curing the resin composition of the present invention is preferably 50% or more, more preferably 100% or more. Further, the strength is preferably 150 MPa or more and 450 MPa or less, more preferably 180 MPa or more and 300 MPa or less. Within this range, decomposition and deterioration of the cured film at the pattern processing interface during laser irradiation can be suppressed, and if the tensile strength is 450 MPa or less, pattern processing is possible even if the energy irradiation time is short, so the shape can be Fine patterns can be formed without causing abnormalities. Therefore, a fine pattern that can withstand reliability evaluation can be obtained.
多種の材料と接する層間絶縁膜は、熱膨張係数差による負荷がかかりやすいため、より高伸度かつ高強度の材料が必要となる。高伸度で低強度の材料はサーマルサイクル試験などの信頼性試験において伸度が変化しやすく、また、低伸度で高強度の材料は剛直であるためクラックが入りやすい。また、熱膨張係数差が小さい方が負荷自体を下げることができるため、形成されている材料の熱膨張係数と硬化膜の熱膨張係数は近い方が好ましい。本発明の樹脂組成物を硬化してなる硬化膜は高伸度・高強度であり、また、高い金属密着性を有するため、信頼性評価時にも多層の硬化膜のクラックや金属配線との剥離が起こりにくい。信頼性評価としては、衝撃試験、高温保持試験、恒温高湿試験、熱サイクル試験が挙げられる。本発明の樹脂組成物を硬化してなる硬化膜は、半導体装置や多層配線板等の電子部品に使用することができる。具体的には、半導体のパッシベーション膜、半導体素子の表面保護膜、層間絶縁膜、高密度実装用多層配線の層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などの用途に好適に用いられるが、これに制限されず、様々な構造をとることができる。この中でも、高密度実装用多層配線として、再配線が用いられた層間絶縁膜として用いることが好ましい。これは、再配線構造は、回路基板などの用途と比較しても、多種の材料が用いられており、またなパターンが要求されているが、パッケージ化した場合に、クラック・剥離が発生しやすいため、高伸度・高強度で微細なパターンが得られる材料が求められているからである。 An interlayer insulating film that is in contact with various materials is easily subjected to loads due to differences in thermal expansion coefficients, so materials with higher elongation and higher strength are required. Materials with high elongation and low strength tend to change their elongation during reliability tests such as thermal cycle tests, and materials with low elongation and high strength are rigid and therefore prone to cracking. Further, since the smaller the difference in thermal expansion coefficient, the lower the load itself can be, it is preferable that the thermal expansion coefficient of the formed material is close to that of the cured film. The cured film obtained by curing the resin composition of the present invention has high elongation and high strength, and also has high metal adhesion, so it is possible to avoid cracks in the multilayer cured film or peeling from metal wiring during reliability evaluation. is unlikely to occur. Reliability evaluations include impact tests, high temperature retention tests, constant temperature and high humidity tests, and thermal cycle tests. A cured film obtained by curing the resin composition of the present invention can be used for electronic components such as semiconductor devices and multilayer wiring boards. Specifically, it is suitably used for applications such as passivation films for semiconductors, surface protection films for semiconductor elements, interlayer insulating films, interlayer insulating films for multilayer wiring for high-density packaging, and insulating layers for organic electroluminescent devices. It is not limited to , and can take various structures. Among these, it is preferable to use it as a multilayer wiring for high-density packaging and as an interlayer insulating film using rewiring. This is because rewiring structures use a wide variety of materials and require different patterns compared to applications such as circuit boards, but cracks and peeling may occur when packaged. This is because materials that have high elongation, high strength, and can form fine patterns are sought after.
上記硬化膜は、所望の位置にパターン形成するために、UVレーザーを照射してアブレーション加工が施される。このUVレーザーの照射条件は、特に限定されるものではないが、通常ArF(193nm)、KrF(248nm)、XeCl(308nm)、XeCl(351nm)等のエキシマレーザー、YAGレーザー(355nm)光が用いられる。この中でも、加工時の熱がかかりにくく、ビア径が5μm以下の高解像度なパターンが形成可能な点から、エキシマレーザーが好ましく、前記UVレーザーの波長において適度な硬化膜の吸光度が得られるため、残渣のない高解像度なパターンがえられるため、KrF(248nm)での加工さらにが好ましい。 The cured film is subjected to ablation processing by irradiating it with UV laser in order to form a pattern at a desired position. The irradiation conditions for this UV laser are not particularly limited, but excimer lasers such as ArF (193 nm), KrF (248 nm), XeCl (308 nm), and XeCl (351 nm), and YAG laser (355 nm) are usually used. It will be done. Among these, excimer laser is preferable because it does not apply much heat during processing and can form a high-resolution pattern with a via diameter of 5 μm or less, and the cured film can obtain an appropriate absorbance at the wavelength of the UV laser, so Processing using KrF (248 nm) is more preferable because a high-resolution pattern without residue can be obtained.
パターン形成をする際には、5~10000mJ/cm2のエネルギー密度の上記UVレーザー光を、縮小倍率0.1~20倍の光学系を介して、繰り返しパルス数1~3000Hzで、直接あるいは所望の形状のパターニングマスクを用いて上記硬化膜形成基板に所定時間照射することによって、パターン形成することができる。 When forming a pattern, the UV laser beam with an energy density of 5 to 10,000 mJ/cm 2 is applied directly or as desired at a repetition pulse rate of 1 to 3,000 Hz through an optical system with a reduction magnification of 0.1 to 20 times. A pattern can be formed by irradiating the cured film forming substrate for a predetermined time using a patterning mask having the shape of .
本発明の樹脂祖組成物の硬化膜は、UVレーザーの照射エネルギーを500~1000mJ/cm2にすることで、矩形のテーパー形状が得られ、100以上500mJ/cm2未満のエネルギー密度を制御することで、テーパー形状を制御できるため好ましい。 The cured film of the resin base composition of the present invention can be obtained in a rectangular tapered shape by setting the UV laser irradiation energy to 500 to 1000 mJ/cm 2 and controlling the energy density to 100 or more and less than 500 mJ/cm 2 This is preferable because the taper shape can be controlled.
このため、本発明の樹脂組成物から得られた硬化膜は、矩形になりやすいネガ型感光性樹脂組成物や、リフローのかかりやすくなだらかな形状になりやすいポジ型感光性樹脂組成物と比較して、テーパー形状の制御が容易である。これより、配線厚、パターン形成密度が異なる点から、各層で異なる形状が要求される層間絶縁膜において、形状制御が容易であるため好ましい。 Therefore, the cured film obtained from the resin composition of the present invention is different from that of negative photosensitive resin compositions that tend to be rectangular and positive photosensitive resin compositions that are susceptible to reflow and tend to have a smooth shape. Therefore, it is easy to control the taper shape. This is preferable because the shape can be easily controlled in an interlayer insulating film where each layer requires a different shape due to different wiring thicknesses and pattern formation densities.
本発明において、樹脂組成物を硬化したときの硬化膜の吸光度は、前記UVレーザーの波長において膜厚1μmあたり0.07~0.9であることが好ましく、0.1~0.3であることがさらに好ましい。この範囲においては、前記UVレーザーにおいて、パターン形成可能であるとともに、吸光度が高すぎることで発生する形状の異常が起こらないため好ましい。 In the present invention, the absorbance of the cured film when the resin composition is cured is preferably 0.07 to 0.9 per 1 μm of film thickness at the wavelength of the UV laser, and preferably 0.1 to 0.3. It is even more preferable. This range is preferable because pattern formation is possible with the UV laser and abnormalities in shape that occur due to too high absorbance do not occur.
次に、本発明の樹脂組成物を用いた、バンプを有する半導体装置への応用例について図面を用いて説明する(応用例1)。図1は、本発明のバンプを有する半導体装置のパット部分の拡大断面図である。図1に示すように、シリコンウエハ1には入出力用のアルミニウム(以下、Al)パッド2上にパッシベーション膜3が形成され、そのパッシベーション膜3にビアホールが形成されている。更に、この上に本発明の樹脂組成物によるパターンとして絶縁膜4が形成され、更に、金属(Cr、Ti等)膜5がAlパッド2と接続されるように形成され、電解めっき等で金属配線(Al、Cu等)6が形成されている。金属膜(Cr、Ti等)5はハンダバンプ10の周辺をエッチングして、各パッド間を絶縁する。更に、この上に本発明の樹脂組成物によるパターンとして絶縁膜7が形成される。絶縁されたパッドにはバリアメタル8とハンダバンプ10が形成されている。本発明の樹脂は伸度・強度に優れるため、樹脂自体が変形することで、実装時も封止樹脂からの応力を緩和することできるため、バンプや配線、low-k層のダメージを防ぎ、高信頼性の半導体装置を提供できる。
Next, an example of application of the resin composition of the present invention to a semiconductor device having bumps will be described with reference to the drawings (Application Example 1). FIG. 1 is an enlarged sectional view of a pad portion of a semiconductor device having bumps according to the present invention. As shown in FIG. 1, a
次に、半導体装置の詳細な作製方法について図2に記す。図2の2aに示すように、シリコンウエハ1に入出力用のAlパッド2、さらにパッシベーション膜3を形成させ、本発明の樹脂組成物によるパターンとして絶縁膜4を形成させる。続いて、図2の2bに示すように、金属(Cr、Ti等)膜5をAlパッド2と接続されるように形成させ、図2の2cに示すように、金属配線(Al、Cu等)6をメッキ法で成膜する。次に、図2の2d’に示すように、本発明の樹脂組成物を塗布し、硬化した後、アブレーション加工を行うことで、図2の2dに示すようなパターンとして絶縁膜7を形成する。絶縁膜7の上にさらに配線(いわゆる再配線)を形成することができる。2層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行うことにより、2層以上の再配線が、本発明の樹脂組成物から得られた層間絶縁膜により分離された多層配線構造を形成することができる。この際、形成された絶縁膜は複数回にわたり各種薬液と接触することになるが、本発明の樹脂組成物から得られた絶縁膜は密着性に優れているために、良好な多層配線構造を形成することができる。多層配線構造の層数には上限はないが、10層以下のものが多く用いられる。この際に、絶縁膜7の樹脂組成物はスクライブライン9において、厚膜加工を行うことになる。3層以上の多層配線構造を形成する場合は、上記の工程を繰り返して行い各層を形成することができる。
Next, a detailed method for manufacturing the semiconductor device will be described in FIG. As shown in FIG. 2A, an input/
次いで、図2の2eおよび2fに示すように、バリアメタル8、ハンダバンプ10を形成する。そして、最後のスクライブライン9に沿ってダイシングしてチップ毎に切り分ける。
Next, as shown in 2e and 2f of FIG. 2,
次に、本発明の樹脂組成物を用いた、バンプを有する半導体装置への応用例2について図面を用いて説明する。図3は、本発明の絶縁膜を有する半導体装置のパット部分の拡大断面図であり、ファンアウトウエハレベルパッケージ(ファンアウトWLP)とよばれる構造である。上記の応用例1と同様にAlパッド2、パッシベーション膜3が形成されたシリコンウエハ1はダイシングされチップごとに切り分けられた後、樹脂11で封止される。この封止樹脂11とチップ上に渡り、本発明の樹脂組成物によるパターンとして絶縁膜4が形成され、更に、金属(Cr、Ti等)膜5、金属配線6が形成される。その後、チップ外の封止樹脂上に形成された絶縁膜7の開口部にバリアメタル8とハンダバンプ10が形成される。ファンアウトWLPは、半導体チップの周辺にエポキシ樹脂等の封止樹脂を用いて拡張部分を設け、半導体チップ上の電極から該拡張部分まで再配線を施し、拡張部分にもはんだボールを搭載することで必要な端子数を確保した半導体パッケージである。ファンアウトWLPにおいては、半導体チップの主面と封止樹脂の主面とが形成する境界線を跨ぐように配線が設置される。すなわち、金属配線が施された半導体チップおよび封止樹脂という2種以上の材料からなる基材の上に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜の上に配線が形成される。
Next, Application Example 2 to a semiconductor device having bumps using the resin composition of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is an enlarged sectional view of a pad portion of a semiconductor device having an insulating film according to the present invention, and has a structure called a fan-out wafer level package (fan-out WLP). Similarly to Application Example 1 above, the
また、ファンアウトWLPは、仮貼り材料が配置された支持基板上に再配線間の層間絶縁膜として配置し、その上にシリコンチップと封止樹脂を配置後、仮貼り材料が配置された支持基板と再配線を剥離するRDL-ファーストと呼ばれる工程で作成されるタイプのパッケージが存在する。 In addition, fan-out WLP is arranged as an interlayer insulating film between rewirings on a support substrate on which a temporary attachment material is placed, and after placing a silicon chip and a sealing resin on it, a support substrate on which a temporary attachment material is placed. There is a type of package that is created using a process called RDL-first, which separates the substrate and rewiring.
RDLファーストにおける半導体装置の作成法について図5を用いて説明する。図5の3aにおいて支持基板20上にTiなどのバリアメタルをスパッタリング法で形成し、更にその上にCuシード(シード層)をスパッタリング法で形成後、メッキ法によって電極パッド21を形成する。ついでの3bの工程において本発明の樹脂組成物を塗布し、硬化した後、アブレーション加工を行うことで、パターン形成された絶縁膜22を形成する。ついで3cの工程において再びシード層をスパッタリング法で形成し、メッキ法によって金属配線23(再配線層)を形成する。以降半導体チップの導通部ピッチと金属配線のピッチを合わせるため、3bおよび3cの工程を繰り返し行い、3dに示すような多層配線構造を形成する。ついで3eの工程において再び本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、硬化した後、アブレーション加工を行うことで、パターン形成された絶縁膜を形成後、Cuポスト24をメッキ法にて形成する。ここでCuポストのピッチと半導体チップの導通部ピッチは等しくなる。すなわち、金属配線ピッチを狭化しながら再配線層を多層化するため、図3の3eに示すように、層間絶縁膜の膜厚は、層間絶縁膜1>層間絶縁膜2>層間絶縁膜3>層間絶縁膜4>となる。ついで3fの工程においてハンダバンプ25を介して半導体チップ26を接続し、多層配線構造を有するRDLファーストでの半導体装置を得ることができる。これ以外にも、半導体チップをガラスエポキシ樹脂基板に形成された凹部に埋め込んだタイプの半導体パッケージでは、半導体チップの主面とプリント基板の主面との境界線を跨ぐように配線が設置される。この態様においても、2種以上の材料からなる基材の上に層間絶縁膜が形成され、該層間絶縁膜の上に配線が形成される。本発明の樹脂組成物を硬化してなる硬化膜は、高伸度と、金属配線が施された半導体チップに高い密着力を有するとともに、エポキシ樹脂等へ封止樹脂にも高い密着力を有するため、2種以上の材料からなる基材の上に設ける層間絶縁膜として好適に用いられる。
A method for manufacturing a semiconductor device using RDL first will be described with reference to FIG. In 3a of FIG. 5, a barrier metal such as Ti is formed on the supporting
また、ファンアウトWLPにおいては、再配線の微細化が進んでいる。本発明の樹脂組成物の硬化膜は、金属配線の幅と隣り合う配線同士の間隔が5μm以下の配線にも高い金属密着性を有するため、微細な再配線にも好適に用いられる。 Further, in fan-out WLP, rewiring is becoming finer. The cured film of the resin composition of the present invention has high metal adhesion even to wires with a width of metal wires and an interval between adjacent wires of 5 μm or less, and therefore is suitable for use in fine rewiring.
この構造では、層間絶縁膜の厚みが、半導体チップに対して近づくにつれ、薄くなり、また、再配線層が、半導体チップに近づくにつれ、金属配線の幅と隣り合う配線同士の間隔が狭くなることで、チップの高集積化に対応している。このため、高伸度・高強度かつ微細なパターン加工は重要な課題となっている。 In this structure, the thickness of the interlayer insulating film becomes thinner as it approaches the semiconductor chip, and as the redistribution layer approaches the semiconductor chip, the width of the metal wiring and the spacing between adjacent wirings become narrower. This makes it compatible with higher chip integration. For this reason, high elongation, high strength, and fine pattern processing have become important issues.
次に、本発明の樹脂組成物を用いた、インダクタ装置のコイル部品への応用例3について図面を用いて説明する。図4は本発明の絶縁膜を有するコイル部品の断面図である。図4に示すように、基板12には絶縁膜13、その上にパターンとして絶縁膜14が形成される。基板12としてはフェライト等が用いられる。本発明の樹脂組成物は絶縁膜13と絶縁膜14のどちらに使用してもよい。このパターンの開口部に金属(Cr、Ti等)膜15が形成され、この上に金属配線(Ag、Cu等)16がめっき形成される。金属配線16(Ag、Cu等)はスパイラル上に形成されている。13~16の工程を複数回繰り返し、積層させることでコイルとしての機能を持たせることができる。最後に金属配線16(Ag、Cu等)は金属配線17(Ag、Cu等)によって電極18に接続され、封止樹脂19により封止される。
Next, Application Example 3 to coil parts of an inductor device using the resin composition of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a sectional view of a coil component having an insulating film according to the present invention. As shown in FIG. 4, an insulating
本発明の樹脂組成物は有機EL表示装置にも好適に用いられる。該有機EL表示装置は、基板上に、駆動回路、平坦化層、第1電極、絶縁層、発光層および第2電極を有し、平坦化層および/または絶縁層が本発明の硬化膜からなる。近年、有機EL表示装置は100℃程度の高温保持、あるいは熱サイクル試験といった信頼性評価での耐久性が求められるようになっている。本発明の硬化膜は、これらの信頼性評価後も高伸度かつ金属配線や金属電極と高い密着性を有するため、安定した駆動および発光特性が得られる。アクティブマトリックス型の表示装置を例に挙げると、ガラスや各種プラスチックなどの基板上に、TFTと、TFTの側方部に位置しTFTと接続された配線とを有し、その上に凹凸を覆うようにして平坦化層を有し、さらに平坦化層上に表示素子が設けられている。表示素子と配線とは、平坦化層に形成されたコンタクトホールを介して接続される。 The resin composition of the present invention is also suitably used for organic EL display devices. The organic EL display device has a drive circuit, a planarizing layer, a first electrode, an insulating layer, a light emitting layer, and a second electrode on a substrate, and the planarizing layer and/or the insulating layer are made of the cured film of the present invention. Become. In recent years, organic EL display devices are required to maintain high temperatures of about 100° C. or to have durability in reliability evaluations such as thermal cycle tests. Since the cured film of the present invention has high elongation and high adhesion to metal wiring and metal electrodes even after these reliability evaluations, stable driving and light emission characteristics can be obtained. For example, an active matrix display device has a TFT on a substrate made of glass or various plastics, and wiring located on the side of the TFT and connected to the TFT, and covering unevenness on top of the TFT. In this manner, a flattening layer is provided, and a display element is further provided on the flattening layer. The display element and the wiring are connected through contact holes formed in the planarization layer.
図6にTFT基板の一例の断面図を示す。基板32上に、ボトムゲート型またはトップゲート型のTFT(薄膜トランジスタ)1が行列状に設けられており、このTFT27を覆う状態で絶縁層29が形成されている。また、この絶縁層29上にTFT27接続された配線28が設けられている。さらに絶縁層29上には、配線28を埋め込む状態で平坦化層30が設けられている。平坦化層30には、配線28に達するコンタクトホール33が設けられている。そして、このコンタクトホール33を介して、配線28に接続された状態で、平坦化層30上にITO(透明電極)31が形成されている。ここで、ITO31は、表示素子(例えば有機EL素子)の電極となる。そしてITO31の周縁を覆うように絶縁層34が形成される。有機EL素子は、基板32と反対側から発光光を放出するトップエミッション型でもよいし、基板32側から光を取り出すボトムエミッション型でもよい。このようにして、各有機EL素子にこれを駆動するためのTFT27を接続したアクティブマトリックス型の有機EL表示装置が得られる。
FIG. 6 shows a cross-sectional view of an example of a TFT substrate. Bottom-gate or top-gate TFTs (thin film transistors) 1 are provided in a matrix on a
かかる絶縁層29、平坦化層30および/または絶縁層34は、前述の通り本発明の樹脂組成物または樹脂シートからなる感光性樹脂膜を形成する工程、前記感光性樹脂膜を露光する工程、露光した感光性樹脂膜を現像する工程および現像した感光性樹脂膜を加熱処理する工程により形成することができる。これらの工程を有する製造方法より、有機EL表示装置を得ることができる。
The insulating
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。まず、各実施例および比較例における評価方法について説明する。評価には、あらかじめ1μmのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター(住友電気工業(株)製)で濾過した各実施例、比較例で作製された樹脂組成物(以下ワニスと呼ぶ)を用いた。 The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. First, evaluation methods in each example and comparative example will be explained. For the evaluation, resin compositions (hereinafter referred to as varnishes) prepared in Examples and Comparative Examples that had been filtered in advance with a 1 μm polytetrafluoroethylene filter (manufactured by Sumitomo Electric Industries, Ltd.) were used.
(1)分子量測定、イミド化率、エステル化率測定
(a)樹脂の重量平均分子量(Mw)は、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)装置Waters2690-996(日本ウォーターズ(株)製)を用いて確認した。展開溶媒をN-メチル-2-ピロリドン(以降NMPと呼ぶ)として測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量(Mw)及び分散度(PDI=Mw/Mn)を計算した。
(1) Molecular weight measurement, imidization rate, esterification rate measurement (a) The weight average molecular weight (Mw) of the resin was measured using a GPC (gel permeation chromatography) device Waters 2690-996 (manufactured by Nippon Waters Co., Ltd.). confirmed. The developing solvent was measured as N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as NMP), and the weight average molecular weight (Mw) and dispersity (PDI=Mw/Mn) were calculated in terms of polystyrene.
また、樹脂のイミド化率については、樹脂をn-メチルピロリドンに溶解した溶液をシリコンウエハ上にスピンコートして、120℃で3分間乾燥し、イナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で170℃まで昇温し、170℃で1時間加熱処理を行なった。さらに赤外吸収スペクトルを測定し、イミド構造の吸収ピーク(1780cm-1付近、1377cm-1付近)の存在を確認した。次に、その塗布膜を350℃で1時間熱処理したもののイミド化率を100%のサンプルとして赤外吸収スペクトルを測定し、熱処理前後の樹脂の1377cm-1付近のピーク強度を比較することによって、熱処理前樹脂中のイミド基の含量を算出し、イミド化率を求めた。赤外吸収スペクトルの測定は、測定装置として「FT-720」(商品名、株式会社堀場製作所製)を使用した。 Regarding the imidization rate of the resin, a solution of the resin dissolved in n-methylpyrrolidone was spin-coated onto a silicon wafer, dried at 120°C for 3 minutes, and then dried in an inert oven CLH-21CD-S (Koyo Thermo System). Co., Ltd.), the temperature was raised to 170°C at a rate of 3.5°C/min at an oxygen concentration of 20 ppm or less, and heat treatment was performed at 170°C for 1 hour. Furthermore, an infrared absorption spectrum was measured, and the presence of absorption peaks of the imide structure (around 1780 cm −1 and around 1377 cm −1 ) was confirmed. Next, the coating film was heat-treated at 350°C for 1 hour, and the infrared absorption spectrum was measured using a sample with an imidization rate of 100%, and the peak intensities near 1377 cm -1 of the resin before and after the heat treatment were compared. The content of imide groups in the resin before heat treatment was calculated, and the imidization rate was determined. For the measurement of the infrared absorption spectrum, "FT-720" (trade name, manufactured by Horiba, Ltd.) was used as a measuring device.
また、樹脂のエステル化率については、400MHz、1H-NMR(核磁気共鳴)装置(日本電子株式会社製 AL-400)を用い、重水素化ジメチルスルホキシド溶液中、積算回数16回で測定し、エステル化した置換基のプロトンの積分値をもとに、エステル化率を算出した。 In addition, the esterification rate of the resin was measured in a deuterated dimethyl sulfoxide solution using a 400 MHz, 1 H-NMR (nuclear magnetic resonance) device (AL-400, manufactured by JEOL Ltd.) with a total number of 16 times. The esterification rate was calculated based on the integral value of protons of the esterified substituents.
(2)-1 伸度・強度評価
ワニスを8インチのシリコンウエハ上に、120℃で3分間のプリベーク後の膜厚が11μmとなるように塗布現像装置ACT-8を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークした後、イナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で表1に示す硬化温度まで昇温し、硬化温度で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところでウエハを取り出し、徐冷した後、45質量%のフッ化水素酸に5分間浸漬することで、ウエハから樹脂組成物の膜を剥がした。この膜を幅1cm、長さ3cmの短冊状に切断し、テンシロンRTM-100((株)オリエンテック製)を用いて、室温23.0℃、湿度45.0%RH下で引張速度5mm/分で引っ張り、破断点伸度と強度の測定を行なった。測定は1検体につき10枚の短冊について行ない、結果から上位5点の平均値を求めた。破断点伸度の値が100%以上のものをきわめて良好(A)、50%以上100%未満のものを良好(B)、50%未満のものを不良(D)とした。また、強度については180MPa以上350MPaをきわめて良好(A)、150MPa以上180MPa未満のものを良好(B)、150MPa未満のものを不良(D)とした。
(2)-1 Elongation/strength evaluation The varnish was applied onto an 8-inch silicon wafer by spin coating using a coating and developing device ACT-8 so that the film thickness after pre-baking at 120°C for 3 minutes was 11 μm. After coating and prebaking, the temperature was raised to the curing temperature shown in Table 1 using an inert oven CLH-21CD-S (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.) at a rate of 3.5°C/min at an oxygen concentration of 20 ppm or less to cure. Heat treatment was carried out at the same temperature for 1 hour. When the temperature reached 50° C. or lower, the wafer was taken out, slowly cooled, and then immersed in 45% by mass hydrofluoric acid for 5 minutes to peel off the resin composition film from the wafer. This film was cut into strips with a width of 1 cm and a length of 3 cm. Using Tensilon RTM-100 (manufactured by Orientec Co., Ltd.), the film was pulled at a pulling speed of 5 mm/1 at a room temperature of 23.0°C and a humidity of 45.0% RH. The elongation at break and strength were measured. Measurements were performed on 10 strips per sample, and the average value of the top 5 points was determined from the results. Those with an elongation at break of 100% or more were evaluated as extremely good (A), those with an elongation of 50% or more but less than 100% were evaluated as good (B), and those with an elongation at break of less than 50% were evaluated as poor (D). Regarding the strength, a strength of 180 MPa or more and 350 MPa was classified as very good (A), a strength of 150 MPa or more and less than 180 MPa was classified as good (B), and a strength of less than 150 MPa was classified as poor (D).
(3) パターン評価
加工法(i)
ワニスを、100nmの銅スパッタ膜が形成された8インチのシリコンウエハ上に塗布現像装置ACT-8(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコート法で塗布し、120℃で3分間のプリベークを行ない、イナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で表1の硬化温度まで昇温し、硬化温度で1時間加熱処理を行なった。得られた膜厚10μmの硬化膜を炭酸レーザー(波長1064nm)またはUVレーザーであるYAGレーザー(波長355nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、XeClエキシマレーザー(波長308nm)600mJ/cm2を用いてビアパターンを形成した。
(3) Pattern evaluation processing method (i)
The varnish was applied by spin coating onto an 8-inch silicon wafer on which a 100 nm copper sputtered film was formed using a coating and developing device ACT-8 (manufactured by Tokyo Electron Ltd.), and prebaked at 120°C for 3 minutes. Using an inert oven CLH-21CD-S (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.), the temperature was raised to the curing temperature shown in Table 1 at a rate of 3.5°C/min at an oxygen concentration of 20 ppm or less, and the temperature was maintained at the curing temperature for 1 hour. Heat treatment was performed. The obtained cured film with a thickness of 10 μm was heated using carbon dioxide laser (wavelength 1064 nm), YAG laser (wavelength 355 nm) which is UV laser, ArF excimer laser (wavelength 193 nm), KrF excimer laser (wavelength 248 nm), XeCl excimer laser (wavelength 308 nm). ) A via pattern was formed using 600 mJ/cm 2 .
加工法(ii)
ナフトキノンジアジド化合物などの感光剤が添加されているポジ型感光性樹脂組成物については、ワニスを、8インチのシリコンウエハ上に塗布現像装置ACT-8(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコート法で膜厚が10.5μm~12μmとなるように塗布し、120℃で3分間のプリベークを行なった。露光機i線ステッパーDSW-8000(GCA社製)に円形のビアパターンの切られたレチクルをセットし、1500mJ/cm2の露光量で露光した。露光後、ACT-8の現像装置を用いて、2.38質量%のテトラメチルアンモニウム水溶液(以下TMAH、多摩化学工業(株)製)を用いてパドル法で現像液の吐出時間10秒、パドル時間40秒の現像を2回繰り返し、その後純水でリンス後、振り切り乾燥し、膜厚10μmのパターンを得た。
Processing method (ii)
For positive photosensitive resin compositions containing a photosensitizer such as a naphthoquinone diazide compound, the varnish is coated onto an 8-inch silicon wafer and spun using a developing device ACT-8 (manufactured by Tokyo Electron Ltd.). It was applied by a coating method to a film thickness of 10.5 μm to 12 μm, and prebaked at 120° C. for 3 minutes. A reticle with a circular via pattern cut thereon was set in an exposure machine i-line stepper DSW-8000 (manufactured by GCA), and exposed at an exposure dose of 1500 mJ/cm 2 . After exposure, using the ACT-8 developing device, a 2.38% by mass tetramethylammonium aqueous solution (hereinafter referred to as TMAH, manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.) was discharged using the paddle method for 10 seconds. Development for 40 seconds was repeated twice, and then rinsed with pure water and shaken off to dry to obtain a pattern with a film thickness of 10 μm.
加工法(iii)
重合開始剤、光重合性化合物などの感光剤が添加されているネガ型感光性樹脂組成物については、ワニスを、8インチのシリコンウエハ上に塗布現像装置ACT-8(東京エレクトロン(株)製)を用いてスピンコート法で膜厚が10.5μm~12μmとなるように塗布し、120℃で3分間のプリベークを行なった。露光機i線ステッパーDSW-8000(GCA社製)に円形のビアパターンの切られたレチクルをセットし、1500mJ/cm2の露光量で露光した。露光後、ACT-8の現像装置を用いて、シクロペンタノンを用いてパドル法で現像液の吐出時間10秒、パドル時間40秒の現像を2回繰り返し、その後純水でリンス後、振り切り乾燥し、膜厚10μmのパターンを得た。
加工法(i)(ii)(iii)で得られたパターンを走査型電子顕微鏡(SEM、日立ハイテクノロジーズ社製S-3000N)を用い、倍率5000倍で観察し、残渣がなくビアパターンが解像している最小寸法を解像度とした。
Processing method (iii)
For negative photosensitive resin compositions containing photosensitive agents such as polymerization initiators and photopolymerizable compounds, the varnish is applied onto an 8-inch silicon wafer using a developing device ACT-8 (manufactured by Tokyo Electron Ltd.). ) was applied by spin coating to a film thickness of 10.5 μm to 12 μm, and prebaked at 120° C. for 3 minutes. A reticle with a circular via pattern cut thereon was set in an exposure machine i-line stepper DSW-8000 (manufactured by GCA), and exposed at an exposure dose of 1500 mJ/cm 2 . After exposure, using the ACT-8 developing device, repeat development twice using cyclopentanone using the paddle method with a developer discharge time of 10 seconds and a paddle time of 40 seconds, then rinse with pure water and shake off to dry. A pattern with a film thickness of 10 μm was obtained.
The patterns obtained by processing methods (i), (ii), and (iii) were observed using a scanning electron microscope (SEM, Hitachi High-Technologies S-3000N) at a magnification of 5000 times, and the via pattern was resolved without any residue. The minimum dimension of the image was defined as the resolution.
(4)再配線構造での信頼性評価(FO-WLPの類似構造評価)
支持基板である8インチのガラスウエハに仮貼り材料TP-300(東レ株式会社製)を形成した後、ワニスをスピンナ(ミカサ(株)製)を用いてスピンコート法で塗布し、次いでホットプレート(大日本スクリーン製造(株)製D-SPIN)を用いて120℃で3分ベークし、50μmのビアパターン開口を狙い、(3)パターン評価と同様の手法で加工することで、厚み10μmの樹脂硬化膜(1層目の硬化膜)が形成された基板を得た。その後、スパッタ装置(日電アネルバ社製SPL-500)内にチタンのターゲットを設置し、基板をサンプルホルダーに設置した。アルゴンガスに酸素を混入させて(ガス流量:アルゴン20sccm/酸素3sccm)、膜厚が100nmになるようにスパッタし、チタン層を形成した。さらに同様の装置を用い、銅のターゲットにより、膜厚が100nmになるように、銅層を形成した。その後、TMMR P-W1000(東京応化株式会社製)のレジストを塗布し、20μmのL/Sパターン形成を行った後、層厚が4μmとなるように、電解銅めっきを行い、剥離液ST-120(東京応化株式会社製)でレジストを剥離し、エッチング液WLC-C2、WLC-T(三菱ガス化学株式会社製)をそれぞれ用いて銅エッチング、Tiエッチングを行うことで、膜厚4μmで10μmL/S(1層目の再配線の銅パターン(1層目の再配線)を形成した。
(4) Reliability evaluation in rewiring structure (FO-WLP similar structure evaluation)
After forming a temporary bonding material TP-300 (manufactured by Toray Industries, Inc.) on an 8-inch glass wafer as a supporting substrate, varnish was applied by spin coating using a spinner (manufactured by Mikasa Corporation), and then a hot plate was applied. (D-SPIN manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) at 120°C for 3 minutes, aiming for a via pattern opening of 50 μm, and processing using the same method as in (3) pattern evaluation to obtain a 10 μm thick A substrate on which a resin cured film (first layer cured film) was formed was obtained. Thereafter, a titanium target was placed in a sputtering device (SPL-500 manufactured by Nichiden Anelva), and the substrate was placed in a sample holder. A titanium layer was formed by mixing oxygen into argon gas (gas flow rate: 20 sccm of argon/3 sccm of oxygen) and sputtering to a film thickness of 100 nm. Furthermore, using the same apparatus, a copper layer was formed with a copper target to a thickness of 100 nm. After that, a resist of TMMR P-W1000 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was applied, a 20 μm L/S pattern was formed, and electrolytic copper plating was performed so that the layer thickness was 4 μm. 120 (manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.), and copper etching and Ti etching were performed using etching solutions WLC-C2 and WLC-T (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), respectively, to form a film of 10 μmL with a film thickness of 4 μm. /S (A copper pattern for first layer rewiring (first layer rewiring) was formed.
この基板上に、20μmのビアパターン開口を狙う以外は、上記と同様に加工を行い、厚み10μmの樹脂硬化膜(2層目の硬化膜)を形成した。さらに、上記と同様の装置、レジスト、剥離液、エッチング液を用いて10μmL/Sの銅パターン(2層目の再配線)を形成した。 On this substrate, a cured resin film (second layer cured film) with a thickness of 10 μm was formed by processing in the same manner as described above except for aiming at a via pattern opening of 20 μm. Furthermore, a 10 μmL/S copper pattern (second layer rewiring) was formed using the same apparatus, resist, stripping solution, and etching solution as described above.
この基板上に、5μmのビアパターン開口を狙う以外は、上記と同様に加工を行い、厚み10μmの樹脂硬化膜(3層目の硬化膜)を形成した。さらに、上記と同様の装置、レジスト、剥離液、エッチング液を用いて2μmL/Sの銅パターン(3層目の再配線)を形成した。 A cured resin film (third layer cured film) having a thickness of 10 μm was formed on this substrate by processing in the same manner as described above except for aiming at a via pattern opening of 5 μm. Furthermore, a 2 μmL/S copper pattern (third layer rewiring) was formed using the same apparatus, resist, stripping solution, and etching solution as described above.
上記に厚み100μm、サイズ10mm*10mmのシリコンチップを配置し、封止樹脂を形成した後、ガラス基板を剥離し、FO-WLPの類似構造基板を得た。 A silicon chip with a thickness of 100 μm and a size of 10 mm*10 mm was placed above, and after forming a sealing resin, the glass substrate was peeled off to obtain a substrate with a similar structure to FO-WLP.
この基板を、TC装置を用いて、150℃で15分間を1サイクルとして500サイクル処理(以下-60℃⇔150℃)を行った。処理した基板をそれぞれイオンミリング装置(日立ハイテクノロジー(株)製IM4000)で断面切断を行い、走査型電子顕微鏡(SEM、日立ハイテクノロジーズ社製S-3000N)で断面観察した。各層において、硬化膜のビアパターン開口ができており、かつクラックがなく、硬化膜と銅配線の剥離、銅配線の凝集剥離(銅層と酸化銅層の剥離)がない層を合格とし、すべての層で合格したものをきわめて良好(A)、2層合格したものをより良好(B)とし、1層合格したものを良好(C)とし、硬化膜と銅配線の剥離、銅配線の凝集剥離(銅層と酸化銅層の剥離)が発生するが硬化膜のビアパターン開口ができておりかつクラックがない層を有するものを可(D)すべての層で不合格のものを不可(E)とした。 This substrate was subjected to 500 cycles of treatment (hereinafter referred to as -60°C⇔150°C) using a TC apparatus, with each cycle consisting of 15 minutes at 150°C. Each of the treated substrates was cut in cross section using an ion milling device (IM4000, manufactured by Hitachi High Technologies, Ltd.), and the cross section was observed using a scanning electron microscope (SEM, S-3000N, manufactured by Hitachi High Technologies, Ltd.). In each layer, a layer with a via pattern opening in the cured film, no cracks, no peeling of the cured film and copper wiring, and no cohesive peeling of copper wiring (peeling of the copper layer and copper oxide layer) is considered to be a pass. Those that passed the test for the first layer were evaluated as very good (A), those that passed the second layer were evaluated as better (B), and those that passed the first layer were evaluated as good (C). Applicable is a layer in which peeling (separation of the copper layer and copper oxide layer) occurs, but the cured film has via pattern openings and no cracks (D) is not acceptable (E) is a layer that fails in all layers. ).
(合成例1)
(A-0)の合成
乾燥窒素気流下、p-フェニレンジアミン(10.81g、0.1モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次にピロメリット酸二無水物(21.81g、0.10モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、その後、ピリジン(0.79g、0.01モル)を添加し、60℃で2時間攪拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-0)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は10%、エステル化率は0%であった。重量平均分子量は62,300、PDIは2.3であった。
(Synthesis example 1)
Synthesis of (A-0) Under a stream of dry nitrogen, p-phenylenediamine (10.81 g, 0.1 mol) was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) in 400 g of NMP, and then pyromellitic dianhydride was dissolved. (21.81 g, 0.10 mol) was added and reacted at 40° C. for 2 hours. Thereafter, pyridine (0.79 g, 0.01 mol) was added and stirred at 60° C. for 2 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-0). The resin thus obtained had an imidization rate of 10% and an esterification rate of 0%. The weight average molecular weight was 62,300, and the PDI was 2.3.
(合成例2)
(A-1)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(19.6g、0.098モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA)(0.50g、0.002モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)を400gに溶解し、次に4,4’-オキシジフタル酸二無水物(31.0g、0.1モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、ピリジン(0.79g、0.01モル)を添加し、80℃で2時間攪拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体のポリマー(A-1)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は18%、エステル化率は0%であった。重量平均分子量は50,600、PDIは2.2であった。
(Synthesis example 2)
Synthesis of (A-1) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (19.6 g, 0.098 mol), 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane ( SiDA) (0.50 g, 0.002 mol) was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and then 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (31.0 g, 0.1 mol) was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). ) was added and reacted at 40°C for 2 hours. Then, pyridine (0.79 g, 0.01 mol) was added and stirred at 80° C. for 2 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor polymer (A-1). The resin thus obtained had an imidization rate of 18% and an esterification rate of 0%. The weight average molecular weight was 50,600, and the PDI was 2.2.
(合成例3)
(A-1-2)の合成
(A-1)と同様、乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(19.6g、0.098モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA)(0.50g、0.002モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)を400gに溶解し、次に4,4’-オキシジフタル酸二無水物(31.0g、0.1モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、ピリジン(0.79g、0.01モル)を添加し、80℃で2時間攪拌し、40℃に降温後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(7.1g、0.005モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、40℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体のポリマー(A-1-1)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は18%、エステル化率は10%であった。重量平均分子量は50,900、PDIは2.1であった。
(Synthesis example 3)
Synthesis of (A-1-2) Similar to (A-1), under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (19.6 g, 0.098 mol), 1,3-bis( 3-Aminopropyl)tetramethyldisiloxane (SiDA) (0.50 g, 0.002 mol) was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), then 4,4'-oxydiphthalic dianhydride. (31.0 g, 0.1 mol) was added and reacted at 40°C for 2 hours. Then, pyridine (0.79 g, 0.01 mol) was added, stirred at 80°C for 2 hours, cooled to 40°C, and N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (7.1 g, 0.005 mol) was added. A solution diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 40°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor polymer (A-1-1). The resin thus obtained had an imidization rate of 18% and an esterification rate of 10%. The weight average molecular weight was 50,900, and the PDI was 2.1.
(合成例4)
(A-2)の合成
4,4’-オキシジフタル酸二無水物(155.1g、0.5モル)を2l容量のセパラブルフラスコに入れ、2-ヒドロキシエチルメタクリレート125gとγ―ブチロラクトン400mlを入れて室温下で攪拌し、攪拌しながらピリジン81.5gを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、16時間放置した。
(Synthesis example 4)
Synthesis of (A-2) 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (155.1 g, 0.5 mol) was placed in a 2-liter separable flask, and 125 g of 2-hydroxyethyl methacrylate and 400 ml of γ-butyrolactone were added. The mixture was stirred at room temperature, and 81.5 g of pyridine was added while stirring to obtain a reaction mixture. After the exotherm due to the reaction was completed, the mixture was allowed to cool to room temperature and left for 16 hours.
次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド206.3gをγ-ブチロラクトン180mlに溶解した溶液を攪拌しながら40分かけて反応混合物に加え、続いて4,4’-ジアミノジフェニルエーテル(95.0g、0.48モル)をγ-ブチロラクトン350mlに懸濁したものを攪拌しながら60分かけて加えた。更に室温で2時間攪拌した後、エチルアルコール30mlを加えて1時間攪拌し、次に、γ-ブチロラクトン400mlを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。得られた反応液を3Lのエチルアルコールに加えて粗ポリマーから成る沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン1.5Lに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を28Lの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥してポリイミド前駆体(A-2)の粉末を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は14%、2-エチルメタクリレート基によるエステル化率は86%であった。重量平均分子量は38,600、PDIは2.1であった。 Next, under ice-cooling, a solution of 206.3 g of dicyclohexylcarbodiimide dissolved in 180 ml of γ-butyrolactone was added to the reaction mixture over 40 minutes with stirring, followed by 4,4'-diaminodiphenyl ether (95.0 g, A suspension of .48 mol) in 350 ml of γ-butyrolactone was added over 60 minutes with stirring. After further stirring at room temperature for 2 hours, 30 ml of ethyl alcohol was added and stirred for 1 hour, and then 400 ml of γ-butyrolactone was added. A precipitate formed in the reaction mixture was removed by filtration to obtain a reaction solution. The resulting reaction solution was added to 3 L of ethyl alcohol to produce a precipitate consisting of a crude polymer. The produced crude polymer was filtered and dissolved in 1.5 L of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution. The resulting crude polymer solution was dropped into 28 L of water to precipitate the polymer, and the resulting precipitate was filtered off and vacuum dried to obtain a powder of polyimide precursor (A-2). The imidization rate of the resin thus obtained was 14%, and the esterification rate with 2-ethyl methacrylate groups was 86%. The weight average molecular weight was 38,600, and the PDI was 2.1.
(合成例5)
(A-3)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(19.6g、0.098モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA)(0.50g、0.002モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次に4,4’-オキシジフタル酸二無水物(31.0g、0.1モル)を加え、40℃で2時間反応させた。
その後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(35.8g、0.03モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、40℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-3)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は40%、メチル基によるエステル化率は50%であった。重量平均分子量は70,300、PDIは2.2であった。
(Synthesis example 5)
Synthesis of (A-3) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (19.6 g, 0.098 mol), 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane ( N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) (SiDA) (0.50 g, 0.002 mol) was dissolved in 400 g of NMP, and then 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (31.0 g, 0.1 mol) was dissolved in 400 g of NMP. ) was added and reacted at 40°C for 2 hours.
Thereafter, a solution of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (35.8 g, 0.03 mol) diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 40°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-3). The imidization rate of the resin thus obtained was 40%, and the esterification rate by methyl groups was 50%. The weight average molecular weight was 70,300, and the PDI was 2.2.
(合成例6)
(A-4)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(19.6g、0.098モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA)(0.50g、0.002モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次に4,4’-オキシジフタル酸二無水物(31.0g、0.1モル)を加え、40℃で2時間反応させた。
その後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(35.8g、0.03モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、60℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-4)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は80%、メチル基によるエステル化率は15%であった。重量平均分子量は72,300、PDIは2.1であった。
(Synthesis example 6)
Synthesis of (A-4) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (19.6 g, 0.098 mol), 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane ( N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) (SiDA) (0.50 g, 0.002 mol) was dissolved in 400 g of NMP, and then 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (31.0 g, 0.1 mol) was dissolved in 400 g of NMP. ) was added and reacted at 40°C for 2 hours.
Thereafter, a solution of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (35.8 g, 0.03 mol) diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 60°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-4). The imidization rate of the resin thus obtained was 80%, and the esterification rate by methyl groups was 15%. The weight average molecular weight was 72,300, and the PDI was 2.1.
(合成例7)
(A-5)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(20.0g、0.10モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次に4,4’-オキシジフタル酸二無水物(31.0g、0.1モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(23.8g、0.02モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、60℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-5)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は14%、メチル基によるエステル化率は60%であった。重量平均分子量は98,300、PDIは2.3であった。
(Synthesis example 7)
Synthesis of (A-5) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (20.0 g, 0.10 mol) and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) were dissolved in 400 g of NMP. Next, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (31.0 g, 0.1 mol) was added and reacted at 40° C. for 2 hours. Thereafter, a solution of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (23.8 g, 0.02 mol) diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 60°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-5). The imidization rate of the resin thus obtained was 14%, and the esterification rate by methyl groups was 60%. The weight average molecular weight was 98,300, and the PDI was 2.3.
(合成例8)
(A-6)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(3.0g、0.015モル)、p-フェニレンジアミン(9.19g、0.085モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次に3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(29.42g、0.10モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(23.8g、0.02モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、60℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-5)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は18%、メチル基によるエステル化率は70%であった。重量平均分子量は98,300、PDIは2.3であった。
(Synthesis example 8)
Synthesis of (A-6) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (3.0 g, 0.015 mol) and p-phenylenediamine (9.19 g, 0.085 mol) were -Methyl-2-pyrrolidone (NMP) was dissolved in 400 g of NMP, then 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (29.42 g, 0.10 mol) was added and the mixture was heated at 40°C. The reaction was allowed to proceed for 2 hours. Thereafter, a solution of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (23.8 g, 0.02 mol) diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 60°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-5). The imidization rate of the thus obtained resin was 18%, and the esterification rate by methyl groups was 70%. The weight average molecular weight was 98,300, and the PDI was 2.3.
(合成例9)
(A-7)の合成
窒素気流下、250mlの三頸フラスコ中にイミダゾール27.2g(0.4モル)を入れ、塩化メチレン100gを入れて室温で攪拌した。これを-5℃以下に冷却し、4,4’-ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド29.5g(0.1モル)を100gの塩化メチレンに分散させた液体を、反応溶液の温度が0℃を越えないようにして1時間かけて滴下した。滴下後、室温にて反応溶液をさらに3時間攪拌し、反応中に生じた沈殿物を濾過した。濾過した沈殿物を純水で数回洗浄し、50℃の真空オーブンで100時間乾燥して、酸Aを得た。
(Synthesis example 9)
Synthesis of (A-7) Under a nitrogen stream, 27.2 g (0.4 mol) of imidazole was placed in a 250 ml three-necked flask, and 100 g of methylene chloride was added thereto, followed by stirring at room temperature. This was cooled to below -5°C, and a liquid obtained by dispersing 29.5 g (0.1 mol) of 4,4'-diphenyletherdicarboxylic acid dichloride in 100 g of methylene chloride was added to the reaction solution so that the temperature did not exceed 0°C. The mixture was added dropwise in this manner over an hour. After the dropwise addition, the reaction solution was further stirred at room temperature for 3 hours, and the precipitate generated during the reaction was filtered. The filtered precipitate was washed several times with pure water and dried in a vacuum oven at 50°C for 100 hours to obtain acid A.
乾燥窒素気流下、BAHF(14.6g、0.040モル)、RT-1000(7.5g、0.0075モル)をNMP100gに溶解させた。ここに、酸A(6.76g、0.023モル)をNMP10gとともに加えて、85℃で3時間反応させた。その後、BAHF(1.0g、0.0025モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(0.62g、0.0025モル)、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸(0.82g、0.005モル)をNMP5gとともに加え85℃で1時間反応させた後、4,4’-オキシジフタル酸無水物(6.93g、0.023モル)をNMP5gとともに加え85℃で1時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、酢酸(13.20g、0.25モル)をNMP25gとともに加えて、室温で1時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水1.5Lに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で3回洗浄した後、50℃の通風乾燥機で3日間乾燥し、(A-7)の粉末を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は82%、エステル化率は0%であった。重量平均分子量は35,300、PDIは1.9であった。 Under a stream of dry nitrogen, BAHF (14.6 g, 0.040 mol) and RT-1000 (7.5 g, 0.0075 mol) were dissolved in 100 g of NMP. Acid A (6.76 g, 0.023 mol) was added thereto together with 10 g of NMP, and the mixture was reacted at 85° C. for 3 hours. Then, BAHF (1.0 g, 0.0025 mol), 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane (0.62 g, 0.0025 mol), 5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid (0.82 g, 0.005 mol) was added together with 5 g of NMP and reacted at 85°C for 1 hour, and then 4,4'-oxydiphthalic anhydride (6.93 g, 0.023 mol) was added together with 5 g of NMP at 85°C. The reaction was allowed to proceed for 1 hour. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, acetic acid (13.20 g, 0.25 mol) was added together with 25 g of NMP, and the mixture was stirred at room temperature for 1 hour. After the stirring was completed, the solution was poured into 1.5 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a ventilation dryer at 50°C for three days to obtain powder (A-7). The resin thus obtained had an imidization rate of 82% and an esterification rate of 0%. The weight average molecular weight was 35,300, and the PDI was 1.9.
(合成例10)
(A-8)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(19.6g、0.098モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA)(0.50g、0.002モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)を400gに溶解し、次に4,4’-オキシジフタル酸二無水物(31.0g、0.1モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、80℃で2時間攪拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体のポリマー(A-8)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は4%、エステル化率は0%であった。重量平均分子量は40,600、PDIは2.1であった。
(Synthesis example 10)
Synthesis of (A-8) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (19.6 g, 0.098 mol), 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane ( SiDA) (0.50 g, 0.002 mol) was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and then 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (31.0 g, 0.1 mol) was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). ) was added and reacted at 40°C for 2 hours. Thereafter, the mixture was stirred at 80°C for 2 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor polymer (A-8). The resin thus obtained had an imidization rate of 4% and an esterification rate of 0%. The weight average molecular weight was 40,600, and the PDI was 2.1.
(合成例11)
(A-9)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(19.6g、0.098モル)、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン(SiDA)(0.50g、0.002モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)を400gに溶解し、次に4,4’-オキシジフタル酸二無水物(31.0g、0.1モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、その後、ピリジン(0.79g、0.01モル)を添加し、180℃で2時間攪拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体のポリマー(A-9)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は90%、エステル化率は0%であった。重量平均分子量は60,600、PDIは2.1であった。
(Synthesis example 11)
Synthesis of (A-9) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (19.6 g, 0.098 mol), 1,3-bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane ( SiDA) (0.50 g, 0.002 mol) was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), and then 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (31.0 g, 0.1 mol) was dissolved in 400 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP). ) was added and reacted at 40°C for 2 hours. Thereafter, pyridine (0.79 g, 0.01 mol) was added and stirred at 180° C. for 2 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor polymer (A-9). The resin thus obtained had an imidization rate of 90% and an esterification rate of 0%. The weight average molecular weight was 60,600, and the PDI was 2.1.
(合成例12)
(A-10)の合成
乾燥窒素気流下、p-フェニレンジアミン(10.81g、0.1モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次にピロメリット酸二無水物(21.81g、0.10モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、80℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-10)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は3%、エステル化率は0%であった。重量平均分子量は52,300、PDIは2.3であった。
以下、実施例と比較例に用いた各成分を下記に示す。
(Synthesis example 12)
Synthesis of (A-10) Under a stream of dry nitrogen, p-phenylenediamine (10.81 g, 0.1 mol) and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) were dissolved in 400 g of NMP, and then pyromellitic dianhydride was dissolved. (21.81 g, 0.10 mol) was added and reacted at 40° C. for 2 hours. Thereafter, the mixture was stirred at 80°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-10). The resin thus obtained had an imidization rate of 3% and an esterification rate of 0%. The weight average molecular weight was 52,300, and the PDI was 2.3.
Each component used in Examples and Comparative Examples is shown below.
(合成例13)
(A-13)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(3.0g、0.015モル)、4,4’-ジアミノジシクロヘキシルメタン15.15g(17.88g、0.085モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次にピロメリット酸二無水物(21.81g、0.10モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(23.8g、0.02モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、60℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-13)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は19%、メチル基によるエステル化率は51%であった。重量平均分子量は68,300、PDIは2.3であった。
(Synthesis example 13)
Synthesis of (A-13) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (3.0 g, 0.015 mol), 4,4'-diaminodicyclohexylmethane 15.15 g (17.88 g, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was dissolved in 400 g of NMP, and then pyromellitic dianhydride (21.81 g, 0.10 mol) was added and reacted at 40°C for 2 hours. Ta. Thereafter, a solution of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (23.8 g, 0.02 mol) diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 60°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-13). The imidization rate of the thus obtained resin was 19%, and the esterification rate by methyl groups was 51%. The weight average molecular weight was 68,300, and the PDI was 2.3.
(合成例14)
(A-14)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(3.0g、0.015モル)、4,4’-ジアミノジシクロヘキシルメタン(17.88g、0.085モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次に3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(29.42g、0.10モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(23.8g、0.02モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、60℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-14)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は20%、メチル基によるエステル化率は55%であった。重量平均分子量は88,300、PDIは2.3であった。
(Synthesis example 14)
Synthesis of (A-14) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (3.0 g, 0.015 mol), 4,4'-diaminodicyclohexylmethane (17.88 g, 0.085 mol) N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was dissolved in 400 g of NMP, and then 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (29.42 g, 0.10 mol) was added. , and reacted at 40°C for 2 hours. Thereafter, a solution of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (23.8 g, 0.02 mol) diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 60°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-14). The imidization rate of the resin thus obtained was 20%, and the esterification rate by methyl groups was 55%. The weight average molecular weight was 88,300, and the PDI was 2.3.
(合成例15)
(A-15)の合成
乾燥窒素気流下、4,4’-ジアミノフェニルエーテル(DAE)(6.0g、0.03モル)、4,4’-ジアミノジシクロヘキシルメタン(14.72g、0.07モル)をN-メチル-2-ピロリドン(NMP)をNMP400gに溶解し、次に3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(29.42g、0.10モル)を加え、40℃で2時間反応させた。その後、N、N-ジメチルホルムアミドジメチルアセタール(23.8g、0.02モル)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、60℃で3時間撹拌した。反応終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。ポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥しポリイミド前駆体(A-14)を得た。このようにして得られた樹脂のイミド化率は38%、メチル基によるエステル化率は45%であった。重量平均分子量は91,200、PDIは2.3であった。
(B-1)N-メチルピロリドン
(C-1)ピリジン (pH=8.5)
(C-2)イミダゾール (pH=9.8)
(C-3)トリエチルアミン(pH=12.3)
(C-4)2-エチル-4メチルイミダゾール(pH=10.5)
(E-1):ポリフロー77(共栄社化学株式会社製)
[実施例1~21、比較例1]
(a)樹脂として、上記樹脂(A-0)~(A-6)、(A-13)~(A-15)10g、(B-1)20g、(c)成分0.1g、(d)成分3.0g、(e)成分0.01g、を表1に示した組成にて配合し、ワニスを作製した。
(Synthesis example 15)
Synthesis of (A-15) Under a stream of dry nitrogen, 4,4'-diaminophenyl ether (DAE) (6.0 g, 0.03 mol), 4,4'-diaminodicyclohexylmethane (14.72 g, 0.07 mol) N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was dissolved in 400 g of NMP, and then 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (29.42 g, 0.10 mol) was added. , and reacted at 40°C for 2 hours. Thereafter, a solution of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (23.8 g, 0.02 mol) diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, the mixture was stirred at 60°C for 3 hours. After the reaction was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. The polymer solid was dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (A-14). The imidization rate of the resin thus obtained was 38%, and the esterification rate by methyl groups was 45%. The weight average molecular weight was 91,200, and the PDI was 2.3.
(B-1) N-methylpyrrolidone (C-1) pyridine (pH=8.5)
(C-2) Imidazole (pH=9.8)
(C-3) Triethylamine (pH=12.3)
(C-4) 2-ethyl-4methylimidazole (pH=10.5)
(E-1): Polyflow 77 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
[Examples 1 to 21, Comparative Example 1]
(a) As the resin, the above resins (A-0) to (A-6), (A-13) to (A-15) 10 g, (B-1) 20 g, (c) component 0.1 g, (d A varnish was prepared by blending 3.0 g of component () and 0.01 g of component (e) in the composition shown in Table 1.
[比較例2]
(a)樹脂として、上記樹脂(A-2)10g、(B-1)20g、感光剤として(f-1)2.0g、(f-2)2.0gと酸化防止剤(f-3)0.1gを配合し、ネガ型感光性樹脂組成物のワニスを作製した。
[Comparative example 2]
(a) As resin, 10 g of the above resin (A-2), 20 g of (B-1), 2.0 g of photosensitizer (f-1), 2.0 g of (f-2), and antioxidant (f-3). )0.1g was blended to prepare a varnish of a negative photosensitive resin composition.
[比較例3]
上記樹脂(A-7)10g、(B-1)20g、(d)成分3.0g、ナフトキノンジアジド系感光剤として(f-4)2.0g、酸化防止剤(f-3)0.1gを配合し、ポジ型感光性樹脂組成物のワニスを作製した。
[Comparative example 3]
10 g of the above resin (A-7), 20 g of (B-1), 3.0 g of component (d), 2.0 g of naphthoquinone diazide photosensitizer (f-4), 0.1 g of antioxidant (f-3) A varnish of a positive photosensitive resin composition was prepared by blending the following.
[比較例4~6]
上記樹脂(A-7)~(A-10)10g、(B-1)20g、(c)成分0.1g、(d)成分3.0g、(e)成分0.01g、を配合し、ワニスを作製した。
[Comparative Examples 4 to 6]
Blending 10 g of the above resins (A-7) to (A-10), 20 g of (B-1), 0.1 g of component (c), 3.0 g of component (d), and 0.01 g of component (e), Varnish was made.
[比較例7]
ビスフェノール型エポキシ樹脂ZX1059(新日鐵化学(株)製)20g、キシレン構造含有ノボラック型エポキシ樹脂YX7700(三菱化学(株)製)20g、フェノキシ樹脂YL7553BH30(三菱化学(株)製)3gを混合した樹脂を(A-11)とし、(B-1)20g、(C-1)0.1g、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤LA-7054(DIC(株)製)6部、ナフタレン型硬化剤SN-485(新日鐵化学(株)製)6g、難燃剤HCA-HQ(三光(株)製「HCA-HQ」2g、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業(株)製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカSOC1((株)アドマテックス製「SOC1」)110部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、ワニスを作製した。
[比較例8]
上記樹脂(A-10)5gと、ポリテトラフルオロエチレン樹脂粉末KTL-8N(A-12)((株)喜多村製)5g、(B-1)20g、(c)成分0.1gを表1に示した組成にて配合し、ワニスを得た。
[Comparative Example 7]
20 g of bisphenol type epoxy resin ZX1059 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), 20 g of novolak type epoxy resin containing a xylene structure YX7700 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and 3 g of phenoxy resin YL7553BH30 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) were mixed. The resin is (A-11), (B-1) 20 g, (C-1) 0.1 g, triazine skeleton-containing phenolic curing agent LA-7054 (manufactured by DIC Corporation) 6 parts, naphthalene type curing agent SN -485 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) 6 g, flame retardant HCA-HQ (manufactured by Sanko Co., Ltd. "HCA-HQ" 2 g, phenylaminosilane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM573") ) and 110 parts of spherical silica SOC1 ("SOC1" manufactured by Admatex Co., Ltd.) were mixed and uniformly dispersed with a high-speed rotating mixer to prepare a varnish.
[Comparative example 8]
5 g of the above resin (A-10), 5 g of polytetrafluoroethylene resin powder KTL-8N (A-12) (manufactured by Kitamura Co., Ltd.), 20 g of (B-1), and 0.1 g of component (c) were added in Table 1. A varnish was obtained by blending the composition shown in .
各実施例、比較例で得られた樹脂組成物の組成と硬化温度を表1に示す。 Table 1 shows the composition and curing temperature of the resin compositions obtained in each Example and Comparative Example.
各実施例、比較例で得られた樹脂組成物の特性結果、加工法について表2に示す。 Table 2 shows the characteristics and processing methods of the resin compositions obtained in each Example and Comparative Example.
実施例1~21と比較例1~8を比べると、実施例1~21はイミド化率5%以上90%未満であり、かつUVレーザーを用いることで、解像度と信頼性評価の結果が向上している。 Comparing Examples 1 to 21 and Comparative Examples 1 to 8, Examples 1 to 21 have an imidization rate of 5% or more and less than 90%, and the resolution and reliability evaluation results are improved by using a UV laser. are doing.
実施例2~21と実施例1を比べると、実施例2~21は前記樹脂組成物を硬化した硬化膜の引っ張り伸度が50%以上、引っ張り強度が150~450MPaであり、かつUVレーザーを用いることで、解像度と信頼性評価の両方の結果が向上している。 Comparing Examples 2 to 21 and Example 1, in Examples 2 to 21, the tensile elongation of the cured film obtained by curing the resin composition was 50% or more, the tensile strength was 150 to 450 MPa, and the UV laser was not applied. By using this method, both resolution and reliability evaluation results are improved.
実施例3~6と実施例1、2を比べると、実施例3~6は(c)塩基性添加剤を含有しており、解像度と信頼性評価の結果が向上している。 Comparing Examples 3 to 6 with Examples 1 and 2, Examples 3 to 6 contain (c) a basic additive, and the resolution and reliability evaluation results are improved.
実施例7~13、19~21と実施例1~6を比べると、実施例7~13、19~21は、(a)樹脂が、カルボン酸残基を含み、前記カルボン酸残基のエステル化率が10%以上90%未満であり、解像度の結果が向上している。 Comparing Examples 7 to 13, 19 to 21 and Examples 1 to 6, it is found that in Examples 7 to 13, 19 to 21, (a) the resin contains a carboxylic acid residue, and the resin contains an ester of the carboxylic acid residue. The conversion rate is 10% or more and less than 90%, and the resolution result is improved.
実施例8~13、19~21と実施例7を比べると、実施例8~13、19~21は、(a)樹脂におけるカルボン酸残基のエステル化した置換基が分子量100以下のアルキル基または/およびアルキルエーテル基であり、解像度の結果が向上している。 Comparing Examples 8 to 13, 19 to 21 and Example 7, in Examples 8 to 13 and 19 to 21, (a) the esterified substituent of the carboxylic acid residue in the resin is an alkyl group with a molecular weight of 100 or less or/and alkyl ether groups, resulting in improved resolution.
実施例8~9、13、21と実施例10~12を比べると、実施例8~9、13は、前記一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基およびカルボン酸残基を合わせた残基の割合が10~99モル%であり、解像度の結果が向上している。 Comparing Examples 8 to 9, 13, and 21 with Examples 10 to 12, Examples 8 to 9, and 13 have diamine residues and carboxylic acid residues containing the structure represented by the general formula (1). The combined ratio of residues is 10 to 99 mol%, and the resolution results are improved.
実施例19、20と実施例11を比べると、実施例20、21は、前記(a)樹脂が、脂環式ジアミン残基を有し、かつ、2個以上のベンゼン環が単結合で結合されたカルボン酸残基構造を有し、脂環ジアミン残基は、一般式(2)、一般式(3)、および一般式(4)からなる群から選ばれる1つ以上の構造を有するものであり、強度と解像度の結果が向上している。 Comparing Examples 19 and 20 and Example 11, in Examples 20 and 21, the resin (a) has an alicyclic diamine residue, and two or more benzene rings are bonded by a single bond. The alicyclic diamine residue has one or more structures selected from the group consisting of general formula (2), general formula (3), and general formula (4). , with improved strength and resolution results.
実施例5~6と実施例3~4を比較すると、実施例5~6は前記(c)塩基性添加剤がpH9.5~11.5の添加剤であり、解像度の結果が向上している。 Comparing Examples 5 to 6 and Examples 3 to 4, in Examples 5 to 6, the basic additive (c) was an additive with a pH of 9.5 to 11.5, and the resolution results were improved. There is.
実施例5と、実施例1~4を比べると、実施例5は、前記(c)塩基性添加剤が2以上の置換基を有するイミダゾール誘導体であり、解像度の結果が向上している。 Comparing Example 5 with Examples 1 to 4, in Example 5, the basic additive (c) is an imidazole derivative having two or more substituents, and the resolution results are improved.
実施例13と実施例8~12を比べると、実施例13は、イミド化率20%以上70%未満のポリイミド前駆体構造を有する樹脂であり、伸度、強度が向上しており、解像度と信頼性評価の両方の結果が向上している。 Comparing Example 13 with Examples 8 to 12, Example 13 is a resin having a polyimide precursor structure with an imidization rate of 20% or more and less than 70%, has improved elongation and strength, and has improved resolution and Both reliability evaluation results have been improved.
実施例14~15と、実施例13を比べると、実施例14~15は(d)架橋剤を含有し、解像度の結果が向上している。 Comparing Examples 14 to 15 with Example 13, Examples 14 to 15 contain (d) a crosslinking agent and have improved resolution results.
実施例15と、実施例14を比べると、実施例15は(e)界面活性剤を含有し、解像度の結果が向上している。 Comparing Example 15 and Example 14, Example 15 contains (e) a surfactant and has improved resolution results.
実施例11、実施例16~18と、実施例18を比べると、実施例11、実施例16~18は、UVレーザーがエキシマレーザーであり、解像度の結果が向上している。 Comparing Example 11, Examples 16 to 18, and Example 18, in Example 11 and Examples 16 to 18, the UV laser is an excimer laser, and the resolution results are improved.
実施例11と実施例16~18を比較すると、実施例11は、前記UVレーザーがKrFのエキシマレーザーであり、解像度の結果が向上している。 Comparing Example 11 with Examples 16 to 18, in Example 11, the UV laser is a KrF excimer laser, and the resolution results are improved.
実施例11と実施例12を比べると、実施例11は、180℃以下で加熱処理する工程と、UVレーザーによってアブレーション加工する工程を含み、解像度が向上している。 Comparing Example 11 and Example 12, Example 11 includes a step of heat treatment at 180° C. or lower and a step of ablation processing with a UV laser, and has improved resolution.
(D-1)、(f-1)、(f-2)、(f-3)、(f-4)は、下記化学式にそれぞれ示す化合物である。 (D-1), (f-1), (f-2), (f-3), and (f-4) are compounds shown in the following chemical formulas, respectively.
1 シリコンウエハ
2 Alパッド
3 パッシベーション膜
4 絶縁膜
5 金属(Cr、Ti等)膜
6 金属配線(Al、Cu等)
7 絶縁膜
8 バリアメタル
9 スクライブライン
10 ハンダバンプ
11 封止樹脂
12 基板
13 絶縁膜
14 絶縁膜
15 金属(Cr、Ti等)膜
16 金属配線(Ag、Cu等)
17 金属配線(Ag、Cu等)
18 電極
19 封止樹脂
20 支持基板(ガラス基板、シリコンウェハ)
21 電極バッド(Cu)
22 絶縁膜
23 金属配線(Cu)
24 Cuポスト
25 ハンダバンプ
26 半導体チップ
27 TFT(薄膜トランジスタ)
28 配線
29 TFT絶縁層
30 平坦化層
31 ITO(透明電極)
32 基板
33 コンタクトホール
34 絶縁層
1
7 Insulating
17 Metal wiring (Ag, Cu, etc.)
18
21 Electrode pad (Cu)
22 Insulating
24 Cu post 25
28
32
Claims (21)
前記(a)樹脂が、イミド化率5%以上90%未満のポリイミド前駆体構造を有する樹脂であり、かつ
前記(a)樹脂が、一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基を含み、かつ
前記(a)樹脂に含まれる全カルボン酸残基と全アミン残基を合わせたもの全体を100モル%として、一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基およびカルボン酸残基を合わせた残基の割合が10~99モル%であり、かつ
前記一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基が、ビス(3,3,4’-ジアミノジフェニルエーテル残基、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル残基、ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}エーテル残基、および1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン残基のいずれかである、UVレーザーを用いたアブレーション加工用の樹脂組成物。
The resin (a) is a resin having a polyimide precursor structure with an imidization rate of 5% or more and less than 90%, and the resin (a) is a diamine residue containing a structure represented by general formula (1). a diamine residue containing a structure represented by general formula (1), with the total of all carboxylic acid residues and all amine residues contained in the resin (a) being 100 mol%; The proportion of residues including carboxylic acid residues is 10 to 99 mol%, and the diamine residue containing the structure represented by the general formula (1) is bis(3,3,4'- Any of diaminodiphenyl ether residue, 4,4'-diaminodiphenyl ether residue, bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}ether residue, and 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene residue A resin composition for ablation processing using a UV laser.
前記(a)樹脂が、イミド化率5%以上90%未満のポリイミド前駆体構造を有する樹脂であり、かつ
前記(a)樹脂に含まれる全カルボン酸残基と全アミン残基を合わせたもの全体を100モル%として、一般式(1)で表される構造を含有するジアミン残基およびカルボン酸残基を合わせた残基の割合が60~99モル%である、UVレーザーを用いたアブレーション加工用の樹脂組成物。
The resin (a) is a resin having a polyimide precursor structure with an imidization rate of 5% or more and less than 90%, and is the sum of all carboxylic acid residues and all amine residues contained in the resin (a). Ablation using a UV laser in which the total proportion of diamine residues and carboxylic acid residues containing the structure represented by general formula (1) is 60 to 99 mol%, with the total amount being 100 mol%. Resin composition for processing.
脂環式ジアミン残基は、一般式(2)、一般式(3)、および一般式(4)からなる群から選ばれる1つ以上の構造を有するものである、請求項1~6のいずれかに記載の樹脂組成物。
Any one of claims 1 to 6, wherein the alicyclic diamine residue has one or more structures selected from the group consisting of general formula (2), general formula (3), and general formula (4). The resin composition according to claim 1.
その上にシリコンチップと封止樹脂を配置する工程と、
その後、仮貼り材料が配置された支持基板と再配線を剥離する工程を含む、
電子部品または半導体装置の製造方法。 arranging the cured film according to any one of claims 13 to 15 as an interlayer insulating film between rewirings on the support substrate on which the temporary pasting material is arranged;
A step of placing a silicon chip and a sealing resin thereon;
After that, it includes a step of peeling off the support substrate on which the temporary pasting material is placed and the rewiring.
A method for manufacturing electronic components or semiconductor devices.
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7451969B2 (en) * | 2019-11-29 | 2024-03-19 | Hdマイクロシステムズ株式会社 | Resin composition, method for producing cured product, cured product, cover coat layer, surface protective film, and electronic components |
JP7451970B2 (en) * | 2019-11-29 | 2024-03-19 | Hdマイクロシステムズ株式会社 | Resin composition, method for producing cured product, cured product, cover coat layer, surface protective film, and electronic components |
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KR20220108029A (en) * | 2019-11-29 | 2022-08-02 | 에이치디 마이크로시스템즈 가부시키가이샤 | Resin composition, manufacturing method of cured product, cured product, cover coat layer, surface protective film and electronic component |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008214622A (en) | 2007-02-08 | 2008-09-18 | Toray Ind Inc | Method for producing polyimide, and heat-resistant resin composition |
JP2013107956A (en) | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Toray Ind Inc | Method for producing molded article of aromatic polyimide resin |
WO2013147009A1 (en) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 宇部興産株式会社 | Method for producing polyimide film, and polyimide film |
JP2014181311A (en) | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Toray Ind Inc | Resin composition |
JP2016122727A (en) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 株式会社ジェイデバイス | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2016152906A1 (en) | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 東レ株式会社 | Resin multilayer film, laminate containing same, tft substrate, organic el element, color filter, and methods for producing those |
WO2016171179A1 (en) | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 東レ株式会社 | Resin composition, method for manufacturing semiconductor element using same, and semiconductor device |
WO2017064984A1 (en) | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 東レ株式会社 | Resin and photosensitive resin composition |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05214301A (en) * | 1992-02-06 | 1993-08-24 | Hitachi Ltd | Low thermally expansible adhesive film and wiring board using the same |
-
2019
- 2019-01-09 JP JP2019001645A patent/JP7363030B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008214622A (en) | 2007-02-08 | 2008-09-18 | Toray Ind Inc | Method for producing polyimide, and heat-resistant resin composition |
JP2013107956A (en) | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Toray Ind Inc | Method for producing molded article of aromatic polyimide resin |
WO2013147009A1 (en) | 2012-03-29 | 2013-10-03 | 宇部興産株式会社 | Method for producing polyimide film, and polyimide film |
JP2014181311A (en) | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Toray Ind Inc | Resin composition |
JP2016122727A (en) | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 株式会社ジェイデバイス | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
WO2016152906A1 (en) | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 東レ株式会社 | Resin multilayer film, laminate containing same, tft substrate, organic el element, color filter, and methods for producing those |
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シェーン・スタフォード,UVレーザによるプリント回路基板の加工,Industrial Laser Solutions Japan,日本,2014年09月,pp.16-19,http://ex-press.jp/wp-content/uploads/2014/10/ILSJ-1409-16-19.pdf |
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