JP7362355B2 - Ceramic parts for magnetron - Google Patents

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Description

実施形態は、おおむね、電子レンジ等のマイクロ波加熱機器に用いられるマグネトロン用セラミック部品に関する。 Embodiments generally relate to ceramic components for magnetrons used in microwave heating equipment such as microwave ovens.

マグネトロン、電力管、電子管用のセラミックス封着部品として、モリブデン(Mo)-マンガン(Mn)等を主成分とするメタライズ層を、アルミナ(酸化アルミニウム:Al2O3)等からなるセラミックス部品本体(ステムセラミックス)表面に形成したセラミックス部品が使用されている。この種のマグネトロン用セラミックス部品としては、例えば、特許第5450059号公報(特許文献1)には、セラミックス本体部がMnを含む粒界相を有したアルミナ焼結体であり、セラミックスとMo-Mnメタライズ層との間にMnリッチ相を具備することを特徴とするマグネトロン用セラミックス部品がある。また、製造方法としては、例えば、特許第5285868号公報(特許文献2)には、Mnを含有するアルミナ焼結体からなるステム本体部に、Mo-Mn系ペーストを塗布・乾燥させた後、焼成することによりメタライズ層を形成し、ステム本体部にリード部を挿通しニッケル(Ni)めっきを施す工程を特徴とするマグネトロン用ステムの製造方法がある。 As a ceramic sealing part for magnetrons, power tubes, and electron tubes, a metallized layer mainly composed of molybdenum (Mo)-manganese (Mn), etc. is used as a ceramic part body (stem ceramics) made of alumina (aluminum oxide: Al2O3), etc. Ceramic parts formed on the surface are used. As a ceramic component for a magnetron of this type, for example, Japanese Patent No. 5450059 (Patent Document 1) discloses that the ceramic main body is an alumina sintered body having a grain boundary phase containing Mn, and the ceramic body is an alumina sintered body having a grain boundary phase containing Mn. There is a ceramic component for a magnetron characterized by having a Mn-rich phase between the metallized layer and the metallized layer. In addition, as a manufacturing method, for example, Japanese Patent No. 5285868 (Patent Document 2) discloses that after coating and drying a Mo-Mn paste on a stem body made of an alumina sintered body containing Mn, There is a method for manufacturing a magnetron stem, which is characterized by the steps of forming a metallized layer by firing, inserting a lead portion into the stem body, and plating with nickel (Ni).

近年、電子レンジは汎用化が進み、材料・部品のコストダウンが求められているが、一方ではモジュールの小型化や高機能化が進み、電子レンジの中核であるマグネトロンに使用されるセラミックス部品についても、高品位化と低価格化が求められている。
マグネトロン用セラミックス部品の品質とコストを左右する重要プロセスの一つにめっき工程がある。
マグネトロン用セラミックス部は、アルミナ焼結体からなる円柱状のセラミックス部品本体の上端面に形成された端子部およびリング部に、Mo-Mnを主成分とするメタライズ層が形成され、このメタライズ層の上面には、他の金属部品との接合強度を向上させ、封着を行うために所定厚さのNiめっき層が形成される。
In recent years, microwave ovens have become more general-purpose, and there is a need to reduce the cost of materials and parts.At the same time, however, modules have become smaller and more sophisticated, and ceramic parts used in the magnetron, which is the core of microwave ovens, are becoming smaller. There is also a demand for higher quality and lower prices.
One of the important processes that affects the quality and cost of ceramic parts for magnetrons is the plating process.
In the magnetron ceramic part, a metallized layer mainly composed of Mo-Mn is formed on the terminal part and ring part formed on the upper end surface of the columnar ceramic part body made of alumina sintered body. A Ni plating layer of a predetermined thickness is formed on the upper surface in order to improve the bonding strength with other metal parts and perform sealing.

上記のような複雑形状のセラミックス部品本体にNiめっき層を形成する方法としては、セラミックス部品本体をめっき液中に浸漬して所定厚さのNiめっき層を形成する無電解Niめっき法や、セラミックス部品本体を1個ずつ治具に固定して電解Niめっきする方法や、1回めっき処理した後にアニールし、さらに厚さが不足するために2回のめっきを施して所定厚さのめっき層を形成する方法等が一般的に採用されているが、それぞれに短所がある。それを補う方法として、例えば、特開平11-92255号公報(特許文献3)には、中央部に形成されたメタライズ部にピン電極を差し込んだ状態でバレルめっきを施す事例が挙げられている。また、特許第4250397号公報(特許文献4)には、ピン電極を挿入して、端子部ニッケル層およびリング部ニッケル層の厚さがそれぞれ1.5μm以上であり、端子部ニッケル層厚さのリング部ニッケル層厚さに対する比が1.1以上であることを特徴とするマグネトロン用セラミックス部品がある。 Methods for forming a Ni plating layer on a ceramic component body having a complex shape such as those described above include electroless Ni plating, in which the ceramic component body is immersed in a plating solution to form a Ni plating layer of a predetermined thickness; One method is to electrolytically plate the parts by fixing them on a jig one by one, or to anneal the parts after plating once, and if the thickness is insufficient, to perform plating twice to obtain a plating layer of a predetermined thickness. Although various methods are commonly used, each method has its disadvantages. As a method to compensate for this, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-92255 (Patent Document 3) cites an example in which barrel plating is performed with a pin electrode inserted into a metallized portion formed in the center. Furthermore, in Japanese Patent No. 4250397 (Patent Document 4), a pin electrode is inserted, and the thickness of the terminal nickel layer and the ring part nickel layer is each 1.5 μm or more, and the terminal part nickel layer thickness is There is a ceramic component for a magnetron characterized in that the ratio of the ring portion to the nickel layer thickness is 1.1 or more.

しかしながら、上記のめっき法によれば、通常のめっき法と比較して工程が複雑になりコストが上昇するという問題点があった。すなわち、メタライズ工程が終わった後、Mo等の高融点金属からなるリードを銀(Ag)系のろう材により固定した後にNiめっきを施す方法では、メタライズ層に直接ろう付けを行うために、ろう付けによる接合が不安定になり十分なろう付け強度が得られないという問題があった。 However, the above-mentioned plating method has the problem that the process is more complicated and the cost is higher than that of a normal plating method. In other words, in the method of fixing the lead made of a high-melting point metal such as Mo with a silver (Ag)-based brazing material after the metallization process is completed, and then applying Ni plating, in order to braze directly to the metallized layer, There was a problem in that the bonding by brazing became unstable and sufficient brazing strength could not be obtained.

また、メタライズセラミックス部品の表面側に形成したピン挿通穴それぞれにピン電極を差し込んだ状態でバレルめっき処理を施す場合には、ピン電極が穴から抜けやすく、かつ、それぞれのピン挿通穴にピンを挿入および抜去する工程が発生して工数が増加するという課題があった。 In addition, when barrel plating is performed with pin electrodes inserted into each of the pin insertion holes formed on the surface side of a metallized ceramic component, the pin electrodes can be easily removed from the holes, and the pins can be inserted into each pin insertion hole. There was a problem in that the process of inserting and removing occurred, which increased the number of man-hours.

特許第5450059号公報Patent No. 5450059 特許第5285868号公報Patent No. 5285868 特開平11-92255号公報Japanese Patent Application Publication No. 11-92255 特許第4250397号公報Patent No. 4250397

電子レンジは汎用化・高機能化が進展してきており、マグネトロン用セラミックス部品についても、高品位化と低価格化が求められている。
実施形態は、このような問題を解決するものでありマグネトロンに使用されるセラミックス部品に関して、端子部のリーク不良の発生を抑制し生産性の高いセラミックス部品に関する。
Microwave ovens are becoming more versatile and highly functional, and ceramic parts for magnetrons are also required to be of higher quality and lower in price.
The embodiment solves such a problem and relates to a ceramic component used in a magnetron that suppresses the occurrence of leakage defects at the terminal portion and has high productivity.

実施形態にかかるマグネトロン用セラミックス部品は、セラミックス部品本体の表面に形成された端子部およびリング部に、それぞれ端子部メタライズ層およびリング部メタライズ層を形成し、この端子部メタライズ層およびリング部メタライズ層の表面にそれぞれ端子部Niめっき層およびリング部Niめっき層を形成したマグネトロン用セラミックス部品において、前記端子部Niめっき層およびリング部Niめっき層の厚さがそれぞれ1.0μm以上であり、端子部穴から他の端子部穴方向の端子部端までの距離の1/2にあたる箇所のNiめっき層の厚さが2.4μm以下であり、他の端子部穴方向との逆方向の端子部端までの距離の1/2にあたる箇所のNiめっき層の厚さに対する比が0.95以上であることを特徴とするものである。
In the magnetron ceramic component according to the embodiment, a terminal portion metallized layer and a ring portion metallized layer are respectively formed on the terminal portion and the ring portion formed on the surface of the ceramic component body, and the terminal portion metallized layer and the ring portion metallized layer In a magnetron ceramic component in which a terminal portion Ni plating layer and a ring portion Ni plating layer are respectively formed on the surface of the terminal portion, the thickness of the terminal portion Ni plating layer and the ring portion Ni plating layer is 1.0 μm or more, and the terminal portion The thickness of the Ni plating layer at a location corresponding to 1/2 of the distance from the hole to the end of the terminal in the direction of the other terminal hole is 2.4 μm or less , and the end of the terminal in the opposite direction to the direction of the other terminal hole. The ratio of the thickness of the Ni plating layer to the thickness of the Ni plating layer is 0.95 or more.

実施形態にかかるマグネトロン用セラミックス部品の断面を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a cross section of a ceramic component for a magnetron according to an embodiment. 実施形態にかかるマグネトロン用セラミックス部品の表面(平面)を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a surface (plane) of a ceramic component for a magnetron according to an embodiment. 実施形態にかかる電極ピンを挿入したセラミックス部品の断面を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a cross section of a ceramic component into which an electrode pin according to an embodiment is inserted. 電極ピンを裏面から挿入したセラミックス部品の断面を示す図。The figure which shows the cross section of the ceramic component in which the electrode pin was inserted from the back side.

実施形態にかかるマグネトロン用セラミックス部品は、セラミックス部品本体の表面に形成された端子部およびリング部にそれぞれMoやタングステン(W)のような高融点金属からなる端子部メタライズ層およびリング部メタライズ層を形成し、この端子部メタライズ層およびリング部メタライズ層の表面にそれぞれ端子部Niめっき層およびリング部Niめっき層を形成したマグネトロン用セラミックス部品において、前記端子部Niめっき層およびリング部Niめっき層の厚さがそれぞれ1.0μm以上であり、端子部穴から他の端子部穴方向の端子部端までの距離の1/2にあたる箇所のNiめっき層の厚さが2.4μm以下であり、他の端子部穴方向との逆方向の端子部端までの距離の1/2にあたる箇所のNiめっき層の厚さに対する比が0.95以上であることを特徴とするものである。
図1にマグネトロン用セラミックス部品の断面図の一例を示す。1はマグネトロン用セラミックス部品、2はセラミックス部本体、3はセラミックス端子部、4は、セラミックスリング部、5は、メタライズ端子部、6はメタライズリング部、7はセラミックス溝部、8はセラミックス穴部である。図2では、端子部およびリング部のあるマグネトロン用セラミックス部品表面(平面図)を示したものである。実施形態は、このような形に限定されるものではなく、4のリング部は裏面に形成されても良いものとする。
The magnetron ceramic component according to the embodiment includes a terminal portion metallized layer and a ring portion metallized layer made of a high melting point metal such as Mo or tungsten (W) on the terminal portion and ring portion formed on the surface of the ceramic component body, respectively. In a magnetron ceramic component in which a terminal portion Ni plating layer and a ring portion Ni plating layer are formed on the surfaces of the terminal portion metallized layer and ring portion metallized layer, respectively, the terminal portion Ni plating layer and the ring portion Ni plating layer are formed. The thickness of the Ni plating layer is 1.0 μm or more, and the thickness of the Ni plating layer at a location corresponding to 1/2 of the distance from the terminal hole to the end of the terminal in the direction of the other terminal hole is 2.4 μm or less , and The ratio of the thickness of the Ni plating layer to the thickness of the Ni plating layer at a location corresponding to 1/2 of the distance to the end of the terminal in the direction opposite to the terminal hole direction is 0.95 or more.
FIG. 1 shows an example of a cross-sectional view of a ceramic component for a magnetron. 1 is a ceramic part for magnetron, 2 is a ceramic part main body, 3 is a ceramic terminal part, 4 is a ceramic ring part, 5 is a metallized terminal part, 6 is a metallized ring part, 7 is a ceramic groove part, 8 is a ceramic hole part be. FIG. 2 shows the surface (plan view) of a magnetron ceramic component including a terminal portion and a ring portion. The embodiment is not limited to such a shape, and the ring portion 4 may be formed on the back surface.

セラミックス部品2は、アルミナ(酸化アルミニウム)、ジルコニア添加アルミナ(アルジル:酸化アルミニウムと酸化ジルコニウムを混合した焼結体)のいずれか1種であることが好ましい。また、メタライズにMo-Mn系ペーストを使用する場合は、セラミックスにMnを含有することが好ましい。Mn含有量は1~5重量%であることが好ましい。これは、Mnを含有することによりMo-Mnメタライズ層との接合強度を向上することができるためである。また、アルミナ焼結体にはMn以外にも焼結助剤を添加してもよい。焼結助剤としては、酸化珪素(SiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)等が挙げられ、これらをSi、MgおよびCaの少なくとも1種以上を金属元素単体換算で合計1~10重量%添加することが好ましい。これは、添加した焼結助剤はガラス相からなる粒界相を形成してアルミナ焼結体を緻密化するためである。また、ガラス相はMo-Mnメタライズ層の空隙に入り込んでいくのでメタライズ層を強化することができ、接合強度を向上させることができるためである。 The ceramic component 2 is preferably made of one of alumina (aluminum oxide) and zirconia-added alumina (algyl: a sintered body of a mixture of aluminum oxide and zirconium oxide). Further, when using a Mo--Mn paste for metallization, it is preferable that the ceramic contains Mn. The Mn content is preferably 1 to 5% by weight. This is because the inclusion of Mn can improve the bonding strength with the Mo--Mn metallized layer. In addition to Mn, a sintering aid may be added to the alumina sintered body. Examples of the sintering aid include silicon oxide (SiO2), magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), etc., and at least one of Si, Mg, and Ca in a total of 1 to 1 in terms of a single metal element. It is preferable to add 10% by weight. This is because the added sintering aid forms a grain boundary phase consisting of a glass phase and densifies the alumina sintered body. Further, since the glass phase enters into the voids of the Mo--Mn metallized layer, the metallized layer can be strengthened, and the bonding strength can be improved.

2セラミックス部は、略円柱形状である。例えば、φ15mmx高さ15mmである。円柱の表面の円部分には、中央部に3セラミックス端子部と、周辺に4セラミックスリング部が形成される。それぞれの部分には、5メタライズ端子部、6メタライズリング部が形成される。これは、メタライズ部にめっきを施し、ろう付けにより、5メタライズ端子部には座金部品およびリード部品を接合、6メタライズリング部には、金属エンベロープ部品を接合するためである。なお、4セラミックスリング部は端子部の裏面に形成することも可能である。3セラミックス端子部と4セラミックスリング部が同一面上にある場合は、7セラミックス溝部が形成される。セラミックス溝部は、5メタライズ端子部と6メタライズリング部の電気的絶縁をとるためである。8はリード部品を挿入するためのセラミックス穴部である。 The second ceramic portion has a substantially cylindrical shape. For example, it is 15 mm in diameter x 15 mm in height. In the circular portion of the surface of the cylinder, three ceramic terminal portions are formed at the center and four ceramic ring portions are formed at the periphery. Five metalized terminal portions and six metalized ring portions are formed in each portion. This is because the metallized part is plated and the washer parts and lead parts are joined to the metallized terminal part 5 and the metal envelope part is joined to the metalized ring part 6 by brazing. Note that the four ceramic ring parts can also be formed on the back surface of the terminal part. When the 3 ceramic terminal parts and the 4 ceramic ring parts are on the same surface, 7 ceramic groove parts are formed. The purpose of the ceramic groove is to electrically insulate the 5 metallized terminal portion and the 6 metallized ring portion. 8 is a ceramic hole portion into which a lead component is inserted.

図2に図1のマグネトロン用セラミックス部品の表面を表した図(平面図)を示す。図1は図2のA-A’による断面図である。5メタライズ端子部の形状は一例である。 FIG. 2 shows a surface view (plan view) of the ceramic component for magnetron shown in FIG. 1. FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line A-A' in FIG. 5. The shape of the metalized terminal portion is an example.

5メタライズ端子部、6メタライズリング部は、Mo-Mn系ペーストを2セラミックス部にスクリーン印刷法などで塗布し、大気雰囲気中で乾燥させた後、還元雰囲気中などで焼成することにより形成する。
Mo-Mn系ペーストはMo粉末とMn粉末を有機バインダーと混合したものである。
有機バインダーは乾燥工程や焼成工程により焼失するものであれば特に限定されるものではない。好ましい一例としてはエチルセルロースが挙げられる。
Mo-Mn系ペーストの調整は、平均粒径0.5~10μmのMo粉末と平均粒径0.
5~10μmのMn粉末をそれぞれ40時間以上の解砕処理を施した後、バインダーと混合して調製されたものであることが好ましい。また、MoとMnの比率はMoとMnの合計を100重量%としたときMnが4~12重量%、好ましくは6~8重量%である。
塗布厚さは10~40μmが好ましい。塗布厚さが10μm未満であるとメタライズ層形成後、メタライズ層の厚さにバラツキができ接合強度を低下させる。一方、40μmを越えるとそれ以上の効果が得られない。
また、乾燥工程は大気雰囲気中50~100℃、好ましくは50~80℃である。また、乾燥時間は5~30分、好ましくは10~20分である。
乾燥工程後、焼成工程を行う。焼成温度は1350~1550℃、好ましくは1400~1480℃である。また、焼成時間は30分~5時間の範囲が好ましい。また、雰囲気は還元性雰囲気が好ましい。焼成時間は好ましくは1時間以上である。1時間以上焼成するとセラミックス焼結体中のガラス相が表面に均一に析出した析出層を形成し易い。セラミックス焼結体の表面に析出した析出層はセラミックス焼結体とMo-Mnメタライズ層の間に析出し、メタライズ層の空隙に入り込んで行く。そのため、メタライズ層が緻密化され接合強度が向上する。
The metallized terminal portion 5 and the metalized ring portion 6 are formed by applying a Mo--Mn based paste to the ceramic portion 2 by screen printing or the like, drying it in an air atmosphere, and then firing it in a reducing atmosphere or the like.
Mo--Mn paste is a mixture of Mo powder and Mn powder with an organic binder.
The organic binder is not particularly limited as long as it can be burned out during the drying process or baking process. A preferred example is ethylcellulose.
The Mo-Mn paste was prepared using Mo powder with an average particle size of 0.5 to 10 μm and an average particle size of 0.5 to 10 μm.
It is preferable that Mn powder of 5 to 10 μm be crushed for 40 hours or more and then mixed with a binder. Further, the ratio of Mo and Mn is 4 to 12 weight %, preferably 6 to 8 weight %, when the total of Mo and Mn is 100 weight %.
The coating thickness is preferably 10 to 40 μm. If the coating thickness is less than 10 μm, after the metallized layer is formed, the thickness of the metallized layer will vary, reducing the bonding strength. On the other hand, if the thickness exceeds 40 μm, no further effect can be obtained.
Further, the drying step is carried out in the air at a temperature of 50 to 100°C, preferably 50 to 80°C. Further, the drying time is 5 to 30 minutes, preferably 10 to 20 minutes.
After the drying process, a firing process is performed. The firing temperature is 1350-1550°C, preferably 1400-1480°C. Further, the firing time is preferably in the range of 30 minutes to 5 hours. Further, the atmosphere is preferably a reducing atmosphere. The firing time is preferably 1 hour or more. When fired for one hour or more, the glass phase in the ceramic sintered body tends to form a precipitated layer uniformly deposited on the surface. The precipitated layer deposited on the surface of the ceramic sintered body is deposited between the ceramic sintered body and the Mo--Mn metallized layer, and enters into the voids of the metalized layer. Therefore, the metallized layer becomes denser and the bonding strength improves.

図4には、特開平11-92255の図5に記載のピン電極を挿入した形態から、ピン電極を略U型ピン電極(以下U型ピン電極)に変更した場合の断面図を示す。それぞれの穴部に別々の電極ピンを挿入し、めっき後に抜去するの比較して、一度に挿入および抜去できるためプロセス的には簡略化され、工数の低減が可能である。しかしながら、穴部の最中央箇所からセラミックス中央部にかけてのメタライズ部分には、U型ピン電極の影によりめっきが薄い部分が発生する。この部分は他の箇所に比較して、ろう付けされる距離が短いため、めっきが薄いことによるろう付け不良があるとリーク不良の原因になる。 FIG. 4 shows a cross-sectional view of the case where the pin electrode is changed from the inserted pin electrode shown in FIG. 5 of JP-A-11-92255 to a substantially U-shaped pin electrode (hereinafter referred to as U-shaped pin electrode). Compared to inserting separate electrode pins into each hole and removing them after plating, the process can be simplified and the number of man-hours can be reduced because the electrode pins can be inserted and removed all at once. However, in the metallized portion from the centermost point of the hole to the center of the ceramic, a thinly plated portion occurs due to the shadow of the U-shaped pin electrode. Since the brazing distance in this part is shorter than in other parts, any brazing failure due to thin plating will cause leakage failure.

U型ピン電極を表型から挿入する理由は、挿入時のメタライズ層の欠損を避けるためである。Mo-Mnペーストを塗布した場合、ペーストは自重で穴部分の内部に塗布範囲が広がり穴のエッジ部分まで塗布が行われる。メタライズ後にピンを挿入すると、このエッジ部分にピンが触れることにより電気的な導通が行われる。電気的な導通が行われることによりメタライズ部分にめっきが行われる。
U型ピン電極を裏側(非メタライズ側)から挿入する場合には、ピンのスプリング性が弱いとメタライズ面での接触が十分に行われない可能性があり、歩留まりの低下をまねく。また、スプリング性が強いと穴部をから先端が出るときにエッジ部分のメタライズ層を欠損させてしまい、十分に導通されなくなることによりめっき不良が発生し歩留まりの低下をまねく。
The reason why the U-shaped pin electrode is inserted from the top is to avoid damage to the metallized layer during insertion. When the Mo--Mn paste is applied, the application range of the paste expands inside the hole due to its own weight, and the paste is applied to the edge of the hole. When a pin is inserted after metallization, electrical conduction occurs when the pin touches this edge portion. Plating is performed on the metallized portion by electrical conduction.
When inserting a U-shaped pin electrode from the back side (non-metallized side), if the spring properties of the pin are weak, there is a possibility that sufficient contact on the metallized surface will not be made, leading to a decrease in yield. In addition, if the spring property is strong, the metallized layer at the edge portion will be damaged when the tip emerges from the hole, resulting in insufficient conduction, resulting in plating defects and a decrease in yield.

表面からU型ピン電極を挿入したときに発生するめっき影の問題点を解決するために、裏面からU型ピン電極を挿入してめっきをするようにする。また、裏面からU型ピン電極を挿入したときの穴部のエッジ部分のメタライズ欠損を避けるためにU型ピン電極の材質および形状を以下のようにする。
U型ピン電極の材質は、ばね用ステンレス鋼材材を使用する。
U型ピン電極裏面飛び出し長さ(B)=セラミックス高さ(H)x0.3~0.8
U型ピン電極端子面飛び出し長さ(C)=セラミックス高さ(H)x0.1~0.5
U型ピン電極端子面曲げ端部長さ(D)
=U型ピン電極端子面飛び出し長さ(C)x0.2~0.7
U型ピン電極開口幅(F)=セラミックス穴部最外周長さ(W)x1.0~1.5
U型ピン電極直径(φE)=セラミックス穴部直径(φR)x0.1~0.4
In order to solve the problem of plating shadows that occur when a U-shaped pin electrode is inserted from the front side, the U-shaped pin electrode is inserted from the back side for plating. Further, in order to avoid metallization loss at the edge portion of the hole when the U-shaped pin electrode is inserted from the back side, the material and shape of the U-shaped pin electrode are as follows.
The material of the U-shaped pin electrode is stainless steel for springs.
U-shaped pin electrode protrusion length on the back side (B) = Ceramic height (H) x 0.3 to 0.8
U-type pin electrode terminal surface protrusion length (C) = ceramic height (H) x 0.1 to 0.5
U-type pin electrode terminal surface bent end length (D)
= U-type pin electrode terminal surface protrusion length (C) x 0.2 to 0.7
U-shaped pin electrode opening width (F) = Ceramic hole outermost circumference length (W) x 1.0 to 1.5
U-type pin electrode diameter (φE) = Ceramic hole diameter (φR) x 0.1 to 0.4

裏面からU型ピン電極を挿入することにより、端子面から挿入した場合に発生するU型ピン電極の影が解消され、正常にめっきが行われる。さらに、端子部にはめっきがつきやすくなり、リング部とのめっき厚さの差の解消に役立つ。これは、端子面とリング面が同一面にある形状(片面メタライズ)および端子面とリング面が反対側にある形状(両面メタライズ)ともに有用である。 By inserting the U-shaped pin electrode from the back surface, the shadow of the U-shaped pin electrode that would occur if inserted from the terminal surface is eliminated, and plating can be performed normally. Furthermore, the terminal part is more easily plated, which helps eliminate the difference in plating thickness between the terminal part and the ring part. This is useful for both a shape in which the terminal surface and the ring surface are on the same side (single-sided metallization) and a shape in which the terminal surface and the ring surface are on opposite sides (double-sided metallization).

U型ピン電極に使用する金属は、スプリング性があり電気導通体であれば良く、鉄、圧延鋼材、炭素鋼、高張力鋼、ばね鋼などがあげられる。特にばね用のステンレス鋼材は本用途に適しており、加工しやすく安価であり、めっきが付着した場合に酸処理することにより、回収し再利用することが可能である。ばね用のステンレス鋼材には、SUS-302-WPA、SUS-302-WPB、SUS-304-WPA、SUS-304-WPB、SUS-316-WPA、SUS-631J1-WPCなどがあり、特にSUS-304-WPBが適している。 The metal used for the U-shaped pin electrode may be any metal that has spring properties and is an electrical conductor, and examples thereof include iron, rolled steel, carbon steel, high-tensile steel, and spring steel. Stainless steel materials for springs are particularly suitable for this purpose, are easy to process and are inexpensive, and can be recovered and reused by acid treatment if plating adheres to them. Stainless steel materials for springs include SUS-302-WPA, SUS-302-WPB, SUS-304-WPA, SUS-304-WPB, SUS-316-WPA, and SUS-631J1-WPC, especially SUS- 304-WPB is suitable.

U型ピン電極を上記の寸法にすることにより、端子部のメタライズ層に接触して電極としての役割を果たすとともに、バレルなどのめっき揺動中にセラミックス部品から外れることがない。
U型ピン電極裏面飛び出し長さを調整することにより、飛び出し部分がめっき時の電極となりめっきに必要な電気をメタライズに供給することが可能である。ピン電極が裏面飛び出し長さが短いと電極としての役割を果たさず、長すぎると電極同士が絡み合って作業性が低下する。このためU型ピン電極裏面飛び出し長さ(B)はセラミックス高さ(H)x0.3~0.8、さらにはセラミックス高さ(H)x0.4~0.7にすることが好ましい。
U型ピン電極端子面飛び出し長さを調整することにより、U型ピン電極裏面飛び出し長さ調整と同様に、飛び出し部がめっき時の電極となりめっきに必要な電気をメタライズに供給することが可能である。U型ピン電極が端子面飛び出し長さが短いと電極としての役割を果たさず、長すぎると電極同士が絡み合って作業性が低下する。このため、U型ピン電極端子面飛び出し長さ(C)はセラミックス高さ(H)x0.1~0.5、さらにはセラミックス高さ(H)x0.2~0.4にすることが好ましい。
U型ピン電極端子面曲げ端部長さを調整することにより、U型ピン電極挿入後の脱落を防止するとともに、U型電極ピンの先端部を挿入しやすくすることが可能である。U型ピン電極端子面曲げ端部長さが長いと曲げ角度によっては穴部に挿入することが難しくなり、短いとピン電極挿入後に脱落しやすくなる。このため、U型ピン電極端子面曲げ端部長さ(D)はU型ピン電極端子面飛び出し長さ(C)x0.2~0.7、さらにはU型ピン電極端子面飛び出し長さ(C)x0.3~0.6にすることが好ましい。
U型ピン電極端子面曲げ端部の曲げ角度は任意であるが、ピンの延長線上から広がる方向(外側)に向かって3~60°であることが好ましい。
U型ピン電極開口幅を調整することにより、U型ピン電極を挿入しやすくし、U型ピン電極の挿入後の脱落の防止とメタライズ部分へ導通することが可能である。U型ピン電極開口幅が大きすぎるとU型ピン電極を差し込みにくくなり作業性が低下する。また、U型ピン電極開口幅が小さいと、U型ピン電極を差し込みにくくなるのと、U型ピン電極がメタライズに接触しない恐れがあり、脱落する場合もある。このため、U型ピン電極開口幅(F)は端子穴最外周長さ(W)x1.0~1.5、さらには端子穴最外周長さ(W)x1.0~1.3であることが好ましい。
U型ピン電極直径を調整することにより、良好なスプリング性が得られる。良好なスプリング性を得ることにより、U型ピン電極の抜き差しが容易となり、かつ適正な強度をもってメタライズ面に接することができる。U型ピン電極直径が細すぎるとピンとしての十分な強度が得られなく、太すぎると抜き差し時に力が必要となり作業性が低下する。このためU型ピン電極直径(φE)は端子穴直径(φR)x0.1~0.4、さらには端子穴直径(φR)x0.2~0.3であることが好ましい。
By making the U-shaped pin electrode have the above dimensions, it will come into contact with the metallized layer of the terminal portion and serve as an electrode, and will not come off from the ceramic component during plating rocking of the barrel or the like.
By adjusting the length of the U-shaped pin electrode protruding from the back surface, the protruding portion can serve as an electrode during plating and supply the electricity necessary for plating to the metallization. If the length of the pin electrode protruding from the back surface is too short, it will not function as an electrode, and if it is too long, the electrodes will become entangled with each other, reducing workability. For this reason, it is preferable that the protruding length (B) of the U-shaped pin electrode from the back surface is ceramic height (H) x 0.3 to 0.8, more preferably ceramic height (H) x 0.4 to 0.7.
By adjusting the length of the U-shaped pin electrode that protrudes from the terminal surface, the protruding part becomes the electrode during plating and can supply the electricity necessary for plating to the metallization, similar to adjusting the length of the U-shaped pin electrode that protrudes from the back surface. be. If the length of the U-shaped pin electrode protruding from the terminal surface is too short, it will not function as an electrode, and if it is too long, the electrodes will become entangled with each other, reducing workability. For this reason, it is preferable that the protruding length (C) of the U-shaped pin electrode terminal surface be ceramic height (H) x 0.1 to 0.5, and more preferably ceramic height (H) x 0.2 to 0.4. .
By adjusting the length of the bent end of the U-shaped pin electrode terminal surface, it is possible to prevent the U-shaped pin electrode from falling off after insertion, and to make it easier to insert the tip of the U-shaped electrode pin. If the bent end length of the U-shaped pin electrode terminal surface is long, it will be difficult to insert it into the hole depending on the bending angle, and if it is short, the pin electrode will easily fall off after insertion. Therefore, the length of the bent end of the U-shaped pin electrode terminal surface (D) is the protruding length of the U-shaped pin electrode terminal surface (C) x 0.2 to 0.7, and further the protruding length of the U-shaped pin electrode terminal surface (C). )x0.3 to 0.6.
The bending angle of the bent end of the terminal surface of the U-shaped pin electrode is arbitrary, but it is preferably 3 to 60 degrees from the extension line of the pin toward the direction in which it spreads (outside).
By adjusting the opening width of the U-shaped pin electrode, it is possible to easily insert the U-shaped pin electrode, to prevent the U-shaped pin electrode from falling off after insertion, and to provide electrical conduction to the metallized portion. If the opening width of the U-shaped pin electrode is too large, it becomes difficult to insert the U-shaped pin electrode, resulting in reduced workability. Furthermore, if the opening width of the U-shaped pin electrode is small, it becomes difficult to insert the U-shaped pin electrode, and there is a risk that the U-shaped pin electrode may not come into contact with the metallization, and may fall off. Therefore, the U-shaped pin electrode opening width (F) is the terminal hole outermost circumference length (W) x 1.0 to 1.5, and furthermore, the terminal hole outermost circumference length (W) x 1.0 to 1.3. It is preferable.
Good spring properties can be obtained by adjusting the diameter of the U-shaped pin electrode. By obtaining good spring properties, the U-shaped pin electrode can be easily inserted and removed, and can be brought into contact with the metallized surface with appropriate strength. If the diameter of the U-shaped pin electrode is too small, sufficient strength as a pin cannot be obtained, and if it is too large, force is required when inserting and removing it, reducing workability. Therefore, it is preferable that the U-shaped pin electrode diameter (φE) is the terminal hole diameter (φR) x 0.1 to 0.4, more preferably the terminal hole diameter (φR) x 0.2 to 0.3.

U型ピン電極を挿入したセラミックス部品のメタライズ層上にNiめっきを行う。量産性を向上させるにはNiめっきを施す工程をバレル式電解めっきで行うことが好ましい。バレル式であれば回転容器中に電解液とU型ピン電極を挿入したセラミックス部品を均一に混合できるので、一度に多量のめっきすることができる。
バレル式電解めっきでは、バレル中に鉄、ステンレス等の金属製ダミー部材を混合させることが好ましい。金属製ダミー部材を混合すると電解液の通電性が向上するのでめっき効率が上がる。また、金属製ダミー部材があるとクッション代わりになりセラミックス部品同士が衝突して破損するのを抑制できる。
また、電解浴槽の温度は40~70℃程度の温浴とし、めっき時間は30~60分が目安となる。
Ni plating is performed on the metallized layer of the ceramic component into which the U-shaped pin electrode is inserted. In order to improve mass productivity, it is preferable to perform the Ni plating step by barrel electrolytic plating. If the barrel type is used, the electrolyte and the ceramic parts with the U-shaped pin electrode inserted can be mixed uniformly in the rotating container, so a large amount can be plated at once.
In barrel electrolytic plating, it is preferable to mix a dummy member made of metal such as iron or stainless steel in the barrel. Mixing a metal dummy member improves the electrical conductivity of the electrolytic solution, which increases plating efficiency. Further, if there is a metal dummy member, it can act as a cushion and prevent ceramic parts from colliding with each other and being damaged.
Furthermore, the temperature of the electrolytic bath should be approximately 40 to 70°C, and the plating time should be approximately 30 to 60 minutes.

めっき条件は、端子部Niめっき層およびリング部Niめっき層の厚さがそれぞれ1.0μm以上、好ましくは1.2μm以上、さらに好ましくは1.5μm以上に調整する。また、端子部穴から他の端子部穴方向の端子部端までの距離の1/2にあたる箇所のNiめっき層の厚さが2.4μm以下であり、他の端子部穴方向との逆方向の端子部端までの距離の1/2にあたる箇所のNiめっき層の厚さに対する比が0.95以上、好ましくは1.0以上、さらに好ましくは1.3以上であるように調整する。 The plating conditions are adjusted so that the thicknesses of the terminal Ni plating layer and the ring Ni plating layer are each 1.0 μm or more, preferably 1.2 μm or more, and more preferably 1.5 μm or more. In addition, the thickness of the Ni plating layer at a location corresponding to 1/2 of the distance from the terminal hole to the terminal end in the direction of the other terminal hole is 2.4 μm or less , and the thickness of the Ni plating layer in the opposite direction to the other terminal hole direction is The ratio of the thickness of the Ni plating layer at a location corresponding to 1/2 of the distance to the end of the terminal portion is adjusted to be 0.95 or more, preferably 1.0 or more, and more preferably 1.3 or more. .

以上のマグネトロン用セラミックス部品の製造方法によればめっきの品位を向上することにより歩留まりを大幅に改善することができる。また、めっきの品位が向上したことによりろう付けの品位も向上するため、マグネトロンに組み立てたときに封着性の良い信頼性の高いマグネトロンを製造することができる。 According to the method for manufacturing ceramic parts for magnetrons described above, the yield can be significantly improved by improving the quality of plating. Furthermore, since the quality of the brazing is also improved due to the improved quality of the plating, it is possible to manufacture a highly reliable magnetron with good sealing properties when assembled into a magnetron.

(実施例)
(実施例1~10、比較例1~10)
92重量%Al2O3-8重量%MnO2、SiO2、MgO(合計で8重量%)なる組成を有するアルミナ(Al2O3)造粒粉をプレスで成型し1500℃大気中で焼結することにより、図1に示すような直径15mm×高さ15mmの略円柱状のセラミックス部品を製造した。このセラミックス部品本体の上面には中央部には突出した端子状部が形成され、周縁部には突出したリング状部が形成されている。φRは1.6mm、端子穴最外周長さ(W)は、7mmである。
(Example)
(Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 to 10)
Alumina (Al2O3) granulated powder having a composition of 92% by weight Al2O3 - 8% by weight MnO2, SiO2, MgO (total 8% by weight) was molded in a press and sintered at 1500°C in the atmosphere to form the powder shown in Figure 1. A substantially cylindrical ceramic component having a diameter of 15 mm and a height of 15 mm as shown was manufactured. On the upper surface of this ceramic component body, a protruding terminal-like part is formed at the center, and a protruding ring-like part is formed at the periphery. φR is 1.6 mm, and the terminal hole outermost circumference length (W) is 7 mm.

次にセラミックス部品上面の端子部およびリング部表面に、100メッシュのスクリーンメッシュを用いてMo-Mnペーストを印刷して厚さ20μmのペースト層を塗布した。次にペースト層を形成した部品本体を空気中にて温度100℃で乾燥して各ペースト層を硬化せしめた。 Next, Mo--Mn paste was printed on the terminal and ring surfaces of the upper surface of the ceramic component using a 100-mesh screen mesh to apply a paste layer with a thickness of 20 μm. Next, the component body on which the paste layers were formed was dried in air at a temperature of 100° C. to harden each paste layer.

ペースト層を形成した部品本体をウェットフォーミングガス中にて温度1400℃で1時間加熱処理を実施することにより、図1および図2に示すように端子部およびリング部にそれぞれメタライズ層5、6を形成した。 By heat-treating the component body on which the paste layer has been formed at a temperature of 1400° C. for 1 hour in wet forming gas, metallized layers 5 and 6 are formed on the terminal portion and ring portion, respectively, as shown in FIGS. 1 and 2. Formed.

次にSUS-304-WPAを使用して表1のU型ピン電極を作製した。図3に示すように作製したU型ピン電極をそれぞれ5個ずつセラミックス部品に挿入した。さらにU型ピン電極を挿入したセラミックス部品を金属製ダミーとともにバレルめっき処理装置の回転容器(バレル)中に収容し、ワット浴中にて通電量50A、2000A・min条件の電気めっき処理を実施することにより、各メタライズ層5、6表面にNiめっき層をそれぞれ形成した。 Next, the U-shaped pin electrodes shown in Table 1 were fabricated using SUS-304-WPA. Five U-shaped pin electrodes prepared as shown in FIG. 3 were inserted into each ceramic component. Furthermore, the ceramic component into which the U-shaped pin electrode is inserted is housed together with a metal dummy in a rotating container (barrel) of a barrel plating processing device, and electroplating is performed in a Watts bath at a current flow rate of 50 A and a condition of 2000 A min. As a result, Ni plating layers were formed on the surfaces of the metallized layers 5 and 6, respectively.

Figure 0007362355000001
Figure 0007362355000001

U型ピン電極によるめっき状態を確認するために、蛍光X線膜厚計によりNiめっき層の膜厚を測定した。測定結果を表2に示す。Niめっき厚の測定箇所は、図2の端子内側(T1:穴部内側と中央溝端部の距離の1/2)、端子外側(T2:穴部外側と端子外側の距離の1/2)、リング部中央(T3:リング内周とリング外周の距離の1/2)とした。なお、測定結果は5個測定中の最小値とした。 In order to confirm the plating state using the U-shaped pin electrode, the thickness of the Ni plating layer was measured using a fluorescent X-ray film thickness meter. The measurement results are shown in Table 2. The Ni plating thickness was measured at the inside of the terminal in Figure 2 (T1: 1/2 of the distance between the inside of the hole and the end of the central groove), the outside of the terminal (T2: 1/2 of the distance between the outside of the hole and the outside of the terminal), The center of the ring part (T3: 1/2 of the distance between the inner circumference of the ring and the outer circumference of the ring) was set. Note that the measurement result was the minimum value among five measurements.

Figure 0007362355000002
Figure 0007362355000002

表2から分かるとおり、実施例にかかるマグネトロン用アルミナ部品にて測定した3箇所のNiめっき厚さはいずれも1.5μm以上と良好であった。一方、比較例1、4、6、8、10は、Niめっき厚では1.5μm以上と良好であったものの、ピン挿入時に大きな力を必要として作業性が悪く量産性は低かった。また、比較例2は、Niめっき厚さは1.5μm以上と良好だったもののバレル中でピンのU型部分に他の部品が入り込み、めっき後の取り出し作業性が悪かった。また、比較例3、5、7、9では、U型ピン電極が外れた製品が発生した。U型ピン電極が外れなかった製品のめっき厚さは良好だったものの、外れた製品の端子部のNiめっき厚さは1μm未満と低い値であった。 As can be seen from Table 2, the Ni plating thicknesses measured at three locations on the alumina parts for magnetrons according to the examples were all 1.5 μm or more, which was good. On the other hand, in Comparative Examples 1, 4, 6, 8, and 10, although the Ni plating thickness was good at 1.5 μm or more, a large force was required when inserting the pin, resulting in poor workability and low mass productivity. Further, in Comparative Example 2, although the Ni plating thickness was good at 1.5 μm or more, other parts got into the U-shaped portion of the pin in the barrel, and the workability for taking out the pin after plating was poor. Furthermore, in Comparative Examples 3, 5, 7, and 9, there were products in which the U-shaped pin electrodes came off. Although the plating thickness of the product in which the U-shaped pin electrode did not come off was good, the Ni plating thickness on the terminal part of the product in which the U-shaped pin electrode did not come off was as low as less than 1 μm.

(比較例11~15)
上記実施例において、U型ピン電極の挿入方法を図3のようにメタライズ面から挿入した以外は、実施例と同様にメタライズ、Niめっき処理を実施することにより、比較例にかかるマグネトロン用セラミックス部品を調整した。Niめっき厚さの測定結果を表3に示す。
(Comparative Examples 11 to 15)
In the above example, except that the U-shaped pin electrode was inserted from the metallized surface as shown in FIG. adjusted. Table 3 shows the measurement results of Ni plating thickness.

Figure 0007362355000003
Figure 0007362355000003

表3から分かるとおり、比較例11~15にて測定したNiめっき厚さは、端子外側およびリング部中央ではいずれも1.5μm以上と良好であった。一方、端子内側では1.0μm未満であった。U型ピン電極の影になりめっきが薄くなったことが原因である。 As can be seen from Table 3, the Ni plating thickness measured in Comparative Examples 11 to 15 was good at 1.5 μm or more on the outside of the terminal and in the center of the ring portion. On the other hand, it was less than 1.0 μm inside the terminal. This is because the plating became thinner due to the shadow of the U-shaped pin electrode.

また上記のように調製した各実施例および比較例にかかるマグネトロン用セラミックス部品の端子部およびリング部に銀ろう(BAg-8:72%銀-28%銅)箔を設置し、温度800℃の窒素水素雰囲気中でろう流れ試験を実施したところ、実施例および比較例のリング部はいずれもろう流れが良好であった。一方、端子部は、実施例および比較例1、2、4、6、8、10はろう流れが良好であったの対し、比較例3、5、7、9、11~15についてはろう流れ不良が発生した。
各実施例および比較例について端子部に金属端子をろう付けして気密性試験を行ったところ、比較例3、5、7、9、11~15についてはリーク不良が発生し気密性が得られなかった。
In addition, silver solder (BAg-8: 72% silver - 28% copper) foil was placed on the terminal and ring parts of the ceramic parts for magnetrons according to each example and comparative example prepared as described above, and the temperature was 800°C. When a wax flow test was conducted in a nitrogen-hydrogen atmosphere, both the ring parts of the example and the comparative example had good wax flow. On the other hand, in the terminal part, the solder flow was good in Examples and Comparative Examples 1, 2, 4, 6, 8, and 10, whereas the solder flow was good in Comparative Examples 3, 5, 7, 9, 11 to 15, and A defect has occurred.
When a metal terminal was brazed to the terminal part of each Example and Comparative Example and an airtightness test was conducted, leakage failure occurred in Comparative Examples 3, 5, 7, 9, and 11 to 15, and airtightness was not obtained. There wasn't.

上記に示す結果から明らかなように、U型ピン電極を端子部裏面から挿入してバレルめっきをした各実施例にかかるマグネトロン用セラミックス部品によれば、端子部内側のNiめっき厚さが低下することなく良好なめっき性が得られ、好適な厚さのNiめっき層が形成することができる。 As is clear from the results shown above, according to the ceramic parts for magnetrons according to each example in which the U-shaped pin electrode was inserted from the back surface of the terminal part and barrel-plated, the Ni plating thickness on the inside of the terminal part was reduced. Good plating properties can be obtained without any problems, and a Ni plating layer with a suitable thickness can be formed.

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。 Although several embodiments of the present invention have been illustrated above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, changes, etc. can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and their modifications are included within the scope and gist of the invention, as well as within the scope of the invention described in the claims and its equivalents. Further, each of the embodiments described above can be implemented in combination with each other.

1…マグネトロン用セラミックス部品(断面)
2…セラミックス部本体
3…セラミックス端子部
4…セラミックスリング部
5…メタライズ端子部
6…メタライズリング部
7…セラミックス溝部
8…セラミックス穴部
9…マグネトロン用セラミックス部品表面(平面図)
10…U型ピン電極裏面挿入(実施例)
11…U型ピン電極
12…U型ピン電極表面挿入(比較例)
1... Ceramic parts for magnetron (cross section)
2... Ceramic part body 3... Ceramic terminal part 4... Ceramic ring part 5... Metallized terminal part 6... Metallized ring part 7... Ceramic groove part 8... Ceramic hole part 9... Ceramic component surface for magnetron (plan view)
10...U-shaped pin electrode backside insertion (example)
11...U-shaped pin electrode 12...U-shaped pin electrode surface insertion (comparative example)

Claims (4)

端子部およびリング部が形成されたマグネトロン用セラミックス部品において、前記セラ
ミックス部品はアルミナ焼結体であり、端子部およびリング部にモリブデン-マンガンか
らなるメタライズ層を形成した後、ピン電極を端子面と逆方向から挿入する工程と、めっ
きによりニッケル層を形成する工程と、ピン電極を抜く工程、により端子部ニッケルめっ
き層とリング部ニッケルめっき層を形成する工程を備え、
前記ピン電極が、略U型をしており、ピン電極の材質は、ばね用ステンレス鋼材であり、
ピン電極裏面飛び出し長さはセラミックス高さ×0.3~0.8の範囲であり、ピン電極
端子面飛び出し長さはセラミックス高さ×0.1~0.5の範囲であり、ピン電極端子面
曲げ端部長さはU型ピン電極端子面飛び出し長さ×0.2~0.7の範囲であり、ピン電
極開口幅はセラミックス穴部最外周長さ×1.0~1.5の範囲であり、ピン電極直径は
セラミックス穴部直径×0.1~0.4の範囲であり、前記端子部ニッケルめっき層およ
びリング部ニッケルめっき層の厚さがそれぞれ1.0μm以上であり、端子部穴から他の
端子部穴方向の端子部端までの距離の1/2にあたる箇所のニッケルめっき層の厚さが2
.4μm以下であり、他の端子部穴方向との逆方向の端子部端までの距離の1/2にあた
る箇所のニッケルめっき層の厚さに対する比が0.95以上であることを特徴とするマグ
ネトロン用セラミックス部品の製造方法。
In a magnetron ceramic part in which a terminal part and a ring part are formed, the ceramic part is an alumina sintered body, and after forming a metallized layer made of molybdenum-manganese on the terminal part and ring part, a pin electrode is attached to the terminal surface. It includes a step of inserting from the opposite direction, a step of forming a nickel layer by plating, and a step of removing the pin electrode to form a nickel plating layer on the terminal part and a nickel plating layer on the ring part,
The pin electrode has a substantially U-shape, and the material of the pin electrode is a spring stainless steel material,
The protruding length on the back surface of the pin electrode is in the range of ceramic height x 0.3 to 0.8, and the protruding length on the pin electrode terminal surface is in the range of ceramic height x 0.1 to 0.5. The length of the surface bent end is in the range of U-shaped pin electrode terminal surface protrusion length x 0.2 to 0.7, and the pin electrode opening width is in the range of ceramic hole outermost circumference length x 1.0 to 1.5 The pin electrode diameter is in the range of ceramic hole diameter x 0.1 to 0.4, the thickness of the terminal part nickel plating layer and the ring part nickel plating layer is each 1.0 μm or more, and the terminal part The thickness of the nickel plating layer at the location corresponding to 1/2 of the distance from the hole to the end of the terminal in the direction of the other terminal hole is 2.
.. 4 μm or less, and the ratio to the thickness of the nickel plating layer at a location corresponding to 1/2 of the distance to the end of the terminal in the direction opposite to the direction of the other terminal holes is 0.95 or more. Method of manufacturing ceramic parts for use.
前記ピン電極に付着しためっきを酸処理により回収し再利用することを特徴とする請求項A claim characterized in that the plating attached to the pin electrode is recovered by acid treatment and reused. 1に記載のマグネトロン用セラミックス部品の製造方法。1. The method for manufacturing a ceramic component for a magnetron according to 1. 前記めっきによりニッケル層を形成する工程がバレル式電解めっきであり、バレル中にThe process of forming a nickel layer by plating is barrel type electrolytic plating, in which a nickel layer is formed in the barrel.
鉄およびステンレス等の金属製ダミー部材を混合することを特徴とする請求項1または請Claim 1 or Claim 1 characterized in that metal dummy members such as iron and stainless steel are mixed.
求項2に記載のマグネトロン用セラミックス部品の製造方法。A method for manufacturing a ceramic component for a magnetron according to claim 2.
前記バレル式電解めっきの浴槽の温度が40℃以上70℃以下であり、電解めっき時間がThe temperature of the barrel electrolytic plating bath is 40°C or more and 70°C or less, and the electrolytic plating time is
30分から60分以下であることを特徴とする請求項3に記載のマグネトロン用セラミッThe ceramic for magnetron according to claim 3, characterized in that the time is from 30 minutes to 60 minutes or less.
クス部品の製造方法。manufacturing method for parts.
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