JP7356157B2 - 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7356157B2 JP7356157B2 JP2020571137A JP2020571137A JP7356157B2 JP 7356157 B2 JP7356157 B2 JP 7356157B2 JP 2020571137 A JP2020571137 A JP 2020571137A JP 2020571137 A JP2020571137 A JP 2020571137A JP 7356157 B2 JP7356157 B2 JP 7356157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoelectric conversion
- conversion element
- energy level
- element according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 157
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 34
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 15
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 14
- JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dipyridin-2-ylpyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CN=C1C1=CC=CC=N1 JFJNVIPVOCESGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 claims description 6
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012615 aggregate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 229910001428 transition metal ion Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- -1 Pb 2+ and Sn 2+ Chemical class 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K europium(iii) chloride Chemical compound Cl[Eu](Cl)Cl NNMXSTWQJRPBJZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- DRGAZIDRYFYHIJ-UHFFFAOYSA-N 2,2':6',2''-terpyridine Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2N=CC=CC=2)=N1 DRGAZIDRYFYHIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005206 1,2-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical class NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000918 Europium Chemical class 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000005209 naphthoic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 1
- RIPZIAOLXVVULW-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O RIPZIAOLXVVULW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 150000004059 quinone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- PCJQOISZFZOTRH-UHFFFAOYSA-K trichloroeuropium;hydrate Chemical compound O.[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Eu+3] PCJQOISZFZOTRH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/331—Metal complexes comprising an iron-series metal, e.g. Fe, Co, Ni
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本願は、2019年2月8日に、日本に出願された特願2019-021974号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
ここで、前記価電子帯における前記第二層のエネルギー準位が、前記第一層のエネルギー準位より高いことがよい。
ここで、各層の伝導帯のエネルギー準位が、前記第一層、前記第二層、前記第三層の順で高く、かつ、前記各層の価電子帯における前記第二層のエネルギー準位が、前記第三層のエネルギー準位より高い。
(1)透明性を有する負極層102が、前記半導体基板から最も離れた最上層に形成されている形態(即ち、入光側の最上層から、(透明)負極層102/第一層104/第二層105/第三層106/正極層101/(Si)基板の順に積層された構成)、
(2)透明性を有する正極層101が、前記半導体基板から最も離れた最上層に形成されている形態(即ち、入光側の最上層から、(透明)正極層101/第三層106/第二層105/第一層104/負極層102/(Si)基板の順に積層された構成)、
(3)透明性を有する負極層102が、前記ガラス基板に隣接するように形成されている形態(即ち、入光側の最上層から、(ガラス)基板/負極層102/第一層104/第二層105/第三層106/正極層101の順に積層された構成)
図2(a)~(e)は、光電変換装置100の製造過程における被処理体の断面図である。図3(a)、(b)は、図2(c)の被処理体の断面の一部Rを拡大したものである。
光電変換装置100は、主に次の手順を経て製造することができる。
上述した光電変換装置の製造方法に沿って、具体的には次の条件で、実施例1の光電変換装置100を製造した。
上述した光電変換装置の製造方法に沿って第二層まで形成し、第一層、第二層からなる積層体を挟んで負極層と反対側に、かつ第二層に接するように正極層を形成し、これを比較例1の光電変換装置とした。第三層を有していない点以外の構成については、実施例1の光電変換装置と同様であり、実施例1と同様の条件で、比較のための光電変換装置を製造した。
上述した光電変換装置の製造方法に沿って第二層まで形成し、第三層のうち無機遷移金属イオン106Aのみを積層した。第一層、第二層、第三層106Aからなる積層体を挟んで負極層と反対側に、かつ第三層106Aに接するように正極層を形成し、これを比較例2の光電変換装置とした。第三層106Bを有していない点以外の構成については、実施例1の光電変換装置と同様であり、実施例1と同様の条件で、比較のための光電変換装置を製造した。
上述した光電変換装置の製造方法に沿って第二層まで形成し、第三層のうち有機配位子106Bのみを積層した。第一層、第二層、第三層106Bからなる積層体を挟んで負極層と反対側に、かつ第三層106Bに接するように正極層を形成し、これを比較例2の光電変換装置とした。第三層106Aを有していない点以外の構成については、実施例1の光電変換装置と同様であり、実施例1と同様の条件で、比較のための光電変換装置を製造した。
上述した光電変換装置の製造方法に沿って第一層まで形成し、第二層を形成する際の混合液の濃度を0.5M以上とした。この際、第二層105の厚みが、10nm以上となるように、材料塗布の条件(塗布時間等)を調整した。第三層は実施例1と同様の手法で成膜し、第一層、第二層、第三層からなる積層体を挟んで負極層と反対側に、かつ第三層に接するように正極層を形成し、これを実施例2の光電変換装置とした。第二層の成膜時の濃度以外の構成については、実施例1の光電変換装置と同様であり、実施例1と同様の条件で、本発明の光電変換装置を製造した。
実施例1の光電変換装置の製造方法において、第三層を形成する際に用いたターピリジン(2,2’:6’,2”-terpyridine)の代わりに、アセチルアセトン(2,4-pentanedione)を用いること以外の方法については、実施例1と同様の条件に準じて、本発明の光電変換装置を製造する。
実施例1と同様の条件で、第二層まで形成した。第三層を形成する際に、塩化ユーロピウムに代えて、5mM濃度で塩化鉄(FeCl3)を含ませたイソプロピルアルコール液100μlを、スピンコーティングした。続いて、100℃で15分間の加熱を行い、鉄を主成分とする層を形成した。この層に対し、実施例1と同様に、20mM濃度でターピリジンを含ませたイソプロピルアルコール液100μlをスピンコーティングし、100℃で15分間の加熱を行い、ターピリジンを主成分とする層を形成した。第三層の第二層側に、バンド構造が変形しやすい酸化鉄層が形成されるため、ここでは、この酸化鉄層の伝導体のエネルギー準位が、第二層の伝導体のエネルギー準位より高くなるように、処理条件を調整した。正極層については、実施例1と同様の条件で形成した。
実施例1と同様の条件で、第二層まで形成した。第三層を形成する際に、塩化ユーロピウムに代えて、5mM濃度で塩化コバルト(CoCl2)を含ませたイソプロピルアルコール液100μlを、スピンコーティングした。続いて、100℃で15分間の加熱を行い、コバルトを主成分とする層を形成した。この層に対し、実施例1と同様に、20mM濃度でターピリジンを含ませたイソプロピルアルコール液100μlをスピンコーティングし、100℃で15分間の加熱を行い、ターピリジンを主成分とする層を形成した。正極層については、実施例1と同様の条件で形成した。
実施例1の光電変換素子に対して様々な波長の光を照射し、それぞれの場合における外部量子効率(EQE)を測定した。正極層と負極層との間に印加する電圧を、-0.5Vとした。図4は、その測定結果を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は照射した光の波長(nm)を示し、縦軸は外部量子効率(%)を示している。外部量子効率は、光電変換素子が単位時間、単位面積当たりに入射した光子の数Ncと、入射した光子のうち変換されて発生する電子の数Neと、の比率(Ne/Nc)を意味している。
実施例1の光電変換素子に対して様々な波長の光を照射することにより、実施例1の光電変換素子に対して様々な電圧を印加し、また、様々な光照射条件を設定し、それぞれの場合において発生する光電流を測定した。図5は、その測定結果を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は印加電圧(V)を示し、縦軸は光電流密度(A/cm2)を示している。光照射条件としては、次の4つの条件A~Cを設定した。
条件A:約1.0mW/cm2の太陽光を照射する。
条件B:約0.7mW/cm2の可視光を照射する。
条件C:光照射を行わない。
実施例1の光電変換素子に対して様々な電圧を印加し、また、様々な光照射条件を設定し、それぞれの場合について、[測定2]と同様に光電流を測定した。図6は、その測定結果を示すグラフである。このグラフの横軸、縦軸は、図5のグラフと同様である。光照射条件としては、次の4つの条件E~Hを設定した。
条件E:製造直後に、約1.0mW/cm2の太陽光を照射する。
条件F:製造して約一週間の経過した後、約1.0mW/cm2の太陽光を照射する。 条件G:製造直後であって、光照射を行わない。
条件H:製造して約一週間の経過した後であって、光照射を行わない。
比較例1、比較例2および比較例3で作製された光電変換素子に対して約0.7mW/cm2の可視光を照射することにより、また、比較例1、比較例2および比較例3で作製された光電変換素子に対して様々な電圧を印加し、また、それぞれの場合において発生する光電流を測定した。図7は、その測定結果を示すグラフである。このグラフにおいて、横軸は印加電圧(V)を示し、縦軸は光電流密度(A/cm2)を示している。実線が光照射時の電流、破線が暗所下での電流である。
実施例1、2、4、5の光電変換素子に対し、所定のタイミングで光照射条件を設定し、それぞれの光電変換素子において発生する光電流について、[測定2]と同様に測定した。正極層と負極層との間に印加する電圧を、-0.5Vとした。光電変換素子に照射する光の波長、放射照度を、それぞれ550nm、0.76mW/cm2とした。図8、9は、それぞれ実施例1、実施例2の光電変換素子に対応する測定結果を示すグラフである。図10は、実施例4、実施例5の光電変換素子に対応する測定結果を示すグラフである。これらのグラフにおいて、横軸は経過時間(s)を示し、縦軸は光電流(A/cm2)を示している。
図11(a)は、断面SEM(走査型電子顕微鏡)による観察結果であり、図11(b)は、XRD(X線回折装置による結晶構造分析)による観察結果である。図11(a)から、第一層、第二層および第三層からなる積層体の厚みが、約180nmであることが確認された。また、図11(b)から、酸化チタンおよびペロブスカイトに由来する回折ピークが観測された。これらの結果から、積層による構造の変化はないことが分かる。
101・・・正極層
102・・・負極層
103・・・光電変換素子
104・・・第一層
105・・・第二層
106・・・第三層
106A・・・無機遷移金属
106B・・・有機配位子
107・・・バッファ層
Claims (17)
- 無機半導体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第一層と、
前記粒子またはその凝集体の表面に対し、ペロブスカイト構造体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第二層と、
有機金属錯体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第三層と、を順に積層してなり、
伝導帯において、前記第二層のエネルギー準位が前記第一層のエネルギー準位より高く、かつ前記第三層のエネルギー準位が前記第二層のエネルギー準位より高く、
価電子帯における前記第二層のエネルギー準位が、前記第三層のエネルギー準位より高く、
前記有機金属錯体が、無機遷移金属と有機配位子とが配位結合してなる錯体であり、
前記無機遷移金属が、前記第二層側に局在していることを特徴とする光電変換素子。 - 前記第二層が、価電子帯と伝導帯との間におけるエネルギー差が3.1eV未満である層であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記第一層および/または前記第三層が、価電子帯と伝導帯との間におけるエネルギー差が3.1eV以上である層であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光電変換素子。
- 価電子帯において、前記第二層と前記第三層とのエネルギー準位差が、0.1eV以上あることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記有機配位子が環ヘテロ原子含有有機配位子またはアセチルアセトナート系有機配位子であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記有機金属錯体が、無機遷移金属と、環ヘテロ原子含有有機配位子が有する環ヘテロ原子の非結合電子対とが、配位結合してなる錯体であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記無機遷移金属がユーロピウムであり、前記環ヘテロ原子含有有機配位子がターピリジンであることを特徴とする請求項6に記載の光電変換素子。
- 前記無機半導体が、吸収波長を紫外光域に有する無機半導体であることを特徴とする請求項1~7のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記無機半導体が、酸化チタンであることを特徴とする請求項1~8のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記第二層が、1nm以上10nm以下の厚みを有する薄膜あるいは粒子またはその凝集体であることを特徴とする請求項1~9のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記ペロブスカイト構造体が、組成式CH3NH3PbI3で表される化合物であることを特徴とする請求項1~10のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記第一層が、-8eV以上の価電子帯のエネルギー準位を有し、かつ、-4eV以下の伝導帯のエネルギー準位を有する層であることを特徴とする請求項1~11のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記第二層が、-5.5eV以上の価電子帯のエネルギー準位を有し、かつ、-3eV以下の伝導帯のエネルギー準位を有する層であることを特徴とする請求項1~12のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記第三層が、-6eV以上の価電子帯のエネルギー準位を有し、かつ、-2eV以下の伝導帯のエネルギー準位を有する層であることを特徴とする請求項1~13のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 請求項1~14のいずれか一項に記載の光電変換素子において、
前記第一層を挟んで前記第二層の反対側に、負極層が積層され、
前記第三層を挟んで前記第二層の反対側に、正極層が積層されてなることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項15に記載の光電変換装置において、前記第二層に可視光および/または近赤外光を受光させることにより、前記負極層と前記正極層との間に電圧を印加し、流れる電流の測定結果から可視光および/または近赤外光を検出する工程を含むことを特徴とする光の検出方法。
- 基材の表面に、無機半導体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第一層が積層された第一積層体を形成する第一工程と、
前記第一層の露出面に、ペロブスカイト構造体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第二層が積層された第二積層体を形成する第二工程と、
前記第二層の露出面に、有機金属錯体を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される第三層が積層された第三積層体を形成する第三工程と、を有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
ここで、各層の伝導帯のエネルギー準位が、前記第一層、前記第二層、前記第三層の順で高く、かつ、前記各層の価電子帯における前記第二層のエネルギー準位が、前記第三層のエネルギー準位より高く、前記第三工程が、前記第二層の露出面に、無機遷移金属を主成分として含む複数の粒子またはその凝集体あるいは薄膜によって構成される層を形成し、次いで、前記層に含まれる無機遷移金属に、有機配位子を配位結合させる工程を含む。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019021974 | 2019-02-08 | ||
JP2019021974 | 2019-02-08 | ||
PCT/JP2020/003420 WO2020162317A1 (ja) | 2019-02-08 | 2020-01-30 | 光電変換素子、光電変換装置、光電変換素子前駆体、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020162317A1 JPWO2020162317A1 (ja) | 2021-12-09 |
JP7356157B2 true JP7356157B2 (ja) | 2023-10-04 |
Family
ID=71948002
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020571137A Active JP7356157B2 (ja) | 2019-02-08 | 2020-01-30 | 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220102656A1 (ja) |
EP (1) | EP3923360A4 (ja) |
JP (1) | JP7356157B2 (ja) |
CN (1) | CN113383437B (ja) |
WO (1) | WO2020162317A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024038754A1 (ja) * | 2022-08-19 | 2024-02-22 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017066096A (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | アイシン精機株式会社 | ホール輸送層材料及びホール輸送層材料を用いた太陽電池 |
US20170301479A1 (en) | 2014-09-10 | 2017-10-19 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Photodetector |
JP2017534179A (ja) | 2014-11-05 | 2017-11-16 | 学校法人沖縄科学技術大学院大学学園 | ペロブスカイトベースのデバイス用ドーピング操作正孔輸送層 |
US20180366277A1 (en) | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Perovskite solar cell with wide band-gap and fabrication method thereof |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170114799A (ko) * | 2016-04-06 | 2017-10-16 | 현대자동차주식회사 | 내열성이 높은 자동차용 페로브스카이트 태양전지용 정공전달물질, 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
US10153222B2 (en) * | 2016-11-14 | 2018-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structures and methods of forming the same |
JP6981065B2 (ja) | 2017-07-12 | 2021-12-15 | 株式会社明電舎 | ネットワーク機器 |
-
2020
- 2020-01-30 US US17/422,550 patent/US20220102656A1/en active Pending
- 2020-01-30 CN CN202080012412.0A patent/CN113383437B/zh active Active
- 2020-01-30 EP EP20751931.5A patent/EP3923360A4/en active Pending
- 2020-01-30 JP JP2020571137A patent/JP7356157B2/ja active Active
- 2020-01-30 WO PCT/JP2020/003420 patent/WO2020162317A1/ja unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20170301479A1 (en) | 2014-09-10 | 2017-10-19 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Photodetector |
JP2017534179A (ja) | 2014-11-05 | 2017-11-16 | 学校法人沖縄科学技術大学院大学学園 | ペロブスカイトベースのデバイス用ドーピング操作正孔輸送層 |
JP2017066096A (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | アイシン精機株式会社 | ホール輸送層材料及びホール輸送層材料を用いた太陽電池 |
US20180366277A1 (en) | 2017-06-16 | 2018-12-20 | Korea Research Institute Of Chemical Technology | Perovskite solar cell with wide band-gap and fabrication method thereof |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
DONG, R. et al.,High-Gain and Low-Driving-Voltage Photodetectors Based on Organolead Triiodide Perovskites,ADVANCED MATERIALS,2015年01月21日,Vol.27,pp.1912-1918 |
FU, Y. et al.,High performance photomultiplication perovskite photodetectors with PC60BM and NPB as the interlayers,ORGANIC ELECTRONICS,2017年09月18日,Vol.51,pp.200-206 |
ISHII, A. et al.,Sensitive Photodetection with Photomultiplication Effect in an Interfacial Eu2+/3+ Complex on a Mesoporous TiO2 Film,APPLIED MATERIALS & INTERFACES,2018年01月22日,Vol.10,pp.5706-5713 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020162317A1 (ja) | 2020-08-13 |
EP3923360A4 (en) | 2022-11-16 |
CN113383437B (zh) | 2024-07-19 |
US20220102656A1 (en) | 2022-03-31 |
CN113383437A (zh) | 2021-09-10 |
JPWO2020162317A1 (ja) | 2021-12-09 |
EP3923360A1 (en) | 2021-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Fang et al. | [6, 6]-Phenyl-C61-butyric acid methyl ester/cerium oxide bilayer structure as efficient and stable electron transport layer for inverted perovskite solar cells | |
Wangyang et al. | Recent advances in halide perovskite photodetectors based on different dimensional materials | |
Hamdeh et al. | Solution-processed BiI3 thin films for photovoltaic applications: improved carrier collection via solvent annealing | |
Wang et al. | Environmental surface stability of the MAPbBr3 single crystal | |
Zhang et al. | N-type doping and energy states tuning in CH3NH3Pb1–x Sb2 x/3I3 perovskite solar cells | |
Liang et al. | Strategy of all-inorganic Cs3Cu2I5/Si-core/shell nanowire heterojunction for stable and ultraviolet-enhanced broadband photodetectors with imaging capability | |
Rhee et al. | A perspective of mesoscopic solar cells based on metal chalcogenide quantum dots and organometal-halide perovskites | |
Kim et al. | Highly efficient copper–indium–selenide quantum dot solar cells: suppression of carrier recombination by controlled ZnS overlayers | |
Paulo et al. | Carbon quantum dots as new hole transport material for perovskite solar cells | |
Sulaman et al. | Interlayer of PMMA doped with Au nanoparticles for high-performance tandem photodetectors: A solution to suppress dark current and maintain high photocurrent | |
Yang et al. | High-quality conformal homogeneous all-vacuum deposited CsPbCl3 thin films and their UV photodiode applications | |
Li et al. | Evaporated perovskite thick junctions for X-ray detection | |
CN108028320A (zh) | 双钙钛矿 | |
JP7304517B2 (ja) | 太陽電池 | |
WO2017165434A1 (en) | Sensitive x-ray and gamma-ray detectors including perovskite single crystals | |
Premkumar et al. | Stable lead-free silver bismuth iodide perovskite quantum dots for UV photodetection | |
JP5955305B2 (ja) | 半導体膜、半導体膜の製造方法、太陽電池、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、および、電子デバイス | |
JP7356157B2 (ja) | 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 | |
Jagadeeswararao et al. | Stoichiometric Engineering of Cs2AgBiBr6 for Photomultiplication-Type Photodetectors | |
WO2021181842A1 (ja) | 太陽電池 | |
CN110040979B (zh) | 光吸收材料和使用该光吸收材料的太阳能电池 | |
CN114556604A (zh) | 太阳能电池 | |
JP7475732B2 (ja) | 複合体、光電変換素子用受光部材、および光電変換素子 | |
Kanlayapattamapong et al. | A new tin-based-precursor solution for reproducible and high-quality SnO2 electron transporting layers in carbon-based perovskite solar cells | |
WO2024038754A1 (ja) | 光電変換素子、光電変換装置、光の検出方法、および光電変換素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20210616 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20210616 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230711 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230914 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7356157 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |