JP7352300B2 - 記憶装置およびリビルド方法 - Google Patents
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Description
特許文献1 特開2020-107243号公報
Claims (9)
- リビルド機能を実装した記憶装置であって、
予め定められたデータを記憶する第1記憶領域と、
前記第1記憶領域から再生されたデータを書き込みする第2記憶領域と、
前記第1記憶領域および前記第2記憶領域の動作を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記記憶装置のハードウェアに実装され、前記記憶装置のファームウェアにより実行され、前記第2記憶領域をトリム処理した後に、前記第1記憶領域から再生された前記データを前記第2記憶領域に書き込みする
記憶装置。 - 前記制御部は、
前記第2記憶領域の全体をトリム処理する実行部と、
前記第1記憶領域から再生されたデータを前記第2記憶領域に書き込みするための予め定められた処理単位が未使用領域であるか否かを判定する判定部と
を有し、
前記実行部は、
前記処理単位が未使用領域である場合に、前記未使用領域と対応する領域にライト処理を実行せず、前記処理単位が使用領域である場合に、ライト処理を実行する
請求項1に記載の記憶装置。 - 前記制御部は、
前記第1記憶領域から再生されたデータを前記第2記憶領域に書き込みするための予め定められた処理単位が未使用領域であるか否かを判定する判定部と、
前記処理単位が未使用領域である場合に、前記未使用領域と対応する領域にトリム処理を実行し、前記処理単位が使用領域である場合に、ライト処理を実行する実行部と
を備える請求項1に記載の記憶装置。 - 前記判定部は、前記処理単位が未使用領域である場合に、次の処理単位が使用領域と判定されるまで、未使用領域であるか否かを判定する工程を繰り返し、
前記実行部は、
処理単位が使用領域と判定された場合に、前記未使用領域であると判定された処理単位に対応する領域をまとめてトリム処理し、
前記使用領域と判定された処理単位のライト処理を実行する
請求項3に記載の記憶装置。 - 前記第1記憶領域および前記第2記憶領域は、不揮発性のメモリである
請求項1から4のいずれか一項に記載の記憶装置。 - 記憶装置のハードウェアに実装され、前記記憶装置のファームウェアによって実行される制御部を用いた前記記憶装置のリビルド方法であって、
予め定められた第1記憶領域から再生されたデータを書き込みするための第2記憶領域をトリム処理する段階と、
前記第2記憶領域をトリム処理した後に、前記第1記憶領域から再生された前記データを前記第2記憶領域に書き込みする段階と
を備えるリビルド方法。 - 前記第2記憶領域の全体をトリム処理する段階と、
前記第1記憶領域から再生されたデータを前記第2記憶領域に書き込みするための予め定められた処理単位が未使用領域であるか否かを判定する段階と、
前記処理単位が未使用領域である場合に、前記未使用領域と対応する領域にライト処理を実行せず、前記処理単位が使用領域である場合に、ライト処理を実行する段階と
を備える請求項6に記載のリビルド方法。 - 前記第1記憶領域から再生されたデータを前記第2記憶領域に書き込みするための予め定められた処理単位が未使用領域であるか否かを判定する段階と、
前記処理単位が未使用領域である場合に、前記未使用領域と対応する領域にトリム処理を実行し、前記処理単位が使用領域である場合に、ライト処理を実行する段階と
を備える請求項6に記載のリビルド方法。 - 前記処理単位が未使用領域である場合に、次の処理単位が使用領域と判定されるまで、未使用領域であるか否かを判定する工程を繰り返す段階と、
処理単位が使用領域と判定された場合に、前記未使用領域であると判定された処理単位に対応する領域をまとめてトリム処理する段階と、
前記使用領域と判定された処理単位のライト処理を実行する段階と
を備える請求項8に記載のリビルド方法。
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