JP7349111B1 - Reduction reaction device and method for producing a reduced product of a compound to be treated - Google Patents
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- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 title claims abstract description 185
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 155
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 120
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 54
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 39
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 38
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 11
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 abstract description 4
- -1 hydrogen radicals Chemical class 0.000 description 37
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 5
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Abstract
【課題】確実かつ簡便な方法により反応系にエネルギーを供給することができ、吸熱反応であっても反応を十分に進行させることが可能な還元反応装置と、この装置を利用する被処理化合物の還元体の製造方法を提供する。【解決手段】水素ラジカル発生室１と、還元触媒６を備える触媒室５とを有し、還元触媒が、水素ラジカル発生室から流れてくる水素ラジカルを含有するガスと接触するように設置されている、還元反応装置１００、及び水素ラジカル発生室にて被処理化合物のガス及び水素ガスを含む混合ガスにマイクロ波を照射して水素ラジカルを発生させるステップと、生成した混合ガスを前記触媒室に誘導して還元触媒に接触させるステップとを有する、被処理化合物の還元体の製造方法であって、水素ラジカルが反応して化学結合が生じる際に放出されるエネルギーを利用して還元触媒の温度を高め、被処理化合物の還元反応を進行させる、還元体の製造方法。【選択図】図１[Problems] A reduction reaction device that can supply energy to a reaction system in a reliable and simple manner and allow the reaction to proceed sufficiently even in endothermic reactions; and A method for producing a reductant is provided. [Solution] A hydrogen radical generation chamber 1 and a catalyst chamber 5 including a reduction catalyst 6 are provided, and the reduction catalyst is installed so as to be in contact with a gas containing hydrogen radicals flowing from the hydrogen radical generation chamber. irradiating a mixed gas containing the gas of the compound to be treated and hydrogen gas with microwaves to generate hydrogen radicals in the reduction reaction apparatus 100 and the hydrogen radical generation chamber, and supplying the generated mixed gas to the catalyst chamber. A method for producing a reduced product of a compound to be treated, the method comprising the step of guiding the compound into contact with a reduction catalyst, and reducing the temperature of the reduction catalyst by utilizing the energy released when hydrogen radicals react to form a chemical bond. A method for producing a reductant, which enhances the reduction reaction of the compound to be treated. [Selection diagram] Figure 1
Description
本発明は、還元反応装置、及び被処理化合物の還元体の製造方法に関する。 The present invention relates to a reduction reaction apparatus and a method for producing a reduced product of a compound to be treated.
近年、各種化学反応を進行させる際にプラズマを使用することが行われている。
例えば、特許文献１には、減圧した反応管内にマイクロ波を照射し、前記反応管内に供給する窒素と水素の混合ガスからアンモニアを合成する装置が記載されている。
特許文献１には、反応管内に触媒を設けた実施形態も記載されている。その記載によれば、触媒はマイクロ波が照射され、プラズマが発生する位置に設置されている。
In recent years, plasma has been used to advance various chemical reactions.
For example,
特許文献２には、触媒にプラズマを照射して被処理ガスを改質し生成ガスを製造するガス製造システムが記載されている。
特許文献２のガス製造システムにおいては、被処理ガスとして、炭化水素系のガス及び酸化剤ガスを使用し、水素含有ガス（生成ガス）を得ている。
特許文献２に開示されている装置においても、触媒はプラズマが発生する位置に設置されている。
In the gas production system of
Also in the device disclosed in
ところで、近年、地球温暖化問題等の観点から、二酸化炭素の排出量の削減に関する技術や二酸化炭素の再利用に関する技術が注目されている。二酸化炭素の再利用に関する技術としては、二酸化炭素を還元して一酸化炭素やメタノールを合成する方法が知られている。
特許文献３には、二酸化炭素と水素および／または水蒸気からなる原料ガスを１０３Ｐａ以下の低圧力でマイクロ波プラズマ発生手段を備える反応チャンバーに連続的に導入し、原料ガスから発生したラジカルを、反応チャンバー内に固定して配置された触媒に接触させた後、少なくとも一酸化炭素を含む可燃性ガスを反応チャンバー外部へ連続的に取出すことを特徴とする二酸化炭素を可燃性ガスへ転化する方法が記載されている。
Incidentally, in recent years, from the viewpoint of global warming, etc., technologies related to reducing carbon dioxide emissions and technologies related to reusing carbon dioxide have been attracting attention. As a technique for reusing carbon dioxide, a method of reducing carbon dioxide to synthesize carbon monoxide and methanol is known.
特許文献４には、二酸化炭素と水素の混合ガスを触媒を充填した反応管に導入し、該触媒にマイクロ波を照射することにより、導入した二酸化炭素を接触水素還元してメタノールを合成する二酸化炭素からのメタノール合成方法において、前記反応管に水素の割合（体積比）が９０％以上である二酸化炭素と水素の混合ガスを空間速度（混合ガス基準）が１，７００～３０，０００ｈ－１になるように導入することを特徴とする二酸化炭素からのメタノール合成方法が記載されている。
上記のように、二酸化炭素を還元して一酸化炭素やメタノールを合成する方法は既に知られている。
しかしながら、例えば二酸化炭素を水素ガスで還元して一酸化炭素と水を生成させる反応においては、この反応が吸熱反応であるために、反応が進行すればするほど反応系にエネルギーを供給し続ける必要があった。
このため、従来、マイクロ波が照射される位置に触媒を設置してマイクロ波加熱により触媒温度を高めたり、触媒付近にヒーター等を設置して触媒温度を高めたりする必要があった。
As mentioned above, methods for synthesizing carbon monoxide and methanol by reducing carbon dioxide are already known.
However, for example, in the reaction of reducing carbon dioxide with hydrogen gas to produce carbon monoxide and water, this reaction is endothermic, so the more the reaction progresses, the more energy needs to be continuously supplied to the reaction system. was there.
For this reason, conventionally, it has been necessary to install a catalyst at a position where microwaves are irradiated and raise the catalyst temperature by microwave heating, or to install a heater or the like near the catalyst to raise the catalyst temperature.
しかしながら、マイクロ波加熱により触媒を加熱する場合、触媒が金属のときはマイクロ波が反射され、触媒を効率よく加熱できないという問題があった。また、触媒付近にヒーター等の熱供給手段を設けると装置が複雑になるという問題があった。
本発明はこのような状況下においてなされたものであり、確実かつ簡便な方法により反応系にエネルギーを供給することができ、吸熱反応であっても反応を十分に進行させることが可能な還元反応装置と、このエネルギー供給方法を利用する被処理化合物の還元体の製造方法を提供することを目的とする。
However, when heating a catalyst by microwave heating, there is a problem that when the catalyst is metal, the microwaves are reflected and the catalyst cannot be heated efficiently. Furthermore, there is a problem in that providing a heat supply means such as a heater near the catalyst complicates the apparatus.
The present invention has been made under these circumstances, and is a reduction reaction that can supply energy to a reaction system in a reliable and simple manner, and that allows the reaction to proceed sufficiently even if it is an endothermic reaction. It is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for producing a reduced product of a compound to be treated using this energy supply method.
本発明者らは、上記課題を解決すべく、水素ガスを還元剤として用いる還元反応用の装置について鋭意検討を重ねた。
その結果、水素ラジカルが反応して化学結合が生じる際に放出されるエネルギーを反応系に供給することで、吸熱反応であっても反応を十分に進行させることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have conducted intensive studies on an apparatus for a reduction reaction that uses hydrogen gas as a reducing agent.
As a result, they discovered that by supplying the energy released when hydrogen radicals react to form chemical bonds to the reaction system, even endothermic reactions can proceed sufficiently, and the present invention was completed. I ended up doing it.
かくして本発明によれば、下記〔１〕～〔１１〕の還元反応装置、及び〔１２〕～〔１７〕の被処理化合物の還元体の製造方法が提供される。
〔１〕水素ラジカル発生室と、前記水素ラジカル発生室の下流側に接続された触媒室とを有する還元反応装置であって、前記水素ラジカル発生室が、絶縁体からなる筒状の容器と、前記絶縁体からなる筒状の容器に被処理化合物のガス及び水素ガスを供給する、１又は２以上のガス供給口と、前記絶縁体からなる筒状の容器の側方に設けられたマイクロ波導入口とを備え、前記水素ラジカル発生室は、前記絶縁体からなる筒状の容器の内部に水素ラジカルを発生させるものであり、前記触媒室が、還元触媒と、前記触媒室内のガスを排気するガス排出口とを備えるものであり、前記還元触媒が、前記水素ラジカル発生室から流れてくる被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスと接触するように設置されている還元反応装置。
〔２〕前記絶縁体が石英である、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔３〕前記被処理化合物のガスが二酸化炭素ガスである、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔４〕前記水素ラジカル発生室が、マイクロ波プラズマを発生させるものである、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔５〕前記還元触媒が、周期表第４周期以降の金属元素を１種又は２種以上を含有するものである、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔６〕前記還元触媒の形状が、粒子状、繊維状、板状、箔状のいずれかである、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔７〕前記マイクロ波導入口と前記還元触媒の間の距離が、下記の要件Ａ又は要件Ｂを満たすものである、〔１〕に記載の還元反応装置。
要件Ａ：マイクロ波導入口の断面の形状が円であるとき、マイクロ波導入口と還元触媒の間の距離が、マイクロ波導入口の断面の直径の２倍以上である。
要件Ｂ：マイクロ波導入口の断面の形状が円以外の形状であるとき、マイクロ波導入口と還元触媒の間の距離が、マイクロ波導入口の断面を内包する最小の円の直径の２倍以上である。
〔８〕前記触媒室が、前記還元触媒を外部から加熱する手段を備えていないものである、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔９〕前記水素ラジカル発生室と前記触媒室との組み合わせを２組以上有する還元反応装置であって、２組以上の水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせが、直列及び／又は並列に接続されている、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔１０〕さらに金属容器を備える還元反応装置であって、前記金属容器は、前記水素ラジカル発生室を収容し、マイクロ波を閉じ込めるものである、〔１〕に記載の還元反応装置。
〔１１〕前記水素ラジカル発生室と前記触媒室との組み合わせを２組以上有する還元反応装置であって、２組以上の水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせが、直列及び／又は並列に接続され、複数の水素ラジカル発生室が前記金属容器に収容されている、〔１０〕に記載の還元反応装置。
〔１２〕被処理化合物のガス及び水素ガスを含む混合ガスにマイクロ波を照射して水素ラジカルを発生させるステップ（ステップＡ）と、ステップＡで生成した被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスを、還元触媒に接触させるステップ（ステップＢ）を有する、被処理化合物の還元体の製造方法であって、水素ラジカルが反応して化学結合が生じる際に放出されるエネルギーを利用して前記還元触媒の温度を高め、被処理化合物の還元反応を進行させる、被処理化合物の還元体の製造方法。
〔１３〕前記被処理化合物の還元反応が吸熱反応である、〔１２〕に記載の被処理化合物の還元体の製造方法。
〔１４〕被処理化合物の還元反応の進行中の還元触媒の温度が、２００～８００℃である、〔１２〕に記載の被処理化合物の還元体の製造方法。
〔１５〕被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガス中に含まれるラジカルの密度が、前記還元触媒上において、１×１０１４個／ｃｍ３以上である、〔１２〕に記載の被処理化合物の還元体の製造方法。
〔１６〕前記〔１〕に記載の還元反応装置を使用する、〔１２〕に記載の被処理化合物の還元体の製造方法。
〔１７〕触媒室のガス排出口から排出されたガスを、水素ラジカル発生室のガス供給口から再度還元反応装置内に導入し、ステップＡとステップＢを繰り返し行う、〔１６〕に記載の被処理化合物の還元体の製造方法。
Thus, according to the present invention, the following reduction reaction apparatuses [1] to [11] and the methods for producing a reduced product of a compound to be treated are provided [12] to [17].
[1] A reduction reaction apparatus having a hydrogen radical generation chamber and a catalyst chamber connected to the downstream side of the hydrogen radical generation chamber, wherein the hydrogen radical generation chamber includes a cylindrical container made of an insulator; one or more gas supply ports for supplying the gas of the compound to be treated and hydrogen gas to the cylindrical container made of the insulator; and a microwave guide provided on the side of the cylindrical container made of the insulator. and an inlet, the hydrogen radical generation chamber is for generating hydrogen radicals inside the cylindrical container made of the insulator, and the catalyst chamber exhausts the reduction catalyst and the gas in the catalyst chamber. a gas discharge port, and the reduction catalyst is installed so as to be in contact with a mixed gas containing a to-be-treated compound and hydrogen radicals flowing from the hydrogen radical generation chamber.
[2] The reduction reaction device according to [1], wherein the insulator is quartz.
[3] The reduction reaction apparatus according to [1], wherein the gas of the compound to be treated is carbon dioxide gas.
[4] The reduction reaction apparatus according to [1], wherein the hydrogen radical generation chamber generates microwave plasma.
[5] The reduction reaction device according to [1], wherein the reduction catalyst contains one or more metal elements from the fourth period of the periodic table or later.
[6] The reduction reaction device according to [1], wherein the shape of the reduction catalyst is any one of particulate, fibrous, plate-like, and foil-like.
[7] The reduction reaction apparatus according to [1], wherein the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst satisfies requirement A or requirement B below.
Requirement A: When the cross-sectional shape of the microwave inlet is circular, the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst is at least twice the diameter of the cross-section of the microwave inlet.
Requirement B: When the cross-sectional shape of the microwave inlet is a shape other than a circle, the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst is at least twice the diameter of the smallest circle that includes the cross section of the microwave inlet. .
[8] The reduction reaction apparatus according to [1], wherein the catalyst chamber is not equipped with a means for externally heating the reduction catalyst.
[9] A reduction reaction apparatus having two or more combinations of the hydrogen radical generation chamber and the catalyst chamber, wherein the two or more combinations of the hydrogen radical generation chamber and the catalyst chamber are connected in series and/or in parallel. The reduction reaction apparatus according to [1], wherein
[10] The reduction reaction apparatus according to [1], further comprising a metal container, wherein the metal container accommodates the hydrogen radical generation chamber and confines microwaves.
[11] A reduction reaction apparatus having two or more combinations of the hydrogen radical generation chamber and the catalyst chamber, wherein the two or more combinations of the hydrogen radical generation chamber and the catalyst chamber are connected in series and/or in parallel. The reduction reaction apparatus according to [10], wherein a plurality of hydrogen radical generation chambers are housed in the metal container.
[12] A step (step A) of generating hydrogen radicals by irradiating a mixed gas containing the gas of the compound to be treated and hydrogen gas (step A), and a mixed gas containing the compound to be treated and the hydrogen radicals generated in step A. A method for producing a reduced product of a compound to be treated, the method comprising the step of bringing the compound into contact with a reduction catalyst (step B), the reduction is performed using energy released when hydrogen radicals react to form a chemical bond. A method for producing a reduced product of a compound to be treated by increasing the temperature of a catalyst to advance a reduction reaction of the compound to be treated.
[13] The method for producing a reduced product of a compound to be treated according to [12], wherein the reduction reaction of the compound to be treated is an endothermic reaction.
[14] The method for producing a reduced product of a compound to be treated according to [12], wherein the temperature of the reduction catalyst during the reduction reaction of the compound to be treated is 200 to 800°C.
[15] The compound to be treated according to [12], wherein the density of radicals contained in the mixed gas containing the compound to be treated and hydrogen radicals is 1×10 14 /cm 3 or more on the reduction catalyst. A method for producing a reduced form of.
[16] The method for producing a reduced product of the compound to be treated according to [12], which uses the reduction reaction apparatus described in [1] above.
[17] The gas discharged from the gas discharge port of the catalyst chamber is introduced into the reduction reaction apparatus again from the gas supply port of the hydrogen radical generation chamber, and step A and step B are repeated. A method for producing a reduced product of a treated compound.
本発明によれば、確実かつ簡便な方法により反応系にエネルギーを供給することができ、吸熱反応であっても反応を十分に進行させることが可能な還元反応装置と、このエネルギー供給方法を利用する被処理化合物の還元体の製造方法が提供される。 According to the present invention, a reduction reaction apparatus capable of supplying energy to a reaction system in a reliable and simple manner and capable of sufficiently advancing a reaction even in an endothermic reaction, and this energy supply method are utilized. A method for producing a reduced product of a compound to be treated is provided.
以下、本発明を、１）還元反応装置、及び、２）被処理化合物の還元体の製造方法、に項分けして詳細に説明する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below, divided into 1) a reduction reaction apparatus, and 2) a method for producing a reduced product of a compound to be treated.
１）還元反応装置
本発明の還元反応装置は、水素ラジカル発生室と、前記水素ラジカル発生室の下流側に接続された触媒室とを有する還元反応装置であって、前記水素ラジカル発生室が、絶縁体からなる筒状の容器と、前記絶縁体からなる筒状の容器に被処理化合物のガス（以下、「被処理ガス」と記載することがある）及び水素ガスを供給する、１又は２以上のガス供給口と、前記絶縁体からなる筒状の容器の側方に設けられたマイクロ波導入口とを備え、前記水素ラジカル発生室は、前記絶縁体からなる筒状の容器の内部に水素ラジカルを発生させるものであり、前記触媒室が、還元触媒と、前記触媒室内のガスを排気するガス排出口とを備えるものであり、前記還元触媒が、前記水素ラジカル発生室から流れてくる被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスと接触するように設置されている還元反応装置である。
1) Reduction Reaction Apparatus The reduction reaction apparatus of the present invention is a reduction reaction apparatus having a hydrogen radical generation chamber and a catalyst chamber connected to the downstream side of the hydrogen radical generation chamber, the hydrogen radical generation chamber comprising: 1 or 2 supplying a cylindrical container made of an insulator and a gas of a compound to be treated (hereinafter sometimes referred to as "gas to be treated") and hydrogen gas to the cylindrical container made of the insulator; The hydrogen radical generation chamber includes the above-mentioned gas supply port and a microwave inlet provided on the side of the cylindrical container made of the insulator, and the hydrogen radical generation chamber has hydrogen inside the cylindrical container made of the insulator. The catalyst chamber is equipped with a reduction catalyst and a gas exhaust port for exhausting the gas in the catalyst chamber, and the reduction catalyst is configured to absorb the gas flowing from the hydrogen radical generation chamber. This is a reduction reactor placed in contact with a mixed gas containing treatment compounds and hydrogen radicals.
以下、本発明の還元反応装置について、図１～７を参照しながら説明する。
図１は、本発明の還元反応装置の実施の形態の一例を示す図である。図１（ａ）は、還元反応装置１００の模式断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面を上方から見た図である。
Hereinafter, the reduction reaction apparatus of the present invention will be explained with reference to FIGS. 1 to 7.
FIG. 1 is a diagram showing an example of an embodiment of a reduction reaction apparatus of the present invention. FIG. 1(a) is a schematic cross-sectional view of the
還元反応装置１００を構成する水素ラジカル発生室１は、絶縁体からなる筒状の容器２を備えるものである。
絶縁体からなる筒状の容器２の長さ（図１（ａ）中、縦方向の長さ）は、特に限定されないが、通常５～１００ｃｍであり、１０～５０ｃｍが好ましい。
絶縁体からなる筒状の容器２の直径は、特に限定されないが、通常１～５０ｃｍであり、５～２０ｃｍが好ましい。
A hydrogen
The length of the
The diameter of the
絶縁体としては、石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、ハフニア（ＨｆＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等が挙げられる。
これらの中でも、絶縁体からなる筒状の容器の作製が容易であること、及び、表面が滑らかであるため、絶縁体からなる筒状の容器の表面積が小さくなり、水素ラジカルの接触が低減化され、失活を抑制できることから、絶縁体としては石英が好ましい。
Examples of the insulator include quartz, alumina (Al 2 O 3 ), yttria (Y 2 O 3 ), hafnia (HfO 2 ), zirconia (ZrO 2 ), magnesium oxide (MgO), aluminum nitride (AlN), etc. .
Among these, the cylindrical container made of an insulator is easy to manufacture, and the surface is smooth, so the surface area of the cylindrical container made of an insulator is small, reducing contact with hydrogen radicals. Quartz is preferable as the insulator because it can suppress deactivation.
水素ラジカル発生室１は、前記絶縁体からなる筒状の容器２内に被処理ガス及び水素ガスを供給するガス供給口３を備える。
還元反応装置１００は２つのガス供給口３を備える。ただし、本発明の還元反応装置においては、ガス供給口の数は特に限定されない。例えば、水素ラジカル発生室には、被処理ガス及び水素ガスで構成された混合ガスを１つのガス供給口から導入してもよいし、被処理ガスと水素ガスをそれぞれの別のガス供給口から導入してもよい。
The hydrogen
The
被処理ガスとしては、水素ガスで還元される被処理化合物のガスであれば特に限定されない。例えば、二酸化炭素ガス、窒素ガス、二酸化窒素ガス等が挙げられる。
これらの中でも、本発明の還元反応装置は、確実かつ簡便な方法により反応系にエネルギーを供給することができ、吸熱反応でも反応を十分に進行させることができること、及び、近年、地球温暖化問題等の観点から二酸化炭素の再利用が重要視されていること等の理由により、被処理ガスとしては二酸化炭素ガスが好ましい。
The gas to be treated is not particularly limited as long as it is a gas of a compound to be treated that can be reduced with hydrogen gas. Examples include carbon dioxide gas, nitrogen gas, nitrogen dioxide gas, and the like.
Among these, the reduction reaction apparatus of the present invention is capable of supplying energy to the reaction system in a reliable and simple manner, and can sufficiently proceed even in an endothermic reaction, and in recent years, the problem of global warming has been solved. Carbon dioxide gas is preferred as the gas to be treated, for reasons such as the fact that reuse of carbon dioxide is considered important.
水素ラジカル発生室１は、前記絶縁体からなる筒状の容器２の側方に設けられたマイクロ波導入口４を備える。
還元反応装置１００を使用する際は、マイクロ波導入口４からマイクロ波（Ｍ）を照射し、絶縁体からなる筒状の容器２の内部にマイクロ波プラズマを発生させる。
マイクロ波の発生は、通常、マイクロ波電源、マイクロ波発振器、アイソレータ、方向性結合器、整合器等を備えるマイクロ波発生部（図示を省略）で行われ、発生したマイクロ波は導波管（図示を省略）によりマイクロ波導入口４に伝えられる。
マイクロ波プラズマの発生方法に関しては、マイクロ波表面波プラズマに関する公知技術を利用することができる。
The hydrogen
When using the
Microwave generation is usually performed in a microwave generator (not shown) that includes a microwave power source, microwave oscillator, isolator, directional coupler, matching device, etc., and the generated microwaves are passed through a waveguide ( (not shown) is transmitted to the
As for the method of generating microwave plasma, known techniques related to microwave surface wave plasma can be used.
絶縁体からなる筒状の容器２の内部に発生したマイクロ波プラズマは、通常、水素ラジカル、水素イオン、電子等を含む。後述するように、本発明の還元反応装置においては、反応系にエネルギーを供給する際に水素ラジカルを利用する。
The microwave plasma generated inside the
還元反応装置１００を構成する触媒室５は、水素ラジカル発生室１の下流側に接続されている。したがって、水素ラジカル発生室１で発生したマイクロ波プラズマ（被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガス）は触媒室５に流れていく。なお、本明細書において「マイクロ波プラズマ」と「被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガス」を明確に区別してはいないが、機能面から、水素ラジカル発生室内のものを「マイクロ波プラズマ」と記載し、触媒室内のものを「被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガス」と記載することが多い。
The
触媒室５は、還元触媒６を備える。
還元触媒６は、被処理化合物の還元反応を触媒するものであれば特に限定されない。
被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスが還元触媒に接触したときに破壊されにくいことから、還元触媒６は、周期表第４周期以降の金属元素を１種又は２種以上を含有するものが好ましい。
周期表第４周期以降の金属元素としては、チタン、バナジウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、パラジウム、タンタル、タングステン、白金、金、ガドリニウム等が挙げられる。
The
The
Since the mixed gas containing the compound to be treated and hydrogen radicals is not easily destroyed when it comes into contact with the reduction catalyst, the
Examples of metal elements in the fourth and subsequent periods of the periodic table include titanium, vanadium, chromium, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, zirconium, molybdenum, ruthenium, palladium, tantalum, tungsten, platinum, gold, and gadolinium. It will be done.
還元触媒６の形状は特に限定されない。
還元触媒６の形状としては、粒子状、繊維状、板状、箔状等が挙げられる。
還元触媒６は、水素ラジカル発生室１から流れてくる被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスと接触するように設置されている。
The shape of the
Examples of the shape of the
The
触媒室５は、触媒室５内のガスを排気するガス排出口７を備える。
ガス排出口７から、被処理化合物の還元体を含むガスを取り出すことができる。
The
A gas containing a reduced form of the compound to be treated can be taken out from the
還元反応装置１００が稼働している状態においては、水素ラジカルが反応して化学結合が生じる際にエネルギーが放出される。このエネルギーを吸収することで還元触媒６の温度が十分に高くなるため、還元反応が吸熱反応であっても反応を十分に進行させることができる。
したがって、触媒室５は、還元触媒６を外部から加熱する手段（ヒーター等）を備えていなくてもよい。
When the
Therefore, the
図２は、本発明の還元反応装置の実施の形態の他の例を示す図である。図２（ａ）は、還元反応装置２００の模式断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の還元反応装置における水素ラジカル発生室と触媒室との境界を説明する模式図である。
FIG. 2 is a diagram showing another example of the embodiment of the reduction reaction apparatus of the present invention. FIG. 2(a) is a schematic cross-sectional view of the
還元反応装置２００は、絶縁体からなる筒状の容器８と、前記絶縁体からなる筒状の容器８に被処理ガス及び水素ガスを供給するガス供給口９と、前記絶縁体からなる筒状の容器８の側方に設けられたマイクロ波導入口１０とを備え、さらに、触媒台１１の上に設置された還元触媒１２と、ガス排出口１３とを備える。
The
還元反応装置２００は、以下の特徴１、２を有する。
（特徴１）絶縁体からなる筒状の容器８は、還元反応装置２００の上流部の側壁だけでなく、下流部の側壁（すなわち、還元触媒１２の周囲の側壁）も構成している。このため、絶縁体からなる筒状の容器８として石英管を用いた場合、水素ラジカルが側壁に衝突しても失活し難く、水素ラジカルを還元触媒１２により確実に接触させることができる。
（特徴２）還元触媒１２が触媒台１１の上に設置されている。触媒台１１は上下に可動な状態で設けられており、マイクロ波導入口１０と還元触媒１２の距離を調節することができる。水素ラジカルは、時間の経過とともに消滅したり、水素イオンと電子の反応により発生したりするため、マイクロ波導入口１０と還元触媒１２の距離を調節することにより、水素ラジカルが還元触媒１２に接触する量を変化させ、還元触媒の表面温度を調節することができる。
The
(Feature 1) The
(Feature 2) The reduction catalyst 12 is installed on the catalyst stand 11. The catalyst stand 11 is provided so as to be movable up and down, and the distance between the
還元反応装置２００のように、水素ラジカル発生室と触媒室の境界が明確でない場合、各室の機能に基づき、水素ラジカル発生室と触媒室を区分けすることができる。
すなわち、水素ラジカル発生室は、マイクロ波が十分に到達し、マイクロ波プラズマが発生する場所である。一方、その下流に位置し、マイクロ波が到達しない場所が触媒室である。
マイクロ波は、マイクロ波導入口から球面状に広がり、その強度は距離の２乗で低下する。したがって、マイクロ波導入口１０の断面の形状が円であり、その直径がＤのとき、絶縁体からなる筒状の容器８表面における前記円の中心１４の位置から下流に（２×Ｄ）の位置を、水素ラジカル発生室と触媒室の境界１５とし、境界１５より上流側を水素ラジカル発生室１６とし、境界１５より下流側を触媒室１７とすることができる。
When the boundary between the hydrogen radical generation chamber and the catalyst chamber is not clear as in the
That is, the hydrogen radical generation chamber is a place where microwaves sufficiently reach and microwave plasma is generated. On the other hand, the catalyst chamber is located downstream and is not reached by the microwaves.
The microwave spreads out in a spherical shape from the microwave inlet, and its intensity decreases as the square of the distance. Therefore, when the cross-sectional shape of the
また、マイクロ波導入口の断面の形状が円以外の形状であるときは、マイクロ波導入口の断面を内包する最小の円を仮定し、その円を用いて上記と同様の方法により、水素ラジカル発生室と触媒室とを区別することができる。 In addition, when the cross-sectional shape of the microwave inlet is a shape other than a circle, assume the smallest circle that includes the cross section of the microwave inlet, and use that circle to create a hydrogen radical generation chamber in the same manner as above. A distinction can be made between the catalyst chamber and the catalyst chamber.
上記の理由により、本発明の還元反応装置においては、マイクロ波導入口と還元触媒の間の距離が、下記の要件Ａ又は要件Ｂを満たすものが好ましい。
要件Ａ：マイクロ波導入口の断面の形状が円であるとき、マイクロ波導入口と還元触媒の間の距離が、マイクロ波導入口の断面の直径の２倍以上である。
要件Ｂ：マイクロ波導入口の断面の形状が円以外の形状であるとき、マイクロ波導入口と還元触媒の間の距離が、マイクロ波導入口の断面を内包する最小の円の直径の２倍以上である。
For the above reasons, in the reduction reaction apparatus of the present invention, it is preferable that the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst satisfy requirement A or requirement B below.
Requirement A: When the cross-sectional shape of the microwave inlet is circular, the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst is at least twice the diameter of the cross-section of the microwave inlet.
Requirement B: When the cross-sectional shape of the microwave inlet is a shape other than a circle, the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst is at least twice the diameter of the smallest circle that includes the cross section of the microwave inlet. .
図３は、本発明の還元反応装置の実施の形態の他の例である還元反応装置３００の模式断面図である。
還元反応装置３００は、被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスが、水平方向（図中、横方向）に流れるように設置されている。還元反応装置３００は、絶縁体からなる筒状の容器１８と、前記絶縁体からなる筒状の容器１８に被処理ガス及び水素ガスを供給するガス供給口１９と、前記絶縁体からなる筒状の容器１８の側方に設けられたマイクロ波導入口２０とを備え、さらに、還元触媒２１と、ガス排出口２２とを備える。
また、上記の方法により、境界２３、水素ラジカル発生室２４、及び触媒室２５が決定される。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a reduction reaction apparatus 300 which is another example of the embodiment of the reduction reaction apparatus of the present invention.
The reduction reaction apparatus 300 is installed so that a mixed gas containing the compound to be treated and hydrogen radicals flows horizontally (laterally in the figure). The reduction reaction apparatus 300 includes a cylindrical container 18 made of an insulator, a
Further, the boundary 23, the hydrogen
図４は、本発明の還元反応装置の実施の形態の他の例である還元反応装置４００の模式断面図である。
還元反応装置４００は、マイクロ波導波管２７で接続されたマイクロ波導入口２６を２つ備えている点で、還元反応装置３００とは異なっている。
還元反応装置４００のように複数のマイクロ波導入口を有する場合は、最も下流側に位置するマイクロ波導入口２６に基づき、境界２８、水素ラジカル発生室２９、及び触媒室３０が決定される。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a
The
When the
本発明の還元反応装置は、還元反応装置１００、２００、３００、４００のように、水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせを１組有するものであってもよいし、水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせを２組以上有するものであってもよい。
The reduction reaction apparatus of the present invention may have one combination of a hydrogen radical generation chamber and a catalyst chamber, like the
本発明の還元反応装置が、水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせを２組以上有するときの、２組以上の水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせの配列例を図５に示す。
図５（ａ）に記載の配列例で表される還元反応装置は、水素ラジカル発生室と触媒室の組み合わせを２組有するものであり（マイクロ波導入口３１を有する水素ラジカル発生室３２と触媒室３３の組み合わせと、マイクロ波導入口３４を有する水素ラジカル発生室３５と触媒室３６の組み合わせ）、これらの組み合わせが直列に接続されている。
なお、図５において、矢印はガスが流れる方向を表し、ガス供給口、ガス排出口、及び還元触媒は省略している。
When the reduction reaction apparatus of the present invention has two or more combinations of hydrogen radical generation chambers and catalyst chambers, an arrangement example of two or more combinations of hydrogen radical generation chambers and catalyst chambers is shown in FIG.
The reduction reaction apparatus represented by the arrangement example shown in FIG. 33 and a combination of a hydrogen radical generation chamber 35 having a
Note that in FIG. 5, arrows indicate the direction in which gas flows, and the gas supply port, gas discharge port, and reduction catalyst are omitted.
図５（ｂ）に記載の配列例で表される還元反応装置は、水素ラジカル発生室と触媒室の組み合わせを２組有するものであり、これらの組み合わせが並列に接続されている。
図５（ｃ）に記載の配列例で表される還元反応装置は、水素ラジカル発生室と触媒室の組み合わせを４組有するものであり、これらの組み合わせが直列及び並列に接続されている。
The reduction reaction apparatus represented by the arrangement example shown in FIG. 5(b) has two combinations of hydrogen radical generation chambers and catalyst chambers, and these combinations are connected in parallel.
The reduction reaction apparatus represented by the arrangement example shown in FIG. 5(c) has four combinations of hydrogen radical generation chambers and catalyst chambers, and these combinations are connected in series and in parallel.
図６は、本発明の還元反応装置の実施の形態の他の例である還元反応装置５００の模式図である。
還元反応装置５００は、絶縁体からなる筒状の容器３７を有する。絶縁体からなる筒状の容器３７は、水素ラジカル発生室３８と触媒室３９の側壁を構成している。水素ラジカル発生室３８の部分の絶縁体からなる筒状の容器３７の側方にはマイクロ波導入口４０が設けられている。
還元反応装置５００は、さらに、水素ラジカル発生室３８を収容する金属容器４１を有する。金属容器４１は、発生したマイクロ波を金属容器４１内に閉じ込めることができるため、還元反応を安全に行うことができる。また、マイクロ波プラズマを効率よく発生させることができる。
なお、図６において、ガス供給口、ガス排出口、及び還元触媒は省略している。
FIG. 6 is a schematic diagram of a reduction reaction apparatus 500 which is another example of the embodiment of the reduction reaction apparatus of the present invention.
The reduction reaction apparatus 500 has a
The reduction reaction apparatus 500 further includes a metal container 41 that accommodates the hydrogen
In addition, in FIG. 6, a gas supply port, a gas discharge port, and a reduction catalyst are omitted.
マイクロ波を閉じ込めることができる限り、金属容器の材質は特に限定されない。金属容器の材質としては、例えば、銅、ニッケル、アルミニウム等が挙げられる。 The material of the metal container is not particularly limited as long as it can confine microwaves. Examples of the material of the metal container include copper, nickel, and aluminum.
本発明の還元反応装置が、水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせを２組以上有し、さらに、水素ラジカル発生室を収容する金属容器を有するとき、金属容器は複数の水素ラジカル発生室を収容していてもよい。 When the reduction reaction apparatus of the present invention has two or more combinations of hydrogen radical generation chambers and catalyst chambers, and further includes a metal container that accommodates the hydrogen radical generation chambers, the metal container accommodates the plurality of hydrogen radical generation chambers. It may be accommodated.
本発明の還元反応装置が、水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせを２組以上有し、さらに、複数の水素ラジカル発生室を収容する金属容器を有するときの、２組以上の水素ラジカル発生室と触媒室との組み合わせの配列例を図７に示す。
図７（ａ）に記載の配列例で表される還元反応装置は、水素ラジカル発生室と触媒室の組み合わせを２組有するものであり（マイクロ波導入口４２を有する水素ラジカル発生室４３と触媒室４４の組み合わせと、マイクロ波導入口４５を有する水素ラジカル発生室４６と触媒室４７の組み合わせ）、これらの組み合わせが直列に接続されている。さらに、２つの水素ラジカル発生室（水素ラジカル発生室４３、４６）は、金属容器４８に収容されている。
なお、図７において、矢印はガスが流れる方向を表し、ガス供給口、ガス排出口、及び還元触媒は省略している。
When the reduction reaction apparatus of the present invention has two or more combinations of a hydrogen radical generation chamber and a catalyst chamber, and further has a metal container accommodating a plurality of hydrogen radical generation chambers, two or more hydrogen radical generation FIG. 7 shows an arrangement example of a combination of chambers and catalyst chambers.
The reduction reaction apparatus represented by the arrangement example shown in FIG. 7A has two combinations of a hydrogen radical generation chamber and a catalyst chamber (a hydrogen radical generation chamber 43 having a microwave inlet 42 and a catalyst chamber). 44, and a combination of a hydrogen radical generation chamber 46 having a microwave inlet 45 and a catalyst chamber 47), these combinations are connected in series. Furthermore, two hydrogen radical generation chambers (hydrogen radical generation chambers 43 and 46) are housed in a metal container 48.
Note that in FIG. 7, arrows indicate the direction in which gas flows, and the gas supply port, gas discharge port, and reduction catalyst are omitted.
図７（ｂ）に記載の配列例で表される還元反応装置は、水素ラジカル発生室と触媒室の組み合わせを２組有するものであり、これらの組み合わせが並列に接続されている。さらに、２つの水素ラジカル発生室は、金属容器に収容されている。
図７（ｃ）に記載の配列例で表される還元反応装置は、水素ラジカル発生室と触媒室の組み合わせを４組有するものであり、これらの組み合わせが直列及び並列に接続されている。さらに、４つの水素ラジカル発生室は、金属容器に収容されている。
The reduction reaction apparatus represented by the arrangement example shown in FIG. 7(b) has two combinations of a hydrogen radical generation chamber and a catalyst chamber, and these combinations are connected in parallel. Furthermore, the two hydrogen radical generation chambers are housed in a metal container.
The reduction reaction apparatus represented by the arrangement example shown in FIG. 7(c) has four combinations of hydrogen radical generation chambers and catalyst chambers, and these combinations are connected in series and in parallel. Furthermore, the four hydrogen radical generation chambers are housed in a metal container.
２）被処理化合物の還元体の製造方法
本発明の被処理化合物の還元体の製造方法は、被処理化合物のガス及び水素ガスを含む混合ガスにマイクロ波を照射して水素ラジカルを発生させるステップ（ステップＡ）と、ステップＡで生成した被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスを、還元触媒に接触させるステップ（ステップＢ）を有する、被処理化合物の還元体の製造方法であって、水素ラジカルが反応して化学結合が生じる際に放出されるエネルギーを利用して前記還元触媒の温度を高め、被処理化合物の還元反応を進行させるものである。
2) Method for producing a reduced product of a compound to be treated The method for producing a reduced product of a compound to be treated according to the present invention includes a step of irradiating a mixed gas containing a gas of a compound to be treated and hydrogen gas with microwaves to generate hydrogen radicals. (Step A); and a step (Step B) of bringing a mixed gas containing the treated compound and hydrogen radicals generated in Step A into contact with a reduction catalyst, the method comprising: The energy released when hydrogen radicals react to form chemical bonds is used to increase the temperature of the reduction catalyst and advance the reduction reaction of the compound to be treated.
ステップＡは、被処理化合物のガス及び水素ガスを含む混合ガスにマイクロ波を照射して水素ラジカルを発生させるステップである。
ステップＡを行うことで、被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスが生成する。
マイクロ波は、通常、周波数が２．４５ＧＨｚであり、照射出力が、通常５０～３０００Ｗ、好ましくは１００～２０００Ｗ、より好ましくは２００～１０００Ｗである。
被処理化合物のガスとしては、還元反応装置の発明の中で例示したものが挙げられる。
Step A is a step of generating hydrogen radicals by irradiating a mixed gas containing the gas of the compound to be treated and hydrogen gas with microwaves.
By performing step A, a mixed gas containing the compound to be treated and hydrogen radicals is generated.
Microwaves usually have a frequency of 2.45 GHz and an irradiation output of usually 50 to 3000 W, preferably 100 to 2000 W, and more preferably 200 to 1000 W.
Examples of the gas for the compound to be treated include those exemplified in the invention of the reduction reaction apparatus.
ステップＢは、ステップＡで生成した被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスを、還元触媒に接触させるステップである。
還元触媒としては、還元反応装置の発明の中で例示したものが挙げられる。
ステップＢを行うことで、被処理化合物の還元反応が進行し、被処理化合物の還元体が生成する。
Step B is a step in which the mixed gas containing the compound to be treated and hydrogen radicals produced in Step A is brought into contact with a reduction catalyst.
Examples of the reduction catalyst include those exemplified in the invention of the reduction reaction apparatus.
By performing step B, the reduction reaction of the compound to be treated progresses, and a reduced product of the compound to be treated is generated.
被処理化合物の還元反応が吸熱反応の場合、反応系に熱を供給し続ける必要がある。本発明の被処理化合物の還元体の製造方法は、水素ラジカルが反応して化学結合が生じる際に放出されるエネルギーを利用して前記還元触媒の温度を高め、被処理化合物の還元反応を進行させるものである。 When the reduction reaction of the compound to be treated is an endothermic reaction, it is necessary to continue supplying heat to the reaction system. The method for producing a reduced product of a compound to be treated according to the present invention uses the energy released when hydrogen radicals react to form a chemical bond to increase the temperature of the reduction catalyst to proceed with the reduction reaction of the compound to be treated. It is something that makes you
このように、本発明の被処理化合物の還元体の製造方法においては、水素ラジカルは還元剤として利用するだけでなく、エネルギー供給源としても利用する。これにより、還元反応が吸熱反応であっても、外部から熱を供給することなく、反応を十分に進行させることができる。 As described above, in the method for producing a reduced product of a compound to be treated according to the present invention, hydrogen radicals are used not only as a reducing agent but also as an energy supply source. Thereby, even if the reduction reaction is an endothermic reaction, the reaction can proceed sufficiently without supplying heat from the outside.
被処理化合物の還元反応の進行中の還元触媒の温度は、２００～８００℃が好ましい。
還元触媒の温度は、マイクロ波の出力の調整、被処理ガスと水素ガスの混合割合の調整、還元反応装置内の圧力の調整、マイクロ波導入口と触媒の距離の調整等により制御することができる。
The temperature of the reduction catalyst during the progress of the reduction reaction of the compound to be treated is preferably 200 to 800°C.
The temperature of the reduction catalyst can be controlled by adjusting the microwave output, adjusting the mixing ratio of the gas to be treated and hydrogen gas, adjusting the pressure inside the reduction reactor, adjusting the distance between the microwave inlet and the catalyst, etc. .
被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガス中に含まれるラジカルの密度は、還元触媒上において、１×１０１４個／ｃｍ３以上であることが好ましい。
ラジカルの密度は、公知の手法によって決定することができる（例えば、Ｔ．Ａｒａｉ ｅｔ ａｌ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１６，４，２９－３３）。
The density of radicals contained in the mixed gas containing the compound to be treated and hydrogen radicals on the reduction catalyst is preferably 1×10 14 /cm 3 or more.
The density of radicals can be determined by a known method (for example, T. Arai et al. Journal of Materials Science and Chemical Engineering, 2016, 4, 29-33).
本発明の被処理化合物の還元体の製造方法は、先に説明した本発明の還元反応装置を使用することで効率よく行うことができる。 The method for producing a reduced product of a compound to be treated according to the present invention can be carried out efficiently by using the reduction reaction apparatus of the present invention described above.
本発明の還元反応装置を使用する場合、水素ラジカル発生室、及び触媒室は減圧状態に保たれている。
水素ラジカル発生室、及び触媒室の内部の圧力は、通常０．５～５００Ｐａ、好ましくは２～２００Ｐａ、より好ましくは５～５０Ｐａである。
本発明の還元反応装置を使用する場合、水素ラジカル発生室に備えられたガス供給口から、被処理ガス及び水素ガスを供給する。
被処理ガスの供給量は、通常１～１００ｓｃｃｍ、好ましくは１～１０ｓｃｃｍである。
水素ガスの供給量は、通常２～１０００ｓｃｃｍ、好ましくは５～１００ｓｃｃｍである。
水素ガスの供給量は、被処理ガスの供給量の２～１０００倍であることが好ましく、５～１００倍であることがより好ましい。
When using the reduction reaction apparatus of the present invention, the hydrogen radical generation chamber and the catalyst chamber are kept under reduced pressure.
The pressure inside the hydrogen radical generation chamber and the catalyst chamber is usually 0.5 to 500 Pa, preferably 2 to 200 Pa, more preferably 5 to 50 Pa.
When using the reduction reaction apparatus of the present invention, the gas to be treated and hydrogen gas are supplied from the gas supply port provided in the hydrogen radical generation chamber.
The supply amount of the gas to be treated is usually 1 to 100 sccm, preferably 1 to 10 sccm.
The amount of hydrogen gas supplied is usually 2 to 1000 sccm, preferably 5 to 100 sccm.
The amount of hydrogen gas supplied is preferably 2 to 1000 times, more preferably 5 to 100 times, the amount of gas to be treated.
本発明の還元反応装置を使用する場合、被処理ガス及び水素ガスを本発明の還元反応装置に供給しながらマイクロ波導入口からマイクロ波を照射してステップＡを行う。
次いで、触媒室においてステップＢを行い、触媒室のガス排出口から被処理化合物の還元体を含むガスを取り出すことができる。
なお、反応の効率を上げるために、触媒室のガス排出口から排出されたガスを、水素ラジカル発生室のガス供給口から再度還元反応装置内に導入し、ステップＡとステップＢを繰り返し行ってもよい。
When using the reduction reaction apparatus of the present invention, step A is performed by irradiating microwaves from the microwave inlet while supplying the gas to be treated and hydrogen gas to the reduction reaction apparatus of the invention.
Next, step B is performed in the catalyst chamber, and a gas containing the reduced product of the compound to be treated can be taken out from the gas outlet of the catalyst chamber.
In order to increase the efficiency of the reaction, the gas discharged from the gas outlet of the catalyst chamber was introduced into the reduction reaction apparatus again from the gas supply port of the hydrogen radical generation chamber, and steps A and B were repeated. Good too.
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。但し、本発明は、以下の実施例になんら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
〔実施例１〕
図６に示した還元反応装置と構造が類似する装置（図８（ａ））を用いて以下の実験を行なった。
なお、使用した装置の水素ラジカル発生室は、直径５ｃｍ、長さ１５ｃｍ、肉厚２ｍｍの石英管で構成され、触媒室は、直径２ｃｍ、長さ２５ｃｍ、肉厚２ｍｍの石英管で構成されている。触媒室は、その内部に厚さ５０μｍのタングステン箔を収容している。
[Example 1]
The following experiment was conducted using an apparatus (FIG. 8(a)) whose structure is similar to the reduction reaction apparatus shown in FIG.
The hydrogen radical generation chamber of the device used was composed of a quartz tube with a diameter of 5 cm, a length of 15 cm, and a wall thickness of 2 mm, and the catalyst chamber was composed of a quartz tube with a diameter of 2 cm, a length of 25 cm, and a wall thickness of 2 mm. There is. The catalyst chamber contained a 50 μm thick tungsten foil inside.
水素ガス流量１０ｓｃｃｍ、圧力２０Ｐａ、マイクロ波出力４５０Ｗの条件で、水素ラジカル発生室内にマイクロ波プラズマ（水素ラジカルを含有するガス）を発生させた。発生した水素ラジカルを含有するガスを触媒室内のタングステン箔に接触させたところ、水素ラジカルの反応によりタングステン箔の温度が上昇した。装置を稼働してから約１分後に温度が一定になり、このときの温度を記録した。
なお、実験は、水素ラジカル発生室を収容する金属容器からタングステン箔までの距離を５ｃｍ（図８（ｂ））、１０ｃｍ（図８（ｃ））、２０ｃｍ（図８（ｄ））と変えて行ない、距離と温度との関係を調べた。
その結果、金属容器からタングステン箔までの距離が５ｃｍでは８５６℃、１０ｃｍでは７９０℃、２０ｃｍでは７６６℃であった。
この実験では、距離と共に水素ラジカル濃度が減少し、温度が低下することが分かる。
Microwave plasma (gas containing hydrogen radicals) was generated in the hydrogen radical generation chamber under conditions of a hydrogen gas flow rate of 10 sccm, a pressure of 20 Pa, and a microwave output of 450 W. When the gas containing the generated hydrogen radicals was brought into contact with the tungsten foil in the catalyst chamber, the temperature of the tungsten foil rose due to the reaction of the hydrogen radicals. Approximately 1 minute after the apparatus was started, the temperature became constant, and the temperature at this time was recorded.
In addition, in the experiment, the distance from the metal container housing the hydrogen radical generation chamber to the tungsten foil was changed to 5 cm (Fig. 8 (b)), 10 cm (Fig. 8 (c)), and 20 cm (Fig. 8 (d)). We investigated the relationship between distance and temperature.
As a result, the temperature was 856° C. when the distance from the metal container to the tungsten foil was 5 cm, 790° C. when the distance was 10 cm, and 766° C. when the distance was 20 cm.
This experiment shows that the hydrogen radical concentration decreases with distance and the temperature decreases.
１、１６、２４、２９、３２、３５、３８、４３、４６・・・水素ラジカル発生室
２、８、１８、３７・・・絶縁体からなる筒状の容器
３、９、１９・・・ガス供給口
４、１０、２０、２６、３１、３４、４０、４２、４５・・・マイクロ波導入口
５、１７、２５、３０、３３、３６、３９、４４、４７、５０・・・触媒室
６、１２、２１・・・還元触媒
７、１３、２２・・・ガス排出口
１１・・・触媒台
１４・・・マイクロ波導入口の断面（円）の中心
１５、２３、２８・・・水素ラジカル発生室と触媒室の境界
２７・・・マイクロ波導波管
４１、４８、４９・・・金属容器
５１・・・ロータリーポンプ
５２・・・金属容器からの距離が５ｃｍのときのタングステン箔
５３・・・金属容器からの距離が１０ｃｍのときのタングステン箔
５４・・・金属容器からの距離が２０ｃｍのときのタングステン箔
１００、２００、３００、４００、５００・・・還元反応装置
1, 16, 24, 29, 32, 35, 38, 43, 46... Hydrogen
Claims (16)
前記水素ラジカル発生室が、
絶縁体からなる筒状の容器と、
前記絶縁体からなる筒状の容器に被処理化合物のガス及び水素ガスを供給する、１又は２以上のガス供給口と、
前記絶縁体からなる筒状の容器の側方に設けられたマイクロ波導入口とを備え、
前記水素ラジカル発生室は、前記絶縁体からなる筒状の容器の内部に水素ラジカルを発生させるものであり、
前記触媒室が、
還元触媒と、
前記触媒室内のガスを排気するガス排出口とを備えるものであり、
前記還元触媒が、前記水素ラジカル発生室から流れてくる被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスと接触するように設置されている還元反応装置。 A reduction reaction apparatus comprising a hydrogen radical generation chamber and a catalyst chamber connected to the downstream side of the hydrogen radical generation chamber,
The hydrogen radical generation chamber is
A cylindrical container made of an insulator,
one or more gas supply ports for supplying the gas of the compound to be treated and hydrogen gas to the cylindrical container made of the insulator;
and a microwave inlet provided on the side of the cylindrical container made of the insulator,
The hydrogen radical generation chamber generates hydrogen radicals inside the cylindrical container made of the insulator,
The catalyst chamber is
a reduction catalyst;
and a gas exhaust port for exhausting the gas in the catalyst chamber,
A reduction reaction apparatus, wherein the reduction catalyst is installed so as to be in contact with a mixed gas containing a to-be-treated compound and hydrogen radicals flowing from the hydrogen radical generation chamber.
要件Ａ：マイクロ波導入口の断面の形状が円であるとき、マイクロ波導入口と還元触媒の間の距離が、マイクロ波導入口の断面の直径の２倍以上である。
要件Ｂ：マイクロ波導入口の断面の形状が円以外の形状であるとき、マイクロ波導入口と還元触媒の間の距離が、マイクロ波導入口の断面を内包する最小の円の直径の２倍以上である。 The reduction reaction apparatus according to claim 1, wherein a distance between the microwave inlet and the reduction catalyst satisfies the following requirements A or B.
Requirement A: When the cross-sectional shape of the microwave inlet is circular, the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst is at least twice the diameter of the cross-section of the microwave inlet.
Requirement B: When the cross-sectional shape of the microwave inlet is a shape other than a circle, the distance between the microwave inlet and the reduction catalyst is at least twice the diameter of the smallest circle that includes the cross section of the microwave inlet. .
ステップＡで生成した被処理化合物及び水素ラジカルを含有する混合ガスを、還元触媒に接触させるステップ（ステップＢ）を有し、
請求項１に記載の還元反応装置を使用する、被処理化合物の還元体の製造方法であって、
水素ラジカルが反応して化学結合が生じる際に放出されるエネルギーを利用して前記還元触媒の温度を高め、被処理化合物の還元反応を進行させる、被処理化合物の還元体の製造方法。 irradiating a mixed gas containing the gas of the compound to be treated and hydrogen gas with microwaves to generate hydrogen radicals (step A);
a step (step B) of bringing the mixed gas containing the to-be-treated compound and hydrogen radicals generated in step A into contact with a reduction catalyst ;
A method for producing a reduced product of a compound to be treated, using the reduction reaction apparatus according to claim 1 ,
A method for producing a reduced product of a compound to be treated, which comprises increasing the temperature of the reduction catalyst using energy released when hydrogen radicals react and forming chemical bonds to advance the reduction reaction of the compound to be treated.
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