JP7341850B2 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関し、特に、処理液を用いた基板処理方法と、そのために用いられる基板処理装置とに関するものである。 The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and particularly to a substrate processing method using a processing liquid and a substrate processing apparatus used for the same.

基板上でレジスト膜を用いた工程が行われた後、多くの場合、基板からこのレジスト膜が除去される。特に、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたレジスト膜は除去されにくいことから、一般に、強い作用を有する洗浄液が用いられる。このような洗浄液としては、硫酸・過酸化水素水・混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：ＳＰＭ）が、従来から広く知られている。しかしながら、環境負荷を考慮しての廃液処理の負担が大きいことなどから、近年、ＳＰＭを用いない基板処理方法が求められている。 After a process using a resist film is performed on a substrate, the resist film is often removed from the substrate. In particular, since a resist film used as an implantation mask for an ion implantation process is difficult to remove, a cleaning liquid with a strong action is generally used. As such a cleaning liquid, a sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture (SPM) has been widely known. However, in recent years, there has been a demand for a substrate processing method that does not use SPM because of the heavy burden of waste liquid processing in consideration of environmental impact.

国際公開第２０１６／０８８７３１号によれば、環境負荷を低減しつつ、基板上のレジスト残渣等を効率的に除去することを意図した技術が開示されている。具体的には、基板に付着したレジスト膜が、平均粒径が１００ｎｍ以下の気体のマイクロ・ナノバブルを含有する処理液によって除去される。より具体的には、例えば、オゾンのマイクロ・ナノバブルを含有する５０℃～８５℃に加熱された純水が基板に対して噴射される。 According to International Publication No. 2016/088731, a technique is disclosed that is intended to efficiently remove resist residue and the like on a substrate while reducing environmental load. Specifically, the resist film adhered to the substrate is removed by a processing liquid containing gaseous micro/nano bubbles with an average particle size of 100 nm or less. More specifically, for example, pure water heated to 50° C. to 85° C. and containing ozone micro/nano bubbles is injected onto the substrate.

国際公開第２０１６／０８８７３１号International Publication No. 2016/088731

上記技術によれば、マイクロ・ナノバブルが基板と直接接触することによって、基板にダメージが与えられることがある。具体的には、バブルが圧壊する際のキャビテーションダメージが基板に与えられることがある。 According to the above technique, the micro/nano bubbles may damage the substrate due to direct contact with the substrate. Specifically, cavitation damage may be caused to the substrate when the bubble collapses.

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板へのオゾンの作用を強めつつ、基板へのダメージを抑制することができる基板処理方法を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a substrate processing method that can suppress damage to the substrate while strengthening the effect of ozone on the substrate. It is.

第１の態様は、基板処理方法であって、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を、第２の面が下方を向くように保持する工程と、基板の第２の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する工程と、空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程と、基板の第２の面と空間との界面を加熱する工程と、を備える。 A first aspect is a substrate processing method, comprising: holding a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface so that the second surface faces downward; arranging a pressurized processing liquid so as to face the second surface of the substrate with a space in between; a step of bringing the space into a pressurized state containing ozone gas; heating the interface between the surface and the space.

第２の態様は、第１の態様の基板処理方法であって、空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程は、処理液に混入されているオゾンガスを空間中へ放出する工程を含む。 A second aspect is the substrate processing method of the first aspect, wherein the step of making the space contain ozone gas and pressurize the space includes a step of releasing ozone gas mixed in the processing liquid into the space. include.

第３の態様は、第２の態様の基板処理方法であって、処理液に混入されているオゾンガスの少なくとも一部は、粒径５０ｎｍ以下の気泡として混入されている。 A third aspect is the substrate processing method of the second aspect, in which at least a part of the ozone gas mixed into the processing liquid is mixed as bubbles with a particle size of 50 nm or less.

第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様の基板処理方法であって、基板の第２の面と空間との界面を加熱する工程は、基板を加熱する工程と、基板の第２の面から空間へ熱を与える工程と、を含む。 A fourth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, wherein the step of heating the interface between the second surface of the substrate and the space includes the step of heating the substrate; applying heat to the space from the second surface.

第５の態様は、第４の態様の基板処理方法であって、基板を加熱する工程は、基板を第２の面から加熱する工程を含む。 A fifth aspect is the substrate processing method of the fourth aspect, in which the step of heating the substrate includes the step of heating the substrate from the second surface.

第６の態様は、第４または第５の態様の基板処理方法であって、基板を加熱する工程は、基板を第１の面から加熱する工程を含む。 A sixth aspect is the substrate processing method according to the fourth or fifth aspect, in which the step of heating the substrate includes the step of heating the substrate from the first surface.

第７の態様は、第１から第６のいずれかの態様の基板処理方法であって、基板の第２の面と空間との界面を加熱する工程は、第１の温度を有する処理液に、第１の温度よりも高い第２の温度を有する温水を混合する工程を含む。 A seventh aspect is the substrate processing method according to any one of the first to sixth aspects, wherein the step of heating the interface between the second surface of the substrate and the space includes applying a treatment liquid having a first temperature to the substrate processing method. , mixing hot water having a second temperature higher than the first temperature.

第８の態様は、第１から第７のいずれかの態様の基板処理方法であって、処理液の圧力および空間の圧力の少なくともいずれかを制御する工程をさらに備える。 An eighth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to seventh aspects, further comprising the step of controlling at least one of the pressure of the treatment liquid and the pressure of the space.

第９の態様は、第１から第８のいずれかの態様の基板処理方法であって、基板の第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程をさらに備え、処理液を配置する工程は、圧力保持部上に処理液を供給する工程を含む。 A ninth aspect is the substrate processing method according to any one of the first to eighth aspects, in which a pressure holding part having opposing surfaces facing each other with a gap is disposed on at least a part of the second surface of the substrate. The method further includes a step of arranging the processing liquid, and the step of arranging the processing liquid includes a step of supplying the processing liquid onto the pressure holding part.

第１０の態様は、第９の態様の基板処理方法であって、圧力保持部は、基板の第２の面に間隔を空けて対向する主部と、主部の縁に配置され、主部から基板の第２の面へ向かって延び、基板の第２の面に対向するウイング部と、を含む。 A tenth aspect is the substrate processing method according to the ninth aspect, in which the pressure holding part is disposed at a main part facing the second surface of the substrate at a distance, and at an edge of the main part; a wing portion extending from the substrate toward the second surface of the substrate and facing the second surface of the substrate.

第１１の態様は、第１０の態様の基板処理方法であって、ウイング部は、基板の第２の面にギャップ長ＨＧを空けて対向しており、かつ内周長ＬＩの筒形状を有しており、圧力保持部は、基板の第２の面と主部との間へ処理液を供給し断面積ＳＣを有する供給部を含み、ＳＣ＞ＬＩ・ＨＧが満たされている。 An eleventh aspect is the substrate processing method according to the tenth aspect, in which the wing portion faces the second surface of the substrate with a gap length HG therebetween and has a cylindrical shape with an inner circumference length LI. The pressure holding section includes a supply section that supplies the processing liquid between the second surface of the substrate and the main section and has a cross-sectional area SC, and SC>LI·HG is satisfied.

第１２の態様は、第９から第１１のいずれかの態様の基板処理方法であって、圧力保持部は、処理液を受け入れるための複数の導入路を有しており、処理液を配置する工程は、圧力保持部の複数の導入路へ処理液を導入する工程を含む。 A twelfth aspect is the substrate processing method according to any one of the ninth to eleventh aspects, wherein the pressure holding part has a plurality of introduction paths for receiving the processing liquid, and the pressure holding part has a plurality of introduction paths for receiving the processing liquid, and the pressure holding part has a plurality of introduction paths for receiving the processing liquid. The process includes introducing the processing liquid into the plurality of introduction channels of the pressure holding section.

第１３の態様は、第１２の態様の基板処理方法であって、圧力保持部の複数の導入路へ処理液を導入する工程は、複数の導入路の各々の断面積よりも大きな断面積を有する配管から複数の導入路へ処理液を分岐させる工程を含む。 A thirteenth aspect is the substrate processing method according to the twelfth aspect, in which the step of introducing the processing liquid into the plurality of introduction passages of the pressure holding section involves introducing a cross-sectional area larger than the cross-sectional area of each of the plurality of introduction passages. The method includes a step of branching the processing liquid from the piping provided to the plurality of introduction channels.

第１４の態様は、基板処理方法であって、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を、第２の面が下方を向くように保持する工程と、基板の第２の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する工程と、空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程と、処理液の圧力および空間の圧力の少なくともいずれかを制御する工程と、を備える。 A fourteenth aspect is a substrate processing method, comprising: holding a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface so that the second surface faces downward; arranging a pressurized processing liquid so as to face the second surface of the substrate with a space in between, placing the space in a pressurized state containing ozone gas, and controlling the pressure of the processing liquid and and controlling at least one of the pressures in the space.

第１５の態様は、基板処理装置であって、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、基板を、第２の面が下方を向くように保持する基板保持部と、基板の第２の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する圧力保持部と、基板の第２の面と空間との界面を加熱する加熱部と、を備える。 A fifteenth aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. a pressure holding part that arranges a pressurized processing liquid so as to face a second surface of the substrate with a space therebetween; and a heating section that heats the interface between the surface of the space and the space.

第１６の態様は、基板処理装置であって、第１の面と第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、基板を、第２の面が下方を向くように保持する基板保持部と、基板の第２の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する圧力保持部と、処理液の圧力および空間の圧力の少なくともいずれかを制御する圧力制御部と、を備える。 A sixteenth aspect is a substrate processing apparatus for processing a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, the substrate processing apparatus processing a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface. a pressure holding part that holds a pressurized processing liquid so as to face the second surface of the substrate with a space therebetween; and a pressure control unit that controls at least one of the pressures in the space.

第１の態様によれば、基板の第２の面と処理液との間には、オゾンガスを含有し加圧された空間が介在する。これにより、処理液の蒸気またはミストによって湿潤された状態で高濃度のオゾンを基板の第２の面へ作用させつつ、処理液と直接接することに起因しての基板の第２の面へのダメージが避けられる。基板の第２の面と空間との界面が加熱されることによって、基板の第２の面上でのオゾンの活性が高められる。以上から、基板へのオゾンの作用を強めつつ、基板へのダメージを抑制することができる。 According to the first aspect, a pressurized space containing ozone gas is interposed between the second surface of the substrate and the processing liquid. As a result, highly concentrated ozone is applied to the second surface of the substrate in a state moistened by the vapor or mist of the processing liquid, while the second surface of the substrate is affected by direct contact with the processing liquid. Damage can be avoided. By heating the interface between the second surface of the substrate and the space, the activity of ozone on the second surface of the substrate is increased. From the above, damage to the substrate can be suppressed while strengthening the effect of ozone on the substrate.

第２の態様によれば、処理液に混入されているオゾンガスを空間中へ放出することによって、オゾンガスを含有し加圧された状態を容易に得ることができる。また、空間中のオゾンを、処理液の蒸気またはミストによって十分に湿潤された状態とすることができる。 According to the second aspect, a pressurized state containing ozone gas can be easily obtained by releasing ozone gas mixed in the processing liquid into space. Further, the ozone in the space can be sufficiently moistened by the vapor or mist of the processing liquid.

第３の態様によれば、粒径５０ｎｍ以下のオゾン気泡が処理液表面上に密集することによって、処理液表面上に密集する気泡周辺での処理液のオゾン濃度が高められる。また、気泡が圧壊したときのＯＨラジカルの発生が促進される。以上から、基板処理の作用を高めることができる。 According to the third aspect, ozone bubbles having a particle size of 50 nm or less are densely packed on the surface of the processing liquid, thereby increasing the ozone concentration of the processing liquid around the bubbles that are densely packed on the surface of the processing liquid. Furthermore, the generation of OH radicals when the bubbles are collapsed is promoted. From the above, the effects of substrate processing can be enhanced.

第４の態様によれば、基板からの熱によって、オゾンをユースポイントで加熱することができる。 According to the fourth aspect, ozone can be heated at the point of use by heat from the substrate.

第５の態様によれば、基板の第１の面および第２の面のうち、処理される面である第２の面を優先的に加熱することができる。 According to the fifth aspect, of the first surface and the second surface of the substrate, the second surface, which is the surface to be processed, can be heated preferentially.

第６の態様によれば、基板が第１の面から加熱される。これにより、加熱の悪影響を基板の第２の面上に及びにくくすることができる。 According to the sixth aspect, the substrate is heated from the first surface. Thereby, it is possible to suppress the adverse effects of heating on the second surface of the substrate.

第７の態様によれば、処理液を、温水と混合することによって加熱することができる。 According to the seventh aspect, the treatment liquid can be heated by mixing it with hot water.

第８の態様によれば、圧力制御により、基板処理を安定化することができる。 According to the eighth aspect, substrate processing can be stabilized by pressure control.

第９の態様によれば、圧力保持部により、上記空間が十分に加圧された状態を容易に得ることができる。 According to the ninth aspect, it is possible to easily obtain a state in which the space is sufficiently pressurized by the pressure holding section.

第１０の態様によれば、ウイング部により、圧力保持部内の圧力を高めやすくすることができる。 According to the tenth aspect, the wing portion can easily increase the pressure within the pressure holding portion.

第１１の態様によれば、ＳＣ＞ＬＩ・ＨＧが満たされている。これにより、圧力保持部内の圧力が、より高めやすくなる。 According to the eleventh aspect, SC>LI·HG is satisfied. This makes it easier to increase the pressure within the pressure holding section.

第１２の態様によれば、処理液が圧力保持部の複数の導入路へ導入される。これにより、新鮮な処理液が導入される位置のむらが抑えられる。よって、処理液の失活に起因しての処理むらを抑えることができる。 According to the twelfth aspect, the processing liquid is introduced into the plurality of introduction paths of the pressure holding section. This suppresses unevenness in the position where fresh processing liquid is introduced. Therefore, it is possible to suppress processing unevenness due to deactivation of the processing liquid.

第１３の態様によれば、圧力保持部の複数の導入路の各々の断面積よりも大きな断面積を有する配管から複数の導入路へ処理液が分岐される。これにより、導入路内の処理液の圧力を維持しやすくすることができる。 According to the thirteenth aspect, the processing liquid is branched from the pipe having a cross-sectional area larger than the cross-sectional area of each of the plurality of introduction passages of the pressure holding part to the plurality of introduction passages. This makes it easier to maintain the pressure of the processing liquid in the introduction path.

第１４の態様によれば、圧力制御により、基板処理を安定的に行うことができる。 According to the fourteenth aspect, substrate processing can be stably performed by pressure control.

第１５の態様によれば、基板の第２の面と処理液との間に、オゾンガスを含有し加圧された空間を介在させることができる。これにより、処理液の蒸気またはミストによって湿潤された状態で高濃度のオゾンを基板の第２の面へ作用させつつ、処理液と直接接することに起因しての基板の第２の面へのダメージが避けられる。基板の第２の面と空間との界面が加熱されることによって、基板の第２の面上でのオゾンの活性が高められる。以上から、基板へのオゾンの作用を強めつつ、基板へのダメージを抑制することができる。 According to the fifteenth aspect, a pressurized space containing ozone gas can be interposed between the second surface of the substrate and the processing liquid. As a result, highly concentrated ozone is applied to the second surface of the substrate in a state moistened by the vapor or mist of the processing liquid, while the second surface of the substrate is affected by direct contact with the processing liquid. Damage can be avoided. By heating the interface between the second surface of the substrate and the space, the activity of ozone on the second surface of the substrate is increased. From the above, damage to the substrate can be suppressed while strengthening the effect of ozone on the substrate.

第１６の態様によれば、基板の第２の面と処理液との間に、オゾンガスを含有し加圧された空間を介在させることができる。これにより、処理液の蒸気またはミストによって湿潤された状態で高濃度のオゾンを基板の第２の面へ作用させつつ、処理液と直接接することに起因しての基板の第２の面へのダメージが避けられる。さらに、圧力制御により、基板処理を安定化することができる。以上から、基板へのオゾンの作用を安定的に強めつつ、基板へのダメージを抑制することができる。 According to the sixteenth aspect, a pressurized space containing ozone gas can be interposed between the second surface of the substrate and the processing liquid. As a result, highly concentrated ozone is applied to the second surface of the substrate in a state moistened by the vapor or mist of the processing liquid, while the second surface of the substrate is affected by direct contact with the processing liquid. Damage can be avoided. Additionally, pressure control can stabilize substrate processing. From the above, damage to the substrate can be suppressed while stably strengthening the effect of ozone on the substrate.

本発明の実施の形態１における基板処理システムの構成の例を概略的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a substrate processing system according to Embodiment 1 of the present invention. 図１の基板処理システムに含まれる制御部の構成を概略的に示すブロック図である。2 is a block diagram schematically showing the configuration of a control section included in the substrate processing system of FIG. 1. FIG. 本発明の実施の形態１における基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus in Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施の形態１における基板処理方法を概略的に示すフロー図である。1 is a flow diagram schematically showing a substrate processing method in Embodiment 1 of the present invention. FIG. 本発明の実施の形態２における基板処理装置の構成を概略的に示す側面図である。FIG. 2 is a side view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus in Embodiment 2 of the present invention. 図５の一部断面図である。6 is a partial cross-sectional view of FIG. 5. FIG. 本発明の実施の形態３における基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a substrate processing apparatus in Embodiment 3 of the present invention.

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。 Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are given the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.

＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態１における基板処理システム１００の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理システム１００は、ロードポートＬＰと、インデクサロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御部９０と、少なくとも１つの処理ユニットＤＰ（図１においては４つの処理ユニット）とを含む。複数の処理ユニットＤＰは、基板ＷＦを処理するためのものであり、そのうちの少なくとも１つが、基板処理装置１０１（後述する実施の形態２および３のそれぞれにおいては基板処理装置１０２および基板処理装置１０３）に対応する。基板処理装置１０１は、基板ＷＦに付着した有機物を除去する処理に用いることができる枚葉式の装置である。この有機物は、典型的には、使用済のレジスト膜である。このレジスト膜は、例えば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。 <Embodiment 1>
FIG. 1 is a plan view schematically showing an example of the configuration of a substrate processing system 100 according to the first embodiment. The substrate processing system 100 includes a load port LP, an indexer robot IR, a center robot CR, a control section 90, and at least one processing unit DP (four processing units in FIG. 1). The plurality of processing units DP are for processing the substrate WF, and at least one of them is a substrate processing apparatus 101 (substrate processing apparatus 102 and substrate processing apparatus 103 in each of Embodiments 2 and 3 described later). ) corresponds to The substrate processing apparatus 101 is a single-wafer type apparatus that can be used to remove organic substances attached to the substrate WF. This organic material is typically a used resist film. This resist film is used, for example, as an implantation mask for an ion implantation process.

制御部９０は、基板処理システム１００に備えられた各部の動作を制御することができ、特に基板処理装置１０１（後述する実施の形態２および３のそれぞれにおいては基板処理装置１０２および基板処理装置１０３）に備えられた各部の動作を制御することができる。キャリアＣの各々は、基板ＷＦを収容する収容器である。ロードポートＬＰは、複数のキャリアＣを保持する収容器保持機構である。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰと基板載置部ＰＳとの間で基板ＷＦを搬送することができる。基板載置部ＰＳは、基板を一時的に保持することができる。また基板載置部ＰＳは、基板ＷＦの面を反転させることができる。センターロボットＣＲは、基板載置部ＰＳおよび少なくとも１つの処理ユニットＤＰのいずれかひとつから他のひとつへと基板ＷＦを搬送することができる。以上の構成により、インデクサロボットＩＲ、基板載置部ＰＳおよびセンターロボットＣＲは、処理ユニットＤＰの各々とロードポートＬＰとの間で基板ＷＦを搬送する搬送機構として機能する。 The control unit 90 can control the operations of each unit provided in the substrate processing system 100, and in particular, the substrate processing apparatus 101 (substrate processing apparatus 102 and substrate processing apparatus 103 in each of Embodiments 2 and 3 to be described later). ) can control the operation of each part provided in the system. Each carrier C is a container that accommodates a substrate WF. The load port LP is a container holding mechanism that holds a plurality of carriers C. The indexer robot IR can transport the substrate WF between the load port LP and the substrate platform PS. The substrate platform PS can temporarily hold a substrate. Further, the substrate platform PS can invert the surface of the substrate WF. The central robot CR can transport a substrate WF from one of the substrate platform PS and at least one processing unit DP to the other one. With the above configuration, the indexer robot IR, substrate platform PS, and center robot CR function as a transport mechanism that transports the substrate WF between each of the processing units DP and the load port LP.

未処理の基板ＷＦはキャリアＣからインデクサロボットＩＲによって取り出され、基板載置部ＰＳを介してセンターロボットＣＲに受け渡される。センターロボットＣＲはこの未処理の基板ＷＦを処理ユニットＤＰに搬入する。処理ユニットＤＰは基板ＷＦに対して処理を行う。処理済みの基板ＷＦはセンターロボットＣＲによって処理ユニットＤＰから取り出され、必要に応じて他の処理ユニットＤＰを経由した後、基板載置部ＰＳを介してインデクサロボットＩＲに受け渡される。インデクサロボットＩＲは処理済みの基板ＷＦをキャリアＣに搬入する。以上により、基板ＷＦに対する処理が行われる。 The unprocessed substrate WF is taken out from the carrier C by the indexer robot IR and delivered to the center robot CR via the substrate platform PS. The center robot CR carries this unprocessed substrate WF into the processing unit DP. The processing unit DP processes the substrate WF. The processed substrate WF is taken out from the processing unit DP by the center robot CR, passes through other processing units DP as necessary, and then is delivered to the indexer robot IR via the substrate platform PS. The indexer robot IR carries the processed substrate WF into the carrier C. As described above, the processing for the substrate WF is performed.

図２は、制御部９０（図１）の構成を概略的に示すブロック図である。制御部９０は、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成されていてよい。具体的には、制御部９０は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)９１、ＲＯＭ(Read Only Memory)９２、ＲＡＭ(Random Access Memory)９３、記憶装置９４、入力部９６、表示部９７および通信部９８と、これらを相互接続するバスライン９５とを有している。 FIG. 2 is a block diagram schematically showing the configuration of the control section 90 (FIG. 1). The control unit 90 may be configured by a general computer having an electric circuit. Specifically, the control unit 90 includes a CPU (Central Processing Unit) 91, a ROM (Read Only Memory) 92, a RAM (Random Access Memory) 93, a storage device 94, an input unit 96, a display unit 97, and a communication unit 98. , and a bus line 95 interconnecting them.

ＲＯＭ９２は基本プログラムを格納している。ＲＡＭ９３は、ＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。記憶装置９４は、フラッシュメモリまたはハードディスク装置等の不揮発性記憶装置によって構成されている。入力部９６は、各種スイッチまたはタッチパネル等により構成されており、オペレータから処理レシピ等の入力設定指示を受ける。表示部９７は、例えば液晶表示装置およびランプ等により構成されており、ＣＰＵ９１による制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ＬＡＮ(Local Area Network)等を介してのデータ通信機能を有している。記憶装置９４には、基板処理システム（図１）を構成する各装置の制御についての複数のモードが予め設定されている。ＣＰＵ９１が処理プログラム９４Ｐを実行することによって、上記複数のモードのうちの１つのモードが選択され、該モードによって各装置が制御される。また、処理プログラム９４Ｐは、記録媒体に記憶されていてもよい。この記録媒体を用いれば、制御部９０に処理プログラム９４Ｐをインストールすることができる。また制御部９０が実行する機能の一部または全部は、必ずしもソフトウェアによって実現される必要は無く、専用の論理回路などのハードウェアによって実現されてもよい。 The ROM 92 stores basic programs. The RAM 93 is used as a work area when the CPU 91 performs predetermined processing. The storage device 94 is configured by a nonvolatile storage device such as a flash memory or a hard disk device. The input unit 96 is comprised of various switches, a touch panel, etc., and receives input setting instructions such as processing recipes from the operator. The display section 97 is composed of, for example, a liquid crystal display device, a lamp, etc., and displays various information under the control of the CPU 91. The communication unit 98 has a data communication function via a LAN (Local Area Network) or the like. A plurality of modes for controlling each device constituting the substrate processing system (FIG. 1) are preset in the storage device 94. When the CPU 91 executes the processing program 94P, one of the plurality of modes is selected, and each device is controlled according to the selected mode. Further, the processing program 94P may be stored in a recording medium. Using this recording medium, the processing program 94P can be installed in the control unit 90. Furthermore, some or all of the functions executed by the control unit 90 do not necessarily need to be realized by software, and may be realized by hardware such as a dedicated logic circuit.

図３は、本実施の形態１における基板処理装置１０１の構成を概略的に示す断面図である。図中、説明の便宜上、基板処理装置１０１によって処理されることになる基板ＷＦも図示されている。基板処理装置１０１は、裏面Ｓ１（第１の面）と処理面Ｓ２（第１の面と反対の第２の面）とを有する基板ＷＦを処理するためのものである。基板処理装置１０１は、真空チャック１１（基板保持部）と、圧力カップ３１（本実施の形態における圧力保持部）と、加熱部８０と、圧力制御部５０と、処理液源４０と、処理液バルブ４４と、オゾンガス源４７と、オゾンガスバルブ４８とを有している。 FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 101 in the first embodiment. In the figure, for convenience of explanation, a substrate WF to be processed by the substrate processing apparatus 101 is also illustrated. The substrate processing apparatus 101 is for processing a substrate WF having a back surface S1 (first surface) and a processing surface S2 (second surface opposite to the first surface). The substrate processing apparatus 101 includes a vacuum chuck 11 (substrate holding section), a pressure cup 31 (pressure holding section in this embodiment), a heating section 80, a pressure control section 50, a processing liquid source 40, and a processing liquid source. It has a valve 44, an ozone gas source 47, and an ozone gas valve 48.

真空チャック１１は基板ＷＦを、処理面Ｓ２が下方を向くように保持する。具体的には、真空チャック１１の排気路１２によって、基板ＷＦの裏面Ｓ１が吸着される。排気路１２は真空ポンプ１３によって排気される。変形例として、真空チャックに代わってメカニカルチャックが用いられてもよい。 The vacuum chuck 11 holds the substrate WF so that the processing surface S2 faces downward. Specifically, the back surface S1 of the substrate WF is attracted by the exhaust path 12 of the vacuum chuck 11. The exhaust path 12 is evacuated by a vacuum pump 13. As a variation, a mechanical chuck may be used instead of a vacuum chuck.

処理液源４０は圧力カップ３１へ、加圧状態で処理液ＬＱを供給する。処理液源４０は、純水源４１と、オゾン気泡混合器４２とを有している。オゾン気泡混合器４２は、純水源４１から供給された純水（典型的には、脱イオン水）にオゾン気泡を混合する。これにより処理液にオゾンガスが混入される。処理液に混入されるオゾンガスの少なくとも一部は、粒径５０ｎｍ以下の気泡、すなわちナノバブル、として混入されることが好ましい。処理液バルブ４４は、処理液源４０から圧力カップ３１への処理液の供給量を調整するためのものであり、例えば、開閉バルブ、流量制御バルブ、または圧力制御バルブである。 The processing liquid source 40 supplies the processing liquid LQ under pressure to the pressure cup 31. The processing liquid source 40 has a pure water source 41 and an ozone bubble mixer 42 . The ozone bubble mixer 42 mixes ozone bubbles into pure water (typically deionized water) supplied from the pure water source 41 . As a result, ozone gas is mixed into the processing liquid. At least a portion of the ozone gas mixed into the treatment liquid is preferably mixed as bubbles with a particle size of 50 nm or less, that is, nanobubbles. The processing liquid valve 44 is for adjusting the amount of processing liquid supplied from the processing liquid source 40 to the pressure cup 31, and is, for example, an opening/closing valve, a flow rate control valve, or a pressure control valve.

圧力カップ３１は、基板ＷＦの処理面Ｓ２に間隔を空けて対向する対向面ＳＳを有している。圧力カップ３１と真空チャック１１とが封止材５９（例えばＯリング）を介して互いに押し付け合うことによって、圧力カップ３１の内部が、加圧可能な程度に封止される。処理液ＬＱが供給された圧力カップ３１は、基板ＷＦの処理面Ｓ２に空間ＧＰを介して対向するように処理液ＬＱを配置する。処理液ＬＱは、加圧された状態とされる。 The pressure cup 31 has a facing surface SS that faces the processing surface S2 of the substrate WF with an interval therebetween. By pressing the pressure cup 31 and the vacuum chuck 11 against each other via the sealing material 59 (for example, an O-ring), the inside of the pressure cup 31 is sealed to the extent that pressure can be applied. The pressure cup 31 supplied with the processing liquid LQ arranges the processing liquid LQ so as to face the processing surface S2 of the substrate WF via the space GP. The processing liquid LQ is kept in a pressurized state.

加熱部８０は、直接的または間接的に、基板ＷＦの処理面Ｓ２と空間ＧＰとの界面を加熱する。また加熱部８０は、圧力カップ３１内で処理液ＬＱを加熱してよい。加熱部８０は、伝導ヒータ８１Ｃと、伝導ヒータ８２Ｃとを有している。伝導ヒータ８１Ｃおよび伝導ヒータ８２Ｃのそれぞれは、基板ＷＦの裏面Ｓ１および処理面Ｓ２に面している。伝導ヒータ８１Ｃは、真空チャック１１に取り付けられていてよく、基板ＷＦの裏面Ｓ１を加熱する。伝導ヒータ８２Ｃは、圧力カップ３１に取り付けられていてよく、基板ＷＦの処理面Ｓ２を加熱する。なお、伝導ヒータ８１Ｃおよび伝導ヒータ８２Ｃのいずれかが省略されてもよい。また伝導ヒータに代わってランプヒータが用いられてもよい。適切な波長の光を発するランプヒータを用いることによって、基板ＷＦを効率的に加熱することができる。 The heating unit 80 directly or indirectly heats the interface between the processing surface S2 of the substrate WF and the space GP. Further, the heating unit 80 may heat the processing liquid LQ within the pressure cup 31. The heating section 80 includes a conduction heater 81C and a conduction heater 82C. The conduction heater 81C and the conduction heater 82C face the back surface S1 and the processing surface S2 of the substrate WF, respectively. The conduction heater 81C may be attached to the vacuum chuck 11 and heats the back surface S1 of the substrate WF. Conduction heater 82C may be attached to pressure cup 31 and heats processing surface S2 of substrate WF. Note that either the conduction heater 81C or the conduction heater 82C may be omitted. Also, a lamp heater may be used instead of a conduction heater. By using a lamp heater that emits light of an appropriate wavelength, the substrate WF can be efficiently heated.

圧力制御部５０は、圧力カップ３１内における処理液ＬＱの圧力および空間ＧＰの圧力の少なくともいずれかを制御する。処理液ＬＱの圧力および空間ＧＰの圧力はおおよそ同じであり、よって、圧力制御部５０は、実質的に、処理液ＬＱおよび空間ＧＰの圧力、言い換えれば圧力カップ３１内の圧力、を制御する。この制御を可能とするため、圧力制御部５０は、液逆止弁５１Ｌと、液バルブ５２Ｌと、ガス逆止弁５１Ｇと、ガスバルブ５２Ｇとを有している。液逆止弁５１Ｌの作動圧力を所望のものに選択しておくことによって、圧力カップ３１内の処理液ＬＱの圧力を当該差動圧力以下とする制御を容易に行うことができる。またガス逆止弁５１Ｇの作動圧力を所望のものに選択しておくことによって、圧力カップ３１内の空間ＧＰの圧力を当該差動圧力以下とする制御を容易に行うことができる。また液バルブ５２Ｌおよびガスバルブ５２Ｇの一方を選択的に開状態とすることによって、圧力カップ３１から液およびガスのいずれを排出することによって圧力を制御するかを選択することができる。好ましくは、圧力カップ３１内の圧力を検出する圧力計５５が設けられ、その値を参照して精密な圧力制御が行われてよい。 The pressure control unit 50 controls at least one of the pressure of the processing liquid LQ in the pressure cup 31 and the pressure of the space GP. The pressure of the processing liquid LQ and the pressure of the space GP are approximately the same, so the pressure control unit 50 substantially controls the pressure of the processing liquid LQ and the space GP, in other words, the pressure within the pressure cup 31. To enable this control, the pressure control section 50 includes a liquid check valve 51L, a liquid valve 52L, a gas check valve 51G, and a gas valve 52G. By selecting a desired operating pressure for the liquid check valve 51L, the pressure of the processing liquid LQ in the pressure cup 31 can be easily controlled to be equal to or lower than the differential pressure. Furthermore, by selecting a desired operating pressure for the gas check valve 51G, the pressure in the space GP within the pressure cup 31 can be easily controlled to be equal to or lower than the differential pressure. Furthermore, by selectively opening one of the liquid valve 52L and the gas valve 52G, it is possible to select whether to discharge liquid or gas from the pressure cup 31 to control the pressure. Preferably, a pressure gauge 55 is provided to detect the pressure within the pressure cup 31, and precise pressure control may be performed with reference to the value.

なお、封止材５９と、真空チャック１１および圧力カップ３１の少なくともいずれかとの間からのガスのリーク量を調整することによって、空間ＧＰの圧力が制御されてもよい。この場合、例えば、真空チャック１１と圧力カップ３１とが互いに押し付け合う力を調整することによって、空間ＧＰの圧力が制御され得る。このような調整が行われない場合、封止材５９は真空チャック１１と圧力カップ３１との間を実質的に完全に封止してよい。 Note that the pressure in the space GP may be controlled by adjusting the amount of gas leaking between the sealing material 59 and at least one of the vacuum chuck 11 and the pressure cup 31. In this case, the pressure in the space GP can be controlled, for example, by adjusting the force with which the vacuum chuck 11 and the pressure cup 31 press against each other. If such adjustment is not made, the sealant 59 may provide a substantially complete seal between the vacuum chuck 11 and the pressure cup 31.

液位計６０は、圧力カップ３１内の処理液ＬＱの液位を検出する。検出された液位に基づいて、処理液ＬＱの供給および排出の少なくともいずれかを調整することによって、処理液ＬＱの液位を所望の高さに保持することができる。例えば、処理液バルブ４４の開度を大きくすることは液位の増大につながり、液バルブ５２Ｌの開度を大きくすることは液位の減少につながる。なお、液逆止弁５１Ｌによる処理系ＬＱの排出がおおよそ常時可能とされる場合、圧力カップ３１内において液逆止弁５１Ｌへつながる排出口の高さによって、液位を維持することができる。その場合、液位計６０が省略されても、液位を安定的に制御することができる。 The liquid level gauge 60 detects the liquid level of the processing liquid LQ in the pressure cup 31. By adjusting at least one of the supply and discharge of the processing liquid LQ based on the detected liquid level, the liquid level of the processing liquid LQ can be maintained at a desired height. For example, increasing the opening degree of the processing liquid valve 44 leads to an increase in the liquid level, and increasing the opening degree of the liquid valve 52L leads to a decrease in the liquid level. Note that when the liquid check valve 51L allows the treatment system LQ to be discharged almost all the time, the liquid level can be maintained within the pressure cup 31 depending on the height of the discharge port connected to the liquid check valve 51L. In that case, even if the liquid level gauge 60 is omitted, the liquid level can be stably controlled.

オゾンガス源４７は、圧力カップ３１内へオゾンガスを供給する。オゾンガスバルブ４８は、オゾンガス源４７から圧力カップ３１へのオゾンガスの供給量を調整するためのものであり、例えば、開閉バルブ、流量制御バルブ、または圧力制御バルブである。 Ozone gas source 47 supplies ozone gas into pressure cup 31 . The ozone gas valve 48 is for adjusting the amount of ozone gas supplied from the ozone gas source 47 to the pressure cup 31, and is, for example, an on-off valve, a flow control valve, or a pressure control valve.

空間ＧＰには、処理液ＬＱから脱気したオゾンガスと、オゾンガス源４７から供給されたオゾンガスとが充満する。なおオゾンガス源４７は省略されていてもよく、その場合、空間ＧＰ中のオゾンガスは処理液ＬＱからの脱気によってのみ供給される。 The space GP is filled with ozone gas degassed from the processing liquid LQ and ozone gas supplied from the ozone gas source 47. Note that the ozone gas source 47 may be omitted, and in that case, the ozone gas in the space GP is supplied only by degassing from the processing liquid LQ.

次に、本実施の形態１における基板処理方法について、以下に説明する。 Next, the substrate processing method in the first embodiment will be described below.

ステップＳ１０（図４）にて、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲ（図１）が、基板ＷＦをロードポートＬＰから基板処理装置１０１へ搬送する。基板ＷＦは、基板載置部ＰＳ（図１）を通過する際に反転される。 In step S10 (FIG. 4), the indexer robot IR and the center robot CR (FIG. 1) transport the substrate WF from the load port LP to the substrate processing apparatus 101. The substrate WF is inverted when passing through the substrate platform PS (FIG. 1).

ステップＳ２０（図４）にて、真空チャック１１（図３）が基板ＷＦを保持する。具体的には、真空ポンプ１３による排気によって真空チャック１１が基板ＷＦの裏面Ｓ１を吸着する。前述したように基板載置部ＰＳ（図１）によって基板ＷＦが反転されていることから、基板ＷＦは、処理面Ｓ２が下を向くように保持される。次に、封止材５９を介して真空チャック１１と圧力カップ３１とが組み合わされる。 In step S20 (FIG. 4), the vacuum chuck 11 (FIG. 3) holds the substrate WF. Specifically, the vacuum chuck 11 attracts the back surface S1 of the substrate WF by evacuation by the vacuum pump 13. Since the substrate WF is inverted by the substrate platform PS (FIG. 1) as described above, the substrate WF is held so that the processing surface S2 faces downward. Next, the vacuum chuck 11 and the pressure cup 31 are combined with the sealing material 59 interposed therebetween.

ステップＳ３０（図４）にて、図３に示されているように、基板ＷＦの処理面Ｓ２に空間ＧＰを介して対向するように、加圧されている処理液ＬＱが配置される。具体的には、処理液源４０から圧力カップ３１内へ処理液ＬＱが供給される。言い換えれば、圧力カップ３１の底面上に処理液ＬＱが供給される。処理液ＬＱが加圧状態で供給されることによって、圧力カップ３１内に、加圧されている処理液ＬＱが配置される。加圧されている状態は、処理液源４０およびオゾンガス源４７の少なくともいずれかからの加圧によって実現されてよい。処理液ＬＱの液位が処理面Ｓ２に達しないように調整されることによって空間ＧＰが維持される。液位の調整は液位計６０を参照して行われてよい。液位が過度に高くなった場合、処理液ＬＱを液逆止弁５１Ｌから排出することによって液位を適正化することができる。 In step S30 (FIG. 4), as shown in FIG. 3, the pressurized processing liquid LQ is placed so as to face the processing surface S2 of the substrate WF via the space GP. Specifically, the processing liquid LQ is supplied from the processing liquid source 40 into the pressure cup 31 . In other words, the processing liquid LQ is supplied onto the bottom surface of the pressure cup 31. By supplying the processing liquid LQ in a pressurized state, the pressurized processing liquid LQ is placed in the pressure cup 31 . The pressurized state may be realized by pressurization from at least one of the processing liquid source 40 and the ozone gas source 47. The space GP is maintained by adjusting the level of the processing liquid LQ so that it does not reach the processing surface S2. Adjustment of the liquid level may be performed with reference to the liquid level gauge 60. When the liquid level becomes excessively high, the liquid level can be made appropriate by discharging the processing liquid LQ from the liquid check valve 51L.

圧力カップ３１に供給されることになる処理液ＬＱは、処理液源４０において、オゾン気泡混合器４２が純水中にオゾン気泡を混合することによって生成される。なお、処理液ＬＱは、純水およびオゾンガス以外の成分を含んでいてもよく、例えば、処理液ＬＱ中にアンモニアおよび過酸化水素の少なくともいずれかが溶解されてもよい。 The processing liquid LQ to be supplied to the pressure cup 31 is generated by the ozone bubble mixer 42 mixing ozone bubbles into pure water in the processing liquid source 40 . Note that the treatment liquid LQ may contain components other than pure water and ozone gas, and for example, at least one of ammonia and hydrogen peroxide may be dissolved in the treatment liquid LQ.

ステップＳ４０（図４）にて、空間ＧＰが、オゾンガスを含有し、かつ加圧された状態とされる。具体的には、処理液ＬＱに混入されているオゾンガスが空間ＧＰ中へ放出されることによって、空間ＧＰにオゾンガスが含有させられる。さらに、オゾンガス源４７から供給されたオゾンガスによって空間ＧＰにオゾンガスが含有させられてもよい。 In step S40 (FIG. 4), the space GP contains ozone gas and is brought into a pressurized state. Specifically, the ozone gas mixed in the processing liquid LQ is released into the space GP, thereby causing the space GP to contain ozone gas. Furthermore, ozone gas supplied from the ozone gas source 47 may cause the space GP to contain ozone gas.

処理液ＬＱの圧力および空間ＧＰの圧力の少なくともいずれかは、圧力制御部５０によって制御される。前述したように、処理液ＬＱの圧力および空間ＧＰの圧力はおおよそ同じであり、よって、圧力制御部５０は、実質的に、処理液ＬＱおよび空間ＧＰの圧力、言い換えれば圧力カップ３１内の圧力、を制御する。また圧力カップ３１内の処理液ＬＱの液位が、液位計６０を参照して制御される。これにより処理液ＬＱと処理面Ｓ２との間に空間ＧＰが維持される。 At least one of the pressure of the processing liquid LQ and the pressure of the space GP is controlled by the pressure control section 50. As described above, the pressure of the processing liquid LQ and the pressure of the space GP are approximately the same, so the pressure control unit 50 substantially controls the pressure of the processing liquid LQ and the space GP, in other words, the pressure inside the pressure cup 31. , to control. Further, the liquid level of the processing liquid LQ in the pressure cup 31 is controlled with reference to the liquid level gauge 60. Thereby, a space GP is maintained between the processing liquid LQ and the processing surface S2.

ステップＳ５０（図４）にて、加熱部８０によって、基板ＷＦの処理面Ｓ２と空間ＧＰとの界面が加熱される。これにより処理面Ｓ２での化学反応が促進される。加熱が開始されるタイミングは、特に限定されない。このステップにおいて、基板ＷＦが加熱され、その結果として高温となった基板ＷＦの処理面Ｓ２から空間ＧＰへ熱が与えられてよい。基板ＷＦが加熱される際、伝導ヒータ８２Ｃによって基板ＷＦが処理面Ｓ２から加熱されてよく、それに代わって、あるいはそれと共に、伝導ヒータ８１Ｃによって基板ＷＦが裏面Ｓ１から加熱されてよい。また、前述したように、伝導ヒータに代わってランプヒータが用いられてもよい。また加熱部８０によって圧力カップ３１内で処理液ＬＱが加熱されてよい。 In step S50 (FIG. 4), the heating unit 80 heats the interface between the processing surface S2 of the substrate WF and the space GP. This accelerates the chemical reaction on the treatment surface S2. The timing at which heating is started is not particularly limited. In this step, the substrate WF may be heated, and heat may be applied from the processing surface S2 of the substrate WF, which has become high as a result, to the space GP. When the substrate WF is heated, the conduction heater 82C may heat the substrate WF from the processing surface S2, and instead of or in addition to that, the conduction heater 81C may heat the substrate WF from the back surface S1. Also, as mentioned above, a lamp heater may be used in place of the conduction heater. Further, the processing liquid LQ may be heated within the pressure cup 31 by the heating unit 80.

上記のステップＳ１０～Ｓ５０の結果、基板ＷＦの処理面Ｓ２と処理液ＬＱとの間には、オゾンガスを含有し加圧された空間ＧＰが介在する。空間ＧＰは、処理液ＬＱの蒸気またはミストによって湿潤された高濃度のオゾンを含有する。このオゾンは、処理面Ｓ２と空間ＧＰとの間の加熱された界面において、高い活性で処理面Ｓ２に作用する。これにより基板ＷＦへの処理が行われる。具体的には、基板ＷＦの洗浄、例えばレジスト除去、が行われる。 As a result of the above steps S10 to S50, a pressurized space GP containing ozone gas is present between the processing surface S2 of the substrate WF and the processing liquid LQ. The space GP contains highly concentrated ozone moistened by the vapor or mist of the processing liquid LQ. This ozone acts on the processing surface S2 with high activity at the heated interface between the processing surface S2 and the space GP. As a result, the substrate WF is processed. Specifically, the substrate WF is cleaned, for example, resist is removed.

上記処理の後、基板ＷＦのリンス工程が行われる。リンス工程は、基板処理装置１０１がリンス機能も有している場合、基板処理装置１０１によって行われてよく、あるいは他の処理ユニットＤＰ（図１）によって行われてもよい。続いて、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲ（図１）が、リンスされた基板ＷＦを処理ユニットＤＰからロードポートＬＰへ搬送する。 After the above treatment, a rinsing process for the substrate WF is performed. The rinsing step may be performed by the substrate processing apparatus 101 when the substrate processing apparatus 101 also has a rinsing function, or may be performed by another processing unit DP (FIG. 1). Subsequently, the indexer robot IR and the center robot CR (FIG. 1) transport the rinsed substrate WF from the processing unit DP to the load port LP.

以上により、基板ＷＦへの処理が完了する。 With the above steps, the processing on the substrate WF is completed.

本実施の形態によれば、基板ＷＦの処理面Ｓ２と処理液ＬＱとの間には、オゾンガスを含有し加圧された空間ＧＰが介在する。これにより、処理液ＬＱの蒸気またはミストによって湿潤された状態で高濃度のオゾンを基板ＷＦの処理面Ｓ２へ作用させつつ、処理液ＬＱと直接接することに起因しての基板ＷＦの処理面Ｓ２へのダメージが避けられる。特に、ナノバブルが用いられる場合、その圧壊時のキャビテーションダメージが基板ＷＦに及ぶことが防止される。基板ＷＦの処理面Ｓ２と空間ＧＰとの界面が加熱されることによって、基板ＷＦの処理面Ｓ２上でのオゾンの活性が高められる。以上から、基板ＷＦへのオゾンの作用を強めつつ、基板ＷＦへのダメージを抑制することができる。 According to the present embodiment, a pressurized space GP containing ozone gas is interposed between the processing surface S2 of the substrate WF and the processing liquid LQ. As a result, highly concentrated ozone is applied to the processing surface S2 of the substrate WF in a state moistened by the vapor or mist of the processing liquid LQ, and the processing surface S2 of the substrate WF due to direct contact with the processing liquid LQ is damage to can be avoided. In particular, when nanobubbles are used, cavitation damage caused by the collapse of the nanobubbles is prevented from reaching the substrate WF. By heating the interface between the processing surface S2 of the substrate WF and the space GP, the activity of ozone on the processing surface S2 of the substrate WF is increased. From the above, damage to the substrate WF can be suppressed while strengthening the effect of ozone on the substrate WF.

さらに、オゾン気泡混合器４２によって処理液ＬＱに混入されているオゾンガスを空間ＧＰ中へ放出することによって、オゾンガスを含有し加圧された状態を容易に得ることができ、そして圧力制御により、基板処理を安定化することができる。また、空間ＧＰ中のオゾンを、処理液ＬＱの蒸気またはミストによって十分に湿潤された状態とすることができる。 Furthermore, by releasing the ozone gas mixed into the processing liquid LQ into the space GP by the ozone bubble mixer 42, a pressurized state containing ozone gas can be easily obtained, and by pressure control, the substrate Processing can be stabilized. Furthermore, the ozone in the space GP can be sufficiently moistened by the vapor or mist of the processing liquid LQ.

粒径５０ｎｍ以下のオゾン気泡が処理液ＬＱ（図３）の表面上に密集することによって、処理液ＬＱの表面上に密集する気泡周辺での処理液ＬＱのオゾン濃度が高められる。また、気泡が圧壊したときのＯＨラジカルの発生が促進される。以上から、基板処理の作用を高めることができる。なお、ナノバブルは液中で安定的に分散されやすいが、加熱部８０によって加熱されることによって、処理液ＬＱの表面上への上昇が促進される。 Ozone bubbles with a particle size of 50 nm or less are densely packed on the surface of the processing liquid LQ (FIG. 3), thereby increasing the ozone concentration of the processing liquid LQ around the bubbles that are densely packed on the surface of the processing liquid LQ. Furthermore, the generation of OH radicals when the bubbles are collapsed is promoted. From the above, the effects of substrate processing can be enhanced. Note that nanobubbles tend to be stably dispersed in the liquid, but heating by the heating unit 80 promotes the rising of the nanobubbles onto the surface of the processing liquid LQ.

基板ＷＦからの熱によって、オゾンをユースポイントで加熱することができる。伝導ヒータ８２Ｃによって、基板ＷＦの裏面Ｓ１および処理面Ｓ２のうち、処理される面である処理面Ｓ２を優先的に加熱することができる。伝導ヒータ８１Ｃによって、基板ＷＦが裏面Ｓ１から加熱される。これにより、加熱の悪影響を基板ＷＦの処理面Ｓ２上に及びにくくすることができる。 Ozone can be heated at the point of use by heat from the substrate WF. The conduction heater 82C can preferentially heat the processing surface S2, which is the surface to be processed, of the back surface S1 and the processing surface S2 of the substrate WF. The conduction heater 81C heats the substrate WF from the back surface S1. Thereby, the adverse effects of heating can be made difficult to exert on the processing surface S2 of the substrate WF.

＜実施の形態２＞
図５は、本実施の形態２における基板処理装置１０２の構成を概略的に示す側面図である。図６は、図５の一部断面図である。図中、説明の便宜上、基板処理装置１０２によって処理されることになる基板ＷＦも図示されている。 <Embodiment 2>
FIG. 5 is a side view schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 102 in the second embodiment. FIG. 6 is a partial cross-sectional view of FIG. 5. In the figure, for convenience of explanation, a substrate WF to be processed by the substrate processing apparatus 102 is also illustrated.

基板処理装置１０２は、回転軸１４と、回転モータ１５とを有している。回転軸１４は真空チャック１１を支持している。回転モータ１５が回転軸１４を矢印ＲＣに示すように回転させることによって真空チャック１１が回転する。これにより、真空チャック１１に保持された基板ＷＦが回転する。 The substrate processing apparatus 102 has a rotating shaft 14 and a rotating motor 15. The rotating shaft 14 supports the vacuum chuck 11. The vacuum chuck 11 is rotated by the rotating motor 15 rotating the rotating shaft 14 as shown by arrow RC. As a result, the substrate WF held by the vacuum chuck 11 rotates.

基板処理装置１０２はさらに、圧力ノズル３２（本実施の形態における圧力保持部）と、アーム６１と、軸６２と、角度調整器６３と、高さ調整器６４とを有している。圧力ノズル３２は、アーム６１の一方端に支持されている。アーム６１の他方端は軸６２に支持されている。軸６２は、高さ方向に沿って延在している。軸６２は回転することができ、その回転角度は、矢印ＲＮ（図５）に示すように、アクチュエータである角度調整器６３によって調整される。これにより、軸６２からアーム６１が延びる方向が調整される。これにより、矢印ＳＮ（図５）に示すように、圧力ノズル３２の位置が基板ＷＦの処理面Ｓ２上でスキャンされる。当該スキャンと、基板ＷＦの上述した回転とが組み合わさることによって、処理面Ｓ２の広範囲にわたって処理を行うことができる。軸６２は高さ方向において変位することができ、その高さ位置は、アクチュエータである高さ調整器６４によって調整される。これにより、矢印ＨＮ（図５）に示すようにアーム６１の高さが調整される。これにより、圧力ノズル３２と基板ＷＦの処理面Ｓ２との間のギャップ長ＨＧ（図６）が調整される。これにより圧力ノズル３２内の処理液ＬＱの圧力を調整することができるので、高さ調整器６４は、一種の圧力制御部である。 The substrate processing apparatus 102 further includes a pressure nozzle 32 (pressure holding section in this embodiment), an arm 61, a shaft 62, an angle adjuster 63, and a height adjuster 64. Pressure nozzle 32 is supported at one end of arm 61. The other end of the arm 61 is supported by a shaft 62. The shaft 62 extends along the height direction. The shaft 62 can rotate, and its rotation angle is adjusted by an angle adjuster 63, which is an actuator, as shown by arrow RN (FIG. 5). Thereby, the direction in which the arm 61 extends from the shaft 62 is adjusted. Thereby, the position of the pressure nozzle 32 is scanned on the processing surface S2 of the substrate WF, as shown by arrow SN (FIG. 5). By combining the scanning and the above-described rotation of the substrate WF, processing can be performed over a wide range of the processing surface S2. The shaft 62 can be displaced in the height direction, and its height position is adjusted by a height adjuster 64, which is an actuator. Thereby, the height of arm 61 is adjusted as shown by arrow HN (FIG. 5). Thereby, the gap length HG (FIG. 6) between the pressure nozzle 32 and the processing surface S2 of the substrate WF is adjusted. This allows the pressure of the processing liquid LQ within the pressure nozzle 32 to be adjusted, so the height adjuster 64 is a type of pressure control section.

圧力ノズル３２は、ウイング部３２Ａと、主部３２Ｂと、供給部３２Ｃとを有している。主部３２Ｂは、基板ＷＦの処理面Ｓ２の一部に間隔を空けて対向する対向面ＳＳを有している。ウイング部３２Ａは、主部３２Ｂの縁に配置され、主部３２Ｂから基板ＷＦの処理面Ｓ２へ向かって延びており、基板ＷＦの処理面Ｓ２に対向している。ウイング部３２Ａの内側は、処理面Ｓ２に平行な面において内周長ＬＩを有する筒形状を有している。ウイング部３２Ａの内面は直径Ｄ２の円筒形状を有していてよく、その場合、内周長ＬＩ＝π・Ｄ２が満たされる。供給部３１Ｃは、基板ＷＦの処理面Ｓ２と主部３２Ｂとの間へ処理液ＬＱを供給する。具体的には、供給部３２Ｃは主部３２Ｂの対向面ＳＳ上へ処理液ＬＱを供給する。供給部３２Ｃは、処理液ＬＱの流れに垂直な面において断面積ＳＣを有している。供給部３２Ｃの内部は直径Ｄ１の円筒形状を有していてよく、その場合、断面積ＳＣ＝（Ｄ１／２）２・πが満たされる。 The pressure nozzle 32 has a wing portion 32A, a main portion 32B, and a supply portion 32C. The main portion 32B has a facing surface SS that faces a part of the processing surface S2 of the substrate WF with an interval therebetween. The wing portion 32A is arranged at the edge of the main portion 32B, extends from the main portion 32B toward the processing surface S2 of the substrate WF, and faces the processing surface S2 of the substrate WF. The inner side of the wing portion 32A has a cylindrical shape with an inner peripheral length LI in a plane parallel to the processing surface S2. The inner surface of the wing portion 32A may have a cylindrical shape with a diameter D2, in which case the inner circumferential length LI=π·D2 is satisfied. The supply section 31C supplies the processing liquid LQ between the processing surface S2 of the substrate WF and the main section 32B. Specifically, the supply section 32C supplies the processing liquid LQ onto the opposing surface SS of the main section 32B. The supply section 32C has a cross-sectional area SC in a plane perpendicular to the flow of the processing liquid LQ. The interior of the supply section 32C may have a cylindrical shape with a diameter D1, in which case the cross-sectional area SC=(D1/2) 2 ·π is satisfied.

加熱部８０は、本実施の形態においては、伝導ヒータ８２Ｃ（図３：実施の形態１）に代わって、ランプヒータ８２Ｌを有している。ランプヒータ８２Ｌからの光のエネルギーを吸収することによって、基板ＷＦの処理面Ｓ２が加熱される。ランプヒータ８２Ｌは発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を有することが好ましい。光の波長は、基板ＷＦによって吸収されやすいものであることが好ましく、基板ＷＦがシリコン基板の場合、波長４５０ｎｍ程度および５５０ｎｍ程度にピーク強度を有する光が好ましい。ランプヒータ８２Ｌは、圧力ノズル３２の外側の主部３２Ｂの下面上に取り付けられていてよい。これにより、圧力ノズル３２のスキャン（図５：矢印ＳＮ）に同期してランプヒータ８２Ｌをスキャンさせることができる。この場合、加熱のための光が基板ＷＦに主部３２Ｂを介して達するので、主部３２Ｂは光を透過する材料からなる必要があり、例えば、石英ガラスのような透明材料からなる。なお、伝導ヒータ８１Ｃおよびランプヒータ８２Ｌのいずれかが省略されてもよい。また各ヒータは伝導ヒータおよびランプヒータのいずれであってもよい。 In this embodiment, the heating section 80 includes a lamp heater 82L instead of the conduction heater 82C (FIG. 3: Embodiment 1). By absorbing the energy of light from the lamp heater 82L, the processing surface S2 of the substrate WF is heated. Preferably, the lamp heater 82L includes a light emitting diode (LED). The wavelength of the light is preferably one that is easily absorbed by the substrate WF, and when the substrate WF is a silicon substrate, light having a peak intensity at wavelengths of about 450 nm and 550 nm is preferable. The lamp heater 82L may be attached on the lower surface of the outer main portion 32B of the pressure nozzle 32. Thereby, the lamp heater 82L can be scanned in synchronization with the scan of the pressure nozzle 32 (FIG. 5: arrow SN). In this case, since the light for heating reaches the substrate WF via the main part 32B, the main part 32B needs to be made of a material that transmits light, for example, made of a transparent material such as quartz glass. Note that either the conduction heater 81C or the lamp heater 82L may be omitted. Further, each heater may be either a conduction heater or a lamp heater.

基板処理装置１０２を用いた基板処理方法において、加圧されている処理液ＬＱが圧力ノズル３２へ供給される際、圧力ノズル３２のウイング部３２Ａ（図６）は、基板ＷＦの処理面Ｓ２に、ゼロよりも大きなギャップ長ＨＧを空けて対向させられる。ギャップ長ＨＧ（図６）がゼロよりも大きいことから、空間ＧＰ（図６）中のガスは、矢印ＥＶに示すように基板ＷＦの処理面Ｓ２上において圧力ノズル３２の外部へと漏れ出す。圧力ノズル３２内の圧力を十分に高めるためには、ギャップ長ＨＧと、ウイング部３２Ａの内周長ＬＩと、供給部３１Ｃの断面積ＳＣとの間で、ＳＣ＞ＬＩ・ＨＧが満たされていることが好ましい。 In the substrate processing method using the substrate processing apparatus 102, when the pressurized processing liquid LQ is supplied to the pressure nozzle 32, the wing portion 32A (FIG. 6) of the pressure nozzle 32 is applied to the processing surface S2 of the substrate WF. , are made to face each other with a gap length HG greater than zero. Since the gap length HG (FIG. 6) is greater than zero, the gas in the space GP (FIG. 6) leaks out of the pressure nozzle 32 on the processing surface S2 of the substrate WF as shown by the arrow EV. In order to sufficiently increase the pressure inside the pressure nozzle 32, SC>LI・HG must be satisfied between the gap length HG, the inner peripheral length LI of the wing portion 32A, and the cross-sectional area SC of the supply portion 31C. Preferably.

なお本実施の形態においては、圧力カップ３３から矢印ＥＶに示すようにガスを排出することができるので、ガス逆止弁５１Ｇおよびガスバルブ５２Ｇ（図３：実施の形態１）が省略されていても、圧力カップ３３内のガスの排出を制御することができる。変形例として、ガス逆止弁５１Ｇおよびガスバルブ５２Ｇが本実施の形態に適用されてもよい。 Note that in this embodiment, gas can be discharged from the pressure cup 33 as shown by the arrow EV, so even if the gas check valve 51G and the gas valve 52G (FIG. 3: Embodiment 1) are omitted. , the evacuation of the gas in the pressure cup 33 can be controlled. As a modification, gas check valve 51G and gas valve 52G may be applied to this embodiment.

処理液ＬＱの圧力および空間ＧＰの圧力の少なくともいずれかは、圧力制御部５０によって制御される。前述したように、処理液ＬＱの圧力および空間ＧＰの圧力はおおよそ同じであり、よって、圧力制御部５０は、実質的に、処理液ＬＱおよび空間ＧＰの圧力、言い換えれば圧力ノズル３２内の圧力、を制御する。本実施の形態においては、実施の形態１において説明した方法だけでなく、高さ調整器６４によってギャップ長ＨＧを調整する方法によっても圧力を制御することができる。 At least one of the pressure of the processing liquid LQ and the pressure of the space GP is controlled by the pressure control section 50. As described above, the pressure of the processing liquid LQ and the pressure of the space GP are approximately the same, so the pressure control unit 50 substantially controls the pressure of the processing liquid LQ and the space GP, in other words, the pressure inside the pressure nozzle 32. , to control. In this embodiment, the pressure can be controlled not only by the method described in Embodiment 1 but also by the method of adjusting the gap length HG using the height adjuster 64.

また実施の形態１と同様、圧力ノズル３２内の処理液ＬＱの液位が制御される。これにより処理液ＬＱと処理面Ｓ２との間に空間ＧＰが維持される。 Further, as in the first embodiment, the liquid level of the processing liquid LQ in the pressure nozzle 32 is controlled. Thereby, a space GP is maintained between the processing liquid LQ and the processing surface S2.

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。 Note that the configuration other than the above is almost the same as the configuration of the first embodiment described above, so the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

＜実施の形態３＞
図７は、本実施の形態３における基板処理装置１０３の構成を概略的に示す断面図である。図中、説明の便宜上、基板処理装置１０３によって処理されることになる基板ＷＦも図示されている。以下、主に基板処理装置１０１（図３：実施の形態１）との相違について説明する。 <Embodiment 3>
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 103 in the third embodiment. In the figure, for convenience of explanation, a substrate WF to be processed by the substrate processing apparatus 103 is also illustrated. Hereinafter, differences from the substrate processing apparatus 101 (FIG. 3: Embodiment 1) will be mainly explained.

圧力カップ３３（本実施の形態における圧力保持部）は、温水を通すために温水経路３３ｈを有している。また圧力カップ３３は、処理液源４０から処理液を受け入れるための複数の導入路３３ｏを有している。導入路３３ｏは、処理面Ｓ２に対向する対向面ＳＳに達する少なくとも１つの導入路３３ｏ１を含んでよく、好ましくは、図示されているように複数の導入路３３ｏ１を含む。また導入路３３ｏは、圧力カップ３３内で温水経路３３ｈに合流する導入路３３ｏ２を含んでよい。本実施の形態においては、空間ＧＰを介して対向するように処理液ＬＱを配置するために、処理液源４０からの処理液が複数の導入路３３ｏへ導入される。この構成によって、新鮮な処理液が導入される位置のむらが抑えられる。よって、処理液の失活に起因しての処理むらを抑えることができる。 The pressure cup 33 (pressure holding section in this embodiment) has a hot water path 33h for passing hot water. The pressure cup 33 also has a plurality of introduction passages 33o for receiving processing liquid from the processing liquid source 40. The introduction path 33o may include at least one introduction path 33o1 reaching the opposing surface SS facing the processing surface S2, and preferably includes a plurality of introduction paths 33o1 as shown. Further, the introduction path 33o may include an introduction path 33o2 that joins the hot water path 33h within the pressure cup 33. In this embodiment, the processing liquid from the processing liquid source 40 is introduced into the plurality of introduction paths 33o in order to arrange the processing liquids LQ so as to face each other across the space GP. This configuration suppresses unevenness in the position at which fresh processing liquid is introduced. Therefore, it is possible to suppress processing unevenness due to deactivation of the processing liquid.

処理液源４０からの処理液を圧力カップ３３の複数の導入路３３ｏへ導入する際、処理液は配管４５から複数の導入路３３ｏへ分岐させられる。ここで、配管４５の断面積Ｃ８は、複数の導入路３３ｏの各々の断面積Ｃ９よりも大きいことが好ましい。この構成によって、処理液の圧力を、温水と混合される直前まで、より高く維持しやすくなる。なお、ここでいう断面積は、配管４５または導入路３３ｏの延在方向に垂直な面における面積である。 When introducing the processing liquid from the processing liquid source 40 into the plurality of introduction passages 33o of the pressure cup 33, the processing liquid is branched from the piping 45 to the plurality of introduction passages 33o. Here, it is preferable that the cross-sectional area C8 of the pipe 45 is larger than the cross-sectional area C9 of each of the plurality of introduction paths 33o. This configuration makes it easier to maintain the pressure of the treatment liquid at a higher level until just before it is mixed with hot water. Note that the cross-sectional area here is an area in a plane perpendicular to the extending direction of the pipe 45 or the introduction path 33o.

配管４５と、複数の導入路３３ｏのそれぞれとの間には、バルブ４６が挿入されていることが好ましい。個々のバルブ４６の開度を制御することによって、基板ＷＦの処理面Ｓ２における処理むらを低減することができる。 It is preferable that a valve 46 is inserted between the piping 45 and each of the plurality of introduction paths 33o. By controlling the opening degrees of the individual valves 46, it is possible to reduce processing unevenness on the processing surface S2 of the substrate WF.

例えば、圧力カップ３３は、円形の外縁を有する対向面ＳＳを有しており、その中心に温水経路３３ｈの出口が配置され、径方向（図中、横方向）に沿って複数の導入路３３ｏ１の出口が配列される。この構成により、径方向における処理むらを抑えることができる。また、上述したようにバルブ４６の開度が制御が制御される場合、径方向における処理むらをさらに抑えることができる。なお変形例として、導入路３３ｏ１が省略されて導入路３３ｏ２のみが設けられてもよく、これにより構成を単純化することができる。ただしこの変形例においては、圧力カップ３３の対向面ＳＳの中心にのみ新鮮な処理液が供給されるので、中心から離れるほど、より失活の進んだ処理液しか供給されなくなる。よって処理むらが生じやすくなる。 For example, the pressure cup 33 has a facing surface SS having a circular outer edge, the outlet of the hot water path 33h is arranged at the center thereof, and a plurality of inlet paths 33o1 are arranged along the radial direction (horizontal direction in the figure). exits are arranged. With this configuration, processing unevenness in the radial direction can be suppressed. Further, when the opening degree of the valve 46 is controlled as described above, processing unevenness in the radial direction can be further suppressed. As a modification, the introduction path 33o1 may be omitted and only the introduction path 33o2 may be provided, thereby simplifying the configuration. However, in this modification, fresh processing liquid is supplied only to the center of the opposing surface SS of the pressure cup 33, so that the further away from the center, the more deactivated the processing liquid will be supplied. Therefore, uneven processing tends to occur.

本実施の形態の基板処理方法においては、基板ＷＦの処理面Ｓ２に空間ＧＰを介して対向するように処理液を配置するために、圧力カップ３３の複数の導入路３３ｏへ処理液が導入される。複数の導入路３３ｏへ処理液を導入するためには、配管４５から複数の導入路３３ｏへ処理液が分岐させられる。そして、基板ＷＦの処理面Ｓ２と空間ＧＰとの界面を加熱するために、処理液源４０からの第１の温度を有する処理液ＬＱに、温水源８３からの第１の温度よりも高い第２の温度を有する温水が混合される。 In the substrate processing method of this embodiment, the processing liquid is introduced into the plurality of introduction paths 33o of the pressure cup 33 in order to arrange the processing liquid so as to face the processing surface S2 of the substrate WF via the space GP. Ru. In order to introduce the processing liquid into the plurality of introduction passages 33o, the processing liquid is branched from the piping 45 to the plurality of introduction passages 33o. Then, in order to heat the interface between the processing surface S2 of the substrate WF and the space GP, the processing liquid LQ having the first temperature from the processing liquid source 40 is applied to the processing liquid LQ having a first temperature higher than the first temperature from the hot water source 83. Hot water having two temperatures is mixed.

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。 Note that the configuration other than the above is almost the same as the configuration of the first embodiment described above, so the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will not be repeated.

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。 Although this invention has been described in detail, the above description is illustrative in all aspects, and the invention is not limited thereto. It is understood that countless variations not illustrated can be envisaged without departing from the scope of the invention. The configurations described in each of the above embodiments and modifications can be appropriately combined or omitted as long as they do not contradict each other.

１１ ：真空チャック（基板保持部）
３１，３３ ：圧力カップ（圧力保持部）
３２ ：圧力ノズル（圧力保持部）
３３ｈ ：温水経路
３３ｏ ：導入路
４０ ：処理液源
４１ ：純水源
４２ ：オゾン気泡混合器
４７ ：オゾンガス源
５０ ：圧力制御部
６０ ：液位計
８０ ：加熱部
８１Ｃ ：伝導ヒータ
８２Ｃ ：伝導ヒータ
８２Ｌ ：ランプヒータ
８３ ：温水源
９０ ：制御部
１００ ：基板処理システム
１０１～１０３：基板処理装置
ＧＰ ：空間
ＬＱ ：処理液
Ｓ１ ：裏面（第１の面）
Ｓ２ ：処理面（第２の面）
ＳＳ ：対向面
ＷＦ ：基板 11: Vacuum chuck (substrate holding part)
31, 33: Pressure cup (pressure holding part)
32: Pressure nozzle (pressure holding part)
33h: Hot water path 33o: Inlet path 40: Processing liquid source 41: Pure water source 42: Ozone bubble mixer 47: Ozone gas source 50: Pressure control section 60: Level gauge 80: Heating section 81C: Conduction heater 82C: Conduction heater 82L : Lamp heater 83 : Hot water source 90 : Control unit 100 : Substrate processing system 101 to 103 : Substrate processing apparatus GP : Space LQ : Processing liquid S1 : Back surface (first surface)
S2: Processed surface (second surface)
SS: Opposing surface WF: Substrate

Claims (20)

第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を、前記第２の面が下方を向くように保持する工程と、
前記基板の前記第２の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する工程と、
前記空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程と、
前記基板の前記第２の面と前記空間との界面を加熱する工程と、
前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程と、
を備え、
前記処理液を配置する工程は、前記圧力保持部上に前記処理液を供給する工程を含む、基板処理方法。 holding a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface so that the second surface faces downward;
arranging a pressurized processing liquid so as to face the second surface of the substrate with a space therebetween;
a step of bringing the space into a pressurized state containing ozone gas;
heating an interface between the second surface of the substrate and the space;
arranging a pressure holding part having opposing surfaces facing each other with an interval on at least a portion of the second surface of the substrate;
Equipped with
A substrate processing method, wherein the step of disposing the processing liquid includes a step of supplying the processing liquid onto the pressure holding section. 前記空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程は、前記処理液に混入されているオゾンガスを前記空間中へ放出する工程を含む、請求項１に記載の基板処理方法。 2. The substrate processing method according to claim 1, wherein the step of bringing the space into a pressurized state containing ozone gas includes the step of releasing ozone gas mixed in the processing liquid into the space. 前記処理液に混入されているオゾンガスの少なくとも一部は、粒径５０ｎｍ以下の気泡として混入されている、請求項２に記載の基板処理方法。 3. The substrate processing method according to claim 2, wherein at least a part of the ozone gas mixed into the processing liquid is mixed as bubbles having a particle size of 50 nm or less. 前記基板の前記第２の面と前記空間との界面を加熱する工程は、
前記基板を加熱する工程と、
前記基板の前記第２の面から前記空間へ熱を与える工程と、
を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The step of heating the interface between the second surface of the substrate and the space,
heating the substrate;
applying heat from the second surface of the substrate to the space;
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 3, comprising: 前記基板を加熱する工程は、前記基板を前記第２の面から加熱する工程を含む、請求項４に記載の基板処理方法。 5. The substrate processing method according to claim 4, wherein the step of heating the substrate includes a step of heating the substrate from the second surface. 前記基板を加熱する工程は、前記基板を前記第１の面から加熱する工程を含む、請求項４または５に記載の基板処理方法。 6. The substrate processing method according to claim 4, wherein the step of heating the substrate includes a step of heating the substrate from the first surface. 前記基板の前記第２の面と前記空間との界面を加熱する工程は、第１の温度を有する前記処理液に、前記第１の温度よりも高い第２の温度を有する温水を混合する工程を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The step of heating the interface between the second surface of the substrate and the space is a step of mixing hot water having a second temperature higher than the first temperature with the processing liquid having a first temperature. The substrate processing method according to any one of claims 1 to 6, comprising: 前記処理液の圧力および前記空間の圧力の少なくともいずれかを制御する工程をさらに備える、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The substrate processing method according to any one of claims 1 to 7, further comprising the step of controlling at least one of the pressure of the processing liquid and the pressure of the space. 前記圧力保持部は、
前記基板の前記第２の面に間隔を空けて対向する主部と、
前記主部の縁に配置され、前記主部から前記基板の前記第２の面へ向かって延び、前記基板の前記第２の面に対向するウイング部と、
を含む、請求項１から８のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The pressure holding part is
a main portion facing the second surface of the substrate at a distance;
a wing portion disposed at an edge of the main portion, extending from the main portion toward the second surface of the substrate, and facing the second surface of the substrate;
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 8, comprising: 前記ウイング部は、前記基板の前記第２の面にギャップ長ＨＧを空けて対向しており、かつ内周長ＬＩの筒形状を有しており、
前記圧力保持部は、前記基板の前記第２の面と前記主部との間へ前記処理液を供給し断面積ＳＣを有する供給部を含み、
ＳＣ ＞ ＬＩ・ＨＧ
が満たされている、請求項９に記載の基板処理方法。 The wing portion faces the second surface of the substrate with a gap length HG therebetween, and has a cylindrical shape with an inner peripheral length LI,
The pressure holding part includes a supply part that supplies the processing liquid between the second surface of the substrate and the main part and has a cross-sectional area SC,
SC > LI/HG
10. The substrate processing method according to claim 9, wherein: 前記圧力保持部は、前記処理液を受け入れるための複数の導入路を有しており、
前記処理液を配置する工程は、前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記処理液を導入する工程を含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The pressure holding section has a plurality of introduction paths for receiving the processing liquid,
11. The substrate processing method according to claim 1, wherein the step of disposing the processing liquid includes a step of introducing the processing liquid into the plurality of introduction paths of the pressure holding section. 前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記処理液を導入する工程は、前記複数の導入路の各々の断面積よりも大きな断面積を有する配管から前記複数の導入路へ前記処理液を分岐させる工程を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。 The step of introducing the processing liquid into the plurality of introduction passages of the pressure holding section includes branching the processing liquid from a pipe having a cross-sectional area larger than the cross-sectional area of each of the plurality of introduction passages to the plurality of introduction passages. The substrate processing method according to claim 11, further comprising the step of: 第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を、前記第２の面が下方を向くように保持する工程と、
前記基板の前記第２の面に空間を介して対向するように、加圧されている処理液を配置する工程と、
前記空間をオゾンガスを含有し加圧された状態とする工程と、
前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部を配置する工程と、
前記処理液の圧力および前記空間の圧力の少なくともいずれかを制御する工程と、
を備え、
前記処理液を配置する工程は、前記圧力保持部上に前記処理液を供給する工程を含む、基板処理方法。 holding a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface so that the second surface faces downward;
arranging a pressurized processing liquid so as to face the second surface of the substrate with a space therebetween;
a step of bringing the space into a pressurized state containing ozone gas;
arranging a pressure holding part having opposing surfaces facing each other with an interval on at least a portion of the second surface of the substrate;
controlling at least one of the pressure of the processing liquid and the pressure of the space;
Equipped with
A substrate processing method, wherein the step of disposing the processing liquid includes a step of supplying the processing liquid onto the pressure holding section. 前記圧力保持部は、
前記基板の前記第２の面に間隔を空けて対向する主部と、
前記主部の縁に配置され、前記主部から前記基板の前記第２の面へ向かって延び、前記基板の前記第２の面に対向するウイング部と、
を含む、請求項１３に記載の基板処理方法。 The pressure holding part is
a main portion facing the second surface of the substrate at a distance;
a wing portion disposed at an edge of the main portion, extending from the main portion toward the second surface of the substrate, and facing the second surface of the substrate;
The substrate processing method according to claim 13, comprising: 前記ウイング部は、前記基板の前記第２の面にギャップ長ＨＧを空けて対向しており、かつ内周長ＬＩの筒形状を有しており、
前記圧力保持部は、前記基板の前記第２の面と前記主部との間へ前記処理液を供給し断面積ＳＣを有する供給部を含み、
ＳＣ ＞ ＬＩ・ＨＧ
が満たされている、請求項１４に記載の基板処理方法。 The wing portion faces the second surface of the substrate with a gap length HG therebetween, and has a cylindrical shape with an inner peripheral length LI,
The pressure holding part includes a supply part that supplies the processing liquid between the second surface of the substrate and the main part and has a cross-sectional area SC,
SC > LI/HG
15. The substrate processing method according to claim 14, wherein: 前記圧力保持部は、前記処理液を受け入れるための複数の導入路を有しており、
前記処理液を配置する工程は、前記圧力保持部の前記複数の導入路へ前記処理液を導入する工程を含む、請求項１３から１５のいずれか１項に記載の基板処理方法。 The pressure holding section has a plurality of introduction paths for receiving the processing liquid,
16. The substrate processing method according to claim 13, wherein the step of disposing the processing liquid includes a step of introducing the processing liquid into the plurality of introduction paths of the pressure holding section. 第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
前記基板を、前記第２の面が下方を向くように保持する基板保持部と、
加圧されている処理液を配置する、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部と、
前記基板の前記第２の面に空間を介して対向するように、前記圧力保持部上に前記処理液を供給する供給部と、
前記基板の前記第２の面と前記空間との界面を加熱する加熱部と、
を備える、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface,
a substrate holding part that holds the substrate so that the second surface faces downward;
a pressure holding part having an opposing surface facing at least a portion of the second surface of the substrate with a space therebetween, on which a pressurized processing liquid is disposed;
a supply unit that supplies the processing liquid onto the pressure holding unit so as to face the second surface of the substrate with a space therebetween ;
a heating unit that heats an interface between the second surface of the substrate and the space;
A substrate processing apparatus comprising: 第１の面と前記第１の面と反対の第２の面とを有する基板を処理するための基板処理装置であって、
前記基板を、前記第２の面が下方を向くように保持する基板保持部と、
加圧されている処理液を配置する、前記基板の前記第２の面の少なくとも一部に間隔を空けて対向する対向面を有する圧力保持部と、
前記基板の前記第２の面に空間を介して対向するように、前記圧力保持部上に前記処理液を供給する供給部と、
前記処理液の圧力および前記空間の圧力の少なくともいずれかを制御する圧力制御部と、
を備える、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface,
a substrate holding part that holds the substrate so that the second surface faces downward;
a pressure holding part having an opposing surface facing at least a portion of the second surface of the substrate with a space therebetween, on which a pressurized processing liquid is disposed;
a supply unit that supplies the processing liquid onto the pressure holding unit so as to face the second surface of the substrate with a space therebetween ;
a pressure control unit that controls at least one of the pressure of the processing liquid and the pressure of the space;
A substrate processing apparatus comprising: 前記圧力保持部は、
前記基板の前記第２の面に間隔を空けて対向する主部と、
前記主部の縁に配置され、前記主部から前記基板の前記第２の面へ向かって延び、前記基板の前記第２の面に対向するウイング部と、
を含む、請求項１７または１８に記載の基板処理装置。 The pressure holding part is
a main portion facing the second surface of the substrate at a distance;
a wing portion disposed at an edge of the main portion, extending from the main portion toward the second surface of the substrate, and facing the second surface of the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 17 or 18, comprising: 前記ウイング部は、前記基板の前記第２の面にギャップ長ＨＧを空けて対向しており、かつ内周長ＬＩの筒形状を有しており、
前記圧力保持部は、前記基板の前記第２の面と前記主部との間へ前記処理液を供給し断面積ＳＣを有する供給部を含み、
ＳＣ ＞ ＬＩ・ＨＧ
が満たされている、請求項１９に記載の基板処理装置。 The wing portion faces the second surface of the substrate with a gap length HG therebetween, and has a cylindrical shape with an inner peripheral length LI,
The pressure holding part includes a supply part that supplies the processing liquid between the second surface of the substrate and the main part and has a cross-sectional area SC,
SC > LI/HG
The substrate processing apparatus according to claim 19, wherein the following is satisfied.
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