JP7332803B2 - transmission electron microscope - Google Patents

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    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes

Description

本発明は、透過電子顕微鏡に関するものである。 The present invention relates to transmission electron microscopes.

近年、透過電子顕微鏡の像観察は、CCD(Charge Coupled Device)やCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)素子を用いた検出器(例えば、デジタルカメラ)による観察が一般的となっている。この検出器は、各検出素子が光の強度を電気信号に変換することにより、画像情報を生成する。したがって透過電子顕微鏡においては、電子線を光に変換する媒体(例えば、シンチレータ)が必要となる。この媒体は、より高画質な画像情報を得るために、局所的かつ高い発光量を得ることが重要となっている。 2. Description of the Related Art In recent years, transmission electron microscope image observation is generally performed by a detector (for example, a digital camera) using a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) element. The detector produces image information by converting light intensity into an electrical signal by each detector element. Therefore, transmission electron microscopes require a medium (for example, a scintillator) that converts electron beams into light. For this medium, it is important to obtain a local and high light emission amount in order to obtain image information of higher image quality.

一般的なシンチレータの材質として、p47(Y2SiO5:Ce)があげられる。この材質は、電子線が照射された領域に存在する粒子のみが発光する。非特許文献1が示すように、この粒子の大きさは3μm程度であるので、局所的な発光が可能となり、シンチレータの材質として広く使用されている。 A common scintillator material is p47 (Y2SiO5:Ce). This material emits light only from particles present in the region irradiated with the electron beam. As shown in Non-Patent Document 1, the size of these particles is about 3 μm, so local light emission is possible, and they are widely used as materials for scintillators.

微小粒子を積層して製作されているシンチレータは、照射される電子線のエネルギーやシンチレータの厚みによって、発光量が変化する。透過電子顕微鏡は、数百キロボルトの電圧で加速された電子線を用いて試料を観察するので、シンチレータは数十μmの厚みが必要となり、主に使用する加速電圧で最も発光量が得られるように設計されることが一般的である。 A scintillator manufactured by laminating microparticles changes the amount of light emitted depending on the energy of the irradiated electron beam and the thickness of the scintillator. Since a transmission electron microscope uses an electron beam accelerated by a voltage of several hundred kilovolts to observe a sample, a scintillator with a thickness of several tens of micrometers is required, mainly in order to obtain the maximum amount of light emission at the accelerating voltage used. is generally designed to

透過電子顕微鏡は、照射電子線の加速電圧を変更することによって、観察像の分解能やコントラストを変更することができる。一般的な透過電子顕微鏡は、数十キロボルトから数百キロボルトまで幅広い範囲の加速電圧を設定することができる。一方で、一般的な透過電子顕微鏡は、上記の通り、主に使用する加速電圧において最も発光量が得られるように、シンチレータ厚みを設計している。よって、この設計した加速電圧から乖離した加速電圧帯においては、シンチレータの発光量が低く、観察像の品質が低下する。 A transmission electron microscope can change the resolution and contrast of an observation image by changing the acceleration voltage of the irradiated electron beam. A general transmission electron microscope can set a wide range of acceleration voltages from tens of kilovolts to hundreds of kilovolts. On the other hand, in general transmission electron microscopes, as described above, the thickness of the scintillator is designed so that the maximum amount of light emission can be obtained at the accelerating voltage that is mainly used. Therefore, in an acceleration voltage band deviating from the designed acceleration voltage, the light emission amount of the scintillator is low, and the quality of the observed image is deteriorated.

特許文献1は、上記課題に鑑みて、結晶シンチレータと粒子シンチレータを組み合わせた複合シンチレータを提案している。同文献における複合シンチレータは、粒子シンチレータを透過した電子によって、結晶シンチレータを発光させる。 In view of the above problems, Patent Document 1 proposes a composite scintillator in which a crystal scintillator and a particle scintillator are combined. The composite scintillator in the document causes a crystal scintillator to emit light by electrons transmitted through a particle scintillator.

特開2015-005351号公報JP 2015-005351 A

N.R.Comins et al.,J.Phys.E:Sci.Instrum.,Vol.11A.1041-1047(1978)N. R. Comins et al. , J. Phys. E: Sci. Instrum. , Vol. 11A. 1041-1047 (1978)

特許文献1記載の複合シンチレータは、粒子シンチレータの厚みを電子線が透過する加速電圧帯においては、高い発光量を得ることができる。しかし、粒子シンチレータの厚みを電子線が透過しない加速電圧帯においては、従来と同様に発光量が低下する。 The composite scintillator described in Patent Document 1 can obtain a high amount of light emission in an acceleration voltage range in which electron beams pass through the thickness of the particle scintillator. However, in the acceleration voltage range where the electron beam does not pass through the thickness of the particle scintillator, the amount of light emitted decreases as in the conventional case.

本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、幅広い加速電圧帯においてシンチレータの発光量を高くすることができる透過電子顕微鏡を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a transmission electron microscope capable of increasing the amount of light emitted from a scintillator over a wide range of accelerating voltages.

本発明に係る透過電子顕微鏡は、第1発光特性を有する第1シンチレータ、前記第1発光特性とは異なる第2発光特性を有する第2シンチレータ、を有し、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータのうちいずれか一方のみが、試料を透過した電子線を受け取るように、前記第1シンチレータの位置と前記第2シンチレータの位置を調整する。 A transmission electron microscope according to the present invention has a first scintillator having a first emission characteristic and a second scintillator having a second emission characteristic different from the first emission characteristic, and the first scintillator and the second scintillator The position of the first scintillator and the position of the second scintillator are adjusted so that only one of them receives the electron beam that has passed through the sample.

本発明に係る透過電子顕微鏡によれば、低加速電圧から高加速電圧まで幅広い範囲において高い発光量を有する観察像を撮影することができる。 According to the transmission electron microscope according to the present invention, it is possible to photograph an observation image having a high amount of light emission over a wide range from a low acceleration voltage to a high acceleration voltage.

実施形態1に係る透過電子顕微鏡100の構成図である。1 is a configuration diagram of a transmission electron microscope 100 according to Embodiment 1. FIG. 検出システム114の要部の詳細を示す。Details of the essential parts of the detection system 114 are shown. 第1シンチレータ109と第2シンチレータ110それぞれに対して電子線EBを照射することにより作成した画像の輝度値を示す。The luminance values of images created by irradiating the first scintillator 109 and the second scintillator 110 with the electron beam EB are shown. 透過電子顕微鏡100が加速電圧を印加するときの動作フローを説明するフローチャートである。4 is a flowchart for explaining the operation flow when the transmission electron microscope 100 applies an accelerating voltage; 第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を切り替えることにより得られる画像輝度値の例である。It is an example of an image brightness value obtained by switching the first scintillator 109 and the second scintillator 110. FIG.

<実施の形態1>
本発明の実施形態1では、設定された加速電圧に応じて、シンチレータに塗布される蛍光体の厚さの異なる複数個の可動のシンチレータから1つを選択し、その選択したシンチレータを電子線が照射される位置へ移動させることにより、幅広い加速電圧の範囲において高い発光量を有する観察像を撮影できる透過電子顕微鏡を提供する。
<Embodiment 1>
In Embodiment 1 of the present invention, one of a plurality of movable scintillators having different thicknesses of phosphor coated on the scintillator is selected according to a set acceleration voltage, and the selected scintillator is irradiated with an electron beam. Provided is a transmission electron microscope capable of photographing an observation image having a high amount of light emission in a wide range of accelerating voltage by moving it to an irradiated position.

図1は、本実施形態1に係る透過電子顕微鏡100の構成図である。透過電子顕微鏡100は、以下を備える:電子銃103;観察対象物104を支持する試料ホルダ105;電子線EBを集束して観察対象物104に照射するための照射レンズ106;観察対象物104に焦点を合わせるための対物レンズ107;観察対象物104を透過した電子線を拡大もしくは縮小して結像する結像レンズ108;第1シンチレータ109もしくは第2シンチレータ110に投影された像を検出する検出器113;検出システム114;カソード101とアノード102間に加速電圧Vを印加するための高圧電源制御部115;駆動機構112を駆動するための動力源116;透過電子顕微鏡100が備える各部を制御するコンピュータ117(制御部);コンピュータ117から各部(例えば高圧電源制御部115、動力源116)に対する制御信号を伝達する信号伝達部118;コンピュータ117からの信号を出力する表示部119;コンピュータ117に情報を入力する入力部120。 FIG. 1 is a configuration diagram of a transmission electron microscope 100 according to the first embodiment. The transmission electron microscope 100 includes: an electron gun 103; a specimen holder 105 supporting an observation object 104; objective lens 107 for focusing; imaging lens 108 for magnifying or reducing the electron beam transmitted through observation object 104 to form an image; detection for detecting an image projected on first scintillator 109 or second scintillator 110 detector 113; detection system 114; high-voltage power supply controller 115 for applying acceleration voltage V between cathode 101 and anode 102; power source 116 for driving drive mechanism 112; computer 117 (control unit); signal transmission unit 118 for transmitting control signals from the computer 117 to each unit (for example, high voltage power supply control unit 115, power source 116); display unit 119 for outputting signals from the computer 117; Input unit 120 for inputting .

電子銃103はさらに、電子線EBを放出するカソード101と、電子線EBを加速するための電極であるアノード102を備える。検出システム114は、第1シンチレータ109、第2シンチレータ110、格納器111、駆動機構112を備える。第1シンチレータ109と第2シンチレータ110は、結像された電子線を投影する投影面上に配置されている。第1シンチレータ109と第2シンチレータ110は、水平面(電子線EBの照射方向に対して垂直な平面)上において隣接して配置されている。格納器111は、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を格納する。駆動機構112は、格納器111を水平方向に移動させる。 The electron gun 103 further includes a cathode 101 that emits an electron beam EB and an anode 102 that is an electrode for accelerating the electron beam EB. The detection system 114 comprises a first scintillator 109 , a second scintillator 110 , a container 111 and a drive mechanism 112 . The first scintillator 109 and the second scintillator 110 are arranged on a projection plane for projecting the imaged electron beam. The first scintillator 109 and the second scintillator 110 are arranged adjacent to each other on a horizontal plane (a plane perpendicular to the irradiation direction of the electron beam EB). The storage device 111 stores the first scintillator 109 and the second scintillator 110 . A drive mechanism 112 moves the container 111 horizontally.

図2は、検出システム114の要部の詳細を示す。検出器113は以下を備える:第1シンチレータ109もしくは第2シンチレータ110が発光した光を伝送する伝送部(例えば光学レンズ)201;各シンチレータが発光した光を電気信号に変換し、画像情報として出力する画像出力部202。 FIG. 2 shows details of the essential parts of detection system 114 . The detector 113 includes: a transmission unit (for example, an optical lens) 201 that transmits the light emitted by the first scintillator 109 or the second scintillator 110; the light emitted by each scintillator is converted into an electrical signal and output as image information. image output unit 202.

各シンチレータは、電子線が照射されると発光する蛍光物質で構成されている。蛍光物質としては例えばP47(YSiO:Ce)を用いることができる。第1シンチレータ109と第2シンチレータ110は、塗布される蛍光物質の厚さが互いに異なる。例えば、第1シンチレータ109に塗布される蛍光物質は厚さ24μmであり、第2シンチレータ110に塗布される蛍光物質は厚さ6μmである。Each scintillator is composed of a fluorescent material that emits light when irradiated with an electron beam. For example, P47 (Y 2 SiO 5 :Ce) can be used as the fluorescent material. The first scintillator 109 and the second scintillator 110 differ from each other in the thickness of the coated fluorescent material. For example, the fluorescent material applied to the first scintillator 109 has a thickness of 24 μm, and the fluorescent material applied to the second scintillator 110 has a thickness of 6 μm.

駆動機構112は、検出器113の直上に位置するシンチレータが、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110のうちいずれか一方のみとなるように切り替えることができる。例えば、第1シンチレータ109が検出器113の直上にある場合は、電子線EBが第1シンチレータ109に投影されて第1シンチレータ109が発光し、その発光は伝送部201により伝送され、画像出力部202はその発光を画像情報に変換する。第2シンチレータ110についても同様である。 The driving mechanism 112 can be switched so that only one of the first scintillator 109 and the second scintillator 110 is positioned directly above the detector 113 . For example, when the first scintillator 109 is directly above the detector 113, the electron beam EB is projected onto the first scintillator 109, causing the first scintillator 109 to emit light. 202 converts the emitted light into image information. The same applies to the second scintillator 110 as well.

電子銃103は、試料に対して面状に電子線EBを照射する。ここでいう面状とは、照射点を走査することによって試料表面全体を照射するのではなく、ある程度の面積を有する平面領域内を同時に照射することを意味する。したがって第1シンチレータ109または第2シンチレータ110は、面状に発光することになる。画像出力部202は、その面状に発光しているシンチレータを撮像する撮像素子によって構成することができる。これにより試料の平面画像を得ることができる。 The electron gun 103 planarly irradiates the sample with an electron beam EB. The term "planar" as used herein means that a planar region having a certain area is simultaneously irradiated, instead of irradiating the entire surface of the sample by scanning the irradiation point. Therefore, the first scintillator 109 or the second scintillator 110 emits planar light. The image output unit 202 can be configured by an imaging device that captures an image of the scintillator that emits light on the surface. Thereby, a planar image of the sample can be obtained.

図3は、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110それぞれに対して電子線EBを照射することにより作成した画像の輝度値を示す。縦軸は画像輝度値を示し、横軸は加速電圧(kV)を示す。第1シンチレータ109を用いる場合と、第2シンチレータ110を用いる場合はそれぞれ、画像出力部202の設定条件を同一とした。したがって画像輝度値は、第1シンチレータ109および第2シンチレータ110それぞれによる発光量と同意である。すなわち第1シンチレータ109と第2シンチレータ110は、図3に示すように、加速電圧に対して互いに異なる発光特性を有する。 FIG. 3 shows luminance values of images created by irradiating the first scintillator 109 and the second scintillator 110 with the electron beam EB. The vertical axis indicates the image luminance value, and the horizontal axis indicates the acceleration voltage (kV). The setting conditions of the image output unit 202 were the same when using the first scintillator 109 and when using the second scintillator 110 . Therefore, the image luminance value is the same as the amount of light emitted by the first scintillator 109 and the second scintillator 110, respectively. That is, the first scintillator 109 and the second scintillator 110 have different emission characteristics with respect to the acceleration voltage, as shown in FIG.

図3に示すグラフの加速電圧範囲内においては、第1シンチレータ109の画像輝度値は加速電圧120kVで最大値をとり、加速電圧が低下するほど画像輝度値が低下する。一方で、第2シンチレータ110の画像輝度値は加速電圧40kVで最大値をとり、加速電圧が増加するほど画像輝度値が低下する。つまり、交点Aより高い加速電圧側は、第1シンチレータ109を用いた方が高い画像輝度を得ることができ、交点Aより低い加速電圧側は、第2シンチレータ110を用いた方が高い画像輝度を得ることができる。交点Aにおいてはいずれを用いてもよい。 Within the acceleration voltage range of the graph shown in FIG. 3, the image brightness value of the first scintillator 109 reaches its maximum value at an acceleration voltage of 120 kV, and the image brightness value decreases as the acceleration voltage decreases. On the other hand, the image brightness value of the second scintillator 110 takes the maximum value at an acceleration voltage of 40 kV, and the image brightness value decreases as the acceleration voltage increases. That is, on the acceleration voltage side higher than the intersection point A, higher image brightness can be obtained by using the first scintillator 109, and on the acceleration voltage side lower than the intersection point A, it is possible to obtain higher image brightness by using the second scintillator 110. can be obtained. At intersection point A, either can be used.

図4は、透過電子顕微鏡100が加速電圧を印加するときの動作フローを説明するフローチャートである。本フローチャートは、コンピュータ117が透過電子顕微鏡100の各部を制御することによって実施される。以下図4の各ステップを説明する。 FIG. 4 is a flow chart for explaining the operation flow when the transmission electron microscope 100 applies an accelerating voltage. This flowchart is executed by the computer 117 controlling each part of the transmission electron microscope 100 . Each step in FIG. 4 will be described below.

(図4:ステップS01)
コンピュータ117は、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を切り替えるための閾値Vsおよび格納器111の位置Pを、初期値としてあらかじめ保持する。例えば、位置Pの初期値はP1である。P1は、第1シンチレータ109に対して電子線EBが照射される位置である。これら初期値はコンピュータ117が備える記憶装置内にあらかじめ格納しておいてもよいし、入力部120を介してユーザが指定してもよい。
(Fig. 4: Step S01)
The computer 117 holds in advance the threshold Vs for switching between the first scintillator 109 and the second scintillator 110 and the position P of the storage 111 as initial values. For example, the initial value of position P is P1. P1 is the position at which the electron beam EB is applied to the first scintillator 109 . These initial values may be stored in advance in a storage device included in the computer 117 or may be specified by the user via the input unit 120 .

(図4:ステップS02)
ユーザは入力部120を介して、加速電圧Vを指定する。コンピュータ117は、ユーザが入力した加速電圧Vを、コンピュータ117内の記憶領域へ格納する。
(Fig. 4: Step S02)
The user specifies the acceleration voltage V via the input unit 120 . The computer 117 stores the acceleration voltage V input by the user in a storage area within the computer 117 .

(図4:ステップS03)
コンピュータ117は、閾値Vsと加速電圧Vを比較する。加速電圧Vが閾値Vs以上である場合は、ステップS04へ進む。加速電圧Vが閾値Vs未満であった場合は、ステップS06へ進む。
(Fig. 4: Step S03)
Computer 117 compares threshold Vs and acceleration voltage V. FIG. When the acceleration voltage V is equal to or higher than the threshold Vs, the process proceeds to step S04. If the acceleration voltage V is less than the threshold Vs, the process proceeds to step S06.

(図4:ステップS04~S05)
コンピュータ117は、格納器111の位置PがP1であるか否かを判定する(S04)。P1でなければ、動力源116へ信号を伝送し、格納器111の位置PをP1に変更する(S05)。P1であればステップS08へ進む。
(Fig. 4: Steps S04-S05)
The computer 117 determines whether the position P of the container 111 is P1 (S04). If not P1, a signal is transmitted to the power source 116 to change the position P of the container 111 to P1 (S05). If it is P1, the process proceeds to step S08.

(図4:ステップS06~S07)
コンピュータ117は、格納器111の位置PがP2であるか否かを判定する(S06)。P2でなければ、動力源116へ信号を伝送し、格納器111の位置PをP2に変更する(S07)。P2であればステップS08へ進む。
(Fig. 4: Steps S06-S07)
The computer 117 determines whether the position P of the container 111 is P2 (S06). If not P2, a signal is transmitted to the power source 116 to change the position P of the container 111 to P2 (S07). If it is P2, the process proceeds to step S08.

(図4:ステップS08)
コンピュータ117は、高圧電源制御部115へ加速電圧信号を伝達し、加速電圧Vを印加する。
(Fig. 4: Step S08)
Computer 117 transmits an acceleration voltage signal to high-voltage power supply controller 115 and applies acceleration voltage V to it.

(図4:ステップS02:補足)
加速電圧を印加している状態で加速電圧を変更する場合、コンピュータ117は、ステップS02から本フローチャートを開始する。
(Fig. 4: Step S02: Supplement)
When changing the acceleration voltage while the acceleration voltage is being applied, the computer 117 starts this flowchart from step S02.

図5は、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を切り替えることにより得られる画像輝度値の例である。ここでは図3と同じ発光特性を有する例を示す。交点Aを境界として、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110のうちいずれか一方が電子線EBを受け取るようにすることにより、広い加速電圧帯において、高い画像輝度値を得ることができる。 FIG. 5 shows an example of image luminance values obtained by switching between the first scintillator 109 and the second scintillator 110 . Here, an example having the same light emission characteristics as in FIG. 3 is shown. A high image luminance value can be obtained in a wide acceleration voltage band by making either one of the first scintillator 109 and the second scintillator 110 receive the electron beam EB with the intersection point A as a boundary.

<実施の形態1:まとめ>
本実施形態1に係る透過電子顕微鏡100は、加速電圧に対する発光特性が互いに異なる第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を備え、ユーザが指定した加速電圧においてより高い画像輝度値が得られるシンチレータのみが電子線EBを受け取るように、各シンチレータの位置を調整する。これにより、幅広い加速電圧帯において、シンチレータの発光量を高くすることができ、高い画像輝度を得ることができる。
<Embodiment 1: Summary>
The transmission electron microscope 100 according to the first embodiment includes a first scintillator 109 and a second scintillator 110 having different emission characteristics with respect to acceleration voltage, and only scintillators that can obtain a higher image luminance value at the acceleration voltage specified by the user are included. The position of each scintillator is adjusted so as to receive the electron beam EB. As a result, the light emission amount of the scintillator can be increased in a wide acceleration voltage band, and high image brightness can be obtained.

<実施の形態2>
本発明の実施形態2では、透過電子顕微鏡100が備える各部に関する変形例を説明する。その他構成は実施形態1と同様であるので、以下では実施形態1との差異点について説明する。
<Embodiment 2>
In Embodiment 2 of the present invention, a modified example of each part included in the transmission electron microscope 100 will be described. Since other configurations are the same as those of the first embodiment, differences from the first embodiment will be described below.

実施形態1において、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110は、蛍光物質を塗布する厚さが互いに異なることにより、図3のように互いに異なる発光特性を有することを説明した。蛍光物質の厚さに代えてまたはこれと併用して、蛍光物質の材料を互いに異なるようにしてもよい。すなわち、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110は、少なくとも加速電圧に対する発光特性が互いに異なるように構成されていることが必要であるが、その発光特性を実現する手法は任意である。例えば、第1加速電圧における画像輝度値は第1シンチレータ109のほうが大きく、第2加速電圧における画像輝度値は第2シンチレータ110のほうが大きいのであれば、少なくともその第1加速電圧と第2加速電圧においては、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を切り替える意義があるといえる。 In the first embodiment, it has been described that the first scintillator 109 and the second scintillator 110 have different light emission characteristics as shown in FIG. 3 due to the different coating thicknesses of the fluorescent materials. Alternatively or in combination with the phosphor thickness, the phosphor materials may be different from each other. In other words, the first scintillator 109 and the second scintillator 110 need to be configured so that at least the light emission characteristics with respect to the acceleration voltage are different from each other, but the method of realizing the light emission characteristics is arbitrary. For example, if the first scintillator 109 has a higher image brightness value at the first acceleration voltage and the second scintillator 110 has a higher image brightness value at the second acceleration voltage, then at least the first acceleration voltage and the second acceleration voltage , it can be said that there is significance in switching between the first scintillator 109 and the second scintillator 110 .

図3において、第1シンチレータ109の発光特性は右上がり、第2シンチレータ110の発光特性は右下がりとなっているが、これに限るものではない。例えば両方とも右上がりであっても、傾きが異なるのであれば交点Aが生じるので、この交点Aを境界としていずれのシンチレータを用いるかを切り替えればよい。同様に両方とも右下がりであってもよい。さらには、交点Aが生じない場合であっても、指定した加速電圧において画像輝度値が高いシンチレータを用いるのであれば、実施形態1と同様の効果を発揮できる。さらには、発光特性の交点が複数あってもよい。この場合であっても、指定した加速電圧において画像輝度値が高いシンチレータを用いるのであれば実施形態1と同様の効果を発揮できる。 In FIG. 3, the light emission characteristic of the first scintillator 109 rises to the right, and the light emission characteristic of the second scintillator 110 falls to the right, but the present invention is not limited to this. For example, even if both are upward-sloping to the right, if the inclinations are different, an intersection point A will occur. Similarly, both may be downward sloping. Furthermore, even if the intersection point A does not occur, if a scintillator with a high image luminance value is used at the specified acceleration voltage, the same effect as in the first embodiment can be exhibited. Furthermore, there may be a plurality of intersections of light emission characteristics. Even in this case, if a scintillator with a high image luminance value is used at the specified acceleration voltage, the same effect as in the first embodiment can be exhibited.

実施形態1においては、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110備えることを説明したが、シンチレータの数は3つ以上であってもよい。すなわち加速電圧に対する発光特性が互いに異なるシンチレータであれば、それらを切り替えていずれか1つのシンチレータのみが電子線を受け取るようにすることにより、加速電圧ごとに最も高い画像輝度値を得ることができる。 Although the first scintillator 109 and the second scintillator 110 are provided in the first embodiment, the number of scintillators may be three or more. That is, if the scintillators have mutually different emission characteristics with respect to acceleration voltage, the highest image luminance value can be obtained for each acceleration voltage by switching the scintillators so that only one scintillator receives the electron beam.

実施形態1においては、シンチレータの位置を設定した後、加速電圧を変更することを説明したが、加速電圧を変更した後、シンチレータの位置を変更しても同様の効果を得ることができる。 Although the acceleration voltage is changed after setting the position of the scintillator in the first embodiment, the same effect can be obtained by changing the position of the scintillator after changing the acceleration voltage.

格納器111は、2つのシンチレータを例えば水平方向に並べて搭載することができ、格納器111の形状はシンチレータの数や厚さによって変更してもよい。格納器111は3つ以上のシンチレータを搭載することができてもよい。格納器111内におけるシンチレータの配置としては例えば、各シンチレータを1列に配列することもできるし、各シンチレータを環状に配置することもできる。その他の配列であってもよい。 The container 111 can mount two scintillators, for example, side by side in the horizontal direction, and the shape of the container 111 may be changed according to the number and thickness of the scintillators. Enclosure 111 may be capable of mounting more than two scintillators. As for the arrangement of the scintillators in the storage device 111, for example, the scintillators can be arranged in one line, or the scintillators can be arranged in a ring. Other arrangements may be used.

実施形態1において、第1シンチレータ109と第2シンチレータ110は、水平方向(電子線EBの照射方向に対して垂直な方向)に隣接して配置しているが、各シンチレータは必ずしも水平方向に隣接配置しなくともよい。例えば図2において、電子線EBが当たらない場所に各シンチレータを垂直積層しておき、電子線EBを受け取るシンチレータのみを水平方向に押し出して電子線EBのなかに投入するようにしてもよい。ただし各シンチレータを移動させる方向は、少なくとも電子線EBの照射方向に対して平行ではないことが必要である。電子線EBの照射方向に対して平行に各シンチレータを移動させると、電子線EBが複数のシンチレータに対して同時に照射される可能性があるからである。 In Embodiment 1, the first scintillator 109 and the second scintillator 110 are arranged adjacent to each other in the horizontal direction (direction perpendicular to the irradiation direction of the electron beam EB). It does not have to be placed. For example, in FIG. 2, each scintillator may be vertically stacked in a place where the electron beam EB does not hit, and only the scintillator that receives the electron beam EB may be pushed out horizontally and thrown into the electron beam EB. However, the direction in which each scintillator is moved must be at least parallel to the irradiation direction of the electron beam EB. This is because, if each scintillator is moved parallel to the irradiation direction of the electron beam EB, the electron beam EB may simultaneously irradiate a plurality of scintillators.

第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を水平方向に隣接配置した場合、駆動機構112は第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を併せて押し引きすればよいので、駆動機構112の構造が簡易で済む利点がある。第1シンチレータ109と第2シンチレータ110を垂直積層(あるいは少なくとも垂直方向において一部が重なっている配置)した場合、発光部材の平面サイズを抑制できる一方で、駆動機構112はより複雑な構造と動作が必要になる。 When the first scintillator 109 and the second scintillator 110 are arranged adjacent to each other in the horizontal direction, the drive mechanism 112 only needs to push and pull the first scintillator 109 and the second scintillator 110 together, so the structure of the drive mechanism 112 can be simple. There are advantages. When the first scintillator 109 and the second scintillator 110 are vertically stacked (or at least partially overlapped in the vertical direction), the plane size of the light emitting member can be suppressed, but the drive mechanism 112 has a more complicated structure and operation. is required.

実施形態1において、電子銃103が、試料に対して面状に電子線EBを照射している例を示したが、試料面上で点状になるように電子線EBを収束させ、点状の照射点を走査させる電子光学系を備える構成として、照射点を走査することによって試料表面全体を照射してもよい。この場合、第1シンチレータ109または第2シンチレータ110には、試料からの電子線の回折パターンが表れる。したがって、走査される照射点の位置と、第1シンチレータ109または第2シンチレータ110における発光の画像出力部202による画像情報への変換結果とを同期させることにより、試料の平面画像を得ることができる。これにより、透過電子顕微鏡100を走査型透過電子顕微鏡(STEM)として動作させる場合にも、実施形態1と同様に、幅広い加速電圧帯において、シンチレータの発光量を高くすることができ、高い画像輝度を得ることができる。さらに、画像出力部202からの出力画像の任意の一部から像を形成することにより、幅広い加速電圧帯においてシンチレータの発光量を高くした状態で、任意の散乱波の成分によるSTEM像を形成することができる。 In the first embodiment, the electron gun 103 irradiates the sample with the electron beam EB in a plane. As a configuration having an electron optical system for scanning the irradiation point, the entire surface of the sample may be irradiated by scanning the irradiation point. In this case, the diffraction pattern of the electron beam from the sample appears on the first scintillator 109 or the second scintillator 110 . Therefore, a planar image of the sample can be obtained by synchronizing the position of the irradiated point to be scanned with the conversion result of the light emitted from the first scintillator 109 or the second scintillator 110 into image information by the image output unit 202. . As a result, even when the transmission electron microscope 100 is operated as a scanning transmission electron microscope (STEM), the light emission amount of the scintillator can be increased in a wide acceleration voltage range as in the first embodiment, resulting in high image brightness. can be obtained. Furthermore, by forming an image from an arbitrary portion of the output image from the image output unit 202, an STEM image is formed from an arbitrary scattered wave component in a state in which the light emission amount of the scintillator is increased in a wide acceleration voltage range. be able to.

100:透過電子顕微鏡
109:第1シンチレータ
110:第2シンチレータ
111:格納器
112:駆動機構
113:検出器
114:検出システム
115:高圧電源制御部
116:動力源
117:コンピュータ
118:信号伝達部
201:伝送部
202:画像出力部
100: Transmission electron microscope 109: First scintillator 110: Second scintillator 111: Container 112: Driving mechanism 113: Detector 114: Detection system 115: High voltage power supply control unit 116: Power source 117: Computer 118: Signal transmission unit 201 : Transmission unit 202: Image output unit

Claims (13)

試料を透過した電子線を用いて前記試料の画像を取得する透過電子顕微鏡であって、
前記電子線を出射する電子銃、
前記試料を透過した前記電子線を光に変換する発光部材、
前記発光部材の位置を調整する駆動機構、
を備え、
前記発光部材は、第1発光特性を有する第1シンチレータ、前記第1発光特性とは異なる第2発光特性を有する第2シンチレータ、を有し、
前記第1シンチレータと前記第2シンチレータはともに、前記駆動機構によって移動させることができるように構成されており、
前記駆動機構は、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータのうちいずれか一方のみが、前記試料を透過した前記電子線を受け取るように、前記第1シンチレータの位置と前記第2シンチレータの位置を調整する
ことを特徴とする透過電子顕微鏡。
A transmission electron microscope that acquires an image of the sample using an electron beam that has passed through the sample,
an electron gun that emits the electron beam;
a light-emitting member that converts the electron beam that has passed through the sample into light;
a driving mechanism for adjusting the position of the light emitting member;
with
The light emitting member has a first scintillator having a first light emission characteristic and a second scintillator having a second light emission characteristic different from the first light emission characteristic,
Both the first scintillator and the second scintillator are configured to be movable by the drive mechanism,
The drive mechanism adjusts the positions of the first scintillator and the second scintillator so that only one of the first scintillator and the second scintillator receives the electron beam that has passed through the sample. A transmission electron microscope characterized by:
前記駆動機構は、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータを、前記電子線の照射方向に対して平行ではない方向に移動させることにより、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータのうちいずれか一方のみが、前記試料を透過した前記電子線を受け取るようにする
ことを特徴とする請求項1記載の透過電子顕微鏡。
The driving mechanism moves only one of the first scintillator and the second scintillator by moving the first scintillator and the second scintillator in a direction not parallel to the electron beam irradiation direction. 2. The transmission electron microscope according to claim 1, wherein is adapted to receive the electron beam that has passed through the sample.
前記第1シンチレータと前記第2シンチレータは、前記照射方向に対して垂直な方向に隣接して配置されており、
前記駆動機構は、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータを、前記照射方向に対して垂直な方向に移動させることにより、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータのうちいずれか一方のみが、前記試料を透過した前記電子線を受け取るようにする
ことを特徴とする請求項2記載の透過電子顕微鏡。
The first scintillator and the second scintillator are arranged adjacent to each other in a direction perpendicular to the irradiation direction,
The drive mechanism moves the first scintillator and the second scintillator in a direction perpendicular to the direction of irradiation, so that only one of the first scintillator and the second scintillator moves toward the sample. 3. The transmission electron microscope according to claim 2, wherein the electron beam transmitted through the is received.
前記透過電子顕微鏡はさらに、前記電子線に対して加速電圧を印加する電極を備え、
前記第1発光特性は、前記加速電圧が第1電圧値であるとき、第1発光量で発光する特性であり、
前記第2発光特性は、前記加速電圧が前記第1電圧値であるとき、前記第1発光量とは異なる第2発光量で発光する特性であり、
前記駆動機構は、前記加速電圧の設定値にしたがって、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータのうちいずれが前記電子線を受け取るかを切り替える
ことを特徴とする請求項1記載の透過電子顕微鏡。
The transmission electron microscope further comprises an electrode that applies an accelerating voltage to the electron beam,
The first light emission characteristic is a characteristic of emitting light with a first light emission amount when the acceleration voltage is a first voltage value,
The second light emission characteristic is a characteristic of emitting light with a second light emission amount different from the first light emission amount when the acceleration voltage is the first voltage value,
2. The transmission electron microscope according to claim 1, wherein said driving mechanism switches between said first scintillator and said second scintillator to receive said electron beam according to the set value of said accelerating voltage.
前記第2発光量は、前記第1発光量よりも小さい値であり、
前記駆動機構は、前記加速電圧が前記第1電圧値であるときは、前記第1シンチレータのみが前記電子線を受け取るように、前記第1シンチレータの位置と前記第2シンチレータの位置を調整する
ことを特徴とする請求項4記載の透過電子顕微鏡。
The second light emission amount is a value smaller than the first light emission amount,
The drive mechanism adjusts the position of the first scintillator and the position of the second scintillator so that only the first scintillator receives the electron beam when the acceleration voltage is the first voltage value. 5. The transmission electron microscope according to claim 4, characterized by:
前記第1発光特性は、前記加速電圧が前記第1電圧値よりも小さい第2電圧値であるとき、前記第1発光量よりも小さい第3発光量で発光する特性であり、
前記第2発光特性は、前記加速電圧が前記第2電圧値であるとき、前記第2発光量よりも大きい第4発光量で発光する特性であり、
前記駆動機構は、前記加速電圧の設定値にしたがって、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータのうちいずれが前記電子線を受け取るかを切り替える
ことを特徴とする請求項4記載の透過電子顕微鏡。
The first light emission characteristic is a characteristic of emitting light with a third light emission amount smaller than the first light emission amount when the acceleration voltage is a second voltage value smaller than the first voltage value,
The second light emission characteristic is a characteristic of emitting light with a fourth light emission amount larger than the second light emission amount when the acceleration voltage is the second voltage value,
5. The transmission electron microscope according to claim 4, wherein the drive mechanism switches between the first scintillator and the second scintillator to receive the electron beam according to the set value of the acceleration voltage.
前記第4発光量は、前記第3発光量よりも大きい値であり、
前記駆動機構は、前記加速電圧が前記第2電圧値であるときは、前記第2シンチレータのみが前記電子線を受け取るように、前記第1シンチレータの位置と前記第2シンチレータの位置を調整する
ことを特徴とする請求項6記載の透過電子顕微鏡。
The fourth light emission amount is a value larger than the third light emission amount,
The drive mechanism adjusts the position of the first scintillator and the position of the second scintillator so that only the second scintillator receives the electron beam when the acceleration voltage is the second voltage value. 7. The transmission electron microscope according to claim 6, characterized by:
前記第2発光量は、前記第1発光量よりも小さい値であり、
前記第1発光特性と前記第2発光特性は、前記加速電圧が前記第1電圧値よりも小さく前記第2電圧値よりも大きい第3電圧値であるとき、同じ発光量となる特性であり、
前記駆動機構は、前記加速電圧が前記第3電圧値よりも大きいときは、前記第1シンチレータのみが前記電子線を受け取るように、前記第1シンチレータの位置と前記第2シンチレータの位置を調整し、
前記駆動機構は、前記加速電圧が前記第3電圧値よりも小さいときは、前記第2シンチレータのみが前記電子線を受け取るように、前記第1シンチレータの位置と前記第2シンチレータの位置を調整する
ことを特徴とする請求項6記載の透過電子顕微鏡。
The second light emission amount is a value smaller than the first light emission amount,
The first light emission characteristic and the second light emission characteristic are characteristics that give the same amount of light emission when the acceleration voltage is a third voltage value that is lower than the first voltage value and higher than the second voltage value,
The drive mechanism adjusts the positions of the first scintillator and the second scintillator so that only the first scintillator receives the electron beam when the acceleration voltage is higher than the third voltage value. ,
The drive mechanism adjusts the positions of the first scintillator and the second scintillator so that only the second scintillator receives the electron beam when the acceleration voltage is smaller than the third voltage value. 7. A transmission electron microscope according to claim 6, characterized in that:
前記発光部材はさらに、前記第1発光特性とも前記第2発光特性とも異なる第3発光特性を有する第3シンチレータを有し、
前記駆動機構は、前記第1シンチレータと前記第2シンチレータと前記第3シンチレータのうちいずれか1つのみが、前記試料を透過した前記電子線を受け取るように、前記第1シンチレータの位置と前記第2シンチレータの位置と前記第3シンチレータの位置を調整する
ことを特徴とする請求項1記載の透過電子顕微鏡。
The light emitting member further has a third scintillator having a third light emission characteristic different from the first light emission characteristic and the second light emission characteristic,
The drive mechanism positions the first scintillator and the third scintillator so that only one of the first scintillator, the second scintillator, and the third scintillator receives the electron beam that has passed through the sample. 2. The transmission electron microscope according to claim 1, wherein the positions of the second scintillator and the position of the third scintillator are adjusted.
前記第1シンチレータは、第1厚さの蛍光体が塗布されていることにより、前記第1発光特性を有するように構成されており、
前記第2シンチレータは、前記第1厚さとは異なる第2厚さの蛍光体が塗布されていることにより、前記第2発光特性を有するように構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の透過電子顕微鏡。
The first scintillator is configured to have the first light emission characteristic by being coated with a phosphor having a first thickness,
2. The second scintillator according to claim 1, wherein the second scintillator is coated with a phosphor having a second thickness different from the first thickness, so that the second scintillator has the second light emission characteristic. transmission electron microscope.
前記第1シンチレータは、第1材料の蛍光体が塗布されていることにより、前記第1発光特性を有するように構成されており、
前記第2シンチレータは、前記第1材料とは異なる第2材料の蛍光体が塗布されていることにより、前記第2発光特性を有するように構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の透過電子顕微鏡。
The first scintillator is configured to have the first light emission characteristic by being coated with a phosphor of a first material,
2. The second scintillator according to claim 1, wherein the second scintillator is coated with a phosphor made of a second material different from the first material, so that the second scintillator has the second light emission characteristic. Transmission electron microscope.
前記電子銃は、前記試料に対して面状に前記電子線を照射し、
前記透過電子顕微鏡はさらに、前記面状の電子線を受け取った前記発光部材を撮像する撮像素子を備える
ことを特徴とする請求項1記載の透過電子顕微鏡。
The electron gun planarly irradiates the electron beam onto the sample,
2. The transmission electron microscope according to claim 1, further comprising an imaging device for imaging the light-emitting member that has received the planar electron beam.
前記電子銃は、前記試料に対して点状に前記電子線を照射し、
前記透過電子顕微鏡はさらに、
前記試料の表面上において前記電子線の照射点を走査させる電子光学系、
前記点状の電子線を受け取った前記発光部材を撮像する撮像素子、
を備える
ことを特徴とする請求項1記載の透過電子顕微鏡。
The electron gun irradiates the sample with the electron beam in a point-like manner,
The transmission electron microscope further includes:
an electron optical system for scanning the irradiation point of the electron beam on the surface of the sample;
an imaging device for imaging the light-emitting member that has received the dot-like electron beam;
The transmission electron microscope of claim 1, comprising:
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62186451A (en) * 1986-02-12 1987-08-14 Hitachi Ltd Scanning electron microscope

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170271124A1 (en) 2016-03-16 2017-09-21 Ngr Inc. Secondary particle detection system of scanning electron microscope
WO2020008526A1 (en) 2018-07-03 2020-01-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ Charged particle beam detector, electron microscope, electron energy loss spectroscope, and imaging device

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