JP7330138B2 - イオン検出器 - Google Patents

Description

本発明は、イオン検出器に関する。本発明に係るイオン検出器は、例えば、質量分析において用いられ得る。

特許文献１には、質量分析計が開示されている。この質量分析計は、イオンビームに起因して二次電子を発生させる一対のミクロチャンネルプレートと、ミクロチャンネルプレートで発生した二次電子の一部を検出する第一アノードと、第一アノードの後段に配置され、ミクロチャンネルプレートで発生して第一アノードのパーフォレーションを通過した二次電子を検出する第二アノードと、を備えている。

特許文献２には、従来のイオン検出器が開示されている。この従来のイオン検出器は、重なり合った２つのマイクロチャネルプレートと、マイクロチャネルプレートから出射された二次電子の大部分を検出する第１集電アノードと、マイクロチャネルプレートから出射された二次電子の残部を検出する第２集電アノードと、を備えている。

特許第４８６９５２６号 特許第４８４８３６３号 特開２０１７－１６９１８号公報

特許文献１に記載された質量分析計では、第一アノードの全横断面積に対するパーフォレーションの横断面積の比を、入射する二次電子ビームに対し特定の程度のアテニュエーションを与えるように選択することにより、ダイナミックレンジの増大を図っている。また、特許文献２に記載されたイオン検出器では、２つの異なるサイズの第１集電アノード及び第２集電アノードを用いることにより、ダイナミックレンジの拡大を図っている。このように、上記技術分野にあっては、ダイナミックレンジの拡大が望まれている。

一方、特許文献３には、荷電粒子の入射に応じて二次電子を出射するマイクロチャネルプレートと、マイクロチャネルプレートから出射された二次電子を集束するためのフォーカス電極と、集束された二次電子の入射を受けて、二次電子を増倍して検出する電子衝撃型ダイオードと、を備える荷電粒子検出器が記載されている。このような構成の荷電粒子検出器についても、上記のようにダイナミックレンジを拡大することが望ましい。

そこで、本発明は、ダイナミックレンジを拡大可能なイオン検出器を提供することを目的とする。

本発明に係るイオン検出器は、イオンの入射を受けて二次電子を発生させ、発生した二次電子を増倍しつつ出力するためのマイクロチャネルプレートと、マイクロチャネルプレートの有効領域よりも狭い有効領域を有しており、マイクロチャネルプレートから出力された二次電子の入射を受け、入射した二次電子を増倍しつつ検出するための複数の電子衝撃型ダイオードと、マイクロチャネルプレートと電子衝撃型ダイオードとの間に配置され、電子衝撃型ダイオードに向けて二次電子を集束するためのフォーカス電極と、複数の電子衝撃型ダイオードのそれぞれに駆動電圧を印加する電圧供給部と、を備え、電圧供給部は、複数の電子衝撃型ダイオードのうちの少なくとも２つの電子衝撃型ダイオードのそれぞれに対して、互い異なる値の駆動電圧を印加することにより、互いのゲインを異ならせる。

このイオン検出器は、マイクロチャネルプレート、フォーカス電極、及び、電子衝撃型ダイオードを含む構成である。上述したように、このような構成のイオン検出器にあっても、ダイナミックレンジの拡大が望まれている。そこで、このイオン検出器では、複数の電子衝撃型ダイオードに駆動電圧を付与する電圧供給部が、少なくとも２つの電子衝撃型ダイオードのそれぞれに対して、互い異なる値の駆動電圧を印加することにより、互いのゲインを異ならせる。これにより、例えば、入射イオン数が少ない場合には、相対的にゲインの高い電子衝撃型ダイオードによる検出を採用すると共に、入射イオン数が多い場合には、相対的にゲインの低い電子衝撃型ダイオードによる検出を採用することによって、入射イオン数の広い範囲において好適な検出結果を得ることが可能となる。すなわち、このイオン検出器によれば、ダイナミックレンジを拡大可能である。

本発明に係るイオン検出器では、複数の電子衝撃型ダイオードのそれぞれの有効領域は、フォーカス電極による二次電子の集束範囲に含まれてもよい。この場合、複数の電子衝撃型ダイオードの有効領域に一様に二次電子を入射させることが可能となる。

本発明に係るイオン検出器では、電子衝撃型ダイオードは、電子衝撃型ダイオードにおける二次電子の入射方向からみて、有効領域と、有効領域の周囲に位置する非有効領域と、を含み、入射方向からみたとき、有効領域は非有効領域の中心に対して少なくとも一方向に偏在しており、少なくとも２つの電子衝撃型ダイオードは、有効領域の偏在する側が隣り合うように配置されていてもよい。この場合、電子衝撃型ダイオードの有効領域をより近接して配置することにより、デッドスペースを削減できる。

本発明に係るイオン検出器は、フォーカス電極と電子衝撃型ダイオードとの間に配置され、少なくとも１つの電子衝撃型ダイオードに入射する二次電子の一部を遮蔽するマスクを備えてもよい。このように、入射イオンのゲインの制御に際して、マスクを用いてもよい。

本発明に係るイオン検出器では、マスクは、電子衝撃型ダイオードの電子入射面に形成されていてもよいし、電子衝撃型ダイオードの電子入射面から離間して配置されていてもよい。

本発明に係るイオン検出器は、フォーカス電極と電子衝撃型ダイオードのとの間に配置され、電子衝撃型ダイオードの二次電子の入射方向からみて、複数の電子衝撃型ダイオードの有効領域よりも広い開口が形成されたカバーを備え、マスクは、開口に設けられていてもよい。この場合、カバーに対してチャージアップ防止の機能を持たせつつ、マスクを構成できる。

本発明に係るイオン検出器では、電圧供給部は、少なくとも２つの電子衝撃型ダイオードに対して、相対的に高いゲインの電子衝撃型ダイオードの検出範囲と、相対的に低いゲインの電子衝撃型ダイオードの検出範囲とが、互いに重複する重複範囲を有するように、駆動電圧を印加してもよい。この場合、重複範囲を利用して、当該２つの電子衝撃型ダイオードのキャリブレーションを行うことが可能となる。

本発明によれば、ダイナミックレンジを拡大可能なイオン検出器を提供できる。

図１は、一実施形態に係るイオン検出器を示す図である。 図２は、図１に示されたイオン検出器を部分的に拡大して示す図である。 図３は、図１，２に示されたイオン検出器の一例を示す模式的な回路図である。 図４は、図１～３に示されたイオン検出器の作用・効果を説明するためのグラフである。 図５は、変形例に係るイオン検出器の模式的な回路図である。 図６は、別の変形例に係るイオン検出器の模式的な回路図である。 図７は、電子衝撃型ダイオードの変形例に係る平面図である。

以下、一実施形態に係るイオン検出器について説明する。各図の説明において、同一又は相当する要素には、互いに同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。

図１は、一実施形態に係るイオン検出器を示す図である。図１の（ａ）は、全体の断面図であり、図１の（ｂ）は図１の（ａ）に示された電子衝撃型ダイオードの平面図である。図１に示されるように、イオン検出器１は、第１ユニット１００と第２ユニット２００とを備えている。第１ユニット１００は、マイクロチャネルプレート（ＭＣＰ１１０）と、電子レンズ１２０と、メッシュ電極１３０と、を有する。イオン検出器１は、例えば、質量分析において用いられ得る。

ＭＣＰ１１０は、入力面１１０ａと、入力面１１０ａの反対側の出力面１１０ｂと、を有する円形板状を呈している。ＭＣＰ１１０は、入力側電極１１１と出力側電極１１２とで把持されている。ＭＣＰ１１０は、一例として、鉛ガラスを主成分とする薄型円盤状の構造体である本体を含み、本体には、円環状の外周部を除いて厚さ方向（入力面１１０ａから出力面１１０ｂに向かう方向）に沿って延びた複数の貫通孔であるチャネルが形成されている。また、入力面１１０ａの外周部、及び、出力面１１０ｂの外周部には、電極が形成されている。

ＭＣＰ１１０は、入力面１１０ａからイオンの入射を受けて二次電子を発生させ、発生した二次電子を増倍しつつ出力面１１０ｂから出力するためのものである。ＭＣＰ１１０におけるゲインは、ＭＣＰ１１０の厚さに対応するチャネル長さとチャネル径との比と、材料固有の二次電子放出係数によって決定されるものであり、例えば１～１０^４程度（例えば２００）である。

入力側電極１１１及び出力側電極１１２には、開口Ａ１が形成されている。開口Ａ１は、入力面１１０ａ及び出力面１１０ｂに直交すると共にＭＣＰ１１０の中心をとおる基準軸Ａｘを中心とする円形に形成されている。開口Ａ１は、ＭＣＰ１１０の有効領域１１０Ｐを規定する。すなわち、基準軸Ａｘに沿った方向からみて、ＭＣＰ１１０における開口Ａ１から露出した領域がＭＣＰ１１０の有効領域１１０Ｐとして規定される。

電子レンズ１２０は、ＭＣＰ１１０における出力面１１０ｂ側に配置されている。電子レンズ１２０は、それぞれが基準軸Ａｘを取り囲むように配置された一対のフォーカス電極１２１，１２２を含む。フォーカス電極１２１，１２２は、基準軸Ａｘを中心とする円筒状に形成されている。フォーカス電極１２１は、絶縁スペーサを介してメッシュ電極１３０に固定され、フォーカス電極１２２は、絶縁スペーサを介してフォーカス電極１２１に固定されている。すなわち、メッシュ電極１３０は、ＭＣＰ１１０と電子レンズ１２０（フォーカス電極１２１）との間に配置されている。

メッシュ電極１３０は、グランド電位に設定されており、ＭＣＰ１１０の出力面１１０ｂ付近に存在する電子を電子レンズ１２０側へ引き出すように機能する。フォーカス電極１２１，１２２は、ＭＣＰ１１０と後述する電子衝撃型ダイオードとの間に配置され、ＭＣＰ１１０から出力された二次電子を電子衝撃型ダイオードに向けて集束するためのものである。

図２は、図１に示されたイオン検出器を部分的に拡大して示す図である。図２の（ａ）は、図１の（ａ）の領域ＡＲの拡大図であり、図２の（ｂ）は領域ＡＲの部分的な側面図である。図１，２に示されるように、第２ユニット２００は、フォーカス電極１２２におけるＭＣＰ１１０と反対側に設けられている。第２ユニット２００は、カバー２１０と、複数（ここでは２つ）の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂと、を有する。

電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂは、シングルチャネルの素子である。電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂは、それぞれ、ＭＣＰ１１０から出力され、フォーカス電極１２１，１２２によって集束された二次電子の入射を受け、入射した二次電子を増倍しつつ検出するためのものである。電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂは、例えばアバランシェダイオードである。この場合、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのゲインは、例えば、電子衝突ゲインにおいて１００～８００（例えば４００）、アバランシェゲインにおいて１～１０^２（例えば５０）である。これにより、イオン検出器１のトータルゲインは、例えば１０^６程度（一例として２×１０^６）である。

電子衝撃型ダイオード２２０Ａは、基板２０３Ａに搭載されている。基板２０３Ａは、絶縁スペーサ２０１を介してフォーカス電極１２２に取り付けられ、イオン検出器１の底部を構成するベース２０２に固定されている。電子衝撃型ダイオード２２０Ｂは、同様にベース２０２に固定された基板２０３Ｂに搭載されている。

電子衝撃型ダイオード２２０Ａは、ＭＣＰ１１０及びフォーカス電極１２１，１２２側に臨み、二次電子の入射を受ける電子入射面２００Ａを含む。電子衝撃型ダイオード２２０Ａは、二次電子の入射方向（基準軸Ａｘに沿った方向）からみて、電子入射面２００Ａの中心に位置し、電子を検出する有効領域２２１Ａと、有効領域２２１Ａの周囲に位置し、例えばマスクによって覆われて電子を検出しない非有効領域２２２Ａと、を含む。

電子衝撃型ダイオード２２０Ｂは、ＭＣＰ１１０及びフォーカス電極１２１，１２２側に臨み、二次電子の入射を受ける電子入射面２００Ｂを含む。電子衝撃型ダイオード２２０Ｂは、二次電子の入射方向（基準軸Ａｘに沿った方向）からみて、電子入射面２００Ｂの中心に位置し、電子を検出する有効領域２２１Ｂと、有効領域２２１Ｂの周囲に位置し、例えばマスクに覆われて電子を検出しない非有効領域２２２Ｂと、を含む。電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂは、ＭＣＰ１１０の有効領域１１０Ｐよりも狭い。電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのそれぞれの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂは、電子入射面２００Ａ，２００Ｂにおけるフォーカス電極１２１，１２２による二次電子の集束範囲に含まれている。

電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂは、ここでは、基準軸Ａｘを中心として対称的に配置されている。より具体的には、一対の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂは、互いの電子入射面２００Ａ，２００Ｂによって（或いは電子入射面２００Ａ，２００Ｂを延長した平面によって）ＭＣＰ１１０と反対側に凸となる角部が形成されるように配置され、基板２０３Ａ，２０３Ｂを介してベース２０２に支持されている。ここでは、電子入射面２００Ａ，２００Ｂによって形成される角部は、基準軸Ａｘを頂点とする。なお、ここでは、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂを搭載する基板２０３Ａ，２０３Ｂ自体が、ＭＣＰ１１０と反対側に凸となる角部を形成するように傾斜している。

これにより、例えば、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂを電子入射面２００Ａ，２００Ｂが同一平面上に位置するように配置した場合と比較して、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂの間の距離ＤＡが短縮される。すなわち、有効領域２２１Ａ，２２１Ｂが近接配置される。

一方、電子衝撃型ダイオード２２０Ａには、二次電子の検出信号を出力するための出力端子２２３Ａ（出力ポート（同軸コネクタ））が設けられている。出力端子２２３Ａは、基板２０３Ａにおける電子衝撃型ダイオード２２０Ａが設けられた面と反対側の面から突出して延在している。また、電子衝撃型ダイオード２２０Ｂには、同様の目的の出力端子２２３Ｂ（出力ポート（同軸コネクタ））が設けられている。出力端子２２３Ｂは、基板２０３Ｂにおける電子衝撃型ダイオード２２０Ｂが設けられた面と反対側の面から突出して延在している。

そして、出力端子２２３Ａ，２２３Ｂ（出力端子２２３Ａ，２２３Ｂの延在方向の延長線）は、電子入射面２００Ａ，２００Ｂ、及び、ＭＣＰ１１０側に凸となる角部を形成するように配置されている。ここでは、電子入射面２００Ａ，２００Ｂによって形成される角部と、出力端子２２３Ａ，２２３Ｂによって形成される角部とは、互いに逆方向に凸となっている。

カバー２１０は、フォーカス電極１２２と電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂとの間に配置されており、例えば絶縁スペーサ２０１等を介してフォーカス電極１２２とベース２０２とに挟持されている。カバー２１０には、基準軸Ａｘを中心とする開口Ａ２が形成されている。電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂにおける二次電子の入射方向からみて、開口Ａ２は、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂよりも広い。特に、開口Ａ２は、有効領域２２１Ａ，２２１Ｂが並ぶ方向を長手方向とする長穴である。これにより、有効領域２２１Ａ，２２１Ｂは、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂにおける二次電子の入射方向からみて、開口Ａ２から露出される。なお、開口Ａ２は、開口Ａ１よりも狭い。カバー２１０は、例えば、ステンレス鋼から構成される。

引き続いて、イオン検出器１の電気的な接続関係について説明する。図３は、図１，２に示されたイオン検出器の一例を示す模式的な回路図である。図３に示されるように、イオン検出器１は、主要部と電圧供給回路とを備える。主要部は、上述した第１ユニット１００及び第２ユニット２００から構成される。第１ユニット１００において、ＭＣＰ１１０の入力面１１０ａと出力面１１０ｂとの間の抵抗値は、例えば１０ＭΩとされる。メッシュ電極１３０は、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２との間に接続されており、抵抗Ｒ２を介してグランド電位ＧＮＤに接続されている。フォーカス電極１２１は、ＭＣＰ１１０の出力面１１０ｂと同電位に設定される。フォーカス電極１２２は、抵抗Ｒ３を介してマイナス電位に接続される。

第２ユニット２００において、電子衝撃型ダイオード２２０Ａは、抵抗Ｒ４を介してマイナス電位に接続された一方の端子と、容量Ｃ１を介してグランド電位ＧＮＤに接続された他方の端子と、を備える。電子衝撃型ダイオード２２０Ａの検出信号は、出力端子２２３Ａに接続された信号線５００Ａから取り出される。電子衝撃型ダイオード２２０Ｂは、抵抗Ｒ５を介してマイナス電位に接続される一方の端子と、容量Ｃ２を介してグランド電位ＧＮＤに接続される他方の端子と、を備える。電子衝撃型ダイオード２２０Ｂの検出信号は、出力端子２２３Ｂに接続された信号線５００Ｂから取り出される。

電圧供給回路は、電源部３００及び電源部（電圧供給部）４００を含む。電源部３００は、端子Ｔ１を介してＭＣＰ１１０の入力面１１０ａの電位を設定するための電源Ｖ１と、ＭＣＰ１１０の出力面１１０ｂに接続された端子Ｔ２と端子Ｔ１との間に所定の電位差を確保するための電源Ｖ２と、を含む。電源Ｖ１は、グランド電位ＧＮＤと端子Ｔ１との間に配置され、端子Ｔ１の電位を例えば－７ｋＶに設定するための起電力を生じさせる。電源Ｖ２は、入力面１１０ａと出力面１１０ｂとの電位差として、例えば０～３．５ｋＶ程度の電位差を確保するように起電力を生じさせる。

電源部４００は、端子Ｔ３及び抵抗Ｒ４を介して電子衝撃型ダイオード２２０Ａの一方の端子に接続される電源Ｖ３と、端子Ｔ４及び抵抗Ｒ５を介して電子衝撃型ダイオード２２０Ｂの一方の端子に接続される電源Ｖ４と、を含む。電源Ｖ３は、グランド電位ＧＮＤと端子Ｔ３との間に配置され、端子Ｔ３の電位を例えば３５０Ｖに設定するための起電力を生じさせる。電源Ｖ４は、グランド電位ＧＮＤと端子Ｔ４との間に配置され、端子Ｔ４の電位を、端子Ｔ３の電位と異なる電位であって、例えば２５０Ｖに設定するための起電力を生じさせる。

つまり、電源部４００は、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのそれぞれに駆動電圧を印加するためのものであり、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのそれぞれに対して、互い異なる値の駆動電圧を印加することにより、互いのゲインを異ならせる。電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのゲインの差は、例えば１０倍程度である。このように、イオン検出器１では、ＭＣＰ１１０から出射された二次電子が、フォーカス電極１２１，１２２で集束されつつ、ゲインの異なる複数（ここでは２つ）の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂに入力されることとなる。

引き続いて、イオン検出器１の作用・効果について説明する。図４は、図１～３に示されたイオン検出器の作用・効果を説明するためのグラフである。図４の（ａ）は、１つの電子衝撃型ダイオードを用いた場合（或いは、複数の電子衝撃型ダイオードを同一のゲインで用いた場合）の例である。この場合には、ゲインが相対的に高い場合（ラインＬ１）では、イオン検出器に多量のイオンが入射すると（入射イオン数が大きくなると）、検出器の飽和又はディジタイザでのオーバーレンジが生じる。一方、この場合には、ゲインが相対的に低い場合（ラインＬ２）、シングルイオンの検出が困難となる。したがって、ゲインを変更しながら複数回の測定が必要となる。

これに対して、図４の（ｂ）に示されるように、本実施形態に係るイオン検出器１では、入射イオン数が小さい場合には、相対的に高いゲインの電子衝撃型ダイオードの検出信号（ラインＬ３）を利用してシングルイオンを好適に検出可能であると共に、入射イオン数が大きい場合には、相対的にゲインが低く、飽和する入射イオン数の上限が大きい電子衝撃型ダイオードの検出信号（ラインＬ４）を利用して、検出器の飽和の影響を低減できる。つまり、イオン検出器１によれば、ダイナミックレンジの拡大が図られる。

なお、イオン検出器１では、電源部４００が、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂに対して、相対的に高いゲインの電子衝撃型ダイオードの検出範囲（ここでは入射イオン数１～１０００程度の範囲）と、相対的に低いゲインの電子衝撃型ダイオードの検出範囲（ここでは入射イオン数１０～１００００程度の範囲）とが、互いに部分的に重複する重複範囲Ｓを有するように、駆動電圧を印加する。

重複範囲Ｓは、相対的に低いゲインの電子衝撃型ダイオードの検出可能な入射イオン数の下限（ここでは１０程度）と、相対的に高いゲインの電子衝撃型ダイオードの検出可能な入射イオン数の上限（ここでは１０００程度）との間の範囲である。このような重複範囲Ｓを設けることにより、当該重複範囲Ｓを利用して、互いにゲインの異なる電子衝撃型ダイオードのキャリブレーションを行うことが可能となる。

以上説明したように、イオン検出器１は、ＭＣＰ１１０、フォーカス電極１２１，１２２、及び、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂを含む構成である。このような構成のイオン検出器１にあっても、ダイナミックレンジの拡大が望まれている。そこで、このイオン検出器１では、電源部４００が、２つの電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのそれぞれに対して、互い異なる値の駆動電圧を印加することにより、互いのゲインを異ならせる。これにより、例えば、入射イオン数が少ない場合には、相対的にゲインの高い電子衝撃型ダイオードによる検出を採用すると共に、入射イオン数が多い場合には、相対的にゲインの低い電子衝撃型ダイオードによる検出を採用することによって、入射イオン数の広い範囲において好適な検出結果を得ることが可能となる。すなわち、このイオン検出器１によれば、ダイナミックレンジを拡大可能である。なお、イオン検出器１では、このようにゲインの異なる複数の電子衝撃型ダイオードを用いるに際して、シングルチャネルの素子を複数用いることにより、マルチチャネルの素子を用いる場合と比較してクロストークを抑制できる。

また、イオン検出器１では、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのそれぞれの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂは、フォーカス電極１２１，１２２による二次電子の集束範囲に含まれている。このため、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂに一様に二次電子を入射させることが可能である。

また、イオン検出器１では、一対の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂが、互いの電子入射面２００Ａ，２００ＢによってＭＣＰ１１０と反対側に凸となる角部が形成されるように配置されている。このため、互いの電子入射面２００Ａ，２００Ｂが同一平面上に配置される場合と比較して、互いの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂをより近接して配置可能である。

なお、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂをより近接して配置することにより、フォーカス電極１２１，１２２による二次電子の集束径内に有効領域２２１Ａ，２２１Ｂを含ませることが可能となり、或いは、フォーカス電極１２１，１２２によってより狭い範囲に二次電子を集束することが可能となり、ひいては、入射イオンのトータルゲインを確実に確保することが可能となる。

また、イオン検出器１は、フォーカス電極１２１，１２２と電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのとの間に配置され、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの二次電子の入射方向からみて、有効領域２２１Ａ，２２１Ｂよりも広い開口Ａ２が形成されたカバー２１０を備えている。このため、カバー２１０によってチャージアップの防止が図られる。

また、イオン検出器１では、開口Ａ２は、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂが並ぶ方向を長手方向とする長穴である。このため、上記のように有効領域２２１Ａ，２２１Ｂがより近接配置された一対の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂに対して、カバー２１０の長穴を介して好適に二次電子を入射させることができる。

さらに、イオン検出器１では、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのそれぞれには、電子入射面２００Ａ，２００Ｂと反対側において、検出信号を出力するための出力端子２２３Ａ，２２３Ｂが設けられている。そして、出力端子２２３Ａ，２２３Ｂは、電子入射面２００Ａ，２００Ｂ側に凸となる角部を形成するように配置されている。上記のように一対の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの有効領域２２１Ａ，２２１Ｂを近接配置する場合には、このように出力端子２２３Ａ，２２３Ｂを配置することができる。

以上の実施形態は、本発明に係るイオン検出器の一例を示したものである。したがって、本発明に係るイオン検出器は、上述したものを任意に変形したものとされ得る。引き続いて、変形例について説明する。

図５は、変形例に係るイオン検出器の模式的な回路図である。図５に示されるように、イオン検出器１Ａは、イオン検出器１と比較して、電源部４００に代えて電源部４００Ａを備える点においてイオン検出器１と相違しており、他の点でイオン検出器１と一致している。電源部（電圧供給部）４００Ａは、抵抗Ｒ６、端子Ｔ３、及び、抵抗Ｒ４を介して電子衝撃型ダイオード２２０Ａの一方の端子に接続されると共に、抵抗Ｒ７、端子Ｔ４、及び、抵抗Ｒ５を介して電子衝撃型ダイオード２２０Ｂの一方の端子に接続される単一の電源Ｖ５を含む。また、電源部４００Ａは、抵抗Ｒ６とグランド電位ＧＮＤとの間に介在されたツェナーダイオードＤ１と、抵抗Ｒ７とグランド電位ＧＮＤとの間に介在されたツェナーダイオードＤ２と、を含む。

このような電源部４００Ａによっても、例えば抵抗Ｒ６と抵抗Ｒ７との抵抗値の相対的な関係を調整することによって、２つの電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂのそれぞれに対して、互い異なる値の駆動電圧を印加し、互いのゲインを異ならせることができる。また、イオン検出器１にあっては、ツェナーダイオードＤ１，Ｄ２を用いることで、１つの電源Ｖ５によって２つの電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂに電圧を供給できる。

図６は、別の変形例に係るイオン検出器の模式的な回路図である。図６に示されるように、イオン検出器１Ｂは、電圧供給回路として電源部６００を含む。電源部６００では、電源Ｖ１が、端子Ｔ１を介してＭＣＰ１１０の入力面１１０ａに接続されている。電源Ｖ１は、イオン検出器１Ｂをフローティングするための機能を有する。電源部６００は、電源Ｖ６及び電源Ｖ７を有している。電源Ｖ６は、入力面１１０ａに接続された端子Ｔ１と出力面１１０ｂに接続された端子Ｔ２との間に介在されている。電源Ｖ６は、ＭＣＰ１１０に電圧（例えば０Ｖ～１０００Ｖ）を印加するためのものである。電源Ｖ７は、端子Ｔ２と端子Ｔ３との間に介在されている。電源Ｖ７は、ＭＣＰ１１０よりも後段のフォーカス電極１２１，１２２や電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂに電圧（例えば３ｋＶ～７ｋＶ）を供給するためのものである。

また、抵抗Ｒ１，Ｒ２は、メッシュ電極１３０及びフォーカス電極１２１，１２２に電位を供給するためのブリーダー抵抗となる。容量Ｃ１，Ｃ２は、高速信号がグランド電位ＧＮＤを介して電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの他方の端子まで低インピーダンスで戻り得るループを形成している。容量Ｃ１，Ｃ２と抵抗Ｒ４，Ｒ５とは、ローパスフィルタを構成しており、電源のノイズを除去する機能を有する。抵抗Ｒ３は、フォーカス電極１２２とグランド電位ＧＮＤとのカップリングを防ぐための機能を有する。

容量Ｃ３は、電子衝撃型ダイオード２２０Ａの出力端子２２３Ａに接続された信号線５００Ａに設けられており、容量Ｃ４は、電子衝撃型ダイオード２２０Ｂの出力端子２２３Ｂに接続された信号線５００Ｂに設けられている。容量Ｃ３，Ｃ４は、カップリングコンデンサであり、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの他方の端子の電位を保ちながら高周波信号を通す。信号線５００Ａにおける容量Ｃ３の前段には、抵抗Ｒ９が接続されている。また信号線５００Ｂにおける容量Ｃ４の前段には、抵抗Ｒ１０が設けられている。

抵抗Ｒ９，Ｒ１０は、ブロッキング抵抗であって、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの一方の端子に電位を与えながら、信号が電源部６００に戻ることを防ぐ機能を有する。抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ９，Ｒ１０との間には、それぞれ、ツェナーダイオードＤ３が設けられたラインと、抵抗Ｒ８及びツェナーダイオードＤ４が設けられたラインとが形成されている。抵抗Ｒ８は、ツェナーダイオードＤ３，Ｄ４の間の電位差を吸収するための機能を有する。

イオン検出器は、正負のイオンを検出する場合にはフローティングされる。その際、ツェナーダイオードＤ３，Ｄ４を用いることにより、電源を増やすことなく、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂに電圧を供給することができる。例えば、ツェナーダイオードＤ３として３５０Ｖのものを、ツェナーダイオードＤ４に２５０Ｖのものを使用すれば、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂに互いに異なる電圧を付与できる。

ここで、図７の（ａ）に示されるように、イオン検出器１～１Ｂでは、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの一部を切除することにより、有効領域２２１Ａ，２２１Ｂをより近接して配置することができる。ここでは、二次電子の入射方向からみたときの電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂの互いに対向する一対の辺の長さを短縮するように、非有効領域２２２Ａ，２２２Ｂの一部を切除する。

これにより、電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂでは、二次電子の入射方向からみたとき、有効領域２２１Ａ，２２１Ｂが非有効領域２２２Ａ，２２２Ｂの中心に対して一方向（切除した側）に偏在されることとなる。したがって、２つの電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂを、当該有効領域２２１Ａ，２２１Ｂの偏在する側が隣り合うように配置することにより、有効領域２２１Ａ，２２１Ｂをより近接して配置することが可能となる。

また、図７の（ｂ）に示されるように、イオン検出器１～１Ｂは、複数の電子衝撃型ダイオードのうちの少なくとも１つの電子衝撃型ダイオード（ここでは電子衝撃型ダイオード２２０Ｂ）に入射する二次電子の一部を遮蔽するマスクＭを備えることができる。マスクＭは、フォーカス電極１２２と電子衝撃型ダイオード２２０Ｂとの間の任意の位置に配置され得る。一例として、マスクＭは、電子衝撃型ダイオード２２０Ｂの電子入射面２００Ｂに形成され得る。この場合、マスクＭは、例えば電子衝撃型ダイオード２２０Ｂのプロセス後に電子入射面２００Ｂとなる表面にＡｌを蒸着することによる成膜や、プロセス中に電子衝撃型ダイオード２２０の電子入射面２００Ｂとなる表面側からのイオン注入による成膜等によって形成され得る。

一方、マスクＭは、電子入射面２００Ｂから離間して配置されてもよい。この場合、マスクＭは、例えば、フォーカス電極１２１，１２２によって集束された二次電子の電子衝撃型ダイオード２２０Ｂに向かう軌道上にメッシュを設けることによって形成されてもよい。また、この場合、マスクＭは、カバー２１０の開口Ａ２に設けられていてもよい。

さらには、複数の電子衝撃型ダイオードのうちの少なくとも１つを、その有効領域の一部が二次電子の集束径の外側に位置するようにシフトして配置することにより、当該電子衝撃型ダイオードへの二次電子の入射量を制御してもよい。

以上のように、イオン検出器１～１Ｂでは、複数の電子衝撃型ダイオードのうちの少なくとの２つの電子衝撃型ダイオードのゲインを互いに異ならせる方法として、駆動電圧を異ならせる方法、マスクを用いて二次電子を遮蔽する方法、及び、有効領域をシフトさせて入射する二次電子の量を調整する方法を、任意の組み合わせで採用することができる。すなわち、一例として、ある一対の電子衝撃型ダイオードに対して上記の方法のうちのある１つの方法を適用しつつ、別の一対の電子衝撃型ダイオードに対して上記の方法の別の方法を適用してもよい。また、上位の方法を任意に適用し、３つ以上の電子衝撃型ダイオードのゲインを互いに異ならせてもよい。

さらには、イオン検出器１～１Ｂでは、複数の電子衝撃型ダイオードのうちの少なくとの２つの電子衝撃型ダイオードのゲインを互いに異ならせる観点からは、図２の（ｂ）に示されるような、一対の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂを、互いの電子入射面２００Ａ，２００ＢによってＭＣＰ１１０と反対側に凸となる角部が形成されるように配置する構成は必須ではない。また、イオン検出器１～１Ｂでは、有効領域２１０Ａ，２１０Ｂをより近接配置する観点からは、少なくとも２つの電子衝撃型ダイオードのゲインを互いに異ならせる構成は必須ではない。

また、図２の（ｂ）に示される例とは反対に、一対の電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂを、互いの電子入射面２００Ａ，２００Ｂによって（或いは電子入射面２００Ａ，２００Ｂを延長した平面によって）ＭＣＰ１１０側に凸となる角部が形成されるように配置してもよい。この場合、出力端子２２３Ａ，２２３Ｂ（出力端子２２３Ａ，２２３Ｂの延在方向の延長線）は、電子入射面２００Ａ，２００Ｂ、及び、ＭＣＰ１１０と反対側に凸となる角部を形成するように配置されてもよい。

また、上記実施形態では、２つの電子衝撃型ダイオード２２０Ａ，２２０Ｂを備える例について説明したいが、イオン検出器１～１Ｂは、３つ以上の電子衝撃型ダイオードを備えていてもよい。

１…イオン検出器、１１０…ＭＣＰ（マイクロチャネルプレート）、１１０ａ…入力面、１１０ｂ…出力面、１１０Ｐ…有効領域、１２１，１２２…フォーカス電極、２００Ａ，２００Ｂ…電子入射面、２１０…カバー、２２０Ａ，２２０Ｂ…電子衝撃型ダイオード、２２１Ａ，２２１Ｂ…有効領域、２２２Ａ，２２２Ｂ…非有効領域、２２３Ａ，２２３Ｂ…出力端子、４００，４００Ａ…電源部（電圧供給部）、Ａ２…開口、Ｍ…マスク。

Claims (8)

1. イオンの入射を受けて二次電子を発生させ、発生した前記二次電子を増倍しつつ出力するためのマイクロチャネルプレートと、
   前記マイクロチャネルプレートの有効領域よりも狭い有効領域を有しており、前記マイクロチャネルプレートから出力された前記二次電子の入射を受け、入射した前記二次電子を増倍しつつ検出するための複数の電子衝撃型ダイオードと、
   前記マイクロチャネルプレートと前記電子衝撃型ダイオードとの間に配置され、前記電子衝撃型ダイオードに向けて前記二次電子を集束するためのフォーカス電極と、
   前記複数の電子衝撃型ダイオードのそれぞれに駆動電圧を印加する電圧供給部と、
   を備え、
   前記電圧供給部は、前記複数の電子衝撃型ダイオードのうちの少なくとも２つの前記電子衝撃型ダイオードのそれぞれに対して、互い異なる値の駆動電圧を印加することにより、互いのゲインを異ならせる、
   イオン検出器。
2. 前記複数の電子衝撃型ダイオードのそれぞれの前記有効領域は、前記フォーカス電極による前記二次電子の集束範囲に含まれる、
   請求項１に記載のイオン検出器。
3. 前記電子衝撃型ダイオードは、前記電子衝撃型ダイオードにおける二次電子の入射方向からみて、前記有効領域と、前記有効領域の周囲に位置する非有効領域と、を含み、
   前記入射方向からみたとき、前記有効領域は前記非有効領域の中心に対して少なくとも一方向に偏在しており、
   少なくとも２つの前記電子衝撃型ダイオードは、前記有効領域の偏在する側が隣り合うように配置されている、
   請求項１又は２に記載のイオン検出器。
4. 前記フォーカス電極と前記電子衝撃型ダイオードとの間に配置され、少なくとも１つの前記電子衝撃型ダイオードに入射する前記二次電子の一部を遮蔽するマスクを備える、
   請求項１～３のいずれか一項に記載のイオン検出器。
5. 前記マスクは、前記電子衝撃型ダイオードの電子入射面に形成されている、
   請求項４に記載のイオン検出器。
6. 前記マスクは、前記電子衝撃型ダイオードの電子入射面から離間して配置されている、
   請求項４に記載のイオン検出器。
7. 前記フォーカス電極と前記電子衝撃型ダイオードのとの間に配置され、前記電子衝撃型ダイオードの二次電子の入射方向からみて、前記複数の電子衝撃型ダイオードの有効領域よりも広い開口が形成されたカバーを備え、
   前記マスクは、前記開口に設けられている、
   請求項６に記載のイオン検出器。
8. 前記電圧供給部は、少なくとも２つの前記電子衝撃型ダイオードに対して、相対的に高いゲインの前記電子衝撃型ダイオードの検出範囲と、相対的に低いゲインの前記電子衝撃型ダイオードの検出範囲とが、互いに重複する重複範囲を有するように、前記駆動電圧を印加する、
   請求項１～７のいずれか一項に記載のイオン検出器。

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