JP7318570B2 - Resist resin composition and photosensitive resin composition - Google Patents

Resist resin composition and photosensitive resin composition Download PDF

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JP7318570B2 JP2020042465A JP2020042465A JP7318570B2 JP 7318570 B2 JP7318570 B2 JP 7318570B2 JP 2020042465 A JP2020042465 A JP 2020042465A JP 2020042465 A JP2020042465 A JP 2020042465A JP 7318570 B2 JP7318570 B2 JP 7318570B2
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Description

本発明は、レジスト用樹脂組成物および感光性樹脂組成物に関し、より詳しくは、耐薬品性および耐熱性に優れる樹脂膜を与えるレジスト用樹脂組成物および感光性樹脂組成物に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a resist resin composition and a photosensitive resin composition, and more particularly to a resist resin composition and a photosensitive resin composition that provide a resin film having excellent chemical resistance and heat resistance.

近年、フォトレジスト材料は広く応用されており、テレビやスマートフォンをはじめとする電子製品等の製造工程又は加工工程に不可欠な微細加工材料となっている。係るフォトレジスト材料はマスクを用いた活性エネルギー線の照射により、露光部と未露光部のアルカリ溶液への溶解性の差を発現させることによってパターン化が行われ、アルカリ溶液で未露光部を溶解させ、さらに加熱による溶剤の除去及び硬化を行い所定形状のパターン形成が行われる。 In recent years, photoresist materials have been widely applied, and have become microfabrication materials indispensable in the manufacturing or processing processes of electronic products such as televisions and smartphones. Such a photoresist material is patterned by irradiating an active energy ray using a mask to express the difference in solubility in an alkaline solution between the exposed area and the unexposed area, and the unexposed area is dissolved in the alkaline solution. Then, the solvent is removed and cured by heating to form a pattern of a predetermined shape.

近年では、電子製品の小型化、集積回路の微細化、表示装置の高精細化に伴い、レジスト性能の向上が一層強く望まれている。各種装置を製造するプロセスの中で、パターンに熱履歴がかかるため、加熱に対して変化が生じ難く耐熱性に優れることが要求されている。耐熱性に優れた樹脂膜を得る方法として、特許文献1には酸基含有マレイミドモノマーに由来する繰り返し単位を含む重合体を用いる方法が開示されている。 In recent years, along with the miniaturization of electronic products, the miniaturization of integrated circuits, and the increasing definition of display devices, there has been a strong demand for improved resist performance. In the process of manufacturing various devices, the pattern is subjected to heat history, so it is required to have excellent heat resistance so that it does not easily change due to heating. As a method for obtaining a resin film having excellent heat resistance, Patent Document 1 discloses a method using a polymer containing a repeating unit derived from an acid group-containing maleimide monomer.

さらに、パターン形成後の樹脂膜がプロセスにおいて溶剤などの薬品に接触するため、薬品に接触しても膜厚変化が生じ難く耐薬品性に優れることも要求されている。また、これまで室温下での耐薬品性が求められていたが、近年はより高温条件下での耐性も要求されるようになっている。耐薬品性に優れた樹脂膜を得る方法として、特許文献2には重合体の構成単位として2-ピロン基等の特定の官能基を有するモノマーを用いる方法が、特許文献3には重合体の構成単位としてヒドロキシフェニルマレイミドモノマーを用いる方法がそれぞれ開示されている。 Furthermore, since the resin film after pattern formation comes into contact with chemicals such as solvents in the process, it is also required that the film thickness does not easily change even if it comes into contact with the chemicals, and that it has excellent chemical resistance. In addition, although chemical resistance at room temperature has been required so far, resistance under higher temperature conditions has also been required in recent years. As a method for obtaining a resin film having excellent chemical resistance, Patent Document 2 discloses a method of using a monomer having a specific functional group such as a 2-pyrone group as a constituent unit of a polymer, and Patent Document 3 discloses a method of using a polymer having a specific functional group. Each method is disclosed using a hydroxyphenylmaleimide monomer as a building block.

しかしながら、耐薬品性を得るためには重合体中の特定構造のモノマーの割合を多くしなければならないといった問題があり、十分に満足できるものではなかった。 However, in order to obtain chemical resistance, there is a problem that the ratio of the monomer having a specific structure in the polymer must be increased, and the result is not fully satisfactory.

特開2015-189883号公報JP 2015-189883 A 特開2017-49373号公報JP 2017-49373 A 特開2018-154768号公報JP 2018-154768 A

本発明の目的は、耐薬品性および耐熱性に優れる樹脂膜を与えるレジスト用樹脂組成物および感光性樹脂組成物を提供することである。 An object of the present invention is to provide a resist resin composition and a photosensitive resin composition which provide a resin film having excellent chemical resistance and heat resistance.

本発明者らは、前記課題を解決すべく検討した結果、特定構造の有機過酸化物を用いたレジスト用樹脂組成物により上記課題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明は、以下のものである。
[1]不飽和塩基酸モノマー(A)、該不飽和塩基酸モノマー(A)と共重合可能なモノマー(B)、及び重合開始剤(C)を含むレジスト用樹脂組成物であって、該重合開始剤(C)が下記一般式(1)で示される有機過酸化物を含むことを特徴とするレジスト用樹脂組成物:
The present inventors have conducted studies to solve the above problems, and found that the above problems can be solved by a resist resin composition using an organic peroxide having a specific structure.
That is, the present invention is as follows.
[1] A resist resin composition comprising an unsaturated basic acid monomer (A), a monomer (B) copolymerizable with the unsaturated basic acid monomer (A), and a polymerization initiator (C), A resist resin composition, wherein the polymerization initiator (C) comprises an organic peroxide represented by the following general formula (1):

(式(1)中、R~Rは、同一または異なって、それぞれ水素原子または炭素数1~10のアルキル基を示す。)。
[2][1]に記載のレジスト用樹脂組成物から得られる樹脂、光重合開始剤、及び重合性化合物を含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
(In Formula (1), R 1 to R 3 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.).
[2] A photosensitive resin composition comprising a resin obtained from the resist resin composition according to [1], a photopolymerization initiator, and a polymerizable compound.

本発明によれば、耐薬品性および耐熱性に優れる樹脂膜を与えるレジスト用樹脂組成物および感光性樹脂組成物を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a resist resin composition and a photosensitive resin composition that provide a resin film having excellent chemical resistance and heat resistance.

以下、本発明の実施形態を説明する。なお、本発明において「(メタ)アクリル」とは、アクリル及びメタクリルを包含する総称である。 Embodiments of the present invention will be described below. In the present invention, "(meth)acryl" is a generic term including acryl and methacryl.

<レジスト用樹脂組成物>
本発明のレジスト用樹脂組成物は、不飽和塩基酸モノマー(A)、該不飽和塩基酸モノマー(A)と共重合可能なモノマー(B)、及び重合開始剤(C)を含む。
<resin composition for resist>
The resist resin composition of the present invention comprises an unsaturated basic acid monomer (A), a monomer (B) copolymerizable with the unsaturated basic acid monomer (A), and a polymerization initiator (C).

<不飽和塩基酸モノマー(A)>
本発明で用いる不飽和塩基酸モノマー(A)としては、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等が挙げられ、共重合反応性、アルカリ水溶液に対する溶解性及び入手の容易性から(メタ)アクリル酸が好ましく、メタクリル酸がより好ましい。不飽和塩基酸モノマー(A)は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。
<Unsaturated basic acid monomer (A)>
The unsaturated basic acid monomer (A) used in the present invention includes (meth)acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, citraconic acid, mesaconic acid, and itaconic acid. (Meth)acrylic acid is preferred, and methacrylic acid is more preferred, because of its solubility in and availability. One type of the unsaturated basic acid monomer (A) may be used alone, or two or more types may be used in combination.

本発明のレジスト用樹脂組成物における不飽和塩基酸モノマー(A)の含有割合としては、全モノマー成分100質量%に対して、好ましくは1~40質量%であり、より好ましくは5~30質量%であり、さらに好ましくは10~25質量%である。これら範囲にすることで、レジスト特性が良好な重合体を得ることができる。 The content of the unsaturated basic acid monomer (A) in the resist resin composition of the present invention is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 5 to 30% by mass, based on 100% by mass of all monomer components. %, more preferably 10 to 25% by mass. Within these ranges, a polymer with good resist properties can be obtained.

<モノマー(B)>
モノマー(B)としては、不飽和塩基酸モノマー(A)と共重合が可能であるモノマーであれば特に限定されるものではないが、(メタ)アクリル酸エステルモノマー、芳香族ビニル化合物、マレイミドモノマーが好ましい。モノマー(B)は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。
<Monomer (B)>
The monomer (B) is not particularly limited as long as it is a monomer that can be copolymerized with the unsaturated basic acid monomer (A). is preferred. One type of the monomer (B) may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(メタ)アクリル酸エステルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸-2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸-2-メトキシエチル、(メタ)アクリル酸-3-メトキシブチル、(メタ)アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸グリセロール、(メタ)アクリル酸ヒドロキシフェニル、(メタ)アクリル酸ステアリル、(メタ)アクリル酸グリシジル、(メタ)アクリル酸のエチレンオキサイド付加物などが挙げられ、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸-2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ベンジル、(メタ)アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸グリセロール、(メタ)アクリル酸ヒドロキシフェニル、(メタ)アクリル酸グリシジルが好ましい。耐薬品性の観点から、(メタ)アクリル酸シクロヘキシルが特に好ましい。 Examples of (meth)acrylate monomers include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, and (meth)acrylate. hexyl acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, ( meth)dodecyl acrylate, phenyl (meth)acrylate, benzyl (meth)acrylate, 2-methoxyethyl (meth)acrylate, 3-methoxybutyl (meth)acrylate, 2-(meth)acrylate Hydroxyethyl, hydroxypropyl (meth)acrylate, hydroxybutyl (meth)acrylate, glycerol (meth)acrylate, hydroxyphenyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, glycidyl (meth)acrylate, (meth)acrylate ) ethylene oxide adducts of acrylic acid, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, (meth) ) 2-ethylhexyl acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, glycerol (meth) acrylate, hydroxyphenyl (meth) acrylate, ( Glycidyl meth)acrylate is preferred. From the viewpoint of chemical resistance, cyclohexyl (meth)acrylate is particularly preferred.

芳香族ビニル化合物としては、例えば、スチレン、α-メチルスチレン、p-メチルスチレン、m-メチルスチレン、o-メチルスチレン、p-エチルスチレン、m-エチルスチレン、o-エチルスチレン、t-ブチルスチレン、クロルスチレン、ヒドロキシスチレン、t-ブトキシスチレン、ビニルトルエン、ビニルナフタレン、イソプロペニルフェノールなどが挙げられ、スチレンが好ましい。 Examples of aromatic vinyl compounds include styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, m-methylstyrene, o-methylstyrene, p-ethylstyrene, m-ethylstyrene, o-ethylstyrene and t-butylstyrene. , chlorostyrene, hydroxystyrene, t-butoxystyrene, vinyltoluene, vinylnaphthalene, isopropenylphenol and the like, with styrene being preferred.

マレイミドモノマーとしては、例えば、N-フェニルマレイミド、N-(2-メチルフェニル)マレイミド、N-(2,6-ジエチルフェニル)マレイミド、N-ラウリルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド、N-ベンジルマレイミドなどが挙げられ、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミドが好ましく、N-シクロヘキシルマレイミドがより好ましい。 Examples of maleimide monomers include N-phenylmaleimide, N-(2-methylphenyl)maleimide, N-(2,6-diethylphenyl)maleimide, N-laurylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, N-benzylmaleimide, and the like. N-phenylmaleimide and N-cyclohexylmaleimide are preferred, and N-cyclohexylmaleimide is more preferred.

本発明のレジスト用樹脂組成物におけるモノマー(B)の含有割合としては、全モノマー成分100質量%に対して、好ましくは60~99質量%であり、より好ましくは70~95質量%であり、さらに好ましくは75~90質量%である。これら範囲にすることで、モノマー(B)によりレジスト特性を調整することができ、良好な重合体を得ることができる。 The content of the monomer (B) in the resist resin composition of the present invention is preferably 60 to 99% by mass, more preferably 70 to 95% by mass, based on 100% by mass of all monomer components, More preferably, it is 75 to 90% by mass. Within these ranges, the monomer (B) can be used to adjust the resist properties, and a good polymer can be obtained.

(メタ)アクリル酸エステルモノマーの含有割合としては、全モノマー成分100質量%に対して、1~95質量%が好ましく、5~90質量%がより好ましい。 The content of the (meth)acrylic acid ester monomer is preferably 1 to 95% by mass, more preferably 5 to 90% by mass, based on 100% by mass of the total monomer components.

芳香族ビニル化合物の含有割合としては、全モノマー成分100質量%に対して、0~70質量%が好ましく、5~60質量%がより好ましい。本範囲とすることで、耐熱性等の膜物性を付与することができる。 The content of the aromatic vinyl compound is preferably 0 to 70% by mass, more preferably 5 to 60% by mass, based on 100% by mass of the total monomer components. By setting the content within this range, physical properties such as heat resistance can be imparted to the film.

マレイミドモノマーの含有割合としては、全モノマー成分100質量%に対して、0~30質量%が好ましく、3~15質量%がより好ましい。本範囲とすることで、耐熱性を向上させることができる。 The maleimide monomer content is preferably 0 to 30% by mass, more preferably 3 to 15% by mass, based on 100% by mass of all monomer components. By setting it as this range, heat resistance can be improved.

<重合開始剤(C)>
本発明で用いる重合開始剤(C)は、下記一般式(1)で示される有機過酸化物を含む。
<Polymerization initiator (C)>
The polymerization initiator (C) used in the present invention contains an organic peroxide represented by the following general formula (1).

(式(1)中、R~Rは、同一または異なって、それぞれ水素原子または炭素数1~10のアルキル基を示す。) (In Formula (1), R 1 to R 3 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.)

式(1)中、Rは水素原子または炭素数1~10のアルキル基であり、炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、デシル基などが挙げられる。合成のしやすさと有機過酸化物の活性の観点から、Rは炭素数1~8のアルキル基が好ましく、炭素数1~6のアルキル基がより好ましい。 In formula (1), R 1 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and an n-butyl group. , iso-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group and the like. R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, from the viewpoint of ease of synthesis and activity of the organic peroxide.

式(1)中、Rは水素原子または炭素数1~10のアルキル基であり、炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、デシル基などが挙げられる。合成のしやすさと有機過酸化物の活性の観点から、Rは炭素数1~5のアルキル基が好ましく、炭素数1~2のアルキル基がより好ましい。 In formula (1), R 2 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group and n-butyl group. , iso-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group and the like. R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, from the viewpoint of ease of synthesis and activity of the organic peroxide.

式(1)中、Rは水素原子または炭素数1~10のアルキル基であり、炭素数1~10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、tert-ブチル基、n-ヘキシル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、デシル基などが挙げられる。合成のしやすさと有機過酸化物の活性の観点から、Rは水素原子またはメチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。 In formula (1), R 3 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group and n-butyl group. , iso-butyl group, tert-butyl group, n-hexyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group and the like. From the viewpoint of ease of synthesis and activity of the organic peroxide, R3 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a methyl group.

一般式(1)で示される有機過酸化物としては、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシイソブチレート(R=メチル基、R=メチル基、R=水素原子)、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシピバレート(R=メチル基、R=メチル基、R=メチル基)、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオヘキサノエート(R=エチル基、R=メチル基、R=メチル基)、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシオクトエート(R=ブチル基、R=エチル基、R=水素原子)、1-シクロへキシル-1-メチルエチルへルオキシネオノナノエート(R=ペンチル基、R=メチル基、R=メチル基)、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオデカノエート(R=ヘキシル基、R=メチル基、R=メチル基)等が挙げられ、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシイソブチレート、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシピバレート、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオヘキサノエート、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオデカノエートが好ましく、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオデカノエートが特に好ましい。 Organic peroxides represented by general formula (1) include 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyisobutyrate (R 1 =methyl group, R 2 =methyl group, R 3 =hydrogen atom), 1 -cyclohexyl-1-methylethyl peroxypivalate (R 1 = methyl group, R 2 = methyl group, R 3 = methyl group), 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxyneohexanoate (R 1 = ethyl group, R 2 = methyl group, R 3 = methyl group), 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyoctoate (R 1 = butyl group, R 2 = ethyl group, R 3 = hydrogen atom), 1-cyclohexyl-1-methylethyl heloxyneononanoate (R 1 = pentyl group, R 2 = methyl group, R 3 = methyl group), 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxyneodecanoate ate (R 1 =hexyl group, R 2 =methyl group, R 3 =methyl group), 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyisobutyrate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl Peroxypivalate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneohexanoate, 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate are preferred, and 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneo Decanoate is particularly preferred.

本発明のレジスト用樹脂組成物における重合開始剤(C)の含有割合としては、全モノマー成分100質量%に対して、0.01質量%~50質量%とすることが好ましく、より好ましくは1質量%~30質量%であり、さらに好ましくは5質量%~20質量%である。 The content of the polymerization initiator (C) in the resist resin composition of the present invention is preferably 0.01% by mass to 50% by mass, more preferably 1% by mass, based on 100% by mass of all monomer components. % to 30% by mass, more preferably 5% to 20% by mass.

重合開始剤(C)は、一般式(1)で示される有機過酸化物以外の重合開始剤を含んでいてもよい。このような重合開始剤としては、公知のものを使用することができ、例えば、ジ(4-t-ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、1,1,3,3-テトラメチルブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエートなどの有機過酸化物、2,2’-アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ系重合開始剤などを挙げることができる。これらの重合開始剤は、1種類のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
一般式(1)で示される有機過酸化物と他の重合開始剤を併用する場合は、重合開始剤(C)の総量に対する一般式(1)で示される有機過酸化物の割合として、50質量%以上が好ましく、より好ましくは70質量%以上であり、さらに好ましくは80質量%以上である。
The polymerization initiator (C) may contain a polymerization initiator other than the organic peroxide represented by general formula (1). Known polymerization initiators can be used, for example, di(4-t-butylcyclohexyl)peroxydicarbonate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2 -Organic peroxides such as ethylhexanoate, and azo polymerization initiators such as 2,2'-azobisisobutyronitrile. These polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
When the organic peroxide represented by the general formula (1) and another polymerization initiator are used in combination, the ratio of the organic peroxide represented by the general formula (1) to the total amount of the polymerization initiator (C) is 50 % by mass or more is preferable, more preferably 70% by mass or more, and even more preferably 80% by mass or more.

本発明のレジスト用樹脂組成物は、上記成分および必要に応じて下記<その他成分>を混合して調製することができる。混合方法は特に限定されるものではなく、全成分を同時に混合しても良いし、各成分を順次溶解させても良い。溶解させる順序や作業条件は特に限定されず、公知の方法で調製することができる。 The resist resin composition of the present invention can be prepared by mixing the above components and, if necessary, the following <other components>. The mixing method is not particularly limited, and all components may be mixed simultaneously, or each component may be dissolved sequentially. The order of dissolution and working conditions are not particularly limited, and can be prepared by a known method.

<感光性樹脂組成物>
本発明の感光性樹脂組成物は、本発明のレジスト用樹脂組成物(不飽和塩基酸モノマー(A)、該不飽和塩基酸モノマー(A)と共重合可能なモノマー(B)、及び重合開始剤(C)を含むレジスト用樹脂組成物)から得られる樹脂(以下、「レジスト用重合体」と称する場合がある。)、光重合開始剤、及び重合性化合物を含有する。
<Photosensitive resin composition>
The photosensitive resin composition of the present invention comprises the resist resin composition of the present invention (unsaturated basic acid monomer (A), a monomer (B) copolymerizable with the unsaturated basic acid monomer (A), and polymerization initiation Resist resin composition containing agent (C)) (hereinafter sometimes referred to as "resist polymer"), a photopolymerization initiator, and a polymerizable compound.

<レジスト用重合体>
本発明におけるレジスト用重合体の重量平均分子量および分散度は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いてポリスチレン換算で求めることができる。重量平均分子量は、好ましくは3,000~100,000であり、より好ましくは4,000~50,000であり、さらに好ましくは5,000~30,000である。レジスト用重合体の重量平均分子量が3,000~100,000であれば、良好な密着性や現像性が得られやすい。レジスト用重合体の分散度(重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnとの比(Mw/Mn))は、好ましくは1.0~5.0であり、より好ましくは1.0~3.5であり、さらに好ましくは1.0~3.0である。分散度が1.0~5.0であれば、良好なレジストの現像性やパターン形状が得られやすい。
<Polymer for resist>
The weight average molecular weight and degree of dispersion of the resist polymer in the present invention can be determined in terms of polystyrene using gel permeation chromatography (GPC). The weight average molecular weight is preferably 3,000 to 100,000, more preferably 4,000 to 50,000, still more preferably 5,000 to 30,000. If the weight-average molecular weight of the resist polymer is 3,000 to 100,000, good adhesion and developability can be easily obtained. The dispersity of the resist polymer (the ratio of the weight average molecular weight Mw to the number average molecular weight Mn (Mw/Mn)) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.5. and more preferably 1.0 to 3.0. When the degree of dispersion is 1.0 to 5.0, it is easy to obtain good resist developability and pattern shape.

本発明の感光性樹脂組成物におけるレジスト用重合体の含有割合としては、感光性樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、10質量%~90質量%とすることが好ましく、より好ましくは15質量%~80質量%であり、さらに好ましくは20質量%~60質量%である。レジスト用重合体の含有割合が10質量%~90質量%であれば、レジストの現像性、成膜性および塗工性が十分に得られやすい。 The content of the resist polymer in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 10% by mass to 90% by mass, more preferably 10% by mass, based on 100% by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition. is 15% by mass to 80% by mass, more preferably 20% by mass to 60% by mass. When the content of the resist polymer is 10% by mass to 90% by mass, it is easy to obtain sufficient developability, film-forming properties and coatability of the resist.

<光重合開始剤>
本発明において、光重合開始剤は、光照射により重合性化合物の重合反応の起点となる化合物であり、公知のいかなる光重合開始剤も使用することができる。波長については特に限定されるものではないが、波長に適した開始剤種を選択し使用することができる。本発明における光重合開始剤は、1種類を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
<Photoinitiator>
In the present invention, the photopolymerization initiator is a compound that initiates a polymerization reaction of a polymerizable compound upon irradiation with light, and any known photopolymerization initiator can be used. The wavelength is not particularly limited, but an initiator species suitable for the wavelength can be selected and used. The photopolymerization initiators in the present invention can be used singly or in combination of two or more.

本発明における光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、N,N’-テトラアルキル-4,4’-ジアミノベンゾフェノン、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルホリノフェニル)-ブタノン-1、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルホリノ-プロパノン-1、4,4’-ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン(ミヒラーケトン)、4,4’-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4-メトキシ-4’-ジメチルアミノベンゾフェノン等の芳香族ケトン類、アルキルアントラキノン、フェナントレンキノン等のキノン類、ベンゾイン、アルキルベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンゾインアルキルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(o-クロロフェニル)-4,5-ジ(m-メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2-(o-フルオロフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2-(o-メトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体、2,4-ジ(p-メトキシフェニル)-5-フェニルイミダゾール二量体、2-(2,4-ジメトキシフェニル)-4,5-ジフェニルイミダゾール二量体等の2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体、N-フェニルグリシン、N-フェニルグリシン誘導体、9-フェニルアクリジン等のアクリジン誘導体、1,2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)-,2-(O-ベンゾイルオキシム)]等のオキシムエステル類、7-ジエチルアミノ-4-メチルクマリン等のクマリン系化合物、2,4-ジエチルチオキサントン等のチオキサントン系化合物、2,4,6-トリメチルベンゾイル-ジフェニル-ホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系化合物などを使用することができる。 Examples of the photopolymerization initiator in the present invention include benzophenone, N,N'-tetraalkyl-4,4'-diaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone- 1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propanone-1,4,4'-bis(dimethylamino)benzophenone (Michler's ketone), 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone , aromatic ketones such as 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone, quinones such as alkylanthraquinone and phenanthrenequinone, benzoin compounds such as benzoin and alkylbenzoin, benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ether and benzoin phenyl ether, benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-di(m-methoxyphenyl)imidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di(p-methoxyphenyl)- 2,4,5-triarylimidazole dimers such as 5-phenylimidazole dimer, 2-(2,4-dimethoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, N-phenylglycine, N- Phenylglycine derivatives, acridine derivatives such as 9-phenylacridine, oxime esters such as 1,2-octanedione, 1-[4-(phenylthio)-,2-(O-benzoyloxime)], 7-diethylamino-4 coumarin-based compounds such as -methylcoumarin, thioxanthone-based compounds such as 2,4-diethylthioxanthone, acylphosphine oxide-based compounds such as 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, and the like can be used.

本発明の感光性樹脂組成物における光重合開始剤の含有割合としては、感光性樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、0.01質量%~50質量%とすることが好ましく、より好ましくは0.1質量%~40質量%であり、さらに好ましくは0.1質量%~30質量%である。 The content of the photopolymerization initiator in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 0.01% by mass to 50% by mass with respect to 100% by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition. It is more preferably 0.1% by mass to 40% by mass, and still more preferably 0.1% by mass to 30% by mass.

<重合性化合物>
本発明において、重合性化合物は、少なくとも1個の重合性官能基を有する化合物である。
<Polymerizable compound>
In the present invention, a polymerizable compound is a compound having at least one polymerizable functional group.

本発明における重合性化合物としては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、カルビトール(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等が挙げられ、2個以上の重合性官能基を有する化合物が好ましく、2種以上を併用してもよい。 Polymerizable compounds in the present invention include, for example, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, carbitol (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, propylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, butylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexane glycol di(meth) Acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, glycerine di(meth)acrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, pentaerythritol Tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, etc., compounds having two or more polymerizable functional groups are preferred, You may use 2 or more types together.

本発明の感光性樹脂組成物における重合性化合物の含有割合としては、感光性樹脂組成物の全固形分100質量%に対して、3質量%~200質量%とすることが好ましく、より好ましくは5質量%~150質量%であり、さらに好ましくは10質量%~100質量%である。 The content of the polymerizable compound in the photosensitive resin composition of the present invention is preferably 3% by mass to 200% by mass, more preferably 100% by mass of the total solid content of the photosensitive resin composition. It is 5% by mass to 150% by mass, more preferably 10% by mass to 100% by mass.

本発明の感光性樹脂組成物は、上記成分および必要に応じて下記<その他成分>を混合して調製することができる。混合方法は特に限定されるものではなく、全成分を同時に混合しても良いし、各成分を順次溶解させても良い。溶解させる順序や作業条件は特に限定されず、公知の方法で調製することができる。 The photosensitive resin composition of the present invention can be prepared by mixing the above components and, if necessary, the following <other components>. The mixing method is not particularly limited, and all components may be mixed simultaneously, or each component may be dissolved sequentially. The order of dissolution and working conditions are not particularly limited, and can be prepared by a known method.

<その他成分>
本発明のレジスト用樹脂組成物および感光性樹脂組成物には、本発明の効果を損なわない限り、溶剤等のその他成分を添加することができる。溶剤は2種以上を併用してもよい。
<Other ingredients>
Other components such as solvents can be added to the resist resin composition and the photosensitive resin composition of the present invention as long as they do not impair the effects of the present invention. Two or more solvents may be used in combination.

溶剤としては、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、N,N-ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルなどを挙げることができる。 Examples of solvents include methyl alcohol, ethyl alcohol, ethyl acetate, butyl acetate, acetone, methyl ethyl ketone, N,N-dimethylformamide, tetrahydrofuran, benzene, toluene, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, propylene. Glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and the like can be mentioned.

<一般式(1)で示される有機過酸化物の合成>
一般式(1)で示される有機過酸化物は、例えば次の方法で合成することができる。下記式(2)で示される脂肪酸ハライドと1-シクロヘキシル-1-メチルエチルヒドロペルオキシドとをアルカリの存在下に反応させることにより合成することができる。
<Synthesis of Organic Peroxide Represented by General Formula (1)>
The organic peroxide represented by general formula (1) can be synthesized, for example, by the following method. It can be synthesized by reacting a fatty acid halide represented by the following formula (2) with 1-cyclohexyl-1-methylethyl hydroperoxide in the presence of an alkali.

(式(2)中、R~Rは、同一または異なって、それぞれ水素原子または炭素数1~10のアルキル基であり、Xは塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子のいずれかである。) (In formula (2), R 1 to R 3 are the same or different and each represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and X is either a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom. .)

上記反応に用いるアルカリは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機塩基或いはそれらの水溶液、又はピリジン等のアミン類である。また、合成に際してベンゼン、n-ヘキサン、ジオキサン等の溶媒存在下で反応を行なうことにより、反応時間の短縮或いは収率の向上を図ることができる。 The alkali used in the above reaction is an inorganic base such as potassium hydroxide or sodium hydroxide, an aqueous solution thereof, or an amine such as pyridine. Further, the reaction time can be shortened or the yield can be improved by carrying out the reaction in the presence of a solvent such as benzene, n-hexane, dioxane, etc. during the synthesis.

また、一般式(1)で示される有機過酸化物は、ヨードメトリーによる活性酸素の測定によってペルオキシド基の含有量(活性酸素量)を求めることができる。 In the organic peroxide represented by the general formula (1), the content of peroxide groups (the amount of active oxygen) can be determined by measuring the active oxygen by iodometry.

<レジスト用重合体の合成>
本発明のレジスト用樹脂組成物を重合させることにより、レジスト用重合体を得ることができる。重合は公知の方法で行うことができる。例えば、溶液重合、懸濁重合、乳化重合などが挙げられるが、レジスト用重合体の重量平均分子量を上記範囲内に調整しやすいという面で、溶液重合が好ましい。重合開始剤(C)ならびにモノマー(A)および(B)を投入するに際しては、例えば、全量を一括仕込みしても良いし、一部を一括仕込みして残りを滴下しても良いし、あるいは全量を滴下しても良い。発熱の制御しやすさから、一部を一括仕込みして残りを滴下するか、または全量を滴下するのが好ましい。
<Synthesis of polymer for resist>
A resist polymer can be obtained by polymerizing the resist resin composition of the present invention. Polymerization can be carried out by a known method. Examples thereof include solution polymerization, suspension polymerization, and emulsion polymerization, but solution polymerization is preferable in that the weight-average molecular weight of the resist polymer can be easily adjusted within the above range. When adding the polymerization initiator (C) and the monomers (A) and (B), for example, the entire amount may be charged at once, a part may be charged at once and the rest may be added dropwise, or You may drip the whole amount. From the viewpoint of easy control of heat generation, it is preferable to charge a part at once and drop the rest, or to drop the whole amount.

重合温度は、モノマー(A)および(B)の種類や重合溶媒の種類などに依存し、例えば、50℃~120℃である。重合時間は、重合開始剤(C)の半減期温度と重合温度に依存し、例えば、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシオクトエートを含む重合開始剤(C)では、90℃で7時間程度が適している。 The polymerization temperature depends on the types of monomers (A) and (B) and the type of polymerization solvent, and is, for example, 50°C to 120°C. The polymerization time depends on the half-life temperature of the polymerization initiator (C) and the polymerization temperature. time is suitable.

以上の重合反応を行なうことにより、レジスト用重合体が得られる。得られたレジスト用重合体は、そのまま用いてもよいし、重合反応後の反応液に、ろ取や精製を施して単離してもよい。 A resist polymer can be obtained by carrying out the above polymerization reaction. The obtained resist polymer may be used as it is, or may be isolated by filtering or purifying the reaction solution after the polymerization reaction.

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。 EXAMPLES The present invention will now be described more specifically with reference to examples and comparative examples.

(合成例1:1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオデカノエート(R=ヘキシル基、R=メチル基、R=メチル基)の合成)
攪拌器を備えた200mL4つロフラスコに35%水酸化カリウム水溶液283gを入れ、攪拌下液温を20℃に保ちながら、95%1-シクロへキシル-1-メチルエチルヒドロペルオキシド17.9gとヘキサン10gの混合物を添加した。更に攪拌下、液温を20℃に保ちつつネオデカン酸クロライド19.1gを10分間で滴下した。液温を20℃に保ちつつ3時間攪拌を続けた後、冷水20gを加え更に5分間攪拌した。水相を分離し、有機相を5%水酸化ナトリウム水溶液20gで洗浄した後、水で3回洗浄した。この溶液(有機相)を無水硫酸マグネシウム上で乾燥後、真空下ヘキサンを除去した結果、無色液体の目的物24.1gを得た。その活性酸素量は4.83%であり、計算により純度94%であった。
(Synthesis Example 1: Synthesis of 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate (R 1 =hexyl group, R 2 =methyl group, R 3 =methyl group))
283 g of a 35% potassium hydroxide aqueous solution was placed in a 200 mL four-necked flask equipped with a stirrer, and while the liquid temperature was maintained at 20° C. under stirring, 17.9 g of 95% 1-cyclohexyl-1-methylethylhydroperoxide and 10 g of hexane were added. was added. Further, 19.1 g of neodecanoyl chloride was added dropwise over 10 minutes while the liquid temperature was maintained at 20° C. while stirring. After continuing stirring for 3 hours while maintaining the liquid temperature at 20° C., 20 g of cold water was added and further stirred for 5 minutes. The aqueous phase was separated, and the organic phase was washed with 20 g of 5% aqueous sodium hydroxide solution and then with water three times. After drying this solution (organic phase) over anhydrous magnesium sulfate, hexane was removed under vacuum to obtain 24.1 g of the desired product as a colorless liquid. The amount of active oxygen was 4.83%, and the calculated purity was 94%.

更にベンゼンを溶媒として熱分解速度を測定した(濃度:0.1mol/L)。その結果、この有機過酸化物の10時間半減期温度(T10)は41.4℃であった。 Furthermore, the thermal decomposition rate was measured using benzene as a solvent (concentration: 0.1 mol/L). As a result, the 10-hour half-life temperature ( T10 ) of this organic peroxide was 41.4°C.

(合成例2:1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシピバレート(R=メチル基、R=メチル基、R=メチル基)の合成)
脂肪酸ハライドとしてピバリン酸クロライドを用いた以外は合成例1と同様にして合成を行ない、無色液体の目的物を得た。その活性酸素量は6.21%であり、計算により純度94%であった。
(Synthesis Example 2: Synthesis of 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxypivalate (R 1 = methyl group, R 2 = methyl group, R 3 = methyl group))
Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 except that pivalic acid chloride was used as the fatty acid halide to obtain a colorless liquid target product. The amount of active oxygen was 6.21%, and the purity was 94% by calculation.

更に合成例1と同様の方法で、熱分解速度を測定した。その結果、10時間半減期温度は49.1℃であった。 Further, the thermal decomposition rate was measured in the same manner as in Synthesis Example 1. As a result, the 10-hour half-life temperature was 49.1°C.

(合成例3:1-シクロヘキシル-1-メチルエチルペルオキシネオヘキサノエート(R=エチル基、R=メチル基、R=メチル基)の合成)
脂肪酸ハライドとしてネオヘキサン酸クロライドを用いた以外は合成例1と同様にして合成を行ない、無色液体の目的物を得た。その活性酸素量は5.80%であり、計算により純度93%であった。
(Synthesis Example 3: Synthesis of 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneohexanoate (R 1 =ethyl group, R 2 =methyl group, R 3 =methyl group))
Synthesis was carried out in the same manner as in Synthesis Example 1 except that neohexanoyl chloride was used as the fatty acid halide to obtain a colorless liquid desired product. The amount of active oxygen was 5.80%, and the purity was 93% by calculation.

更に合成例1と同様の方法で、熱分解速度を測定した。その結果、10時間半減期温度は46.2℃であった。 Further, the thermal decomposition rate was measured in the same manner as in Synthesis Example 1. As a result, the 10-hour half-life temperature was 46.2°C.

(重合例1)
300mLビーカーを用い、メタクリル酸(製品名:MAA、株式会社クラレ製)28.4g、メタクリル酸メチル(製品名:MMAモノマー、株式会社クラレ製)66.0g、メタクリル酸シクロヘキシル(製品名:ブレンマーCHMA、日油株式会社製)166.3g、N-シクロヘキシルマレイミド(製品名:イミレックスC、日本触媒株式会社製)39.3g、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル(製品名:MMPGAC、ダイセル株式会社製)50gを混合した後氷冷し、1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオデカノエート(合成例1)24.0gを加えて、「レジスト用樹脂組成物」を得た。
(Polymerization example 1)
Using a 300 mL beaker, methacrylic acid (product name: MAA, manufactured by Kuraray Co., Ltd.) 28.4 g, methyl methacrylate (product name: MMA monomer, manufactured by Kuraray Co., Ltd.) 66.0 g, cyclohexyl methacrylate (product name: Blenmer CHMA , manufactured by NOF Corporation) 166.3 g, N-cyclohexylmaleimide (product name: Imirex C, manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd.) 39.3 g, propylene glycol monomethyl ether acetate (product name: MMPGAC, manufactured by Daicel Corporation) 50 g After mixing, the mixture was cooled with ice, and 24.0 g of 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneodecanoate (Synthesis Example 1) was added to obtain a "resist resin composition."

続いて撹拌機、温度計、冷却器、滴下ロート及び窒素導入管を取り付けた1Lセパラブルフラスコに、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル550.0gを仕込み、フラスコ内を窒素置換して、窒素雰囲気下にした。反応容器内を67℃まで昇温し、上記で得たレジスト用樹脂組成物を3時間かけて滴下し、その後67℃で3時間反応させることでレジスト用重合体P1を得た。 Subsequently, 550.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was charged into a 1 L separable flask equipped with a stirrer, thermometer, condenser, dropping funnel and nitrogen inlet tube, and the inside of the flask was replaced with nitrogen to create a nitrogen atmosphere. . The inside of the reaction vessel was heated to 67° C., the resist resin composition obtained above was added dropwise over 3 hours, and then reacted at 67° C. for 3 hours to obtain a resist polymer P1.

(重合例2)
重合開始剤として1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシピバレート(合成例2)15.0gを用い、重合温度を80℃としたこと以外は重合例1と同様の手法でレジスト用重合体P2を得た。
(Polymerization example 2)
A resist polymer was prepared in the same manner as in Polymerization Example 1 except that 15.0 g of 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxypivalate (Synthesis Example 2) was used as a polymerization initiator and the polymerization temperature was 80°C. P2 was obtained.

(重合例3)
重合開始剤として1-シクロへキシル-1-メチルエチルペルオキシネオヘキサノエート(合成例3)30.0gを用い、重合温度を75℃としたこと以外は重合例1と同様の手法でレジスト用重合体P3を得た。
(Polymerization Example 3)
A resist was prepared in the same manner as in Polymerization Example 1 except that 30.0 g of 1-cyclohexyl-1-methylethylperoxyneohexanoate (Synthesis Example 3) was used as a polymerization initiator and the polymerization temperature was 75°C. Polymer P3 was obtained.

(重合例4)
モノマー(A)をメタクリル酸38.7g、モノマー(B)をメタクリル酸メチル105.1gおよびスチレン(製品名:NSスチレン、NSスチレンモノマー株式会社製)156.2gに変更したこと以外は重合例1と同様の手法でレジスト用重合体P4を得た。
(Polymerization Example 4)
Polymerization Example 1 except that the monomer (A) was changed to 38.7 g of methacrylic acid, and the monomer (B) was changed to 105.1 g of methyl methacrylate and 156.2 g of styrene (product name: NS styrene, manufactured by NS Styrene Monomer Co., Ltd.). A resist polymer P4 was obtained in the same manner as above.

(重合例5)
モノマー(A)をメタクリル酸39.5g、モノマー(B)をメタクリル酸メチル260.5gに、開始剤量を36.0gに変更したこと以外は重合例1と同様の手法でレジスト用重合体P5を得た。
(Polymerization Example 5)
Resist polymer P5 was prepared in the same manner as in Polymerization Example 1 except that the monomer (A) was changed to 39.5 g of methacrylic acid, the monomer (B) was changed to 260.5 g of methyl methacrylate, and the amount of the initiator was changed to 36.0 g. got

(重合例6)
重合開始剤として2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル(製品名:V-65、富士フィルム和光純薬株式会社製)18.0gを用い、重合温度を75℃としたこと以外は重合例1と同様の手法でレジスト用重合体P6を得た。
(Polymerization Example 6)
Except that 18.0 g of 2,2'-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile (product name: V-65, manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used as a polymerization initiator, and the polymerization temperature was 75 ° C. obtained a resist polymer P6 in the same manner as in Polymerization Example 1.

(重合例7)
重合開始剤としてtert-ブチルペルオキシネオデカノエート(製品名:パーブチルND、日油株式会社製)を用い、重合温度を75℃としたこと以外は重合例1と同様の手法でレジスト用重合体P7を得た。
(Polymerization Example 7)
A resist polymer was produced in the same manner as in Polymerization Example 1 except that tert-butyl peroxyneodecanoate (product name: Perbutyl ND, manufactured by NOF Corporation) was used as a polymerization initiator and the polymerization temperature was 75 ° C. P7 was obtained.

(重合例8)
重合開始剤としてビス-4-tert-ブチルシクロヘキシルペルオキシジカーボネート(製品名:パーロイルTCP、日油株式会社製)を用い、重合温度を65℃としたこと以外は重合例1と同様の手法でレジスト用重合体P8を得た。
(Polymerization Example 8)
Bis-4-tert-butylcyclohexylperoxydicarbonate (product name: Perloyl TCP, manufactured by NOF Corporation) was used as a polymerization initiator, and the polymerization temperature was set to 65 ° C. The resist was prepared in the same manner as in Polymerization Example 1. A polymer P8 was obtained.

(実施例1~5および比較例1~3:感光性樹脂組成物の調製)
重合例1~8で得られたレジスト用重合体10gに、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(共栄社化学株式会社製「ライトアクリレートDPE-6A」)1.5g、光重合開始剤(ビーエーエスエフ製「イルガキュア907」)0.5g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート40gを混合し、孔径0.5μmのフィルターを通過させ、感光性樹脂組成物を調製した。
(Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3: Preparation of photosensitive resin composition)
To 10 g of the resist polymer obtained in Polymerization Examples 1 to 8, 1.5 g of dipentaerythritol hexaacrylate (“Light Acrylate DPE-6A” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), a photopolymerization initiator (“Irgacure 907” manufactured by BASF ”) and 40 g of propylene glycol monomethyl ether acetate were mixed and passed through a filter with a pore size of 0.5 μm to prepare a photosensitive resin composition.

〔レジスト用重合体の重量平均分子量および分散度の測定〕
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用いて以下の条件により、レジスト用重合体P1~P8の重量平均分子量(Mw)および分散度(Mw/Mn)を求めた。
装置:東ソー(株)社製、HLC-8220
カラム:shodex社製、LF-804
標準物質:ポリスチレン
溶離液:THF(テトラヒドロフラン)
流量:1.0mL/min
カラム温度:40℃
検出器:RI(示差屈折率検出器)
[Measurement of Weight Average Molecular Weight and Dispersity of Resist Polymer]
Using gel permeation chromatography (GPC), the weight-average molecular weight (Mw) and dispersity (Mw/Mn) of the resist polymers P1 to P8 were determined under the following conditions.
Apparatus: HLC-8220 manufactured by Tosoh Corporation
Column: Shodex, LF-804
Standard material: Polystyrene Eluent: THF (tetrahydrofuran)
Flow rate: 1.0 mL/min
Column temperature: 40°C
Detector: RI (differential refractive index detector)

〔現像性の評価〕
調製した感光性樹脂組成物10gにプロピレングリコールモノメチルエーテル10gを混合した希釈溶液をシリコンウエハにスピンコートし、120℃で乾燥させ、膜厚5μmの樹脂膜を得た。このシリコンウエハを2.4%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に1分間浸漬した。浸漬後のシリコンウエハを目視にて観察し、樹脂膜の残存の有無を評価した。30秒未満で樹脂膜が溶解する場合を○、溶解に30秒以上かかる場合を×とした。
[Evaluation of developability]
A diluted solution obtained by mixing 10 g of the prepared photosensitive resin composition with 10 g of propylene glycol monomethyl ether was spin-coated on a silicon wafer and dried at 120° C. to obtain a resin film having a thickness of 5 μm. This silicon wafer was immersed in a 2.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 1 minute. The silicon wafer after immersion was visually observed to evaluate whether or not the resin film remained. The case where the resin film dissolved in less than 30 seconds was evaluated as ◯, and the case where the dissolution took 30 seconds or longer was evaluated as X.

〔硬化膜の作製〕
調製した感光性樹脂組成物をガラス基板上にスピンコートにより塗布し、90℃で2分乾燥して感光性樹脂組成物層を形成した。得られた塗膜に超高圧水銀ランプにてマスクを介して200mJ/cmの強度で紫外線を照射した。照射後、0.4%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に1分間浸漬し、水洗後、230℃で1時間硬化して膜厚3μmの硬化膜を作製した。
[Preparation of cured film]
The prepared photosensitive resin composition was applied onto a glass substrate by spin coating and dried at 90° C. for 2 minutes to form a photosensitive resin composition layer. The resulting coating film was irradiated with ultraviolet rays at an intensity of 200 mJ/cm 2 through a mask using an ultra-high pressure mercury lamp. After the irradiation, the film was immersed in a 0.4% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution for 1 minute, washed with water, and cured at 230° C. for 1 hour to prepare a cured film having a thickness of 3 μm.

〔耐熱性の評価〕
作製した硬化膜を250℃で1時間加熱し、加熱前後の膜厚を測定した。以下のように膜厚変化率を定義し、膜厚変化率が5%未満のものを◎、5%以上8%未満のものを〇、8%以上10%未満のものを△、10%以上のものを×とした。
膜厚変化率(%)=100-[{加熱後の膜厚(μm)/加熱前の膜厚(μm)}×100]
[Evaluation of heat resistance]
The prepared cured film was heated at 250° C. for 1 hour, and the film thickness before and after heating was measured. The film thickness change rate is defined as follows. ◎ indicates that the film thickness change rate is less than 5%, O indicates that it is 5% or more and less than 8%, △ indicates that it is 8% or more and less than 10%, 10% or more The one with was set to x.
Film thickness change rate (%) = 100 - [{film thickness after heating (μm) / film thickness before heating (μm)} × 100]

〔耐薬品性の評価〕
作製した硬化膜を60℃で15分間N-メチルピロリドン(NMP)に浸漬させ、浸漬前後の膜厚を測定した。以下のように膜厚変化率を定義し、膜厚変化率が2%未満のものを◎、2%以上5%未満のものを〇、5%以上8%未満のものを△、8%以上のものを×とした。
膜厚変化率(%)=100-[{浸漬後の膜厚(μm)/浸漬前の膜厚(μm)}×100]
[Evaluation of chemical resistance]
The prepared cured film was immersed in N-methylpyrrolidone (NMP) at 60° C. for 15 minutes, and the film thickness was measured before and after the immersion. The film thickness change rate is defined as follows. ◎ indicates that the film thickness change rate is less than 2%, O indicates that it is 2% or more and less than 5%, △ indicates that it is 5% or more and less than 8%, and 8% or more. The one with was set to x.
Film thickness change rate (%) = 100 - [{film thickness after immersion (μm) / film thickness before immersion (μm)} × 100]

Figure 0007318570000004
Figure 0007318570000004

Figure 0007318570000005
Figure 0007318570000005

なお、表1および2中、モノマー(A)および(B)、ならびに重合開始剤(C)の配合量は、全モノマー成分100質量%に対する質量%で示される。 In Tables 1 and 2, the blending amounts of the monomers (A) and (B) and the polymerization initiator (C) are shown in mass % with respect to 100 mass % of all monomer components.

実施例1~5では、耐熱性および耐薬品性に優れた硬化膜を得ることができた。
一方、比較例1~3では、重合開始剤としてアゾ系の開始剤を、比較例2では、重合開始剤としてパーオキシエステル型の有機過酸化物を、および比較例3では、重合開始剤としてジカーボネート型の有機過酸化物を用いたため(本発明における一般式(1)で示される有機過酸化物を用いなかったため)、いずれも耐熱性および耐薬品性に劣る硬化膜しか得ることができなかった。
In Examples 1 to 5, cured films having excellent heat resistance and chemical resistance could be obtained.
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 3, an azo initiator was used as the polymerization initiator, in Comparative Example 2, a peroxy ester type organic peroxide was used as the polymerization initiator, and in Comparative Example 3, the polymerization initiator was Since a dicarbonate-type organic peroxide was used (because the organic peroxide represented by the general formula (1) in the present invention was not used), only cured films having poor heat resistance and chemical resistance could be obtained. I didn't.

本発明によれば、耐薬品性および耐熱性に優れる樹脂膜を与えるレジスト用樹脂組成物および感光性樹脂組成物を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a resist resin composition and a photosensitive resin composition that provide a resin film having excellent chemical resistance and heat resistance.

Claims (1)

不飽和塩基酸モノマー(A)、該不飽和塩基酸モノマー(A)と共重合可能なモノマー(B)、及び重合開始剤(C)を含むレジスト用樹脂組成物から得られる樹脂、光重合開始剤、及び重合性化合物を含有し、該重合開始剤(C)が下記一般式(1)で示される有機過酸化物を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物

(式(1)中、R ~R は、同一または異なって、それぞれ水素原子または炭素数1~10のアルキル基を示す。)
Resin obtained from a resist resin composition containing an unsaturated basic acid monomer (A), a monomer (B) copolymerizable with the unsaturated basic acid monomer (A), and a polymerization initiator (C), photopolymerization initiation and a polymerizable compound , wherein the polymerization initiator (C) comprises an organic peroxide represented by the following general formula (1) :

(In formula (1), R 1 to R 3 are the same or different and each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.).
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001002717A (en) 1999-06-22 2001-01-09 Mitsubishi Rayon Co Ltd Production of copolymer for chemical magnification type resist
JP2001255699A (en) 2000-03-08 2001-09-21 Canon Inc Toner and method of manufacturing nonmagnetic toner particle
WO2004035641A1 (en) 2002-10-18 2004-04-29 Daikin Industries, Ltd. Process for production of fluoropolymers and photoresist composition
JP2010024229A (en) 2008-06-20 2010-02-04 Showa Denko Kk (meth)acryloyloxy group-containing cage-like silsesquioxane compound, and method for producing the same
JP2011064768A (en) 2009-09-15 2011-03-31 Canon Inc Toner

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3116365B2 (en) * 1990-10-25 2000-12-11 日本油脂株式会社 New organic peroxide
JPH07216007A (en) * 1994-02-02 1995-08-15 Kuraray Co Ltd Production of methacrylic resin

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001002717A (en) 1999-06-22 2001-01-09 Mitsubishi Rayon Co Ltd Production of copolymer for chemical magnification type resist
JP2001255699A (en) 2000-03-08 2001-09-21 Canon Inc Toner and method of manufacturing nonmagnetic toner particle
WO2004035641A1 (en) 2002-10-18 2004-04-29 Daikin Industries, Ltd. Process for production of fluoropolymers and photoresist composition
JP2010024229A (en) 2008-06-20 2010-02-04 Showa Denko Kk (meth)acryloyloxy group-containing cage-like silsesquioxane compound, and method for producing the same
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