JP7316150B2 - パターン形成方法およびその方法を含んだ半導体の製造方法 - Google Patents
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Description
20 下層膜
30 ヘミセルロース膜
40 シリコン含有膜
50 レジスト膜
W 半導体ウェハー
Claims (8)
- 基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
基板上に酸素原子を含有するポリマーを含む樹脂膜を塗布形成する第1成膜工程と、
前記樹脂膜上にシリコン含有膜を形成する第2成膜工程と、
前記シリコン含有膜上にレジスト膜を塗布形成する第3成膜工程と、
前記レジスト膜に所定のパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記レジスト膜をマスクとしてエッチングにより前記パターンを前記シリコン含有膜に転写する第1エッチング工程と、
前記シリコン含有膜をマスクとしてエッチングにより前記パターンを前記樹脂膜に転写する第2エッチング工程と、
金属原子を含むガス中にて前記パターンが転写された前記樹脂膜の表面に金属を含浸させる含浸工程と、
を備え、
前記含浸工程は、前記金属原子を含むガス中にて前記基板を加熱する第1加熱工程を含み、
前記含浸工程の後に、前記樹脂膜を所定温度以上に1秒以下加熱する第2加熱工程をさらに備えることを特徴とするパターン形成方法。 - 基板上にパターンを形成するパターン形成方法であって、
基板上に酸素原子を含有するポリマーを含む樹脂膜を塗布形成する第1成膜工程と、
前記樹脂膜上にシリコン含有膜を形成する第2成膜工程と、
前記シリコン含有膜上にレジスト膜を塗布形成する第3成膜工程と、
前記レジスト膜に所定のパターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、
前記レジスト膜をマスクとしてエッチングにより前記パターンを前記シリコン含有膜に転写する第1エッチング工程と、
前記シリコン含有膜をマスクとしてエッチングにより前記パターンを前記樹脂膜に転写するとともに、前記シリコン含有膜を除去して前記樹脂膜の表面を露出させる第2エッチング工程と、
金属原子を含むガス中にて前記パターンが転写された前記樹脂膜の表面に金属を含浸させる含浸工程と、
を備えることを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1記載のパターン形成方法において、
前記第2加熱工程では、前記樹脂膜にフラッシュ光またはレーザー光を照射することを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載のパターン形成方法において、
前記フォトリソグラフィ工程は、
露光によって前記パターンを前記レジスト膜に焼き付ける露光工程と、
現像によって前記パターンを前記レジスト膜に形成する現像工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載のパターン形成方法において、
前記ポリマーの酸素原子含有率は、前記ポリマーの全質量に対して20質量%以上であることを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項5記載のパターン形成方法において、
前記ポリマーは糖誘導体に由来する単位を含んでいることを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項6記載のパターン形成方法において、
前記ポリマーはヘミセルロースであることを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載のパターン形成方法を含んでいる半導体の製造方法。
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