JP7314021B2 - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気共鳴イメージング装置に関する。

磁気共鳴イメージング（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｉｍａｇｉｎｇ：ＭＲＩ）装置は、磁気共鳴画像を得るため、高周波磁場であるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パルスを被検体の撮影部位に照射する。このＲＦパルスは、被検体の生体組織に吸収され、被検体の体温を上昇させる。被検体の生体組織に吸収されるＲＦパルスのエネルギーの指標はＳＡＲ（Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｒａｔｅ：比吸収率）と呼ばれる。

ＳＡＲの値は、ＩＥＣ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ）による規格などによって定められた上限値として制限されている。よって、従来のＭＲＩ装置では、周辺温度にかかわらず、ＳＡＲの上限値よりも十分に低いインタロック値が設定されている。

ＩＥＣ ６０６０１－２－３３：Ｍｅｄｉｃａｌ ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ － Ｐａｒｔ ２－３３： Ｐａｒｔｉｃｕｌａｒ ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ ｆｏｒ ｔｈｅ ｂａｓｉｃ ｓａｆｅｔｙ ａｎｄ ｅｓｓｅｎｔｉａｌ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｏｒ ｍｅｄｉｃａｌ ｄｉａｇｎｏｓｉｓ

本発明が解決しようとする課題は、周辺温度に応じてＳＡＲに関するインタロック値を決定することである。

実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、取得部と、決定部とを備える。取得部は、磁気共鳴イメージング検査に関する周辺温度を取得する。決定部は、周辺温度に応じてＳＡＲのインタロック値を決定する。

図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置の構成例を示す図。 図２は、第１の実施形態において、温度とインタロック値との関係を例示するグラフ。 図３は、第１の実施形態において、温度とインタロック値との関係を例示するグラフ。 図４は、第１の実施形態における処理回路にて実行される処理を例示するフローチャート。 図５は、第１の実施形態における処理回路にて実行される別の処理を例示するフローチャート。 図６は、第２の実施形態に係るＭＲＩ装置の処理回路の構成例を示す図。 図７は、第２の実施形態における処理回路にて実行される処理を例示するフローチャート。

以下、図面を参照しながら、磁気共鳴イメージング装置の実施形態について、詳細に説明する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るＭＲＩ装置の構成例を示す図である。例えば、図１に示すように、一実施形態に係るＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１０１と、傾斜磁場コイル１０３と、傾斜磁場電源１０５と、寝台１０７と、寝台制御回路１０９と、送信回路１１３と、送信コイル１１５と、受信コイル１１７と、受信回路１１９と、撮像制御回路１２１と、インタフェース１２３と、ディスプレイ１２５と、記憶装置１２７と、温度センサ１２９と、処理回路１３１とを備える。尚、ＭＲＩ装置１００は、静磁場磁石１０１と傾斜磁場コイル１０３との間に、中空の円筒形状のシムコイルを有していてもよい。

静磁場磁石１０１は、例えば中空の略円筒形状に形成された磁石である。静磁場磁石１０１は、被検体Ｐが挿入される空間であるボア１１１に一様な静磁場を発生する。静磁場磁石１０１としては、例えば、超伝導磁石などが使用される。

傾斜磁場コイル１０３は、例えば中空の略円筒形状に形成されたコイルである。傾斜磁場コイル１０３は、静磁場磁石１０１の内側に配置される。傾斜磁場コイル１０３は、互いに直交するＸ、Ｙ、Ｚの各軸に対応する３つのコイルが組み合わされて形成される。Ｚ軸方向は、静磁場の方向と同方向であるとする。また、Ｙ軸方向は、鉛直方向とし、Ｘ軸方向は、Ｚ軸およびＹ軸に垂直な方向とする。傾斜磁場コイル１０３は、静磁場に重畳させる傾斜磁場を発生する。具体的には、傾斜磁場コイル１０３における３つのコイルは、傾斜磁場電源１０５から個別に電流供給を受けて、Ｘ、Ｙ、Ｚの各軸に沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生させる。

傾斜磁場コイル１０３によって発生するＸ、Ｙ、Ｚ各軸の傾斜磁場は、例えば、周波数エンコード用傾斜磁場（リードアウト傾斜磁場ともいう）、位相エンコード用傾斜磁場、およびスライス選択用傾斜磁場を形成する。周波数エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じて磁気共鳴（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ：以下、ＭＲと呼ぶ）信号の周波数を変化させるために利用される。位相エンコード用傾斜磁場は、空間的位置に応じてＭＲ信号の位相を変化させるために利用される。スライス選択用傾斜磁場は、撮像断面を決めるために利用される。

傾斜磁場電源１０５は、撮像制御回路１２１の制御により、傾斜磁場コイル１０３に電流を供給する電源装置である。

寝台１０７は、被検体Ｐが載置される天板１０７ａを備えた装置である。寝台１０７は、寝台制御回路１０９による制御のもと、被検体Ｐが載置された天板１０７ａを、ボア１１１内へ挿入する。寝台１０７は、例えば、長手方向が静磁場磁石１０１の中心軸と平行になるように、ＭＲＩ装置１００が設置された検査室内に設置される。検査室には、例えば電波シールドや磁気シールドが設けられることからシールドルームとも称される。

寝台制御回路１０９は、寝台１０７を制御する回路である。寝台制御回路１０９は、インタフェース１２３を介したユーザの指示により寝台１０７を駆動することで、天板１０７ａを長手方向および上下方向、場合によっては左右方向へ移動させる。

送信回路１１３は、撮像制御回路１２１の制御により、ラーモア周波数などに対応する高周波パルスを送信コイル１１５に供給する。

送信コイル１１５は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置されたＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）コイルである。送信コイル１１５は、送信回路１１３から高周波パルスの供給を受けて、高周波磁場を発生する。送信コイルは、例えば、全身用コイル（ｗｈｏｌｅ ｂｏｄｙ ｃｏｉｌ：ＷＢコイル）である。ＷＢコイルは、送受信コイルとして使用されてもよい。

受信コイル１１７は、傾斜磁場コイル１０３の内側に配置されたＲＦコイルである。受信コイル１１７は、高周波磁場によって被検体Ｐから放射されたＭＲ信号を受信する。受信コイル１１７は、受信されたＭＲ信号を受信回路１１９へ出力する。受信コイル１１７は、例えば、１以上のコイルであり、典型的には複数のコイルエレメントを有するコイルアレイである。なお、図１において送信コイル１１５と受信コイル１１７とは別個のＲＦコイルとして記載されているが、送信コイル１１５と受信コイル１１７とは、一体化された送受信コイルとして実施されてもよい。送受信コイルは、例えば、頭部コイルのような局所的な送受信ＲＦコイルである。

受信回路１１９は、撮像制御回路１２１の制御により、受信コイル１１７から出力されたＭＲ信号に基づいて、デジタル化された複素数データであるデジタルのＭＲ信号を生成する。具体的には、受信回路１１９は、受信コイル１１７から出力されたＭＲ信号に対して各種信号処理を施した後、各種信号処理が施されたデータに対してアナログ／デジタル（Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌ））変換を実行する。受信回路１１９は、Ａ／Ｄ変換されたデータを標本化（サンプリング）することにより、デジタルのＭＲ信号（以下、ＭＲデータと呼ぶ）を生成する。受信回路１１９は、生成されたＭＲデータを、撮像制御回路１２１に出力する。

撮像制御回路１２１は、処理回路１３１から出力された撮像プロトコルに従って、傾斜磁場電源１０５、送信回路１１３および受信回路１１９などを制御し、被検体Ｐに対する撮像を行う。撮像プロトコルは、検査に応じた各種パルスシーケンスを有する。撮像プロトコルには、傾斜磁場電源１０５により傾斜磁場コイル１０３に供給される電流の大きさ、傾斜磁場電源１０５により電流が傾斜磁場コイル１０３に供給されるタイミング、送信回路１１３により送信コイル１１５に供給される高周波パルスの大きさ、送信回路１１３により送信コイル１１５に高周波パルスが供給されるタイミング、受信コイル１１７によりＭＲ信号が受信されるタイミングなどが予め設定されている。撮像制御回路１２１は、撮像部の一例である。

インタフェース１２３は、ユーザからの各種指示や情報入力を受け付ける回路を有する。インタフェース１２３は、例えば、マウスなどのポインティングデバイス、あるいはキーボードなどの入力デバイスに関する回路を有する。なお、インタフェース１２３が有する回路は、マウス、キーボードなどの物理的な操作部品に関する回路に限定されない。例えば、インタフェース１２３は、ＭＲＩ装置１００とは別体に設けられた外部の入力機器から入力操作に対応する電気信号を受け取り、受け取った電気信号を種々の回路へ出力するような電気信号の処理回路を有していてもよい。

ディスプレイ１２５は、後述する処理回路１３１におけるシステム制御機能１３１ａによる制御のもとで、画像生成機能１３１ｂにより生成された各種ＭＲ画像、撮像および画像処理に関する各種情報などを表示する。ディスプレイ１２５は、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、プラズマディスプレイ、または当技術分野で知られている他の任意のディスプレイ、モニタなどの表示デバイスである。

記憶装置１２７は、画像生成機能１３１ｂを介してｋ空間に充填されたＭＲデータ、画像生成機能１３１ｂにより生成された画像データなどを記憶する。記憶装置１２７は、各種撮像プロトコル、撮像プロトコルを規定する複数の撮像パラメータを含む撮像条件などを記憶する。撮像条件は、例えば、撮像部位およびシーケンス種などを含む。撮像部位は、例えば、頭、心臓、脊椎（例えば胸腰椎および全脊椎など）、関節（肩、膝、手および足など）である。シーケンス種は、例えば、スピンエコー（Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法、グラディエントエコー（Ｇｒａｄｉｅｎｔ Ｅｃｈｏ）法、高速スピンエコー法、高速グラディエントエコー法、Ｅｃｈｏ Ｐｌａｎａｒ Ｉｍａｇｉｎｇ（ＥＰＩ）などである。記憶装置１２７は、処理回路１３１で実行される各種機能に対応するプログラムを記憶する。

また、記憶装置１２７は、後述するＭＲＩ検査に関する温度と、ＭＲＩ装置１００のインタロック値との関係を示す対応表を記憶する。インタロック値として、例えばＳＡＲの値（Ｗ／ｋｇ）が用いられる。ＳＡＲの値として、例えば全身ＳＡＲに関する値が用いられてもよいし、例えば頭部および身体部分などの人体の任意の部分のＳＡＲに関する値が用いられてもよい。さらに例えば、ＳＡＲの値が上昇しやすい特定の位置または領域のＳＡＲに関する値が用いられてもよい。また、インタロック値として、ＳＡＲに関連のある撮像パラメータ（例えば、ＳＡＲの値に基づくＲＦパルスに関するパラメータなど）を設定するための上限値（以下、設定上限値と呼ぶ）が用いられてもよい。インタロック値が設定上限値である場合、対応表は、温度と設定上限値とが対応付けられる。尚、対応表として、ルックアップテーブル（Ｌｏｏｋ Ｕｐ Ｔａｂｌｅ）が用いられてもよい。また、記憶装置１２７は、対応表の代わりに、温度を変数としてインタロック値を決定する関数を示す計算式を記憶してもよい。また、本明細書において、「ＳＡＲに関するインタロック値」は、「ＳＡＲのインタロック値」に読み替えてられてもよい。

また、ＳＡＲの値は、予測値および実測値のいずれでもよい。予測値は、例えばパルスシーケンスの情報に基づいて処理回路１３１により算出される値である。具体的には、あるプロトコルにおけるシーケンス毎のＳＡＲの合計を平均したプロトコル平均がある。また、実測値は、例えば送信回路１１３から送信コイル１１５（例えば、ＷＢコイル）に出力された高周波パルスのうち、ＷＢコイルの出力端で反射された反射波に基づいて算出される値である。具体的には、１０秒平均の値、６分平均の値、およびリアルタイムで算出された値を任意の時間長（例えば、１０秒および６分など）で平均した値が用いられてもよい。

図２は、第１の実施形態において、温度とインタロック値との関係を例示するグラフである。図２に示すように、グラフ２００の横軸は温度Ｔ［℃］を表し、グラフ２００の縦軸はインタロック値ＩＬ［Ｗ／ｋｇ］を表す。グラフ２００は、例えば、温度Ｔ_０から温度Ｔ_２までの間において、インタロック値ＩＬ_３からインタロック値ＩＬ_１まで略線形に減少する。そして、グラフ２００は、温度Ｔ_２以上の場合、インタロック値ＩＬ_１で一定となる。尚、温度Ｔ_０から温度Ｔ_２までの間に温度Ｔ_１が設定される場合、グラフ２００は、温度Ｔ_０から温度Ｔ_１まで間におけるインタロック値の変化量の割合と、温度Ｔ_１から温度Ｔ_２までの間におけるインタロック値の変化量の割合とをそれぞれ異ならせてもよい。

換言すると、グラフ２００は、任意の温度以下の範囲において、インタロック値が温度に依存して変化するグラフである。具体的には、グラフ２００では、任意の温度以下の範囲において、温度の低下に伴って、インタロック値が上昇する。

以下、グラフ２００の横軸および縦軸の数値を具体的に示して説明する。グラフ２００は、例えば横軸の値を｛Ｔ_０，Ｔ_１，Ｔ_２｝＝｛２０，２５，３２｝とし、縦軸の値を｛ＩＬ_０，ＩＬ_１，ＩＬ_２，ＩＬ_３｝＝｛０，２．０，４．０，５．４｝とする。グラフ２００は、２０℃から３２℃までの間において、５．４Ｗ／ｋｇから２．０Ｗ／ｋｇまで略線形に減少する。具体的には、グラフ２００は、２０℃から２５℃までの間において、５．４Ｗ／ｋｇから４．０Ｗ／ｋｇまで線形に減少し、２５℃から３２℃までの間において、４．０Ｗ／ｋｇから２．０Ｗ／ｋｇまで線形に減少する。そして、グラフ２００は、３２℃以上の場合、２．０Ｗ／ｋｇで一定となる。尚、グラフ２００は、Ｔ_０以下について、Ｔ_０からＴ_１までの線形関係を維持したグラフが続いてもよい。

換言すると、グラフ２００は、２５℃以下の範囲において、インタロック値が温度に依存して変化するグラフである。または、グラフ２００は、２５℃以下の範囲において、温度の低下に伴って、インタロック値が上昇するグラフである。または、グラフ２００は、２５℃以下の範囲において、温度の低下に比例して、インタロック値が上昇するグラフである。

図３は、第１の実施形態において、温度とインタロック値との関係を例示するグラフである。図３に示すように、グラフ３００の横軸は温度［℃］を表し、グラフ３００の縦軸はインタロック値［Ｗ／ｋｇ］を表す。グラフ３００は、温度Ｔ_０から温度Ｔ_１までの間におけるインタロック値が線形に変化していない点において、グラフ２００と異なる。グラフ３００は、例えば、温度Ｔ_０から温度Ｔ_１までの間において、インタロック値ＩＬ_４からインタロック値ＩＬ_２まで上に凸の曲線である。

なお、記憶装置１２７に記憶される対応表は、例えば図２のグラフまたは図３のグラフに基づいて作成されてもよい。または、記憶装置１２７に記憶される計算式は、例えば図２のグラフまたは図３のグラフを満たすように定式化されてもよい。

記憶装置１２７は、例えば、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリなどの半導体メモリ素子、ハードディスクドライブ（ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ）、ソリッドステートドライブ（ｓｏｌｉｄ ｓｔａｔｅ ｄｒｉｖｅ）、光ディスクなどである。また、記憶装置１２７は、ＣＤ－ＲＯＭドライブやＤＶＤドライブ、フラッシュメモリなどの可搬性記憶媒体との間で種々の情報を読み書きする駆動装置などであってもよい。

温度センサ１２９は、例えば温度を計測する温度計である。温度センサ１２９は、ＭＲＩ検査に関する温度を計測する。温度センサ１２９は、計測した温度を温度情報として処理回路１３１へと出力する。温度センサ１２９は、例えばサーミスタ温度計および熱電対温度計などの接触式の温度計でもよく、赤外線放射温度計および光ファイバー温度計などの非接触式の温度計でもよい。尚、「ＭＲＩ検査に関する」は、少なくとも「ＭＲＩ検査前」という意味を含み、「ＭＲＩ検査中」という意味を含んでもよい。また、計測された温度は、「周辺温度」と読み替えられてもよい。

温度センサ１２９は、例えばＭＲＩ装置１００における発熱部品が集まっている場所に配置される。発熱部品は、例えば、送信コイル１１５の内部回路が有するバランおよびデカップリングスイッチなどである。温度センサ１２９は、例えば、送信コイル１１５の内部に配置される。送信コイル１１５がＷＢコイルである場合、温度センサ１２９は、例えば、ＷＢコイル内における、傾斜磁場コイル１０３の渦巻き状のコイルパターンにおける渦中心に近い位置に配置される。傾斜磁場コイル１０３の渦中心は、発熱量が多く、温度上昇しやすいため、上記位置は、測定点として適している。

また、温度センサ１２９は、例えばＭＲＩ検査中に被検体が載置される空間（患者空間）に配置されてもよい。具体的には、温度センサ１２９は、ボア１１１を形成する壁面における任意の位置に配置される。例えば、温度センサ１２９は、天板１０７ａを案内するレールの下に配置される。尚、温度センサ１２９は、ボア１１１の開口端付近に配置されてもよい。

また、温度センサ１２９は、例えばＭＲＩ検査を行うためのシールドルーム内に配置されてもよい。具体的には、温度センサ１２９は、ＭＲＩ装置１００の任意の表面、ＭＲＩ装置１００の周囲、或いはシールドルームの外壁に配置される。

以上のことから、温度センサ１２９は、ＭＲＩ装置１００内外問わず、ＭＲＩ検査を行うためのシールドルーム内であれば、ＭＲＩ検査に支障がない範囲でいずれの場所に配置されてよい。また、温度センサ１２９は、複数の位置に配置されてもよい。複数の位置に温度センサ１２９が配置される場合、複数の温度センサ１２９は、測定手法が同じ種類の温度計が用いられてもよいし、測定手法が異なる種類の温度計が用いられてもよい。

処理回路１３１は、ハードウェア資源として、図示していないプロセッサ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ－Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭなどのメモリなどを有し、ＭＲＩ装置１００を制御する。処理回路１３１は、システム制御機能１３１ａ、画像生成機能１３１ｂ、温度取得機能１３１ｃ、インタロック値決定機能１３１ｄおよびパラメータ調整機能１３１ｅを有する。システム制御機能１３１ａ、画像生成機能１３１ｂ、温度取得機能１３１ｃ、インタロック値決定機能１３１ｄおよびパラメータ調整機能１３１ｅなどの機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶装置１２７へ記憶されている。処理回路１３１は、これら各種機能に対応するプログラムを記憶装置１２７から読み出し、実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読み出した状態の処理回路１３１は、図１の処理回路１３１内に示された複数の機能などを有することになる。

なお、図１においては単一の処理回路１３１にて前述の各種機能が実現されるものとして説明したが、複数の独立したプロセッサがプログラムを実行することにより機能を実現するものとして構わない。換言すると、前述の各種機能がプログラムとして構成され、一つの処理回路が各プログラムを実行する場合であってもよいし、特定の機能が専用の独立したプログラム実行回路に実装される場合であってもよい。

上記説明において用いた「プロセッサ」という文言は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）或いは、特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＡＳＩＣ）、プログラマブル論理デバイス（例えば、単純プログラマブル論理デバイス（Ｓｉｍｐｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＳＰＬＤ）、複合プログラマブル論理デバイス（Ｃｏｍｐｌｅｘ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ：ＣＰＬＤ）、およびフィールドプログラマブルゲートアレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ：ＦＰＧＡ））などの回路を意味する。

プロセッサは、記憶装置１２７に保存されたプログラムを読み出し実行することで各種機能を実現する。なお、記憶装置１２７にプログラムを保存する代わりに、プロセッサの回路内にプログラムを直接組み込むよう構成しても構わない。この場合、プロセッサは回路内に組み込まれたプログラムを読み出し実行することで機能を実現する。なお、寝台制御回路１０９、送信回路１１３、受信回路１１９、撮像制御回路１２１なども同様に、上記プロセッサなどの電子回路により構成される。また、処理回路１３１が有するシステム制御機能１３１ａ、画像生成機能１３１ｂ、温度取得機能１３１ｃ、インタロック値決定機能１３１ｄおよびパラメータ調整機能１３１ｅは、それぞれシステム制御部、画像生成部、取得部、決定部および調整部の一例である。

処理回路１３１は、システム制御機能１３１ａにより、ＭＲＩ装置を制御する。具体的には、処理回路１３１は、記憶装置１２７に記憶されているシステム制御プログラムを読み出してメモリ上に展開し、展開されたシステム制御プログラムに従ってＭＲＩ装置１００の各回路を制御する。例えば、処理回路１３１は、システム制御機能１３１ａにより、インタフェース１２３を介してユーザから入力される撮像条件に基づいて、撮像プロトコルを記憶装置１２７から読み出す。なお、処理回路１３１は、撮像条件に基づいて、撮像プロトコルを生成してもよい。処理回路１３１は、撮像プロトコルを撮像制御回路１２１に送信し、被検体Ｐに対する撮像を制御する。

処理回路１３１は、画像生成機能１３１ｂにより、ＭＲデータをｋ空間に充填する。処理回路１３１は、ｋ空間に充填されたＭＲデータに対して例えばフーリエ変換などを行うことにより、ＭＲ画像を生成する。ＭＲ画像は、例えば、被検体Ｐに関する形態画像に対応する。処理回路１３１は、ＭＲ画像を、ディスプレイ１２５や記憶装置１２７に出力する。

処理回路１３１は、温度取得機能１３１ｃにより、磁気共鳴イメージング検査に関する周辺温度を取得する。具体的には、処理回路１３１は、温度センサ１２９から出力された温度情報を取得する。尚、処理回路１３１は、ＭＲＩ検査中およびＭＲＩの撮像中などの温度がリアルタイムに変化する場合、周辺温度をリアルタイムに取得してもよい。

処理回路１３１は、インタロック値決定機能１３１ｄにより、取得された周辺温度に応じてＳＡＲのインタロック値を決定する。具体的には、処理回路１３１は、記憶装置１２７から読み出された対応表を用いて、取得された温度に対応するインタロック値を決定する。または、処理回路１３１は、記憶装置１２７から読み出された数式を用いて、取得された温度に対するインタロック値を決定（算出）する。尚、処理回路１３１は、周辺温度がリアルタイムに取得された場合、リアルタイムに取得された周辺温度に応じてＳＡＲに関するインタロック値をリアルタイムに決定してもよい。

例えば、インタロック値の決定において記憶装置１２７から読み出された数式を用いた場合、処理回路１３１は、インタロック値決定機能１３１ｄにより、周辺温度がＴ_２（例えば２５℃）以下の範囲において、当該周辺温度の関数を用いてインタロック値を決定してもよい。

例えば、インタロック値の決定において図２などのグラフに基づく対応表を用いた場合、処理回路１３１は、インタロック値決定機能１３１ｄにより、周辺温度がＴ_２（例えば２５℃）以下の範囲において、当該周辺温度の低下に伴って、インタロック値が上昇するように決定してもよい。または、処理回路１３１は、周辺温度がＴ_２（例えば２５℃）以下の範囲において、当該周辺温度の低下に比例して、インタロック値が上昇するように決定してもよい。

処理回路１３１は、パラメータ調整機能１３１ｅにより、決定されたインタロック値に基づいて撮像パラメータの上限値を調整する。具体的には、ＭＲＩ検査前の場合、処理回路１３１は、ＳＡＲに関連のある撮像パラメータの上限値を、決定されたインタロック値に基づいて調整する。または、ＭＲＩ検査中の場合、処理回路１３１は、ＳＡＲに関連のある撮像パラメータの上限値を、決定されるインタロック値に基づいてリアルタイムに調整する。さらに、ＭＲＩ検査中の場合において、処理回路１３１は、決定されたインタロック値よりも設定されているパラメータの値が上回った際に、当該パラメータの値をインタロック値へと強制的に調整してもよいし、ＭＲＩ検査自体を強制的に終了させてもよい。

（第１の処理例）
図４は、第１の実施形態における処理回路にて実行される処理を例示するフローチャートである。図４の処理は、例えば、ＭＲＩ検査前において、操作者などによりインタフェース１２３から撮像パラメータが設定される前に、処理回路１３１がＳＡＲに関するインタロック値の決定に関するプログラムを実行することにより開始される。

（ステップＳ４１０）
処理回路１３１は、温度取得機能１３１ｃにより、ＭＲＩ検査に関する温度を取得する。例えば、処理回路１３１は、ＷＢコイル内に設けられた温度センサから温度Ｔ_１の温度情報を取得する。

（ステップＳ４２０）
処理回路１３１は、インタロック値決定機能１３１ｄにより、取得された温度に応じてＳＡＲのインタロック値を決定する。例えば、処理回路１３１は、図２のグラフに基づく対応表を用いて、温度Ｔ_１に対応するインタロック値ＩＬ_２を決定する。

（ステップＳ４３０）
処理回路１３１は、パラメータ調整機能１３１ｅにより、決定されたインタロック値に基づいて撮像パラメータの上限値を調整する。例えば、処理回路１３１は、インタロック値ＩＬ_２に基づいてＲＦパルスに関するパラメータの上限値を調整する。

（第２の処理例）
図５は、第１の実施形態における処理回路にて実行される別の処理を例示するフローチャートである。図５の処理は、例えば、図４の処理のタイミングで開始され、ＭＲＩ検査中において、処理回路１３１がＳＡＲに関するインタロック値の決定に関するプログラムを、撮像が終わるまで実行し続ける。尚、ステップＳ５１０、ステップＳ５２０およびステップＳ５３０の処理は、それぞれステップＳ４１０、ステップＳ４２０およびステップＳ４３０の処理と同様のため、説明を省略する。

（ステップＳ５４０）
撮像中である場合、処理はステップＳ５１０へと戻る。撮影中でない場合、処理は終了する。

即ち、図５の処理は、撮影中において、常に温度を取得し、取得された温度に応じてインタロック値を決定する。

以上説明したように第１の実施形態によれば、ＭＲＩ装置１００は、周辺温度を取得し、取得された周辺温度に応じてＳＡＲのインタロック値を決定する。

また、第１の実施形態によれば、ＭＲＩ装置１００は、周辺温度に応じて異なるインタロック値を決定することができる。

また、第１の実施形態によれば、ＭＲＩ装置１００は、任意の温度以下の範囲において、温度に依存して変化するインタロック値を決定することができる。

また、第１の実施形態によれば、ＭＲＩ装置１００は、周辺温度をリアルタイムに取得し、リアルタイムに取得された周辺温度に応じてインタロック値をリアルタイムに決定することができる。

また、第１の実施形態によれば、ＭＲＩ装置１００は、周辺温度が２５℃以下の範囲において、周辺温度の関数を用いてインタロック値を決定することができる。

また、第１の実施形態によれば、ＭＲＩ装置１００は、周辺温度が２５℃以下の範囲において、周辺温度の低下に伴って、インタロック値が上昇するように決定することができる。

また、第１の実施形態によれば、ＭＲＩ装置１００は、周辺温度が２５℃以下の範囲において、周辺温度の低下に比例して、インタロック値が上昇するように決定することができる。

従って、ＭＲＩ装置１００は、周辺温度に応じたＳＡＲに関するインタロック値を決定できるため、ＩＥＣ規格に準じた安全性を確保しつつ、より柔軟に撮像条件を決めることができる。例えば、決定されたインタロック値によって従来よりも強いＲＦパルスが利用可能であれば、従来よりもコントラストの強い画像を得ることができる。また、決定されたインタロック値が従来のインタロック値よりも高い場合、フリップアングルが同じ条件であれば、従来よりも撮像時間を短縮することができる。結果として、従来よりもＴＲ時間を短くすることができるため、例えば、Ｔ１画像の画質（例えば、コントラスト）を向上させることができる。一方で、従来と同じ強度のＲＦパルスおよび従来と同じ撮像時間であれば、ＭＲＩ装置１００は、より多くのＲＦパルスの種類およびＲＦパルスのパルス数を照射可能であり、従来のＳＡＲの基準では利用することができなかったパルスシーケンスを用いることができる。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置の処理回路の構成例を示す図である。第２の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置は、第１の実施形態に係る磁気共鳴イメージング装置とは、処理回路の構成が異なる。具体的には、第２の実施形態に係る処理回路は、複数の周辺温度を取得し、取得された複数の周辺温度のうち最も高い温度に応じてインタロック値を決定する。

図６の処理回路６００は、ハードウェア資源として、図示していないプロセッサ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ－Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭなどのメモリなどを有し、ＭＲＩ装置１００を制御する。処理回路６００は、システム制御機能６００ａ、画像生成機能６００ｂ、温度取得機能６００ｃ、温度選択機能６００ｄ、インタロック値決定機能６００ｅおよびパラメータ調整機能６００ｆを有する。システム制御機能６００ａ、画像生成機能６００ｂ、温度取得機能６００ｃ、温度選択機能６００ｄ、インタロック値決定機能６００ｅおよびパラメータ調整機能６００ｆにて行われる各種機能は、コンピュータによって実行可能なプログラムの形態で記憶装置１２７へ記憶されている。処理回路６００は、これら各種機能に対応するプログラムを記憶装置１２７から読み出し、実行することで各プログラムに対応する機能を実現するプロセッサである。換言すると、各プログラムを読み出した状態の処理回路６００は、図６の処理回路６００内に示された複数の機能などを有することになる。

なお、処理回路６００が有するシステム制御機能６００ａ、画像生成機能６００ｂ、温度取得機能６００ｃ、温度選択機能６００ｄ、インタロック値決定機能６００ｅおよびパラメータ調整機能６００ｆは、それぞれシステム制御部、画像生成部、取得部、選択部、決定部および調整部の一例である。また、システム制御機能６００ａ、画像生成機能６００ｂ、およびパラメータ調整機能６００ｆは、それぞれシステム制御機能１３１ａ、画像生成機能１３１ｂおよびパラメータ調整機能１３１eと同様の機能を有するため、説明を省略する。

処理回路６００は、温度取得機能６００ｃにより、複数の周辺温度を取得する。具体的には、処理回路１３１は、温度取得機能６００ｃにより、複数の温度センサ１２９からそれぞれ出力された複数の温度情報を取得する。

処理回路６００は、温度選択機能６００ｄにより、取得された複数の周辺温度のうち最も高い温度を選択温度として選択する。

処理回路６００は、インタロック値決定機能６００ｅにより、選択された選択温度に基づいて、ＳＡＲに関するインタロック値を決定する。インタロック値を決定するための手法は、処理回路１３１のインタロック値決定機能１３１ｄと同様のため、説明を省略する。

図７は、第２の実施形態における処理回路にて実行される処理を例示するフローチャートである。図７の処理は、例えば、ＭＲＩ検査前において、操作者などによりインタフェース１２３から撮像パラメータが設定される前に、処理回路６００がＳＡＲに関するインタロック値の決定に関するプログラムを実行することにより開始される。

図７の処理の具体例として、例えば、複数の温度センサ１２９が、送信コイルの内部、ボア１１１内およびシールドルーム内などにそれぞれ配置されているものとして説明を行う。

（ステップＳ７１０）
処理回路６００は、温度取得機能６００ｃにより、ＭＲＩ検査に関する複数の温度を取得する。複数の温度情報は、例えば、送信コイルの内部、ボア１１１内およびシールドルーム内などにそれぞれ配置された複数の温度センサ１２９から出力された温度情報である。

（ステップＳ７２０）
処理回路６００は、温度選択機能６００ｄにより、取得された複数の温度のうち最も高い温度を選択する。例えば、処理回路６００は、最も高い温度として送信コイルの内部の温度を選択する。

（ステップＳ７３０）
処理回路６００は、インタロック値決定機能６００ｅにより、選択された温度に応じてＳＡＲのインタロック値を決定する。

（ステップＳ７４０）
処理回路６００は、パラメータ調整機能６００ｆにより、決定されたインタロック値に基づいて撮像パラメータの上限値を調整する。

以上説明したように第２の実施形態に係るＭＲＩ装置は、複数の周辺温度を取得し、取得された複数の周辺温度のうち最も高い温度を選択し、選択された温度に応じてＳＡＲのインタロック値を決定することができる。

従って、第２の実施形態に係るＭＲＩ装置は、複数の周辺温度を考慮してインタロック値を決定することができるため、安全性をより向上させることができる。

（応用例）
第１の実施形態および第２の実施形態に係るＭＲＩ装置では、周辺温度に応じてＳＡＲに関するインタロック値を決定する際に、温度とインタロック値とがそれぞれ対応している場合について説明した。他方、本応用例では、予め設定された基準値に対して、温度に応じた補正値を加えることによってインタロック値を決定する場合について説明する。尚、以降では、「処理回路およびインタロック値決定機能」は、「処理回路１３１およびインタロック値決定機能１３１ｄ」、或いは「処理回路６００およびインタロック値決定機能６００ｅ」に相当する。上記以外の構成は、第１の実施形態および第２の実施形態に係るＭＲＩ装置と略同様である。

応用例において、処理回路は、インタロック値決定機能により、取得された周辺温度に応じてＳＡＲのインタロック値を決定する。具体的には、処理回路は、記憶装置１２７から読み出された計算式を用いて、取得された温度に対するインタロック値を決定する。当該計算式は、例えば、以下の数式（１）である。

ＩＬ_Ｃ＝Ｖ_Ｓ＋ｆ（Ｔ_Ｍ） ・・・（１）

ＩＬ_Ｃはインタロック値、Ｖ_Ｓは予め設定された基準値、Ｔ_Ｍは周辺温度（取得された温度）、ｆ（Ｔ_Ｍ）は取得された温度に依存する関数をそれぞれ表す。予め設定された基準値とは、例えば、ＩＥＣによる規格などによって定められた上限値である。関数ｆ（Ｔ_Ｍ）は、例えば、以下の数式（２）である。

ｆ（Ｔ_Ｍ）＝（Ｔ_Ｂ－Ｔ_Ｍ）×α ・・・（２）

Ｔ_Ｂは被検体の体温、αは装置毎にキャリブレーションできる据え付け値（装置の係数）をそれぞれ表す。関数ｆ（Ｔ_Ｍ）の値は、数式（１）において基準値Ｖ_Ｓとインタロック値ＩＬ_Ｃとの関係から、補正値と呼ばれてもよい。尚、Ｔ_Ｂは、例えば、被検体の平均的な体温を固定値（例えば、３６℃）として用いてもよい。

上記を概説すると、処理回路は、予め設定された基準値に周辺温度に基づく補正値を加えることによってインタロック値を決定する。

以上説明したように応用例に係るＭＲＩ装置は、予め設定された基準値に周辺温度に基づく補正値を加えることによってインタロック値を決定することができる。

従って、応用例に係るＭＲＩ装置は、例えば、既存のシステムのインタロック方式設定されている基準値に対して補正値を加えればよいため、既存システムへの適用が可能であり、適用先のシステムのキャリブレーションも容易に行うことができる。

以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、周辺温度に応じてＳＡＲに関するインタロック値を決定することができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１００ 磁気共鳴イメージング装置（ＭＲＩ装置）
１０１ 静磁場磁石
１０３ 傾斜磁場コイル
１０７ 寝台
１０７ａ 天板
１１１ ボア
１１５ 送信コイル
１１７ 受信コイル
２００，３００ グラフ

Claims (14)

1. 磁気共鳴イメージング検査に関する周辺温度を取得する取得部と、
   前記周辺温度に応じてＳＡＲ（Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｒａｔｅ）のインタロック値を決定する決定部と
   を具備し、
   前記周辺温度が２５℃以下の範囲において、
   前記決定部は、前記周辺温度の低下に伴って、前記インタロック値が非線形に上昇するように決定する、磁気共鳴イメージング装置。
2. 磁気共鳴イメージング検査に関する周辺温度を取得する取得部と、
   前記周辺温度に応じてＳＡＲ（Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｒａｔｅ）のインタロック値を決定する決定部と
   を具備し、
   前記周辺温度が２５℃以下の範囲において、
   前記決定部は、前記周辺温度の低下に伴って、前記インタロック値が上昇するように決定し、
   前記周辺温度が２５℃以下の範囲における温度変化に伴う前記インタロック値の変化率は、前記周辺温度が２５℃から所定の温度の範囲における温度変化に伴う前記インタロック値の変化率よりも小さい、磁気共鳴イメージング装置。
3. 前記決定部は、前記周辺温度に応じて異なる前記インタロック値を決定する、
   請求項１または請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
4. 前記インタロック値は、任意の温度以下の範囲において、温度に依存して変化する、
   請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
5. 前記取得部は、前記周辺温度をリアルタイムに取得し、
   前記決定部は、リアルタイムに取得された前記周辺温度に応じて前記インタロック値をリアルタイムに決定する、
   請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
6. 前記決定部は、予め設定された基準値に前記周辺温度に基づく補正値を加えることで、前記インタロック値を決定する、
   請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
7. ＲＦパルスを送信する送信コイル
   を更に具備し、
   前記取得部は、前記周辺温度として、前記送信コイルの内部の温度を取得する、
   請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
8. 前記送信コイルは、全身用コイルである、
   請求項７に記載の磁気共鳴イメージング装置。
9. 前記取得部は、前記周辺温度として、被検体が挿入される空間であるボア内の温度を取得する、
   請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
10. 前記取得部は、前記周辺温度として、シールドルーム内の温度を取得する、
    請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
11. 前記周辺温度は、送信コイルの内部の温度、被検体が挿入される空間であるボア内の温度およびシールドルーム内の温度の複数の周辺温度のうち最も高い温度である、
    請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
12. 前記取得部は、前記複数の周辺温度を取得し、
    前記複数の周辺温度のうち最も高い温度を選択温度として選択する選択部
    を更に具備し、
    前記決定部は、前記選択温度に応じて前記インタロック値を決定する、
    請求項１１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
13. 前記周辺温度が２５℃以下の範囲において、
    前記決定部は、前記周辺温度の関数を用いて前記インタロック値を決定する、
    請求項１を直接的或いは間接的に引用しない、請求項２から請求項１２までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。
14. 前記周辺温度が２５℃以下の範囲において、
    前記決定部は、前記周辺温度の低下に比例して、前記インタロック値が上昇するように決定する、
    請求項１を直接的或いは間接的に引用しない、請求項２から請求項１２までのいずれか一項に記載の磁気共鳴イメージング装置。