JP7311733B2 - 磁気デバイス及び演算装置 - Google Patents
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Description
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図1に示すように、第1実施形態に係る磁気デバイス100は、第1導電部11、第2導電部12、第1磁性層21、第2磁性層22、第3磁性層23、第4磁性層24、第1非磁性層31、第2非磁性層32、及び制御部90を含む。
図4(a)~図4(c)は、第1実施形態に係る磁気デバイスによる演算結果を示す表である。
磁気デバイス100は、上述した電流の供給及び電位の制御により、XNOR(排他的論理和の否定)に必要な演算の少なくとも一部を実行可能である。制御部90は、以下の初期化動作、第1動作、第2動作、及び第3動作を実行する。
(OR演算)
図6(a)及び図6(b)は、OR演算に用いられる構造体を示す模式図である。図6(c)は、OR演算を示す表である。
図7(a)~図7(c)は、OR演算時の動作を示す模式図である。
図6(b)及び図7(a)~図7(c)の例では、第3導電部13を流れる電流の向き及び第5磁性層25の電位を、それぞれ第1値及び第2値に応じて変化させた。OR演算の具体的な方法は、この例に限らない。磁化25Mの向きと磁化26Mの向きの関係を、第1値又は第2値に応じて変化させても良い。
図10は、第1実施形態に係る磁気デバイスの具体的な一例を示す模式図である。
制御部90は、例えば図10に示すように、書込セレクタ91a及び91b、読出セレクタ92a及び92b、書込ドライバ93a及び93b、センスアンプ94a及び94bを含む。
図11(a)~図11(c)及び図12(a)~図12(d)は、第1実施形態に係る磁気デバイスの動作を示す模式図である。
制御部90は、初期化動作及び第2動作として、以下の動作を実行しても良い。
図13は、第2実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図13に示すように、第2実施形態に係る磁気デバイス200は、第1導電部11、第1磁性層21、第2磁性層22、第3磁性層23、第4磁性層24、第1非磁性層31、第2非磁性層32、及び制御部90を含む。
第2実施形態に係る磁気デバイス200は、第1実施形態に係る磁気デバイス100と同様に、XNOR論理ゲートとして機能する。制御部90は、以下の初期化動作、第1動作、及び判定動作を実行する。
図16は、第2実施形態に係る磁気デバイスの具体的な一例を示す模式図である。
制御部90は、例えば図16に示すように、書込セレクタ91、読出セレクタ92、書込ドライバ93、及びセンスアンプ94を含む。書込セレクタ91は、第1領域11a、第2領域11b、第1磁性層21、及び第3磁性層23と電気的に接続されている。書込セレクタ91は、複数の導電部から第1導電部11を選択する。また、書込セレクタ91は、複数の積層体から第1積層体SB1及び第2積層体SB2を選択する。書込ドライバ93は、選択された第1導電部11への電流の供給と、選択された第1磁性層21の電位の設定と、選択された第3磁性層23の電位の設定と、を実行する。書込ドライバ93aは、第1入力値及び第2入力値に応じて、第1導電部11を流れる電流の向き、第1磁性層21の電位、及び第3磁性層23の電位を制御する。
図17(a)~図17(c)及び図18(a)~図18(d)は、第2実施形態に係る磁気デバイスの動作を示す模式図である。
制御部90は、初期化動作及び第1動作として、以下の動作を実行しても良い。
図19は、第3実施形態に係る磁気デバイスを示す模式図である。
第3実施形態に係る磁気デバイス300は、第2実施形態に係る磁気デバイス200と比べて、記憶部40をさらに含む。制御部90は、XNOR演算の結果(出力値)を記憶部40に記憶する。
(構成A1)
第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含む第1導電部と、
前記第1領域と前記第2領域を結ぶ第1方向と交差する第2方向において前記第3領域から離れた第1磁性層と、
前記第3領域と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
前記第3領域と前記第1非磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含む第2導電部と、
前記第4領域と前記第5領域を結ぶ第3方向と交差する第4方向において前記第6領域から離れた第3磁性層と、
前記第6領域と前記第3磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、
前記第6領域と前記第2非磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
前記第1領域、前記第2領域、前記第4領域、前記第5領域、前記第1磁性層、及び前記第3磁性層と電気的に接続された制御部であって、
前記第1磁性層の磁化の向きと前記第2磁性層の磁化の向きとを平行状態とし、前記第3磁性層の磁化の向きと前記第4磁性層の磁化の向きとを平行状態とする初期化動作と、
第1入力値に応じた向きの第1電流を前記第1領域と前記第2領域との間に供給し、且つ前記第1磁性層の電位を第2入力値に応じて設定した後に、前記第1導電部と前記第1磁性層との間の第1電気抵抗を検出する第1動作と、
前記第1入力値に応じた向きの第2電流を前記第4領域と前記第5領域との間に供給し、且つ前記第3磁性層の電位を前記第2入力値に応じて設定した後に、前記第2導電部と前記第3磁性層との間の第2電気抵抗を検出する第2動作と、
前記第1電気抵抗に対応する第1値と前記第2電気抵抗に対応する第2値との論理和の出力値を得る第3動作と、
を実行する前記制御部と、
を備えた磁気デバイス。
前記第1入力値に対応する前記第2電流の向きは、前記第1入力値に対応する前記第1電流の向きと逆である、又は
前記第2入力値に対応する前記第3磁性層の電位は、前記第2入力値に対応する前記第1磁性層の電位と異なる構成A1記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記第3動作において、
第3導電部と、
前記第3導電部から離れた第5磁性層と、
前記第3導電部と前記第5磁性層との間に設けられた第3非磁性層と、
前記第3導電部と前記第3非磁性層との間に設けられた第6磁性層と、
を含む構造体を用いて、前記論理和の前記出力値を計算する構成A1又は2に記載の磁気デバイス。
前記第1磁性層の磁化の向きは、前記第1方向及び前記第2方向に平行な面と交差し、
前記第3磁性層の磁化の向きは、前記第3方向及び前記第4方向に平行な面と交差する構成A1~3のいずれか1つに記載の磁気デバイス。
第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、前記第2領域と前記第3領域との間の第4領域と、前記第3領域と前記第4領域との間の第5領域と、を含む第1導電部と、
前記第1領域と前記第2領域を結ぶ第1方向と交差する第2方向において前記第3領域から離れた第1磁性層と、
前記第3領域と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
前記第3領域と前記第1非磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記第2方向において前記第4領域から離れた第3磁性層と、
前記第4領域と前記第3磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、
前記第4領域と前記第2非磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
前記第1領域、前記第2領域、前記第5領域、前記第1磁性層、及び前記第3磁性層と電気的に接続された制御部であって、
前記第1磁性層の磁化の向きと前記第2磁性層の磁化の向きとを平行状態とし、前記第3磁性層の磁化の向きと前記第4磁性層の磁化の向きとを平行状態とする初期化動作と、
第1入力値に応じた向きの第1電流を前記第1領域と前記第2領域との間に供給し、且つ前記第1磁性層の電位及び前記第3磁性層の電位をそれぞれ第2入力値に応じて設定する第1動作と、
前記第1導電部と前記第1磁性層との間の第1電気抵抗、及び前記第1導電部と前記第3磁性層との間の第2電気抵抗に基づく参照値から出力値を判定する判定動作と、
を実行する前記制御部と、
を備えた磁気デバイス。
第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、前記第2領域と前記第3領域との間の第4領域と、前記第3領域と前記第4領域との間の第5領域と、を含む第1導電部と、
前記第1領域と前記第2領域を結ぶ第1方向と交差する第2方向において前記第3領域から離れた第1磁性層と、
前記第3領域と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
前記第3領域と前記第1非磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記第2方向において前記第4領域から離れた第3磁性層と、
前記第4領域と前記第3磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、
前記第4領域と前記第2非磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
前記第1領域、前記第2領域、前記第5領域、前記第1磁性層、及び前記第3磁性層と電気的に接続された制御部であって、
前記第1磁性層の磁化の向きと前記第2磁性層の磁化の向きとを平行状態とし、前記第3磁性層の磁化の向きと前記第4磁性層の磁化の向きとを平行状態とする初期化動作と、
第1入力値に応じた向きの第1電流を前記第1領域と前記第5領域との間に供給し、前記第1電流と逆向きの第2電流を前記第2領域と前記第5領域との間に供給し、且つ前記第1磁性層の電位及び前記第3磁性層の電位をそれぞれ第2入力値に応じて設定する第1動作と、
前記第1導電部と前記第1磁性層との間の第1電気抵抗、及び前記第1導電部と前記第3磁性層との間の第2電気抵抗に基づく参照値から出力値を判定する判定動作と、
を実行する前記制御部と、
を備えた磁気デバイス。
前記制御部は、前記判定動作において、
前記参照値が、前記第1電気抵抗及び前記第2電気抵抗の一方が平行状態であることを示すとき、前記出力値を1と判定し、
前記参照値が、前記第1電気抵抗及び前記第2電気抵抗の両方が平行状態であることを示すとき、前記出力値を0と判定する、
構成A5又は6に記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記判定動作において、前記第1磁性層と前記第3磁性層との間への電圧印加時における前記第5領域の電位を前記参照値として検出し、前記第5領域の前記電位に基づいて前記出力値を判定する構成A5又は6に記載の磁気デバイス。
前記第2入力値に対応する前記第3磁性層の電位は、前記第2入力値に対応する前記第1磁性層の電位と異なる構成A5~8のいずれか1つに記載の磁気デバイス。
前記第1磁性層の磁化の向き、及び前記第3磁性層の磁化の向きは、前記第1方向及び前記第2方向に平行な面と交差する構成A5~9のいずれか1つに記載の磁気デバイス。
前記出力値を記憶する記憶部をさらに備えた構成A1~10のいずれか1つに記載の磁気デバイス。
前記記憶部は、
第7磁性層と、
第8磁性層と、
前記第7磁性層と前記第8磁性層との間に設けられた第4非磁性層と、
を含み、
前記制御部は、前記第8磁性層の磁化の向きを前記出力値に対応させることで、前記出力値を記憶する構成A11記載の磁気デバイス。
第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含む第1導電部と、
前記第1領域と前記第2領域を結ぶ第1方向と交差する第2方向において前記第3領域から離れた第1磁性層と、
前記第3領域と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
前記第3領域と前記第1非磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含む第2導電部と、
前記第4領域と前記第5領域を結ぶ第3方向と交差する第4方向において前記第6領域から離れた第3磁性層と、
前記第6領域と前記第3磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、
前記第6領域と前記第2非磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
を含む磁気デバイスを用いて演算を実行する演算装置であって、
前記第1磁性層の磁化の向きと前記第2磁性層の磁化の向きとを平行状態とし、前記第3磁性層の磁化の向きと前記第4磁性層の磁化の向きとを平行状態とする初期化動作と、
第1入力値に応じた向きの第1電流を前記第1領域と前記第2領域との間に供給し、且つ前記第1磁性層の電位を第2入力値に応じて設定した後に、前記第1導電部と前記第1磁性層との間の第1電気抵抗を検出する第1動作と、
前記第1入力値に応じた向きの第2電流を前記第4領域と前記第5領域との間に供給し、且つ前記第3磁性層の電位を前記第2入力値に応じて設定した後に、前記第2導電部と前記第3磁性層との間の第2電気抵抗を検出する第2動作と、
前記第1電気抵抗に対応する第1値と前記第2電気抵抗に対応する第2値との論理和の出力値を得る第3動作と、
を実行する演算装置。
第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、前記第2領域と前記第3領域との間の第4領域と、前記第3領域と前記第4領域との間の第5領域と、を含む第1導電部と、
前記第1領域と前記第2領域を結ぶ第1方向と交差する第2方向において前記第3領域から離れた第1磁性層と、
前記第3領域と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
前記第3領域と前記第1非磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記第2方向において前記第4領域から離れた第3磁性層と、
前記第4領域と前記第3磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、
前記第4領域と前記第2非磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
を含む磁気デバイスを用いて演算を実行する演算装置であって、
前記第1磁性層の磁化の向きと前記第2磁性層の磁化の向きとを平行状態とし、前記第3磁性層の磁化の向きと前記第4磁性層の磁化の向きとを平行状態とする初期化動作と、
第1入力値に応じた向きの第1電流を前記第1領域と前記第2領域との間に供給し、且つ前記第1磁性層の電位及び前記第3磁性層の電位をそれぞれ第2入力値に応じて設定する第1動作と、
前記第1導電部と前記第1磁性層との間の第1電気抵抗、及び前記第1導電部と前記第3磁性層との間の第2電気抵抗に基づく参照値から出力値を判定する判定動作と、
を実行する演算装置。
第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、前記第2領域と前記第3領域との間の第4領域と、前記第3領域と前記第4領域との間の第5領域と、を含む第1導電部と、
前記第1領域と前記第2領域を結ぶ第1方向と交差する第2方向において前記第3領域から離れた第1磁性層と、
前記第3領域と前記第1磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、
前記第3領域と前記第1非磁性層との間に設けられた第2磁性層と、
前記第2方向において前記第4領域から離れた第3磁性層と、
前記第4領域と前記第3磁性層との間に設けられた第2非磁性層と、
前記第4領域と前記第2非磁性層との間に設けられた第4磁性層と、
を含む磁気デバイスを用いて演算を実行する演算装置であって、
前記第1磁性層の磁化の向きと前記第2磁性層の磁化の向きとを平行状態とし、前記第3磁性層の磁化の向きと前記第4磁性層の磁化の向きとを平行状態とする初期化動作と、
第1入力値に応じた向きの第1電流を前記第1領域と前記第5領域との間に供給し、前記第1電流と逆向きの第2電流を前記第2領域と前記第5領域との間に供給し、且つ前記第1磁性層の電位及び前記第3磁性層の電位をそれぞれ第2入力値に応じて設定する第1動作と、
前記第1導電部と前記第1磁性層との間の第1電気抵抗、及び前記第1導電部と前記第3磁性層との間の第2電気抵抗に基づく参照値から出力値を判定する判定動作と、
を実行する演算装置。
第4実施形態は、磁気デバイスに係る。第4実施形態に係る磁気デバイスは、第1実施形態に係る磁気デバイス100と同様に、第1導電部11、第1積層体SB1、第2導電部12、第2積層体SB2及び制御部90を含む(例えば、図1参照)。
図20に示すように、制御部90は、初期化動作S100と、第1動作S110と、第2動作S120と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能である。初期化動作S100、第1動作S110及び第2動作S120は、繰り返して実施されても良い。以下、これらの動作の例について説明する。
図21に示すように、実施形態に係る磁気デバイス411において、第1積層体SB1は、第1磁性部材21Aを含んでも良い。第3領域11cと第1磁性部材21Aとの間に、第1磁性層21がある。第2磁性層22と第1磁性層21との間に、第1非磁性層31がある。第2積層体SB2は、第2磁性部材22Aを含んでも良い。第6領域12fと第2磁性部材22Aとの間に、第3磁性層23がある。第4磁性層24と第3磁性層23との間に、第2非磁性層32がある。第1磁性部材21A及び第2磁性部材22Aは、例えば、IrMn及びPtMnよりなる群から選択された少なくとも1つなどを含む。第1磁性部材21A及び第2磁性部材22Aは、例えば、反強磁性層である。
図22(a)は、実施形態に係る磁気デバイス411における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図23に示すように、実施形態に係る磁気デバイス412において、例えば、第1磁性層21に第2入力“INPUT2”の反転が入力される。例えば、第3磁性層23に第2入力“INPUT2”が入力される。
図24(a)は、実施形態に係る磁気デバイス412における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図25に示すように、実施形態に係る磁気デバイス413において、例えば、第1磁性層21に第2入力“INPUT2”が入力される。例えば、第3磁性層23に第2入力“INPUT2”の反転が入力される。
図26(a)は、実施形態に係る磁気デバイス413における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図27に示すように、実施形態に係る磁気デバイス414において、例えば、第1磁性層21に第2入力“INPUT2”の反転が入力される。例えば、第3磁性層23に第2入力“INPUT2”が入力される。
図28(a)は、実施形態に係る磁気デバイス414における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図29に示すように、実施形態に係る磁気デバイス415において、例えば、第1磁性層21に第2入力“INPUT2”が入力される。例えば、第3磁性層23に第2入力“INPUT2”の反転が入力される。
図30(a)は、実施形態に係る磁気デバイス415における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図31に示すように、実施形態に係る磁気デバイス416において、例えば、第1磁性層21に第2入力“INPUT2”が入力される。例えば、第3磁性層23に第2入力“INPUT2”の反転が入力される。
図32(a)は、実施形態に係る磁気デバイス416における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図33に示すように、実施形態に係る磁気デバイス417において、例えば、第1磁性層21に第2入力“INPUT2”の反転が入力される。例えば、第3磁性層23に第2入力“INPUT2”が入力される。
図34(a)は、実施形態に係る磁気デバイス417における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図35に示すように、実施形態に係る磁気デバイス418において、例えば、第1磁性層21に第2入力“INPUT2”の反転が入力される。例えば、第3磁性層23に第2入力“INPUT2”が入力される。
図36(a)は、実施形態に係る磁気デバイス418における、第1入力“INPUT1”及び第2入力“INPUT2”が、“0”または“1”のときの、磁化の定義MGD、導電部に流れる電流Iwの向き、及び、磁性層に印加されるバイアス電圧VSBを示している。
図37は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式的斜視図である。
図38(a)~図38(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図37、及び、図38(a)~図38(d)に例示する磁気デバイス421においては、第1動作S110に関する第1例が実施される。磁気デバイス421において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1高電気抵抗状態(“AP”であり“H”)とし、第2積層体SB2を第2低電気抵抗状態(“P”であり“L”)とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きを有し、第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第2動作S120に関する第4例が実施される。
図40(a)~図40(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図39、及び、図40(a)~図40(d)に例示する磁気デバイス422においては、第1動作S110に関する第2例が実施される。磁気デバイス422において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1低電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2高電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第2動作S120に関する第3例が実施される。
図42(a)~図42(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図41、及び、図42(a)~図42(d)に例示する磁気デバイス431においては、第1動作S110に関する第1例が実施される。磁気デバイス431において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1低電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2高電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第2動作S120に関する第4例が実施される。
図44(a)~図44(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図43、及び、図44(a)~図44(d)に例示する磁気デバイス432においては、第1動作S110に関する第1例が実施される。磁気デバイス432において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1高電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2高電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第2動作S120に関する第3例が実施される。
図46(a)~図46(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図45、及び、図46(a)~図46(d)に例示する磁気デバイス433においては、第1動作S110に関する第1例が実施される。磁気デバイス433において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1低電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2低電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第2動作S120に関する第3例が実施される。
図48(a)~図48(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図47、及び、図48(a)~図48(d)に例示する磁気デバイス434においては、第1動作S110に関する第1例が実施される。磁気デバイス434において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1高電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2高電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第2動作S120に関する第4例が実施される。
図50(a)~図50(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図49、及び、図50(a)~図50(d)に例示する磁気デバイス441においては、第1動作S110に関する第1例が実施される。磁気デバイス441において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1高電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2高電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第2動作S120に関する第4例が実施される。
図52(a)~図52(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図51、及び、図52(a)~図52(d)に例示する磁気デバイス442においては、第1動作S110に関する第1例が実施される。磁気デバイス442において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1低電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2低電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第2動作S120に関する第4例が実施される。
図54(a)~図54(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図53、及び、図54(a)~図54(d)に例示する磁気デバイス443においては、第1動作S110に関する第2例が実施される。磁気デバイス443において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体SB1を第1高電気抵抗状態とし、第2積層体SB2を第2高電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第2動作S120に関する第3例が実施される。
図56(a)~図56(d)は、第5実施形態に係る磁気デバイスを例示する模式図である。
図56、及び、図56(a)~図56(d)に例示する磁気デバイス444においては、第1動作S110に関する第2例が実施される。磁気デバイス444において、制御部90は、初期化動作S100において、第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とする。第1入力が“0”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第2領域11bから第1領域11aへの向きI21を有し、第2電流は第4領域12dから第5領域12eへの向きI45を有する。第1入力が“1”であるときに、第1動作S110において、第1電流は第1領域11aから第2領域11bへの向きI12を有し、第2電流は第5領域12eから第4領域12dへの向きI54を有する。第2動作S120に関する第4例が実施される。
第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作においける前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定する、磁気デバイス。
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きい、構成1記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、構成2記載の磁気デバイス。
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きい、構成1記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、構成14記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成14記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成14記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成14記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成14記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、構成14記載の磁気デバイス。
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、構成14記載の磁気デバイス。
前記第2領域は前記第4領域と電気的に接続され、
前記第1入力が前記“0”であり前記第2入力が前記“1”である場合、または、前記第1入力が前記“1”であり前記第2入力が前記“0”である場合、前記第2動作において、前記第3磁性層を基準にして前記第1磁性層に前記第1電位差を印加したとき、前記第2領域及び前記第4領域の接続点における電位は、前記第1電位差の約1/2の第1値であり、
前記第1入力が前記“0”であり前記第2入力が前記“0”である場合、または、前記第1入力が前記“1”であり前記第2入力が前記“1”である場合、前記第2動作において、前記第3磁性層を基準にして前記第1磁性層に前記第1電位差を印加したとき、前記接続点における前記電位は、前記第1値とは異なる、構成3、6、9、10、16、18、19、20のいずれか1つに記載の磁気デバイス。
前記第2領域は前記第4領域と電気的に接続され、
前記第1入力が前記“0”であり前記第2入力が前記“0”である場合、または、前記第1入力が前記“1”であり前記第2入力が前記“1”である場合、前記第2動作において、前記第3磁性層を基準にして前記第1磁性層に前記第1電位差を印加したとき、前記第2領域及び前記第4領域の接続点における前記電位は、前記第1電位差の約1/2の第1値であり、
前記第1入力が前記“0”であり前記第2入力が前記“1”である場合、または、前記第1入力が前記“1”であり前記第2入力が前記“0”である場合、前記第2動作において、前記第3磁性層を基準にして前記第1磁性層に前記第1電位差を印加したとき、前記接続点における電位は、前記第1値とは異なる、構成4、5、7、8、11、12、13、15、17、21のいずれか1つに記載の磁気デバイス。
11a~11e…第1~第5領域、
12…第2導電部、
12d~12f…第4~第6領域、
13…第3導電部、
13g~13i…第7~第9領域、
14…第4導電部、
14a、14b…第1、第2接続領域、
14c…中間領域、
21~28…第1~第8磁性層、
21A、22A…第1、第2磁性部材、
21M~28M…磁化、
31~34…第1~第4非磁性層、
40…記憶部、
90…制御部、
91、91a~91c…書込セレクタ、
92、92a~92c…読出セレクタ、
93、93a~93c…書込ドライバ、
94、94a~94b…センスアンプ、
95…論理ゲート、
96…制御回路、
100、200、300、411~418、421、422、431~434、441~444…磁気デバイス、
AR1、AR2、ARa、ARb…アレイ領域、
CN…接続点、
I12、I21、I45、I54…向き、
Iw、Iw1~Iw3…電流、
MG0、MG1、MGR…構成、
MGD…定義、
ML…中間層、
OL…出力層、
P1~P3…電位、
RJ…結果、
RPR1、RPR2、RPRa、RPRb…読出周辺回路領域、
S、S1、S2…信号、
SB1、SB2…第1、第2積層体、
SB4…積層体、
ST1…構造体、
VD…測定値、
VSB…バイアス電圧、
Va2、Va4…第2、第4電位、
Vd1、Vd3…第1、第3電位、
WPRa、WPRb、WPR1、WPR2…書込周辺回路領域
Claims (17)
- 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、記載の磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。 - 第1領域と、第2領域と、前記第1領域と前記第2領域との間の第3領域と、を含み、前記第1領域から前記第2領域への方向は、第1方向に沿う、第1導電部と、
第1磁性層及び第2磁性層を含む第1積層体であって、前記第2磁性層は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第3領域と前記第1磁性層との間にある、前記第1積層体と、
第4領域と、第5領域と、前記第4領域と前記第5領域との間の第6領域と、を含み、前記第4領域から前記第5領域への方向は、第3方向に沿う、第2導電部と、
第3磁性層及び第4磁性層を含む第2積層体であって、前記第4磁性層は、前記第3方向と交差する第4方向において前記第6領域と前記第3磁性層との間にある、前記第2積層体と、
制御部と、
を備え、
前記第1積層体は、第1低電気抵抗状態、または、前記第1低電気抵抗よりも高い第1高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記第2積層体は、第2低電気抵抗状態、または、前記第2低電気抵抗よりも高い第2高電気抵抗状態になることが可能であり、
前記制御部は、初期化動作と、第1動作と、第2動作と、を実施して、第1入力及び第2入力のXNOR演算が可能であり、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1低電気抵抗状態または前記第1高電気抵抗状態の第1抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2低電気抵抗状態または前記第2高電気抵抗状態の第2抵抗状態とし、
前記制御部は、前記第1動作において、前記第1磁性層の電位を第1設定電位としつつ前記第1導電部に第1電流を供給し、前記第3磁性層の電位を第2設定電位としつつ前記第2導電部に第2電流を供給し、
前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1電流の向きと、逆であり、前記第1入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きは、前記第1入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2電流の向きと、逆であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位の第1極性は、前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位を基準にした、前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位の第2極性と逆であり、
前記制御部は、前記第2動作において、前記第1動作の後の前記第1積層体の電気抵抗、及び、前記第1動作の後の前記第2積層体の電気抵抗に応じた値を測定し、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第2電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第1設定電位は、第1電位であり、
前記第2入力が“0”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第3電位であり、
前記第2入力が“1”であるときの前記第1動作における前記第2設定電位は、第4電位であり、
前記第1電位と前記第2電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との差の絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との差の絶対値よりも大きく、
前記第3電位と前記第4電位との差の絶対値は、前記第1電位と前記第3電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、前記第2電位と前記第4電位との前記差の前記絶対値よりも大きく、
前記制御部は、前記初期化動作において、前記第1積層体を前記第1高電気抵抗状態とし、前記第2積層体を前記第2高電気抵抗状態とし、
前記第1入力が“0”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第1領域から前記第2領域への向きを有し、前記第2電流は前記第5領域から前記第4領域への向きを有し、前記第1入力が“1”であるときに、前記第1動作において、前記第1電流は前記第2領域から前記第1領域への向きを有し、前記第2電流は前記第4領域から前記第5領域への向きを有する、磁気デバイス。
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